JP2009170138A - 表示装置の製造方法、表示装置製造用組成物および表示装置 - Google Patents

表示装置の製造方法、表示装置製造用組成物および表示装置 Download PDF

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一郎 齋藤
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博明 臼井
Seiji Yokokura
精二 横倉
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Abstract

【課題】簡便な手法により、高発光効率および優れた動画特性を得ることができる表示装置および表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1電極11および第2電極19の間に設けられた発光層15をラジカル開始剤とラジカル重合反応性を有する発光材料とからなる組成物層を形成する工程と、組成物層を励起することにより、組成物層のうち組成物層が高分子化された領域を形成する工程と、組成物層のうち、高分子化された領域以外を除去する工程とにより形成する。
【選択図】図1

Description

この発明は、表示装置および表示装置製造用組成物、表示装置に関する。さらに詳しくは、例えば、大画面の有機ELディスプレイに好適な表示装置の製造方法および表示装置製造用組成物および表示装置に関する。
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機EL素子を用いた有機ELディスプレイが注目されている。有機ELディスプレイは、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型ディスプレイで、バックライトが不要であることに加え、優れた色再現性や高コントラスト、動画に適した応答性、広視野角などの優れた特徴を有している。
このような優れた特徴を有する有機ELディスプレイは、フラットパネルディスプレイとして理想的な特性を有しており、2mm以下の厚みで、1インチから40インチサイズの高画質および高視認性のディスプレイを実現することができる。
しかしながら、液晶ディスプレイとの競合も相まって、大面積基板への展開、消費電力の低減、信頼性の向上、コストの低減などの課題がある。特に、大面積基板への展開が非常に重要な課題となっている。この際に問題となるのが、フルカラー化のための光の三原色(RGB)を発光するRGB画素を形成する方法である。
RGB画素を形成する方法としては、(1)RGBの発光層を平面的に配置する塗り分け法、(2)青色発光を蛍光変化する色変換法、(3)白色発光をカラフィルターで三原色に分けるカラーフィルター法などが提案されている。
(2)の色変換法や(3)のカラーフィルター法では、色純度が悪いことや輝度の低下を招くなどの問題があるため、最先端のディスプレイデバイスの性能を満足できない。(1)の塗り分け法を用いた場合には、発光画素のミクロ化に加えて、複数種の発光層を高精度に塗り分けて基板上に製膜する塗分け技術が必要となる。
複数種の発光層を塗り分ける技術としては、例えば、特許文献1に記載されているように、マスクの開口に1色目の有機EL素子を形成した後、別の開口にて2色目の有機EL素子を設けるように、マスクを変更する方法が提案されている。この方法は単純ではあるが、多色エリア分け有機EL素子の作製には極めて有効である。
特許第2734464号公報
また、特許文献2では、特許文献1に記載されている方法を発展させ、周期的に微小開口を設けたマスクを1色の発光層を形成するごとに画素ピッチ分だけ移動し、2色、3色目の発光層を製膜する方法が提案されている。この方法では、発光層の相互の間に有機層が存在しない場合に、絶縁層は、陰極と透明電極の短絡を防ぐとともに、画素の形状を定める重要な役割を有する。
特開平8−227276号公報
さらに、特許文献3では、ガラス基板上に陽極としてITO膜を形成し、正孔注入層としてフタロシアニンを形成して、この上に紫外線照射により橋かけ反応を生じる水溶液をスピンコーティングにより塗布し、感孔性の発光層を形成した後、ネガマスクを通して紫外線を照射することによって、発光層をパターニングする技術が提案されている。
特開平3−105894号公報
さらに、特許文献4では、発光部を構成する複数の層のうち、少なくとも1つの層を感光製樹脂から形成することで、光による感光作用を利用してパターニングすることができるようにした技術が提案されている。
特開平6−13184号公報
さらに、特許文献5では、発光層として、正孔輸送物質および/または電子輸送物質と、有機発光物質とを、マトリックス材料としての現像可能な光硬化性樹脂にドーピングさせることにより、有機LED(膜)のフォトリソグラフィーパターニングを可能とする技術が提案されている。
特開平10−69981号公報
特許文献3〜特許文献5で提案されている技術では、例えば、感光性のポリマー材料のような感光性マトリックス材料を添加することによって、その樹脂の感光特性または熱硬化特性を活かして不溶化領域を形成して、溶媒に対する溶解性を変化させてパターニングするようにしている。
さらに、インクジェットのヘッドから有機材料の溶液やRGBの色素をITO(Indium Tin Oxide)電極に落としていくことで、RGBを塗り分けるインクジェット法も、有機材料のロスがなく、有機材料の利用効率を高めることができるので有効である。
しかしながら、特許文献1および特許文献2で提案されているマスクによる蒸着塗り分けでは、大型マスクに密着させることが困難な上、マスク上に堆積する有機物を除去する必要があるなど、量産面で課題がある。
また、特許文献3〜特許文献5で提案されている技術では、下記の(1)〜(5)の問題がある。
(1)マトリックス材料に所謂発光機能材料を添加するので発光機能材料の含有率が低く、高い発光性を得ることができない。(2)添加するマトリックス材料の光学的な吸収が存在するために、高い発光特性が得られない。(3)発光機能材料がマトリックス材料に含有しているだけなので光照射後の現像工程にて発光機能材料が流出してしまい、高い発光特性が得られない。(4)熱硬化性樹脂を樹脂を用いた場合には、定法では周囲への伝播を防止することが困難であり、加熱する領域を小さくすることが困難である。さらに、微細化する場合には特殊な装置等を準備する必要があり、高額で実現性が乏しい。
さらに、インクジェット法を用いた塗り分けでは、インクジェットでRGBを形成する場合には、バンクと呼ばれる土手構造を作製し、その中にインクジェットでインクを滴下する必要があり、さらに、ITO電極上を親水性にし、バンクを疎水性にするための表面処理を行う必要がある。
このように、従来の塗り分け技術は、特性の問題やそのプロセスの煩雑さから、実用的な技術とはいい難い。
したがって、この発明の目的は、簡便な手法により、高発光効率および優れた動画特性を得ることができる表示装置の製造方法、表示装置製造用組成物および表示装置を提供することにある。
上述した課題を解決するために、第1の発明は、
第1電極および第2電極と、第1電極および第2電極の間に設けられた少なくとも発光層を含む1層以上の有機層と、を備える表示装置の製造方法であって、
発光層を、
ラジカル開始剤とラジカル重合反応性を有する発光材料とからなる組成物層を形成する工程と、
組成物層を励起することにより、組成物層のうち組成物層が高分子化された領域を形成する工程と、
組成物層のうち、高分子化された領域以外を除去する工程と
により形成することを特徴とする表示装置の製造方法である。
第1の発明では、発光層を、ラジカル開始剤とラジカル重合反応性を有する発光材料とからなる組成物層を形成する工程と、組成物層を励起することにより、組成物層のうち組成物層が高分子化された領域を形成する工程と、組成物層のうち、高分子化された領域以外を除去する工程とにより形成することによって、簡便な手法により、高発光効率および優れた動画特性の表示装置を得ることができる。
第2の発明は、
第1電極および第2電極と、第1電極および第2電極の間に設けられた少なくとも発光層を含む1層以上の有機層と、を備える表示装置の製造方法であって、
発光層を、
酸発生剤と、高分子化された発光材料とからなる組成物層を形成する工程と、
組成物層を励起することにより、組成物層のうち発光材料が低分子化された領域を形成する工程と、
低分子化された領域を除去する工程と
により形成することを特徴とする表示装置の製造方法である。
第2の発明では、発光層を、酸発生剤と、高分子化された発光材料とからなる組成物層を形成する工程と、組成物層を励起することにより、組成物層のうち発光材料が低分子化された領域を形成する工程と、低分子化された領域を除去する工程とにより形成することによって、簡便な手法により、高発光効率および優れた動画特性の表示装置を得ることができる。
第3の発明は、
ラジカル開始剤と、
ラジカル重合反応性を有する発光材料と
を含む表示装置製造用組成物である。
第3の発明では、ラジカル開始剤と、ラジカル重合反応性を有する発光材料と
を含む組成物を使用して発光層を形成することで、簡便な手法により、高発光効率および優れた動画特性の表示装置を得ることができる。
第4の発明は、
酸分解剤と、
ラジカル重合反応性を有する発光材料と
を含む表示装置製造用組成物である。
第4の発明では、酸分解剤と、ラジカル重合反応性を有する発光材料とを含む組成物を使用して発光層を形成することで、簡便な手法により、高発光効率および優れた動画特性の表示装置を得ることができる。
第5の発明は、第1の電極および第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に設けられた少なくとも発光層を含む1層以上の有機層と、を備え、
発光層が、ラジカル重合反応性を有する発光材料に由来する繰り返し単位を構造に含む高分子化合物を有することを特徴とする表示装置である。
第5の発明では、高発光効率および優れた動画特性を得ることができる。
この発明によると、簡便な手法により、高発光効率および優れた動画特性を得ることができる。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
<表示装置の構成>
図1は、この発明の一実施形態による表示装置の構成例を示す断面図である。
この表示装置は、発光した光を基板10側から取り出す構成のいわゆるボトムエミッション型であり、基板10上に設けられた第1電極11と、第2電極19との間に、第1電極11側から正孔注入層12と、正孔輸送層13と、発光層15と正孔ブロッキング層16と電子輸送層17と電子注入層18とがこの順で挟まれた構造を有する。
基板10は、可視領域に吸収の無い透明基板で構成されており、例えば、ソーダライム基板などのガラス基板やプラスチック基板などを用いることができる。
第1電極(アノード)11は、可視領域に吸収が無く導電性の高い透明電極である。第1電極11は、発光層15に正孔を注入する電極であり、所定の位置で電圧−電流が印加できるように必要に応じてパターン化されている。第1電極11の材料としては、例えば、ITO、IZO(Indium Zinc Oxide)などの酸化物などを用いることができる。
正孔注入層12および電子注入層18は、第1電極11および第2電極19から電子および正孔をスムーズに受け入れるために設けられたものである。正孔輸送層13および電子輸送層17は、電子および正孔を発光層15にスムーズに移動させるために設けられたものである。正孔ブロッキング層16は、発光特性を劣化する正孔の侵入を抑制するために設けられたものである。正孔注入層12、正孔輸送層13、正孔ブロッキング層16および電子輸送層17には、それぞれの機能に適した材料を用いることができる。
発光層15は、ラジカル重合反応性を有する発光材料に由来する繰り返し単位を構造に含む高分子化合物を含む。カラー発光を行うために、赤色を発光する赤色発光層15Rと、緑色を発光する緑色発光層15Gと、青色を発光する青色発光層15Bと、が複数配設されている。赤色発光層15R、緑色発光層15Gおよび青色発光層15Bには、それぞれに適した材料を用いる。
第2電極(カソード)19は、発光層15に電子を注入する電極である。第2電極19は、基板10の配線と電気的に接続している。第2電極19の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、MgAg合金などを用いることできる。
表示装置では、第1電極11と第2電極19との間に、電源20を通じて必要な電圧−電流を印加すると、第1電極11から正孔が第2電極19から電子が発光層15に注入され、発光層15で正孔と電子が再結合することにより発光する。
なお、表示装置は、第1電極11/正孔注入層12/正孔輸送層13/発光層15/正孔ブロッキング層16/電子輸送層17/電子注入層18/第2電極19の構造を有するが、表示装置の構造はこれに限定されるものではない。例えば、表示装置は、第1電極11/発光層15/第2電極19、第1電極11/正孔輸送層13/発光層15/電子輸送層17/第2電極19などの構造を有するようにしてもよい。
<表示装置の製造方法の第1の例>
次に表示装置の製造方法の第1の例について、図2〜図5を参照しながら説明する。表示装置の製造方法の第1の例の説明では、第1電極11/正孔輸送層13/発光層15/電子輸送層17/電子注入層18/第2電極19の構造を有する表示装置を製造する例について説明する。なお、図1と共通する部位に対しては同一の番号を付し、詳細な説明を省略する。
<赤色発光層15Rのパターニング>
図2(a)に示すように、基板10上に第1電極11と正孔輸送層13とをこの順で形成する。第1電極11は、必要に応じて塩化水素などの無機酸によって、フォトリソグラフィー法などにより形成されたマスクを用いてパターン加工されたものであってもよい。第1電極11、正孔輸送層13の形成は、例えば、真空蒸着法などで行う。なお、正孔輸送層13に重合反応性を有する材料を用い、製膜中に熱フィラメントから電子を放出させることで重合反応を促進させるようにすると、後工程の現像処理の際に、耐溶剤性を確保できるので好ましい。また、正孔輸送層13形成時に製膜中に熱フィラメントから電子を放出させることで重合反応を促進させる方法を採らないときには、製膜後、全面に電子照射を行うことで架橋反応を進行させて正孔輸送層13を高分子化するようにしてもよい。
図2(b)に示すように、さらに、例えば真空蒸着法などにより、赤色発光層15Rの前駆体となる前駆体層14Rを正孔輸送層13上に形成する。前駆体層14Rは、ラジカル開始剤と、ラジカル重合反応性を有する発光材料との組成物からなる。
図2(c)に示すように、紫外線を照射する際に、前駆体層14Rの所望の領域において、重合開始剤を分解させてラジカルを発生させるためにマスクを用いる。前駆体層14Rの紫外線が照射された領域では、ラジカル開始剤が紫外線の照射により励起されて、ラジカルを発生させ、発生したラジカルにより、発光材料がラジカル重合反応によって高分子化される。紫外線の照射は、ラジカル開始剤の安定性の点から、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下または真空雰囲気下で行うことが好ましい。なお、紫外線の照射の換わりに、電子線、イオンまたは放射線を照射するようにしてもよい。
このように、前駆体層14Rに紫外線を照射する際に、マスクを用いて紫外線照射を受けた領域のみラジカル重合反応を進行させ、次工程にて薬剤による現像処理を行うことによって、所望の領域に赤色発光層15Rを形成することが可能である。
ラジカル重合反応性を有する発光材料は、例えば、ホールと電子とが再結合性を有する有機材料にラジカル反応性の官能基が導入されたホスト材料と、励起分子が失活する際に光を放出する有機材料であるゲスト材料とから構成される。ゲスト材料は、例えば、ホスト材料上で生じるホールと電子との再結合により、ホスト材料が励起状態になり、その励起エネルギーがゲスト材料に移動して励起され発光する。また、例えば、ゲスト材料は、電子とホールがゲスト材料上で再結合することにより、励起され発光する。
ラジカル官能基が導入されたホスト材料としては、具体的には、例えば、化1で表される化合物を用いることができる。また、より具体的には、化2で表される化合物を用いることができる。さらに、より具体的には、化3で表される化合物を用いることができる。
Figure 2009170138
(式中、Xは、ホールと電子とが再結合性を有する有機化合物である。Yは、Xの何れかの部位に導入された、例えば、ビニル基、アクリル酸基、メタクリル酸基などのラジカル反応性の官能基である。)
Figure 2009170138
(式中、Yは、カルバゾールの何れかの部位に導入された、例えば、ビニル基、アクリル酸基、メタクリル酸基などのラジカル反応性の官能基である。)
Figure 2009170138
ホスト材料は、ラジカル反応性の官能基を有するので、紫外線が照射された領域のみ高分子化することが可能である。ラジカル反応性の官能基は、より優れた発光効率を得られる点から、一つ有することが好ましい。
さらに、ゲスト材料にラジカル反応性の官能基を有する材料を用いれば、ホスト材料と共重合体を形成するため、後工程で非重合領域を除去する際のゲスト材料の溶出を低減できるので好ましい。
さらに、ゲスト材料として、蛍光性材料を用いる場合には、燐光性材料に比べて材料合成が平易であり、特性劣化に繋がる不純物含有量が低く、高純度の材料を入手することが容易である。また、燐光性材料のように、高価なイリジウムや白金などの材料を用いることなく、合成されているので、燐光材料に比べて安価である。さらに、燐光性材料のように錯体構造ではなく、安定な分子構造を有しているために熱的に安定である。
図2(d)に示すように、非重合領域を除去することによって、パターン化された赤色発光層15Rを形成する。有機溶媒を用いた溶解除去や基板を加熱することで除去する加熱除去などで、非重合領域を選択的に除去することができる。材料の劣化を低減できる点からは、加熱除去が好ましい。
<緑色発光層15Gのパターニング>
図2(e)〜図2(f)および図3(g)に示すように、正孔輸送層13上およびパターン化された赤色発光層15R上に、緑色発光層15Gの前駆体層14Gを形成した後、上述した図2(c)〜図2(d)に示す工程を順次行い、パターン化された緑色発光層15Gを形成する。
<青色発光層15Gのパターニング>
図3(h)〜図3(j)に示すように、正孔輸送層13上、パターン化された赤色発光層15Rおよびパターン化された緑色発光層15G上に、青色発光層15Bの前駆体層14Bを形成した後、上述した図2(c)〜図2(d)に示す工程を順次行い、パターン化された青色発光層15Bを形成する。
<電子輸送層17、電子注入層18、第2電極19の形成>
図3(k)〜図3(l)に示すように、第1電極11上および発光層15R〜15B上に、電子輸送層17、電子注入層18、第2電極19をこの順に、例えば、真空蒸着法などにより形成する。以上により、表示装置を製造することができる。
図2〜図3で示す表示装置の製造方法の第1の例では、具体的な材料としては、上述した材料の他、例えば、以下の材料を適宜選択して用いることができる。なお、発光材料には、下記の材料に適宜ラジカル反応性を有する官能基を導入して用いる。
ラジカル系光重合開始剤としては、例えば、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2−ヒロドキシ−1−{4−[4−(2−ヒドロキシ−2−メチル−プロピオニル)−ベンジル]フェニル}−2−メチル−プロパン−1−オン、2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−(ジメチルアミノ)−2−[(4−メチルフェニル)メチル]−1−[4−(4−モルホリニル)フェニル]−1−ブタノンなどのアルキルフェノン系光重合開始剤を用いることができる。
また、例えば、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイドなどのアシルフォスフィンオキシド系光重合開始剤を用いることができる。
また、例えば、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウムなどのチタノセン系光重合開始剤を用いることができる。
その他の光重合開始剤としては、例えば、1,2−オクタンジオン、1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(0−アセチルオキシム)などのオキシムエステルを用いることができる。
また、例えば、オキシフェニル酢酸、2−[2−オキソ−2−フェニルアセトキシエトキシ]エチルエステルとオキシフェニル酢酸、2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチルエステルの混合物などのオキシフェニル酢酸エステルを用いることできる。
重合促進剤としては、例えば、エチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、2−エチルヘキシル−4−ジメチルアミノベンゾエートなどを用いることができる。
カチオン系光重合開始剤としては、例えば、A:ヨードニウム,(4−メチルフェニル)[4−(2−メチルプロピル)フェニル]−ヘキサフルオロフォスフェート(1−)B:プロピレンカーボネートなどを用いることができる。
蛍光性色素としては、例えば、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素などの蛍光性化合物を用いることができる。
また、例えば、アントラセン類、ピレン類、ペリレン類などの多環芳香族炭化水素を用いることができる。
さらに、例えば、オキサゾール、チアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ロフィン、クマリン、ナイルレッド、4H−ピラニリデンプロパンジニトリル誘導体、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾールなどのヘテロ芳香族化合物を用いることができる。
さらに、例えば、シアニン、オキソノール、アズレニウム、ピリリウムなどのポリメチン系化合物を用いることができる。
さらに、例えば、ジアミノスチルベン誘導体、ポリフェニレンビニレン、アゾメチン、アゾベンゼンなどのスチルベン系化合物を用いることができる。
さらに、例えば、キノリン類、ナフタレン類、8−キノリノール、Al3+錯体、ベリリウム錯体などのキレート金属錯体を用いることができる。
さらに、例えば、キノリノール、2−ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾール、2−(2−ピリジル)フェノール、2−(3−オキサジアゾリル)フェノール誘導体、2−ヒドロキシベンジリデンアニリン誘導体(アゾメチン化合物)などの亜鉛錯体を用いることができる。
さらに、例えば、キレートランタノイド錯体、例えば、フルオレセレン、ローダミンなどのBキサンテン系色素を用いることができる。
さらに、例えば、キナクリドン、ジケトピロロピロール誘導体、銅フタロシアニンなどの有機顔料等の関連色素を用いることができる。また、無機有機複合系、ポリシラン、スピロ化合物、スクワリリウム色素、フルオレセイン等を用いることができる。
燐光性色素としては、以下の緑色材料、青色材料、赤色材料などを用いることができる。
緑色材料としては、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)(Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(II)、トリス[2−(p−トリル)ピリジン]イリジウム(III)(Ir(mppy)3)などを用いることができる。
青色材料としては、ビス(3,5−ジフルオロ−2−(2−ピリジイル)フェニル)−(2−カルボキシピリジイル)イリジウム(III)(FirPic)、ビス(48,68−ジフルオロフェニルピリジネート)テトラキス(1−ピラゾリル)ボレートイリジウム(III)(FIr6)などを用いることができる。
赤色材料としては、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)(Ir(piq)3)、ビス(1−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)(Ir(piq)2(acac))、ビス[1−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)(Ir(fliq)2(acac))、ビス[3−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)(Ir(flq)2(acac))、トリス(2−フェニルキノリン)イリジウム(III)(Ir(2−phq)3)、ビス(2−フェニルキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)(Ir(2−phq)2(acac))などを用いることできる。
正孔輸送性材料としては、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、4,4’,4’’−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m−MTDATA)、
4,4’,4’’−トリス[1−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1−TNATA)、4,4’,4’’−トリス[2−ナフチル(フェニル)アミノ]トリスフェニルアミン(2−TNATA)、4,4’,4’’−トリス[ビフェニル−4−イル−(3−メチルフェニル)アミノ]トリフェニルアミン(p−PMTDATA)、4,4’,4’’−トリス[9,9−ジメチル−2−フルオレニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(TFATA)、4,4’,4’’−トリ(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(TCTA)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)フェニルアミノ]ベンゼン(p−DPA−TDAB)、1,3,5−トリス{4−[メチルフェニル(フェニル)アミノ]フェニル}ベンゼン(MTDAPB)、N,N’’−ジ(ビフェニル−4−イル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(p−BPD)、N,N,N’,N’−テトラキス(9,9−ジメチル−2−フルオレニル)−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(FFD)などを用いることができる。
電子輸送性材料としては、Alq3(トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(III))、オキサジアゾール誘導体等、1,3,5−トリス[5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジゾール−2−イル]ベンゼン(TPOB)、5,5’−ビス(ジメシチルボリル)−2,2’−ビチオフェン(BMB−2T)、5,5’−ビス(ジメシチルボリル)−2,2’:5’,2’’−ターチオフェン(BMB−3T)
などを用いることができる。
発光性アモルファス分子材料としては、トリ(o−ターフェニル−4−イル)アミン(o−TTA)、トリ(p−ターフェニル−4−イル)アミン(p−TTA)など、オリゴチオフェン誘導体としては、2,5−ビス{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}トリオフェン(BMA−1T)、5,5’−ビス{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2’−ビチオフェン(BMA−2T)、5,5’−ビス{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2’:5’,2’’−ターチオフェン(BMA−3T)、5,5’’’’−ビス{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2’:5’2’’:5’’,2’’’−クオーターチオフェン(BMA−4T)などを用いることができる。
表示装置の製造方法の第1の例では、多色塗分けの場合において、透明電極である第1電極11上に正孔輸送層13を形成した後、第1色目の赤色発光層15Rの前駆体層14Rを全面に形成し、その後、紫外線を照射することで所望の領域の重合反応を促進し、現像処理を行うことでパターン化された赤色発光層15Rを形成する。
その後、該第1色目の赤色発光層15R上に第2色目の緑色発光層15Gの前駆体層14Gを全面に形成する。その後、所望な位置に紫外線を照射することで、第2色目の前駆体層14Gの重合反応を進行させることで、照射領域に対する溶媒の不溶化を達成することができる。また、同様の工程を繰り返すことにより3色目の青色発光層15Bを形成する。以上により、所謂RGBの三色のパターンを形成した後、電子輸送層17、電子注入層18および第2電極19を形成することで、発光層15などの有機層にダメージを与えることなく除去が可能であり、高い発光特性の有機発光ダイオードを形成することができる。従って、簡便な手法で平面型表示装置が確実に形成することが可能となり、高い特性の有機発光ダイオードの形成が可能となる。
<表示装置の製造方法の第2の例>
表示装置の製造方法の第2の例について、図4〜図5を参照しながら説明する。表示装置の製造方法の第2の例の説明では、第1電極11/正孔輸送層13/発光層14/電子輸送層17/電子注入層18/第2電極19の構造を有する表示装置を製造する例について説明する。なお、図1と共通する部位に対しては同一の番号を付し、詳細な説明を省略する。
<赤色発光層15Rのパターニング>
図4(a)に示すように、基板10上に第1電極11と正孔輸送層13とをこの順で形成する。第1電極11は、必要に応じて塩化水素などの無機酸によって、フォトリソグラフィー法などにより形成されたマスクを用いてパターン加工されたものであってもよい。第1電極11、正孔輸送層13の形成は、例えば、真空蒸着法などで行う。なお、正孔輸送層13に重合反応性を有する材料を用い、製膜中に熱フィラメントから電子を放出させることで重合反応を促進させるようにすると、後工程の現像処理の際に、耐溶剤性を確保できるので好ましい。また、正孔輸送層13形成時に製膜中に熱フィラメントから電子を放出させることで重合反応を促進させる方法を採らないときには、製膜後、全面に電子照射を行うことで架橋反応を進行させて正孔輸送層13を高分子化するようにしてもよい。
図4(b)に示すように、さらに、赤色発光層15Rを正孔輸送層13上に、例えば真空蒸着法などにより、酸発生剤と、ラジカル重合反応性を有する発光材料との組成物を形成し、電子線などを照射して、発光材料を高分子化することにより形成する。なお、例えば、1e−5torrの真空下で、例えば150℃で1時間加熱することで発光材料を高分子化するようにしてもよい。
図4(c)に示すように、紫外線を照射する際に、赤色発光層15Rの所望の領域において、酸発生剤から酸を発生さるためにマスクを用いる。紫外線照射された領域では、赤色発光層15R中に含有する酸発生剤から酸が発生し、発生した酸と、高分子化した発光材料とが反応して、主鎖切断が発生して低分子化された領域(光分解領域14R’と称する)を形成する。
図4(d)に示すように、光分解領域14R’を、有機溶媒で溶解除去することによって、パターン化された赤色発光層15Rを形成する。なお、光分解領域14R’の除去を加熱除去で行ってもよい。材料の劣化を低減できる点からは、加熱除去が好ましい。
<緑色発光層15Gのパターニング>
図4(e)〜図4(f)および図5(g)に示すように、正孔輸送層13上およびパターン化された赤色発光層15R上に、酸発生剤と、ラジカル重合反応性を有する発光材料との組成物を形成し、電子線などを照射し、発光材料を高分子化することにより、緑色発光層15Gを形成した後、上述した図4(c)〜図4(d)に示す工程を順次行い、光分解領域14G’を除去してパターン化された緑色発光層15Gを形成する。
<青色発光層15Bのパターニング>
図5(h)〜図5(j)に示すように、正孔輸送層13上、パターン化された赤色発光層15R上およびパターン化された緑色発光層15G上に、酸発生剤と、ラジカル重合反応性を有する発光材料との組成物を形成し、電子線などを照射し、発光材料を高分子化することにより、青色発光層15Bを形成した後、上述した図4(c)〜図4(d)に示す工程を順次行い、光分解領域14B’を除去してパターン化された青色発光層15Bを形成する。
<電子輸送層17、電子注入層18、第2電極19の形成>
図5(k)〜図5(l)に示すように、第1電極11および発光層15R〜15B上に、電子輸送層17、電子注入層18、第2電極19をこの順に、例えば、真空蒸着法などにより形成する。以上により、表示装置を製造することができる。
表示装置の製造方法の第2の例では、酸発生剤としては、芳香族ジアニウム塩、o−キノンジアジド、o−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロライドなどを用いることができる。また、表示装置の製造方法の第1の例で説明したものと同様の材料を、適宜選択して用いることができる。
表示装置の製造方法の第2の例では、多色塗分けの場合において、透明電極である第1電極11上に正孔輸送層13を形成した後、第1色目の赤色発光層15Rを全面に形成し、その後、紫外線を照射することで所望の領域の酸分解反応を促進し、現像処理を行うことでパターン化された赤色発光層15Rを形成する。
その後、該第1色目の赤色発光層15R上に第2色目の緑色発光層15Gを全面に形成する。その後、所望な位置に紫外線を照射することで、第2色目の緑色発光層15Gの酸分解反応を進行させることで、照射領域に対する溶媒の可溶化を達成することができる。また同様の工程を繰り返すことにより3色目の青色発光層15Bを形成する。以上により、所謂RGBの三色のパターンを形成した後、電子輸送層17、電子注入層18および第2電極19を形成することで発光層15などの有機層にダメージを与えることなく除去が可能であり、高い発光特性の有機発光ダイオードを形成することができる。従って、簡便な手法で平面型表示装置が確実に形成することが可能となり、高い特性の有機発光ダイオードの形成が可能となる。
さらに、この発明の具体的な実施例について図面を参照して説明する。ただし、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
<実施例1>
実施例1は、特に、発光材料のホスト材料としてラジカル重合反応性を有するアクリルカルバゾール、ゲスト材料としてIr系色素を用い、ラジカル開始剤としてベンゾフェノンを用いて表示装置を製造した具体例である。以下、図6〜図7を参照しながら、実施例1について説明する。
図6(a)に示すように、ソーダライムガラス基板110上に電圧−電流を印加する可視領域に吸収の無い導電層としてITO層111を定法のスパッタ法により100nm形成した。なお、実施例1では、ITO層111のパターン化は行わなかった。
さらに、正孔輸送層112を以下の条件で形成した。なお、後工程の現像処理の際における耐溶剤性を確保するために、製膜中に熱フィラメントから電子を放出させることで重合反応を促進させた。
(正孔輸送層112形成条件)
原料 :アクリル変性 N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(acryl−TPD)
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
図6(b)に示すように、正孔輸送層112を形成した後に、赤色発光層114Rの前駆体となる前駆体層113Rを真空蒸着法により以下の条件で形成した。なお、後工程の紫外線照射により重合反応を発生させるラジカル開始剤としてのベンゾフェノンは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着を行った。
(前駆体層113R形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)
開始剤材料:ベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
図6(c)に示すように、前駆体層113Rを製膜した後、前駆体層113Rの所望の領域において、ラジカル開始剤を分解させ、ラジカルを発生させるためにマスクを用いて紫外線を照射した。前駆体層113Rのうち、紫外線を照射した領域では、ラジカル重合反応が進行し高分子化される。
図6(d)に示すように、非重合領域を有機溶媒で溶解除去することで、パターン化された赤色発光層114Rを形成した。
図6(e)に示すように、緑色発光層114Gの前駆体となる前駆体層113Gを以下の条件で形成した。なお、ラジカル開始剤としてベンゾフェノンは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着を行った。
(前駆体層113G形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)
開始剤材料:ベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
前駆体層113Gを製膜後、前駆体層113Gの所望の領域において、前駆体層113G中に含有するラジカル開始剤を分解させ、ラジカルを発生させるためにマスクを用いて紫外線を照射した。
更に、図6(f)に示すように、非重合領域を有機溶媒で溶解除去することで、パターン化された緑色発光層114Gを形成した。
図7(g)に示すように、さらに、正孔輸送層112、赤色発光層114Rおよび緑色発光層114G上に、青色発光層114Bの前駆体となる前駆体層を以下の条件で形成した後、図6(c)〜図6(d)と同様の工程を順次行い、電子輸送層115を以下の条件で所望の領域に形成した。
(青色発光層114Bの前駆体層形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:ビス(3,5−ジフルオロ−2−(2−ピリジイル)フェニル−(2−カルボキシピリジイル)イリジウム(III)
開始剤材料:ベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=180℃/1e−5torr
(電子輸送層115形成条件)
原料 :キノリノールアルミ錯体:(トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(III)(Alq3)
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
さらに、図7(h)に示すように、電子注入層116および電極層117を以下の条件で所望の領域に形成し、表示装置を完成した。
(電子注入層形成条件)
原料 :LiF
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=300℃/1e−5torr
(電極層形成条件)
原料 :Al
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
<実施例2>
実施例2は、特に、発光材料のホスト材料としてラジカル重合反応性を有するアクリルカルバゾール、ゲスト材料として同様にラジカル重合反応性を有するIr系色素を用い、ラジカル開始剤としてメチルアミノベンゾフェノンなどを用いて表示装置を作製した具体例である。
実施例2では、ラジカル重合反応性を有するゲスト材料を用いることで紫外線照射時に発生するラジカルによりゲスト材料にもラジカル重合反応やホスト材料との共重合反応が進行することで、後工程での薬剤による非重合領域除去工程でのゲスト材料の溶解および流出を効果的に抑制することができると考えられる。以下、図8〜図9を参照しながら実施例2について説明する。
図8(a)に示すように、ソーダライムガラス基板210上に、電圧−電流を印加する可視領域に吸収の無い導電層としてITO層211を定法のスパッタ法により100nm形成した。なお、実施例2では、ITO層211のパターン化は行わなかった。
さらに、正孔輸送層212を以下の条件で形成した。なお、後工程の現像処理の際における耐溶剤性を確保するために、製膜中に熱フィラメントから電子を放出させることで重合反応を促進させた。
(正孔輸送層212形成条件)
原料 :N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン アクリル変性(acryl−TPD)
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
図8(b)に示すように、正孔輸送層212を形成した後に、赤色発光層214Rの前駆体となる前駆体層213Rを真空蒸着法により、以下の条件で形成した。なお、ラジカル開始剤としてのメチルアミノベンゾフェノンは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着した。
(前駆体層213R形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:アクリル変性 ビス(1−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)
開始剤材料:メチルアミノベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5 torr
製膜後、図8(c)に示すように、前駆体層213Rを製膜した後、前駆体層213Rの所望の領域において、前駆体層213R中に含有するラジカル開始剤を分解させ、ラジカルを発生させるためにマスクを用いて紫外線を照射した。紫外線を照射した領域では、ラジカル重合反応が進行し高分子化される。
さらに、図8(d)に示すように、非重合領域を有機溶媒で溶解除去することで、パターン化された赤色発光層214Rを形成した。
図8(e)に示すように、緑色発光層214Gの前駆体となる前駆体層213Gを以下の条件で形成した。なお、ラジカル反応開始剤としてメチルアミノベンゾフェノンは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着を行った。
(前駆体層213G形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:アクリル変性 ビス(2−フェニルピリジン)(4−ビニルフェニルピリジン)イリジウム(III)
開始剤材料:メチルアミノベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
前駆体層213Gを製膜後、前駆体層213Gの所望の領域において、前駆体層213G中に含有するラジカル開始剤を分解させ、ラジカルを発生させるために、マスクを用いて紫外線を照射した。
さらに、図8(f)に示すように、非重合領域を有機溶媒で除去することで、パターン化された緑色発光層214Gを形成した。
図9(g)に示すように、さらに、正孔輸送層212、赤色発光層214Rおよび緑色発光層214G上に青色発光層214Bの前駆体となる前駆体層を以下の条件で形成した後、図8(c)〜図8(d)と同様の工程を順次行い、パターン化された青色発光層214Bを形成した。その後、さらに、電子輸送層215を以下の条件で所望の領域に形成した。
(青色発光214Bの前駆体層形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:ビス(48,68−ジフルオロフェニルピリジネート)テトラキス(1−ピラゾリル)ボレートイリジウム(III)(FIr6)
開始剤材料:ベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=180℃/1e−5torr
(電子輸送層215形成条件)
原料 :キノリノールアルミ錯体;(トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(Alq3)
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
更に、図9(h)に示すように、電子注入層216および上部電極となる電極層217を以下の条件で所望の領域に形成し、表示装置を完成した。
(電子注入層216形成条件)
原料 :LiF
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=300℃/1e−5torr
(電極層217形成条件)
原料 :Al
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
<実施例3>
実施例3は、特に、発光材料のホスト材料としてラジカル重合反応性を有するアクリルカルバゾール、ゲスト材料として同様にラジカル重合反応性を有するIr系色素を用い、ラジカル開始剤としてジメチルアミノベンゾフェノンなどを用いた具体例である。
実施例3では、ラジカル重合反応性を有するゲスト材料を用いることで、紫外線照射時に発生するラジカルによりゲスト材料にもラジカル重合反応やホスト材料との共重合反応が進行することで、後工程での非重合領域除去工程において、ゲスト材料の溶解および流出を効果的に抑制することができると考えられる。
また、実施例3は、非重合領域を加熱により除去することで、非重合領域除去工程で薬剤を用いた実施例2に比べて、各発光層へのダメージを最少になるように対策した具体例である。以下、図10〜図11を参照しながら実施例3について説明する。
図10(a)に示すように、ソーダライムガラス基板310上に、電圧−電流を印加する可視領域に吸収の無い導電層としてITO層311を定法のスパッタ法により100nm形成した。なお、実施例3では、ITO層311のパターン化は行わなかった。
さらに、正孔輸送層312を以下の条件で形成した。なお、後工程の現像処理における耐溶剤性を確保するために、製膜中に熱フィラメントから電子を放出させることで重合反応を促進させた。
<正孔輸送層312形成条件>
原料 :N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン アクリル変性(acryl−TPD)
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
図10(b)に示すように、正孔輸送層312を形成した後に、赤色発光層314Rの前駆体となる前駆体層313Rを真空蒸着法により以下の条件で形成した。なお、後工程の紫外線照射により重合反応を発生させるラジカル開始剤としてのメチルアミノベンゾフェノンは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着を行った。
<前駆体層314R形成条件>
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:アクリル変性 ビス(1−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)
開始剤材料:メチルアミノベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5 torr
図10(c)に示すように、前駆体層313Rを製膜した後、前駆体層313Rの所望の領域において、前駆体層313R中に含有する開始剤を分解させ、ラジカルを発生させるためにマスクを用いて紫外線を照射した。前駆体層313Rのうち、紫外線を照射した領域では、ラジカル重合反応が進行し高分子化される。
図10(d)に示すように、以下の条件で基板310を加熱することによって、非重合領域を除去することで、パターン化された赤色発光層314Rを形成した。
(加熱条件)
加熱温度/圧力=200℃/1e−5torr
図10(e)に示すように、緑色発光層314Gの前駆体となる前駆体層313Gを真空蒸着法により以下の条件で形成した。なお、ラジカル開始剤としてジメチルアミノベンゾフェノンは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着を行った。
(前駆体層313G形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:アクリル変性 ビス(2−フェニルピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(II)
開始剤材料:ジメチルアミノベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
前駆体層313Gを製膜後、前駆体層313Gの所望の領域において、前駆体層313G中に含有するラジカル開始剤を分解させ、ラジカルを発生させるためにマスクを用いて紫外線を照射した。
更に、図10(f)に示すように、以下の条件で基板310を加熱することにより非重合領域を除去することで、パターン化された緑色発光層313Gを形成した。
(加熱条件)
加熱温度/圧力=200℃/1e−5torr
図11(g)に示すように、さらに、正孔輸送層312、赤色発光層314Rおよび緑色発光層314G上に、青色発光層314Bの前駆体となる前駆体層を以下の条件で形成した後、図10(c)〜図10(d)と同様の工程を順次行い、パターン化された青色発光層314Bを形成した。その後、電子輸送層315を以下の条件で所望の領域に形成した。
(青色発光層314Bの前駆体層形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:アクリル酸変性 ビス(48,68−ジフルオロフェニルピリジネート)テトラキス(1−ピラゾリル)ボレートイリジウム(III)(FIr6)
開始剤材料:ジメチルアミノベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=190℃/1e−5torr
(電子輸送層315形成条件)
原料 :キノリノールアルミ錯体;(トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(III)(Alq3)
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
更に、図11(h)に示すように、電子注入層316および上部電極となる電極層317を真空蒸着法により、以下の条件で所望の領域に形成し、表示装置を完成した。
(電子注入層316形成条件)
原料 :LiF
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=300℃/1e−5torr
(電極層317形成条件)
原料 :Al
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=300℃/1e−5torr
<実施例4>
実施例4は、特に、発光材料のホスト材料としてラジカル反応性を付与したアクリルカルバゾール、ゲスト材料として蛍光性色素を用い、ラジカル開始剤としてベンゾフェノンを用いた具体例である。以下、図12〜図13を参照しながら、実施例4について説明する。
図12に示すように、ソーダライムガラス基板410上に電圧−電流を印加する可視領域に吸収の無い導電層としてITO層411を定法のスパッタ法により100nm形成した。なお、実施例4では、ITO層411をフォトリソグラフィー法によりパターン加工を行った。
さらに、正孔輸送層412を真空蒸着法により以下の条件で形成した。後工程の現像処理における耐溶剤性を確保するために、製膜中に熱フィラメントから電子を放出させることで重合反応を促進させた。
(正孔輸送層412形成条件)
原料 :N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン アクリル変性(acryl−TPD)
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
図12(b)に示すように、正孔輸送層412を形成した後に、赤色発光層414Rの前駆体となる前駆体層413Rを真空蒸着法により、以下の条件で形成した。なお、ラジカル開始剤としてのベンゾフェノンは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着を行った。
(前駆体層413R形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:(4−(ジ−シアノ−メチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチル−アミノ−スチリル)−4H−ピラン)(DCM)
開始剤材料:ベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
図12(c)に示すように、前駆体層413Rを製膜した後、前駆体層413Rの所望の領域において、ラジカル開始剤を分解させ、ラジカルを発生させるためにマスクを用いて紫外線を照射した。前駆体層413Rのうち、紫外線を照射した領域では、ラジカル重合反応が進行し高分子化される。
図12(d)に示すように、非重合領域を有機溶媒で溶解除去することで、パターン化された赤色発光層414Rを形成した。
図12(e)に示すように、緑色発光層414Gの前駆体となる前駆体層413Gを以下の条件で形成した。なお、ラジカル開始剤としてのベンゾフェノンは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着を行った。
(前駆体層413G形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:キナクリドン
開始剤材料:ベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
前駆体層413Gを製膜後、前駆体層413Gの所望の領域において、前駆体層413G中に含有するラジカル開始剤を分解させ、ラジカルを発生させるためにマスクを用いて紫外線を照射した。
さらに、図12(f)に示すように、非重合領域を有機溶媒で溶解除去することで、パターン化された緑色発光層414Gを形成した。
図13(g)に示すように、さらに、正孔輸送層412、赤色発光層414Rおよび緑色発光層414G上、青色発光層414Bの前駆体となる前駆体層を以下の条件で形成した後、電子輸送層415を以下の条件で所望の領域に形成した。
(青色発光層414Bの前駆体層形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:ペリレン
開始剤材料:ベンゾフェノン
蒸着条件 :蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
(電子輸送層415形成条件)
原料 :キノリノールアルミ錯体;トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(III)(Alq3)
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
さらに、図13(h)に示すように、電子注入層416および上部電極となる電極層417を以下の条件で所望の領域に形成し、表示装置を完成した。
(電子注入層416形成条件)
原料 :LiF
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=300℃/1e−5torr
(電極層417形成条件)
原料 :Al
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
<実施例5>
実施例5は、特に、発光材料のホスト材料としてラジカル重合反応性を有するアクリルカルバゾール、ゲスト材料としてIr系色素を用い、酸発生剤としては、o−キノンジアジドを用いて、表示装置を製造した具体例である。以下、図14〜図15を参照しながら実施例5について説明する。
図14(a)に示すように、ソーダライムガラス基板510上に電圧−電流を印加する可視領域に吸収の無い導電層としてITO層511をスパッタ法により100nm形成した。なお、実施例5では、ITO層511のパターン化は行わなかった。
さらに、正孔輸送層512を真空蒸着法により、以下の条件で形成した。後工程における現像処理における耐溶剤性を確保するために、製膜中に熱フィラメントから電子を放出させることで重合反応を促進させた。
(正孔輸送層512形成条件)
原料 :N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン アクリル変性(acryl−TPD)
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
図14(b)に示すように、正孔輸送層512を形成した後に、赤色発光層514Rを真空蒸着法により以下の条件で形成した。なお、電子線を照射し、発光材料を高分子化した。また、後工程の紫外線照射により酸を発生させる酸発生剤としてのo−キノンジアジドは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着を行った。
(赤色発光層514R形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)
酸発生剤:o−キノンジアジド
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
図14(c)に示すように、赤色発光層514Rを製膜した後、赤色発光層514Rの所望の領域において、酸発生剤を分解させ、酸を発生させるためにマスクを用いて紫外線を照射した。赤色発光層514Rのうち、紫外線が照射された領域では、分解反応が進行し、低分子化される。
図14(d)に示すように、光分解領域513Rを有機溶媒で溶解除去することで、パターン化された赤色発光層514Rを形成した。
図14(e)に示すように、緑色発光層514Gを、真空蒸着法により以下の条件で形成した。なお、電子線を照射し、発光材料を高分子化した。また、酸発生剤o−キノンジアジドは、ホスト材料およびゲスト材料と共に蒸着を行った。
(緑色発光層514G形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)
酸発生剤:o−キノンジアジド
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
緑色発光層514Gを製膜した後、緑色発光層514Gの所望の領域において、酸発生剤を分解させ、酸を発生させるためにマスクを用いて紫外線を照射した。
更に、図14(f)に示すように、光分解領域513Rを有機溶媒で溶解除去することで、パターン化された緑色発光層514Gを形成した。
図15(g)に示すように、さらに、正孔輸送層512、赤色発光層514Rおよび緑色発光層514G上に、青色発光層514Bを以下の条件で形成した後、図14(c)〜図14(d)と同様の工程を順次行い、パターン化された青色発光層514Bを形成した。その後、さらに電子輸送層515を以下の条件で所望の領域に形成した。
(青色発光層514B形成条件)
原料 :ホスト材料:カルバゾールアクリレート
ゲスト材料:ビス(3,5−ジフルオロ−2−(2−ピリジイル)フェニル−(2−カルボキシピリジイル)イリジウム(III)
酸発生剤:o−キノンジアジド
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=180℃/1e−5torr
(電子輸送層515形成条件)
原料:キノリノールアルミ錯体;(トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(III)(Alq3)
蒸着条件 蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
更に、図15(h)に示すように、電子注入層516および上部電極となる電極層517を以下の条件で所望の領域に形成し、表示装置を完成した。
(電子注入層516形成条件)
原料:LiF
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=300℃/1e−5torr
(電極層517形成条件)
原料:Al
蒸着条件:蒸着温度/蒸着圧力=200℃/1e−5torr
以上この発明の実施形態および実施例について説明したが、この発明は、上述したこの発明の実施形態および実施例に限定されるものでは無く、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。
例えば、発光層の発光色は、赤色、青色、緑色に限定されるものではない。また、異なる3色の発光層を形成する表示装置の製造方法について、説明したが、1色または2色の発光層や、4色以上の発光層を有する表示装置の製造方法にも適用可能である。
また、例えば、上述の実施形態および実施例で挙げた数値、構造、材料などは、あくまで例に過ぎず、必要に応じて、これと異なる数値、構造、材料などを用いてもよい。
この発明の一実施形態による表示装置の構成例を示す断面図である。 この発明の一実施形態による表示装置の製造方法の第1の例を説明するための工程図である。 この発明の一実施形態による表示装置の製造方法の第1の例を説明するための工程図である。 この発明の一実施形態による表示装置の製造方法の第2の例を説明するための工程図である。 この発明の一実施形態による表示装置の製造方法の第2の例を説明するための工程図である。 実施例1を説明するための工程図である。 実施例1を説明するための工程図である。 実施例2を説明するための工程図である。 実施例2を説明するための工程図である。 実施例3を説明するための工程図である。 実施例3を説明するための工程図である。 実施例4を説明するための工程図である。 実施例4を説明するための工程図である。 実施例5を説明するための工程図である。 実施例5を説明するための工程図である。
符号の説明
10・・・基板
11・・・第1電極
12・・・正孔注入層
13・・・正孔輸送層
14R、14B、14G・・・前駆体層
14R’、14B’、14G’・・・光分解領域
15・・・発光層
15G・・・緑色発光層
15R・・・赤色発光層
15B・・・青色発光層
16・・・正孔ブロッキング層
17・・・電子輸送層
18・・・電子注入層
19・・・第2電極
20・・・電源

Claims (32)

  1. 第1電極および第2電極と、第1電極および第2電極の間に設けられた少なくとも発光層を含む1層以上の有機層と、を備える表示装置の製造方法であって、
    上記発光層を、
    ラジカル開始剤とラジカル重合反応性を有する発光材料とからなる組成物層を形成する工程と、
    上記組成物層を励起することにより、上記組成物層のうち上記組成物層が高分子化された領域を形成する工程と、
    上記組成物層のうち、上記高分子化された領域以外を除去する工程と
    により形成すること
    を特徴とする表示装置の製造方法。
  2. 上記組成物層の励起を、紫外線、電子線、イオンまたは放射線を照射することによって行うこと
    を特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
  3. 上記発光材料が、ホスト材料と、ゲスト材料とから構成されており、
    上記ホスト材料が、ホールと電子とが再結合性を有する有機材料にラジカル反応性の官能基が導入された有機材料であり、
    上記ゲスト材料が、励起分子が失活する際に光を放出する有機材料であること
    を特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
  4. 上記ゲスト材料が、ラジカル反応性の官能基が導入された有機材料であること
    を特徴とする請求項3記載の表示装置の製造方法。
  5. 上記ホスト材料が、上記ラジカル反応性の官能基を一つ有するものであること
    を特徴とする請求項3記載の表示装置の製造方法。
  6. 上記高分子化された領域以外の除去を、加熱により行うこと
    を特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
  7. 上記ゲスト材料が、蛍光性材料または燐光性材料であること
    を特徴とする請求項3記載の表示装置の製造方法。
  8. 上記ゲスト材料が、蛍光性材料であること
    を特徴とする請求項3記載の表示装置の製造方法。
  9. 上記発光層の下層が、重合反応性を有する材料からなり、
    上記発光層の下層を形成する際に、上記発光層の下層を高分子化する工程をさらに備えること
    を特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
  10. 発光層上および該発光層の下層上に、ラジカル開始剤とラジカル重合反応性を有する発光材料とからなる他の組成物層を形成する工程と、
    上記他の組成物層を励起することにより、上記他の組成物層が高分子化された領域を形成する工程と、
    上記他の組成物層を励起することにより、上記他の組成物層が高分子化された領域を形成する工程と、
    上記他の組成物層のうち、上記高分子化された領域以外を除去する工程と、によりさらに他の発光層を形成すること
    を特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
  11. 第1電極および第2電極と、第1電極および第2電極の間に設けられた少なくとも発光層を含む1層以上の有機層と、を備える表示装置の製造方法であって、
    上記発光層を、
    酸発生剤と、高分子化された発光材料とからなる組成物層を形成する工程と、
    上記組成物層を励起することにより、上記組成物層のうち上記発光材料が低分子化された領域を形成する工程と、
    上記低分子化された領域を除去する工程と
    により形成すること
    を特徴とする表示装置の製造方法。
  12. 上記組成物層の励起を、紫外線、電子線、イオンまたは放射線を照射することによって行うこと
    を特徴とする請求項11記載の表示装置の製造方法。
  13. 上記発光材料が、ホスト材料と、ゲスト材料とから構成されており、
    上記ホスト材料が、ホールと電子とが再結合性を有する有機材料にラジカル反応性の官能基が導入された有機材料であり、
    上記ゲスト材料が、励起分子が失活する際に光を放出する有機材料であること
    を特徴とする請求項11記載の表示装置の製造方法。
  14. 上記ゲスト材料が、ラジカル反応性の官能基が導入された有機材料であること
    を特徴とする請求項13記載の表示装置の製造方法。
  15. 上記ホスト材料が、上記ラジカル反応性の官能基を一つ有するものであること
    を特徴とする請求項13記載の表示装置の製造方法。
  16. 上記ゲスト材料が、蛍光性材料または燐光性材料であること
    を特徴とする請求項13記載の表示装置の製造方法。
  17. 上記ゲスト材料が、蛍光性材料であること
    を特徴とする請求項13記載の表示装置の製造方法。
  18. 上記発光層の下層が、重合反応性を有する材料からなり、
    上記発光層の下層を形成する際に、上記発光層の下層を高分子化する工程をさらに備えること
    を特徴とする請求項11記載の表示装置の製造方法。
  19. 発光層上および該発光層の下層上に、酸発生剤と、高分子化された発光材料とからなる組成物層とからなる他の組成物層を形成する工程と、
    上記他の組成物層を励起することにより、上記組成物層のうち上記発光材料が低分子化された領域を形成する工程と、
    上記他の組成物層のうち、上記低分子化された領域を除去する工程と、によりさらに他の発光層を形成すること
    を特徴とする請求項11記載の表示装置の製造方法。
  20. ラジカル開始剤と、
    ラジカル重合反応性を有する発光材料と
    を含む表示装置製造用組成物。
  21. 上記発光材料が、ホスト材料と、ゲスト材料とから構成されており、
    上記ホスト材料が、ホールと電子とが再結合性を有する有機材料にラジカル反応性の官能基が導入された有機材料であり、
    上記ゲスト材料が、励起分子が失活する際に光を放出する有機材料であること
    を特徴とする請求項20記載の表示装置製造用組成物。
  22. 上記ゲスト材料が、ラジカル反応性の官能基が導入された有機材料であること
    を特徴とする請求項21記載の表示装置製造用組成物。
  23. 上記ホスト材料が、上記ラジカル反応性の官能基を一つ有するものであること
    を特徴とする請求項21記載の表示装置製造用組成物。
  24. 上記ゲスト材料が、蛍光性材料または燐光性材料であること
    を特徴とする請求項21記載の表示装置製造用組成物。
  25. 上記ゲスト材料が、蛍光性材料であること
    を特徴とする請求項21記載の表示装置製造用組成物。
  26. 酸分解剤と、
    ラジカル重合反応性を有する発光材料と
    を含む表示装置製造用組成物。
  27. 上記発光材料が、ホスト材料と、ゲスト材料とから構成されており、
    上記ホスト材料が、ホールと電子とが再結合性を有する有機材料にラジカル反応性の官能基が導入された有機材料であり、
    上記ゲスト材料が、励起分子が失活する際に光を放出する有機材料であること
    を特徴とする請求項26記載の表示装置製造用組成物。
  28. 上記ゲスト材料が、ラジカル反応性の官能基が導入された有機材料であること
    を特徴とする請求項27記載の表示装置製造用組成物。
  29. 上記ホスト材料が、上記ラジカル反応性の官能基を一つ有するものであること
    を特徴とする請求項27記載の表示装置製造用組成物。
  30. 上記ゲスト材料が、蛍光性材料または燐光性材料であること
    を特徴とする請求項27記載の表示装置製造用組成物。
  31. 上記ゲスト材料が、蛍光性材料であること
    を特徴とする請求項27記載の表示装置製造用組成物。
  32. 第1の電極および第2の電極と、上記第1の電極と上記第2の電極との間に設けられた少なくとも発光層を含む1層以上の有機層と、を備え、
    上記発光層が、ラジカル重合反応性を有する発光材料に由来する繰り返し単位を構造に含む高分子化合物を有すること
    を特徴とする表示装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120055713A (ko) * 2009-08-24 2012-05-31 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 유기 발광 다이오드 조명기구
JP4893839B2 (ja) * 2010-03-29 2012-03-07 住友化学株式会社 発光装置の製造方法
CN102749778B (zh) * 2012-07-03 2014-12-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和液晶显示装置
JP6374329B2 (ja) * 2014-06-26 2018-08-15 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、および電子機器
CN109860433B (zh) * 2019-01-09 2021-06-11 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置
CN110112304B (zh) * 2019-04-30 2020-10-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光层的制备方法及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002069013A (ja) * 2000-07-03 2002-03-08 Korea Res Inst Chem Technol アセチレン基を含む有機化合物、その蒸着重合法、その蒸着重合薄膜及びその薄膜を使用した電気発光素子
JP2004349224A (ja) * 2003-03-24 2004-12-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2005519429A (ja) * 2002-03-04 2005-06-30 シーディーティー オックスフォード リミテッド 燐光体組成物及びそれを含む有機発光装置
JP2007053044A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5176962A (en) * 1989-02-28 1993-01-05 Basf Aktiengesellschaft Methacrylate (co)polymers containing carbazolyl side groups and electropohotographic recording elements containing the said (co)polymers
DE19500912A1 (de) * 1995-01-13 1996-07-18 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US20010017155A1 (en) * 1998-04-09 2001-08-30 Erika Bellmann Hole-transporting polymers
US6635412B2 (en) * 2000-07-11 2003-10-21 Martin A. Afromowitz Method for fabricating 3-D structures with smoothly-varying topographic features in photo-sensitized epoxy resists
KR100475849B1 (ko) * 2002-04-17 2005-03-10 한국전자통신연구원 습식 공정에 의하여 형성된 엔캡슐레이션 박막을 갖춘유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법
ITVA20030040A1 (it) * 2003-10-27 2005-04-28 Lamberti Spa Fotoiniziatore solido bianco in polvere e procedimento per la sua preparazione.
KR20070001237A (ko) * 2004-04-22 2007-01-03 제이에스알 가부시끼가이샤 저굴절률 코팅 조성물

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002069013A (ja) * 2000-07-03 2002-03-08 Korea Res Inst Chem Technol アセチレン基を含む有機化合物、その蒸着重合法、その蒸着重合薄膜及びその薄膜を使用した電気発光素子
JP2005519429A (ja) * 2002-03-04 2005-06-30 シーディーティー オックスフォード リミテッド 燐光体組成物及びそれを含む有機発光装置
JP2004349224A (ja) * 2003-03-24 2004-12-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2007053044A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

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