KR20130038314A - 다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치 - Google Patents

다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130038314A
KR20130038314A KR1020130021399A KR20130021399A KR20130038314A KR 20130038314 A KR20130038314 A KR 20130038314A KR 1020130021399 A KR1020130021399 A KR 1020130021399A KR 20130021399 A KR20130021399 A KR 20130021399A KR 20130038314 A KR20130038314 A KR 20130038314A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
peeling
pushing
starting point
dicing film
Prior art date
Application number
KR1020130021399A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101489054B1 (ko
Inventor
히로시 마끼
나오끼 오까모또
Original Assignee
가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠 filed Critical 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠
Publication of KR20130038314A publication Critical patent/KR20130038314A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101489054B1 publication Critical patent/KR101489054B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1132—Using vacuum directly against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1933—Spraying delaminating means [e.g., atomizer, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1944—Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1978—Delaminating bending means
    • Y10T156/1983—Poking delaminating means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는 확실하게 다이를 박리할 수 있는 픽업 장치를 제공하는 것, 또는 상기 픽업 장치를 사용하여, 신뢰성이 높은 다이본더 또는 픽업 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 다이싱 필름에 부착된 복수의 다이(반도체 칩) 중 박리 대상의 다이를 밀어올려 상기 다이싱 필름으로부터 박리할 때에, 상기 다이의 주변부 중 소정부에 있어서의 상기 다이싱 필름을 픽업하여 박리 기점을 형성하고, 그 후, 상기 소정부 이외의 부분의 상기 다이싱 필름을 픽업하여 상기 다이를 상기 다이싱 필름으로부터 박리하는 것을 특징으로 한다.

Description

다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치 {DIE BONDER AND PICKUP METHOD AND PICKUP DEVICE}
본 발명은 다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치에 관한 것으로, 특히 신뢰성이 높은 다이본더 및 픽업 방법 및 확실하게 다이를 박리할 수 있는 픽업 장치에 관한 것이다.
다이(반도체 칩)(이하, 단순히 다이라고 함)를 배선 기판이나 리드 프레임 등의 기판에 탑재하여 패키지를 조립하는 공정의 일부에, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 함)로부터 다이를 분할하는 공정과, 분할한 다이를 기판 상에 탑재하는 다이본딩 공정이 있다.
본딩 공정 중에는 웨이퍼로부터 분할된 다이를 박리하는 박리 공정이 있다. 박리 공정에서는, 이들 다이를 픽업 장치에 보유 지지된 다이싱 테이프로부터 1개씩 박리하여, 콜릿이라고 불리는 흡착 지그를 사용하여 기판 상으로 반송한다.
박리 공정을 실시하는 종래 기술로는, 예를 들어 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에 기재하는 기술이 있다. 특허 문헌 1에서는, 다이의 4코너에 설치한 제1 밀어올림 핀군과, 선단이 제1 밀어올림 핀보다 낮고, 다이의 중앙부 또는 주변부에 설치한 제2 밀어올림 핀군을 핀 홀더에 장착하여, 핀 홀더를 상승시킴으로써 박리하는 기술이 개시되어 있다.
또한, 특허 문헌 2에서는, 다이의 중심부로 갈수록 밀어올림 높이를 높게 할 수 있는 3개의 블록을 설치하고, 가장 외측의 외측 블록의 4코너에 일체 형성되어 다이의 코너 방향으로 돌출된 돌기를 설치하여, 3개의 블록을 순차적으로 밀어올리는 기술이 개시되어 있다.
일본 특허 출원 공개 제2002-184836호 공보 일본 특허 출원 공개 제2007-42996호 공보
최근, 반도체 장치의 고밀도 실장을 추진하는 목적으로, 패키지의 박형화가 진행되고 있다. 특히, 메모리 카드의 배선 기판 상에 복수매의 다이를 3차원적으로 실장하는 적층 패키지가 실용화되고 있다. 이와 같은 적층 패키지를 조립할 때에는, 패키지 두께의 증가를 방지하기 위해, 다이의 두께를 20㎛ 이하까지 얇게 하는 것이 요구된다.
다이가 얇아지면, 다이싱 테이프의 점착력에 비해 다이의 강성이 극히 낮아진다. 그로 인해, 특허 문헌 1의 제1, 제2의 높이가 다른 다단 밀어올림 핀 방식으로 하든, 특허 문헌 2의 돌기를 갖는 다단 블록 방식으로 하든, 다이의 외주부 또는 코너부로부터 한번에 박리된다. 한번에 박리되면, 다이의 외주부 또는 코너부에 박리시키지 않도록 하는 앵커 효과에 대항하여, 즉 스트레스가 집중하여, 전술한 다이 두께로 되면 다이의 외주부 또는 코너부가 변형되어 깨져 버린다. 특히, 다이와 다이싱 테이프 사이에 전술한 다이 어태치 필름이 개재되어 있는 경우에는, 다이 어태치 필름을 다이싱함으로써 증대되는 앵커 효과로 다이싱 테이프와의 점착력이 다이와 다이싱 테이프의 점착력보다도 강해지는 경우가 있다. 또한, 안정되지 않아, 다이의 박리가 한층 곤란해진다.
본 발명은 상기한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 제1 목적은, 확실하게 다이를 박리할 수 있는 픽업 방법 및 픽업 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 제2 목적은, 제1 목적을 달성하는 픽업 장치를 사용하여 신뢰성이 높은 다이본더를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위해, 다이싱 필름에 부착된 복수의 다이 중 박리 대상의 다이를 밀어올려 상기 다이싱 필름으로부터 박리할 때에, 상기 다이의 주변부 중 소정부에 있어서의 상기 다이싱 필름을 밀어올려 박리 기점을 형성하고, 그 후, 상기 소정부 이외 부분의 상기 다이싱 필름을 밀어올려 상기 다이를 상기 다이싱 필름으로부터 박리하는 것을 제1 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위해, 제1 특징에 추가하여, 상기 박리 기점의 형성을 핀으로 행하는 것을 제2 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위해, 제2 특징에 추가하여, 다이의 4코너 부분 중 적어도 1개의 코너 부분에 설치되어 있는 것을 제3 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위해, 제2 특징에 추가하여, 2개의 밀어올림 구동은 단일의 구동원으로 상하로 구동되는 작동체에 의해 구동되어, 상기 작동체의 상승 시에는 상기 2개의 밀어올림 중 한쪽을 행하고, 상기 작동체의 하강 시에는 상기 하강을 상승으로 바꾸는 반전부를 통해 상기 다른 쪽을 행하는 것을 제4 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위해, 제4 특징에 추가하여, 상기 다른 쪽은 상기 박리 기점을 형성하는 상기 밀어올림인 것을 제5 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 확실하게 다이를 박리할 수 있는 픽업 방법 및 픽업 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기한 픽업 방법 또는 픽업 장치를 사용하여, 신뢰성이 높은 다이본더를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태인 다이본더를 상부로부터 본 개념도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태인 픽업 장치의 외관 사시도를 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태인 픽업 장치의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 4의 (a)는 본 발명의 제1 실시 형태인 밀어올림 유닛과 본드 헤드 유닛 중 콜릿부의 구성을 도시한 도면이고, 도 4의 (b)는 밀어올림 유닛의 밀어올림 블록부 및 박리 기점 형성 핀이 존재하는 부분을 상부로부터 본 도면.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 픽업 동작의 처리 플로우를 도시하는 도면.
도 6은 도 5에 도시하는 처리 플로우에 있어서의 돔 헤드 부근부와 콜릿부의 동작을 도시한 도면.
도 7은 도 5에 도시하는 처리 플로우에 있어서의 다이의 픽업 동작 시의 밀어올림 유닛의 구동 동작을 주체로 도시하는 도면.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태인 밀어올림 유닛의 구성과 동작 상태를 도시하는 도면.
도 9는 제2 실시 형태에 있어서의 픽업 동작의 처리 플로우를 도시하는 도면.
도 10은 도 9에 도시하는 처리 플로우에 있어서의 돔 헤드 부근부와 콜릿부의 동작을 도시하는 도면.
도 11은 본 발명의 제2 실시 형태의 밀어올림 유닛에 플랜지가 없는 콜릿에 적용한 예를 도시하는 도면.
도 12는 도 10의 (b)와 도 10의 (c) 사이의 상태를 도시하고, 박리 기점 형성 핀과 외측 블록 및 내측 블록이 동일 높이로 되었을 때의 상태를 도시하는 도면.
도 13은 본 발명의 제2 밀어올림 유닛의 실시 형태를 도시한 도면.
도 14는 박리 기점 형성 핀의 수 또는 구동 방법에 대한 다른 실시 형태를 도시하는 도면.
도 15는 도 10의 (c), 도 10의 (d)에 적용하는 박리 기점 형성 핀의 구동 방법의 예를 도시하는 도면.
이하, 도면에 기초하여, 본 발명의 실시 형태를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태인 다이본더(10)를 상부로부터 본 개념도이다. 다이본더는 크게 구별하여 웨이퍼 공급부(1)와, 워크 공급ㆍ반송부(2)와, 다이본딩부(3)를 갖는다.
워크 공급ㆍ반송부(2)는 스택 로더(21)와, 프레임 피더(22)와, 언로더(23)를 갖는다. 스택 로더(21)에 의해 프레임 피더(22)에 공급된 워크(리드 프레임)는 프레임 피더(22) 상의 2개소의 처리 위치를 통해 언로더(23)로 반송된다.
다이본딩부(3)는 프리폼부(31)와 본딩 헤드부(32)를 갖는다. 프리폼부(31)는 프레임 피더(22)에 의해 반송되어 온 워크에 다이 접착제를 도포한다. 본딩 헤드부(32)는 픽업 장치(12)로부터 다이를 픽업하여 상승시키고, 다이를 평행 이동하여 프레임 피더(22) 상의 본딩 포인트까지 이동시킨다. 그리고, 본딩 헤드부(32)는 다이를 하강시켜 다이 접착제가 도포된 워크 상에 본딩한다.
웨이퍼 공급부(1)는 웨이퍼 카세트 리프터(11)와 픽업 장치(12)를 갖는다. 웨이퍼 카세트 리프터(11)는 웨이퍼 링이 충전된 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)를 갖고, 순차적으로 웨이퍼 링을 픽업 장치(12)에 공급한다.
다음에, 도 2 및 도 3을 사용하여 픽업 장치(12)의 구성을 설명한다. 도 2는 픽업 장치(12)의 외관 사시도를 도시하는 도면이다. 도 3은 픽업 장치(12)의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다. 도 2, 도 3에 도시한 바와 같이, 픽업 장치(12)는 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 복수의 다이(칩)(4)가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)과, 지지 링(17)의 내측에 배치되어 다이(4)를 상방으로 밀어올리기 위한 밀어올림 유닛(50)을 갖는다. 밀어올림 유닛(50)은 도시하지 않은 구동 기구에 의해, 상하 방향으로 이동하도록 되어 있고, 수평 방향으로는 픽업 장치(12)가 이동하도록 되어 있다.
픽업 장치(12)는 다이(4)를 밀어올릴 때에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 잡아 늘여져 다이(4)의 간격이 넓어지고, 밀어올림 유닛(50)에 의해 다이 하방으로부터 다이(4)를 밀어올려, 다이(4)의 픽업성을 향상시키고 있다. 또한, 박형화에 수반하여 접착제는 액상으로부터 필름 형상으로 되고, 웨이퍼와 다이싱 테이프(16) 사이에 다이 어태치 필름(18)이라고 불리는 필름 형상의 접착 재료를 부착하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼에서는, 다이싱은 웨이퍼와 다이 어태치 필름(18)에 대해 행해진다. 따라서, 박리 공정에서는 웨이퍼와 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다.
도 4의 (a)는 본 발명의 제1 실시 형태인 밀어올림 유닛(50)과 본드 헤드 유닛(도시하지 않음) 중 콜릿부(40)와의 구성을 도시한 도면이다. 도 4의 (b)는 밀어올림 유닛의 후술하는 밀어올림 블록부 및 박리 기점 형성 핀이 존재하는 부분을 상부로부터 본 도면이다.
도 4의 (a)에 도시한 바와 같이 콜릿부(40)는 콜릿(42)과, 콜릿(42)을 보유 지지하는 콜릿 홀더(41)와, 각각에 설치되어 다이(4)를 흡착하기 위한 흡인 구멍(41v, 42v)이 있다.
한편, 밀어올림 유닛(50)은 크게 구별하여, 밀어올림 블록부와, 박리 기점 형성 핀부와, 밀어올림 블록부와 박리 기점 형성 핀부를 구동하는 구동부와, 그들을 보유 지지하는 돔 본체(58)를 갖는다. 밀어올림 블록부는 블록 본체(59)와, 블록 본체(59)에 직결된 내측 블록(54), 1/2 전환 스프링(52b)을 통해 내측 블록의 주위에 설치되어, 다이(4)의 외형보다 작은 외형을 갖는 외측 블록(52)을 갖고 있다.
박리 기점 형성 핀부는, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 외측 블록(52)의 4개의 코너의 외측, 즉 다이의 4코너에 각각 설치된 4개의 박리 기점 형성 핀(51)과, 박리 기점 형성 핀을 보유 지지하여, 상하로 이동 가능한 핀 상하 링크(55)와, 56a를 지지점으로 회전하여 핀 상하 링크(55)를 상하 이동시키는 핀 구동 링크(56)를 갖는다.
구동부는 모터에 의해 상하로 이동하는 구동축(57)과, 구동축(57)의 상하에 수반하여 상하 이동하는 작동체(53)를 갖는다. 작동체(53)가 하강하면, 좌우의 핀 구동 링크(56)가 회전하여, 핀 상하 링크(55)가 상승하여, 박리 기점 형성 핀(51)을 밀어 올린다. 작동체(53)가 상승하면, 블록 본체를 상승시켜, 외측, 내측 블록을 밀어 올린다. 또한, 핀 상하 링크(55)와 핀 구동 링크(56)는, 상술한 설명에 따르면, 작동체(53)의 하강하는 움직임을 박리 기점 형성 핀(51)의 밀어 올리는(상승) 움직임으로 바꾸는 반전부를 구성한다.
돔 본체(58)의 상부에는 다이(4)를 흡착하여 보유 지지하는 많은 흡착 구멍(58a)을 구비하는 돔 헤드(58b)를 갖는다. 도 4의 (b)에서는 블록부의 주위에 일렬만을 도시하고 있지만, 픽업 대상이 아닌 다이(4d)를 안정적으로 보유 지지하기 위해 복수열 설치하고 있다. 또한, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 내측 블록(54)과 외측 블록(52)의 간극(54v) 및 외측 블록(52)과 돔 헤드(58b)의 간극(52v)을 흡인하여 다이싱 테이프(16)를 블록부측에 보유 지지하고 있다.
다음에, 상술한 구성에 의한 밀어올림 유닛(50)에 의한 픽업 동작을 도 5, 도 6 및 도 7을 사용하여 설명한다. 도 5는 픽업 동작의 처리 플로우를 도시한다. 도 6은 도 5에 도시하는 처리 플로우에 있어서의 돔 헤드(58b) 부근부와 콜릿부(40)의 동작을 도시한 도면이다. 도 7은 도 5에 도시하는 처리 플로우에 있어서의 다이(4)의 픽업 동작 시의 밀어올림 유닛(50)의 구동 동작을 주체로 도시한 도면이다. 도 6, 도 7에 있어서, (a) 내지 (d)는 동시기의 동작을 도시한다.
우선, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 박리 기점 형성 핀(51), 외측 블록(52), 내측 블록(54)이 돔 헤드(58b)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하여, 돔 헤드(58b)의 흡착 구멍(58a)과, 블록 사이의 간극(52v, 54v)에 의해 다이싱 테이프(16)를 흡착한다(스텝 1). 다음에, 콜릿부(40)를 하강시켜, 픽업하는 다이(4) 상에 위치 결정하여, 흡인 구멍(41v, 42v)에 의해 다이(4)를 흡착한다(스텝 2). 스텝 1, 2에 의해 도 6의 (a)에 도시하는 상태로 되고, 이때, 구동 동작은 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 작동체(53)는 박리 기점 형성 핀(51)이나 블록(52, 54)을 동작시키지 않는 뉴트럴 상태이다. 이와 같은 상태에서, 콜릿(42)의 플랜지(42t)로부터 누설이 없는지를 공기 유량을 검출하여, 누설이 정상 범위에 들어갈 때까지 흡인한다(스텝 3).
다음에, 외측 블록(52)의 4코너에 설치한 박리 기점 형성 핀(51)만을 수십㎛로부터 수백㎛ 상승시킨다(스텝 4). 이 결과, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 박리 기점 형성 핀(51)의 주변에 있어서 다이싱 테이프(16)가 융기된 밀어올림 부분이 형성되어, 다이싱 테이프(16)와 다이 어태치 필름(18) 사이에 미소한 공간, 즉 박리 기점(51a)이 생긴다. 이 공간에 의해 앵커 효과, 즉 다이(4)에 가해지는 스트레스가 대폭으로 저감되어, 다음 스텝에 있어서의 박리 동작을 확실하게 할 수 있다. 도 7의 (b)는 이때의 구동 동작을 도시한 도면이다. 작동체(53)는 하강하여, 56a를 지지점으로 핀 구동 링크(56)가 회전하여, 핀 상하 링크(55)를 상승시키고, 박리 기점 형성 핀(51)을 밀어올린다.
박리 기점 형성 핀(51)은 상술한 바와 같이 미소한 구간을 형성할 수 있으면 되므로, 밀어올림 핀은, 예를 들어 직경이 700㎛ 이하이고 선단이 둥근 형상이라도, 플랫 형상이라도 좋다.
이 밀어올림에서는, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이 콜릿(42)의 플랜지(42t)가 약간 변형되어, 공기의 유입을 방지하고 있다. 본 스텝에 있어서, 스텝 3과 마찬가지로 공기 유량을 검출하여, 누설이 정상 범위에 들어갈 때까지 흡인한다(스텝 5).
다음에, 작동체(53)를 상승시켜, 박리 기점 형성 핀(51)의 위치를 원래의 위치로 복귀시킨다(스텝 6). 박리 기점 형성 핀(51)은 다음 스텝 이후의 다이(4)의 박리 동작에는 기여하지 않는다.
다음에, 외측 블록(52) 및 내측 블록(54)의 다이(4)의 박리 동작으로 들어간다. 그로 인해, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 작동체(53)를 더욱 상승시켜, 외측 블록(52) 및 내측 블록(54)에 의한 박리 동작을 실시한다(스텝 7). 이때의 돔 헤드(58a) 부근부와 콜릿부(40)의 상태는 도 6의 (c)로 된다. 이때에도, 스텝 3, 스텝 5와 마찬가지로 콜릿 누설의 검출 처리를 행한다(스텝 8).
다음에, 도 7의 (c)의 상태로부터 도 7의 (d)에 도시한 바와 같이, 작동체(53)를 더욱 상승시키면, 1/2 전환 스프링(52b)의 작용에 의해 내측 블록(54)만이 상승하여, 도 6의 (d)의 상태로 된다(스텝 9). 이 상태에서는, 다이싱 테이프(16)와 다이(4)의 접촉 면적은 콜릿의 상승에 의해 박리할 수 있는 면적으로 되어, 콜릿(42)의 상승에 다이(4)를 박리한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 제1 밀어올림 유닛의 실시 형태에 따르면, 다이(4)의 4코너에 상당하는 위치에 박리 기점 형성 핀(51)을 설치하여, 박리 처리의 당초에 박리 기점 형성 핀(51)을 상승시켜, 박리의 기점이 되는 공간을 형성함으로써 다이(4)에 가해지는 스트레스를 저감시킬 수 있어, 다이(4)가 깨지는 일 없이 그 이후에 의한 박리 처리를 확실하게 행할 수 있다.
이 결과, 픽업 미스를 저감시킬 수 있어, 신뢰성이 높은 다이본더 또는 픽업 방법을 제공할 수 있다.
도 8의 (a) 내지 도 8의 (d)는 본 발명의 제2 실시 형태인 밀어올림 유닛(50)의 구성과 동작 상태를 도시한 도면으로, 제1 실시 형태의 도 7의 (a) 내지 도 7의 (d)에 대응하는 도면이다. 또한, 도 8에 있어서, 제1 실시 형태와 동일한 구조를 갖는 것은 동일한 부호를 기재한다.
제1 실시 형태와 다른 점은, 제1 실시 형태에서는 박리 기점 형성 핀(51)을 밀어올리기 위해 작동체(53)의 움직임을 반전부에서 반전시키고 있었지만, 본 실시 형태에서는 반전시키지 않고 그대로 동일 방향으로 구동하는 동일 방향부를 갖는 점이다.
동일 방향부는 구동축(57)에 연결된 타이밍 제어 플레이트(71)와, 상기 타이밍 제어 플레이트(71)와의 사이에 압축 스프링(72)을 갖는 핀 구동 링크(73)를 갖는다. 또한, 핀 구동 링크는 상기 타이밍 제어 플레이트(71)에 의해, 박리 기점 형성 핀(51)을 밀어올리고 있지 않은 도 8의 (a)에 도시하는 뉴트럴 상태를 유지하기 위해 보유 지지 플레이트(74)를 갖는다.
다음에, 도 8 내지 도 10을 사용하여, 제2 실시 형태의 밀어올림 유닛(50)의 동작 상태를 설명한다. 도 9는 제2 실시 형태에 있어서의 픽업 동작의 처리 플로우를 도시하는 도면이고, 도 10은 도 9에 도시하는 처리 플로우에 있어서의 돔 헤드(58b) 부근부와 콜릿부(40)의 동작을 도시한 도면이다. 또한, 도 9, 도 10은 각각 제1 실시 형태의 도 5, 도 6에 대한 도면이다.
도 9에 도시하는 픽업 동작의 처리 플로우가 제1 실시 형태와 다른 점은, 제1 실시 형태에 있어서의 픽업 동작의 처리 플로우(도 5)의 스텝 6이 없는 점이다. 그 동작을 실현하는 동작을 이하에 설명한다. 제2 실시 형태에서는, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 작동체(73)를 상승시켜가면, 핀 구동 링크(73)가 돔 헤드(58b)에 접촉할 때까지, 박리 기점 형성 핀(51)이 다이싱 테이프(16)를 밀어올린다. 그 후, 작동체(53)를 상승시켜 가면, 우선 외측 블록(52) 및 내측 블록(54)에 의한 박리 동작이 실시되고[도 9의 스텝 6, 도 8의 (c), 도 10의 (c) 참조], 다음에, 1/2 전환 스프링(52b)의 작용에 의해 내측 블록(54)만이 상승하여, 도 8의 (d)의 상태로 된다[도 9의 스텝 8, 도 10의 (d) 참조].
도 8의 (c), 도 8의 (d) 및 도 10의 (c), 도 10의 (d)에 있어서, 박리 기점 형성 핀(51)은 돔 헤드(58b)에 의해 상승할 수 없으므로, 도 8의 (b)의 상태를 유지하고 있다. 따라서, 박리 기점 형성 핀(51)은 도 8의 (c), 도 8의 (d)에 있어서의 박리 동작에는 기여하고 있지 않다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 형태인 밀어올림 유닛(50)에 있어서도, 다이(4)의 4코너에 상당하는 위치에 박리 기점 형성 핀(51)을 설치하여, 박리 처리의 당초에 박리 기점 형성 핀(51)을 상승시켜, 박리의 기점이 되는 공간을 형성함으로써 다이(4)에 가해지는 스트레스를 저감시킬 수 있어, 다이(4)가 깨지는 일 없이 그 이후에 의한 박리 처리를 확실하게 행할 수 있다.
이 결과, 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서도, 픽업 미스를 저감시킬 수 있어, 신뢰성이 높은 다이본더 또는 픽업 방법을 제공할 수 있다.
도 11은 본 발명의 제2 실시 형태의 밀어올림 유닛(50)에, 플랜지(42t)가 없는 콜릿에 적용한 예를 나타내는 도면으로, 도 10에 대한 스텝을 도시한 것이다.
도 11로부터 알 수 있는 바와 같이, 도 11의 (b)에 도시하는 박리 기점 형성 핀(51)을 상승시키는 스텝에 있어서 약간 콜릿 누설이 커질 가능성이 있지만, 실처리에서는 문제없이 처리를 행할 수 있었다. 이상 설명한 바와 같이, 콜릿 형상과는 관계없이 본 실시 형태를 적용할 수 있다.
도 12는 도 11의 (b)와 도 11의 (c) 사이의 상태를 도시하고, 박리 기점 형성 핀(51)과 외측 블록(52) 및 내측 블록(54)이 동일 높이로 되었을 때의 상태를 도시한다. 도 11에 도시하는 동작 플로우에 있어서, 도 11의 (b)의 상태까지 콜릿(42)을 착지시키지 않고, 도 12로 되었을 때에 콜릿을 착지시킨다. 이 결과, 도 11에 도시하는 실시 형태에 있어서의 약간의 콜릿 누설의 우려가 없어진다. 이 결과, 플랜지(42t)가 없는 콜릿을 적용해도 보다 확실하게 박리 처리를 행할 수 있다.
이 결과, 픽업 미스를 저감시킬 수 있어, 신뢰성이 높은 다이본더 또는 픽업 방법을 제공할 수 있다.
또한, 이상 설명한 바와 같이, 본 제1, 제2 밀어올림 유닛의 실시 형태에 따르면, 2개의 독립적으로 구동하는 동작을 하나의 구동원으로 구동할 수 있어, 소형이고 또는 저렴한 밀어올림 유닛을 제공할 수 있다.
도 13은 본 발명의 제3 밀어올림 유닛의 실시 형태를 도시한 것이다. 제1 실시 형태와 다른 점은, 밀어올림부로서 블록 대신에 밀어올림 핀을 사용한 점이다. 도 13은 제2 실시 형태의 도 10의 (b)에 대한 도면으로서 도 13의 (a)를, 도 10의 (d)에 대응하는 도면으로서 도 13의 (b)를 도시한 도면이다.
본 실시 형태에서도 도 13의 (a)에 도시한 바와 같이, 미리 박리 기점 형성 핀(51)으로 박리 기점(51a)을 형성하고, 그 후, 도 13의 (b)에 도시한 바와 같이 복수의 밀어올림 핀(60)을 고정한 밀어올림 핀 베이스(61)를 한번에 밀어올린 것으로 하여, 박리 작업은 보다 확실하게 행해진다. 도 13의 (b)에 있어서는, 박리 기점 형성 핀은 원래의 위치로 복귀되어 있고, 도 13의 (b)에 있어서의 픽업에는 관여하고 있지 않다.
따라서, 본 발명의 제3 밀어올림 유닛의 실시 형태에 있어서도, 박리의 기점이 되는 공간을 형성함으로써 다이(4)에 가해지는 스트레스를 저감시킬 수 있고, 다이(4)가 깨지는 일 없이 그 이후에 의한 박리 처리를 보다 확실하게 행할 수 있다.
이상 설명한 제1 내지 제3 밀어올림 유닛의 실시 형태에서는, 다이(4)의 4코너에 설치한 박리 기점 형성 핀(51)을 동시에 밀어올리고 있었다. 도 14는 박리 기점 형성 핀의 수 또는 구동 방법에 대한 다른 실시 형태를 도시하는 도면이다.
도 14의 (a), 도 14의 (b)는 4코너의 모두에 박리 기점 형성 핀(51)을 설치하는 것이 아니라, 도 14의 (a)는 4코너 중 하나의 코너에 설치한 예이고, 도 14의 (b)는 2개의 박리 기점 형성 핀(51)을 다이(4)의 코너의 대각부에 설치한 예이다. 어떻게하든, 1개소라도 박리 기점을 형성함으로써, 종래 기술에 비해 보다 확실하게 다이(4)를 다이싱 테이프(16)로부터 박리할 수 있다.
도 14의 (c)는 4코너 동시에 밀어올리는 것이 아니라, 4코너의 박리 기점 형성 핀(51)으로 순차적으로 밀어올려 가는 예이다. 본 예에서는 순차적으로 밀어올림으로써, 다이에 부여하는 스트레스를 다소나마 완화시킬 수 있다. 도 14의 (d)는 4코너뿐만 아니라 다이 주변부에도 박리 기점 형성 핀(51)을 설치한 예이다. 본 예에서는, 다이(4)에 부여하는 스트레스를 완화시키면서 또한 박리 기점을 많이 설치하여, 다이(4)의 변형 또는 변형 깨짐을 방지할 수 있다.
도 15는 도 14의 (c), 도 14의 (d)에 적용하는 박리 기점 형성 핀(51)의 구동 방법의 예를 나타내는 도면이다. 기본적인 구성은 제1 실시 형태에서 도시하는 도 4와 동일하다. 다른 점은, 작동체(53)가 회전하여, 작동체(53)의 하면의 1개소에 구형상의 돌기물(53a)을 설치한 점이다. 도 15에서도 박리 기점 형성 핀(51)의 수만큼, 핀 상하 링크(55) 및 핀 구동 링크(56)가 있다. 따라서, 작동체(53)를 하강시켜 회전시키면, 돌기물(53a)이 차례로 핀 구동 링크(56)를 회전시켜, 대응하는 핀 상하 링크(55)를 상승시켜, 대응하는 박리 기점 형성 핀(51)을 밀어올린다. 그 결과, 박리 기점 형성 핀(51)이 코너부에만 배치되어 있든, 주변부에도 배치되어 있든, 박리 기점 형성 핀(51)을 순차적으로 밀어올려, 박리 기점(51a)을 차례로 형성할 수 있다.
다음에, 도 14의 (e)를 설명한다. 도 14의 (e)는 박리 기점 형성 핀 등을 다이(4)의 주변부를 이동시켜 차례로 박리 기점을 형성하는 방법이다. 예를 들어, 오목 형상을 갖는 리니어 모터로 구성된 레일(51B) 상을 외측 블록(52)의 주위에 설치하여, 핀이 아닌 구형상 또는 둥그스럼한 롤러 형상의 자석(51A)을 이동시켜, 차례로 박리 기점(51a)을 형성하는 방법이다. 도 14의 (e)의 방법에 있어서도, 도 14의 (d)와 동일한 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 도 14의 (e)의 실시 형태에 따르면, 박리 기점 형성 핀에서 설명해 온 박리 기점 형성 수단은, 핀 형상뿐만 아니라 구형상이라도 좋다.
이상의 실시예에서는, 박리된 다이를 기판에 다이본딩하는 다이본더에 대해 설명하였다. 기판에 다이본딩하는 대신에, 다이를 반송하는 트레이 상에 적재하면, 픽업 장치로 하는 것도 가능하다.
이상과 같이 본 발명의 실시 형태에 대해 설명하였지만, 상술한 설명에 기초하여 당업자에게 있어서 다양한 대체예, 수정 또는 변형이 가능하고, 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 전술한 다양한 대체예, 수정 또는 변형을 포함하는 것이다.
1 : 웨이퍼 공급부
2 : 워크 공급ㆍ반송부
3 : 다이본딩부
4 : 다이(반도체 칩)
10 : 다이본더
11 : 웨이퍼 카세트 리프터
12 : 픽업 장치
14 : 웨이퍼 링
15 : 익스팬드 링
16 : 다이싱 테이프
17 : 지지 링
18 : 다이 어태치 필름
32 : 본딩 헤드부
40 : 콜릿부
41 : 콜릿 홀더
41v : 콜릿 홀더에 있어서의 흡착 구멍
42 : 콜릿
42v : 콜릿에 있어서의 흡착 구멍
42t : 콜릿의 플랜지
50 : 밀어올림 유닛
51 : 박리 기점 형성 핀
51a : 박리 기점
51A : 구형상 또는 라운딩을 띤 롤러 형상의 자석
51B : 리니어 모터로 구성된 레일
52 : 외측 블록
52b : 1/2 전환 스프링
52v : 외측 블록과 돔 헤드의 간극
53 : 작동체
54 : 내측 블록
54v : 내측 블록과 외측 블록의 간극
55 : 핀 상하 링크
56 : 핀 구동 링크
56a : 핀 구동 링크의 회전 지지점
57 : 구동축
58 : 돔 본체
58a : 돔 헤드에 있어서의 흡착 구멍
58b : 돔 헤드
59 : 블록 본체
60 : 밀어올림 핀
61 : 핀 베이스
71 : 타이밍 제어 플레이트
72 : 압축 스프링
73 : 핀 구동 링크
74 : 보유 지지 플레이트

Claims (14)

  1. 다이의 주변부 중 소정부에 있어서의 다이싱 필름을 밀어올려 상기 소정부의 주변에 미소한 공간을 형성하고, 상기 다이의 상기 소정부를 변형시켜 박리 기점을 형성하는 박리 기점 형성 수단과, 상기 소정부와는 다른 부분의 상기 다이싱 필름을 밀어올려 상기 다이를 상기 다이싱 필름으로부터 박리하는 박리 수단과, 상기 박리 기점 형성 수단의 상기 밀어올림과 상기 박리 수단의 상기 밀어올림을 따로따로 구동하는 구동 수단을 갖는 밀어올림 유닛과,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿과,
    상기 콜릿에 의해 흡착되어 상기 밀어올린 상기 다이를 상기 다이싱 필름으로부터 박리하여 기판에 장착하는 본딩 헤드를 갖는, 다이본더.
  2. 제1항에 있어서, 상기 박리 기점 형성 수단은 상기 박리 기점을 형성하는 핀을 갖는 것을 특징으로 하는, 다이본더.
  3. 제2항에 있어서, 상기 소정부는 상기 다이의 4코너 부분 중 적어도 1개의 코너 부분에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 다이본더.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 구동 수단은 단일의 구동원으로 상하로 구동되는 작동체를 갖고, 상기 작동체의 상승 시에는 상기 2개의 밀어올림 중 한쪽을 행하고, 상기 작동체의 하강 시에는 상기 하강을 상승으로 바꾸는 반전부를 통해 다른 쪽을 행하는 것을 특징으로 하는, 다이본더.
  5. 제4항에 있어서, 다른 쪽은 상기 박리 기점 형성 수단의 상기 밀어올림이고, 상기 반전부는 상기 소정부의 상기 핀 단위로 설치되고, 상기 구동 수단은 상기 작동체를 상하 이동시키는 것 외에 회전시키는 구동원을 갖고, 상기 작동체는 상기 회전에 의해 순차적으로 상기 반전부와 접촉하여, 상기 박리 기점 형성 수단의 상기 밀어올림을 순차적으로 행하는 것을 특징으로 하는, 다이본더.
  6. 다이싱 필름에 부착된 복수의 다이(반도체 칩) 중 박리 대상으로 하는 다이를 콜릿에 의해 흡착하는 스텝과,
    박리 대상인 상기 다이의 주변부 중 소정부에 있어서의 상기 다이싱 필름을 밀어올려, 상기 소정부의 주변에 미소한 공간을 형성하고, 상기 다이의 상기 소정부를 변형시켜 박리 기점을 형성하는 스텝과,
    상기 소정부와는 다른 부분의 상기 다이싱 필름을 밀어올려 상기 다이를 상기 다이싱 필름으로부터 박리하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는, 픽업 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 박리 기점의 형성을 핀으로 행하는 것을 특징으로 하는, 픽업 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 소정부는 상기 다이의 4코너 부분 중 적어도 하나의 코너 부분에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 픽업 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 핀이 다이싱 필름을 밀어올려 박리 기점을 형성하는 소정의 위치에서 정지하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는, 픽업 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 핀이 다이싱 필름을 밀어올려 박리 기점을 형성하는 소정의 위치에 도달한 후, 상기 소정부와는 다른 부분의 상기 다이싱 필름을 밀어올려 상기 다이를 상기 다이싱 필름으로부터 박리하는 스텝이 종료될 때까지, 상기 핀이 상기 소정의 위치로부터 상기 밀어올림과는 반대의 방향으로 이동하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는, 픽업 방법.
  11. 웨이퍼 링을 보유 지지하는 익스팬드 링과,
    상기 웨이퍼 링에 보유 지지되어 복수의 다이가 부착된 다이싱 필름을 보유 지지하는 보유 지지 수단과,
    상기 다이의 주변부 중 소정부에 있어서의 다이싱 필름을 밀어올려, 상기 소정부의 주변에 미소한 공간을 형성하고, 상기 다이의 상기 소정부를 변형시켜 박리 기점을 형성하는 박리 기점 형성 수단과, 상기 소정부와는 다른 부분의 상기 다이싱 필름을 밀어올려 상기 다이를 상기 다이싱 필름으로부터 박리하는 박리 수단과, 상기 박리 기점 형성 수단의 상기 밀어올림과 상기 박리 수단의 상기 밀어올림을 따로따로 구동하는 구동 수단을 갖는 밀어올림 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는, 픽업 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 박리 기점 형성 수단은 상기 박리 기점을 형성하는 핀을 갖는 것을 특징으로 하는, 픽업 장치.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 구동 수단은 단일의 구동원으로 상하로 구동되는 작동체를 갖고, 상기 작동체의 상승 시에는 상기 2개의 밀어올림 중 한쪽을 행하고, 상기 작동체의 하강 시에는 상기 하강을 상승으로 바꾸는 반전부를 통해 다른 쪽을 행하는 것을 특징으로 하는, 픽업 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 다른 쪽은 상기 박리 기점 형성 수단의 상기 밀어올림인 것을 특징으로 하는, 픽업 장치.
KR20130021399A 2010-06-17 2013-02-27 다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치 KR101489054B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-138794 2010-06-17
JP2010138794A JP5123357B2 (ja) 2010-06-17 2010-06-17 ダイボンダ及びピックアップ装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100086274A Division KR20110137711A (ko) 2010-06-17 2010-09-03 다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130038314A true KR20130038314A (ko) 2013-04-17
KR101489054B1 KR101489054B1 (ko) 2015-02-04

Family

ID=45327632

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100086274A KR20110137711A (ko) 2010-06-17 2010-09-03 다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치
KR20130021399A KR101489054B1 (ko) 2010-06-17 2013-02-27 다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치
KR1020130078275A KR101330479B1 (ko) 2010-06-17 2013-07-04 다이본더 및 픽업 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100086274A KR20110137711A (ko) 2010-06-17 2010-09-03 다이본더 및 픽업 방법 및 픽업 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130078275A KR101330479B1 (ko) 2010-06-17 2013-07-04 다이본더 및 픽업 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8561664B2 (ko)
JP (1) JP5123357B2 (ko)
KR (3) KR20110137711A (ko)
CN (2) CN102290373B (ko)
TW (1) TWI437625B (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5805411B2 (ja) * 2011-03-23 2015-11-04 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダのピックアップ方法およびダイボンダ
JP6055239B2 (ja) * 2012-08-29 2016-12-27 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置並びにダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
JP2014053517A (ja) * 2012-09-10 2014-03-20 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 受渡用ステージ及びダイピックアップ装置並びにダイボンディング装置
CN103066001B (zh) * 2012-12-28 2015-04-22 无锡中微高科电子有限公司 共晶焊机拾取芯片用的万向调平吸嘴
KR20140107982A (ko) * 2013-02-28 2014-09-05 삼성전자주식회사 다이 이젝터 및 다이 분리 방법
JP6086763B2 (ja) * 2013-03-11 2017-03-01 ファスフォードテクノロジ株式会社 コレットクリーニング方法及びそれを用いたダイボンダ
JP6341641B2 (ja) * 2013-08-09 2018-06-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ
KR101596461B1 (ko) * 2014-04-01 2016-02-23 주식회사 프로텍 칩 디테칭 장치 및 칩 디테칭 방법
KR101683398B1 (ko) * 2015-10-02 2016-12-07 주식회사 프로텍 칩 디테칭 장치 및 칩 디테칭 방법
JP6797569B2 (ja) 2016-06-13 2020-12-09 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6637397B2 (ja) 2016-09-12 2020-01-29 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6621771B2 (ja) 2017-01-25 2019-12-18 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2018182278A (ja) * 2017-04-07 2018-11-15 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置及び実装装置
JP6941513B2 (ja) * 2017-09-07 2021-09-29 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6967411B2 (ja) * 2017-09-19 2021-11-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびコレット
US10283388B1 (en) * 2017-11-13 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Detaping machine and detaping method
US11296044B2 (en) 2018-08-29 2022-04-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bond enhancement structure in microelectronics for trapping contaminants during direct-bonding processes
JP7217605B2 (ja) * 2018-09-21 2023-02-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置、突上げ治具および半導体装置の製造方法
JP7154106B2 (ja) * 2018-10-29 2022-10-17 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品のピックアップ装置及び実装装置
CN109659258B (zh) * 2018-11-23 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 机台及面板制作方法
CN110085540B (zh) * 2019-04-29 2020-12-18 嘉兴觅特电子商务有限公司 一种定位精准的吸附力强的芯片拾取设备
KR20210009843A (ko) * 2019-07-18 2021-01-27 세메스 주식회사 다이 픽업 방법
TWI810522B (zh) * 2020-03-23 2023-08-01 日商捷進科技有限公司 晶片接合裝置、剝離治具及半導體裝置的製造方法
US20230207514A1 (en) * 2021-12-23 2023-06-29 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Apparatuses and methods for die bond control
KR20240041236A (ko) 2022-09-22 2024-03-29 파스포드 테크놀로지 주식회사 반도체 제조 장치, 박리 유닛 및 반도체 장치의 제조 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4556362A (en) * 1983-12-21 1985-12-03 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for handling semiconductor devices
JPS63255937A (ja) * 1987-04-14 1988-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd チツプ実装装置
JPH10189690A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Hitachi Ltd 半導体チップのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
JP3817894B2 (ja) 1998-04-06 2006-09-06 三菱電機株式会社 チップ突き上げ装置及びそれを用いたダイボンディング装置
JP4021614B2 (ja) 2000-12-11 2007-12-12 株式会社東芝 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP2006005030A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップのピックアップ方法および装置
JP4624813B2 (ja) * 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
KR101287526B1 (ko) * 2005-03-15 2013-07-19 삼성전자주식회사 다이 본더와 이를 이용한 다이 본딩 방법
JP4664150B2 (ja) 2005-08-05 2011-04-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP4735829B2 (ja) * 2005-12-06 2011-07-27 澁谷工業株式会社 チップ突き上げ装置
KR20070120319A (ko) * 2006-06-19 2007-12-24 삼성전자주식회사 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법
US7665204B2 (en) * 2006-10-16 2010-02-23 Asm Assembly Automation Ltd. Die detachment apparatus comprising pre-peeling structure
TWI463580B (zh) * 2007-06-19 2014-12-01 Renesas Electronics Corp Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102290373A (zh) 2011-12-21
US20110308738A1 (en) 2011-12-22
CN104299932A (zh) 2015-01-21
CN104299932B (zh) 2018-09-14
JP5123357B2 (ja) 2013-01-23
KR20110137711A (ko) 2011-12-23
KR101330479B1 (ko) 2013-11-15
KR101489054B1 (ko) 2015-02-04
KR20130091293A (ko) 2013-08-16
CN102290373B (zh) 2015-04-01
US8561664B2 (en) 2013-10-22
TW201201260A (en) 2012-01-01
TWI437625B (zh) 2014-05-11
JP2012004393A (ja) 2012-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101330479B1 (ko) 다이본더 및 픽업 장치
JP5805411B2 (ja) ダイボンダのピックアップ方法およびダイボンダ
KR102098762B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101384494B1 (ko) 다이 본더 및 본딩 방법
KR102003130B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2013034001A (ja) ダイボンダ並びにピックアップ方法及びピックアップ装置
JP2015076410A (ja) ボンディング方法及びダイボンダ
JP2019047089A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102635493B1 (ko) 본딩 설비에서 다이를 이송하기 위한 장치 및 방법
JP2023158087A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2018063967A (ja) チップのピックアップ方法
JP6324857B2 (ja) ダイボンダ並びにボンディング方法及びピックアップ装置
JP6093125B2 (ja) ウェハカート及び電子部品装着装置
JP2013065628A (ja) ダイボンダ並びにダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
JP2014239090A (ja) ピックアップシステム
JP2014056980A (ja) ダイボンダ及びボンディング方法
US20230290666A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus, carrier jig, and manufacturing method of semiconductor device
JP2022114399A (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2012199461A (ja) ダイボンダ
KR20200107129A (ko) 칩 본딩 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180103

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190103

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200103

Year of fee payment: 6