KR101259858B1

KR101259858B1 - 열교환 장치

Info

Publication number: KR101259858B1
Application number: KR1020107015020A
Authority: KR
Inventors: 스콧 딕키; 타케시 스즈키; 키요히토 시노부
Original assignee: 가부시키가이샤 라스코
Priority date: 2008-09-02
Filing date: 2009-07-21
Publication date: 2013-05-02
Also published as: JPWO2010026840A1; WO2010026840A1; CN101960239A; KR20100101636A; JP5594597B2; CN101960239B; US20100051253A1

Abstract

장치의 구조 붕괴를 피할 수 있어 안전한 열교환 장치를 제공한다. 열교환 장치(10)는, 냉각해야 할 고온의 제1 액체가 통류되는 제1 열교환기(12)와, 제1 액체보다도 낮은 온도의 제2 액체가 통류되는 제2 열교환기(16)와, 제1 열교환기(12) 및 제2 열교환기(16)에 이 순서대로 공기를 통과시키는 팬(14)을 구비하고, 제1 열교환기(12)에 공기를 통과시켜 제1 액체를 소요 온도로까지 냉각하는 동시에, 제1 열교환기(12)를 통과하여 승온된 공기를 제2 열교환기(16)에 통과시켜, 당해 공기를 제2 액체에 의해 냉각하는 것을 특징으로 한다.

Description

열교환 장치 {HEAT EXCHANGING DEVICE}

본 발명은, 열교환 장치에 관한 것으로, 특히, 반도체 제조 장치에 있어서의 냉각수를 냉각하는 냉각 장치에 이용하기에 적합한 열교환 장치에 관한 것이다.

반도체 제조 등 많은 공업적 이용에 있어서, 제조 공정에서 사용되는 부재 또는 처리 툴(냉각 대상 장치)을 냉각하기 위하여, 액체를 부재 또는 장치에 순환시키는 열교환 장치(냉각 장치)가 이용된다. 그러한 액체의 예로는, GALDEN 및 FLUORINERT의 상표로 판매되는 액체를 들 수 있다. 이들 액체는, 시스템 가동시에는 100℃를 크게 웃도는 온도에 달한다.

일반적으로, 이러한 냉각용 고온 액체는, 당해 고온 액체가 공급되는 저류조에 냉각수가 통류되는 나선 파이프를 설치한, 소위 액-액 열교환기를 이용해서 소요 온도로까지 냉각되고, 냉각된 고온 액체가 순환 펌프에 의해 냉각 대상 장치에 순환되어 재이용된다. 그렇지만, 이러한 특히 냉각수를 이용하는 열교환 시스템에는 문제점도 있다. 예를 들면, 냉각수의 온도 및 유량에 따라서는, 냉각수가 끓어올라 장치에 진동을 발생시키거나, 스케일을 침적시키는 경우가 있다. 진동은, 최종적으로 파이프에 균열을 발생시키는 등 구조 붕괴를 초래하고, 스케일의 침적은, 유량을 저하시키고, 나아가서는 시스템 전체의 열전달 효율을 저하시킨다. 구조적 파괴는, 또한 2액 간에서의 액 누설로 이어질 가능성이 있어, 이로 인해 야기되는 냉각수의 순간적인 기화는, 폭발 등의 잠재적인 위험성을 안고 있다. 이러한 문제점은, Jonas Lindvall 및 Marcus Minkkinen에 의한 「Fracture Mechanics For a Plate Hert Exchanger Gasket(플레이트식 열교환기의 개스킷을 위한 파괴 역학)」(Report TVSM-5125, 77 pages, First published May, 2004.)이라는 제목의 논문에도 게재되어 있다.

본 발명은 상기 과제를 해결하고자 이루어진 것으로, 그 목적하는 바는, 장치의 구조 붕괴를 피할 수 있어 안전하고, 또한 스케일의 침적을 방지할 수 있어, 열전달 효율의 저하를 발생시키지 않는 열교환 장치를 제공한다.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 관한 열교환 장치는, 냉각해야 할 고온의 제1 액체가 통류되는 제1 열교환기와, 당해 제1 열교환기와 소요 간격을 두고 배치되고, 제1 액체보다도 낮은 온도의 제2 액체가 통류되는 제2 열교환기와, 상기 제1 열교환기 및 제2 열교환기에 이 순서대로 공기를 통과시키는 팬을 구비하고, 상기 제1 열교환기에 공기를 통과시켜서 제1 액체를 소요 온도로까지 냉각하는 동시에, 제1 열교환기를 통과하여 승온된 공기를 상기 제2 열교환기에 통과시켜, 당해 공기를 제2 액체에 의해 냉각하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 부수되는 특징의 대부분은, 상기 및 이하의 설명의 참조, 및 첨부 도면을 이용한 고찰을 통해 보다 깊이 이해됨으로써, 보다 간단하면서도 충분하게 이해될 것이다. 한편, 첨부한 도면에 있어서, 전체적으로 동일한 부재에는 동일한 부호를 첨부한다.

본 발명에 따르면, 장치의 구조 붕괴를 피할 수 있어 안전하며, 또한 스케일의 침적을 방지할 수 있어, 열전달 효율의 저하를 발생시키지 않는 열교환 장치를 제공할 수 있다.

도 1은 열교환 장치의 개략도이다.
도 2는 열교환 장치와 냉각 대상물의 관계를 나타내는 개략도이다.
도 3은 열교환 시스템의 동작을 나타내는 제어 흐름도이다.
도 4는 열교환 장치의 다른 실시 형태를 나타내는 개략도이다.

이하, 본 발명의 실시 형태를 첨부 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.

도 1은 열교환기(10)의 개략도이다. 열교환 장치(10)는, 고온 열매체 유체(제1 액체)를 효율적으로 냉각하는 액체-공기 열교환기[제1 열교환기(12)]를 구비한다. 열교환 시스템은, 고온 열매체 유체(제1 액체)를 포함하는 제1 열교환기(12)에 팬(14)에 의해 공기를 흘려보낸다. 공기가 제1 열교환기(12)를 통과함으로써, 제1 액체가 소요 온도로까지 냉각된다. 열이 공기로 이동함으로써, 공기는 예를 들면 200℃를 넘는 매우 고온으로 가열된다. 가열된 공기는, 물 등의 제2 액체를 포함하는 제2 열교환기(16)로 흐르고, 그로 인해 열을 물 등의 제2 액체에 전달한다. 공기는 비열이 작기 때문에 제2 액체는 그다지 온도가 상승하지 않아, 끓어올라 장치를 진동시키거나 파이프에 균열을 발생시키고, 급격하게 기화하여 장치를 폭발시키거나 스케일을 침적시켜 열전달 효율을 저하시키는 등의 일이 없다. 제2 액체와 열교환하여 안전한 소요 온도로까지 냉각된 공기는 순환 사용된다.

소요 온도로까지 냉각된 제1 액체는, 반도체 제조 장치 등의 냉각 대상물의 냉각수로서 순환 사용된다.

팬(14)과, 제1 열교환기(12)와, 제2 열교환기(16)는 덕트(18) 내에 소요 간격을 두고 이 순서대로 배치되어 있다. 콘트롤러(제어부)(20)는 팬(14)의 구동부에 접속되어, 팬(14)의 회전 속도를 감시·조절한다. 본 실시 형태에서는, 제1 열교환기(12)에서 냉각된 제1 액체의 온도를 검출하는 온도 센서(22)가 설치되고, 온도 센서(22)에 의해 검출된 온도는 콘트롤러(20)에 입력된다. 콘트롤러(20)는, 온도 센서(22)에 의해 검출되는 제1 액체의 온도를 감시하고, PID 제어에 의해 팬(14)의 회전 속도를 조절한다. 즉, 제1 액체의 온도가 설정 온도(예를 들면 170℃)보다도 높으면, 팬(14)의 회전 속도가 커지도록 제어하여 제1 열교환기(12)에서의 열교환 효율을 높이고, 설정 온도보다도 낮으면, 팬(14)의 회전 속도를 낮게 한다. 이 처리에 의해, 제1 액체가 원하는 온도로 열교환 시스템으로부터 나올 수 있게 된다.

제1 열교환기(12)는, 공기류의 균일하고 한결같은 흐름을 확보하기 위하여, 팬(14)으로부터 충분한 거리를 두고 배치된다. 팬(14)은, 예를 들면, 제1 열교환기(12)로부터 약 150mm 떨어진 곳에 배치된다. 제1 열교환기(12)에는, 펌프(도시 생략), 파이프(23), 밸브(도시 생략) 및 그 밖의 유체 유통 부재를 통해, 고온의 제1 액체(냉각액), 예를 들면, GALDEN(상표)이 공급된다. 일례로서, 제1 액체의 온도는 약 120∼200℃이다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 액체는, 1 또는 복수의 나선 형상 파이프 내를 나선을 그리면서 흐른다. 팬(14)으로부터의 공기가, 나선 파이프, 즉 제1 열교환기(12)의 핀이나 플레이트를 통과하면, 제1 액체의 열은 공기로 이동한다. 본 실시 형태에서는, 전열 속도는 약 20kw이다. 제1 액체의 온도가 200℃인 경우, 공기의 온도는 약 200℃에 달한다. 제1 액체는 약 190℃로 냉각되어 제1 열교환기(12)로부터 배출된다. 냉각된 제1 액체는 저류 탱크(24)에 저류되어, 펌프(25)에 의해 반도체 제조 장치 등의 냉각 대상물에 공급되어 순환 사용된다.

제1 열교환기(12)에 유입되는 제1 액체의 온도는 설정 온도보다 높다. 예를 들면, 제1 액체가 설정 온도인 170℃로 제1 열교환기(12)로부터 반도체 제조 장치(냉각 대상물)에 공급되고, 반도체 제조 장치 내에서 20kw의 열 부하를 받은 경우, 제1 액체는 약 179.5℃로 제1 열교환기(12)로 되돌아온다[유량을 15GPM(gallon/ min)으로 가정]. 이와 같이, 반도체 제조 장치에서 냉각수로서 이용되어 제1 열교환기(12)로 되돌아오는 제1 액체의 온도는 당연히 설정 온도보다도 높다. 팬(14)은, 제1 열교환기(12) 내를 가변 냉각하기 위해서 이용되며, 제1 액체가 설정 온도로 제1 열교환기(12)를 나갈 수 있도록 한다.

제2 열교환기(16)는, 제1 열교환기(12)로부터 약 100mm 떨어진 곳에 배치된다. 용이하게 입수 가능한, 제조 시설로부터의 물 등의 냉각액이 제2 액체로서 제2 열교환기(16)에 공급된다. 제2 액체의 온도는, 일례로서 약 15∼25℃이며, 제1 액체의 온도보다는 충분히 낮다. 제1 열교환기(12)와 마찬가지로, 제2 열교환기(16)에 대한 제2 액체의 공급을 확보하기 위하여, 파이프(26), 밸브(27), 그 밖의 유체 유통 부재가 준비된다. 본 실시 형태에 있어서, 제2 액체는, 1 또는 복수의 나선 형상 파이프 내를 나선을 그리면서 흐른다. 가열된 공기가 제2 열교환기(16)를 통과하면, 열은 액체를 가열하는 제2 열교환기(16) 내의 제2 액체로 전달된다. 시스템을 유출하는 공기는 냉각되어 있으므로, 안전하게 방출할 수 있다. 즉, 고온에서의 공기 배출에 대응하기 위한, 특별한 공기류 시스템 또는 부재를 필요로 하지 않는다. 공기로부터 제2 액체로의 전열 속도는 약 20kw이다. 이때, 제2 액체는 약 40℃로까지 가열되고, 공기의 온도는 약 30℃로 저하된다. 가열된 물은, 그 후 적절히 시설로 되돌려져, 거기에서 냉각되어 제조 시설의 다양한 장소로 재순환된다. 상기와 같이 , 제2 액체(물)는 끓어오르지 않아 파이프 등의 파괴가 방지되고, 또한 스케일의 침적을 방지할 수 있어, 열전달 효율도 손상되지 않는다.

또한, 28은 체크 밸브이다.

도 2는, 열교환 장치(10)와 반도체 제조 장치 등의 냉각 대상 장치(30)의 관계의 일례를 나타낸다.

냉각 대상 장치(30)는, 상술한 바와 같이, 약 20kw의 열 부하가 인가된다. 열 부하는, 반도체 제조 장치의 경우, 일반적으로 증착 등의 제막 처리를 위해 반도체 기판을 소망 온도로 유지하기 위해서, 반도체 기판을 적재하는 히터 판에 있어서의 전열기나 마이크로파 가열기 등의 가열 장치에 의해 인가된다. 히터 판의 온도는, 처리중에 천천히 상승하는 경향이 있다. 상기의 열교환 시스템(열교환 장치)이 없으면, 그 온도의 상승은 방치되어, 그것에 의해 반도체 제조 장치를 손상시킬 가능성이 있으며, 결과적으로 반도체 처리의 정지를 초래한다. 그러한 처리의 정지는, 제조 효율의 저하를 초래하여 매우 큰 문제가 될 수 있다.

열 부하는 변화되는 경우도 있다. 열 부하는, 예를 들면, 반도체 처리의 다양한 단계 또는 공정에 있어서, 0∼20kw 등의 사이에서 변화되어도 좋다. 예를 들면, 반도체 제조 장치가 사용되지 않고 있는, 예를 들면, 세정중 또는 다른 기판의 대기중인 경우, 제로 또는 제로에 가까운 열 부하를 주어 툴을 식히는 경우도 있다. 종래의, 전형적인 액체로부터 액체로의 열교환기인 경우에는, 예를 들면 200℃의 제1 액체를 제2 액체인 물로 냉각하는 경우에는, 물이 끓어오를 가능성이 있어서, 가령 열 부하가 제로이어도, 물을 항상 흘려보내고 있어야만 한다. 물은, 항상 펌프로 퍼올려져, 파이프 내에 스케일이 침적하지 않도록, 또한 열교환기 내에서 위험한 액체 압력이 발생하지 않도록 순환된다. 이렇게 일정한 흐름을 확보하기 위해서 펌프 또는 유사한 기재를 계속해서 사용하는 것은, 전력을 낭비하고, 시스템의 부재를 불필요하게 계속해서 소모하는 것이 된다.

또한, 반도체 처리가 진행됨에 따라, 처리 툴의 열은 반도체 기판의 처리를 행할 수 있도록 상승한다. 예를 들면, 전열기나 마이크로파 가열기에 의해 더욱 열을 가하여, 반도체 기판을 최적 온도로 설정한다. 이 작업은, 처리 툴을 계속해서 냉각하는 종래의 열교환기, 예를 들면, 액체로부터 액체로의 열교환기의 경우에는, 냉각되는 분만큼 가열기로부터 보급해야만 하기 때문에, 불필요한 에너지를 소비한다. 또한, 종래의 열교환기에서는 상기와 같은 특성(처리 툴을 계속해서 냉각하는)을 가지기 때문에, 반도체 기판을 최적 온도로 설정하는데에 더 많은 처리 시간이 소비되고, 그로 인해 전체적으로 반도체 처리 시간에 악영향을 준다.

이러한 점에서, 본 실시의 형태에 있어서의, 팬(14) 및 액체-기체 열교환기(12, 16)에 의한 열교환인 경우에는 상기와 같은 악영향을 받지 않는다. 예를 들면, 팬(14)은, 제1 열교환기(12)에 흐르는 가열된 제1 액체의 제로 냉각을 실행하기 위하여 정지 또는 거의 정지되어도 좋다. 이 경우, 제2 열교환기(16)측도, 공기를 냉각할 필요가 없으므로 정지되어도 좋다.

팬(14)이나, 제1 열교환기(12), 제2 열교환기(16)에 대해서 더 설명한다.

팬(14)은, 특별히 한정되지 않지만, 매분 약 8m³의 풍량을 발생하는 능력이 있는 것이 적합하다. 팬(14)은, 필요에 따라서 회전 속도를 올렸다 내렸다 하기 위해서, 콘트롤러(20)에 의해 제어 가능한 가변속 송풍기이다. 공기는 팬(14)에 도입되기 전, 또는, 팬(14)으로부터 나오기 전에 냉각할 수도 있다. 콘트롤러(20)의 예로는, 폐루프 PID 컨트롤을 들 수 있다. 온도 센서(22)의 예로는, 100ΩPt RTD를 들 수 있다.

제1 열교환기(12)는, 250℃의 온도에도 견딜 수 있도록 설계되고, 또한 20kw의 전열 속도로 열을 전달하는 것이 가능하게 되어 있다. 한편, 보다 낮거나 혹은 보다 높은 전열 속도에 대처하기 위해서, 상기와 다른 척도로 시스템을 설계해도 물론 좋다.

일반적으로, 액체-공기 열교환 시스템은 대형화된다고 생각하지만, 이것은 오해이다. 이 오해로 인해, 소형이고 특유한 효율적인 전열성을 갖는다는 이유로, 당업자는 액체-액체 열교환 시스템을 이용하게 된다.

공기와 가열된 제1 액체와의 사이의 온도차가, 예를 들면 120∼160℃ 정도로 충분히 큰 온도차라면, 제1 열교환기(12)에 있어서의 열교환 효율이 좋으며, 따라서, 장치가 소형이어도 된다. 그러나, 상기 온도 차분이 90℃ 미만이면, 제1 열교환기(12)에 있어서, 가열된 제1 액체의 온도를 소망의 설정 온도로 내릴 수 있을 만큼 효율이 좋지 못한 경우도 있다.

도 3은, 열교환 시스템의 동작을 나타내는 제어 흐름도이다. 단계 51에 있어서, 온도 센서(22)에 의해 제1 액체의 온도가 측정된다. 측정된 온도가, 고온도 임계값을 웃도는 경우(단계52), 팬(14)의 회전 속도를 올린다(단계 53). 한편, 측정된 온도가 저온도 임계값을 밑도는 경우(단계 54), 팬(14)의 회전 속도를 내린다(단계 55). 이로써, 팬(14)의 소비 전력 및 팬(14)의 소모를 저감할 수 있고, 또한, 제1 액체가 소망의 온도(설정 온도)로 유지된다. 본 실시 형태에서는, 측정된 온도가 매우 높은 온도 임계값을 웃도는 경우(단계 57), 결함 상태라고 판정된다. 이러한 결함 상태는, 액체가 충분히 냉각되어 있지 않는 등, 시스템이 적절하게 동작하지 않고 있음을 나타낸다. 이러한 경우에는, 예를 들면, 결함 상태가 해제될 때까지, 제1 열교환기(12)에 대한 제1 액체의 유입 및/또는 제1 열교환기(12)로부터의 제1 액체의 유출을 억제하기 위해서, 1 또는 복수의 밸브를 작동시켜도 좋다. 또한, 성능의 향상, 잠재적인 결함의 조기 동정, 또는 ２중 안전 처리를 위하여 새로운 센서나 제어부를 이용하여, 팬(14), 열교환기(12, 16) 및 시스템 내에서 사용되는 그 밖의 구성 부재의 동작을 감시하는 것이 가능하다.

콘트롤러(제어부)(20)는, 냉각 능력을 조절하기 위해서 가변속 팬(14)에 비례 출력을 부여한다. 제1 열교환기(12)로부터 나오는 공기는 매우 고온으로, 그 온도에서의 배출은 곤란하다. 그 때문에, 공기는, 제2 액체(시설 냉각수 등)에 의해 냉각된 제2 열교환기(16)로 반송된다. 결과적으로, 열교환 장치(10)로부터 반출될 수 있는, 혹은, 당해 열교환 장치(10) 내에서 순환될 수 있는, 거의 실온의 공기가 얻어진다. 제1 액체(반도체 제조 장치 등의 냉각수)와 에어·갭을 갖는 제2 액체(공장 냉각수 등)를 분리하고, 가변 공기류를 이용하여 온도를 조절함으로써, 열교환 시스템의 성능, 안전성 및 수명의 향상을 꾀할 수 있는 것이다.

도 4는 열교환 장치(10)의 다른 실시 형태를 나타내는 개략도이다. 도 1에 나타내는 것과 동일한 부재는 동일한 부호를 첨부하고, 설명은 생략한다.

본 실시 형태에서는, 덕트(18) 내에, 공기류의 상류측으로부터, 제1 열교환기(12), 제2 열교환기(16), 팬(14)을 이 순서대로 설치하고 있는 점이 도 1에 나타내는 실시 형태와 상이하다.

도 1의 실시 형태의 경우, 보통 운전중인 경우에는 문제가 없다. 그러나, 상기한 바와 같이, 온도 센서(22)에 의한 검출 온도가 매우 높은 임계값을 초과하여 결함 상태라고 판정되어, 장치(10)가 긴급 정지되는 경우가 있다. 이 경우, 고온의 제1 액체가 통류되는 제1 열교환기(12)의 직근 상류에 팬(14)이 배치되어 있으면, 제1 열교환기(12)에 있어서의 고온의 열이 덕트(18) 등을 통해 팬(14)에 전달되어, 팬(14)이 수지제 등인 경우에 팬(14)을 손상시킬 우려가 있다. 이러한 점에서, 팬(14)을, 저온의 제2 액체가 통류되는 제2 열교환기(16)의 하류측에 배치함으로써, 팬(14)이 열에 의해 손상되는 문제를 해소할 수 있다.

또한, 도 4에 나타내는 실시 형태의 경우, 제1 열교환기(12), 제2 열교환기(16), 팬(14), 저류 탱크(24), 펌프(25) 등이 케이싱(32) 내에 배치되어, 제2 열교환기(16)를 나와 냉각된 공기가 케이싱(32) 내에서 순환되어 이용되도록 되어 있다.

그리고, 본 실시 형태의 경우, 케이싱(32)에 외부 공기 도입구(33)를 설치하고, 또한, 케이싱(32) 내의 공기의 일부를 외부로 배출 가능한 배출구(34, 35)를 설치하고 있다. 또한, 배출구(35)에는 작은 팬(36)을 설치하고 있다.

케이싱(32)을 밀폐형으로 해 두면, 순환되는 공기의 온도가 점차로 상승하는 경우가 있다. 이러한 점에서, 상기한 바와 같이, 외부 공기 도입구(33)를 설치하여 외부 공기의 일부를 케이싱(32) 내로 수용 가능하게 하고, 케이싱(32) 내의 공기의 일부를 배출구(34, 35)로부터 배출하도록 함으로써, 케이싱(32) 내의 공기의 온도가 일정해지도록 제어할 수 있어, 열교환을 정밀하게 잘 행할 수 있다.

또한, 도 4에 있어서, 37, 38은 안전 밸브이며, 저류 탱크(24) 내의 압력을 일정 범위 내로 유지하도록 한다.

39, LL은 액면 센서이며, 저류 탱크(24) 내의 제1 액체의 액면의 높이를 검출할 수 있게 되어 있어, 액면의 높이가 소정값 이하로 된 경우에 경보를 울린다.

40, 42는 압력계이다.

또한, 43, 44는 배수 탱크이다.

반도체 제조를 위한 열교환 시스템을 제공한다. 특정한 태양에 있어서 본 발명을 설명했지만, 더 많은 개량이나 변경이 당업자라면 명확할 것이다. 따라서, 본 발명은, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 사이즈, 형상 및 재료의 변경을 포함시켜, 여기에 구체적으로 나타내어진 것과는 다른 방법으로 실시 가능하다는 것이 이해될 것이다. 그 때문에, 본 발명의 실시 형태는, 그 모든 태양에 있어서 예시적인 것으로, 한정적인 것이 아니다.

Claims

냉각해야 할 고온의 제1 액체가 통류되는 제1 열교환기와,
당해 제1 열교환기와 소요 간격을 두고 배치되고, 제1 액체보다도 낮은 온도의 제2 액체가 통류되는 제2 열교환기와,
상기 제1 열교환기 및 제2 열교환기에 이 순서대로 공기를 통과시키는 팬을 구비하고,
상기 제1 열교환기, 상기 제2 열교환기 및 상기 팬이 케이싱 내에 배치되고, 그 팬에 의해, 상기 케이싱 내의 공기를 순환하여 송풍함과 아울러, 상기 제1 열교환기에 공기를 통과시켜서 제1 액체를 소요 온도로까지 냉각하고, 제1 열교환기를 통과하여 승온된 공기를 상기 제2 열교환기에 통과시켜서, 당해 공기를 제2 액체에 의해 냉각하는 것을 특징으로 하는 열교환 장치.
제1항에 있어서, 상기 팬을, 공기류에 대하여 상기 제2 열교환기의 하류측에 배치한 것을 특징으로 하는, 열교환 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 열교환기를 통과하여 냉각된 제1 액체의 온도를 검출하는 온도 센서와, 당해 온도 센서에 의해 검출된 온도가 설정 온도보다도 높은 경우에는 상기 팬의 회전 속도를 올리고, 설정 온도보다도 낮은 경우에는 팬의 회전 속도를 내려서 제1 액체의 온도를 설정 온도로 되도록 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는, 열교환 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 액체가 100℃를 웃도는 온도가 되는 액체이며, 상기 제2 액체가 물인 것을 특징으로 하는, 열교환 장치.
제3항에 있어서, 상기 제1 액체가 100℃를 웃도는 온도가 되는 액체이며, 상기 제2 액체가 물인 것을 특징으로 하는. 열교환장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 공기와, 초기의 제1 액체와의 사이의 온도차가 120∼160℃인 것을 특징으로 하는, 열교환 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 케이싱 내에 외부 공기가 일부 수용되고, 케이싱 내의 공기의 일부가 외부로 배출되는 것을 특징으로 하는, 열교환 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 열교환기를 통과하여 냉각된 제1 액체를 냉각 대상 장치에 순환시키기 위한 순환 펌프를 가지는 것을 특징으로 하는, 열교환 장치.
제8항에 있어서, 상기 제1 열교환기를 통과하여 냉각된 제1 액체를 저류하는 저류 탱크를 갖는 것을 특징으로 하는, 열교환 장치.
제8항에 있어서, 상기 냉각 대상 장치가, 반도체 제조 장치인 것을 특징으로 하는, 열교환 장치.