KR20150035715A - 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법 및 기억 매체 - Google Patents

온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

가변 밸브(79a)가 설치된 저온 유로(76) 및 가변 밸브(79c)가 설치된 고온 유로(77)로부터의 유체를 조온부(70)로 공급하는 결합 유로(71)와, 가변 밸브(79b)가 설치되고, 조온부(70)로 공급된 유체를 회수하는 회수 유로(72)를 흐르는 유체를 조온부(70)에 순환시키는 바이패스 유로(73)와, 회수 유로(72)에 설치된 순환 펌프(87)와, 순환 펌프(87)의 상류측에 설치되고, 유체가 일정량에 도달했을 때 순환 펌프(87)에 유체를 유출시키는 탱크(78)를 구비하는 온도 제어 시스템(1)에 대하여, 가변 밸브(79a, 79b)를 소정 밸브 개방도로 열어 유체를 공급하고, 탱크(78)에서 유체가 상기 일정량에 도달한 것을 검출한 후, 가변 밸브(79b, 79c)를 소정의 밸브 개방도로 열어 유체를 소정 시간 공급하고, 유체가 충전된 상태에서 순환 펌프(87)를 기동시킨다.

Description

온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법 및 기억 매체{METHOD FOR SUPPLYING TEMPERATURE-REGULATED FLUID TO TEMPERATURE CONTROL SYSTEM, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법 및 기억 매체에 관한 것으로, 특히, 반도체 제조 장치에 적용되는 온도 제어 시스템의 배관부 등에 온도 조절 유체를 충전하기 위한 온도 조절 유체 공급 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
정전 척의 온도를 제어하는 온도 제어 장치로서, 유체를 가열하여 조온부에 순환시키는 가열 사이클과, 유체를 냉각하여 조온부에 순환시키는 냉각 사이클을 가지고, 가열 사이클, 냉각 사이클 및 순환로의 유량 분배 비율을 제어하는 구성을 가지는 것이 제안되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 이 온도 제어 장치에서는, 가열 사이클과 냉각 사이클은 각각, 완전히 닫은 별계통의 배관을 구비한다. 그리고, 가열 사이클을 순환하고 있는 고온 유체와의 열 교환에 의해 2 차적으로 가열된 고온 유체와 냉각 사이클을 순환하고 있는 저온 유체와의 열 교환에 의해 2 차적으로 냉각된 저온 유체를 혼합시켜 정전 척의 내부에 설치된 관부에 흘리고 있다.
일본특허공개공보 2010-117812호
상기한 온도 제어 장치의 온도 제어 능력은, 가열 사이클과 냉각 사이클의 각각의 유체를 저장하는 축열 탱크에 어느 정도의 유체를 상시 저장하고 있을 수 있는가라고 하는 능력에 의존한다. 따라서, 가열 사이클과 냉각 사이클의 각각의 축열 탱크에 일정량의 유체가, 상시, 소정의 온도로 저장되어 있는 상태를 유지할 수 없으면 온도 제어성이 저하된다.
따라서 본 발명자는, 일본특허공개공보 2013-105359호에서, 플라즈마 에칭 장치 등의 반도체 제조 장치에 대하여 설치되는 온도 제어 시스템을 제안하고 있다. 이 온도 제어 시스템에는, 축열 탱크와 펌프를 구비한 복수의 온도 조절 유닛으로부터 각각 상이한 온도의 온도 조절 유체(액체)가 공급된다. 그리고 온도 제어 시스템에서, 공급되는 각 온도 조절 유체의 유량을 제어하여 혼합한 소정 온도의 온도 조절 유체를 온도 조절 대상물(예를 들면, 정전 척)에 공급한 후, 예를 들면 그 일부를 온도 조절 유닛으로부터 공급되는 온도 조절 유체와 혼합시켜, 재차, 온도 조절 대상물에 공급한다. 이 때문에, 온도 제어 시스템과 온도 조절 대상물의 사이에서 온도 조절 유체를 순환시키는 순환로에는, 온도 조절 유체를 순환시키기 위한 순환 펌프가 배치된다.
여기서, 온도 조절 유닛과 온도 제어 시스템을 반도체 제조 장치에 장착한 후, 처음으로 온도 제어 시스템을 기동할 시, 정전 척 등의 온도 조절 대상물에 설치된 배관 또는 온도 제어 시스템 내의 배관, 각종의 접속 배관에는 온도 조절 유체가 충전되어 있지 않다. 이러한 상태에서 순환 펌프를 구동하면, 순환 펌프가 공운전에 의해 파손된다. 이 때문에, 이들 배관 내에 온도 조절 유체를 확실히 충전한 후에, 순환 펌프를 기동시킬 필요가 있다.
본 발명의 목적은, 온도 제어 시스템을 지장없이 가동시킬 수 있도록, 간편 또한 확실히 온도 제어 시스템의 배관부에 온도 조절 유체를 충전하기 위한 온도 조절 유체 공급 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따르면, 제 1 온도로 조온된 액체가 제 1 유체로서 공급되고, 상기 제 1 유체의 유량을 제어하는 제 1 가변 밸브가 설치된 제 1 유체 유로와, 상기 제 1 온도와는 상이한 제 2 온도로 조온된 액체가 제 2 유체로서 공급되고, 상기 제 2 유체의 유량을 제어하는 제 2 가변 밸브가 설치된 제 2 유체 유로와, 상기 제 1 유체와 상기 제 2 유체를 합류시켜 온도 조절 대상물에 공급하는 결합 유로와, 상기 온도 조절 대상물에 공급된 유체를 회수하는 회수 유로와, 제 3 가변 밸브가 설치되고, 상기 회수 유로를 흐르는 유체의 일부를 상기 온도 조절 대상물에 순환시키는 바이패스 유로와, 상기 회수 유로에 설치된 순환 펌프를 구비하고, 상기 온도 조절 대상물로서 반도체 제조 장치에 장비된 부재의 온도를 제어하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법으로서, 상기 제 1 가변 밸브와 상기 제 3 가변 밸브를 소정의 밸브 개방도로 열어, 상기 제 1 유체를 소정 시간 공급하는 제 1 유체 공급 단계와, 상기 제 2 가변 밸브와 상기 제 3 가변 밸브를 소정의 밸브 개방도로 열어, 상기 제 2 유체를 소정 시간 공급하는 제 2 유체 공급 단계와, 제 2 유체 공급 단계 후, 상기 회수 유로를 흐르는 유체가 상기 순환 펌프에 충전된 상태에서 상기 순환 펌프를 기동시키는 기동 단계를 가지는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법이 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 기동 단계 후에 실행되는, 상기 제 1 가변 밸브만을 열어, 상기 제 1 유체를 상기 제 1 유체 유로에 소정 시간 공급하는 제 3 유체 공급 단계와, 상기 제 2 가변 밸브만을 열어, 상기 제 2 유체를 상기 제 2 유체 유로에 소정 시간 공급하는 제 4 유체 공급 단계를 더 가지는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 제 4 유체 공급 단계 후에 실행되는, 상기 제 3 가변 밸브만을 열어, 상기 결합 유로, 상기 회수 유로 및 상기 바이패스 유로에 유체를 순환시키는 순환 단계를 더 가지는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 순환 단계 후에 실행되는, 상기 제 1 가변 밸브, 상기 제 2 가변 밸브 및 상기 제 3 가변 밸브의 밸브 개방도를 조정하여, 상기 제 1 유체 유로에의 상기 제 1 유체의 공급량, 상기 제 2 유체 유로에의 상기 제 2 유체의 공급량, 및 상기 바이패스 유로에 공급되는 유체의 유량을 제어함으로써, 상기 온도 조절 대상물의 온도를 상기 온도 조절 대상물의 설정 온도로 제어하는 제어 단계를 더 가지는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 온도 제어 시스템은, 상기 회수 유로에서 상기 순환 펌프의 상류측에 설치되고, 상기 유체를 저장하는 탱크와, 상기 탱크에 저장된 유체가 일정량에 도달한 것을 검출하는 액면 센서를 구비하고, 상기 기동 단계는, 상기 탱크에서 상기 유체가 상기 일정량에 도달한 것을 상기 액면 센서가 검출하고 있는 상태에서 실행되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 온도 제어 시스템은, 상기 회수 유로에서 상기 순환 펌프의 상류측에 설치되고, 상기 유체를 저장하는 탱크와, 상기 탱크에 저장된 유체가 일정량에 도달한 것을 검출하는 액면 센서를 구비하고, 상기 제 1 유체 공급 단계는, 상기 탱크에서 상기 유체가 상기 일정량에 도달한 것을 상기 액면 센서가 검출한 시점에서 종료가 되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 탱크에서 상기 유체가 상기 일정량에 도달한 것을 상기 액면 센서가 검출했을 때에는, 상기 탱크로부터 상기 순환 펌프로 상기 유체가 유출되고 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 제 1 온도로 조온된 액체가 제 1 유체로서 공급되고, 상기 제 1 유체의 유량을 제어하는 제 1 가변 밸브가 설치된 제 1 유체 유로와, 상기 제 1 온도와는 상이한 제 2 온도로 조온된 액체가 제 2 유체로서 공급되고, 상기 제 2 유체의 유량을 제어하는 제 2 가변 밸브가 설치된 제 2 유체 유로와, 상기 제 1 유체와 상기 제 2 유체를 합류시켜 온도 조절 대상물에 공급하는 결합 유로와, 상기 온도 조절 대상물에 공급된 유체를 회수하는 회수 유로와, 제 3 가변 밸브가 설치되고, 상기 회수 유로를 흐르는 유체의 일부를 상기 온도 조절 대상물에 순환시키는 바이패스 유로와, 상기 회수 유로에 설치된 순환 펌프를 구비하고, 상기 온도 조절 대상물로서 반도체 제조 장치에 장비된 부재의 온도를 제어하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 온도 조절 유체 공급 방법은, 상기 제 1 가변 밸브와 상기 제 3 가변 밸브를 소정의 밸브 개방도로 열어, 상기 제 1 유체를 소정 시간 공급하는 제 1 유체 공급 단계와, 상기 제 2 가변 밸브와 상기 제 3 가변 밸브를 소정의 밸브 개방도로 열어, 상기 제 2 유체를 소정 시간 공급하는 제 2 유체 공급 단계와, 제 2 유체 공급 단계 후, 상기 회수 유로를 흐르는 유체가 상기 순환 펌프에 충전된 상태에서 상기 순환 펌프를 기동시키는 기동 단계를 가지는 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 간편 또한 확실히 온도 제어 시스템의 배관부에 온도 조절 유체를 충전할 수 있어, 온도 제어 시스템에서 유체를 순환시키는 순환 펌프에 충분히 유체가 공급된 후에 순환 펌프의 구동이 개시되기 때문에, 순환 펌프의 공운전에 의한 파손을 방지하여, 온도 제어 시스템을 지장없이 가동시키는 것이 가능해진다.
도 1은 플라즈마 처리 장치와 온도 제어 시스템의 전체 구성을 도시한 도이다.
도 2a ~ 도 2c는 온도 제어 시스템이 구비하는 밸브 유닛의 개략 구조를 도시한 단면도이다.
도 3은 밸브 유닛이 가지는 3 개의 가변 밸브의 밸브 개방도의 관계를 나타낸 도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 플라즈마 처리 장치와 온도 제어 시스템의 배관 내에 유체를 충전하는 처리의 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 여기서는, 본 발명에 따른 온도 조절 유체 공급 방법을, 반도체 제조 장치의 일례인 RIE형의 플라즈마 처리 장치와 온도 제어 시스템으로 이루어지는 시스템에 적용하여 설명하는 것으로 한다.
도 1은 플라즈마 처리 장치(100)와 온도 제어 시스템(1)의 전체 구성을 도시한 도이다.
플라즈마 처리 장치(100)는 RIE형의 플라즈마 처리 장치이며, 알루미늄 또는 스테인리스 스틸 등의 금속제의 원통 형상의 처리 용기(10)(챔버)를 구비하고 있다. 또한, 처리 용기(10)는 접지되어 있다. 처리 용기(10)의 내부에는, 반도체 웨이퍼(W)(이하, '웨이퍼(W)'라고 함)를 재치(載置)하기 위한 재치대(11)가 배치되어 있다. 재치대(11)는 예를 들면 알루미늄으로 이루어지고, 절연성의 통 형상 보지부(保持部)(미도시)를 개재하여 처리 용기(10)의 저부로부터 수직으로 상방으로 연장되는 통 형상 지지부(16)에 지지되어 있다.
재치대(11) 상의 상면에는, 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 보지하는 정전 척(12)이 배치되어 있다. 정전 척(12)은, 직류 전압이 인가됨으로써 쿨롱력으로 웨이퍼(W)를 흡착 보지한다. 본 실시예에서는, 정전 척(12)을 온도 제어 시스템(1)에 의한 온도 조절 대상물로 하여, 정전 척(12)을 온도 제어함으로써 웨이퍼(W)의 온도를 제어한다. 재치대(11)의 내부에는, 온도 제어 시스템(1)으로부터 공급되는 온도 조절 유체를 순환시키기 위한 유로인 조온부(70)가 설치되어 있다.
처리 용기(10)의 저벽에는, 측벽과 통 형상 지지부(16)의 사이에 배기로(20)가 형성되어 있다. 배기로(20)는 진공 펌프 등의 배기 장치(미도시)에 접속되고, 배기 장치를 이용하여 처리 용기(10) 내의 처리 공간을 소정의 압력(진공도)까지 감압한다. 처리 용기(10)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입출구가 형성되어 있고, 이 반입출구는 게이트 밸브(30)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.
재치대(11)에는, 플라즈마 생성용의 고주파 전원(32)이 정합기(34)를 개재하여 접속되어 있다. 고주파 전원(32)은, 예를 들면 60 MHz의 고주파 전력을 재치대(11)에 인가한다. 이와 같이, 재치대(11)는 하부 전극으로서도 기능한다. 또한 처리 용기(10)의 천장부에는, 후술하는 샤워 헤드(38)가 설치되어 있고, 샤워 헤드(38)가 상부 전극으로서 이용된다. 따라서, 고주파 전원(32)에 의해 인가되는 고주파 전압은, 재치대(11)와 샤워 헤드(38)의 사이에 용량적으로 인가된다.
처리 용기(10)의 천장부에 배치된 샤워 헤드(38)는, 다수의 가스 통기홀(36a)을 가지는 전극판(36)과, 전극판(36)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(37)를 구비한다. 전극 지지체(37)의 내부에는 버퍼실(35)이 설치되어 있다. 버퍼실(35)의 가스 도입구(35a)에는, 처리 용기(10) 내로 소정의 가스를 공급하는 가스 공급원(40)이 가스 공급 배관(42)을 개재하여 접속되어 있다.
처리 용기(10)의 주위에는, 환 형상 또는 동심 형상으로 연장되는 자석(45)이 배치되어 있다. 처리 용기(10) 내에서, 샤워 헤드(38)와 재치대(11)의 사이의 플라즈마 생성 공간에는, 고주파 전원(32)에 의해 수직 방향의 고주파 전계(RF 전계)가 형성되고, 이에 의해, 샤워 헤드(38)로부터 공급되는 가스에 의한 고밀도 플라즈마가 정전 척(12)의 표면 근방에 생성된다. 이렇게 하여 생성시킨 플라즈마의 작용에 의해, 소정 온도로 제어된 웨이퍼(W)에 대하여 에칭 처리가 실시된다.
온도 제어 시스템(1)은, 2 개의 온도 조절 유닛의 각각으로부터 온도가 상이한 온도 조절 유체의 공급을 받고, 그 때, 각 온도 조절 유체의 공급량을 조절함으로써 원하는 온도의 온도 조절 유체를 생성하고, 생성시킨 원하는 온도의 온도 조절 유체를 재치대(11)에 설치된 조온부(70)로 공급한다. 그 때, 온도 제어 시스템(1)은, 조온부(70)를 흐른 온도 조절 유체의 일부 또는 전부를 조온부(70)로 순환 공급하고, 또한 조온부(70)를 흐른 온도 조절 유체의 일부 또는 전부를 각 온도 조절 유닛으로 되돌릴 수 있는 구성으로 되어 있다. 이하, 온도 제어 시스템(1)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.
온도 제어 시스템(1)에는, 온도 조절 유체로서 이용되는 소정의 액체를 제 1 온도(예를 들면 10 ℃)로 조정하여 온도 제어 시스템(1)으로 공급하는 저온 온도 조절 유닛(74)과, 소정의 액체를 제 2 온도(예를 들면 90 ℃)로 조정하여 온도 제어 시스템(1)으로 공급하는 고온 온도 조절 유닛(75)이 접속되어 있다. 또한, 저온 온도 조절 유닛(74)과 고온 온도 조절 유닛(75)에서는 동일한 액체가 온도 조절 유체로서 이용된다. 이하의 설명에서는, 적절히, 저온 온도 조절 유닛(74)으로부터 온도 제어 시스템(1)으로 공급되는 온도 조절 유체를 '저온 유체'라 칭하고, 고온 온도 조절 유닛(75)으로부터 온도 제어 시스템(1)으로 공급되는 온도 조절 유체를 '고온 유체'라 칭하는 것으로 한다.
저온 온도 조절 유닛(74)은, 저온 온도 조절 유닛(74) 내를 순환하는 저온 유체 및 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체를 열 교환부에 의해 제 1 온도로 조정하고, 제 1 온도로 조정된 저온 유체를 저온 탱크에 저장하고, 저온 탱크에 저장된 저온 유체를 펌프에 의해 온도 제어 시스템(1)으로 송출한다(화살표(L1)). 온도 제어 시스템(1)으로부터 재치대(11)에 설치된 조온부(70)로 공급된 온도 조절 유체는(화살표(L2)), 이 후, 조온부(70)로부터 온도 제어 시스템(1)으로 되돌려진다(화살표(L3)). 이렇게 하여 조온부(70)로부터 온도 제어 시스템(1)으로 되돌려진 유체의 일부는, 저온 순환 유로(80)와 배관(88)을 통하여 저온 온도 조절 유닛(74)으로 되돌려진다(화살표(L4)).
저온 유로(76)를 통하여 저온 온도 조절 유닛(74)으로부터 온도 제어 시스템(1)으로 공급되는 저온 유체(화살표(L1))의 일부는 배관(88)으로 흘러가(화살표(L5)), 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체와 혼합된다. 이는, 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체의 온도는 저온 유체의 온도보다 높아, 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체만을 열 교환에 의해 제 1 온도로 하고자 하면, 열 교환기의 부하가 커지기 때문에, 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체에 일정량의 저온 유체를 혼합함으로써 열 교환기의 부하를 작게 하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한, 배관(88)에 설치된 밸브(85)의 밸브 개방도의 조절에 의해 배관 압력이 조정됨으로써, 저온 온도 조절 유닛(74)으로의 유체의 돌아오는 양을 조정할 수 있도록 되어 있다.
마찬가지로 고온 온도 조절 유닛(75)은, 저온 온도 조절 유닛(74) 내를 순환하는 저온 유체 및 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체를 열 교환부에 의해 제 2 온도로 조정하고, 제 2 온도로 조정된 고온 유체를 고온 탱크에 저장하고, 고온 탱크에 저장된 고온 유체를 펌프에 의해 온도 제어 시스템(1)으로 송출한다(화살표(L11)). 조온부(70)로부터 온도 제어 시스템(1)으로 되돌려진 온도 조절 유체의 일부는, 고온 순환 유로(81)와 배관(89)을 통하여 고온 온도 조절 유닛(75)으로 되돌려진다(화살표(L12)).
고온 유로(77)를 통하여 고온 온도 조절 유닛(75)으로부터 온도 제어 시스템(1)으로 공급되는 고온 유체(L11)의 일부는 배관(89)으로 흘러가(화살표(L12)), 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체와 혼합된다(화살표(L13)). 이는, 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체의 온도는 고온 유체의 온도보다 낮아, 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체만을 열 교환에 의해 제 2 온도로 하고자 하면, 열 교환기의 부하가 커지기 때문에, 온도 제어 시스템(1)으로부터 되돌려진 유체에 일정량의 고온 유체를 혼합함으로써 열 교환기의 부하를 작게 하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한, 배관(89)에 설치된 밸브(86)의 밸브 개방도의 조절에 의해 배관 압력이 조정됨으로써, 고온 온도 조절 유닛(75)으로의 유체의 돌아오는 양을 조정할 수 있도록 되어 있다.
또한, 저온 온도 조절 유닛(74)의 저온 탱크와 고온 온도 조절 유닛(75)의 고온 탱크는, 각 탱크의 액면의 높이가 대략 동일해지도록, 액면 조정용 배관(65)에 의해 접속되어 있다. 또한, 저온 온도 조절 유닛(74) 및 고온 온도 조절 유닛(75)에는, 필요한 온도 조절 정밀도를 얻기 위하여 필요로 되는 양의 저온 유체와 고온 유체를 조제하고, 저장할 수 있는 것이 이용된다.
온도 제어 시스템(1)은 가변 밸브(79a, 79b, 79c)를 가지는 밸브 유닛(79)을 구비한다. 저온 유로(76)는 가변 밸브(79a)에 접속되고, 고온 유로(77)는 가변 밸브(79c)에 접속되어 있다. 온도 제어 시스템(1)은, 조온부(70)로부터 온도 제어 시스템(1)으로 되돌려진 유체의 일부를 조온부(70)로 공급하기 위한 바이패스 유로(73)를 구비하고 있고, 바이패스 유로(73)는 가변 밸브(79b)에 접속되어 있다. 이하, 바이패스 유로(73)를 흐르는 유체를 '순환 유체'라고 칭한다.
가변 밸브(79a, 79b, 79c)를 통하여 조온부(70)로 송출되는 저온 유체, 순환 유체, 고온 유체는, 밸브 유닛(79)의 하류에 설치된 합류부(PA)에 도달하고, 이 후, 결합 유로(71)를 통하여 조온부(70)로 공급된다(화살표(L2)). 또한 밸브 유닛(79)은, 온도 제어 대상인 정전 척(12)의 근방에 배치되어 있고, 이에 의해 온도 제어의 응답성을 높일 수 있다.
여기서, 밸브 유닛(79)의 구조에 대하여 설명한다. 도 2a ~ 도 2c는 밸브 유닛(79)의 개략 구조를 도시한 단면도이다. 여기서는 3 개의 상태를 예시하는 것으로 한다. 즉, 도 2a는 가변 밸브(79a)의 밸브 개방도(Va)가 100 %의 상태를 나타내고 있고, 도 2b는 가변 밸브(79a)의 밸브 개방도(Va)가 50 %, 가변 밸브(79b)의 밸브 개방도(Vb)가 50 %의 상태를 나타내고 있고, 도 2c는 가변 밸브(79b)의 밸브 개방도(Vb)가 100 %의 상태를 나타내고 있다.
도 3은 가변 밸브(79a, 79b, 79c)의 각각의 밸브 개방도(Va, Vb, Vc)의 관계를 나타낸 도이다. 횡축은 밸브 유닛(79)의 기본 조작량(MB)의 범위를 최소 ~ 제로 ~ 최대로 나타내고 있고, 종축은 밸브 개방도를 전체 폐쇄 ~ 전체 개방으로 나타내고 있다.
밸브 유닛(79)은 저온 유체, 순환 유체 및 고온 유체의 각각의 유입구와 유출구를 가지는 원통 형상의 실린더(52) 내에, 축 직경이 상이한 가는 부분과 굵은 부분이 교호로 형성된 스풀(51)이 삽입되고, 가는 부분 주위(인접하는 굵은 부분의 사이의 공간)가 유체 유로가 된 구조를 가진다.
가변 밸브(79a)의 밸브 개방도(Va)가 전체 개방이 되고, 가변 밸브(79b, 79c)의 밸브 개방도(Vb, Vc)가 전체 폐쇄가 되는 도 2a의 상태는, 도 3에서 기본 조작량(MB)이 최소일 때 대응한다. 이 상태에서는, 저온 유체의 유입구와 유출구는 열려 있기 때문에 저온 유체는 밸브 유닛(79)을 통과할 수 있지만, 고온 유체와 순환 유체의 각각의 유입구는 스풀(51)의 굵은 부분에 의해 폐색되어 고온 유체와 순환 유체는 유로로 유입될 수 없다.
도 2a의 상태로부터, 스풀(51)을 화살표(G) 방향으로 서서히 이동시키면, 도 2b에 도시한 바와 같이, 저온 유체의 유입구가 서서히 스풀(51)의 굵은 부분에 의해 폐색 되어 가는 한편, 순환 유체의 유입구를 폐색하고 있던 굵은 부분이 순환 유체의 유입구로부터 벗어남으로써, 서서히 순환 유체의 유입구가 열려 간다. 이는, 도 3에서 기본 조작량(MB)을 최소로부터 제로를 향해 바꾸는 조작에 상당한다.
즉, 기본 조작량(MB)을 최소로부터 제로를 향해 크게 하면, 가변 밸브(79a)의 밸브 개방도(Va)가 단조 감소하는 한편 가변 밸브(79b)의 밸브 개방도(Vb)가 단조 증가한다. 이렇게 하여, 기본 조작량(MB)이 최소보다 크고 제로 미만일 경우, 저온 유체와 순환 유체의 혼합 유체가 조온부(70)로 공급되게 된다. 그 동안, 가변 밸브(79c)의 밸브 개방도(Vc)는 전체 폐쇄의 상태로 유지된다. 그리고, 기본 조작량(MB)이 제로가 되는 도 2c의 상태에서는, 가변 밸브(79a, 79c)의 밸브 개방도(Va, Vc)는 전체 폐쇄가 되고, 가변 밸브(79b)의 밸브 개방도(Vb)는 전체 개방이 된다. 따라서, 순환 유체만이 밸브 유닛(79)을 통과할 수 있다.
도 2c의 상태로부터 스풀(51)을 더 화살표(G) 방향으로 서서히 이동시키면, 도시하지 않지만, 고온 유체의 유입구를 폐색하고 있던 스풀(51)의 굵은 부분이 고온 유체의 유입구로부터 벗어남으로써 서서히 고온 유체의 유입구가 열려 간다. 이 때, 고온 유체의 유출구는 이미 열려 있으므로, 고온 유체가 밸브 유닛(79)을 통과하도록 된다. 이와 동시에, 순환 유체의 유출구가 스풀(51)의 굵은 부분에 의해 폐색되어 가기 때문에, 순환 유체는, 그 유입구로부터 밸브 유닛(79)의 내부로 유입될 수는 있어도, 유출될 수 없게 된다. 이는, 도 3에서 기본 조작량(MB)을 제로로부터 최대를 향해 바꾸는 것에 상당한다.
즉, 기본 조작량(MB)을 제로로부터 최대를 향해 크게 하면, 가변 밸브(79b)의 밸브 개방도(Vb)가 단조 감소하는 한편 가변 밸브(79c)의 밸브 개방도(Vc)가 단조 증가하고, 가변 밸브(79a)의 밸브 개방도(Va)는 전체 폐쇄의 상태가 유지됨으로써, 순환 유체와 고온 유체의 혼합 유체가 조온부(70)로 공급되게 된다. 기본 조작량(MB)이 최대가 되면, 가변 밸브(79a, 79b)의 밸브 개방도(Va, Vb)는 전체 폐쇄가 되고, 가변 밸브(79c)의 밸브 개방도(Vc)는 전체 개방이 되어, 고온 유체만이 밸브 유닛(79)을 통과할 수 있다.
이와 같이, 온도 제어 시스템(1)에서는, 저온 유체와 고온 유체가 동시에 밸브 유닛(79)을 흘러 조온부(70)로 공급되지 않고, 기본 조작량(MB)이 최소로부터 최대를 향함에 따라, 조온부(70)로 공급되는 유체의 온도가 저온으로부터 고온으로 변화하도록 되어 있다.
저온 유로(76), 바이패스 유로(73), 고온 유로(77)에는 각각, 가변 밸브(79c, 79b, 79a)의 근방에 압력계(P1, P2, P3)가 설치되어 있다. 이들 압력계(P1, P2, P3)에 의해 검출되는 배관 내 압력(유체 압력)은, 후술하는 장치 제어부(94)에 의한 유량 제어에 이용된다.
온도 제어 시스템(1)은, 조온부(70)로 공급된 유체를 회수 유로(72)를 통하여 회수하고, 일정량의 유체를 저장하는 탱크(78)를 구비한다. 탱크(78)에는, 유체의 저장량을 검출하는 센서의 일례로서 액면 센서(78a)가 설치되어 있고, 액면 센서(78a)는 탱크(78) 내의 수위가 일정 높이보다 낮은 경우에는 OFF 신호를, 탱크(78) 내의 수위가 일정 높이 이상인 경우에 ON 신호를 장치 제어부(94)로 송신한다.
탱크(78)의 하류에는, 탱크(78)에 저장된 유체를 더 하류(바이패스 유로(73), 저온 순환 유로(80) 및 고온 순환 유로(81))로 송출하기 위한 순환 펌프(87)가 설치되어 있다. 순환 펌프(87)의 하류에는 유량 센서(F)와 압력계(P4)가 설치되어 있다. 유량 센서(F)와 압력계(P4)에 의해 각각 검출되는 유체 유량 및 유체 압력은, 장치 제어부(94)에 의한 유량 제어에 이용된다.
온도 제어 시스템(1)에서는, 유량 센서(F)의 하류에 설치된 분기부(PB)에 의해, 회수 유로(72)를 흐르는 유체는, 바이패스 유로(73), 저온 순환 유로(80) 및 고온 순환 유로(81)로 분기된다. 이 때, 어느 유로에 어느 정도의 유체가 흐를지는, 각 유로에 가해지는 압력 관계에 의존한다. 바이패스 유로(73), 저온 순환 유로(80) 및 고온 순환 유로(81)에는 각각, 유체의 역류를 방지하기 위한 역지 밸브(82, 83, 84)가 설치되어 있다.
상술한 바와 같이, 분기부(PB)로부터 저온 순환 유로(80)로 송출된 유체는, 배관(88)을 통하여 저온 온도 조절 유닛(74)으로 되돌려지고, 분기부(PB)로부터 고온 순환 유로(81)로 송출된 유체는, 배관(89)을 통하여 고온 온도 조절 유닛(75)으로 되돌려진다. 또한, 분기부(PB)로부터 바이패스 유로(73)로 송출된 유체(순환 유체)는, 밸브 유닛(79)의 가변 밸브(79b)를 통하여 합류부(PA)로 유도된다.
본 실시예에서는, 플라즈마 처리 장치(100)와 온도 제어 시스템(1)의 동작 제어는 제어 장치(컴퓨터)(90)에 의해 행해진다. 여기서는, 플라즈마 처리 장치(100)의 동작 제어에 대한 설명은, 정전 척(12)의 온도 제어에 관한 부분을 제외하고 생략하는 것으로 한다.
제어 장치(90)는 온도 제어부(92), 장치 제어부(94) 및 기억부(96)를 가진다. 기억부(96)는, 플라즈마 처리 장치(100)와 온도 제어 시스템(1)의 동작 제어를 행하기 위한 각종 레시피(프로그램, 파라미터 등)를 저장하고 있고, 또한 플라즈마 처리 장치(100)와 온도 제어 시스템(1)에서 검출되는 각종의 정보를 데이터로서 기억한다. 장치 제어부(94)는 플라즈마 처리 장치(100)와 온도 제어 시스템(1)을 통괄적으로 제어한다.
온도 제어부(92)는, 정전 척(12)의 온도를 제어하기 위하여, 정전 척(12)의 온도를 검출하는 온도 센서(T1)의 검출 온도(Tt)와, 조온부(70)로 공급되는 유체의 온도를 검출하는 온도 센서(T2)에 의한 검출 온도(Td)에 기초하여, 조온부(70)로 공급되는 유체 유량 및 유체 온도를 제어한다. 그 때, 온도 제어부(92)는, 조온부(70)로 공급되는 유체 유량이 일정해지도록, 압력계(P1 ~ P3)의 검출값에 기초하여 가변 밸브(79a, 79b, 79c)의 밸브 개방도(Va, Vb, Vc)를 제어하고, 또한 유량 센서(F)에 의한 검출 유량과 압력계(P4)의 검출값에 기초하여 순환 펌프(87)의 구동(예를 들면, 인버터의 회전 속도수)을 제어한다.
또한 온도 제어부(92)는, 액면 센서(78a)의 검출 신호에 기초하여, 순환 펌프(87)의 구동의 ON / OFF를 제어한다. 즉, 탱크(78) 내에 유체가 없는 상태에서 순환 펌프(87)를 구동(공운전)시키면 순환 펌프(87)가 고장날 위험성이 높아지기 때문에, 액면 센서(78a)로부터 OFF 신호가 나와 있을 때는, 순환 펌프(87)는 구동되지 않도록 제어된다.
또한 온도 제어부(92) 및 장치 제어부(94)의 기능은, 제어 장치(90)가 구비하는 CPU(미도시)가, 기억부(96)에 저장된 프로그램을 RAM(미도시)의 작업 에어리어에 전개하여, 실행함으로써 실현된다.
이상에 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 온도 제어 시스템(1)에서는, 히터를 사용하지 않고 저온 유체, 고온 유체 및 순환 유체를 이용하여 원하는 온도의 유체로 조정하고, 조온부(70)로 공급함으로써, 정전 척(12)의 온도 제어를 실현한다. 그 때, 저온 온도 조절 유닛(74) 및 고온 온도 조절 유닛(75)의 각각에 탱크를 설치하고, 그로부터 소정량의 유체를 공급하는 구성으로 되어 있기 때문에, 유체를 고갈시키지 않고 연속하여 공급할 수 있고, 이에 의해, 고속으로 안정된 온도 제어가 가능해진다.
플라즈마 처리 장치(100)에 온도 제어 시스템(1), 저온 온도 조절 유닛(74) 및 고온 온도 조절 유닛(75)을 장착하는 조립 작업의 종료 직후는, 플라즈마 처리 장치(100) 및 온도 제어 시스템(1)에서 유체가 흐르는 배관 내에는 유체가 충전되어 있지 않고, 탱크(78) 내에도 유체는 저장되어 있지 않다. 플라즈마 처리 장치(100) 및 온도 제어 시스템(1)의 전원을 ON으로 했을 때, 배관 내에 유체가 충전되어 있지 않음에도 불구하고 순환 펌프(87)를 기동하면, 순환 펌프(87)가 공운전에 의해 고장난다. 이 때문에, 상술한 바와 같이, 액면 센서(78a)의 검출 신호에 기초하여 순환 펌프(87)의 기동은 제한되어 있다.
따라서, 플라즈마 처리 장치(100)에 대한 온도 제어 시스템(1)의 조립 작업 후에 온도 제어 시스템(1)을 지장없이 가동시키기 위하여, 먼저, 플라즈마 처리 장치(100)와 온도 제어 시스템(1)의 배관 내에 유체를 충전시킨다. 이하, 이 유체 충전 처리(유체 충전 시퀀스)에 대하여 상세히 설명한다.
도 4는 플라즈마 처리 장치(100)와 온도 제어 시스템(1)의 배관 내에 유체를 충전시키는 처리의 개요를 나타낸 순서도이다. 도 4의 순서도에 나타난 일련의 처리는, 제어 장치(90)가 구비하는 CPU가, 유체 충전 시퀀스를 실행시키기 위한 프로그램을 기억부(96)로부터 독출하여 RAM의 작업 영역에 전개하여, 실행하고, 온도 제어 시스템(1)의 각 부의 동작을 제어함으로써 실현된다.
유체 충전 시퀀스의 실행 전에, 오퍼레이터에 의해, 플라즈마 처리 장치(100), 온도 제어 시스템(1), 저온 온도 조절 유닛(74) 및 고온 온도 조절 유닛(75)의 전원이 ON이 된다. 이 때, 저온 온도 조절 유닛(74) 및 고온 온도 조절 유닛(75)의 전원이 ON이 되어 있지 않을 경우에는, 온도 제어 시스템(1)의 전원이 ON이 되지 않는 구성으로 해도 되고, 온도 제어 시스템(1)의 전원이 ON이 되면, 저온 온도 조절 유닛(74) 및 고온 온도 조절 유닛(75)이 가동되고 있는지 여부가 체크되고, 가동되고 있지 않으면 경보가 나오는 구성으로 해도 된다.
온도 제어 시스템(1)의 전원이 ON되면, 온도 제어부(92)는 액면 센서(78a)의 검출 신호를 체크한다. 여기서는, 액면 센서(78a)로부터는 OFF 신호가 출력되고 있기 때문에, 온도 제어부(92)는, 배관에의 유체 충전 시퀀스를 기동한다(유체 충전 시퀀스 개시). 또한 유체 충전 시퀀스의 개시 시에는, 저온 온도 조절 유닛(74) 및 고온 온도 조절 유닛(75)이 가동되고 있기 때문에, 도 1에 도시한 화살표(L1 → L5 → L4)로 나타나는 배관 내에는 저온 유체가 충전된 상태가 되어 있고, 또한 화살표(L11 → L13 → L12)로 나타나는 배관 내에는 고온 유체가 충전된 상태가 되어 있다.
유체 충전 시퀀스가 개시되면, 먼저, 온도 제어부(92)는, 가변 밸브(79a, 79b)의 밸브 개방도(Va, Vb)를 각각 50 %로 설정한다(단계(S101)). 이에 의해, 저온 온도 조절 유닛(74)으로부터 저온 유체가, 도 1에 도시한 화살표(L1) → 가변 밸브(79a) → L2 → L3 → 탱크(78)의 순으로 흐름으로써, 이들 유로에 저온 유체가 충전된다.
여기서, 탱크(78) 내에 일정량의 유체가 저장된 상태가 되면, 액면 센서(78a)가 ON 신호를 발신하고, 또한 탱크(78)로부터 하류측으로 유체가 흐르도록 되어 있는 것으로 한다. 그 경우, 액면 센서(78a)의 검출 신호가 OFF 신호로부터 ON 신호로 바뀐 시점에서는, 탱크(78)의 하류측으로는 저온 유체는 대부분 흐르지 있지 않기 때문에, 액면 센서(78a)의 검출 신호가 ON 신호로 바뀌고 나서, 소정 시간(예를 들면 30 초), 저온 유체의 온도 제어 시스템(1)으로의 공급을 계속한다.
이에 의해, 저온 유체는, 정지 상태에 있는 순환 펌프(87)를 통하여 분기부(PB)에 도달하고, 그 일부가 바이패스 유로(73)로 흐름으로써, 분기부(PB)로부터 바이패스 유로(73) 및 가변 밸브(79b)를 거쳐 합류부(PA)에 이르는 유로가 저온 유체로 충전되게 된다. 또한 분기부(PB)에 도달한 저온 유체의 일부는, 저온 순환 유로(80)를 통하여 저온 온도 조절 유닛(74)으로 되돌려짐으로써, 저온 순환 유로(80)에도 유체가 충전된다.
또한, 단계(S101)에서 저온 유체를 배관 내에 충전하기 위한 구동력은, 저온 온도 조절 유닛(74)이 구비하는 펌프에 의해 부여된다. 또한 단계(S101)에서는, 고온 온도 조절 유닛(75)이 가동되고 있어, 고온 유체가 고온 유로(77)와 배관(89)을 순환하고 있기 때문에, 분기부(PB)에 도달한 저온 유체는, 고온 순환 유로(81)에 가해지는 압력과의 관계로, 고온 순환 유로(81)로는 대부분 흐르지 않는다.
이어서 온도 제어부(92)는, 액면 센서(78a)로부터 검출 신호가 ON 신호로 바뀌고 나서 소정 시간(예를 들면 30 초)이 경과했는지 여부를 판정하고(단계(S102)), 소정 시간이 경과할 때까지 대기한다(S102에서 NO). 소정 시간이 경과하면(S102에서 YES), 온도 제어부(92)는 가변 밸브(79b, 79c)의 밸브 개방도(Vb, Vc)를 각각 50 %로 전환한다(단계(S103)).
단계(S103)에 의해, 고온 온도 조절 유닛(75)으로부터 고온 유체가, 도 1에 도시한 화살표(L11) → 가변 밸브(79c) → L2 → L3 → 탱크(78)의 순으로 흐른다. 탱크(78)에는 이미 저온 유체가 저장되어 있으므로, 고온 유체는 탱크(78) 내에서 저온 유체와 혼합되고, 탱크(78)로부터 하류로 유체가 흘러 분기부(PB)에 도달하고, 일부는 바이패스 유로(73)로 흘르고, 일부는 고온 순환 유로(81)를 통하여 고온 온도 조절 유닛(75)으로 되돌려진다. 또한, 단계(S103)에서 유체(고온 유체, 탱크(78)에서 생성하는 저온 유체와 고온 유체의 혼합 유체) 배관 내에 충전하기 위한 구동력은, 고온 온도 조절 유닛(75)이 구비하는 펌프에 의해 부여된다.
단계(S103)의 종료는 처리 시간으로 판정한다. 즉, 단계(S103)가 개시되면, 온도 제어부(92)는, 미리 정해진 처리 시간(예를 들면 30 초)이 경과했는지 여부를 판정하고(단계(S104)), 처리 시간이 경과할 때까지 대기한다(S104에서 NO). 처리 시간이 경과하면(S104에서 YES), 온도 제어부(92)는 액면 센서(78a)가 ON이 되어 있는 것을 확인하고(단계(S105)), 액면 센서(78a)가 ON이 되어 있지 않을 경우에는 처리를 단계(S104)로 되돌린다. 또한 도시하지 않지만, 단계(S105)의 판정이 최초로 'NO'가 되고 나서 일정 시간이 경과해도 액면 센서(78a)로부터의 검출 신호가 ON 신호로 바뀌지 않을 경우에는, 경보에 의해 오퍼레이터에 주의를 촉구하도록 해도 된다.
온도 제어부(92)는 액면 센서(78a)가 ON인 것을 확인하면(S105에서 YES), 순환 펌프(87)를 기동한다(단계(S106)). 이 때, 단계(S105)까지의 처리에 의해 순환 펌프(87) 내에는 유체가 충전되어 있고, 또한 탱크(78)에 충분한 유체가 저장되어 있으므로, 순환 펌프(87)가 공운전에 의해 파손되지 않는다.
이 후, 온도 제어부(92)는, 가변 밸브(79a)의 밸브 개방도를 100 %로 설정하여 저온 유체를 흘리고(단계(S107)), 미리 정해진 시간(예를 들면 30 초)이 경과하면, 가변 밸브(79c)의 밸브 개방도를 100 %로 설정하여 고온 유체를 흘리고(단계(S108)), 미리 정해진 시간(예를 들면 30 초)이 경과하면, 단계(S107, S108)의 처리를 각각 소정 횟수(예를 들면 2 회) 행했는지 여부를 판정한다(단계(S109)).
온도 제어부(92)는, 단계(S107, S108)의 처리를 각각 소정 횟수만큼 행하지 않은 경우(S109에서 NO), 처리를 단계(S107)로 되돌리고, 소정 횟수의 처리가 종료되면(S109에서 YES), 유체 충전 시퀀스를 종료한다. 이렇게 하여, 온도 제어 시스템(1)의 배관 내로부터의 에어 배제와 유체 충전이 완료되면, 온도 제어부(92)는, 정전 척(12)의 온도 제어가 정상으로 행해지는지 여부를 확인하기 위한 테스트 운전을 개시한다.
상기한 유체 충전 시퀀스에서는 단계(S107, S108)를 실행했지만, 단계(S101, S103)에서, 순환 펌프(87)의 구동에 지장이 없는 레벨까지 유체 충전이 가능한 조건이 설정된 경우에는, 단계(S104)의 종료로써, 유체 충전 시퀀스의 종료로 할 수 있다. 또한 상기의 유체 충전 시퀀스에서는, 온도 제어 시스템(1)으로 저온 유체를 공급한 후에 고온 유체를 공급했지만, 먼저 고온 유체를 공급하고, 이어서 저온 유체를 공급하도록 해도 된다.
또한, 상기의 유체 시퀀스에서의 단계(S101, S103, S107, S108)에서는 처리 시간을 30 초로 했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 저온 온도 조절 유닛(74)과 고온 온도 조절 유닛(75)이 각각 구비하는 펌프의 능력에 따라, 처리 시간을 적절히 설정하는 것이 바람직하다. 그리고, 단계(S107, 108)의 처리 횟수를 2 회로 했지만, 온도 제어 시스템(1)의 배관으로부터 에어를 빼고 유체를 충전할 수 있는 한에 있어서, 1 회로 해도 되고, 반대로 3 회 이상 행해도 된다. 또한, 단계(S101, S103)에서의 밸브 개방도도, 상기의 50 %씩에 한정되지 않는다. 예를 들면, 단계(S107, 108)의 실행을 고려하여, 단계(S101, S103)에서는, 순환 유체의 유량을 제어하는 가변 밸브(79b)의 밸브 개방도를 다른 것보다 크게 하는 등 해도 된다.
상기의 유체 충전 시퀀스에서는, 순환 유체가 흐르는 가변 밸브(79b)의 밸브 개방도를 100 %로 하는 처리는 행하고 있지 않다. 이는, 단계(S101, S103)의 2 단계에서 바이패스 유로(73)로 유체를 흘리고 있고, 가령 분기부(PB)로부터 바이패스 유로(73)를 거쳐 합류부(PA)에 이르는 유로에 에어가 남아 있어도, 그 에어에 의해 탱크(78)로부터 순환 펌프(87)로의 유체의 공급이 장시간에 걸쳐 완전히 중단되지 않고, 따라서 순환 펌프(87)가 고장나는 사태에는 이르지 않기 때문이다. 단, 예를 들면, 단계(S109)의 종료 후부터 테스트 운전 개시까지의 동안, 가변 밸브(79b)의 밸브 개방도를 100 %로 설정하여 바이패스 유로(73)로 유체를 흘림으로써, 분기부(PB)로부터 바이패스 유로(73)를 거쳐 합류부(PA)에 이르는 유로의 에어 배제와 유체 충전을 촉진하도록 해도 된다.
상기한 유체 충전 시퀀스에서는, 탱크(78) 내에 일정량의 유체가 저장된 상태가 되면, 액면 센서(78a)가 ON이 되고, 또한 탱크(78)로부터 하류측으로 유체가 흐르는 것으로 했다. 그 때문에, 단계(S101)에서는, 탱크(78)의 하류로 저온 유체를 흘리기 때문에, 액면 센서(78a)의 검출 신호가 ON이 되고 나서 소정 시간이 경과한 후에, 밸브 유닛(79)의 전환 조작(S103)을 행했다. 이에 대하여, 액면 센서(78a)의 검출 신호가 ON이 되면, 소정 시간의 경과를 기다리지 않고 즉시, 밸브 유닛(79)의 전환 조작(S103)을 행하도록 해도 된다.
이는 다음의 이유에 의한다. 즉, 온도 제어 시스템(1)으로의 고온 유체의 공급을 개시했을 때에는, 반드시, 탱크(78)에는 일정량의 저온 유체가 저장되어 있기 때문에, 고온 유체가 탱크(78)로 유입되는 것과 동시에 탱크로부터 고온 유체와 저온 유체가 혼합된 유체가 탱크(78)의 하류를 향해 흐른다. 이에 의해, 순환 펌프(87)에 유체가 충전되고, 또한 바이패스 유로(73)와 가변 밸브(79b)를 거쳐, 분기부(PB)로부터 합류부(PA)까지의 유로가 유체에 의해 충전된다. 한편, 저온 순환 유로(80)에는 단계(S107)에서의 처리에 의해 유체가 충전되게 되는데, 저온 순환 유로(80)에 에어가 남아 있어도, 그 에어는 저온 온도 조절 유닛(74)의 저온 탱크로 보내지기 때문에, 순환 펌프(87)까지 보내져 오지 않고, 따라서 순환 펌프(87)의 고장의 원인이 되지 않는다.
또한, 탱크(78)로부터 유체가 유출을 개시하는 저장량보다 많은 소정의 저장량까지 유체가 저장되었을 때 액면 센서(78a)가 ON되는 구성으로 해도 된다. 이 경우, 액면 센서(78a)로부터의 검출 신호가 ON 신호로 바뀐 시점에서 이미 일정량의 유체가 탱크(78)의 하류를 향해 흐르고 있기 때문에, 액면 센서(78a)가 ON되면, 소정 시간의 경과를 기다리지 않고 즉시, 밸브 유닛(79)의 전환 조작(S103)을 행하도록 할 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이, 상기의 온도 제어 시스템(1)으로의 유체 충전 시퀀스에 의하면, 순환 펌프(87)에 충분히 유체가 공급된 후에, 순환 펌프(87)의 구동이 개시되기 때문에, 공운전되는 것에 따른 파손(고장)의 발생을 회피할 수 있다.
상술한 유체 충전 시퀀스가 완료되면, 온도 제어부(92)는, 온도 제어 시스템(1)이 정상으로 작동하는지 여부를 확인하기 위한 온도 제어 테스트 운전을 행한다. 단, 이 온도 제어 테스트 운전은 필수는 아니고, 유체 충전 시퀀스의 완료 후, 즉시 웨이퍼(W)의 처리 레시피에 따라 정전 척(12)의 온도 제어를 개시해도 된다.
온도 제어 테스트 운전에서는, 온도 제어부(92)는, 정전 척(12)의 목표 온도를 설정하고, 목표 온도에 도달하도록, 온도 센서(T1, T2) 및 압력 센서(P1, P2, P3)를 모니터하면서, 가변 밸브(79a, 79b, 79c)의 개폐를 피드백 제어한다. 이 때, 예를 들면, 가변 밸브(79a, 79b, 79c)의 밸브 개방도에 관계없이 일정량의 유체가 조온부(70)로 공급되도록, 압력계(P1 ~ P3)의 압력값을 동일하게 하기 위하여 밸브(85, 86)의 밸브 개방도가 조절되고, 또한 저온 온도 조절 유닛(74)과 고온 온도 조절 유닛(75)의 각각의 펌프의 구동 제어(예를 들면, 인버터의 회전 속도 제어)가 행해진다.
온도 제어부(92)는, 정전 척(12)을 승온시키고자 할 때는, 고온 유로(77)의 가변 밸브(79c)의 밸브 개방도(Vc)를 크게 하여 주로 고온 유체를 조온부(70)로 유입시키고, 강온시키고자 할 때에는, 저온 유로(76)의 가변 밸브(79a)의 밸브 개방도(Va)를 크게 하여 주로 저온 유체를 조온부(70)로 유입시킨다. 결합 유로(71)에 흐르는 유체의 온도를 낮춘다. 그리고, 설정 온도와 실제의 정전 척(12)의 온도(온도 센서(T1)의 검출 온도)와의 차가 크게 변화하지 않을 때에는, 온도 제어부(92)는, 바이패스 유로(73)에 유체를 흘리면서, 저온 온도 조절 유닛(74)과 고온 온도 조절 유닛(75)의 각 탱크로부터 공급되는 저온 유체 및 고온 유체의 유량을 줄임으로써, 에너지 효율 좋게 정전 척(12)의 온도를 제어한다.
온도 제어 시스템(1)이 정상으로 작동하는 것이 확인되면, 웨이퍼(W)의 처리 레시피에 따라 정전 척(12)의 온도 제어가 개시된다.
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 반도체 제조 장치가 구비하는 정전 척에 한정되지 않고, 상부 전극 또는 퇴적물 실드 또는 처리 용기의 온도 제어에 상기 온도 제어 시스템이 적용된 경우에, 본 발명에 따른 온도 조절 유체 공급 방법을 이용할 수 있다. 또한, 에칭 프로세스를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 한정되지 않고, 애싱 프로세스 또는 스퍼터링 프로세스 등을 실행하는 플라즈마 처리 장치에 상기 온도 제어 시스템이 적용된 경우에도, 본 발명에 따른 온도 조절 유체 공급 방법을 이용할 수 있다. 또한, 평행 평판형의 에칭 처리 장치에 한정되지 않고, 원통 형상의 RLSA(Radial Line Slot Antenna) 반도체 제조 장치, ICP(Inductively Coupled Plasma) 반도체 제조 장치, 마이크로파 반도체 제조 장치 등에 상기 온도 제어 시스템이 적용된 경우에, 본 발명에 따른 온도 조절 유체 공급 방법을 이용할 수 있다.
본 발명의 목적은, 상술한 실시예의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램을 기록한 기억 매체를 컴퓨터(제어 장치) 등에 설치하고, 컴퓨터의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램을 독출하여 실행함으로써도 달성된다. 이 경우, 기억 매체로부터 독출된 프로그램 자체가 상술한 실시예의 기능을 실현하게 되고, 프로그램 및 그 프로그램을 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.
또한 프로그램을 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들면 RAM, NV-RAM, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD＋RW) 등의 광디스크, 자기 테이프, 불휘발성의 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램을 기억할 수 있는 것이면 된다. 혹은, 상기 프로그램은 인터넷, 상용 네트워크, 혹은 로컬 에어리어 네트워크 등에 접속되는 도시하지 않은 다른 컴퓨터 또는 데이터베이스 등으로부터 다운로드함으로써 컴퓨터에 공급되어도 된다.
또한 컴퓨터의 CPU가 독출한 프로그램을 실행함으로써, 상기 각 실시예의 기능이 실현될 뿐 아니라, 그 프로그램의 지시에 기초하여, CPU 상에서 가동되고 있는 OS(operating system) 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시예의 기능이 실현되는 경우도 포함된다. 또한, 기억 매체로부터 독출된 프로그램이, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드 또는 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램의 지시에 기초하여, 그 기능 확장 보드 또는 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시예의 기능이 실현되는 경우도 포함된다. 상기 프로그램의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 된다.
본 출원은 2012년 7월 20일에 출원된 일본특허출원 제2012-161526호 및 2012년 7월 30일에 가출원된 미국가특허출원 제61/677,034호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 당해 일본특허출원 및 미국가특허출원에 기재된 모든 내용을 본 출원에 원용한다.
1 : 온도 제어 시스템
70 : 조온부
71 : 결합 유로
73 : 바이패스 유로
74 : 저온 온도 조절 유닛
75 : 고온 온도 조절 유닛
79a, 79b, 79c : 가변 밸브
76 : 저온 유로
77 : 고온 유로
78 : 탱크
90 : 제어 장치
92 : 온도 제어부
100 : 반도체 제조 장치
PA : 합류부
PB : 분기부

Claims (8)

  1. 제 1 온도로 조온된 액체가 제 1 유체로서 공급되고, 상기 제 1 유체의 유량을 제어하는 제 1 가변 밸브가 설치된 제 1 유체 유로와, 상기 제 1 온도와는 상이한 제 2 온도로 조온된 액체가 제 2 유체로서 공급되고, 상기 제 2 유체의 유량을 제어하는 제 2 가변 밸브가 설치된 제 2 유체 유로와, 상기 제 1 유체와 상기 제 2 유체를 합류시켜 온도 조절 대상물에 공급하는 결합 유로와, 상기 온도 조절 대상물에 공급된 유체를 회수하는 회수 유로와, 제 3 가변 밸브가 설치되고, 상기 회수 유로를 흐르는 유체의 일부를 상기 온도 조절 대상물에 순환시키는 바이패스 유로와, 상기 회수 유로에 설치된 순환 펌프를 구비하고, 상기 온도 조절 대상물로서 반도체 제조 장치에 구비된 부재의 온도를 제어하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법으로서,
    상기 제 1 가변 밸브와 상기 제 3 가변 밸브를 소정의 밸브 개방도로 열어, 상기 제 1 유체를 소정 시간 공급하는 제 1 유체 공급 단계와,
    상기 제 2 가변 밸브와 상기 제 3 가변 밸브를 소정의 밸브 개방도로 열어, 상기 제 2 유체를 소정 시간 공급하는 제 2 유체 공급 단계와,
    제 2 유체 공급 단계 후, 상기 회수 유로를 흐르는 유체가 상기 순환 펌프에 충전된 상태에서 상기 순환 펌프를 기동시키는 기동 단계를 가지는 것을 특징으로 하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기동 단계 후에 실행되는,
    상기 제 1 가변 밸브만을 열어, 상기 제 1 유체를 상기 제 1 유체 유로에 소정 시간 공급하는 제 3 유체 공급 단계와,
    상기 제 2 가변 밸브만을 열어, 상기 제 2 유체를 상기 제 2 유체 유로에 소정 시간 공급하는 제 4 유체 공급 단계를 더 가지는 것을 특징으로 하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 4 유체 공급 단계 후에 실행되는, 상기 제 3 가변 밸브만을 열어, 상기 결합 유로, 상기 회수 유로 및 상기 바이패스 유로에 유체를 순환시키는 순환 단계를 더 가지는 것을 특징으로 하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 순환 단계 후에 실행되는, 상기 제 1 가변 밸브, 상기 제 2 가변 밸브 및 상기 제 3 가변 밸브의 밸브 개방도를 조정하여, 상기 제 1 유체 유로에의 상기 제 1 유체의 공급량, 상기 제 2 유체 유로에의 상기 제 2 유체의 공급량, 및 상기 바이패스 유로에 공급되는 유체의 유량을 제어함으로써, 상기 온도 조절 대상물의 온도를 상기 온도 조절 대상물의 설정 온도로 제어하는 제어 단계를 더 가지는 것을 특징으로 하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 제어 시스템은, 상기 회수 유로에서 상기 순환 펌프의 상류측에 설치되고, 상기 유체를 저장하는 탱크와, 상기 탱크에 저장된 유체가 일정량에 도달한 것을 검출하는 액면 센서를 구비하고,
    상기 기동 단계는, 상기 탱크에서 상기 유체가 상기 일정량에 도달한 것을 상기 액면 센서가 검출하고 있는 상태에서 실행되는 것을 특징으로 하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 제어 시스템은, 상기 회수 유로에서 상기 순환 펌프의 상류측에 설치되고, 상기 유체를 저장하는 탱크와, 상기 탱크에 저장된 유체가 일정량에 도달한 것을 검출하는 액면 센서를 구비하고,
    상기 제 1 유체 공급 단계는, 상기 탱크에서 상기 유체가 상기 일정량에 도달한 것을 상기 액면 센서가 검출한 시점에서 종료가 되는 것을 특징으로 하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 탱크에서 상기 유체가 상기 일정량에 도달한 것을 상기 액면 센서가 검출했을 때에는, 상기 탱크로부터 상기 순환 펌프로 상기 유체가 유출되고 있는 것을 특징으로 하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법.
  8. 제 1 온도로 조온된 액체가 제 1 유체로서 공급되고, 상기 제 1 유체의 유량을 제어하는 제 1 가변 밸브가 설치된 제 1 유체 유로와, 상기 제 1 온도와는 상이한 제 2 온도로 조온된 액체가 제 2 유체로서 공급되고, 상기 제 2 유체의 유량을 제어하는 제 2 가변 밸브가 설치된 제 2 유체 유로와, 상기 제 1 유체와 상기 제 2 유체를 합류시켜 온도 조절 대상물에 공급하는 결합 유로와, 상기 온도 조절 대상물에 공급된 유체를 회수하는 회수 유로와, 제 3 가변 밸브가 설치되고, 상기 회수 유로를 흐르는 유체의 일부를 상기 온도 조절 대상물에 순환시키는 바이패스 유로와, 상기 회수 유로에 설치된 순환 펌프를 구비하고, 상기 온도 조절 대상물로서 반도체 제조 장치에 구비된 부재의 온도를 제어하는 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 온도 조절 유체 공급 방법은,
    상기 제 1 가변 밸브와 상기 제 3 가변 밸브를 소정의 밸브 개방도로 열어, 상기 제 1 유체를 소정 시간 공급하는 제 1 유체 공급 단계와,
    상기 제 2 가변 밸브와 상기 제 3 가변 밸브를 소정의 밸브 개방도로 열어, 상기 제 2 유체를 소정 시간 공급하는 제 2 유체 공급 단계와,
    제 2 유체 공급 단계 후, 상기 회수 유로를 흐르는 유체가 상기 순환 펌프에 충전된 상태에서 상기 순환 펌프를 기동시키는 기동 단계를 가지는 것을 특징으로 하는 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체.
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KR1020147035716A KR102053778B1 (ko) 2012-07-20 2013-07-18 온도 제어 시스템으로의 온도 조절 유체 공급 방법 및 기억 매체

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220021571A (ko) * 2020-08-14 2022-02-22 주식회사 아이에스시 피검사 디바이스의 온도 조절을 위한 온도 조절 장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO342628B1 (no) * 2012-05-24 2018-06-25 Fmc Kongsberg Subsea As Aktiv styring av undervannskjølere
US20150228514A1 (en) * 2014-02-12 2015-08-13 Axcelis Technologies, Inc. Multi Fluid Cooling System for Large Temperature Range Chuck
KR20150108578A (ko) * 2014-03-18 2015-09-30 가부시키가이샤 어드밴티스트 온도 제어 장치 및 시험 시스템
JP6018606B2 (ja) 2014-06-27 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法
JP5970040B2 (ja) * 2014-10-14 2016-08-17 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム及び温度制御方法
US10386821B2 (en) 2015-06-22 2019-08-20 Lam Research Corporation Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values
US9864361B2 (en) 2015-06-22 2018-01-09 Lam Research Corporation Flexible temperature compensation systems and methods for substrate processing systems
US9779974B2 (en) 2015-06-22 2017-10-03 Lam Research Corporation System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck
US10381248B2 (en) 2015-06-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity
US10763142B2 (en) 2015-06-22 2020-09-01 Lam Research Corporation System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter
JP6383107B2 (ja) * 2015-06-22 2018-08-29 圭治郎 山本 関節運動アシストシステム
WO2016210299A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Tokyo Electron Limited GAS PHASE ETCH WITH CONTROLLABLE ETCH SELECTIVITY OF Si-CONTAINING ARC OR SILICON OXYNITRIDE TO DIFFERENT FILMS OR MASKS
JP6639193B2 (ja) * 2015-11-06 2020-02-05 伸和コントロールズ株式会社 温度制御装置
JP6832132B2 (ja) * 2016-11-08 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 供給装置及び基板処理装置
JP6983008B2 (ja) * 2017-08-28 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US10510564B2 (en) * 2018-01-10 2019-12-17 Lam Research Corporation Dynamic coolant mixing manifold
JP7128023B2 (ja) * 2018-05-01 2022-08-30 株式会社ニシヤマ 温度制御システム、製造装置および検査装置
US11164759B2 (en) * 2018-05-10 2021-11-02 Micron Technology, Inc. Tools and systems for processing one or more semiconductor devices, and related methods
JP7129877B2 (ja) * 2018-10-15 2022-09-02 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム及び温度制御方法
KR20210086712A (ko) * 2018-11-28 2021-07-08 램 리써치 코포레이션 기판 프로세싱 시스템들을 위한 증기 챔버를 포함하는 페데스탈
JP7187303B2 (ja) * 2018-12-26 2022-12-12 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置
JP7232651B2 (ja) * 2019-01-25 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 熱媒体の制御方法および熱媒体制御装置
CN113728424A (zh) * 2019-04-22 2021-11-30 朗姆研究公司 具有对于晶片的空间性可调谐rf耦合的静电卡盘
JP2022065995A (ja) * 2020-10-16 2022-04-28 株式会社Kelk 温度制御システム
KR102585284B1 (ko) * 2020-12-28 2023-10-05 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 액 공급 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117443A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Tokyo Electron Ltd 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置
JP2010117812A (ja) 2008-11-12 2010-05-27 Ckd Corp 温度制御装置
JP2012045872A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Matsui Mfg Co 金型温度調節装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079539A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US8151872B2 (en) * 2007-03-16 2012-04-10 Centipede Systems, Inc. Method and apparatus for controlling temperature
JP4978928B2 (ja) * 2007-04-27 2012-07-18 シーケーディ株式会社 温度制御装置
JP4869167B2 (ja) * 2007-07-04 2012-02-08 シーケーディ株式会社 温度調整用バルブユニット及びそれを用いた温度制御システム
JP5498759B2 (ja) * 2009-10-30 2014-05-21 東芝キヤリア株式会社 給湯装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117443A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Tokyo Electron Ltd 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置
JP2010117812A (ja) 2008-11-12 2010-05-27 Ckd Corp 温度制御装置
JP2012045872A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Matsui Mfg Co 金型温度調節装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220021571A (ko) * 2020-08-14 2022-02-22 주식회사 아이에스시 피검사 디바이스의 온도 조절을 위한 온도 조절 장치

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Publication number Publication date
US20150176928A1 (en) 2015-06-25
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