KR20110025121A - 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법 - Google Patents

현상 처리 장치 및 현상 처리 방법 Download PDF

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KR20110025121A
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šœ이찌 야히로
데쯔야 사다
마꼬또 구보
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 기판을 평류 방식으로 반송하면서 현상 처리를 행하는 현상 처리 장치에 있어서, 기판의 처리 조건의 차이에 상관없이, 현상 처리를 효과적으로 행하는 것이다.
기판(G)의 반송로(2)와, 상기 반송로를 반송되는 상기 기판의 전단부로부터 후단부에 걸쳐서 현상액(D)을 도포하는 제1 현상 노즐(10)과, 상기 기판의 처리에 관한 정보를 취득하는 기판 정보 취득 수단(20)과, 상기 제1 현상 노즐의 하류측에 반송로를 따라서 이동 가능하게 설치된 제2 현상 노즐(13)과, 상기 제2 현상 노즐을 이동시키는 노즐 이동 수단(14)과, 상기 제2 현상 노즐 및 상기 노즐 이동 수단의 구동을 제어하는 제어 수단(25)을 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 기판 정보 취득 수단으로부터 얻어진 정보에 기초하여, 상기 노즐 이동 수단을 구동하여, 상기 반송로 상에 있어서의 소정 위치에 상기 제2 현상 노즐을 이동시켜, 상기 제2 현상 노즐로부터 상기 기판으로 현상액을 공급한다.

Description

현상 처리 장치 및 현상 처리 방법{DEVELOPMENT PROCESSOR AND METHOD OF PROCESSING DEVELOPMENT}
본 발명은 기판을 평류 방식으로 반송하면서 현상 처리를 행하는 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법에 관한 것이다.
최근, FPD(플랫 패널 디스플레이) 제조에 있어서의 레지스트 도포 현상 처리 시스템에서는, 예를 들어 특허 문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이 피처리 기판(예를 들어, 글래스 기판)을 평류 반송하면서 현상 처리를 행하는 방식이 보급되어 있다.
구체적으로는, 예를 들어 롤러를 수평 방향으로 부설한 반송로에 의해 기판을 반송하여, 반송 중의 기판에 대해 현상, 린스, 건조 등의 일련의 현상 처리가 행해진다.
이와 같은 평류 방식은 기판을 회전 운동시키는 스피너 방식과 비교하여, 대형 기판의 취급이 간단해, 미스트의 발생 내지 기판으로의 재부착이 적은 등의 이점이 있다.
그런데, 본 발명자들은 패턴 노광된 포토레지스트가 성막된 기판에 현상액을 도포하여, 현상 처리를 진행시키는 경우, 기판 상에 도포된 현상액을 요동시킴으로써, 현상 처리의 효율이 향상되는 것을 발견하는 것에 이르렀다.
구체적으로 설명하면, 도 7의 그래프는, 어떤 종류의 포토레지스트(레지스트 R1이라고 부름)가 성막(막 두께 1.6㎛, 노광량 40mJ)된 기판에 대해 현상액을 도포하여, 그 현상 시간의 경과에 대한 잔여막량을 측정한 것이다. 그래프 중, 흑원형(●)은 현상 처리 중에 기판 상의 현상액을 정지 상태로 한 것이고, 흑삼각형(▲)은 현상 처리 중에 기판 상의 현상액을 요동시킨 것이다.
또한, 도 8의 그래프는 레지스트 R1과는 종류가 다른 포토레지스트(레지스트 R2라고 부름)가 성막(막 두께 2.2㎛, 노광량 15mJ)된 기판에 대해 현상액을 도포하여, 그 현상 시간의 경과에 대한 잔여막량을 측정한 것이다. 그래프 중, 흑원형(●)은 현상 처리 중에 기판 상의 현상액을 정지 상태로 한 것이고, 흑삼각형(▲)은 현상 처리 중에 기판 상의 현상액을 요동시킨 것이다.
도 7, 도 8의 양 그래프로부터 명백한 바와 같이, 포토레지스트의 종류나, 도포 막 두께, 노광량 등의 제조건에 상관없이, 기판 상의 현상액을 요동시킨 경우, 현상 시간의 경과에 대해, 잔여막량이 보다 적어진다고 하는 결과가 얻어졌다.
이 결과는 현상액을 요동시킴으로써, 배선 패턴을 따라서 용해된 포토레지스트가 체류되지 않고 현상액에 의해 교반되어, 현상 처리의 진행을 방해하지 않는 것을 나타내고 있다.
따라서, 현상액을 요동시킴으로써, 용해된 포토레지스트가 기판면 내에서 치우치는 일없이, 균일하게 현상 처리를 진행시킬 수 있어, 면 내에 있어서의 배선 패턴의 균일성이 향상된다고 할 수 있다.
일본 특허 출원 공개 제2003-100623호 공보
상기한 현상 처리에 있어서는, 기판 상의 현상액을 요동시키는 것이 바람직하다고 하는 결과가 얻어졌지만, 기판을 평류 반송하면서 현상 처리를 행하는 경우, 기판 자체를 요동시키는 것은 곤란하다.
이로 인해, 현상액을 공급하는 노즐을 2단의 구성으로 하는 방법이 생각된다. 즉, 1단째의 현상 노즐에 의해 기판에 현상액을 도포하여, 기판이 반송로를 소정의 거리 이동 후(소정 시간 경과 후)에, 2단째의 현상 노즐로부터 현상액을 공급하여, 기판 상의 현상액을 요동(교반)시키는 방법이다.
여기서, 1단째의 현상 노즐과 2단째의 현상 노즐의 바람직한 배치 간격은, 예를 들어 1단째의 노즐에 의한 현상액의 도포 후, 현상액에 용해한 레지스트가 떠오른 직후에 2단째의 노즐에 의한 현상액의 공급이 이루어지는 간격이다.
그러나, 레지스트의 종류나, 막 두께, 노광량 등의 제조건에 의해, 현상액에 용해한 레지스트의 부상 방식이 다르기 때문에, 2단의 현상 노즐을 소정 위치에 정배치하면, 현상액을 효과적으로 교반할 수 없어, 면 내의 배선 패턴의 선 폭에 편차가 발생한다고 하는 과제가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판을 평류 방식으로 반송하면서 현상 처리를 행하는 현상 처리 장치에 있어서, 기판의 처리 조건의 차이에 상관없이, 현상 처리를 면 내 균일하고, 또한 효율적으로 행할 수 있는 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법을 제공한다.
상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 현상 처리 장치는 패턴 노광된 포토레지스트가 성막되어 이루어지는 피처리 기판을 평류 반송하여, 반송되는 상기 기판에 대해 현상 처리를 실시하는 현상 처리 장치이며, 상기 기판이 평류 반송되는 반송로와, 상기 반송로 상에 배치되어, 상기 반송로를 이동하는 상기 기판의 전단부로부터 후단부에 걸쳐서 현상액을 도포하는 제1 현상 노즐과, 상기 기판의 처리에 관한 정보를 취득하는 기판 정보 취득 수단과, 상기 제1 현상 노즐의 하류측에 상기 반송로를 따라서 이동 가능하게 설치된 제2 현상 노즐과, 상기 제2 현상 노즐을 이동시키는 노즐 이동 수단과, 상기 제2 현상 노즐 및 상기 노즐 이동 수단의 구동을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은 상기 기판 정보 취득 수단으로부터 얻어진 정보에 기초하여, 상기 노즐 이동 수단을 구동하고, 상기 반송로 상에 있어서의 소정 위치에 상기 제2 현상 노즐을 이동시켜, 상기 제2 현상 노즐로부터 상기 기판으로 현상액을 공급하는 것을 특징으로 하는 것에 특징을 갖는다.
이와 같은 구성에 따르면, 2단 구성으로 된 제1 현상 노즐과 제2 현상 노즐의 배치 간격을, 처리하는 기판마다 최적의 설정으로 할 수 있다.
즉, 기판의 제조건(포토레지스트의 종류, 포토레지스트의 막 두께, 노광량 등)의 차이에 상관없이, 제1 현상 노즐에 의해 도포된 현상액에 의해 포토레지스트가 소정의 용해 상태에 도달하면, 그 영역에 대해 제2 현상 노즐에 의해 즉시 현상액을 공급할 수 있다.
이에 의해, 용해된 포토레지스트가 기판면 내에서 치우쳐서 체류되는 일없이, 현상 처리를 효과적이고 또한 균일하게 진행시킬 수 있다.
또한, 상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 현상 처리 방법은 패턴 노광된 포토레지스트가 성막되어 이루어지는 피처리 기판을 평류 반송하여, 반송되는 상기 기판에 대해 현상 처리를 실시하는 현상 처리 방법이며, 반송로를 따라서 상기 기판을 평류 반송하여, 상기 반송로 상에 배치된 제1 현상 노즐에 의해, 상기 기판의 전단부로부터 후단부에 걸쳐서 현상액을 도포하는 스텝과, 상기 기판의 처리에 관한 정보를 취득하는 스텝과, 상기 제1 현상 노즐의 하류측에 있어서 상기 반송로를 따라서 이동 가능하게 설치된 제2 현상 노즐을, 상기 취득한 기판의 처리에 관한 정보에 기초하여 상기 반송로 상에 있어서의 소정 위치로 이동시켜, 상기 제2 현상 노즐로부터 상기 기판으로 현상액을 공급하는 스텝을 실행하는 것에 특징을 갖는다.
이와 같은 방법에 따르면, 2단 구성으로 된 제1 현상 노즐과 제2 현상 노즐의 배치 간격을, 처리되는 기판마다 최적의 설정으로 할 수 있다.
즉, 기판의 제조건(포토레지스트의 종류, 포토레지스트의 막 두께, 노광량 등)의 차이에 상관없이, 제1 현상 노즐에 의해 도포된 현상액에 의해 포토레지스트가 소정의 용해 상태에 도달하면, 그 영역에 대해 제2 현상 노즐에 의해 즉시 현상액을 공급할 수 있다.
이에 의해, 용해된 포토레지스트가 기판면 내에서 치우쳐서 체류되는 일없이, 현상 처리를 효과적이고 또한 균일하게 진행시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판을 평류 방식으로 반송하면서 현상 처리를 행하는 현상 처리 장치에 있어서, 기판의 처리 조건의 차이에 상관없이, 현상 처리를 면 내 균일하고, 또한 효율적으로 행할 수 있는 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태인 현상 처리 장치가 적용되는 현상 유닛의 전체 구성을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태인 현상 처리 장치가 적용되는 현상 유닛의 전체 구성을 모식적으로 도시하는 평면도.
도 3은 본 발명에 관한 현상 처리 장치의 제1 실시 형태의 동작(현상 처리 방법)의 흐름을 도시하는 플로우.
도 4는 본 발명에 관한 현상 처리 장치의 제1 실시 형태의 동작 천이를 도시하는 평면도.
도 5는 본 발명에 관한 현상 처리 장치의 제2 실시 형태의 동작(현상 처리 방법)의 흐름을 도시하는 플로우.
도 6은 본 발명에 관한 현상 처리 장치의 제2 실시 형태의 동작 천이를 도시하는 평면도.
도 7은 패턴 노광된 포토레지스트 R1이 성막된 기판에 대해 현상액을 도포하여, 그 현상 시간의 경과에 대한 잔여막량을 측정한 도면.
도 8은 패턴 노광된 포토레지스트 R2가 성막된 기판에 대해 현상액을 도포하여, 그 현상 시간의 경과에 대한 잔여막량을 측정한 도면.
이하, 본 발명의 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법에 관한 실시 형태를, 도면에 기초하여 설명한다. 우선, 도 1 내지 도 4에 기초하여 본 발명의 제1 실시 형태에 대해 설명한다.
본 발명에 관한 현상 처리 장치는, 예를 들어 포토리소그래피 공정에 있어서 현상 처리를 행하는 현상 유닛에 적용할 수 있다. 이하, 포토리소그래피 공정에 있어서의 현상 유닛에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.
이 현상 유닛(1)에는, 도 1, 도 2에 도시한 바와 같이 프로세스 라인 A를 따라서 수평 방향(X방향)으로 연장되는 롤러 반송에 의한 평류의 반송 라인(2)(반송로)이 설치되어 있다. 이 반송 라인(2)을 따라서 상류측으로부터 차례로 반입부(3)와, 현상부(4)와, 린스부(5)와, 건조부(6)와, 반출부(7)가 설치되어 있다.
반송 라인(2)은 롤러(8)(반송체)를 반송 방향(X방향)으로 일정 간격(예를 들어, 100㎜ 간격)으로 부설하여 이루어지고, 기판(G)을, 그 피처리면을 위로 향하게 한 자세로 하여 소정 속도(예를 들어, 60㎜/s)로 반송하도록 구성되어 있다.
각 롤러(8)는, 예를 들어 전기 모터를 갖는 반송 구동부(도시하지 않음)에 기어 기구 또는 벨트 기구 등의 전동 기구(도시하지 않음)를 통해 접속되어 있다.
현상부(4)에 있어서는, 기판 반송 방향으로 2단의 현상 노즐(10, 13)이 설치되어 있다. 1단째의 노즐인 제1 현상 노즐(10)은, 도시한 바와 같이 반송 라인(2)의 상방에 (위치 고정되어) 배치된 2개 1조의 장척 형상의 노즐(10a, 10b)로 구성되어 있다. 각 노즐(10a, 10b)은, 도 2에 도시한 바와 같이 기판 폭 방향(Y방향)으로 연장 설치되는 동시에, 그 노즐(10a, 10b)의 하단부면에는 동일 방향으로 슬릿 형상으로 연장되는 토출구(10c, 10d)가 형성되어 있다.
이 현상 노즐(10)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 현상액 공급부(11)로부터 소정 농도의 현상액이 공급되어, 반송 라인(2)을 반송되는 기판(G)의 피처리면(상면)을 향해 현상액(D)을 토출하도록 되어 있다.
또한, 상기 제1 현상 노즐(10)보다도 하류측에는, 도 2에 도시한 바와 같이 반송 라인(2)의 좌우 양측을 따라서, 한 쌍의 가이드 레일(12)이 설치되어 있다. 이 가이드 레일(12)에는 2단째의 현상 노즐인 제2 현상 노즐(13)이 레일을 따라서 이동 가능하게 현수되어 있다.
이 제2 현상 노즐(13)은, 도 2에 도시한 바와 같이 기판 폭 방향(Y방향)으로 장척 형상으로 연장 설치되고, 그 하단부에 동일 방향으로 연장되는 슬릿 형상의 노즐구(13a)가 형성되어 있다.
이 제2 현상 노즐(13)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 현상액 공급부(15)로부터 소정 농도의 현상액이 공급된다. 그리고, 상기 제1 노즐(10)에 의해 현상액이 도포된 상태의 기판(G)에 대해, 다시 노즐구(13a)로부터 현상액(D)을 토출 가능한 구성으로 되어 있다.
또한, 이 제2 현상 노즐(13)은 구동 기구(14)(노즐 이동 수단)에 의해 상기 가이드 레일(12)을 따라서[즉, 반송 라인(2)을 따라서] 이동 가능하게 되어 있다.
또한, 현상부(4)에 있어서, 상기 제1 현상 노즐(10)보다도 하류측에는, 평류 반송 중의 기판(G)의 전방 테두리부(T)(도 2 참조)를 촬상하는 CCD 카메라(20)(용해 검출 수단, 기판 정보 취득 수단)가 배치되어 있다. 이 CCD 카메라(20)는 화상 처리부(21)(용해 검출 수단, 기판 정보 취득 수단)에 접속되어 있다.
또한, CCD 카메라(20)는 기판(G)이 제1 현상 노즐(10)의 하방을 통과 후, 소정 거리[예를 들어, 기판 반송 방향으로의 제2 현상 노즐(13)의 최대 이동 가능 위치까지]를 이동할 때까지의 동안은, 기판(G)의 전방 테두리부(T)를 카메라의 시야 내에 들어가게 하여, 촬상을 계속해서 행한다. 그로 인해, CCD 카메라(20)는 반송되어 이동하는 기판(G)의 전방 테두리부(T)를 추종하도록, 그 자세(촬상 방향)가 제어되거나, 혹은 카메라 본체가 기판(G)의 이동에 동기하여 이동하도록 제어되는 것이 바람직하다. 혹은, 기판(G)이 제1 현상 노즐(10)의 하방을 통과 후, 상기 소정 거리를 이동할 때까지의 동안, 일방향을 촬상하는 카메라의 시야 내에 들어가는 것이면, CCD 카메라(20)를 고정 배치해도 좋다.
CCD 카메라(20)에 의해 촬상된 화상은 기판 처리에 관한 정보로서 화상 처리부(21)에 공급되고, 상기 화상 처리부(21)에 있어서의 해석의 결과, 기판(G)의 전방 테두리부(T)에 있어서의 현상액의 변화가 검출된다. 상기 현상액의 변화라 함은, 포토레지스트의 용해 상태이고, 구체적으로는 현상액에 떠오르는 포토레지스트량이 소정치(임계치)를 초과하는지 여부(혹은, 현상액의 색 변화)에 의해 검출의 유무가 판정된다.
또한, 상기 화상 처리부(21)와, 상기 현상액 공급부(11, 15)와, 상기 구동 기구(14)는 현상부(3)의 제어를 행하는 제어부(25)(제어 수단)에 접속되어 있다.
또한, 현상부(4) 내에는 반송 라인(2)의 아래로 떨어진 현상액을 받아 모으기 위한 팬(16)이 설치되어 있다. 이 팬(16)의 액 배출구는 액 배출관(17)을 통해 현상액 재이용 기구(18)에 통하고 있다.
상기 현상액 재이용 기구(18)는 반송 라인(2)으로부터 넘쳐 떨어진 현상액을 팬(16) 및 액 배출관(17)을 통해 회수한다. 이 현상액 재이용 기구(18)에서는 회수한 현상액에 원액이나 용매를 추가하여, 기준 농도로 조정한 리사이클의 현상액을 상기 현상액 공급부(11, 15)로 보내도록 되어 있다.
또한, 린스부(5)는 기판 상의 현상액을 제거하여, 순수(純水) 등의 린스액으로 치환하는 현상액 제거부(5a)와, 기판(G)의 표리면을 린스 세정하는 세정부(5b)에 의해 구성되어 있다.
현상액 제거부(5a)에 있어서는, 도 1에 도시한 바와 같이 반송 라인(2)에 있어서 롤러(8)의 배치에 의해 융기부(19)가 형성되어 있다. 이 융기부(19)가 설치됨으로써, 기판(G)이 융기부(19)를 통과할 때, 대부분의 현상액이 기판 전방측(상류측)으로 흘러내린다.
또한, 보다 효율적으로 현상액을 기판(G)으로부터 흘려 내리기 위해, 상기 융기부(19)의 오르막 경사면측에는, 기판(G)의 표면에 접촉하여, 기판 표면을 균일화하기 위한 균일화 롤러(22)가 기판 폭 방향을 따라서 설치되어 있다. 이 균일화 롤러(22)는 융기부(19)의 오르막 경사에서 현상액의 대부분이 흘러내리고, 박막 상태로 기판(G) 상에 남은 현상액을, 균일하게 기판 후방으로 밀어 흘러가게 하여 고르게 하기 위해 설치되어 있다. 이 균일화 롤러(22)를 설치함으로써, 기판(G)으로부터 대부분의 현상액을 제거할 수 있어, 후단의 린스 처리의 효과를 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 융기부(19)의 내리막 경사면측에는 기판 상에 린스액(L)을 공급하여, 현상액(D)을 린스액(L)으로 완전히 치환하기 위한 린스 노즐(23)이 설치되어 있다. 이에 의해, 현상 처리가 정지 상태로 된다.
또한, 현상액 제거부(5a)에는 반송 라인(2)의 아래로 떨어진 현상액을 모으기 위한 팬(24)이 설치되어 있다. 이 팬(24)의 액 배출구는 액 배출관(26)을 통해 상기 현상액 재이용 기구(18)에 통하고 있다.
또한, 세정부(5b)는 그 입구에, 반송 라인(2)에 있어서 오르막 경사부(27)가 형성되어 있다. 이 오르막 경사부(27)가 설치됨으로써, 상기 린스 노즐(23)로부터 기판 상으로 공급된 현상액이 현상액 제거부(5a)의 팬(24) 및 세정부(5b)의 팬(28)으로 흘러내리도록 구성되어 있다.
세정부(5b)에는 반송 라인(2)의 상방으로부터 기판(G)의 상면에 대해 세정용 린스액을 내뿜는 린스 노즐(31)과, 반송 라인(2)의 하방으로부터 기판(G)의 하면에 대해 세정용 린스액을 내뿜는 린스 노즐(32, 38)이 설치되어 있다.
또한, 각 린스 노즐(23, 31, 32, 38)은, 예를 들어 장척형 노즐로 이루어지고, 도시하지 않은 린스액 공급원으로부터 배관을 통해 린스액이 공급되도록 되어 있다.
또한, 기판(G)의 상면에 대해 린스액(L)을 내뿜는 린스 노즐(31)의 하류에는 고압력의 에어를 기판 상면에 내뿜는 에어 노즐(34)이 설치되어, 상기 린스 노즐(31)에 의해 기판 상에 공급된 린스액(L)을 풍압으로 제거하도록 되어 있다.
상기한 바와 같이 세정부(5b)에는 반송 라인(2)의 아래로 떨어진 린스액을 받아 모으기 위한 팬(28)이 설치되지만, 이 팬(28)의 액 배출구는 액 배출관(29)을 통해 린스액 회수부(35)에 통하고 있다.
또한, 건조부(6)에 있어서는, 기판(G)을 향해 상방 및 하방으로부터 반송 방향과 역방향으로 액 제거 내지 건조용 고압 가스류(통상은 에어류)를 접촉시키는 장척형의 에어 나이프(36, 37)가 배치되어 있다.
또한, 이 현상 유닛(1)에 있어서, 일체적인 하우징(39) 내에 수용되는 각 처리부의 공간은 격벽(40, 41, 42, 43, 44)의 개구(40a, 41a, 42a, 43a, 44a)를 통해 서로 연통되어 있다.
반입부(3) 및 반출부(7)의 천장에는 각각 실외의 공기를 끌어들이기 위한 팬(50, 51)과, 이들 팬(50, 51)으로부터의 공기류를 제진하는 에어 필터(52, 53)가 설치되어 있다.
또한, 린스부(5)의 저부에는, 예를 들어 배기 펌프 또는 배기 팬을 갖는 배기 기구(55)에 통하는 배기구(56)가 형성되어 있다.
이에 의해, 반입부(3)의 천장으로부터 공급되는 청정 공기는 현상부(4)에 공급되는 동시에, 현상 처리에서 발생하는 현상액의 미스트를 말려들도록 하여 상기 린스부(5)의 배기구(56)로부터 배기되도록 되어 있다.
한편, 건조부(6)의 천장으로부터 공급되는 청정 공기는 건조(액 제거) 처리에서 발생하는 린스액의 미스트를 말려들도록 하여 상기 린스부(4)의 배기구(56)로부터 배기되도록 되어 있다.
계속해서, 이 현상 유닛(1)에 있어서의 동작의 흐름을 도 3의 플로우에 기초하여 설명한다.
패턴 노광된 포토레지스트가 피처리면에 성막되어 이루어지는 기판(G)이 반입부(3)로부터 반송 라인(2) 상으로 수평으로 이동 탑재되면, 일정 속도(예를 들어, 60㎜/s)의 롤러 반송으로 현상부(4)를 향해 반송된다[도 3의 스텝 S1, 도 4의 (a)의 상태].
현상부(4)에서는 기판(G)이 반송 라인(2)을 수평 자세로 이동하는 동안에, 정위치의 제1 현상 노즐(10)로부터 현상액(D)이 공급 개시된다[도 3의 스텝 S2, 도 4의 (b)의 상태]. 이에 의해, 기판(G) 상에는 기판 전단부로부터 기판 후단부에 걸쳐서 반송 속도와 동등한 주사 속도로 현상액(D)이 도포되기 시작한다.
상기와 같이 제1 현상 노즐(10)에 의해 기판 전단부로부터 기판 후단부를 향해 현상액(D)이 공급 개시되면, CCD 카메라(20)에 의해 기판(G)의 전방 테두리부(T)[도 4의 (b)의 파선 영역]에 있어서의 현상액(D)의 상태가 촬상 개시된다(도 3의 스텝 S3). CCD 카메라(20)에 의해 촬상된 기판 전방 테두리부(T)의 화상(영상)은 화상 처리부(21)에 있어서 해석되어, 포토레지스트의 용해 상태[소정의 용해량 임계치를 초과하는지 여부, 혹은 현상액(D)의 색 변화]의 검출이 행해진다(도 3의 스텝 S4). 또한, 그 검출 결과는 제어부(25)에 출력된다.
기판 전방 테두리부(T)에 있어서의 포토레지스트의 용해량이 소정의 임계치를 초과했다고 판정(검출)되면(도 3의 스텝 S4), 제어부(25)는 제1 현상 노즐(10)에 의한 현상액 공급 개시로부터 상기 검출까지의 시간과, 기판 반송 속도에 기초하여, 제2 현상 노즐(13)의 배치 위치를 결정한다.
구체적으로는, 상기 검출이 이루어진 시점에서의 상기 기판 전방 테두리부(T)의 반송 라인(2) 상의 위치가 상기 제2 현상 노즐(13)의 위치로서 결정된다.
이에 의해, 평류 반송되는 기판(G)에 현상액(D)이 공급된 후, 현상 처리의 진행에 의해 포토레지스트가 소정량 용해될 때까지의 기판(G)의 이동 거리가, 제1 현상 노즐(10)과, 제2 현상 노즐(13)의 배치 간격으로서 설정된다.
제어부(25)는 구동 기구(14)를 제어하여, 가이드 레일(12)을 따라서 제2 현상 노즐(13)을 상기 설정된 위치까지 이동시킨다(도 3의 스텝 S5).
제2 현상 노즐(13)의 이동이 완료되면, 그 현상 노즐(13)로부터, 즉시 기판(G) 상으로 현상액(D)을 공급 개시한다[도 3의 스텝 S6, 도 4의 (c)의 상태].
이 새로운 현상액(D)이 공급됨으로써, 이미 제1 현상 노즐(10)에 의해 도포된 현상액(D) 중에 체류하는 용해된 레지스트가 교반되어, 그 용해된 레지스트와 함께 여분의 현상액(D)이 현상부(4)의 팬(16)으로 흘러내린다.
여기서, 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이, 상기 제2 현상 노즐(13)의 배치가 고정됨으로써, 기판(G)의 어느 영역을 취해도, 제1 현상 노즐(10)의 아래를 통과하고, 제2 현상 노즐(13)의 아래를 통과할 때까지의 시간은 일정하다.
즉, 제1 현상 노즐(10)로부터 공급된 현상액(D)에 의해, 기판 전단부로부터 후단부에 걸쳐서 차례로 현상 처리가 진행되어, 용해된 포토레지스트가 소정량을 초과하면, 그 영역에는 즉시 제2 현상 노즐(13)로부터 새로운 현상액(D)이 공급된다.
따라서, 용해된 포토레지스트가 기판면 내에서 치우쳐서 체류되는 일없이, 현상 처리를 효율적이고 또한 면 내 균일하게 진행시킬 수 있다.
상기 제2 현상 노즐(13)에 의한 현상액(D)의 공급이 기판(G)의 후단부까지 완료되면, 소정 시간의 경과 후, 기판(G)은 린스부(5)의 현상액 제거부(5a)로 반송된다.
기판(G) 상에 남은 현상액(D)은 융기부(19)를 통과할 때, 중력에 의해 후방으로 이동하여 기판 후단부로부터 흘러내린다. 또한, 박막 상태로 기판(G) 상에 남은 현상액(D)은 균일화 롤러(22)에 의해 균일하게 기판 후방으로 밀려 흘러가게 된다.
기판 상으로부터 대부분의 현상액(D)이 제거되면, 린스 노즐(23)에 의해, 기판 상에, 예를 들어 순수로 이루어지는 린스액(L)이 공급된다. 이에 의해, 기판 상의 현상액(D)은 린스액(L)으로 완전히 치환되어, 현상 처리가 정지 상태로 된다(도 3의 스텝 S7).
기판(G)은, 또한 세정부(5b)로 반입되어, 그 상하면에 대해 린스 노즐(31, 32, 38)로부터 세정용 린스액(L)이 내뿜어진다(도 3의 스텝 S8). 이에 의해, 기판(G)의 상하면에 부착되고 남은 현상액(D)이 완전히 씻겨진다.
또한, 기판(G)의 상면에 대해서는, 다시 에어 노즐(34)에 의해 고압력의 에어가 내뿜어져, 린스 노즐(31)에 의해 기판 상에 공급된 린스액(L)이 풍압으로 제거된다.
이와 같이 하여 린스 처리가 완료되면, 기판(G)은 반송 라인(2)에 의해 건조부(6)로 반입된다.
기판(G)의 상하면에는 에어 나이프(36, 37)에 의해 반송 방향과 역방향으로 고압 가스류가 내뿜어진다(도 3의 스텝 S9). 이에 의해, 기판(G) 상에 남아 있던 린스액(L)은 기판 후방으로 모여 기판 후단부로부터 추출된다(액이 제거된다).
이와 같이 하여 현상 유닛(1) 내에서 일련의 현상 처리 공정을 종료한 기판(G)은, 반송 라인(2) 상을 이동하여, 반출부(7)를 경유하여 후단의 처리부로 반송된다(도 3의 스텝 S10).
이상과 같이, 본 발명에 관한 제1 실시 형태에 따르면, 패턴 노광된 포토레지스트가 성막되어, 평류 반송되는 기판(G)에 대해 현상액(D)을 공급하는 현상부(4)에 있어서, 2단 구성으로 된 제1 현상 노즐(10)과 제2 현상 노즐(13)의 배치 간격이, 처리하는 기판마다 최적의 설정으로 된다.
즉, 기판(G)의 제조건(포토레지스트의 종류, 포토레지스트의 막 두께, 노광량 등)의 차이에 상관없이, 제1 현상 노즐(10)에 의해 도포된 현상액(D)에 의해 기판(G)의 소정 영역에서의 포토레지스트의 용해량이 소정량을 초과하면, 제2 현상 노즐(13)에 의해 즉시 상기 소정 영역에 현상액(D)이 공급된다.
이에 의해, 용해된 포토레지스트가 기판면 내에서 치우쳐서 체류되는 일없이, 현상 처리를 효율적이고 또한 면 내 균일하게 진행시킬 수 있다.
계속해서, 본 발명에 관한 제2 실시 형태에 대해 도면에 기초하여 설명한다. 또한, 이 제2 실시 형태에 있어서, 상기 제1 실시 형태와의 공통 부분에 대해서는, 동일한 부호로 나타내고, 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 현상 처리 장치에 관한 제2 실시 형태에 있어서는, 상기 제1 실시 형태에 있어서 도 1, 도 2에 도시한 구성과 대략 동일한 구성을 갖지만, 제어부(25)에 의한 제2 현상 노즐(13)의 구동 제어가 다른 것으로 된다.
이하, 이 제2 실시 형태에 있어서의 현상 유닛(1)의 동작의 흐름을 도 5, 도 6에 기초하여 설명한다. 또한, 이 제2 실시 형태에 있어서는, 도 6에 도시한 바와 같이 기판 전방 테두리부(T)를 촬상하는 CCD 카메라(20)는 제2 현상 노즐(13)에 설치되어, 제2 현상 노즐(13)과 일체로 이동하는 구성으로 하고 있다.
패턴 노광된 포토레지스트가 피처리면에 성막되어 이루어지는 기판(G)이 반입부(3)에 있어서 반송 라인(2) 상에 수평으로 이동 탑재되면, 기판(G)은 현상부(4)를 향해 일정 속도(예를 들어, 60㎜/s)로 롤러 반송된다[도 5의 스텝 St1, 도 6의 (a)의 상태]. 또한, 제2 현상 노즐(13)은 가이드 레일(12)의 시점 위치(대기 위치)에서 대기 상태로 된다.
현상부(4)에서는 기판(G)이 반송 라인(2)을 수평 자세로 이동하는 동안에, 정위치의 제1 현상 노즐(10)로부터 현상액(D)이 공급 개시된다[도 5의 스텝 St2, 도 6의 (b)의 상태]. 이에 의해, 기판(G) 상에는 기판 전단부로부터 기판 후단부에 걸쳐서 반송 속도와 동등한 주사 속도로 현상액(D)이 도포되기 시작한다.
상기와 같이 제1 현상 노즐(10)에 의해 기판 전단부로부터 기판 후단부를 향해 현상액(D)이 공급 개시되면, CCD 카메라(20)에 의해 기판(G)의 전방 테두리부(T)에 있어서의 현상액(D)의 상태가 촬상 개시된다(도 5의 스텝 St3).
또한, 가이드 레일(12)의 시점 위치에서 대기하고 있던 제2 현상 노즐(13)은 그 하방에 기판(G)의 전방 테두리부(T)가 도달하면, 기판(G)의 이동 속도에 동기하여 가이드 레일(12)을 따라서 이동을 개시한다(도 5의 스텝 St4).
즉, 제2 현상 노즐(13)이 기판(G)에 동기하여 이동함으로써, 그 이동하는 동안, 제2 현상 노즐(13) 및 CCD 카메라(20)는 기판(G)의 전방 테두리부 상방에 위치하게 된다. 또한, 이때, CCD 카메라(20)에 의해, 전방 테두리부(T)에 있어서의 현상액(D)에 대해 거리 간격을 유지한 채 촬상이 행해진다[도 6의 (c)의 상태].
또한, 상기 스텝 St4에 있어서의 기판(G)의 전방 테두리부(T)의 위치 검출은 CCD 카메라(20)의 촬상 결과에 기초하여 행할 수 있다[즉, CCD 카메라(20) 및 화상 처리부(21)를 기판 검출 수단으로서 기능시킨다]. 혹은, 기판(G)의 위치를 검출하기 위해, 기판 검출 수단으로서 전용의 센서를 설치해도 좋다.
CCD 카메라(20)에 의해 촬상된 기판 전방 테두리부(T)의 화상(영상)은 화상 처리부(21)에 있어서 해석되어, 포토레지스트의 용해 상태[소정의 용해량 임계치를 초과하는지 여부, 혹은 현상액(D)의 색 변화]의 검출이 행해진다. 또한, 그 검출 결과는 제어부(25)에 출력된다. 또한, 상기와 같이, 제2 현상 노즐(13)이 기판(G)으로 이동하는 동안, CCD 카메라(20)와, 기판(G)의 전방 테두리부(T)의 거리가 일정하므로, 고정밀도의 검출이 가능해진다.
기판 전방 테두리부(T)에 있어서의 포토레지스트의 용해량이 소정의 임계치를 초과하였다고 판정(검출)되면(도 5의 스텝 St5), 제어부(25)는 제2 현상 노즐(13)의 이동을 정지시키는 동시에(도 5의 스텝 St6), 제2 현상 노즐(13)로부터 현상액(D)을 토출시킨다[도 5의 스텝 St7, 도 6의 (d)의 상태].
이 새로운 현상액(D)이 공급됨으로써, 이미 제1 현상 노즐(10)에 의해 도포된 현상액(D) 중에 체류하는 용해된 레지스트가 교반되어, 그 용해된 레지스트와 함께 여분의 현상액(D)이 현상부(4)의 팬(16)으로 흘러내린다.
여기서, 도 6의 (d)에 도시한 바와 같이, 상기 제2 현상 노즐(13)의 이동이 정지된 후에는 기판(G)의 어느 영역을 취해도, 제1 현상 노즐(10)의 아래를 통과하고, 제2 현상 노즐(13)의 아래를 통과할 때까지의 시간은 일정해진다.
즉, 제1 현상 노즐(10)로부터 공급된 현상액(D)에 의해, 기판 전단부로부터 후단부에 걸쳐서 차례로 현상 처리가 진행되고, 용해된 포토레지스트가 소정량을 초과하면, 그 영역에는 즉시 제2 현상 노즐(13)로부터 새로운 현상액(D)이 공급된다.
따라서, 용해된 포토레지스트가 기판면 내에서 치우쳐서 체류되는 일없이, 현상 처리를 효율적이고 또한 면 내 균일하게 진행시킬 수 있다.
상기 제2 현상 노즐(13)에 의한 현상액(D)의 공급이 기판(G)의 후단부까지 완료되면, 소정 시간의 경과 후, 기판(G)은 린스부(5)의 현상액 제거부(5a)로 반송된다.
기판(G) 상에 남은 현상액(D)은 융기부(19)를 통과할 때, 중력에 의해 후방으로 이동하여 기판 후단부로부터 흘러내린다. 또한, 박막 상태로 기판(G) 상에 남은 현상액(D)은 균일화 롤러(22)에 의해 균일하게 기판 후방으로 밀려 흘러가게 된다.
기판 상으로부터 대부분의 현상액(D)이 제거되면, 린스 노즐(23)에 의해, 기판 상에, 예를 들어 순수로 이루어지는 린스액(L)이 공급된다. 이에 의해, 기판 상의 현상액(D)은 린스액(L)으로 완전히 치환되어, 현상 처리가 정지 상태로 된다(도 5의 스텝 St8).
기판(G)은 또한 세정부(5b)로 반입되어, 그 상하면에 대해 린스 노즐(31, 32, 38)로부터 세정용 린스액(L)이 내뿜어진다(도 5의 스텝 St9). 이에 의해, 기판(G)의 상하면에 부착되고 남은 현상액(D)이 완전히 씻겨진다.
또한, 기판(G)의 상면에 대해서는, 에어 노즐(34)에 의해 고압력의 에어가 내뿜어져, 린스 노즐(31)에 의해 기판 상에 공급된 린스액(L)이 풍압으로 제거된다.
이와 같이 하여 린스 처리가 완료되면, 기판(G)은 반송 라인(2)에 의해 건조부(6)로 반입된다.
기판(G)의 상하면에는 에어 나이프(36, 37)에 의해 반송 방향과 역방향으로 고압 가스류가 내뿜어진다(도 5의 스텝 St10). 이에 의해, 기판(G) 상에 남아 있던 린스액(L)은 기판 후방으로 모여 기판 후단부로부터 추출된다(액이 제거된다).
이와 같이 하여 현상 유닛(1) 내에서 일련의 현상 처리 공정을 종료한 기판(G)은 반송 라인(2) 상을 이동하여, 반출부(7)를 경유하여 후단의 처리부로 반송된다(도 5의 스텝 St11).
이상과 같이, 본 발명에 관한 제2 실시 형태에 따르면, 제1 현상 노즐(10)의 후단에 설치되어, 기판(G)의 전방 테두리부(T)에 동기하여 이동하는 제2 현상 노즐(13)은, 기판 상의 포토레지스트의 용해량이 소정량을 초과했을 때에 정지하고, 기판 상에 다시 현상액(D)이 공급된다.
즉, 기판(G)의 제조건(포토레지스트의 종류, 포토레지스트의 막 두께, 노광량 등)의 차이에 상관없이, 2단 구성으로 된 제1 현상 노즐(10)과 제2 현상 노즐(13)의 배치 간격이, 처리하는 기판마다 최적의 설정으로 된다.
이에 의해, 용해된 포토레지스트가 기판면 내에서 치우쳐서 체류되는 일없이, 현상 처리를 효율적이고 또한 면 내 균일하게 진행시킬 수 있다.
또한, 상기 제2 실시 형태에 있어서는, CCD 카메라(20)를 제2 현상 노즐(13)에 일체적으로 설치하여, 제2 현상 노즐(13)과 함께 가이드 레일(12)을 따라서 이동하는 구성으로 하였지만, 본 발명에 있어서는, 그 형태로 한정되는 것은 아니다.
즉, CCD 카메라(20)는 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로, 반송되어 이동하는 기판(G)의 전방 테두리부(T)를 추종하도록, 그 자세(촬상 방향)가 제어되거나, 혹은 카메라(20) 본체가 기판(G)의 이동에 동기하여 이동하는 것이면 된다.
예를 들어, CCD 카메라(20)를 제2 현상 노즐(13)에 설치하지 않고, CCD 카메라(20)와 제2 현상 노즐(13)이, 모두 반송 라인(2)을 따라서 이동하는 구성으로 해도 좋다. 혹은, 기판(G)이 제1 현상 노즐(10)의 하방을 통과 후, 소정 거리를 이동할 때까지의 동안, 일방향을 촬상하는 카메라의 시야 내에 들어간다면, CCD 카메라(20)를 고정 배치해도 좋다.
또한, 상기 제1 및 제2 실시 형태에 있어서는, CCD 카메라(20)(용해 검출 수단, 기판 정보 취득 수단)에 의해 기판 전방 테두리부(T)를 촬상하여, 화상 처리부(21)(용해 검출 수단, 기판 정보 취득 수단)에 의한 해석 결과에 기초하여 기판(G)의 상태 정보를 얻는 것으로 하였지만, 본 발명에 있어서는, 그것으로 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 각 기판의 처리 정보(적어도 포토레지스트의 종류, 포토레지스트의 막 두께, 노광량 중 어느 하나를 포함하는 정보)에 대응하는 제1 현상 노즐(10)과 제2 현상 노즐(13)의 최적의 배치 간격 정보를 제어부(25)가 참조 가능한 룩업 테이블로서 미리 구비해도 좋다.
그와 같이 구성함으로써, 제어부(25)는 상기 룩업 테이블을 참조하여, 처리하는 기판의 정보를 취득하여, 제2 노즐(13)의 배치를 용이하게 설정할 수 있다.
또한, 그 경우, 제어부(25)는 기판 정보 취득 수단 및 제어 수단으로서 기능한다.
또한, 그 경우에는 제2 현상 노즐(13)을 정위치에 고정하고, 제1 현상 노즐(10)을 반송 라인(2)을 따라서 이동 가능하게 배치할 수도 있다.
또한, 제1 및 제2 실시 형태에 있어서, 제2 현상 노즐(13)의 토출 방향을, 기판(G)의 진행 방향의 상류측으로 연직 방향으로부터 40 내지 50도 정도 기울이는 것이 좋다. 이와 같이 배치함으로써, 이미 기판(G) 상에 있는 현상액이, 제2 현상 노즐(13)의 기판(G)의 진행 방향으로 돌아 들어가는 일이 없어, 현상 처리를 더욱 면 내 균일하게 진행시킬 수 있다. 또한, 제2 현상 노즐(13)로부터 토출되는 액량은 제1 현상 노즐(10)로부터 토출되는 액량과 동량이거나, 또는 적은 것이 좋다. 이와 같이 함으로써, 기판(G) 상의 처음의 현상액을 새로운 현상액과 치환할 수 있다. 또한, 노즐구(13a)와 기판(G)의 표면과의 거리는 토출구(10c, 10d)와 기판(G)의 표면과의 거리보다 작은 쪽이 좋다. 이렇게 하는 쪽이 용해된 포토레지스트를 기판(G)의 표면으로부터 떼어낼 수 있다. 또한, 기판(G)의 표면 전체면에 현상액을 도포한 후에, 제2 현상 노즐(13)로부터 현상액을 토출하는 타이밍으로 되도록, 기판(G)의 반송 속도를 설정하는 것이 좋다. 이와 같이 함으로써, 현상 처리에서 발생하는 불균일을 저감시킬 수 있다. 또한, 제2 현상 노즐(13)로 기판(G)의 표면 전체면에 1회 현상액을 공급하였지만, 그 후, 제2 현상 노즐(13)을 기판의 진행 방향으로 더 이동시켜, 다시 한번 기판(G)의 표면 전체면에 현상액을 공급해도 좋다. 이와 같이 함으로써, 기판(G)의 표면에 형성되는 배선 패턴의 선 폭 균일성이 향상된다.

Claims (10)

  1. 패턴 노광된 포토레지스트가 성막되어 이루어지는 피처리 기판을 평류 반송하여, 반송되는 상기 기판에 대해 현상 처리를 실시하는 현상 처리 장치이며,
    상기 기판이 평류 반송되는 반송로와, 상기 반송로 상에 배치되어, 상기 반송로를 이동하는 상기 기판의 전단부로부터 후단부에 걸쳐서 현상액을 도포하는 제1 현상 노즐과, 상기 기판의 처리에 관한 정보를 취득하는 기판 정보 취득 수단과, 상기 제1 현상 노즐의 하류측에 상기 반송로를 따라서 이동 가능하게 설치된 제2 현상 노즐과, 상기 제2 현상 노즐을 이동시키는 노즐 이동 수단과, 상기 제2 현상 노즐 및 상기 노즐 이동 수단의 구동을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
    상기 제어 수단은, 상기 기판 정보 취득 수단으로부터 얻어진 정보에 기초하여, 상기 노즐 이동 수단을 구동하고, 상기 반송로 상에 있어서의 소정 위치에 상기 제2 현상 노즐을 이동시키고, 상기 제2 현상 노즐로부터 상기 기판으로 현상액을 공급하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 정보 취득 수단은, 상기 제1 현상 노즐에 의해 현상액이 도포된 기판의 전방 테두리부에 있어서의 포토레지스트의 용해 상태를 검출하는 용해 검출 수단이며,
    상기 제어 수단은, 상기 용해 검출 수단이 소정의 용해 상태를 검출하면, 상기 노즐 이동 수단을 구동하여, 상기 반송로 상에 있어서의 상기 기판의 전방 테두리부의 위치로 상기 제2 현상 노즐을 이동시켜, 상기 제2 현상 노즐로부터 상기 기판으로 현상액을 공급하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판 정보 취득 수단은 상기 제1 현상 노즐에 의해 현상액이 도포된 상기 기판의 전방 테두리부가 상기 제2 현상 노즐의 대기 위치에 도달한 것을 검출하는 기판 검출 수단과, 상기 기판의 전방 테두리부에 있어서의 포토레지스트의 용해 상태를 검출하는 용해 검출 수단을 갖고,
    상기 제어 수단은, 상기 기판 검출 수단에 의해 상기 기판의 전방 테두리부가 상기 제2 현상 노즐의 대기 위치에 도달한 것을 검출하면, 상기 노즐 이동 수단을 구동하여, 상기 제2 현상 노즐을 상기 기판의 이동 속도에 동기시켜 이동시키고,
    상기 용해 검출 수단이 소정의 용해 상태를 검출하면, 상기 제2 현상 노즐의 이동을 정지시키는 동시에, 상기 제2 현상 노즐로부터 상기 기판으로 현상액을 공급하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 용해 검출 수단은, 상기 제1 현상 노즐에 의해 현상액이 도포된 상기 기판의 전방 테두리부를 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상 수단에 의해 촬상된 화상으로부터 용해된 포토레지스트를 검출하는 화상 처리 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판 정보 취득 수단이 취득하는 정보는, 적어도 포토레지스트의 종류와, 포토레지스트의 막 두께와, 노광량 중 어느 하나에 대응하고, 상기 기판마다 각각 미리 설정된 상기 제1 현상 노즐과 제2 현상 노즐의 배치 간격을 포함하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.
  6. 패턴 노광된 포토레지스트가 성막되어 이루어지는 피처리 기판을 평류 반송하여, 반송되는 상기 기판에 대해 현상 처리를 실시하는 현상 처리 방법이며,
    반송로를 따라서 상기 기판을 평류 반송하여, 상기 반송로 상에 배치된 제1 현상 노즐에 의해, 상기 기판의 전단부로부터 후단부에 걸쳐서 현상액을 도포하는 스텝과,
    상기 기판의 처리에 관한 정보를 취득하는 스텝과,
    상기 제1 현상 노즐의 하류측에 있어서 상기 반송로를 따라서 이동 가능하게 설치된 제2 현상 노즐을, 상기 취득한 기판의 처리에 관한 정보에 기초하여 상기 반송로 상에 있어서의 소정 위치로 이동시켜, 상기 제2 현상 노즐로부터 상기 기판으로 현상액을 공급하는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판의 처리에 관한 정보로서, 상기 제1 현상 노즐에 의해 현상액이 도포된 기판의 전방 테두리부에 있어서의 포토레지스트의 용해 상태를 취득하고,
    소정의 용해 상태를 검출하면, 상기 반송로 상에 있어서의 상기 기판의 전방 테두리부의 위치에 상기 제2 현상 노즐을 이동시켜, 상기 제2 현상 노즐로부터 상기 기판으로 현상액을 공급하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 현상 노즐에 의해 현상액이 도포된 상기 기판의 전방 테두리부가 상기 제2 현상 노즐의 대기 위치에 도달하면, 상기 제2 현상 노즐을 상기 기판의 이동 속도에 동기시켜 이동시키고,
    상기 기판의 처리에 관한 정보로서, 상기 기판의 전방 테두리부에 있어서의 포토레지스트의 용해 상태를 취득하여, 소정의 용해 상태를 검출하면, 상기 제2 현상 노즐의 이동을 정지시키는 동시에, 상기 제2 현상 노즐로부터 상기 기판으로 현상액을 공급하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 포토레지스트의 용해 상태의 취득에 있어서, 상기 제1 현상 노즐에 의해 현상액이 도포된 상기 기판의 전방 테두리부를 촬상하여, 촬상된 화상으로부터 포토레지스트의 용해량을 검출하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 기판의 처리에 관한 정보는, 적어도 포토레지스트의 종류와, 포토레지스트의 막 두께와, 노광량 중 어느 하나에 대응하고, 상기 기판마다 각각 미리 설정된 상기 제1 현상 노즐과 제2 현상 노즐의 배치 간격을 포함하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 방법.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190122339A (ko) * 2018-04-20 2019-10-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012133891A1 (ja) * 2011-04-01 2012-10-04 シャープ株式会社 現像方法、配線パターンの形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01170023A (ja) * 1987-12-25 1989-07-05 Casio Comput Co Ltd フォトレジスト現像装置
JPH08330213A (ja) * 1995-05-31 1996-12-13 Sharp Corp 現像装置
JP3605545B2 (ja) * 1999-06-09 2004-12-22 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
JP4490555B2 (ja) * 2000-05-26 2010-06-30 東芝モバイルディスプレイ株式会社 フォトレジスト層の現像方法
JP2002141272A (ja) * 2000-11-06 2002-05-17 Fujitsu Ltd 感光膜の現像方法及び現像装置
JP3957569B2 (ja) * 2001-07-05 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4091909B2 (ja) * 2003-12-27 2008-05-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190122339A (ko) * 2018-04-20 2019-10-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치

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