KR20110040724A - 기판 재치대의 온도 제어 시스템 및 온도 제어 방법 - Google Patents

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KR20110040724A
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Abstract

기판의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있고, 열 에너지의 손실을 저감할 수 있는 기판 재치대의 온도 제어 시스템을 제공한다. 히터 유닛(14)과 열 매체 유로(15)를 내장하고, 플라즈마 에칭 처리가 실시되는 웨이퍼(W)를 재치하는 서셉터(12)의 냉매 순환 시스템은, 열 매체 유로(15)에 접속되어 비교적 저온의 냉매를 열 매체 유로(15)로 공급하는 냉매 공급 장치(20)와, 열 매체 유로(15)와 냉매 공급 장치(20)의 사이에 배치되고 비교적 고온의 고온 매체를 저장하는 고온 매체 저장 탱크(21)와, 냉매 공급 장치(20) 및 고온 매체 저장 탱크(21)와 열 매체 유로(15)의 사이에 배치되고, 서셉터(12)의 온도를 상승시킬 때에 냉매 공급 장치(20)로부터 열 매체 유로(15)로의 냉매의 공급을 정지하고, 또한 고온 매체 저장 탱크(21)로부터 열 매체 유로(15)로 고온 매체를 공급하는 제 1 밸브군(23)을 구비한다.

Description

기판 재치대의 온도 제어 시스템 및 온도 제어 방법{TEMPERATURE CONTROL SYSTEM AND TEMPERATURE CONTROL METHOD FOR SUBSTRATE MOUNTING TABLE}
본 발명은 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 재치하는 기판 재치대의 온도 제어 시스템 및 온도 제어 방법에 관한 것이다.
기판으로서의 웨이퍼에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치는 이 웨이퍼를 수용하는 감압실로서의 챔버와, 이 챔버 내로 처리 가스를 도입하는 샤워 헤드와, 챔버 내에서 샤워 헤드와 대향하여 배치되며, 웨이퍼를 재치(載置)하고 또한 챔버 내에 고주파 전력을 인가하는 서셉터(재치대)를 구비한다. 챔버 내로 도입된 처리 가스는 고주파 전력에 의해 여기(勵起)되어 플라즈마가 되고, 이 플라즈마 내의 양이온 또는 래디컬이 웨이퍼의 플라즈마 처리에 이용된다.
웨이퍼는 플라즈마 처리가 실시되는 동안 이 플라즈마로부터 열을 받아 온도가 상승한다. 웨이퍼의 온도가 상승하면 이 웨이퍼 상의 래디컬의 분포가 바뀌고, 또한 웨이퍼에서의 화학 반응의 반응 속도가 변화된다. 따라서, 플라즈마 처리에서 원하는 결과를 얻기 위해서는 웨이퍼의 온도, 보다 구체적으로는 웨이퍼를 재치하는 서셉터 그 자체의 온도를 제어할 필요가 있다.
따라서, 근래의 기판 처리 장치에서는 서셉터의 온도를 제어하기 위하여 서셉터가 그 내부에 전열 히터와 냉매 유로를 가진다. 전열 히터는 서셉터를 가열하고, 냉매 유로를 흐르는 냉매는 서셉터를 냉각하지만, 냉매의 온도 또는 유량을 정확하게 제어하는 것은 곤란하다. 한편, 전열 히터의 발열량은 정확하게 제어할 수 있기 때문에, 기판 처리 장치에서는 냉매 유로에 상시 냉매를 흐르게 해 두고, 필요에 따라 전열 히터를 발열시켜 서셉터의 온도를 정확하게 조정하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
일본특허공개공보 평7-183276호
그러나, 상술한 기판 처리 장치에서는 냉매 유로를 상시 냉매가 흐르기 때문에, 전열 히터를 발열시켜 서셉터의 온도를 상승시킬 때, 전열 히터로부터의 열의 일부가 냉매 유로를 흐르는 냉매에 의해 흡수되어 서셉터의 온도 상승, 나아가서는 웨이퍼의 온도 상승에 시간을 필요로 한다고 하는 문제가 있다. 또한, 전열 히터로부터의 열이 모두 서셉터의 온도 상승에 사용되는 것은 아니므로 열 에너지의 손실도 크다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 기판의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있고 또한 열 에너지의 손실을 저감시킬 수 있는 기판 재치대의 온도 제어 시스템 및 그 온도 제어 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 1에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템은, 가열 유닛과 열 매체 유로를 내장하고, 미리 정해진 처리가 실시되는 기판을 재치하는 기판 재치대의 온도 제어 시스템으로서, 상기 열 매체 유로에 접속되어 제 1 온도의 제 1 열 매체를 상기 열 매체 유로로 공급하는 열 매체 공급 장치와, 상기 열 매체 유로와 상기 열 매체 공급 장치의 사이에 배치되고, 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도의 제 2 열 매체를 저장하는 열 매체 저장 장치와, 상기 열 매체 공급 장치 및 상기 열 매체 유로의 사이, 그리고 상기 열 매체 저장 장치 및 상기 열 매체 유로의 사이에 배치되고, 상기 가열 유닛이 발열할 때에, 상기 열 매체 공급 장치로부터 상기 열 매체 유로로의 상기 제 1 열 매체의 공급을 정지하고, 상기 열 매체 저장 장치로부터 상기 열 매체 유로로 상기 제 2 열 매체를 공급하는 열 매체 공급 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템은, 청구항 1에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템에 있어서, 상기 열 매체 유로는 입구 및 출구를 가지고, 2 개의 상기 열 매체 저장 장치가 상기 열 매체 유로의 입구와 상기 열 매체 공급 장치의 사이, 그리고 상기 열 매체 유로의 출구와 상기 열 매체 공급 장치의 사이에 각각 배치되고, 상기 열 매체 공급 제어 장치는, 상기 가열 유닛이 발열할 때에, 일방의 상기 열 매체 저장 장치로부터 상기 열 매체 유로를 경유하여 타방의 상기 열 매체 저장 장치로 상기 제 2 열 매체를 공급하고, 다음에 상기 가열 유닛이 발열할 때에, 상기 타방의 열 매체 저장 장치로부터 상기 열 매체 유로를 경유하여 상기 일방의 열 매체 저장 장치로 상기 제 2 열 매체를 공급하는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템은, 청구항 1 또는 2에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템에 있어서, 상기 열 매체 저장 장치는 저장하는 상기 제 2 열 매체를 가열하는 매체 가열 유닛을 가지는 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템은, 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템에 있어서, 상기 제 2 온도는, 상기 미리 정해진 처리에서의 상기 기판 재치대의 원하는 온도 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 5에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법은, 가열 유닛과 열 매체 유로를 내장하고, 미리 정해진 처리가 실시되는 기판을 재치하는 기판 재치대의 온도 제어 방법으로서, 상기 가열 유닛이 발열하여 상기 기판 재치대의 온도를 상승시키는 온도 상승 단계와, 상기 기판 재치대의 온도를 미리 정해진 온도로 유지하는 온도 유지 단계와, 상기 기판 재치대의 온도를 하강시키는 온도 하강 단계를 가지고, 상기 온도 유지 단계 및 상기 온도 하강 단계에서는 상기 열 매체 유로로 제 1 온도의 제 1 열 매체를 공급하고, 상기 온도 상승 단계에서는 상기 열 매체 유로로의 상기 제 1 열 매체의 공급을 정지하고, 상기 열 매체 유로로 제 1 온도보다 높은 제 2 온도의 제 2 열 매체를 공급하는 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법은, 청구항 5에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법에 있어서, 상기 온도 유지 단계 및 상기 온도 하강 단계에서는, 상기 열 매체 유로에 접속되는 열 매체 공급 장치가 상기 제 1 열 매체를 상기 열 매체 유로로 공급하고, 상기 온도 상승 단계에서는, 상기 열 매체 유로와 상기 열 매체 공급 장치의 사이에 배치되어 상기 제 2 열 매체를 저장하는 열 매체 저장 장치가 상기 제 2 열 매체를 상기 열 매체 유로로 공급하는 것을 특징으로 한다.
청구항 7에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법은, 청구항 6에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법에 있어서, 상기 열 매체 유로는 입구 및 출구를 가지고, 2 개의 상기 열 매체 저장 장치가 상기 열 매체 유로의 입구와 상기 열 매체 공급 장치의 사이, 그리고 상기 열 매체 유로의 출구와 상기 열 매체 공급 장치의 사이에 각각 배치되고, 상기 온도 상승 단계에서는, 일방의 상기 열 매체 저장 장치가 상기 열 매체 유로를 경유하여 타방의 상기 열 매체 저장 장치로 상기 제 2 열 매체를 공급하고, 다음의 상기 온도 상승 단계에서는, 상기 타방의 열 매체 저장 장치가 상기 열 매체 유로를 경유하여 상기 일방의 열 매체 저장 장치로 상기 제 2 열 매체를 공급하는 것을 특징으로 한다.
청구항 8에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법은, 청구항 5 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법에 있어서, 상기 제 2 온도는, 상기 미리 정해진 처리에서의 상기 기판 재치대의 원하는 온도 이하인 것을 특징으로 한다.
청구항 9에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법은, 청구항 5 내지 8 중 어느 한 항에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법에 있어서, 상기 온도 상승 단계에서, 상기 온도 상승 단계 종료 전에 상기 열 매체 유로로의 상기 제 2 열 매체의 공급을 정지하고, 상기 열 매체 유로로 상기 제 1 열 매체를 공급하는 것을 특징으로 한다.
청구항 1에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템 및 청구항 5에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법에 따르면, 기판 재치대에 내장된 가열 유닛이 발열할 때, 기판 재치대에 내장된 열 매체 유로로의 제 1 온도의 제 1 열 매체의 공급이 정지되고, 상기 열 매체 유로로 제 1 온도보다 높은 제 2 온도의 제 2 열 매체가 공급된다. 이에 따라, 가열 유닛으로부터의 열의 일부가 열 매체 유로를 흐르는 제 2 열 매체에 의해 흡수되는 것을 억제할 수 있으므로, 기판 재치대의 온도 상승, 나아가서는 기판의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있고, 열 에너지의 손실을 저감할 수 있다.
청구항 2에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템 및 청구항 7에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법에 따르면, 가열 유닛이 발열할 때에, 일방의 열 매체 저장 장치로부터 열 매체 유로를 경유하여 타방의 열 매체 저장 장치로 제 2 열 매체가 공급되고, 다음에 가열 유닛이 발열할 때에, 타방의 열 매체 저장 장치로부터 열 매체 유로를 경유하여 일방의 열 매체 저장 장치로 제 2 열 매체가 공급되기 때문에, 온도가 그다지 저하되지 않은 제 2 열 매체를 재이용할 수 있다. 그 결과, 저온의 열 매체를 제 2 온도까지 상승시킬 필요를 없앨 수 있고, 따라서 열 에너지를 절약할 수 있다.
청구항 3에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템에 따르면, 열 매체 저장 장치는 저장하는 제 2 열 매체를 가열하는 매체 가열 유닛을 가지므로, 저장하는 제 2 열 매체를 재이용하기 전에 상기 제 2 열 매체의 온도를 제 2 온도까지 상승시킬 수 있고, 따라서 제 2 열 매체를 재이용해도 가열 유닛으로부터의 열의 일부가 열 매체 유로를 흐르는 제 2 열 매체에 의해 흡수되는 것을 확실히 억제할 수 있다.
청구항 4에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 시스템 및 청구항 8에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법에 따르면, 제 2 온도는 처리에서의 기판 재치대가 원하는 온도 이하이므로, 가열 유닛이 발열할 때에 제 2 열 매체에 의해 기판 재치대가 과잉 가열되어 상기 기판 재치대의 온도가 원하는 온도를 넘는 것을 방지할 수 있다.
청구항 6에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법에 따르면, 기판 재치대의 온도가 미리 정해진 온도로 유지될 때 및 기판 재치대의 온도가 하강될 때, 열 매체 유로에 접속되는 열 매체 공급 장치로부터 제 1 열 매체가 열 매체 유로로 공급되고, 가열 유닛이 발열할 때, 열 매체 유로와 열 매체 공급 장치의 사이에 배치되는 열 매체 저장 장치로부터 제 2 열 매체가 열 매체 유로로 공급되므로, 신속하게 열 매체 유로의 온도를 변경할 수 있고, 따라서 가열 유닛으로부터의 열의 일부가 열 매체 유로를 흐르는 제 2 열 매체에 의해 흡수되는 것을 보다 억제할 수 있다.
청구항 9에 기재된 기판 재치대의 온도 제어 방법에 따르면, 온도 상승 단계에서, 상기 온도 상승 단계 종료 전에 열 매체 유로로의 제 2 열 매체의 공급이 정지되고, 열 매체 유로로 제 1 열 매체가 공급되므로, 기판 재치대가 과잉 가열되는 것을 확실히 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 재치대의 온도 제어 시스템이 적용되는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 플라즈마 에칭 처리에서의 서셉터, 히터 유닛 및 열 매체 유로의 온도와 시간의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 실시예에 따른 기판 재치대의 온도 제어 방법을 도시한 공정도이다.
도 4는 도 3의 온도 제어 방법의 다음에 실행되는 기판 재치대의 온도 제어 방법을 도시한 공정도이다.
도 5는 본 실시예에 따른 기판 재치대의 온도 제어 방법을 이용한 시뮬레이션의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 실시예에 따른 기판 재치대의 온도 제어 시스템의 변형예의 구성을 개략적으로 도시한 단면도로서, 도 6의 (a)는 제 1 변형예이고, 도 6의 (b)는 제 2 변형예이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 실시예에 따른 기판 재치대의 온도 제어 시스템이 적용되는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다. 본 기판 처리 장치는 기판으로서의 반도체 디바이스용의 웨이퍼(이하, 간단히 ‘웨이퍼’라고 함)에 플라즈마 에칭 처리를 실시한다.
도 1에서 기판 처리 장치(10)는 반도체 디바이스용의 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(11)를 가지고, 이 챔버(11) 내의 하부에는 원기둥 형상의 서셉터(12)(기판 재치대)가 배치되고, 챔버(11) 내의 상부에는 서셉터(12)와 대향하도록 원판 형상의 샤워 헤드(13)가 배치되어 있다.
서셉터(12)는 정전 척(도시하지 않음)과 히터 유닛(14)(가열 유닛)과 플라즈마 에칭 처리의 종류에 따른 열 매체로서의 냉매가 흐르는 열 매체 유로(15)를 내장하고, 상면(이하, ‘재치면’ 이라고 함)에 웨이퍼(W)를 재치한다. 정전 척은 쿨롱력 등에 의해 재치된 웨이퍼(W)를 재치면에 정전 흡착시킨다. 히터 유닛(14)은 서셉터(12)의 재치면의 대략 전체 영역에 대응하여 배치되는 저항으로 이루어지고, 전원(14a)으로부터 인가된 전압에 의해 발열하여 서셉터(12) 및 이 서셉터(12)를 개재하여 웨이퍼(W)를 가열한다. 열 매체 유로(15)도 서셉터(12)의 재치면의 대략 전체 영역에 대응하여 배치되며, 내부의 냉매에 의해 서셉터(12) 및 이 서셉터(12)를 개재하여 웨이퍼(W)의 열을 흡수해서 서셉터(12) 또는 웨이퍼(W)를 냉각시킨다. 또한, 서셉터(12)에는 고주파 전원(16)이 접속되기 때문에, 이 서셉터(12)는 서셉터(12) 및 샤워 헤드(13) 사이의 처리 공간(S)에 고주파 전력을 인가하는 하부 전극으로서 기능한다.
샤워 헤드(13)는 내부에 버퍼실(17)과 이 버퍼실(17) 및 처리 공간(S)을 연통시키는 복수의 가스홀(18)을 가진다. 버퍼실(17)로는 외부의 처리 가스 공급 장치(도시하지 않음)로부터 처리 가스가 공급되고, 이 공급된 처리 가스는 복수의 가스홀(18)을 거쳐 처리 공간(S)으로 도입된다. 기판 처리 장치(10)에서는 이 처리 공간(S)으로 고주파 전력이 인가되므로, 처리 공간(S)으로 도입된 처리 가스가 여기되어 플라즈마가 생성된다. 그리고, 생성된 플라즈마에 포함되는 양이온 또는 래디컬을 이용하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리가 실시된다.
플라즈마 에칭 처리 중 웨이퍼(W)는 플라즈마로부터 열을 계속 받기 때문에, 웨이퍼(W)의 온도가 소정의 온도보다 상승할 우려가 있다. 플라즈마 에칭 처리는 에칭 대상물과 처리 가스(에칭 가스)의 기상(氣相) 반응을 이용하므로, 기판 처리 장치(10)에서는 대상물로서의 웨이퍼(W)의 온도가 소정의 온도를 넘어 과잉 상승하면, 상정(想定) 외의 과잉 기상 반응이 발생하여 원하는 결과를 얻을 수 없다. 따라서, 기판 처리 장치(10)는 웨이퍼(W)의 온도가 소정의 온도보다 상승하는 것을 방지하기 위하여 서셉터(12)를 개재하여 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉매 순환 시스템(기판 재치대의 온도 제어 시스템)을 구비한다. 이 냉매 순환 시스템은 서셉터(12)의 온도를 제어함으로써 웨이퍼(W)의 온도를 제어한다.
냉매 순환 시스템은 열 매체 유로(15)의 입구(15a) 및 출구(15b)를 챔버(11) 외에서 연결시키는 냉매 배관(19)과, 이 냉매 배관(19)의 도중에 설치된 냉매 공급 장치(20)(열 매체 공급 장치)를 구비하고, 냉매를 열 매체 유로(15)에 순환시킨다. 냉매 공급 장치(20)는 압송(壓送) 펌프로서 기능하며, 출구(15b)로부터 냉매 배관(19)으로 배출된 냉매를 입구(15a)를 향하여 압송한다. 또한, 냉매 공급 장치(20)는 열 교환기로서 기능하며, 서셉터(12)의 열을 흡수하여 고온이 된 냉매를 냉각하고, 이 냉매의 온도를 비교적 저온(제 1 온도), 구체적으로는 플라즈마 에칭 처리 중에서의 서셉터(12)의 온도 유지 또는 온도 하강에 필요한 온도, 예를 들면 10℃까지 저하시킨다. 이에 따라, 냉매 공급 장치(20)로부터 열 매체 유로(15)로 공급되는 냉매(제 1 열 매체)의 온도는 비교적 저온으로 유지된다.
또한, 냉매 순환 시스템은 열 매체 유로(15)의 입구(15a) 및 냉매 공급 장치(20)의 사이에서 냉매 배관(19)으로부터 분기하는 지관(支管)(19a)에 접속되는 고온 매체 저장 탱크(21)(일방의 열 매체 저장 탱크)와, 열 매체 유로(15)의 출구(15b) 및 냉매 공급 장치(20)의 사이에서 냉매 배관(19)으로부터 분기하는 지관(19b)에 접속되는 고온 매체 저장 탱크(22)(타방의 열 매체 저장 탱크)를 가지며, 또한 냉매 배관(19)에서, 냉매 공급 장치(20) 및 고온 매체 저장 탱크(21)와 열 매체 유로(15)의 입구(15a)와의 사이에 배치되는 제 1 밸브군(23)(열 매체 공급 제어 장치)과, 냉매 공급 장치(20) 및 고온 매체 저장 탱크(22)와 열 매체 유로(15)의 출구(15b)와의 사이에 배치되는 제 2 밸브군(24)(열 매체 공급 제어 장치)을 가진다.
고온 매체 저장 탱크(21)는 냉매 공급 장치(20)가 공급하는 냉매의 온도(예를 들면, 10℃)보다 높은 비교적 고온(제 2 온도)의, 예를 들면 80℃의 고온 매체(제 2 열 매체)를 저장한다. 고온 매체 저장 탱크(22)도 동일한 고온 매체를 저장할 수 있다. 또한, 고온 매체 저장 탱크(21) 및 고온 매체 저장 탱크(22)는 보온 구조를 가지며 저장하는 고온 매체를 보온한다. 또한, 고온 매체 저장 탱크(21) 및 고온 매체 저장 탱크(22)는 벽면 히터 등으로 이루어지는 매체 히터 유닛(매체 가열 유닛)(도시하지 않음)을 가지며 저장하는 고온 매체를 가열할 수 있다.
본 실시예에서는, 후술하는 바와 같이, 고온 매체를 고온 매체 저장 탱크(21) 및 고온 매체 저장 탱크(22)의 사이에서 이송시키기 때문에, 플라즈마 에칭 처리 전에 고온 매체 저장 탱크(21)만이 고온 매체를 저장하고, 고온 매체 저장 탱크(22)는 비어 있는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시예에서 이용되는 냉매 또는 고온 매체는, 예를 들면 갈덴(galden)(등록 상표) 또는 플루오리너트(fluorinert)(등록 상표)가 이용된다. 특히, 냉매 및 고온 매체는 냉매 배관(19) 또는 열 매체 유로(15)에서 혼합될 가능성이 있기 때문에, 동일한 물성의 매체를 이용하는 것이 바람직하다.
제 1 밸브군(23)은 냉매 배관(19)에 배치되는 밸브(23a)와 지관(19a)에 배치되는 밸브(23b)로 이루어지며, 밸브(23a)가 열리고 밸브(23b)가 닫히면 냉매 공급 장치(20) 및 열 매체 유로(15)가 연통하고, 밸브(23a)가 닫히고 밸브(23b)가 열리면 고온 매체 저장 탱크(21) 및 열 매체 유로(15)가 연통한다. 또한, 제 2 밸브군(24)은 냉매 배관(19)에 배치되는 밸브(24a)와 지관(19b)에 배치되는 밸브(24b)로 이루어지며, 밸브(24a)가 열리고 밸브(24b)가 닫히면 냉매 공급 장치(20) 및 열 매체 유로(15)가 연통하고, 밸브(24a)가 닫히고 밸브(24b)가 열리면 고온 매체 저장 탱크(22) 및 열 매체 유로(15)가 연통한다.
도 2는 플라즈마 에칭 처리에서의 서셉터, 히터 유닛 및 열 매체 유로의 온도와 시간의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 2에서 실선은 서셉터(12)의 온도를 나타내고, 이점쇄선(二点鎖線)은 히터 유닛(14)의 출력을 나타내며, 일점쇄선(一点鎖線)은 열 매체 유로(15)의 온도를 나타낸다.
통상적으로, 플라즈마 에칭 처리는, 도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 처리 공정(P1, P2, P3, P4)으로 나누어져 있고, 각 처리 공정에서는 웨이퍼(W) 또는 서셉터(12)가 원하는 온도(소정 온도)로 유지된다(온도 유지 단계). 그런데, 각 처리 공정의 원하는 온도가 상이하기 때문에, 2 개의 연속되는 처리 공정 간에 웨이퍼(W) 또는 서셉터(12)의 온도를 상승 또는 하강시키는 공정(Pu, Pd1, Pd2)(온도 상승 단계, 온도 하강 단계)이 필요하다.
서셉터(12)의 온도를 원하는 온도로 유지할 때(공정(P1, P2, P3, P4)), 히터 유닛(14)으로 전력을 공급하고, 열 매체 유로(15)로 냉매를 공급한다. 이때, 플라즈마로부터의 열 입력량 및 히터 유닛(14)의 발열량의 합계량과, 열 매체 유로(15)를 흐르는 냉매가 흡수하는 열량이 거의 동일해지도록 히터 유닛(14)의 발열량을 조정한다. 예를 들면, 플라즈마로부터의 열 입력량이 과잉하게 큰 경우에는 플라즈마로부터의 열 입력량과 열 매체 유로(15)를 흐르는 냉매가 흡수하는 열량이 거의 동일해지도록 히터 유닛(14)을 작동시키지 않는 경우도 있다.
서셉터(12)의 온도를 하강시킬 때(공정(Pd1, Pd2))에는 히터 유닛(14)으로의 전력의 공급을 정지하고, 열 매체 유로(15)로 열 매체로서의 냉매를 공급한다. 이때, 히터 유닛(14)은 발열하지 않기 때문에, 서셉터(12)의 열이 열 매체 유로를 흐르는 냉매에 의해 효율적으로 흡수되어 서셉터(12)는 급속히 온도 하강한다.
한편, 서셉터(12)의 온도를 상승시킬 때에(공정(Pu))는 히터 유닛(14)으로 전력을 공급하여 히터 유닛(14)을 발열시킨다. 그러나, 이때 열 매체 유로(15) 내에 냉매가 존재하면, 히터 유닛(14) 및 열 매체 유로(15)의 온도 차가 커지고, 또한 열류(熱流)의 크기는 온도 차에 의존한다는 점에서 열 매체 유로(15)를 흐르는 냉매가 흡수하는 히터 유닛(14)으로부터의 열량이 커진다. 그 결과, 서셉터(12)의 온도 상승에 시간을 필요로 한다.
본 실시예에서는, 이에 대응하여 히터 유닛(14)을 발열시켜 서셉터(12)의 온도를 상승시킬 때, 열 매체 유로(15) 내에 열 매체로서 냉매가 아닌 고온 매체를 존재시켜 히터 유닛(14) 및 열 매체 유로(15)의 온도 차를 작게 한다(도 2 중의 화살표 참조.) 이에 따라, 히터 유닛(14)으로부터의 열의 일부가 열 매체 유로(15)를 흐르는 냉매에 의해 흡수되는 것을 억제할 수 있고, 히터 유닛(14)으로부터의 열을 서셉터(12)의 온도 상승을 위하여 효율적으로 이용할 수 있다. 그 결과, 서셉터(12)의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있다(도 2의 두꺼운 실선 참조). 또한, 서셉터(12)의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있으므로, 히터 유닛(14)의 출력을 증가시키는 시간을 짧게 할 수 있고(도 2의 두꺼운 이점쇄선), 따라서 도면 중의 사선부에 상당하는 전력을 절약할 수 있다.
이어서, 본 실시예에 따른 기판 재치대의 온도 제어 방법에 대하여 설명한다.
도 3은 본 실시예에 따른 기판 재치대의 온도 제어 방법을 도시한 공정도이다. 본 온도 제어 방법은, 도 1의 기판 처리 장치(10)의 냉매 순환 시스템이 도 2에서의 공정(P1, Pu 및 P2)에 걸쳐 실행한다.
우선, 공정(P1)(도 3의 (a))에서는 제 1 밸브군(23)의 밸브(23a)가 열리고 밸브(23b)가 닫히며, 제 2 밸브군(24)의 밸브(24a)가 열리고 밸브(24b)가 닫힌다. 따라서, 냉매 공급 장치(20)에서 냉각된 열 매체로서의 냉매가 열 매체 유로(15)로 공급된다(도면 중의 화살표 참조.). 이때, 히터 유닛(14)은 발열하고 있지만, 열 매체 유로(15)를 흐르는 냉매가 히터 유닛(14)으로부터의 열의 일부를 흡수하기 때문에, 서셉터(12)의 온도는 상승하지 않고 일정하게 유지된다.
이어서, 공정(Pu)이 개시되면(도 3의 (b)), 제 1 밸브군(23)의 밸브(23a)가 닫히고 밸브(23b)가 열리며, 제 2 밸브군(24)의 밸브(24a)가 닫히고 밸브(24b)가 열린다. 따라서, 열 매체 유로(15)로의 냉매의 공급이 정지되고, 고온 매체 저장 탱크(21)에 저장된 고온 매체가 열 매체 유로(15)로 공급되며, 또한 이 열 매체 유로(15)를 거쳐 고온 매체 저장 탱크(22)로 공급된다(도면 중의 화살표 참조.). 이때도 히터 유닛(14)은 발열하고 있지만, 고온 매체에 의해 히터 유닛(14) 및 열 매체 유로(15)의 온도 차가 작아지기 때문에, 히터 유닛(14)으로부터의 열의 일부가 열 매체 유로(15)를 흐르는 고온 매체에 의해 흡수되는 것이 억제된다. 그 결과, 서셉터(12)의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있다.
그 후, 소정의 시간에 걸쳐 제 1 밸브군(23) 및 제 2 밸브군(24)의 상태를 그대로 유지하고, 고온 매체를 고온 매체 저장 탱크(21)로부터 열 매체 유로(15)를 거쳐 고온 매체 저장 탱크(22)로 계속 공급한다(도 3의 (c))(도면 중의 화살표 참조.). 그 동안 서셉터(12)의 온도는 계속 급속히 상승한다. 여기서, 고온 매체는 열 매체 유로(15) 등을 흐르는 동안에 방열(放熱)하기 때문에, 고온 매체 저장 탱크(22)로 공급되어 저장되는 고온 매체의 온도는 고온 매체 저장 탱크(21)에 저장되어 있을 때의 온도(이하, ‘초기 온도’라고 함)에 비해 낮아진다. 따라서, 고온 매체 저장 탱크(22)는 매체 히터 유닛에 의해 저장되는 고온 매체를 가열하고, 그 온도를 초기 온도까지 상승시켜 유지한다.
이어서, 서셉터(12)의 온도가 공정(P2)에서의 원하는 온도에 가까워지면, 공정(Pu)의 종료 전에 제 1 밸브군(23)의 밸브(23a)가 열리고 밸브(23b)가 닫히며, 제 2 밸브군(24)의 밸브(24a)가 열리고 밸브(24b)가 닫힌다. 따라서, 고온 매체의 열 매체 유로(15)로의 공급이 정지되고, 냉매 공급 장치(20)에서 냉각된 냉매가 열 매체 유로(15)로 공급된다(도 3의 (d))(도면 중의 화살표 참조.). 이때, 열 매체 유로(15)를 흐르는 냉매가 히터 유닛(14)으로부터의 열의 일부를 흡수하기 때문에, 서셉터(12)가 과잉 가열되는 것을 확실히 방지할 수 있어 서셉터(12)의 온도가 공정(P2)에서의 원하는 온도를 웃도는(오버 슛하는) 것을 방지할 수 있다.
이어서, 서셉터(12)의 온도가 공정(P2)에서의 원하는 온도에 도달하면, 공정(P2)으로 이행한다.
도 4는 도 3의 온도 제어 방법의 다음에 실행되는 기판 재치대의 온도 제어 방법을 도시한 공정도이다. 본 온도 제어 방법도 도 1의 기판 처리 장치(10)의 냉매 순환 시스템이 도 2에서의 공정(P1, Pu 및 P2)에 걸쳐 실행한다.
우선, 공정(P1)(도 4의 (a))에서는 제 1 밸브군(23)의 밸브(23a)가 열리고 밸브(23b)가 닫히며, 제 2 밸브군(24)의 밸브(24a)가 열리고 밸브(24b)가 닫힌다. 따라서, 냉매 공급 장치(20)에서 냉각된 냉매가 열 매체 유로(15)로 공급된다(도면 중의 화살표 참조.). 단, 도 3의 (a)의 경우와 달리, 열 매체로서의 냉매는 냉매 공급 장치(20)에 의해 출구(15b)로부터 열 매체 유로(15)로 공급되지만, 냉매의 흐름의 방향에 관계없이, 열 매체 유로(15)를 흐르는 냉매는 히터 유닛(14)으로부터의 열의 일부를 흡수하기 때문에, 서셉터(12)의 온도는 상승하지 않고 일정하게 유지된다.
이어서, 공정(Pu)이 개시되면(도 4b), 제 1 밸브군(23)의 밸브(23a)가 닫히고 밸브(23b)가 열리며, 제 2 밸브군(24)의 밸브(24a)가 닫히고 밸브(24b)가 열린다. 따라서, 열 매체 유로(15)로의 냉매의 공급이 정지되고, 고온 매체 저장 탱크(22)에 저장된 고온 매체가 출구(15b)를 통하여 열 매체 유로(15)로 공급되며, 또한 이 열 매체 유로(15)를 거쳐 고온 매체 저장 탱크(21)로 공급된다(도면 중의 화살표 참조.). 여기서, 상술한 바와 같이 고온 매체 저장 탱크(22)에 저장되어 있는 고온 매체의 온도는 매체 히터 유닛에 의해 초기 온도까지 상승되어 있기 때문에, 고온 매체가 공급되는 열 매체 유로(15) 및 히터 유닛(14)의 온도 차가 작아진다. 그 결과, 서셉터(12)의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있다.
그 후, 소정의 시간에 걸쳐 제 1 밸브군(23) 및 제 2 밸브군(24)의 상태를 그대로 유지(도 4의 (c))하므로, 서셉터(12)의 온도는 계속 급속히 상승한다. 이때, 고온 매체 저장 탱크(21)는 매체 히터 유닛에 의해 공급되어 저장되는 고온 매체를 가열하고, 그 온도를 초기 온도까지 상승시켜 유지한다.
이어서, 서셉터(12)의 온도가 공정(P2)에서의 원하는 온도에 가까워지면, 공정(Pu)의 종료 전에 제 1 밸브군(23)의 밸브(23a)가 열리고 밸브(23b)가 닫히며, 제 2 밸브군(24)의 밸브(24a)가 열리고 밸브(24b)가 닫힌다. 이에 따라, 서셉터(12)의 온도가 공정(P2)에서의 원하는 온도를 웃도는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 서셉터(12)의 온도가 공정(P2)에서의 원하는 온도에 도달하면, 공정(P2)으로 이행한다.
이어서, 상술한 도 3 및 도 4의 기판 재치대의 온도 제어 방법에서는 고온 매체 저장 탱크(21 및 22)의 일방이 비워질 때까지 타방으로의 고온 매체의 공급을 계속하는 것을 상정하고 있지만, 고온 매체 저장 탱크(21 및 22)의 일방이 비워질 때까지 고온 매체의 공급을 계속할 필요는 없고, 예를 들면 고온 매체 저장 탱크(21 및 22)의 일방에서의 고온 매체가 소정량 남아 있더라도 고온 매체의 공급을 정지해도 좋다. 이 경우, 고온 매체 저장 탱크(21 및 22)의 일방에 남은 고온 매체는 도시하지 않은 바이패스 통로를 거쳐 타방으로 직접 이송된다.
본 발명자들은 본 발명에 따른 기판 재치대의 온도 제어 방법의 작용, 효과를 확인하기 위하여, 도 3 및 도 4의 기판 재치대의 온도 제어 방법에서, 서셉터(12)의 체적을 0.00398 m3, 비열(比熱)을 900 J/kg·k, 비중을 2700 kg/m3, 열 매체 유로(15)의 표면적을 0.16 m2, 열 매체 유로(15)에서의 냉매(고온 매체)와 서셉터(12)와의 전열면의 열전달율을 4300 W/m2·K, 서셉터(12)의 열용량을 9671.4 J/k로 하고, 도 3의 기판 재치대의 온도 제어 방법에서의 공정(Pu)에서의 서셉터(12)의 온도 상승을 비교적 짧은 소정 시간의 경과마다 서셉터(12)의 온도를 산출함으로써 시뮬레이팅하여, 그 결과(실험예)를 도 5의 그래프에 ‘●’로 나타냈다. 또한, 공정(Pu)에서 상시 열 매체 유로(15)로 냉매 공급 장치(20)로부터 냉매를 공급했을 경우의 서셉터(12)의 온도 상승을 마찬가지로 시뮬레이팅하여, 그 결과(비교예)를 도 5의 그래프에 ‘×’로 나타냈다.
도 5의 그래프에서 알 수 있듯이, 비교예에 비해 실험예에서는 서셉터(12)의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있는 것을 알았다.
도 3 및 도 4의 기판 재치대의 온도 제어 방법에 따르면, 히터 유닛(14)이 발열할 때(공정(Pu)), 열 매체 유로(15)로의 냉매의 공급이 정지되고, 열 매체 유로(15)로 고온 매체가 공급된다. 이에 따라, 히터 유닛(14)으로부터의 열의 일부가 열 매체 유로(15)를 흐르는 냉매에 의해 흡수되는 것을 억제할 수 있으므로, 서셉터(12)의 온도 상승, 나아가서는 웨이퍼(W)의 온도 상승을 신속하게 행할 수 있고, 열 에너지의 손실을 저감할 수 있다.
도 3 및 도 4의 기판 재치대의 온도 제어 방법에서는, 공정(Pu)에서 고온 매체 저장 탱크(21)로부터 열 매체 유로(15)를 경유하여 고온 매체 저장 탱크(22)로 고온 매체가 공급되고, 다음의 공정(Pu)에서 전의 공정(Pu)에서 고온 매체를 저장한 고온 매체 저장 탱크(22)로부터 열 매체 유로(15)를 경유하여 고온 매체 저장 탱크(21)로 고온 매체가 공급되기 때문에, 온도가 그다지 저하되지 않은 고온 매체를 재이용할 수 있다. 그 결과, 저온의 열 매체를 초기 온도까지 상승시켜 고온 매체로 할 필요를 없앨 수 있고, 따라서 열 에너지를 절약할 수 있다.
또한, 도 3 및 도 4의 기판 재치대의 온도 제어 방법에서는, 공정에 따라 매체를 구분한다. 구체적으로는, 서셉터(12)의 온도를 원하는 온도로 유지할 때(공정(P1, P2, P3, P4)) 및 서셉터(12)의 온도를 하강할 때(공정(Pd1, Pd2)), 냉매 공급 장치(20)로부터 냉매가 열 매체 유로(15)로 공급되고, 히터 유닛(14)이 발열할 때(공정(Pu)), 고온 매체 저장 탱크(21, 22)로부터 고온 매체가 열 매체 유로(15)로 공급된다. 이에 따라, 신속히 열 매체 유로(15)의 온도를 변경할 수 있다.
도 3 및 도 4의 기판 재치대의 온도 제어 방법에서는, 플라즈마 에칭 처리의 개시 전에 고온 매체가 고온 매체 저장 탱크(21)에 저장될 때의 이 고온 매체의 온도, 즉 초기 온도는 플라즈마 에칭 처리의 공정(P2)에서의 서셉터(12)의 원하는 온도 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 공정(Pu)에서 고온 매체에 의해 서셉터(12)가 과잉 가열되어 이 서셉터(12)의 온도가 상기 원하는 온도를 넘는 것을 확실히 방지할 수 있다.
상술한 도 1의 냉매 순환 시스템은 2 개의 고온 매체 저장 탱크(21, 22)를 구비했지만, 열 매체 유로(15)로 고온 매체를 공급할 수 있다면, 냉매 순환 시스템은 2 개의 고온 매체 저장 탱크를 구비하지 않아도 좋다.
예를 들면, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 냉매 순환 시스템이 냉매 배관(19)의 지관(19a)에 접속된 1 개의 고온 매체 저장 탱크(21)만을 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 공정(Pu)에서는 제 1 밸브군(23)의 밸브(23a)가 닫히고 밸브(23b)가 열려 고온 매체 저장 탱크(21)에 저장된 고온 매체가 열 매체 유로(15)로 공급되지만, 열 매체 유로(15)를 흐른 고온 매체는 출구(15b)로부터 냉매 배관(19)으로 유출되어 그대로 냉매 배관(19) 내에 머문다. 그 후, 공정(P2)에서 제 1 밸브군(23)의 밸브(23a, 23b)가 함께 열리고, 냉매 공급 장치(20)에서 냉각된 냉매가 열 매체 유로(15)뿐만 아니라 고온 매체 저장 탱크(21)로도 공급된다. 고온 매체 저장 탱크(21)는 공급된 냉매를 저장하고, 매체 히터 유닛에 의해 저장되는 냉매를 가열하여 그 온도를 초기 온도까지 상승시켜 유지한다. 온도가 초기 온도까지 높아진 냉매(고온 매체)는 다음의 공정(Pu)에서 고온 매체 저장 탱크(21)로부터 열 매체 유로(15)로 공급된다.
또한, 예를 들면 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 냉매 순환 시스템이 고온 매체 저장 탱크를 구비하지 않고, 냉매 배관(19)에서의 열 매체 유로(15)의 입구(15a) 근방에 급속 가열기(25)를 구비하는 것만으로도 좋다. 이 경우, 공정(Pu)에서만 급속 가열기(25)가 작동하여 냉매 공급 장치(20)에서 냉각된 냉매를 급속 가열하여 그 온도를 초기 온도까지 높인다. 온도가 초기 온도까지 높아진 냉매(고온 매체)는 열 매체 유로(15)로 공급된다.
또한, 상술한 실시예에서 플라즈마 에칭 처리가 실시되는 기판은 반도체 디바이스용의 웨이퍼에 한정되지 않고, LCD(Liquid Crystal Display) 등을 포함한 FPD(Flat Panel Display) 등에 이용하는 각종 기판 또는 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이어도 좋다.
10 : 기판 처리 장치
12 : 서셉터
14 : 히터 유닛
15 : 열 매체 유로
15a : 입구
15b : 출구
19 : 냉매 배관
19a, 19b : 지관
20 : 냉매 공급 장치
21, 22 : 고온 매체 저장 탱크
23 : 제 1 밸브군
23a, 23b, 24a, 24b : 밸브
24 : 제 2 밸브군

Claims (9)

  1. 가열 유닛과 열 매체 유로를 내장하고, 미리 정해진 처리가 실시되는 기판을 재치하는 기판 재치대의 온도 제어 시스템으로서,
    상기 열 매체 유로에 접속되어 제 1 온도의 제 1 열 매체를 상기 열 매체 유로로 공급하는 열 매체 공급 장치와,
    상기 열 매체 유로와 상기 열 매체 공급 장치의 사이에 배치되고, 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도의 제 2 열 매체를 저장하는 열 매체 저장 장치와,
    상기 열 매체 공급 장치 및 상기 열 매체 유로의 사이, 그리고 상기 열 매체 저장 장치 및 상기 열 매체 유로의 사이에 배치되고, 상기 가열 유닛이 발열할 때에, 상기 열 매체 공급 장치로부터 상기 열 매체 유로로의 상기 제 1 열 매체의 공급을 정지시키고, 상기 열 매체 저장 장치로부터 상기 열 매체 유로로 상기 제 2 열 매체를 공급시키는 열 매체 공급 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 재치대의 온도 제어 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 열 매체 유로는 입구 및 출구를 가지고,
    2 개의 상기 열 매체 저장 장치가 상기 열 매체 유로의 입구와 상기 열 매체 공급 장치의 사이, 그리고 상기 열 매체 유로의 출구와 상기 열 매체 공급 장치의 사이에 각각 배치되고,
    상기 열 매체 공급 제어 장치는, 상기 가열 유닛이 발열할 때에 일방의 상기 열 매체 저장 장치로부터 상기 열 매체 유로를 경유하여 타방의 상기 열 매체 저장 장치로 상기 제 2 열 매체를 공급시키고, 다음에 상기 가열 유닛이 발열할 때에 상기 타방의 열 매체 저장 장치로부터 상기 열 매체 유로를 경유하여 상기 일방의 열 매체 저장 장치로 상기 제 2 열 매체를 공급시키는 것을 특징으로 하는 기판 재치대의 온도 제어 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 열 매체 저장 장치는, 저장되는 상기 제 2 열 매체를 가열하는 매체 가열 유닛을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 재치대의 온도 제어 시스템.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 온도는, 상기 미리 정해진 처리에서의 상기 기판 재치대의 원하는 온도 이하인 것을 특징으로 하는 기판 재치대의 온도 제어 시스템.
  5. 가열 유닛과 열 매체 유로를 내장하고, 미리 정해진 처리가 실시되는 기판을 재치하는 기판 재치대의 온도 제어 방법으로서,
    상기 가열 유닛이 발열하여 상기 기판 재치대의 온도를 상승시키는 온도 상승 단계와,
    상기 기판 재치대의 온도를 미리 정해진 온도로 유지하는 온도 유지 단계와,
    상기 기판 재치대의 온도를 하강시키는 온도 하강 단계를 가지고,
    상기 온도 유지 단계 및 상기 온도 하강 단계에서는 상기 열 매체 유로로 제 1 온도의 제 1 열 매체를 공급하고, 상기 온도 상승 단계에서는 상기 열 매체 유로로의 상기 제 1 열 매체의 공급을 정지하고, 상기 열 매체 유로로 제 1 온도보다 높은 제 2 온도의 제 2 열 매체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 재치대의 온도 제어 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 온도 유지 단계 및 상기 온도 하강 단계에서는, 상기 열 매체 유로에 접속되는 열매체 공급 장치가 상기 제 1 열 매체를 상기 열 매체 유로로 공급하고,
    상기 온도 상승 단계에서는, 상기 열 매체 유로와 상기 열 매체 공급 장치의 사이에 배치되어 상기 제 2 열 매체를 저장하는 열 매체 저장 장치가 상기 제 2 열 매체를 상기 열 매체 유로로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 재치대의 온도 제어 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 열 매체 유로는 입구 및 출구를 가지고,
    2 개의 상기 열 매체 저장 장치가 상기 열 매체 유로의 입구와 상기 열 매체 공급 장치의 사이, 그리고 상기 열 매체 유로의 출구와 상기 열 매체 공급 장치의 사이에 각각 배치되고,
    상기 온도 상승 단계에서는, 일방의 상기 열 매체 저장 장치가 상기 열 매체 유로를 경유하여 타방의 상기 열 매체 저장 장치로 상기 제 2 열 매체를 공급하고,
    다음의 상기 온도 상승 단계에서는, 상기 타방의 열 매체 저장 장치가 상기 열 매체 유로를 경유하여 상기 일방의 열 매체 저장 장치로 상기 제 2 열 매체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 재치대의 온도 제어 방법.
  8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 온도는, 상기 미리 정해진 처리에서의 상기 기판 재치대의 원하는 온도 이하인 것을 특징으로 하는 기판 재치대의 온도 제어 방법.
  9. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 상승 단계에서, 상기 온도 상승 단계 종료 전에 상기 열 매체 유로로의 상기 제 2 열 매체의 공급을 정지하고, 상기 열 매체 유로로 상기 제 1 열 매체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 재치대의 온도 제어 방법.
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