KR20110137818A - 유기 물질을 제거하기 위한 조성물 및 방법 - Google Patents
유기 물질을 제거하기 위한 조성물 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110137818A KR20110137818A KR1020117025376A KR20117025376A KR20110137818A KR 20110137818 A KR20110137818 A KR 20110137818A KR 1020117025376 A KR1020117025376 A KR 1020117025376A KR 20117025376 A KR20117025376 A KR 20117025376A KR 20110137818 A KR20110137818 A KR 20110137818A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- weight
- diethylene glycol
- solvent
- ether
- acid
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 60
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 51
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 49
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 38
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 27
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 24
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 20
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- -1 alkylbenzene sulfonic acid salts Chemical class 0.000 claims description 13
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 10
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 8
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 7
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 6
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 6
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims description 4
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000623 Cellulose acetate phthalate Polymers 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 3
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 3
- PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylethenyl)furan-2,5-dione Chemical compound O=C1OC(=O)C(C=CC=2C=CC=CC=2)=C1 PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000147 Styrene maleic anhydride Polymers 0.000 claims description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N abietic acid Chemical compound C([C@@H]12)CC(C(C)C)=CC1=CC[C@@H]1[C@]2(C)CCC[C@@]1(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004848 alkoxyethyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-2-enoic acid Chemical compound C=C.OC(=O)C=C QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 2
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- KBXUTBMGSKKPFL-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylprop-2-enoic acid Chemical class OC=C(C)C(O)=O KBXUTBMGSKKPFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 claims 1
- 150000004040 pyrrolidinones Chemical class 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 54
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 24
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 16
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 14
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 6
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 6
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 241000894007 species Species 0.000 description 5
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 5
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 5
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001634 Copolyester Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 3
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 3
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 3
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 3
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecene Chemical compound CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNRAOBUKHNZQFX-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazole-4-thiol Chemical compound SC1=CC=CC2=C1NN=N2 NNRAOBUKHNZQFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006149 polyester-amide block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylpiperidin-2-one Chemical compound CC1CCCN(C)C1=O RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)CC1 PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSSAADCISISCOY-UHFFFAOYSA-N 1-(4-furo[3,4-c]pyridin-1-ylphenyl)furo[3,4-c]pyridine Chemical compound C1=CN=CC2=COC(C=3C=CC(=CC=3)C3=C4C=CN=CC4=CO3)=C21 VSSAADCISISCOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OELQSSWXRGADDE-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-eneperoxoic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)OO OELQSSWXRGADDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAEBTCPOZVEMHR-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-2-ol;potassium Chemical compound [K].CC(C)(C)O XAEBTCPOZVEMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOFLTGDAZLWRMJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,1-diol Chemical compound CC(C)C(O)O QOFLTGDAZLWRMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical class N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBLOWDPNVCEPOU-UHFFFAOYSA-N Cc1c([Na])c(C)c(C(O)=O)c(c1C(O)=O)S(O)(=O)=O Chemical compound Cc1c([Na])c(C)c(C(O)=O)c(c1C(O)=O)S(O)(=O)=O SBLOWDPNVCEPOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000220010 Rhode Species 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229940045714 alkyl sulfonate alkylating agent Drugs 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 125000005360 alkyl sulfoxide group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006125 amorphous polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000015241 bacon Nutrition 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003183 carcinogenic agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229940081734 cellulose acetate phthalate Drugs 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001142 dicarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical class CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005446 dissolved organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 1
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxy-2-methylpropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)(C)O GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxyacetate Chemical compound CCOC(=O)CO ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZRVEUZYBVGCFC-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxyisovalerate Chemical compound CCOC(=O)C(O)C(C)C IZRVEUZYBVGCFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 1
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 239000002920 hazardous waste Substances 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical group 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylformamide Chemical compound O=CN(C)C1=CC=CC=C1 JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006199 nebulizer Substances 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical class CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- ARJOQCYCJMAIFR-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(=O)C=C ARJOQCYCJMAIFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003890 succinate salts Chemical class 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HODRFAVLXIFVTR-RKDXNWHRSA-N tevenel Chemical compound NS(=O)(=O)C1=CC=C([C@@H](O)[C@@H](CO)NC(=O)C(Cl)Cl)C=C1 HODRFAVLXIFVTR-RKDXNWHRSA-N 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N vanillin Chemical compound COC1=CC(C=O)=CC=C1O MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N vanillin Natural products COC1=CC(O)=CC(C=O)=C1 FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012141 vanillin Nutrition 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L81/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
본 발명은 기판, 예를 들면 전자 장치 기판, 예컨대 마이크로전자 웨이퍼 또는 평판 디스플레이로부터 유기 물질을 제거하는데 유용한 조성물 및 방법에 관한 것이다. 무기 기판에 코팅물로서 최소 부피의 조성물을 적용하는 방법이 제공되는데, 이때 충분한 열을 가하고 물로 즉시 수세하여 완전한 제거를 달성한다. 이러한 조성물 및 방법은 다양한 포지티브 및 네가티브 포토레지스트, 뿐만 아니라 전자 장치로부터의 열경화성 중합체를 제거하고 완전히 용해시키는데 특히 적합하다.
Description
본 발명은 일반적으로 유기 물질을 기판으로부터 제거함에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 전자 장치, 예컨대 반도체 웨이퍼(wafer) 및 평판 디스플레이(FPD: flat panel display), 및 기타 마이크로전자 기판으로부터 비결정질 및 열경화성 중합체 둘다를 제거하기 위해 적용되는, 일정 조성물에 의한 일반적인 방법에 관한 것이다.
다양한 중합체가 포토레지스트(photoresist) 및 유기-기재 유전체를 포함하는 전자 장치의 제조에 사용된다. 포토레지스트는, 예를 들면, 광리소그래픽 작업(photolithographic operation)에서 반도체 장치 제작 전반에 걸쳐 사용된다. 레지스트는 포토마스크를 통해 화학 방사선에 노출된다. 포지티브 작용 레지스트가 사용되면, 노출은 물질내에서 화학 반응을 초래하여 수성 알칼리에서의 용해도를 증가시킴으로써, 이는 용해되어 현상액에 의해 수세될 수 있게 된다. 네가티브 작용 물질의 경우, 노출된 영역에서 중합체의 가교결합이 일어나는 반면, 노출되지 않은 영역은 변하지 않는다. 노출되지 않은 영역은 용해되고 적합한 현상액에 의해 수세된다. 현상 이후, 레지스트 마스크가 남는다. 레지스트 마스크의 디자인 및 형태는 레지스트의 포지티브 또는 네가티브 톤(tone)에 좌우되고; 포지티브 톤 레지스트는 포토마스크의 디자인에 부합되는 반면, 네가티브 톤 레지스트는 포토마스크 디자인에 반대되는 패턴을 제공할 것이다. 포토레지스트의 사용은 다음 회로 디자인 공정 단계가 실행되기 이전에 마스크의 최종 세정에 의한 수 회의 세정 단계를 필요로 한다.
유기-기재 유전체는 마이크로전자 회로에 절연 특성을 제공하기 위해 사용되는 가공(engineering) 중합체를 나타낸다. 이들 화학물질의 예로는 폴리이미드(PI) 및 폴리-(p-페닐렌-2,6-벤조비스옥사졸)(PBO)[히다치-듀퐁 마이크로시스템즈(Hitachi-DuPont Microsystems) 제품]이 포함된다. 전자 분야를 위한 또 다른 보편적인 유기 절연체는 비스벤조사이클로부텐(BCB)[USA계 다우 케미칼 캄파니(Dow Chemical Company) 제품]이다. 이들 중합체는 종래의 스핀, 분무를 사용하는 포토레지스트와 유사한 방식으로 기판에 도포되거나, 이들은 FPD의 제작시 흔히 실행되는 바와 같이 슬릿(slit) 코팅될 수 있다. 이들 적용 이유로 인해, 유기-기재 유전체는 종종 스핀-온(spin-on) 유전체로 지칭될 수 있다. 일단 중합체가 도포되면, 이들은 패턴화 공정을 겪을 수 있지만, 궁극적으로 모든 이들 시스템은 최종 단계인 경화로 유도되고, 이는 화학적 및 물리적 특성 변화에 의해 물질을 영구적으로 그대로 고정시킨다. 최종 물질은 전기 회로의 성능에 바람직한 전기적 및 물리적 특성 둘다를 나타낸다. 일단 이들 유기-기재 유전체가 완전히 경화되면, 이들은 영구적인 것으로 고려되고, 이로써 재작업을 위해서 기판 또는 인접한 금속을 쉽게 공격하는 공격적인 물질, 예컨대 강한 산 또는 염기를 사용해야 하고, 보다 실제적으로, 재작업 조건은 상업적으로 이용가능하지 않은 것으로 고려된다.
포지티브 포토레지스트는 흔히 프론트-엔드(front-end) 반도체 및 평판 디스플레이 제작에서 고해상 장치 가공을 위해 선택되는 다양한 노볼락 또는 폴리하이드록시스타이렌(Phost) 수지를 기재로 한다. 포지티브 톤 시스템은 세계적으로 생산되는 포토레지스트의 가장 많은 부분을 차지하고 많은 공급업체가 있다. 반도체 및 FPD 둘다를 위한 이들 시스템의 공급업체의 예로는 USA계 AZ 일렉트로닉 머티리얼스(Electronic Materials), USA계 롬 앤 하스 코포레이션(Rohm and Haas Corporation), 및 일본 회사인 도쿄 오카 코교 코포레이션 리미티드(Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd.)가 포함된다. 포지티브 포토레지스트 적용시, 기판은 플라스마 공정으로 에칭되고, 이는 불활성 기체 및 다양한 화학물질을 사용하여, 마스크를 통과하고 기판을 에칭하는 이온화된 반응성 종을 생산한다. 에칭 동안에, 이온화 종 및 반응성 종은 기판의 원자와 합쳐져서 부산물을 형성하고, 이러한 부산물은 플라스마 시스템의 감소된 압력에 의해 빠져나간다. 이들 동일한 기체 종은 또한 포토레지스트 마스크에 충격을 주어, 이를 제자리에서 베이킹하고, 또한 탄소 함유 부산물을 플라스마로 내보낸다. 포토레지스트 부산물은 플라스마중의 다른 종과 혼합되고, 기판을 향해 연속적으로 유도된다. 이들 물질은 축합되어 에칭된 특징부의 측벽을 따라 잔여물을 형성하고, 원하는 조건을 생산하고, 달리는 이방성(anisotropic) 에칭으로 지칭되는데, 이때 종들은 고도로 제어되고 거의 또는 전혀 측부의 손실 없이 기판으로 유도된다. 완료시, 레지스트 마스크와 함께 이러한 에칭 잔여물을 제거하는 것이 바람직한데, 이들이 후속적인 공정에 해로운 영향을 줄 수 있고 장치 성능을 감소시키거나 장치를 불능으로 만들기 때문이다. 그러나 이러한 잔여물 및 이들과 회합된 레지스트 마스크로 인해, 일반적으로 스트리퍼 화학물질을 사용하지 않는 것이 어려울 수 있다.
네가티브 포토레지스트는 흔히 더 공격적인 화학적 또는 열적 노출 공정이 사용될 수 있는 더 엄격한 공정 조건을 위해 선택될 수 있다. 이들 네가티브 포토레지스트는 이소프렌(고무), 아크릴계 및 에폭시계 수지를 포함한다. 환화된 이소프렌(고무) 포토레지스트는 이들의 높은 화학적 저항성 때문에 선택된다. 이들 포토레지스트의 예는 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 리미티드(Fujifilm Electronic Materials, Ltd.)로부터 상품명 SC-레지스트 또는 HNR-레지스트하에 입수될 수 있다. 네가티브 톤 이소프렌 수지 레지스트는 간단한 화학적 에칭을 사용하여 마스킹된 특징부를 둘러싸는 금속을 제거하는 알루미늄 가공시에 통상적이다. 네가티브 톤 아크릴계 포토레지스트는 웨이퍼-레벨-패키징 범프(wafer-level-packaging bump) 형성을 위해 흔히 선택된다. 공급업체로는 각각 건조 필름 및 스핀-온(습식) 네가티브 아크릴을 위한 USA계의 이.아이. 듀퐁 드 네무어스 앤 캄파니(E.I. duPont de Nemours and Company)의 프린티드 설큐이츠 디비즌(Printed Circuits Division) 및 일본의 JSR 코포레이션(Corporation)이 포함된다. 건조 필름 및 스핀-온 아크릴은, 상응하는 납땜 범프(solder bump)를 패턴화하기 위해 사용되는, 25 내지 120 미크론(㎛)의 두꺼운 층을 침착시키는 능력을 제공한다. 패턴이 일단 형성되면, 각각 가열된 산 또는 25O℃ 초과의 온도에서의 베이킹으로 레지스트를 노출시키는 공정인 전기도금 또는 스크린 인쇄에 의해 금속 침착을 일으킨다. 또 다른 보편적인 네가티브 레지스트는 상품명 SU-8(상표)하에 시판되는 에폭시 시스템으로, 이는 본래 인터내셔널 비지니스 머신즈(International Business Machines)(IBM)에서 개발되어 현재 USA 회사인 마이크로켐 코포레이션(MicroChem Corporation), 및 스위스계 회사인 제르스텔텍 엔지니어링 솔루션스(Gersteltec Engineering Solutions)로부터 시판되고 있다. SU-8(상표)은 300 미크론(㎛)을 초과할 수 있는 두꺼운 패턴을 위해 통상적으로 선택되고, 높은 종횡비(즉 폭에 대한 높이)를 갖고, 측벽이 극히 직선형인 패턴 정의를 갖는다. SU-8(상표) 에폭시 수지의 매우 독특한 특징으로 인해, 이러한 다양한 포토레지스트가 큰 장치를 제작하기 위해 선택되고, 가장 흔히 미세전기기계 시스템(MEMS: microeletromechanical system)을 포함한다. 다양한 네가티브 톤 포토레지스트는 포지티브 톤 레지스트와 크게 상이하고, 이들의 세정(제거) 실행은 더욱 엄격하다. 사실, SU-8(상표) 포토레지스트는 영구적인 시스템이고, 보다 복잡하고 시간 및 경비가 많이 드는 실행에 의해서만 제거되는 것으로 흔히 고려된다.
광리소그래피와 연관된 임의의 공정에 있어서, 다음 공정을 성공적으로 진행하기 위해 포토레지스트를 기판으로부터 완전히 제거하는 것이 바람직하다. 포토레지스트의 불완전한 스트리핑은 다음 에칭 또는 침착 단계 동안 불규칙성을 일으킬 수 있고, 이는 품질 및 수율 문제를 일으키기도 한다. 예를 들면, 납땜 범핑(bumping) 동안 레지스트 오염은 보오드 조립 리플로(reflow) 공정 동안 금속 패드로 금속 납땜이 습윤되는 것을 방지하여, 마감된 조립물에서 수율 손실을 일으킨다. 동일한 포토레지스트 오염은 라인 장치 패턴화의 프론트-엔드에서의 유기물 오염으로서 입증되고, 에칭 또는 침착 공정시에 정확히 동일한 비습윤 문제를 일으킨다. 이러한 불규칙성은, 아무리 작더라도, 최종 장치 조립 및 시험 동안 조건이 불량한 기계적 및 전기적 접촉을 유도할 때까지 제작 전체를 통해 문제를 지속적으로 나타내고, 이는 높은 저항 및 열을 생산하거나, 더 나쁘게는, 심각한 전기 단락(electrical shorting)을 일으킨다.
이들 각각의 화학 공정을 통해, 제거에 있어서 최대 선택성을 인식할 수 있고, 높은 처리량(throughput)이 실패없이 충족되어야 한다. 성능의 결여, 잔여물의 존재, 더 심하게는, 공정 복잡성의 증가와 연관된 문제는 모두 수율을 감소시키고 비용을 증가시킬 것이다.
양성 톤 레지스트가 전형적으로 친수성(극성) 및 비결정질(즉, 비-열경화성이고 가교결합됨)이고, 이러한 이유로 인해 이들 시스템은 종래의 용매 및/또는 화학 스트리퍼를 사용하여 세정(제거)하기 더 쉬운 것으로 일반적으로 생각된다. 포지티브 톤 화학물질을 위한 수지는 노볼락(크레졸, 페놀-폼알데히드) 또는 폴리하이드록시스타이렌(PHost)을 기재로 하고, 때때로 스타이렌화된 공중합체 및/또는 아크릴/PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)가 선택된다. 이들 화학물질은 다양한 표면에 대한 양호한 접착성 및 고착성을 제공하는 한편, 노볼락의 다양한 형태(즉, 크레졸, 비스페놀 등)에 존재하는 하이드록실 기는 수성 가용성을 돕는 분자간 수소 결합을 제공한다. 이러한 조건은 노볼락 시스템에서 개시제 디아조나프토퀴논(DNQ)의 광전환 동안 갖춰지는 반면, PHost 시스템에서는 에스테르의 산 촉매화된 보호제거로 인해 더 가용성인 알콜이 형성된다. 정상적인 조작 동안 100℃ 이하의 조건이 사용될 경우, 이들 시스템은 극성 용매에 가용성으로 남지만, 이들의 UV-노출은 수성 염기에 가용성인 대응물을 생산할 것이다.
본원에 지시된 바와 같이, 포지티브 톤 레지스트는 플라스마계 에칭을 위한 1차 이미징(imaging) 마스크로서 사용된다. 이 공정 동안, 플라스마중의 종들은 마스크를 150℃ 초과 온도로 노출시키는 사이에 에칭 잔여물을 생산한다. 에칭 잔여물(예를 들어 측벽 중합체)은 포토레지스트의 유기 구성성분을 갖는 플라스마의 부산물로 구성됨은 공지되어 있다. 잔여물의 화학물질은 기판의 구성성분, 금속 토포그래피(topography), 및 플라스마 기체를 포함하고, 이것으로는 규소, 갈륨, 비소, 붕소, 포스페이트, 티탄, 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 니켈, 알루미늄, 크롬, 불소, 염소, 뿐만 아니라 탄소 포함 화합물이 포함된다. 하이드록실 구성성분을 포함하는 노볼락 시스템에서, 이들 상승된 온도 노출 조건은 추가로 반응을 촉진시켜 불용성 종을 형성할 것이다. 하이드록실 기와 할로겐화물 및 활성 금속의 이러한 반응성은, 특히 플라스마의 가열되고 산성인 조건에서, 할로겐화 알킬, 에스테르, 및 몇몇 경우에, 고분자량 중합체를 생성하는 것으로 공지되어 있다(Morrison, R.T. and Boyd, R.N., Organic Chemistry, 3rd Ed., Allyn & Bacon, Inc., Boston MA, Ch.16 (1973)). 고온 플라스마 에칭으로부터 생성된 에칭 잔여물 및 과노출된 포토레지스트 마스크에 대한 종래의 세정은, 공정 및 투울(tool)에 의존하여 연장된 기간 동안 상승된 온도에서 가공되는 화학 스트리퍼를 사용할 필요가 있다.
전체 수지의 스트리핑의 도전과제를 예측하기 위해 사용되는 전형적인 측정법으로는 유리 전이 온도(Tg)의 열 분석 결정법이 포함된다. 비교적 변하지 않는 Tg 값이 포지티브 톤 포토레지스트 및 유사한 비결정질 시스템에서 관찰된다(Fedynyshyn, T. et al., Proc . SPIE 6519, 65197-1 (2007)). 포토레지스트중 Tg의 검출가능한 증가는 용매에서 증발 손실의 함수인 것으로 관찰되었고, 결과로 이는 포토레지스트 코팅물의 두께에 의존할 것이다. 중합체 가교결합과 함께 방사선 및 열 노출에 의한 Tg의 증가가 가장 주목할 만하다(J. D. D'Amour et al., Proc . SPIE 5039, 966 (2003)). 고온 노출된 노볼락 수지 및 네가티브 톤 시스템의 이러한 가교결합은 Tg의 증가된 값에 의해 검출가능한 바와 같이 더 높은 분자량의 종의 존재와 일치한다.
포토레지스트 에칭 잔여물 및 마스크의 세정(제거)은 유기 용매, 아민, 물, 환원제, 킬레이트제, 부식 저해제 및 계면활성제로 구성된 복합 화학 스트리퍼를 사용한다. 환원제인 하이드록실아민은, 포토레지스트 및 그의 잔여물의 용해를 촉진시키는 한편, 아래에 놓인 알루미늄 금속 특징부를 보호하는 염기성 물질로서 문헌에 널리 인용되어 있다. 스트리퍼 화학물질을 사용하는데 있어서의 통상의 관행은 세정될 기판에 큰 부피의 스트리퍼를 소정의 기간 동안 특정 온도에서 전달함을 포함한다.
산업분야에서 이들 장치에서 개선된 성능을 갖기 위해 알루미늄을 구리로 계속적으로 대체하고 있으므로, 스트리퍼 화학물질 또한 조정되어야 한다. 하이드록실아민은 알루미늄 장치의 세정에 허용될 수 있지만; 구리에 대해서는 너무 공격적이다. 구리 및 낮은-K(유전 상수, K), 예를 들어 Cu/낮은-K를 사용하는 장치 구성은, 규소를 다량함유한 에칭 잔여물을 제거하기 위해 플루오르화에 기초한 화학물질을 필요로 한다. 아민 및 암모니아 화합물은 Cu를 위한 착화제로 공지되어 있고, 구리 금속을 에칭(공격)하는 것으로 관찰된다. 또한, 플루오르화된 글리콜 기재의 스트리퍼 화학물질은 독성인 것으로 고려되고 상승된 점도를 나타낸다.
웨이퍼 범핑 금속화 마스크를 형성하는데 사용되는 네가티브 포토레지스트는 일반적으로 무수 아크릴산, 무수 스타이렌산, 무수 말레산 또는 관련된 단량체 및 공중합체를 포함한다. 이러한 물질은 두꺼운 감광성 필름을 생성하기 위해 사용된다. 이들 포토레지스트는, 주요 중합체 쇄 상의 펜던트 기(이는 아크릴에 통상적인 비닐 기를 포함함)에 의해 "아크릴계" 중합체 시스템으로 흔히 지칭된다. 일반적으로, 아크릴계 포토레지스트의 건조 필름 형태는 엄격한 공정 조건에 대한 노출이 필요한 경우 선택된다. 이러한 노출의 결과로서, 건조 필름 마스크 및 잔여물의 세정은 스트리퍼에 도전과제를 제공한다. 건조 필름 시스템이 제거될 경우, 이 물질은 전형적으로 용해되지 않는다. 오히려, 많은 화학적 스트리퍼는 물질과 상호작용하여 기판으로부터의 들리거나 박리되어, 현탁된 불용성 플레이크 및 입자를 생성할 수 있다. 이러한 불용성 물질은 가공 투울에서 필터 오염 및 성능 저하를 유도할 수 있다. 이는 유지를 위한 가공 투울의 비작동시간의 결과로서 생산성의 상단한 손실을 일으킨다. 또한, 입자의 여거 또는 수세의 실패는 최종 생성물에 잔여물을 형성하고, 이는 수율 손실에 기여한다.
방향족 4급 수산화 암모늄, 예컨대 수산화 벤질트리메틸암모늄(BTMAH), 용매, 예컨대 알킬설폭사이드, 글리콜 및 부식 억제제 및 비이온성 계면활성제를 포함하는 레지스트 스트리핑 조성물은 웨이퍼 표면으로부터 많은 건조 필름 레지스트를 완전히 제거하지 않는다. 유사하게, 피롤리돈 기재 용매, 예컨대 N-메틸피롤리돈(NMP)을 사용하는 조성물은 많은 건조 필름 레지스트의 완전한 제거를 달성할 수 없다는 동일한 단점을 타나낸다. 일반적으로, 4급 수산화 암모늄을 NMP중 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH)으로서 포함하는 조성물은 많은 건조 필름 레지스트를 완전히 용해시키지 않는다. 상기 논의된 바와 같이, 불완전한 용해는 오염원이 되어 수율 손실을 일으킬 수 있는 입자를 생산한다.
유사한 실험이 다양한 고무 기재 수지의 네가티브 톤 포토레지스트에 대해 주지되어 있다. 고무 포토레지스트로부터 생성된 잔여물 및 마스크를 세정하기 위해 사용되는 스트리퍼 화학물질로는 탄화수소 용매 및 산, 흔히 설폰산이 포함된다. 높은 산도가 가수분해된 고무 성분의 성능 및 유화를 위해 요구된다. 대표적인 저해제로는 인접한 금속성 특징부에 대한 공격을 방지하는 머캅토벤조트리아졸(MBT: mercaptobenzotriazole) 및 관련된 트리아졸이 포함된다. 이들 화학물질에 대한 흔한 개시제로는 독성 및 발암성 물질인 카테콜이 포함된다. 추가로, 이러한 다양한 탄화수소 스트리퍼를 위한 세정 단계는 이소프로판올(IPA) 또는 관련된 중성 및 화합성 용매를 사용해야만 한다. 이러한 세정 관행은 비용을 증가시키지만, 스트리퍼의 구성성분과 물을 혼합하는 동안의 pH 강하에 기인하여 인접한 금속을 공격하는 금속의 영향을 감소시킬 것이다. 화합성 문제에 기인하여, 탄화수소 기재 스트리퍼로부터의 폐기물은 마이크로전자 제작시 일반적인 유기 스트림으로부터 침강되어야 한다.
스트리퍼 화학물질의 견지에서 중합체의 잔여물 제거에 대한 도전과제에 주의하는 것이 중요하지만, 공정의 디자인 및 투울의 적절한 성능에 대한 동일한 노력이 필요하다. 일반적으로, 세정 투울의 1차 목적은 공정을 제어하는 것으로 이해된다. 일부 배치 사이의 다양성은 투울의 작동에 의해 감소된다. 유닛에 의해 만들어지는 임의의 혼합 또는 화학적 조정이 없다면, 제어용 투울에 이용가능한 변수로는 온도, 교반 및 시간이 포함된다. 제작 라인에서 처리량을 증가시키기 위해 항상 존재하는 집중적 압력과 함께, 가공 시간을 감소시키는 것이 늘 강조된다. 다시, 화학물질에서의 변화 없이, 이는 온도 및 교반을 증가시키기 위한 유일한 선택사항으로서 남고, 중합체 용해 속도가 증가하여 가공 시간을 단축시킬 것으로 기대된다. 그러나, 공정의 목적과 모순되는 다른 반응, 예컨대 부식 속도는 온도 및 교반의 증가와 함께 증가될 것이다. 또한, 그리고 가장 중요하게, 유기 물질을 갖는 스트리퍼 화학물질의 연속적인 적재로 인하여, 욕조 수명이 감소되고 잔여물의 관찰 또는 성능을 떨어뜨리는 다른 현상을 가속화시킨다.
온도가 연속될 때, 욕조 수명은 온도 또는 교반의 증가에 의해 촉진될 수 있다. 기판 특징부를 보호하기 위해 교반이 조절되어야 하는 곳에서, 욕조 수명 조건은 온도 증가에 의한 증가된 중합체 용해를 통해 증가될 수 있다. 산업 수칙[SEMI S3-91, 가열된 화학 욕조를 위한 안전 수칙(Safety Guidelines for Heated Chemical Baths)]에 의해 소통되는 바와 같은 기초적 안전 한계가 존재한다. SEMI에 따라서, 온도에 대한 액체는 액체의 정상적인 작동 온도에서 10℃ 이하로 상승되도록 조절되어야 하고, 이때 전형적인 작동 온도는 액체의 인화점을 초과하지 않는다. 많은 회사들은 인화점 10℃ 미만으로 작동시키고 더 높은 온도를 인화점으로 설정하는 등의 더 엄격한 정책을 설정할 것이다. 이러한 기준 및 다른 기준은 평판 디스플레이(FPD)의 가공시 최적인 것으로 관찰될 수 있다.
FPD 제작 공장에서 레지스트 스트리핑은 하나의 챔버에서 또 다른 챔버로의 컨베이어(conveyor) 상을 지나가는 큰 기판에서 일어난다. 레지스트는 분무기에 의해 전체 유리 기판을 넘치도록 전달되는 스트리퍼에 의해 패널로부터 스트리핑되고, 수세 단계로 이동하고, 이때 증류수, 탈이온수 또는 탈염수, 또는 다른 용매가 표면에 분무되고, 이 공정은 고온의 에어 나이프(air knife)를 포함하는 건조 단계에 의해 완료된다. 스트리핑은 부품의 유동 방향과 인-라인(in-line)으로 배열되는 분리된 별개의 적어도 2개의 생성물 탱크에 의해 지지된다. 투울에 진입하는 기판은 제1 탱크중의 화학물질에 의해 최초로 "세척"될 것이다. 스트리퍼는 기판 표면 상으로 분무되고, 레지스트와 반응되어 기판으로부터 씻겨 내려가면, 이는 수거되어 탱크로 되돌아가고, 이때 후속적으로 가열되고 여과되어 임의의 부유하고 용해되지 않은 물질들이 전체 화학물질로부터 제거되도록 한다. 이어서 여과되고 가열된 스트리퍼는 분무 챔버로 다시 순환되고, 이때 이는 레지스트 스트리핑 공정을 최적화하는 연속적인 방식으로 기판에 전달된다.
부품이 탱크 #1에 의해 지지되는 제1 챔버로부터 탱크 #2에 의해 지지되는 다음 챔버로 컨베이어 상에서 이동하므로, 스트리퍼에서 근본적인 순도 변화가 존재한다. 탱크 #2를 위한 작동 조건이 탱크 #1을 위한 작동 조건과 같을 수 있지만, 존재하는 레지스트의 양은 탱크 #1의 경우에 비해 더 낮다. 전형적인 가공 시간은 레지스트 스트리핑 및 최대 제거를 최적화하는 레지스트와 접촉되는 화학물질의 거주 시간을 제공하도록 챔버 #1에 대해 규정된다. 시간이 지남에 따라, 탱크 #1은 용해된 레지스트에 대한 최대 적재 용량에 도달될 것이고, 내용물의 대체를 결정할 필요가 있을 것이다. 이와 같은 상황이 초래될 경우, 탱크 #1의 내용물은 폐기되고 탱크 #2의 내용물로 대체될 것이다. 탱크 #2의 내용물은 새로운 스트리퍼(즉, 순수한 스트리퍼)로 대체될 것이다. 이러한 방식에서, 시스템은 역류 형식으로 작동되는 것으로 일컬어진다. 즉, 부품들의 공정 유동은 화학물질의 유동 방향과 "역행"하거나 반대이다. 이러한 실행을 사용함으로써, 탱크 #1 및 #2는 각각 더러운 탱크 및 깨끗한 탱크가 된다. 달리 말하면, 원치않는 레지스트는 라인의 전방에서 농축되는 반면, 가장 깨끗한 화학물질이 단부 근처에 남게되고, 이러한 지점 이후에 생성물 기판은 수세되고 건조된다.
FPD 예를 위한 본원에 제공된 배치형태는 전체는 아니라도 대부분 인-라인 벤치 스타일(bench style) 투울 및 많은 배치 스타일 가공 투울과 일치한다. 벤치 투울에서, 부품이 한 스테이션(station)으로부터 또 다른 스테이션으로 이동되는 동안, 탱크는 고정된 위치에 있다. 배치 스타일 투울에서, 부품은 회전되지만 고정된 위치에 남아 있는 반면, 화학물질은 분무에 의해 전달된다. 2개의 탱크가 존재할 것이고, 투울이 하나에서 나머지로 펌핑하고 "더러운" 및 "깨끗한" 탱크들의 사용에 의해 역류 세정 디자인을 수행할 것이다.
이들 배합된 스트리퍼로 가공하는 동안 선택성을 달성하기 위한 동일하지만 만족스럽지 않은 필요성이 존재한다. 즉, 더 공격적인 화학물질의 사용이 실행되어 감소된 시간내에 원하는 세정 성능을 달성하므로, 이러한 실행은 예민한 금속 및 아래에 놓은 기판에 손상을 주지 않고 충족되어야 한다. 선택된 많은 산 또는 알칼리는, 일단 이들이 수세 단계 동안 물과 혼합되어 기판 금속에 전류발생(galvanic) 부식을 일으키면, 시스템의 pH를 신속히 "스파이킹(spiking)"하므로, 이는 특히 어렵게 된다. FPD 라인 상에서의 수세 단계 동안, 물은 잔여 스트리퍼를 포함하는 가열된 유리 표면에 분무된다. 계면활성제는 FPD 라인에 전혀 사용되지 않는데, 이는 발포 조건이 초래되고 궁극적으로 필터의 심각한 불능, 건조 에어 버블의 펌핑을 초래하고, 더 나쁘게는 스트리퍼가 넘쳐흘러 제작설비(fab)가 오염됨으로써 전기 단락이 개시되고 화재가 발생될 수 있기 때문이다. 계면활성제가 전혀 사용되지 않으므로, 유기 스트리퍼로부터 수성 조건으로의 표면 장력을 일으키는 것에 기인하여 불규칙한 확산이 존재한다. 불규칙한 혼합 및 퍼짐은 패널에 순간적인 데드 스팟(dead spot)을 초래하고, 이는 부식을 가속화시킨다. 부식성 부산물 및 발포 조건은 중성 용매, 예컨대 이소프로판올(IPA)로 수세함으로써 방지될 수 있다. 이러한 실행은 몇몇 FPD 제조업체에 의해 받아들여졌지만, 이는 고가이고 인화의 위험성이 있다.
따라서, 증류수, 탈이온수 또는 탈염수로 수세하는 동안 아래에 놓인 야금(metallurgy)에 대해 안전성을 유지시키고, 전체 공정을 통해 표면을 부식하거나, 가우징(gouging)하거나, 용해하거나, 흐리게 하거나, 달리 손상시키는 것을 방지하면서 가공된 레지스트를 신속한 방식으로 제거할 개선된 스트리핑 조성물이 요구된다. 추가로, "녹색(green)"을 향해 움직이려는 계획이 산업분야에 증가하고 있다. 녹색 공정 및 연관된 화학물질은 위험한 물질의 사용 및 발생을 감소 또는 제거하는 것이다. 미국 화학 협회(American Chemical Society)의 녹색 화학 연구소(Green Chemistry Institute)에 따르면, 녹색 화학을 규정하는 것을 돕는 열 두개(12)의 원칙이 있다.
마이크로전자 제작시 중합체 물질에 대한 이러한 고찰은 산업분야에 심각하고 강력한 도전과제를 제시한다. 유기 유전체가 사용되는 경우, 아래에 놓인 기판으로부터 원치않는 물질을 용해시키고 세정함으로써 경화된 중합체를 효과적으로 재작업하기 위해 사용될 수 있는 방법 및 조성물에 대한 지속적인 요구가 있다. 포지티브 포토레지스트의 경우에, 인접한 금속 특징부에 해로운 영향을 주지 않으면서 기판으로부터 중합체를 효과적으로 제거하는 방법 및 조성물에 대한 유사하고 연속적인 요구가 있다. 최종적으로, 네가티브 톤 포토레지스트의 경우에, 인접한 금속 특징부에 해로운 영향을 주지 않으면서 기판으로부터 중합체를 효과적으로 제거하기 위한 방법 및 조성물에 대한 동일한 요구가 존재한다. 이들 물질 모두는 본래 유기적이지만, 이들의 화학성질은 상이하고, 원하는 세정 결과에 영향을 주기 위해 극복되어야 하는 특유의 도전과제를 제공한다.
특정 조성물에 의한 유기 물질의 제거 필요성을 다루고자 하지만, 또한 기판에 해로운 영향을 주지 않으면서 부품의 신속한 가공 및 물로의 수세를 가능하게 하고 투울에 의해 지지되는 공정을 디자인하기 위한 도전과제가 존재한다. 작동의 안전성을 개선시키고, 화학물질의 사용을 감소시키며, 위험한 폐기물의 생성을 감소시킴으로써 녹색화되도록 마이크로전자 산업에 대하여 계속 강조되고 있다. 이들 도전과제를 함께 고려하여, 제거될 특유의 중합체 또는 잔여물의 성능 요건에 따라 달라지는 조성물을 사용하고, 높은 성능, 높은 처리량, 녹색 공정을 모두 소유주의 감소된 비용하에 제공하는 일관되고 보편적인 공정을 제공할 필요가 있다.
본 발명의 제1 실시태양은 용매 또는 용매들의 혼합물; 및 10중량% 초과의 적어도 하나의 설폰화된 폴리에스터로 구성되고, 이때 용매가 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는, 무기 기판으로부터 유기 수지를 세정하기 위한 조성물에 관한 것이다.
또 다른 실시태양은 약 0.5 중량% 내지 약 99.0 중량%의 유기 용매 또는 용매들의 혼합물, 및 약 0.5% 중량 내지 약 99.0 중량%의 적어도 하나의 수용성, 수분산성 또는 수산일성(water dissipatable) 폴리에스테르(성분 B), 및 세정 성능을 증진시키는 약 0.01 중량% 내지 약 99.0 중량%의 적어도 하나의 첨가제를 포함하는, 무기 기판으로부터 유기 수지를 제거하기 위한 조성물에 관한 것이다.
또 다른 실시태양은 (a) i) 약 0.5 중량% 내지 약 99.0 중량%의 유기 용매 또는 유기 용매들의 혼합물, 및 ii) 약 0.5 중량% 내지 약 99.0 중량%의 적어도 하나의 수용성, 수분산성 또는 수산일성 중합체(성분 B)를 포함하는 조성물로 유기 수지를 코팅하는 단계, (b) 유기 수지의 용해를 달성하기에 충분한 시간 동안 및 충분한 온도로 기판을 가열하는 단계, 및 (c) 조성물 및 유기 수지를 제거하기에 충분한 부피의 헹굼제(rinsing agent)로 기판을 수세하는 단계를 포함하는, 무기 기판으로부터 유기 수지를 제거하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 무기 기판, 금속성, 비금속성 및 금속화된 비금속성 기판으로부터 중합체 유기 물질을 신속하고 효과적으로 제거하는 스트리핑 조성물 및 방법을 제공한다. 스트리핑 조성물은 유기 용매, 수용성 중합체, 및 임의적으로, 전자제품 제조시 마이크로회로를 제작하기 위한 기재 물질을 포함하는 열가소성 또는 열경화성 성질의 유기 물질 및 이들의 잔여물을 효과적으로 제거하는 다양한 첨가제를 포함한다. 첨가제는 스트리핑 조성물의 세정 성능을 증진 또는 개선시킨다. 이 방법은 조성물을 기판 상으로 코팅시키는 단계, 유기 물질의 용해를 달성하기에 충분한 소정의 시간 동안 특정 온도로 기판을 가열하는 단계, 수세에 의해 부산물을 제거하여 마감처리하는 단계로 이루어지는 실행을 규정한다. 이러한 조성물 및 방법은 함께 작용하여 종래의 스트리퍼 공정에서 일반적으로 보여지지 않은 제조시의 성능 및 다른 원하는 성과를 제공한다. 소비자 공정에 노출되는 경우 제거될 유기 물질이 단단하고 화학적으로 저항성인 골격구조로 경화될 수 있지만, 본 발명은 허용가능한 성능을 유지시키는 것으로 밝혀졌다.
"수산일성" 또는 "수분산성"이라는 용어가 본 설명에 사용되는 경우, 이는 단량체(성분 B) 상의 물 또는 수성 용액의 활성을 지칭하는 것으로 이해될 것이다. 이 용어는 특히 물 또는 수성 용액이 그 내부에 및/또는 전체를 통해 단량체 물질을 용해 및/또는 분산시키는 상황을 포함하고자 한다.
"스트리핑", "제거", 및 "세정"이라는 용어는 본 명세서 전반에 걸쳐 상호교환적으로 사용된다. 유사하게, "스트리퍼", "제거제", 및 "세정 조성물"이라는 용어도 상호교환적으로 사용된다. "코팅"이라는 용어는 필름을 기판에 적용하는 방법으로서 규정되고, 예컨대 분무 코팅, 퍼들(puddle) 코팅, 슬릿(slit) 코팅 또는 담금질이다. "필름" 또는 "코팅물"이라는 용어는 상호교환적으로 사용된다. 부정관사 하나("a" 또는 "an")는 단수 및 복수 둘다를 포함하고자 한다. 모든 범위는 이러한 수치 범위가 100%까지 첨가하도록 구속되는 것이 명백한 경우를 제외하고는 임의의 순서로 포괄적이고 조합적이다. "중량%"라는 용어는, 달리 지시되지 않는 한, 스트리핑 조성물 성분들의 총 중량을 기준으로 한 중량 퍼센트를 의미한다.
본 발명에 따른 공정은 본 발명에 따른 조성물의 욕조에 무기 기판을 침수시킴 또는 바람직하게는 조성물을 코팅물로서 무기 기판에 적용함을 포함할 수 있다. 일단 기판이 조성물에 침수되거나 조성물이 전체 면적에 적용되어 이를 덮거나 코팅하면, 기판의 가열이 시작된다. 원하는 온도에 도달될 때까지 신속히 가열되고 원하는 기간 동안 유지된다. 다르게는, 기판이 침수되는 욕조가 원하는 온도로 유지될 수 있다. 헹굼제로 수세되고, 건조 단계가 수반된다. 전체 실행 방법은 세 가지(3) 별개의 단계, 즉 코팅, 가열 및 수세 단계를 포함한다. 본원에 사용될 경우, "헹굼제"라는 용어는 스트리핑되는 물질 및 조성물을 제거하는 임의의 용매를 의미한다. 스트리핑 제제의 예로는 물, 아세톤, 이소프로필 알콜 및 이들의 혼합물이 포함된다.
본 발명의 한 실시태양은 본 발명의 조성물이 제거될 물질과 직접 접촉하는 액체 코팅물로서 적용되는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 대략 25℃ 내지 약 400℃ 또는 약 100℃ 내지 약 25O℃로 가열함을 포함한다. 온도에서의 가변성은 유기 물질의 성질 및 두께에 좌우될 것이다. 가열 단계 공정 시간은 약 5초 내지 약 10분, 약 10초 내지 약 8분, 또는 약 30초 내지 약 4분일 수 있다. 더욱이, 전체 공정 시간은 < 15초 내지 180초이기만 하면 다양할 수 있고, 몇몇 경우 5분 내지 10분이다. 시간에서의 가변성은 제거되는 물질, 이의 두께 및 노출 조건에 좌우된다. 예를 들면, PHost 또는 노볼락 수지의 경우, 가열 단계는 약 15초 내지 약 1분일 수 있다. 그러나, 다른 더 고도로 경화된 수지의 경우, 가열 단계는 약 2 내지 4분 또는 더 길게 지속될 수 있다. 일단 유기 물질의 확산이 완료되면, 헹굼제, 예컨대 증류수, 탈이온수 또는 탈염수로의 수세 단계가 수행될 수 있다.
수세는 조성물중 수용성 중합체의 존재에 의해 용이하게 된다. 이러한 중합체는 무기 기판으로부터 제거되는 유기 물질을 위한 담체 시스템으로서 작용한다. 수세를 위해 사용되는 헹굼제는 약 5℃ 내지 약 100℃의 온도일 수 있다. 그러나, 수세는 또한 실온에서 일어날 수 있고, 2개의 목적, 즉 용해된 유기 물질의 제거, 및 기판의 온도 감소를 수행하여 다음 단계에서 정상적인 투울 취급이 진행될 수 있도록 한다.
본 발명에 사용된 조성물은 구조식 (I) R-CO2R1으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 에스테르, 구조식 (II) R2-CO2C2H4(OC2H4)n-OR3, (III) R4-C02C3H6(OC3H6)n-OR5 및 (IV) R6OCO2R7의 글리콜 에테르 에스테르, 구조식 (V) R8OH, (VI) R9OC2H4(OC2H4)nOH, (VII) R10OC3H6(OC3H6)nOH, (VIII) R11(OC2H4)nOH, 및 (IX) R12(OC3H6)nOH로부터 선택된 알콜, 구조식 (X) R13COR14로부터 선택된 케톤, 구조식 (XI) R15SOR16으로부터 선택된 설폭사이드, 및 아미드, 예컨대 N,N-디메틸 폼아미드, N,N-디메틸 아세트아미드, 및 N-메틸 피롤리돈을 포함하는 다양한 용매 시스템인 주요 성분을 포함하고, 이때 R, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16은 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C14 알킬기로부터 선택되고, n은 1 내지 10 범위의 반복 단위를 나타낸다. 추가로, 적절한 용매로는, 제한되지 않지만 케톤, 예컨대 사이클로헥사논, 2-헵타논, 메틸 프로필 케톤, 및 메틸 아밀 케톤, 에스테르, 예컨대 이소프로필 아세테이트, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 에틸 프로피오네이트, 메틸 프로피오네이트, 감마-부티로락톤(BLO), 에틸 2-하이드록시프로피오네이트(에틸 락테이트(EL)), 에틸 2-하이드록시-2-메틸 프로피오네이트, 에틸 하이드록시아세테이트, 에틸 2-하이드록시-3-메틸 부타노에이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-메톡시 프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-에톡시 프로피오네이트, 메틸 피루베이트, 및 에틸 피루베이트, 에테르 및 글리콜 에테르, 예컨대 디이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 글리콜 에테르 에스테르, 예컨대 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 및 프로필렌글리콜 프로필 에테르 아세테이트, 방향족 용매, 예컨대 메틸벤젠, 디메틸벤젠, 아니솔, 및 니트로벤젠, 아미드 용매, 예컨대 N,N-디메틸아세트아미드(DMAC), N.N-디메틸폼아미드, 및 N-메틸폼아닐리드, 및 피롤리돈, 예컨대 N-메틸피롤리돈(NMP), N-에틸피롤리돈(NEP), 디메틸피페리돈, 2-피롤, N-하이드록시에틸-2-피롤리돈(HEP), N-사이클로헥실-2-피롤리돈(CHP), 및 황 함유 용매, 예컨대 디메틸 설폭사이드, 디메틸 설폰 및 테트라메틸렌 설폰이 포함된다. 이들 유기 용매가 개별적으로 또는 조합되어(즉 다른 용매와의 혼합물로서) 사용될 수 있지만, 바람직한 용매 시스템은 디에틸렌 글리콜[DEG, 이스트만 케미칼 캄파니(Eastman Chemical Company) 제품], 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르(DE 용매, 이스트만 케미칼 캄파니 제품), 및 디에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르(DP 용매, 이스트만 케미칼 캄파니 제품)을 포함한다.
조성물의 한 실시태양은 이들 상기 용매중 하나 이상을 약 0.5 중량 퍼센트 내지 약 99.5 중량 퍼센트로 포함한다. 한 실시태양에서, 용매는 용매 조성물중에약 40 중량% 내지 약 97 중량% 또는 약 60 중량% 내지 약 90 중량%로 존재한다.
조성물은 또한 중합체를 포함하고, 이는 약 0.5 내지 약 99.5 중량 퍼센트로 존재하는 수용성, 수분산성 또는 수산일성을 나타내고, 제한되지 않지만, 알콜 에톡실레이트, 비스페놀 에톡실레이트 및 프로폭실레이트, 알킬벤젠 염, 셀룰로즈 아세테이트 프탈레이트, 알콕시에틸 및 하이드록시프로필의 셀룰로즈성 유도체, 에틸렌 및 산화 프로필렌의 공중합체, 수지상의 폴리에스테르, 에톡시화 아민, 에톡시화 알콜 염, 에틸렌 아크릴산, 하이드록시-메타크릴레이트, 포스페이트 에스테르, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 이민, 산화 폴리에틸렌, 폴리비닐 알콜, 폴리비닐 피롤리디논, 전분, 스타이렌 무수 말레산, 설폰화 아크릴, 설폰화 폴리스타이렌, 설포폴리에스테르(선형 또는 분지형 구조), 또는 송진 산으로부터 유도된다. 조성물은 하나 이상의 이들 중합체를 약 10.0 중량 퍼센트 내지 약 99.5 중량 퍼센트로 포함한다. 한 실시태양에서, 중합체는 용매 조성물중에 약 12.0 내지 약 60.0 중량% 또는 약 15.0 내지 약 30.0 중량%로 존재한다.
한 실시양태에서, 수용성 중합체는 다양한 선형 또는 분지형 각각의 하나 이상의 설폰화된 폴리에스테르(설포폴리에스테르), 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 설포폴리에스테르는,
(i) 적어도 하나의 디카복실산의 단량체 잔기; 및
(ii) 모든 산 및 하이드록실 당량 전체를 기준으로 약 4 내지 25 몰 퍼센트의, 방향족 고리에 결합된 적어도 하나의 금속 설포네이트 기를 포함하는 적어도 하나의 이작용성 설포단량체의 단량체 잔기(이때 작용기는 하이드록시 또는 카복실 또는 아미노이고 설포네이트 기의 금속은 Na, Li, K, Mg, Ca, Cu, Ni, Fe 및 이들의 혼합물임); 및 임의적으로
(iii) 화학식 --(OCH2CH2)n--(이때 n은 2 내지 약 500이지만, 단 이러한 잔기의 몰 퍼센트는 n의 값에 역비례여야 함)을 갖는 적어도 하나의 폴리(알킬렌 글리콜)의 단량체 잔기; 및
(iv) 약 75 몰 퍼센트 까지의 적어도 하나의 디올의 단량체 잔기(이때 상기 디올은 폴리(알킬렌 글리콜) 이외의 것임)로 구성된다.
본 발명에 사용하기에 적합한 설포폴리에스테르 중합체는 이스트만 AQ(Eastman AQ: 상표) 중합체 및 이스트만 AQ 코폴리에스테르로서 공지된 중합체이다. 일반적으로, 적합한 중합체는 디메틸-5-소디오설포이소프탈레이트 및 이의 모 산 및 염으로부터 제조된 중합체이고, 이는 이소프탈산, 테레프탈산 및 이들의 에스테르와 같은 공단량체로부터 유도된다. 이러한 산 공단량체와 함께 흔히 사용되는 디올은 디에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-메틸 프로판 디올, 네오펜틸 글리콜, 1,6-헥산디올 등이다.
중합체는 글리콜 잔기 및 디카복실산 잔기를 갖는 에테르 기 및 설포네이트 기, 및 방향족 핵에 결합된 설포네이트 기를 포함하는 적어도 하나의 이작용성 공단량체 및 금속 염의 형태를 포함하는 수용성, 수분산성 또는 수산일성 설포폴리에스테르 또는 폴리에스테르아미드(이후 본원에서 집합적으로 설포폴리에스테르로지칭됨)로부터 선택될 수 있다. 이러한 중합체는 당분야의 숙련가에게 공지되고 이스트만 케미칼 캄파니로부터 상품명 이스트만 AQ 중합체 하에 입수가능하다. 특히, 이러한 설포폴리에스테르는, 바람직하게는 약 80℃ 미만의 온도에서 수성 분산액중에 용해되거나, 분산되거나, 산일될 수 있다. 이러한 폴리에스테르는 미국 특허 제3,734,874호에 더 상세히 기재되고, 이의 개시내용은 본원에 참고로 인용된다. 당분야의 숙련가라면 명세서 및 특허청구범위에 사용될 경우, "잔여물" 또는 "성분"이라는 용어는, 잔기가 실제로 화학 종으로부터 수득되었는지의 여부와 무관하게, 특정 반응식 또는 후속적인 배합에서의 화학 종의 생성물 또는 화학 생성물인 잔기를 지칭함을 잘 알 것이다. 이와 같이, 예를 들면, 폴리에스테르중 에틸렌 글리콜 잔기는, 에틸렌 글리콜이 폴리에스테르를 제조하기 위해 사용되었는지의 여부와 무관하게, 폴리에스테르중 하나 이상의 -OCH2CH2O- 반복 단위를 지칭한다.
전술된 폴리에스테르 물질은 미국 특허 제3,734,874호; 제3,779,993호; 제3,828,010호, 제4,233,196호, 제5,006,598호, 제5,543,488호, 제5,552,511호, 제5,552,495호, 제5,571,876호, 제5,605,764호, 제5,709,940호, 제6,007,749호 및 제6,162,890호(이의 개시내용은 본원에 참고로 인용됨)에 기재된 폴리에스테르 제조 기술에 따라 제조되고, 상기 설명 및 첨부된 특허청구범위에서 "산"이라는 용어의 사용은 이들 특허에 제시된 제조에서 이용된 바와 같은 산 반응물의 다양한 에스테르 형성 또는 축합가능한 유도체, 예컨대 이의 디메틸 에스테르를 포함한다. 설포-단량체의 예는 설포네이트 기가 방향족 핵, 예컨대 벤젠, 나프탈렌, 비페닐 등에 결합되거나 핵이 지환족, 예컨대 1,4-사이클로헥산디카복실산인 단량체이다.
조성물로의 첨가제는 약 100 부(ppm) 내지 약 99 중량 퍼센트의 유기 또는 무기 기원의 알칼리 또는 산을 포함할 수 있고, 수산화 암모늄, 4급 수산화물, 예컨대 수산화 테트라메틸 암모늄(TMAH), 수산화 테트라에틸 암모늄(TEAH), 및 수산화 벤질트리메틸 암모늄(BTMAH), 아민, 예컨대 트리에틸렌 테트라아민, 알카놀아민(이는 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디글리콜아민을 포함함), 원소 수산화물, 또는 알콕사이드, 예컨대 포타슘 3급 부틸 하이드록사이드(KTB), 알킬 설폰산, 예컨대 메탄 설폰산(MSA), 톨루엔 설폰산(TSA), 및 도데실벤젠 설폰산(DDBSA), 폼산, 지방산, 황산, 질산 또는 인산이 포함된다. 첨가제는 약 0.1 중량 퍼센트 내지 약 60 중량 퍼센트, 약 1.0 중량 퍼센트 내지 약 50 중량 퍼센트, 또는 약 5 중량 퍼센트 내지 약 40 중량 퍼센트의 양으로 존재한다.
한 실시태양에서, 세정 조성물은 약 0.5 중량% 내지 약 99.0 중량%의 유기 용매 또는 용매들의 혼합물, 약 0.5 중량% 내지 약 99.0 중량%의 적어도 하나의 설폰화된 폴리에스테르, 및 세정 성능을 증진시키는 약 0.01 중량% 내지 약 99.0 중량%의 적어도 하나의 첨가제를 포함한다. 더욱이, 용매는 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 부틸 에테르 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택된다.
또 다른 실시태양에서, 세정 조성물은 약 30% 내지 약 95%의 용매, 약 3 중량% 내지 약 60 중량%의 중합체, 및 약 2 중량% 내지 약 60 중량%의 첨가제를 포함한다.
조성물은 또한 기판 조성물을 위한 보호제로서 작용하는 저해제를 포함할 수 있다. 저해제로는 킬레이트제, 착화제 또는 환원제가 포함되고, 하나 이상의 공지된 변형체를 포함하며, 예컨대 벤질 하이드록사이드, 예컨대 카테콜, 트리아졸, 이미다졸, 보레이트, 포스페이트, 및 알킬 또는 원소 실리케이트, 에틸렌디아민테트라에세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, 니트릴로트리아세트산, 및 2,4-펜탄디온, 환원당, 하이드로퀴논, 글리옥살, 살리실알데히드, 지방산, 예컨대 시트르산 및 아스코브산, 하이드록실아민, 또는 바닐린이 포함된다.
본 발명에 따른 조성물은 또한 비이온성 노닐-페놀 및 노닐-에톡실레이트; 알킬-설포네이트, 포스페이트 에스테르, 및 석시네이트를 포함하는 음이온성 형태; 및 플루오르화 시스템을 비롯한 하나 이상의 공지된 변형체를 포함하는 계면활성제를 포함한다.
욕조 침수를 통해 또는 코팅법을 사용하여 기판에 조성물을 접촉시킨다. 마이크로전자제품의 제조시, 스핀 코팅은 기판에 코팅물을 적용하기 위해 사용되는 선택 방법이다. 그러나, FPD 제조시에서와 같이 큰 기판을 위하여 분무-스핀 코팅 및 슬릿 코팅을 포함하는 다른 방법이 존재한다. 모든 경우에, 목적은 완전한 차폐를 달성하기 위한 방식으로 조성물을 적용하는 것이다. 통상적으로, 대부분의 코팅물 적용은 높은 균일도가 관심사이다. 본 발명의 방법에서, 최소 두께는, 전형적으로 1000 미크론(1 ㎛ = 1 × 10-6 m)의 최소 값에 대해 수립될 것이지만, 유기 물질이 매우 얇은 몇몇 경우, 조성물 두께는 더 얇아질 수 있다. 본 발명의 한 실시태양에서, 코팅물은 약 800 미크론 이하의 두께일 수 있고, 약 200 내지 약 600 미크론 두께, 또는 약 300 내지 약 400 미크론 두께일 수 있다.
본 발명의 방법을 위한 조성물을 스핀-코팅하는 통상적인 실행은 물질을 기판의 중심에 분배하고, 낮은 원운동 속도로(즉, <100 rpm(revolutions per min; 분당 회전수)) 장비를 작동시키는 것이다. 액체 전달은 정적인 방법으로 수행될 수 있고, 이때 유체는 표면 상으로 "퍼들(puddle)"된다. 동적인 방법 또한 사용될 수 있는데, 이 경우에는 기판이 이미 움직일 때 물질이 분배된다. 새로운 공정의 셋업(set-up)을 위한 초기 단계 동안에, rpm 및 시간의 정확한 조건은 폐기물이 최소한이거나 전혀 없도록 하면서 기판의 전체를 완전히 덮는 것을 보장하는 방식으로 확립될 필요가 있다. 이러한 조건은 공정 목적에 위배되지 않을 것이므로 가장자리 비이드 형성을 걱정할 필요는 없다.
스핀 속도의 조작은 마이크로전자 산업에 사용되는 많은 장치에 있어서 통상적으로 주목을 받는다. 기판 회전은 이들 특성에 직접적인 영향을 주어 상이한 코팅 결과를 가져올 것이다. 낮은 스핀 속도에서, 유체 이동성은 미비한 재료 손실과 함께 낮을 것이지만, 기판 도포에 있어서의 불균일성이 초래될 수 있다. 다르게는, 높은 스핀 속도는 높은 이동성 및 많은 재료 손실을 가져올 것이다. 스핀 코팅이 산업분야에서 표준 관행이지만, 실험에 따르면 허용가능한 두께의 균일성을 갖는 두꺼운 코팅물은 분무 코팅에 의해 달성될 수 있다. 일단 코팅이 완료되면, 공정의 열 활성화가 즉시 진행될 수 있다.
열 적용은 수 개의 길을 통해 수행될 수 있다. 수동 작업을 위해, 간단한 고온 플레이트가 사용될 수 있다. 이는 기판을 한 위치에서 다른 위치로 옮겨야 한다. 자동화가 바람직한 상황에서, 웨이퍼는 정지된 채로 있지만, 베이스-척(base-chuck) 또는 오버헤드(overhead) IR 대류 공급원을 사용하여 열이 적용된다. 제어 및 처리량에 관한 정확한 인체공학적 및 실행계획적(logistic) 관심사항은 투울 디자인 분야의 숙련가에 의해 쉽게 결정된다. 일단 적절한 가열 체제가 수반되고, 조성물 및 유기 수지는 교반되는 배치에서 또는 직접적인 분무 접촉에 의해 헹굼제로 수세함으로써 제거될 수 있다.
본 발명의 스트리핑 조성물은 PHost 또는 노볼락 변형체들의 비결정질 유기 물질, 예컨대 포지티브 톤 포토레지스트 상에 사용될 경우 용해력(solvency) 환경을 유지시킴으로써 작용한다. 이러한 경우 및 노출 조건이 150℃ 이하의 적당한 온도를 포함할 경우, 용매 시스템 및 수용성 중합체를 비롯한 최소 구성성분을 포함하는 조성물이 본 발명의 방법의 조건하에 코팅되고 가공된다. 충분한 온도로 가열될 경우, 신속한 용해가 일어나고 포토레지스트의 조성물로의 확산이 진행되어 쉽게 완료된다. 첨가제, 예컨대 알칼리제, 저해제, 및 계면활성제는 높은 온도로 베이킹된(즉 >150℃) 포토레지스트에 의해 양호한 결과를 얻기 위해 사용될 수 있다. 스트리핑 조성물내에 포함된 첨가제를 사용하는 이점은, 가교결합된 포토레지스트의 비누화에 기인하여 용해 속도를 개선시키면서도 저해제가 스트리핑 및 수세 단계 동안 노출된 금속을 보호한다는 것이다.
유기 알카놀아민 화합물은, 포지티브 톤 포토레지스트의 알칼리성 비누화 및 유화를 위해 바람직하고, 하나 이상의 저분자량 후보, 예를 들어 모노에탄올아민(MEA: monoethanolamine), 모노이소프로판올아민(MIPA: monoisopropanolamine), 또는 디글리콜아민(DGA: diglycolamine), 및 이들의 조합이 포함된다. 네가티브 톤 아크릴계 포토레지스트 또는 경화된 열경화성 폴리이미드가 제거될 후보인 경우에, 조성물은 강한 알칼리, 즉 4급 수산화물, 금속 수산화물 또는 알콕사이드를 필요로 할 것이다.
포지티브 네가티브 아크릴 뿐만 아니라 폴리이미드로부터 코팅물 및 잔여물을 제거하기 위해 본원에 제공된 고찰과 유사하게, 조성물은 또한 네가티브 이소플렌(고무) 레지스트 및 네가티브-에폭시(SU-8(상표)) 포토레지스트의 제거를 위해 적용된다. 포지티브 포토레지스트 및 네가티브 아크릴 및 폴리이미드에 대해 결정한 바와 같이, 조성물의 선택은 제거될 물질에 좌우된다. 네가티브-이소프렌의 경우, 화학성은 소수성(비극성)이고, 가교결합된 고무 시스템은 알칼리에 반응하지 않고 단지 산에만 반응한다. 고무 포토레지스트는 방향족 용매 및 소수성 산, 예컨대 도데실벤젠 설폰산을 필요로 한다. 네가티브 에폭시 포토레지스트의 경우, 화학성은 친수성(극성)이고, 고무 포토레지스트와 같이, 이들 시스템은 또한 알칼리에 반응하지 않는다. 바람직한 시스템은 친수성 산, 예컨대 메탄 설폰산(MSA) 또는 황산을 혼입한 시스템이다. 이들 시스템은 모두 수용성 중합체를 포함하여, 포토레지스트를 용해한 후 적절한 수세를 용이하게 한다.
실시예
하기 실시예는 본 발명을 추가로 예시한다. 제공된 모든 백분율은 달리 지시되지 않는 한 중량에 의한 것이다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 제한없이 추가로 예시된다. 처음 3개의 실시예에서, 본 발명의 성능 및 선택성에 대한 측정은 산업분야에서 쉽게 허용되는 관행을 사용하여 수행된다. 이러한 경우에, 측정은 광학 현미경, 및 필요한 경우, 금속성 기판에 대한 고감도 중량분석 고찰에 의한 에칭 속도 결정법을 사용하여 이루어 지고, 필요한 경우 보다 상세한 연구를 주사 전자 현미경(SEM: scanning electron microscopy)에 의해 수행하였다. 하기 실시예에서, 실리콘 웨이퍼를 유기 물질이 적용되고 경화되는 무기 기판으로서 사용하였다. 표 1에서의 하기 항목들은 제거될 유기 물질, 이들의 제거 방법, 및 이들을 생산하는 공급업체를 나타낸다.
| 실시예 번호 | 물질 | 형태 | 유형 | 설명/제조업체 |
| 1 |
PHost |
액체로서 작업되는 고체 수지 |
비결정질, 포지티브 |
20중량%의 고형분으로서 PGMEA*에 용해된, 1:1 w/wwt%로서의 동량의 PB5 및 PB5W 수지[위스콘신주 브룩필드 소재의 하이드라이트 케미칼 코포레이션(Hydrite Chemical Co.) 제품] |
| 2 |
노볼락 |
액체로서 작업되는 고체 수지 | 비결정질, 포지티브 |
20중량%의 고형분으로서 PGMEA*에 용해된, 1:1 w/wwt%로서의 동량의 레지큐어(Rezicure) 5200 및 3100[뉴욕주 쉐넥터디 소재의 에스아이 그룹(SI Group) 제품] |
| 3 |
아크릴 |
건조 필름 |
열경화성, 네가티브 |
제거되고 직접 적용되는 쉬플레이(Shipley) GA-시리즈(GA-20)(매사추세츠주 말보로 소재의 롬 앤 하스 인코포레이티드 제품) |
| 4 | 폴리이미드 | 액체 | 열경화성, 네가티브 |
PI-2611[뉴저지주 파를린 소재의 HD 마이크로시스템즈(HD Microsystems) 제품] |
| 5 |
이소프렌 |
액체 |
열경화성, 네가티브 |
SC-레지스트(로드 아일랜드주 노쓰 킹스턴 소재의 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 제품) |
| *PGMEA: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 | ||||
적용가능한 경우, 유기 물질을 브류어 사이언스 인코포레이티드(Brewer Science, Inc.) CB-100 코팅기를 사용하는 코팅 방식으로 적용하고, 무기 기판에 중합체 물질의 액체 형태를 적용하기 위한 표준 프로토콜을 수행한다. 일단 물질이 코팅되면, 이를 연성 베이크 단계로 보내어 60초 동안 100℃에서 고온 플레이트로 베이킹한다. 네가티브 아크릴계 레지스트의 경우, 이 물질을 365nm에서 발산되는 광폭형 자외선에 0.12 W/㎠-초의 높은 노출 용량으로 30분 동안 노출시킨다. 노출 후, 레지스트에 따라서 예정된 경질 베이킹 온도 및 시간에서 웨이퍼를 후노출 베이킹하였다. 일단 웨이퍼가 제조되면, 이들을 실험 단계로 도입시킨다. 동일한 웨이퍼 및 취급 관행을 사용하여 실시예 2 내지 6에서의 실험을 모두 서로 동일하게 수행한다. 각각의 웨이퍼를 본 발명이 설명될 작업 단계에 위치시킨다. 조성물을 미리 제조하고 치워둔다. 원하는 조성물을 웨이퍼 표면의 일부에 적용함으로써 본 발명의 방법을 시험한다. 이어서 웨이퍼를 원하는 가공 온도가 미리설정된 고온 플레이트로 즉시 옮긴다. 일단 웨이퍼를 고온 플레이트 위에 설치하면, 디지털 타이머를 가동시킨다. 일단 미리 설정된 60초가 완료되면, 웨이퍼를 제거하고 세척병으로부터의 증류수, 탈이온수 또는 탈염수로 즉시 수세한다. 수세된 웨이퍼를 관찰하고 건조시킨다. 추가로 관찰하고 결과를 기록한다.
실시예
1
모든 경우에, 미리 만들어진 스톡(stock) 용액을 첨가하여 설포폴리에스테르를 도입하였다. 이들 스톡 용액은 친수성 용매(성분 A) 및 수용성 또는 수분산성 또는 수산일성 중합체(성분 B)로 구성되었다. 선택된 중합체는 유리 전이 온도 및 점도가 상이한 다양한 선형 및 분지형의 각종 설포폴리에스테르였다. 이러한 중합체는 당분야의 숙련가에게 공지되어 있고, 이스트만 케미칼 캄파니로부터 상품명 이스트만 AQ 중합체로서 입수가능하다. 특히, 이러한 설포폴리에스테르는 수성 분산액에, 바람직하게는 약 80℃ 미만의 온도에서 용해되거나, 분산되거나 달리는 산일될 수 있다. 이러한 폴리에스테르는 미국 특허 제3,734,874호에 더 상세히 설명되어 있고, 이의 개시내용은 본원에 참고로 인용된다. 본 발명의 후보로 고려되는 폴리에스테르로는, 제한되지 않지만, 이스트만 AQ 38S 중합체, 이스트만 AQ 48 울트라 중합체, 이스트만 AQ 55S 중합체, 이스트원(EastONE) S85030 코폴리에스테르, 이스트만 ES-100 수분산성 중합체, 이스트만 AQ 1350 코폴리에스테르, 및 이스트만 AQ 2350 코폴리에스테르가 포함된다. 선택된 용매는 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 메틸 에테르(이스트만 DM 용매), 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르(이스트만 DE 용매), 디에틸렌 글리콜 프로필 에테르(이스트만 DP 용매), 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(이스트만 DB 용매), 에틸렌 글리콜 프로필 에테르(이스트만 EP 용매), 및 에틸렌 글리콜 부틸 에테르(이스트만 EB 용매)였다. 선별 연구에서, 10, 20, 및 30 중량%의 고체 함량을 갖는 각각의 중합체 및 용매 쌍을 위한 용액으로 시도하였다. 또한, 이스트만 AQ 38S 중합체 및 이스트만 AQ 48 울트라 중합체 각각을 40 중량%의 고체 함량이 되도록 하여 4종의 디에틸렌 글리콜 에테르 용매에서 시도하였다. 교반기, 응축기 및 질소 공급원이 연결된 환저 플라스크에 용매를 첨가함으로써 상기 스톡 용액을 제조하였다. 이어서 적절한 양의 고체 설포폴리에스테르를 첨가하고, 용액이 수득될 때까지 교반하에 혼합물을 가열하였다. 중합체 및 용매 쌍과 고체 적재량에 따라서, 용액을 30분 동안 90℃ 내지 70분 동안 180℃ 범위의 다양한 시간 동안 상이한 온도로 가열하였다. 하기 표 2는 이들 스톡 용액을 요약한다. "적합한 용액(Suitable Solution)"은 제조 조건하에 쉽게 용해되는 폴리에스테르가 냉각시 가용성으로 남고, 용액이 코팅물을 제조하기에 적합하였던 용액이다. "불량한 용액(Bad Solution)"은 고체가 제조 조건하에 용매에 불용성이거나 형성된 용액이 짧은 기간내에 불안정하였던 용액이다. "실격된 용액(Disqualified Solution)"은 동일한 중합체 및 용매 쌍의 용액이 더 낮은 고체 적재량에서 불량한 용액을 이미 형성하였던 용액이다. "미확정된 용액(Questionable Solutions)"은 형성된 용액이 극히 점도가 높거나 잠재적인 장기간의 불안전성의 징후를 나타내었지만 추가로 연구할 가치가 있는 용액이다.
선별 연구에 기초하여, 82개의 적합한 용액 및 미확정된 용액을 PHost 및 노볼락 코팅된 웨이퍼 둘다 상에서 시험하였고, 이는 양쪽 경우에 150℃에서 15분 동안 경화되었다. 각각의 경우, 소량의 용액을 수지 코팅된 웨이퍼에 도포하고, 웨이퍼를 100℃로 60초 동안 즉시 가열한 다음, 주위 온도에서 물로 즉시 세척하였다. 간단한 육안 관찰로 수지 제거의 완성도를 평가하였다. 육안 검사로 우수한 세정 성능을 나타내는 것으로 판단된 블렌드만을 통과한 것으로 간주하였다. 표 3에 결과가 요약되어 있다.
디에틸렌 글리콜 에틸 에테르 및 이스트만 AQ 48 울트라 중합체를 10 중량% 내지 40 중량% 범위의 고체 적재량으로 포함하는 조성물은 실리콘 기판으로부터 PHost 및 노볼락 포토레지스트 둘다를 세정하는 광범위 성능을 나타내는 것으로 밝혀졌다. 또한, 이들 용액의 다양한 농도는 실온에서 수 개월의 저장 이후에도 극히 안정하였다.
따라서, 더 특별하고 힘든 포토레지스트 제거를 목표로 설정하기 위해 현상 첨가제 블렌드에서 사용되는 적합한 표준 조성물로서 20 중량%의 이스트만 AQ 48 및 80 중량%의 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르(이스트만 DE 용매)를 포함하는 조성물을 선택하였다. 이러한 스톡 용액은 실시예 2 내지 6에서 웨이퍼를 처리하기 위해 사용된 30%의 최종 용액을 포함하여, 이들 모든 용액에서 6 중량%의 설포폴리에스테르 및 24 중량%의 DE 용매를 수득하였다. 하기 실시예 2 내지 6은 당분야의 숙련가에게 유기 잔여물의 제거에 적합한 본 발명에 따른 조성물의 개발을 시도하는 방법을 보여준다. 추가의 연구 또는 이후 특정 실시예를 위한 상기 표준 조성물의 선택은 본 발명의 범주를 제한하려는 것이 아니다.
설폰화된 폴리에스테르를 포함하는 많은 조성물의 전체적인 성공과는 대조적으로, 다른 수용성, 분산성 또는 산일성 중합체를 포함하는 조성물은 그다지 잘 수행하지 않았다. 일반적으로 이들 다른 중합체는 선택된 용매에서 훨씬 덜 가용성이었다. 용액을 달성하기 위한 공정 조건은 중합체와 용매 쌍 및 고체 적재량에 따라 달랐다. 대부분의 경우, 용액을 30분 동안 120℃ 내지 80분 동안 180℃ 범위의 온도로 가열하였지만; 폴리비닐 피롤리돈 및 수지상의 폴리에스테르는 훨씬 덜 가열될 필요가 있음을 제외하고도 둘 다 주목할 만하다.
| 용액 상태 |
1DPE | 2AMP | 3PVP | 4SPS | 5HEC | 6XSS | 7PVME | 8CAP |
| 적합한 용액 | 0 | 1 | 40 | 0 | 0 | 0 | 10 | 8 |
| 미확정된 용액 | 26 | 0 | 0 | 0 | 0 | 6 | 0 | 13 |
| 불량한 용액 | 0 | 10 | 0 | 11 | 10 | 4 | 2 | 3 |
| 실격된 용액 | 4 | 19 | 0 | 19 | 20 | 20 | 18 | 6 |
| 전체 용액 |
30 | 30 | 40 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| 1DPE - 수지상의 폴리에스테르 2AMP - 설폰화된 아크릴 3PVP - 폴리비닐 피롤리돈 4SPS - 설폰화된 폴리스타이렌 5HEC - 하이드록시에틸 셀룰로즈 6XSS - 자일렌 소디움 설포네이트 7PVME - 폴리비닐 메틸 에테르 8CAP - 셀룰로즈 아세테이트 프탈레이트 |
||||||||
제조된 적합하고 미확정된 용액의 블렌드로부터, 49개 블렌드를 선택하여 150℃에서 15분 동안 경화된 PHOST 및 노볼락 포토레지스트 둘다에서 시험하였다. 양쪽 경우에, 소량의 각각의 조성물을 수지 코팅된 웨이퍼에 적용하고, 100℃로 60초 동안 가열한 다음, 주위 온도에서 탈이온수로 즉시 수세하였다. 후속적으로 간단히 육안으로 조사하고, 우수한 세정 성능을 갖는 것으로 판단된 이들 조성물만을 통과된 것으로 간주하였다. 많은 경우에, 10 중량% 고체 함량의 블렌드만을 시험하였다; 그러나, 40중량% 까지의 고체 함량의 폴리비닐 피롤리돈 용액을 또한 시험하였는데, 이는 이러한 특정 중합체가 시험된 모든 용매에서 매우 가용성이었기 때문이다. 자일렌 소디움 설포네이트를 제외하고, 결과는 거의 전체적으로 음성이었고, 추가의 시험이 불필요한 것으로 간주되었다. 성능 선별의 결과는 하기 표에 요약되어 있다.
극소수의 용액이 PHOST 및 노볼락 포토레지스트 둘다를 세정하는데 성공하였고, 이러한 성공을 나타낸 소수의 조성물은 본 발명의 사용에 최적이 아닌 미확정된 용액이었다. 비교해 보면, 설폰화된 폴리에스테르를 포함하는 많은 조성물이 PHOST 및 노볼락 포토레지스트를 용해시키는 훨씬 우수한 성능을 나타내었다. 설폰화된 폴리에스테르를 포함하는 조성물은 고려되는 다른 임의의 중합체를 포함하는 조성물에 비해 훨씬 바람직하였고, 설폰화된 폴리에스테르를 포함하는 중합체로부터의 단일 조성물을 추가의 시험을 위해 선택하였다.
실시예
2
표 4는 표 1에 기재된 바와 같은 코팅된 PHost 수지에 대해 수행된 세정 연구로부터의 결과를 나타낸다. 수지를 15분 동안 200℃에서 경화시켰다. 모든 세정 조성물은 6 중량%의 설포폴리에스테르 및 24 중량%의 DE 용매를 포함하고, 나머지 70 중량%는 표 6에 주지된 바와 같은 2종의 첨가제로 구성되었다. 세정 단계를 위한 공정 온도는 100℃, 150℃, 및 200℃였다.
표 4의 데이터로부터, 대부분의 용액이 PHost 수지를 용해시키고 제거하는데 있어서 200℃의 고온에서 조차도 잘 수행할 것임을 알 수 있다. 더 높은 농도의 산 또는 염기 첨가제를 갖는 용액이 개선된 결과를 나타내었다. 둘 다의 농축된 수준에서, MEA를 포함하는 용액은 고온에서 경화된 PHost를 제거하지 못하였다. 이때 1차적인 결론은 PHost가 본 발명의 방법 및 조성물에 의해 60초에 비교적 쉽게 제거된다는 것이다.
실시예
3
표 5는 표 1에 기재된 바와 같은 코팅된 노볼락 수지에 대해 수행된 세정 연구로부터의 결과를 포함한다. 수지를 15분 동안 200℃에서 경화하였다. 모든 세정 조성물은 6 중량%의 설포폴리에스테르 및 24 중량%의 DE 용매를 포함하고, 나머지 70 중량%는 표 7에 주지된 바와 같은 2종의 첨가제로 구성되었다. 세정 단계를 위한 공정 온도는 100℃, 150℃, 및 200℃였다.
표 5로부터 대부분의 첨가제 배합이 실리카 기판으로부터 경화된 노볼락 수지를 세정하는데 적합하지만; 200℃에서 세정할 경우 일부 여려움이 있음을 알 수 있다. 산성 용액은 고도로 경화된 노볼락 수지에 대해 특히 바람직한 결과를 나타내지 않았고, 인산 포함 조성물은 거의 모든 시도에서 실패하였다.
실시예
4
표 6은 표 1에 기재된 바와 같은 코팅된 아크릴계 수지를 위해 수행된 세정 연구로부터의 결과를 포함한다. 수지를 15분 동안 150℃에서 경화시켰다. 모든 세정 조성물은 6 중량%의 설포폴리에스테르 및 24 중량%의 DE 용매를 포함하고, 나머지 70 중량%는 표 8에 주지된 바와 같은 2종의 첨가제로 구성되었다. 세정 단계를 위한 공정 온도는 100℃, 150℃, 및 200℃였다. 결과는 하기에 표로 작성되었다.
표 6으로부터 경화된 아크릴계 수지가 PHOST 또는 노볼락 수지에 비해 세정하기 더 어려움을 알 수 있다. 첨가제 성분중 고도의 염기성 물질, 예컨대 TMAH, MEA, 또는 KTB를 사용한 경우에만 낮은 온도로 경화된 웨이퍼 상에서 바람직한 결과를 나타내었다.
실시예
5
표 7은 표 1에 기재된 바와 같은 코팅된 폴리이미드 수지에 대해 수행된 세정 연구로부터의 결과를 포함한다. 연성 베이킹 후, 웨이퍼를 15분 동안 200℃에서 경화시킨 후, 추가로 30분 동안 350℃에서 경화시켰다. 모든 세정 조성물은 6 중량%의 설포폴리에스테르 및 24 중량%의 DE 용매를 포함하고, 나머지 70 중량%는 표 9에 주지된 바와 같은 2종의 첨가제로 구성되었다. 세정 단계를 위한 공정 온도는 100℃, 150℃, 및 200℃였다. 결과는 하기에 표로 작성되었다.
표 7로부터 더 높은 공정 온도가 무기 기판으로부터의 폴리이미드 수지의 세정에 대해 최적의 결과를 산출함을 알 수 있다. 실제로 100℃의 공정 온도에서 어떠한 양호한 결과도 관찰되지 않았다. 추가로, 폴리이미드 제거는 12 이상의 pKa를 갖는 강한 알칼리 성분을 필요로 하였다. MEA가 유일한 알칼리로서 조성물에 단독으로 존재하는 모든 경우에, 세정 결과는 허용되지 않았다. KTB 또는 TMAH의 존재는 양호한 결과를 촉진하지 못하였다.
실시예
6
표 8은 표 1에 기재된 바와 같은 코팅된 이소프렌 수지에 대해 수행된 세정 연구로부터의 결과를 포함한다. 웨이퍼를 15분 동안 150℃에서 경화하였다. 모든 세정 조성물은 6 중량%의 설포폴리에스테르 및 24 중량%의 DE 용매를 포함하였고, 68 중량%는 표 7에 주지된 바와 같은 2개의 첨가제로 구성되고 2 중량%는 계면활성제, 예컨대 젤렉(Zelec: 상표) UN(알콕시포스페이트 에스테르 계면활성제)로 구성되었다. 세정 단계를 위한 공정 온도는 100℃, 150℃, 및 200℃였다.
| 첨가제 A | 첨가제 B | 첨가제 A:B 농도(중량%) |
100℃ | 150℃ | 200℃ |
| 1방향족 150 유체 | 2DDBSA | 41:27 | 세정되지 않음 | 세정 | 세정 |
| 1-도데센 | DDBSA | 41:27 | 세정되지 않음 | 세정 | 세정 |
| 1엑손 모빌 케미칼(Exxon Mobil Chemical)로부터의 방향족 150 유체 2DDBSA - 도데실벤젠 설폰산 |
|||||
표 10에 제시된 세정 조성물은 세정 조성물이 수지로 침투할 수 있도록 하기 위해 상당히 소수성(탄화수소)이도록 디자인되었다. 여기에 제시된 조성물은 적절한 성능을 수행하기 위해 필수적인 핵심 조건을 나타낸다. 고무-유사 이소프렌 포토레지스트를 무기 기판으로부터 60초 이내에 적절히 제거하기 위해 상승된 온도가 필요한 것으로 밝혀졌다.
본 발명은 이의 바람직한 실시태양을 특히 참고하여 상세히 설명되었지만, 본 발명의 취지 및 범주내에서 변경되고 변형될 수 있음을 알 것이다.
Claims (15)
- 용매 또는 용매의 혼합물; 및
10.0 중량% 초과의 1종 이상의 설폰화된 폴리에스테르
를 포함하고, 이때 용매가 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 부틸 에테르 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는
무기 기판으로부터 유기 수지를 세정하기 위한 조성물. - 제 1 항에 있어서,
용매가 약 40 중량% 내지 약 97 중량%로 존재하는 조성물. - 약 0.5 중량% 내지 약 99.0 중량%의 유기 용매 또는 용매의 혼합물;
약 0.5 중량% 내지 약 99.0 중량%의 1종 이상의 설폰화된 폴리에스테르; 및
세정 성능을 증진시키는, 약 0.01 중량% 내지 약 99.0 중량%의 1종 이상의 첨가제
를 포함하고, 이때 용매가 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 부틸 에테르 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는
무기 기판으로부터 유기 수지를 제거하기 위한 조성물. - 제 3 항에 있어서,
용매가 약 30 중량% 내지 약 95 중량%로 존재하고, 중합체가 약 3 중량% 내지 약 60 중량%로 존재하고, 첨가제가 약 2 중량% 내지 약 60 중량%로 존재하는 조성물. - 제 3 항에 있어서,
첨가제가 수산화 암모늄, 4급 수산화 암모늄, 아민, 알카놀아민, 원소(elemental) 수산화물, 원소 알콕사이드, 메탄 설폰산, p-톨루엔 설폰산, 도데실벤젠 설폰산, 폼산, 황산, 질산, 인산 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 조성물. - (a) (i) 약 0.5 중량% 내지 약 99.0 중량%의 유기 용매 또는 유기 용매의 혼합물, 및 (ii) 약 0.5 중량% 내지 약 99.0 중량%의 1종 이상의 수용성, 수분산성 또는 수산일성(water dissipatable) 중합체를 포함하는 조성물로 유기 수지를 코팅하는 단계;
(b) 유기 수지의 용해를 달성하기에 충분한 시간 동안 및 충분한 온도로 기판을 가열하는 단계; 및
(c) 조성물 및 유기 수지를 제거하기에 충분한 부피의 헹굼제(rinsing agent)로 기판을 수세하는 단계
를 포함하는, 무기 기판으로부터 유기 수지를 제거하는 방법. - 제 6 항에 있어서,
조성물이 세정 성능을 증진시키는 1종 이상의 첨가제를 약 0.01 중량% 내지 약 99.0 중량%로 추가로 포함하는 방법. - 제 6 항에 있어서,
용매가 약 30 중량% 내지 약 95 중량%로 존재하고, 중합체가 약 3 중량% 내지 약 60 중량%로 존재하고, 첨가제가 약 2 중량% 내지 약 60 중량%로 존재하는 방법. - 제 6 항에 있어서,
용매가 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 부틸 에테르 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 방법. - 제 6 항에 있어서,
중합체가 알콜 에톡실레이트, 비스페놀 에톡실레이트, 비스페놀 프로폭실레이트, 알킬벤젠 설폰산 염, 셀룰로즈 아세테이트 프탈레이트, 알콕시에틸의 셀룰로즈성 유도체, 하이드록시프로필의 셀룰로즈성 유도체, 에틸렌의 공중합체, 산화 프로필렌의 공중합체, 수지상의 폴리에스테르, 에톡시화 아민, 에톡시화 알콜 염, 에틸렌 아크릴산, 하이드록시-메타크릴레이트, 포스페이트 에스테르, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 이민, 산화 폴리에틸렌, 폴리비닐 알콜, 폴리비닐 피롤리디논, 전분, 스타이렌 무수 말레산, 설폰화 아크릴, 설폰화 폴리스타이렌, 설포폴리에스테르, 송진 산, 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 방법. - 제 6 항에 있어서,
첨가제가 수산화 암모늄, 4급 수산화 암모늄, 아민, 알카놀아민, 원소 수산화물, 원소 알콕사이드, 메탄 설폰산, p-톨루엔 설폰산, 도데실벤젠 설폰산, 폼산, 황산, 질산, 인산 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 방법. - 제 6 항에 있어서,
기판을 약 25℃ 내지 약 400℃의 온도로 가열하는 방법. - 제 6 항에 있어서,
무기 기판이 반도체 웨이퍼, 평판 디스플레이, 또는 인쇄된 회로판을 포함하는 방법. - 제 6 항에 있어서,
코팅이 분무 코팅, 스핀(spin) 코팅 또는 슬릿(slit) 코팅을 포함하는 방법. - 제 6 항에 있어서,
헹굼제가 물, 아세톤, 이소프로필 알콜 또는 이들의 혼합물인 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/413,085 US8444768B2 (en) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | Compositions and methods for removing organic substances |
| US12/413,085 | 2009-03-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110137818A true KR20110137818A (ko) | 2011-12-23 |
Family
ID=42173237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020117025376A KR20110137818A (ko) | 2009-03-27 | 2010-03-15 | 유기 물질을 제거하기 위한 조성물 및 방법 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8444768B2 (ko) |
| EP (1) | EP2411874A1 (ko) |
| JP (1) | JP2012522264A (ko) |
| KR (1) | KR20110137818A (ko) |
| CN (1) | CN102449554A (ko) |
| SG (1) | SG174416A1 (ko) |
| TW (1) | TW201039386A (ko) |
| WO (1) | WO2010110848A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101521066B1 (ko) * | 2008-10-09 | 2015-05-18 | 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. | 산화구리 에칭 잔여물 제거 및 구리 전착 방지용 수성 산성 배합물 |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9329486B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-05-03 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US7632796B2 (en) * | 2005-10-28 | 2009-12-15 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US8263539B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-09-11 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use |
| KR101579846B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2015-12-24 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 |
| US8614053B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-12-24 | Eastman Chemical Company | Processess and compositions for removing substances from substrates |
| US8309502B2 (en) | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| US8444768B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| JP5624753B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-11-12 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
| SG175820A1 (en) * | 2009-05-07 | 2011-12-29 | Basf Se | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices |
| US8449681B2 (en) * | 2010-12-16 | 2013-05-28 | Intermolecular, Inc. | Composition and method for removing photoresist and bottom anti-reflective coating for a semiconductor substrate |
| JP5817139B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2015-11-18 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤 |
| CN102672297B (zh) * | 2011-03-11 | 2015-03-04 | 华晴国际有限公司 | 应用于表面粘着锡膏印刷装置的水基溶液自动清洗方法 |
| FR2976290B1 (fr) * | 2011-06-09 | 2014-08-15 | Jerome Daviot | Composition de solutions et conditions d'utilisation permettant le retrait et la dissolution complete de resines photo-lithographiques |
| US8957007B2 (en) * | 2011-08-17 | 2015-02-17 | John Cleaon Moorre | Aluminum safe compositions for removing cured polysulfide resins |
| US9335206B2 (en) * | 2012-08-30 | 2016-05-10 | Kla-Tencor Corporation | Wave front aberration metrology of optics of EUV mask inspection system |
| US20140137899A1 (en) * | 2012-11-21 | 2014-05-22 | Dynaloy, Llc | Process for removing substances from substrates |
| US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
| US9158202B2 (en) * | 2012-11-21 | 2015-10-13 | Dynaloy, Llc | Process and composition for removing substances from substrates |
| CN105339785B (zh) * | 2013-03-29 | 2018-06-05 | 生命技术公司 | 用于处理半导体装置的方法 |
| CN103257534B (zh) * | 2013-05-02 | 2015-07-15 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻返工去胶工艺 |
| CN103286091B (zh) * | 2013-06-09 | 2017-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板的清洗方法 |
| US9784072B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-10-10 | Halliburton Energy Services, Inc. | Removing cured resins from subterranean formations and completions |
| US9944890B2 (en) | 2013-11-11 | 2018-04-17 | Halliburton Energy Services, Inc. | Removing resin coatings from wellbore surfaces |
| JP2017026645A (ja) * | 2013-12-03 | 2017-02-02 | Jsr株式会社 | レジスト除去剤およびレジスト除去方法 |
| US9365809B1 (en) | 2014-03-12 | 2016-06-14 | 710-Cleaner, Llc | Cleaning solution for smoking paraphernalia and method therefor |
| CN106459850A (zh) * | 2014-05-13 | 2017-02-22 | 巴斯夫欧洲公司 | Tin障碍和清洁组合物 |
| KR101554103B1 (ko) * | 2014-06-10 | 2015-09-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 도포성 개선용 및 제거용 신너 조성물 |
| TWI546376B (zh) * | 2014-08-25 | 2016-08-21 | 柯伊珊 | 晶圓處理液及使用其移除並平坦晶圓邊緣塗佈薄膜及平坦化光阻表面的設備和方法 |
| US9548199B2 (en) * | 2014-09-09 | 2017-01-17 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a thin film that eliminates air bubbles |
| KR102296739B1 (ko) | 2014-10-27 | 2021-09-01 | 삼성전자 주식회사 | 포토마스크용 세정 조성물을 이용한 집적회로 소자 제조 방법 |
| TWI752903B (zh) * | 2015-03-12 | 2022-01-21 | 德商馬克專利公司 | 在低ｐＫａ驅動之聚合物剝離期間促進電荷錯合銅之保護的組合物及方法 |
| US10072237B2 (en) * | 2015-08-05 | 2018-09-11 | Versum Materials Us, Llc | Photoresist cleaning composition used in photolithography and a method for treating substrate therewith |
| WO2017023348A1 (en) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Kyzen Corporation | Water tolerant solutions and process to remove polymeric soils and clean micro electronic substrates |
| CN109314070B (zh) | 2016-07-01 | 2022-10-18 | 卡本有限公司 | 用于旋涂多层薄膜的具有液体保存特征的方法和系统 |
| CN106154772A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-11-23 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种半导体凸块制程用正胶去胶液 |
| SG11201901590SA (en) * | 2016-09-21 | 2019-03-28 | Fujimi Inc | Composition for surface treatment |
| WO2018062053A1 (ja) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体の製造方法 |
| KR20180069185A (ko) * | 2016-12-14 | 2018-06-25 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 방법 및 접착층 세정 조성물 |
| CN106773562A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 昆山艾森半导体材料有限公司 | 一种去除az光刻胶的去胶液 |
| JP6899220B2 (ja) * | 2017-01-11 | 2021-07-07 | 株式会社ダイセル | レジスト除去用組成物 |
| CN107085357A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-08-22 | 昆山欣谷微电子材料有限公司 | 一种光刻胶剥离液 |
| US10948826B2 (en) * | 2018-03-07 | 2021-03-16 | Versum Materials Us, Llc | Photoresist stripper |
| CN110161812A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-08-23 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 重工药液及其制备方法、重工装置 |
| KR102609919B1 (ko) | 2019-07-11 | 2023-12-04 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
| EP4149756A1 (en) * | 2020-05-11 | 2023-03-22 | Cryovac, LLC | Multilayer film having a soluble tie layer and method for dissipating |
Family Cites Families (152)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH225144A (de) | 1941-10-27 | 1943-01-15 | Chem Ind Basel | Reinigungsmittel. |
| US3582401A (en) | 1967-11-15 | 1971-06-01 | Mallinckrodt Chemical Works | Photosensitive resist remover compositions and methods |
| US3734874A (en) * | 1970-02-27 | 1973-05-22 | Eastman Kodak Co | Polyesters and polyesteramides containing ether groups and sulfonate groups in the form of a metallic salt |
| US3779993A (en) | 1970-02-27 | 1973-12-18 | Eastman Kodak Co | Polyesters and polyesteramides containing ether groups and sulfonate groups in the form of a metallic salt |
| US3724874A (en) * | 1971-07-30 | 1973-04-03 | G Simpson | Vehicle drawbar assembly |
| US3828010A (en) * | 1973-06-04 | 1974-08-06 | Eastman Kodak Co | Water-dissipatable polyesteramides |
| US4169068A (en) | 1976-08-20 | 1979-09-25 | Japan Synthetic Rubber Company Limited | Stripping liquor composition for removing photoresists comprising hydrogen peroxide |
| US4231804A (en) | 1978-01-17 | 1980-11-04 | Petterson Robert C | Vapor stripping method |
| US4233196A (en) | 1979-04-30 | 1980-11-11 | Eastman Kodak Company | Polyester and polyesteramide compositions |
| US4861512A (en) | 1984-12-21 | 1989-08-29 | The Procter & Gamble Company | Sulfonated block polyesters useful as soil release agents in detergent compositions |
| US4744834A (en) * | 1986-04-30 | 1988-05-17 | Noor Haq | Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide |
| IE59971B1 (en) | 1986-11-10 | 1994-05-04 | Baker J T Inc | Stripping compositions and their use for stripping resists from substrates |
| US4770713A (en) | 1986-12-10 | 1988-09-13 | Advanced Chemical Technologies, Inc. | Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof |
| EP0279134B1 (fr) | 1986-12-24 | 1990-10-24 | Rhone-Poulenc Chimie | Latex antiredéposant pour le lavage d'articles textiles |
| JPS63168651A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-12 | Asahi Chem Ind Co Ltd | フオトレジストの剥離剤組成物 |
| WO1990000579A1 (en) | 1988-07-15 | 1990-01-25 | Advanced Chemical Systems International Corporation | Stripping composition using n-cyclohexyl-2-pyrrolidone |
| DE3902748A1 (de) | 1989-01-31 | 1990-08-02 | Hoechst Ag | Entschichtungsloesung fuer elektrophotographisch bebilderte platten und verfahren zum entschichten solcher platten |
| US5182043A (en) * | 1989-10-31 | 1993-01-26 | The Procter & Gamble Company | Sulfobenzoyl end-capped ester oligomers useful as soil release agents in granular detergent compositions |
| DE4001415A1 (de) * | 1990-01-19 | 1991-07-25 | Basf Ag | Polyester, die nichtionische tenside einkondensiert enthalten, ihre herstellung und ihre verwendung in waschmitteln |
| US5006598A (en) * | 1990-04-24 | 1991-04-09 | Eastman Kodak Company | Water-dispersible polyesters imparting improved water resistance properties to inks |
| US5091103A (en) * | 1990-05-01 | 1992-02-25 | Alicia Dean | Photoresist stripper |
| US6110881A (en) * | 1990-11-05 | 2000-08-29 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
| US5496491A (en) * | 1991-01-25 | 1996-03-05 | Ashland Oil Company | Organic stripping composition |
| US5431847A (en) * | 1991-07-17 | 1995-07-11 | Charles B. Barris | Aqueous cleaning concentrates |
| US5218042A (en) * | 1991-09-25 | 1993-06-08 | Thauming Kuo | Water-dispersible polyester resins and process for their preparation |
| US5268260A (en) * | 1991-10-22 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Photoresist develop and strip solvent compositions and method for their use |
| FR2682956B1 (fr) * | 1991-10-29 | 1994-01-07 | Rhone Poulenc Chimie | Procede de preparation de polyesters hydrosolubles et/ou hydrodispersables et utilisation de ces polyesters pour l'encollage de fils textiles. |
| DE4222012A1 (de) * | 1991-12-21 | 1993-06-24 | Hoechst Ag | Waessrige fuellerzusammensetzung |
| US6825156B2 (en) * | 2002-06-06 | 2004-11-30 | Ekc Technology, Inc. | Semiconductor process residue removal composition and process |
| US5411596A (en) * | 1993-04-01 | 1995-05-02 | Deluxe Corporation | Oil based composition clean up method and composition for use therein |
| US5415807A (en) * | 1993-07-08 | 1995-05-16 | The Procter & Gamble Company | Sulfonated poly-ethoxy/propoxy end-capped ester oligomers suitable as soil release agents in detergent compositions |
| US5843878A (en) | 1993-07-08 | 1998-12-01 | Procter & Gamble Company | Detergent compositions comprising soil release agents |
| US5710119A (en) * | 1993-07-23 | 1998-01-20 | The Procter & Gamble Company | Detergent compositions inhibiting dye transfer comprising copolymers of N-vinylimidazole and N-vinylpyrrolidone |
| DE4332170A1 (de) * | 1993-09-22 | 1995-03-23 | Hoechst Ag | Polyestersalze und ihre Verwendung als Ladungssteuermittel |
| US6187729B1 (en) * | 1993-12-14 | 2001-02-13 | Petroferm Inc. | Cleaning composition comprising solvating agent and rinsing agent |
| US5543488A (en) * | 1994-07-29 | 1996-08-06 | Eastman Chemical Company | Water-dispersible adhesive composition and process |
| DK0737233T3 (da) * | 1993-12-29 | 1998-09-28 | Eastman Chem Co | Vanddispergerbar klæbestofsammensætning og fremgangsmåde |
| JP2679618B2 (ja) * | 1994-04-26 | 1997-11-19 | 日本電気株式会社 | 剥離液組成物および剥離洗浄方法 |
| FR2720400B1 (fr) * | 1994-05-30 | 1996-06-28 | Rhone Poulenc Chimie | Nouveaux polyesters sulfones et leur utilisation comme agent anti-salissure dans les compositions détergentes, de rinçage, d'adoucissage et de traitement des textiles. |
| EP0759062B1 (en) * | 1994-05-13 | 1999-01-20 | Unilever N.V. | Detergent composition |
| DE19539394A1 (de) | 1994-10-13 | 1996-04-25 | Lobeck Concept Ag | Farb-, Lack- und Folienablösemittel sowie Verwendung desselben |
| DE69532875T2 (de) * | 1994-10-24 | 2004-08-19 | Eastman Chemical Co., Kingsport | Wasserdispergierbare Blockcopolyester |
| US6162890A (en) | 1994-10-24 | 2000-12-19 | Eastman Chemical Company | Water-dispersible block copolyesters useful as low-odor adhesive raw materials |
| US5691298A (en) | 1994-12-14 | 1997-11-25 | The Procter & Gamble Company | Ester oligomers suitable as soil release agents in detergent compositions |
| US5554312A (en) * | 1995-01-13 | 1996-09-10 | Ashland | Photoresist stripping composition |
| US5547612A (en) * | 1995-02-17 | 1996-08-20 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Compositions of water soluble polymers containing allyloxybenzenesulfonic acid monomer and methallyl sulfonic acid monomer and methods for use in aqueous systems |
| JPH08231989A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-09-10 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
| US6060547A (en) * | 1995-04-28 | 2000-05-09 | The Proctor & Gamble Company | Film forming foundation |
| DE69629631T2 (de) * | 1995-07-06 | 2004-03-11 | Unilever N.V. | Schmutzabweisende Polyetherester und diese enthaltende Waschmittelzusammensetzungen |
| US5728671A (en) | 1995-12-21 | 1998-03-17 | The Procter & Gamble Company | Soil release polymers with fluorescent whitening properties |
| CA2258669C (en) * | 1996-06-28 | 2002-05-21 | The Procter & Gamble Company | Nonaqueous detergent compositions containing specific alkyl benzene sulfonate surfactant |
| JP3645362B2 (ja) * | 1996-07-22 | 2005-05-11 | 富士写真フイルム株式会社 | ネガ型画像記録材料 |
| US5989353A (en) | 1996-10-11 | 1999-11-23 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
| JPH10249913A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-22 | Japan Steel Works Ltd:The | 注水発泡脱揮方法及び装置 |
| US6240933B1 (en) * | 1997-05-09 | 2001-06-05 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6815151B2 (en) | 1997-09-05 | 2004-11-09 | Tokyo Ohika Kogyo Co., Ltd. | Rinsing solution for lithography and method for processing substrate with the use of the same |
| US5962388A (en) * | 1997-11-26 | 1999-10-05 | The Procter & Gamble Company | Acidic aqueous cleaning compositions |
| JP3810538B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2006-08-16 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型画像形成材料 |
| US5863881A (en) * | 1998-02-02 | 1999-01-26 | Citra Science Ltd. | Heavy oil remover |
| JP3366859B2 (ja) | 1998-03-05 | 2003-01-14 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性ポリイミド前駆体用現像液及びこれを用いたパターン製造法 |
| US6348679B1 (en) * | 1998-03-17 | 2002-02-19 | Ameritherm, Inc. | RF active compositions for use in adhesion, bonding and coating |
| US5985816A (en) | 1998-04-17 | 1999-11-16 | Dotolo Research Ltd. | Heavy oil remover |
| ATE436043T1 (de) | 1998-05-18 | 2009-07-15 | Mallinckrodt Baker Inc | Alkalische, silikat enthaltende reinigungslösungen für mikroelektronische substrate |
| US6319884B2 (en) | 1998-06-16 | 2001-11-20 | International Business Machines Corporation | Method for removal of cured polyimide and other polymers |
| US6368421B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-04-09 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces |
| KR100288769B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2001-09-17 | 윤종용 | 포토레지스트용스트리퍼조성물 |
| KR100268108B1 (ko) * | 1998-08-25 | 2000-12-01 | 윤종용 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
| US20040065540A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-04-08 | Novellus Systems, Inc. | Liquid treatment using thin liquid layer |
| DE19906367A1 (de) * | 1999-02-16 | 2000-08-17 | Clariant Gmbh | Verwendung von Kammpolymeren als Schutzablösepolymere |
| US7129199B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-10-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
| US20040029395A1 (en) * | 2002-08-12 | 2004-02-12 | Peng Zhang | Process solutions containing acetylenic diol surfactants |
| US20030017960A1 (en) * | 1999-06-15 | 2003-01-23 | The Procter & Gamble Company | Cleaning compositions |
| TW593674B (en) * | 1999-09-14 | 2004-06-21 | Jsr Corp | Cleaning agent for semiconductor parts and method for cleaning semiconductor parts |
| US6093689A (en) * | 1999-09-20 | 2000-07-25 | Dotolo Research Ltd. | Asphalt and heavy oil degreaser |
| JP2001100436A (ja) | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
| US6310263B1 (en) * | 1999-11-08 | 2001-10-30 | Dotolo Research Ltd. | Heavy oil remover |
| US6369016B1 (en) * | 1999-11-08 | 2002-04-09 | Dotolo Research Ltd. | Heavy oil remover |
| KR20010065038A (ko) * | 1999-12-21 | 2001-07-11 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터 및 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| DE10003137A1 (de) | 2000-01-26 | 2001-08-02 | Clariant Gmbh | Wäßrige oder wäßrig-alkoholische Körperreinigungsmittel enthaltend Oligoester |
| TW558736B (en) * | 2000-02-26 | 2003-10-21 | Shipley Co Llc | Method of reducing defects |
| JP2001291989A (ja) | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Tokin Corp | 金属筐体を備えた電子部品 |
| US6455479B1 (en) * | 2000-08-03 | 2002-09-24 | Shipley Company, L.L.C. | Stripping composition |
| WO2002019406A1 (fr) * | 2000-09-01 | 2002-03-07 | Tokuyama Corporation | Solution de nettoyage destinee a l'elimination de residus |
| JP3738996B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法 |
| US6599370B2 (en) | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| US7385751B2 (en) * | 2001-06-11 | 2008-06-10 | Sipix Imaging, Inc. | Process for imagewise opening and filling color display components and color displays manufactured thereof |
| JP4810764B2 (ja) | 2001-06-29 | 2011-11-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤組成物 |
| MY131912A (en) | 2001-07-09 | 2007-09-28 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
| MY143399A (en) * | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
| EP1407326A1 (en) * | 2001-07-13 | 2004-04-14 | Ekc Technology, Inc. | Sulfoxide pyrrolid(in)one alkanolamine stripping and cleaning composition |
| US6657017B2 (en) | 2001-07-27 | 2003-12-02 | Rhodia Inc | Sulfonated polyester compounds with enhanced shelf stability and processes of making the same |
| US6756183B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-06-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for preparing lithographic printing plate |
| WO2003021642A2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
| US6551973B1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-04-22 | General Chemical Corporation | Stable metal-safe stripper for removing cured negative-tone novolak and acrylic photoresists and post-etch residue |
| JP3914842B2 (ja) * | 2001-10-23 | 2007-05-16 | 有限会社ユーエムエス | 有機被膜の除去方法および除去装置 |
| US7543592B2 (en) | 2001-12-04 | 2009-06-09 | Ekc Technology, Inc. | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging |
| US6943142B2 (en) * | 2002-01-09 | 2005-09-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous stripping and cleaning composition |
| EP1335016A1 (en) | 2002-02-06 | 2003-08-13 | Shipley Company LLC | Cleaning composition |
| FR2837205B1 (fr) * | 2002-03-15 | 2005-05-06 | Rhodia Chimie Sa | Copolyesteramides et leur utilisation comme agent antisalissure |
| JP3813890B2 (ja) | 2002-03-22 | 2006-08-23 | 富士写真フイルム株式会社 | ３層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US6827807B2 (en) * | 2002-04-09 | 2004-12-07 | Eastman Chemical Company | Process for producing multilayer structures having a layer formed from a blend of an ethylene-alpha-olefin interpolymer and an ethylene-alkyl acrylate interpolymer |
| EP1361480A1 (en) | 2002-05-07 | 2003-11-12 | Shipley Co. L.L.C. | Residue reducing stable concentrate |
| US20040159335A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-08-19 | P.C.T. Systems, Inc. | Method and apparatus for removing organic layers |
| FR2840915B1 (fr) * | 2002-06-18 | 2004-08-27 | Ferrari S Tissage & Enduct Sa | Procede de revetement d'un textile architectural avec au moins une couche d'elastomere silicone, a partir d'une emulsion silicone aqueuse et textile architectural ainsi revetu |
| US7393819B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-07-01 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
| US6677286B1 (en) | 2002-07-10 | 2004-01-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions for removing etching residue and use thereof |
| JP4150557B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2008-09-17 | 富士フイルム株式会社 | 多層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US6837943B2 (en) | 2002-12-17 | 2005-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
| KR100835606B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2008-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 구리용 레지스트 제거용 조성물 |
| JP4085262B2 (ja) | 2003-01-09 | 2008-05-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤 |
| WO2004109788A1 (ja) | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Kao Corporation | 剥離剤組成物およびこれを用いた剥離洗浄方法 |
| US7198681B2 (en) * | 2003-10-23 | 2007-04-03 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods and compositions for removing resin coatings |
| JP4381778B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2009-12-09 | パナソニック株式会社 | テクスチャ処理装置 |
| US7183245B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-02-27 | General Chemical Performance Products, Llc | Stripper for cured negative-tone isoprene-based photoresist and bisbenzocyclobutene coatings |
| TWI365491B (en) | 2003-12-24 | 2012-06-01 | Kao Corp | Composition for cleaning semiconductor device |
| JP4166167B2 (ja) | 2004-02-05 | 2008-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版用現像液及び平版印刷版の製版方法 |
| US8338087B2 (en) * | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
| US20070144384A1 (en) | 2004-05-19 | 2007-06-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd | Image recording method |
| US8030263B2 (en) | 2004-07-01 | 2011-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for stripping and cleaning and use thereof |
| CN101010421B (zh) | 2004-08-31 | 2011-08-03 | 三洋化成工业株式会社 | 表面活性剂 |
| SG158920A1 (en) * | 2005-01-27 | 2010-02-26 | Advanced Tech Materials | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| US7923423B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| JP4678673B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-04-27 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液 |
| US7700533B2 (en) | 2005-06-23 | 2010-04-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same |
| JP4741315B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2011-08-03 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | ポリマー除去組成物 |
| US8263539B2 (en) * | 2005-10-28 | 2012-09-11 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use |
| US20070243773A1 (en) | 2005-10-28 | 2007-10-18 | Phenis Michael T | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US20070224811A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Xinming Wang | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US7402341B2 (en) * | 2006-05-23 | 2008-07-22 | Printar Ltd. | Methods and compositions for printable surface pre-treatment |
| US8288330B2 (en) | 2006-05-26 | 2012-10-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition and method for photoresist removal |
| JP4777197B2 (ja) * | 2006-09-11 | 2011-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄液及びそれを用いた洗浄方法 |
| US20080139436A1 (en) | 2006-09-18 | 2008-06-12 | Chris Reid | Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material |
| US20080163892A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | United Microelectronics Corp. | Cleaning wafer including detergent layer for exposure apparatus of immersion lithography system, composition of detergent layer, method of using cleaning wafer and application system |
| US20080223414A1 (en) | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Dober Chemical Corporation | Compositions and methods for removing titanium dioxide from surfaces |
| US20080230092A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Alexander Sou-Kang Ko | Method and apparatus for single-substrate cleaning |
| US7799139B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-09-21 | Intel Corporation | Chemistry for removal of photo resist, organic sacrificial fill material and etch polymer |
| TWI443191B (zh) * | 2007-08-08 | 2014-07-01 | Arakawa Chem Ind | Lead-free solder flux removal detergent composition and lead-free solder flux removal method |
| KR101488265B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2015-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박리 조성물 및 박리 방법 |
| US20090120457A1 (en) | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Surface Chemistry Discoveries, Inc. | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices |
| US8211846B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-07-03 | Lam Research Group | Materials for particle removal by single-phase and two-phase media |
| US20090163402A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Eastman Chemical Company | Fabric softener |
| US8404626B2 (en) * | 2007-12-21 | 2013-03-26 | Lam Research Corporation | Post-deposition cleaning methods and formulations for substrates with cap layers |
| US7687447B2 (en) * | 2008-03-13 | 2010-03-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Semi-aqueous stripping and cleaning composition containing aminobenzenesulfonic acid |
| JP5066471B2 (ja) | 2008-03-26 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版の製版方法 |
| US8314055B2 (en) * | 2008-06-02 | 2012-11-20 | Lam Research Corporation | Materials and systems for advanced substrate cleaning |
| US7968506B2 (en) * | 2008-09-03 | 2011-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wet cleaning stripping of etch residue after trench and via opening formation in dual damascene process |
| US8925001B2 (en) * | 2008-09-12 | 2014-12-30 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Media stream generation based on a category of user expression |
| US8227394B2 (en) * | 2008-11-07 | 2012-07-24 | Lam Research Corporation | Composition of a cleaning material for particle removal |
| US8105997B2 (en) * | 2008-11-07 | 2012-01-31 | Lam Research Corporation | Composition and application of a two-phase contaminant removal medium |
| JP5639755B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2014-12-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機溶剤を含有する現像液を用いたパターン形成方法及びこれに用いるリンス液 |
| US8444768B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| US8309502B2 (en) | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
-
2009
- 2009-03-27 US US12/413,085 patent/US8444768B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-03-15 SG SG2011066636A patent/SG174416A1/en unknown
- 2010-03-15 CN CN2010800237981A patent/CN102449554A/zh active Pending
- 2010-03-15 WO PCT/US2010/000776 patent/WO2010110848A1/en active Application Filing
- 2010-03-15 KR KR1020117025376A patent/KR20110137818A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-03-15 EP EP10711102A patent/EP2411874A1/en not_active Withdrawn
- 2010-03-15 JP JP2012501991A patent/JP2012522264A/ja active Pending
- 2010-03-25 TW TW099108946A patent/TW201039386A/zh unknown
-
2012
- 2012-01-10 US US13/346,877 patent/US8389455B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-02 US US13/732,710 patent/US20130123411A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101521066B1 (ko) * | 2008-10-09 | 2015-05-18 | 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. | 산화구리 에칭 잔여물 제거 및 구리 전착 방지용 수성 산성 배합물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG174416A1 (en) | 2011-10-28 |
| US20120108486A1 (en) | 2012-05-03 |
| CN102449554A (zh) | 2012-05-09 |
| US20100242998A1 (en) | 2010-09-30 |
| EP2411874A1 (en) | 2012-02-01 |
| US8444768B2 (en) | 2013-05-21 |
| WO2010110848A1 (en) | 2010-09-30 |
| TW201039386A (en) | 2010-11-01 |
| US8389455B2 (en) | 2013-03-05 |
| US20130123411A1 (en) | 2013-05-16 |
| JP2012522264A (ja) | 2012-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8389455B2 (en) | Compositions and methods for removing organic substances | |
| US8309502B2 (en) | Compositions and methods for removing organic substances | |
| US8916338B2 (en) | Processes and compositions for removing substances from substrates | |
| US20120073607A1 (en) | Polymeric or monomeric compositions comprising at least one mono-amide and/or at least one diamide for removing substances from substrates and methods for using the same | |
| EP3743773B1 (en) | Photoresist remover compositions | |
| JP5015553B2 (ja) | 水性アルカリフォトレジスト洗浄組成物及び該組成物を使用する方法 | |
| TWI838356B (zh) | 光阻移除劑組合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |