JP2004087217A - 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 140
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 28
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 abstract description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 19
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- -1 metal complex compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091034117 Oligonucleotide Proteins 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QZXNDEONRUSYFB-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]-3-methylaniline Chemical group CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 QZXNDEONRUSYFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】基板1上に、陽極2、発光層8、正孔輸送層5及び陰極8とからなる積層体を有する発光部を備えた有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、陰極側取り出し電極3上に付着した正孔輸送層5を、発光部に悪影響を及ぼすことなく容易に除去できるようにし、もって正孔輸送層5の形成を塗布法により簡便に行えるようにする。
【解決手段】基板1上に、陽極2と、陽極側引き出し電極と、陰極側引き出し電極3とを形成した後、正孔輸送層5を塗布法により形成し、陰極側引き出し電極3上に形成された正孔輸送層5を、当該陰極側引き出し電極3を電磁誘導加熱することで除去する。
【選択図】 図1
【解決手段】基板1上に、陽極2と、陽極側引き出し電極と、陰極側引き出し電極3とを形成した後、正孔輸送層5を塗布法により形成し、陰極側引き出し電極3上に形成された正孔輸送層5を、当該陰極側引き出し電極3を電磁誘導加熱することで除去する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示デバイス、光源として利用される有機エレクトロルミネセンス表示装置(以下「有機EL表示装置」という)の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、有機EL表示装置は、有機エレクトロルミネセンス素子(以下、有機EL素子と称する)から構成された画素を多数備えてなるもので、図8及び図9に示すように、ガラス板などの透明な基板1上にITO(Indium tinoxide)などの透明導電膜からなる陽極2を設け、その上に有機層(図9では正孔輸送層5および発光層6)と、陽極2と交差してストライプ状に成膜されたアルミニウムなどからなる陰極8とを順次設けることにより構成されたものである。陽極2と陰極8の交差部のそれぞれが1画素となる有機EL素子であり、各有機EL素子に電圧が印加されると、その陰極8から電子が、陽極2から正孔がそれぞれ有機層に注入され、この有機層中で電子−正孔の再結合が起こることにより発光が生じる。また、図8に示すように、有機EL素子がマトリクス状に配置された発光部(画素部)の周辺部には、陽極2及び陰極8を外部回路または内部駆動回路に接続させるための陽極側取り出し電極4および陰極側取り出し電極3が形成されている。
【0003】
このような構成の有機EL表示装置の製造方法の一例を以下に説明する。
【0004】
まず、図2に示すように、透明な基板1上に透明導電材料、例えばITOをスパッタ法や真空蒸着法にて成膜し、さらにこれをフォトエッチングなどによりパターニングしてストライプ状の陽極2を形成する。また、陰極側取り出し電極3および陽極側取り出し電極4は、形状が複雑であり、陰極8の形成に用いられる蒸着マスクを用いた金属蒸着では形成しにくいことから、この陽極2と同時にフォトエッチングにより形成するのが通常である。
【0005】
次いで、図9に示すように、陽極2上に、有機層として例えば正孔輸送層5および発光層6を順次形成する。正孔輸送層5および発光層6の成膜は、真空蒸着法によるものが一般的である。
【0006】
続いて、図8に示すように、前記発光層6上に導電材料を蒸着法によって成膜し、陽極2に直交するストライプ状の陰極8を、先に形成した陰極側取り出し電極3に接続して形成する。そして、封止缶9を封止樹脂12で接着し、さらに外部駆動回路に接続するためのFPC11を異方性導電膜10にて接着することにより有機EL表示装置を得る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機層の形成を、真空蒸着法ではなく、スピンコート法やディップ法などの塗布法で行えば、真空蒸着装置を使用しないより簡便な方法で積層でき、特に大画面の有機EL表示装置を製造する際に大型の真空蒸着装置を必要としない点で有利である。
【0008】
しかしながら、スピンコート法やディップ法などの塗布法により正孔輸送層5や発光層6などの有機層を塗布成膜すると、予めパターニングされた陰極側および陽極側取り出し電極3,4を含めた基板1上の全面に有機層が成膜されてしまうことになる。有機層の形成を蒸着法によって行う場合には、発光部以外をマスクすることで、陰極側および陽極側取り出し電極3,4上への有機層の形成を防げることができるが、スピンコート法により有機層を形成すると、基板1の全面に成膜されてしまうため、そのまま陰極8を蒸着すると、陰極8と陰極側取り出し電極3との間に絶縁物である有機層が介在してしまい、電気的接続が損なわれることになる。
【0009】
陰極側および陽極側取り出し電極3,4への外部駆動回路の接続は、封止缶9を封止樹脂12で接着した後に封止缶9から外部に延出した部分で行われることから、陰極側および陽極側取り出し電極3,4上に付着した有機層の除去を発光部に悪影響を及ぼすことなく容易に行うことができる。しかし、少なくとも陰極側取り出し電極3の陰極8との接続側からの有機層の除去は、上記封止缶9による封止前に行う必要があることから、有機層の除去に伴う発光部への悪影響が問題となる。
【0010】
有機層を除去する手段として異方性のドライエッチングである反応性イオンエッチング(RIE)が効果的であるが、発光部の保護のためにマスクをおいても、有機層とマスクの隙間などから若干の反応ガスの回り込みがあり、発光部にダメージを与えてしまう問題がある。また、有機層の除去には、一般に反応ガスとして酸素が用いられるため、酸素、水分に弱い有機EL素子の製造には好ましくない。
【0011】
他の手段としては、発泡ウレタンなどの吸水性の弾性体に有機溶剤を含ませて有機層を拭き取り除去する方法があるが、有機溶剤は表面張力が小さいために有機層に浸透し、除去部周囲にまで浸透・拡散してしまいやすい。このため、発光部にまで有機溶剤が浸透・拡散し、有機層が膨潤して膜厚が変化したり、乾燥速度の違いから膜質が不均一になってしまいやすい問題がある。発光部と陰極側取り出し電極3を十分に離しておくことでこれを防止することも考えられるが、陰極8と陰極側取り出し電極3の接点が発光部から離れるほど基板1も大型になり、陰極8を形成する真空蒸着装置も大型化してしまうことになる。
【0012】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、特に陰極側取り出し電極3上に付着した有機層を、発光部に悪影響を及ぼすことなく容易に除去できるようにし、もって有機層の形成を塗布法により簡便に行えるようにすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的のために、基板上に、陽極、少なくとも発光層を含む1または複数層の有機層及び陰極とからなる積層体を有する発光部を備えた有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、基板上に、陽極と、陽極側引き出し電極と、陰極側引き出し電極とを形成した後、少なくとも前記有機層の1層を塗布法により形成し、陰極側引き出し電極上に形成された有機層を、当該陰極側引き出し電極を電磁誘導加熱することで除去することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法を提供するものである。
【0014】
上記本発明によれば、高周波の電磁界を陰極側取り出し電極に照射することにより、陰極側取り出し電極を選択的に発熱させて有機層を除去することができるため、発光部の有機層に悪影響を与えることなく、陰極側取り出し電極上の有機層を除去することができる。また、有機層の形成をスピンコート法、ディップ法などの簡便な塗布法で行うことができるため、有機EL表示装置の製造が容易になり、大面積化も容易になる。
【0015】
また、上記本発明は、その好ましい態様として、第1に、前記陰極側取出し電極が陽極と同材質であること、第2に、前記陰極側取出し電極の膜厚が陽極より薄いこと、第3に、前記陰極側取出し電極が、材質の異なる2層以上の導電層からなり、少なくとも1層の導電層のパターン形状が他の導電層のパターン形状と異なること、第4に、前記陰極側取出し電極が、高発熱層、低抵抗層の順に形成された構造を有すること、第5に、前記発光部の周辺部に、高発熱層と絶縁層が順次形成された構造を有すること、を含むものである。
【0016】
上記好ましい第1の態様のように、陰極側取り出し電極が陽極と同材質であれば、陰極側取り出し電極と陽極の形成を同時に行うことができ、製造工程を簡略化することができる。好ましい第2の態様のように、陰極側取り出し電極を陽極と同材質にすると共に、陰極側取り出し電極の厚みを陽極の厚みより薄く形成すると、陰極側取り出し電極の抵抗を陽極部よりも高くでき、電磁誘導加熱する際に周波数を下げても有機層を除去できる温度にすることができる。そのため、高周波電磁界が多少陽極側に漏れても、陽極上の有機層にダメージを与えることなく陰極側取り出し電極上の有機層を除去することができる。好ましい第3の態様のように、陰極側取出し電極を、パターン形状の相違する2層以上の導電層で構成すると、例えば陰極側取り出し電極の下層を低抵抗の材質で形成し、その上面の一部に高抵抗もしくは高透磁率材質からなる高発熱層を設けることができ、これによって電磁誘導で発熱量の多い高発熱部を小さく絞ることができる。よって発光部への熱伝導が少なくなり、ダメージを与えることが防止できる。好ましい第4の態様のように、陰極側取り出し電極を、高抵抗もしくは高透磁率材質からなる高発熱層、低抵抗層の順に形成された構造とすると、陰極と陰極側取り出し電極の接続部の抵抗値を増加させることなく、発熱量の多い高発熱層からの熱伝導により陰極側取り出し電極上の有機層を除去することができる。さらに、好ましい第5の態様のように、発光部の周辺部に、高抵抗もしくは高透磁率材質からなる高発熱層、絶縁層の順に形成された構造を有すると、陰極側取り出し電極以外領域、例えば封止缶接着部における有機層をも除去することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の製造対象である有機EL表示装置は、陰極と陽極の間に1層以上の有機層を有する積層体による発光部を備えたものであればよく、その積層構造には特に制限はない。発光部の積層構造としては、たとえば以下の構造を挙げることができる。
【0018】
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(3)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
(5)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
【0019】
上記(1)〜(7)の構造においてそれぞれの層は1層からなるものでもよいし、2層以上からなるものでもよい。
【0020】
以下、本発明を図1〜図7に基づいてより詳しく説明する。なお、図1〜図7において、同じ符号は同じ部材又は部位を示すものである。また、以下の説明は、上記(2)の構造である、陽極/正孔輸送層/発光層/陰極からなる積層構造を有する発光部の有機EL表示装置について述べるが、本発明がこれに限定されるものではく、上記(1)または(3)〜(7)のいずれの積層構造であってもよい。
【0021】
まず、図1(A)に示すように、透明な基板1を用意し、続いてこれの上に透明導電材料、本例ではITOをスパッタ法などの物理的成膜法によって成膜し、さらにこれを公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、ストライプ状の陽極2を形成する。
【0022】
基板1は透光性を有するもので、ガラス板などの平滑な材料で構成されている。ガラス板としては、例えばソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラスなどが用いられる。
【0023】
本実施形態例においては、図2に示されるように、陽極の形成と同時に、陽極側および陰極側取り出し電極4,3を基板1上に形成する。
【0024】
陽極2は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物が好ましく、具体的にはAu、Pt、Ag、Cu、CuI、ITO、SnO2、ZnOなどが挙げられる。この陽極2は、後述する正孔輸送層5および発光層6からなる有機層からの発光を取り出すために、可視光透過率が10%以上であることが望ましい。また、陽極2のシート抵抗は500Ω/□以下としてあるものが望ましく、さらに膜厚は材料にもよるが、通常5nm〜1μmの範囲で選択される。
【0025】
陽極側および陰極側取り出し電極4,3は、導電性材料であれば制限はなく、可視光透過性も不要である。本例のように、陽極2と同時に形成して工程を簡略化する上では、陽極2と同じ材料が好ましいが、陽極2と異なる材料、抵抗値、膜厚のものでも使用することができる。また、ITOとCrなど異種材料の積層構造であっても問題はない。この陽極2、陽極側および陰極側取り出し電極4,3の形成は、真空蒸着法やスパッタリング法、メッキ法などの方法で成膜し、さらにこれを公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、ストライプ状の陽極2、陽極側および陰極側取り出し電極4,3を形成する。陽極2、陽極側および陰極側取り出し電極4,3は同時に形成しても順次形成しても良い。
【0026】
続いて、図1(B)に示すように、基板1上に正孔輸送層5を形成する。本発明の有機EL表示装置の製造方法では、前述した基板1上に1層目の有機層をスピンコート法またはディップ法などの塗布法にて形成するが、少なくとも1層が前記塗布法であれば良く、たとえば有機層が2層以上から構成される場合には1層目に引き続き2層目以降を塗布法で形成することも可能であるし、1層目を蒸着法で形成し、2層目を塗布法で形成することも可能である。通常1層目の有機層としては正孔注入層(図示されていない)、正孔輸送層5、正孔注入輸送層(図示されていない)および発光層6のいずれかが形成される。
【0027】
有機層としては、材料の種類、構成、膜厚、色素のドーピング形態などについて特に限定されるものではなく、1種類または多種類の有機発光材料のみからなる薄膜や、1種類または多種類の有機発光材料と正孔輸送材料、電子注入材料との混合物からなる薄膜など、有機EL素子の発光層6として機能する単層構造でも発光層6以外に正孔輸送材料、電子注入材料を個別に有する2層以上の積層構造であってもよい。これら有機層の構成材料は、高分子系、低分子系に関わらず、例えば正孔注入及び輸送材料としては、可溶性のフタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Eu錯体など、有機発光材料としてはトリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体など、電子注入および輸送材料としては、8−キノリノール・アルミニウム錯体(Alq3)、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等、また高分子系材料としてポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシルオキシ)]−パラ−フェニレンビニレン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)など、従来より有機EL素子で用いられている正孔注入・輸送材料、有機発光材料、電子注入・輸送材料をそのまま使用できる。
【0028】
本実施形態例では、有機層のうち、正孔輸送層5をスピンコート法にて成膜するが、スピンコート法にて成膜する有機層は正孔輸送層5に限定されるものではなく、前述した有機材料のいずれの層でもよく、成膜法もディップ法などのスピンコート法以外の塗布法を使用することもできる。
【0029】
正孔輸送層5をスピンコート法にて成膜するにあたり、有機溶媒に溶解させて塗布液を作製する。塗布液に用いる有機溶媒としては、アルコール系、ケトン系、エステル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系などから、用いる有機材料に応じて適宜選択すればよい。
【0030】
スピンコート法による成膜は、要求膜厚、塗布液濃度、塗布液粘度などにより条件が異なるが、通常は100〜3000rpmで10秒〜5分間程度回転させることにより行うことが好ましい。また、ディップ法による成膜は、塗布液に浸漬させた後に所定の速度で引き上げる通常の方法で良い。
【0031】
スピンコート法またはディップ法により成膜される正孔輸送層5の具体的膜厚としては、5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また上限としては、好ましくは1000nm以下、より好ましくは200nm以下が好ましい。有機膜が薄すぎるとピンホールなどが発生しやすく、厚くなりすぎると電荷移動度などが低下し、発光効率が低下してくる。
【0032】
続いて、図1(C)に示すように、スピンコート法などの塗布法で成膜した時に同時に成膜される、少なくとも陰極側取り出し電極3上の正孔輸送層5を除去する。これは前述したように、陰極側取り出し電極3上に成膜された有機層である正孔輸送層5が絶縁物として働くために、陰極8を蒸着して陰極側取り出し電極3と電気的に接合する前に前記正孔輸送層5を除去することを目的とするものである。なお、本実施形態例では、正孔輸送層5の除去を行うが、正孔輸送層5以外の有機層を塗布法により形成した場合には、当該有機層を同様にして除去すればよい。
【0033】
有機層である正孔輸送層5の除去は、図3に示すように、励磁コイル20と芯材21を備えた高周波誘導装置を用い、前記陰極側取り出し電極3に高周波電磁界をかけて陰極側取り出し電極3を電磁誘導加熱し、陰極側取り出し電極3上の正孔輸送層5(図1参照)を溶融・蒸発あるいは昇華させることによって行う。電磁誘導加熱は、誘磁コイル20に数KHz〜数十KHz、例えば30KHzの高周波電流を流した際に発生する高周波電磁界を利用するものであり、電磁力線が変化する空間に配置した陰極側取り出し電極3に渦電流が生じ、そのジュール熱により陰極側取り出し電極3は自己発熱する。
【0034】
電磁誘導加熱は、高周波電磁界に置かれた導体内に発生する渦電流によるジュール熱によるものであるが、導体の表皮抵抗Rsに比例して発熱する。表皮抵抗Rsは角周波数ω、透磁率μ、固有抵抗ρから得られる表皮深さδとすると
δ=(2ρ/ωμ)1/2
に対して
Rs=ρ/δ=(ωμρ/2)1/2
と示される。
【0035】
また、導体に発生する電力Pは、導体内を流れる電流をIとすると
P∝Rs∫|I|2ds
と表せる。
【0036】
したがって、発熱量を増やすには周波数ωを高くするか透磁率μの高い材料、固有抵抗ρの高いものを選択すれば良い。
【0037】
陰極側取り出し電極3の材質は、陽極2と同じものが使用できるため、陽極2と同時に形成できるが、この場合、陰極側取り出し電極3の厚みを公知のフォトエッチングや研磨などで陽極2よりも薄くすることにより抵抗値を増加させて、弱い高周波電磁界でも強い高周波磁界と同じ発熱量を得ることができる。よって薄くした陰極側取り出し電極3周辺への高周波電磁界の漏れによる不要な発熱を防止しやすくなる。
【0038】
陰極側取り出し電極3の抵抗値は低いことが望ましいため、この低抵抗性を満たしつつ電磁誘導加熱時の発熱量を補うために、図4に示すように、アルミニウム、クロム、モリブデンなどの低抵抗材質で形成された低抵抗層32の上にマンガン、チタン、クロム、鉄、銅、コバルト、ニッケルなどの高透磁率材質からなる高発熱層31を設けても良い。上記構成によれば、電磁誘導による発熱量の多い高発熱層31を、例えば陰極8(図1参照)と接続される領域付近の小さい範囲に絞って設けることにより、発熱領域を小さく絞ることができ、発光部への熱伝導が少なくなり、ダメージを与えることが防止できる。
【0039】
また、図5に示すように、基板1上にマンガン、チタン、クロム、鉄、銅、コバルト、ニッケルなどの高透磁率材質からなる高発熱層31を形成し、その上に低抵抗材質で低抵抗層32を形成しても良い。上記構成によれば取り出し電極3の抵抗値を増加させること無く、発熱量の多い高発熱層31からの熱伝導により取り出し電極3上の正孔輸送層5を除去することができる。
【0040】
また、図6および図7に示すように、発光部となる陽極2形成領域周辺の基板1上に、マンガン、チタン、クロム、鉄、銅、コバルト、ニッケルなどの高透磁率材質からなる高発熱層31を形成し、その上を絶縁層33で覆い、陰極側取り出し電極3をその上に形成しても良い。前記絶縁層33の上に陰極側取り出し電極3が形成されていれば、高発熱層31からの熱によりその上の正孔輸送層5を除去できる。また、封止缶9(図1参照)の接着部に有機層である正孔輸送層5が成膜されていると、接着強度が弱くなり、封止缶9が基板1から剥がれやすくなるが、接着部を高発熱層31と絶縁層33の積層構造にしておけば、高発熱層32からの熱により接着部に形成された正孔輸送層5を除去することができ、封止缶9の剥がれを防止できる。
【0041】
陰極側取り出し電極3上の正孔輸送層5を除去した後に、図1(D)に示すように、発光層6および陰極8を蒸着する。発光層6としては前述した有機発光材料が使用でき、非発光部には成膜されないように蒸着マスクを使用する。陰極8としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質として蒸着やスパッタリングなどの方法により形成する。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。陰極8の形成時にはストライプ状のマスクを使用しても、特開平8−315981号公報に開示されているような隔壁を使用しても良く、図8に示すように、陰極8の少なくとも一方の端部は前述した取り出し電極3上の正孔輸送層5を除去した部分に接合される。
【0042】
そして、有機EL素子に水分が吸着することを防ぐため、図1(E)に示すように、不図示の水分吸着材を封入した封止缶9を封止樹脂12により基板1に接着し、陰極側取り出し電極3と図2および図7に示した陽極側取り出し電極4のそれぞれに外部駆動回路に接続するためのFPC11を異方性導電膜10によって接着する。
【0043】
【実施例】
実施例1
まず、図1(A)および図2に示すように、厚み300nmのITOからなる陽極2、陽極側取り出し電極4および陰極側取り出し電極3がパターニングされたITO付きガラス基板1をアセトン、IPAで超音波洗浄し、UV/03処理した後に、正孔輸送材料として公知のN,N’−ジフェニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジアミノ−1,1’−ビフェニル(TPD)のクロロホルム溶液をスピンコート法にて塗布し、厚さ10nmの正孔輸送層5を、図1(B)のように、陽極2、陽極側取り出し電極4および陰極側取り出し電極3が形成された基板1の片面全面に成膜した。
【0044】
次に、図2に示すように、高周波電磁界発生装置に前記基板1の陰極側取り出し電極3部分をセットし、30KHzの周波数で高周波電磁界を発生させたところ、陰極側取り出し電極3上の有機層である正孔輸送層5は溶融・蒸発した。このとき、陰極側取り出し電極3の温度を放射温度計にて測定したところ、約240℃であった。また、陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約80℃であった。
【0045】
次に、上記のようにして陰極側取り出し電極3上の有機層を除去した基板1を真空蒸着装置にセットし、図1(D)に示すように、電子輸送層6として8−キノリノール・アルミニウム錯体(Alq3)を60nmの厚みに蒸着した。この時、発光部以外の部分には蒸着されないように蒸着マスクを用いた。そして真空を保持したまま蒸着機内にて蒸着マスクをストライプ状のものに交換し、Mg/Ag(配合重量比10/1)合金からなる厚み300nmの陰極8を形成した。
【0046】
そして、蒸着機から基板1を取り出し、封止缶9及びFPC11を接着して、図2(E)に示す有機EL表示装置を得た。
【0047】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流12Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2ですべての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【0048】
実施例2
陰極側取り出し電極3の厚みを250nmとした他は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0049】
本実施例では、25KHzの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約50℃であった。
【0050】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流12Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【0051】
実施例3
図4に示すように、陰極側取り出し電極3として、ITOより抵抗の低いアルミニウムを200nmの厚みに形成し、さらに陰極側取り出し電極3の一部に、高発熱層31として、蒸着法でクロム層を100nmの厚みに形成した他は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0052】
本実施例では、20KHzの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約40℃であった。
【0053】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流11Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【0054】
実施例4
図5に示すように、基板1上に高発熱層32として厚み100nmのニッケル層を形成し、その上に陰極側取り出し電極3として200nmのアルミニウム層を形成した他は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0055】
本実施例では、25KHzの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約40℃であった。
【0056】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流10Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【0057】
実施例5
図6および図7に示すように、発光部となる陽極2の形成領域周辺の基板1上に、高発熱層32として厚み100nmのニッケル層を形成し、その上に絶縁層33として10nmの厚みにSiO2膜を形成し、さらにその上に陰極側引き出し電極3として低抵抗層32である厚み200nmのアルミニウム層を形成した。高発熱層32および絶縁層33は、図7に示すように、陰極側取り出し電極3以外の発光部周辺にも形成されているものとした。
【0058】
実施例1と同様に、正孔輸送層5を形成した後に前記高発熱層31上に成膜された有機層を除去するために発光部周辺に高周波電磁界を照射した。そして、高発熱層31上の有機層を除去した後は実施例1と同様に有機EL表示装置を作製した。
【0059】
本実施例では、25KHzの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約60℃であった。
【0060】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流10Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。さらに、この有機EL表示装置を80℃90%の環境に1000時間放置しても封止缶9の剥離は見られなかった。
【0061】
比較例1
正孔輸送層5を成膜後、陰極側取り出し電極3上に形成された有機層をクロロホルムを染み込ませた多孔質ポリウレタンで拭き取り除去した以外は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0062】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流12Vを印加したところ、陰極側取り出し電極3近傍の画素に輝度の低下している部分が見られた。
【0063】
比較例2
正孔輸送層5を成膜後、陰極側取り出し電極3上に形成された有機層の除去を全く行わなかった以外は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0064】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流12Vを印加したが、この有機EL表示装置は発光しなかった。また、この有機EL表示装置を80℃90%の環境に100時間放置したところ、封止缶9の剥離が見られた。
【0065】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば発光部にダメージを与えることなく陰極側取り出し電極上に形成された有機層を除去することが可能であるため、製造プロセスが簡便なスピンコート法やディップ法などの塗布法にて低コストで有効発光面積の大きい有機EL表示装置を製造することができる。また、封止缶接着部に形成された有機層をも除去するようにすれば、封止缶の剥離も抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL表示装置の製造手順を説明するための要部断面図である。
【図2】基板上に、陽極、陽極側引き出し電極および陰極側引き出し電極を形成した状態の平面図である。
【図3】本発明における電磁誘導加熱による有機層除去の説明図である。
【図4】低抵抗層上の一部に高発熱層を設けた陰極側引き出し電極の例を示す断面図である。
【図5】高発熱層上に低抵抗層を設けた陰極側引き出し電極の例を示す断面図である。
【図6】発光部の周辺に高発熱層と絶縁層を順次重ねて設け、その上に陰極側引き出し電極を構成する低抵抗層を設けた例を示す断面図である。
【図7】図6の例の平面図である。
【図8】陽極、陽極側引き出し電極、陰極および陰極側引き出し電極の配置状態を示す平面図である。
【図9】従来の一般的な有機EL表示装置の構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 透明基板
2 陽極
3 陰極側取り出し電極
4 陽極側取り出し電極
5 正孔輸送層(有機層)
6 発光層(有機層)
8 陰極
9 封止缶
10 異方性導電膜
11 FPC
12 封止樹脂
20 励磁コイル
21 芯材
31 高発熱層
32 低抵抗層
33 絶縁層
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示デバイス、光源として利用される有機エレクトロルミネセンス表示装置(以下「有機EL表示装置」という)の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、有機EL表示装置は、有機エレクトロルミネセンス素子(以下、有機EL素子と称する)から構成された画素を多数備えてなるもので、図8及び図9に示すように、ガラス板などの透明な基板1上にITO(Indium tinoxide)などの透明導電膜からなる陽極2を設け、その上に有機層(図9では正孔輸送層5および発光層6)と、陽極2と交差してストライプ状に成膜されたアルミニウムなどからなる陰極8とを順次設けることにより構成されたものである。陽極2と陰極8の交差部のそれぞれが1画素となる有機EL素子であり、各有機EL素子に電圧が印加されると、その陰極8から電子が、陽極2から正孔がそれぞれ有機層に注入され、この有機層中で電子−正孔の再結合が起こることにより発光が生じる。また、図8に示すように、有機EL素子がマトリクス状に配置された発光部(画素部)の周辺部には、陽極2及び陰極8を外部回路または内部駆動回路に接続させるための陽極側取り出し電極4および陰極側取り出し電極3が形成されている。
【0003】
このような構成の有機EL表示装置の製造方法の一例を以下に説明する。
【0004】
まず、図2に示すように、透明な基板1上に透明導電材料、例えばITOをスパッタ法や真空蒸着法にて成膜し、さらにこれをフォトエッチングなどによりパターニングしてストライプ状の陽極2を形成する。また、陰極側取り出し電極3および陽極側取り出し電極4は、形状が複雑であり、陰極8の形成に用いられる蒸着マスクを用いた金属蒸着では形成しにくいことから、この陽極2と同時にフォトエッチングにより形成するのが通常である。
【0005】
次いで、図9に示すように、陽極2上に、有機層として例えば正孔輸送層5および発光層6を順次形成する。正孔輸送層5および発光層6の成膜は、真空蒸着法によるものが一般的である。
【0006】
続いて、図8に示すように、前記発光層6上に導電材料を蒸着法によって成膜し、陽極2に直交するストライプ状の陰極8を、先に形成した陰極側取り出し電極3に接続して形成する。そして、封止缶9を封止樹脂12で接着し、さらに外部駆動回路に接続するためのFPC11を異方性導電膜10にて接着することにより有機EL表示装置を得る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機層の形成を、真空蒸着法ではなく、スピンコート法やディップ法などの塗布法で行えば、真空蒸着装置を使用しないより簡便な方法で積層でき、特に大画面の有機EL表示装置を製造する際に大型の真空蒸着装置を必要としない点で有利である。
【0008】
しかしながら、スピンコート法やディップ法などの塗布法により正孔輸送層5や発光層6などの有機層を塗布成膜すると、予めパターニングされた陰極側および陽極側取り出し電極3,4を含めた基板1上の全面に有機層が成膜されてしまうことになる。有機層の形成を蒸着法によって行う場合には、発光部以外をマスクすることで、陰極側および陽極側取り出し電極3,4上への有機層の形成を防げることができるが、スピンコート法により有機層を形成すると、基板1の全面に成膜されてしまうため、そのまま陰極8を蒸着すると、陰極8と陰極側取り出し電極3との間に絶縁物である有機層が介在してしまい、電気的接続が損なわれることになる。
【0009】
陰極側および陽極側取り出し電極3,4への外部駆動回路の接続は、封止缶9を封止樹脂12で接着した後に封止缶9から外部に延出した部分で行われることから、陰極側および陽極側取り出し電極3,4上に付着した有機層の除去を発光部に悪影響を及ぼすことなく容易に行うことができる。しかし、少なくとも陰極側取り出し電極3の陰極8との接続側からの有機層の除去は、上記封止缶9による封止前に行う必要があることから、有機層の除去に伴う発光部への悪影響が問題となる。
【0010】
有機層を除去する手段として異方性のドライエッチングである反応性イオンエッチング(RIE)が効果的であるが、発光部の保護のためにマスクをおいても、有機層とマスクの隙間などから若干の反応ガスの回り込みがあり、発光部にダメージを与えてしまう問題がある。また、有機層の除去には、一般に反応ガスとして酸素が用いられるため、酸素、水分に弱い有機EL素子の製造には好ましくない。
【0011】
他の手段としては、発泡ウレタンなどの吸水性の弾性体に有機溶剤を含ませて有機層を拭き取り除去する方法があるが、有機溶剤は表面張力が小さいために有機層に浸透し、除去部周囲にまで浸透・拡散してしまいやすい。このため、発光部にまで有機溶剤が浸透・拡散し、有機層が膨潤して膜厚が変化したり、乾燥速度の違いから膜質が不均一になってしまいやすい問題がある。発光部と陰極側取り出し電極3を十分に離しておくことでこれを防止することも考えられるが、陰極8と陰極側取り出し電極3の接点が発光部から離れるほど基板1も大型になり、陰極8を形成する真空蒸着装置も大型化してしまうことになる。
【0012】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、特に陰極側取り出し電極3上に付着した有機層を、発光部に悪影響を及ぼすことなく容易に除去できるようにし、もって有機層の形成を塗布法により簡便に行えるようにすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的のために、基板上に、陽極、少なくとも発光層を含む1または複数層の有機層及び陰極とからなる積層体を有する発光部を備えた有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、基板上に、陽極と、陽極側引き出し電極と、陰極側引き出し電極とを形成した後、少なくとも前記有機層の1層を塗布法により形成し、陰極側引き出し電極上に形成された有機層を、当該陰極側引き出し電極を電磁誘導加熱することで除去することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法を提供するものである。
【0014】
上記本発明によれば、高周波の電磁界を陰極側取り出し電極に照射することにより、陰極側取り出し電極を選択的に発熱させて有機層を除去することができるため、発光部の有機層に悪影響を与えることなく、陰極側取り出し電極上の有機層を除去することができる。また、有機層の形成をスピンコート法、ディップ法などの簡便な塗布法で行うことができるため、有機EL表示装置の製造が容易になり、大面積化も容易になる。
【0015】
また、上記本発明は、その好ましい態様として、第1に、前記陰極側取出し電極が陽極と同材質であること、第2に、前記陰極側取出し電極の膜厚が陽極より薄いこと、第3に、前記陰極側取出し電極が、材質の異なる2層以上の導電層からなり、少なくとも1層の導電層のパターン形状が他の導電層のパターン形状と異なること、第4に、前記陰極側取出し電極が、高発熱層、低抵抗層の順に形成された構造を有すること、第5に、前記発光部の周辺部に、高発熱層と絶縁層が順次形成された構造を有すること、を含むものである。
【0016】
上記好ましい第1の態様のように、陰極側取り出し電極が陽極と同材質であれば、陰極側取り出し電極と陽極の形成を同時に行うことができ、製造工程を簡略化することができる。好ましい第2の態様のように、陰極側取り出し電極を陽極と同材質にすると共に、陰極側取り出し電極の厚みを陽極の厚みより薄く形成すると、陰極側取り出し電極の抵抗を陽極部よりも高くでき、電磁誘導加熱する際に周波数を下げても有機層を除去できる温度にすることができる。そのため、高周波電磁界が多少陽極側に漏れても、陽極上の有機層にダメージを与えることなく陰極側取り出し電極上の有機層を除去することができる。好ましい第3の態様のように、陰極側取出し電極を、パターン形状の相違する2層以上の導電層で構成すると、例えば陰極側取り出し電極の下層を低抵抗の材質で形成し、その上面の一部に高抵抗もしくは高透磁率材質からなる高発熱層を設けることができ、これによって電磁誘導で発熱量の多い高発熱部を小さく絞ることができる。よって発光部への熱伝導が少なくなり、ダメージを与えることが防止できる。好ましい第4の態様のように、陰極側取り出し電極を、高抵抗もしくは高透磁率材質からなる高発熱層、低抵抗層の順に形成された構造とすると、陰極と陰極側取り出し電極の接続部の抵抗値を増加させることなく、発熱量の多い高発熱層からの熱伝導により陰極側取り出し電極上の有機層を除去することができる。さらに、好ましい第5の態様のように、発光部の周辺部に、高抵抗もしくは高透磁率材質からなる高発熱層、絶縁層の順に形成された構造を有すると、陰極側取り出し電極以外領域、例えば封止缶接着部における有機層をも除去することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の製造対象である有機EL表示装置は、陰極と陽極の間に1層以上の有機層を有する積層体による発光部を備えたものであればよく、その積層構造には特に制限はない。発光部の積層構造としては、たとえば以下の構造を挙げることができる。
【0018】
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(3)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
(5)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
【0019】
上記(1)〜(7)の構造においてそれぞれの層は1層からなるものでもよいし、2層以上からなるものでもよい。
【0020】
以下、本発明を図1〜図7に基づいてより詳しく説明する。なお、図1〜図7において、同じ符号は同じ部材又は部位を示すものである。また、以下の説明は、上記(2)の構造である、陽極/正孔輸送層/発光層/陰極からなる積層構造を有する発光部の有機EL表示装置について述べるが、本発明がこれに限定されるものではく、上記(1)または(3)〜(7)のいずれの積層構造であってもよい。
【0021】
まず、図1(A)に示すように、透明な基板1を用意し、続いてこれの上に透明導電材料、本例ではITOをスパッタ法などの物理的成膜法によって成膜し、さらにこれを公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、ストライプ状の陽極2を形成する。
【0022】
基板1は透光性を有するもので、ガラス板などの平滑な材料で構成されている。ガラス板としては、例えばソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラスなどが用いられる。
【0023】
本実施形態例においては、図2に示されるように、陽極の形成と同時に、陽極側および陰極側取り出し電極4,3を基板1上に形成する。
【0024】
陽極2は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物が好ましく、具体的にはAu、Pt、Ag、Cu、CuI、ITO、SnO2、ZnOなどが挙げられる。この陽極2は、後述する正孔輸送層5および発光層6からなる有機層からの発光を取り出すために、可視光透過率が10%以上であることが望ましい。また、陽極2のシート抵抗は500Ω/□以下としてあるものが望ましく、さらに膜厚は材料にもよるが、通常5nm〜1μmの範囲で選択される。
【0025】
陽極側および陰極側取り出し電極4,3は、導電性材料であれば制限はなく、可視光透過性も不要である。本例のように、陽極2と同時に形成して工程を簡略化する上では、陽極2と同じ材料が好ましいが、陽極2と異なる材料、抵抗値、膜厚のものでも使用することができる。また、ITOとCrなど異種材料の積層構造であっても問題はない。この陽極2、陽極側および陰極側取り出し電極4,3の形成は、真空蒸着法やスパッタリング法、メッキ法などの方法で成膜し、さらにこれを公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、ストライプ状の陽極2、陽極側および陰極側取り出し電極4,3を形成する。陽極2、陽極側および陰極側取り出し電極4,3は同時に形成しても順次形成しても良い。
【0026】
続いて、図1(B)に示すように、基板1上に正孔輸送層5を形成する。本発明の有機EL表示装置の製造方法では、前述した基板1上に1層目の有機層をスピンコート法またはディップ法などの塗布法にて形成するが、少なくとも1層が前記塗布法であれば良く、たとえば有機層が2層以上から構成される場合には1層目に引き続き2層目以降を塗布法で形成することも可能であるし、1層目を蒸着法で形成し、2層目を塗布法で形成することも可能である。通常1層目の有機層としては正孔注入層(図示されていない)、正孔輸送層5、正孔注入輸送層(図示されていない)および発光層6のいずれかが形成される。
【0027】
有機層としては、材料の種類、構成、膜厚、色素のドーピング形態などについて特に限定されるものではなく、1種類または多種類の有機発光材料のみからなる薄膜や、1種類または多種類の有機発光材料と正孔輸送材料、電子注入材料との混合物からなる薄膜など、有機EL素子の発光層6として機能する単層構造でも発光層6以外に正孔輸送材料、電子注入材料を個別に有する2層以上の積層構造であってもよい。これら有機層の構成材料は、高分子系、低分子系に関わらず、例えば正孔注入及び輸送材料としては、可溶性のフタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Eu錯体など、有機発光材料としてはトリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体など、電子注入および輸送材料としては、8−キノリノール・アルミニウム錯体(Alq3)、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等、また高分子系材料としてポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシルオキシ)]−パラ−フェニレンビニレン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)など、従来より有機EL素子で用いられている正孔注入・輸送材料、有機発光材料、電子注入・輸送材料をそのまま使用できる。
【0028】
本実施形態例では、有機層のうち、正孔輸送層5をスピンコート法にて成膜するが、スピンコート法にて成膜する有機層は正孔輸送層5に限定されるものではなく、前述した有機材料のいずれの層でもよく、成膜法もディップ法などのスピンコート法以外の塗布法を使用することもできる。
【0029】
正孔輸送層5をスピンコート法にて成膜するにあたり、有機溶媒に溶解させて塗布液を作製する。塗布液に用いる有機溶媒としては、アルコール系、ケトン系、エステル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系などから、用いる有機材料に応じて適宜選択すればよい。
【0030】
スピンコート法による成膜は、要求膜厚、塗布液濃度、塗布液粘度などにより条件が異なるが、通常は100〜3000rpmで10秒〜5分間程度回転させることにより行うことが好ましい。また、ディップ法による成膜は、塗布液に浸漬させた後に所定の速度で引き上げる通常の方法で良い。
【0031】
スピンコート法またはディップ法により成膜される正孔輸送層5の具体的膜厚としては、5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また上限としては、好ましくは1000nm以下、より好ましくは200nm以下が好ましい。有機膜が薄すぎるとピンホールなどが発生しやすく、厚くなりすぎると電荷移動度などが低下し、発光効率が低下してくる。
【0032】
続いて、図1(C)に示すように、スピンコート法などの塗布法で成膜した時に同時に成膜される、少なくとも陰極側取り出し電極3上の正孔輸送層5を除去する。これは前述したように、陰極側取り出し電極3上に成膜された有機層である正孔輸送層5が絶縁物として働くために、陰極8を蒸着して陰極側取り出し電極3と電気的に接合する前に前記正孔輸送層5を除去することを目的とするものである。なお、本実施形態例では、正孔輸送層5の除去を行うが、正孔輸送層5以外の有機層を塗布法により形成した場合には、当該有機層を同様にして除去すればよい。
【0033】
有機層である正孔輸送層5の除去は、図3に示すように、励磁コイル20と芯材21を備えた高周波誘導装置を用い、前記陰極側取り出し電極3に高周波電磁界をかけて陰極側取り出し電極3を電磁誘導加熱し、陰極側取り出し電極3上の正孔輸送層5(図1参照)を溶融・蒸発あるいは昇華させることによって行う。電磁誘導加熱は、誘磁コイル20に数KHz〜数十KHz、例えば30KHzの高周波電流を流した際に発生する高周波電磁界を利用するものであり、電磁力線が変化する空間に配置した陰極側取り出し電極3に渦電流が生じ、そのジュール熱により陰極側取り出し電極3は自己発熱する。
【0034】
電磁誘導加熱は、高周波電磁界に置かれた導体内に発生する渦電流によるジュール熱によるものであるが、導体の表皮抵抗Rsに比例して発熱する。表皮抵抗Rsは角周波数ω、透磁率μ、固有抵抗ρから得られる表皮深さδとすると
δ=(2ρ/ωμ)1/2
に対して
Rs=ρ/δ=(ωμρ/2)1/2
と示される。
【0035】
また、導体に発生する電力Pは、導体内を流れる電流をIとすると
P∝Rs∫|I|2ds
と表せる。
【0036】
したがって、発熱量を増やすには周波数ωを高くするか透磁率μの高い材料、固有抵抗ρの高いものを選択すれば良い。
【0037】
陰極側取り出し電極3の材質は、陽極2と同じものが使用できるため、陽極2と同時に形成できるが、この場合、陰極側取り出し電極3の厚みを公知のフォトエッチングや研磨などで陽極2よりも薄くすることにより抵抗値を増加させて、弱い高周波電磁界でも強い高周波磁界と同じ発熱量を得ることができる。よって薄くした陰極側取り出し電極3周辺への高周波電磁界の漏れによる不要な発熱を防止しやすくなる。
【0038】
陰極側取り出し電極3の抵抗値は低いことが望ましいため、この低抵抗性を満たしつつ電磁誘導加熱時の発熱量を補うために、図4に示すように、アルミニウム、クロム、モリブデンなどの低抵抗材質で形成された低抵抗層32の上にマンガン、チタン、クロム、鉄、銅、コバルト、ニッケルなどの高透磁率材質からなる高発熱層31を設けても良い。上記構成によれば、電磁誘導による発熱量の多い高発熱層31を、例えば陰極8(図1参照)と接続される領域付近の小さい範囲に絞って設けることにより、発熱領域を小さく絞ることができ、発光部への熱伝導が少なくなり、ダメージを与えることが防止できる。
【0039】
また、図5に示すように、基板1上にマンガン、チタン、クロム、鉄、銅、コバルト、ニッケルなどの高透磁率材質からなる高発熱層31を形成し、その上に低抵抗材質で低抵抗層32を形成しても良い。上記構成によれば取り出し電極3の抵抗値を増加させること無く、発熱量の多い高発熱層31からの熱伝導により取り出し電極3上の正孔輸送層5を除去することができる。
【0040】
また、図6および図7に示すように、発光部となる陽極2形成領域周辺の基板1上に、マンガン、チタン、クロム、鉄、銅、コバルト、ニッケルなどの高透磁率材質からなる高発熱層31を形成し、その上を絶縁層33で覆い、陰極側取り出し電極3をその上に形成しても良い。前記絶縁層33の上に陰極側取り出し電極3が形成されていれば、高発熱層31からの熱によりその上の正孔輸送層5を除去できる。また、封止缶9(図1参照)の接着部に有機層である正孔輸送層5が成膜されていると、接着強度が弱くなり、封止缶9が基板1から剥がれやすくなるが、接着部を高発熱層31と絶縁層33の積層構造にしておけば、高発熱層32からの熱により接着部に形成された正孔輸送層5を除去することができ、封止缶9の剥がれを防止できる。
【0041】
陰極側取り出し電極3上の正孔輸送層5を除去した後に、図1(D)に示すように、発光層6および陰極8を蒸着する。発光層6としては前述した有機発光材料が使用でき、非発光部には成膜されないように蒸着マスクを使用する。陰極8としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質として蒸着やスパッタリングなどの方法により形成する。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。陰極8の形成時にはストライプ状のマスクを使用しても、特開平8−315981号公報に開示されているような隔壁を使用しても良く、図8に示すように、陰極8の少なくとも一方の端部は前述した取り出し電極3上の正孔輸送層5を除去した部分に接合される。
【0042】
そして、有機EL素子に水分が吸着することを防ぐため、図1(E)に示すように、不図示の水分吸着材を封入した封止缶9を封止樹脂12により基板1に接着し、陰極側取り出し電極3と図2および図7に示した陽極側取り出し電極4のそれぞれに外部駆動回路に接続するためのFPC11を異方性導電膜10によって接着する。
【0043】
【実施例】
実施例1
まず、図1(A)および図2に示すように、厚み300nmのITOからなる陽極2、陽極側取り出し電極4および陰極側取り出し電極3がパターニングされたITO付きガラス基板1をアセトン、IPAで超音波洗浄し、UV/03処理した後に、正孔輸送材料として公知のN,N’−ジフェニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジアミノ−1,1’−ビフェニル(TPD)のクロロホルム溶液をスピンコート法にて塗布し、厚さ10nmの正孔輸送層5を、図1(B)のように、陽極2、陽極側取り出し電極4および陰極側取り出し電極3が形成された基板1の片面全面に成膜した。
【0044】
次に、図2に示すように、高周波電磁界発生装置に前記基板1の陰極側取り出し電極3部分をセットし、30KHzの周波数で高周波電磁界を発生させたところ、陰極側取り出し電極3上の有機層である正孔輸送層5は溶融・蒸発した。このとき、陰極側取り出し電極3の温度を放射温度計にて測定したところ、約240℃であった。また、陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約80℃であった。
【0045】
次に、上記のようにして陰極側取り出し電極3上の有機層を除去した基板1を真空蒸着装置にセットし、図1(D)に示すように、電子輸送層6として8−キノリノール・アルミニウム錯体(Alq3)を60nmの厚みに蒸着した。この時、発光部以外の部分には蒸着されないように蒸着マスクを用いた。そして真空を保持したまま蒸着機内にて蒸着マスクをストライプ状のものに交換し、Mg/Ag(配合重量比10/1)合金からなる厚み300nmの陰極8を形成した。
【0046】
そして、蒸着機から基板1を取り出し、封止缶9及びFPC11を接着して、図2(E)に示す有機EL表示装置を得た。
【0047】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流12Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2ですべての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【0048】
実施例2
陰極側取り出し電極3の厚みを250nmとした他は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0049】
本実施例では、25KHzの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約50℃であった。
【0050】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流12Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【0051】
実施例3
図4に示すように、陰極側取り出し電極3として、ITOより抵抗の低いアルミニウムを200nmの厚みに形成し、さらに陰極側取り出し電極3の一部に、高発熱層31として、蒸着法でクロム層を100nmの厚みに形成した他は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0052】
本実施例では、20KHzの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約40℃であった。
【0053】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流11Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【0054】
実施例4
図5に示すように、基板1上に高発熱層32として厚み100nmのニッケル層を形成し、その上に陰極側取り出し電極3として200nmのアルミニウム層を形成した他は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0055】
本実施例では、25KHzの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約40℃であった。
【0056】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流10Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。
【0057】
実施例5
図6および図7に示すように、発光部となる陽極2の形成領域周辺の基板1上に、高発熱層32として厚み100nmのニッケル層を形成し、その上に絶縁層33として10nmの厚みにSiO2膜を形成し、さらにその上に陰極側引き出し電極3として低抵抗層32である厚み200nmのアルミニウム層を形成した。高発熱層32および絶縁層33は、図7に示すように、陰極側取り出し電極3以外の発光部周辺にも形成されているものとした。
【0058】
実施例1と同様に、正孔輸送層5を形成した後に前記高発熱層31上に成膜された有機層を除去するために発光部周辺に高周波電磁界を照射した。そして、高発熱層31上の有機層を除去した後は実施例1と同様に有機EL表示装置を作製した。
【0059】
本実施例では、25KHzの周波数で有機層の除去が可能であり、このとき陰極側取り出し電極3に最も近い発光部の温度を測定したところ、約60℃であった。
【0060】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流10Vを印加したところ、平均輝度は40cd/m2で総ての画素が発光し、陰極側取り出し電極3と陰極8の導通が良好であることが確認された。また、陰極側取り出し電極3に近い発光部の輝度低下も見られなかった。さらに、この有機EL表示装置を80℃90%の環境に1000時間放置しても封止缶9の剥離は見られなかった。
【0061】
比較例1
正孔輸送層5を成膜後、陰極側取り出し電極3上に形成された有機層をクロロホルムを染み込ませた多孔質ポリウレタンで拭き取り除去した以外は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0062】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流12Vを印加したところ、陰極側取り出し電極3近傍の画素に輝度の低下している部分が見られた。
【0063】
比較例2
正孔輸送層5を成膜後、陰極側取り出し電極3上に形成された有機層の除去を全く行わなかった以外は実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
【0064】
この様にして作製した有機EL表示装置を外部回路に接続し、直流12Vを印加したが、この有機EL表示装置は発光しなかった。また、この有機EL表示装置を80℃90%の環境に100時間放置したところ、封止缶9の剥離が見られた。
【0065】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば発光部にダメージを与えることなく陰極側取り出し電極上に形成された有機層を除去することが可能であるため、製造プロセスが簡便なスピンコート法やディップ法などの塗布法にて低コストで有効発光面積の大きい有機EL表示装置を製造することができる。また、封止缶接着部に形成された有機層をも除去するようにすれば、封止缶の剥離も抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL表示装置の製造手順を説明するための要部断面図である。
【図2】基板上に、陽極、陽極側引き出し電極および陰極側引き出し電極を形成した状態の平面図である。
【図3】本発明における電磁誘導加熱による有機層除去の説明図である。
【図4】低抵抗層上の一部に高発熱層を設けた陰極側引き出し電極の例を示す断面図である。
【図5】高発熱層上に低抵抗層を設けた陰極側引き出し電極の例を示す断面図である。
【図6】発光部の周辺に高発熱層と絶縁層を順次重ねて設け、その上に陰極側引き出し電極を構成する低抵抗層を設けた例を示す断面図である。
【図7】図6の例の平面図である。
【図8】陽極、陽極側引き出し電極、陰極および陰極側引き出し電極の配置状態を示す平面図である。
【図9】従来の一般的な有機EL表示装置の構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 透明基板
2 陽極
3 陰極側取り出し電極
4 陽極側取り出し電極
5 正孔輸送層(有機層)
6 発光層(有機層)
8 陰極
9 封止缶
10 異方性導電膜
11 FPC
12 封止樹脂
20 励磁コイル
21 芯材
31 高発熱層
32 低抵抗層
33 絶縁層
Claims (6)
- 基板上に、陽極、少なくとも発光層を含む1または複数層の有機層及び陰極とからなる積層体を有する発光部を備えた有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、基板上に、陽極と、陽極側引き出し電極と、陰極側引き出し電極とを形成した後、少なくとも前記有機層の1層を塗布法により形成し、陰極側引き出し電極上に形成された有機層を、当該陰極側引き出し電極を電磁誘導加熱することで除去することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
- 前記陰極側取出し電極が陽極と同材質であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
- 前記陰極側取出し電極の膜厚が陽極より薄いことを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
- 前記陰極側取出し電極が、材質の異なる2層以上の導電層からなり、少なくとも1層の導電層のパターン形状が他の導電層のパターン形状と異なることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
- 前記陰極側取出し電極が、高発熱層、低抵抗層の順に形成された構造を有することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
- 前記発光部の周辺部に、高発熱層と絶縁層が順次形成された構造を有することを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002244593A JP2004087217A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2002244593A JP2004087217A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004087217A true JP2004087217A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=32053017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002244593A Withdrawn JP2004087217A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004087217A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7994708B2 (en) | 2008-04-18 | 2011-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device |
WO2011122461A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 住友化学株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR20120139557A (ko) * | 2011-06-16 | 2012-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치 |
JP2013073813A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
CN110109572A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-08-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示基板及其制作方法、显示装置 |
JP2021518970A (ja) * | 2018-04-16 | 2021-08-05 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス基板の製造方法 |
-
2002
- 2002-08-26 JP JP2002244593A patent/JP2004087217A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7994708B2 (en) | 2008-04-18 | 2011-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device |
WO2011122461A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 住友化学株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2011210408A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
KR20120139557A (ko) * | 2011-06-16 | 2012-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치 |
JP2013020964A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 封止体の作製方法及び封止体、並びに発光装置の作製方法及び発光装置 |
KR102038844B1 (ko) * | 2011-06-16 | 2019-10-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치 |
JP2013073813A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2021518970A (ja) * | 2018-04-16 | 2021-08-05 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス基板の製造方法 |
JP7263265B2 (ja) | 2018-04-16 | 2023-04-24 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 有機エレクトロルミネッセンス基板の製造方法 |
CN110109572A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-08-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示基板及其制作方法、显示装置 |
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