KR20130018406A - 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents

발광 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130018406A
KR20130018406A KR1020127025192A KR20127025192A KR20130018406A KR 20130018406 A KR20130018406 A KR 20130018406A KR 1020127025192 A KR1020127025192 A KR 1020127025192A KR 20127025192 A KR20127025192 A KR 20127025192A KR 20130018406 A KR20130018406 A KR 20130018406A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
thin film
ink
layer
organic
Prior art date
Application number
KR1020127025192A
Other languages
English (en)
Inventor
다다시 고다
Original Assignee
스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 filed Critical 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Publication of KR20130018406A publication Critical patent/KR20130018406A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks

Abstract

본 발명은 발광 영역 외에 도포 성막된 박막을 선택적으로 제거함으로써 간이하게 발광 장치 (21)을 제조하는 것이 가능한 발광 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 발광 장치의 제조 방법은, 지지 기판과, 지지 기판 상에 설정되는 발광 영역에 설치되고, 제1 전극 (12)와, 제2 전극과, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 설치되는 유기 EL층을 포함하여 구성되는 복수의 유기 EL 소자 (22)를 구비하는 발광 장치의 제조 방법으로서, 제1 전극이 설치된 지지 기판을 준비하는 공정과, 유기 EL층이 될 재료를 포함하는 잉크를 지지 기판 상에 공급하고 지지 기판의 발광 영역 내 및 발광 영역 외에 상기 잉크를 포함하는 박막을 형성하는 공정과, 발광 영역 내의 박막을 난용화하는 공정과, 발광 영역 외의 박막을 세정에 의해서 제거하는 공정과, 제2 전극을 형성하는 공정을 포함한다.

Description

발광 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT-EMITTING APPARATUS}
본 발명은 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치에는, 그의 구성이나 원리를 달리하는 다양한 종류의 장치가 있다. 그의 하나로서 현재 유기 전계 발광(유기 EL이라고 함) 소자(Electroluminescent Element)를 화소의 광원에 사용한 표시 장치가 실용화되어 있다.
이 표시 장치는 지지 기판 상에 배열되는 복수의 유기 EL 소자를 구비한다. 지지 기판 상에는 통상, 유기 EL 소자가 설치되어야 할 구획을 구획하기 위한 격벽이 설치되고 있고, 복수의 유기 EL 소자는 격벽에 의해서 구획되는 구획에 각각 정렬하여 설치되어 있다.
도 4는 노즐 프린팅법에 의해서 잉크를 공급하는 양태를 모식적으로 도시한 도면이다. 예를 들면 도 4에 도시된 바와 같이, 소정의 행 방향 X로 연장하는 복수개의 격벽 부재 (1)을 포함하는 격벽 (2)가 지지 기판 상에 설치되어 있는 경우, 복수의 유기 EL 소자 (3)은 격벽 부재 (1) 사이에 설치되고, 격벽 부재 (1)끼리의 사이 각각에 있어 열 방향 Y로 소정의 간격을 두고 배치된다.
유기 EL 소자는, 한쌍의 전극과, 한쌍의 전극 사이에 설치되는 유기 EL층으로 구성되고, 각 구성 요소를 순차 적층함으로써 제작된다.
유기 EL 소자를 구성하는 유기 EL층은 도포법에 의해서 형성하는 것이 가능하다. 즉, 유기 EL층이 될 재료를 포함하는 잉크를 소정의 도포법에 의해서 도포 성막하고, 또한 이것을 고화함으로써 유기 EL층을 형성할 수 있다.
유기 EL층을 형성하는 공정에서는, 유기 EL 소자가 형성되는 영역(이하, 발광 영역이라고 하는 경우가 있음) 내에만 잉크를 도포 성막하면 되지만, 도포법에 따라서는, 발광 영역 내뿐만 아니라 발광 영역 외에까지 잉크가 도포 성막되는 경우가 있다. 예를 들면 스핀 코팅법, 노즐 프린팅법에 의해서 잉크를 도포 성막하는 경우, 발광 영역 외에까지 잉크가 도포 성막된다.
도 4에서는 지지 기판 상에서의 노즐 (4)의 궤적을 화살표가 있는 실선으로 도시하고 있다. 노즐 프린팅법에서는, 잉크를 연속적으로 공급하는 노즐 (4)를 지지 기판 상에 배치하고, 이 노즐 (4)로부터 잉크를 연속적으로 공급하면서 노즐을 행 방향 X로 왕복 이동시키고, 노즐 (4)의 왕복의 반환 시에 지지 기판을 열 방향 Y로 1행분만큼 이동시킴으로써, 각 행에 잉크를 공급하고 있다. 이와 같이 노즐 프린팅법에서는 일필 쓰기로 잉크를 공급하기 때문에, 필연적으로 발광 영역 외에까지 잉크가 공급된다.
발광 영역 외에 도포 성막된 잉크는 통상 잉크를 도포한 후에 제거된다. 발광 영역 외에 도포 성막된 잉크에 의해서, 표시 장치의 특성이 저하될 우려가 있기 때문이다. 예를 들면 지지 기판은 통상, 밀봉을 위해 접착 부재에 의해서 밀봉 기판과 접합되는데, 접착 부재가 설치되는 영역에까지 잉크가 도포되어 있는 경우, 밀착성 및 기밀성이 저하되는 경우가 있다. 또한 지지 기판의 발광 영역의 외에 설치되는 배선이 잉크에 의해서 덮인 경우, 배선이 원하지 않게 단락될 우려가 있다. 이 때문에 종래의 기술에서는 발광 영역 외에 도포 성막된 잉크를 닦아내는 것에 의해 잉크를 제거하고 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2006-216253호 공보
종래의 기술에서는 잉크가 도포 성막된 부위에 있어서 닦아내기부를 주사함으로써 잉크를 제거하고 있지만, 잉크의 닦아내기를 반복함으로써, 닦아내기부에 잉크가 부착되어, 닦아내기부의 잉크의 닦아내기 능력이 점차로 저하되기 때문에, 연속하여 깨끗하게 잉크를 닦아낼 수 없다는 문제가 있다. 또한 잉크를 닦아낼 때에, 고화 도중의 박막 또는 고화한 박막으로부터 파티클이 발생하는 경우가 있다. 결과적으로, 파티클이 유기 EL층에 혼입될 우려가 있다. 또한 닦아내기부를 주사하는 장치로부터 의도하지 않은 파티클이 발생하는 경우도 있고, 이 파티클이 유기 EL층에 혼입될 우려도 있다.
따라서 본 발명의 목적은, 발광 영역 외에 도포 성막된 박막을 선택적으로 제거하는 신규 방법에 의해서 간이하게 발광 장치를 제조하는 것이 가능한 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 하기 [1] 내지 [6]을 제공한다.
[1] 지지 기판과, 이 지지 기판 상에 설정되는 발광 영역에 설치되고, 제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 설치되는 유기 전계 발광층을 포함하여 구성되는 복수의 유기 전계 발광 소자를 구비하는 발광 장치의 제조 방법으로서,
제1 전극이 설치된 지지 기판을 준비하는 공정과,
유기 EL층이 될 재료를 포함하는 잉크를 지지 기판 상에 공급하고, 지지 기판의 발광 영역 내 및 발광 영역 외에 상기 잉크를 포함하는 박막을 형성하는 공정과,
발광 영역 내의 박막을 난용화하는 공정과,
발광 영역 외의 박막을 세정에 의해서 제거하는 공정과,
제2 전극을 형성하는 공정
을 포함하는, 발광 장치의 제조 방법.
[2] 상기 잉크를 포함하는 박막을 형성하는 공정에서는 중합성 화합물을 포함하는 잉크를 공급하고,
상기 박막을 난용화하는 공정에서는 상기 중합성 화합물을 중합함으로써 발광 영역 내의 박막을 난용화하는, [1]에 기재된 발광 장치의 제조 방법.
[3] 상기 박막을 난용화하는 공정에서는 발광 영역 내의 박막에 광을 조사함으로써 발광 영역 내의 박막을 난용화시키는, [1] 또는 [2]에 기재된 발광 장치의 제조 방법.
[4] 상기 박막을 난용화하는 공정에서는 발광 영역 내의 박막을 가열함으로써 발광 영역 내의 박막을 난용화하는, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 발광 장치의 제조 방법.
[5] 근적외선을 조사함으로써 발광 영역 내의 박막을 가열하는, [4]에 기재된 발광 장치의 제조 방법.
[6] 상기 잉크를 포함하는 박막을 형성하는 공정에서는 노즐 프린팅법에 의해서 잉크를 지지 기판 상에 공급하는, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 발광 장치의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 발광 영역 외에 도포 성막된 박막을 선택적으로 제거하는 신규 방법에 의해서 간이하게 발광 장치를 제조할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 발광 장치를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 발광 장치를 모식적으로 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 3a는 박막을 난용화하고, 또한 세정하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3b는 박막을 난용화하고, 또한 세정하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3c는 박막을 난용화하고, 또한 세정하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 노즐 프린팅법에 의해서 잉크를 공급하는 양태를 모식적으로 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시의 일 형태에 대해서 설명한다. 또한 이하의 설명에 있어서, 각 도면은 발명을 이해할 수 있을 정도로 구성 요소의 형상, 크기 및 배치가 개략적으로 나타내어져 있는 것에 지나지 않고, 이에 따라 본 발명이 특별히 한정되는 것은 아니다. 또한 각 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여 나타내고, 그 중복하는 설명을 생략하는 경우가 있다.
본 발명의 표시 장치의 제조 방법은, 지지 기판과, 이 지지 기판 상에 설정되는 발광 영역에 설치되고, 제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 설치되는 유기 EL층을 포함하여 구성되는 복수의 유기 EL 소자를 구비하는 발광 장치의 제조 방법으로서, 제1 전극이 설치된 지지 기판을 준비하는 공정과, 유기 EL층이 될 재료를 포함하는 잉크를 지지 기판 상에 공급하고 지지 기판의 발광 영역 내 및 발광 영역 외에 상기 잉크를 포함하는 박막을 형성하는 공정과, 발광 영역 내의 박막을 난용화하는 공정과, 발광 영역 외의 박막을 세정에 의해서 제거하는 공정과, 제2 전극을 형성하는 공정을 포함한다.
발광 장치는 예를 들면 표시 장치나 조명 장치로서 이용된다. 표시 장치에는 주로 액티브 매트릭스 구동형의 장치와, 패시브 매트릭스 구동형의 장치가 있다. 본 발명은 양쪽의 구동형의 표시 장치에 적용할 수 있다. 본 실시 형태에서는 일례로서 액티브 매트릭스 구동형의 표시 장치에 적용되는 발광 장치에 대해서 설명한다. 또한 본 실시 형태에서는 표시 장치에 있어서 화소의 광원으로서 기능하는 유기 EL 소자에 대해서 설명한다. 예를 들면 발광 장치는 백라이트로서 기능하는 유기 EL 소자를 구비하고 있을 수도 있다. 또한 본 실시 형태에서는 복수의 유기 EL 소자가 설치되는 발광 장치에 대해서 설명한다. 그러나, 본 발명은 1개의 유기 EL 소자를 구비하는 발광 장치에도 적용할 수 있다.
<발광 장치의 구성>
우선 도 1 및 도 2를 참조하여 발광 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시 형태의 발광 장치를 모식적으로 도시하는 평면도이다. 도 2는 발광 장치를 모식적으로 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 발광 장치 (21)은 주로 지지 기판 (11)과, 이 지지 기판 상에 설정되는 발광 영역에 설치되는 복수의 유기 EL 소자 (22)를 구비한다.
본 명세서에 있어서 발광 영역이란 복수의 유기 EL 소자가 설치되는 영역이고, 예를 들면 표시 장치에 있어서는, 화상 정보를 표시하는 화상 표시 영역에 상당한다. 본 실시 형태에서는 지지 기판 (11) 상에 소정의 구획이 설정되어 있고, 복수의 유기 EL 소자 (22)는 지지 기판 (11) 상에 설정된 구획에 배열되어 있다. 또한 본 실시 형태에서는 지지 기판 (11) 상에 설정되는 구획을 구획하기 위한 격벽 (17)이 지지 기판 (11) 상에 설치되어 있다.
복수의 유기 EL 소자 (22)는 지지 기판 (11) 상에 설정되는 소정의 구획에 각각 정렬하여 배치되어 있다. 그리고 이 구획을 구획하기 위해서 설치되는 격벽 (17)의 형상은 지지 기판 (11) 상에 설정되는 구획의 형상에 따라서 정해진다. 예를 들면 지지 기판 (11) 상에 매트릭스상의 구획이 설정되는 경우, 이 매트릭스상의 구획을 획정하는 격벽으로서, 지지 기판에는 격자상의 격벽이 설치된다. 또한 지지 기판 (11) 상에 스트라이프상의 구획이 설정되는 경우, 이 스트라이프상의 구획을 구획하는 격벽으로서, 지지 기판에는 스트라이프상의 격벽 (17)이 설치된다. 본 발명은 격벽의 유무 및 격벽의 형상에 관계없이, 어떠한 형태의 발광 장치에도 적용 가능하다. 그러나, 본 실시 형태에서는 스트라이프상의 격벽 (17)이 지지 기판 (11)에 설치되는 형태에 대해서 설명한다. 즉 본 실시 형태에서의 격벽 (17)은 지지 기판 (11) 상에 있어서 소정의 행 방향 X로 각각 연장하는 복수개의 격벽 부재 (20)으로 구성되어 있다. 복수개의 격벽 부재 (20)은 행 방향 X와는 방향이 상이한 열 방향 Y로 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 또한 본 실시 형태에 있어서의 행 방향 X 및 열 방향 Y는 서로 직교하는 방향으로서, 또한 각각이 지지 기판 (11)의 두께 방향 Z에 직교하는 방향을 의미한다. 이하에서, 열 방향 Y로 인접하는 한쌍의 격벽 부재 (20)과 지지 기판 (11)에 의해서 규정되는 오목부를 오목부 (18)이라고 하는 경우가 있다. 지지 기판 (11) 상에는 복수개의 격벽 부재 (20)에 대응하는 복수개의 오목부 (18)이 설정된다. 본 실시 형태에서는 이 복수개의 오목부 (18)이 격벽에 의해서 획정되는 구획에 상당한다.
또한 본 실시 형태에서는 지지 기판 (11)과 격벽 (17) 사이에 절연막 (15)가 더 설치된다. 이 절연막 (15)는, 예를 들면 행 방향 X 또는 열 방향 Y로 인접하는 유기 EL 소자 (22)끼리 간의 전기적인 절연을 확보하기 위해서 설치된다. 본 실시 형태에서의 절연막 (15)는 격자상으로 형성되어 있다. 격자상의 절연막 (15)는 행 방향 X로 연장하는 복수개의 벨트상의 부분과, 열 방향 Y로 연장하는 복수개의 벨트상의 부분이 일체적으로 형성되어 구성되어 있다. 환언하면 절연막 (15)는 전기 절연성을 나타내는 박막에 다수의 개구 (15a)가 매트릭스상으로 형성된 형상을 갖는다.
절연막 (15)의 개구 (15a)는 지지 기판의 두께 방향의 한쪽에서 보아(이하, 「평면에서 보아」라고 하는 경우가 있음) 유기 EL 소자 (22)와 중첩되는 위치에 형성된다. 절연막 (15)의 개구 (15a)는 평면에서 보아, 후술하는 제1 전극 (12)와 거의 일치하도록 형성되어, 예를 들면 대략 직사각형, 일본 엽전형, 대략 원형 및 대략 타원형 등으로 형성된다. 격자상의 절연막 (15)는 평면에서 보아, 제1 전극 (12)의 일부를 노출시키도록 제1 전극 (12)의 주연을 덮어서 형성되어 있다. 또한 상술한 복수개의 격벽 부재 (20)은 절연막 (15)의 행 방향 X로 연장하는 복수개의 벨트상의 부분 상에 설치된다.
유기 EL 소자 (22)는 격벽에 의해서 구획되는 오목부 (18)에 설치된다. 본 실시 형태에서는 복수의 유기 EL 소자 (22)는 열 방향 Y로 인접하는 격벽 부재 (20)끼리의 사이(즉 오목부 (18))에 설치되고, 격벽 부재 (20)끼리의 사이 각각에 있어서 행 방향 X로 소정의 간격을 두고 배열되어 있다. 즉, 본 실시 형태에서는 복수의 유기 EL 소자 (22)는 지지 기판 (11) 상에서 매트릭스상으로 배열되어 있고, 각각 행 방향 X로 소정의 간격을 둠과 동시에, 열 방향 Y로도 소정의 간격을 두고 배치된다. 또한 각 유기 EL 소자 (22)는 물리적으로 이격하고 있을 필요는 없고, 개별로 구동할 수 있도록 서로 전기적으로 절연되어 있으면 된다. 그로 인해 유기 EL 소자 (22)를 구성하는 일부의 층(제1 전극 (12), 제2 전극 (16), 유기 EL층)은 다른 유기 EL 소자 (22)와 물리적으로 연결될 수도 있다.
유기 EL 소자 (22)는 제1 전극 (12), 유기 EL층인 정공 주입층 (13) 및 발광층 (14), 제2 전극 (16)이, 제1 전극 (12)가 지지 기판 (11)쪽이 되도록 이 순으로 배치되어 구성된다.
제1 전극 (12) 및 제2 전극 (16)은 양극과 음극을 포함하는 한쌍의 전극을 구성한다. 즉, 제1 전극 (12) 및 제2 전극 (16) 중의 한쪽이 양극으로서 설치되고, 다른 쪽이 음극으로서 설치된다. 또한 제1 전극 (12) 및 제2 전극 (16) 중의 제1 전극 (12)가 지지 기판 (11)쪽에 배치되고, 제2 전극 (16)이 제1 전극 (12)보다도 지지 기판 (11)로부터 이격하여 배치된다.
유기 EL 소자 (22)는 1층 이상의 유기 EL층을 구비한다. 또한 유기 EL층은 제1 전극 (12)와 제2 전극 (16)에 협지되는 모든 층을 의미한다. 유기 EL 소자 (22)는 유기 EL층으로서 적어도 1층 이상의 발광층 (14)를 구비한다. 또한 제1 전극 (12) 및 제2 전극 (16) 사이에는 발광층 (14)에 한하지 않고, 필요에 따라서 소정의 층이 설치된다. 예를 들면 양극과 발광층 (14) 사이에는 유기 EL층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 및 전자 블록층 등이 설치되고, 발광층 (14)와 음극 사이에는 유기 EL층으로서 정공 블록층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등이 설치된다.
본 실시 형태의 유기 EL 소자 (22)는 제1 전극 (12)와 발광층 (14) 사이에 유기 EL층으로서 정공 주입층 (13)을 구비한다.
이하에서는 실시의 일 형태로서, 양극으로서 기능하는 제1 전극 (12)와, 정공 주입층 (13)과, 발광층 (14)와, 음극으로서 기능하는 제2 전극 (16)이, 제1 전극 (12)가 지지 기판 (11)쪽이 되도록 이 순으로 적층되는 유기 EL 소자 (22)에 대해서 설명한다.
본 실시 형태의 발광 장치 (21)은 액티브 매트릭스 구동형의 장치이기 때문에, 제1 전극 (12)는 유기 EL 소자 (22)마다 개별로 설치된다. 즉 유기 EL 소자 (22)의 수와 동일한 수의 제1 전극 (12)가 지지 기판 (11) 상에 설치된다. 예를 들면 제1 전극 (12)는 박막상으로서, 평면에서 보아 대략 직사각형상으로 형성된다. 제1 전극 (12)는 지지 기판 (11) 상에 있어서, 각 유기 EL 소자가 설치되는 위치에 대응하여, 매트릭스상으로 설치된다. 복수의 제1 전극 (12)는 행 방향 X로 소정의 간격을 둠과 동시에, 열 방향 Y로 소정의 간격을 두고 배치된다.
또한 제1 전극 (12)는 평면에서 보아, 열 방향 Y로 인접하는 격벽 부재 (20)끼리의 사이에 설치되고, 격벽 부재 (20)끼리의 사이 각각에 있어서, 행 방향 X로 소정의 간격을 두고 배치되어 있다.
상술한 바와 같이 격자상의 절연막 (15)는 평면에서 보아 제1 전극 (12)의 일부를 노출시키도록 제1 전극 (12)의 주연을 덮어 형성된다. 즉 절연막 (15)에는 제1 전극 (12) 상에 개구 (15a)가 형성되어 있고, 이 개구 (15a)에 의해서 제1 전극 (12)의 표면의 일부가 절연막 (15)로부터 노출되어 있다.
정공 주입층 (13)은 격벽 부재 (20) 사이에 끼워진 영역에 행 방향 X로 연장하여 배치된다. 즉 정공 주입층 (13)은 열 방향 Y로 인접하는 격벽 부재 (20)에 의해서 구획되는 오목부 (18)에 벨트상으로 형성되어 있고, 행 방향 X로 인접하는 복수의 유기 EL 소자 (22)에 걸쳐 연속하여 형성되어 있다.
발광층 (14)는 대향하는 격벽 부재 (20)끼리 사이에 끼워진 영역에 행 방향 X로 연장하도록 설치된다. 즉 발광층 (14)는 열 방향 Y로 인접하는 격벽 부재 (20)에 의해서 구획되는 오목부 (18)에 벨트상으로 형성되어 있고, 행 방향 X로 인접하는 복수의 유기 EL 소자 (22)에 걸쳐 연속하여 형성되어 있다. 벨트상의 발광층 (14)는 벨트상의 정공 주입층 (13) 상에 적층된다.
본 발명은 모노크롬 표시 장치에도 적용할 수 있지만, 본 실시 형태에서는 일례로서 컬러 표시 장치에 대해서 설명한다. 컬러 표시 장치의 경우, 적색, 녹색 및 청색 중 어느 1종의 빛을 발하는 3 종류의 유기 EL 소자 (22)(22R, 22G, 22B)가 지지 기판 (11) 상에 설치된다. 컬러 표시 장치는, 예를 들면 이하의 (I), (II), (III)의 행을 이 순서로, 열 방향 Y로 반복하여 배열함으로써 실현할 수 있다:
(I) 적색의 빛을 발하는 복수의 유기 EL 소자 (22R)이 행 방향 X로 소정의 간격을 두고 배치되는 행
(II) 녹색의 빛을 발하는 복수의 유기 EL 소자 (22G)가 행 방향 X로 소정의 간격을 두고 배치되는 행
(III) 청색의 빛을 발하는 복수의 유기 EL 소자 (22B)가 행 방향 X로 소정의 간격을 두고 배치되는 행.
이와 같이 발광색이 상이한 3 종류의 유기 EL 소자를 형성하는 경우, 통상은 유기 EL 소자의 종류마다 발광색이 상이한 발광층이 설치된다. 본 실시 형태에서는 이하의 (i), (ii), (iii)의 행을 이 순서로, 열 방향 Y로 반복하여 배열한다:
(i) 적색의 빛을 발하는 발광층 (14R)이 설치되는 행
(ii) 녹색의 빛을 발하는 발광층 (14G)가 설치되는 행
(iii) 청색의 빛을 발하는 발광층 (14B)가 설치되는 행.
이 경우, 행 방향 X로 연장하는 벨트상의 3 종류의 발광층 (14)(14R, 14G, 14B)가 각각 열 방향 Y로 2행의 간격을 두고 순차 정공 주입층 (13) 상에 적층된다.
제2 전극 (16)은 발광층 (14) 상에 설치된다. 또한 본 실시 형태에서는 제2 전극 (16)은 복수의 유기 EL 소자 (22)에 걸쳐 연속하여 형성되고, 복수의 유기 EL 소자 (22)에 공통의 전극으로서 설치된다. 제2 전극 (16)은 발광층 (14) 상뿐만아니라, 격벽 (17) 상에도 형성되고, 발광층 (14) 상의 전극과 격벽 (17) 상의 전극이 연속해있도록 일면에 형성되어 있다.
<발광 장치의 제조 방법>
다음으로 발광 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다.
(지지 기판을 준비하는 공정)
본 공정에서는 제1 전극 (12)가 그 위에 설치된 지지 기판 (11)을 준비한다. 액티브 매트릭스 구동형의 표시 장치의 경우, 복수의 유기 EL 소자를 개별로 구동하기 위한 회로가 미리 형성된 기판을 지지 기판 (11)로서 사용할 수 있다. 예를 들면 TFT(박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)) 및 캐패시터 등이 미리 형성된 기판을 지지 기판으로서 사용할 수 있다. 또한 제1 전극 (12)를 이하와 같이 본 공정에서 형성함으로써, 제1 전극 (12)가 그 위에 설치된 지지 기판 (11)을 준비할 수도 있다. 그러나, 제1 전극 (12)가 미리 그 위에 설치된 기판을 시장에서 입수함으로써 지지 기판 (11)로서 준비할 수도 있다. 나아가서는 제1 전극 (12)와 격벽 (17)이 미리 그 위에 설치된 지지 기판 (11)을 시장에서 입수함으로써 지지 기판 (11)을 준비할 수도 있다.
다음으로 지지 기판 (11) 상에 복수의 제1 전극 (12)를 매트릭스상으로 형성한다. 제1 전극 (12)는, 예를 들면 지지 기판 (11) 상의 일면에 도전성 박막을 형성하고, 이것을 포토리소그래피법(이하의 설명에 있어서, 「포토리소그래피법」에는 마스크 패턴의 형성 공정에 이어 행해지는 에칭 공정 등의 패터닝 공정이 포함됨)에 의해서 매트릭스상으로 패터닝함으로써 형성된다. 또한, 예를 들면 소정의 부위에 개구가 형성된 마스크를 지지 기판 (11) 상에 배치하고, 이 마스크를 통해 지지 기판 (11) 상의 소정의 부위에 도전성 재료를 선택적으로 퇴적시킴으로써 제1 전극 (12)를 패턴 형성할 수도 있다. 제1 전극 (12)의 재료에 대해서는 후술한다.
다음으로 격벽 (17)을 지지 기판 (11) 상에 형성한다. 본 실시 형태에서는 복수개의 격벽 부재 (20)을 포함하는 격벽 (17)을 형성한다. 격벽 (17)은 유기물 또는 무기물로 구성된다. 격벽 (17)을 구성하는 유기물의 예로서는 아크릴 수지, 페놀 수지, 및 폴리이미드 수지 등의 수지를 들 수 있다. 또한 격벽 (17)을 구성하는 무기물의 예로서는 SiOx, iNx 등을 들 수 있다.
격벽 (17)은 유기물로 구성하는 것이 바람직하다. 인접하는 격벽 부재 (20)끼리가 구획하는 오목부 (18)에 공급되는 잉크를 오목부 (18) 내에 보유하기 위해서는, 격벽 (17)은 발액성을 나타내는 것이 바람직하다. 일반적으로 무기물보다도 유기물쪽이 잉크에 대하여 발액성을 나타내기 때문에, 유기물에 의해서 격벽을 구성함으로써, 오목부 (18) 내에 잉크를 보유하는 능력을 높게 할 수 있다.
유기물을 포함하는 격벽 (17)을 형성하는 경우, 우선 예를 들면 포지티브형 또는 네가티브형의 감광성 수지를 일면에 도포하고, 소정의 부위를 노광, 현상한다. 또한 이것을 경화함으로써, 복수개의 격벽 부재 (20)이 형성된다. 또한 감광성 수지로서는 포토레지스트를 사용할 수 있다. 또한 무기물을 포함하는 격벽 (17)을 형성하는 경우, 예를 들면 무기물을 포함하는 박막을 플라즈마 CVD법, 스퍼터링법 등에 의해서 일면에 형성하고, 다음으로 박막의 소정의 부위를 제거함으로써 복수개의 격벽 부재 (20)을 형성한다. 소정의 부위의 제거는, 예를 들면 포토리소그래피법에 의해서 행해진다.
또한 격자상의 절연막 (15)를 구비하는 발광 장치 (21)을 제작하는 경우에는, 격벽 (17)을 형성하는 공정 전에 절연막 (15)를 형성한다. 절연막 (15)는, 예를 들면 격벽 (17)의 재료로서 예시한 재료를 이용하여 격벽 (17)을 형성하는 방법과 동일하게 하여 격자상으로 형성할 수 있다.
격벽 (17)에 추가로 절연막 (15)를 형성하는 경우, 절연막 (15)는 유기물보다도 친액성을 나타내는 무기물에 의해서 구성하는 것이 바람직하다. 절연막 (15)가 발액성을 나타내는 경우, 오목부 (18)에 공급되는 잉크가 절연막 (15)에 튀면서 건조되는 경우가 있고, 절연막 (15)의 존재가 유기 EL층의 평탄성에 영향을 줘, 그 결과로서 평탄한 유기 EL층이 얻어지지 않을 우려가 있기 때문이다.
격벽 (17)의 형상 및 그의 배치는 화소수 및 해상도 등의 표시 장치의 사양, 제조의 용이도 등에 따라서 적절히 설정된다. 예를 들면, 격벽 부재 (20)의 열 방향 Y의 폭 (L1)은 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 정도이고, 격벽 부재 (20)의 높이 (L2)는 0.5 ㎛ 내지 5 ㎛ 정도이고, 열 방향 Y로 인접하는 격벽 부재 (20)끼리의 간격 (L3), 즉 오목부 (18)의 열 방향 Y의 폭 (L3)은 10 ㎛ 내지 200 ㎛ 정도이다. 또한 제1 전극 (12)의 행 방향 X 및 열 방향 Y의 폭은 각각 10 ㎛ 내지 400 ㎛ 정도이다.
(잉크를 포함하는 박막을 형성하는 공정)
본 공정에서는, 유기 EL층(본 실시 형태에서는 정공 주입층 (13))이 될 재료를 포함하는 잉크(이하, 정공 주입층용 잉크라고 하는 경우가 있음)를 지지 기판 (11) 상에 공급하여, 지지 기판 (11)의 발광 영역 내 및 발광 영역 외에 정공 주입층용 잉크를 포함하는 박막을 형성한다.
본 실시 형태에서는 모든 유기 EL 소자 (22)에 공통되는 정공 주입층 (13)을 형성하기 때문에, 인접하는 격벽 부재 (20)끼리의 사이에 한해서 정공 주입층용 잉크를 공급할 필요는 없고, 전체면에 정공 주입층용 잉크를 공급할 수도 있다. 그 때문에 어떠한 방법으로 정공 주입층용 잉크를 공급할 수도 있다. 예를 들면 스핀 코팅법, 슬릿 코팅법, 잉크젯 인쇄법, 노즐 프린팅법, 철판 인쇄법, 요판 인쇄법 등에 의해서 정공 주입층용 잉크를 공급할 수 있다. 정공 주입층용 잉크의 공급 방법으로서는 단시간에 균일하게 정공 주입층용 잉크를 공급 가능한 방법이 바람직하고, 이러한 관점에서는 스핀 코팅법, 슬릿 코팅법 또는 노즐 프린팅법이 바람직하다. 또한 전체면에 정공 주입층용 잉크를 도포한 경우, 격벽 표면의 성상에 따라서는 격벽 (17) 상에까지 정공 주입층이 형성되는 경우가 있고, 이것을 피하기 위해서, 오목부 (18)에만 정공 주입층용 잉크를 공급하는 것이 바람직한 경우도 있다. 이 경우, 정공 주입층용 잉크를 오목부 (18)에만 선택적으로 공급하는 것이 가능한 도포법에 의해서 정공 주입층용 잉크를 공급한다. 본 실시 형태에서는 정공 주입층용 잉크를 선택적으로 공급하는 것이 가능한 도포법으로서, 노즐 프린팅법에 의해서 정공 주입층용 잉크를 공급한다.
노즐 프린팅법에서는 일필 쓰기로 각 행(각 오목부 (18))에 정공 주입층용 잉크를 공급한다. 즉 지지 기판 (11) 상측에 배치되는 노즐로부터 액주상의 정공 주입층용 잉크를 토출한 채로, 노즐을 행 방향 X로 왕복 이동시키면서, 노즐의 왕복 이동의 반환 시에, 지지 기판을 열 방향 Y로 소정의 거리만큼 이동시키는 것에 의해, 각 행에 정공 주입층용 잉크를 공급한다. 예를 들면 노즐의 왕복 이동의 반환 시에, 지지 기판을 열 방향 Y로 1행분만큼 이동시킴으로써, 모든 행에 정공 주입층용 잉크를 공급할 수 있다.
보다 구체적으로는 노즐로부터 액주상의 정공 주입층용 잉크를 토출한 채로, 이하의 (1) 내지 (4)의 공정을 이 순서로 반복함으로써, 모든 인접하는 격벽 부재 (20)끼리의 사이(오목부 (18))에 정공 주입층용 잉크를 공급할 수 있다:
(1) 노즐을 행 방향 X의 일단으로부터 타단으로 이동시키는 공정
(2) 지지 기판 (11)을 열 방향 Y의 한쪽으로 1행분만큼 이동시키는 공정
(3) 노즐을 행 방향 X의 타단으로부터 일단으로 이동시키는 공정
(4) 지지 기판을 열 방향 Y의 한쪽으로 1행분만큼 이동시키는 공정.
이상과 같이 노즐 프린팅법에 의해서 정공 주입층용 잉크를 공급함으로써, 지지 기판 (11) 상의 발광 영역 내 및 발광 영역 외에 정공 주입층용 잉크를 포함하는 박막이 형성된다.
(박막을 난용화하는 공정)
다음으로 정공 주입층용 잉크를 포함하는 박막을 난용화한다. 본 공정에서는 발광 영역 내의 박막을 난용화한다. 또한 박막을 난용화한다는 것은, 후의 공정에서 행해지는 세정에 사용되는 용액에 대하여 박막이 용해되기 어렵게 되도록 하는 것을 의미한다. 예를 들면, 잉크가 중합성 화합물을 포함하는 경우, 중합성 화합물을 중합함으로써 박막을 난용화할 수 있다. 또한 잉크가 중합성 화합물을 포함하고 있지 않은 경우에도, 박막을 소정의 온도로 가열하여, 용매를 기화시킴으로써 어느 정도 박막을 난용화할 수 있다.
정공 주입층의 재료에 대해서는 후술하는데, 현재 정공 주입층의 재료로서 다용되고 있는 폴리(3,4­에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술폰산)(PEDOT/PSS)은 물에 용해되기 때문에, 정공 주입층용 잉크로서, 예를 들면 PEDOT/PSS의 수용액을 사용할 수 있다. 이 PEDOT/PSS의 수용액을 포함하는 박막은 가열함으로써 난용화한다.
발광 영역 내의 박막의 난용화는 박막에 소정의 에너지를 제공함으로써 행할 수 있다. 이러한 방법으로서는, 소정의 파장의 광을 박막에 조사하는 방법, 열에너지를 제공하는 방법이 있다. 예를 들면 초고압 수은 램프의 g선(파장 436 nm), i선(파장 365 nm), KrF 엑시머 레이저(파장 248 nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193 nm)을 박막에 조사하여, 광 에너지에 의해서 중합성 화합물을 중합할 수도 있다. 파장 700 nm 내지 3500 nm의 근적외선을 조사함으로써 박막을 가열하여, 열에너지에 의해서 중합성 화합물을 중합할 수도 있다. 나아가서는 상술한 근적외선을 조사함으로써 용매를 기화하여 박막을 난용화할 수도 있다. 또한, 파장 3500 nm 내지 20000 nm의 원적외선을 조사함으로써 박막을 가열하여, 열에너지에 의해서 중합성 화합물을 중합할 수도 있다. 나아가서는 상술한 원적외선을 조사함으로써 용매를 기화하여 박막을 난용화할 수도 있다. 핫 플레이트 등을 이용하여 박막을 가열하여, 열에너지에 의해서 중합성 화합물을 중합하거나, 용매를 기화하거나 함으로써 박막을 난용화할 수도 있다. 또한, 표시 영역 내의 박막에만 에너지를 가하는 것을 의도했다고 해도, 표시 영역의 주연의 박막에도 에너지가 가해져, 표시 영역 외의 박막의 일부가 난용화하는 경우도 있다. 따라서 표시 영역 내의 박막에만 에너지를 가하기 위해서는, 국소적으로 에너지를 가하는 것이 가능한 방법에 의해서 에너지를 가하는 것이 바람직하고, 이러한 관점에서는 상술한 소정의 파장의 광을 박막에 조사하는 방법이 바람직하고, 국소적으로 박막을 가열하는 것이 가능한 근적외선을 조사함으로써, 박막에 에너지를 가하는 것이 바람직하다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는, 박막을 난용화하고 또한 세정하는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 또한 박막에 해칭을 실시하고 있다.
본 실시 형태에서는 근적외선(nIR)을 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)에 조사함으로써, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)을 난용화하여 난용화 박막 (23a)를 형성한다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 2점쇄선으로 둘러싸인 영역이 발광 영역 (11a)이다. 우선, 근적외선을 투과하는 부위 (19a)와, 근적외선(nIR)을 차광하는 부위 (19b)를 갖는 마스크 (19)를 박막 (23)이 형성된 지지 기판 (11) 상에 배치한다. 도 3a에서는 조사되는 근적외선(nIR)을 백색 화살표로 모식적으로 도시하고 있다. 이 마스크 (19)를 통해 박막 (23)에 근적외선(nIR)을 조사하여, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)에만 근적외선(nIR)을 조사한다. 이 때, 마스크 (19)의 근적외선(nIR)을 차광하는 부위 (19b)에 의해서 근적외선의 일부가 차광되기 때문에, 발광 영역 (11a) 외의 박막 (23)에는 근적외선(nIR)은 조사되지 않는다. 이것에 의해서, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)만이 가열되어, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)만이 난용화되어 난용화 박막 (23a)가 형성된다.
도 3b는 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)을 난용화한 후의 지지 기판을 모식적으로 도시하고 있다. 또한 난용화 박막 (23a) 및 난용화하지 않은 박막 (23)에 해칭을 실시하고 있다.
(발광 영역 외의 박막을 세정에 의해서 제거하는 공정)
도 3c에 도시된 바와 같이, 다음으로 발광 영역 (11a) 외의 박막 (23)을 세정에 의해서 제거하여, 지지 기판 (11) 상에 난용화 박막 (23a)만을 잔존시킨다. 세정 방법의 예로서는, 용제를 지지 기판 (11) 상에 공급하고 또한 이것을 제거하는 방법(예를 들면 스핀 세정), 용제에 지지 기판 (11)을 소정의 시간 침지하고 그 후 용제로부터 취출한 지지 기판을 건조하는 방법 등을 들 수 있다. 세정에 사용하는 용제로는, 난용화되어 있지 않은 박막 (23)을 용해시키고, 난용화 박막 (23a)를 용해시키지 않는 용제가 이용된다. PEDOT/PSS의 수용액을 포함하는 박막 (23)을 형성한 경우, 예를 들면 물을 용제로서 이용함으로써, 발광 영역 (11a) 외의 박막을 세정할 수 있다.
발광 영역 (11a) 외의 박막 (23)을 세정에 의해서 제거한 후, 필요에 따라서 발광 영역 (11a) 내의 난용화 박막 (23a)의 용매를 더 제거한다. 예를 들면, 자연 건조, 가열 건조 및 진공 건조 등에 의해서 용매를 제거할 수 있다.
(발광층을 형성하는 공정)
다음으로 발광층 (14)를 형성한다. 상술한 바와 같이 컬러 표시 장치를 제작하는 경우, 3 종류의 유기 EL 소자 (22)(22R, 22G, 22B)를 제작할 필요가 있다. 그 때문에 발광층 (14)의 재료를 행마다 나누어 도포할 필요가 있다. 예를 들면 3 종류의 발광층 (14)(14R, 14G, 14B)를 행마다 형성하는 경우, 적색의 빛을 발하는 재료를 포함하는 적색 잉크, 녹색의 빛을 발하는 재료를 포함하는 녹색 잉크, 청색의 빛을 발하는 재료를 포함하는 청색 잉크를 각각 열 방향 Y로 2행의 간격을 두고 도포할 필요가 있다. 이들 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 소정의 행에 순차 도포함으로써, 각 발광층 (14)를 도포 성막할 수 있다.
적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 소정의 행(오목부 (18))에 순차 도포하는 방법으로서는, 인접하는 격벽 부재 (20)끼리의 사이에 잉크를 선택적으로 공급하는 것이 가능한 도포법이면 어떠한 방법이어도 된다. 예를 들면 잉크젯 인쇄법, 노즐 프린팅법, 철판 인쇄법, 요판 인쇄법 등에 의해서 잉크를 공급할 수 있다. 잉크의 공급 방법으로서는 단시간에 균일하게 잉크를 공급 가능한 방법이 바람직하다. 이러한 관점에서는 노즐 프린팅법이 바람직하다. 본 실시 형태에서는 상술한 정공 주입층을 형성하는 방법과 같이, 노즐 프린팅법에 의해서 잉크를 공급한다.
보다 구체적으로는 노즐 (4)로부터 액주상의 적색 잉크를 토출한 채로, 이하의 (1) 내지 (4)의 공정을 이 순서로 반복함으로써, 열 방향 Y로 2행의 간격을 두고 인접하는 격벽 부재 (20)끼리의 사이(오목부 (18))에 적색 잉크를 공급할 수 있다:
(1) 노즐 (4)를 오목부 (18)의 일단으로부터 타단에 걸쳐 행 방향 X로 이동시키는 공정
(2) 지지 기판 (11)을 열 방향 Y의 한쪽으로 3행분만큼 이동시키는 공정
(3) 노즐 (4)를 오목부 (18)의 타단으로부터 일단에 걸쳐 행 방향 X로 이동시키는 공정
(4) 지지 기판을 열 방향 Y의 한쪽으로 3행분만큼 이동시키는 공정.
상술한 적색 잉크와 동일하게 하여 녹색 잉크, 청색 잉크를 각각 공급함으로써, 열 방향 Y로 2행의 간격을 두고 격벽 부재 (20) 사이(오목부 (18))에 각각 녹색 잉크, 청색 잉크를 공급할 수 있다.
또한 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크에 사용되는 발광 재료에 대해서는 후술하는데, 본 실시 형태에서는, 에너지를 가함으로써 중합 가능한 중합성 화합물을 포함하는 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 노즐 프린팅법에 의해서 공급한다. 또한 잉크로서는, 에너지를 가함으로써 중합 가능한 중합성기를 갖는 발광 재료를 중합성 화합물로서 포함하는 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 사용할 수도 있고, 또한 자신은 중합하지 않는 발광 재료와, 이 발광 재료에 추가로 중합 가능한 중합성기를 갖는 중합성 화합물을 포함하는 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 사용할 수도 있다.
중합성기의 예로서는 비닐기, 에티닐기, 부테닐기, 아크릴로일기, 아크릴로일아미노기, 메타크릴로일기, 메타크릴로일아미노기, 비닐옥시기, 비닐아미노기, 실라놀기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 에폭시기, 옥세타닐기, 디케테닐기, 에피티오기, 락토닐기, 및 락탐닐기 등을 들 수 있다.
또한 중합성 화합물의 예로서는, 중합성기를 갖는 PDA(N,N'-테트라페닐-1,4-페닐렌디아민)의 유도체, 중합성기를 갖는 TPD(N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘)의 유도체, 중합성기를 갖는 NPD(N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘)의 유도체, 트리페닐아민아크릴레이트, 트리페닐렌디아민아크릴레이트, 페닐렌아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사 제조, 상품명 BPEF-A), 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(닛본 가야꾸 제조 KAYARD DPHA), 트리스펜타에리트리톨옥타아크릴레이트(히로시사카에 가가꾸 제조), 1,4-부탄디올디아크릴레이트(알파 에이사(Alfa Aesar)사 제조), 아론옥세탄(OXT121; 도아 고세이 제조의 가교제) 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 페닐플루오렌아크릴레이트가 바람직하다.
다음으로 도 3a, 도 3b 및 도 3c를 참조하여 설명한 바와 같이, 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 포함하는 박막 (23) 중, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)에 에너지를 제공함으로써, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)을 난용화한다. 본 실시 형태에서는 중합성 화합물을 포함하는 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 사용한 경우에 대해서 설명한다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 우선 근적외선(nIR)을 투과하는 부위 (19a)와, 근적외선(nIR)을 차광하는 부위 (19b)를 갖는 마스크 (19)를 지지 기판 (11) 상에 배치한다. 이 마스크 (19)를 통해 박막에 근적외선(nIR)을 조사하여, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)에만 근적외선(nIR)을 조사한다. 이 때, 마스크 (19)에 의해서 근적외선(nIR)의 일부가 차광되기 때문에, 발광 영역 (11a) 외의 박막 (23)에는 근적외선(nIR)은 조사되지 않는다. 이것에 의해서, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)만이 가열되어, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)만이 난용화되어 난용화 박막 (23a)가 형성된다.
(발광 영역 외의 박막을 세정에 의해서 제거하는 공정)
다음으로 발광 영역 (11a) 외의 박막 (23)을 세정에 의해서 제거한다. 세정 방법으로서는, 용제를 지지 기판 (11) 상에 공급하고 또한 이것을 제거하는 방법(예를 들면 스핀 세정), 용제에 지지 기판 (11)을 소정의 시간 침지하고 그 후 용제로부터 취출한 지지 기판 (11)을 건조하는 방법 등을 들 수 있다. 세정에 사용하는 용제로는, 난용화하지 않은 박막 (23)을 용해시키고, 난용화 박막 (23a)를 용해시키지 않는 용제가 이용된다. 이러한 용제로서, 예를 들면 크실렌이나 톨루엔, THF(테트라히드로푸란), 아니솔 등을 사용할 수 있다. 또한 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크의 용매에 이용한 용제를 이용하여, 발광 영역 (11a) 외의 박막 (23)을 세정할 수도 있다.
또한 본 실시 형태에서는 박막 (23)에 근적외선(nIR)을 조사하고, 가열하여 난용화하는데, 박막 (23)을 난용화하는 방법은 이것에 한하지 않고, 예를 들면 자외선을 조사하는 등, 중합성 화합물이 중합하는 파장의 광을 박막에 조사하여 광 에너지에 의해 난용화할 수도 있다.
발광 영역 (11a) 외의 박막 (23)을 세정에 의해서 제거한 후, 필요에 따라서, 발광 영역 (11a) 내의 난용화 박막 (23a)의 용매를 더 제거한다. 예를 들면 자연 건조, 가열 건조 및 진공 건조 등에 의해서 용매를 제거할 수 있다.
발광층 (14)를 형성한 후, 필요에 따라서 소정의 유기층, 무기층 등을 소정의 방법에 의해서 형성한다. 필요에 따라서 설치되는 층은 인쇄법, 잉크젯트법, 노즐 프린팅법 등의 소정의 도포법, 나아가서는 소정의 건식법을 이용하여 형성할 수도 있다.
(제2 전극을 형성하는 공정)
다음으로 제2 전극 (16)을 형성한다. 상술한 바와 같이 본 실시 형태에서는 제2 전극 (16)을 지지 기판 (11) 상의 전체면에 형성한다. 이것에 의해서 복수의 유기 EL 소자 (22)를 지지 기판 (11) 상에 형성할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 발광 영역 (11a) 내의 박막 (23)을 난용화함으로써, 발광 영역 (11a) 외의 박막 (23)을 세정에 의해서 간이하게 제거할 수 있다. 이러한 박막의 제거 방법에 의해서 간이하게 발광 장치를 제조할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는 발광층 (14)를 형성하는 공정 전에, 정공 주입층용 잉크를 포함하는 박막 (23)을 세정에 의해서 제거했지만, 정공 주입층용 잉크를 포함하는 박막 (23)은 경우에 따라서는, 발광층 (14)를 형성하는 공정 전에 제거하지 않아도 된다. 예를 들면 정공 주입층으로서, 정공 주입성을 갖는 단분자층(예를 들면 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄(F4TCNQ)의 단분자층)을 이용하는 경우에는, 밀봉 시에 큰 기밀성이나 밀폐성의 저하가 일어나지 않고 표시 장치의 특성이 크게 저하될 우려가 없기 때문에, 표시 영역 (11a) 외에 형성된 정공 주입층을 제거하지 않아도 된다. 또한, 발광층 (14)를 형성하는 공정에서, 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 포함하는 박막을 세정에 의해서 제거할 때에, 정공 주입층용 잉크를 포함하는 박막 (23)을 동시에 제거할 수도 있다. 또한, 정공 주입층용 잉크를 포함하는 박막 (23)이, 예를 들면 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크에 용해되기 어려운 경우 등, 정공 주입층용 잉크를 포함하는 박막 (23)을 난용화하지 않아도 되는 경우도 있을 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크 모두를 공급한 후에, 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 포함하는 박막을 난용화하고, 또한 세정을 행했지만, 적색 잉크, 녹색 잉크, 청색 잉크를 각각 공급할 때마다, 적색 잉크, 녹색 잉크 또는 청색 잉크를 포함하는 박막을 난용화하고, 또한 세정을 행할 수도 있다. 이에 따라, 예를 들면 세정 시에 용해한 적색 잉크가, 본래 청색 잉크만이 공급되는 유기 EL 소자 (22)에 혼입하여, 표시 장치의 특성이 저하된다고 하는 문제가 생기기 어렵게 된다.
<유기 EL 소자의 구성>
상술한 바와 같이 유기 EL 소자 (22)는 여러가지의 층 구성을 취할 수 있는데, 이하에서는 유기 EL 소자 (22)의 층 구조, 각 층의 구성, 및 각 층의 형성 방법에 대해서 더욱 자세히 설명한다.
상술한 바와 같이 유기 EL 소자 (22)는 양극 및 음극을 포함하는 한쌍의 전극(제1 전극 (12) 및 제2 전극 (16))과, 한쌍의 전극 사이에 설치되는 1 이상의 유기 EL층을 포함하여 구성되고, 1 이상의 유기 EL층으로서 적어도 1층의 발광층 (14)를 갖는다. 또한 유기 EL 소자 (22)는 무기물과 유기물을 포함하는 층, 및 무기층 등을 포함하고 있을 수도 있다. 유기층을 구성하는 유기물로서는, 저분자 화합물이거나 고분자 화합물일 수도 있고, 또한 저분자 화합물과 고분자 화합물의 혼합물일 수도 있다. 유기층은 고분자 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 유기층은 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이 103 내지 108인 고분자 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
음극과 발광층 (14) 사이에 설치되는 유기 EL층으로서는 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 블록층 등을 들 수 있다. 음극과 발광층 (14) 사이에 전자 주입층과 전자 수송층의 양쪽의 층이 설치되는 경우, 음극에 가까운 층을 전자 주입층이라고 하고, 발광층 (14)에 가까운 층을 전자 수송층이라고 한다. 양극과 발광층 사이에 설치되는 유기 EL층으로서는 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 블록층 등을 들 수 있다. 정공 주입층과 정공 수송층의 양쪽의 층이 설치되는 경우, 양극에 가까운 층을 정공 주입층이라고 하고, 발광층에 가까운 층을 정공 수송층이라고 한다.
본 실시 형태의 유기 EL 소자 (22)가 취할 수 있는 층 구성의 일례를 이하에 나타내었다.
a) 양극/발광층/음극
b) 양극/정공 주입층/발광층/음극
c) 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극
d) 양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/음극
e) 양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극
f) 양극/정공 수송층/발광층/음극
g) 양극/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극
h) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극
i) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극
j) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/음극
k) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극
l) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극
m) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극
n) 양극/발광층/전자 주입층/음극
o) 양극/발광층/전자 수송층/음극
p) 양극/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극
여기서, 기호 「/」는 기호 「/」를 사이에 둔 각 층이 인접하여 적층되어 있는 것을 나타낸다. 이하 동일.
본 실시 형태의 유기 EL 소자 (22)는 2층 이상의 발광층 (14)를 가질 수도 있다. 상기 a) 내지 p)의 층 구성 중 어느 하나에 있어서, 양극과 음극에 협지된 적층체를 「구조 단위 A」로 하면, 2층의 발광층 (14)를 갖는 유기 EL 소자 (22)의 구성으로서 하기 q)에 나타내는 층 구성을 들 수 있다. 또한 2개 있는 (구조 단위 A)의 층 구성은 서로 동일하거나 상이할 수도 있다.
q) 양극/(구조 단위 A)/전하 발생층/(구조 단위 A)/음극
또한 「(구조 단위 A)/전하 발생층」을 「구조 단위 B」로 하면, 3층 이상의 발광층을 갖는 유기 EL 소자의 구성으로서, 하기 r)에 나타내는 층 구성을 들 수 있다.
r) 양극/(구조 단위 B)x/(구조 단위 A)/음극
또한 기호 「x」는 2 이상의 정수를 나타내고, (구조 단위 B)x는 구조 단위 B가 x단 적층된 적층체를 나타낸다. 또한 복수 있는 (구조 단위 B)의 층 구성은 동일하거나 상이할 수도 있다.
여기서, 전하 발생층이란 전계를 인가함으로써 정공과 전자를 발생하는 층이다. 전하 발생층으로서는, 예를 들면 산화바나듐, 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide: 약칭 ITO), 산화 몰리브덴 등을 포함하는 박막을 들 수 있다.
유기 EL 소자 (22)는 양극 및 음극으로 구성되는 한쌍의 전극 중의 양극을 음극보다도 지지 기판 (11)쪽에 배치하여 지지 기판에 설치할 수도 있고, 또한 음극을 양극보다도 지지 기판 (11)쪽에 배치하여 지지 기판 (11)에 설치할 수도 있다. 예를 들면 상기 a) 내지 r)에 있어서, 우측으로부터 순서대로 각 층을 지지 기판 (11) 상에 적층하여 유기 EL 소자 (22)를 구성할 수도 있고, 또한 좌측으로부터 순서대로 각 층을 지지 기판 (11) 상에 적층하여 유기 EL 소자 (22)를 구성할 수도 있다. 적층하는 층의 순서, 층수, 및 각 층의 두께(막 두께)에 대해서는 발광 효율, 소자 수명을 감안하여 적절하게 설정할 수 있다.
다음으로, 유기 EL 소자 (22)를 구성하는 각 층의 재료 및 형성 방법에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.
<양극>
발광층 (14)로부터 발해지는 광이 양극을 통하여 유기 EL 소자 밖으로 출사되는 구성의 경우, 양극에는 광투과성을 나타내는 전극이 이용된다. 광투과성을 나타내는 전극으로서는 금속산화물, 금속황화물 및 금속 등의 박막을 사용할 수 있고, 전기 전도도 및 광투과율이 높은 것이 바람직하게 이용된다. 광투과성을 나타내는 전극으로서는, 구체적으로는 산화인듐, 산화아연, 산화주석, ITO, 인듐아연 산화물(Indium Zinc Oxide: 약칭 IZO), 금, 백금, 은, 및 구리 등을 포함하는 박막이 이용된다. 이들 중에서도 ITO, IZO, 또는 산화주석을 포함하는 박막이 바람직하게 이용된다.
양극의 제작 방법의 예로서는 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도금법 등을 들 수 있다. 또한 양극으로서, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체 등의 유기의 투명 도전막을 이용할 수도 있다.
양극의 막 두께는 요구되는 특성, 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정된다. 양극의 막 두께는, 예를 들면 10 nm 내지 10 ㎛이고, 바람직하게는 20 nm 내지 1 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 50 nm 내지 500 nm이다.
<음극>
음극의 재료로서는, 일함수가 작고, 발광층 (14)에의 전자 주입이 용이하고, 전기 전도도가 높은 재료가 바람직하다. 또한 양극측으로부터 광을 취출하는 구성의 유기 EL 소자로서는, 발광층 (14)로부터 발해지는 광을 음극에서 양극측으로 반사하기 위해서, 음극의 재료로서는 가시광에 대한 반사율이 높은 재료가 바람직하다. 음극에는, 예를 들면 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 전이 금속 및 주기율표의 제13족 금속 등을 사용할 수 있다. 음극의 재료로서는, 예를 들면 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 스칸듐, 바나듐, 아연, 이트륨, 인듐, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 테르븀, 이테르븀 등의 금속, 상기 금속 중의 2종 이상의 합금, 상기 금속 중의 1종 이상과 금, 은, 백금, 구리, 망간, 티탄, 코발트, 니켈, 텅스텐, 주석 중의 1종 이상과의 합금, 또는 흑연 또는 흑연층간 화합물 등이 이용된다. 합금의 예로서는, 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-마그네슘 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금 등을 들 수 있다. 또한 음극으로서는 도전성 금속산화물 및 도전성 유기물 등을 포함하는 투명 도전성 전극을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 도전성 금속산화물의 예로서 산화인듐, 산화아연, 산화주석, ITO, 및 IZO를 들 수 있다. 도전성 유기물의 예로서 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다. 또한 음극은 2층 이상을 적층한 적층체로 구성되어 있을 수도 있다. 또한 전자 주입층이 음극으로서 이용되는 경우도 있다.
음극의 막 두께는 요구되는 특성, 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정된다. 음극의 막 두께는, 예를 들면 10 nm 내지 10 ㎛이고, 바람직하게는 20 nm 내지 1 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 50 nm 내지 500 nm이다.
음극의 제작 방법의 예로서는 진공 증착법, 스퍼터링법, 또한 금속 박막을 열압착하는 라미네이팅법 등을 들 수 있다.
<정공 주입층>
정공 주입층 (13)을 구성하는 정공 주입 재료의 예로서는 산화바나듐, 산화 몰리브덴, 산화루테늄, 및 산화알루미늄 등의 산화물, 페닐아민 화합물, 스타버스트형 아민 화합물, 프탈로시아닌 화합물, 비정질 카본, 폴리아닐린, 및 폴리티오펜 유도체 등을 들 수 있다.
정공 주입층 (13)의 막 두께는 요구되는 특성 및 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정된다. 정공 주입층 (13)의 막 두께는, 예를 들면 1 nm 내지 1 ㎛이고, 바람직하게는 2 nm 내지 500 nm이고, 더욱 바람직하게는 5 nm 내지 200 nm이다.
<정공 수송층>
정공 수송층을 구성하는 정공 수송 재료의 예로서는 폴리비닐카르바졸 또는 그의 유도체, 폴리실란 또는 그의 유도체, 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민을 갖는 폴리실록산 유도체, 피라졸린 유도체, 아릴아민 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체, 폴리아릴아민 또는 그의 유도체, 폴리피롤 또는 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체, 또는 폴리(2, 5-티에닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다.
정공 수송층의 막 두께는 요구되는 특성 및 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 설정된다. 정공 수송층의 막 두께는, 예를 들면 1 nm 내지 1 ㎛이고, 바람직하게는 2 nm 내지 500 nm이고, 더욱 바람직하게는 5 nm 내지 200 nm이다.
<발광층>
발광층 (14)는 통상, 주로 형광 및/또는 인광을 발광하는 유기물, 또는 상기 유기물과 이것을 보조하는 도펀트로 형성된다. 도펀트는, 예를 들면 발광 효율을 향상시키고, 발광 파장을 변화시키기 위해서 가해진다. 또한 발광층을 구성하는 유기물은 저분자 화합물이거나 고분자 화합물일 수도 있고, 도포법에 의해서 발광층을 형성하는 경우에는, 발광층은 고분자 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 발광층을 구성하는 고분자 화합물의 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량은, 예를 들면 103 내지 108 정도이다. 발광층을 구성하는 발광 재료로서는, 예를 들면 이하의 색소 재료, 금속 착체 재료, 고분자 재료, 도펀트 재료를 들 수 있다.
(색소 재료)
색소 재료로서는, 예를 들면 시클로펜타민 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체 화합물, 트리페닐아민 유도체, 옥사디아졸 유도체, 피라졸로퀴놀린 유도체, 디스티릴벤젠 유도체, 디스티릴아릴렌 유도체, 피롤 유도체, 티오펜환 화합물, 피리딘환 화합물, 페리논 유도체, 페릴렌 유도체, 올리고티오펜 유도체, 옥사디아졸이량체, 피라졸린 이량체, 퀴나크리돈 유도체, 쿠마린 유도체 등을 들 수 있다.
(금속 착체 재료)
금속 착체 재료로서는, 예를 들면 Tb, Eu, Dy 등의 희토류 금속, 또는 Al, Zn, Be, Ir, Pt 등을 중심 금속에 갖고, 옥사디아졸, 티아디아졸, 페닐피리딘, 페닐벤조이미다졸, 퀴놀린 구조 등을 배위자에 갖는 금속 착체를 들 수 있다. 금속 착체로서는, 예를 들면 이리듐 착체, 백금 착체 등의 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 갖는 금속 착체, 알루미늄퀴놀리놀 착체, 벤조퀴놀리놀베릴륨 착체, 벤조옥사졸릴아연 착체, 벤조티아졸아연 착체, 아조메틸아연 착체, 포르피린아연 착체, 페난트롤린유로퓸 착체 등을 들 수 있다.
(고분자 재료)
고분자 재료의 예로서는 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리티오펜 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리실란 유도체, 폴리아세틸렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 유도체, 상기 색소 재료나 금속 착체 재료를 고분자화한 것 등을 들 수 있다.
발광층의 두께는 통상 약 2 nm 내지 200 nm이다.
<전자 수송층>
전자 수송층을 구성하는 전자 수송 재료로서는 공지된 것을 사용할 수 있다. 전자 수송 재료의 예로서는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 벤조퀴논 또는 그의 유도체, 나프토퀴논 또는 그의 유도체, 안트라퀴논 또는 그의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 또는 그의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 또는 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 폴리퀴놀린 또는 그의 유도체, 폴리퀴녹살린 또는 그의 유도체, 폴리플루오렌 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다.
전자 수송층의 막 두께는 요구되는 특성, 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정된다. 전자 수송층의 막 두께는, 예를 들면 1 nm 내지 1 ㎛이고, 바람직하게는 2 nm 내지 500 nm이고, 더욱 바람직하게는 5 nm 내지 200 nm이다.
<전자 주입층>
전자 주입층을 구성하는 재료로서는 발광층의 종류에 따라서 최적의 재료가 적절하게 선택된다. 전자 주입층을 구성하는 재료의 예로서는 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 알칼리 금속 및 알칼리토류 금속 중의 1종 이상을 포함하는 합금, 알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속의 산화물, 알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속의 탄산염, 또는 이들 물질의 혼합물 등을 들 수 있다. 알칼리 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 및 알칼리 금속의 탄산염의 예로서는 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 산화리튬, 불화리튬, 산화나트륨, 불화나트륨, 산화칼륨, 불화칼륨, 산화루비듐, 불화루비듐, 산화세슘, 불화세슘, 탄산리튬 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리토류 금속, 알칼리토류 금속의 산화물, 알칼리토류 금속의 할로겐화물, 알칼리토류 금속의 탄산염의 예로서는 마그네슘, 칼슘, 바륨, 스트론튬, 산화마그네슘, 불화마그네슘, 산화칼슘, 불화칼슘, 산화바륨, 불화바륨, 산화스트론튬, 불화스트론튬, 탄산마그네슘 등을 들 수 있다. 전자 주입층은 2층 이상을 적층한 적층체로 구성될 수도 있다. 적층체의 예로서는, 예를 들면 LiF막과 Ca막의 적층체 등을 들 수 있다.
전자 주입층의 막 두께로서는 1 nm 내지 1 ㎛ 정도가 바람직하다.
유기 EL층 중에 도포법에 의해서 형성하는 것이 가능한 유기 EL층이 복수 있는 경우에는, 모든 유기 EL층을 도포 방법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 예를 들면 도포법에 의해서 형성하는 것이 가능한 복수의 유기 EL층 중의 적어도 1층을 도포법을 이용하여 형성하고, 다른 유기 EL층을 도포법과는 다른 방법에 의해서 형성할 수도 있다. 또한 복수의 유기 EL층을 도포법으로 형성하는 경우에도, 그의 도포법의 구체적 방법이 상이한 도포법에 의해서 복수의 유기 EL층을 형성할 수도 있다. 예를 들면 본 실시 형태에서는 정공 주입층 (13) 및 발광층 (14)를 노즐 프린팅법에 의해서 형성했지만, 정공 주입층 (13)을 스핀 코팅법으로 형성하고, 발광층 (14)를 노즐 프린팅법에 의해서 형성할 수도 있다.
또한 도포법에서는, 각 유기 EL층이 되는 유기 EL 재료를 포함하는 잉크를 도포 성막함으로써 유기 EL층을 형성하는데, 그때에 사용되는 잉크의 용매로는, 예를 들면 클로로포름, 염화메틸렌, 디클로로에탄 등의 염소 용매, 테트라히드로푸란 등의 에테르 용매, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤 용매, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르 용매 및 물 등이 이용된다.
또한 도포법과는 상이한 방법의 예로서, 진공 증착법, 스퍼터링법, CVD법, 라미네이팅법 등에 의해서 유기 EL층을 형성할 수도 있다.
1, 20: 격벽 부재
2, 17: 격벽
3, 22: 유기 EL 소자
4: 노즐
11: 지지 기판
11a: 발광 영역
12: 제1 전극
13: 정공 주입층
14: 발광층
15: 절연막
15a: 개구
16: 제2 전극
18: 오목부
19: 마스크
19a: 근적외선을 투과하는 부위
19b: 근적외선을 차광하는 부위
21: 발광 장치
23: 박막
23a: 난용화 박막

Claims (6)

  1. 지지 기판과, 이 지지 기판 상에 설정되는 발광 영역에 설치되고, 제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 설치되는 유기 전계 발광층을 포함하여 구성되는 복수의 유기 전계 발광 소자를 구비하는 발광 장치의 제조 방법으로서,
    제1 전극이 설치된 지지 기판을 준비하는 공정과,
    유기 EL층이 될 재료를 포함하는 잉크를 지지 기판 상에 공급하고, 지지 기판의 발광 영역 내 및 발광 영역 외에, 상기 잉크를 포함하는 박막을 형성하는 공정과,
    발광 영역 내의 박막을 난용화하는 공정과,
    발광 영역 외의 박막을 세정에 의해서 제거하는 공정과,
    제2 전극을 형성하는 공정
    을 포함하는, 발광 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 잉크를 포함하는 박막을 형성하는 공정에서는 중합성 화합물을 포함하는 잉크를 공급하고,
    상기 박막을 난용화하는 공정에서는 상기 중합성 화합물을 중합함으로써 발광 영역 내의 박막을 난용화하는, 발광 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 박막을 난용화하는 공정에서는 발광 영역 내의 박막에 광을 조사함으로써 발광 영역 내의 박막을 난용화시키는, 발광 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 박막을 난용화하는 공정에서는 발광 영역 내의 박막을 가열함으로써 발광 영역 내의 박막을 난용화하는, 발광 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 근적외선을 조사함으로써 발광 영역 내의 박막을 가열하는, 발광 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 잉크를 포함하는 박막을 형성하는 공정에서는 노즐 프린팅법에 의해서 잉크를 지지 기판 상에 공급하는, 발광 장치의 제조 방법.
KR1020127025192A 2010-03-29 2011-03-25 발광 장치의 제조 방법 KR20130018406A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-074567 2010-03-29
JP2010074567A JP4893839B2 (ja) 2010-03-29 2010-03-29 発光装置の製造方法
PCT/JP2011/057298 WO2011122461A1 (ja) 2010-03-29 2011-03-25 発光装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130018406A true KR20130018406A (ko) 2013-02-21

Family

ID=44712170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127025192A KR20130018406A (ko) 2010-03-29 2011-03-25 발광 장치의 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20130052766A1 (ko)
EP (1) EP2555592A1 (ko)
JP (1) JP4893839B2 (ko)
KR (1) KR20130018406A (ko)
CN (1) CN102823324B (ko)
TW (1) TW201203653A (ko)
WO (1) WO2011122461A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4788828B2 (ja) * 2010-02-09 2011-10-05 住友化学株式会社 発光装置の製造方法
CN104466034A (zh) 2014-12-15 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种激光烧结设备及烧结方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH118069A (ja) * 1997-02-17 1999-01-12 Nippon Steel Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JPH11111454A (ja) * 1997-10-08 1999-04-23 Denso Corp ディスプレイパネルの製造方法
GB0204989D0 (en) * 2002-03-04 2002-04-17 Opsys Ltd Phosphorescent compositions and organic light emitting devices containing them
JP2004087217A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Canon Electronics Inc 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法
US20050129977A1 (en) * 2003-12-12 2005-06-16 General Electric Company Method and apparatus for forming patterned coated films
JP4854994B2 (ja) * 2004-06-28 2012-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 配線基板の作製方法及び薄膜トランジスタの作製方法
JP2006175307A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Seiko Epson Corp 成膜方法、色要素膜付き基板、電気光学装置、および電子機器
JP2006216253A (ja) 2005-02-01 2006-08-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 除去装置
JP2008192311A (ja) * 2005-05-16 2008-08-21 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2007115465A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
GB0523437D0 (en) * 2005-11-17 2005-12-28 Imp College Innovations Ltd A method of patterning a thin film
JP2007257897A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Seiko Epson Corp 発光素子の製造方法、発光装置の製造方法および電子機器の製造方法
JP2007257898A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法および電子機器の製造方法
JP4812573B2 (ja) * 2006-09-14 2011-11-09 パイオニア株式会社 導電体膜接続構造及びその作製方法
JP4998008B2 (ja) * 2007-02-20 2012-08-15 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP4998710B2 (ja) * 2007-03-06 2012-08-15 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
JP4959482B2 (ja) * 2007-09-10 2012-06-20 旭化成イーマテリアルズ株式会社 バンク等の製造方法
JP4725577B2 (ja) * 2007-12-28 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
JP2009170138A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Sony Corp 表示装置の製造方法、表示装置製造用組成物および表示装置
JP5028402B2 (ja) * 2008-03-12 2012-09-19 カシオ計算機株式会社 Ｅｌ素子の製造方法及びｅｌパネルの製造方法
JP5212474B2 (ja) * 2008-07-08 2013-06-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2555592A1 (en) 2013-02-06
WO2011122461A1 (ja) 2011-10-06
CN102823324A (zh) 2012-12-12
TW201203653A (en) 2012-01-16
JP2011210408A (ja) 2011-10-20
CN102823324B (zh) 2016-02-03
US20130052766A1 (en) 2013-02-28
JP4893839B2 (ja) 2012-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5192828B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法
KR20130129934A (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20130041771A (ko) 발광 장치용 기판의 제조 방법
US20130001607A1 (en) Light-emitting device and production method thereof
WO2010013641A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置
JP2010080086A (ja) パターン塗布用基板および有機ｅｌ素子
US20120309255A1 (en) Method for manufacturing a light-emitting device
KR20130143602A (ko) 표시 장치
US20130075708A1 (en) Light emitting device
KR20120131166A (ko) 발광 장치의 제조 방법
JP2013235690A (ja) 表示装置の製造方法
KR20130018249A (ko) 발광 장치의 제조 방법
KR20130018406A (ko) 발광 장치의 제조 방법
JP2010160946A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2010160945A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
KR20110000734A (ko) 유기 전계발광 소자의 제조 방법, 유기 전계발광 소자 및 표시 장치
KR102229324B1 (ko) 표시 장치
WO2011065288A1 (ja) 発光装置の製造方法
JP2011129421A (ja) 有機ｅｌ素子基板およびその製造方法ならびにディスプレイ装置
WO2013035570A1 (ja) 表示装置の製造方法
JP2013098149A (ja) 表示装置に用いられる基板

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid