JP2005025983A - 誘導加熱装置 - Google Patents
誘導加熱装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005025983A JP2005025983A JP2003187858A JP2003187858A JP2005025983A JP 2005025983 A JP2005025983 A JP 2005025983A JP 2003187858 A JP2003187858 A JP 2003187858A JP 2003187858 A JP2003187858 A JP 2003187858A JP 2005025983 A JP2005025983 A JP 2005025983A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- induction heating
- heating coil
- induction
- terminal portions
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- General Induction Heating (AREA)
Abstract
【課題】複雑な装置構造を採用することなく、誘導加熱される加熱体の表面温度のばらつきを抑制することで加熱対象物の加熱ムラを緩和することができる誘導加熱装置を提供する。
【解決手段】本発明の誘導加熱装置11に用いられる誘導加熱コイル15は、高周波電流が供給される複数の一対の端子部17a、17bを有している。そして、これら複数の端子部17a、17bを非直線状に配するか、面内全体に分散させて配するようにした。
【選択図】 図3
【解決手段】本発明の誘導加熱装置11に用いられる誘導加熱コイル15は、高周波電流が供給される複数の一対の端子部17a、17bを有している。そして、これら複数の端子部17a、17bを非直線状に配するか、面内全体に分散させて配するようにした。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘導加熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体や液晶分野において、半導体ウエハや液晶パネル用ガラス基板等の熱処理に際し、加熱手段として誘導加熱方式を採用した誘導加熱装置を用いている(例えば、特許文献1参照)。この誘導加熱装置は、ハロゲンランプを熱源に用いるランプ加熱装置などに比べ、高効率で高速昇温が可能であるという利点を有している。
【0003】
【特許文献1】
特許第2628394号公報(第1頁、第1図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような誘導加熱装置には、導体を一平面上(または一曲面上)において同心円状または渦巻状に配置された誘導加熱コイルを用いるタイプや、筒状の加熱体の外周側に導体を巻回した誘導加熱コイルを用いるタイプがあるが、前者の誘導加熱コイルは、例えば、図8に示すように、複数の導体1が一平面上(または一曲面上)において同心円状に配置された構成をしており、それぞれの導体1には高周波電流が供給される一対の端子部2a、2bが形成されている。そして、各端子部2a、2bには、高周波電流と水とを供給するための一対の電力供給管3a、3bが接続されている。
【0005】
しかしながら、各電力供給管3a、3bは誘導加熱コイルの垂直方向から接続されているため、各接続部において電流が垂直に曲がることになり、各接続部近傍で局所的に磁場の乱れが発生するという問題がある。このように磁場が乱れると、誘導加熱コイルにより誘導加熱される加熱体の表面温度にばらつきが発生し、加熱体の輻射熱で加熱される加熱対象物に加熱ムラが発生する。特に、このような現象は、電力供給管3a、3bが垂直方向から接続された端子部2a、2bを一直線状に並べて配置すると(図8参照)、顕著に見られる。
一方、加熱体の表面温度のばらつきに伴う加熱対象物の加熱ムラを抑制するためには、加熱対象物を回転させる機構を設置すればよいが、このような回転機構を設置するのは装置が複雑となり、またコストが高くつくという新たな問題が生じる。
【0006】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、複雑な装置構造を採用することなく、加熱体の表面温度のばらつきを抑制することで加熱対象物の加熱ムラを緩和することができる誘導加熱装置の提供をその目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の誘導加熱装置は、電力供給路と、前記電力供給路と接続される端子部を複数有する誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルの片面側に離隔して配置され、その誘導加熱コイルにより誘導加熱される加熱体と、を備えた誘導加熱装置であって、前記誘導加熱コイルの複数の端子部が、非直線状に配されていることを特徴としている。
【0008】
上記の構成によれば、複数の端子部を一直線上に並ばないようにしたので、各端子部と電力供給路との各接続部における磁場の乱れを分散させることができる。このため、誘導加熱コイルからの磁束が不均一な状態で加熱体を貫通するのが抑えられ、加熱体の表面温度のばらつきが抑制される。よって、加熱体の輻射熱で加熱処理される加熱対象物の加熱ムラを緩和することができる。また、加熱対象物の回転機構が不要であるので、安価で簡単な構造の誘導加熱装置を提供することができる。
ここで、本発明において「非直線状」とは、誘導加熱コイルの複数の端子部を繋いだ線が直線にならないことをいう。よって、各端子部をランダムに位置させる場合や、位相を規則的に変化させて位置させる場合などを含む。
【0009】
本発明の第2の誘導加熱装置は、電力供給路と、前記電力供給路と接続される端子部を複数有する誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルの片面側に離隔して配置され、その誘導加熱コイルにより誘導加熱される加熱体と、を備えた誘導加熱装置であって、前記誘導加熱コイルの複数の端子部が、その誘導加熱コイルの面内全体に分散して配されていることを特徴としている。
【0010】
上記の構成によれば、複数の端子部を誘導加熱コイルの面内全体に分散させるようにしたので、各端子部と電力供給路との各接続部における磁場の乱れを分散させることができる。このため、誘導加熱コイルからの磁束が不均一な状態で加熱体を貫通するのが抑えられ、加熱体の表面温度のばらつきが抑制される。よって、加熱体の輻射熱で加熱処理される加熱対象物の加熱ムラを緩和することができる。また、加熱対象物の回転機構が不要であるので、安価で簡単な構造の誘導加熱装置を提供することができる。
【0011】
上記第1及び第2の誘導加熱装置において、前記電力供給路が、前記誘導加熱コイルの端子部に、前記誘導加熱コイルの他面側の略垂直方向から接続されている場合には、加熱体の表面温度のばらつきに伴う加熱対象物の加熱ムラの改善効果がより顕著に見られる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る枚葉式の誘導加熱装置の構成を示す断面図である。本形態に係る枚葉式の誘導加熱装置11は、例えば半導体ウエハWの加熱処理に用いられ、アルミ製のハウジング12と、このハウジング12内に配置され半導体ウエハWが1枚ずつ収容される横型のプロセスチャンバ(処理室)13と、このプロセスチャンバ13内に配置された加熱体としての円板状の加熱板14と、前記プロセスチャンバ13の外壁面側に配置され一平面上(または一曲面上)において同心円状に配置された誘導加熱コイル15と、この誘導加熱コイル15とプロセスチャンバ13との間に配置された断熱材16とを備えている。
【0013】
プロセスチャンバ13は、耐熱性を有する石英材で形成されたものであり、全体が筒状で、その一端側(図1では左側)に半導体ウエハWを搬出入するための開口13aを有し、他端側(図1では右側)にプロセスガスの導入や脱気等のための小径の通気口13bを有している。なお、図示しないが、開口13aや通気口13bには、プロセスチャンバ13を密閉空間にすべく、蓋体や弁体などが適宜配設される。また、プロセスチャンバ13内には、加熱板14や加熱対象物としての半導体ウエハWを載置できるように、支持部13c、13dが設けられている。
【0014】
加熱板14は、カーボン基体などの熱伝導率及び輻射率が大きい導電性材料により形成されたものであり、加熱対象物である半導体ウエハWよりも大きい直径を有する円板形状をしている。この加熱板14は、その中心が誘導加熱コイル15の中心と略一致した状態で誘導加熱コイル15の上方に平行に対向配置されており、誘導加熱コイル15からの磁束(磁力線)が貫通すると渦電流が発生し、この渦電流と加熱体14自体の電気抵抗とによりジュール熱が生じて発熱するものである。そして、このように発熱した加熱板14の輻射熱により加熱対象物としての半導体ウエハWを加熱する。なお、加熱板14としては、半導体ウエハWの汚染を防止すべく、炭化珪素(SiC)をCVD(Chemical Vapor Deposition)等により被覆したものを用いてもよい。
【0015】
誘導加熱コイル15は、図2にも示すように、複数(例えば12本)の導体17が一平面上(または一曲面上)において同心円状に配置されて構成されている。各導体17は、それぞれ銅等で形成されたものであり、断面形状が長方形(例えば7mm×11mm)の中空管で、管内に冷却水が流れるよう構成されている。各導体17には、一対の端子部17a、17bがそれぞれに形成されている。各端子部17a、17bは、誘導加熱コイル15により形成される平面内(または曲面内)に非直線状、例えば渦巻を描くように面内全体に分散して位置している。
【0016】
各端子部17a、17bには、図3に示すように、電力供給路としての一対の電力供給管18a、18bが誘導加熱コイル15の片面側(同図では上面側)の垂直方向から接続されている。これら一対の電力供給管18a、18bは、それぞれの端子部17a、17b近傍において、略平行に近接配置されている。これにより、電力供給管18a側から発生する磁束と電力供給管18b側から発生する磁束とが打ち消しあうので、接続部における磁場の乱れを小さくすることができる。ここで、各電力供給管18a、18bは、それぞれ銅等で形成された中空管であり、管内に冷却水が流れるよう構成されている。なお、図示しないが、各電力供給管18a、18bの他端側(端子部との接続部の反対側)は、高周波(30〜50kHz程度)の交流電源や誘導加熱コイル15の出力制御部と接続されている。
【0017】
ここで、本発明者らが行った検証試験について説明する。この検証試験では、各端子部を一直線状に並ぶようにした誘導加熱コイルと、各端子部を非直線状に位置させた誘導加熱コイルとを用いて、円板状の加熱体の表面温度を測定した。
【0018】
具体的には、まず、12本の銅製の導体(縦7mm×横11mm)のそれぞれに形成された一対の端子部を一直線に並ぶよう位置させた誘導加熱コイルを準備した(従来例品)。また、12本の銅製の導体(縦7mm×横11mm)のそれぞれに形成された一対の端子部を渦巻を描くように位置させた誘導加熱コイルを準備した(実施例品、図2参照)。そして、従来例品及び実施例品の誘導加熱コイルを誘導加熱装置に設置し、さらに各誘導加熱コイルの各端子部に一対の銅製の電力供給管をそれぞれ接続するとともに、直径が350mmの円板状の加熱板を、その中心が誘導加熱コイルの中心と一致するように配設した。その後、これら誘導加熱装置を用い、図4に示すように、円板状の加熱板14の4点、具体的にはA点(加熱板の中心から90mm離れた位置)、B点(A点から時計回りに90度ずれた位置)、C点(A点から時計回りに180度ずれた位置)、D点(A点から時計回りに270度ずれた位置)、について電流供給開始から200秒後の表面温度をそれぞれ測定した。
【0019】
図5は従来例品の誘導加熱コイルを用いた場合の結果であり、図6は実施例品の誘導加熱コイルを用いた場合の結果である。図5から明らかなように、従来例品の誘導加熱コイルでは、最も表面温度が高いA点と、A点から90度ずれた位置のB点やA点から270度ずれた位置のD点(両方の測定位置は一直線に並んだ端子部に対応した位置である)とを比較すると、10℃以上の温度差があり、加熱板の表面温度に大きなばらつきが生じていることが確認された。一方、図6から明らかなように、実施例品の誘導加熱コイルでは、最も表面温度が高いD点と最も表面温度が低いB点とを比較すると、5℃以下の温度差であり、加熱板の表面温度のばらつきが抑制されていることが確認された。
【0020】
上記のように構成された本形態に係る誘導加熱装置11は、誘導加熱コイル15を構成する導体17に形成された複数の一対の端子部17a、17bが渦巻を描くように位置しているので、垂直方向から電力供給管18a、18bが接続された端子部17a、17b近傍に発生する磁場の乱れを分散させることができる。このため、誘導加熱コイル15からの磁束が不均一な状態で加熱体14を貫通するのが抑えられ、加熱体14の表面温度のばらつきが抑制される。よって、加熱体14の輻射熱で加熱処理される半導体ウエハWの加熱ムラを緩和することができる。また、半導体ウエハWの回転機構が不要であるので、安価で簡単な構造の誘導加熱装置となる。
【0021】
図7は本発明の第2の実施形態に係る枚葉式の誘導加熱装置に配設される誘導加熱コイルを示す説明図である。本形態に係る誘導加熱装置は、第1の実施形態に比べ、誘導加熱コイル25の中心側の3つの導体17A、17B、17Cの各一対の端子部17a、17bの位置を代えた点で異なる。具体的には、最も中心側にある導体17Aの一対の端子部17a、17bから約180度位相をずらして、その導体17Aに隣接する導体17Bの端子部17a、17bを位置させ、さらにその導体17Bの端子部17a、17bから約90度位相をずらして、その導体17Bに隣接する導体17Cの端子部17a、17bを位置させた点で異なる。これは、第1の実施形態において中心側の各端子部17a、17bが近接しており、その部分と対向する加熱板14の表面温度が若干低くなりやすいので、加熱板14の表面温度のばらつきをより一層抑制すべく、中心側の3つの端子部17a、17bが近接しないようにしたものである。
【0022】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、加熱体をプロセスチャンバの外側に配置した構成の誘導加熱装置であってもよい。また、全体が円筒状で軸方向に所定の間隔で配置された誘導加熱コイルの内周面側(片面側)に円筒状の加熱体を配置した構成の誘導加熱装置の場合、高周波電流が供給される各端子部を非直線状に配してもよいし、また各端子部を当該誘導加熱コイルの外周面全体(すなわち360度の範囲内)に分散させて配してもよい。また、加熱対象物としては半導体ウエハWに限らず、例えば、ガラス基板等の絶縁性基板と、その表面に形成された各種の薄膜を含むものでもよい。
【0023】
【発明の効果】
以上のように、本発明の誘導加熱装置によれば、複数の端子部を分散させた誘導加熱コイルを用いるので、複雑な装置構造を採用することなく、加熱体の表面温度のばらつきを抑制することができ、その結果として半導体ウエハなどの加熱対象物の加熱ムラを緩和することができる。したがって、スリップなどの発生が抑制された高品質な半導体ウエハ等を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る誘導加熱装置を示す断面図である。
【図2】誘導加熱コイルの各端子部の位置を説明するための説明図である。
【図3】前記各端子部に電力供給路が接続された状態を示す説明図である。
【図4】加熱体の表面温度を測定した位置を示す平面図である。
【図5】従来の誘導加熱装置を用いた場合の測定結果を示すグラフ図である。
【図6】実施例の誘導加熱装置を用いた場合の測定結果を示すグラフ図である。
【図7】本発明の第2の実施形態に係る誘導加熱装置に配設される誘導加熱コイルを示す説明図である。
【図8】従来の誘導加熱コイルに電力供給管を接続した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
11 誘導加熱装置
14 加熱板
15 誘導加熱コイル
17 導体
17a、17b 端子部
18a、18b 電力供給管(電力供給路)
W 半導体ウエハ(加熱対象物)
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘導加熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体や液晶分野において、半導体ウエハや液晶パネル用ガラス基板等の熱処理に際し、加熱手段として誘導加熱方式を採用した誘導加熱装置を用いている(例えば、特許文献1参照)。この誘導加熱装置は、ハロゲンランプを熱源に用いるランプ加熱装置などに比べ、高効率で高速昇温が可能であるという利点を有している。
【0003】
【特許文献1】
特許第2628394号公報(第1頁、第1図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような誘導加熱装置には、導体を一平面上(または一曲面上)において同心円状または渦巻状に配置された誘導加熱コイルを用いるタイプや、筒状の加熱体の外周側に導体を巻回した誘導加熱コイルを用いるタイプがあるが、前者の誘導加熱コイルは、例えば、図8に示すように、複数の導体1が一平面上(または一曲面上)において同心円状に配置された構成をしており、それぞれの導体1には高周波電流が供給される一対の端子部2a、2bが形成されている。そして、各端子部2a、2bには、高周波電流と水とを供給するための一対の電力供給管3a、3bが接続されている。
【0005】
しかしながら、各電力供給管3a、3bは誘導加熱コイルの垂直方向から接続されているため、各接続部において電流が垂直に曲がることになり、各接続部近傍で局所的に磁場の乱れが発生するという問題がある。このように磁場が乱れると、誘導加熱コイルにより誘導加熱される加熱体の表面温度にばらつきが発生し、加熱体の輻射熱で加熱される加熱対象物に加熱ムラが発生する。特に、このような現象は、電力供給管3a、3bが垂直方向から接続された端子部2a、2bを一直線状に並べて配置すると(図8参照)、顕著に見られる。
一方、加熱体の表面温度のばらつきに伴う加熱対象物の加熱ムラを抑制するためには、加熱対象物を回転させる機構を設置すればよいが、このような回転機構を設置するのは装置が複雑となり、またコストが高くつくという新たな問題が生じる。
【0006】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、複雑な装置構造を採用することなく、加熱体の表面温度のばらつきを抑制することで加熱対象物の加熱ムラを緩和することができる誘導加熱装置の提供をその目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の誘導加熱装置は、電力供給路と、前記電力供給路と接続される端子部を複数有する誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルの片面側に離隔して配置され、その誘導加熱コイルにより誘導加熱される加熱体と、を備えた誘導加熱装置であって、前記誘導加熱コイルの複数の端子部が、非直線状に配されていることを特徴としている。
【0008】
上記の構成によれば、複数の端子部を一直線上に並ばないようにしたので、各端子部と電力供給路との各接続部における磁場の乱れを分散させることができる。このため、誘導加熱コイルからの磁束が不均一な状態で加熱体を貫通するのが抑えられ、加熱体の表面温度のばらつきが抑制される。よって、加熱体の輻射熱で加熱処理される加熱対象物の加熱ムラを緩和することができる。また、加熱対象物の回転機構が不要であるので、安価で簡単な構造の誘導加熱装置を提供することができる。
ここで、本発明において「非直線状」とは、誘導加熱コイルの複数の端子部を繋いだ線が直線にならないことをいう。よって、各端子部をランダムに位置させる場合や、位相を規則的に変化させて位置させる場合などを含む。
【0009】
本発明の第2の誘導加熱装置は、電力供給路と、前記電力供給路と接続される端子部を複数有する誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルの片面側に離隔して配置され、その誘導加熱コイルにより誘導加熱される加熱体と、を備えた誘導加熱装置であって、前記誘導加熱コイルの複数の端子部が、その誘導加熱コイルの面内全体に分散して配されていることを特徴としている。
【0010】
上記の構成によれば、複数の端子部を誘導加熱コイルの面内全体に分散させるようにしたので、各端子部と電力供給路との各接続部における磁場の乱れを分散させることができる。このため、誘導加熱コイルからの磁束が不均一な状態で加熱体を貫通するのが抑えられ、加熱体の表面温度のばらつきが抑制される。よって、加熱体の輻射熱で加熱処理される加熱対象物の加熱ムラを緩和することができる。また、加熱対象物の回転機構が不要であるので、安価で簡単な構造の誘導加熱装置を提供することができる。
【0011】
上記第1及び第2の誘導加熱装置において、前記電力供給路が、前記誘導加熱コイルの端子部に、前記誘導加熱コイルの他面側の略垂直方向から接続されている場合には、加熱体の表面温度のばらつきに伴う加熱対象物の加熱ムラの改善効果がより顕著に見られる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る枚葉式の誘導加熱装置の構成を示す断面図である。本形態に係る枚葉式の誘導加熱装置11は、例えば半導体ウエハWの加熱処理に用いられ、アルミ製のハウジング12と、このハウジング12内に配置され半導体ウエハWが1枚ずつ収容される横型のプロセスチャンバ(処理室)13と、このプロセスチャンバ13内に配置された加熱体としての円板状の加熱板14と、前記プロセスチャンバ13の外壁面側に配置され一平面上(または一曲面上)において同心円状に配置された誘導加熱コイル15と、この誘導加熱コイル15とプロセスチャンバ13との間に配置された断熱材16とを備えている。
【0013】
プロセスチャンバ13は、耐熱性を有する石英材で形成されたものであり、全体が筒状で、その一端側(図1では左側)に半導体ウエハWを搬出入するための開口13aを有し、他端側(図1では右側)にプロセスガスの導入や脱気等のための小径の通気口13bを有している。なお、図示しないが、開口13aや通気口13bには、プロセスチャンバ13を密閉空間にすべく、蓋体や弁体などが適宜配設される。また、プロセスチャンバ13内には、加熱板14や加熱対象物としての半導体ウエハWを載置できるように、支持部13c、13dが設けられている。
【0014】
加熱板14は、カーボン基体などの熱伝導率及び輻射率が大きい導電性材料により形成されたものであり、加熱対象物である半導体ウエハWよりも大きい直径を有する円板形状をしている。この加熱板14は、その中心が誘導加熱コイル15の中心と略一致した状態で誘導加熱コイル15の上方に平行に対向配置されており、誘導加熱コイル15からの磁束(磁力線)が貫通すると渦電流が発生し、この渦電流と加熱体14自体の電気抵抗とによりジュール熱が生じて発熱するものである。そして、このように発熱した加熱板14の輻射熱により加熱対象物としての半導体ウエハWを加熱する。なお、加熱板14としては、半導体ウエハWの汚染を防止すべく、炭化珪素(SiC)をCVD(Chemical Vapor Deposition)等により被覆したものを用いてもよい。
【0015】
誘導加熱コイル15は、図2にも示すように、複数(例えば12本)の導体17が一平面上(または一曲面上)において同心円状に配置されて構成されている。各導体17は、それぞれ銅等で形成されたものであり、断面形状が長方形(例えば7mm×11mm)の中空管で、管内に冷却水が流れるよう構成されている。各導体17には、一対の端子部17a、17bがそれぞれに形成されている。各端子部17a、17bは、誘導加熱コイル15により形成される平面内(または曲面内)に非直線状、例えば渦巻を描くように面内全体に分散して位置している。
【0016】
各端子部17a、17bには、図3に示すように、電力供給路としての一対の電力供給管18a、18bが誘導加熱コイル15の片面側(同図では上面側)の垂直方向から接続されている。これら一対の電力供給管18a、18bは、それぞれの端子部17a、17b近傍において、略平行に近接配置されている。これにより、電力供給管18a側から発生する磁束と電力供給管18b側から発生する磁束とが打ち消しあうので、接続部における磁場の乱れを小さくすることができる。ここで、各電力供給管18a、18bは、それぞれ銅等で形成された中空管であり、管内に冷却水が流れるよう構成されている。なお、図示しないが、各電力供給管18a、18bの他端側(端子部との接続部の反対側)は、高周波(30〜50kHz程度)の交流電源や誘導加熱コイル15の出力制御部と接続されている。
【0017】
ここで、本発明者らが行った検証試験について説明する。この検証試験では、各端子部を一直線状に並ぶようにした誘導加熱コイルと、各端子部を非直線状に位置させた誘導加熱コイルとを用いて、円板状の加熱体の表面温度を測定した。
【0018】
具体的には、まず、12本の銅製の導体(縦7mm×横11mm)のそれぞれに形成された一対の端子部を一直線に並ぶよう位置させた誘導加熱コイルを準備した(従来例品)。また、12本の銅製の導体(縦7mm×横11mm)のそれぞれに形成された一対の端子部を渦巻を描くように位置させた誘導加熱コイルを準備した(実施例品、図2参照)。そして、従来例品及び実施例品の誘導加熱コイルを誘導加熱装置に設置し、さらに各誘導加熱コイルの各端子部に一対の銅製の電力供給管をそれぞれ接続するとともに、直径が350mmの円板状の加熱板を、その中心が誘導加熱コイルの中心と一致するように配設した。その後、これら誘導加熱装置を用い、図4に示すように、円板状の加熱板14の4点、具体的にはA点(加熱板の中心から90mm離れた位置)、B点(A点から時計回りに90度ずれた位置)、C点(A点から時計回りに180度ずれた位置)、D点(A点から時計回りに270度ずれた位置)、について電流供給開始から200秒後の表面温度をそれぞれ測定した。
【0019】
図5は従来例品の誘導加熱コイルを用いた場合の結果であり、図6は実施例品の誘導加熱コイルを用いた場合の結果である。図5から明らかなように、従来例品の誘導加熱コイルでは、最も表面温度が高いA点と、A点から90度ずれた位置のB点やA点から270度ずれた位置のD点(両方の測定位置は一直線に並んだ端子部に対応した位置である)とを比較すると、10℃以上の温度差があり、加熱板の表面温度に大きなばらつきが生じていることが確認された。一方、図6から明らかなように、実施例品の誘導加熱コイルでは、最も表面温度が高いD点と最も表面温度が低いB点とを比較すると、5℃以下の温度差であり、加熱板の表面温度のばらつきが抑制されていることが確認された。
【0020】
上記のように構成された本形態に係る誘導加熱装置11は、誘導加熱コイル15を構成する導体17に形成された複数の一対の端子部17a、17bが渦巻を描くように位置しているので、垂直方向から電力供給管18a、18bが接続された端子部17a、17b近傍に発生する磁場の乱れを分散させることができる。このため、誘導加熱コイル15からの磁束が不均一な状態で加熱体14を貫通するのが抑えられ、加熱体14の表面温度のばらつきが抑制される。よって、加熱体14の輻射熱で加熱処理される半導体ウエハWの加熱ムラを緩和することができる。また、半導体ウエハWの回転機構が不要であるので、安価で簡単な構造の誘導加熱装置となる。
【0021】
図7は本発明の第2の実施形態に係る枚葉式の誘導加熱装置に配設される誘導加熱コイルを示す説明図である。本形態に係る誘導加熱装置は、第1の実施形態に比べ、誘導加熱コイル25の中心側の3つの導体17A、17B、17Cの各一対の端子部17a、17bの位置を代えた点で異なる。具体的には、最も中心側にある導体17Aの一対の端子部17a、17bから約180度位相をずらして、その導体17Aに隣接する導体17Bの端子部17a、17bを位置させ、さらにその導体17Bの端子部17a、17bから約90度位相をずらして、その導体17Bに隣接する導体17Cの端子部17a、17bを位置させた点で異なる。これは、第1の実施形態において中心側の各端子部17a、17bが近接しており、その部分と対向する加熱板14の表面温度が若干低くなりやすいので、加熱板14の表面温度のばらつきをより一層抑制すべく、中心側の3つの端子部17a、17bが近接しないようにしたものである。
【0022】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、加熱体をプロセスチャンバの外側に配置した構成の誘導加熱装置であってもよい。また、全体が円筒状で軸方向に所定の間隔で配置された誘導加熱コイルの内周面側(片面側)に円筒状の加熱体を配置した構成の誘導加熱装置の場合、高周波電流が供給される各端子部を非直線状に配してもよいし、また各端子部を当該誘導加熱コイルの外周面全体(すなわち360度の範囲内)に分散させて配してもよい。また、加熱対象物としては半導体ウエハWに限らず、例えば、ガラス基板等の絶縁性基板と、その表面に形成された各種の薄膜を含むものでもよい。
【0023】
【発明の効果】
以上のように、本発明の誘導加熱装置によれば、複数の端子部を分散させた誘導加熱コイルを用いるので、複雑な装置構造を採用することなく、加熱体の表面温度のばらつきを抑制することができ、その結果として半導体ウエハなどの加熱対象物の加熱ムラを緩和することができる。したがって、スリップなどの発生が抑制された高品質な半導体ウエハ等を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る誘導加熱装置を示す断面図である。
【図2】誘導加熱コイルの各端子部の位置を説明するための説明図である。
【図3】前記各端子部に電力供給路が接続された状態を示す説明図である。
【図4】加熱体の表面温度を測定した位置を示す平面図である。
【図5】従来の誘導加熱装置を用いた場合の測定結果を示すグラフ図である。
【図6】実施例の誘導加熱装置を用いた場合の測定結果を示すグラフ図である。
【図7】本発明の第2の実施形態に係る誘導加熱装置に配設される誘導加熱コイルを示す説明図である。
【図8】従来の誘導加熱コイルに電力供給管を接続した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
11 誘導加熱装置
14 加熱板
15 誘導加熱コイル
17 導体
17a、17b 端子部
18a、18b 電力供給管(電力供給路)
W 半導体ウエハ(加熱対象物)
Claims (3)
- 電力供給路と、前記電力供給路と接続される端子部を複数有する誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルの片面側に離隔して配置され、その誘導加熱コイルにより誘導加熱される加熱体と、を備えた誘導加熱装置であって、
前記誘導加熱コイルの複数の端子部が、非直線状に配されていることを特徴とする誘導加熱装置。 - 電力供給路と、前記電力供給路と接続される端子部を複数有する誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルの片面側に離隔して配置され、その誘導加熱コイルにより誘導加熱される加熱体と、を備えた誘導加熱装置であって、
前記誘導加熱コイルの複数の端子部が、その誘導加熱コイルの面内全体に分散して配されていることを特徴とする誘導加熱装置。 - 前記電力供給路が、前記誘導加熱コイルの端子部に、その誘導加熱コイルの他面側の略垂直方向から接続されている請求項1または2記載の誘導加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003187858A JP2005025983A (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 誘導加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003187858A JP2005025983A (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 誘導加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005025983A true JP2005025983A (ja) | 2005-01-27 |
Family
ID=34186570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003187858A Pending JP2005025983A (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 誘導加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005025983A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009218448A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ウエハ熱処理装置 |
WO2017141713A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | アイシン精機株式会社 | 誘導加熱コイル |
JP2020170609A (ja) * | 2019-04-02 | 2020-10-15 | 富士電子工業株式会社 | 誘導加熱コイル |
-
2003
- 2003-06-30 JP JP2003187858A patent/JP2005025983A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009218448A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ウエハ熱処理装置 |
WO2017141713A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | アイシン精機株式会社 | 誘導加熱コイル |
JP2017147065A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | アイシン精機株式会社 | 誘導加熱コイル |
JP2020170609A (ja) * | 2019-04-02 | 2020-10-15 | 富士電子工業株式会社 | 誘導加熱コイル |
JP7290858B2 (ja) | 2019-04-02 | 2023-06-14 | 富士電子工業株式会社 | 誘導加熱コイル |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102617065B1 (ko) | 서셉터 및 기판 처리 장치 | |
JP7105725B2 (ja) | 広範囲の動作温度を有するpecvdセラミックヒータ | |
TWI654712B (zh) | 用於具有多區加熱之基材支撐件的方法及設備 | |
WO2010047155A1 (ja) | 熱処理装置 | |
KR101070667B1 (ko) | 기판 처리 장치, 가열 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2006324023A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20090068117A (ko) | 기판 온도 조정 및 고정 장치 | |
JP4515755B2 (ja) | 処理装置 | |
TWI621206B (zh) | 載置台及電漿處理裝置 | |
JP6687829B2 (ja) | 誘導加熱装置 | |
JPWO2018159189A1 (ja) | 基板支持ユニット、および基板支持ユニットを有する成膜装置 | |
US7985295B1 (en) | RF heater arrangement for substrate heating apparatus | |
JP4336283B2 (ja) | 誘導加熱装置 | |
JP2009283700A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2003297544A (ja) | 誘導加熱装置 | |
JP2005025983A (ja) | 誘導加熱装置 | |
JP5387662B2 (ja) | 被処理基板支持構造、およびプラズマ処理装置 | |
JP2005025982A (ja) | 誘導加熱装置 | |
TWI737984B (zh) | 用於hdp cvd的帶有嵌入式加熱元件和嵌入式rf線圈的進階陶瓷蓋及感應耦合電漿處理腔室 | |
JPH04318923A (ja) | 加熱装置 | |
JP2004055896A (ja) | 加熱装置 | |
JP2004071596A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2004349479A (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
JP2000012478A (ja) | 基板熱処理装置 | |
JP5535955B2 (ja) | 気相成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060310 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20070806 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070814 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20071211 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |