KR20120065333A - 협액자 터치 입력 시트와 그 제조 방법 및 협액자 터치 입력 시트에 이용하는 도전성 시트 - Google Patents

Abstract

협액자이고 투명 도전막(導電膜) 패턴이 2층의 정전 용량식(靜電 容量式)의 터치 센서에 적합한 협액자 터치 입력 시트와 그 제조 방법 및 협액자 터치 입력 시트에 이용하는 도전성 시트를 제공한다. 본 발명은 1매의 또는 복수 매가 적층된 투명한 기체(基體) 시트와, 그 최표면(最表面) 및 최이면(最裏面)의 상에 차례대로 적층 형성된 투명 도전막, 차광성(遮光性)의 전극용 도전막 및 제1 레지스트층을 구비한 도전성 시트를 이용하여, 양면 동시에 제1 레지스트층을 노광(露光)하고, 현상(現像)한 후, 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막을 동시에 에칭(etching)하고, 제1 레지스트층의 박리(剝離) 후, 양면 바깥쪽 테두리 가장자리부에 제2 레지스트층을 피복(被覆) 형성하고, 중앙 창부의 차광성의 전극용 도전막층만을 에칭하는 것에 의하여 투명 도전막의 회로 패턴을 노출 형성하는 것이다.

Description

협액자 터치 입력 시트와 그 제조 방법 및 협액자 터치 입력 시트에 이용하는 도전성 시트{NARROW FRAME TOUCH INPUT SHEET, MANUFACTURING METHOD OF SAME, AND CONDUCTIVE SHEET USED IN NARROW FRAME TOUCH INPUT SHEET}

본 발명은, 협액자이고 투명 도전막(導電膜) 패턴이 이층의 정전 용량식(靜電容量式)의 터치 센서에 적합한 협액자 터치 입력 시트(sheet)와 그 제조 방법 및 협액자 터치 입력 시트에 이용하는 도전성 시트에 관한 것이다.

종래, 투명 전극의 인출 단자(端子)의 각 단자 상에 금속막을 형성한 후, 입력 패널 영역의 투명 전극 패턴과 인출 단자 열의 금속막 및 투명 전극을 동시에 에칭(etching)하여, 터치 입력 장치를 형성하는 발명의 문헌으로서 특허 문헌 1이 있었다.

상기 특허 문헌 1의 발명은, 도 7에 도시하는 바와 같이, 폴리에스테르(polyester) 필름(30) 상에 ITO(Indium tin oxide)막(31)으로 이루어지는 투명 전극을 형성하여, 그 위에 포토레지스트(photoresist)막(32)을 패턴 형성하고, 이어서 포토레지스트막(32) 상을 마스크(33)로 덮은 후, In(indum)막으로 이루어지는 금속막(34)을 형성하여, 마스크(33)를 떼어내고, 포토레지스트막(32)을 레지스트 박리액(剝離液)으로 제거하여, 금속막(34)을 패턴 형성하는 것이고, 그 후 패턴화된 금속막(34) 상에 제2 포토레지스트막(35)을 패턴 형성하며(도 7(e) 참조), 염화제2철 수용액 등으로 금속막(35)과 ITO막(31)을 동시에 에칭 제거하여, 최후에 포토레지스트막(35)을 레지스트 박리액으로 제거하는 방법의 발명이다.

특허 문헌 1 : 일본국 공개특허공보 특개평5－108264호

그러나, 특허 문헌 1의 방법은, 도 7(e)의 패턴화된 금속막(34) 상에 제2 포토레지스트막(35)을 패턴 형성할 때, 마스크(33)의 위치가 조금이라도 어긋나 버리면, 일방(一方)의 금속막(34)은 가늘고 타방(他方)의 금속막(34)은 굵어져 금속막(34)이 소망의 전기 저항이 되지 않는 문제가 있었다. 따라서, 금속막(34)이 세선(細線)이고 소정의 전기 저항 범위 내에 있어야만 하는 협액자의 터치 입력 시트에는 적용할 수 없는 문제가 있었다.

또한, 정전 용량식의 터치 입력 시트에서는, 통상 X방향으로 형성된 투명 도전막의 패턴과 Y방향으로 형성된 투명 도전막의 패턴을 절연층을 사이에 두고 적층 형성할 필요가 있어, 특허 문헌 1의 방법에서는 금속막 및 투명 전극을 양면에 위치를 맞춰 형성할 수 없기 때문에, 제작한 터치 입력 시트를 2매, 위치를 맞춰 붙이는 등의 공정을 거쳐 제작하지 않으면 안 되는 문제가 있었다. 그 결과, 생산이 저하하고, 투명 창부(窓部)의 투과율이 낮아지는 것이나 두께가 두꺼워져 부피가 커지는 등의 문제도 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은, 상기 과제를 해결하는 것에 있고, 협액자이고 투명 도전막 패턴이 2층의 정전 용량식의 터치 센서에 적합한 협액자 터치 입력 시트와 그 제조 방법 및 협액자 터치 입력 시트에 이용하는 도전성 시트를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 제1 태양(態樣)에 의하면, 1매의 또는 복수 매가 적층된 투명한 기체(基體) 시트와, 상기 1매의 투명한 기체 시트의 표면 및 이면, 또는 상기 복수 매가 적층된 투명한 기체 시트의 최표면(最表面) 및 최이면(最裏面)의 위에 형성된 투명 도전막과, 상기 투명 도전막의 각각의 위에 형성된 차광성(遮光性)의 전극용 도전막과, 상기 차광성의 전극용 도전막의 각각의 상에 형성된 제1 레지스트층을 구비하고, 상기 기체 시트의 중앙 창부에 있는 상기 투명 도전막 및 상기 차광성의 전극용 도전막이, 상기 제1 레지스트층의 노광(露光)?현상(現像)의 후의 에칭에 의하여 위치 어긋남 없이 적층된 소망의 패턴으로 형성되고, 상기 기체 시트의 바깥쪽 테두리 가장자리부에 있는 상기 투명 도전막 및 상기 차광성의 전극용 도전막이, 상기 제1 레지스트층의 노광?현상의 후의 에칭에 의하여 위치 어긋남 없이 적층되어 세선 배선 회로 패턴으로 형성되고, 상기 제1 레지스트층이 제거되고, 나아가 상기 중앙 창부에 있는 상기 차광성의 전극용 도전막이 에칭 제거되는 것에 의하여 상기 중앙 창부에 있는 상기 투명 도전막이 회로 패턴을 구성하는, 협액자 터치 입력 시트를 제공한다.

본 발명의 제2 태양에 의하면, 상기 상기 바깥쪽 테두리 가장자리부에 있는 상기 투명 도전막 및 상기 차광성의 전극용 도전막을 피복(被覆)하는 제2 레지스트층을 더 구비한, 제1 태양에 기재된 협액자 터치 입력 시트를 제공한다.

본 발명의 제3 태양에 의하면, 상기 기체 시트는 플라스틱 필름인, 제1 태양 또는 제2 태양에 기재된 협액자 터치 입력 시트를 제공한다.

본 발명의 제4 태양에 의하면, 상기 차광성의 전극용 도전막이, 20 ~ 1000nm의 두께의 동박(銅箔)인, 제1 태양 내지 제3 태양 중 어느 하나에 기재된 협액자 터치 입력 시트를 제공한다.

본 발명의 제5 태양에 의하면, 정전 용량 방식인, 제1 태양 내지 제4 태양 중 어느 하나에 기재된 협액자 터치 입력 시트를 제공한다.

본 발명의 제6 태양에 의하면, 나아가 투광성(透光性)의 보호 필름을 상기 구성의 양면에 붙인, 제1 태양 내지 제5 태양 중 어느 하나에 기재된 협액자 터치 입력 시트를 제공한다.

본 발명의 제7 태양에 의하면, 상기 투광성의 보호 필름이, 환상(環狀) 올레핀계 수지(olefin系 樹脂) 필름으로 이루어지는, 제6 태양에 기재된 협액자 터치 입력 시트를 제공한다.

본 발명의 제8 태양에 의하면, 상기 중앙 창부에 있어서의 리타데이션(retardation) 값이, 20nm 이하인, 제1 태양 내지 제7 태양 중 어느 하나에 기재된 협액자 터치 입력 시트를 제공한다.

본 발명의 제9 태양에 의하면, 1매의 또는 복수 매가 적층된 투명한 기체 시트와, 상기 1매의 투명한 기체 시트의 표면 및 이면, 또는 상기 복수 매가 적층된 투명한 기체 시트의 최표면 및 최이면 상에 형성된 투명 도전막과, 상기 투명 도전막의 각각의 상에 형성된 차광성의 전극용 도전막과, 상기 차광성의 전극용 도전막의 각각의 상에 형성된 제1 레지스트층을 구비한, 도전성 시트를 제공한다.

본 발명의 제10 태양에 의하면, 상기 기체 시트는 플라스틱 필름인, 제9 태양에 기재된 도전성 시트를 제공한다.

본 발명의 제11 태양에 의하면, 상기 차광성의 전극용 도전막이, 20 ~ 1000nm의 두께의 동박인, 제9 태양 또는 제10 태양에 기재된 도전성 시트를 제공한다.

본 발명의 제12 태양에 의하면, 투명한 기체 시트의 양면에 각각, 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층을 차례대로 적층 형성한 후, 양면 동시에 제1 레지스트층을 노광하고, 현상한 후, 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막을 동시에 에칭하고, 제1 레지스트층을 박리하는 것에 의하여, 기체 시트의 양면 바깥쪽 테두리 가장자리부에 각각, 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막이 적층된 세선 배선 회로 패턴을 형성한 후, 각각 양면 세선 배선 회로 패턴 상에 제2 레지스트층을 피복 형성하고, 제2 레지스트층이 형성되어 있지 않은 차광성의 전극용 도전막층만을 에칭하는 것에 의하여 각각 양면 중앙 창부에 투명 도전막의 회로 패턴을 노출 형성하는, 협액자 터치 입력 시트의 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 제13 태양에 의하면, 2매의 투명한 기체 시트 상에 각각 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층을 차례대로 적층 형성하고, 기체 시트끼리를 대향하여 적층하는 것에 의하여, 적층된 기체 시트의 양면에 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층을 형성한 후, 양면 동시에 제1 레지스트층을 노광하고, 현상한 후, 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막을 동시에 에칭하고, 제1 레지스트층을 박리하는 것에 의하여, 양면 바깥쪽 테두리 가장자리부에 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막이 차례대로 적층된 세선 배선 회로 패턴을 형성한 후, 세선 배선 회로 패턴 상에 제2 레지스트층을 피복 형성하고, 제2 레지스트층이 형성되어 있지 않은 중앙 창부의 차광성의 전극용 도전막층만을 에칭하는 것에 의하여 투명 도전막의 회로 패턴을 노출 형성하는, 협액자 터치 입력 시트의 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 협액자 터치 입력 시트 및 그 제조 방법은, 도전성 시트의 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막을 동시에 에칭하여, 바깥쪽 테두리 가장자리부에 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막이 동일 패턴으로 위치 어긋남 없이 차례대로 적층된 세선 배선 회로 패턴을 형성한 후, 당해 세선 배선 회로 패턴 상에 제2 레지스트층을 피복 형성하고, 당해 제2 레지스트층이 형성되어 있지 않은 차광성의 전극용 도전막층만을 에칭하는 것에 의하여 중앙 창부에 투명 도전막의 회로 패턴을 노출 형성하는 방법으로 형성한 것을 특징으로 한다. 따라서, 정교하고 미세한 세선 배선 회로 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 매우 좁은 협액자의 터치 입력 시트를 제조할 수 있는 효과가 있다.

또한, 위치 맞춤이 필요한 제2 레지스트층의 형성 과정은 바깥쪽 테두리 가장자리부의 세선 배선 회로 패턴을 피복만 하면 되는 정도(程度)의 위치 맞춤 정도(精度)로 되기 때문에, 협액자 터치 입력 시트를 높은 생산 효율로 얻을 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 협액자 터치 입력 시트 및 그 제조 방법은, 상기 투명 도전막의 회로 패턴 및 상기 세선 배선 회로 패턴이 기체 시트의 양면에 형성되고 있는 것을 특징으로 한다. 그리고, 본 발명의 협액자 터치 입력 시트는, 정전 용량 방식인 것을 특징으로 한다. 따라서, 중심(中芯)에 있는 기체 시트 1매만으로 XY의 복수의 투명 도전막의 회로 패턴 및 세선 배선 회로 패턴이 형성된 정전 용량식의 협액자 터치 입력 시트를 제조할 수 있는 효과가 있다.

또한, 중심(中芯)에 있는 기체 시트만으로 구성 가능하기 때문에, 고투과성이 풍부하고 두께가 얇은, 정전 용량식의 협액자 터치 입력 시트를 제조할 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명은, 상기 차광성의 전극용 도전막층이 20 ~ 1000nm의 두께의 동박으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 협액자 터치 입력 시트 및 도전성 시트인 것을 특징으로 한다. 따라서, 도전성이 좋은 전극용 도전막층이기 때문에, 응답성이 좋은 협액자 터치 입력 시트를 효율 좋게 제조할 수 있는 효과가 있다.

또한, 차광성이 높은 전극용 도전막층이기 때문에, 양면 동시에 제1 레지스트층을 노광 등의 방법으로 패턴 형성할 때, 당해 노광의 광선이 반대면의 제1 레지스트층에 이르는 것을 막는 효과가 높기 때문에, 회로 패턴 및 세선 배선 회로 패턴이 기체 시트의 양면에 형성되어 있는 협액자 터치 입력 시트를 생산성 좋게 고품질로 제조할 수 있는 효과가 있다.

도 1은 본 발명에 관련되는 협액자 터치 입력 시트 중, 회로 패턴 및 세선 배선 회로 패턴이 1매의 투명한 기체 시트의 표면 및 이면에 형성되어 있는 협액자 터치 입력 시트의 일 실시예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 2a는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 2b는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 2c는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 2d는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 2e는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 2f는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 3은 본 발명에 관련되는 협액자 터치 입력 시트 중, 회로 패턴 및 세선 배선 회로 패턴이 2매가 적층된 투명한 기체 시트의 최표면 및 최이면에 형성되어 있는 협액자 터치 입력 시트의 일 실시예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 4a는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 4b는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 4c는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 4d는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 4e는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 4f는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 4g는 협액자 터치 입력 시트를 제조하는 공정을 도시하는 모식도이다.
도 5는 도 1의 협액자 터치 입력 시트의 보호 필름을 붙인 예를 나타내는 모식 단면도이다.
도 6은 도 2e의 협액자 터치 입력 시트의 보호 필름을 붙인 예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 7은 특허 문헌 1에 기재된 터치 입력 장치의 전극 형성 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 협액자 터치 입력 시트의 중앙 창부에 형성된 회로 패턴의 형상 및 배치 태양의 일례를 도시하는 평면도이다.

이하, 본 발명의 최선의 실시의 형태에 관하여, 도면을 참조하면서 설명한다.

＜제1 실시 형태＞

이하, 도면을 참조하면서 본 발명에 관하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명에 관련되는 정전 용량식 터치 센서 중, 회로 패턴 및 세선 배선 회로 패턴이 1매의 투명한 기체 시트의 양면, 즉 표면 및 이면에 형성되어 있는 협액자 터치 입력 시트의 일 실시예를 도시하는 모식 단면도이고, 도 2a ~ 2f는 그 정전 용량식 터치 센서를 제조하는 공정을 도시하는 모식 단면도이다. 도 중, 1은 차광성의 전극용 도전막층, 3은 투명 도전막, 5는 협액자 터치 입력 시트, 7은 기체 시트, 10은 세선 배선 회로 패턴, 12는 마스크, 14는 노광 광선, 16은 제1 레지스트층, 18은 제2 레지스트층, 20은 정전 용량식 터치 센서, 22는 협액자 터치 입력 시트(5)의 바깥쪽 테두리 가장자리부, 24는 협액자 터치 입력 시트(5)의 중앙 창부, 28은 외부 회로를 도시한다.

본 발명의 협액자 터치 입력 시트(5)는, 기체 시트(7) 상의 중앙 창부(24)에 투명 도전막(3)의 회로 패턴이 형성되고, 바깥쪽 테두리 가장자리부(22)에 투명 도전막(3) 및 차광성의 전극용 도전막(1)이 차례대로 적층된 세선 배선 회로 패턴(10)이 형성되어 있는 협액자 터치 입력 시트이며, 당해 세선 배선 회로 패턴(10)의 투명 도전막(3) 및 차광성의 전극용 도전막(1)이 동일 패턴으로 위치 어긋남 없이 적층 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 그리고, 투명 도전막(3)의 회로 패턴 및 세선 배선 회로 패턴(10)은, 1매의 투명한 기체 시트 양면에 형성할 수 있다(도 1 참조).

이와 같은 투명 도전막(3)의 회로 패턴 및 세선 배선 회로 패턴(10)을 양면에 형성하는 협액자 터치 입력 시트(5)의 제조 방법은, 우선 1매의 투명한 기체 시트(7)의 표리 양면에, 투명 도전막(3), 차광성의 전극용 도전막(1), 제1 레지스트층(16)을 차례대로 전면(全面) 형성하여 도전성 시트(도 2a 참조)를 얻은 후, 표리 각각 소망의 패턴의 마스크(12)를 얹고, 노광?현상하여 제1 레지스트층(16)을 패턴화 한다(도 2b 참조). 그 때, 차광성의 전극용 도전막(1)이 반대측의 면의 노광 광선(14)을 차단하기 때문에, 동시에 다른 마스크 패턴으로 노광하여도 반대측의 제1 레지스트층(16)의 패턴에 영향을 끼치는 일도 없다. 따라서, 양면 동시에 노광하는 것이 가능하기 때문에, 제1 레지스트층(16)의 표리의 위치 맞춤이 하기 쉬워 1회의 공정으로 양면 패턴화할 수 있고, 생산성도 향상한다.

덧붙여, 표(表)마스크 및 이(異)마스크의 얼라이먼트(alignment)는, 양면 노광 장치의 공지(公知)의 마스크 얼라이먼트 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 표마스크 및 이마스크에 각각 마스크용 얼라이먼트 마크를 형성하고, 카메라 등의 광학적으로 읽어 들이는 센서가, 한 쌍의 마스크용 얼라이먼트 마크끼리의 중첩 상태를 읽어내는 것으로 표마스크 및 이마스크의 상대적인 위치 정보를 얻는다. 그리고, 얻어진 위치 정보에 기초하여, 마스크 위치 조정 기구가, 한 쌍의 마스크용 얼라이먼트 마크끼리가 중심(中心)을 맞추어 중합하도록 표마스크 및 이마스크를 상대적으로 이동시키는 것으로, 표마스크 및 이마스크의 얼라이먼트를 행하는 방법 등이다.

이어서, 염화제2철 등의 에칭액으로 투명 도전막(3) 및 차광성의 전극용 도전막(1)을 동시에 에칭하여, 세선 패턴을 형성한다(도 2c 참조). 이어서, 레지스트 박리액을 가지고 제1 레지스트층(16)을 박리하여, 차광성의 전극용 도전막(1)을 노출시킨 후, 노출한 차광성의 전극용 도전막(1) 중 바깥쪽 테두리 가장자리부(22)의 부분에만 제2 레지스트층(18)을 형성한다(도 2d 참조). 제2 레지스트층(18)은 바깥쪽 테두리 가장자리부(22)의 차광성의 전극용 도전막(1) 및 그 아래의 투명 도전막(3)을 피복만 하면 되기 때문에, 그다지 정밀한 위치 맞춤 정도(精度)는 필요 없다. 그 때문에, 제2 레지스트층(18)을 형성할 때의 불량은 거의 발생하지 않아 생산성이 향상한다.

이어서, 산성화한 과산화수소 등의 특수 에칭액으로 에칭하면, 제2 레지스트층(18)이 형성되어 있는 바깥쪽 테두리 가장자리부(22)는 그대로 남고, 제2 레지스트층(18)이 형성되지 않아 차광성의 전극용 도전막(1)이 노출된 채로의 중앙 창부(24)는 차광성의 전극용 도전막(1)이 에칭 제거되어, 그 아래에 있는 투명 도전막(3)이 노출한다(도 2e 참조). 중앙 창부(24)는 양면에 투명한 도전막이 형성된 디스플레이부로 되고, 바깥쪽 테두리 가장자리부(22)에 형성된 차광성의 전극용 도전막(1) 및 그 아래에 동일한 패턴으로 형성된 투명 도전막(3)은 세선 배선 회로 패턴(10)으로 된다. 덧붙여, 투명 도전막(3)이 어모퍼스(amorphous)의 재료이면, 당해 에칭의 전에 열처리 등의 방법에 의하여 결정화(結晶化)시켜 두는 것이 바람직하다. 결정화에 의하여 에칭 내성(耐性)이 향상하여, 보다 선택적으로 차광성 금속막(1)만을 에칭하기 쉽게 되기 때문이다.

이상의 방법에 의하여 얻어진 협액자 터치 입력 시트(5)의 양면에 형성된 세선 배선 회로 패턴(10)의 단부(端部)를 IC칩이 탑재된 외부 회로(28)에 접속하면, 기체 시트(7)를 사이에 두고 투명 도전막(3)이 양면에 형성된 정전 용량식 터치 센서(20)가 제조된다(도 2f 참조).

여기에서 정전 용량식 터치 센서(20)의 중앙 창부(24)에 형성되는 회로 패턴에 관하여 보충 설명한다. 본원 명세서에 첨부한 협액자 터치 입력 시트(5)의 모식 단면도에서는 회로 패턴을 단순화하여 그리고 있지만, 실제로는 회로 패턴은 표리에서 패턴이 다르다. 예를 들어, 도 8에 도시하는 바와 같이, 기체 시트(7)의 이면에는, 평면으로부터 보아 능형(菱形) 형상을 가지는 능형 전극(46)과, 이 능형 전극(46)의 복수를 도 중 종방향(Y방향)으로 가로지르는 접속 배선(469)을 구비하고 있다. 복수의 능형 전극(46)과 접속 배선(469)은, 상호 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 이와 같은, 접속 배선(469) 및 그에 가로질러진 복수의 능형 전극(46)을 한 조로 하고, 당해 한 조가 도 중 횡방향(X방향)으로 반복하여 배열된다. 한편, 이것과 같은 식으로 하여, 기체 시트(7)의 표면에는, 복수의 능형 전극(47)과, 그들을 가로지르는 접속 배선(479)을 구비하고 있다. 다만, 이 경우, 접속 배선(479)의 연재(延在, 어떠한 방향을 향하여 연장되도록 존재함) 방향은, 접속 배선(469)의 그것과는 달리, 도 중 횡방향(X방향)이다. 또한, 그에 수반하여, 접속 배선(479) 및 그에 가로질러진 복수의 능형 전극(47)으로 이루어지는 한 조가, 반복하여 배열되는 방향은, 도 중 종방향(Y방향)이다. 그리고, 도 8에서 명백한 바와 같이, 능형 전극(46)은, 복수의 접속 배선(479) 간의 간극(間隙)을 메우는 것과 같이 배치되는 한편, 능형 전극(47)은, 복수의 접속 배선(469) 간의 간극을 메우는 것과 같이 배치된다. 도 8에서는 나아가, 능형 전극(46, 47)의 배치 관계는 상보적(相補的)이다. 즉, 능형 전극(46)을 매트릭스상(matrix狀)으로 배열하는 경우에 생기는 능형 형상의 간극을 메우는 것과 같이, 복수의 능형 전극(47)은 배열되어 있는 것이다. 상기한 것과 같이, 본원 발명은 차광성의 전극용 도전막(1)이 반대측 면의 노광 광선(14)을 차단하기 때문에, 동시에 노광하여도 반대측의 제1 레지스트층(16)의 패턴에 영향을 끼치는 일 없이, 이와 같은 표리면에서 패턴이 다른 회로 패턴의 형성이 가능한 것이다.

이와 같이 X방향 전극 및 Y방향 전극이 평면으로부터 보아 격자(格子)를 이루도록 배치되어 있기 때문에, 이 격자 상의 어느 한 위치에 유저(user)의 손가락 등이 닿으면(예를 들어, 파선(破線) 환인(丸印, 동그라미 표)(FR)의 위치), 당해 손가락 등과 그것이 닿는 X방향 전극의 사이에 콘덴서가 형성되고, 또한, 당해 손가락 등과 그것이 닿는 Y방향 전극의 사이에 콘덴서가 형성된다. 이 콘덴서의 형성에 의하여, 당해의 X방향 전극 및 Y방향 전극의 정전 용량은 증대한다. 외부 회로(28)의 위치 검출부는, 이와 같은 경우에 있어서 생기는 정전 용량의 변화량, 혹은 나아가서는 최대의 정전 용량을 가지는 X방향 전극 및 Y방향 전극을 검출하여, 중앙 창부(24) 내의 어디에 닿았는지를, 특정값인 X 좌표값 및 Y 좌표값의 쌍으로서 취득하는 것이 가능해진다.

이어서, 상기 협액자 터치 입력 시트(5)를 형성하는 각 층에 관하여 상세하게 설명한다.

우선, 기체 시트(7)는, 두께가 30 ~ 2000μm정도(程度)의 투명한 시트로 이루어지고, 재질로서는 폴리에스테르계 수지, 폴리스티렌계(polystyrene系) 수지, 올레핀계 수지, 폴리부틸렌 테레프탈레이트계(polybutylene terephthalate系) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate系) 수지, 아크릴계(acryl系) 수지　등의 플라스틱 필름　외, 각종 유리 등을 들 수 있다.

그런데, 도전성 시트의 기체 시트(7)가 플라스틱 필름의 경우, 필름의 늘어남의 문제가 있다. 그러므로 도전성 시트 양면의 제1 레지스트층(16)의 패터닝은 양면 동시 노광에 의한 것이 적합하다. 왜냐하면, 제1 레지스트층(16)의 패터닝을 편면(片面)씩 노광하여 행하는 경우, 편면의 패터닝이 종료하여, 노광 장치에 도전성 시트의 표리를 교체하여 다시 장착할 때에 기체 시트(7)에 늘어남이 생기면, 표면의 회로 패턴과 이면의 회로 패턴이 위치 어긋남을 일으키는 것이 되기 때문이다. 도 8에 도시하는 예의 경우, 능형 전극(46, 47)의 배치 관계는 상보적이기 때문에, 표면의 회로 패턴과 이면의 회로 패턴이 위치 어긋남을 일으키면, 정전 용량식 터치 센서(20)로서 정확하게 기능하지 않게 된다.

차광성의 전극용 도전막층(1)으로서는, 도전율이 높고 또한 차광성이 좋은 단일의 금속막이나 그들의 합금 또는 화합물 등으로 이루어지는 층을 들 수 있고, 진공 증착법(眞空 蒸着法), 스퍼터링법(sputtering法), 이온 플레이팅법(ion plating法), 도금법 등으로 형성하면 된다. 그리고, 투명 도전막에서는 에칭되지 않지만 자신은 에칭된다고 하는 에천트(etchant)가 존재하는 것도 필요하다. 그 바람직한 금속의 예로서는, 알루미늄, 니켈, 동, 은 등을 들 수 있다. 특히 동박으로 이루어지는 두께 20 ~ 1000nm의 금속막은, 도전성, 차광성이 뛰어나, 투명 도전막은 에칭되지 않는 산성 분위기 하에서의 과산화수소수로 용이하게 에칭할 수 있는 것 외에, 외부 회로와의 접속의 용이함도 겸비하기 때문에 매우 바람직하다. 보다 바람직하게는, 두께 30nm 이상이다. 한층 더 바람직하게는, 100 ~ 500nm로 하면 된다. 100nm 이상의 두께로 설정하는 것으로 높은 도전성의 차광성 금속막층(1)을 얻을 수 있고, 500nm 이하로 하는 것으로 다루기 쉽고 가공성이 뛰어난 차광성 금속막층(1)을 얻을 수 있기 때문이다.

투명 도전막(3)은, 인듐 주석 산화물, 아연 산화물 등의 금속 산화물 등으로 이루어지는 층을 들 수 있고, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도금법 등으로 형성하면 된다. 두께는 수십에서 수백nm 정도(程度)로 형성되고, 염화제2철 등의 용액으로는 차광성의 전극용 도전막(1)과 함께 용이하게 에칭되지만, 산성 분위기 하에서의 과산화수소수 등 차광성의 전극용 도전막층(1)의 에칭액으로는 용이하게 에칭되지 않는 것이 필요하다. 그리고, 80% 이상의 광선 투과율, 수mΩ로부터 수백Ω의 표면 저항값을 나타내는 것이 바람직하다. 또한, 투명 도전막(3)은, 티오펜(thiophen) 등의 도전성 폴리머(polymer)막, 금속 나노와이어(nanowire)나 카본 나노튜브(carbon nanotube) 등을 포함하는 도전 섬유막을 이용하는 것도 가능하며, 그 경우, 각종 인쇄법이나 도장(塗裝) 등으로 형성하면 된다.

제1 레지스트층(16)으로서는, 레이저 광선이나 메탈 핼라이드 램프(metal halide lamp) 등으로 노광하고 알칼리 용액 등으로 현상이 가능한 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(tetramethyl ammonium hydroxide) 등의 포토레지스트 재료로 구성하는 것이 바람직하다. 포토레지스트 재료에 의한 노광?현상에 의하여 선폭(線幅)이 좁은 세선 배선 회로 패턴(10)를 확실성 좋게 형성할 수 있어, 보다 좁은 협액자의 협액자 터치 입력 시트(5)를 제조할 수 있기 때문이다. 또한 본 발명에서는, 전술한 바와 같이 차광성을 가지는 전극용 도전막층(1)을 형성하기 때문에, 제1 레지스트층(16)이 포토레지스트 재료로 구성되어 있으면, 표리 동시에 노광?현상이 가능하기 때문에 매우 생산성 좋게 협액자 터치 입력 시트(5)를 제조할 수 있기 때문이다. 제1 레지스트층(16)의 형성 방법은, 그라비어(gravure), 스크린, 오프셋(offset) 등의 범용의 인쇄법 외, 각종 코터(coater)에 의한 방법, 도장, 디핑(dipping) 등의 방법에 의하여 형성하면 된다.

제2 레지스트층(18)은, 산성 분위기 하에서의 과산화수소수 등 차광성의 전극용 도전막층(1)의 에칭액에 내성을 가지는 재료라면 특별히 한정되지 않는다. 또한 외부 회로(28)와의 접속 단자를 없애고 그대로 보호막으로서 영구적으로 잔존시켜도 무방하기 때문에, 반드시 제1 레지스트층(16)과 같이 현상으로 제거하지 않아도 무방하다. 덧붙여, 도 1은 제2 레지스트층(18)을 제거한 경우이다. 그와 같은 보호막으로서의 기능도 가지는 재료로서는, 에폭시계(epoxy系), 우레탄계(urethane系), 아크릴계 등의 열경화성 수지나, 우레탄 아크릴레이트계(urethane acrylate系), 시아노아크릴레이트계(cyanoacrylate系) 등의 자외선 경화형 수지를 들 수 있다. 형성 방법은 제1 레지스트층(18)과 마찬가지의 방법이 가능하다.

또한, 이 제2 레지스트층(18)의 상에, 세선 배선 회로 패턴(10)을 숨기고 외관 의장(意匠)을 향상시키기 위한 회병층(繪柄層, 그림이나 무늬의 짜임새가 있는 층)을 설치하여도 무방하다. 회병층은, 폴리비닐계(polyvinyl系), 폴리아미드계(polyamide系), 폴리아크릴계(polyacryl系), 폴리우레탄계(polyurethane系), 알키드계(alkyd系) 등의 수지를 바인더로 하고, 적절한 색의 안료 또는 염료를 착색제로서 함유하는 착색 잉크를 이용하면 된다. 또한, 착색제로서 알루미늄, 티탄, 브론즈 등의 금속 입자나 마이카(mica)에 산화 티탄을 코팅 한 펄(perl) 안료 등을 이용할 수도 있다. 회병층의 형성 방법으로서는, 그라비어, 스크린, 오프셋 등의 범용 인쇄법이나 각종 코터법, 도장 등의 방법이 있다.

＜제2 실시 형태＞

이상, 회로 패턴 및 세선 배선 회로 패턴이 1매의 투명한 기체 시트의 표면 및 이면에 형성되어 있는 협액자 터치 입력 시트의 일 실시예에 관하여 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.

예를 들어, 투명 도전막(3)의 회로 패턴 및 세선 배선 회로 패턴(10)은, 복수 매가 적층된 투명한 기체 시트(7)의 최표면 및 최이면에 형성할 수 있다(도 3 참조). 이와 같은 협액자 터치 입력 시트를 얻으려면, 우선, 두께가 얇은 2매의 기체 시트(7)를 이용하여, 각각의 편면에 투명 도전막(3), 차광성의 전극용 도전막(1), 제1 레지스트층(16)을 차례대로 전면 형성한 후, 이들 2매의 기체 시트(7)가 대향하도록 적층하여 도전성 시트(도 4a 참조)로 한다. 덧붙여, 기체 시트(7)의 적층 수단으로서는 열 래미네이트나 접착제층을 통한 드라이 래미네이트 등을 들 수 있다. 접착제층으로 기체 시트(7)를 적층하는 경우, 접착제층으로서 심재를 가지는 것을 이용하여 적층체 전체의 두께 조정을 할 수도 있다.

이어서, 상기 2매가 적층된 투명한 기체 시트의 최표면 및 최이면에 소망의 패턴의 마스크(12)를 얹고, 노광?현상하여 제1 레지스트층(16)을 패턴 형성한다(도 4b 참조).

이어서, 염화제2철 등의 에칭액으로 투명 도전막(3) 및 차광성의 전극용 도전막(1)을 동시에 에칭하여, 세선 패턴을 형성한다(도 4c 참조). 이어서, 레지스트 박리액을 가지고 제1 레지스트층(16)을 박리하여, 차광성의 전극용 도전막(1)을 노출시킨 후(도 4d 참조), 노출한 차광성의 전극용 도전막(1) 중 바깥쪽 테두리 가장자리부(22)의 부분에만 제2 레지스트층(18)을 형성한다(도 4e 참조).

이어서, 산성화한 과산화수소 등의 특수 에칭액으로 에칭하면, 제2 레지스트층(18)이 형성되어 있는 바깥쪽 테두리 가장자리부(22)는 그대로 남고, 제2 레지스트층(18)이 형성되지 않아 차광성의 전극용 도전막(1)이 노출된 채로의 중앙 창부(24)는 차광성의 전극용 도전막(1)이 에칭 제거되어, 그 아래에 있는 투명 도전막(3)이 노출한다(도 4f 참조). 중앙 창부(24)는 양면에 투명한 도전막이 형성된 디스플레이부로 되고, 바깥쪽 테두리 가장자리부(22)에 형성된 차광성의 전극용 도전막(1) 및 그 아래에 동일한 패턴으로 형성된 투명 도전막(3)은 세선 배선 회로 패턴(10)으로 된다. 덧붙여, 도 3은 당해 에칭 후에 제2 레지스트층(18)을 제거한 경우이다.

이상의 방법에 의하여 얻어진 협액자 터치 입력 시트(5)의 양면에 형성된 세선 배선 회로 패턴(10)의 단부를 IC칩이 탑재된 외부 회로(28)에 접속하면, 상기 2매가 적층된 투명한 기체 시트(7)를 사이에 두고 투명 도전막(3)이 양면에 형성된 정전 용량식 터치 센서(20)가 제조된다(도 4g 참조).

＜변화예＞

그런데, 상기한 투명 도전막(3) 및 차광성의 전극용 도전막(1)을 동시에 효율 좋게 에칭하기 위하여, 꽤 농도가 높은 염화제2철 수용액 등을 사용할 필요가 있으며, 에칭 후의 수세 세정(水洗 洗淨)이 불충분할 때에는, 고온 고습 등의 환경 시험 하에 있어서 투명 도전막(3)이나 차광성의 전극용 도전막(1)의 부식이 진행되어, 전기 특성이 열화(劣化)하는 문제가 있다. 따라서, 협액자 터치 입력 시트와 같이 배선 회로가 세선이고 또한 장기간에 걸쳐 저저항(抵抵抗)을 유지하며, 나아가 투명 전극도 장기간에 걸쳐 소정의 전기 저항 범위 내에 있어야만 한다고 하는 용도에는, 부식 방지의 연구가 필요하였다.

이 부식 방지책으로서, 본 발명의 협액자 터치 입력 시트는, 나아가 투광성의 보호 필름을 상기 구성의 양면에 붙인 구성으로 하는 것이 바람직하다(도 5 참조). 투광성의 보호 필름(30)은, 방습성이 뛰어나고, 또한 협액자 터치 입력 시트의 중앙 창부에 있어서의 리타데이션 값이, 20nm 이하로 가능한 것과 같은 광학 등방성(光學 等方性)을 가지는 필름이 바람직하다. 리타데이션 값이 20nm를 넘는 것과 같은 큰 값이면, 터치 입력 시트로부터의 출사광(出射光) 및 통과광(通過光))이 서로 수직인 진동 방향을 가지는 2개의 광파로 나누어져, 광파의 위상(位相) 어긋남이 발생하여 터치 입력 시트로부터의 출사광의 색과 다른 색으로 바뀌거나, 색 얼룩이 생길 우려가 있기 때문이다.

이와 같은 투광성의 보호 필름(30)에 적합한 재료로서는, 환상 올레핀계 수지, 폴리에테르술폰계 수지, 폴리아릴레이트계 수지, 어모퍼스 폴리오레핀계 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 환상 올레핀계 수지는, 유리 전이 온도가 높고 광탄성 계수가 낮기 때문에 안정한 리타데이션 값을 얻을 수 있는 재료로서 최적이다.

투광성의 보호 필름(30)의 두께는, 10 ~ 500μm의 사이에서 적당 선택하면 된다. 두께가 10μm 미만이면 내성 향상이라고 하는 보호 필름의 역할을 다하는 것이 곤란해지고, 500μm를 넘으면 중앙 창부에 있어서의 리타데이션 값을 20nm 이하로 하는 것이 곤란해진다.

투광성의 보호 필름(30)의 붙이는 방법은, 열 래미네이트나 접착제?점착제를 통한 래미네이트 등 특별히 한정되지 않는다. 또한, 차광성의 전극용 도전막층(1) 상과 투명 도전막(3)에 재질이나 두께가 다른 투광성의 보호 필름(30)을 붙여도 상관없다.

덧붙여, 리타데이션(복굴절)이란, 결정 그 외의 비등방성(非等方性) 물질에 입사(入射)한 광이 서로 수직인 진동 방향을 가지는 2개의 광파로 나뉘는 현상이다. 복굴절을 가지는 재료에 비편광(非偏光)의 광을 입사하면, 입사광은 2개로 나뉜다. 양자(兩者)는 진동 방향이 서로 직각이고, 일방을 수직 편광, 타방을 수평 편광이라고 한다. 수직의 쪽이 이상 광선(異常 光線), 수평의 쪽이 상광선(常光線)으로 되어, 상광선은 전반(傳搬) 속도가 전반 방향에 따르지 않는 광선이고, 이상광선은 전반 방향에 따라 속도가 다른 광선이다. 복굴절 재료에서는 이 2개의 광선의 속도가 일치하는 방향이 있고, 이것을 광학 축이라고 한다. 리타데이션 값Δnd는, Δnd = (nx－ny)d로 나타내진다. 여기서, d는 시료의 두께, nx, ny는 시료의 굴절률이다.

덧붙여, 제2 레지스트층(18)을 박리하지 않는 경우도, 제2 레지스트층(18)이 특수 에칭액으로 다소 열화하거나 팽윤하거나 하여, 장기간에 걸치는 투명 도전막(3) 및 차광성의 전극용 도전막(1)의 보호에는 불충분한 경우도 있다. 그래서, 상기 투광성의 보호 필름(30)은, 노출한 투명 도전막(3)뿐만 아니라 차광성의 전극용 도전막(1)도 덮는 것으로, 한층 더 보호를 기할 수 있다(도 6 참조).

《실시예 1》　

(1) 협액자 터치 입력 시트의 제작

기체 시트로서 두께 1mm의 무색 투명 소다 유리를 이용하여, 그 표리 양면에 투명 도전막으로서 인듐 주석 산화물로 이루어지는 스퍼터링법으로 200nm의 두께로 형성하고, 그 위에 차광성의 전극용 도전막으로서 동막을 스퍼터링법으로 500nm의 두께로 형성하며, 그 위에 제1 레지스트층으로서 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드를 스핀 코트(spin coat)로 형성하여, 표측(表側)에는 X방향의 전극 패턴으로 이루어지는 마스크를 재치(載置, 물건의 위에 다른 것을 올리는 것)하고, 이측(裏側)에는 Y방향의 전극 패턴으로 이루어지는 마스크를 재치하여, 메탈 핼라이드 램프에 의하여 표리 양면 동시에 노광하고, 알칼리 용액에 담가 현상하였다.

이어서, 염화제2철의 에칭액으로 인듐 주석 산화물막 및 동막을 동시에 에칭해본 바, 중앙 창부 표면에는 X방향의 전극 패턴, 그 이측에는 Y방향의 전극 패턴이 노출하여 형성되고, 그 중앙 창부를 에워싸는 바깥쪽 테두리 가장자리부는 평균 선폭 20μm의 세선 배선 패턴이 표리 양면에 노출하여 형성되어 있었다. 이어서, 이들 세선 배선 패턴을 덮도록 제2 레지스트층으로서 열경화 아크릴 수지층을 스크린 인쇄로 10nm의 두께로 형성하였다. 이어서, 산성 분위기 하에서의 과산화수소수에 담그면 노출해 있던 중앙 창부의 노출해 있던 동막이 에칭 제거되어, 그 아래에 형성되어 있던 인듐 주석 산화물막만이 남았다.

(2) 정전 용량식 터치 센서의 제작과 평가

이상의 방법에 의하여, 중앙 창부에는 기체 시트의 양면에 각각 X방향의 전극 패턴, Y방향의 전극 패턴의 인듐 주석 산화물막만이 형성되고, 각각의 바깥쪽 테두리 가장자리부에는 인듐 주석 산화물막의 상에 같은 패턴의 동막이 형성된 세선 배선 회로가 형성되고, 그것을 덮도록 열경화 아크릴 수지층이 피복된 협액자 터치 입력 시트를 얻을 수 있었다. 이 협액자 터치 입력 시트에 형성된 세선 배선 회로 패턴의 단부를 IC칩이 탑재된 외부 회로에 접속하여, 정전 용량식 터치 센서로서 작동하는지 평가해본 바, 양호한 결과를 얻을 수 있었다. 또한, 중앙 창부의 광선 투과율을 측정해본 바, 90%라는 양호한 수치를 나타내고 있었다

《실시예 2》

기체 시트로서 두께 200μm의 무색 폴리에스테르 필름을 2매 이용하여, 각각의 기체 시트의 편면에 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층, 제2 레지스트층을 차례대로 형성하고, 당해 기체 시트끼리를 대향하여 적층하는 것에 의하여 적층된 기체 시트의 양면에 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층을 형성한 후, 표측 중앙 창부 표면에 X방향의 전극 패턴을 형성하고, 이측의 중앙 창부 표면에 Y방향의 전극 패턴을 형성한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의하여 협액자 터치 입력 시트를 얻었다. 이 협액자 터치 입력 시트에 형성된 세선 배선 회로 패턴의 단부를 IC칩이 탑재된 외부 회로에 접속하여, 정전 용량식 터치 센서로서 작동하는지 평가해본 바, 실시예 1과 마찬가지의 양호한 결과를 얻을 수 있었다.

《실시예 3》　

기체 시트로서 두께 100μm의 무색 투명 폴리에스테르 필름을 이용하여, 그 표리 양면에 투명 도전막으로서 인듐 주석 산화물로 이루어지는 스퍼터링법으로 200nm의 두께로 형성하고, 그 위에 차광성의 전극용 도전막으로서 동막을 스퍼터링법으로 300nm의 두께로 형성하고, 그 위에 제1 레지스트층으로서 노볼락(novolak) 수지를 그라비어 코트로 형성하여, 표측에는 X방향의 전극 패턴으로 이루어지는 마스크를 재치하고, 이측에는 Y방향의 전극 패턴으로 이루어지는 마스크를 재치하여, 메탈 핼라이드 램프에 의하여 표리 양면 동시에 노광하여, 알칼리 용액에 담가 현상하였다.

이어서, 염화제2철의 에칭액으로 인듐 주석 산화물막 및 동막을 동시에 에칭해본 바, 중앙 창부 표면에는 X방향의 전극 패턴, 그 이측에는 Y방향의 전극 패턴이 노출하여 형성되고, 그 중앙 창부를 에워싸는 바깥쪽 테두리 가장자리부에는 평균 선폭 20μm의 세선 배선 패턴이 표리 양면에 노출하여 형성되어 있었다. 이어서, 이들 세선 배선 패턴을 덮도록 제2 레지스트층으로서 열경화 아크릴 수지층을 스크린 인쇄로 10μm의 두께로 형성하였다. 이어서, 산성 분위기 하에서의 과산화수소수에 담그면 노출해 있던 중앙 창부의 노출해 있던 동막이 에칭 제거되어, 그 아래에 형성되어 있던 인듐 주석 산화물막만이 남았다.

이어서, 양면에 형성된 중앙 창부의 투명 전극 패턴 및 바깥쪽 테두리 가장자리부의 열경화 아크릴 수지층을 덮도록 두께 50μm의 환상 올레핀 수지로 이루어지는 투광성의 보호 필름을 아크릴계 점착제를 통하여 양면에 붙였다. 이상의 방법에 의하여, 중앙 창부에는 기체 시트의 양면에 각각 X방향의 전극 패턴, Y방향의 전극 패턴의 인듐 주석 산화물막만이 형성되고, 각각의 바깥쪽 테두리 가장자리부에는 인듐 주석 산화물막 상에 같은 패턴의 동막이 형성된 세선 배선 회로가 형성되어, 세선 배선 회로를 덮도록 열경화 아크릴 수지층이 피복되고, 각각의 투명 전극 패턴 및 열경화 아크릴 수지층을 덮도록 투광성의 보호 필름이 피복된 협액자 터치 입력 시트를 얻을 수 있었다.

이 얻어진 협액자 터치 입력 시트에 형성되어 있는 세선 배선 회로 패턴의 단부를 IC칩이 탑재된 외부 회로에 접속하여, 장기간, 정전 용량식 터치 센서로서 작동하는지 평가해본 바, 안정한 전기 특성이 유지 가능한 결과를 얻을 수 있었다. 또한, 중앙 창부에서의 리타데이션 값을 측정해본 바 20nm이며, 색 얼룩 등의 문제는 생기지 않았다.

《실시예 4》

기체 시트로서 두께 38μm의 무색 투명 폴리에스테르 필름을 2매 이용하여, 각각의 기체 시트의 편면에 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층, 제2 레지스트층을 차례대로 형성하고, 그 기체 시트끼리를 대향하여 적층하는 것에 의하여 적층된 기체 시트의 양면에 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층을 형성하여, 표측 중앙 창부 표면에 X방향의 전극 패턴을 형성하고, 이측의 중앙 창부 표면에 Y방향의 전극 패턴을 형성한 후, 각각의 중앙 창부 표면의 전극 패턴에만 두께 30μm의 환상 올레핀 수지로 이루어지는 투광성의 보호 필름을 붙인 것 외에는 실시예 3과 마찬가지의 방법에 의하여 협액자 터치 입력 시트를 얻었다. 이 협액자 터치 입력 시트에 형성된 세선 배선 회로 패턴의 단부를 IC칩이 탑재된 외부 회로에 접속하여, 장기간, 정전 용량식 터치 센서로서 작동하는지 평가해본 바, 안정한 전기 특성이 유지 가능한 결과를 얻을 수 있었다. 또한, 중앙 창부에서의 리타데이션 값을 측정해본 바 10nm이며, 색 얼룩 등의 문제는 생기지 않았다.

본 발명은, 첨부 도면을 참조하면서 바람직한 실시 형태에 관련하여 충분히 기재되어 있지만, 이 기술을 숙련한 사람들에게 있어서는 여러 가지의 변형이나 수정은 명백하다. 그와 같은 변형이나 수정은, 첨부한 청구의 범위에 따른 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않는 한에 있어서, 그 중에 포함된다고 이해되어야 한다.

본원 발명은, 액정 패널 등의 영상 화면을 설치하는 것과 같은 휴대 전화나 PDA, 소형 PC 등의 입력 디바이스에 적용할 수 있는 협액자 터치 입력 시트의 발명이다.

1 : 차광성의 전극용 도전막층
3 : 투명 도전막
5 : 협액자 터치 입력 시트
7 : 기체 시트
10 : 세선 배선 회로 패턴
12 : 마스크
14 : 노광 광선
16 : 제1 레지스트층
18 : 제2 레지스트층
20 : 정전 용량식 터치 센서
22 : 협액자 터치 입력 시트(5)의 바깥쪽 테두리 가장자리부
24 : 협액자 터치 입력 시트(5)의 중앙 창부
28 : 외부 회로
30 : 투광성의 보호 필름
46, 47 : 능형 전극
469, 479 : 접속 배선

Claims (13)

1매의 또는 복수 매가 적층된 투명한 기체(基體) 시트와,
상기 1매의 투명한 기체 시트의 표면 및 이면, 또는 상기 복수 매가 적층된 투명한 기체 시트의 최표면(最表面) 및 최이면(最裏面)의 상에 형성된 투명 도전막(導電幕)과,
상기 투명 도전막의 각각의 상에 형성된 차광성(遮光性)의 전극용 도전막과,
상기 차광성의 전극용 도전막의 각각 상에 형성된 제1 레지스트층을 구비하고,
상기 기체 시트의 중앙 창부에 있는 상기 투명 도전막 및 상기 차광성의 전극용 도전막이, 상기 제1 레지스트층의 노광(露光)?현상(現像)의 후의 에칭(etching)에 의하여 위치 어긋남 없이 적층된 소망의 패턴으로 형성되고,
상기 기체 시트의 바깥쪽 테두리 가장자리부에 있는 상기 투명 도전막 및 상기 차광성의 전극용 도전막이, 상기 제1 레지스트층의 노광?현상의 후의 에칭에 의하여 위치 어긋남 없이 적층되어 세선(細線) 배선 회로 패턴으로 형성되고,
상기 제1 레지스트층이 제거되고, 나아가 상기 중앙 창부에 있는 상기 차광성의 전극용 도전막이 에칭 제거되는 것에 의하여 상기 중앙 창부에 있는 상기 투명 도전막이 회로 패턴을 구성하는, 협액자 터치 입력 시트.

제1항에 있어서,
상기 상기 바깥쪽 테두리 가장자리부에 있는 상기 투명 도전막 및 상기 차광성의 전극용 도전막을 피복(被覆)하는 제2 레지스트층을 더 구비한, 협액자 터치 입력 시트.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기체 시트는 플라스틱 필름인, 협액자 터치 입력 시트.

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 차광성의 전극용 도전막이, 20 ~ 1000nm의 두께의 동박(銅箔)인, 협액자 터치 입력 시트.

제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
정전 용량 방식(靜電 容量 方式)인, 협액자 터치 입력 시트.

제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
나아가 투광성(透光性)의 보호 필름을 상기 구성의 양면에 붙인, 협액자 터치 입력 시트.

제6항에 있어서,
상기 투광성의 보호 필름이, 환상(環狀) 올레핀계 수지 필름으로 이루어지는, 협액자 터치 입력 시트.

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중앙 창부에 있어서의 리타데이션(retardation) 값이, 20nm 이하인, 협액자 터치 입력 시트.

1매의 또는 복수 매가 적층된 투명한 기체 시트와,
상기 1매의 투명한 기체 시트의 표면 및 이면, 또는 상기 복수 매가 적층된 투명한 기체 시트의 최표면 및 최이면의 상에 형성된 투명 도전막과,
상기 투명 도전막의 각각의 상에 형성된 차광성의 전극용 도전막과,
상기 차광성의 전극용 도전막의 각각의 상에 형성된 제1 레지스트층을 구비한, 도전성 시트.

제9항에 있어서,
상기 기체 시트는 플라스틱 필름인, 도전성 시트.

제9항 또는 제10항에 있어서
상기 차광성의 전극용 도전막이, 20 ~ 1000nm의 두께의 동박인, 도전성 시트.

투명한 기체 시트의 양면에 각각, 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층을 차례대로 적층 형성한 후, 양면 동시에 제1 레지스트층을 노광하고, 현상한 후, 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막을 동시에 에칭하고, 제1 레지스트층을 박리(剝離)하는 것에 의하여, 기체 시트의 양면 바깥쪽 테두리 가장자리부에 각각, 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막이 적층된 세선 배선 회로 패턴을 형성한 후, 각각 양면 세선 배선 회로 패턴 상에 제2 레지스트층을 피복 형성하고, 제2 레지스트층이 형성되어 있지 않은 차광성의 전극용 도전막층만을 에칭하는 것에 의하여 각각 양면 중앙 창부에 투명 도전막의 회로 패턴을 노출 형성하는, 협액자 터치 입력 시트의 제조 방법.

2매의 투명한 기체 시트 상에 각각 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층을 차례대로 적층 형성하고, 기체 시트끼리를 대향하여 적층하는 것에 의하여, 적층된 기체 시트의 양면에 투명 도전막, 차광성의 전극용 도전막, 제1 레지스트층을 형성한 후, 양면 동시에 제1 레지스트층을 노광하고, 현상한 후, 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막을 동시에 에칭하고, 제1 레지스트층을 박리하는 것에 의하여, 양면 바깥쪽 테두리 가장자리부에 투명 도전막 및 차광성의 전극용 도전막이 차례대로 적층된 세선 배선 회로 패턴을 형성한 후, 세선 배선 회로 패턴 상에 제2 레지스트층을 피복 형성하고, 제2 레지스트층이 형성되어 있지 않은 중앙 창부의 차광성의 전극용 도전막층만을 에칭하는 것에 의하여 투명 도전막의 회로 패턴을 노출 형성하는, 협액자 터치 입력 시트의 제조 방법.

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