JP2005257372A

JP2005257372A - 温度試験装置

Info

Publication number: JP2005257372A
Application number: JP2004067095A
Authority: JP
Inventors: Norihiko Kanezuka; 憲彦金塚; Masaaki Murakami; 政明村上; Yasushi Miyamoto; 康司宮本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2004-03-10
Filing date: 2004-03-10
Publication date: 2005-09-22

Abstract

【課題】広い温度範囲に対応することができ、また、温度切換え時の変温効率に優れた温度試験装置を提供する。
【解決手段】温度試験装置本体２と、冷却液供給部１５と、コントローラ１４とを備えている。温度試験装置本体２は、ペルチェ素子５を有し、ペルチェ素子５に接触して液体冷却式の熱交換器９が設けられている。冷却液供給部１５は、熱交換器９に供給する冷却液を冷却するチラー１６と、チラー１６から熱交換器９に冷却液を送る冷却液送り管３１と、冷却液を戻す冷却液戻り管３２と、冷却液送り管３１と冷却液戻り管３２との間をつなぐバイパス管３３を有し、バイパス管３３に冷却液を流すことで、冷却液を冷却液供給部１５内で循環させる循環回路を構成することができる。
【選択図】図３

Description

この発明は、高周波機器などを含む電子デバイスの温度試験を行なう温度試験装置に関する。

温度試験装置には、空気循環方式などの大型のものもあるが、昨今ペルチェ素子を用いた小型の温度試験装置が数多く用いられるようになってきた。ペルチェ素子は、応答性に優れ、高精度な温度制御ができるというメリットがある反面、低温から高温までの広範囲な温度制御範囲、例えば−４０℃から９０℃（温度差ΔＴ＝１３０℃）の温度範囲に対応することが困難であった。

これは、ペルチェ素子に一般的に発生させられる温度差ΔＴが、最大でも６０から７０℃程度とペルチェ素子自体に限界がある上、低温領域ではペルチェ素子の冷却効率が低下するために、冷却面の温度が−４０℃付近の時に発生しうる温度差ΔＴは２０〜３０℃程度となるためである。

しかしながら、近年要求される温度範囲は、温度差ΔＴが１００℃を超える場合がほとんどであり、温度試験装置もこれに対応する必要があった。これに対応するため、例えば特許文献１に開示された従来の温度試験装置では、ペルチェ素子を２段重ねにして使用している。
特開昭６３−９１５７７号公報

この従来の温度試験装置にあっては、ペルチェ素子を２つも使用しているため消費電力が大きい上、実際に使用できる冷却面積が小さいという問題があった。また、ペルチェ素子を２段重ねにしているため、上段のペルチェ素子の自己発熱分も排熱する必要があり冷却における効率が悪いという問題があった。

さらに、冷却効率を上げるために冷却水供給装置の冷却水温度を下げると、逆に高温への変温の妨げとなって加熱時の効率が下がる。一方、加熱時の効率と冷却時の効率を両立させるために、冷却水温度を変温させるようにすると冷却水の変温に長い時間を要するため、供試体の目標温度への到達が遅くなるという問題点もあった。

したがって、この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、広い温度範囲に対応することができ、また、温度切換え時の変温効率に優れた温度試験装置を提供することを目的とする。

この発明に基づいた温度試験装置は、温度試験装置本体と、冷却液供給部と、コントローラとを備えている。上記温度試験装置本体は、ペルチェ素子と、ペルチェ素子の一方の主表面に接触して設置され、供試体を搭載するステージと、ステージに設けられたステージ温度センサと、ペルチェ素子の他方の主表面に接触するように設けられた、液体冷却式の熱交換器とを有している。上記冷却液供給部は、熱交換器に供給する冷却液を冷却するチラーと、チラーから熱交換器に冷却液を送る冷却液送り管と、熱交換器からチラーに冷却液を戻す冷却液戻り管とを有している。上記コントローラは、上記試験装置本体のペルチェ素子を制御する。温度試験装置は、さらに、冷却液送り管と冷却液戻り管との間をつなぐバイパス管を有し、バイパス管に冷却液を流すことで、冷却液を冷却液供給部内で循環させる循環回路を構成することができる。

（実施の形態１）
以下、実施の形態１における温度試験装置について、図１から図３を参照して説明する。なお、図１は、本実施の形態における温度試験装置の構造を示す模式図であり、図２は、温度試験装置において冷却液供給部から温度試験装置本体に冷却液を供給している状態を示す模式図、図３は、温度試験装置において冷却液供給部内で循環回路を形成した状態を示す模式図である。

温度試験装置１は、温度試験装置本体２と、温度試験装置本体２の熱交換器９に冷却液を供給する冷却液供給部１５と、温度試験装置本体２のペルチェ素子５に通電し、制御するペルチェコントローラ１４と、図示しない制御部などで構成されている。

温度試験装置本体２は、ペルチェ素子５と、ペルチェ素子５の一方の主表面に接触して設置されている、供試体５０を搭載する変温ステージ６と、変温ステージ６に設置されたステージ温度センサ７およびヒータ８と、ペルチェ素子５の他方の主表面に接触して設置されている液体冷却式の熱交換器９と、熱交換器９に設置された熱交換器温度センサ１０からなる。

温度試験装置本体２は、筐体４に囲まれており、筐体４により外部環境と遮断されている。筐体４の内部の結露を防止するため、筐体４には、結露防止部３が設けられている。結露防止部３は湿度センサ１１と、窒素導入バルブ１２と、排気バルブ１３とで構成されている。低温への変温前および変温中には、筐体４の内部の湿度を湿度センサ１１で検知してモニターする。そして、必要に応じて窒素導入バルブ１２および排気バルブ１３を開放することで、筐体４の内部に窒素を導入する。これにより、供試体５０の結露を防止することができる。

変温ステージ６には、導波管２６が内蔵されており、供試体５０から出る高周波信号を外部の測定機に出力したり、外部の測定機からの高周波信号を供試体５０に入力したりすることが可能となっている。変温ステージ６に導波管２６を内蔵することで、供試体５０と変温ステージ６との間に何も介在させなくて済むので、供試体５０と変温ステージ６との接触状態を良好に保つことができる。これにより、温度伝達が良好になるだけでなく、高周波信号の伝達ロスを少なくすることができる。

さらに、変温ステージ６と導波管２６とを別々に構成する場合よりも、一体型の方が、供試体５０を保持する治具全体の容積を小さくすることができるので、ペルチェ素子５の負荷を減らすことができる。その結果、変温速度を向上させることができる。

冷却液供給部１５は、冷却液の温度を制御するチラー１６と、チラー１６により温度調節された冷却液を温度試験装置本体２に供給する配管とで構成されている。チラー１６は、内部にタンク１７を有している。チラー１６と温度試験装置本体２とを接続する配管は、チラー１６から温度試験装置本体２の熱交換器９に冷却液を送る冷却液送り管３１と、熱交換器９からチラー１６に冷却液を戻す冷却液戻り管３２と、冷却液送り管３１と冷却液戻り管３２とを連通させることができるバイパス管３３とで構成されている。

冷却液送り管３１の、バイパス管３３との接続部より下流側には電磁弁２１が設けられている。同様に、冷却液戻り管３２の、バイパス管３３より上流側にも電磁弁２０が設けられ、バイパス管３３にも電磁弁２２が設けられている。これらを開閉することにより、図２に示す冷却液が温度試験装置本体２に流れる状態と、図３に示す冷却液が冷却液供給部内を循環する循環回路を構成した状態とを切換えることができる。

図示しない制御部は、試験機器を操作するだけでなく、ペルチェコントローラ１４に変温目標値を与えると共に、目標温度に応じて電磁弁２０，２１，２２を操作し、また、ヒータ８を制御する温度制御器２５にも接続されて必要な制御信号を伝送している。この図示しない制御部と、温度制御器２５とは一体のもので構成しても良い。

なお、筐体４の内部には、図示しない断熱材が配設されている。

次に温度試験に際して、供試体５０を加熱および冷却する手順を説明する。冷却液供給部１５では、所望の温度に設定された冷却液が循環している。供試体５０を低温、例えば−４０℃に変温させるときには、まず結露防止のために、窒素導入バルブ１２および排気バルブ１３を開けて、筐体４の内部の空気を窒素に置換する。

露点が所定値以下になると、ペルチェコントローラ１４に目標値−４０℃を入力し変温を開始する。この時、図２に示すように、電磁弁２０，２１は開放し、電磁弁２２は閉鎖しており、冷却液供給部１５で冷却された冷却液は、温度試験装置本体２の熱交換器９に供給されている。

ペルチェ素子５は電流を印加することで表裏間に温度差を発生させることができ、最大で６０〜７０℃程度の温度差ΔＴを発生させることができる。単純に解釈すれば、ペルチェ素子５の放熱面が、室温（２５℃）の場合でも、冷却面の温度が−３５〜−４０℃に達するように思われる。しかし、供試体５０の熱負荷、ペルチェ素子自体の自己発熱、低温域でのペルチェ素子の動作効率低下などの影響により、供試体５０を−４０℃まで冷やすためには、冷却面を冷却する冷却液の温度を−５〜−１５℃にしなければならない。本実施の形態では、冷却液の設定温度を−１０℃±２℃として説明する。

低温の試験が終わった後、供試体５０の温度を室温に戻す時には、ペルチェコントローラ１４に室温の２５℃を入力し変温させる。この時も冷却液は熱交換器９を通って循環している。

次に、高温、例えば９０℃に変温する場合について説明する。まず、制御部により電磁弁２０，２１を閉鎖し、電磁弁２２を開放して冷却液をバイパス管３３に流れるようにする。次に、ペルチェコントローラ１４にペルチェ素子５の目標温度９０℃を入力すると共に、温度制御器２５により、ヒータ８の目標温度を８７℃に設定して変温を開始する。ヒータ８により変温ステージ６をすばやく加熱することができる。

ここで、ヒータ８の目標温度を、ペルチェ素子５の目標温度９０℃よりも低めの８７℃に設定しているので、供試体５０の温度を９０℃に制御する時には、ヒータ８とペルチェ素子５とが干渉することがない。

高温への変温中の冷却液の状態について説明する。チラー１６から送り出される冷却液はバイパス管３３を含む冷却液供給部１５の内部を循環しており、目標温度−１０℃に維持されている。一方、温度試験装置本体２の熱交換器９にも冷却液が残留している。この残留冷却液の温度は、電磁弁２０，２１，２２の動作直前は−１０℃であるが、電磁弁２０，２１，２２が動作して、冷却液が熱交換器９に滞留した直後から温度上昇が始まる。

加熱中のペルチェ素子５は、変温ステージ６側が放熱面、熱交換器９側が冷却面となるため、熱交換器９に残留した冷却液はさらに温度が低くなるようにも思われるが、徐々に温度が上がっていくのである。これは、ペルチェ素子５自体が発熱し、その熱で残留冷却液が温められるからである。また、残留した冷却液の温度が、室温に戻るまでは周囲環境からの入熱もある。さらに、本実施例で説明するシステムではヒータ８を使用しているため、その熱がペルチェ素子５を介して熱交換器９を暖める。

熱交換器９に残留している冷却液温度が−１０℃であれば、ペルチェ素子５でΔＴ＝７０℃の温度差を発生させても、供試体５０は６０℃にしか到達しない。しかし、上述のように残留した冷却液の温度が上昇し、例えば２０℃以上になることで供試体５０の温度は９０℃に到達することができるのである。

供試体５０が９０℃に達してヒータ８による加熱を停止しても、熱交換器９に残留する冷却液の温度は緩やかに上昇する。これは、前述のペルチェ素子５の自己発熱の影響である。残留冷却液の温度が９０℃に近づいていくと、ペルチェ素子５の一方の主表面と他方の主表面との間の温度差が小さくなるので、ペルチェ素子５の負荷が減っていく。すなわち、ペルチェ素子５に流れる電流が小さくなり自己発熱量も小さくなる。

しかし、ペルチェ素子５は全く発熱しなくなるわけではないので、何らかの対策をしないと残留冷却水温度が９０℃を超えてしまう。これは非常に問題である。すなわち、ペルチェ素子５は、両主表面の間に温度差ΔＴを発生させることができるが、それ自体では冷却することはできない。そのため、残留冷却液の温度が９０℃を超えてしまうと、ペルチェ素子５は暴走してしまい、その自己発熱により供試体５０温度も残留冷却液の温度も上昇してしまう。

通常の温度試験サイクルでは、このような状態に陥ることがないようにするのが望ましいが、試験内容によっては避けられない場合もある。また、意図せずに高温状態が長時間保持された場合、例えば無人夜間運転中の高温試験においてエラーが発生してしまった場合などには、ペルチェ素子５が暴走してしまい、供試体５０のみならず温度試験装置１を破損させる恐れがある。

本実施の形態の温度試験装置１では熱交換器９に熱交換器温度センサ１０を設けて、このようなペルチェ素子５の暴走を防止しているのでその内容を説明する。先に述べたように、熱交換器９に残留している冷却液の温度は徐々に上昇するが、温度試験装置１では、制御部が熱交換器温度センサ１０により熱交換器９の温度を監視し、残留冷却液が第１の管理温度、例えば６０℃になった時に警告状態になる。

この状態では、制御部は温度試験中であるかどうかを確認し、試験中であれば試験が一旦中断できる状態になるまで待つ。そして、試験が一時停止の状態になった時点で、少しの間だけ電磁弁２０，２１，２２を動作させて、冷却液を熱交換器９に送り込んだ後、電磁弁２０，２１，２２を再度動作させて、元のバイパス管３３に冷却液が流れる、循環回路を構成した状態に戻す。この切換え時間は数秒程度で十分であり、熱交換器９内の冷却液の温度を下げることができるのである。

制御部は、一連の冷却動作が完了し、変温ステージ６の温度が９０℃で安定したことを確認すると、中断していた試験の続きを行なう。

なお、警告状態になった後にも冷却水温度が上昇し、第２の管理温度、例えば７０℃を超えてしまった場合には危険状態となり、制御部は試験を強制中断して電磁弁２０，２１，２２を切換え、温度試験装置本体２に冷却液を供給する。

最後に、チラー１６内のタンク１７の容量について説明する。これまで述べてきたように、高温試験中に熱交換器９に残留している冷却液は室温以上になっており、６０℃近くになることもある。高温試験を実施した直後に冷却試験を行なう場合、電磁弁２０，２１，２２を切換えた際に高温の冷却液がチラー１６に戻ってくることで冷却液全体の温度が上がってしまう。

たとえば、熱交換器９の容積をＶ_e、バイパス管３３に冷却液を流し冷却液供給部１５内で循環回路を形成した状態において、冷却液供給部内で循環する冷却液の体積をＶ_all、とすると、Ｖ_e＝Ｖ_allならば、６０℃と−１０℃の冷却液が同量となるので、両者が混ざった時の温度は単純に２５℃となってしまう。通常、チラー１６により冷却液の温度を２５℃から−１０℃に変温するには１５分以上かかってしまい、無駄時間が発生してしまう。

そこで、バイパス管３３に冷却液を流して循環回路を形成した状態においてタンク１７を含む循環回路内を流れる冷却液と、循環回路から遮断され熱交換器９内で加熱された冷却液とが混合されたときに、混合された冷却液の温度が予め設定した温度以下となるように、タンク１７の容量を設定している。

より具体的には、熱交換器９の容積をＶ_e、チラー１６のタンクの容積をＶ_p、冷却液供給部１５内を循環する冷却液の設定温度をＴ_cc、チラー１６の冷却能力を考慮して設定される冷却液の設定上限温度をＴ_cu、冷却液が冷却液供給部１５内の循環回路内を循環している間に熱交換器９に残った冷却液が到達する最高温度をＴ_heとしたときに、以下の式を満足するようにタンク１７の容積Ｖ_pを決定する。

Ｖ_all＞Ｖ_e×(Ｔ_he−Ｔ_cu)/(Ｔ_cu−Ｔ_cc)
Ｖ_p≒α×Ｖ_all
ここで、αは、配管長さ(容積)や、１つのチラー１６に対して接続されている配管の本体の数ｎなどにより決定される値であり、一般的には０．２〜ｎ(２０％からｎ倍)の間となる。

本実施の形態では、Ｔ_cc＝−１０℃、Ｔ_cu＝−８℃、Ｔ_he＝６０℃であるので、α＝０．５とすると、このような冷却液の変温時間待ちを発生させないようにするには、チラー１６のタンク１７の容積Ｖ_pは、熱交換器９の容積Ｖ_eの１７倍以上であればよいことが分かる。このような式を満たすように、タンク１７の容量を十分の大きく設定しておくことで、冷却水は設定上限値Ｔ_cuを超えることがない。これにより、冷却水の変温待ちをすることなく、次の冷却サイクルに迅速に移行することができる。

本実施の形態の温度試験装置１においては、バイパス管３３を設けたことにより、加熱の効率と冷却の効率とを両立させることができる。すなわち、冷却液の温度を適切に設定することで効率良い冷却を実現した上で、加熱時には冷却液をバイパス管３３に流して、熱交換器９に流入しないようにするのである。更に、熱交換器９の内部に残留している少量の冷却液はペルチェ素子５の自己発熱などで暖められて温度上昇するので供試体５０加熱の妨げにならず、加熱時の効率低下が起こらないようすることができる。

また、バイパス管３３を含む循環回路を流れている冷却液は低温を保ったままである上、チラー１６のタンク１７の容積を適切に設定しているので、再度冷却モードに入る時には電磁弁２０，２１，２２を切換えるだけでよく、冷却液の変温待ちは不要である。

しかし、冷却液がバイパス管３３を含む循環回路を流れている間、熱交換器９に残された冷却液はペルチェ素子５の自己発熱などにより温度が上昇する。そして、長時間この状態が続いて、熱交換器９の温度が供試体５０の制御目標温度を超えてしまった場合、ペルチェ素子５は制御不能となり暴走してしまう。本実施の形態では、熱交換器９に熱交換器温度センサ１０を設け、この熱交換器温度センサ１０により、熱交換器９の温度を監視している。熱交換器９の温度が、所定の温度を超えた場合には、電磁弁２０，２１，２２を操作して冷却液供給部１５から冷却液を供給し、熱交換器９内の冷却液の温度を下げることで、このような事態になるのを防いでいる。

尚、本実施の形態においては、熱交換器９に設けた熱交換器温度センサ１０により熱交換器９の温度を監視することでペルチェ素子５の暴走を回避するようにしたが、これを変温ステージ６の温度を監視する変温ステージ温度センサ７で代用して行なうことも可能である。

（実施の形態２）
次に、実施の形態２における温度試験装置１について、図４を参照して説明する。図４は、本実施の形態における温度試験装置の構造を示す模式図である。なお、本実施の形態の説明においては、実施の形態１と異なる構成のみを説明する。また、実施の形態１の構成と対応する構成には同一の参照番号を付しその説明は繰り返さない。

実施の形態１においては、１つの冷却液供給部１５に対して、１つの温度試験装置本体２を接続したが、本実施の形態においては、図４に示すように、１つの冷却液供給部１５に対して、２つの温度試験装置本体２ａ，２ｂを接続している。

本来ならば、２つの温度試験装置本体２ａ，２ｂに対するチラー１６のタンク１７の容積は２倍必要となるところであるが、実際には冷却液を２〜３℃程度冷却する時間は数分であるので、２つの温度試験装置本体２ａ，２ｂの試験サイクルが完全に一致している場合以外は、チラー１６のタンク１７の容積が実施の形態１と同程度であっても充分対応できる。

このように構成することで、温度試験装置本体２の数に対する、冷却液供給部１５の数を減らすことができる。このとき、冷却液供給部１５のチラー１６のタンク１７の容量を増やす必要はない。さらに、バイパス管は、各々の温度試験装置本体２ａ，２ｂに対応させて、冷却液送り管３１ａと冷却液戻り管３２ａとの間、および、冷却液送り管３１ｂと冷却液戻り管３２ｂとの間にそれぞれ設けてもよいが、本実施の形態においては、バイパス管３３が全体で１つあればよいので、温度試験装置本体２の数に対する、電磁弁の数を減らすことができる。

（実施の形態３）
実施の形態３における温度試験装置１について、図５を参照して説明する。図５は、本実施の形態における温度試験装置の構造を示す模式図である。なお、本実施の形態の説明においては、実施の形態１と異なる構成のみを説明する。また、実施の形態１の構成と対応する構成には同一の参照番号を付しその説明は繰り返さない。

実施の形態１の温度試験装置１は、チラー１６と一体のタンク１７のみ有していたが、本実施の形態の温度試験装置１においては、図５に示すように、チラー１６と一体のタンク１７とは別に、タンク４１を設けている。チラー１６とタンク４１とは配管４２で連結している。本実施の形態ではチラー１６とは別体のタンク４１を設けることで、冷却液供給部１５の充分な容積を確保し、熱交換器９で暖められた冷却液の影響を緩和するようにしている。

また、このように構成することで、チラー１６の選定の幅が広がる。すなわち、タンク１７の容量のみに着目してチラー１６を選定すると冷却能力が過剰になり、結果として必要以上に高価なチラ−１６を導入せざるを得なくなる。しかし、冷却液の温度の上昇を防ぐために別体のタンク４１を設けることで、このタンク４１により冷却液供給部１５の必要な容積を確保することができるので、その冷却能力のみを基準に適切なチラー１６を選定することができる。

（実施の形態４）
実施の形態４における温度試験装置１について、図６を参照して説明する。図６は、本実施の形態における温度試験装置の構造を示す模式図である。なお、本実施の形態の説明においては、実施の形態１と異なる構成のみを説明する。また、実施の形態１の構成と対応する構成には同一の参照番号を付しその説明は繰り返さない。

本実施の形態においては、図６に示すように、熱交換器９にヒータ５１を設置して、熱交換器９内の残留冷却液を直接加熱することができるようにしている。但し、このヒータ５１の設定温度は実施の形態１で述べた第一の管理温度（例えば６０℃）よりも低くする。

熱交換器９にヒータ５１を設けたことで、供試体５０の加熱時にペルチェ素子５の昇温を助けることができるので、効率よく熱交換器９内に残留している冷却液の温度を上昇させることができる。また、ヒータ５１がペルチェ素子５を直接加熱しないので、ペルチェ素子５に与えるダメージが少なくなる。

なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

この発明に基づいた実施の形態１における温度試験装置の構造を示す模式図である。この発明に基づいた実施の形態１における温度試験装置において温度試験装置において冷却液供給部から温度試験装置本体に冷却液を供給している状態を示す模式図である。この発明に基づいた実施の形態１における温度試験装置において冷却液供給部内で循環回路を形成した状態を示す模式図である。この発明に基づいた実施の形態２における温度試験装置の構造を示す模式図である。この発明に基づいた実施の形態３における温度試験装置の構造を示す模式図である。この発明に基づいた実施の形態４における温度試験装置の構造を示す模式図である。

符号の説明

１温度試験装置、２温度試験装置本体、４筐体、５ペルチェ素子、６変温ステージ、７ステージ温度センサ、８ヒータ、９熱交換器、１０熱交換器温度センサ、１４ペルチェコントローラ、１５冷却液供給部、１６チラー、１７タンク、２５温度制御器、２６導波管、３１冷却液送り管、３２冷却液戻り管、３３バイパス管、４１タンク、５０供試体、５１ヒータ。

Claims

ペルチェ素子と、前記ペルチェ素子の一方の主表面に接触して設置され、供試体を搭載するステージと、前記ステージに設けられたステージ温度センサと、前記ペルチェ素子の他方の主表面に接触するように設けられた、液体冷却式の熱交換器とを有する温度試験装置本体と、
前記熱交換器に供給する冷却液を冷却するチラーと、前記チラーから前記熱交換器に冷却液を送る冷却液送り管と、前記熱交換器から前記チラーに冷却液を戻す冷却液戻り管とを有する冷却液供給部と、
前記試験装置本体の前記ペルチェ素子を制御するコントローラとを備えた温度試験装置であって、
前記冷却液送り管と前記冷却液戻り管との間にバイパス管を有し、前記バイパス管に冷却液を流すことで、冷却液を前記冷却液供給部内で循環させる循環回路を構成することが可能な、温度試験装置。
前記温度試験装置本体には、前記熱交換器の温度を検知する熱交換器温度センサを設けた、請求項１に記載の温度試験装置。
一つの前記冷却液供給部に、複数の前記温度試験装置本体を接続した、請求項１または２に記載の温度試験装置。
前記冷却液供給部は、チラーで冷却された冷却液が貯留されるタンクを有し、
前記バイパス管に冷却液を流して循環回路を形成した状態において前記タンクを含む循環回路内を流れる冷却液と、前記循環回路から遮断され前記熱交換器内で加熱された冷却液とが混合されたときに、混合された冷却液の温度が予め設定した温度以下となるように、前記タンクの容量を設定した、請求項１から３のいずれかに記載の温度試験装置。
前記タンクは、前記チラーと一体に構成された第１のタンクと、前記チラーとは別体の第２のタンクとを有する、請求項１から４のいずれかに記載の温度試験装置。
前記ステージを加熱するヒータと、供試体を加熱する加熱試験時に前記ヒータの温度を供試体の試験温度以下に制御する温度制御器とを設けた、請求項１から５のいずれかに記載の温度試験装置。
前記熱交換器にヒータを設けた、請求項１から６のいずれかに記載の温度試験装置。
前記試験装置本体を外部環境から遮断する筐体を備え、前記筐体の内部の湿度を検知する湿度センサと、前記筐体の内部に窒素を導入することができる窒素導入装置とを設けた、請求項１から７のいずれかに記載の温度試験装置。
前記ステージに導波管を内蔵した、請求項１から８のいずれかに記載の温度試験装置。