JP2004071596A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱処理工程に要する時間の大幅短縮と、均一な熱処理とを可能にする熱処理装置を提供する。
【解決手段】プロセスチューブ2を導電性の加熱筒5で取り囲み、その外側に誘導加熱コイル6を配置する。加熱筒5は誘導加熱によって一気に加熱され、熱線をプロセスチューブ2に放射する。
【選択図】 図1
【解決手段】プロセスチューブ2を導電性の加熱筒5で取り囲み、その外側に誘導加熱コイル6を配置する。加熱筒5は誘導加熱によって一気に加熱され、熱線をプロセスチューブ2に放射する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造過程等で用いられる熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
従来、半導体の酸化・拡散炉としては、主として抵抗加熱方式の熱処理炉が用いられてきた。このような熱処理炉における昇温レートは、例えば大バッチ炉では20℃/分、小バッチ炉では100℃/分が限界であり、それ以上に大幅に向上させることはできなかった。従って、熱処理工程に要する時間を大幅に短縮することはできなかった。
一方、エピタキシャル成長装置等においては、処理室内のサセプタを誘導加熱方式で加熱し、このサセプタに載せられた半導体ウェハを加熱する方法が知られている(例えば特開平9−330884号公報等)。しかし、この場合、急速に昇温させると半導体ウェハが熱歪みを生じ、その結果サセプタに接触している部分とサセプタから浮き上がって非接触となる部分とができるので、均一な熱処理ができなかった。
【0003】
上記のような従来の問題点に鑑み、本発明は、熱処理工程に要する時間の大幅短縮と、均一な熱処理とを可能にする高速熱処理装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の熱処理装置は、熱処理の被処理物を収容する石英製のプロセスチューブと、前記プロセスチューブを取り囲む導電性の加熱筒と、前記加熱筒の外側に配置された誘導加熱コイルとを備えたものである(請求項1)。
上記のような熱処理装置においては、誘導加熱コイルに高周波電流を流すことで、加熱筒が誘導加熱により一気に加熱され、熱線をプロセスチューブに放射する。これにより、プロセスチューブ内の被処理物は輻射熱で熱処理される。従って、抵抗加熱方式に比べて、熱処理工程に要する時間を大幅に短縮することができる。また、加熱筒自体が、熱を均一化したホットウォール型の熱源となる。従って、均一な熱処理を行うことができる。
【0005】
また、上記熱処理装置において、加熱筒は、導電性の基材にSiCのCVDコートを施したものであってもよい(請求項2)。
この場合、加熱筒からの重金属イオンの放出を防止することができる。従って、被処理物の金属汚染を抑制することができる。
【0006】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の一実施形態による熱処理装置を示す断面図である。この熱処理装置は、いわゆるミニバッチ(例えば25枚処理)炉である。図において、被処理物の半導体を載せたボート1は、石英製のプロセスチューブ2内に搬入されている。プロセスチューブ2の下方の開口は、密封用のリング部材3を介して、蓋4により塞がれている。プロセスチューブ2の上部中央にはガス導入用の孔2aが設けられ、下方の周囲の複数箇所には、ガス排出用の孔2bが設けられている。
【0007】
上記プロセスチューブ2を取り囲んでいる円筒状の部材は加熱筒5であり、誘導加熱に適した導電性を有する材料からなる。この加熱筒5は例えば、グラファイトの基材にSiCのCVDコートを施したものである。加熱筒5の外側には、加熱筒5の軸方向を巻回軸方向として一又は複数の組からなるコイル6aがスパイラル状に巻回された誘導加熱コイル6が配置されている。
【0008】
上記のように構成された熱処理装置では、誘導加熱コイル6に高周波電流を流すと、誘導加熱により加熱筒5が一気に昇温する。このときの昇温レートは、200〜最高1000℃/分であり、抵抗加熱方式に比べて大幅に昇温レートを向上させることができる。さらに、加熱筒5の外周に、一又は複数組のコイル6aがスパイラル状に巻回されていることにより、また、誘導加熱に適した導電性は優れた熱伝導性をもたらすため加熱筒5自体が熱を均一化する効果を有することから、加熱筒5は、温度の均一性や安定性に優れたホットウォール型の熱源となる。
【0009】
このようにして一気に均一に昇温する加熱筒5から熱線がプロセスチューブ2に放射され、プロセスチューブ2内の被処理物は輻射熱によって急速に加熱される。従って、熱処理工程に要する時間を大幅に短縮することができるとともに、均一な熱処理を行うことができる。また、かかる熱処理装置によれば、プロセスチューブをヒータで加熱する場合に比べて加熱容量が小さく、従って熱損失が低減される。また、サーマルバジェットが低下し、被処理物の品質が向上する。
【0010】
また、加熱筒5は、グラファイトを基材としてSiCのCVDコートを施したものであるので、高温においても重金属イオンを放出しない。従って、被処理物の金属汚染を抑制することができる。なお、加熱筒5の材質は、上記例に限らず、金属汚染を抑制し、誘導加熱が可能なものであればよい。例えば、SiC、高融点金属でもよい。
【0011】
なお、上記実施形態の熱処理装置はバッチサイズがミニバッチであるが、バッチサイズによらず本発明の熱処理装置が適用可能であるのは言うまでもない。また、熱処理工程の時間短縮が可能になることによってスループットが向上するので、枚葉式ラインへの対応も充分に可能である。
図2は、枚葉式対応の熱処理装置の、プロセスチューブ2の長手方向に直交する断面を示した図である。図において、プロセスチューブ2、加熱筒5及び誘導加熱コイル6は、ミニバッチの場合と同様の内外位置関係で構成される。但し、それぞれの断面形状を円形又は図示のように長円形とすることにより、枚葉式における被処理物を載せたトレイ7の熱処理の種類(例えば、真空か大気圧か等)に適した構成とすることができる。
【0012】
【発明の効果】
以上のように構成された本発明は以下の効果を奏する。
請求項1の熱処理装置によれば、誘導加熱コイルに高周波電流を流すことで、加熱筒が誘導加熱により一気に加熱され、熱線をプロセスチューブに放射するので、プロセスチューブ内の被処理物は輻射熱で熱処理される。従って、抵抗加熱方式に比べて、熱処理工程に要する時間を大幅に短縮することができる。また、加熱筒自体が、熱を均一化したホットウォール型の熱源となるので、均一な熱処理を行うことができる。
【0013】
請求項2の熱処理装置によれば、加熱筒からの重金属イオンの放出を防止することができるので、被処理物の金属汚染を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態による熱処理装置の断面図である。
【図2】枚葉式の熱処理装置におけるプロセスチューブの長手方向に直交する断面の図である。
【符号の説明】
2 プロセスチューブ
5 加熱筒
6 誘導加熱コイル
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造過程等で用いられる熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
従来、半導体の酸化・拡散炉としては、主として抵抗加熱方式の熱処理炉が用いられてきた。このような熱処理炉における昇温レートは、例えば大バッチ炉では20℃/分、小バッチ炉では100℃/分が限界であり、それ以上に大幅に向上させることはできなかった。従って、熱処理工程に要する時間を大幅に短縮することはできなかった。
一方、エピタキシャル成長装置等においては、処理室内のサセプタを誘導加熱方式で加熱し、このサセプタに載せられた半導体ウェハを加熱する方法が知られている(例えば特開平9−330884号公報等)。しかし、この場合、急速に昇温させると半導体ウェハが熱歪みを生じ、その結果サセプタに接触している部分とサセプタから浮き上がって非接触となる部分とができるので、均一な熱処理ができなかった。
【0003】
上記のような従来の問題点に鑑み、本発明は、熱処理工程に要する時間の大幅短縮と、均一な熱処理とを可能にする高速熱処理装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の熱処理装置は、熱処理の被処理物を収容する石英製のプロセスチューブと、前記プロセスチューブを取り囲む導電性の加熱筒と、前記加熱筒の外側に配置された誘導加熱コイルとを備えたものである(請求項1)。
上記のような熱処理装置においては、誘導加熱コイルに高周波電流を流すことで、加熱筒が誘導加熱により一気に加熱され、熱線をプロセスチューブに放射する。これにより、プロセスチューブ内の被処理物は輻射熱で熱処理される。従って、抵抗加熱方式に比べて、熱処理工程に要する時間を大幅に短縮することができる。また、加熱筒自体が、熱を均一化したホットウォール型の熱源となる。従って、均一な熱処理を行うことができる。
【0005】
また、上記熱処理装置において、加熱筒は、導電性の基材にSiCのCVDコートを施したものであってもよい(請求項2)。
この場合、加熱筒からの重金属イオンの放出を防止することができる。従って、被処理物の金属汚染を抑制することができる。
【0006】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の一実施形態による熱処理装置を示す断面図である。この熱処理装置は、いわゆるミニバッチ(例えば25枚処理)炉である。図において、被処理物の半導体を載せたボート1は、石英製のプロセスチューブ2内に搬入されている。プロセスチューブ2の下方の開口は、密封用のリング部材3を介して、蓋4により塞がれている。プロセスチューブ2の上部中央にはガス導入用の孔2aが設けられ、下方の周囲の複数箇所には、ガス排出用の孔2bが設けられている。
【0007】
上記プロセスチューブ2を取り囲んでいる円筒状の部材は加熱筒5であり、誘導加熱に適した導電性を有する材料からなる。この加熱筒5は例えば、グラファイトの基材にSiCのCVDコートを施したものである。加熱筒5の外側には、加熱筒5の軸方向を巻回軸方向として一又は複数の組からなるコイル6aがスパイラル状に巻回された誘導加熱コイル6が配置されている。
【0008】
上記のように構成された熱処理装置では、誘導加熱コイル6に高周波電流を流すと、誘導加熱により加熱筒5が一気に昇温する。このときの昇温レートは、200〜最高1000℃/分であり、抵抗加熱方式に比べて大幅に昇温レートを向上させることができる。さらに、加熱筒5の外周に、一又は複数組のコイル6aがスパイラル状に巻回されていることにより、また、誘導加熱に適した導電性は優れた熱伝導性をもたらすため加熱筒5自体が熱を均一化する効果を有することから、加熱筒5は、温度の均一性や安定性に優れたホットウォール型の熱源となる。
【0009】
このようにして一気に均一に昇温する加熱筒5から熱線がプロセスチューブ2に放射され、プロセスチューブ2内の被処理物は輻射熱によって急速に加熱される。従って、熱処理工程に要する時間を大幅に短縮することができるとともに、均一な熱処理を行うことができる。また、かかる熱処理装置によれば、プロセスチューブをヒータで加熱する場合に比べて加熱容量が小さく、従って熱損失が低減される。また、サーマルバジェットが低下し、被処理物の品質が向上する。
【0010】
また、加熱筒5は、グラファイトを基材としてSiCのCVDコートを施したものであるので、高温においても重金属イオンを放出しない。従って、被処理物の金属汚染を抑制することができる。なお、加熱筒5の材質は、上記例に限らず、金属汚染を抑制し、誘導加熱が可能なものであればよい。例えば、SiC、高融点金属でもよい。
【0011】
なお、上記実施形態の熱処理装置はバッチサイズがミニバッチであるが、バッチサイズによらず本発明の熱処理装置が適用可能であるのは言うまでもない。また、熱処理工程の時間短縮が可能になることによってスループットが向上するので、枚葉式ラインへの対応も充分に可能である。
図2は、枚葉式対応の熱処理装置の、プロセスチューブ2の長手方向に直交する断面を示した図である。図において、プロセスチューブ2、加熱筒5及び誘導加熱コイル6は、ミニバッチの場合と同様の内外位置関係で構成される。但し、それぞれの断面形状を円形又は図示のように長円形とすることにより、枚葉式における被処理物を載せたトレイ7の熱処理の種類(例えば、真空か大気圧か等)に適した構成とすることができる。
【0012】
【発明の効果】
以上のように構成された本発明は以下の効果を奏する。
請求項1の熱処理装置によれば、誘導加熱コイルに高周波電流を流すことで、加熱筒が誘導加熱により一気に加熱され、熱線をプロセスチューブに放射するので、プロセスチューブ内の被処理物は輻射熱で熱処理される。従って、抵抗加熱方式に比べて、熱処理工程に要する時間を大幅に短縮することができる。また、加熱筒自体が、熱を均一化したホットウォール型の熱源となるので、均一な熱処理を行うことができる。
【0013】
請求項2の熱処理装置によれば、加熱筒からの重金属イオンの放出を防止することができるので、被処理物の金属汚染を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態による熱処理装置の断面図である。
【図2】枚葉式の熱処理装置におけるプロセスチューブの長手方向に直交する断面の図である。
【符号の説明】
2 プロセスチューブ
5 加熱筒
6 誘導加熱コイル
Claims (2)
- 熱処理の被処理物を収容する石英製のプロセスチューブと、
前記プロセスチューブを取り囲む導電性の加熱筒と、
前記加熱筒の外側に配置された誘導加熱コイルと
を備えたことを特徴とする熱処理装置。 - 前記加熱筒は、導電性の基材にSiCのCVDコートを施したものである請求項1記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002224470A JP2004071596A (ja) | 2002-08-01 | 2002-08-01 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002224470A JP2004071596A (ja) | 2002-08-01 | 2002-08-01 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004071596A true JP2004071596A (ja) | 2004-03-04 |
Family
ID=32012421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002224470A Pending JP2004071596A (ja) | 2002-08-01 | 2002-08-01 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004071596A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281636A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体熱処理装置および方法 |
JP2007150124A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理方法、熱処理装置用管体、およびこれを用いた熱処理装置 |
JP2012115837A (ja) * | 2006-08-10 | 2012-06-21 | Corning Inc | 粒子合成用装置 |
DE112010002634T5 (de) | 2010-07-20 | 2012-08-09 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co. Ltd. | Halbleitersubstrat-Wärmebehandlungsvorrichtung |
DE112011102681T5 (de) | 2010-08-09 | 2013-06-06 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Induktionsheizvorrichtung und lnduktionsheizverfahren |
JP5877920B1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-03-08 | 株式会社ワイエイシイデンコー | 急速昇降温熱処理炉 |
-
2002
- 2002-08-01 JP JP2002224470A patent/JP2004071596A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281636A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体熱処理装置および方法 |
JP4560660B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2010-10-13 | 三井造船株式会社 | 半導体熱処理装置および方法 |
JP2007150124A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理方法、熱処理装置用管体、およびこれを用いた熱処理装置 |
JP2012115837A (ja) * | 2006-08-10 | 2012-06-21 | Corning Inc | 粒子合成用装置 |
DE112010002634T5 (de) | 2010-07-20 | 2012-08-09 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co. Ltd. | Halbleitersubstrat-Wärmebehandlungsvorrichtung |
DE112011102681T5 (de) | 2010-08-09 | 2013-06-06 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Induktionsheizvorrichtung und lnduktionsheizverfahren |
US9173251B2 (en) | 2010-08-09 | 2015-10-27 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Induction heating apparatus and induction heating method |
US9674898B2 (en) | 2010-08-09 | 2017-06-06 | Mitsui Engineering And Shipbuilding Co., Ltd. | Induction heating apparatus and induction heating method |
JP5877920B1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-03-08 | 株式会社ワイエイシイデンコー | 急速昇降温熱処理炉 |
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