JP2012503716A - オーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドの製造方法およびオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド - Google Patents

オーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドの製造方法およびオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド Download PDF

Info

Publication number
JP2012503716A
JP2012503716A JP2011528403A JP2011528403A JP2012503716A JP 2012503716 A JP2012503716 A JP 2012503716A JP 2011528403 A JP2011528403 A JP 2011528403A JP 2011528403 A JP2011528403 A JP 2011528403A JP 2012503716 A JP2012503716 A JP 2012503716A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grid
mask
overgrid
layer
coated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011528403A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5647127B2 (ja
Inventor
ザグドゥン,ジョルジュ
ギエム,ベルナール
ロワイエ,エディ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Glass France SAS
Original Assignee
Saint Gobain Glass France SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain Glass France SAS filed Critical Saint Gobain Glass France SAS
Publication of JP2012503716A publication Critical patent/JP2012503716A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5647127B2 publication Critical patent/JP5647127B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
    • H05K3/048Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer using a lift-off resist pattern or a release layer pattern
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/32Processes for applying liquids or other fluent materials using means for protecting parts of a surface not to be coated, e.g. using stencils, resists
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3607Coatings of the type glass/inorganic compound/metal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3615Coatings of the type glass/metal/other inorganic layers, at least one layer being non-metallic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3652Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the coating stack containing at least one sacrificial layer to protect the metal from oxidation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3668Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties
    • C03C17/3671Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties specially adapted for use as electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3668Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties
    • C03C17/3673Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties specially adapted for use in heating devices for rear window of vehicles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/40Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal all coatings being metal coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/06Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/12Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/90Other aspects of coatings
    • C03C2217/94Transparent conductive oxide layers [TCO] being part of a multilayer coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/11Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/116Deposition methods from solutions or suspensions by spin-coating, centrifugation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32After-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/34Masking
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

本発明は、
− 溶媒の中で安定化され分散されたコロイド状ポリマーナノ粒子の溶液の堆積によるミリメートルに満たない開口部を有するマスク(1)の作製であって、ポリマー粒子がガラス転移温度Tgを有し、マスキング層の乾燥が、直線の縁を有するマスク(10)が得られるまでTgよりも低い温度で行われる作製と、
− グリッド材料と呼ばれる導電性材料の堆積による導電性グリッドの形成と、
− Tgの0.8倍以上の温度でのグリッド材料を有するマスキング層の熱処理、その後、マスク領域の縁とグリッドの横の縁(31)との間の間隔を作り出すことと、
− グリッドの上およびマスク領域(1)の縁とグリッドの横の縁との間の間隔の中への被覆層材料と呼ばれる材料で作製された被覆層と呼ばれる層の堆積と、
− マスキング層の除去と
を有する基材(2)上のオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド(3)の製造に関する。
また、本発明は、そのようにして得られたグリッドに関する。
【選択図】図1

Description

本発明は、オーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを作製するための方法およびオーバーグリッドでコーティングされた上記グリッドに関する。
ミクロンサイズの金属グリッドを得ることができる製造技術が知られている。これらは、約75〜85%の光透過率(TL)を達成しながら1Ω/□未満の表面抵抗を達成するのに有利である。これらのグリッドを作製する方法は、液体の経路を経た化学的浸食のプロセスと組み合わせたフォトリソグラフィプロセスまたはレーザ溶発技術のいずれかによって金属層をエッチングする技術に基づく。
さらに、金属または金属被覆ポリマーのワイヤの織り込みによる自立導電性グリッドが知られており、それは電磁シールドに使用される。これらのグリッドは、少なくとも20μmの寸法を有する撚糸を有する。これらのグリッドは機械的にあまり強くなく、平坦さの欠陥を有し、織り込んで製造している間、張力を制御する必要がある。また、その他に、多くの欠陥、メッシュの変形、引き裂き、ほぐれなどの危険性が存在する。
さらに、ある用途では、ミリメートルに満たない導電性グリッドをコーティングすることが要求される。
たとえば、審美的な理由のため、自動車のフロントガラスでは、織られたタングステンまたは銅のワイヤで作製された加熱グリッドが炭素を使用して暗色化されている。金属ワイヤは、グリッドに織られたり編まれたりする前に、暗色化される(炭素の懸濁液を使用してコーティングされる)。
したがって、本発明は、経済的であり、(製造工程の数が限られるなど)迅速および/または簡単であり、再生可能である、コーティングされた導電性のミリメートルに満たないグリッドを製造する方法を提案することによって先行技術の欠点を克服することを目的とする。
また、本発明の目的は、とくに新しい機能性を可能にすることによって、導電性グリッドを基にした利用可能な製品の範囲を広げることである。
この目的のため、本発明の第一の対象は、基材、とくに平坦なおよび/または透明な基材の主面上のミリメートルに満たない導電性グリッド、とくに、オーバーグリッドでコーティングされた(少なくともグリッドの幅に関して)サブミクロンの寸法のグリッドを製造する方法であって、
− 前記主面上に、ミリメートルに満たない開口部を有し、ネットワークマスクと呼ばれるマスクを作製するステップであって、
− 溶媒の中で安定化され分散され、所与のガラス転移温度Tgを有するコロイド状ポリマーナノ粒子の溶液からのマスキング層の堆積、および
− マスク領域の実質的な直線の縁を有する開口部のネットワークを有する前記マスクが得られるまでの、前記温度Tgよりも低い温度での前記マスキング層の乾燥を含むステップと、
− 前記ネットワークマスクからの導電性グリッドの形成のステップであって、前記開口部の深さの一部分が充填されるまでのグリッド材料と呼ばれる少なくとも1種の導電性材料の堆積を含むステップと、
− Tgの0.8倍以上の、とくにTgとTgの1.5倍の温度との間の温度で前記グリッド材料を有する前記マスキング層を熱処理し(局所的であってもよいし、なくてもよい)、結果としてマスク領域を縮小し、したがって、マスク領域の縁と前記グリッドの横の縁と間に間隔を生じさせるステップと、
− 前記グリッド上および、マスク領域の縁と、前記グリッドの横の縁との間の前記間隔の中に、被覆層材料と呼ばれる材料で作製された、被覆層と呼ばれる層の堆積のステップと、
− オーバーグリッドでコーティングされた前記導電性グリッドが現れるまでの前記マスキング層の除去のステップとを含む。
このグリッドの光学的特性および/または導電特性は、先行技術のものに少なくとも匹敵する。
本発明は、限定しない例および図面の助けを借りて、今、より詳細に記載されるであろう。
図1は、本発明によるオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを製造するための方法の主なステップを概略的に表す。 図2は、本発明によるオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを製造するための方法の主なステップを概略的に表す。 図3は、本発明によるコーティングされたグリッドを1つの変形で製造するための方法の主なステップを概略的に表す。 図4は、本発明によるコーティングされたグリッドを1つの変形で製造するための方法の主なステップを概略的に表す。 図5は、本発明によるコーティングされたグリッドを1つの変形で製造するための方法の主なステップを概略的に表す。 図6は、本発明による方法で使用されるマスクの例を表す。 図7は、本発明による方法で使用されるマスクの例を表す。 図8a,8bは、本発明による方法で使用されるマスクの例を表す。 図9は、ネットワークマスクのプロファイルを説明するSEM像である。 図10は、異なる乾燥正面を有するネットワークマスクを表す。 図11は、異なる乾燥正面を有するネットワークマスクを表す。 図12a,12bは、ネットワークマスクにおける熱処理の影響を説明する。 図13a,13bは、ネットワークマスクにおける熱処理の影響を説明する。
本発明による開口部のネットワークを有するマスクおよび本発明によるその製造方法は、想定されるグリッドについてかなりの数の有利な点を有する。熱処理およびオーバーグリッドの追加に関連する有利な点は、以下に説明されるであろう。
したがって、マスクは、ネットワークの少なくとも1つの特性方向に沿った(したがって、基材の表面に対して平行な)、または2つ(すべての)方向に沿った不規則な非周期構造を有する。したがって、グリッドの素線の配置は、開口部のネットワークの配置の実質的にレプリカであってもよい。
ネットワークマスク領域の縁は、実質的に直線、すなわち、表面に関して(表面が曲がっている場合、接平面に関して)80°と100°との間、さらに85°と95°との間の中央平面に沿っている。
(熱処理の前および後の両方の)マスク領域の直線の縁により、
− グリッドを形成する堆積された層は、不連続であり(その縁に沿って堆積されないか少ししか堆積されない)、
− オーバーグリッドを形成する堆積された層は不連続である(その縁に沿って堆積されないか少ししか堆積されない)。
したがって、オーバーグリッドおよび被覆されているグリッドにダメージを与えることなく、(グリッドおよびオーバーグリッドでコーティングされていても)マスクを除去することが可能である。
実質的に直線の縁を得るために、
− 好ましくは少なくとも1つの特性(平均)寸法、たとえば、10nmと300nmとの間の、さらに50nmと150nmとの間の平均直径を有する、制限されたサイズの粒子、それゆえナノ粒子を、粒子の分散を促進するために選択すること、および
− (とくに表面電荷を介する、たとえば表面活性剤を介しての処理によって、pHを制御することによって、)溶媒中のナノ粒子を安定化させて、それらが一緒に固まること、沈殿することおよび/または重力によって沈降することを防止すること、
の両方が必要になる。
さらに、ナノ粒子の濃度は、好ましくは5重量%または10重量%と60重量%との間に、さらに好ましくは20重量%と40重量%との間に調節される。バインダの添加はしないようにされる(または、マスクに影響を与えない程、十分に少ない量である)。
この特定の方法によれば、以下の好適な特性方向の、不規則な(形状および/またはサイズの)非周期パターンを構成するマスクをより低コストで得ることが可能になる。
− ミクロンサイズ、またはナノスケールの幅A、とくに数百ナノメートルから数十ミクロン、とくに20nmと50μmとの間になるように選択されたネットワークの開口部の(平均)幅A(換言すれば、隣接するマスク領域間の距離)。
− マスク領域またはパターン(それゆえ、隣接する開口部間のサイズ)の(平均)サイズBは、ミリメートル、またはミリメートルに満たない、とくに5μmと500μmとの間、または100〜250μm。
− B/A比率が、とくに粒子の性質しだいで、とくに7と20または40との間で調整可能である。
− 開口部の最大幅と開口部の最小幅との間の差異が、マスクの所与の範囲で、または表面の大部分または全体にわたって、4未満、または2以下である。
− 最大パターン寸法と最小パターン寸法との間の差異が、マスクの所与の範囲で、または表面の大部分または全体にわたって、4未満、または2以下である。
− 開口パターン(非貫通または「ブラインド(blind)」開口部)の量、換言すれば、相互接続断絶の量が、マスクの所与の範囲で、または表面の大部分または全体にわたって、5%未満または2%以下である。したがって、マスクは制限された、さらにほとんどゼロであるネットワークの断絶を有し、それは、所望により減少され、ネットワークのエッチングによって除去され得る。
− 所与のパターン、そのパターンの大部分またはすべてについて、表面の所与の範囲または全体にわたって、パターンの最大特性寸法とパターンの最小特性寸法との間の差異が、その等方性を強くするために、2未満である。そして、
− ネットワークの区分の大部分または全部について、縁は、平行に、とくに10μmのスケールで絶えず一定の間隔に配置されている(たとえば、光学顕微鏡を使用して200倍の倍率で観察される)。
幅Aは、たとえば、1μmと20μmとの間、または1μmと10μmとの間であってもよく、Bは50μmと200μmとの間であってもよい。
したがって、本発明の方法を介して、開口部のメッシュを形成することが可能になり、それは、表面全体にわたって広がっていてもよく、それにより等方的な特性を得ることが可能になる。
マスクの厚みは、数十ミクロンまでのサブミクロンのサイズであってもよい。マスク層が厚くなると、幅A(およびB)が大きくなる。
開口部によって定められたパターン(そして、それゆえ、グリッドおよび/またはオーバーグリッドのメッシュ)は、多種の形状であり、概して、3つ、4つまたは5つの辺を有し、たとえば、大体は、4辺を有し、および/または様々な寸法であり、これらは、不規則に、かつ非周期に分布している。
パターン(それぞれメッシュ)の大部分またはすべてについて、1つのメッシュの2つの隣接する辺の間の角度は、60°と110°との間、とくに80°と100°との間であってもよい。
一構成では、(所望により略平行である)開口部と(平行なネットワークと所望により略直交する)開口部の二次的ネットワークとを有する主要なネットワークが得られ、それらの位置および距離は不規則である。二次的開口部は、たとえば、主要開口部よりも小さな幅を有する。
これにより、開口部の幅Aと、(メッシュの)開口部間の間隔Bに実質的に一致する素線間の(平均)間隔B’とに実質的に一致する平均素線幅A’により規定されるグリッドを実質的に作製することが可能になる。
とくに、素線のサイズA’は、好ましくは数十ミクロンと数百ナノメートルとの間であってもよい。比率B’/A’は、7と、20、さらに30〜40との間で選択されてもよい。
さらに、一般に、規則的であり、周期的な形状(正方形、矩形形状)である、フォトリソグラフィによって作製された先行技術のグリッドの特性寸法は、たとえば、300μm離れて間隔を開けられた20〜30μm幅の金属素線のネットワークを形成し、点光源によって照らされる場合、それは回折パターンの源である。そして、不規則なパターンを有するグリッドを作製することはさらに難しく、費用がかかるであろう。作製されるべきパターンのそれぞれは、特定のマスクが必要であろう。
先行技術におけるこの製造技術は、およそ数十μmの分解能の限界をさらに有し、これにより、パターンが審美的に見えたままである。
また、非常に細いワイヤ自体の織り込みは、欠点、とくにワイヤの比較的大きな直径(>40μm)が必要であるという欠点を有する。そして、織り込みは、周期的パターンのみ作製できる。
したがって、本発明によるネットワークマスクは、より低いコストで、任意のサイズの他の形状の不規則なグリッドを構想することを可能にする。したがって、グリッドは、少なくとも1つの(グリッド)方向で不規則である。
乾燥により、マスキング層と表面のナノ粒子の部分とが収縮し、結果として、緩和を経て開口部を形成する層に引張応力が生じる。
乾燥の後、次に、ナノ粒子の堆積物が、それ自体様々なサイズである開口部によって分離された様々なサイズのクラスターの形態で得られる。ナノ粒子は、一緒に凝集する場合でさえ、識別可能のままである。ナノ粒子は、溶かされて、連続層を形成しない。
乾燥は、開口部のネットワークを作り出すためにガラス転移温度より低い温度で実行される。実際は、このガラス転移温度よりも高くなると、連続層が形成されるか、または厚み全体を貫く開口部を有さない層がほとんど形成されないことが観察されている。
したがって、好ましくは球状の(硬い)ナノ粒子の堆積物を簡単に構成する弱い付着の層は、基材上に堆積される。これらの硬いナノ粒子は、ナノ粒子同士間のまたは基材の表面とのどちらでも強い化学結合を確立しない。その層の凝集力は、ファン・デル・ワールス力または静電力タイプの弱い力によってすべて同じく提供される。
区画は、ナノ粒子のクラスターから構成されるので、熱処理の間の温度の作用の下、マスク領域または区画は密になるように見える。区画のサイズ(B)は減少し、すなわち、それらの表面積は(およびその厚みも)減少する。したがって、この熱処理を経て、マスクの特性寸法、すなわち、メッシュの開口部とメッシュの幅との間の比率が変わる。
好ましくは、加熱時間は、処理温度しだいで調整される。概して、時間は、1時間未満であってもよく、好ましくは1〜30分である。
マスクのコンパクト化は、その上、可能な除去のステップ(水溶液からコロイドが堆積した場合、単に水で洗浄すること)を保っている間の取り扱い(それの欠け落ちを避ける)を容易にできる基材に対するこの密着性を改善する。
熱処理は、局所的であってもよく、グリッド表面全体にわたってもよい。
熱処理によって改変される領域は、任意の形状の周辺または中央であってもよい。
したがって、コロイドマスクのコンパクト化のための熱処理によって、(フォトリソグラフィまたはエッチングのための)新しいマスクに頼る必要がなく、局部的にまたは表面全体にわたって、その特性寸法を変えることができる。
したがって、メッシュの形状(幅、高さ)を局所的に変更し、伝導性勾配を有する領域を作り出すことが可能になる。残りの部分を冷やしたままにしながら局所的に加熱できる。
したがって、B/A比率は、第1のグリッド領域と第2のグリッド領域とで、たとえば、少なくとも2倍で異なる。第1および第2の領域は、異なる形状でも等しい形状でもよく、および/または異なるサイズでも等しいサイズでもよい。
したがって、メッシュ開口部/素線サイズの様々な比率によって、
− 光透過率勾配、
− (加熱、霜取り、非矩形表面上の均一な熱の流れの発生に適用する)電力の勾配、
を有する領域を作り出すことが可能になる。
同じように、オーバーグリッドの堆積は、熱処理されたグリッド領域の全領域内でもよいし、この領域の一部分または複数部分の領域内であってもよい。
熱処理は、区画の縁とグリッドの横の縁とを有する充分な間隔を空ける。その結果、追加の堆積は、グリッドを(好ましくは全体的に)被覆し、囲むことができる。
オーバーグリッドは、マスクを除去する間および後の操作の間、所望によりあまり付着しないグリッドを保護するために使用されてもよい。
グリッドの縁は、直線のマスクの縁および(好ましくはPVDタイプの)オーバーグリッド堆積法により傾斜している。したがって、オーバーグリッドは連続であり、グリッドを完全に被覆する。オーバーグリッドの厚みは、必ずしも一定ではない(たとえば、グリッドの辺の上ではより小さい)。
フォトリソグラフィタイプの技術を経て、1つのステップでそのようなオーバーグリッドを作製することは不可能であろう。位置合わせを伴うマスキングの作り直しを行い、その後、剥離する必要があるであろう。それは、費用がかかり、複雑である。
その方法は、アンダーグリッドと呼ばれる、開口部を通りグリッドの下に至る層、とくにグリッドの付着のためのアンダーグリッド、アルカリ金属のバリヤであるアンダーグリッドなどの堆積をさらに含んでもよい。
本発明による方法を経て、材料の数層をエッチングすることが問題であるとき、とくに複雑で費用がかかるフォトリソグラフィタイプの技術を不要にする。これは、エッチングのしすぎを回避するために同じ速度で様々な積層された材料をエッチングするエッチング溶液を見つけることが必要になる。
グリッド材料、とくに金属(銀、金、銅など)のとくにガラス上の付着を促進するための層として、NiCr、Ti、Nb、Alの単一物または混合物、金属酸化物がドープされたもの(ITOなど)またはドープされないものをベースとした層を選択することができる。その層は、たとえば、5nm以下の厚みを有する。
アルカリ金属に対するバリヤ材料または暗色化材料の例は、後に記載されている。
したがって、単純化の目的のために、方向性がある(そして好ましくは同一である)グリッド材料およびオーバーグリッド材料および所望によりアンダーグリッド材料を堆積するための技術が好まれ得る。堆積は、開口部を通しておよびマスク上の両方で実行されてもよい。
本発明の好ましい態様では、以下の配置の一方のものおよび/または他方のものを所望によりさらにとることが可能である。
− グリッド材料の堆積物は、マスク開口部の一部を充填し、さらにマスクの表面を被覆する。
− グリッド材料の堆積は、とくにプラズマによる大気圧堆積、スパッタリングまたは蒸着による減圧下での堆積である。
− オーバーグリッド材料の堆積物は、マスク開口部の一部を充填し(およびグリッドを被覆し)、さらにマスクの表面を被覆する。
− オーバーグリッド材料の堆積は、とくにプラズマによる大気圧堆積、スパッタリングまたは蒸着による減圧下での堆積である。
− アンダーグリッド材料の堆積物は、マスクの一部を充填し、さらにマスクの表面を被覆する。そして、
− アンダーグリッド材料の堆積は、とくにプラズマによる大気圧堆積、スパッタリングまたは蒸着による減圧下での堆積である。
その後、周囲温度で実行することができ、および/または単純であり(とくに触媒を必然的に必要とする触媒堆積よりも単純である)、および/または密度の高い堆積物を付与する1種または2種以上の堆積技術を選択することが可能である。
グリッド層またはオーバーグリッド層またはアンダーグリッド層を堆積するための方法は、所望によりプラズマ支援される真空熱蒸着タイプのもの(DresdenのFraunhoferにより開発された技術)であってもよい。それらは、マグネトロンスパッタリングによって得られる堆積速度よりも大きな堆積速度を有する。
好ましくは、グリッド堆積、熱処理およびオーバーグリッド堆積(および好ましくは所望によるアンダーグリッド堆積)は、減圧を中断することなく、同じ堆積チャンバ(たとえば、スパッタリングまたは蒸着チャンバ)内で実行される。
基材に、色がついていてもよい。
ネットワークマスクを受け取る基材は、平坦でも曲がっていてもよい。
その主面は、矩形、正方形またはさらに他のいずれかの形状(円形、卵形、多角形など)であってもよい。この基材は大きなサイズのものであってもよく、たとえば、0.02m2、または0.5m2、または1m2よりも大きな、表面積を有する。
基材は、実質的に透明であってもよく、無機であってもよく、またはポリカーボネートPC、またはポリメチルメタクリレートPMMA、または代わりにPET、ポリビニルブチラルPVB、ポリウレタンPU、ポリテトラフルオロエチレンPTFEなどのブラスチックで作製されてもよい。
マスクを受け取る基材は、連続的な副層(とくに基材にもっとも近いベース(base)層を含んでもよい。その層は、アルカリ金属に対するバリヤになり得る。
そのような副層は、(とくに電極を形成するための)導電性堆積の場合、任意の汚染(デラミなどの機械的欠陥を導く汚染)からグリッド材料を保護し、さらに、その導電率を保つ。
ベース層は、強く、様々な技術により速くおよび容易に堆積する。それは、たとえば、とくに気相としてのとくに熱分解技術(略語CVDによって「化学的蒸着」を示されることが多い技術)によって堆積され得る。堆積パラメータの好適な調節により、強化バリヤ用の非常に密度の高い層を得ることが可能になるので、この技術は、本発明に関して有利である。
減圧下での堆積をより安定化させるために、ベース層は、アルミニウムおよび/またはホウ素で所望によりドープされてもよい。ベース層(所望によりドープされた単一層または複数層)は、10nmと150nmとの間、より好ましくはさらに15nmと50nmとの間の厚みを有していてもよい。
ベース層は好ましくは、
− 酸化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、一般式SiOCの層をベースとし、
− 窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、オキシ炭化窒化ケイ素、一般式SiNOC、とくにSiN、とくにSi34の層をベースとしてもよい。
とくに、ドープされたまたはドープされない窒化ケイ素Si34で(主に)作製されたベース層が好ましい。窒化ケイ素は、非常に速く堆積され、アルカリ金属に対する優れたバリヤを形成する。
大気圧プラズマ源を使用して開口部のネットワークを清浄させることが可能である。
本方法は、コロイド溶液の乾燥から製造されたマスクを使用する。したがって、マスクの堆積面は、使用される水または他の溶媒に対して化学的に安定であることが必要である。そして、水性溶液の場合には、表面は、好ましくは親水性である。
マスキング層の堆積のための表面は、フィルム形成面であり、すでに示したように、溶媒が水性の場合、とくに好ましくは親水性の表面である。これは、以下の表面である。
− ガラス、プラスチック(たとえば、ポリウレタンまたはポリカーボネート)の基材の表面であり、プラスチックは、親水性になるように、所望により(たとえば、プラズマによって)処理され、たとえば、処理PET、処理PMMAである。
− 所望により機能が付加された連続的な副層の表面であり、
− 副層は、
− 親水性層(たとえば、PET、PMMAなどの疎水性プラスチック上のシリカ層)、マスクの充分な付着を促進するための層、および/またはすでに記載したアルカリ金属バリヤ層であり、
− および/または(最後の層として)グリッド材料の付着を促進するための層であり、
− および/または(透明である)導電層および/または装飾、着色または不透明層である。
マスク層と基材との間には、複数の副層が存在してもよい。
180℃以下、より好ましくは150℃以下の温度で熱処理を実行できるTgが選択される。
好ましくは、50℃と120℃との間のTgが選択される。
乾燥の結果、1つのステップで、溶媒が除去され、開口部が形成するようにしてもよい。
得られたマスクは、高い塩基性の溶液または潜在的に汚染する有機化合物を必要とせずに、冷たいまたは暖かい純水、とくに水性溶媒を使用して容易に除去することができる。
溶液のナノ粒子について十分に高いTgを選択することによって、(溶液の堆積のためのステップと好ましくは同じように)乾燥ステップは、50℃よりも低い温度、好ましくは周囲温度、概して20℃と25℃との間の温度で(実質的に)実行されてもよい。
溶液の粒子の所与のガラス転移温度Tgと乾燥温度との間の差異は好ましくは10℃または20℃よりも大きい。
マスキング層を乾燥するステップは、たとえば、減圧下での乾燥よりはむしろ大気圧で実質的に実行されてもよい。
開口部間の距離B、開口部のサイズAおよび/またはB/A比率を調整するために、乾燥パラメータ(制御パラメータ)、とくに湿度および乾燥速度の程度を変更することができる。
湿度が高くなると(他のすべてのものは等しい)、Aは小さくなる。
温度が高くなると(他のすべてのものは等しい)、Bは高くなる。
標準的な液体技術を経て(水性または非水性)溶液のコロイドを堆積することが可能である。
B、Aおよび/またはB/A比率を調整するために、とくに基材にナノテクスチュアを形成することによって固まったコロイドと基材の表面との間の摩擦係数、ナノ粒子のサイズおよび初期ナノ粒子濃度、溶媒の性質ならびに堆積技術によって決まる厚みから選択された他の制御パラメータを変更することが可能である。
密度が高くなると(他のすべてのものは等しい)、B/Aは低くなる。
湿式の技術として、以下を言及する。
− スピンコーティング、
− カーテンコーティング、
− ディップコーティング、
− スプレーコーティング、および
− フローコーティング。
すでに形成されたナノ粒子を有する溶液は、もともと安定であってもよく、ポリマー前駆体タイプの反応性成分を含まない(または無視できる量である)ことが好ましい。
溶媒は、好ましくは水ベースであるか、さらに全体が水である。
(水ベースであるか、さらに全体が水である溶媒を好ましくは有する)コロイドの溶液は、ポリマーナノ粒子を含む。
たとえば、アクリル酸共重合体、スチレン、ポリスチレン、ポリ(メタ)アクリレート、ポリエステルまたはそれらの混合物が選択される。
したがって、マスキング層(乾燥前)は、本質的にコロイド状ナノ粒子(したがって、溶媒に不溶である材料のナノ粒子)の堆積物からなるようにしてもよく、それは、認識可能であり、ポリマーである。
ポリマーナノ粒子は、好ましくは固体、水不溶性ポリマーからなってもよい。
表現「本質的に〜なる」は、マスキング層は、マスクの特性(ネットワークの形成、除去しやすさなど)に影響を与えない他の化合物を微量に所望により含んでもよいことを意味すると理解される。
コロイド水性溶液は、好ましくは水およびコロイド状ポリマー粒子からなり、したがって、(たとえば、顔料、バインダ、可塑剤などの)他の任意の化学剤は除かれる。同様に、コロイド水性分散は、好ましくは、マスクを形成するために使用される化合物のみである。
したがって、乾燥した後のネットワークマスクは、本質的に、ナノ粒子、好ましくは、ポリマーの識別可能なナノ粒子の堆積物からなってもよい。そのポリマーナノ粒子は、固体、水不溶性ポリマーからなる。
溶液は、好ましくは、シリカ、アルミナまたは酸化鉄の無機ナノ粒子を累積的に含んでもよい。
好ましくは、マスクの除去は、グリッドに対して不活性である溶媒、たとえば、水、アセトンまたはアルコールによって液体の経路を経て(所望により高温で、および/または超音波の助けを借りて)実行される。
また、グリッド材料の堆積が実行される前に、開口部のネットワークを清浄することは可能である。
また、本発明は、とくに透明であり、すでに前に規定した製造方法から形成されるオーバーグリッドでコーティングされたグリッドを備える基材に関する。
グリッドを有する基材の光透過率とコーティングされたグリッドを有する基材の光透過率との間の差異は、好ましくは25%以下であり、より好ましくは10%以下である。
とくに金属(銀、アルミニウム、銅など)のオーバーグリッドの場合、オーバーグリッドは、グリッドを被覆し囲む腐食保護層を含む。
被覆層材料として、以下を選択することができる。
− (光透過率を変更させない)窒化ケイ素、シリカ、
− 窒化炭素、
− グリッド材料よりも酸化しづらい金属、たとえば、アルミニウムについてCr、Mo、NiCrを選択。
説明として、十分な腐食保護のため以下が選択される。
− オーバーグリッドの厚みが、10nm以上、好ましくはグリッドの厚みの半分よりも薄く、100nm以下である。
− グリッドの縁から始まるオーバーグリッドの幅が、A’/2以上および3A’以下、好ましくは2A’以下である。
好ましくは、オーバーグリッド材料で作製された50nm以下の厚みを好ましくは有する腐食保護副層が付加される。
したがって、封入が完璧である。
オーバーグリッドは、10%未満の反射の純度Peおよび青色スペクトル(およそ480nm)ぐらいの反射の主波長を有する暗色化層を含んでもよい。
これは、赤色スペクトル(およそ600nm)くらいの反射の主波長を有する銅の暗色化のためにとくに使用されてもよい。
被覆層材料として、Cr、NiCrが選択され得る。
光反射のこの減少(赤色から青色スペクトルに変わること)は、美的さを改善する。
説明として、十分な暗色化のために、以下が選択される。
− オーバーグリッドの厚みが20nm以上であり、好ましくはグリッドの厚みの半分よりも薄い。
− グリッドの縁から始まるオーバーグリッドの幅は、A’/2以上および2A’以下であり、好ましくは1.5A’以下である。
好ましくは、とくにオーバーグリッド材料で作製され、好ましくは50nm以下の厚みを有する暗色化副層が付加される。
斜入射でグリッドを観察することによって、グリッドは面全体にわたって黒く見える。
また、オーバーグリッド材料は、前記グリッド材料で作製されてもよい。したがって、素線は、縁よりも中央の方が厚くなる。また、これにより、電気伝導率を増加させることができる。
オーバーグリッドは、製品を製造するための後続のステップと適合できるようにしてもよい。
たとえば、オーバーグリッドはグリッド金属拡散バリヤ層、たとえば、銅グリッド上のアルミニウムまたはモリブデンで作製されたバリヤ層であってもよい。銅は、任意の有機層、たとえば、OLEDデバイスの有機層を汚染する。
たとえば、中間層(とくにPVB)との適合が不十分である酸化可能金属グリッド(銅など)の積層を容易にするため、オーバーグリッドは、酸化物(金属酸化物など)で作製されてもよい。
たとえば、オーバーグリッドは、エッチング停止層を含んでもよい。それは、絶縁性であり、または、もし必要なら伝導性である。
グリッドは、副層、たとえば、すでに示された親水性および/または付着促進および/またはバリヤおよび/または装飾の副層の上に堆積されてもよい。
グリッド(およびそのオーバーグリッド、そのアンダーグリッド)は、不規則、すなわち、不規則、非周期的メッシュ(素線によって範囲が定められた閉じたパターン)を有する素線の二次元メッシュネットワークであってもよい。
グリッド(またはそのオーバーグリッド)は、以下の特徴の1つまたは2つ以上を有していてもよい。
− 7と40との間の、素線のミリメートルに満たない(平均)幅(A’)に対する素線間の(平均)間隔(B’)の比率、
− グリッドパターンが不規則(非周期的)であり、種々の形状および/またはサイズを有し、
− メッシュが、3つおよび/または4つおよび/または5つの辺、たとえば、大部分は4つの辺を有し、
− グリッドが、少なくとも一次元、好ましくは二次元で非周期的な(または不規則な)構造を有し、
− 所与の領域または全表面にわたるメッシュの大部分またはすべてについて、メッシュのもっとも大きな特性寸法とメッシュのもっとも小さな特性寸法との間の差異が2未満であり、
− メッシュの大部分またはすべてについて、1つのメッシュの2つの隣接する辺の角度は60°と110°との間、とくに80°と100°であってもよく、
− 所与のグリッド領域では、または表面の大部分もしくは全部にわたって、素線の最大幅と素線の最小幅との間の差異は、4未満、または2以下であり、
− 所与のグリッド領域では、または表面の大部分もしくは全部にわたって、封止されていないメッシュおよび/または切断されている(「ブラインド(blind)」)素線部分の量は、5%未満、または2%以下あり、すなわち、制限された、さらにほとんどゼロのネットワーク断絶であり、
− 所与のグリッド領域では、または表面の大部分もしくは全部にわたって、最大メッシュ寸法(メッシュを形成する素線間の間隔)と最小メッシュ寸法との間の差異は4未満であり、または2以下であり、
− 大部分について、素線の縁は一定の間隔が開けられ、とくに実質的に直線的であり、平行であり、10μmのスケールである(たとえば、200倍の光学顕微鏡を使用して観察される)。
本発明によるグリッドは、等方性電気特性を有していてもよい。
本発明による不規則なグリッドは、点光源を回折しなくてもよい。
グリッドの素線の厚みは、厚みが実質的に一定でもよいし、基部でより広くなっていてもよい。
グリッド(およびそのオーバーグリッド)は、素線を有する主要ネットワーク(所望によりおよそ平行である)および素線の二次ネットワーク(所望によりその平行ネットワークに対しておよそ直交している)を含んでもよい。
グリッドは、基材、とくに、すでに示したように、ガラス機能を有し、プラスチックまたは無機材料で作製された基材の表面の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
導電性グリッド(または、そのオーバーグリッド)は、0.1Ω/□と30Ω/□との間のシート抵抗を有していてもよい。好都合なことに、本発明による導電性グリッドは、とくに、1μm以上、好ましくは10μm未満または5μm以下のグリッド厚みについて、5Ω/□以下、または1Ω/□もしくは0.5Ω/□以下のシート抵抗を有してもよい。
B’/A’比率は、たとえば、第1のグリッド領域と第2のグリッド領域とで少なくとも2倍異なっていてもよい。第1および第2の領域は、形状が異なっていても同じでもよく、および/または、サイズが異なっていても同じでもよい。
したがって、様々なメッシュ開口部/素線サイズの比率で、以下の領域を作り出すことができる。
− 光透過率勾配、および
−(加熱、霜取り、非矩形表面にわたる均一な熱の流れの発生に適用する)電力の勾配。
グリッド(およびそのオーバーグリッド)の光透過率は、素線の平均幅Aに対する素線間の平均距離BのB/A比率によって決まる。
好ましくは、B/A比率は、5と15との間であり、より好ましくはおよそ10であり、透明性を容易に維持し、および製造を容易にする。たとえば、BおよびAは、およそ50μmおよび5μmにそれぞれ等しい。
とくに、平均素線幅Aは、100nmと30μmとの間、好ましくは、それらの視認性を制限するために10μmまたは5μm以下から、製造しやすくし、高伝導性および透明性を容易に維持するために、1μm以上から選択される。
とくに、透明性を容易に維持するために、A’よりも大きな、5μmと300μmとの間の、または20μmと100μmとの間の素線間の平均距離B’をさらに選択することができる。
素線の厚みは、透明性および高伝導性を容易に維持するために、100nmと5μmとの間、とくにミクロンサイズ、より好ましくは0.5〜3μmであってもよい。
本発明によるグリッドは、広い表面積、たとえば、0.02m2以上、または0.5m2もしくは1m2以上の表面積にわたってもよい。
グリッドについて、B’/A’比率(素線間の間隔B’を素線の幅A’、素線のサイズで割る)を変更することによって、1%と20%との間のヘイズ値を得る。
基材は、すでに示したように実質的に透明であってもよい。基材は、実質的に透明である場合、および無機材料(たとえば、ソーダ石灰ケイ酸塩ガラス)をベースとする場合、または(ポリカーボネートPCまたはポリメチルメタクリレートPMMAなどの)プラスチックをベースとする場合、ガラス機能を有していてもよい。
UV光を透過させるために、基材は、石英、シリカ、フッ化マグネシウム(MgF2)またはフッ化カルシウム(CaF2)、ホウケイ酸ガラスもしくは0.05%未満のFe23を有するガラスから好ましくは選択される。
3mmの厚みについて例を示す。
− マグネシウムまたはカルシウムのフッ化物は、UV帯の全範囲、すなわち、UVA(315nmと380nmとの間)、UVB(約280nmと315nmとの間)、UVC(200nmと280nmとの間)およびVUV(約10nmと200nmとの間)にわたって80%または90%を超えて透過する。
− 石英およびある高純度シリカは、UVA、UVBおよびUVC帯の全範囲にわたって、80%、さらに90%を超えて透過する。
− SchottからのBorofloat(登録商標)などのホウケイ酸ガラスは、全UVA帯にわたって70%を超えて透過する。そして、
− 0.05%未満のFe(III)またはFe23を有するソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、とくにSaint-Gobainからのガラス、Diamant(登録商標)、Pilkingtonからのガラス、Optiwhite(登録商標)およびSchottからのガラス、B270は、全UVA帯にわたって、70%、さらに80%を超えて透過する。
しかし、Saint-Gobainによって販売されているガラス、Planilux(登録商標)などのソーダ石灰ケイ酸塩ガラスは、360nmを越えて80%よりも大きな透過率を有する。それは、ある構造およびある用途にとって十分であり得る。
また、所与の赤外帯、たとえば、1μmと5μmとの間で透明であるための基材が、選択され得る。たとえば、それはサファイアであってもよい。
コーティングされたグリッドを備えた基材の全光透過率は、50%以上、より好ましくは70%以上であってもよく、とくに70%と86%との間である。
所与のIR帯、たとえば、1μmと5μmとの間におけるコーティングされたグリッドを備えた基材の全透過率は、50%以上、より好ましくは70%以上であってもよく、とくに70%と86%との間である。ターゲットとする用途は、赤外視覚システムを有する、とくに夜間視界のための加熱されたグレージング(glazing)ユニットである。
所与のUV帯におけるコーティングされたグリッドを備えた基材の全透過率は、50%以上、より好ましくは70%以上であってもよく、とくに70%と86%との間である。
複合的な積層グレージングユニット(EVA、PU、PVBなどの積層中間層タイプ)は、本発明によるコーティングされたグリッドを有する基材に組み込んでもよい。
本発明によるコーティングされたグリッドは、とくに有機発光デバイス(OLED)、とくにボトムエミッション(bottom emission)型OLEDまたはボトムおよびトップエミッション(bottom and top emission)型OLEDの(基材にもっとも近い)下方電極として使用されてもよい。
本発明のさらに別の態様によれば、それは、前に記載されたようなグリッドの以下のものとしての使用をターゲットにする。
− 様々な光学的および/またはエネルギ特性を有する電気化学的におよび/または電気的に制御可能なデバイス、たとえば、液晶デバイスまたは光起電力デバイス、または有機もしくは無機発光デバイス(TFELなど)、ランプ、とくにフラットランプもしくは所望によりフラットUVランプのアクティブ層(単一層または複数層の電極)。
− 車両用(加熱されたフロントガラス、加熱されたリアウインド)または放熱器、タオルウォーマまたは冷蔵庫タイプの電気商品用途用、霜取り、防露もしくは防曇用などの加熱デバイスの加熱グリッド、
− 電磁シールドグリッド、
− または、(所望により(準)透明である)導電性グリッドを必要とする任意の他のデバイス。
心覚えに、エレクトロクロミックシステムには、「全固体」エレクトロクロミックシステム(本発明の文脈の中では、用語「全固体」は、すべての層が無機質である複数層の積層体に関連して規定される)または「全ポリマー」エレクトロクロミックシステム(本発明の文脈の中では、用語「全ポリマー」は、すべての層が有機質である複数層の積層体に関連して規定される)、または混合もしくはハイブリッドエレクトロクロミックシステム(この中では、積層体の層が有機質および無機質である)または液晶もしくはビオロゲンシステムが存在する。
心覚えに、放電ランプは、能動素子として蛍光物質を含む。とくにフラットランプは、少し離して保持され、数ミリメートル未満で一般に分離され、そして減圧下でガスを含むように密閉して封止された2枚のガラス基材を含む。その中では、電気的放電は、その後可視光を放射する蛍光物質を励起する概して紫外線の範囲の放射を作り出す。
フラットUVランプは、当然のこととして壁の少なくとも1つについて同じ構造を有していてもよい。(すでに記載されたように)UVを透過する材料が選択される.UV放射は、プラズマガスおよび/または好適な追加の蛍光物質によって直接作り出される。
フラットUVランプの例として、国際公開第2006/090086号パンフレット、国際公開第2007/042689号パンフレット、国際公開第2007/023237号パンフレットおよび国際公開第2008/023124号パンフレットが参照され得る。それは、参照することによって組み入れられる。
たとえば、参照することによって組み入れられる国際公開第2004/015739号パンフレット、国際公開第2006/090086号パンフレットまたは国際公開第2008/023124号パンフレットに記載されているように、電極(アノードおよびカソード)間の放電は、面を介してまたは厚みで(外部および内部の両方、一方が内部で他方が外部、基材の少なくとも一方など)、基材とそれぞれ関連するアノードおよびカソードを有する共面型(「面−面」)型であってもよい。
参照することによって組み入れられる国際公開第2007/023237号パンフレットに記載されているように、UVランプおよびフラットランプでは、電極(アノードおよびカソード)間の放電は、共面型(1つの同じ面の、1つの同じ基材上の、アノードおよびカソード)であってもよい。
それは、別のタイプの照明システム、すなわち、無機発光デバイスであってもよい。その能動素子は、たとえば、ZnS:Cu,Cl、ZnS:Cu,Al、ZnS:Cu,Cl,Mn、またはCaSまたはSrSから選択されるドープされた蛍光物質をベースとする無機発光層である。この層は、絶縁層によって電極から好ましくは分離される。そのようなグレージングの例は、文書欧州特許第1 553 153A明細書に(たとえば、表6の材料と一緒に)記載されている。
液晶グレージング(glazing)は、様々な光散乱グレージングとして使用されてもよい。それは、ポリマー材料をベースとし、2つの伝導層の間に配置されたフィルムの使用に基づく。上記材料の中では、液晶、とくに、正の誘電異方性を有するネマチック液晶の液滴が分散している。フィルムに電圧が印加された場合、液晶は好ましい方向に配向し、それにより見えるようになる。電圧が印加されない場合、結晶は整列せず、フィルムは散乱し、視界を妨げる。そのようなフィルムの例は、とくに、欧州特許第0 238 164号明細書および米国特許第4435047号明細書、米国特許第4806922号明細書および米国特許第4732456号明細書に記載されている。2枚のガラス基材の間に一度積層され、取り込まれるこのタイプのフィルムは、「Privalite」のブランド名の下でSAINT-GOBAIN GLASSによって販売されている。
実際に、「NCAP」(ネマチック曲線配向相:Nematic Curvilinearly Aligned Phases)、または「PDLC」(ポリマー分散液晶:Polymer Dispersed Liquid Crystal)、または「CLC」(コレステリック液晶:Cholesteric Liquid Crystal)の用語の下で知られている液晶をベースとする任意の成分を使用することが可能である。
また、後者は、液晶の液滴中のとくに溶液中に二色性染料を含んでもよい。そうすれば、システムの光散乱および光吸収を一緒に調節することが可能である。
また、国際公開第92/19695号パンフレットに記載されているもののように、たとえば、少量の架橋されたポリマーを含むコレステリック液晶をベースとするゲルを使用することが可能である。
また、本発明は、グレージングで、透過率の操作で、前に記載されたマスクの作製から得られたもののなどのグリッドの組み込みに関する。
用語「グレージング」(glazing)は、広い意味で理解されなければならず、ガラス機能を有する本質的に透明である任意の材料を含有する。それは、ガラスおよび/または(ポリカーボネートPCまたはポリメチルメタクリレートPMMAなどの)ポリマー材料で作製される。キャリア基材および/または対向基材、すなわち、アクティブシステムの側面に配置する基材は、堅くてもよいし、曲げやすくてもよいし、やや曲げやすくてもよい。
また、本発明は、主にグレージングまたは鏡としてこれらのデバイスのために見つけられ得る様々な用途に関する。すなわち、それらは、建築用グレージング、とくに外面グレージング、内部仕切りまたはグレージングのドアを作製するために使用されてもよい。また、それらは、列車、飛行機、車、船および作業車両などの輸送形態の窓、屋根または内部仕切りのために使用されてもよい。また、それらは、投射スクリーン、テレビまたはコンピュータースクリーンなどのディスプレイスクリーン、タッチ感応スクリーン、照明表面および加熱グレージングのために使用されてもよい。
図1および2は、本発明によるオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを製造するための方法の主なステップを概略的に表す。
コーティングされたグリッドを製造するための方法は、以下を含む。
− 以下を含む、ネットワークマスクと呼ばれ、ミリメートルに満たない開口部を有するマスク1を、基材2の主面の上に製造すること。
− 溶媒中に安定化され、分散されたコロイド状ポリマーナノ粒子の溶液からのマスキング層の堆積。そのポリマー粒子は、所与のガラス転移温度Tgを有する。
− マスク領域の実質的に直線の縁を有する開口部10のネットワークを有するマスク1が得られるまでの上記温度Tgよりも低い温度でのマスキング層の乾燥。開口部はマスク領域を分離する。
− 開口部の深さの部分が充填されるまで、グリッド3材料と呼ばれる少なくとも一種の導電性材料のPVDによる堆積を含むネットワークマスクからの導電性グリッド3の形成、およびマスク領域の表面をさらに被覆すること。
− Tgの0.8倍以上の温度でのグリッド材料を有するマスキング層の熱処理。その結果、マスク領域の収縮が生じ、その後、マスク領域の縁とグリッドの横の縁との間に間隔を作り出す。
− グリッド上のおよびマスク領域の縁とグリッドの横の縁との間の間隔の中に、被覆層4材料として呼ばれる材料で作製された、被覆層と呼ばれる層の堆積、およびマスク領域の表面をさらに被覆すること。そして、
− オーバーグリッドでコーティングされたグリッドが現れるまでのマスキング層の除去。
マスク領域の縁は直線であるので、グリッド3を形成する層は、図1に示すように、傾斜した縁31を有する。
マスク領域の縁は、熱処理の後、さらに離れるので、オーバーグリッド4を形成する層は、傾斜した横の縁31を被覆し(その結果、傾斜している横の縁41に調和する)、図2に示すように、マスク領域の縁まで延びる。
グリッド3の3つの面を被覆するこのオーバーグリッドは、腐食に対して保護するため、難しい方法のステップを考慮してグリッドの保護のため、または暗色化のための層として作用してもよい。
図3〜5は、1つの変形で、本発明によるオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドを製造するための方法の主なステップを概略的に表す。
この変形では、本方法が、開口部10を通って、グリッド4の下へのアンダーグリッド5と呼ばれる層、とくにグリッドの付着のためのアンダーグリッド、アルカリ金属に対するバリヤであるアンダーグリッドまたは暗色化アンダーグリッドの堆積(および、さらにマスク領域の表面を被覆すること)を含む点で異なる。
図5のようにグリッド3の4つの面を被覆するアンダーグリッドおよびオーバーグリッド。
主な製造ステップは、引き続き順番に、1つ1つ、今、詳細に説明されるであろう。
ネットワークマスクの製造
アクリル酸共重合体をベースとし、40重量%の濃度で、5.1のpHでおよび15mPaに等しい粘度で、水中に安定化されたコロイド状粒子の単純なエマルションは、湿式方法の技術によって、スピンコーティングによって、たとえば、平坦で無機物でありガラス機能を有する基材の一部の上に堆積される。コロイド状粒子は、80nmと100nmとの間の特性寸法を有し、「NEOCRYL XK 52」(登録商標)のトレードマークの下でDSMによって販売され、115℃に等しいTgを有する。
溶媒を蒸発して開口部を形成するように、その後、コロイド状粒子を組み込んでいる層の乾燥が実行される。この乾燥は、任意の好適な方法(熱風乾燥など)によって、Tgよりも低い温度で、たとえば、周囲温度で実行されてもよい。
この乾燥ステップの間、そのシステムは、それ自体再配列し、開口部10のネットワークおよびマスク領域を含むネットワークマスク1を形成する。それは、パターンを描く。その例示的態様は、図6および7に表されている(400μm×500μmの像)。
安定しているネットワークマスク1が、アニールに頼らずに得られ、後にAと呼ばれる開口部の(平均)幅と、後にBと呼ばれる開口部間の(平均)間隔によって特徴付けられる構造を有する。この安定化されたネットワークマスクは、比率B/Aによって、後に規定されるであろう。
開口部における二次元のメッシュ化された、メッシュの少しの断絶(封鎖開口部)を有するネットワークが得られる。
乾燥温度の影響が評価された。20%のRHの下、10℃の乾燥の結果、80μmのメッシュになる(図8a)。一方、20%のRHの下、30℃の乾燥の結果、130μmのメッシュになる(図8b)。
乾燥条件、とくに湿度の程度の影響が評価された。「XK52」をベースとした層が、試料の底と頂上との間の厚みのバリエーション(10μmから20μmまで)を付与するフローコーティングによってこのとき堆積された。その結果、メッシュサイズのバリエーションが生じた。湿度が高くなると、Bは小さくなる。
Figure 2012503716
また、このB/A比率は、たとえば、固まったコロイドと基材の表面との間の摩擦係数、またはナノ粒子のサイズ、または蒸発速度、または初期粒子濃度、または溶媒の性質、または堆積技術によって決まる厚みを調節することによって変更される。
これらの様々な可能性を説明するために、コロイド溶液の2つの濃度(C0および0.5×C0)およびディップコータの上昇速度を調節することによって堆積された様々な厚みを有する実験的デザインを以下に示す。濃度および/または乾燥速度を変えることによって、B/A比率を変えることが可能であることが観察される。
その結果は以下の表に示される。
Figure 2012503716
コロイド溶液は、様々な厚みのフィルムドロワ(film-drawer)を使用することによってC0=40%の濃度で堆積される。これらの実験は、素線のサイズおよび素線間の距離はコロイド層の初期厚みを調節することによって変えられ得ることを示す。
Figure 2012503716
最後に、基材の表面粗さは、大気圧プラズマを使用したエッチングによって変更された。その表面は、Agの小塊のマスクを介したガラスの表面である。この粗さは、コロイドと接触する領域のサイズの規模のオーダであり、それはこれらのコロイドの基材との摩擦係数を増加させる。以下の表は、B/A比率およびマスクの形態における摩擦係数を変えることの効果を示す。同一の初期厚みでより小さなメッシュサイズおよび増加するB/A比率が得られるように見える。
Figure 2012503716
別の例示的態様では、前に記載されたコロイド状粒子を含有する1つの同じエマルションのスピンコーティングによって得られた開口部のネットワークの寸法のパラメータを以下に示す。スピンコーティング装置の様々な回転速度はマスクの構造を変える。
Figure 2012503716
マスクの形態における乾燥前面の広がり(図10および11参照)の効果が研究された。乾燥前面の存在により、およそ平行な開口部のネットワークを作り出すことが可能になる。ネットワークの方向は、この乾燥前面と直交する。一方、平行ネットワークとおよそ直交する開口部の二次ネットワークが存在する。そのため、開口部間の位置および距離が不規則になる。
本方法の実施のこの段階では、ネットワークマスク1が得られる。
マスクの形態学的研究は、開口部が直線の開口プロファイルを有することを示した。SEMを使用して得られた基材2上のマスク1の横断図である図9を参照することができる。
図9に表された開口部10の(すなわち、マスク領域の)プロファイルは、以下に関してとくに有利な点を有する。
− 大きな厚みの材料を堆積すること。そして、
− マスクを除去した後、マスクと同じようになるとくに大きな厚みのパターンを保持すること。
その後、得られたマスクは、そのまま使用されてもよいし、様々な後処理によって変更されてもよい。発明者は、開口部の底に位置する有機粒子の清浄のための源としてのプラズマ源の使用は、グリッドとして使用される材料の付着を実質的に改善できることをさらに見出した。
この構成によれば、コロイド状粒子は、開口部の底に存在しない。したがって、開口部を充填するために導入される材料(これは、本テキストでは、後で詳細に記載されるであろう)の、ガラス機能を有する基材との最大付着が存在するであろう。
例示的態様として、酸素/ヘリウム混合をベースとする移行型アークプラズマを使用した大気圧プラズマ源の助けを借りる清浄により、開口部の底に堆積された材料の付着を改善すること、および開口部の幅を大きくすることの両方を可能にする。Surfxから販売されているブランド「ATOMFLOW」のプラズマ源を使用してもよい。
別の態様では、50重量%の濃度で、3のpHで、および200mPa・sに等しい粘度で水中に安定化されているアクリル酸共重合をベースとするコロイド状粒子の単純なエマルションが堆積される。そのコロイド状粒子は、およそ118nmの特性寸法を有し、「NEOCRYL XK 38」(登録商標)のトレードマークの下、DSMによって販売され、71℃に等しいTgを有する。得られたネットワークは図12aに示される。開口部間の間隔は、50nmと100μmとの間であり、開口部の幅の範囲は、3μmと10μmとの間である。
グリッドの製造
本発明によるマスクから始めて、導電性グリッドが作製される。これをするために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、これらの金属の合金、ならびに、とくにITO、IZO、ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B、SnO2:FおよびSnO2:Sbから選択される導電酸化物などの導電性材料が、マスクを介して電気的に堆積される。その材料は、開口部を充填するように、開口部のネットワークの内側に堆積される。その充填は、たとえば、マスクの高さのおよそ半分の厚みに実行される。
たとえば、300nmの厚みを有するAgの層は、マグネトロンスパッタリングによって堆積される。
この堆積相は、たとえば、マグネトロンスパッタリングによって実行される。
熱処理
ネットワークに関するパラメータにおける処理の影響が評価された。
第1の例では、熱処理前(図12a)および熱処理後(図12b)における「XK38」を使用して堆積されたマスクにおける変化が比較された。結果は、以下の表に集められる。
Figure 2012503716
図12b(100℃で15分間の処理された試料)に示すように、縮小によって、開口部の幅は2倍またはさらに3倍になる。
第2の例では、熱処理前(図13a参照)と140℃で15分間の熱処理後(13b参照)とで、(XK38を使用して)堆積されたマスクにおける変化が比較された。開口部の幅のより大きな増加が観察された。
オーバーグリッドの製造
熱処理後、オーバーグリッドが、開口部を通して堆積された。
1つの例では、オーバーグリッドのためにグリッドと同じ材料、すなわち銀が堆積された。マスクは、「XK52」から作製された。
参照試料は、熱処理を受けず、オーバーグリッドでコーティングされていない銀グリッドである。
以下の表が、光学的特性、電気特性および熱処理の関数として素線の占有率のレベルにおける変化を示す。グリッドの(およびオーバーグリッドの)堆積方法および時間は、すべての試験について同じである。
Figure 2012503716
シート抵抗の低下(電極用途についてとくに望まれている)、および、たとえば、光学的写真からおよび画像処理の後に測定された被覆率の程度の増加が観察された。TLが少し減少した。
マスク除去
マスクからオーバーグリッドでコーティングされたグリッドの構造を現れるようにするため、「リフトオフ」(lift-off)作業が行われる。この作業は、コロイドの凝集は、弱いファン・デル・ワールスタイプの力(バインダなし、またはアニールに起因する結合)に起因するという事実によって容易にされる。その後、コロイド状マスクは、水およびアセトンを含有する溶液(洗浄溶液は、コロイド粒子の性質によって選択される)の中に浸漬され、その後、コロイドでコーティングされているすべての部分を除去するように洗浄される。超音波の使用によってその現象を加速することができ、コロイド状粒子のマスクを落として、グリッドを形成することになる相補形部分(材料により充填された開口部のネットワーク)が現れる。
腐食保護オーバーグリッドを有するグリッドの例
「XK52」をベースとするマスクが使用される。
グリッド材料として、アルミニウムが、4×10-3mbarの圧力でマグネトロンスパッタリングによって堆積される。
アニールの後、35nmのシリカの層が、オーバーグリッド材料として堆積される。
Figure 2012503716
この保護されているグリッドは、たとえば、EMIシーリングデバイスまたは加熱デバイス、主として、フロントガラスまたは放熱器または(デパート、棚、冷凍槽などのための)冷蔵庫の壁に使用されてもよい。
アンダーグリッドおよび暗色化オーバーグリッドを有するグリッドの例
「XK52」をベースとするマスクが使用される。
最初に、15nmのNiCrが開口部を通して堆積される。
グリッド材料として、10-3mbarの圧力でマグネトロンスパッタリングによって200nmの銅が堆積される。
熱処理が実行される。
オーバーグリッド材料として、15nmのNiCrの層が堆積される。
Figure 2012503716
グリッド素線の4つの辺は、黒くなり、審美的になる。斜入射では、コーティングされたグリッドは、すべての面にわたって黒く見える。
この審美的なグリッドは、たとえば、フラットランプ電極用またはエレクトロクロミック電極用に、スクリーン用、色の描写が厳格である製品用に使用される。

Claims (18)

  1. 基材(2)の主面上に、オーバーグリッド(4)でコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド(3)を製造する方法であって、
    − 前記主面上にネットワークマスクと呼ばれるミリメートルに満たない開口部を有するマスク(1)を作製するステップであって、
    − 溶媒の中で安定化され分散しているコロイド状ポリマーナノ粒子の溶液からのマスキング層の堆積であって、前記ポリマー粒子が所与のガラス転移温度Tgを有する堆積と、
    − マスク領域の実質的に直線の縁を有する開口部(10)のネットワークを有するマスクが得られるまでの前記温度Tgよりも低い温度での前記マスキング層の乾燥とを含むステップと、
    − 開口部の深さの一部分が充填されるまで、グリッド材料と呼ばれる少なくとも1種の導電性材料を堆積することを含む前記導電性グリッドを前記ネットワークマスクから形成するステップと、
    − Tgの0.8倍以上の温度で、前記グリッド材料を有する前記マスキング層を熱処理し、その結果、前記マスク領域の収縮が生じ、その後、マスク領域の縁と前記グリッドの横の縁(31)との間に間隔を作り出すステップと、
    − 前記グリッド上およびマスク領域(1)の縁と前記グリッドの前記横の縁(31)との間の前記間隔の中に被覆層材料と呼ばれる材料で作製された被覆層と呼ばれる層を堆積するステップと、
    − 前記オーバーグリッド(4)でコーティングされた前記導電性グリッド(3)が現れるまで、前記マスキング層を除去するステップとを含む方法。
  2. 前記開口部(10)を通って前記グリッド(3)の下のアンダーグリッドと呼ばれる層(5)、とくに前記グリッドの付着のためのアンダーグリッド、アルカリ金属に対するバリヤであるアンダーグリッドまたは暗色化アンダーグリッドの堆積を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 180℃以下、より好ましくは150℃以下の温度で前記熱処理が実行されることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記乾燥が50℃以下の温度で、好ましくは周囲温度で実行されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 前記グリッド(3)の堆積、前記熱処理および前記オーバーグリッド(4)の堆積が、減圧を中断することなく同じ堆積チャンバの中で実行されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記ポリマーナノ粒子が、以下のポリマー:アクリル酸共重合体、ポリスチレン、ポリ(メタ)アクリレート、ポリエステルまたはこれらのブレンドの1つからまたは、そのポリマーから選択されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記溶液が水性であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 前記マスキング層が液体の経路を経て、とくに溶媒によって除去されることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載の製造方法によって得られた、オーバーグリッド(4)でコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド(3)を主面上に備えた基材(2)、とくに透明である基材。
  10. 前記オーバーグリッド(4)が、腐食保護層、とくにNiCr、Crを含み、腐食保護アンダーグリッド(5)が、好ましくは存在し、とくにオーバーグリッド材料で作製されたことを特徴とする請求項9に記載のコーティングされたグリッド(3)を有する基材(2)。
  11. アルカリ金属に対するバリヤであるか、または前記グリッドの付着を促進するための、とくにNiCrであるアンダーグリッドを含むことを特徴とする請求項9または10に記載のコーティングされたグリッド(3)を有する基材(2)。
  12. 前記オーバーグリッド(4)が、10%未満の反射の純度Peおよびおよそ480nmの反射の主波長を有する暗色化層、とくにNiCrの層を含み、暗色化アンダーグリッド(5)が好ましくは存在し、とくにオーバーグリッド材料で作製されることを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載のコーティングされたグリッド(3)を有する基材(2)。
  13. 前記オーバーグリッド(3)材料は、前記グリッド(4)材料で作製されることを特徴とする請求項9〜12のいずれか1項に記載のコーティングされたグリッドを有する基材。
  14. 前記グリッドは、7と40との間である、前記素線のミリメートルに満たない幅(A’)に対する前記素線間の距離(B’)の比率、および/または200nmと50μmとの間の幅A’および5μmと500μmとの間の距離B’を有することを特徴とする請求項9〜13のいずれか1項に記載のコーティングされたグリッド(3)を有する基材(2)。
  15. 前記導電性グリッド(3,4)は、0.1Ω/□と30Ω/□との間のシート抵抗を有することを特徴とする請求項9〜14のいずれか1項に記載のコーティングされたグリッドを有する基材。
  16. 前記基材(2)および前記コーティングされたグリッドの光透過率および/または紫外および/または赤外における透過率は、70%と86%との間であることを特徴とする請求項9〜15のいずれか1項に記載のコーティングされたグリッド(3)を有する基材(2)。
  17. 複合的なグレージングユニットまたは積層されたグレージングユニットの一部であることを特徴とする請求項9〜16のいずれか1項に記載のコーティングされたグリッドを有する基材。
  18. 様々な光学的および/またはエネルギ特性を有する電気化学的および/または電気的制御可能なデバイス、とくに液晶デバイス、または光起電力デバイス、または発光デバイス、とくに有機または無機発光デバイス、または加熱デバイス、または所望によりフラットランプ、フラットもしくは管状UVランプ、電磁シールドデバイス、または伝導性、とくに透明である層が必要である任意の他のデバイスにおけるアクティブ層、とくに加熱層または電極としての請求項9〜17のいずれか1項に記載のコーティングされた導電性グリッドの使用。
JP2011528403A 2008-09-25 2009-09-25 オーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドの製造方法およびオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド Expired - Fee Related JP5647127B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0856448A FR2936362B1 (fr) 2008-09-25 2008-09-25 Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une grille surgrille, grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une surgrille
FR0856448 2008-09-25
PCT/FR2009/051822 WO2010034950A1 (fr) 2008-09-25 2009-09-25 Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une surgrille et grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une surgrille

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012503716A true JP2012503716A (ja) 2012-02-09
JP5647127B2 JP5647127B2 (ja) 2014-12-24

Family

ID=40626550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011528403A Expired - Fee Related JP5647127B2 (ja) 2008-09-25 2009-09-25 オーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドの製造方法およびオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8808790B2 (ja)
EP (1) EP2326601B1 (ja)
JP (1) JP5647127B2 (ja)
KR (1) KR20110060945A (ja)
CN (1) CN102164870B (ja)
FR (1) FR2936362B1 (ja)
PL (1) PL2326601T3 (ja)
WO (1) WO2010034950A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10434846B2 (en) 2015-09-07 2019-10-08 Sabic Global Technologies B.V. Surfaces of plastic glazing of tailgates
US10597097B2 (en) 2015-09-07 2020-03-24 Sabic Global Technologies B.V. Aerodynamic features of plastic glazing of tailgates
US10690314B2 (en) 2015-09-07 2020-06-23 Sabic Global Technologies B.V. Lighting systems of tailgates with plastic glazing
US11267173B2 (en) 2015-09-07 2022-03-08 Sabic Global Technologies B.V. Molding of plastic glazing of tailgates
US11466834B2 (en) 2015-11-23 2022-10-11 Sabic Global Technologies B.V. Lighting systems for windows having plastic glazing

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012016377B4 (de) * 2012-02-01 2015-07-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Ausbildung flächiger strukturierter Elektroden
CN104296799B (zh) * 2014-10-30 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 微型传感器本体及其制造方法、微型传感器
WO2017023440A1 (en) 2015-08-05 2017-02-09 Proteq Technologies Llc Light-emitting device
CN105428554B (zh) * 2015-12-21 2018-02-13 广东聚华印刷显示技术有限公司 一种印刷oled器件及其制作方法
US10081164B1 (en) * 2017-03-24 2018-09-25 Ford Motor Company Glass substrate with pigmented ceramic enamel layer
FR3093105B1 (fr) * 2019-02-22 2021-02-26 Saint Gobain Feuille de verre revêtue d’une couche de peinture minérale et d’un empilement de couches minces
CN114689098B (zh) * 2020-06-18 2024-01-16 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 超声旋转编码器
CN114283994B (zh) * 2021-11-23 2023-05-09 华中科技大学 一种嵌入式金属网格柔性电极薄膜及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003331654A (ja) * 2002-05-08 2003-11-21 Toppan Printing Co Ltd 導電膜およびその製造方法
JP2004228057A (ja) * 2002-11-25 2004-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd 網目状導電体及びその製造方法並びに用途

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4324815A (en) * 1978-01-24 1982-04-13 Mitani Electronics Industry Corp. Screen-printing mask and method
US4435047A (en) 1981-09-16 1984-03-06 Manchester R & D Partnership Encapsulated liquid crystal and method
JPS60158780A (ja) 1984-01-27 1985-08-20 Sony Corp 表示装置
US4732456A (en) 1984-08-28 1988-03-22 Taliq Corporation Scattering display for contrast enhancement including target
EP0238164B1 (en) 1986-01-17 1993-11-03 Raychem Corporation Liquid crystal panel
US4806922A (en) 1987-09-23 1989-02-21 Taliq Corporation Display device utilizing a plurality of NCAP liquid crystal modules
DE69230189T2 (de) 1991-02-14 2000-02-10 Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo Laminierte Glaskonstruktion
JP3330940B2 (ja) 1991-05-02 2002-10-07 ケント ステイト ユニバーシティ 液晶光変調デバイスと液晶物質
JPH04364021A (ja) * 1991-06-11 1992-12-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法
US5280373A (en) 1991-07-24 1994-01-18 Mitsubishi Kasei Corporation Light modulating device including a liquid crystal, a polymer and dichroic dyes having maximum absorption in the different wavelength regions
US5427983A (en) * 1992-12-29 1995-06-27 International Business Machines Corporation Process for corrosion free multi-layer metal conductors
US5667853A (en) 1995-03-22 1997-09-16 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
DE19520843A1 (de) 1995-06-08 1996-12-12 Leybold Ag Scheibe aus durchscheinendem Werkstoff sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH09283866A (ja) 1996-04-10 1997-10-31 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜付き基板
JPH10100303A (ja) 1996-06-07 1998-04-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜付き基板およびそれを用いた表示素子
JPH1170610A (ja) 1996-07-26 1999-03-16 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜、および透明電極の形成方法
FR2757151B1 (fr) 1996-12-12 1999-01-08 Saint Gobain Vitrage Vitrage comprenant un substrat muni d'un empilement de couches minces pour la protection solaire et/ou l'isolation thermique
EP0924966A1 (en) 1997-06-30 1999-06-23 Aventis Research & Technologies GmbH & Co. KG Thin film electrode for planar organic light-emitting devices and method for its production
DE19733053A1 (de) 1997-07-31 1999-02-04 Leybold Ag Transparentes Substrat
US6238741B1 (en) * 1998-12-07 2001-05-29 International Business Machines Corporation Single mask screening process
JP2001035660A (ja) 1999-07-16 2001-02-09 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP3862466B2 (ja) 2000-02-29 2006-12-27 三井化学株式会社 透明電極
JP2002015623A (ja) 2000-04-27 2002-01-18 Mitsui Chemicals Inc 透明電極
TWI263336B (en) 2000-06-12 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Thin film transistors and semiconductor device
AU2001292316A1 (en) 2000-09-29 2002-04-08 Cardinal Ig Company Transparent laminate having low emissivity
JP2002313139A (ja) 2001-04-12 2002-10-25 Mitsui Chemicals Inc 透明導電性薄膜積層体
JP2002313572A (ja) 2001-04-13 2002-10-25 Toyota Motor Corp 有機el表示装置
US20030049464A1 (en) 2001-09-04 2003-03-13 Afg Industries, Inc. Double silver low-emissivity and solar control coatings
JP4389585B2 (ja) 2001-10-19 2009-12-24 旭硝子株式会社 透明導電性酸化物膜付き基体および光電変換素子
WO2003061348A1 (fr) 2001-12-24 2003-07-24 Saint-Gobain Glass France Procede pour la fabrication d'un element multicouches avec une electrode transparente de surface et un element eclairant electroluminescent
US6727122B2 (en) 2001-12-29 2004-04-27 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method of fabricating polysilicon thin film transistor
US6821561B2 (en) * 2002-03-26 2004-11-23 Analog Devices, Inc. Method for thin film deposition matching rate of expansion of shadow mask to rate of expansion of substrate
US6811815B2 (en) 2002-06-14 2004-11-02 Avery Dennison Corporation Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films
WO2004013372A1 (ja) 2002-08-02 2004-02-12 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. スパッタリングターゲット及び焼結体及びそれらを利用して製造した導電膜、並びに有機el素子及びそれに用いる基板
US7049757B2 (en) 2002-08-05 2006-05-23 General Electric Company Series connected OLED structure and fabrication method
FR2843483B1 (fr) 2002-08-06 2005-07-08 Saint Gobain Lampe plane, procede de fabrication et application
US7034470B2 (en) 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
US6693296B1 (en) 2002-08-07 2004-02-17 Eastman Kodak Company OLED apparatus including a series of OLED devices
JP2004078033A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
FR2844136B1 (fr) 2002-09-03 2006-07-28 Corning Inc Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques
EP1403939B1 (en) 2002-09-30 2006-03-01 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Light-emitting device, display and lighting unit
KR100662297B1 (ko) 2002-10-18 2007-01-02 엘지전자 주식회사 유기 el 소자
GB0229653D0 (en) 2002-12-20 2003-01-22 Cambridge Display Tech Ltd Electrical connection of optoelectronic devices
US20040149984A1 (en) 2003-01-31 2004-08-05 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved emission
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
KR100527191B1 (ko) 2003-06-03 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 저저항 캐소드를 사용하는 유기 전계 발광 소자
JP2005116193A (ja) 2003-10-02 2005-04-28 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス
US7268485B2 (en) 2003-10-07 2007-09-11 Eastman Kodak Company White-emitting microcavity OLED device
US20050079418A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for thin film battery fabrication
KR20050039014A (ko) 2003-10-23 2005-04-29 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2005053053A1 (en) 2003-11-26 2005-06-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device comprising an etch-protective layer
JP2005203336A (ja) 2003-12-15 2005-07-28 Fuji Photo Film Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子およびエレクトロルミネッセンス発光粒子
JP2005259820A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Sharp Corp Iii−v族化合物半導体発光素子とその製造方法
DE102004025578B4 (de) 2004-05-25 2009-04-23 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens
US9136504B2 (en) 2004-08-04 2015-09-15 Cambridge Display Technology Limited Organic electroluminescent device
TWI237525B (en) 2004-08-30 2005-08-01 Au Optronics Corp Electro-luminescence display device and method for forming the same
KR100673744B1 (ko) 2004-10-28 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조 애노드
KR100700642B1 (ko) 2004-12-13 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
DE202005000979U1 (de) 2005-01-20 2006-06-01 Schott Ag Elektro-optisches Element mit gesteuerter, insbesondere uniformer Funktionalitätsverteilung
FR2882489B1 (fr) 2005-02-22 2007-03-30 Saint Gobain Structure lumineuse plane ou sensiblement plane
US20060209551A1 (en) 2005-03-18 2006-09-21 Robert Schwenke Light emissive plastic glazing
EP1717876A1 (en) 2005-04-27 2006-11-02 C.S.E.M. Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa Interconnect in polymer light-emitting or light-detecting devices or solar cells
KR101152127B1 (ko) 2005-05-27 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판및 그 제조 방법
KR101140241B1 (ko) 2005-06-27 2012-04-26 엘지디스플레이 주식회사 얼라인 마크를 포함한 액정표시소자
FR2889886A1 (fr) 2005-08-19 2007-02-23 Saint Gobain Lampe uv plane a decharge coplanaire et utilisations
FR2890232A1 (fr) 2005-08-23 2007-03-02 Saint Gobain Lampe plane a decharge coplanaire et utilisations
WO2007096565A2 (fr) 2006-02-22 2007-08-30 Saint-Gobain Glass France Dispositif electroluminescent organique et utilisation d'une couche electroconductrice transparente dans un dispositif electroluminescent organique
JP4896542B2 (ja) * 2006-02-24 2012-03-14 富士フイルム株式会社 パターン膜の製造方法
EP2426552A1 (en) 2006-03-03 2012-03-07 Gentex Corporation Electro-optic elements incorporating improved thin-film coatings
FR2905032A1 (fr) 2006-08-21 2008-02-22 Saint Gobain Structure lumineuse et/ou uv sensiblement plane
EP2381744A1 (fr) 2006-09-07 2011-10-26 Saint-Gobain Glass France Substrat pour dispositif electroluminescent organique, utilisation et procede de fabrication de ce substrat, ainsi que dispositif electroluminescent organique
US20080100202A1 (en) 2006-11-01 2008-05-01 Cok Ronald S Process for forming oled conductive protective layer
EP2090139A2 (fr) 2006-11-17 2009-08-19 Saint-Gobain Glass France Electrode pour dispositif electroluminescent organique, sa gravure acide, ainsi que dispositif electroluminescent organique l'incorporant
FR2913146B1 (fr) 2007-02-23 2009-05-01 Saint Gobain Electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications
FR2946462B1 (fr) * 2009-06-09 2011-07-01 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'au moins un microcomposant avec un masque unique

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003331654A (ja) * 2002-05-08 2003-11-21 Toppan Printing Co Ltd 導電膜およびその製造方法
JP2004228057A (ja) * 2002-11-25 2004-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd 網目状導電体及びその製造方法並びに用途

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10434846B2 (en) 2015-09-07 2019-10-08 Sabic Global Technologies B.V. Surfaces of plastic glazing of tailgates
US10597097B2 (en) 2015-09-07 2020-03-24 Sabic Global Technologies B.V. Aerodynamic features of plastic glazing of tailgates
US10690314B2 (en) 2015-09-07 2020-06-23 Sabic Global Technologies B.V. Lighting systems of tailgates with plastic glazing
US10717348B2 (en) 2015-09-07 2020-07-21 Sabic Global Technologies B.V. Surfaces of plastic glazing of tailgates
US10948152B2 (en) 2015-09-07 2021-03-16 Sabic Global Technologies B.V. Lighting systems of tailgates with plastic glazing
US11267173B2 (en) 2015-09-07 2022-03-08 Sabic Global Technologies B.V. Molding of plastic glazing of tailgates
US11458709B2 (en) 2015-09-07 2022-10-04 Sabic Global Technologies B.V. Three shot plastic tailgate
US11845240B2 (en) 2015-09-07 2023-12-19 Sabic Global Technologies B.V. Three shot plastic tailgate
US11466834B2 (en) 2015-11-23 2022-10-11 Sabic Global Technologies B.V. Lighting systems for windows having plastic glazing
US11766965B2 (en) 2015-11-23 2023-09-26 Sabic Global Technologies B.V. Illuminated graphic in an automotive plastic glazing

Also Published As

Publication number Publication date
JP5647127B2 (ja) 2014-12-24
EP2326601B1 (fr) 2013-06-05
FR2936362B1 (fr) 2010-09-10
US8808790B2 (en) 2014-08-19
PL2326601T3 (pl) 2013-11-29
KR20110060945A (ko) 2011-06-08
WO2010034950A1 (fr) 2010-04-01
FR2936362A1 (fr) 2010-03-26
CN102164870B (zh) 2014-02-19
EP2326601A1 (fr) 2011-06-01
CN102164870A (zh) 2011-08-24
US20110248219A1 (en) 2011-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5647127B2 (ja) オーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッドの製造方法およびオーバーグリッドでコーティングされたミリメートルに満たない導電性グリッド
US20110247859A1 (en) Method for manufacturing a submillimetric electrically conductive grid, and submillimetric electrically conductive grid
US8697186B2 (en) Method for manufacturing a mask having submillimetric apertures for a submillimetric electrically conductive grid, and mask and submillimetric electrically conductive grid
US9114425B2 (en) Method for manufacturing a mask having submillimetric apertures for a submillimetric electrically conductive grid, mask having submillimetric apertures and submillimetric electrically conductive grid
JP5611602B2 (ja) サブミリメートルの格子を製造するためにサブミリメートルの開口部を有するマスクを製造するためのプロセス、およびサブミリメートルの格子
CN103370748B (zh) 导电结构体及其制备方法
CN103460303B (zh) 导电结构、触控面板及其制造方法
JP2012523071A (ja) 有機発光ダイオード装置のためのテクスチャ表面を備える構造体の製造方法、およびテクスチャ表面を備える構造体
JP2008538451A (ja) 細い導電線を有する光学コーティング
TWI380102B (en) Layered solid system, its application for electro-optical device and integral system, and manufacturing method thereof
EP3055892A1 (en) Laminate for light emitting device and process of preparing same
WO2014064939A1 (ja) 透明導電体
JP4168689B2 (ja) 薄膜積層体
WO2018047729A1 (ja) 調光デバイス
WO2022215664A1 (ja) 無機膜付き基板及びその製造方法
JP2004200510A (ja) プラズマディスプレイ用電磁波シールドフィルムの製法およびプラズマディスプレイパネル用前面フィルター

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120924

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140311

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140610

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140617

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140911

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141007

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141106

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5647127

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees