KR20120094123A

KR20120094123A - 도전성 입자 및 그 제조 방법, 및 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법

Info

Publication number: KR20120094123A
Application number: KR1020127018144A
Authority: KR
Inventors: 히로키 오제키; 토모유키 이시마츠; 레이지 츠카오
Original assignee: 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤
Priority date: 2010-08-31
Filing date: 2011-08-23
Publication date: 2012-08-23
Also published as: US8987607B2; WO2012029587A1; HK1174433A1; KR101385330B1; CN102792386B; JP2010278026A; JP5410387B2; US20120279781A1; TWI443684B; TW201214472A; CN102792386A

Abstract

도전성 입자는, 코어 입자와, 상기 코어 입자의 표면에 형성된 도전층을 갖고, 상기 코어 입자가 수지 및 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되고, 상기 도전층의 표면이 인 함유 소수성기를 갖는 것을 특징으로 한다.

Description

도전성 입자 및 그 제조 방법, 및 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법{CONDUCTIVE PARTICLE, METHOD FOR PRODUCING SAME, ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, ASSEMBLY AND CONNECTION METHOD}

본 발명은, 도전성 입자 및 그 제조 방법, 및 상기 도전성 입자를 사용한 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법에 관한 것이다.

액정 디스플레이와 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package: TCP)의 접속, 플렉시블 회로 기판(Flexible Printed Circuit: FPC)과 TCP의 접속, 또는 FPC와 프린트 배선판(Printed Wiring Board: PWB)의 접속과 같은 회로 부재끼리의 접속에는 바인더 수지 중에 도전성 입자를 분산시킨 회로 접속 재료(예를 들어, 이방성 도전 필름)가 사용되고 있다. 또한, 최근에는 반도체 실리콘 칩을 기판에 실장할 경우, 회로 부재끼리의 접속을 위해 와이어 본드를 사용하지 않고, 반도체 실리콘 칩을 페이스 다운하여 기판에 직접 실장하는 소위 플립 칩 실장이 행해지고 있다. 이 플립 칩 실장에 있어서도, 회로 부재끼리의 접속에는 이방성 도전 필름 등의 회로 접속 재료가 사용되고 있다.

상기 이방성 도전 필름은 일반적으로, 바인더 수지와, 도전성 입자를 함유하고 있다. 이 도전성 입자로서 경도가 높고, 또한 금(Au)에 비하여 비용을 저감할 수 있다는 관점에서 예를 들어 니켈(Ni)계의 도전성 입자가 주목받고 있다.

상기 니켈(Ni)계의 도전성 입자로서, 예를 들어 수지 입자와, 상기 수지 입자의 표면에 형성된 니켈 또는 니켈 합금을 함유하는 도전층으로 이루어지고, 상기 도전층은, 표면에 괴상 미립자의 응집체로 이루어지는 돌기를 갖고, 상기 도전층의 인 함유율이 2 ％ 내지 8 ％인 도전성 입자가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).

그러나, 이 도전성 입자에는 표면 수식이 이루어지고 있지 않고, 내부식성(내습성)이 낮으므로, 접속 신뢰성이 낮아져 버리는 문제가 있었다.

상기 니켈(Ni)계의 도전성 입자로서, 수지 입자와, 상기 수지 입자의 표면에 형성된 도전층으로 이루어지고, 상기 도전층이 인 함유율 10 ％ 내지 18 ％인 비결정 구조 니켈 도금층과, 인 함유율 1 ％ 내지 8 ％인 결정 구조 니켈 도금층을 갖는 도전성 입자가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).

그러나, 이 도전성 입자에는, 도전층에 있어서의 비결정 구조 부분의 경도가 낮고, 또한, 표면 수식이 이루어지지 않고, 내부식성이 낮으므로, 접속 신뢰성이 낮아져 버리는 문제가 있었다.

상기 니켈(Ni)계의 도전성 입자로서, 수지 입자와, 상기 수지 입자의 표면이 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층과 최표면을 금층으로 하는 다층의 도전성막으로 피복되어 있고, 상기 금속 도금 피막 중에 있어서, 기재 미립자측에서 금속 도금 피막 막 두께의 20 ％ 이하의 영역에서 금속 도금 조성 중에 10 질량％ 내지 20 질량％의 인을 함유하고, 금속 도금 피막 표면측으로부터 금속 도금 피막 막 두께의 10 ％ 이하의 영역에서 금속 도금 조성 중에 1 질량％ 내지 10 질량％의 인을 함유하는 도전성 미립자가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 3 참조).

그러나, 이 도전성 입자에는, 도전층에 경도가 낮은 부분이 존재하고, 또한, 표면 수식이 이루어지지 않고, 내부식성이 낮으므로, 접속 신뢰성이 낮아져 버리는 문제가 있었다.

상기 니켈(Ni)계의 도전성 입자로서, 코어 입자와, 상기 코어 입자의 표면에 형성된 도전층을 갖는 도전성 입자이며, 상기 코어 입자가 니켈 입자이고, 상기 도전층이, 표면의 인 농도가 10 질량％ 이하인 니켈 도금층이며, 상기 도전층의 평균 두께가 1 nm 내지 10 nm인 도전성 입자가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 4 참조).

그러나, 이 도전성 입자에는, 표면 수식이 이루어지지 않고, 내부식성이 낮으므로, 접속 신뢰성이 낮아져 버리는 문제가 있었다.

상기 니켈(Ni)계의 도전성 입자로서, 금 및／또는 팔라듐을 포함하는 금속 원자로 구성되는 금속 표면을 갖는 최외층과 상기 최외층의 내측에 배치된 니켈층을 포함하는 도전 입자의 상기 금속 표면을, 말단에 황 원자를 갖는 표면 수식기로 피복된 도전 입자가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 5 참조).

그러나, 이 도전성 입자에는, 표면 수식이 이루어져 있지만, 내부식성을 향상시킬 수 없으므로, 접속 신뢰성이 낮아져 버리는 문제가 있었다.

이상에서, 도전층의 경도를 저하시키지 않고, 도전층의 산화를 억제하면서, 내부식성을 향상시킬 수 있는 도전성 입자의 개발이 강하게 요망되고 있다.

일본 특허 공개 제2006-302716호 공보 일본 특허 제4235227호 공보 일본 특허 제2006-228475호 공보 일본 특허 공개 제2010-73681호 공보 일본 특허 제2009-280790호 공보

본 발명은, 종래에 있어서의 여러 문제를 해결하여, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은, 도전층의 경도를 저하시키지 않고, 도전층의 산화를 억제하면서, 내부식성을 향상시킬 수 있는 도전성 입자 및 그 제조 방법, 및 상기 도전성 입자를 사용한 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하는 수단으로서는, 이하와 같다. 즉,

<1> 코어 입자와, 상기 코어 입자의 표면에 형성된 도전층을 갖고, 상기 코어 입자가 수지 및 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되고, 상기 도전층의 표면이 인 함유 소수성기를 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 입자이다.

<2> 코어 입자와, 상기 코어 입자의 표면에 형성된 도전층을 갖고, 상기 코어 입자가 수지 및 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되고, 상기 도전층의 표면이 인 함유 화합물에 의해 소수화 처리되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전성 입자이다.

<3> 코어 입자가 수지 입자이며, 도전층이 니켈 도금층인 상기 <1> 또는 <2>에 기재된 도전성 입자이다.

<4> 코어 입자와, 상기 코어 입자의 표면에 형성된 도전층을 갖는 도전성 입자의 제조 방법이며, 상기 코어 입자가 수지 및 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되고, 상기 도전층의 표면을 인 함유 화합물에 의해 소수화 처리하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조 방법이다.

<5> 인 함유 화합물에 의한 소수화 처리 전의 도전층에 있어서의 인 농도가 10 질량％ 이하인 상기 <4>에 기재된 도전성 입자의 제조 방법이다.

<6> 인 함유 화합물에 의한 소수화 처리 전의 도전층에 있어서의 인 농도가 2.5 질량％ 내지 7.0 질량％인 상기 <5>에 기재된 도전성 입자의 제조 방법이다.

<7> 인 함유 화합물이 인산 화합물인 상기 <4> 내지 <6> 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자의 제조 방법이다.

<8> 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자와, 바인더 수지를 포함하고, 상기 바인더 수지가 에폭시 수지 및 아크릴레이트 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름이다.

<9> 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지 및 우레탄 수지 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 상기 <8>에 기재된 이방성 도전 필름이다.

<10> 경화제를 더 포함하는 상기 <8> 또는 <9>에 기재된 이방성 도전 필름이다.

<11> 실란 커플링제를 더 포함하는 상기 <8> 내지 <10> 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름이다.

<12> 제1 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재에 대향하는 제2 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재 및 상기 제2 회로 부재간에 배치된 상기 <8> 내지 <11> 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 갖고, 상기 제1 회로 부재에 있어서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에 있어서의 전극이, 도전성 입자를 개재하여 접속된 것을 특징으로 하는 접합체이다.

<13> 제1 회로 부재가 플렉시블 회로 기판이며, 제2 회로 부재가 프린트 배선 기판인 상기 <12>에 기재된 접합체이다.

<14> 상기 <8> 내지 <11> 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 사용한 접속 방법이며, 제1 회로 부재 및 제2 회로 부재 중 어느 하나에 상기 이방성 도전 필름을 부착하는 필름 부착 공정과, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재를 위치 정렬하는 얼라인먼트 공정과, 상기 제1 회로 부재에 있어서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에 있어서의 전극을, 도전성 입자를 개재하여 접속하는 접속 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접속 방법이다.

<15> 제1 회로 부재가 플렉시블 회로 기판이며, 제2 회로 부재가 프린트 배선 기판인 상기 <14>에 기재된 접속 방법이다.

본 발명에 따르면, 종래에 있어서의 상기 여러 문제를 해결하여, 상기 목적을 달성할 수 있고, 도전층의 경도를 저하시키지 않고, 도전층의 산화를 억제하면서, 내부식성을 향상시킬 수 있는 도전성 입자 및 그 제조 방법, 및 상기 도전성 입자를 사용한 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법을 제공할 수 있다.

도 1은, 본 발명의 도전성 입자에서의 소수화 처리를 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는, 본 발명의 도전성 입자의 단면도(첫번째)이다.
도 3은, 본 발명의 도전성 입자의 단면도(두번째)이다.

(도전성 입자 및 그 제조 방법)

본 발명의 도전성 입자는, 적어도, 코어 입자와, 도전층을 갖고, 필요에 따라, 돌기 등을 갖는다.

<코어 입자>

상기 코어 입자로는, 상기 코어 입자가 수지 및 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되어 있는 한, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 수지 입자, 금속 입자, 등을 들 수 있다. 상기 코어 입자는, 단층 구조, 복수 구조 중 어느 하나일 수도 있다.

-수지 입자-

상기 수지 입자로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

상기 수지 입자의 형상으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 표면 형상이 미소 요철을 갖는 것이 바람직하다.

상기 수지 입자의 구조로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 단층 구조, 적층 구조, 등을 들 수 있다.

상기 수지 입자의 수 평균 입자 직경으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1 ㎛ 내지 50 ㎛가 바람직하고, 2 ㎛ 내지 20 ㎛가 보다 바람직하고, 5 ㎛ 내지 10 ㎛가 특히 바람직하다.

상기 수지 입자의 수 평균 입자 직경이 1 ㎛ 미만이고, 또는, 50 ㎛를 초과하면 입도 분포를 샤프한 것을 얻지 못하는 경우가 있고, 공업적인 제조가 실용적 용도의 관점에서 보아도 필요성이 부족한 경우가 있다. 한편, 상기 수지 입자의 수 평균 입자 직경이 상기 특히 바람직한 범위 내이면, 양호한 접속 신뢰성을 얻는다는 점에서 유리하다.

또한, 상기 수지 입자의 수 평균 입자 직경은 예를 들어 입도 분포 측정 장치(닛끼소사제, 마이크로트랙 MT3100)를 사용하여 측정된다.

상기 수지 입자의 재질로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔, 폴리알킬렌텔레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지, (메트)아크릴산에스테르 중합체, 디비닐벤젠 중합체, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체, 디비닐벤젠-(메트)아크릴산 에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.

이들 중에서도, (메트)아크릴산 에스테르 중합체, 디비닐벤젠 중합체, 디비닐벤젠계 중합체가 바람직하다.

여기서, (메트)아크릴산 에스테르란, 메타크릴산 에스테르 및 아크릴산 에스테르 중 어느 하나를 의미하고, 상기 (메트)아크릴산 에스테르는, 필요에 따라 가교형, 비가교형 중 어느 하나일 수도 있고, 이들을 혼합하여 사용할 수도 있다.

-금속 입자-

상기 금속 입자로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

상기 금속 입자의 형상으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 접속 면적을 크게 하여 고전류를 흘릴 수 있는 점에서, 표면 형상이 미소 요철을 갖는 것이 바람직하다.

상기 금속 입자의 구조로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 단층 구조, 적층 구조, 등을 들 수 있다.

상기 금속 입자의 수 평균 입자 직경으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1 ㎛ 내지 50 ㎛가 바람직하고, 2 ㎛ 내지 20 ㎛가 보다 바람직하고, 5 ㎛ 내지 10 ㎛가 특히 바람직하다.

상기 금속 입자의 수 평균 입자 직경이 1 ㎛ 미만이거나, 또는, 50 ㎛를 초과하면, 입도 분포가 샤프게 얻지 못하는 경우가 있고, 공업적인 제조가 실용적 용도의 점으로부터 보아도 필요성이 부족할 경우가 있다. 한편, 상기 금속 입자의 수 평균 입자 직경이 상기 특히 바람직한 범위 내이면, PWB와 FPC의 접속 후에 압흔 검사가 가능하게 되는 점에서 유리하다.

또한, 상기 금속 입자의 수 평균 입자 직경은 예를 들어 입도 분포 측정 장치(닛끼소사제, 마이크로트랙 MT3100)를 사용하여 측정된다. 상기 금속 입자의 재질로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 금, 순 니켈, 불순물 함유 니켈, 등을 들 수 있다.

상기 불순물로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 유기물, 무기물 중 어느 하나일 수도 있고, 예를 들어 인, 붕소, 탄소 등을 들 수 있다.

<도전층>

상기 도전층으로는, 코어 입자의 표면에 형성되고, 표면에 인 함유 소수성기를 갖는 한, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 니켈 도금층, 니켈/금 도금층 등을 들 수 있다.

상기 도전층을 형성하는 도금 방법으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 무전해법, 스퍼터링법 등을 들 수 있다.

-인 함유 소수성기-

상기 인 함유 소수성기는 인 원자 및 탄소수 3 이상의 소수성기를 갖는 기를 나타내며, 예를 들어 하기 화학식(1)로 표시되는 기를 들 수 있다.

<화학식 1>

단, R은, 탄소수 3 이상의 알킬기를 나타낸다.

상기 소수성기로는 탄소수 3 이상인 한, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 알킬기(장쇄 알킬쇄) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 알킬기(장쇄 알킬쇄)는 치환기를 가질 수도 있고, 직쇄상에서도, 분지를 가질 수도 있지만, 치환기를 갖지 않은 직쇄상인 것이 바람직하다.

상기 알킬기(장쇄 알킬쇄)의 탄소수로는 3 이상인 한, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 3 내지 16이 바람직하고, 4 내지 12가 보다 바람직하다.

상기 탄소수가 3 미만이면 도전성 입자의 표면이 산화되기 쉬워지는 경우가 있고, 16을 초과하면 접속 저항값이 높아지는 경우가 있다. 한편, 상기 탄소수가 보다 바람직한 범위 내이면, 양호한 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

상기 인 함유 소수성기의 구체예로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 인산 에스테르기 등을 들 수 있다.

상기 도전층에 인 함유 소수성기가 도입되었는지 여부는 XPS에 의한 측정, TOF-SIMS에 의한 측정, TEM에 의한 단면 관찰, IR 측정 등에 의해, 도전층 표면에 있어서의 인 원자 및 에스테르 결합 중 어느 하나의 존재의 유무에 의해 판단할 수 있다.

상기 도전층에 있어서 인 농도가 낮을수록 결정성이 증가하기 때문에, 도전율이 높아지고, 경도가 높아져, 도전성 입자의 표면이 산화되기 어려워진다. 따라서, 상기 도전층에 있어서 인 농도가 낮으면, 도전성 입자를 개재한 회로 부재끼리의 접속에 있어서 높은 접속 신뢰성이 얻어진다. 그러나, 상기 도전층에 있어서 인 농도가 낮으면, 이온화되기 쉬워져 내습성이 저하된다.

따라서, 상기 도전층의 표면에 인 함유 소수성기를 도입하여, 도전층에 있어서의 인 농도를 낮게 유지하고 도전층의 표면의 인 농도만을 높게 함으로써(도전층의 표면에 인을 편재시킴), 도전층이 열화되어(도전층의 경도가 저하되어) 산화되지 않도록 할 수 있고, 또한, 도전성 입자의 표면이 산화되는 것을 더욱 방지할 수 있어, 도전성 입자의 내부식성(내습성)을 더 향상시킬 수 있다.

상기 인 함유 화합물에 의한 소수화 처리 전의 도전층에 있어서의 인 농도로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 10 질량％ 이하가 바람직하고, 2.5 질량％ 내지 7.0 질량％가 보다 바람직하다.

여기서, 상기 도전층 내에서 인 농도 구배를 가질 수도 있다. 예를 들어, 상기 도전층의 코어 입자측의 인 농도가 15 질량％이어도 상기 도전층에 있어서의 인 농도가 10 질량％ 이하이면 된다.

상기 인 함유 화합물에 의한 소수화 처리 전의 도전층에 있어서의 인 농도가 10 질량％ 이하이면, 도전층의 도전율 및 경도가 높아지고, 산화막이 있는 전극(배선)에 대해서도 장기에 걸쳐 접속 신뢰성이 우수하다. 한편, 상기 인 함유 화합물에 의한 소수화 처리 전의 도전층에 있어서의 인 농도가 10 질량％보다 높아지면, 연전성(延展性)이 증가함으로써, 산화막이 있는 전극(배선)에 대하여 낮은 접속 저항을 얻지 못하는 경우가 있다. 한편, 상기 인 함유 화합물에 의한 소수화 처리 전의 도전층에 있어서의 인 농도가 보다 바람직한 범위 내이면, 양호한 접속 신뢰성을 얻는 점이나 도전성 입자의 보존 안정성을 향상시킬 수 있는 점에서 유리하다.

상기 인 함유 화합물에 의해 소수화 처리되어 이루어지는 도전층 표면(후술하는 인 함유 화합물에 의해 소수화 처리되어 이루어지는 도전층 표면)의 인 농도로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.5 질량％ 내지 10 질량％가 바람직하고, 1 질량％ 내지 8 질량％가 보다 바람직하다.

상기 도전층 표면의 인 농도가 0.5 질량％ 미만이면 도전층의 결정성이 지나치게 높아지는 경우가 있고, 10 질량％를 초과하면, 도전층이 산화하기 쉬워지는 경우가 있다. 한편, 상기 도전층 표면의 인 농도가 보다 바람직한 범위 내이면, 양호한 접속 신뢰성을 얻는 점에서 유리하다.

상기 도전층에 있어서의 인 농도를 조정하는 방법으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 도금 반응의 pH를 제어하는 방법, 도금액 중의 인산 농도를 제어하는 방법 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 도금 반응의 pH를 제어하는 방법이 반응 제어가 우수하다는 점에서 바람직하다.

또한, 상기 도전층에 있어서의 인 농도 및 상기 도전층 표면의 인 농도는, 예를 들어 에너지 분산형 X선 분석 장치(호리바 세이사꾸쇼제, 상품명 FAEMAX-7000)를 사용하여 측정된다.

상기 도전층의 평균 두께로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 20 nm 내지 200 nm가 바람직하고, 50 nm 내지 150 nm가 보다 바람직하다.

상기 도전층의 평균 두께가 20 nm 미만이면 접속 신뢰성이 악화되는 경우가 있고, 200 nm를 초과하면, 입자끼리가 도금에 의해 응집하기 쉬워져, 거대 입자가 생기기 쉬워지는 경우가 있다. 한편, 상기 도전층의 평균 두께가 보다 바람직한 범위 내이면, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있고, 또한, 도전층을 형성하는 도금 공정 시에 도금 입자의 응집을 피할 수 있어, 2개 내지 3개의 도금 연결 입자가 형성되는 것을 방지하여, 쇼트를 방지할 수 있다.

또한, 상기 코어 입자가 니켈 입자인 도전성 입자는 상기 코어 입자가 수지 입자인 도전성 입자보다도 상기 도전층으로서 니켈 도금층을 얇게 형성할 수 있다.

또한, 상기 도전층의 평균 두께는 무작위로 선택한 10개의 도전성 입자의 도전층의 두께를 예를 들어 수렴 이온 빔 가공 관찰 장치(히타치 하이테크놀로지사제, 상품명 FB-2100)를 사용하여 단면 연마를 행하여, 투과 전자 현미경(히타치 하이테크놀로지사제, 상품명 H-9500)을 사용하여 측정하고, 이들 측정값을 산술 평균한 두께이다.

이하, 본 발명의 도전성 입자를 도 2 및 도 3을 사용하여 설명한다. 도전성 입자(10)로서는, 니켈 입자(12)와 니켈 입자(12)의 표면에 형성된 도전층(11)을 갖는 것(도 2), 돌기(13)를 더 갖는 것(도 3) 등을 들 수 있다.

(도전성 입자의 제조 방법)

본 발명의 도전성 입자의 제조 방법은, 적어도 소수화 처리 공정을 포함하여 이루어진다.

상기 도전성 입자의 제조 방법은, 코어 입자와, 상기 코어 입자의 표면에 형성된 도전층을 갖는 도전성 입자의 제조 방법이다.

상기 코어 입자는, 수지 및 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되어 있다.

상기 코어 입자로는, 예를 들어 본 발명의 상기 도전성 입자의 설명에 있어서 예시한 상기 코어 입자 등을 들 수 있다.

상기 도전층으로는, 예를 들어 본 발명의 상기 도전성 입자의 설명에 있어서 예시한 상기 도전층 등을 들 수 있다.

<소수화 처리 공정>

상기 소수화 처리 공정은, 도전층의 표면을 인 함유 화합물에 의해 소수화 처리하는 공정이다.

-인 함유 화합물-

상기 인 함유 화합물로는 인을 함유하는 한, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 인산 화합물 등을 들 수 있다.

상기 인산 화합물로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 말단에 수산기 및 알킬기를 갖는 계면 활성제 등을 들 수 있다.

상기 계면 활성제는 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 말단의 수산기와, 니켈 도금 입자(100)의 표면의 수산기에 있어서의 수소 원자가 탈리하는 탈수 축합 반응이 일어나고, 니켈 도금 입자(100)의 표면에 알킬기(장쇄 알킬쇄) R이 도입되어, 소수화 처리(발수성이 부여)된다.

상기 알킬기(장쇄 알킬쇄)의 탄소수로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 3 내지 16이 바람직하고, 4 내지 12가 보다 바람직하다.

상기 탄소수가 3 미만이면 도전성 입자의 표면이 산화되기 쉬워지는 경우가 있고, 16을 초과하면, 접속 저항값이 높아지는 경우가 있다. 한편, 상기 탄소수가 보다 바람직한 범위 내이면, 양호한 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

-소수화 처리-

상기 소수화 처리로는 인 함유 화합물에서 도전층의 표면을 처리하는 처리인 만큼 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

본 발명에서는, 도전층의 표면을 인 함유 화합물에 의해 소수화 처리함으로써, 도전층에 있어서의 인 농도를 낮게 유지하면서, 도전층의 표면의 인 농도만을 높게 할(도전층의 표면에 인을 편재시킴) 수 있다. 도전층에 있어서의 인 농도를 낮게 유지함으로써, 도전층이 열화되어(도전층의 경도가 저하되어), 산화되지 않도록 할 수 있다. 도전층 표면의 인 농도만을 높게 함으로써(도전층의 표면에 인을 편재시킴), 도전성 입자의 표면이 산화되는 것을 더욱 방지할 수 있다. 인 함유 화합물에 있어서의 소수성기를 도전성 입자의 표면에 도입함으로써, 내부식성을 향상시킬 수 있다.

상기 인산 화합물에 의해 소수화 처리되어 이루어지는 도전층의 표면에 있어서의 전 수산기에 대한 인산 에스테르 화합물의 치환율로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

(이방성 도전 필름)

본 발명의 이방성 도전 필름은 본 발명의 도전성 입자와, 바인더 수지를 적어도 포함하고, 경화제, 수지, 실란 커플링제, 필요에 따라, 그 밖의 성분을 포함한다.

<바인더 수지>

상기 바인더 수지로는, 에폭시 수지 및 아크릴레이트 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 한, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 열경화성 수지, 광경화성 수지 등이 바람직하다. 또한, 상기 바인더 수지가 열가소성 수지인 경우, 도전성 입자를 확실하게 압입할 수 없어 접속 신뢰성이 악화되어 버린다.

상기 바인더 수지의 구체예로는 에폭시 수지, 아크릴레이트 수지 등을 들 수 있다.

-에폭시 수지-

상기 에폭시 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 그들의 변성 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.

-아크릴레이트 수지-

상기 아크릴레이트 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.

또한, 상기 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 한 것을 들 수 있고, 이들은, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.

<경화제>

상기 경화제로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 가열에 의해 활성화하는 잠재성 경화제, 가열에 의해 유리 라디칼을 발생시키는 잠재성 경화제 등을 들 수 있다.

상기 가열에 의해 활성화하는 잠재성 경화제로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 폴리아민, 이미다졸 등의 음이온계 경화제나 술포늄염 등의 양이온계 경화제 등을 들 수 있다.

상기 가열에 의해 유리 라디칼을 발생시키는 잠재성 경화제로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 유기 과산화물이나 아조 화합물 등을 들 수 있다.

<수지>

상기 수지로는, 상온(25 ℃)에서 고형인 한, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지 및 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 상기 폴리에스테르 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 포화 폴리에스테르 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 중 어느 것이어도 된다.

상기 상온에서 고형인 수지의 함유량으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 이방성 도전 필름에 대하여 10 질량％ 내지 80 질량％가 바람직하다.

상기 상온에서 고형인 수지의 함유량이, 이방성 도전 필름에 대하여 10 질량％ 미만이면 막성이 부족하여, 릴 형상의 제품으로 했을 때에 블로킹 현상을 일으키는 경우가 있고, 80 질량％를 초과하면, 필름의 태크가 저하하여 회로 부재에 부착하여도 붙지않게 되는 경우가 있다.

<실란 커플링제>

상기 실란 커플링제로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 에폭시계 실란 커플링제, 아크릴계 실란 커플링제 등을 들 수 있고, 알콕시실란 유도체가 주로 사용된다.

(접합체)

본 발명의 접합체는, 제1 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재에 대향하는 제2 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재 및 상기 제2 회로 부재간에 배치된 본 발명의 이방성 도전 필름을 갖고, 상기 제1 회로 부재에 있어서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에 있어서의 전극이 도전성 입자를 개재하여 접속되어 있다.

-제1 회로 부재-

상기 제1 회로 부재로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 FPC 기판, PWB 기판 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, FPC 기판이 바람직하다.

-제2 회로 부재-

상기 제2 회로 부재로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 FPC 기판, COF(chip on film) 기판, TCP 기판, PWB 기판, IC 기판, 패널 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, PWB 기판이 바람직하다.

(접속 방법)

본 발명의 접속 방법은, 필름 부착 공정과, 얼라인먼트 공정과, 접속 공정을 적어도 포함하고, 또한 필요에 따라서 적절히 선택한, 그 밖의 공정을 포함한다.

-필름 부착 공정-

상기 필름 부착 공정은, 제1 회로 부재 또는 제2 회로 부재에, 본 발명의 이방성 도전 필름을 부착하는 공정이다.

-얼라인먼트 공정-

상기 얼라인먼트 공정은, 이방성 도전 필름이 부착된 제1 회로 부재 또는 제2 회로 부재와, 이방성 도전 필름이 부착되어 있지 않은 다른 한쪽의 회로 부재를 상대하는 단자(전극)끼리 대향하도록 위치 정렬하는 공정이다.

-접속 공정-

상기 접속 공정은, 제1 회로 부재에 있어서의 전극과, 제2 회로 부재에 있어서의 전극을, 도전성 입자를 개재하여 접속하는 공정이다.

-기타 공정-

상기 기타 공정으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 전혀 한정되는 것은 아니다.

(제조예 1)

<니켈 도금 입자 A의 제작>

수 평균 입자 직경 3.8 ㎛의 스티렌 수지 입자(세끼스이 가가꾸 고교사제, 상품명: 마이크로 펄)를 질산 탈륨 수용액에 투입하고, 60 ℃로 가온시킨 상태에서 교반하면서 암모니아수 또는 황산으로 소정의 pH로 조정한 황산니켈(알드리치사제), 차아인산나트륨(알드리치사제), 시트르산나트륨(알드리치사제), 질산탈륨(알드리치사제)의 혼합 용액을 30 ㎖/분의 속도로 첨가함으로써 니켈 도금 처리를 행했다. 그 도금액을 여과하고, 여과물을 순수로 세정한 후, 80 ℃의 진공 건조기로 건조시킴으로써, 도전층의 인 농도가 1.3 질량％, 평균 두께가 101 nm인 니켈 도금층이 형성된 니켈 도금 입자 A를 제작했다.

<도전성 입자의 평가>

또한, 상기 도금층의 두께 측정은 얻어진 도전성 입자를 수렴 이온 빔 가공 관찰 장치(히타치 하이테크놀로지사제, 상품명 FB-2100)를 사용하여 단면 연마를 행하고, 투과 전자 현미경(히타치 하이테크놀로지사제, 상품명 H-9500)을 이용하여 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(제조예 2)

<니켈 도금 입자 B의 제작>

제조예 1에 있어서, 혼합 용액 중의 황산니켈, 차아인산나트륨, 시트르산나트륨, 질산탈륨의 혼합비를 변경한 것 외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여, 도전층의 인 농도가 2.6 질량％, 평균 두께가 약 101 nm인 니켈 도금층이 형성된 니켈 도금 입자 B를 제작했다.

(제조예 3)

<니켈 도금 입자 C의 제작>

제조예 1에 있어서, 혼합 용액 중의 황산니켈, 차아인산나트륨, 시트르산나트륨, 질산탈륨의 혼합비를 변경한 것 외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여, 도전층의 인 농도가 4.8 질량％, 평균 두께가 약 102 nm인 니켈 도금층이 형성된 니켈 도금 입자 C를 제작했다.

(제조예 4)

<니켈 도금 입자 D의 제작>

제조예 1에 있어서, 혼합 용액 중의 황산니켈, 차아인산나트륨, 시트르산나트륨, 질산 탈륨의 혼합비를 변경한 것 외에는 제조예 1과 마찬가지로 하여, 도전층의 인 농도가 6.9 질량％, 평균 두께가 약 100 nm인 니켈 도금층이 형성된 니켈 도금 입자 D를 제작했다.

(제조예 5)

<니켈 도금 입자 E의 제작>

제조예 1에 있어서, 혼합 용액 중의 황산니켈, 차아인산나트륨, 시트르산나트륨, 질산탈륨의 혼합비를 변경한 것 외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여, 도전층의 인 농도가 9.8 질량％, 평균 두께가 약 102 nm인 니켈 도금층이 형성된 니켈 도금 입자 E를 제작했다.

(제조예 6)

<니켈 금 도금 입자 F의 제작>

니켈 도금 입자 A를 치환 도금법에 의해 표면에 금 도금을 실시함으로써, 도전층의 인 농도가 0 질량％, 평균 두께가 81 nm인 니켈 도금층 및 두께가 20 nm인 금 도금층이 형성된 니켈 금 도금 입자 F를 제작했다.

(제조예 7)

<니켈 도금 입자 G의 제작>

제조예 1에 있어서, 스티렌 수지 입자를 사용하는 대신, 평균 입자 직경 5.0 ㎛의 니켈 입자(닛코 리카사제, 상품명 니켈 파우더 123)를 사용한 것 외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여, 도전층의 인 농도가 5.0 질량％, 평균 두께가 101 ㎜인 도금층이 형성된 금 도금-니켈 입자 G를 제작했다.

(실시예 1 내지 7)

<발수 처리 입자(소수화 처리 입자) A 내지 G의 제작>

인산 에스테르계 계면 활성제(포스페놀 GF-199, 도호 가가꾸 고교(주)제)를 그 산 성분이 완전히 중화되는 양의 수산화칼륨에 의해 중화하여, 10 질량％ 계면 활성제 수용액을 제작했다. 이 제작한 10 질량％ 계면 활성제 수용액 2.5 g, 용매인 물 50 g, 니켈 도금 입자 A 내지 E, G 및 금 도금-니켈 입자 F 중 어느 하나의 입자 50 g을, 폴리프로필렌(PP) 용기에 넣고, 교반한 후, 건조하여 발수성 처리(소수화 처리)를 실시한 입자(발수 처리 입자(소수화 처리 입자) A 내지 G)를 제작했다.

(실시예 8)

<발수 처리 입자(소수화 처리 입자) H의 제작>

실시예 3에 있어서, 인산 에스테르 계면 활성제(포스페놀 GF-199, 도호 가가꾸 고교(주)제)를 사용하는 대신, 인산 에스테르 계면 활성제(포스페놀 SM-172, 도호 가가꾸 고교(주)제)를 사용한 것 외에는 실시예 3과 마찬가지로 하여, 발수 처리(소수화 처리) 전의 도전층의 인 농도가 4.8 질량％, 평균 두께가 102 ㎜인 도금층이 형성된 발수 처리 입자(소수화 처리 입자) H를 제작했다.

<입자의 전기 전도도 측정>

제작된 발수 처리 입자(소수화 처리 입자) A 내지 H에 대해서, 하기 측정 방법으로 전기 전도도를 측정했다.

-전기 전도도의 측정 방법-

60 ℃의 순수 중에서 세정 및 건조를 한 폴리프로필렌(PP) 용기를 사용하여, 도전성 입자 0.4 g에 대하여 200 ㎖의 초순수를 넣고, 100 ℃에서 10 시간 추출했다. 그 후, 1시간 냉각하고, 여과지로 여과를 행한 추출액을 전기 전도도 측정기(도아 DKK제, 상품명: CM-31P)로, 전기 전도도를 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

<도전성 입자의 평가>

상기 인 농도 측정은 상기 에너지 분산형 X선 분석 장치(호리바 세이사꾸쇼제, 상품명 FAEMAX-7000)를 사용하여 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

<접합 재료 1 내지 8의 제작>

하기 조성의 접착제 중에, 발수 처리 입자(소수화 처리 입자) A 내지 H 중 어느 하나의 입자를 입자 밀도가 10,000 개/㎟로 되도록 분산시키고, 이들 접착제를 실리콘 처리된 박리 PET 필름 상에 도포하고, 건조시킴으로써 두께 20 ㎛의 접합 재료 1 내지 8을 얻었다.

-접착제의 조성-

페녹시 수지(도모에 고교사제, 상품명: PKHC) 50 질량부

라디칼 중합성 수지(다이 셀?사이텍사제, 상품명: EB-600) 45 질량부

실란 커플링제(신에쯔 실리콘사제, 상품명: KBM-503) 2 질량부

소수성 실리카(에보닉(EVONIK)사제, AEROSIL972) 3 질량부

반응 개시제(닛본 유시사제, 상품명: 퍼헥사 C) 3 질량부

<접합체 1 내지 8의 제작>

얻어진 접합 재료 1 내지 8(20 ㎛ 두께로 제작한 이방성 도전 필름)을 사용하여, 평가용 COF(50 ㎛ 피치(Line/Space=1/1), Cu 8 ㎛ 두께-Sn 도금, 38 ㎛ 두께-S'perflex 기재)와, 평가용 IZO 코팅 유리(전체 표면 IZO 코팅 유리, 기재 두께 0.7 ㎜)의 접속을 행했다. 우선, 1.5 ㎜ 폭으로 슬릿된 접합 재료 1 내지 8(20 ㎛ 두께로 제작한 이방성 도전 필름)을 평가용 IZO 코팅 유리에 부착하고, 그 위에 평가용 COF를 위치 정렬하여 가고정한 후, 190 ℃-4MPa-10초간의 압착 조건에서, 완충재로서의 100 ㎛ 두께의 테플론(등록 상표) 및 1.5 ㎜ 폭의 가열 툴을 사용하여 압착을 행하고, 접합체 1 내지 8을 제작했다.

<접합체 1 내지 8의 접속 저항 측정>

제작한 접합체 1 내지 8에 대해서, 디지털 멀티 미터(상품명: 디지털 멀티 미터 7555, 요꼬가와 덴끼사제)을 사용하여 4단자법에 의해, 전류 1 mA를 흘렸을 때의 접속 저항(Ω)을, 초기와 신뢰성 시험(온도 85 ℃, 습도 85 ％에서 500 시간 처리) 후에 대하여 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

<보존 안정성 시험>

제작된 발수 처리 입자(소수화 처리 입자) A 내지 H에 대해서, 30 ℃/60 ％ 환경 오븐에 48 시간 투입하여, 에이징을 행한 후, 접합 재료 1 내지 8을 제작하고, 또한, 접합체 1 내지 8을 제작하고, 제작한 접합체 1 내지 8의 접속 저항을 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

<부식 평가 샘플의 제작>

평가 기재로서, 평가용 빗살 패턴 유리(Line/Space=25/13, ITO 배선)를 접속 재료로 덮고, 190 ℃-4MPa-10초간의 압착 조건에서, 완충재로서의 100 ㎛ 두께의 테플론(등록 상표) 및 1.5 ㎜ 폭의 가열 툴을 사용하여 압착을 행하여, 부식 평가 샘플을 제작했다.

<부식 평가 샘플의 제작>

제작한 부식 평가 샘플을 60 ℃ 습도 95 ％의 환경 중에서 폭로하고, 15 V의 직류 전압을 50 시간 인가하여, ITO 배선의 부식 발생의 유무를 확인했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.

(비교예 1 내지 2, 4)

실시예 1 내지 8에 있어서, 발수 처리 입자(소수화 처리 입자) A 내지 H의 어느 하나의 입자를 사용하는 대신, 니켈 도금 입자 A, G 및 금 도금-니켈 입자 F를 사용한 것 외에는, 실시예 1 내지 8과 마찬가지로 하여, 접합 재료 9, 10 및 12 및 접합체 9, 10 및 12를 얻고, 입자의 전기 전도도의 측정, 입자의 경도 측정, 접합체의 접속 저항 측정, 보존 안정성 시험, 부식 평가 샘플 제작 및 부식 평가를 행했다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.

(비교예 3)

실시예 3에 있어서, 인산 에스테르 계면 활성제(포스페놀 GF-199, 도호 가가꾸 고교(주)제)를 사용하는 대신, 실란 커플링제(상품명: A-187, 모멘티브?퍼포먼스?머티리얼즈사제)를 사용한 것 외에는, 실시예 3 마찬가지로 하여, 도전층의 인 농도가 4.8 질량％, 평균 두께가 102 ㎜인 도금층이 형성된 실란 커플링 처리 입자 C를 제작하여, 접합 재료 11 및 접합체 11을 얻고, 입자의 전기 전도도의 측정, 입자의 경도 측정, 접합체의 접속 저항 측정, 보존 안정성 시험, 부식 평가 샘플 제작 및 부식 평가를 행했다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.

표 1 및 표 2로부터, 도금층 표면에 인 함유 화합물에 의한 소수화 처리가 이루어진 도전성 입자를 사용한 실시예 1 내지 8에서는, 도금층 표면에 소수화 처리가 이루어지지 않은 도전성 입자를 사용한 비교예 1 내지 4와 비교하여, 전기 전도도, 도통 저항(초기 및 신뢰성 시험 후), 보존 안정성, 부식 평가에 있어서, 양호한 결과가 얻어지는 것을 알았다.

또한, 표 1 및 표 2로부터, 소수화 처리 전의 도전층에 있어서의 인 농도가 2.6 질량％ 내지 6.9 질량％인 도전성 입자를 사용한 실시예 2 내지 4가, 실시예 1 및 5 내지 7와 비교하여, 전기 전도도, 도통 저항(초기 및 신뢰성 시험 후), 보존 안정성, 부식 평가에 있어서, 양호한 결과가 얻어진 것을 알았다.

<산업상 이용가능성>

본 발명의 도전성 입자는, 액정 디스플레이와 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package: TCP)의 접속, 플렉시블 회로 기판(Flexible Printed Circuit: FPC)과 TCP의 접속, 또는 FPC과 프린트 배선판(Printed Wiring Board: PWB)의 접속과 같은 회로 부재끼리의 접속에 적절하게 사용된다.

10: 도전성 입자
11: 도전층
12: 니켈 입자
13: 돌기
100: 니켈 도금 입자

Claims

코어 입자와, 상기 코어 입자의 표면에 형성된 도전층을 갖고,
상기 코어 입자가 수지 및 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되고,
상기 도전층의 표면이 인 함유 소수성기를 갖는 것을 특징으로 하는, 도전성 입자.
제1항에 있어서, 코어 입자가 수지 입자이며, 도전층이 니켈 도금층인, 도전성 입자.
코어 입자와, 상기 코어 입자의 표면에 형성된 도전층을 갖는 도전성 입자의 제조 방법이며,
상기 코어 입자가 수지 및 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되고,
상기 도전층의 표면을 인 함유 화합물에 의해 소수화 처리하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도전성 입자의 제조 방법.
제3항에 있어서, 인 함유 화합물에 의한 소수화 처리 전의 도전층에 있어서의 인 농도가 10 질량％ 이하인, 도전성 입자의 제조 방법.
제4항에 있어서, 인 함유 화합물에 의한 소수화 처리 전의 도전층에 있어서의 인 농도가 2.5 질량％ 내지 7.0 질량％인, 도전성 입자의 제조 방법.
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 인 함유 화합물이 인산 화합물인, 도전성 입자의 제조 방법.
제1항 또는 제2항에 기재된 도전성 입자와, 바인더 수지를 포함하고, 상기 바인더 수지가 에폭시 수지 및 아크릴레이트 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이방성 도전 필름.
제7항에 있어서, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지 및 우레탄 수지 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는, 이방성 도전 필름.
제7항 또는 제8항에 있어서, 경화제를 더 포함하는, 이방성 도전 필름.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 실란 커플링제를 더 포함하는, 이방성 도전 필름.
제1 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재에 대향하는 제2 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재 및 상기 제2 회로 부재간에 배치된 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 갖고, 상기 제1 회로 부재에 있어서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에 있어서의 전극이, 도전성 입자를 개재하여 접속된 것을 특징으로 하는, 접합체.
제11항에 있어서, 제1 회로 부재가 플렉시블 회로 기판이며, 제2 회로 부재가 프린트 배선 기판인, 접합체.
제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 사용한 접속 방법이며, 제1 회로 부재 및 제2 회로 부재 중 어느 하나에 상기 이방성 도전 필름을 부착하는 필름 부착 공정과, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재를 위치 정렬하는 얼라인먼트 공정과, 상기 제1 회로 부재에 있어서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에 있어서의 전극을, 도전성 입자를 개재하여 접속하는 접속 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 접속 방법.
제13항에 있어서, 제1 회로 부재가 플렉시블 회로 기판이며, 제2 회로 부재가 프린트 배선 기판인, 접속 방법.