KR20110060945A - 오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드의 제조 방법 및 오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드 - Google Patents

오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드의 제조 방법 및 오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드 Download PDF

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KR1020117009188A
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조르주 자그돈
베르나르 응히엠
에디 루아예
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쌩-고벵 글래스 프랑스
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Abstract

본 발명은
유리 전이 온도 Tg를 갖는, 용매에 분산된 안정화된 중합체 콜로이드 나노입자 용액을 침착시켜 서브밀리미터(submillimetric) 구멍을 갖는 마스크(1)를 생성하는 단계;
직선 연부를 갖는 마스크(10)가 마스크가 얻어질 때까지 Tg 미만의 온도로 마스크 층을 건조시키는 단계;
그리드 물질로 칭해지는 전기전도성 물질을 침착시켜 전기전도성 그리드를 형성하는 단계;
그리드 물질을 갖는 마스크 층을 Tg의 0.8배 이상의 온도로 열-처리하여 마스크 영역 연부와 그리드의 측면 연부(31) 사이에 공간을 형성하는 단계;
소위 코팅 물질로 제조된 코팅으로 칭해지는 층을 그리드 상에 마스크(1) 영역 연부와 그리드의 측면 연부(31) 사이 공간으로 침착시키는 단계; 및
마스크 층을 제거하는 단계
를 포함하는, 기재(2) 상에 오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드(3)의 제조에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이렇게 수득된 그리드에 관한 것이다.

Description

오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드의 제조 방법 및 오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드 {METHOD FOR MANUFACTURING A SUBMILLIMETRIC ELECTRICALLY CONDUCTIVE GRID COATED WITH AN OVERGRID, AND SUBMILLIMETRIC ELECTRICALLY CONDUCTIVE GRID COATED WITH AN OVERGRID}
본 발명은 오버그리드(overgrid)로 코팅된 서브밀리미터(submillimetric) 전기전도성 그리드의 제조 방법 및 그러한 오버그리드로 코팅된 그리드에 관한 것이다.
마이크로미터 크기의 금속 그리드를 얻을 수 있게 하는 제조 기술은 공지되어 있다. 이것은 약 75 내지 85％의 광 투과율 (TL)을 유지하면서 1 ohm/square 미만의 표면 저항을 달성하는 장점을 갖는다. 이러한 그리드의 제조 방법은 액체 경로를 통한 화학적 공격 방법과 조합된 포토리소그래피 방법, 또는 레이저 삭마 기술(laser ablation technique)에 의해 금속 층을 에칭하는 기술을 바탕으로 한다.
또한, 전자기 차폐를 위해 사용되는, 금속 또는 금속-피복 중합체 와이어의 위빙(weaving)을 기초로 하는 자기-지지된 전기전도성 그리드가 공지되어 있다. 이러한 그리드는 20 ㎛ 이상의 치수를 갖는 스트랜드를 갖는다. 이러한 그리드는 평탄성 결함을 갖고 기계적으로 그다지 강하지 않으며, 위빙 및 실행 동안 제어된 장력을 필요로 하거나, 다수의 결함, 메쉬의 변형, 인열, 풀림 등의 위험이 존재한다.
또한, 특정 용도에서, 서브밀리미터 전기전도성 그리드를 코팅하고자 한다.
예를 들어, 심미적 이유를 위하여, 자동차 바람막이 창에서, 직조 텅스텐 또는 구리 와이어로 제조된 가열 그리드는 그래파이트로 감광(darkening)된다. 금속 와이어는 그리드의 위빙 또는 니팅(knitting) 전에 감광된다 (그래파이트의 현탁액으로 코팅).
따라서, 본 발명은 경제적이고, 신속하고/거나 단순화된 (제한된 수의 제조 단계 등) 재현가능한 코팅된 전기전도성 서브밀리미터 그리드의 제조 방법을 제안함으로써 선행 기술의 방법의 단점을 극복하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 목적은 특히 새로운 기능을 가능하게 함으로써 전기전도성 그리드를 기초로 이용가능한 제품 범위를 넓히는 것이다.
이러한 그리드의 광학 특성 및/또는 전기전도성 특성은 적어도 선행 기술의 것에 필적한다.
이러한 목적을 위하여, 본 발명의 제1 대상은
- 안정화되고 용매에 분산된 소정의 유리 전이 온도 Tg를 갖는 콜로이드 중합체 나노입자의 용액으로부터 마스킹 층을 침착시키고;
마스크 구역의 실질적으로 직선인 연부를 갖는 개구부의 네트워크를 갖는 마스크가 얻어질 때까지 상기 온도 Tg 미만의 온도에서 마스킹 층을 건조시키는 것을 포함하는, 주 표면 상에 네트워크 마스크로 칭해지는 서브밀리미터 개구부를 갖는 마스크를 생성하는 단계;
- 개구부의 깊이의 일부분이 충전될 때까지 그리드 물질로 칭해지는 1종 이상의 전기전도성 물질을 침착시키는 것을 포함하는, 네트워크 마스크로부터 전기전도성 그리드를 형성하는 단계;
- Tg의 0.8배 이상, 특히 Tg 내지 Tg의 1.5배의 온도에서 그리드 물질을 갖는 마스킹 층을 (국부적이거나 국부적이 아닐 수 있는) 열 처리하여 마스크 구역을 수축시켜 마스크 구역의 연부와 그리드의 측면 연부 사이에 공간을 형성하는 단계;
- 마스크 구역의 연부와 그리드의 측면 연부 사이의 공간에서 그리드 상에 덧층 물질로 칭해지는 물질로 제조된 덧층으로 칭해지는 층을 침착시키는 단계;
- 오버그리드로 코팅된 전기전도성 그리드가 나타날 때까지 마스킹 층을 제거하는 단계
를 포함하는, 기재, 특히 편평한 및/또는 투명한 기재의 주 표면 상에 오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드, 특히 (적어도 그리드 폭에 대해) 서브마이크로미터 크기의 그리드의 제조 방법이다.
본 발명에 따른 개구부의 네트워크를 갖는 마스크 및 본 발명에 따른 그의 제조 방법은 파악된 그리드에 대해 몇가지 장점을 갖는다. 열 처리 및 오버그리드의 첨가와 관련된 장점이 이하에 설명될 것이다.
따라서, 마스크는 네트워크의 적어도 하나의 특징적인 방향 (따라서, 기재의 표면에 평행함) 또는 심지어 2개의 (모든) 방향을 따라 랜덤한 비주기적 구조를 갖는다. 이어서, 그리드의 스트랜드의 배열은 실질적으로 개구부의 내트워크의 배열의 복제일 수 있다.
네트워크 마스크 구역의 연부는 실질적으로 직선이며, 즉 중간면을 따라 표면 (표면이 접평면에 대해 곡선을 이룰 경우)에 대해 80° 내지 100° 또는 심지어 85° 내지 95°이다.
마스크 구역의 직선 연부로 인하여 (열 처리 전과 후 둘다),
- 그리드를 형성하는 침착된 층이 불연속적이고 (연부를 따라 거의 또는 전혀 침착되지 않음);
- 오버그리드를 형성하는 침착된 층이 불연속적이다 (연부를 따라 거의 또는 전혀 침착되지 않음).
따라서, 오버그리드 및 커버된 그리드를 손상시키지 않고 (심지어 그리드 및 오버그리드로 코팅된) 마스크를 제거할 수 있다.
실질적으로 직선인 연부를 얻기 위하여,
- 바람직하게는 하나 이상의 특징적인 (평균) 치수, 예를 들어 10 내지 300 nm 또는 심지어 50 내지 150 nm의 평균 직경을 갖는 제한된 크기의 입자, 따라서 나노입자를 선택하여 그의 분산을 촉진시키고;
- (특히 표면 전하, 예를 들어 계면활성제를 통한 처리, pH의 조절에 의해) 나노입자를 용매에 안정화시켜 그것이 함께 응집되고/거나 침전되고/거나 중력으로 인해 떨어지는 것을 방지하는 것이 모두 필요하다.
또한, 나노입자의 농도를 바람직하게는 5 중량％ 또는 심지어 10 중량％ 내지 60 중량％, 보다 바람직하게는 20 중량％ 내지 40 중량％로 조정한다. 결합제의 첨가는 방지된다 (또는 마스크에 영향을 미치지 않을 정도로 충분한 소량).
이러한 특정 방법으로 인해, 낮은 비용으로 다음의 적합한 특징적인 치수의 랜덤 (형상 및/또는 크기) 비주기적 패턴으로 이루어진 마스크를 얻을 수 있다:
- 마이크로미터 크기이도록 선택된 네트워크의 개구부의 (평균) 폭 A(즉, 인접한 마스크 구역 사이의 거리) 또는 심지어 나노규모 폭 A는 특히 수백 나노미터 내지 수십 마이크로미터, 특히 200 nm 내지 50 ㎛이고;
- 마스크 구역 또는 패턴의 (평균) 크기 B(따라서, 인접 개구부 사이의 크기)는 밀리미터 또는 심지어 서브밀리미터, 특히 5 내지 500 ㎛, 또는 심지어 100 내지 250 ㎛이고;
- B/A 비는 특히 입자의 특성의 함수로서 특히 7 내지 20 또는 심지어 40으로 조정가능하고;
- 마스크의 소정 영역에서 또는 심지어 표면의 대부분 또는 전체에 걸쳐 개구부의 최대 폭과 개구부의 최소 폭 사이의 차이는 4 미만, 또는 심지어 2 이하이고;
- 마스크의 소정 영역에서 또는 심지어 표면의 대부분 또는 심지어 전체에 걸쳐 최대 패턴 치수와 최소 패턴 치수 사이의 차이는 4 미만 또는 심지어 2 이하이고;
- 개구 패턴 (비관통 또는 "차단" 개구부)의 양, 즉 상호 연결 파열의 양은 마스크의 소정 영역에서 또는 심지어 표면의 대부분 또는 전체에 걸쳐 5％ 미만 또는 심지어 2％ 이하이므로, 임의로 감소되고 네트워크의 에칭에 의해 제거될 수 있는 제한된 또는 심지어 거의 0의 네트워크 파열을 갖고;
- 소정 패턴, 즉 표면의 소정 영역에서 또는 표면의 전체에 걸쳐 대부분 또는 심지어 모든 패턴에 대해, 패턴의 최대 특징 치수와 패턴의 최소 특징 치수 사이의 차이는 2 미만이어서 등방성을 강화시키고;
- 네트워크의 세그먼트의 대부분 또는 심지어 모두에 대해, 연부는 특히 10 ㎛의 규모(예를 들어, 200 배율을 갖는 광학 현미경으로 관찰됨)로 일정하게 이격되고 평행하다.
폭 A는, 예를 들어 1 내지 20 ㎛, 또는 심지어 1 내지 10 ㎛일 수 있고, B는 50 내지 200 ㎛일 수 있다.
따라서, 본 발명의 방법을 통해, 개구부의 메쉬를 형성할 수 있고, 이것은 전 표면에 걸쳐 분포되어 등방성을 얻을 수 있다.
마스크의 두께는 서브마이크로미터 크기 내지 수십 마이크로미터 이하일 수 있다. 마스크 층이 두꺼울수록 폭 A (및 B)는 커진다.
개구부에 의해 한정된 패턴 (및 따라서, 그리드 및/또는 오버그리드의 메쉬)은 전형적으로 3, 4 또는 5개의 변, 예를 들어 우세하게는 4개의 변을 갖는 다양한 형상 및/또는 랜덤하게 비주기적으로 분포된 다양한 크기를 갖는다.
대부분 또는 모든 패턴 (각각 메쉬)에 대해, 메쉬의 2개의 인접한 면 사이의 각은 60° 내지 110°, 특히 80° 내지 100°일 수 있다.
한 배열에서, 개구부 (임의로 대략 평행함)를 갖는 주요 네트워크 및 위치 및 거리가 랜덤한 개구부의 제2 네트워크 (임의로 평행한 네트워크에 대략 수직함)가 수득된다. 제2 개구부는, 예를 들어 주요 개구부보다 작은 폭을 갖는다.
이것은 후속적으로 개구부의 폭 A와 실질적으로 동일한 평균 스트랜드 폭 A' 및 (메쉬의) 개구부 사이의 공간 B와 실질적으로 동일한 스트랜드 사이의 (평균) 공간 B'로 정의되는 그리드를 생성할 수 있게 한다.
특히, 스트랜드의 크기 A'는 바람직하게는 수십 마이크로미터 내지 수백 나노미터일 수 있다. 비 B'/A'는 7 내지 20 또는 심지어 30 내지 40에서 선택될 수 있다.
또한, 일반적으로 규칙적이고 주기적인 형상 (정사각형, 직사각형)의 포토리소그래피에 의해 제조된 선행 기술의 그리드의 특정적인 치수는 회절 패턴의 점 광원에 의해 조사될 때 공급원인, 예를 들어 300 ㎛ 이격된 20 내지 30 ㎛ 폭의 금속 스트랜드의 네트워크를 형성한다. 그리고, 랜덤 패턴을 갖는 그리드를 제조하는 것은 훨씬 더 어렵고 비용이 많이 들 것이다. 생성되는 각각의 패턴은 특정 마스크를 필요로 할 것이다.
또한, 이러한 선행 기술의 제조 기술은 약 수십 ㎛의 분해능을 가져서 패턴이 심미적으로 보이게 한다.
또한, 매우 미세한 와이어의 위빙은 그 자체로 결점을 가져서, 특히 비교적 큰 직경의 와이어 (> 40 ㎛)를 필요로 한다. 그리고, 위빙은 단지 주기적인 패턴만을 생성할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 네트워크 마스크는 임의의 크기의 다른 형상의 불규칙한 그리드를 저렴한 비용으로 계획할 수 있게 한다. 따라서, 그리드는 적어도 하나의 (그리드) 방향에서 랜덤하다.
건조는 마스킹 층의 수축 및 표면에서 나노입자의 마찰을 야기시켜 이완을 통해 개구부를 형성하는 층에 인장 응력을 생성한다.
따라서, 건조 후, 나노입자의 스택이, 그 자체가 다양한 크기를 갖는 개구부에 의해 분리된 다양한 크기의 클러스터 형태로 얻어진다. 나노입자는 함께 응집될 경우에도 여전히 식별가능하다. 나노입자는 용융되어 연속 층을 형성하지 않는다.
건조는 개구부의 네트워크의 생성을 위한 유리 전이 온도 미만의 온도에서 수행된다. 실제로, 이 유리 전이 온도 초과에서, 연속 층 또는 적어도 전체 두께에 걸쳐 연속적인 개구부를 갖지 않는 층이 형성되는 것으로 관찰되었다.
따라서, 단순히 (경질), 바람직하게는 구형 나노입자의 스택으로 이루어진 약한 접착 층을 기재 상에 침착시킨다. 이러한 경질 나노입자는 그 자체들 간에 또는 기재의 표면과 강한 화학 결합을 형성하지 않는다. 층의 응집은 반 데르 발스(van der Waals) 힘 또는 정전기력 유형의 약한 힘에 의해 모두 동일하게 제공된다.
플롯은 나노입자의 클로스터로 이루어져있기 때문에, 열 처리 동안 온도의 작용 하에 마스크 구역 또는 플롯은 조밀해지는 것으로 나타났다. 플롯의 크기 (B)는 감소하고, 그의 표면적 (및 또한 그의 두께)은 감소한다. 따라서, 이러한 열 처리를 통해, 마스크의 특징적인 치수, 메쉬의 개구부와 메쉬의 폭 사이의 비가 변형된다.
바람직하게는, 가열 시간은 처리 온도의 함수로서 조정된다. 전형적으로, 상기 시간은 1시간 미만, 바람직하게는 1분 내지 30분이다.
또한, 마스크의 압축은 기재에 대한 접착을 개선시켜 가능한 제거 단계(콜로이드가 수용액으로부터 침착될 경우 물로 간단히 세척함)를 유지하면서 취급을 더 용이하게 만든다 (그의 절단을 방지함).
열 처리는 국부적이거나 그리드 전 표면에 걸쳐 존재할 수 있다.
열 처리에 의해 변형된 구역(들)은 임의의 형상의 주변 또는 중심에 존재할 수 있다.
따라서, 콜로이드 마스크의 압축을 위한 열 처리에 의해, 새로운 마스크에 의존하지 않고(포토리소그래피 또는 에칭의 경우) 국부적으로 또는 전 표면에 걸쳐 그의 특징적인 치수를 변형시킬 수 있다.
이어서, 메쉬의 형상(폭, 높이)을 국부적으로 변형시키고, 전도성 구배를 갖는 구역을 생성할 수 있다. 나머지를 차갑게 유지하면서 국부적으로 가열할 수 있다.
이어서, B/A 비는 예를 들어 제1 그리드 영역 및 제2 그리드 영역에서 2배 이상 상이하다. 제1 및 제2 영역은 상이한 또는 동일한 형상 및/또는 상이한 또는 동일한 크기를 가질 수 있다.
따라서, 다양한 메쉬 개구부/스트랜드 크기 비를 이용하여,
- 광 투과율 구배;
- 전력 구배 (가열, 해동, 비-직사각형 표면 상에 균질한 열 흐름 생성에 적용)
를 갖는 구역을 생성할 수 있다.
동일한 방식으로, 오버그리드의 침착은 열-처리된 그리드 구역 모두 또는 이러한 구역의 하나 이상의 부분에 존재할 수 있다.
열 처리는 플롯의 연부 및 그리드의 측면 연부를 갖는 충분한 공간을 제거하여 추가의 침착이 그리드를 (바람직하게는 전체) 커버하고, 그것을 둘러쌀 수 있다.
오버그리드를 사용하여 임의로 그다지 접착성이 아닌 그리드를 마스크의 제거 동안 및 후속 작업 동안 보호할 수 있다.
그리드 연부는 직선 마스크 연부 및 오버그리드 침착 방법 (바람직하게는 PVD 유형)으로 인하여 경사지고, 따라서, 오버그리드는 그리드를 연속적으로 완전히 커버한다. 오버그리드의 두께는 반드시 일정하지는 않다 (예를 들어, 그리드의 측면 상에서 더 얇음).
포토리소그래피 유형의 기술을 통해, 이러한 오버그리드를 한 단계로 생성할 수 없을 것이다. 그것은 정렬 후 리프트-오프(lift-off)된 마스킹을 개조할 필요가 있을 것이며, 이는 비용이 많이 들고 복잡하다.
또한, 방법은 개구부를 통해 그리드 아래에 언더그리드로 칭해지는 층, 특히 그리드의 접착을 위한 언더그리드, 알칼리 금속에 대한 장벽인 언더그리드 등의 침착을 포함한다.
본 발명에 따른 방법을 통해, 물질의 몇개의 층의 에칭을 목적으로 할 경우, 특히 복잡하고 비용이 많이 드는 포토리소그래피 유형의 기술이 생략된다. 이것은 다양한 스택 물질을 동일한 속도로 에칭하여 오버에칭을 방지하는 에칭 용액을 찾는 것을 필요로 한다.
특히 유리에 대한 그리드 물질, 특히 금속 (은, 금, 구리 등)의 접착을 촉진시키기 위한 층으로서, NiCr, Ti, Nb, Al 또는 단일 또는 혼합, 도핑 또는 비도핑 금속 산화물 (ITO 등)을 기재로 하는 층, 예를 들어 5 nm 이하의 두께를 갖는 층을 선택할 수 있다.
알칼리 금속에 대한 장벽 물질 또는 감광 물질의 예가 이후에 기재될 것이다.
따라서, 간단함을 위하여, 지향성인 (및 바람직하게는 동일한) 그리드 물질 및 오버그리드 물질 및 임의로 언더그리드 물질을 침착시키기 위한 기술이 바람직할 수 있다. 침착은 개구부를 통해 및 마스크 상에 모두 수행될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시양태에서, 임의로, 추가로 다음의 배열 중 하나 및/또는 모두에 의존할 수 있다:
- 그리드 물질의 침착이 마스크 개구부의 일부분을 충전시키고 또한 마스크의 표면을 커버하고;
- 그리드 물질의 침착이 특히 플라즈마에 의한 대기압 침착, 스퍼터링 또는 증발에 의한 진공하 침착이고;
- 오버그리드 물질의 침착이 마스크 개구부의 일부분을 충전시키고 (그리드를 커버하고) 또한 마스크의 표면을 커버하고;
- 오버그리드 물질의 침착이 특히 플라즈마에 의한 대기압 침착, 스퍼터링 또는 증발에 의한 진공하 침착이고;
- 언더그리드 물질의 침착이 마스크 개구부의 일부분을 충전시키고 또한 마스크의 표면을 커버하고;
- 언더그리드 물질의 침착이 특히 플라즈마에 의한 대기압 침착, 스퍼터링 또는 증발에 의한 진공하 침착이다.
따라서, 대기압에서 수행될 수 있고/거나 간단(특히 불가피하게 촉매를 필요로 하는 촉매 침착보다 더 간단)하고/거나 조밀한 침착물을 제공하는 하나 이상의 침착 기술을 선택할 수 있다.
그리드 층 또는 오버그리드 층 또는 언더그리드 층의 침착 방법은 임의로 플라즈마-보조된 진공 열 증발 유형 (드레스덴의 프라운호퍼(Fraunhofer of Dresden)에 의해 개발된 기술)일 수 있으며, 그것은 마그네트론 스퍼터링에 의해 얻어진 것보다 더 큰 침착 속도를 갖는다.
바람직하게는, 그리드 침착, 열 처리 및 오버그리드 침착 (및 바람직하게는 임의의 언더그리드 침착)은 진공의 해소없이 동일한 침착 챔버 (예를 들어, 스퍼터링 또는 증발 침착 챔버)에서 수행된다.
기재는 염색될 수 있다.
네트워크 마스크를 수용하는 기재는 편평하거나 곡선을 이룰 수 있다.
그의 주 표면은 직사각형, 정사각형 또는 심지어 임의의 다른 형상 (원형, 타원형, 다각형 등)일 수 있다. 이러한 기재는 예를 들어 0.02 ㎡ 초과 또는 심지어 0.5 ㎡ 초과 또는 1 ㎡ 초과의 표면적을 갖는 큰 크기를 가질 수 있다.
기재는 실질적으로 투명한 무기 물질 이거나, 플라스틱, 예컨대 폴리카르보네이트 PC 또는 폴리메틸 메타크릴레이트 PMMA 또는 그 밖에 PET, 폴리비닐 부티랄 PVB, 폴리우레탄 PU, 폴리테트라플루오로에틸렌 PTFE 등으로 제조될 수 있다.
마스크를 수용하는 기재는 알칼리 금속에 대한 장벽일 수 있는 연속적인 하층 (특히 기재에 가장 근접한 베이스 층)을 포함할 수 있다.
이러한 하층은 (특히 전극을 형성하기 위한) 전기전도성 침착의 경우 임의의 오염(박리와 같은 기계적 결함을 야기시킬 수 있는 오염)으로부터 그리드 물질을 보호하고, 추가로 그의 전기전도성을 보존한다.
베이스 층은 다양한 기술에 따라 강하고, 신속하고, 용이하게 침착된다. 그것은, 예를 들어 열분해 기술에 의해, 특히 화학 증기 상 (종종 "화학 증착"에 대한 약어 CVD로 나타내지는 기술)으로 침착될 수 있다. 이러한 기술은 침착 파라미터의 적절한 조정이 강화된 장벽을 위한 매우 조밀한 층을 얻을 수 있게 하기 때문에 본 발명에 유리하다.
베이스 층은 임의로 알루미늄 및/또는 붕소로 도핑시켜 그의 침착을 진공하에 더 안정하게 할 수 있다. 베이스 층 (임의로 도핑된 단일층 또는 다층)은 10 내지 150 nm, 보다 바람직하게는 15 내지 50 nm의 두께를 가질 수 있다.
베이스 층은 바람직하게는
- 산화규소, 규소 옥시카바이드를 기재로 할 수 있고(화학식 SiOC의 층);
- 질화규소, 규소 옥시니트라이드, 규소 옥시카르보니트라이드를 기재로 할 수 있다(화학식 SiNOC, 특히 SiN, 특히 Si3N4의 층).
매우 특별하게는 도핑된 또는 비도핑된 질화규소 Si3N4로 (우세하게) 제조된 베이스 층이 바람직할 수 있다. 질화규소는 매우 신속하게 침착되고, 알칼리 금속에 대해 우수한 장벽을 형성한다.
대기압 플라즈마 공급원을 사용하여 개구부의 네트워크를 세척할 수 있다.
방법은 콜로이드 용액의 건조로부터 제조된 마스크를 사용하므로, 마스크의 침착 표면은 수성 용매의 경우 물 또는 사용된 다른 용매와 필수적으로 화학적으로 안정하고, 표면은 바람직하게는 친수성이다.
마스킹 층의 침착을 위한 표면은 필름-형성 표면, 특히 바람직하게는 이미 보여진 바와 같이, 용매가 수성일 경우 친수성 표면이다. 이것은
- 기재: 유리, 플라스틱 (예를 들어, 폴리우레탄 또는 폴리카르보네이트), 친수성이 되도록 임의로 (예를 들어, 플라즈마에 의해) 처리된 플라스틱, 예를 들어 처리된 PET, 처리된 PMMA의 표면; 또는
- 임의로 관능성 부가 연속 하층: 친수성 층 (예를 들어, 소수성 플라스틱, 예컨대 PET 및 PMMA 상 실리카 층), 마스크의 충분한 접착을 촉진시키기 위한 층; 및/또는 이미 기재된 바와 같은 알칼리 금속 장벽 층; 및/또는 (마지막 층으로서) 그리드 물질의 접착을 촉진시키기 위한 층; 및/또는 (투명한) 전기전도성 층 및/또는 장식용, 착색된 또는 불투명한 층의 표면이다.
마스크 층과 기재 사이에 몇개의 하층이 존재할 수 있다.
180℃ 이하, 보다 바람직하게는 150℃ 이하의 온도에서 열 처리를 수행할 수 있게 하는 Tg가 선택된다.
바람직하게는 50℃ 내지 120℃의 Tg가 선택된다.
건조는 한 단계로 용매의 제거 및 개구부의 형성을 초래할 수 있다.
수득된 마스크는 고도의 염기성 용액을 필요로 하지 않고 또는 잠재적으로 유기 화합물을 오염시키지 않고 순수한 냉수 또는 온수를 사용하여, 특히 수성 용매를 사용하여 쉽게 제거될 수 있다.
용액의 나노입자에 대해 충분히 높은 Tg를 선택함으로써, 건조 단계 (바람직하게는 용액의 침착 단계와 유사)를 (실질적으로) 50℃ 미만의 온도, 바람직하게는 전형적으로 20℃ 내지 25℃의 주위 온도에서 수행할 수 있다.
용액의 입자의 소정의 유리 전이 온도 Tg 및 건조 온도 사이의 차이는 바람직하게는 10℃ 초과 또는 심지어 20℃ 초과이다.
마스킹 층의 건조 단계는 실질적으로 예를 들어 진공하 건조보다는 대기압에서 수행될 수 있다.
건조 파라미터 (제어 파라미터), 특히 습도 및 건조 속도를 변형시켜 개구부 사이의 거리 B, 개구부의 크기 A 및/또는 B/A 비를 조정할 수 있다.
습도가 높을수록 (다른 모든 것은 동일함) A는 낮다.
온도가 높을수록 (다른 모든 것은 동일함) B는 높다.
표준 액체 기술을 통해 콜로이드의 용액 (수성 또는 비수성)을 침착시킬 수 있다.
특히 기재 및 기재의 표면의 나노텍스쳐링(nanotexturing)에 의한 압축 콜로이드 사이의 마찰 계수, 나노입자의 크기 및 초기 입자 농도, 용매의 특성 및 침착 기술에 따라 달라지는 두께로부터 선택된 다른 제어 파라미터를 변형시켜 B, A 및/또는 B/A 비를 조정할 수 있다.
농도가 높을수록 (다른 모든 것은 동일함) B/A는 낮다.
습식 기술로서, 다음이 언급된다:
- 스핀 코팅;
- 커튼 코팅;
- 딥 코팅;
- 스프레이 코팅; 및
- 플로우(flow) 코팅.
이미 형성된 나노입자를 갖는 용액은 원래 안정할 수 있으며, 바람직하게는 중합체 전구체 유형의 반응성 원소를 함유하지 않는다 (또는 무시할만한 양으로 함유함).
용매는 바람직하게는 수계이거나, 심지어 완전히 수성이다.
콜로이드의 용액은 (바람직하게는 수계이거나 심지어 완전히 수성인 용매와 함께) 중합체 나노입자를 포함한다
예를 들어, 아크릴 공중합체, 스티렌, 폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르 또는 이들의 혼합물이 선택된다.
따라서, 마스킹 층 (건조 전)은 본질적으로 식별가능하고 중합체인 콜로이드 나노입자 (따라서, 용매에 불용성인 물질의 나노입자)의 스택으로 이루어질 수 있다.
중합체 나노입자는 바람직하게는 고체 수-불용성 중합체로 이루어질 수 있다.
표현 "본질적으로 이루어진"은 마스킹 층이 임의로 마스크의 특성(네트워크의 형성, 용이한 제거 등)에 영향을 미치지 않는 다른 화합물을 미량으로 포함할 수 있다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
콜로이드 수용액은 바람직하게는 임의의 다른 화학 제제 (예컨대, 안료, 결합제, 가소제 등)를 제외할 만큼 물 및 중합체 콜로이드 입자로 이루어진다. 또한, 콜로이드 수성 분산액은 바람직하게는 마스크를 형성하기 위하여 사용되는 유일한 화합물이다.
따라서, 건조 후 네트워크 마스크는 본질적으로 나노입자, 바람직하게는 식별가능한 중합체 나노입자의 스택으로 이루어질 수 있다. 중합체 나노입자는 고체 수-불용성 중합체로 이루어진다.
용액은 추가로 바람직하게는 실리카, 알루미나 또는 산화철의 무기 나노입자를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 마스크의 제거는 (임의로 고온하에 및/또는 초음파에 의해 보조된) 그리드에 대해 불활성인 용매, 예를 들어 물, 아세톤 또는 알코올에 의한 액체 경로를 통해 수행된다.
또한, 그리드 물질의 침착을 수행하기 전에 개구부의 네트워크를 세척할 수 있다.
또한, 본 발명은 특히 상기에 이미 기재된 제조 방법으로부터 형성된 오버그리드로 코팅된 그리드를 갖는 투명한 기재에 관한 것이다.
그리드를 갖는 기재의 광 투과율과 코팅된 그리드를 갖는 기재의 광 투과율 사이의 차이는 바람직하게는 25％ 이하, 보다 바람직하게는 10％ 이하이다.
오버그리드는 특히 금속 (은, 알루미늄, 구리 등) 오버그리드에 대해 그리드를 커버하고 둘러싸는 부식-방지 층을 포함한다.
덧층 물질(들)로서,
- 질화규소, 실리카 (광 투과율을 변형시키지 않음);
- 카르보니트라이드;
- 예를 들어 알루미늄에 대해 그리드 물질보다 덜 산화성인 금속 (Cr, Mo, NiCr로부터 선택)
을 선택할 수 있다.
예를 들어, 충분한 부식 방지를 위하여, 다음이 선택된다:
- 10 nm 이상, 바람직하게는 그리드 두께의 절반 미만, 100 nm 이하의 오버그리드 두께;
- A'/2 이상 및 3A' 이하, 바람직하게는 2A' 이하의 그리드 연부로부터 출발하는 오버그리드의 폭.
바람직하게는, 오버그리드 물질로 제조되고, 바람직하게는 50 nm 이하의 두께를 갖는 부식-방지 하층이 첨가된다.
따라서, 캡슐화가 완료된다.
오버그리드는 10％ 미만의 반사 순도 Pe 및 약 청색 스펙트럼 (약 480 nm)의 우세한 반사 파장을 갖는 감광 층을 포함할 수 있다.
이것은 특히 약 적색 스펙트럼 (약 600 nm)의 우세한 반사 파장을 갖는 감광 구리를 위해 사용될 수 있다.
덧층 물질(들)로서, Cr, NiCr이 선택될 수 있다.
이러한 광 반사의 감소 (적색에서 청색 스펙트럼으로 통과)는 심미성을 개선시킨다.
예를 들어, 충분한 감광을 위하여 다음이 선택된다:
- 20 nm 이상, 바람직하게는 그리드의 두께의 절반 미만의 오버그리드 두께;
- A'/2 이상 및 2A' 이하, 바람직하게는 1.5 A' 이하의 그리드 연부로부터 출발하는 오버그리드의 폭.
바람직하게는, 특히 오버그리드 물질로 제조되고, 바람직하게는 50 nm 이하의 두께를 갖는 감광 하층이 첨가된다.
그레이징(grazing) 입사로 그리드를 관찰함으로써, 그리드는 전 표면에 걸쳐 흑색으로 보인다.
또한, 오버그리드 물질은 상기 그리드 물질로 제조될 수 있다. 따라서, 스트랜드는 연부에서보다 중심에서 더 두껍다. 또한, 이것은 전기전도성을 증가시킬 수 있다.
오버그리드는 생성물의 제조를 위한 후속 단계와 상용성일 수 있게 한다.
예를 들어, 오버그리드는 구리 그리드 상 그리드 금속 확산 장벽 층, 예를 들어 알루미늄 또는 몰리브덴으로 제조된 장벽 층일 수 있다. 구리는 임의의 유기 층, 예를 들어 OLED 장치의 유기 층을 오염시킨다.
예를 들어, 오버그리드는 간층 (특히, PVB)과 불충분한 상용성을 갖는 산화성 금속 그리드 (구리 등)의 라미네이션을 촉진시키기 위하여 산화물 (금속 산화물 등)로 제조될 수 있다.
예를 들어, 오버그리드는 필요할 경우, 절연성 또는 전도성인 에칭-중단 층을 포함할 수 있다.
그리드는 하층, 예를 들어 이미 나타낸 바와 같은 친수성 및/또는 접착-촉진 및/또는 장벽 및/또는 장식용 하층 상에 침착될 수 있다.
그리드 (및 그의 오버그리드, 그의 언더그리드)는 불규칙할 수 있고, 즉 랜덤한 비주기적 메쉬(스트랜드에 의해 한정된 폐쇄 패턴)를 갖는 스트랜드의 2차원 메쉬 네트워크일 수 있다.
그리드 (또는 그의 오버그리드)는 다음의 특징 중 하나 이상을 가질 수 있다:
- 스트랜드의 서브밀리미터 (평균) 폭 (A')에 대한 스트랜드 사이의 (평균) 공간 (B')의 비 7 내지 40;
- 그리드 패턴은 랜덤 (비주기적)이고 다양한 형상 및/또는 크기를 가짐;
- 메쉬는 3 및/또는 4 및/또는 5개의 변, 예를 들어 대부분은 4개의 변을 가짐;
- 그리드는 적어도 하나의 방향, 바람직하게는 2 방향으로 비주기적 (또는 랜덤) 구조를 가짐;
- 소정 영역 또는 전 표면에 걸쳐 대부분 또는 심지어 모든 메쉬의 경우, 메쉬의 가장 큰 특징적인 치수와 메쉬의 가장 작은 특징적인 치수 사이의 차이가 2 미만임;
- 대부분 또는 심지어 모든 메쉬의 경우, 한 메쉬의 인접한 2개의 변 사이의 각도가 60° 내지 110°, 특히 80° 내지 100°일 수 있음;
- 소정의 그리드 영역에서 또는 심지어 표면의 대부분 또는 전부에 걸쳐 최고 스트랜드의 폭과 최소 스트랜드의 폭 사이의 차이는 4 미만, 또는 심지어 2 이하임;
- 소정의 그리드 영역에서 또는 심지어 표면의 대부분 또는 전부에 걸쳐 비-실링된 메쉬 및/또는 절단된 ("차단") 스트랜드 세그먼트의 양이 5％ 미만 또는 심지어 2％ 이하, 즉 제한된 또는 심지어 거의 0의 네트워크 파열을 가짐;
- 소정의 그리드 영역에서 또는 심지어 표면의 대부분 또는 전부에 걸쳐 최고 메쉬 치수 (메쉬를 형성하는 스트랜드 사이의 공간)와 최소 메쉬 치수의 차이는 4 미만 또는 심지어 2 이하임;
- 대부분의 부품의 경우, 스트랜드 연부는 10 ㎛ (예를 들어, 200 배율을 갖는 광학 현미경으로 관찰됨) 규모로 특히 실질적으로 선형으로 평행하게 연속적으로 이격되어 있음.
본 발명에 따른 그리드는 등방성 전기 특성을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 불규칙한 그리드는 점 광원을 회절시킬 수 없다.
그리드의 스트랜드의 두께는 두께가 실질적으로 일정하거나, 기저에서 더 넓어질 수 있다.
그리드 (및 그의 오버그리드)는 스트랜드(임의로 대략 평행함)를 갖는 주요 네트워크 및 스트랜드(임의로 평행한 네트워크에 대략 수직함)의 제2 네트워크를 포함할 수 있다.
그리드는 이미 나타낸 바와 같이 플라스틱 도는 무기 물질로 제조된 기재, 특히 유리 기능을 갖는 기재의 표면의 적어도 일부분 상에 침착될 수 있다.
전기전도성 그리드 (또는 그의 오버그리드)는 0.1 내지 30 ohm/square의 시트 저항을 가질 수 있다. 유리하게는, 본 발명에 따른 전기전도성 그리드는 특히 1 ㎛ 이상, 바람직하게는 10 ㎛ 미만 또는 심지어 5 ㎛ 이하의 그리드 두께에 대해 5 ohm/square 이하 또는 심지어 1 ohm/square 이하 또는 심지어 0.5 ohm/square 이하의 시트 저항을 가질 수 있다.
B'/A' 비는 예를 들어 제1 그리드 영역 및 제2 그리드 영역에서 2배 이상 상이할 수 있다. 제1 및 제2 영역은 상이한 또는 동일한 형상 및/또는 상이한 또는 동일한 크기를 가질 수 있다.
따라서, 다양한 메쉬 개구부/스트랜드 크기 비를 이용하여
- 광 투과율 구배; 및
- 전력 구배 (가열, 해동, 비-직사각형 표면에 걸쳐 균질한 열 흐름을 생성하기 위하여 적용)
를 갖는 구역을 생성할 수 있다.
그리드 (및 그의 오버그리드)의 광 투과율은 스트랜드의 평균 폭 A에 대한 스트랜드 사이의 평균 거리 B의 B/A 비에 따라 달라진다.
바람직하게는, B/A 비는 5 내지 15이고, 보다 바람직하게는 약 10이어서 투명성을 용이하게 유지하고, 제조를 용이하게 한다. 예를 들어, B 및 A는 각각 약 50 ㎛ 및 5 ㎛이다.
특히, 평균 스트랜드 폭 A는 그의 가시성을 제한하기 위하여 100 nm 내지 30 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 이하 또는 심지어 5 ㎛ 이하에서 선택되고, 제조를 용이하게 하고 높은 전도성 및 투명성을 용이하게 유지하기 위하여 1 ㎛ 이상에서 선택된다.
또한, 특히, 투명성을 용이하게 유지하기 위하여 A'보다 큰 스트랜드 사이의 평균 거리 B'는 5 ㎛ 내지 300 ㎛, 또는 심지어 20 내지 100 ㎛에서 선택될 수 있다.
스트랜드의 두께는 투명성 및 높은 전도성을 용이하게 유지하기 위하여 100 nm 내지 5 ㎛, 특히 마이크로미터 크기, 보다 바람직하게는 0.5 내지 3 ㎛일 수 있다.
본 발명에 따른 그리드는 큰 표면적, 예를 들어 0.02 ㎡ 이상 또는 심지어 0.5 ㎡ 이상 또는 1 ㎡ 이상의 표면적에 걸쳐 존재할 수 있다.
B'/A' 비 (스트랜드의 폭, 즉 스트랜드의 크기 A'에 대한 스트랜드 사이의 공간 B')를 변형시킴으로써, 그리드에 대해 1 내지 20％의 헤이즈 값이 얻어진다.
기재는 이미 보여진 바와 같이 실질적으로 투명할 수 있다. 기재는 실질적으로 투명할 경우, 및 무기 물질 (예를 들어, 소다-석회-실리카 유리)을 기재로 할 경우, 또는 플라스틱 (예컨대, 폴리카르보네이트 PC 또는 폴리메틸 메타크릴레이트 PMMA)을 기재로 할 경우, 유리 기능을 가질 수 있다.
UV 방사선을 투과시키기 위하여, 기재는 바람직하게는 석영, 실리카, 플루오르화마그네슘 (MgF2) 또는 플루오르화칼슘 (CaF2), 보로실리케이트 유리 또는 0.05％ 미만의 Fe2O3를 갖는 유리로부터 선택될 수 있다.
예를 들어, 두께 3 mm의 경우:
- 마그네슘 또는 칼슘 플루오라이드는 UV 대역의 전 범위, 즉 UVA (315 내지 380 nm), UVB (약 280 내지 315 nm), UVC (200 내지 280 nm) 및 VUV (약 10 내지 200 nm)에 걸쳐 80％ 초과 또는 심지어 90％ 초과를 투과시키고;
- 석영 및 특정 고순도 실리카는 UVA, UVB 및 UVC 대역의 전 범위에 걸쳐 80％ 초과 또는 심지어 90％ 초과를 투과시키고;
- 보로실리케이트 유리, 예컨대 쇼트(Schott)로부터의 보로플로트(Borofloat; 등록상표)는 전체 UVA 대역에 걸쳐 70％ 초과를 투과시키고;
- 0.05％ 미만의 Fe(III) 또는 Fe2O3를 갖는 소다-석회-실리카 유리, 특히 쌩-고벵(Saint-Gobain)으로부터의 유리 디아만트(Diamant; 등록상표), 필킹톤(Pilkington)으로부터의 유리 옵티화이트(Optiwhite; 등록상표) 및 쇼트로부터의 유리 B270은 전체 UVA 대역에 걸쳐 70％ 초과 또는 심지어 80％ 초과를 투과시킨다.
그러나, 소다-석회-실리카 유리, 예컨대 쌩-고벵에 의해 시판되는 유리 플라닐럭스(Planilux; 등록상표)는 360 nm 초과에서 특정 구조 및 특정 용도에 충분할 수 있는 80％ 초과의 투과율을 갖는다.
또한, 소정의 적외선 대역, 예를 들어 1 ㎛ 내지 5 ㎛에서 투명한 기재가 선택될 수 있다. 예를 들어, 그것은 사파이어일 수 있다.
코팅된 그리드를 갖는 기재의 (전체) 광 투과율은 50％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상일 수 있으며, 특히 70％ 내지 86％이다.
코팅된 그리드를 갖는 기재의 예를 들어 1 ㎛ 내지 5 ㎛에 대한 소정의 IR 대역에서 (전체) 투과율은 50％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상일 수 있고, 특히 70％ 내지 86％이다. 표적 용품은 특히 야간 시력을 위한 적외선 비전 시스템을 갖는 가열된 글레이징 유닛이다.
코팅된 그리드를 갖는 기재의 소정의 UV 대역에서의 (전체) 투과율은 50％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상일 수 있으며, 특히 70％ 내지 86％이다.
다중 라미네이트된 글레이징 유닛 (EVA, PU, PVB 등의 유형의 라미네이션 간층)은 기재를 본 발명에 따른 코팅된 그리드와 통합할 수 있다.
본 발명에 따른 코팅된 그리드는, 특히 유기 발광 장치 (OLED), 특히 배면 발광 OLED 또는 배면 및 전면 발광 OLED에 대한 (기재에 가장 근접한) 하부 전극으로서 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따라, 다음과 같은 상기 기재된 바와 같은 그리드의 용도를 목표로 한다:
- 다양한 광학 및/또는 에너지 특성을 갖는 전기화학적 및/또는 전기적으로 제어가능한 장치, 예를 들어 액정 장치 또는 광전지 장치, 또는 그 밖에 유기 또는 무기 발광 장치 (TFEL 등), 램프 특히 평판 램프 또는 임의로 평판 UV 램프 중 활성 층 (단일층 또는 다층 전극);
- 자동차 (가열된 바람막이 창, 가열된 뒷 창문) 또는 라디에이터, 타월 워머 또는 냉장 캐비넷 유형의 전기 제품에서의 용도, 해동, 응축방지 또는 김서림 방지 작용 등을 위한 가열 장치의 가열 그리드;
- 전자기 차폐 그리드; 또는
- (임의로 (반)-투명한) 전기전도성 그리드를 필요로 하는 임의의 다른 장치.
이미 언급된 바와 같이, 전기변색 시스템에는, "모든 고체" 전기변색 시스템 (용어 "모든 고체"는 모든 층이 무기 특성을 갖는 다층 스택과 관련하여 본원의 문맥내에 정의되어 있음) 또는 "모든 중합체" 전기변색 시스템 (용어 "모든 중합체"는 모든 층이 유기 특성을 갖는 다층 스택과 관련하여 본원의 문맥내에 정의되어 있음) 또는 그 밖에 혼합 또는 혼성 전기변색 시스템 (스택의 층이 유기 특성과 무기 특성을 가짐) 또는 그 밖에 액정 또는 비올로겐 시스템이 존재한다.
이미 언급된 바와 같이, 방전 램프는 활성 부재로서 인광체(들)로 이루어진다. 특히, 평판 램프는 약간 떨어져서 유지되고, 일반적으로 수 밀리미터 미만으로 분리되고, 감압하에 기체를 함유하도록 밀봉된 2개의 유리 기재를 포함하며, 여기서 전기 방전은 일반적으로 인광체를 여기시키는 자외선 범위의 방사선을 생성한 후, 가시광을 방출한다.
평판 UV 램프는 본래 하나 이상의 벽에 대해 동일한 구조를 가질 수 있으며, (이미 기재된 바와 같이) UV를 투과시키는 물질이 선택된다. UV 방사선은 플라즈마 가스 및/또는 적합한 추가의 인광체에 의해 직접 생성된다.
평판 UV 램프의 예로서, 참고로 포함되는 특허 WO 2006/090086호, WO 2007/042689호, WO 2007/023237호 및 WO 2008/023124호를 참조할 수 있다.
예를 들어, 참고로 포함되는 특허 WO 2004/015739호, WO 2006/090086호 또는 WO 2008/023124호에 기재된 바와 같이, 전극 (애노드 및 캐소드) 사이의 방전은 비-공면 ("평면-평면")일 수 있으며, 애노드 및 캐소드는 각각 표면을 통해 또는 두께로 (둘다 내부 또는 외부, 하나는 내부 및 다른 것은 외부, 적어도 하나는 기재 중 등) 기재와 결합된다.
참고로 포함되는 특허 WO 2007/023237호에 기재된 바와 같이, UV 램프 및 평판 램프에서, 전극 (애노드 및 캐소드) 사이의 방전은 공면 (하나의 동일한 기재 상 하나의 동일한 평면 중 애노드 및 캐소드)일 수 있다.
그것은 조명 시스템의 또다른 유형, 즉 무기 발광 장치일 수 있으며, 활성 부재는, 예를 들어 ZnS:Cu,Cl; ZnS:Cu,Al; ZnS:Cu,Cl,Mn 또는 그 밖에 CaS 또는 SrS로부터 선택된 도핑된 인광체를 기재로 하는 무기 발광 층일 수 있다. 이러한 층은 바람직하게는 절연 층에 의해 전극으로부터 분리된다. 이러한 글레이징의 예는 문헌 EP 1 553 153 A호 (예를 들어, 표 6 중 물질 사용)에 기재되어 있다.
액정 글레이징은 가변성 광 산란 글레이징으로 사용될 수 있다. 그것은 중합체 물질을 기재로 하는 필름의 사용을 기초로 하며, 2개의 전도성 층 사이에 위치하고, 액정, 특히 양성 유전체 이방성을 갖는 네마틱 액정의 액적은 상기 물질에 분산된다. 필름에 전압을 인가할 경우, 액정은 바람직한 방향으로 배향되어 눈으로 보이도록 허용된다. 전압을 인가하지 않으면, 결정은 정렬되지 않고, 필름은 확산되고 눈으로 보이지 않게 된다. 이러한 필름의 예는, 특히 유럽 특허 EP 0 238 164호 및 미국 특허 US 4435047호, US 4806922호 및 US 4732456호에 기재되어 있다. 라미네이트되고 2개의 유리 기재 사이에 도입된 이러한 유형의 필름은 상표명 프리발라이트(Privalite)하에 쌩-고벵 글래스(SAINT-GOBAIN GLASS)에 의해 시판되고 있다.
실제로, 용어 "NCAP" (네마틱 곡선 정렬 상) 또는 "PDLC" (중합체 분산 액정) 또는 "CLC" (콜레스테릭 액정)하에 공지된 액정을 기재로 하는 임의의 부재를 사용할 수 있다.
또한, CLC는 특히 액정의 액적 중 용액으로 이색성 염료를 함유할 수 있다. 그 후, 시스템의 광 산란과 광 흡수를 공동으로 조절할 수 있다.
또한, 예를 들어 특허 WO 92/19695호에 기재된 바와 같은, 소량의 가교 중합체를 함유하는 콜레스테릭 액정을 기재로 하는 겔을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 글레이징에 이미 기재된 마스크의 제조로부터 수득된 바와 같은 그리드를 도입하여 투과율을 조작하는 것에 관한 것이다.
용어 "글레이징"은 넓은 의미로 이해되어야 하며, 유리 및/또는 중합체 물질 (예컨대, 폴리카르보네이트 PC 또는 폴리메틸 메타크릴레이트 PMMA)로 제조된 유리 기능을 갖는 임의의 본질적으로 투명한 물질을 포함한다. 담체 기재 및/또는 상대-기재, 즉 활성 시스템을 플랭킹(flanking)하는 기재는 경질이거나, 가요성이거나, 반-가요성일 수 있다.
또한, 본 발명은 주로 글레이징 또는 거울로서 이러한 장치에 대해 발견될 수 있는 다양한 응용에 관한 것이며, 그것은 건축용 글레이징, 특히 외부 글레이징, 내부 칸막이 또는 글레이징 문을 제조하기 위하여 사용될 수 있다. 또한, 그것은 기차, 비행기, 자동차, 보트 및 워크사이트(worksite) 차량과 같은 운송 기관의 모드의 창문, 지붕 또는 내부 칸막이에 사용될 수 있다. 또한, 그것은 디스플레이 스크린, 예컨대 투사 스크린(projection screen), 텔레비전 또는 컴퓨터 스크린, 터치 스크린(touch-sensitive screen), 조명 표면 및 가열된 글레이징에 사용될 수 있다.
이제 본 발명은 비제한적인 실시예 및 도면의 보조로 보다 상세하게 기술될 것이다.
- 도 1 및 2는 본 발명에 따른 오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드의 제조 방법의 주요 단계를 개략적으로 도시한다.
- 도 3 내지 5는 한 변법으로, 본 발명에 따른 코팅된 그리드의 제조 방법의 주요 단계를 개략적으로 도시한다.
- 도 6 내지 8b는 본 발명에 따른 방법에 사용된 마스크의 예를 도시한다.
- 도 9는 네트워크 마스크의 프로파일을 예시한 SEM 사진이다.
- 도 10 및 11은 상이한 건조 전선을 갖는 네트워크 마스크를 나타낸다.
- 도 12a 및 13b는 네트워크 마스크에 대한 열 처리의 영향을 나타낸다.
도 1 및 2는 본 발명에 따른 오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드의 제조 방법의 주요 단계를 개략적으로 도시한다.
코팅된 그리드의 제조 방법은
- 안정화되고 용매에 분산된 소정의 유리 전이 온도 Tg를 갖는 콜로이드 중합체 나노입자의 용액으로부터 마스킹 층을 침착시키고;
마스크 구역의 실질적으로 직선인 연부를 갖는 개구부(10)(마스크 구역을 분리시킴)의 네트워크를 갖는 마스크(1)가 얻어질 때까지 상기 온도 Tg 미만의 온도에서 마스킹 층을 건조시키는 것을 포함하는, 기재(2)의 주 표면 상에 네트워크 마스크로 칭해지는 서브밀리미터 개구부를 갖는 마스크(1)를 생성하는 단계;
- 개구부의 깊이의 일부분이 충전되고 또한 마스크 구역의 표면이 커버될 때까지 그리드(3) 물질로 칭해지는 1종 이상의 전기전도성 물질을 PVD에 의해 침착시키는 것을 포함하는, 네트워크 마스크로부터 전기전도성 그리드(3)를 형성하는 단계;
- Tg의 0.8배 이상의 온도에서 그리드 물질을 갖는 마스킹 층을 열 처리하여 마스크 구역을 수축시켜 마스크 구역의 연부와 그리드의 측면 연부 사이에 공간을 형성하는 단계;
- 마스크 구역의 연부와 그리드의 측면 연부 사이의 공간에서 그리드 상에 덧층(4) 물질로 칭해지는 물질로 제조된 덧층으로 칭해지는 층을 침착시키고 또한 마스크 구역의 표면을 커버하는 단계;
- 오버그리드로 코팅된 그리드가 나타날 때까지 마스킹 층을 제거하는 단계
를 포함한다.
마스크 구역의 연부가 직선이기 때문에, 그리드(3)를 형성하는 층은 도 1에 도시된 바와 같이 경사진 측면 연부(31)를 갖는다.
마스크 구역의 연부가 열 처리 후에 더 멀리 떨어지기 때문에, 오버그리드(4)를 형성하는 층은 도 2에 도시된 바와 같이 경사진 측면 연부(31)를 (또한 경사진 매칭(matching) 측면 연부(41)로) 커버하고, 마스크 구역 연부로 연장된다.
그리드(3)의 3개의 표면을 커버하는 이러한 오버그리드는 어려운 공정 단계를 고려하여 그리드의 보호를 위해 또는 감광을 위해 부식에 대한 보호를 위한 층으로 작용할 수 있다.
도 3 내지 5는 한 변법으로, 본 발명에 따른 오버그리드로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드의 제조 방법의 주요 단계를 개략적으로 나타낸다.
이러한 변법에서, 방법은 개구부(10)를 통해 그리드(4) 아래에 언더그리드(5)로 칭해지는 층, 특히 그리드의 접착을 위한 언더그리드, 알칼리 금속에 대한 장벽인 언더그리드 또는 감광 언더그리드의 침착(및 또한 마스크 구역의 표면을 커버함)을 포함한다.
언더그리드 및 오버그리드는 도 5에 도시된 바와 같이, 그리드(3)의 4개의 표면을 커버한다.
이제, 주요 제조 단계가 차례로 연속적인 순서로 상세하게 설명될 것이다.
네트워크 마스크의 제조
40 중량％의 농도, pH 5.1로 물에 안정화되고 15 mPa.s의 점도를 갖는 아크릴 공중합체를 기재로 하는 콜로이드 입자의 단순 에멀전을 스핀 코팅에 의한 습식 경로 기술에 의해 예를 들어 편평하고 무기물인 유리 기능을 갖는 기재의 일부분 상에 침착시켰다. 콜로이드 입자는 80 내지 100 nm의 특징적인 치수를 갖고, 상표명 네오크릴(NEOCRYL) XK 52(등록상표)하에 DSM에 의해 시판되고 있으며, 115℃의 Tg를 갖는다.
이어서, 콜로이드 입자를 도입한 층의 건조를 수행하여 용매를 증발시키고, 개구부를 형성하였다. 이러한 건조는 Tg 미만의 온도, 예를 들어 주위 온도에서 임의의 적합한 공정에 의해 수행될 수 있다 (열풍 건조 등).
이러한 건조 단계 동안, 시스템은 그 자체가 재배열되고, 개구부(10)의 네트워크 및 마스크 구역을 포함하는 네트워크 마스크(1)를 형성한다. 그것은 패턴을 도시하며, 그의 대표적인 실시양태는 도 6 및 7에 도시되어 있다 (400 ㎛ × 500 ㎛ 시야).
안정한 네트워크 마스크(1)는 어닐링에 의존하지 않고 수득되며, 이후에 A로 칭해지는 개구부의 (평균) 폭 및 이후에 B로 칭해지는 개구부 사이의 (평균) 공간을 특징으로 하는 구조를 갖는다. 이러한 안정화된 네트워크 마스크는 이후에 B/A로 정의될 것이다.
메쉬의 약간의 파열을 갖는 (차단된 개구부) 개구부의 2차원 메쉬 네트워크가 얻어진다.
건조 온도의 영향을 평가하였다. 20％ RH하에 10℃에서의 건조는 80 ㎛ 메쉬를 생성한 반면 (도 8a), 20％ RH하에 30℃에서의 건조는 130 ㎛ 메쉬를 생성하였다 (도 8b).
건조 조건, 특히 습도의 영향을 평가하였다. 이번에는 XK52를 기재로 하는 층을, 샘플의 하부와 상부 사이에 두께의 변화(10 ㎛ 내지 20 ㎛)를 제공하여 메쉬 크기의 변화를 초래하는 플로우 코팅에 의해 침착시켰다. 습도가 높을수록, B는 작다.
Figure pct00001
또한, 예를 들어 압축 콜로이드와 기재의 표면 사이의 마찰 계수 또는 그 밖에 나노입자의 크기 또는 그 밖에 증발 속도 또는 초기 입자 농도 또는 용매의 특성 또는 침착 기술에 따라 달라지는 두께를 조정함으로써 B/A 비를 조절하였다.
이러한 다양한 가능성을 예시하기 위하여, 콜로이드 용액의 2가지 농도(C0 및 0.5×C0) 및 딥 코터의 상승 속도를 조정함으로써 침착된 다양한 두께를 사용한 실험 설계를 하기에 제공한다. 농도 및/또는 건조 속도를 변화시킴으로써 B/A 비를 변화시킬 수 있다는 것이 관찰되었다. 결과는 하기 표에 제공된다.
Figure pct00002
콜로이드 용액을 다양한 두께의 필름-연신기를 사용하여 C0 = 40％의 농도에서 침착시켰다. 이러한 실험은 스트랜드의 크기 및 스트랜드 사이의 거리가 콜로이드 층의 초기 두께를 조정함으로써 다양해질 수 있다는 것을 보여주었다.
Figure pct00003
마지막으로, 기재의 표면 조도를 대기압 플라즈마를 사용하여 Ag 덩어리의 마스크를 통해 유리의 표면을 에칭함으로써 변형시켰다. 이러한 조도는 대략 콜로이드와의 접촉 구역의 크기였으며, 이러한 콜로이드와 기재의 마찰 계수를 증가시켰다. 하기 표는 B/A 비 및 마스크의 모폴로지(morphology)에 대한 마찰 계수의 변화 효과를 나타낸다. 그것은 동일한 초기 두께에서 메쉬 크기가 작을수록 증가하는 B/A 비가 얻어지는 것으로 나타났다.
Figure pct00004
또다른 대표적인 실시양태에서, 상기 기재된 콜로이드 입자를 함유하는 하나의 동일한 에멀전의 스핀 코팅에 의해 얻어진 개구부의 네트워크의 치수 파라미터가 하기에 제공된다. 스핀-코팅 장치의 다양한 회전 속도는 마스크의 구조를 변형시켰다.
Figure pct00005
마스크의 모폴로지에 대한 건조 전선의 확대 효과 (도 10 및 11 참조)를 연구하였다. 건조 전선의 존재는 방향이 이러한 건조 전선에 수직한 대략 평행한 개구부의 네트워크를 형성할 수 있게 하였다. 한편, 개구부 사이의 위치 및 거리가 랜덤한 평행한 네트워크에 대략 수직한 개구부의 제2 네트워크가 존재한다.
이러한 공정의 실행 단계에서 네트워크 마스크(1)가 수득되었다.
마스크의 모폴로지 연구는 개구부가 직선 개구부 프로파일을 갖는다는 것을 보여주었다. SEM을 사용하여 얻어진 기재(2) 상 마스크(1)의 횡단도인 도 9를 참조할 수 있다.
도 9에 도시된 (즉, 마스크 구역의) 개구부(10)의 프로파일은
- 두꺼운 두께의 물질(들)을 침착시키고;
- 마스크를 제거한 후에 마스크에 정합하는 특히 두꺼운 두께의 패턴을 유지하는 특정 장점을 갖는다.
이렇게 수득된 마스크는 그 자체로 사용되거나 다양한 후-처리에 의해 개질될 수 있다. 또한, 본 발명자들은 개구부의 하부에 위치한 유기 입자를 세척하기 위한 공급원으로서 플라즈마 공급원의 사용이 이후에 그리드로서 사용되는 물질의 접착을 개선시킬 수 있다는 것을 발견하였다.
이러한 배열에 따르면, 개구부의 하부에는 콜로이드 입자가 존재하지 않고, 따라서 도입된 물질의 최대 접착력이 존재하여 개구부를 충전시킬 것이고(이것은 본원에서 이후에 상세하게 기재될 것임), 기재는 유리 기능을 가질 것이다.
대표적인 실시양태로서, 산소/헬륨 혼합물을 기재로 하는 전달-아크 플라즈마를 사용한 대기압 플라즈마 공급원이 보조하는 세척은 개구부의 하부에 침착된 물질의 접착을 개선시키고, 개구부를 넓히는 것을 모두 가능하게 한다. Surfx에 의해 시판되는 상표명 "아톰플로우(ATOMFLOW)"의 플라즈마 공급원이 사용될 수 있다.
또다른 실시양태에서, 50 중량％의 농도, pH 3 및 200 mPa.s의 점도로 물에 안정화된 아크릴 공중합체를 기재로 하는 콜로이드 입자의 단순 에멀전이 침착된다. 콜로이드 입자는 약 118 nm의 특징적인 치수를 갖고, 상표명 네오크릴 XK 38(등록상표)하에 DSM에 의해 시판되고 71℃의 Tg를 갖는다. 수득된 네트워크는 도 12a에 도시되어 있다. 개구부 사이의 공간은 50 내지 100 ㎛이고, 개구부의 폭의 범위는 3 내지 10 ㎛이다.
그리드의 제조
본 발명에 따른 마스크로부터 출발하여, 전기전도성 그리드를 제조한다. 이를 수행하기 위하여, 전기전도성 물질, 예컨대 알루미늄, 은, 구리, 니켈, 크롬, 이들 금속의 합금 및 특히 ITO, IZO, ZnO:Al; ZnO:Ga; ZnO:B; SnO2:F; 및 SnO2:Sb로부터 선택된 전도성 산화물을 마스크를 통해 전기적으로 침착시킨다. 물질은, 개구부를 충전시키도록 개구부의 네트워크의 내부에 침착시키며, 충전은 예를 들어 마스크의 높이의 대략 절반의 두께로 수행된다.
예를 들어, 300 nm의 두께를 갖는 Ag의 층이 마그네트론 스퍼터링에 의해 침착된다.
이러한 침착 단계는, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링에 의해 수행될 수 있다.
열 처리
네트워크를 위한 파라미터에 대한 처리의 영향을 평가하였다.
제1 실시예에서, XK38로 침착된 마스크의 변화를 열 처리 전(도 12a) 및 열 처리 후(도 12b)에 비교하였다. 결과를 하기 표에 편집하였다.
Figure pct00006
수축에 의해, 개구부의 폭은 도 12b에 도시된 바와 같이 2배 또는 심지어 3배가 되었다 (15분 동안 100℃에서 처리된 샘플).
제2 실시예에서, (XK38로) 침착된 마스크의 변화를 열 처리 전(도 13a 참조) 및 140℃에서 15분 동안 열 처리 후(도 13b 참조)에 비교하였다. 개구부의 폭의 더 큰 증가가 관찰되었다.
오버그리드의 제조
열 처리 후, 오버그리드를 개구부를 통해 침착시킨다.
제1 실시예에서, 동일한 물질을 그리드, 즉 은에 대한 오버그리드로 침착시킨다. 마스크는 XK52로부터 생성하였다.
참고용 샘플은 열 처리를 수행하지 않고 오버그리드로 코팅되지 않은 은 그리드이다.
다음의 표는 광학 특성, 전기적 특성 및 열 처리 함수로서 스트랜드의 점유 수준의 변화를 나타낸다. 그리드 (및 오버그리드)의 침착 방법 및 시간은 모든 시험에서 동일하였다.
Figure pct00007
시트 저항의 저하 (특히 전극 용도에 바람직함) 및 예를 들어 이미지 처리 후 광학 사진으로부터 측정된 커버율 정도의 증가가 관찰되었다. TL은 약간 감소하였다.
마스크의 제거
마스크로부터 오버그리드로 코팅된 그리드의 구조를 나타나게 하기 위하여, "리프트-오프" 작업을 수행한다. 이러한 작업은 약한 반 데르 발스 유형 힘 (결합제가 없거나, 어닐링으로 인한 결합이 없음)으로부터 콜로이드의 응집이 생성된다는 사실에 의해 용이해진다. 이어서, 콜로이드 마스크를 물 및 아세톤을 함유하는 용액 (세척 용액은 콜로이드 입자의 특성의 함수로서 선택됨)에 침지시킨 후, 세정하여 콜로이드로 코팅된 모든 부분을 제거한다. 상기 현상은 콜로이드 입자의 마스크를 분해하고 그리드를 형성할 상보성 부분(물질에 의해 충전된 개구부의 네트워크)을 나타나게 하기 위하여 초음파의 사용으로 인해 촉진될 수 있다.
부식-방지 오버그리드를 갖는 그리드의 예
XK52를 기재로 하는 마스크를 사용한다.
그리드 물질로서, 알루미늄을 4×10-3 mbar의 압력하에 마그네트론 스퍼터링에 의해 침착시킨다.
어닐링 후, 35 nm의 실리카 층을 오버그리드 물질로 침착시킨다.
Figure pct00008
이러한 보호된 그리드는, 예를 들어 EMI 차폐 장치 또는 가열 장치, 전형적으로 바람막이 창 또는 라디에이터 또는 냉각 캐비넷의 벽 (예를 들어, 백화점, 선반, 냉동 탱크 등)에 사용될 수 있다.
언더그리드 및 감광 오버그리드를 갖는 그리드의 예
XK52를 기재로 하는 마스크를 사용한다.
먼저, 15 nm의 NiCr을 개구부를 통해 침착시킨다.
그리드 물질로서, 200 nm의 구리를 10-3 mbar의 압력하에 마그네트론 스퍼터링에 의해 침착시킨다.
열 처리를 수행한다.
오버그리드 물질로서, 15 nm의 NiCr을 침착시킨다.
Figure pct00009
그리드 스트랜드의 4개의 벽은 흑색의 심미성을 가졌다. 그레이징 입사에서, 코팅된 그리드는 모든 표면에 걸쳐 흑색을 나타내었다.
이러한 심미적 그리드는, 예를 들어 평판 램프 전극 또는 전기변색 전극, 스크린, 색 표시가 까다로운 제품에 사용된다.

Claims (18)

  1. - 안정화되고 용매에 분산된 소정의 유리 전이 온도 Tg를 갖는 콜로이드 중합체 나노입자의 용액으로부터 마스킹 층을 침착시키고;
    마스크 구역의 실질적으로 직선인 연부를 갖는 개구부(10)의 네트워크를 갖는 마스크가 얻어질 때까지 상기 온도 Tg 미만의 온도에서 마스킹 층을 건조시키는 것을 포함하는, 주 표면 상에 네트워크 마스크로 칭해지는 서브밀리미터(submillimetric) 개구부를 갖는 마스크(1)를 생성하는 단계;
    - 개구부의 깊이의 일부분이 충전될 때까지 그리드 물질로 칭해지는 1종 이상의 전기전도성 물질을 침착시키는 것을 포함하는, 네트워크 마스크로부터 전기전도성 그리드를 형성하는 단계;
    - Tg의 0.8배 이상의 온도에서 그리드 물질을 갖는 마스킹 층을 열 처리하여 마스크 구역을 수축시켜 마스크 구역의 연부와 그리드의 측면 연부(31) 사이에 공간을 형성하는 단계;
    - 마스크 구역(1)의 연부와 그리드의 측면 연부(31) 사이의 공간에서 그리드 상에 덧층 물질로 칭해지는 물질로 제조된 덧층으로 칭해지는 층을 침착시키는 단계;
    - 오버그리드(overgrid)(4)로 코팅된 전기전도성 그리드(3)가 나타날 때까지 마스킹 층을 제거하는 단계
    를 포함하는, 기재(2)의 주 표면 상에 오버그리드(4)로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드(3)의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 그리드(3) 아래에 개구부(10)를 통해 언더그리드(undergrid)로 칭해지는 층(5), 특히 그리드의 접착을 위한 언더그리드, 알칼리 금속에 대한 장벽인 언더그리드, 감광 언더그리드를 침착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 열 처리를 180℃ 이하, 보다 바람직하게는 150℃ 이하의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 건조를 50℃ 이하의 온도, 바람직하게는 주위 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 그리드(3)의 침착, 오버그리드(4)의 열 처리 및 침착을 동일한 침착 챔버에서 진공을 해소시키지 않고 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 중합체 나노입자가 다음의 중합체: 아크릴 공중합체, 폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르 또는 이들의 블렌드 중 하나로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 용액이 수성인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 마스킹 층이 액체 경로를 통해 특히 용매에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 주 표면 상에 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 수득된 오버그리드(4)로 코팅된 서브밀리미터 전기전도성 그리드(3)를 갖는 특히 투명한 기재인 기재(2).
  10. 제9항에 있어서, 오버그리드(4)가 부식-방지 층, 특히 NiCr, Cr을 포함하고, 특히 오버그리드 물질로 제조된 부식-방지 언더그리드(5)가 바람직하게는 존재하는 것을 특징으로 하는 코팅된 그리드(3)를 갖는 기재(2).
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 알칼리 금속에 대한 장벽이거나 그리드의 접착을 촉진시키기 위한 언더그리드, 특히 NiCr을 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅된 그리드(3)를 갖는 기재(2).
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 오버그리드(4)가 10％ 미만의 반사 순도 Pe 및 약 480 nm의 우세한 반사 파장을 갖는 감광 층, 특히 NiCr 층을 포함하고, 특히 오버그리드 물질로 제조된 감광 언더그리드(5)가 바람직하게는 존재하는 것을 특징으로 하는 코팅된 그리드(3)를 갖는 기재(2).
  13. 제9항에 있어서, 오버그리드(3) 물질이 상기 그리드(4) 물질로 제조된 것을 특징으로 하는 코팅된 그리드(3)를 갖는 기재(2).
  14. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 그리드가 스트랜드의 서브밀리미터 폭 (A')에 대한 스트랜드 사이의 거리 (B')의 비 7 내지 40 및/또는 200 nm 내지 50 ㎛의 폭 A' 및 5 내지 500 ㎛의 거리 B'를 갖는 것을 특징으로 하는 코팅된 그리드(3)를 갖는 기재(2).
  15. 제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 전기전도성 그리드(3, 4)가 0.1 내지 30 ohm/square의 시트 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 코팅된 그리드(3)를 갖는 기재(2).
  16. 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 기재(2) 및 코팅된 그리드의 광 투과율 및/또는 자외선 및/또는 적외선 투과율이 70％ 내지 86％인 것을 특징으로 하는 코팅된 그리드(3)를 갖는 기재(2).
  17. 제9항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 다중 글레이징 유닛 또는 라미네이트된 글레이징 유닛의 부품인 것을 특징으로 하는 코팅된 그리드(3)를 갖는 기재(2).
  18. 가변적 광학 및/또는 에너지 특성을 갖는 전기화학적 및/또는 전기적으로 제어가능한 장치, 특히 액정 장치 또는 광전지 장치 또는 그 밖에 발광 장치, 특히 유기 또는 무기 발광 장치 또는 그 밖에 가열 장치, 또는 임의로 평판 램프, 평판 또는 관형 UV 램프, 전자기 차폐 장치 또는 전도성, 특히 투명한 층을 필요로 하는 임의의 다른 장치에서 활성 층, 특히 가열 층 또는 전극으로서 제9항 내지 제17항 중 어느 한 항의 코팅된 전기전도성 그리드의 용도.
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