KR20120081996A - 고급 히드리도실란의 제조 방법 - Google Patents

고급 히드리도실란의 제조 방법 Download PDF

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구이도 스토흐니올
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에보니크 데구사 게엠베하
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Abstract

본 발명은 1종 이상의 불균질 촉매가 지지체 상에 적용된 Cu, Ni, Cr 및/또는 Co, 및/또는 지지체 상에 적용된 Cu, Ni, Cr 및/또는 Co의 산화물을 포함하는 것인, 1종 이상의 저급 히드리도실란과 1종 이상의 불균질 촉매를 반응시키는 고급 히드리도실란의 제조 방법, 이와 같은 방법에 의해 제조될 수 있는 히드리도실란 및 그의 용도에 관한 것이다.

Description

고급 히드리도실란의 제조 방법 {METHOD FOR PRODUCING HIGHER HYDRIDOSILANE}
본 발명은 저급 히드리도실란의 탈수소 중합반응에 의한 고급 히드리도실란의 제조 방법, 그러한 방법에 의해 제조된 고급 히드리도실란, 및 고급 히드리도실란의 전자 또는 광전자 부품 층의 제조 및 규소-함유 층의 제조를 위한 용도에 관한 것이다.
히드리도실란 또는 그들의 혼합물, 특히 고급 히드리도실란 또는 그들의 혼합물은 문헌에 규소 층 생산에 반응물로 사용될 수 있는 것으로 기재되어 있다. 히드리도실란은 본질적으로 규소와 수소 원자만을 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명과 관련하여, 히드리도실란은 가스상, 액체 또는 고체상이며, 고체인 경우에는 본질적으로 톨루엔 또는 시클로헥산과 같은 용매, 또는 시클로펜타실란과 같은 액체 실란에 가용성이다. 실란의 예는 모노실란, 디실란, 트리실란 및 시클로펜타실란을 포함한다. 고급, 즉, 2개 이상의 규소 원자를 갖는 히드리도실란은 Si-H 결합을 갖는 선형, 분지형 또는 (임의로는 비-/폴리-)시클릭 구조를 가질 수 있으며, 일반식 SinH2n +2 (선형 또는 분지형; n이 2 이상인 경우), SinH2n (시클릭; n이 3 이상인 경우) 또는 SinH2 (n-i) (비- 또는 폴리시클릭; n이 4 이상인 경우; i　=　{사이클의 수}　-　1)로 표시될 수 있다.
예를 들어, EP　1　087　428　A1은 3개 이상의 규소 원자를 갖는 히드리도실란 이 사용되는 규소 필름의 제조 방법을 기재하고 있다. EP　1　284　306　A2는, 대표적으로, 3개 이상의 규소 원자를 갖는 히드리도실란 화합물과, 시클로펜타실란, 시클로헥사실란 및 실릴시클로펜타실란으로부터 선택된 1종 이상의 히드리도실란 화합물을 함유하는 혼합물을 기재하고 있으며, 이 또한 규소 필름을 제조하는데 사용될 수 있다.
고급 히드리도실란은, 예컨대, 할로실란을 알칼리 금속을 사용하여 탈할로겐화 및 중축합하여 제조될 수 있다 (GB　2　077　710　A). 그러나, 이러한 방법의 단점은 부분적으로 할로겐화된 실란이 불순물로 얻어지며, 이러한 생성물을 특히 반도체 산업에서 사용할 규소를 제공하기 위해 추후 가공하는 경우 불량한 품질의 규소 층이 생성될 수 있기 때문에 불리하다는 것이다.
히드리도실란을 제조하는 다른 방법은 히드리도실란의 탈수소중합 반응에 기초하며, 저급 히드리도실란, 특히 SiH4로부터 형식적으로 H2를 제거하여 고급 히드리도실란을 형성하는 것으로서, 이 과정은 특히 1) 열적으로 (US　6,027,705　A, 촉매가 사용되지 않는 경우) 및/또는 2) 촉매로서, a) 원소 전이 금속 (불균질 촉매 반응; US　6,027,705　A, 백금족 금속, 즉, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt가 사용되는 경우; US　5,700,400　A, 3B 내지 7B 및 8족의 금속, 즉, Cu 및 Zn족을 제외한 전이 금속/란타노이드가 사용되는 경우), b) 비-금속 산화물 (불균질 촉매 반응; US　6,027,705　A, Al2O3 또는 SiO2가 사용되는 경우), c) 스칸듐, 이트륨 또는 희토류 금속의 수소화물성 시클로펜타디에닐 착체 (균질 촉매 반응; US　4,965,386　A, US　5,252,766　A), d) 전이 금속 착체 (균질 촉매 반응; US　5,700,400　A, 3B 내지 7B 및 8족의 금속, 즉, Cu 및 Zn족을 제외한 전이 금속/란타노이드의 착체가 사용되는 경우; JP　02-184513　A) 또는 e) 지지체 상에 고정된 특정 전이 금속 (불균질 촉매 반응; US　6,027,705　A, 백금족 금속이 SiO2와 같은 지지체 상에 사용되는 경우; US　5,700,400　A, 탄소, SiO2 또는 Al2O3 상에 고정된 루테늄, 로듐, 팔라듐 또는 백금이 사용되는 경우) 또는 전이 금속 착체 (불균질 촉매 반응; US　6,027,705　A, 백금족 금속 착체가 SiO2와 같은 지지체 상에 사용되는 경우)을 사용하여 수행된다.
그러나, 이제까지 알려진 고급 히드리도실란의 제조 방법은 단점들을 갖는다: 순전히 열을 사용하여, 즉, 촉매를 사용하지 않고 수행되는 탈수소중합 반응은 높은 열 스트레스가 부반응 및 분해 반응을 촉진한다는 단점이 있다. 균질 촉매를 사용함으로써 높은 반응 온도 요건을 감소시키고 결과적으로 높은 열 스트레스를 해결할 수 있으나, 이들 촉매는 복잡한 방법으로 제거되어야하고, 또한 폴리실린-유사 고체의 형성을 촉진하는 단점이 있으며, 특히 형성될 수 있는 (SiH)n-함유 중합체성 고체는 용매 및 시클로펜타실란에 불용성이고 높은 n값을 가지므로, 반응 생성물의 마무리 처리가 어렵고 결과적으로 수율의 감소를 가져온다. 원소 전이 금속, 순수 비-금속 산화물 또는 지지체 상에 적용된 특정 전이 금속 또는 전이 금속 착체를 사용하는 이제까지 알려진 방법도 또한 충분히 높은 전환율을 얻을 수 없다는 단점을 갖는다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 선행 기술의 단점을 피하는 것이다.
이러한 목적은 본 발명에 따라서,
1종 이상의 불균질 촉매가
- 지지체 상에 적용된 Cu, Ni, Cr 및/또는 Co, 및/또는
- 지지체 상에 적용된 Cu, Ni, Cr 및/또는 Co의 산화물을 포함하는 것인, 1종 이상의 저급 히드리도실란과 1종 이상의 불균질 촉매를 반응시키는 고급 히드리도실란의 제조 방법에 의해 달성된다.
상술한 바와 같이, 고급 히드리도실란은 본질적으로 단지 규소와 수소만을 함유하는 화합물로서, Si-H 결합을 갖는 선형, 분지형 또는 (임의로는 비-/폴리-)시클릭 구조를 가지며, 일반식 SinH2n +2 (선형 또는 분지형; n이 2 이상인 경우), SinH2n (시클릭; n이 3 이상인 경우) 또는 SinH2 (n-i) (비- 또는 폴리시클릭; n이 4 이상인 경우; i　=　{사이클의 수}　-　1)로 표시될 수 있는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다.
저급 히드리도실란은 단지 규소와 수소만을 함유하는 화합물로서, Si-H 결합을 갖는 선형, 분지형 또는 (임의로는 비-/폴리-)시클릭 구조를 가지며, 일반식 SinH2n+2 (선형 또는 분지형; n이 2 이상인 경우), SinH2n (시클릭; n이 3 이상인 경우) 또는 SinH2 (n-i) (비- 또는 폴리시클릭; n이 4 이상인 경우; i　=　{사이클의 수}　-　1)로 표시될 수 있으며, 단, 사용되는 저급 히드리도실란의 수-평균 분자량은 형성되는 고급 히드리도실란의 수-평균 분자량 보다 작다.
본 발명에 따른 방법은 2 ≤ n ≤ 20인 고급 히드리도실란으로 이루어지거나 본질적으로 이를 포함하는 고급 히드리도실란 또는 그들의 혼합물을 제조하는데 특히 적절하다. 그러나, 반응 계획에 따라서는, n이 20을 넘는 고급 히드리도실란을 얻는 것이 가능하다. 본 발명의 방법은 2 ≤ n ≤ 10인 상기 일반식을 본질적으로 만족시키는 고급 히드리도실란의 혼합물을 제조하는데 특히 적절하다. 그와 같은 혼합물은 일반적으로 주성분으로서 Si2H6, Si3H8, n-Si4H10, n-Si5H12 및 n-Si6H14, 및 임의로는 2차 성분으로서 n-Si7H16, n-Si8H18, n-Si9H20 및 n-Si10H22를 함유한다. 생성물의 수-평균 분자량을 측정하고, 적절한 수-평균 분자량을 얻었을 때 본 발명에 따른 반응을 중지시키는 방법 및 수단은 당업자에게 공지되어 있다.
본 발명에 따른 방법은 특히 선형 히드리도실란을 제조하는데 적절하다. 전형적으로 낮은 수율로 생성될 수 있는 기타 생성물/2차 성분은 i-Si6H14와 같은 분지형 히드리도실란, 및 시클로펜타히드리도실란 (시클로-Si5H10)과 같은 시클릭 히드리도실란이다. 낮은 비율의 비- 또는 폴리시클릭 히드리도실란이 또한 형성될 수 있다. 이들 2차 성분의 총 비율은 각 경우에 히드리도실란과 2차 성분의 합을 기준으로 하여 전형적으로는 10 중량% 이하이다.
본 발명과 관련하여, 불균질 촉매는 반응물과 다른 상으로 존재하는 촉매를 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명에 따른 방법에 사용되는 촉매는 지지체 상에 적용된 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 것으로서, 해당 화학 반응에 대해 (촉매 물질과 비교하여) 본질적으로 불활성이거나 덜 활성인 물질 ("지지체") 상에 또는 그와 블렌딩되어 있는 상태로, 코팅, 침착, 함침 또는 혼합에 의해 지지체 물질의 표면에 본질적으로 적용되어 있는 불균질 촉매 물질을 포함하는 촉매를 의미하는 것으로 이해된다. 이 촉매 물질은 지지체 상에 및/또는 지지체 물질의 결정 또는 층 구조 내로 원자 상태로 혼입되어 있는 원소 형태 또는 화합물 형태일 수 있다. 본 발명에 따른 방법에 사용되는 불균질 촉매는 구리, 니켈, 크롬 및/또는 코발트를, 1) 특정 지지체 상에 적용되어, 즉, 지지체 상에 및/또는 지지체 물질의 결정 또는 층 구조 내로 원자 상태로 혼입되어 있는 원소 금속으로서, 및/또는 2) 지지체 상에 적용된 산화물로서, 즉, a) 정의된 산화 상태의 금속 산화물로서, b) 상이한 원자가 산화물의 혼합 원자가 화합물로서, 또는 c) 각각이 지지체 상에 및/또는 지지체 물질의 결정 또는 층 구조 내로 혼입되어 있는 화학적 화합물로 존재할 수 있는, 원소 금속과 혼합된 1종 이상의 산화물로서 포함한다.
용이하게 입수할 수 있다는 측면에서 바람직하게는 사용될 수 있는 저급 히드리도실란은 화합물 모노실란, 디실란 및 트리실란이다. 실온에서 가스 상태이고, 결과적으로 가스로서 취급할 수 있기 때문에 특히 바람직한 것은 모노실란 및 디실란이다. 매우 특히 바람직한 것은 모노실란과 디실란의 혼합물로서, 이들은 특히 양호한 수율을 제공한다.
지지체는 바람직하게는 고-표면적 물질, 특히, 활성 탄소, 산화알루미늄 (특히, 알루미나), 이산화규소, 실리카 겔, 실리케이트, 규조토, 탈크, 고령토, 점토, 이산화티타늄, 산화지르코늄 및 제올라이트이며, 이들은 동시에 "적용된" 촉매에 대해 촉진제로서 작용하며, 따라서 반응 속도를 더욱 증가시킨다. 지지체로서 산화알루미늄을 사용하는 경우, 특히 양호한 반응 속도가 얻어질 수 있다.
1종 이상의 불균질 촉매, 특히 지지체에 적용된 불균질 촉매 물질은, 특히 양호한 수율을 얻기 위해서는, 언급한 구리, 니켈, 크롬 또는 코발트 금속 이외에, 원소 형태의 또는 화합물로서의 추가로 다른 전이 금속, 란타노이드 또는 악티노이드도 포함하지 않는 것이 바람직하다.
바람직하게는 사용될 수 있는 촉매는 1) 지지체를 구리, 니켈, 크롬 및/또는 코발트의 염의 수용액으로 함침시키고, 2) 건조시키고, 3) 하소시켜 제조할 수 있고, 또한 필요에 따라서는 함침, 건조 및 하소 단계를 환원 또는 산화 조건 하에 수행할 수 있다. 따라서, 지지체에 적용된 Cu, Ni, Cr 또는 Co를 포함하는 촉매는 환원 조건을 선택하여 특히 효율적으로 제조할 수 있는 반면, 지지체에 적용된 Cu, Ni, Cr 또는 Co의 산화물을 포함하는 촉매는 산화 조건을 선택하여 특히 효율적으로 제조할 수 있다. 환원 전에 금속염 화합물, 특히 질산염을 먼저 산화물 형태로 전환시킬 수도 있다. 바람직하게는 80 내지 150 ℃의 온도에서 건조시킨다. 하소는 바람직하게는 300 내지 600 ℃의 온도에서 수행된다. 환원은 바람직하게는 150 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서 수행된다.
지지체에 적용된 Cu, Ni, Cr 또는 Co, 또는 Cu, Ni, Cr 또는 Co의 산화물의 중량 퍼센트는 촉매의 총량 (지지체 + 촉매 물질)을 기준으로 하여 바람직하게는 0.5 내지 65 중량% 범위이다. 이러한 중량 퍼센트는 농도를 아는 용액을 하소된 지지체에 적용하고 건조가 완료되었을 때 중량을 측정한 다음, 2차 하소시켜 (임의로는 환원 또는 산화 조건하에, 또한 금속 손실이 없다는 가정하에) 측정할 수 있다.
반응이 액체상으로 배치식으로 수행되는 경우, 촉매의 비율은 액체상의 질량을 기준으로 하여 바람직하게는 0.001 내지 0.5 중량%, 보다 바람직하게는 0.01 내지 0.1 중량%, 가장 바람직하게는 0.02 내지 0.06 중량%이다.
반응이 가스상으로 연속적으로 수행되는 경우, STP 조건하의 시/촉매 부피 당 가스 부피 유동으로 정의되는 GHSV (가스 시간당 공간 속도)는 바람직하게는 0.1 내지 4000　h-1, 보다 바람직하게는 1 내지 3000　h-1, 가장 바람직하게는 10 내지 1000　h-1이다.
본 발명에 따른 방법이 수행되는 온도는 결정적으로 중요하지는 않다. 그러나, 고급 히드리도실란을 제조하는 본 발명에 따른 방법은 바람직하게는 0 내지 400 ℃의 온도에서 수행된다. 본 발명의 방법은 바람직하게는 35 내지 170 ℃의 온도, 가장 바람직하게는 140 내지 160 ℃의 온도에서 수행된다.
바람직하게는 1 내지 200 bar, 보다 바람직하게는 10 내지 160　bar, 가장 바람직하게는 50 내지 150　bar의 절대 압력을 사용한다. 1　bar 미만에서, 전환은 종종 불만족스러우며, 200　bar의 절대 압력을 초과하는 경우에는, 투자에 비해 물질 요구가 과다하다.
반응 시간은 수 시간에서 수 일에 이를 수 있다. 고급 실란의 비율은 반응시간에 따라 증가한다.
반응 혼합물 중에 중간체로서 형성된 목적하는 고급 실란을 회수하고 사용되거나 반응 도중에 형성되었을 수 있는 저급 실란, 특히 3개 이상의 규소 원자를 갖는 실란이 생성물로서 요구되는 경우에 사용되거나 형성된 디실란을 다시 반응으로 돌려보내는 것이 유리할 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 또한 용매의 존재 또는 부재하에 수행될 수 있다. 그러나, 바람직하게는 용매의 존재하에 수행된다. 적절한 용매는 원칙적으로는 공급 원료나 생성물과 반응하지 않는 모든 용매이다. 바람직하게 사용될 수 있는 용매는 선형, 분지형 및 시클릭 지방족 및 비치환되거나 치환된 방향족 탄화수소 (특히, 시클릭 알칸, 벤젠 및 톨루엔), 에테르 (특히, 디알킬 에테르, 푸란 또는 디옥산), 및 디메틸포름아미드, 에틸 아세테이트 또는 부틸 아세테이트이다.
본 발명에 따른 방법은 반응의 진행을 촉진하는 가스의 존재 또는 부재하에 수행될 수 있다. 예를 들어, 특히 질소, 아르곤 또는 헬륨과 같은 비반응성 가스라 할지라도 반응 혼합물을 희석하는데 사용할 수 있다. 또한, 반응의 진행을 촉진하기 위하여, 특히 역반응을 피하기 위하여, 형성된 수소를 제거할 수 있다.
그러나, 형성된 수소를 제거하지 않는 것 뿐만 아니라 실제로 반응에 수소를 공급하는 것도 유리할 수 있다: 이는 반응 속도에 있어서 감소를 가져올 수 있으나, 고분자량 고체의 형성을 감소시킨다. 첫째로, 수소의 비율에는 한계가 없다. 이는 공급 원료 (저급 히드리도실란 및 촉매) 및 반응 조건 (압력 및 온도)에 의해 조정된다. 수소의 분압은 가스상 실란이 사용되는 경우 바람직하게는 사용된 히드리도실란의 압력의 1 내지 200%이다. 일반적으로, 수소의 비율은 수소의 분압이 총 압력의 적어도 5%에 상당하도록 선택된다. 바람직하게는 5% 내지 80%의 범위, 특히 바람직하게는 5% 내지 50%의 범위이다.
최종 용도에 불리한 고분자량 2차 성분 (특히, 20개를 초과하는 규소 원자를 갖는 고급 히드리도실란)이 반응 중에 수득된 경우, 그들은 당업자에 공지된 방법으로, 특히 증류에 의하거나 흡착 공정을 사용하여 제거될 수 있다. 투과막을 사용하는 적어도 하나의 막 분리 단계를 갖는 크로스플로우 (crossflow) 막 분리 공정을 사용하여 정제할 수 있다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 방법으로 제조된 고급 히드리도실란 또는 그들의 혼합물을 제공한다.
본 발명에 따른 방법으로 제조된 고급 히드리도실란 또는 그들의 혼합물은 다양한 용도에 적절하다. 그들은 특히 전자 또는 광전자 부품 층을 제조하는데 적절하다. 본 발명은 따라서 본 발명에 따른 방법에 의해 수득할 수 있는 고급 히드리도실란의 전자 또는 광전자 부품 층을 제조하기 위한 용도를 제공한다. 본 발명에 따른 방법에 의해 수득할 수 있는 고급 히드리도실란은 광전자 또는 전자 부품에서 전하 수송 성분을 제조하는데 무엇보다 적절하다. 본 발명에 따른 방법에 의해 수득할 수 있는 고급 히드리도실란은 규소-함유 층, 바람직하게는 원소 규소 층을 제조하는데 또한 적절하다.
전형적인 반응 프로파일을 이하 실시예를 예로 들어 설명한다. 바람직하게는 유리 라이너, 열전대, 압력 변환기, 액체 샘플러, 가스 또는 액체 반응물용 유입 및 유출구, 및 촉매 바스켓이 장착된 스테인레스 강 반응기를 사용한다. 반응기 바스켓을 촉매로 충전한 다음 촉매를 반복적으로 불활성화한 후에, 용매로 충전한다. 반응기에 반응물을 가스 유입구를 통해 충전한다. 이어서, 반응기를 목적하는 온도로 가열하고, 교반기를 작동시켜 반응을 개시한다.
성질상 반응 시간은 선택된 반응물 및 반응 파라미터에 따라 달라진다. 40 ℃의 반응 온도 및 60　bar의 압력에서의 반응 시간은 전형적으로 대략 1 내지 24　시간이다.
형성된 생성물 혼합물은 형성된 고급 히드리도실란, 임의로는 용매 및 임의로는 미전환 반응물로 이루어지며, 촉매 바스켓을 제거한 후에 반도체 또는 광기전 분야에서 사용될 수 있는데, 주어진 공급 원료 순도에서 문제가 되는 2차 성분으로 오염될 것으로 예상되지는 않기 때문이다.
추후의 최종 용도에 문제가 되는 고분자량 2차 생성물 (특히, 20개를 넘는 규소 원자를 갖는 고급 히드리도실란)이 반응 중에 형성된 경우, 반응 생성물을 사용하기 전에 그들을 당업자에 알려진 방법, 특히 증류에 의하거나 흡착 공정을 이용하여 제거할 수 있다. 또한, 투과막을 사용하는 적어도 하나의 막 분리 단계를 갖는 크로스플로우 막 분리 공정을 사용하여 정제할 수도 있다.
하기 실시예는 본 발명의 주제를 더욱 상세히 설명하기 위한 것으로 이를 제한하려는 것이 아니다.
<실시예>
유리 라이너, 열전대, 압력 변환기, 액체 샘플러, 가스 유입구 및 유출구 및 촉매 바스켓이 장착된 스테인레스 강 반응기 (MRS　500, 파르 인스트루먼츠(Parr Instruments))에 특정 불균질 촉매를 하기 표 1에 따른 양으로 넣었다 (촉매 바스켓). 이어서, 반응기를 3회 불활성화하고 (아르곤 및 감압을 교대로 실시하여) 30　ml의 무수 톨루엔으로 채웠다.
반응기 (용량 70　ml)를 실온에서 가스 유입구를 통해 60　bar의 SiH4로 충전하고, 기재된 특정 온도로 가열하였다. 교반기를 작동시켜 (700　rpm), 반응을 개시하였다. 20　시간의 반응 시간 후에, 액체 샘플을 취하였다. 인출된 액체를 가스 크로마토그래피로 분석하였다.
샘플을 내부 표준 (이 경우에는 헵탄) 방법으로 분석하였다. 보고된 생성물의 양은 검출된 실란의 합에 해당하는 것이다.
시클로펜타실란과 헵탄 사이의 k를 결정하였다:
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004

Claims (11)

1종 이상의 불균질 촉매가
- 지지체 상에 적용된 Cu, Ni, Cr 및/또는 Co, 및/또는
- 지지체 상에 적용된 Cu, Ni, Cr 및/또는 Co의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 1종 이상의 저급 히드리도실란과 1종 이상의 불균질 촉매를 반응시키는 고급 히드리도실란의 제조 방법.
제1항에 있어서, 1종 이상의 저급 히드리도실란이 모노실란, 디실란 및 트리실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
제2항에 있어서, 사용되는 1종 이상의 저급 히드리도실란이 모노실란과 디실란의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 지지체가 활성 탄소, 산화알루미늄, 이산화규소, 실리카 겔, 실리케이트, 규조토, 탈크, 고령토, 점토, 이산화티타늄, 산화지르코늄 및 제올라이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1종 이상의 촉매가 언급된 구리, 니켈, 크롬 또는 코발트 금속 이외에, 원소 형태의 또는 화합물로서의 어떠한 추가의 전이 금속, 란타노이드 또는 악티노이드도 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 불균질 촉매가 1) 지지체를 구리, 니켈, 크롬 및/또는 코발트의 염의 수용액으로 함침시키고, 2) 건조시키고, 3) 하소시켜 제조될 수 있는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 지지체에 적용된 Cu, Ni, Cr 또는 Co, 또는 그들의 산화물의 중량 퍼센트가 지지체의 총량을 기준으로 하여 0.5 내지 65 중량% 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 1종 이상의 저급 히드리도실란 및 1종 이상의 불균질 촉매를 용매의 존재하에 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따라 제조될 수 있는 히드리도실란 또는 히드리도실란의 혼합물.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따라 제조될 수 있는 1종 이상의 히드리도실란의 전자 또는 광전자 부품 층의 제조를 위한 용도.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따라 제조될 수 있는 1종 이상의 히드리도실란의 규소-함유 층, 바람직하게는 원소 규소 층의 제조를 위한 용도.
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