KR20110085911A - 벤조디티오펜계 물질 조성물 - Google Patents
벤조디티오펜계 물질 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110085911A KR20110085911A KR1020110005062A KR20110005062A KR20110085911A KR 20110085911 A KR20110085911 A KR 20110085911A KR 1020110005062 A KR1020110005062 A KR 1020110005062A KR 20110005062 A KR20110005062 A KR 20110005062A KR 20110085911 A KR20110085911 A KR 20110085911A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- compound
- polymer
- aromatic
- benzodithiophene
- heteroaromatic
- Prior art date
Links
- CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-e][1]benzothiole Chemical compound C1=C2SC=CC2=C2C=CSC2=C1 CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 71
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 27
- RIRMCFVMJXZZIB-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-2,5-diene-1,4-dione;thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1.C=1C=CSC=1.O=C1C=CC(=O)C=C1 RIRMCFVMJXZZIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 15
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 125000002734 organomagnesium group Chemical group 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 125000001979 organolithium group Chemical group 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- -1 amino, nitro, cyano, methoxy, ethoxy, propoxy Chemical group 0.000 description 4
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 4
- 125000005620 boronic acid group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IIGUSJYHGBZBHJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dibromo-4,8-didodecylthieno[2,3-f][1]benzothiole Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=C2C=C(Br)SC2=C(CCCCCCCCCCCC)C2=C1SC(Br)=C2 IIGUSJYHGBZBHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QOIDUPYHJCKOFF-UHFFFAOYSA-N 4,8-didodecylthieno[2,3-f][1]benzothiole Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=C2C=CSC2=C(CCCCCCCCCCCC)C2=C1SC=C2 QOIDUPYHJCKOFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical group BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical group II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MBHQEXPGNCWWBP-UHFFFAOYSA-M magnesium;dodecane;bromide Chemical group [Mg+2].[Br-].CCCCCCCCCCC[CH2-] MBHQEXPGNCWWBP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 2
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 description 1
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical compound C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 2,2'-bithiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC=CC=2)=C1 OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHWADSHFLSDMBJ-UHFFFAOYSA-N 4,7-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-2,1,3-benzothiadiazole Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C(C1=NSN=C11)=CC=C1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 DHWADSHFLSDMBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 1
- 102100026816 DNA-dependent metalloprotease SPRTN Human genes 0.000 description 1
- 101710175461 DNA-dependent metalloprotease SPRTN Proteins 0.000 description 1
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000944 Soxhlet extraction Methods 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006161 Suzuki-Miyaura coupling reaction Methods 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 241001199012 Usta Species 0.000 description 1
- 238000010669 acid-base reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002152 alkylating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005899 aromatization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005801 aryl-aryl coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- YIMPFANPVKETMG-UHFFFAOYSA-N barium zirconium Chemical compound [Zr].[Ba] YIMPFANPVKETMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L cyclopenta-1,4-dien-1-yl(diphenyl)phosphane;dichloropalladium;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].Cl[Pd]Cl.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000003963 dichloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- ZEHZNAXXOOYTJM-UHFFFAOYSA-N dicyanoacetylene Chemical group N#CC#CC#N ZEHZNAXXOOYTJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007647 flexography Methods 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000003913 materials processing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XKBGEWXEAPTVCK-UHFFFAOYSA-M methyltrioctylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCC[N+](C)(CCCCCCCC)CCCCCCCC XKBGEWXEAPTVCK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTYPIDNRISCWQY-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);tris(2-methylphenyl)phosphane;dichloride Chemical compound Cl[Pd]Cl.CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C.CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C OTYPIDNRISCWQY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000005560 phenanthrenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 238000013087 polymer photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- SIUXRPJYVQQBAF-UHFFFAOYSA-N thieno[2,3-f][1]benzothiole-4,8-dione Chemical compound O=C1C=2C=CSC=2C(=O)C2=C1SC=C2 SIUXRPJYVQQBAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical compound S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
- C08G61/126—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G75/02—Polythioethers
- C08G75/0204—Polyarylenethioethers
- C08G75/0227—Polyarylenethioethers derived from monomers containing two or more aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/324—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed
- C08G2261/3243—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed containing one or more sulfur atoms as the only heteroatom, e.g. benzothiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/324—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed
- C08G2261/3246—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed containing nitrogen and sulfur as heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/40—Polymerisation processes
- C08G2261/41—Organometallic coupling reactions
- C08G2261/411—Suzuki reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/90—Applications
- C08G2261/91—Photovoltaic applications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1,000 내지 400,000달톤의 Mn을 갖고, 식 (1)의 벤조디티오펜 단량체 세그먼트로부터 유도되는 폴리티오펜; 및 방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X, 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합을 제공하는 화합물을 포함하는 폴리머 반도체가 개시된다:
상기 식에서, R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이다.
상기 식에서, R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이다.
Description
본 발명은 벤조디티오펜계 물질 조성물에 관한 것이다.
인쇄 유기 전자제품(POE)을 제작하는 것에 깊은 관심이 있는데, 이는 이러한 장치가 초저가이고, 용액 가공성이 있으며, 기계적 내구성과 구조적 유연성을 가지고 있기 때문이다. POE의 한 형태인 인쇄 박막 트랜지스터(TFT)는 예를 들어 활성-매트릭스 액정 디스플레이(LCD), 유기 발광 다이오드, 전자 종이, 무선 주파수 식별 태그(RFID), 광전지에서의 적용을 위한 실리콘 기술에 대해 유망하고 저비용의 대안이기 때문에 최근 몇 년간 많은 주목을 받아왔다.
TFT는 일반적으로 지지 기재, 3개의 전기 전도성 전극(게이트, 소오스 및 드레인 전극), 채널 반도체층 및 상기 반도체층으로부터 게이트 전극을 분리하는 전기 절연 게이트 유전층으로 구성된다. 알려진 TFT의 성능을 향상시키는 것이 바람직하다. 성능은 적어도 2가지 특성인 이동도 및 온/오프 비에 의해 측정될 수 있다. 이동도는 ㎠/V·초 단위로 측정되며; 이동도가 높을수록 바람직하다. 온/오프 비는 오프 상태에서 TFT를 통해 누설되는 전류 대(versus) 온 상태에서 TFT를 통해 흐르는 전류의 양 사이의 비이다. 전형적으로 온/오프 비가 높을수록 더 바람직하다.
박막 트랜지스터(TFT)는 예를 들어 센서, 이미지 스캐너, 전자 디스플레이 장치 및 태양 전지를 포함하여 근대 전자제품에서 기본적인 구성요소이다. 태양 전지는 태양광을 전기 에너지로 변환하는데 사용되는 광전지 장치이다. 태양 전지는 제한없이 사용 가능하고, 다른 에너지원과는 달리 환경 친화적이며, 따라서 시간의 경과에 따라 더욱더 중요하게 될 것으로 예상된다.
통상적으로 태양 전지는 단결정 또는 다결정 실리콘 물질로 구성된다. 그러나 실리콘 태양 전지는 높은 제조 비용을 갖고 유연한 기재에 적용할 수 없기 때문에 단점에 시달린다. 실리콘 태양 전지에 대한 하나의 가능한 대안이라면 폴리머 태양 전지이다.
폴리머 태양 전지는 스핀 코팅, 잉크-젯 프린팅, 롤 코팅 또는 닥터 블레이딩을 통해 제조될 수 있고, 그에 따라 폴리머 태양 전지와 관련된 제조 방법이 훨씬 저렴하다. 더욱이 폴리머 태양 전지는 (1) 넓은 코팅 면적을 갖고, (2) 저온에서 박막을 형성하는 능력을 가지며, (3) 다양한 종류의 기재로부터 형성될 수 있기 때문에 유리하다.
폴리머 태양 전지가 상기한 이점을 갖기는 하지만, 폴리머 태양 전지에 대한 전력 변환 효율이 낮고(약 1%), 폴리머 태양 전지는 짧은 수명을 갖기 때문에 실용적인 사용에 부적합하다. 하지만, 상기 전지의 성능은 폴리머 블렌드의 구조적 모폴로지의 향상을 통해 크게 증가하기 시작했다. 현재, 폴리머 태양 전지의 전력 변환 효율이 태양 광 조건하에서 측정되는 경우, 작은 면적(0.1cm2 이하)을 갖는 단위 장치는 약 4 내지 약 5%의 전력 변환 효율을 갖고, 1cm2의 면적을 갖는 장치는 약 3%의 전력 변환 효율을 갖는다.
광전지 장치에서 사용하기 위한 반도체 폴리머 및 관련 물질 개발의 진척에도 불구하고, 이들 장치의 성능을 향상시키는 물질 및 물질의 가공에 대한 필요성이 존재한다. 본 출원은 이러한 필요성을 만족시켜 추가의 관련 이점을 제공한다.
따라서 본 출원은 종래의 폴리머 반도체에 대한 진척을 달성하여, 약 1,000 내지 약 400,000달톤(Dalton)의 Mn을 갖고, 식 (1)의 벤조디티오펜 단량체 세그먼트로부터 유도되는 폴리티오펜; 및 방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X, 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합(divalent linkage)을 제공하는 화합물을 함유하는 폴리머 반도체를 개시한다:
상기 식에서, R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이다.
구현예에서, 본 발명에서는 약 1,000 내지 약 400,000달톤의 Mn을 갖는 폴리티오펜을 함유하는 폴리머 반도체의 제조 방법이 설명되며, 상기 방법은 벤조퀴논-디티오펜과 식 M-R'(이때, M은 MgX' 또는 Li이고, X'는 할로겐이며, R'는 탄화수소기)의 시약을 반응시켜 중간체를 형성하는 단계; 결과물인 중간체를 환원하여 식 (1)의 4,8-2치환된 벤조디티오펜을 형성하는 단계;
벤조디티오펜의 2번 및 6번 위치를 적어도 하나의 붕소 시약 또는 적어도 하나의 할로겐 원자로 치환하는 단계; 방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X 및 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합을 제공하는 화합물을 벤조디티오펜의 2번 및 6번 위치에 공중합시켜 반복 단위를 얻는 단계; 및 상기 반복 단위를 공중합하여 폴리머 반도체를 얻는 단계를 포함한다.
구현예에서, 본 발명에서는 약 1,000 내지 약 400,000달톤의 Mn을 갖고, 식 (1)의 벤조디티오펜 단량체 세그먼트로부터 유도되는 폴리티오펜; 및 방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X, 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합을 제공하는 화합물을 함유하는 폴리머 반도체를 포함하는 전자 장치가 설명된다:
상기 식에서, R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 다양한 대표적 구현예를 도시하며, 본 발명에 예시되는 바와 같은 식의 폴리머 반도체는 박막 트랜지스터(TFT) 구성에서 반도체 물질로서 선택된다.
도 3은 본 발명의 다양한 대표적 구현예를 도시하며, 본 발명에 예시되는 바와 같은 식의 폴리머 반도체는 폴리머 태양 전지(PSC) 구성에서 광활성층으로서 선택된다.
도 3은 본 발명의 다양한 대표적 구현예를 도시하며, 본 발명에 예시되는 바와 같은 식의 폴리머 반도체는 폴리머 태양 전지(PSC) 구성에서 광활성층으로서 선택된다.
벤조디티오펜계 반도체 폴리머는 유기 박막 트랜지스터 및 유기 폴리머 태양 전지를 위한 중요한 물질이다. 벤조디티오펜 폴리머의 예는 미국 공개특허 제2009/0256139호, 제2009/0256138호, 제2009/0181509호, 제2009/0179194호, 제2009/0140237호, 제2009/0140236호, 제2009/0124788호, 제2009/0114909호, 제2008/0146776호, 제2008/0108834호, 제2008/0108833호, 제2008/0103314호, 제2008/0103286호, 제2008/0102559호, 제2007/0284572호, 제2007/0235719호, 제2007/0148812호, 제2007/0145453호, 제2007/0145371호, 제2007/0145357호에 개시된 것들을 포함한다. 이러한 중요한 물질은 가용성이며(제조시 사용상 편의를 허용함), 장치 제작시 열 어닐링 단계를 필요로 하지 않고 TFT에서 높은 장(high field)-효과 이동도를 나타낸다. 벤조디티오펜(BDT)은 일반적으로 다음의 구조를 사용하는 것으로 일컬어진다:
벤조디티오펜 모이어티(moiety)의 코어 그 자체는 유기 용매에서 매우 낮은 용해도를 갖는다. 하지만, 약간의 변경으로 약 1,000 내지 약 400,000달톤의 Mn을 갖고, 식 (1)의 벤조디티오펜 단량체 세그먼트로부터 유도되는 폴리티오펜; 및 방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X, 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합을 제공하는 화합물을 함유하는 폴리머 반도체와 같은 가용성 BDT-함유 폴리머가 얻어질 수 있다:
상기 식에서, R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이다.
특정 구현예에서, 가용성 BDT-함유 폴리머는 식 (2)의 폴리머일 수 있고,
상기 R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이고, X는 방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물이며, n은 약 2 내지 약 5000, 약 2 내지 약 3000 또는 약 5 내지 약 1000, 약 5 내지 약 800, 약 5 내지 약 200 또는 약 5 내지 약 75의 반복 단위수이다.
상기 폴리머의 수평균 분자량(Mn)은 예를 들어 약 1,000 내지 약 250,000달톤, 약 2,000 내지 약 200,000달톤(Da), 약 5,000 내지 약 75,000Da 및 약 10,000 내지 약 50,000Da를 포함하여 약 1,000 내지 약 400,000Da일 수 있고, 중량평균 분자량(Mw)은 약 1,500 내지 약 200,000Da, 약 2,000 내지 약 100,000Da, 약 2,500 내지 약 75,000Da 및 약 5,000 내지 약 50,000Da를 포함하여 약 600 내지 약 500,000Da일 수 있으며, 이들은 모두 폴리스티렌 표준을 이용하여 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정된 것이다.
본 발명에 설명된 폴리머 반도체는 방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X, 및 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합을 제공하는 화합물을 함유한다. 방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X는 융합된 방향족 반도체 화합물 또는 융합된 방향족 반도체 화합물일 수 있다. 전자 수용체 화합물이 폴리머 반도체의 퀴노이드 형태(quinodal form)를 안정화시키고 그에 따라 폴리머 반도체의 에너지 갭을 좁게 한다면 임의의 전자 수용체 화합물이 사용될 수 있다.
방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물은 구조식 II-1 내지 II-8로 대표된다:
달리 명시되어 있지 않다면, 식 (1)의 폴리머 반도체, 식 (2)의 폴리머 반도체 화합물, 및 식 (1) 및 식 (2)의 폴리머 반도체를 제조하는데 사용되는 전자 수용체 화합물에 대한 R1, R2 및 R3 치환체를 나타냄에 있어서, "탄화수소기"란 문구는 비치환된 탄화수소기 및 치환된 탄화수소기 모두를 포괄한다. 비치환된 탄화수소기는 예를 들어 약 1 내지 약 50개 탄소 원자, 약 2 내지 약 40개 탄소 원자, 약 2 내지 약 35개 탄소 원자 또는 약 2 내지 약 24개 탄소 원자를 함유할 수 있다. 비치환된 탄화수소기의 예는 예를 들어 직쇄 알킬기, 분기화된 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 알킬아릴기 및 아릴알킬기를 포함할 수 있다. 알킬기의 예는 예를 들어 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸 및 이들의 이성체 형태를 포함할 수 있다.
"알킬"이란 용어는 완전히 포화되고 식 CnH2n +1인 전체가 탄소 원자 및 수소 원자로 구성된 치환체를 의미하고, 이때 n은 알킬 치환체의 구조를 정의하는 정수이다. 알킬 사슬은 선형 또는 분기형일 수 있다. "아릴"이란 용어는 방향족인 전체가 탄소 원자 또는 수소 원자로 구성된 치환제를 의미한다.
치환된 탄화수소기는 예를 들어 불소, 브롬, 염소, 요오드, 황, 아미노, 니트로, 시아노, 메톡시, 에톡시, 프로폭시 또는 이들의 조합으로 치환된 예를 들어 약 1 내지 약 70개 탄소 원자, 약 10 내지 약 60개 탄소 원자 및 약 20 내지 약 50개 탄소 원자를 함유할 수 있다. 치환된 탄화수소기는 예를 들어 헤테로 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 분기화된 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 알킬아릴기 및 아릴알킬기일 수 있다. 알킬기의 예는 예를 들어 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸 및 이들의 이성질체 형태를 포함할 수 있다. 구현예에서, 탄화수소기는 선택적으로 치환된 알킬 및 선택적으로 치환된 아릴일 수 있다.
달리 명시되어 있지 않다면, R1, R2 및 R3 치환체를 나타냄에 있어서, 상기한 "헤테로원자"란 용어는 불소, 브롬, 염소, 요오드, 황, 질소, 산소 또는 이들의 조합을 포함한다. 더욱이 헤테로원자는 예를 들어 염소 또는 불소 또는 예를 들어 아미노 화합물 내의 질소 원자(N) 및 SO2 화합물 내의 황 원자(S)와 같이 화합물 내에 함유된 하나의 원자일 수 있다.
추가의 특정 구현예에서, R1 및 R2는 각각 약 8 내지 약 24개의 탄소 원자를 갖는 알킬기이다. 다른 구현예에서, R1 및 R2는 서로 동일하다. 하나의 특정 구현예에서, R1 및 R2 는 각각 -C12H25이다.
방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y는 치환 또는 비치환된 티오펜, 비티오펜, 티에노티오펜, 페닐렌, 비페닐렌, 페난트레닐렌, 디히드로페난트리닐렌, 플루오렌, 카르바졸, 올리고아릴렌 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
본 발명에서 설명된 폴리머 반도체는 붕소산(또는 에스테르)로 치환된 알킬화된 벤조디티오펜 코어와 할로겐으로 2치환된 전자 수용체 화합물의 콘쥬게이션된 교차-커플링 반응에 의해 제조될 수 있다. 이러한 반응은 일반적으로 "스즈키 커플링(Suzuki coupling)"으로 일컬어진다. 그러나, 상기 폴리머 반도체는 할로겐으로 치환된 알킬화된 벤조디티오펜 코어와 붕소산(또는 에스테르)로 치환된 전자 수용체 화합물의 콘쥬게이션된 교차 커플링 반응에 의해 제조될 수 있다.
본 발명에서 설명된 반도체는 또한 야마모토 커플링(Yamamoto coupling), 스틸 커플링(Stille coupling) 또는 헥 커플링(Heck coupling)과 같은 다른 아릴-아릴 커플링 반응에 의해 제조될 수 있다. 적합한 교차-커플링 반응의 예는 본 발명에 그 전체가 참조로서 병합되는 미국 공개특허 제2009/0179198호에 설명되어 있다. 다른 교차-커플링 반응은 Hou 등의 Bandgap and Molecular Energy Level Control of Conjugated Polymer Photovoltaic Materials Based on Benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophen, Macromolecules, 2008, 41, 6012-6018 및 Usta 등의 Air - Stable , solution - Prcessable n- Channel and Ambipolar Semiconductors For Thin - Filme Transistor Based one the Indenofluorenebis ( dicyanovinylene ) Core, J. Am. Chem. S℃. 2008, 130 (27) 8580-8581에 설명되어 있다.
함께 계류중인 미국 특허출원 제12/575,701호에서 설명된 바와 같이, 알킬화된 벤조디티오펜 코어를 제조하는 하나의 알려진 방법은 -C12H25 사슬을 첨가하는 것을 이용하여 예시되어 있는 하기 반응식 1로 나타낸다. 벤조퀴논 출발 물질로 개시해서, 알킬 측쇄가 알킬마그네슘 또는 알킬리튬 시약(반응식 1에서, M은MgX 또는 Li이고, 이때 X는 할로겐) 및 주석(II) 클로라이드(SnCl2)의 사용에 의한 디올의 환원을 이용하여 4번 및 8번 위치에 부가된다. 이어서 H2 가스로 알키닐 결합이 환원된다. 이러한 3-단계 공정은 가연성 수소 가스를 이용하는데, 일반적으로 안전하지 않다고 여겨진다. 추가로, 이러한 공정은 상기한 랩-벤치 양(그램)을 헤아리기 어렵다.
벤조디티오펜 코어를 알킬화하는 공정은 -C12H25 사슬의 부가를 이용하여 다시 예시되는 하기 반응식 2에 나타낸다. 벤조디티오펜-4,8-디온과 같은 p-벤조퀴논 출발 물질로 개시해서, -C12H25 사슬이 유기마그네슘 또는 유기리튬 시약(반응식 2 및 3에서, M은 MgX 또는 Li이고, 이때 X는 할로겐), 시약의 유기 부분이 선형 알킬, 분기화된 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴인 것을 이용하여 4번 및 8번 위치에 중앙의 벤젠 고리 상에 직접 부가된다. 이는 환원성 방향족화 단계에 이어진다. 이러한 2-단계 공정은 정제를 간단하게 하여 수소 가스를 이용하는 반응을 없앤다. 또 다른 이점은 이러한 공정이 분기화된 알킬 사슬 또는 아릴 링과 같은 치환체의 부가를 허용한다는 것으로, 반응식 1에 예시된 구현예를 이용하여 다르게는 접근 불가능하다(4번 및 8번 위치에 놓여질 수 없다).
본 발명의 공정들은 반응식 3에 보다 광범위하게 예시된다:
상기 식에서, M은 MgX 또는 Li이고, X는 할로겐이며, R1은 선형 알킬, 분기화된 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이다. 출발의 벤조퀴논-디티오펜 또는 벤조디티오펜-4,8-디온 A는 시약 B와 반응해서 4번 및 8번 위치에 R1 치환체를 얻어 중간체 화합물(미도시)을 얻는다. 다음, 상기 중간체 화합물은 환원되어 4,8-2치환된 벤조디티오펜 C(반응식 2)를 형성한다. 환원 단계에서, R1의 본질에 영향을 주지 않는 임의의 환원제가 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 특정 구현예에서는 산성 용액(전형적으로는 HCl 첨가를 통해) 내의 SnCl2가 사용된다.
유기마그네슘 또는 유기리튬 시약 M-R1은 적어도 35의 pKa를 가지며, 다시 말해 pKa가 35 이상이다. 달리 말하면, 상기 시약은 매우 알칼리성이다. 대표적인 시약은 도데실마그네슘 브로마이드로 약 50의 pKa를 갖는다. 벤조퀴논-디티오펜의 pKa는 약 35이다. 이처럼 큰 pKa의 차이는 일반적으로 원하는 BDT의 수율을 감소시키는 원하지 않는 부 반응인 산-염기 반응을 유도한다. 하지만, 반응 공정을 주의깊게 선택함으로써 합리적인 수율로 제조된다. 반응식 1에 나타낸 종래 기술의 공정은 약 25의 pKa를 갖는 알키닐마그네슘 또는 알키닐리튬 시약을 사용함으로써 경쟁하는 이들 부 반응들을 회피한다.
환원 단계에서, R1의 본질에 영향을 주지 않는 임의의 환원제가 일반적으로 사용될 수 있다. 구현예에서, 상기 환원은 산성 용액(전형적으로 HCl 첨가를 통해) 내의 금속 클로라이드를 사용하여 수행된다. 대표적인 금속 클로라이드는 주석 클로라이드, 아연 클로라이드 및 철 클로라이드를 포함한다. 그러나, 특정 구현예에서 산성 용액 내의 SnCl2가 사용된다.
상기 시약은 전형적으로 용매에 용해되어 시약 용액을 형성한다. 상기 용매는 탄화수소 용매, 방향족 용매, 디에틸 에테르, tert-부틸메틸 에테르, 테트라히드로푸란(THF), 1,4-디옥산 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 대표적 용매는 시클로헥산, 자일렌, 헥산, 헵탄 및 톨루엔을 포함한다. 특정 구현예에서, 상기 용매는 무수 에테르성 용매이다.
일반적으로, 벤조퀴논-디티오펜은 무수 에테르성 용매 내에서 유기마그네슘 또는 유기리튬 시약의 용액에 첨가된다. 유기마그네슘 또는 유기리튬 시약의 농도는 약 0.1M 내지 약 1.0M일 수 있다. 상기 반응물은 전형적으로 약 40℃ 내지 약 80℃를 포함하여 약 20℃ 내지 약 120℃의 범위로 가열된다. 상기 가열은 전형적으로 약 1시간 내지 약 4시간의 기간 동안 지속된다. 다른 구현예에서, 상기 가열은 적어도 1시간 동안 지속된다. 상기 반응물을 실온으로 냉각하고, 과량의 유기마그네슘 또는 유기리튬 시약을 물로 식힌다. 그런 다음 상기 반응물을 주석 클로라이드의 용액으로 처리한다. 주석 클로라이드 용액의 농도는 10부피% 염산 용액 내에 용해된 약 1M 내지 약 3M이다. 상기 반응물은 전형적으로 약 40℃ 내지 약 80℃를 포함하여 약 20℃ 내지 약 120℃의 범위로 가열된다. 상기 반응물은 약 2시간 내지 약 24시간을 포함하여 적어도 1시간의 기간 동안 가열될 수 있다. 상기 반응물은 실온으로 냉각되고, 생성물 C는 종래에 알려진 표준 방법을 이용하여 분리되고 정제된다. 예를 들어, 생성물은 칼럼 크로마토그래피 및 재결정의 조합에 의해 정제될 수 있다. 상기 칼럼은 예를 들어, 실리카겔을 이용할 수 있다. 어떤 구현예에서, 칼럼 크로마토그래피 및 재결정이 사용되어 최소 94%의 HPLC 순도를 달성한다.
이러한 공정은 최적화되고 여러 번 반복됨으로써 약 30%의 안정한 수율을 얻는다.
특정 구현예에서, 유기마그네슘/유기리튬 시약 B는 헥산과 같은 용매, 또는 테트라히드로푸란(THF), 1,4-디옥산 또는 tert-부틸메틸 에테르(TBME)와 같은 에테르성 용매/에테르 함유 용매에 용해된다. 그런 다음, 출발의 벤조퀴논-디티오펜 A을 용액에 첨가하여 반응을 개시한다. 특정 구현예에서, 벤조퀴논-디티오펜과 시약의 반응은 예를 들어, 아르곤 또는 질소와 같은 불활성 분위기에서 일어난다. 벤조퀴논-디티오펜에 대한 시약의 몰비(시약:벤조퀴논-디티오펜)는 약 2:1 내지 약 4:1이 되어 4번 및 8번 위치에 치환체의 완전한 부가를 확실하게 할 수 있다.
다양한 성분의 첨가 순서는 중요하지 않다. 예를 들어, 유기마그네슘/유기리튬 시약은 에테르성 용매 내의 벤조퀴논-디티오펜의 현탁물에 첨가될 수 있고, 상기 반응은 이전에 설명한 바와 같이 약 30%의 수율로 완료될 수 있다.
LiCl 또는 LiBr과 같은 유기마그네슘 시약의 반응성을 변경시키는 염 첨가제는 공정 수율에 영향을 끼치지 않으면서 시약 용액에도 첨가될 수 있다. 이러한 공정은 유사한 수율로 5그램 스케일 상에서 증명되며, 더 큰 배치 크기에 의해 30% 범위 내에서 일관성 있고 재현 가능한 수율이 얻어질 것임이 예상된다.
상기에서 논의된 바와 같이, 식 (1)의 폴리머 반도체는 치환된 붕소산(또는 에스테르 또는 할로겐)을 갖는 이들 반도체와, 할로겐화된 전자 수용체 화합물 또는 붕소산(또는 에스테르)으로 치환된 전자 수용체 화합물의 콘쥬게이션된 교차-커플링 반응에 의해 제조될 수 있다.
스즈키 중축합(Suzuki polycondensation)은 공간 규칙적(regioregular), 블록 및 랜덤 공중합체를 제조하는데 사용될 수 있다. 특히, 블록 공중합체 또는 교호 공중합체, 특히 AB-형 공중합체는 제 1 및 제 2 단량체로부터 제조될 수 있으며, 이때 제 1 단량체의 반응성 기는 둘다 붕소이고, 제 2 단량체의 반응성 기는 둘다 할라이드이다. 블록 공중합체의 합성은 예를 들어, WO 2005/014688 A2에 상세하게 설명되어 있다. 블록 공중합체의 다른 합성은 J. Sakamoto 등의 Suzuki Polycondensation : Polyarylenes a la Carte, MACROMOL. RAPID COMMUN. 2009, 30, 653-687 및 본 발명에 포함된 참고문헌에 설명되어 있다.
스즈키-미야우라(Suzuki-Miyaura) 커플링 방법에 관해서는, 본 발명에서 설명된 폴리머 반도체는 붕소 시약으로 치환된 알킬화된 벤조디티오펜 코어를 할로겐으로 2치환된 전자 수용체 화합물에 공중합함으로써 제조될 수 있다. 더욱이, 본 발명에서 설명된 폴리머 반도체는 할로겐으로 2치환된 전자 수용체 화합물을 붕소 시약으로 치환된 알킬화된 벤조디티오펜 코어로 커플링시킴으로써 제조될 수도 있다. 어느 한쪽의 공중합으로부터 얻어진 결과 폴리머 반도체는 교호 공중합체이다. 붕소 시약의 예는 붕소산, 붕소산 에스테르, -B(OR')(OR")기를 함유하는 디알콕시보란 및 비스(알콕시)디보론을 포함하며, 이때 R' 및 R"는 상기에 정의된 바와 같이 탄화수소기이다. 할로겐 원자의 예는 염소, 불소 및 브롬을 포함한다.
그런 다음, (벤조디티오펜 코어의 2번 및 6번 위치에서 할로겐 원자 또는 붕소 시약으로 치환된) 벤조디티오펜을 촉매의 존재 하에서 전자 수용체 화합물 X 및/또는 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y로 공중합시켜 반복 단위를 얻는다. 촉매의 예는 Pd(0) 착체 또는 Pd(II) 염을 포함한다. Pd(0) 착체의 예는 테트라키스(트리페닐 포스핀(Pd(PPh3)4), 트리스(트리오르토-톨일포스핀)(Pd(o-Tol)3P), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)/트리오르토-톨일포스핀(Pddba/P(o-Tol)3), 팔라듐(II)(di-t-bpfPdCl2), 디클로로 비스(트리-오르토-톨일포스핀) 팔라듐(II)(Pd)(o-tol)3PCl2과 같은 적어도 하나의 포스핀을 생성하는 것들이다. Pd(II) 염의 예는 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]-디클로로팔라듐 (PdCl2(dppf)); PdCl2(PPh3)2; 디클로로 1,1-비스(디-tert-부틸포스피노) 페로센 및 팔라듐 아세테이트를 포함한다.
상기 폴리머 반도체는 일반적인 코팅 용매에 가용성 또는 실질적으로 가용성이어서, 폴리머 용액을 형성한다. 예를 들어, 구현예에서 폴리머 반도체는 메틸렌클로라이드, 클로로포름, 1,2-디클로로에탄, 테트라히드로푸란, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠 등과 같은 용매에서 적어도 약 0.1중량%, 보다 구체적으로는 약 0.3중량% 내지 약 10중량% 또는 약 50중량%의 용해도를 갖는다. 게다가 본 발명에 예시된 바와 같은 식의 폴리머 반도체는 통상의 4-프로브 전도성 측정에 의해 결정되는 바와 같이 예를 들어 약 10-9S/cm 내지 약 10-4S/cm, 보다 구체적으로는 약 10-8S/cm 내지 약 10-5S/cm의 안정한 전도도를 제공한다.
폴리머 용액을 사용하는 인쇄 유기 전자(POE) 장치의 제작은 기재 상에 다른 선택적 층 또는 층들을 형성하기 전에 또는 형성한 다음, 임의의 적합한 시간에 임의의 적합한 액체 증착 기법을 이용하여 기재 상에 폴리머 용액을 증착함으로써 수행될 수 있다. 따라서, 기재 상에 폴리머 용액을 액체 증착하는 것은 기재 또는 이미 층상 물질을 함유하는 기재, 예를 들어 반도체 층 및/또는 박막 트랜지스터의 절연층 상에서 일어날 수 있다.
"액체 증착 기법"이란 문구는 예를 들어 액체 코팅 또는 프린팅 기법과 같은 액체 공정을 이용하는 조성물의 증착을 의미하고, 이때 액체는 용매 내에서 폴리머 반도체의 균질 또는 불균질 분산물이다. 아울러 상기 폴리머 용액은 기재 상에 임의의 적합한 패턴으로 증착될 수 있다.
액체 코팅 공정의 예는 예를 들어, 스핀 코팅, 블레이드 코팅, 라드 코팅, 딥 코팅 등을 포함할 수 있다. 프린팅 기법의 예는 예를 들어 리소그래피 또는 오프셋 프린팅, 그라비어, 플렉소그래피, 스크린 프린팅, 스텐실 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스탬핑(예를 들어, 마이크로콘택 프린팅) 등을 포함할 수 있다. 구현예에서, 폴리머 용액의 액체 증착은 약 5㎚ 내지 약 5㎜, 약 10㎚ 내지 약 1000㎛, 약 100㎚ 내지 약 500㎛, 약 1㎛ 내지 약 100㎛ 및 약 5㎛ 내지 약 25㎛ 범위의 두께를 갖는 폴리머 반도체의 층을 증착한다. 이러한 단계에서 증착된 폴리머 용액은 상당한 전기 전도도를 나타내거나 또는 나타내지 않을 수 있다.
폴리머 용액을, 예를 들어 약 50℃ 내지 약 150℃, 약 50℃ 내지 약 130℃, 약 50℃ 내지 약 80℃, 약 100℃ 내지 약 130℃ 및 약 100℃ 내지 약 120℃와 같이, 약 150℃ 이하 또는 130℃ 이하의 온도로 가열하여 폴리머 용액으로부터 용매를 제거함으로써 식 (1)의 폴리머 반도체를 포함하는 층을 기재 상에 형성한다. 가열 온도는 이전에 증착된 층(들) 또는 기재(단층 기재 또는 다층 기재 중 하나)의 특성에 불리한 변화를 유발시키지 않는 온도이다.
가열은 예를 들어 약 1초 내지 약 10시간 및 약 10초 내지 약 1시간 범위의 시간 동안 수행될 수 있다. 가열은 공기, 불활성 대기 예를 들어 질소 또는 아르곤, 또는 감압 대기 예를 들어 약 1 내지 약 20부피% 수소를 함유하는 질소 하에서 수행될 수 있다. 가열은 또한 정상 대기압, 또는 예를 들어 약 1000mbar 내지 약 0.01mbar의 감압 하에서 수행될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 바와 같이, "가열"이란 용어는 기재로부터 용매를 제거하기에 충분한 에너지를 부여할 수 있는 임의의 기법을 포괄한다. 가열 기법의 예는 열 가열(예를 들어, 핫 플레이트, 오븐 및 버너), 적외선(IR 방사, 레이저 빔, 마이크로파 방사 또는 UV 방사, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
구현예에서, 식 (1)의 폴리머 반도체는 박막 트랜지스터, 다이오드 및 폴리머 태양 전지(PCS)와 같은 광전지 장치와 같은 전자 장치에 사용될 수 있다. 본 발명의 폴리머를 전자 장치의 반도체로서 이용하는 것이 박막 트랜지스터 및 광전지 장치를 이용하는 본 발명에서 도시된다.
구현예에서,
(a) 게이트 유전층;
(b) 게이트 전극;
(c) 반도체층;
(d) 소오스 전극;
(e) 드레인 전극; 및
(f) 기재층을 포함하는 박막 트랜지스터가 제공되고, 상기 게이트 유전층, 게이트 전극, 반도체층, 소오스 전극, 드레인 전극 및 기재층은, 게이트 전극과 반도체층이 둘다 게이트 유전층과 접촉하고, 소오스 전극과 드레인 전극이 둘다 반도체층과 접촉하며, 반도체층이 본 발명에서 설명된 폴리머 반도체 화합물로 구성된다면 임의의 순서로 존재한다.
구현예에서 추가로 본 발명을 참조하면, 상기 기재층은 일반적으로 목적으로 하는 적용 분야에 따라 실리콘, 유리판, 플라스틱 필름 또는 시트 등의 다양한 적합한 형태를 포함하는 실리콘 물질일 수 있다. 구조상 유연한 장치에 대해서는 예를 들어 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드 시트 등과 같은 플라스틱 기재가 선택될 수 있다. 상기 기재의 두께는 특히 유연한 플라스틱 기재에 대해서는 약 50 내지 약 100㎛이고, 유리 또는 실리콘과 같은 딱딱한 기재에 대해서는 약 1 내지 약 10㎜의 특정 두께를 갖는, 약 10㎛ 내지 약 100㎜일 수 있다.
소오스 전극 및 드레인 전극으로부터 게이트 전극을 분리할 수 있고 반도체층과 접촉하는 게이트 유전층은 일반적으로 무기 물질막, 유기 폴리머막 또는 유기-무기 복합막일 수 있다. 게이트 유전층의 두께는 예를 들어 약 10㎚ 내지 약 1㎛이고, 보다 구체적으로는 약 100㎚ 내지 약 500㎚일 수 있다. 유전층으로 적합한 무기 물질의 예는 산화실리콘, 질화실리콘, 산화알루미늄, 티탄산바륨, 지르코늄티탄산바륨 등을 포함할 수 있다. 유전층에 대한 유기 폴리머의 예는 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리(비닐페놀), 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리(메타크릴레이트), 폴리(아크릴레이트), 에폭시 수지 등을 포함할 수 있다. 무기-유기 복합 물질의 예는 폴리에스테르, 폴리이미드, 에폭시 수지 등과 같은 폴리머에 분산된 나노 크기의 산화금속 입자를 포함할 수 있다. 게이트 유전층의 두께는 일반적으로 사용되는 유전 물질의 유전 상수에 따라서 약 50㎚ 내지 약 500㎚이다. 보다 구체적으로, 상기 유전 물질은 예를 들어 적어도 약 3의 유전 상수를 갖고, 따라서 약 300㎚의 적합한 유전체 두께는 예를 들어 약 10-9 내지 약 10-7F/cm2의 바람직한 정전 용량을 제공할 수 있다.
예를 들어 유전층과 소오스/드레인 전극의 사이 및 유전층과 소오스/드레인 전극에 접촉하도록 위치하는 것은 본 발명에 예시된 바와 같은 식의 폴리머 반도체로 구성된 활성 반도체층이고, 이러한 층의 두께는 일반적으로 예를 들어 약 10㎚ 내지 약 1㎛, 또는 약 40 내지 약 100㎚이다. 이러한 층은 일반적으로 본 발명의 폴리머 반도체 용액의 스핀 코팅, 캐스팅, 스크린, 스탬프 또는 제트 프린팅과 같은 용액 공정에 의해 제작될 수 있다.
상기 게이트 전극은 금속 박막, 전도성 폴리머막, 전도성 잉크 또는 페이스트로부터 생성된 전도성 막, 또는 기재 자체(예를 들어 고농도로 주입된 실리콘)일 수 있다. 게이트 전극 물질의 예는 금, 은, 크롬, 산화인듐주석, 폴리스티렌 설포네이트 주입된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PSS/PEDOT)과 같은 전도성 폴리머, 애치슨 콜로이드사(Acheson Colloids Company)로부터 입수 가능한 Electrodag와 같은 폴리머 바인더에 함유된 콜로이드성 은 분산물 또는 카본블랙/그래파이트로 구성된 전도성 잉크/페이스트, 및 노엘 인더스트리(Noelle Industries)로부터 입수 가능한 은이 충전된 전기 전도성 열가소성 잉크 등을 포함할 수 있다. 상기 게이트 층은 진공 증발, 금속 또는 전도성 산화 금속의 스퍼터링, 전도성 폴리머 용액 또는 전도성 잉크로부터 코팅, 또는 스핀 코팅, 캐스팅 또는 프린팅에 의한 분산물에 의해 제조될 수 있다. 게이트 전극의 두께는 예를 들어 약 10㎚ 내지 약 10㎛일 수 있고, 구체적인 두께는 예를 들어 금속막에 대해서는 약 10 내지 약 200㎚, 폴리머 전도체에 대해서는 약 1 내지 약 10㎛일 수 있다.
상기 소오스 및 드레인 전극층은 반도체층에 낮은 저항의 옴 접촉을 제공하는 물질로부터 제작될 수 있다. 소오스 및 드레인 전극으로 사용하기에 적합한 전형적인 물질은 금, 니켈, 알루미늄, 백금, 전도성 폴리머 및 전도성 잉크와 같은 게이트 전극 물질인 것들을 포함할 수 있다. 이러한 층의 전형적인 두께는 예를 들어 약 40㎚ 내지 약 1㎛이고, 보다 구체적으로는 약 100 내지 약 400㎚일 수 있다. TFT 장치는 폭 W 및 길이 L의 반도체 채널을 함유한다. 상기 반도체 채널 폭은 예를 들어 약 10㎛ 내지 약 5㎜이고, 구체적으로는 약 100㎛ 내지 약 1㎛일 수 있다. 반도체 채널 길이는 예를 들어 약 1㎛ 내지 약 1㎜이고, 구체적으로는 약 5㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다.
상기 소오스 전극은 접지되어, 일반적으로 예를 들어 약 0볼트 내지 약 -80볼트의 바이어스 전압이 드레인 전극에 적용됨으로써, 일반적으로 예를 들어 약 +10볼트 내지 약 -80볼트의 전압이 게이트 전극에 적용될 때 반도체 채널 전체에 수송되는 전하 캐리어를 모은다.
구현예에서, 본 발명의 식에 따른 폴리머 반도체 화합물을 갖는 폴리머 반도체층으로 구성된 박막 트랜지스터에 대한 어닐링 온도는 약 150℃ 이하, 약 125℃ 이하 또는 약 100℃ 이하이다.
도 1은 게이트 전극(18) 및 게이트 전극(18)을 함유하는 게이트 유전층(14)과 접촉하는 기재(16)로 구성된 TFT 구성을 도시한다. 게이트 유전층(14)의 상부에는 소오스 전극(20) 및 드레인 전극(22)이 있다. 소오스 전극(20) 및 드레인 전극(22)의 위 및 이들의 사이에는 폴리머 반도체층(12)이 위치한다. 게이트 전극(18)은 기재(16), 게이트 유전층(14) 및 이들 전체에 포함될 수 있다.
도 2는 게이트 전극(18) 및 게이트 전극(18)을 함유하는 게이트 유전층(14)과 접촉하는 기재(16)로 구성된 TFT 구성을 도시한다. 게이트 유전층(14)의 상부에는 폴리머 반도체층(12)이 있다. 폴리머 반도체층(12) 위에는 소오스 전극(20) 및 드레인 전극(22)이 있다.
본 발명의 TFT 장치의 다양한 구성요소에 대해 본 발명에 기술되지 않은 다른 공지의 적합한 물질들 또한 구현예에서 선택될 수 있다.
구현예에서, 본 발명에서 설명된 폴리머 반도체는 폴리머 태양 전지(PSC)와 같은 광전지 장치에도 이용될 수 있다. 설명된 폴리머 반도체를 포함함으로써 보다 낮은 제조 비용을 갖는 광전지 장치를 유도할 수 있고, 광전지 장치의 향상된 효율성을 유도하는 넓은 빛 흡수를 위한 낮은 밴드 갭의 폴리머를 가지며, 실리콘 태양 전지와 비교했을 때 경량이며 향상된 유연성을 갖는다.
구현예에서,
(a) 제 1 전극;
(b) 제 2 전극;
(c) 박막층; 및
(d) 기재를 포함하는 광전지 장치가 제공되고, 상기 기재, 제 1 전극, 제 2 전극 및 박막층은, 제 1 전극과 제 2 전극이 둘다 박막층과 접촉하고, 박막층이 본 발명에서 설명된 폴리머 반도체 화합물로 구성된다면 임의의 순서로 존재한다.
구현예에서 추가로 본 발명을 참조하면, 상기 기재층은 일반적으로 목적으로 하는 적용 분야에 따라 실리콘, 유리판, 플라스틱 필름 또는 시트 등의 다양한 적합한 형태를 포함하는 실리콘 물질일 수 있다. 구조상 유연성 장치에 대해서는 예를 들어 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드 시트 등과 같은 플라스틱 기재가 선택될 수 있다. 상기 기재의 두께는 특히 유연성 플라스틱 기재에 대해서는 약 50 내지 약 100㎛이고, 유리 또는 실리콘과 같은 딱딱한 기재에 대해서는 약 1 내지 약 10㎜의 특정 두께를 갖는, 약 10㎛ 내지 약 100㎜일 수 있다.
예를 들어 제 1 전극과 제 2 전극의 사이 및 제 1 전극과 제 2 전극에 접촉하도록 위치되는 것은 본 발명에 예시된 바와 같은 식의 폴리머 반도체로 구성된 박막층이고, 이러한 층의 두께는 일반적으로 예를 들어 약 10㎚ 내지 약 1㎛, 또는 약 40 내지 약 100㎚이다. 이러한 층은 일반적으로 본 발명의 폴리머 반도체 용액의 스핀 코팅, 캐스팅, 스크린, 스탬프 또는 제트 프린팅과 같은 용액 공정에 의해 제작될 수 있다.
제 1 및 제 2 전극은 금속 박막, 전도성 폴리머막, 전도성 잉크 또는 페이스트로부터 생성된 전도성 막, 또는 기재 자체(예를 들어 고농도로 주입된 실리콘)일 수 있다. 제 1 및 제 2 전극 물질의 예는 은, 금, 크롬, 불소 주입된 산화주석("FTO"), ZnO--Ga2O3, ZnO--Al2O3, 및 SnO2--Sb2O3, 산화인듐주석, 폴리스티렌 설포네이트 주입된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PSS/PEDOT)과 같은 전도성 폴리머, 애치슨 콜로이드사(Acheson Colloids Company)로부터 입수 가능한 Electrodag와 같은 폴리머 바인더에 함유된 콜로이드성 은 분산물 또는 카본블랙/그래파이트로 구성된 전도성 잉크/페이스트, 및 노엘 인더스트리(Noelle Industries)로부터 입수 가능한 은이 충전된 전기 전도성 열가소성 잉크 등을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극 및/또는 제 2 전극층은 진공 증발, 전도성 산화 금속 또는 금속의 스퍼터링, 전도성 폴리머 용액 또는 전도성 잉크로부터 코팅, 또는 스핀 코팅, 캐스팅 또는 프린팅에 의한 분산물에 의해 제조될 수 있다. 제 1 전극 및/또는 제 2 전극층의 두께는 예를 들어 약 10㎚ 내지 약 10㎛일 수 있고, 구체적인 두께는 예를 들어 금속막에 대해서는 약 10 내지 약 200㎚, 폴리머 전도체에 대해서는 약 1 내지 약 10㎛일 수 있다.
도 3은 제 1 전극(32)과 접촉하는 기재(30)로 구성된 광전지 전지 구성을 도시한다. 제 1 전극(32)의 상부에는 본 발명에서 설명된 폴리머 반도체로 구성된 박막층(34)이 있다. 박막층(34)의 위에는 제 2 전극(36)이 있다.
실시예
실시예
1: 4,8-
디도데실벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜
단량체
합성
500㎖ 둥근 바닥 플라스크에서 무수 테트라히드로푸란(150㎖)을 도데실 마그네슘 브로마이드(34㎖, 34mmol)의 1M 용액으로 처리하였다. 고체인 4,8-디히드로벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜-4,8-디온(2.50g, 11.4mmol)을 한 부분에 첨가하고, 반응물을 아르곤 대기 하에서 60℃로 가열하였다. 90분 후에 가열 배스를 제거하고, 상기 반응물을 실온으로 냉각하고 물(20㎖)로 조심스럽게 식혔다. 상기 반응물을 10부피% 염화수소산 용액(30㎖) 내의 주석(II) 클로라이드(12.91g, 68.1mmol)의 용액으로 처리하고 60℃로 가열하였다. 18시간 후에 가열 배스를 제거하고 반응물을 실온으로 냉각하였다. 층들을 분리하여, 유기층을 건조(MgSO4 이용)하고, 여과하고, 회전 증발기를 이용하여 농축하였다. 용리액으로 헥산을 이용하는 짧은 SiO2 플러그에 조(crude) 생성물을 통과시키고, 상기 생성물을 헥산으로부터 재결정하여 4,8-디도데실벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜을 흰색 고체로 얻었다(1.7g, 28% 수율). 구조를 1H 및 13C NMR 분광법에 의해 확인하였다.
실시예
2: 2,6-
디브로모
-4,8-
디도데실벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜
단량체 합성
250㎖ 둥근 바닥 플라스크에서 실시예 1에서 제조된 4,8-디도데실벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜 6.36g(12.1mmol)을 디클로로메탄(150㎖) 및 아세트산(37.5㎖)의 혼합물에 용해하였다. 상기 반응물을 N-브로모석신이미드(4.40g, 24.7mmol)로 2분에 걸쳐 일정비율 방식(portionwise)으로 처리하고 18시간 동안 어둠 속에서 교반하였다. 상기 반응 혼합물을 CH2Cl2로 희석하고, 물(75㎖)과 1M NaOH 용액(2×5㎖)으로 세정하였다. 유기층을 건조하고(MgSO4), 여과하고, 회전 증발기를 이용하여 농축하였다. 조 생성물을 헥산으로부터 재결정하여 2,6-디브로모-4,8-디도데실벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜을 옅은 노랑색 고체로 얻었다(5.3g, 64% 수율). 구조를 1H 및 13C NMR 분광법에 의해 확인하였다.
실시예
3: 스즈키 중합을 통한 폴리머 반도체 화합물의 합성
100㎖ 쉬렝크 클라스크(Schlenk flask)에서 2,6-디브로모-4,8-디도데실벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜(실시예 2에서 제조)(685㎎, 1mmol, 1몰 당량) 및 4,7-비스(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)벤조[c][1,2,5]티아디아졸(388㎎, 1mmol, 1몰 당량)을 톨루엔(20㎖) 및 수성의 2M K2CO3 용액(10㎖) 및 aliquat 336(0.1-0.5㎖)의 혼합물에 용해하였다. 그런 다음 상기 혼합물을 1시간 동안 Ar으로 완전히 탈산소하였다. 그런 다음, 상기 반응물을 Pd(PPh3)4(1-5 mol%)로 처리하고, 80-90℃에서 가열하였다. 72시간 후에 페닐 붕소산 및 브로모벤젠을 첨가하여 공중합체 사슬을 막아 종결시켰다. 그런 다음, 조 공중합체를 메탄올 용액에 침전시키고 진공 여과에 의해 모아 속슬렛 추출과 메탄올로의 침전을 조합하여 정제하였다. 실시예 3은 하기에 예시된 반응식 4 및 M. Zhang 등의 Field - Effect Transistors Based on a Benzothiadiazole -Cyclopentadithiophene Copolymer, J. Am . Chem . Soc . 2007, 129, 3472-3473에 기초한 것이다.
실시예
4: 분자
모델링
공중합체 P1(상기 반응식 4에서 분류됨)(n=3)의 밴드 간격은 상업적으로 이용가능한 소프트웨어 패키지(윈도우용 Spartan'06™) 상에서 밀도 함수 이론(B3LYP, 6-31G*) 계산을 이용하여 2.1eV인 것으로 평가되었다. 상기 계산은 기체 상(phase)에서 이루어진 것으로 결합 효과(packing effect)는 설명하고 있지 않다는 점에 주의한다. 고체 상태에서의 물질의 밴드 간격은 콘쥬게이션 길이(n>3) 및 결합 효과가 고려된다면 훨씬 작을 것이라고 예상된다.
Claims (3)
1,000 내지 400,000달톤(Dalton)의 Mn을 갖고, 식 (1)의 벤조디티오펜 단량체 세그먼트로부터 유도되는 폴리티오펜; 및
방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X, 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합(divalent linkage)을 제공하는 화합물을 함유하는 폴리머 반도체:
상기 식에서,
R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이다.
방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X, 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합(divalent linkage)을 제공하는 화합물을 함유하는 폴리머 반도체:
상기 식에서,
R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이다.
벤조퀴논-디티오펜과 식 M-R'(이때, M은 MgX' 또는 Li이고, X'는 할로겐이며, R'는 탄화수소기임)의 시약을 반응시켜 중간체를 형성하는 단계;
결과물인 중간체를 환원하여 식 (1)의 4,8-2치환된 벤조디티오펜을 형성하는 단계;
벤조디티오펜의 2번 및 6번 위치를 적어도 하나의 붕소 시약 또는 적어도 하나의 할로겐 원자로 치환하는 단계;
방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X 및 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합을 제공하는 화합물을 벤조디티오펜의 2번 및 6번 위치에 공중합시켜 반복 단위를 얻는 단계; 및
상기 반복 단위를 중합하여 폴리머 반도체를 얻는 단계를 포함하는, 1,000 내지 400,000달톤의 Mn을 갖는 폴리티오펜을 함유하는 폴리머 반도체의 제조 방법.
결과물인 중간체를 환원하여 식 (1)의 4,8-2치환된 벤조디티오펜을 형성하는 단계;
벤조디티오펜의 2번 및 6번 위치를 적어도 하나의 붕소 시약 또는 적어도 하나의 할로겐 원자로 치환하는 단계;
방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X 및 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합을 제공하는 화합물을 벤조디티오펜의 2번 및 6번 위치에 공중합시켜 반복 단위를 얻는 단계; 및
상기 반복 단위를 중합하여 폴리머 반도체를 얻는 단계를 포함하는, 1,000 내지 400,000달톤의 Mn을 갖는 폴리티오펜을 함유하는 폴리머 반도체의 제조 방법.
1,000 내지 400,000달톤의 Mn을 갖고, 식 (1)의 벤조디티오펜 단량체 세그먼트로부터 유도되는 폴리티오펜; 및
방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X, 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합을 제공하는 화합물을 함유하는 폴리머 반도체를 포함하는 전자 장치:
상기 식에서,
R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이다.
방향족 또는 헤테로방향족 전자 수용체 화합물 X, 방향족 또는 헤테로방향족 화합물 Y 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 2가 결합을 제공하는 화합물을 함유하는 폴리머 반도체를 포함하는 전자 장치:
상기 식에서,
R1 및 R2는 수소 원자, 탄화수소기, 헤테로원자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되는 측쇄이다.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/689,613 US8304512B2 (en) | 2010-01-19 | 2010-01-19 | Benzodithiophene based materials compositions |
| US12/689,613 | 2010-01-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110085911A true KR20110085911A (ko) | 2011-07-27 |
| KR101831859B1 KR101831859B1 (ko) | 2018-02-23 |
Family
ID=43736527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110005062A KR101831859B1 (ko) | 2010-01-19 | 2011-01-18 | 폴리머 반도체 및 그 제조 방법과 전자 장치 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8304512B2 (ko) |
| JP (1) | JP2011151396A (ko) |
| KR (1) | KR101831859B1 (ko) |
| CN (1) | CN102127210A (ko) |
| CA (1) | CA2727497A1 (ko) |
| DE (1) | DE102011002579A1 (ko) |
| GB (1) | GB2477194B (ko) |
| TW (1) | TW201134849A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9634252B2 (en) | 2015-03-23 | 2017-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polymer and solar cell using the same |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3134458B1 (en) * | 2010-01-05 | 2023-11-01 | Raynergy Tek Inc. | Photovoltaic cell with benzodithiophene-containing polymer |
| US9365585B2 (en) * | 2010-02-15 | 2016-06-14 | Merck Patent Gmbh | Semiconducting polymers |
| KR101792896B1 (ko) | 2010-04-19 | 2017-11-20 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 벤조디티오펜의 중합체 및 유기 반도체로서의 이의 용도 |
| EP2734527B1 (en) * | 2011-07-21 | 2018-01-10 | Merck Patent GmbH | Conjugated polymers |
| CN102637636A (zh) * | 2011-08-24 | 2012-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| ITMI20112405A1 (it) | 2011-12-28 | 2013-06-29 | Eni Spa | Composto fotoluminescente o miscela di composti fotoluminescenti |
| JP6069787B2 (ja) * | 2012-03-08 | 2017-02-01 | 学校法人早稲田大学 | ベンゾジチオフェンキノンポリマー、電荷貯蔵材料、電極活物質、電極、及び電池 |
| TWI635111B (zh) | 2012-03-16 | 2018-09-11 | 馬克專利公司 | 共軛聚合物 |
| KR101424978B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2014-07-31 | 경상대학교산학협력단 | 길만시약 화합물을 이용한 헤테로 융합고리 화합물의 신규한 제조방법 |
| JP6207606B2 (ja) * | 2012-07-23 | 2017-10-04 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | ジチエノベンゾフランポリマーおよび電子的な応用のための小分子 |
| CN103664994A (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-26 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 苯并二噻吩类衍生物有机电致发光材料及其应用 |
| KR101948379B1 (ko) * | 2012-09-14 | 2019-02-14 | 도레이 카부시키가이샤 | 공액계 중합체, 이것을 사용한 전자 공여성 유기 재료, 광기전력 소자용 재료 및 광기전력 소자 |
| EP2927260B1 (en) * | 2012-11-30 | 2017-05-03 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. | Benzodithiophene based copolymer containing isoindoline-1,3-diketone units and preparing method and applications thereof |
| CN104045818B (zh) * | 2013-03-13 | 2016-08-24 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种含丙二烯缩硫脲-咔唑-苯并二噻吩共聚物及其制备方法与应用 |
| JP6103585B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-03-29 | オリヱント化学工業株式会社 | チエノチオフェン−ベンゾジチオフェン共重合体の製造方法 |
| CN103467712B (zh) * | 2013-08-27 | 2015-10-14 | 上海交通大学 | 二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备、用途 |
| WO2015146055A1 (ja) | 2014-03-24 | 2015-10-01 | 株式会社 東芝 | ポリマーとそれを用いた太陽電池 |
| CN104119354B (zh) * | 2014-05-14 | 2016-08-24 | 杭州师范大学 | 一种十字型苯并二噻吩化合物及其制备方法 |
| KR102103060B1 (ko) * | 2017-05-24 | 2020-04-21 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 태양 전지 |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6770904B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-08-03 | Xerox Corporation | Polythiophenes and electronic devices generated therefrom |
| US6949762B2 (en) | 2002-01-11 | 2005-09-27 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| DE10337077A1 (de) | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Covion Organic Semiconductors | Konjugierte Copolymere, deren Darstellung und Verwendung |
| DE602004024629D1 (de) * | 2003-10-15 | 2010-01-28 | Merck Patent Gmbh | Polybenzodithiophene |
| US7396852B2 (en) | 2005-11-16 | 2008-07-08 | Xerox Corporation | Compound having indolocarbazole moiety and divalent linkage |
| US7829727B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-11-09 | Xerox Corporation | Device containing compound having indolocarbazole moiety and divalent linkage |
| US7294850B2 (en) | 2004-06-10 | 2007-11-13 | Xerox Corporation | Device with small molecular thiophene compound having divalent linkage |
| US7102017B2 (en) * | 2004-06-10 | 2006-09-05 | Xerox Corporation | Processes to prepare small molecular thiophene compounds |
| US7312469B2 (en) | 2004-06-10 | 2007-12-25 | Xerox Corporation | Device with small molecular thiophene compound |
| DE102005010978A1 (de) | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Technische Universität Dresden | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
| US20080006324A1 (en) * | 2005-07-14 | 2008-01-10 | Konarka Technologies, Inc. | Tandem Photovoltaic Cells |
| US7919573B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-04-05 | Xerox Corporation | Polymer having thieno[3,2-b] thiophene moieties |
| US7632703B2 (en) | 2005-12-22 | 2009-12-15 | Xerox Corporation | Organic thin-film transistors |
| US8134144B2 (en) | 2005-12-23 | 2012-03-13 | Xerox Corporation | Thin-film transistor |
| US7397086B2 (en) | 2005-12-23 | 2008-07-08 | Xerox Corporation | Top-gate thin-film transistor |
| US20070145453A1 (en) | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Xerox Corporation | Dielectric layer for electronic devices |
| JP5229520B2 (ja) | 2006-03-14 | 2013-07-03 | 株式会社リコー | 新規なベンゾジチオフェン重合体 |
| US7449715B2 (en) | 2006-04-06 | 2008-11-11 | Xerox Corporation | Poly[bis(ethynyl)heteroacene]s and electronic devices generated therefrom |
| US8049205B2 (en) | 2006-04-06 | 2011-11-01 | Xerox Corporation | Poly(alkynylthiophene)s and electronic devices generated therefrom |
| US7528448B2 (en) | 2006-07-17 | 2009-05-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thin film transistor comprising novel conductor and dielectric compositions |
| US7834132B2 (en) | 2006-10-25 | 2010-11-16 | Xerox Corporation | Electronic devices |
| US7820782B2 (en) | 2006-10-25 | 2010-10-26 | Xerox Corporation | Poly(dithienylbenzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene) polymers |
| US7718998B2 (en) | 2006-12-14 | 2010-05-18 | Xerox Corporation | Thiophene electronic devices |
| US7875878B2 (en) | 2007-11-29 | 2011-01-25 | Xerox Corporation | Thin film transistors |
| US8319206B2 (en) | 2007-11-29 | 2012-11-27 | Xerox Corporation | Thin film transistors comprising surface modified carbon nanotubes |
| US20090181509A1 (en) | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Xerox Corporation | Polymer semiconductors with high mobility |
| US7994495B2 (en) | 2008-01-16 | 2011-08-09 | Xerox Corporation | Organic thin film transistors |
| JP2009215546A (ja) | 2008-02-13 | 2009-09-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 多環縮環化合物、多環縮環重合体及びこれらを含む有機薄膜 |
| US7968871B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-06-28 | Xerox Corporation | Organic thin film transistor |
| US8049209B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-11-01 | Xerox Corporation | Thin-film transistors |
| CN102149750B (zh) | 2008-07-18 | 2014-04-23 | 芝加哥大学 | 半导体聚合物 |
| US8367798B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-02-05 | The Regents Of The University Of California | Active materials for photoelectric devices and devices that use the materials |
| WO2010135701A1 (en) | 2009-05-21 | 2010-11-25 | Polyera Corporation | Conjugated polymers and their use in optoelectronic devices |
-
2010
- 2010-01-19 US US12/689,613 patent/US8304512B2/en active Active
-
2011
- 2011-01-12 DE DE102011002579A patent/DE102011002579A1/de active Pending
- 2011-01-12 CA CA2727497A patent/CA2727497A1/en not_active Abandoned
- 2011-01-13 TW TW100101208A patent/TW201134849A/zh unknown
- 2011-01-17 JP JP2011006629A patent/JP2011151396A/ja active Pending
- 2011-01-17 GB GB1100733.3A patent/GB2477194B/en active Active
- 2011-01-18 KR KR1020110005062A patent/KR101831859B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-18 CN CN2011100226269A patent/CN102127210A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9634252B2 (en) | 2015-03-23 | 2017-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polymer and solar cell using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102011002579A1 (de) | 2011-07-21 |
| GB2477194B (en) | 2016-05-04 |
| US20110178255A1 (en) | 2011-07-21 |
| JP2011151396A (ja) | 2011-08-04 |
| US8304512B2 (en) | 2012-11-06 |
| GB2477194A (en) | 2011-07-27 |
| KR101831859B1 (ko) | 2018-02-23 |
| GB201100733D0 (en) | 2011-03-02 |
| TW201134849A (en) | 2011-10-16 |
| CA2727497A1 (en) | 2011-07-19 |
| CN102127210A (zh) | 2011-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101831859B1 (ko) | 폴리머 반도체 및 그 제조 방법과 전자 장치 | |
| KR101561322B1 (ko) | 교대 도너 억셉터 공중합체를 주성분으로 하는 고성능 용액 가공성 반도체 중합체 | |
| KR20130040830A (ko) | 어닐링된 디티오펜 공중합체 | |
| KR20120101400A (ko) | 고분자 화합물 및 전자 소자 | |
| US8729220B2 (en) | Annellated dithiophene copolymers | |
| Wang et al. | Narrow band gap D–A copolymer of indacenodithiophene and diketopyrrolopyrrole with deep HOMO level: Synthesis and application in field‐effect transistors and polymer solar cells | |
| Mishra et al. | Mixed selenium-sulfur fused ring systems as building blocks for novel polymers used in field effect transistors | |
| Mahmood et al. | Novel isoindigo-based conjugated polymers for solar cells and field effect transistors | |
| US9580556B2 (en) | DPP with branched alkyl-chain or (and) fused thiophene with branched alkyl-chain and the related designing strategy to increase the molecular weight of their semi-conducting copolymers | |
| Peng et al. | Thieno [3, 4‐b] pyrazine‐based low bandgap photovoltaic copolymers: Turning the properties by different aza‐heteroaromatic donors | |
| CN111533886A (zh) | 一类含基于喹喔啉并苯并三唑的稠环单元的给体-受体型聚合物及其制备方法与应用 | |
| Hai et al. | Design and synthesis of triazoloquinoxaline polymers with positioning alkyl or alkoxyl chains for organic photovoltaics cells | |
| KR20150063122A (ko) | 중합체 및 그것을 사용한 유기 박막 태양 전지, 및 그 전지를 구비하여 이루어지는 전자 기기 | |
| WO2011052728A1 (ja) | 化合物及びそれを用いた素子 | |
| JP6247581B2 (ja) | 高分子化合物およびそれを用いた電子素子 | |
| Bathula et al. | Selenophene based benzodithiophene polymers as potential candidates for optoelectronic applications | |
| Shaik et al. | Synthesis of donor–acceptor copolymer using benzoselenadiazole as acceptor for OTFT | |
| Keshtov et al. | New donor–acceptor conjugated polymers based on benzo [1, 2-b: 4, 5-b′] dithiophene for photovoltaic cells | |
| JP2012162514A (ja) | ジチエノゲルモール重合体及びそれを含有した有機半導体デバイス | |
| Wu et al. | Synthesis and photovoltaic properties of an alternating polymer based fluorene and fluorine substituted quinoxaline derivatives | |
| Liu et al. | Random dithienosilole-based terpolymers: Synthesis and application in polymer solar cells | |
| Gedefaw et al. | An alternating copolymer of fluorene donor and quinoxaline acceptor versus a terpolymer consisting of fluorene, quinoxaline and benzothiadiazole building units: synthesis and characterization | |
| EP2927260B1 (en) | Benzodithiophene based copolymer containing isoindoline-1,3-diketone units and preparing method and applications thereof | |
| KR20060060776A (ko) | 유기 용매 용해성 폴리티오펜 유도체의 제조방법 및 그의용도 | |
| US20130253151A1 (en) | Organic semiconductor material, preparation methods and uses thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |