KR20120088735A - 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널 - Google Patents

투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20120088735A
KR20120088735A KR1020127011352A KR20127011352A KR20120088735A KR 20120088735 A KR20120088735 A KR 20120088735A KR 1020127011352 A KR1020127011352 A KR 1020127011352A KR 20127011352 A KR20127011352 A KR 20127011352A KR 20120088735 A KR20120088735 A KR 20120088735A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent conductive
film
refractive index
thin film
layer
Prior art date
Application number
KR1020127011352A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101370188B1 (ko
Inventor
히데오 무라카미
도시유키 오야
Original Assignee
도요 보세키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도요 보세키 가부시키가이샤 filed Critical 도요 보세키 가부시키가이샤
Publication of KR20120088735A publication Critical patent/KR20120088735A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101370188B1 publication Critical patent/KR101370188B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Abstract

본 발명은 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체의 전면에 사용되는 터치패널용 전극필름으로서 사용했을 때, 시인성이 우수한 동시에, 생산성이 우수하며, 또한 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 우수한 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름으로서, 고굴절률층은 산화주석의 함유율이 10~60 질량%인 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 무기 박막이고, 저굴절률층은 굴절률이 1.30~1.60인 무기 박막으로 되며, 투명도전성 박막층은 굴절률이 1.80~2.20인 무기 박막으로 되고, 또한 투명도전성 필름의 분광 투과율의 피크가 450~530 ㎚에 존재하며, 또한 전광선 투과율이 90% 이상, 컬러 b값이 -2~2인 투명도전성 필름에 관한 것이다.

Description

투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널{Electrically conductive transparent film, and touch panel comprising same}
본 발명은 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트(이하, 간단히 투명도전성 필름이라고도 한다) 및 이들을 사용한 터치패널에 관한 것이다. 특히 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체에 삽입되는 터치패널의 전극용 필름으로서 사용한 경우, 시인성이 우수한 동시에 터치패널의 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 우수하기 때문에 표시 에어리어를 넓게 하는 것이 가능해지는 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널에 관한 것이다.
투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 투명하고 또한 저항이 작은 박막을 적층한 투명도전성 필름은, 그 도전성을 이용한 용도, 예를 들면, 액정 디스플레이나 일렉트로루미네선스(EL로 약기되는 경우가 있다) 디스플레이 등과 같은 플랫 패널 디스플레이나, 터치패널의 투명전극 등, 전기, 전자분야의 용도로 널리 사용되고 있다.
최근 들어, 터치패널은 입력 인터페이스로서 폭넓게 인지되어, 특히 휴대정보단말이나 디지털 비디오 카메라, 디지털 카메라 등의 휴대단말에는 조작키를 생략하기 위해 표시 디스플레이에 터치패널을 탑재하는 케이스가 늘고 있다. 한편, 이들 휴대단말에 사용되는 액정 디스플레이 등의 표시체의 고정세화는 점점 진행되고 있어, 이러한 표시체의 전면에 삽입되는 터치패널용 전극필름은 시인성을 저하시키지 않는 것이 강하게 요망되고 있다.
즉, 전극필름의 투과율이 낮은 경우, 액정 디스플레이 등의 표시체의 휘도가 저하되어, 표시화면이 어두워지기 때문에 표시가 보기 어려워진다. 또한 전극필름이 착색되어 있는 경우, 액정 디스플레이 등의 표시색(특히 백색)의 색표시가 변화되어, 선명한 화상이 얻어지기 어려워진다. 이 때문에, 전극필름에는 투과율이 높고, 또한 착색이 적은 것이 요망되고 있다.
한편, 액정 디스플레이 등의 표시체는 대화면화가 요망되고 있다. 이 때문에, 표시 디스플레이를 포함하는 상자체 에어리어(프레임)는 보다 좁아져, 터치패널로서도 보다 좁은 프레임화가 요망되며, 또한 터치패널의 프레임 근방은 상자체 내에 수납되지 않고 표시 에어리어 상에 존재하는 상태가 되었다.
터치패널은 투명도전층을 갖는 한쌍의 투명도전성 기판을, 투명도전층이 대향하도록 스페이서를 매개로 배치해서 된다. 터치패널을 펜 입력할 때, 고정전극측의 투명도전성 박막과 가동전극(필름전극)측의 투명도전성 박막끼리 접촉하는데, 특히 프레임 근방에서는, 가동전극측의 투명도전성 박막에, 펜 하중에 의한 강한 굽힘응력이 가해진다. 이 때문에, 펜 하중에 의한 강한 굽힘응력이 가해지더라도, 투명도전성 박막에 크랙, 박리 등의 파괴가 발생하지 않는, 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 우수한 투명도전성 필름이 요망되고 있다.
시인성을 향상시키기 위해서는, 반사방지 가공 등에서 사용되는 굴절률이 상이한 층을 적층시켜서, 빛의 간섭을 이용하는 것이 제안되어 있다. 즉, 투명도전막과 기재 필름 사이에 굴절률이 상이한 층을 설치하여 광학 간섭을 이용하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1~3).
특허문헌 1 : 일본국 특허공개 평11-286066호 공보
특허문헌 2 : 일본국 특허 제3626624호 공보
특허문헌 3 : 일본국 특허공개 제2006-346878호 공보
그러나, 이들 특허문헌 1~3에 기재된 투명도전성 필름은, 시인성의 개선은 가능하지만, 환경 안정성 또는 터치패널 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성에 문제가 있었다. 즉, 특허문헌 1의 실시예 1에 기재된 바와 같이 고진공상태까지 진공조를 배기한 후에 형성한 인듐에 대한 주석 함유율이 낮은 막을 고굴절률층으로서 사용한 경우에는, 성막 중 또는 터치패널의 제조공정에서 가해지는 열처리에 의해 ITO막의 결정화가 일어나기 쉬워진다. 이와 같이 결정화된 ITO막을 고굴절층 또는 투명도전층으로서 갖는 투명도전성 필름을 전극필름으로서 사용한 터치패널에 있어서는, 터치패널 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 좋지 않다. 또한 특허문헌 2에 기재된 산화티탄막을 고굴절층으로서 사용한 투명도전성 필름을 사용한 터치패널에 있어서는, 옥외에서 사용한 경우, 입력의 위치 어긋남이 생긴다는 문제가 발생한다. 또한 특허문헌 3에 기재된 산화주석 및 산화세륨을 함유한 산화인듐막을 고굴절률층으로서 사용한 경우, 산화세륨을 함유하여 딱딱하고 깨지기 쉬운 막으로 되기 때문에, 터치패널의 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 불충분하며, 또한 성막속도가 느려지기 때문에 생산성이 저하된다.
즉, 본 발명의 목적은, 상기 종래의 문제점을 감안하여, 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체의 전면에 사용되는 터치패널용 전극필름으로서 사용했을 때, 시인성이 우수한 동시에, 생산성이 우수하며, 또한 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성(에지 내구성)이 우수한 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널을 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 상기와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로서, 상기 과제를 해결할 수 있었던 투명도전성 필름 및 터치패널은, 이하의 구성으로 된다.
1.　투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름으로서, 고굴절률층은 산화주석의 함유율이 10~60 질량%인 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 무기 박막이고, 저굴절률층은 굴절률이 1.30~1.60인 무기 박막으로 되며, 투명도전성 박막층은 굴절률이 1.80~2.20인 무기 박막으로 되고, 또한 투명도전성 필름의 분광 투과율의 피크가 450~530 ㎚에 존재하며, 또한 전광선 투과율이 90% 이상, 컬러 b값이 -2~2인 것을 특징으로 하는 투명도전성 필름.
2.　상기 고굴절률층의 산화주석의 함유율이 20~60 질량%인 것을 특징으로 하는 상기 1.에 기재된 투명도전성 필름.
3.　상기 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에 저반사 처리를 행한 것을 특징으로 하는 상기 1. 또는 2.에 기재된 투명도전성 필름.
4.　상기 1. 내지 3. 중 어느 하나에 기재된 투명도전성 필름의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에, 점착제를 매개로 투명 수지 시트가 첩합(貼合)되어 있는 것을 특징으로 하는 투명도전성 시트.
5.　투명도전성 박막층을 갖는 한쌍의 패널판을 투명도전성 박막층이 대향하도록 스페이서를 매개로 배치해서 되는 터치패널로서, 적어도 한쪽의 패널판이 상기 1. 내지 4. 중 어느 하나에 기재된 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트로 되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
본 발명의 투명도전성 필름은, 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층의 순으로 적층한 구성을 가지며, 특정 파장영역에 투과율의 피크가 존재하기 때문에, 고정세한 표시체의 전면에 배치해도 시인성의 저하를 억제할 수 있다. 또한 상기 고굴절률층에 산화주석의 함유율을 소정 값으로 한 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 층을 사용함으로써, 생산성이 우수하고, 또한 굽힘에 대한 기계강도를 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 터치패널 프레임 근방에 있어서 펜 슬라이딩 시험을 행하였을 때, 투명도전성 박막에 박리 및 크랙이 발생하기 어려워져, 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성을 향상시킬 수 있다는 이점이 있다.
본 발명의 투명도전성 필름은, 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름이다. 이하, 각 층별로 상세하게 설명한다.
(투명 플라스틱 필름으로 되는 기재)
본 발명에서 사용하는 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재란, 유기 고분자를 용융 압출 또는 용액 압출을 하고, 필요에 따라, 길이방향 및/또는 폭방향으로 연신, 냉각, 열고정을 행한 필름이다. 유기 고분자로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 나일론6, 나일론4, 나일론66, 나일론12, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르설판, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌설피드, 폴리페닐렌옥시드, 폴리스티렌, 신디오택틱 폴리스티렌, 노르보르넨계 폴리머 등을 들 수 있다.
이들 유기 고분자 중에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트, 신디오택틱 폴리스티렌, 노르보르넨계 폴리머, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트 등이 매우 적합하다. 또한, 이들 유기 고분자는 다른 유기 중합체의 단량체를 소량 공중합해도 되고, 다른 유기 고분자를 블렌드해도 된다.
본 발명에서 사용하는 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재의 두께는, 10 ㎛를 초과하고, 300 ㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 상한값은 260 ㎛, 하한값은 70 ㎛인 것이 특히 바람직하다. 플라스틱 필름의 두께가 10 ㎛ 이하에서는 기계적 강도가 부족하고, 특히 터치패널에 사용했을 때의 펜 입력에 대한 변형이 커지는 경향이 있어, 내구성이 불충분해지기 쉽다. 한편, 두께가 300 ㎛를 초과하면, 터치패널에 사용했을 때, 필름을 변형시키기 위한 펜 하중을 크게 할 필요가 있다. 이 때문에, 투명도전성 박막에 가해지는 하중도 필연적으로 커져, 투명도전성 박막의 내구성 관점에서 바람직하지 않다.
본 발명에서 사용하는 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재는, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 상기 필름을 코로나 방전처리, 글로우 방전처리, 화염처리, 자외선 조사처리, 전자선 조사처리, 오존처리 등의 표면활성화 처리를 행해도 된다.
또한, 본 발명에서는, 기재와 투명도전성 박막층의 밀착성을 향상시켜, 펜 입력 내구성, 내약품성의 부여, 올리고머 등의 저분자량 물질의 석출 방지를 목적으로, 기재와 투명도전성 박막층 사이에, 경화형 수지를 주된 구성성분으로 하는 경화물층을 설치해도 된다.
상기 경화형 수지는, 가열, 자외선조사, 전자선조사 등의 에너지 인가에 의해 경화되는 수지라면 특별히 한정되지 않고, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 생산성의 관점에서는, 자외선 경화형 수지를 주성분으로 하는 경화형 수지가 바람직하다.
이러한 자외선 경화형 수지로서는, 예를 들면, 다가 알코올의 아크릴산 또는 메타크릴산 에스테르와 같은 다관능성의 아크릴레이트 수지, 디이소시아네이트, 다가 알코올 및 아크릴산 또는 메타크릴산의 히드록시알킬에스테르 등으로부터 합성되는 바와 같은 다관능성의 우레탄아크릴레이트 수지 등을 들 수 있다. 필요에 따라, 이들 다관능성의 수지에 단관능성의 단량체, 예를 들면, 비닐피롤리돈, 메틸메타크릴레이트, 스티렌 등을 첨가하여 공중합시킬 수 있다.
또한, 투명도전성 박막과 경화물층의 부착력을 향상시키기 위해, 경화물층을 표면처리하는 것이 유효하다. 구체적인 방법으로서는, 글로우 또는 코로나 방전을 조사하는 방전처리법을 사용하여, 카르보닐기, 카르복실기, 수산기를 증가시키는 방법, 산 또는 알칼리로 처리하는 화학약품 처리법을 사용하여, 아미노기, 수산기, 카르보닐기 등의 극성기를 증가시키는 방법 등을 들 수 있다.
자외선 경화형 수지는, 통상, 광중합개시제를 첨가하여 사용된다. 광중합개시제로서는, 자외선을 흡수하여 라디칼을 발생시키는 공지의 화합물을 특별히 한정 없이 사용할 수 있고, 이러한 광중합개시제로서는, 예를 들면, 각종 벤조인류, 페닐케톤류, 벤조페논류 등을 들 수 있다. 광중합개시제의 첨가량은, 자외선 경화형 수지 100 질량부에 대해, 1~5 질량부로 하는 것이 바람직하다.
도포액 중의 수지성분의 농도는, 코팅법에 따른 점도 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 도포액 중에 자외선 경화형 수지, 광중합개시제의 합계량이 차지하는 비율은, 통상은 20~80 질량%이다. 또한, 이 도포액에는, 필요에 따라, 기타 공지의 첨가제, 예를 들면, 실리콘계 계면활성제, 불소계 계면활성제 등의 레벨링제 등을 첨가해도 된다.
본 발명에 있어서, 조제된 도포액은 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에 코팅된다. 코팅법에는 특별히 한정되지 않고, 바 코트법, 그라비아 코트법, 리버스 코트법 등의 종래부터 알려져 있는 방법을 사용할 수 있다.
또한, 경화물층의 두께는 0.1~15 ㎛의 범위인 것이 바람직하다. 경화물층 두께의 하한값은 0.5 ㎛가 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 1 ㎛이다. 또한, 경화물층 두께의 상한값은 10 ㎛가 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 8 ㎛이다. 경화물층의 두께가 0.1 ㎛ 미만인 경우에는, 충분히 가교된 구조가 형성되기 어려워지기 때문에, 펜 입력 내구성이나 내약품성이 저하되기 쉬워지고, 올리고머 등의 저분자량에 의한 밀착성의 저하도 일어나기 쉬워진다. 한편, 경화물층의 두께가 15 ㎛를 초과하는 경우에는, 생상선이 저하되는 경향이 있다.
(고굴절률층)
본 발명에 있어서의 고굴절률층은 산화주석의 함유율이 10~60 질량%인 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 무기 박막이다. 보다 바람직하게는 산화주석의 함유율이 20~50 질량%이고, 더욱 바람직하게는 30~45 질량%이다.
고굴절률층은, 적어도 저굴절률층(굴절률이 1.30~1.60)보다 높은 굴절률을 갖는 층이다. 저굴절률층보다 높은 굴절률을 갖는 층을 투명 플라스틱 필름기재 상에 형성함으로써, 빛의 간섭효과가 얻어진다.
일반적으로 고굴절률층으로서는 TiO2, Nb2O5, In2O3가 사용된다. 그러나 예를 들면 스퍼터링법에 의해 TiO2막, Nb2O5막을 형성하는 경우, 성막속도가 느려 생산성이 저하된다. 이 때문에 생산성의 관점에서는 고굴절률층으로서 인듐 산화물이 바람직하다.
그러나, In2O3 또는 산화주석 함유율이 낮은 인듐-주석 복합 산화막을 형성하는 경우, 생산성은 우수하나, 스퍼터링으로의 성막 중 또는 터치패널 제조공정 중에 가해지는 열처리에 의해 고굴절률층이 결정화된다. 고굴절률층이 결정화되어 있는 투명도전성 필름을 사용하여 제작한 터치패널의 경우는, 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성이 떨어진다. 따라서, 고굴절률층에는 결정립이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 실시예의 란에 기재한 측정에 있어서 결정립이 관측되지 않는 것이 바람직하다.
이 때문에 본 발명에 있어서 사용되는 고굴절률층은, 생산성의 관점에서 인듐-주석 복합 산화물로 되고, 산화주석의 함유율이 10~60 질량%이다. 산화주석의 함유율이 10 질량% 미만인 경우, 성막 중 또는 터치패널 제조공정 중에 가해지는 열처리에 의한 결정화를 억제하는 것이 곤란해진다. 한편, 산화주석의 함유율이 60 질량%를 초과하는 경우, 타겟의 밀도를 향상시키는 것이 곤란해져, 생산 중에 방전 이상이 발생하기 쉬워지기 때문에 생산성의 관점에서 바람직하지 않다.
또한, 산화주석의 함유율이 10~60 질량%의 범위더라도, 산화주석의 함유율이 낮은 영역에서는 제막조건에 따라 결정화되는 경우가 있다. 특히 불활성 가스에 대한 수분압의 비가 낮은 경우에는 결정화되기 쉽다. 이러한 산화주석의 함유율이 낮은 경우(예를 들면 20 질량% 이하)에는, 특히 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 높게 함으로써, 결정화를 억제할 수 있다. 바람직한 불활성 가스에 대한 수분압의 비는 산화주석의 함유율에 따라 상이하나, 예를 들면 주석 함유율이 10 질량%인 경우, 3×10-3 이상으로 하는 것이 바람직하다. 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 높게 하기 위해서는, 제막 전의 진공폭로조건을 조정함으로써 필름의 함유 수분량을 높게 하는 방법, 제막시에 필름온도를 비교적 높게 하는 방법, 의도적으로 수증기를 도입하는 방법 등 임의의 방법을 들 수 있다. 그 밖에, 사용하는 기재 필름의 수분 함유율에 따라서도 좌우되기 때문에, 이를 고려하여 적정 조건을 결정할 필요가 있다. 또한, 산소의 분압비를 낮게 함으로써도 결정화를 억제하 수 있다.
본 발명에서 사용하는 고굴절률층의 막두께로서는 35~50 ㎚가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 38~48 ㎚이다. 50 ㎚를 초과한 경우, 고굴절률층이 성막 중 또는 가열처리 후에 결정화되기 쉬워진다. 또한 35 ㎚ 미만인 경우, 투명도전성 필름의 광학 특성을 개선하는 것이 곤란해진다. 또한, 고굴절률층의 굴절률은 1.70~2.50인 것이 바람직하고, 더 나아가서는 1.90~2.30, 특히 1.90~2.10인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서의 고굴절률층의 성막방법으로서는, 진공증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법, 스프레이법 등이 알려져 있어, 필요로 하는 막두께에 따라, 상기 방법을 적절히 사용할 수 있지만, 막두께의 편차를 저감시킨다는 관점에서 스퍼터링법이 바람직하다.
스퍼터링법의 경우는 일반적으로 금속 타겟으로부터 반응성 가스를 도입하여 금속산화물을 제작하는 반응성 스퍼터링법과 산화물 타겟으로부터 금속산화물을 제작하는 방법이 있다. 막두께의 편차를 억제하는데는 산화물 타겟을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 고굴절률층은 저굴절률층을 매개로 적층하는 투명도전성 박막의 도전성으로의 영향을 억제하기 위해 절연체인 것이 바람직하다. 구체적으로는 1×106 Ω/□ 이상이다. 이 때문에 인듐-주석 복합 산화물층을 형성할 때 반응성 가스를 표면저항값이 최소값이 되는 가스유량의 1.5~5배 흐르게 하는 것이 바람직하다. 1.5배 미만이면 표면저항값을 상기 범위로 하는 것이 곤란하다. 또한 5.0배를 초과하는 가스유량을 흐르게 하면 막 중에 화학양론비 이상의 산소가 흡입되거나, 또는 산소 음이온의 과잉 생성에 의해 형성에 따른 손실이 커다란 막이 형성되기 쉬워져, 불안정한 막이 되기 때문에 환경시험 후의 투명도전성 박막의 안정성이 저하되어 버린다.
이 때문에 고온, 고습 환경하(85℃, 85%RH, 1000시간)에서의 안정성을 얻기 위해서는 가스유량을 표면저항값이 최소값이 되는 가스유량의 1.5~3배로 하는 것이 바람직하고, 이 때문에 산화주석의 함유율이 20~60 질량%인 것이 바람직하다. 20 질량% 미만인 경우, 상기 가스유량으로는 표면저항값을 1×106 Ω/□ 이상으로 하는 것이 곤란해진다.
(저굴절률층)
본 발명에 있어서의 저굴절률층의 굴절률은, 1.30~1.60이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1.40~1.50이다. 구체적으로는 SiO2, Al2O3 등의 투명 금속화합물, 또는 SiO2-Al2O3 등의 복합 금속산화물로 되는 층을 들 수 있다. 굴절률이 1.30 미만인 경우, 저굴절률층이 다공질의 막이 되어 그 위에 형성하는 투명도전성 박막층의 전기 특성을 저해해 버린다. 한편, 굴절률이 1.60을 초과하는 경우에는, 상기 광학 특성을 만족하는 것이 곤란해진다.
저굴절률층의 막두께는, 본원 발명의 범위로 하는 분광 투과율, 전광선 투과율 및 컬러값을 만족시키기만 하면, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면 SiO2　박막의 경우는 45~60 ㎚가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50~58 ㎚이다. 60 ㎚를 초과하면 투명도전성 필름의 광선투과율은 향상되지만 착색이 생겨 분광 투과율이나 컬러 b값이 목표로부터 벗어나 버린다. 한편, 45 ㎚ 미만인 경우는, 목표로 하는 전광선 투과율을 얻는 것이 곤란해진다.
본 발명에 있어서의 저굴절률층의 성막방법으로서는, 진공증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법, 스프레이법 등이 알려져 있고, 필요로 하는 막두께에 따라, 상기 방법을 적절히 사용할 수 있으나, 막두께의 편차를 저감시킨다는 관점에서 스퍼터링법이 바람직하다. 일반적으로 스퍼터링으로 형성하는 경우는 반응성 DC 또는 AC 스퍼터링법이 사용된다. 성막속도를 향상시키기 위해 DC 또는 AC 전원의 전압값을 일정하게 유지하도록 반응성 가스유량을 제어하는 임피던스 제어 또는 특정 원소의 플라즈마 중에서의 발광강도를 일정하게 유지하도록 반응성 가스유량을 제어하는 플라즈마 에미션법이 사용된다.
(투명도전성 박막층)
본 발명에 있어서의 투명도전성 박막층은 굴절률이 1.80~2.20인 무기 박막으로 된다. 보다 바람직하게는 1.90~2.10의 무기 박막이고, 더욱 바람직하게는 1.93~2.05의 무기 박막이다. 투명도전성 박막의 굴절률이 1.80 미만인 경우는, 도전성이 양호한 투명도전성 박막층을 형성하는 것이 곤란하다. 한편, 굴절률이 2.20을 초과하는 경우도 도전성이 양호한 투명도전성 박막층을 형성하는 것이 곤란하며, 또한, 공기와 투명도전성 박막층의 계면에서의 반사가 커져, 상기 광학 특성을 충족시키는 것이 곤란해진다.
구체적으로는 산화인듐, 산화주석, 산화아연, 인듐-주석 복합 산화물, 주석-안티몬 복합 산화물, 아연-알루미늄 복합 산화물, 인듐-아연 복합 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 굴절률 조정을 위해 금속산화물을 적절히 첨가해도 상관없다. 이들 중, 환경 안정성이나 회로 가공성의 관점에서, 인듐-주석 복합 산화물이 매우 적합하다.
본 발명에 있어서 투명도전성 박막층을 적층하고, 투명도전성 필름의 표면저항값을 바람직하게는 50~5000 Ω/□, 더욱 바람직하게는 100~2000 Ω/□로 함으로써, 투명도전성 필름으로서 터치패널 등에 사용할 수 있다. 표면저항값이 100 Ω/□ 미만인 경우는 터치패널의 위치 인식 정밀도가 나빠지고, 2000 Ω/□를 초과하면 터치패널의 전극간에 가하는 전압을 높게 해야만 하는 경우가 있어, 바람직하지 않다.
또한 생산성의 관점에서 투명도전성 박막은 고굴절률층과 동일한 소재, 예를 들면 인듐-주석 조성인 것이 바람직하다. 조성이 상이한 경우, 고굴절률용, 투명도전성 박막용 각각의 타겟 및 캐소드가 필요해져, 설비적으로도 대규모 장치로 되어 버린다.
투명도전성 박막의 층구조는, 단층구조여도 되고, 2층 이상의 적층구조여도 된다. 2층 이상의 적층구조를 갖는 투명도전성 박막의 경우, 각 층을 구성하는 상기 금속산화물은 동일해도 되고, 상이해도 된다.
투명도전성 박막의 막두께는, 4~25 ㎚의 범위가 바람직하고, 특히 바람직하게는 5~20 ㎚이며, 보다 바람직하게는 8~18 ㎚이다. 투명도전성 박막의 막두께가 4 ㎚ 미만인 경우, 연속한 박막이 되기 어려워, 양호한 도전성이 얻어지기 어려워진다. 한편, 투명도전성 박막의 막두께가 25 ㎚보다도 두꺼운 경우, 투명성이 저하되기 쉬워지는 동시에, 터치패널의 프레임 근방에서의 굽힘응력에 견딜 수 있는 기계강도를 갖는 막을 얻는 것이 곤란해진다.
본 발명에 있어서의 투명도전성 박막의 성막방법으로서는, 진공증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법, 스프레이법 등이 알려져 있어, 필요로 하는 막두께에 따라, 상기 방법을 적절히 사용하 수 있다.
예를 들면, 스퍼터링법의 경우, 산화물 타겟을 사용한 통상의 스퍼터링법, 또는, 금속 타겟을 사용한 반응성 스퍼터링법 등이 사용된다. 이때, 반응성 가스로서, 산소, 질소 등을 도입하거나, 오존 첨가, 플라즈마 조사, 이온 어시스트 등의 수단을 병용하거나 해도 된다. 또한, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 기판에 직류, 교류, 고주파 등의 바이어스를 인가해도 된다.
(투명도전성 필름의 광학 특성)
본 발명의 투명도전성 필름은, 상기 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층의 순으로 적층한 구성을 가지며, 특정 파장영역에 투과율의 피크가 존재하기 때문에, 고정세한 표시체의 전면에 배치해도 시인성의 저하를 억제할 수 있다.
본 발명의 투명도전성 필름의 분광 투과율의 피크는, 450~530 ㎚에 존재하기 때문에, 착색이 매우 적고, 또한 투과율이 우수하기 때문에, 본 발명의 투명도전성 필름을 터치패널 등의 부재에 사용했을 때, 시인성이 우수하다. 보다 바람직한 분광 투과율의 피크는 460~520 ㎚이고, 더욱 바람직한 분광 투과율의 피크는 470~510 ㎚이다.
또한, 본 발명의 투명도전성 필름의 전광선 투과율이 90% 이상이기 때문에, 본 발명의 투명도전성 필름을 터치패널 등의 부재에 사용했을 때, 액정 디스플레이 등의 휘도의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 투명도전성 필름의 컬러 b값이 -2~2이기 때문에, 본 발명의 투명도전성 필름을 터치패널 등의 부재에 사용했을 때, 액정 디스플레이 등의 표시체의 표시색을 손상시키는 것을 억제할 수 있다. 보다 바람직한 컬러 b값은 -1.0~1.5이고, 더욱 바람직하게는 0~1.5이다.
(뉴턴링의 발생을 방지)
또한, 터치패널로 했을 때 뉴턴링의 발생을 방지할 목적으로, 투명 플라스틱 필름의 설명에 있어서 기재한 경화물층에 중심선 평균 거칠기(Ra)가 0.1~0.5 ㎛의 범위가 되도록 입자를 함유시키는 것이 바람직하다. Ra가 0.1 미만인 경우에는, 뉴턴링의 발생을 방지하는 것이 어려워진다. 한편, Ra가 0.5 ㎛를 초과하는 경우에는, 투명도전성 박막 표면이 지나치게 거칠어져, 펜 슬라이딩 내구성이 나빠지는 경향이 있다.
경화물층에 함유시키는 입자로서는 특별히 한정은 없으나, 무기 입자(예를 들면, 실리카, 탄산칼슘 등), 내열성 유기 입자(예를 들면, 실리콘 입자, PTFE 입자, 폴리이미드 입자 등), 가교 고분자 입자(가교 PS 입자, 가교 아크릴계 입자 등)가 예시된다. 이들 입자의 평균 입경(전자현미경법에 의함)은, 0.5~5 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 경화물층 중에 함유시키는 입자의 함유율은 0.01~10 질량%로 하는 것이 바람직하다.
(하드코트층)
또한, 터치패널로 했을 때의 최외층(펜 입력면)의 내찰상성을 추가로 개선시키기 위해, 투명 플라스틱 필름의 투명도전성 박막을 형성시킨 표면과는 반대면(터치패널로 했을 때의 최외층의 펜 입력면)에, 하드코트층을 설치하는 것이 바람직하다. 상기 하드코트층의 경도는, 연필경도로 2H 이상인 것이 바람직하다. 2H 미만의 경도에서는, 투명도전성 필름의 하드코트층으로서는 내찰상성의 관점에서 불충분하다.
상기 하드코트층의 두께는 0.5~10 ㎛인 것이 바람직하다. 두께가 0.5 ㎛ 미만에서는, 내찰상성이 불충분해지기 쉽고, 10 ㎛보다도 두꺼운 경우에는 생산성의 관점에서 바람직하지 않다.
상기 하드코트층에 사용되는 경화형 수지 조성물은, 아크릴레이트계의 관능기를 갖는 수지가 바람직하고, 예를 들면, 비교적 저분자량의 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지, 스피로아세탈 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리티올폴리엔 수지, 다가 알코올 등의 다관능성 화합물의 (메타)아크릴레이트 등의 올리고머 또는 프리폴리머 등을 들 수 있다.
또한, 반응성 희석제로서는, 에틸(메타)아크릴레이트, 에틸헥실(메타)아크릴레이트, 스티렌, 메틸스티렌, N-비닐피롤리돈 등의 단관능 모노머 및 다관능 모노머, 예를 들면, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 헥산디올(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트 등을 비교적 다량으로 함유하는 것을 사용할 수 있다.
본 발명에서는, 올리고머로서 우레탄아크릴레이트, 모노머로서 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트 등을 혼합하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 하드코트층에 사용되는 경화형 수지 조성물로서는, 폴리에스테르아크릴레이트와 폴리우레탄아크릴레이트의 혼합물이 특히 매우 적합하다. 폴리에스테르아크릴레이트는 도막이 매우 단단하여 하드코트층으로서 적합하다. 그러나, 폴리에스테르아크릴레이트 단독의 도막의 경우는 내충격성이 낮아 깨지기 쉽다는 문제가 있다. 이에, 도막에 내충격성 및 유연성을 부여하기 위해, 폴리우레탄아크릴레이트를 병용하는 것이 바람직하다. 즉, 폴리에스테르아크릴레이트에 폴리우레탄아크릴레이트를 병용함으로써, 도막은 하드코트층으로서의 경도를 유지하면서, 내충격성 및 유연성 등의 기능을 구비할 수 있다.
양자의 배합비율은, 폴리에스테르아크릴레이트 수지 100 질량부에 대해, 폴리우레탄아크릴레이트 수지를 30 질량부 이하로 하는 것이 바람직하다. 폴리우레탄아크릴레이트 수지의 배합비율이 30 질량부를 초과하면, 도막이 지나치게 부드러워져 내충격성이 불충분해지는 경향이 있다.
상기 경화형 수지 조성물의 경화방법은, 통상의 경화방법, 즉, 가열, 전자선 또는 자외선의 조사에 의해 경화하는 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 전자선 경화의 경우는, 콕크로프트 왈톤형, 핸디그래프형, 공진변압형, 절연 코어 변압기형, 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기로부터 방출되는 50~1000 keV, 바람직하게는 100~300 keV의 에너지를 갖는 전자선 등이 사용된다. 또한, 자외선 경화의 경우에는, 초고압수은등, 고압수은등, 저압수은등, 카본아크, 크세논아크, 메탈할라이드램프 등의 광선으로부터 발하는 자외선 등을 이용할 수 있다.
또한, 전리방사선 경화의 경우에는, 상기 경화형 수지 조성물 중에 광중합개시제나 광증감제를 함유시키는 것이 바람직하다. 광중합개시제로서는, 아세토페논류, 벤조페논류, 미힐러벤조일벤조에이트, α-아밀옥심에스테르, 테트라메틸티우람모노설파이드, 티옥산톤류 등을 들 수 있다. 또한, 광증감제로서는, n-부틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-부틸포스핀 등이 바람직하다.
하드코트층에 방현성(防眩性)을 부여하기 위해서는, 경화형 수지 중에 CaCO3나 SiO2 등의 무기 입자를 분산시키는 방법, 또는 하드코트층의 표면에 요철형상을 형성시키는 방법이 유효하다. 예를 들면, 요철을 형성하기 위해서는, 경화형 수지 조성물을 포함하는 도액을 도공 후, 표면에 볼록형상을 갖는 부형 필름을 라미네이트하고, 이 부형 필름 위로부터 자외선을 조사하여 경화형 수지를 경화시킨 후에, 부형 필름만을 박리함으로써 얻어진다.
상기 부형 필름에는, 이형성을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트(이후, PET로 약칭하는 경우가 있다) 등의 기재 필름 상에 목적하는 볼록형상을 설치한 것, 또는, PET 등의 기재 필름 상에 미세한 볼록층을 형성한 것 등을 사용할 수 있다. 그 볼록층의 형성은, 예를 들면, 무기 입자와 바인더 수지로 되는 수지 조성물을 사용하여 기재 필름 상에 도공함으로써 얻을 수 있다.
상기 바인더 수지로서는, 예를 들면, 폴리이소시아네이트로 가교된 아크릴폴리올을 사용하고, 무기 입자로서는, CaCO3나 SiO2 등을 사용할 수 있다. 또한, 이 밖에 PET 제조시에 SiO2 등의 무기 입자를 이겨 넣은 매트 타입의 PET도 사용할 수 있다.
이 부형 필름을 자외선 경화형 수지의 도막에 라미네이트한 후 자외선을 조사하여 도막을 경화하는 경우, 부형 필름이 PET를 기재로 한 필름인 경우, 그 필름에 자외선의 단파장측이 흡수되어, 자외선 경화형 수지의 경화가 부족하다는 결점이 있다. 따라서, 자외선 경화형 수지의 도막에 라미네이트하는 부형 필름의 전광선 투과율이 20% 이상인 것을 사용하는 것이 필요하다.
또한, 터치패널에 사용했을 때 가시광선의 투과율을 추가로 향상시키기 위해, 하드코트층 상에 저반사 처리를 행해도 된다. 이 저반사 처리는, 하드코트층의 굴절률과는 상이한 굴절률을 갖는 재료를 단층 또는 2층 이상으로 적층하는 것이 바람직하다.
단층구조의 경우, 하드코트층보다도 작은 굴절률을 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 2층 이상의 다층구조로 하는 경우는, 하드코트층과 인접한 층은, 하드코트층보다도 커다란 굴절률을 갖는 재료를 사용하고, 그 윗층에는 그것보다도 작은 굴절률을 갖는 재료를 선택하는 것이 좋다. 이러한 저반사 처리를 구성하는 재료로서는, 유기 재료, 무기 재료 상관없이, 상기 굴절률의 관계를 만족하면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, CaF2, MgF2, NaAlF4, SiO2, ThF4, ZrO2, Nd2O3, SnO2, TiO2, CeO2, ZnS, In2O3 등의 유전체를 사용하는 것이 바람직하다.
이 저반사 처리는, 진공증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법 등의 드라이 코팅 프로세스여도 되고, 그라비아방식, 리버스방식, 다이방식 등의 웨트 코팅 프로세스여도 된다.
또한, 이 저반사 처리층의 적층에 앞서, 전처리로서, 코로나 방전처리, 플라즈마처리, 스퍼터 에칭처리, 전자선 조사처리, 자외선 조사처리, 프라이머처리, 이접착처리 등의 공지의 표면처리를 하드코트층에 행해도 된다.
(투명도전성 시트)
본 발명의 투명도전성 시트는, 본 발명의 투명도전성 필름의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에, 점착제를 매개로 투명 수지 시트를 첩합 적층함으로써 얻어진다. 본 발명의 투명도전성 시트는, 터치패널의 고정전극에 사용할 수 있다. 즉, 터치패널의 고정전극의 기판을 유리에서 본 발명의 투명 수지 시트로 변경함으로써, 경량이며 깨지기 어려운 터치패널을 제작할 수 있다.
상기 점착제는, 투명성을 갖는 것이라면 특별히 한정은 없으나, 예를 들면 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제 등이 매우 적합하다. 이 점착제의 두께는 특별히 한정은 없지만, 통상 1~100 ㎛의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 점착제의 두께가 1 ㎛ 미만의 두께인 경우, 실용상 문제가 없는 접착성을 얻는 것이 어렵고, 100 ㎛를 초과하는 두께의 경우는 생산성의 관점에서 바람직하지 않다.
이 점착제를 매개로 첩합하는 투명 수지 시트는, 유리와 동등한 기계적 강도를 부여하기 위해 사용하는 것으로, 두께는 0.05~5 ㎜의 범위가 바람직하다. 상기 투명 수지 시트의 두께가 0.05 ㎜ 미만인 경우는, 기계적 강도가 유리에 비해 부족하다. 한편, 두께가 5 ㎜를 초과하는 경우에는, 지나치게 두꺼워 터치패널에 사용하기에는 부적당하다. 또한, 이 투명 수지 시트의 재질은, 상기 투명 플라스틱 필름과 동일한 것을 사용할 수 있다.
(터치패널)
터치패널은, 투명도전성 박막층을 갖는 한쌍의 투명도전성 기판(필름, 유리, 시트 중 어느 하나)을, 투명도전성 박막층이 대향하도록 스페이서를 매개로 배치해서 된다. 펜에 의해 문자를 입력했을 때, 펜으로부터의 압압(押壓)에 의해, 대향한 투명도전성 박막끼리 접촉하여, 전기적으로 ON의 상태가 되어, 터치패널 상에서의 펜의 위치를 검출할 수 있다. 이 펜 위치를 연속적이고 정확하게 검출함으로써, 펜의 궤적으로부터 문자를 인식할 수 있다.
본 발명의 터치패널은, 적어도 한쪽의 투명도전성 기판에 상기 본 발명의 투명도전성 필름을 사용한 것이다. 이때, 펜 접촉측의 가동전극이 본 발명의 투명도전성 필름을 사용하면, 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체에 삽입되어도 시인성이 저하되지 않고, 또한 펜 슬라이딩 내구성이 우수하기 때문에, 장기간에 걸쳐 안정한 터치패널로 할 수 있다. 도 1에, 본 발명의 투명도전성 필름을 사용한, 터치패널의 예를 나타낸다.
또한, 본 발명의 투명도전성 필름 및 투명도전성 시트를 사용해서 얻은, 유리기판을 사용하지 않는 플라스틱제 터치패널의 단면도를 도 2에 나타내었다. 이 플라스틱제 터치패널은, 유리를 사용하고 있지 않기 때문에, 매우 경량이며, 또한 충격에 의해 깨지는 경우가 없다.
실시예
이하에 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명은 이들 실시예에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다. 또한, 투명도전성 필름의 성능 및 고굴절률층, 투명도전성 박막의 결정성, 터치패널의 펜 슬라이딩 내구성 시험은, 하기 방법으로 측정하였다.
(1) 전광선 투과율
JIS-K7136에 준거해서, 닛폰 덴쇼쿠 고교(주) 제조 NDH-1001DP를 사용하여, 광선투과율을 측정하였다.
(2) 표면저항값
JIS-K7194에 준거해서, 4단자법으로 측정하였다. 측정기는 미쯔비시 유카(주) 제조　Lotest AMCP-T400을 사용하였다.
(3) 컬러(a값, b값)
JIS-K7105에 준거해서, 색차계(닛폰 덴쇼쿠 고교 제조, ZE-2000)를 사용하여, 표준의 빛 C/2로 컬러 a값, b값을 측정하였다.
(4) 분광 투과율의 피크 파장
분광광도계(히타치 U-3500형)를 사용해서, 380~780 ㎚의 범위에서 투명도전성 박막측에 빛이 조사되도록 하여, 실내의 공기를 투과율의 참조로 해서 측정하였다. 측정결과로부터 투과율이 최대값이 되는 파장을 피크 파장으로 하였다.
(5) 고굴절률층, 투명도전성 박막의 결정성
고굴절률층, 투명도전성 박막을 적층한 필름 시료편을 300 ㎛×300 ㎛의 정사각형으로 잘라내, 울트라미크로톰의 시료 홀더에, 박막면을 자기 앞쪽으로 해서 고정하였다. 이어서, 1 ㎛×1 ㎛ 이상의 목적 관찰부위를 갖는 절편이 얻어질 정도로 나이프를 필름면에 대해 매우 예각으로 설치하여, 설정 두께 70 ㎚로 절삭하였다.
이 절편의 도전성 박막 표면측이며 또한 박막의 현저한 손상이 없는 부위에 있어서, 1 ㎛×1 ㎛의 관찰시야를 확보하고, 투과형 전자현미경(JEOL사 제조, JEM-2010)을 사용해서, 가속전압 200 kV, 명시야에서 관찰배율 5만배로 사진촬영을 행하여 결정성을 평가하였다.
(6) 프레임 근방에서의 펜 슬라이딩 내구성 시험
터치패널의 첩합부의 안쪽으로부터 1.5 ㎜ 떨어진 위치를 폴리아세탈제 펜(선단의 형상：0.8 ㎜R)에 2.5 N의 하중을 가하고, 1만회(왕복 5000회)의 직선 슬라이딩 시험을 터치패널에 행하였다. 이때의 슬라이딩 거리는 30 ㎜, 슬라이딩 속도는 60 ㎜/초로 하였다. 또한, 터치패널의 상하 기판의 갭은 150 ㎛였다. 이 슬라이딩 내구성 시험 후에, 먼저, 슬라이딩부가 백화되어 있는지를 육안으로 관찰하였다. 또한, 슬라이딩 부위 가까운 주변을 현미경으로 관찰하여, 크랙의 발생이 없는지 관찰하였다. 또한, 펜 하중 1.0 N으로 슬라이딩부를 눌렀을 때의, ON 저항(가동전극(필름전극)과 고정전극이 접촉했을 때의 저항값)을 측정하였다.
(7) 펜 슬라이딩 내구성 시험
폴리아세탈제 펜(선단의 현상：0.8 ㎜R)에 2.5 N의 하중을 가하고, 10만회(왕복 5만회)의 직선 슬라이딩 시험을 터치패널에 행하였다. 이때의 슬라이딩 거리는 30 ㎜, 슬라이딩 속도는 60 ㎜/초로 하였다. 이 슬라이딩 내구성 시험 후에, 먼저, 슬라이딩부가 백화되어 있는지를 육안으로 관찰하였다. 또한, 펜 하중 0.5 N으로 상기 슬라이딩부에 가해지도록 20 ㎜ø의 기호 ○ 표시를 필기하여, 터치패널이 이것을 정확하게 읽어낼 수 있는지를 평가하였다. 또한, 펜 하중 0.5 N으로 슬라이딩부를 눌렀을 때의, ON 저항(가동전극(필름전극)과 고정전극이 접촉했을 때의 저항값)을 측정하였다.
(8) 고온?고습하에서의 환경시험
　투명도전성 필름을, (주) 나가노 가가쿠 기카이 세이사쿠쇼 제조의 LH43-12P를 사용하여 85℃, 85%RH의 분위기하에서 1000시간 폭로하였다. 이 처리 후에 표면저항값, 광선투과율, 컬러를 측정하였다.
(9) 고굴절률층, 저굴절률층, 투명도전성 박막층의 막두께
고굴절률층, 저굴절률층, 투명도전성 박막층을 적층한 필름 시료편을 1 ㎜×10 ㎜의 크기로 잘라내, 전자현미경용 에폭시 수지에 포매하였다. 이것을 울트라미크로톰의 시료 홀더에 고정하고, 포매한 시료편의 짧은 변에 평행한 단면 박절편을 제작하였다. 이어서, 이 절편의 박막의 현저한 손상이 없는 부위에 있어서, 투과형 전자현미경(JEOL사 제조, JEM-2010)을 사용해서, 가속전압 200 kV, 명시야에서 관찰배율 1만배로 사진촬영을 행하여 얻어진 사진으로부터 막두께를 구하였다.
(10) 고굴절률층, 저굴절률층, 투명도전성 박막층의 굴절률
실리콘 웨이퍼 상에 각층을 각각 동 성막조건으로 제작한 시료에 대해서 분광 엘립소미터(오츠카 덴시 가부시키가이샤 제조, FE-5000)를 사용하여 550 ㎚의 굴절률을 평가하였다. 또한, 각층을 설치한 필름의 분광 투과율 측정 데이터에 대해 광학 시뮬레이션 소프트웨어를 사용하여 피팅을 행해, 굴절률을 산출하였다. 이때, 각층의 막두께는 상기 막두께 평가방법에 의해 평가한 값을 사용하였다. 또한 이와 같이 산출한 각층의 굴절률이 실리콘 웨이퍼 상의 각층의 굴절률과 크게 차가 없는 것을 확인하였다.
[실시예 1]
광중합개시제 함유 아크릴계 수지(다이니치 세이카 고교사 제조, 세이카빔 EXF-01J) 100 질량부에, 용제로서 톨루엔/MEK(80/20：질량비)의 혼합용매를, 고형분 농도가 50 질량%가 되도록 첨가하고, 교반하여 균일하게 용해해서 도포액을 조제하였다.
양면에 이접착층을 갖는 이축배향 투명 PET 필름(도요 보세키사 제조, A4340, 두께 188 ㎛)에, 도막의 두께가 5 ㎛가 되도록 조제한 도포액을, 메이어 바를 사용하여 도포하였다. 80℃에서 1분간 건조를 행한 후, 자외선 조사장치(아이그래픽사 제조, UB042-5AM-W형)를 사용해서 자외선을 조사(광량：300 mJ/㎠)하여, 도막을 경화시켰다. 이어서, 반대면에 대해서도 동일하게 도막을 설치한 후, 180℃에서 1분간의 가열처리를 행하여, 휘발성분의 저감을 행하였다.
또한, 이 경화물층을 적층한 이축배향 투명 PET 필름을 진공 폭로하기 위해, 진공 챔버 중에서 되감기처리를 행하였다. 이때의 압력은 0.002 Pa이고, 폭로시간은 20분으로 하였다. 또한, 센터롤의 온도는 40℃로 하였다.
다음으로, 이 경화물층 상에 인듐-주석 복합 산화물로 되는 고굴절률층을 성막하였다. 이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 산화주석을 36 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 6.9 g/㎤)을 사용하여, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 O2 유량의 3배의 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하였다. 단, 통상의 DC가 아니라, 아크 방전을 방지하기 위해, 닛폰 이앤아이 제조 RPG-100을 사용하여 5 μs 폭의 펄스를 50 kHz 주기로 인가하였다. 또한, 센터롤 온도는 0℃로 하고, 스퍼터링을 행하였다.
또한, 분위기의 산소분압을 스퍼터 프로세스 모니터(LEYBOLD INFICON사 제조, XPR2)로 상시 관측하면서, 인듐-주석 복합 산화물 박막 중의 산화도가 일정해지도록 산소가스의 유량계 및 DC 전원에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 45 ㎚의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 고굴절률층을 퇴적시켰다. 이와 같이 하여 얻어진 고굴절률층의 표면저항값은 1×106 Ω/□ 이상이었다.
또한 상기 고굴절률층 상에 저굴절률층으로서 SiO2 박막을 형성하는데는, 실리콘을 타겟으로 사용하여, 직류 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하였다. 또한, 기판의 배면(背面)에는 0℃의 냉각 롤을 설치하여, 투명 플라스틱 필름을 냉각하였다. 이때의 타겟에는 7.8 W/㎠의 전력을 공급하고, 다이나믹 레이트는 23 ㎚?m/분이었다.
또한, 성막 중의 전압값을 상시 관측하면서, 전압값이 일정해지도록 산소가스의 유량계에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 55 ㎚, 굴절률 1.46의 저굴절률층을 퇴적시켰다.
다음으로, 이 저굴절률층 상에 인듐-주석 복합 산화물로 되는 투명도전성 박막을 성막하였다. 이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 산화주석을 36 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 6.9 g/㎤)을 사용하여, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하였다. 단, 통상의 DC가 아니라, 아크 방전을 방지하기 위해, 닛폰 이앤아이 제조 RPG-100을 사용하여 5 μs 폭의 펄스를 50 kHz 주기로 인가하였다. 또한, 센터롤 온도는 10℃로 하고, 스퍼터링을 행하였다.
또한, 분위기의 산소분압을 스퍼터 프로세스 모니터(LEYBOLD　INFICON사 제조, XPR2)로 상시 관측하면서, 인듐-주석 복합 산화물 박막 중의 산화도가 일정해지도록 산소가스의 유량계 및 DC 전원에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 15 ㎚, 굴절률 1.96의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 투명도전성 박막을 퇴적시켰다.
＜터치패널의 제작＞
이 투명도전성 필름을 한쪽의 패널판으로서 사용하고, 다른 쪽의 패널판으로서, 유리기판 상에 플라즈마 CVD법으로 두께가 20 ㎚인 인듐-주석 복합 산화물 박막(산화주석 함유율：10 질량%)으로 되는 투명도전성 박막(닛폰 소다사 제조, S500)을 사용하였다. 이 2매의 패널판을 투명도전성 박막이 대향하도록, 직경 30 ㎛의 에폭시 비즈를 매개로 배치하여 터치패널을 제작하였다.
[실시예 2]
실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 10 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 7.1 g/㎠)으로 하고, O2가스유량을 표면저항값이 최소가 되는 유량의 5배로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 얻어진 고굴절률층의 표면저항값은 1×106 Ω/□ 이상이었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다. 또한, 불활성 가스에 대한 수분압의 비는 5×10-3이었다.
[비교예 1]
실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 5 질량% 함유한 산화인듐(미쯔이 긴조쿠 고교샤 제조, 밀도 7.1 g/㎠)으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[비교예 2]
실시예 1에 있어서 저굴절률층의 막두께를 70 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[비교예 3]
실시예 1에 있어서 저굴절률층의 막두께를 40 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[실시예 3]
실시예 1과 동일하게 하여 하드코트층/이축배향 투명 PET 필름으로 되는 기재/경화물층/고굴절률층/저굴절률층/투명도전성 박막층으로 되는 적층체를 제작하고, 이어서, 이 하드코트층 상에 순차 TiO2 박막층(굴절률：2.30, 막두께 15 ㎚), SiO2 박막층(굴절률：1.46, 막두께 29 ㎚), TiO2 박막층(굴절률：2.30, 막두께 109 ㎚), SiO2 박막층(굴절률：1.46, 막두께 87 ㎚)을 적층함으로써 반사방지 처리층을 형성하였다. TiO2 박막층을 형성하는데는, 티탄을 타겟으로 사용하여, 직류 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa로 하고, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하였다. 또한, 기판의 배면에는 표면온도가 0℃인 냉각 롤을 설치하여, 투명 플라스틱 필름을 냉각하였다. 이때의 타겟에는 7.8 W/㎠의 전력을 공급하고, 다이나믹 레이트는 23 ㎚?m/분이었다.
SiO2 박막을 형성하는데는, 실리콘을 타겟으로 사용하여, 직류 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하였다. 또한, 기판의 배면에는 0℃의 냉각 롤을 설치하여, 투명 플라스틱 필름을 냉각하였다. 이때의 타겟에는 7.8 W/㎠의 전력을 공급하고, 다이나믹 레이트는 23 ㎚?m/분이었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 한쪽 패널판으로서 사용하고, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[실시예 4]
실시예 1과 동일하게 하여 제작한 투명도전성 필름을, 아크릴계 점착제를 매개로 해서, 두께가 1.0 ㎜인 폴리카보네이트제의 시트에 첩부(貼付)하여, 투명도전성 적층 시트를 제작하였다. 이 투명도전성 적층 시트를 고정전극으로서 사용하고, 실시예 1의 투명도전성 필름을 가동전극에 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[실시예 5]
실시예 1에 있어서 저굴절률층으로서 불화마그네슘(MgF2)으로 되는 박막을 성막한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 형성하였다.
이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 불화마그네슘(미쯔이 긴조쿠 제조)을 사용하여, 2 W/㎠의 13.56 MHz의 고주파 전력을 인가하고 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm의 유속으로 흐르게 하여 성막을 행하였다. 또한, 성막 중의 전압값을 상시 관측하면서, 전압값이 일정해지도록 산소가스의 유량계에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 60 ㎚, 굴절률 1.36의 저굴절률층을 퇴적시켰다.
또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[실시예 6]
실시예 1에 있어서 경화물층 상에 저굴절률층으로서 알루미늄-실리콘 복합 산화물(Al2O3-SiO2)로 되는 박막을 성막한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 형성하였다.
이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 Al-Si(50：50 wt%)(미쯔이 긴조쿠 제조)를 사용하여, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하고 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하여 성막을 행하였다. 또한, 성막 중의 전압값을 상시 관측하면서, 전압값이 일정해지도록 산소가스의 유량계에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 50 ㎚, 굴절률 1.55의 저굴절률층을 퇴적시켰다.
또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[실시예 7]
실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 20 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 7.0 g/㎤)으로 하고, O2가스유량을 표면저항값이 최소가 되는 유량의 4배로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 얻어진 고굴절률층의 표면저항값은 1×106 Ω/□ 이상이었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[실시예 8]
실시예 1에 있어서 갈륨을 도핑한 산화아연 박막을 투명도전성 박막으로 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 타겟으로서 산화갈륨을 5 질량% 함유한 산화아연(도소사 제조)을 사용하고, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하여, 두께 14 ㎚, 굴절률 2.05의 투명도전성 박막을 얻었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[실시예 9]
고굴절률층의 두께를 40 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.
[실시예 10]
저굴절률층의 두께를 50 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.
[실시예 11]
투명도전성 박막의 두께를 10 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.
[실시예 12]
투명도전성 박막의 두께를 22 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.
[실시예 13]
실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 55 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 6.7 g/㎤)으로 하고, O2가스유량을 표면저항값이 최소가 되는 유량의 2.5배로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 얻어진 고굴절률층의 표면저항값은 1×106 Ω/□ 이상이었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[비교예 4]
실시예 1에 있어서 저굴절률층으로서 지르코니아-실리콘 복합 산화물(ZrO2-SiO2)로 되는 박막을 성막한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 형성하였다.
이때, 스퍼터링 전의 압력을 0.0001 Pa로 하고, 타겟으로서 ZrSi2(미쯔이 긴조쿠 제조)를 사용하여, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하고 직류 마그네트론 스퍼터링법으로, 진공도를 0.27 Pa, 가스로서 Ar가스를 500 sccm, O2가스를 80 sccm의 유속으로 흐르게 하여 성막을 행하였다. 또한, 성막 중의 전압값을 상시 관측하면서, 전압값이 일정해지도록 산소가스의 유량계에 피드백하였다. 이상과 같이 하여, 두께 45 ㎚, 굴절률 1.75의 저굴절률층을 퇴적시켰다.
[비교예 5]
실시예 2에 있어서, 제막 전의 되감기시의 압력을 추가로 한자리 향상시켜서 0.0002 Pa로 한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 이때의 불활성 가스에 대한 수분압의 비는 1×10-3이었다. 추가로 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[비교예 6]
실시예 1에 있어서 고굴절률층을 제작하는 타겟으로서 산화주석을 75 질량% 함유한 산화인듐(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조, 밀도 5.8 g/㎤)으로 하고, O2가스유량을 표면저항값이 최소가 되는 유량의 2배로 하였다. 그러나, 스퍼터링 중에 이상방전이 다발하여, 고굴절률층을 성막할 수 없었다.
[비교예 7]
실시예 1에 있어서 티탄 및 주석을 도핑한 산화인듐 박막을 투명도전성 박막으로 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 타겟으로서 산화인듐：산화주석：산화티탄＝60：10：30 중량%(스미토모 긴조쿠 고산샤 제조)를 사용하고, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하여, 두께 15 ㎚, 굴절률 2.25의 투명도전성 박막을 얻었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[비교예 8]
실시예 1에 있어서 실리콘 및 주석을 도핑한 산화인듐 박막을 투명도전성 박막으로 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 타겟으로서 산화인듐：산화주석：산화실리콘＝60：10：30 중량%(스미토모 광산사 제조)를 사용하고, 2 W/㎠의 DC 전력을 인가하였다. 또한, Ar가스를 130 sccm, O2가스를 표면저항값이 최소가 되는 유속으로 흐르게 하고, 0.4 Pa의 분위기하에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 성막하여, 두께 18 ㎚, 굴절률 1.75의 투명도전성 박막을 얻었다. 또한, 이 투명도전성 필름을 사용해서, 실시예 1과 동일하게 하여 터치패널을 제작하였다.
[비교예 9]
고굴절률층의 두께를 30 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.
[비교예 10]
고굴절률층의 두께를 60 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.
[비교예 11]
투명도전성 박막의 두께를 30 ㎚로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 투명도전성 필름 및 터치패널을 제작하였다.
Figure pct00001
Figure pct00002
표 1, 2의 결과로부터, 본원 발명의 범위를 만족하는 실시예 1~13에 기재된 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트를 사용한 터치패널은, 시인성이 우수하며, 또한 프레임 근방에 있어서 폴리아세탈제 펜(선단 형상：0.8 ㎜R)에 2.5 N의 하중을 가하여 1만회의 슬라이딩 시험을 행한 후에도 박리나 크랙의 발생도 없고, ON 저항에도 이상이 없었다.
한편, 고굴절률층이 결정질인 비교예 1에 기재된 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트를 사용한 터치패널은, 프레임 근방에서 폴리아세탈제 펜(선단 형상：0.8 ㎜R)에 2.5 N의 하중을 가하여 1만회의 슬라이딩 시험을 행한 후에 ON 저항에 이상이 발생하였다. 또한, 현미경으로 펜 슬라이딩 부분을 평가해보니, 투명도전성 박막의 박리나 크랙이 보였다. 투명도전성 박막이 결정질인 비교예 5도 마찬가지이다.
또한, 저굴절률층 또는 고굴절률층 또는 투명도전성 박막의 막두께가 두꺼운 [비교예 2, 10, 11]은 전광선 투과율이 본원 발명의 범위외로 투명성이 나쁘고, 저굴절률층 또는 고굴절률층의 막두께가 얇은 [비교예 3, 9]는 컬러 b값이 본원 발명의 범위위로 색채가 나빠, 이들 투명도전성 필름을 사용한 터치패널은 시인성이 떨어지는 것이었다. 비교예 4, 비교예 7은 저굴절률층 또는 투명도전성 박막의 굴절률이 높기 때문에 컬러 b값이 본원 발명의 범위외로 색채가 나쁘다.
비교예 7, 8은 표면저항이 지나치게 높아, 터치패널 용도에 적합하지 않다. 또한 비교예 6은 산화인듐에 대한 산화주석의 비율이 지나치게 많아 이상방전이 많고, 스퍼터링 중의 이상방전이 많아, 성막을 행할 수 없었다.
본 발명의 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트는, 고정세한 액정 디스플레이 등의 표시체의 전면에 배치되는 터치패널에 사용했을 때, 시인성이 우수한 동시에, 터치패널의 프레임 근방에서도 박리, 크랙 등을 발생시키지 않고, 펜 슬라이딩 내구성이 우수하며, 또한 위치 검출 정밀도나 표시품위도 우수하기 때문에, 터치패널의 협프레임화에 대응할 수 있어, 휴대정보단말이나 디지털 비디오 카메라, 디지털 카메라 등에 사용되는, 기록매체의 소형화와 표시 디스플레이의 대화면화가 강하게 요구되는 터치패널로서 특히 매우 적합하다.
도면의 간단한 설명
도 1은 본 발명의 투명도전성 필름을 사용한, 터치패널의 설명도이다.
도 2는 본 발명의 투명도전성 필름을 사용한, 유리기판을 사용하지 않는 터치패널의 설명도이다.
10：투명도전성 필름
11：투명 플라스틱 필름(기재)
12：경화물층
13：고굴절률층
14：저굴절률층
15：투명도전성 박막층
16：하드코트층
20：비즈
30：유리판
40：투명도전성 시트
41：점착제
42：투명 수지 시트

Claims (5)

  1. 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재 상에, 고굴절률층, 저굴절률층 및 투명도전성 박막층을 이 순으로 적층한 투명도전성 필름으로서, 고굴절률층은 산화주석의 함유율이 10~60 질량%인 비정질의 인듐-주석 복합 산화물로 되는 무기 박막이고, 저굴절률층은 굴절률이 1.30~1.60인 무기 박막으로 되며, 투명도전성 박막층은 굴절률이 1.80~2.20인 무기 박막으로 되고, 또한 투명도전성 필름의 분광 투과율의 피크가 450~530 ㎚에 존재하며, 또한 전광선 투과율이 90% 이상, 컬러 b값이 -2~2인 것을 특징으로 하는 투명도전성 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고굴절률층의 산화주석의 함유율이 20~60 질량%인 것을 특징으로 하는 투명도전성 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투명 플라스틱 필름으로 되는 기재의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에 저반사 처리를 행한 것을 특징으로 하는 투명도전성 필름.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 투명도전성 필름의 투명도전성 박막층이 적층된 면의 반대면에, 점착제를 매개로 투명 수지 시트가 첩합(貼合)되어 있는 것을 특징으로 하는 투명도전성 시트.
  5. 투명도전성 박막층을 갖는 한쌍의 패널판을 투명도전성 박막층이 대향하도록 스페이서를 매개로 배치해서 되는 터치패널로서, 적어도 한쪽의 패널판이 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 투명도전성 필름 또는 투명도전성 시트로 되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
KR1020127011352A 2009-10-19 2009-10-19 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널 KR101370188B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2009/067983 WO2011048647A1 (ja) 2009-10-19 2009-10-19 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120088735A true KR20120088735A (ko) 2012-08-08
KR101370188B1 KR101370188B1 (ko) 2014-03-05

Family

ID=43835994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127011352A KR101370188B1 (ko) 2009-10-19 2009-10-19 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4640535B1 (ko)
KR (1) KR101370188B1 (ko)
CN (1) CN102648087B (ko)
WO (1) WO2011048647A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101295201B1 (ko) * 2013-01-29 2013-08-12 오영호 비정전용량형 터치 입력이 가능한 터치스크린용 적층보호필름, 이를 이용한 모바일기기 및 보호케이스
WO2015020318A1 (ko) * 2013-08-05 2015-02-12 (주)엘지하우시스 투명 도전성 필름 및 이의 제조방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101045026B1 (ko) * 2010-11-12 2011-06-30 (주)비엠씨 투명 도전성 적층 필름, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치패널
CN102789828A (zh) * 2011-05-19 2012-11-21 智盛全球股份有限公司 导电性膜层结构及其触控面板
JP5960995B2 (ja) * 2012-01-26 2016-08-02 リンテック株式会社 ニュートンリング防止シート
KR101571202B1 (ko) * 2012-12-11 2015-11-23 (주)엘지하우시스 저굴절층 코팅용 조성물 및 이를 포함하는 투명 도전성 필름
JP6166930B2 (ja) * 2013-03-29 2017-07-19 リンテック株式会社 透明導電性フィルム
CN103823593B (zh) * 2014-02-27 2017-06-27 蓝思科技（长沙）有限公司 制备多彩视窗边框的保护玻璃盖板的方法及其应用
JP6563185B2 (ja) * 2014-09-18 2019-08-21 株式会社カネカ 透明導電フィルムの製造方法
WO2017126466A1 (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 東洋紡株式会社 透明導電性フィルム
CN106842727B (zh) * 2017-03-31 2020-02-21 合肥鑫晟光电科技有限公司 基板及其制备方法、液晶显示屏
JP6953170B2 (ja) * 2017-04-19 2021-10-27 日東電工株式会社 導電性フィルムおよびタッチパネル
KR20190063306A (ko) * 2017-11-29 2019-06-07 삼성에스디아이 주식회사 광학표시장치의 보호 필름, 이를 포함하는 광학 부재 및 이를 포함하는 광학표시장치
KR101973155B1 (ko) * 2018-12-10 2019-04-26 (주)딥스원에듀 도트필름, 다층광학시트 및 스마트 전자칠판
US10955943B1 (en) 2020-02-28 2021-03-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Touch screen panel with surface friction modification
CN111560586A (zh) * 2020-04-30 2020-08-21 豪威星科薄膜视窗(深圳)有限公司 一种电容触摸屏镀膜工艺及触摸屏
CN111399701B (zh) * 2020-05-09 2024-04-02 上海天马微电子有限公司 触控模组、触控显示面板和触控显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4468493B2 (ja) * 1998-02-03 2010-05-26 東洋紡績株式会社 ペン入力タッチパネル用透明導電性フィルム及びこれを用いたペン入力タッチパネル
JPH11286066A (ja) * 1998-03-31 1999-10-19 Oike Ind Co Ltd 透明導電性フイルム
JP2004152727A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Toyo Metallizing Co Ltd 透明導電膜
KR101196342B1 (ko) * 2005-05-26 2012-11-01 군제 가부시키가이샤 투명 평면체 및 투명 터치스위치
JP4697450B2 (ja) * 2005-07-29 2011-06-08 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルムまたは透明導電性シート、及びこれを用いたタッチパネル
JP4314623B2 (ja) * 2006-12-07 2009-08-19 日東電工株式会社 透明導電性積層体及びタッチパネル
JP2008292982A (ja) * 2007-04-27 2008-12-04 Jsr Corp 偏光板およびタッチパネル
JP5033740B2 (ja) * 2007-10-26 2012-09-26 帝人株式会社 透明導電性積層体およびタッチパネル

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101295201B1 (ko) * 2013-01-29 2013-08-12 오영호 비정전용량형 터치 입력이 가능한 터치스크린용 적층보호필름, 이를 이용한 모바일기기 및 보호케이스
WO2015020318A1 (ko) * 2013-08-05 2015-02-12 (주)엘지하우시스 투명 도전성 필름 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011048647A1 (ja) 2011-04-28
JPWO2011048647A1 (ja) 2013-03-07
CN102648087B (zh) 2014-12-10
KR101370188B1 (ko) 2014-03-05
CN102648087A (zh) 2012-08-22
JP4640535B1 (ja) 2011-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101370188B1 (ko) 투명도전성 필름 및 이를 사용한 터치패널
TWI383404B (zh) Transparent conductive laminate and transparent touch panel
US9860981B2 (en) Transparent conductive film and method for producing same
KR100619547B1 (ko) 투명 도전성 필름, 투명 도전성 시트 및 터치패널
JP5556436B2 (ja) 透明導電性積層フィルム及び透明導電性積層シート並びにタッチパネル
KR101370190B1 (ko) 투명 도전성 적층 필름
KR101521003B1 (ko) 투명 도전성 필름 및 터치 패널
JP5229108B2 (ja) 透明導電性積層フィルム及び透明導電性積層シート並びにタッチパネル
JP4697450B2 (ja) 透明導電性フィルムまたは透明導電性シート、及びこれを用いたタッチパネル
JP2010015861A (ja) 透明導電性積層フィルム
WO2011048648A1 (ja) 透明導電性積層フィルム
JP5481992B2 (ja) 透明導電性フィルム
TWI397926B (zh) 透明導電性薄膜及使用它之觸控面板
TW550598B (en) Transparent conductive films and method for produce the same, transparent conductive sheets, and touch panels
JP2023038265A (ja) 透明導電性フィルム
TWI327736B (en) Transparent conductive film, transparent conductive sheet, and touch panel
JP2009283348A (ja) 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネル
JP5463680B2 (ja) 透明導電性フィルム
WO2011138922A1 (ja) 透明導電性フィルム及びその製造方法
JP3627864B2 (ja) 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル
JP2016124124A (ja) 色調補正フィルム
JP5824398B2 (ja) 透明導電性積層体
JP2001229736A (ja) 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル
CN111399692A (zh) 触控面板及其制备方法、电子设备
JP2003151365A (ja) 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル

Legal Events

Date Code Title Description
G170 Publication of correction
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170201

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee