KR20130033421A - 유도 가열장치 및 유도 가열방법 - Google Patents

유도 가열장치 및 유도 가열방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130033421A
KR20130033421A KR1020137002359A KR20137002359A KR20130033421A KR 20130033421 A KR20130033421 A KR 20130033421A KR 1020137002359 A KR1020137002359 A KR 1020137002359A KR 20137002359 A KR20137002359 A KR 20137002359A KR 20130033421 A KR20130033421 A KR 20130033421A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
induction heating
heating coil
susceptor
coils
coil
Prior art date
Application number
KR1020137002359A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101429414B1 (ko
Inventor
나오키 우치다
요시히로 오카자키
카즈히로 오자키
Original Assignee
미쯔이 죠센 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 filed Critical 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
Publication of KR20130033421A publication Critical patent/KR20130033421A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101429414B1 publication Critical patent/KR101429414B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/06—Control, e.g. of temperature, of power
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/10—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
    • H05B6/105—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications using a susceptor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/36—Coil arrangements
    • H05B6/44—Coil arrangements having more than one coil or coil segment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)

Abstract

서셉터에 대해 수평자속을 주면서 유도 가열코일을 수직방향으로 복수 배치한 경우에도 유도 가열코일 간에서 상호유도의 영향을 억제하여 양호한 가열제어를 가능하게 할 수 있는 유도 가열장치를 제공한다.
수평배치된 서셉터(52) 위에 재치된 웨이퍼(54)를 간접가열하는 열처리 장치(10)로서, 서셉터(52)의 바깥둘레측에 배치되고 서셉터(52)에서의 웨이퍼(54)의 재치면과 평행한 방향으로 교류자속을 형성하는 유도 가열코일을 가지며, 상기 유도 가열코일은 적어도 하나의 주가열코일(30)과, 주가열코일(30)에 전자적으로 결합하는 종속가열코일(32, 34)로 이루어지고, 주가열코일(30)에는 종속가열코일(32, 34)에 대해 전자적으로 결합하는 역결합 코일(36, 38)이 구비되며, 인접하여 배치되는 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34)에 투입하는 전류의 주파수, 전류파형을 동기시키면서 전력비율을 개별로 제어하는 존 컨트롤 수단(25)을 형성한 것을 특징으로 한다.

Description

유도 가열장치 및 유도 가열방법{INDUCTION HEATING APPARATUS AND INDUCTION HEATING METHOD}
본 발명은 유도 가열장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 대직경 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 경우에 피가열물의 온도를 제어할 때 적합한 반도체 기판 열처리용 장치 및 방법에 관한 것이다.
유도 가열을 이용하여 반도체 웨이퍼 등의 기판을 열처리하는 장치로는, 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 개시되어 있는 것과 같은 것이 알려져 있다. 특허문헌 1에 개시되어 있는 열처리 장치는 도 5에 나타내는 바와 같이, 배치(batch)형 열처리 장치이며, 다단 적층된 웨이퍼(2)를 석영의 프로세스 튜브(3)에 넣고, 이 프로세스 튜브(3)의 바깥둘레에 그라파이트 등의 도전성 부재로 형성한 가열탑(4)을 배치하고, 그 바깥둘레에 솔레노이드형 유도 가열코일(5)을 배치하는 것이다. 이러한 구성의 열처리 장치(1)에 의하면, 유도 가열코일(5)에 의해 생긴 자속의 영향에 의해 가열탑(4)이 가열되고, 가열탑(4)에서 나오는 복사열에 의해 프로세스 튜브(3) 내에 배치된 웨이퍼(2)가 가열된다.
또한, 특허문헌 2에 개시되어 있는 열처리 장치는 도 6에 나타내는 바와 같이, 싱글웨이퍼형 열처리 장치이며, 동심원상으로 다분할된 서셉터(7)를 그라파이트 등으로 형성하고, 이 서셉터(7)의 상면측에 웨이퍼(8)를 올려놓고 하면측에 복수의 원환상 유도 가열코일(9)을 동심원상으로 배치하여, 이들 복수의 유도 가열코일(9)에 대한 개별 전력제어를 가능하게 한 것이다. 이러한 구성의 열처리 장치(6)에 의하면, 각 유도 가열코일(9)에 의한 가열범위에 위치하는 서셉터(7)와 다른 유도 가열코일(9)에 의해 가열되는 서셉터(7) 사이의 열전달이 억제되기 때문에 유도 가열코일(9)에 대한 전력제어에 의한 웨이퍼(8)의 온도분포 제어성이 향상된다.
또한, 특허문헌 2에서는 웨이퍼(8)를 올려놓는 서셉터(7)를 분할함으로써 발열분포를 양호하게 제어하는 것이 기재되어 있지만, 특허문헌 3에는 서셉터의 단면형상을 연구하여 발열분포를 개선하는 것이 개시되어 있다. 특허문헌 3에 개시되어 있는 열처리 장치는 원환상으로 형성되는 유도 가열코일의 직경이 작은 내측에서 발열량이 작아지는 것에 주목하여, 서셉터에서의 내측 부분의 두께를 두껍게 하여 외측 부분보다 내측 부분이 유도 가열코일로부터의 거리가 가까워지도록 하여 발열량의 증대와 열용량의 증대를 도모한 것이다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2004-71596호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2009-87703호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 2006-100067호
그러나, 상기와 같은 구성의 열처리 장치에서는 모두 그라파이트에 대해 자속이 수직으로 작용하게 된다. 이 때문에, 피가열물로서의 웨이퍼 표면에 금속막 등을 형성하고 있던 경우에는 웨이퍼가 직접 가열되어 버리는 경우가 있어 온도분포 제어에 혼란이 생기는 일이 있을 수 있다.
이에 반해, 그라파이트(서셉터)에 대해 수평방향의 자속을 줌으로써 가열을 촉진시키도록 한 경우, 다수의 서셉터를 적층 배치하여 가열하는 것이 곤란해진다. 이를 해소하기 위해 유도 가열코일을 복수, 적층방향(수직방향)으로 근접배치한 경우에는 유도 가열코일 간에서 상호유도의 영향에 의해 가열제어가 불안정해진다고 하는 문제가 발생한다.
그래서, 본 발명에서는 상기 문제점을 해소하여 서셉터에 대해 수평자속을 주면서 유도 가열코일을 수직방향으로 복수 배치한 경우에도 유도 가열코일 간에서 상호유도의 영향을 억제하여 양호한 가열제어를 가능하게 할 수 있는 유도 가열장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 관련된 유도 가열장치는, 수평배치되고 또한 수직방향으로 복수 적층 배치된 서셉터의 바깥둘레측에 배치되며, 상기 서셉터에서의 피가열물 재치면과 감김 중심축을 평행하게 하고, 상기 서셉터의 배치방향을 따라 인접하여 단 적층된 복수의 유도 가열코일과, 인접 배치된 상기 유도 가열코일이 서로 감극성이 되도록 전류를 투입하는 인버터와, 인접 배치되는 상기 복수의 유도 가열코일에 투입하는 전력비율을 개별적으로 제어하는 존 컨트롤 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 특징을 갖는 유도 가열장치에 있어서, 상기 유도 가열코일은 적어도 1개의 주가열코일과 상기 주가열코일에 전자적으로 결합되는 종속가열코일로 이루어지고, 상기 주가열코일에는 상기 종속가열코일과의 사이에 발생하는 상호 인덕턴스와 역극성인 상호 인덕턴스를 발생시키는 역결합 코일을 접속하는 것이 좋다.
이러한 구성으로 함으로써 역결합 코일의 작용에 의해 주가열코일과 종속가열코일 사이에서 발생하는 상호유도 기전력을 상쇄 또는 일부 상쇄할 수 있다.
또한, 상기와 같은 특징을 갖는 유도 가열장치에서는, 상기 주가열코일과 상기 종속가열코일을 감는 코어를 가지며, 상기 역결합 코일은 상기 코어에 감기는 상기 종속가열코일에 대해 가극성의 관계를 가지도록 배치하는 것이 좋다.
이러한 구성으로 함으로써 주가열코일과 종속가열코일에 투입하는 전류의 주파수를 일치시키고 전류파형을 동기시킴으로써 역결합 코일은 종속가열코일과 주가열코일 사이에 발생하는 상호 인덕턴스에 대해 역극성의 상호 인덕턴스를 발생시키게 된다. 따라서, 주가열코일과 종속가열코일 사이에서 발생하는 상호유도 기전력을 상쇄 또는 일부 상쇄할 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 유도 가열방법은, 수평배치되고 또한 수직방향으로 복수 적층 배치된 서셉터에 배치된 피가열물을 유도 가열하는 방법으로서, 상기 서셉터에서의 피가열물 재치면에 대해 수평인 자속을 발생시키는 복수의 유도 가열코일을 상기 서셉터의 적층방향을 따라 인접하여 단 적층한 뒤에, 인접하는 상기 유도 가열코일이 서로 감극성이 되도록 전류를 투입하고, 상기 유도 가열코일에 투입하는 전력비율을 개별적으로 제어하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 특징을 갖는 유도 가열방법에서는, 인접하는 상기 유도 가열코일 사이에 발생하는 상호 인덕턴스와 역극성인 상호 인덕턴스를 발생시키고, 상기 유도 가열코일 사이에 발생하는 상호 인덕턴스를 상쇄, 또는 일부 상쇄하는 것이 바람직하다.
이러한 방법을 취함으로써 주가열코일과 종속가열코일 사이에 발생하는 상호유도 기전력을 상쇄 또는 일부 상쇄할 수 있다.
그리고, 상기와 같은 특징을 갖는 유도 가열방법에 있어서, 상기 역극성의 상호 인덕턴스는 상기 유도 가열코일을 감는 코어와 동일한 상기 코어에 대해 감겨 형성되는 역결합 코일에 의해 발생시키는 것이 바람직하다.
이러한 방법을 취함으로써 역결합 코일을 컴팩트하게 배치할 수 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 유도 가열장치 및 방법에 의하면, 서셉터에 대해 수평자속을 주면서 유도 가열코일을 수직방향으로 복수 배치한 경우에도 유도 가열코일 간에서 상호유도의 영향을 억제할 수 있어 양호한 가열제어를 가능하게 한다.
도 1a는 제1 실시형태에 관련된 열처리 장치의 평면구성을 나타내는 블록도이다.
도 1b는 제1 실시형태에 관련된 열처리 장치의 측면구성을 나타내는 블록도이다.
도 2는 제1 실시형태에 관련된 열처리 장치에서의 전원부의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 단 적층한 유도 가열코일 간에서 자속 상쇄의 모습을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4a는 제2 실시형태에 관련된 열처리 장치의 평면구성을 나타내는 블록도이다.
도 4b는 제2 실시형태에 관련된 열처리 장치에 이용되는 코어의 평면구성을 나타내는 블록도이다.
도 5는 종래의 배치식 유도 가열장치의 구성을 나타내는 도이다.
도 6은 종래의 싱글웨이퍼식 유도 가열장치의 구성을 나타내는 도이다.
이하, 본 발명의 유도 가열장치 및 유도 가열방법에 관련된 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 먼저 도 1a, 도 1b 및 도 2를 참조하여 제1 실시형태에 관련된 유도 가열장치(이하, 간단히 열처리 장치라 함)의 개요구성에 대해 설명한다. 도 1a는 열처리 장치의 평면구성을 나타내는 블록도이고, 도 1b는 열처리 장치의 측면구성을 나타내는 블록도이다. 그리고, 도 2는 전원부의 구성을 설명하기 위한 도이다.
본 실시형태에 관련된 열처리 장치(10)는 피가열물로서의 웨이퍼(54)와 발열체로서의 서셉터(52)를 다단 겹쳐 열처리하는 배치식인 것으로 한다.
열처리 장치(10)는 웨이퍼(54)와 수평배치된 서셉터(52)를 수직방향으로 다단으로 적층 배치한 보트(50), 서셉터(52)를 가열하는 유도 가열코일(상세한 것은 후술하는 주가열코일(30), 종속가열코일(32, 34), 역결합 코일(36, 38)) 및 유도 가열코일에 전력을 공급하는 전원부(12)를 기본으로 하여 구성된다.
서셉터(52)는 도전성 부재로 구성되면 되고, 예를 들어 그라파이트, SiC, SiC 코팅 그라파이트 및 내열금속 등에 의해 구성하면 된다. 본 실시형태에서 서셉터(52)는 평면형상을 원형으로 하고 있다.
보트(50)를 구성하는 서셉터(52)는 각각 지지부재(56)를 통해 적층 배치된다. 단, 지지부재(56)는 전자유도에 의한 가열의 영향을 받지 않는 석영 등으로 구성하는 것이 좋다.
또한, 본 실시형태에서 보트(50)는 도시하지 않은 모터를 구비한 회전 테이블(58)에 올려져 있으며, 열처리공정 중인 서셉터(52) 및 웨이퍼(54)를 회전시킬 수 있다. 이러한 구성으로 함으로써 서셉터(52)를 가열할 때 발열분포의 편향을 억제할 수 있다. 또한, 상세한 것은 후술하는 것처럼, 가열원인 유도 가열코일의 배치형태를 서셉터(52)의 중심에서 편향시킨 경우에도 서셉터(52)를 균일하게 가열할 수 있게 된다.
실시형태에 관련된 유도 가열코일은 1개의 주가열코일(30)과, 주가열코일(30)에 대해 전자적으로 결합하도록 인접 배치된 2개의 종속가열코일(32, 34)로 이루어지고, 각각 서셉터(52)의 바깥둘레측에서 원주상으로 배치되어 있다. 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34)은 각각 서셉터(52)의 적층방향과 동일한 방향으로 인접하여 단 적층되어 있다. 또한, 실시형태에 관련된 주가열코일(30)에는 2개의 종속가열코일(32, 34)에 대해 전자적으로 역결합하는 역결합 코일(36, 38)이 구비된다. 여기서, 전자적으로 결합이란 예를 들어 주가열코일(30)에 공급하는 전류의 변화에 기초하여 종속가열코일(32, 34)에 주가열코일(30)에 의해 발생하는 자속을 상쇄하는 방향의 유도 기전력을 발생시키는 것 같은 상호유도 관계에 있는 상태, 즉 상호 인덕턴스를 발생시키는 상태를 말한다. 또한, 전자적으로 역결합이란 주가열코일(30)을 1차 권선(1차 코일), 종속가열코일(32, 34)을 각각 2차 권선(2차 코일)이라고 보았을 경우에, 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34) 사이에 발생하는 상호 인덕턴스와 역극성인 상호 인덕턴스를 발생시키는 결합 상태를 말한다.
각 유도 가열코일(주가열코일(30) 및 종속가열코일(32, 34))은 보트(50)의 바깥둘레측에 배치된 코어(40)에 구리선이 감겨 구성된다. 코어(40)는 페라이트계 세라믹 등에 의해 구성하면 되고, 점토형 원료를 형상 형성한 다음 소성하여 이루어지도록 하면 된다. 이러한 부재에 의해 코어(40)를 구성하면 형상 형성을 자유롭게 하는 것이 가능해지기 때문이다. 또한, 코어(40)를 이용함으로써 유도 가열코일 단체인 경우에 비해 자속의 확산을 방지할 수 있어 자속을 집중시킨 고효율 유도 가열을 실현할 수 있다.
본 실시형태에서는 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34)의 코어(40)에 대한 감기방향은 동일하게 하고 있다. 또한 역결합 코일(36, 38)은 종속가열코일(32, 34)을 선단측(서셉터(52) 배치측)에 배치한 코어(40)의 후단측에, 감기방향을 종속가열코일(32, 34)과 반대로 한 상태로 배치된다. 이러한 구성으로 함으로써 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34)에 공급하는 전류의 방향을 일치시켜서 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34) 사이에 발생하는 상호 인덕턴스와 역결합 코일(36, 38)과 종속가열코일(32, 34) 사이에 발생하는 상호 인덕턴스가 역극성이 되어, 상호유도 전력의 영향을 서로 상쇄하게 된다. 이 때문에 서로 인접 배치된 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34) 사이에서 발생하는 상호유도의 영향이 작아져, 개별의 전력제어성을 향상시킬 수 있다. 단, 종속가열코일(32, 34)과 역결합 코일(36, 38)의 감기비율은 7:1 정도로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우, 주가열코일(30)의 감기 수는 종속가열코일(32, 34)의 감기 수와 일치시키도록 하면 된다.
예를 들어 도 2에 나타내는 형태에서 종속가열코일(32)에 투입되는 전류를 I1, 전류의 전압을 V1으로 하고, 주가열코일(30)에 투입되는 전류를 I2, 전류의 전압을 V2로 하고, 종속가열코일(34)에 투입되는 전류를 I3, 전류의 전압을 V3로 했을 때, 역결합 코일(36)과 종속가열코일(32) 사이에 발생하는 상호 인덕턴스+M12(+M21)와 종속가열코일(32)과 주가열코일(30) 사이에 발생하는 상호 인덕턴스-M12(-M21)가 동일하고, 역결합 코일(38)과 종속가열코일(34) 사이에 발생하는 상호 인덕턴스+M23(+M32)와 종속가열코일(34)과 주가열코일(30) 사이에 발생하는 상호 인덕턴스-M23(+M32)가 동일한 경우에는 수식 1 내지 3이 성립되게 된다.
[수식 1]
Figure pct00001
[수식 2]
Figure pct00002
[수식 3]
Figure pct00003
여기서, L1은 종속가열코일(32)의 자기인덕턴스이며, L2는 주가열코일(30)의 자기인덕턴스이며, L3는 종속가열코일(34)의 자기인덕턴스이다.
상호 인덕턴스(M)는
[수식 4]
Figure pct00004
로 나타낼 수 있다(L1, L2는 1차 권선, 2차 권선에서의 자기인덕턴스). 단, 자기인덕턴스(L)는 수식 5로 구할 수 있다.
[수식 5]
Figure pct00005
여기서, N은 코일의 감기 수, φ는 자속(wb)을 나타내고, I는 전류치를 나타낸다. 상기한 바와 같이, 주가열코일(30)과 역결합 코일(36, 38)은 코일의 감기 수가 다르다. 이 때문에, 단위전류(dI)당 자속(dφ)이 동일한 경우에도 자기인덕턴스(L)의 값은 달라지게 된다. 따라서, 역결합 코일(36, 38)과 종속가열코일(32, 34) 사이에 발생하는 상호 인덕턴스(M)를 동일(극성은 반대)하게 하기 위해서는 결합계수(k)를 조정할 필요가 있다. 결합계수(k)는 코일간 거리나 배치형태에 의해 변화시킬 수 있다. 따라서, 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34) 간에서 상호 인덕턴스(-M)에 기초하여, 역극성의 상호 인덕턴스(+M)를 얻기 위한 결합계수(k)를 산출한다. 역결합 코일(36, 38)은 산출된 결합계수(k)를 얻기 위해 배치형태나 코일간 거리가 조정된 뒤에 배치된다.
이러한 관계가 만족됨으로써 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34) 사이에서 상호유도에 의한 상호 인덕턴스를 포함하는 항은 상쇄되게 되어, 인접 배치되는 유도 가열코일 간에서 상호유도의 영향을 회피할 수 있다.
주가열코일(30)이나 종속가열코일(32, 34)을 감는 코어(40)는 그 중심축이 서셉터(52)에서의 웨이퍼(54) 재치면과 평행(재치상태에서 웨이퍼(54)의 중심축과 코어(40)의 중심축이 직행하는 방향)이 되도록 배치된다. 자극면이 되는 코어(40)의 선단면은 서셉터(52)에 대향하게 된다. 이러한 구성으로 주가열코일(30)이나 종속가열코일(32, 34)이 감겨진 자극면으로부터는 서셉터(52)의 웨이퍼(54) 재치면에 평행한 방향으로 교류 자속이 발생하게 된다.
여기서, 상기한 바와 같이 주가열코일(30)을 1차 권선, 종속가열코일(32, 34)을 2차 권선이라고 보았을 경우, 양자에는 투입되는 전류의 방향이 동일해지도록, 상세한 것은 후술하는 인버터(14a～14c)가 접속되어 있다. 이 때문에, 수직방향으로 단 적층된 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34)은 서로 감극성이 된다.
이러한 배치관계로 되는 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34)은 도 3에 나타내는 바와 같이, 서셉터(52)의 재치면에 대해 수직방향으로 교차하도록 방사되는 자속의 방향이 서로 역방향이 되어 상쇄된다. 이 때문에, 서셉터(52)에 올려지는 웨이퍼(54)의 표면에 금속막 등이 형성되어 있던 경우에도 수직방향 자속의 영향에 의해 웨이퍼(54)가 직접 가열될 우려가 없어, 웨이퍼(54)의 온도분포가 불균일해질 우려가 없다.
또한, 주가열코일(30)이나 종속가열코일(32, 34) 및 역결합 코일(36, 38)은 내부를 중공으로 한 관상부재(예를 들어 구리관)로 하는 것이 바람직하다. 열처리 중에 구리관 내부에 냉각부재(예를 들어 냉각수)를 삽입통과시키게 되면 주가열코일(30)이나 종속가열코일(32, 34) 및 역결합 코일(36, 38) 자체의 가열을 억제하는 것이 가능해지기 때문이다.
상기한 바와 같이, 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34)은 각각 웨이퍼(54)를 올려놓은 서셉터(52)를 수직방향으로 적층시킨 보트(50)를 따라 수직방향으로 인접시켜 배치되어 있다. 이러한 구성으로 함으로써 보다 많은 서셉터(52) 및 웨이퍼(54)를 한 번에 가열하는 것이 가능해져, 웨이퍼(54)의 열처리를 효율적으로 실시할 수 있게 된다. 또한, 적층 배치한 유도 가열코일에 대한 전력제어를 각각 개별적으로 실시하도록 하면, 보트(50) 내에 적층 배치된 복수의 서셉터(52)에서의 수직방향 온도분포를 제어할 수 있어, 서셉터(52) 간의 온도 불균일을 억제하는 것도 가능해진다.
상기와 같이 구성되는 주가열코일(30) 및 종속가열코일(32, 34)은 단일 전원부(12)에 접속된다. 전원부(12)에는 인버터(14a～14c)와 초퍼(16a～16c), 컨버터(18), 삼상 교류전원(20) 및 존 컨트롤 수단(22)이 형성되고, 각 유도 가열코일(주가열코일(30) 및 종속가열코일(32, 34))에 공급하는 전류나 전압, 및 주파수 등을 조정할 수 있게 구성되어 있다. 도 2에 나타내는 실시형태의 경우, 인버터(14a～14c)로서 직렬공진형인 것을 채용하고 있다. 이 때문에, 주파수 전환을 쉽게 행하기 위한 구성으로서 공진 콘덴서(26)를 병렬로 접속하고, 공진 주파수에 맞추어 스위치(28)에 의해 용량의 증감을 도모하는 것이 좋다.
또한, 실시형태에 관련된 열처리 장치(10)는 각 유도 가열코일(주가열코일(30) 및 종속가열코일(32))과 각 인버터(14a～14c) 사이에 트랜스(24)를 배치하고 있다.
존 컨트롤 수단(22)은 인접 배치된 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34) 사이에 발생하는 상호유도의 영향을 회피하면서, 주가열코일(30)과 각 종속가열코일(32, 34)에 대한 전력제어를 하는 역할을 한다.
적층하여 인접 배치된 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34)은 각각이 개별적으로 가동되기 때문에, 주가열코일(30)과 종속가열코일(32), 또는 주가열코일(30)과 종속가열코일(34)에서 상호유도가 생겨, 개별적인 전력제어에 악영향을 미치는 경우가 있다. 이 때문에 존 컨트롤 수단(22)은 검출된 전류의 주파수나 파형(전류파형)에 기초하여, 인접 배치된 주가열코일(30)이나 종속가열코일(32, 34)에 투입하는 전류의 주파수를 일치시키고, 또한 전류파형의 위상을 동기(위상차를 0 또는 위상차를 0에 근사시키는 것) 혹은 소정의 위상차를 유지하도록 제어함으로써, 인접 배치한 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34) 간에서의 상호유도의 영향을 회피한 전력제어(존 컨트롤 제어)를 가능하게 하고 있다.
이러한 제어는 예를 들어, 각 유도 가열코일(주가열코일(30) 및 종속가열코일(32, 34))에 투입되고 있는 전류치나 전류의 주파수 및 전압치 등을 검출하고, 이것을 존 컨트롤 수단(22)에 입력한다. 존 컨트롤 수단(22)에서는 주가열코일(30)에 투입되고 있는 전류파형과 종속가열코일(32, 34)에 투입되고 있는 전류파형의 위상을 검출하여, 이것을 동기 혹은 소정의 위상차를 유지하도록 제어하기 위해 인버터(14b) 혹은 인버터(14c)에 대해 종속가열코일(32) 혹은 종속가열코일(34)에 투입하는 전류의 주파수를 순간적으로 변화시키는 신호를 출력하는 것으로 이루어진다.
또한, 전력제어에 관해서는 전원부(12)에 형성된 도시하지 않은 기억 수단(메모리)에 기억된 제어 맵(수직온도분포제어 맵)에 기초하여 열처리 개시부터의 경과시간 단위로 변화시키는 신호를 인버터(14a～14c)나 초퍼(16a～16c)에 출력하거나, 도시하지 않은 온도계측수단에서 피드백되는 서셉터(52)의 온도에 기초하여 원하는 수직온도분포를 얻기 위한 전력제어를 하도록 하는 것이 좋다. 또한, 제어 맵은 열처리 개시부터 열처리 종료에 이를 때까지 적층 배치된 서셉터(52) 간의 온도변화를 보정하고, 임의의 온도분포(예를 들어 균일한 온도분포)를 얻기 위해 주가열코일(30) 및 종속가열코일(32, 34)에 주는 전력치를 열처리 개시부터의 경과시간과 함께 기록한 것인 것이 좋다.
이와 같이 하여 전원부(12)에서는 존 컨트롤 수단(22)로부터의 신호에 기초하여 종속가열코일(32, 34)에 투입하는 전류의 주파수를 순간적으로 조정하고, 전류파형의 위상제어를 실시하는 동시에, 각 유도 가열코일 간에서의 전력제어를 실시함으로써 보트(50) 내에서 수직방향의 온도분포를 제어할 수 있다.
또한, 실시형태에 관련된 열처리 장치(10)에서는 종속가열코일(32, 34)에 대해 자기적으로 역결합하는 역결합 코일(36, 38)을 형성하는 것에 의해 주가열코일(30)과 종속가열코일(32, 34) 간에서 상호유도의 영향을 미리 억제할 수 있다. 이 때문에, 존 컨트롤 수단(22)에 의해 회피하는 상호유도의 영향이 작아지고, 주가열코일(30) 및 종속가열코일(32, 34)에 대한 전력제어의 제어성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기와 같은 구성의 열처리 장치(10)에 의하면 웨이퍼(54)의 표면에 금속막 등의 도전성 부재가 형성되어 있는 경우에도 그 금속막이 발열하여 웨이퍼(54)의 온도분포에 혼란이 생길 우려가 없다.
다음으로, 본 발명의 열처리 장치에 관련된 제2 실시형태에 대해 도 4를 참조하여 설명한다. 본 실시형태에 관련된 열처리 장치의 대부분의 구성은 상기한 제1 실시형태에 관련된 열처리 장치와 동일하다. 따라서, 그 구성을 제1 실시형태에 관련된 열처리 장치와 동일하게 하는 개소에는 도면에 100을 더한 부호를 붙이고 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4a는 제2 실시형태에 관련된 열처리 장치(110)에서의 평면구성을 나타내는 블록도이며, 도 4b는 본 실시형태에 관련된 열처리 장치(110)에 이용되는 코어의 평면구성을 나타내는 블록도이다. 또한, 이 도면에서는 전원부의 기재를 생략하고 있지만, 상기 실시형태와 동일한 구성을 가진 전원부가 접속되어 있는 것으로 가정한다.
본 실시형태에 관련된 열처리 장치(110)는 제1 실시형태에 관련된 종속가열코일(32), 주가열코일(30) 및 종속가열코일(34)에 상당하는 유도 가열코일을 각각 복수 형성하도록 한 점을 특징으로 하고 있다(도 4a에서는 종속가열코일(132a, 132b)만 표시하고 있다: 이하, 설명을 간단히 하기 위해 유도 가열코일(132a, 132b)이라 함).
서셉터(152)의 원주방향을 따른 방향으로 복수의 유도 가열코일(132a, 132b)을 배치하는 것에 의해 수평방향의 가열가능 범위가 증가하여, 웨이퍼(154)의 면내 온도분포를 안정시키는 것이 가능해진다.
또한, 실시형태에 관련된 열처리 장치(110)에서는 복수(도 4a에 나타내는 형태에서는 2개)의 유도 가열코일(132a, 132b)을 감는 코어(140)를 단일로 하고, 요크(141)로부터 돌출시킨 자극(141a, 141b)에 각각 유도 가열코일(132a, 132b)을 감는 구성으로 하고 있다. 또한, 본 실시형태에 관련된 열처리 장치(110)에서는 서셉터(152)의 원주방향(수평방향)으로 배치한 유도 가열코일(132a, 132b)은 전원부(실제로는 전원부에서의 인버터)에 대해 병렬로 접속하는 구성으로 하고 있다. 이러한 구성으로 함으로써 병렬로 배치한 유도 가열코일(132a)과 유도 가열코일(132b) 사이에서는 상호유도의 영향을 고려할 필요가 없어지기 때문이다.
또한, 각 유도 가열코일(132a, 132b)은 코어(140)의 자극(141a, 141b)에 대한 감기 방향 양자에 의해 발생하는 자속이 가극성이 되게 한다. 이러한 구성으로 한 경우에는 발생 자속이 파선 a～c로 나타내는 것과 같은 궤적으로 발생하게 되어, 하나의 유도 가열코일에 의해 발생하는 자속보다 서셉터(152)의 중심측을 가열하는 것이 가능해진다.
단, 2개의 유도 가열코일(132a, 132b)은 도시하지 않은 전환 스위치에 의해 단일가동과 상호가동을 선택 가능하게 해도 된다. 이러한 구성으로 한 경우, 가동시키는 유도 가열코일의 조합에 의해 서셉터(152)의 가열 범위가 변화하기 때문에 웨이퍼(154) 면내에서의 온도분포 제어를 하는 것이 가능해진다.
10: 반도체 기판 열처리 장치(열처리 장치)
12: 전원부 14a～14c: 인버터
16a～16c: 초퍼 18: 컨버터
20: 삼상 교류전원 22: 존 컨트롤 수단
24: 트랜스 26: 공진 콘덴서
28: 스위치 30: 주가열코일
32, 34: 종속가열코일 36, 38: 역결합 코일
40: 코어 50: 보트
52: 서셉터 54: 웨이퍼
56: 지지부재 58: 회전 테이블

Claims (6)

  1. 수평배치되고 또한 수직방향으로 복수 적층 배치된 서셉터의 바깥둘레측에 배치되며, 상기 서셉터에서의 피가열물 재치면과 감김 중심축을 평행하게 하고 상기 서셉터의 배치방향을 따라 인접하여 단 적층된 복수의 유도 가열코일과,
    인접 배치된 상기 유도 가열코일이 서로 감극성이 되도록 전류를 투입하는 인버터와,
    인접 배치되는 상기 복수의 유도 가열코일에 투입하는 전력비율을 개별적으로 제어하는 존 컨트롤 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 유도 가열장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유도 가열코일은 적어도 1개의 주가열코일과, 상기 주가열코일에 전자적으로 결합되는 종속가열코일로 이루어지고, 상기 주가열코일에는 상기 종속가열코일과의 사이에 발생하는 상호 인덕턴스와 역극성인 상호 인덕턴스를 발생시키는 역결합 코일을 접속한 것을 특징으로 하는 유도 가열장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 주가열코일과 상기 종속가열코일을 감는 코어를 가지며,
    상기 역결합 코일은 상기 코어에 감기는 상기 종속가열코일에 대해 가극성의 관계를 가지도록 배치되는 것을 특징으로 하는 유도 가열장치.
  4. 수평배치되고 또한 수직방향으로 복수 적층 배치된 서셉터에 배치된 피가열물을 유도 가열하는 방법으로서,
    상기 서셉터에서의 피가열물 재치면에 대해 수평인 자속을 발생시키는 복수의 유도 가열코일을 상기 서셉터의 적층방향을 따라 인접하여 단 적층한 뒤에, 인접하는 상기 유도 가열코일이 서로 감극성이 되도록 전류를 투입하고,
    상기 유도 가열코일에 투입하는 전력비율을 개별적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 유도 가열방법.
  5. 제4항에 있어서,
    인접하는 상기 유도 가열코일 사이에 발생하는 상호 인덕턴스와 역극성인 상호 인덕턴스를 발생시키고, 상기 유도 가열코일 사이에 발생하는 상호 인덕턴스를 상쇄, 또는 일부 상쇄하는 것을 특징으로 하는 유도 가열방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 역극성의 상호 인덕턴스는 상기 유도 가열코일을 감는 코어와 동일한 상기 코어에 대해 감겨 형성되는 역결합 코일에 의해 발생시키는 것을 특징으로 하는 유도 가열방법.
KR1020137002359A 2010-08-09 2011-07-28 유도 가열장치 및 유도 가열방법 KR101429414B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010178725A JP5063755B2 (ja) 2010-08-09 2010-08-09 誘導加熱装置および誘導加熱方法
JPJP-P-2010-178725 2010-08-09
PCT/JP2011/067346 WO2012020652A1 (ja) 2010-08-09 2011-07-28 誘導加熱装置および誘導加熱方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130033421A true KR20130033421A (ko) 2013-04-03
KR101429414B1 KR101429414B1 (ko) 2014-08-11

Family

ID=45567621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137002359A KR101429414B1 (ko) 2010-08-09 2011-07-28 유도 가열장치 및 유도 가열방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9173251B2 (ko)
JP (1) JP5063755B2 (ko)
KR (1) KR101429414B1 (ko)
CN (1) CN103069921B (ko)
DE (1) DE112011102681B4 (ko)
WO (1) WO2012020652A1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020222530A1 (ko) * 2019-04-29 2020-11-05 주식회사 이엠텍 복합 히팅 에어로졸 발생장치
KR20200126048A (ko) * 2019-04-29 2020-11-06 주식회사 이엠텍 유도 가열 장치
KR20200126343A (ko) * 2019-04-29 2020-11-06 주식회사 이엠텍 복합 히팅 에어로졸 발생장치
KR20220009809A (ko) * 2020-07-16 2022-01-25 주식회사 케이티앤지 에어로졸 생성 시스템 및 그 동작 방법

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4676567B1 (ja) * 2010-07-20 2011-04-27 三井造船株式会社 半導体基板熱処理装置
US9591696B2 (en) 2012-06-01 2017-03-07 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. Induction heating method
PL2670040T3 (pl) * 2012-06-01 2015-06-30 Aeg Power Solutions Gmbh Układ zasilania prądem z falownikiem do wytwarzania jednofazowego prądu przemiennego
BR112015004000B1 (pt) * 2012-08-27 2020-11-10 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation dispositivo de controle para um sistema de aquecimento por indução e sistema de aquecimento por indução
JP6013113B2 (ja) * 2012-09-27 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 発熱体の製造方法
JP5976484B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-23 三井造船株式会社 誘導加熱方法および誘導加熱装置
CN104770059B (zh) 2012-10-30 2017-03-29 三井造船株式会社 感应加热装置、感应加热装置的控制方法及程序
US10342074B2 (en) 2013-01-04 2019-07-02 The Boeing Company Distributed transistor-based power supply for supplying heat to a structure
JP5842183B2 (ja) * 2013-05-20 2016-01-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 誘導加熱装置
FR3008830A1 (fr) * 2013-07-16 2015-01-23 Commissariat Energie Atomique Systeme electrochimique comportant un systeme de chauffage a induction
JP2015192067A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
DE102014206008A1 (de) * 2014-03-31 2015-10-01 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung und Verfahren zur dynamischen Einstellung eines Elektrolichtbogenofens
EP2928266A1 (en) * 2014-04-01 2015-10-07 MagComp AB High power induction heater
WO2015177892A1 (ja) * 2014-05-21 2015-11-26 日産自動車株式会社 燃料電池の製造方法および燃料電池の製造装置
US10399684B2 (en) * 2014-10-29 2019-09-03 The Boeing Company Induction heating coils with uniform heating
CN104619058B (zh) * 2014-12-17 2016-04-27 北京京仪椿树整流器有限责任公司 用于多晶硅铸锭提纯的感应加热电源双体线圈独立控制方法
US9995799B2 (en) * 2015-07-14 2018-06-12 The Boeing Company System and method for magnetic characterization of induction heating wires
DE102015214666A1 (de) * 2015-07-31 2017-02-02 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Induktor und Induktoranordnung
DE102016119328A1 (de) 2016-10-11 2018-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Heizvorrichtung, Verfahren und System zur Herstellung von Halbleiterchips im Waferverbund
FR3087591B1 (fr) * 2018-10-23 2021-12-24 Valeo Equip Electr Moteur Inducteur pour chauffer une partie active de machine electrique tournante
CN113796160A (zh) * 2019-04-29 2021-12-14 音诺艾迪有限公司 复合加热型烟雾生成装置
CN114521035B (zh) * 2020-11-18 2024-04-16 中国科学院微电子研究所 一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4062318A (en) * 1976-11-19 1977-12-13 Rca Corporation Apparatus for chemical vapor deposition
JPS61163588A (ja) * 1985-01-14 1986-07-24 松下電器産業株式会社 誘導加熱調理器
JPH08187972A (ja) * 1995-01-13 1996-07-23 Sony Corp 電磁誘導加熱装置
EP0823492A3 (en) * 1996-08-07 1999-01-20 Concept Systems Design Inc. Zone heating system with feedback control
JP3706761B2 (ja) * 1999-01-22 2005-10-19 キヤノン株式会社 像加熱装置
JP4176236B2 (ja) 1999-06-07 2008-11-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置における紫外線ランプの光量測定方法及び装置
JP4545899B2 (ja) * 2000-07-31 2010-09-15 キヤノン株式会社 加熱装置および画像形成装置
BRPI0203467B1 (pt) * 2001-01-08 2020-11-10 Inductotherm Corp. sistema de forno de indução e método de fundir e aquecer indutivamente um material eletricamente condutor em um cadinho
JP2002313547A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 板材用誘導加熱装置
JP2003100643A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Daiichi Kiden:Kk 高温ｃｖｄ装置
KR100468727B1 (ko) 2002-04-19 2005-01-29 삼성전자주식회사 지연 동기 루프의 지연 라인 제어 회로
JP2004071596A (ja) 2002-08-01 2004-03-04 Koyo Thermo System Kk 熱処理装置
EP1404154B1 (en) * 2002-09-26 2006-09-13 MTECH Holding AB Magnetic heating device
JP2004221138A (ja) * 2003-01-09 2004-08-05 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 半導体熱処理方法および装置
KR100884852B1 (ko) * 2003-08-11 2009-02-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법
JP4336283B2 (ja) 2004-09-29 2009-09-30 三井造船株式会社 誘導加熱装置
US7457344B2 (en) * 2004-12-08 2008-11-25 Inductotherm Corp. Electric induction control system
US9370049B2 (en) * 2004-12-08 2016-06-14 Inductotherm Corp. Electric induction heating, melting and stirring of materials non-electrically conductive in the solid state
JP4252552B2 (ja) * 2005-03-29 2009-04-08 三井造船株式会社 誘導加熱方法及び装置
JP2008034780A (ja) 2006-07-07 2008-02-14 Fuji Electric Holdings Co Ltd エピタキシャルＳｉＣ膜付き半導体ＳｉＣ基板の製造方法およびそのエピタキシャルＳｉＣ成膜装置
US7826785B2 (en) 2007-04-02 2010-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Fixing device having an induction heating control member
JP2009087703A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 誘導加熱装置用発熱体および分割発熱体用パッケージ
JP5038079B2 (ja) * 2007-09-28 2012-10-03 三井造船株式会社 誘導加熱装置
JP5490707B2 (ja) * 2007-11-03 2014-05-14 インダクトサーム・コーポレイション サセプタ容器内の材料を誘電加熱及び溶融するための電力システム
US20110264432A1 (en) 2008-01-17 2011-10-27 Aarhus Universitet System and method for modelling a molecule with a graph
JP5213594B2 (ja) * 2008-09-04 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP5350747B2 (ja) * 2008-10-23 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US20100258557A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Image forming apparatus
JP4676567B1 (ja) * 2010-07-20 2011-04-27 三井造船株式会社 半導体基板熱処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020222530A1 (ko) * 2019-04-29 2020-11-05 주식회사 이엠텍 복합 히팅 에어로졸 발생장치
KR20200126048A (ko) * 2019-04-29 2020-11-06 주식회사 이엠텍 유도 가열 장치
KR20200126343A (ko) * 2019-04-29 2020-11-06 주식회사 이엠텍 복합 히팅 에어로졸 발생장치
KR20220009809A (ko) * 2020-07-16 2022-01-25 주식회사 케이티앤지 에어로졸 생성 시스템 및 그 동작 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN103069921B (zh) 2015-06-03
JP5063755B2 (ja) 2012-10-31
KR101429414B1 (ko) 2014-08-11
JP2012038622A (ja) 2012-02-23
US9173251B2 (en) 2015-10-27
US20130140298A1 (en) 2013-06-06
US9674898B2 (en) 2017-06-06
WO2012020652A1 (ja) 2012-02-16
CN103069921A (zh) 2013-04-24
US20150090707A1 (en) 2015-04-02
DE112011102681T5 (de) 2013-06-06
DE112011102681B4 (de) 2023-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130033421A (ko) 유도 가열장치 및 유도 가열방법
KR101192501B1 (ko) 반도체기판 열처리장치
TWI448207B (zh) Induction heating device
JP4313775B2 (ja) 誘導加熱方法および装置
JP2017076561A (ja) 誘導加熱装置
JP6803387B2 (ja) ワークピースを加熱するための微調整された出力を有する高周波電源システム
JP6347044B2 (ja) 誘導加熱装置
JP5084069B2 (ja) 誘導加熱装置および誘導加熱方法
KR101184133B1 (ko) 유도가열 장치
JP4406588B2 (ja) 誘導加熱方法および誘導加熱装置
JP5443228B2 (ja) 半導体熱処理装置
KR101309385B1 (ko) 유도가열장치
JP2008041282A (ja) 誘導加熱調理器
JP5616271B2 (ja) 誘導加熱装置および磁極
JP6375536B2 (ja) 誘導加熱装置
JP2011071005A (ja) 誘導加熱装置
JP2015035361A (ja) 誘導加熱装置
JP2012089775A (ja) サセプタおよび半導体基板加熱装置
JP2015032382A (ja) 誘導加熱装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170801

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180725

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190718

Year of fee payment: 6