JP6360404B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

複数の処理装置を接続して構成されるコータ／デベロッパ装置が知られている。例えば、特許文献１に記載のコータ／デベロッパ装置では、インデクサー部に載置されたカセットから取り出された基板が、洗浄処理、脱水ベーク処理、レジスト塗布処理、プリベーク処理、露光処理、現像処理、および、ポストベーク処理、を順番に施され、再びカセットに収容される。

この種の複合装置では、接続される複数の処理室の内部を処理対象たる基板が搬送され、搬送される該基板に対して順次に処理が実行される。この際の基板の搬送速度は、各処理室で実行される処理の特性に応じて、処理室ごとに適宜に制御されるのが一般的である。

特開２００６−１９６２２号公報 特開昭６２−２７８２８３号公報 特開２００４−２６６２１５号公報

例えば、特許文献２に記載の技術では、搬送上流側に位置する第１処理室と搬送下流側に位置する第２処理室との間に、速度制御用の中間搬送装置が設けられる。そして、この中間搬送装置の内部で、基板の搬送速度を第１処理室に適合する第１速度から第２処理室に適合する第２速度へと切り替える。しかしながら、このような中間装置を設けることは全体装置の大型化につながり、望ましくない。

また、特許文献３に記載の技術では、基板の搬送方向に沿った複数の区間（典型的には、複数の処理室）に、基板が搬入される（或いは、基板が搬出される）ことをトリガーとして基板の搬送速度が切り替えられる。しかしながら、基板への処理を行う処理部は処理室内の一部に設けられることが一般的であり、処理室の出入りに応じて基板の速度制御を行うことは必要以上に搬送速度制御に制約をかけることとなってしまう。

そこで、本発明は、搬送速度制御の制約を小さくし、より自由度の高い搬送速度制御を実現できる技術を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様にかかる基板処理装置は、基板処理装置であって、基板を搬送方向に沿って搬送する搬送部と、前記搬送方向に沿って配され、搬送される前記基板が通過する現像液供給室、液切室および置換水洗室を含む複数の処理室と、前記現像液供給室に設けられて前記基板の主面に形成されたレジスト膜に現像液を供給する現像液供給部と、前記液切室に設けられて前記基板の主面に対して気体を噴出するエアナイフと、前記置換水洗室に設けられて前記基板の主面に洗浄水を供給するスプレーノズルと、前記複数の処理室の各々で個別に前記搬送部の搬送速度を制御可能な搬送制御部と、を備え、前記搬送制御部は、前記エアナイフが前記基板への液切処理を終了するタイミングである前記基板の後端が前記エアナイフの直下を通過するタイミングで、前記液切室および前記置換水洗室における前記基板の搬送速度を第１の搬送速度から前記第１の搬送速度よりも低速の第２の搬送速度に切り替え、前記基板が前記複数の処理室のうち連続する前記液切室および前記置換水洗室にまたがって搬送されている期間が存在しており、前記搬送制御部は、前記期間においては、前記液切室および前記置換水洗室での前記搬送速度を同一の前記第２の搬送速度とすることを特徴とする。

本発明の第２の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板が特定の位置を通過することを検知するセンサ、を備え、前記搬送制御部は、前記センサによって前記基板の通過が検知されたタイミングに応じて、前記搬送速度を制御するタイミングを確定することを特徴とする。

本発明の第３の態様にかかる基板処理装置は、本発明の第１の態様または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記搬送部は、前記基板の主面に平行な面内で前記搬送方向と直交する方向に伸びる複数のローラを前記搬送方向に沿って有し、前記複数のローラを同期して回転させることにより前記複数のローラ上に配される前記基板を前記搬送方向に沿って搬送することを特徴とする。

本発明の第４の態様にかかる基板処理方法は、基板処理方法であって、基板を搬送方向に沿って搬送する搬送工程と、搬送される前記基板が通過する現像液供給室、液切室および置換水洗室を含む複数の処理室において、前記現像液供給室に設けられて前記基板の主面に形成されたレジスト膜に現像液を供給する現像液供給部、前記液切室に設けられて前記基板の主面に対して気体を噴出するエアナイフ、および、前記置換水洗室に設けられて前記基板の主面に洗浄水を供給するスプレーノズルによって、前記基板に処理を実行する処理工程と、前記複数の処理室の各々で個別に搬送速度を制御する搬送制御工程と、を備え、前記搬送制御工程では、前記エアナイフが前記基板への液切処理を終了するタイミングである前記基板の後端が前記エアナイフの直下を通過するタイミングで、前記液切室および前記置換水洗室における前記基板の搬送速度を第１の搬送速度から前記第１の搬送速度よりも低速の第２の搬送速度に切り替え、前記基板が前記複数の処理室のうち連続する前記液切室および前記置換水洗室にまたがって搬送されている期間が存在しており、前記搬送制御工程では、前記期間においては、前記液切室および前記置換水洗室での前記搬送速度を同一の前記第２の搬送速度とすることを特徴とする。

本発明の第５の態様にかかる基板処理方法は、本発明の第４の態様にかかる基板処理方法であって、前記基板が特定の位置を通過することを検知する位置検出工程、を備え、前記搬送制御工程では、前記位置検出工程によって前記基板の通過が検知されたタイミングに応じて前記搬送速度を制御するタイミングを確定することを特徴とする。

本発明の第１の態様ないし第５の態様では、エアナイフが基板への液切処理を終了するタイミングである基板の後端がエアナイフの直下を通過するタイミングで、液切室および置換水洗室における基板の搬送速度が第１の搬送速度からより低速の第２の搬送速度に切り替えられる。このため、本発明の態様では、基板の搬送制御が処理室ごとに行われる他の態様とは異なり、エアナイフによる基板処理のタイミングに合わせて好適な搬送速度制御を行うことができる。エアナイフは液切室の内部に設けられるため、エアナイフと前記基板との相対位置に応じて搬送速度制御が行われる本発明の態様は、処理室ごとに行われる他の態様に比べて、搬送速度制御の制約が小さく、より自由度の高い制御を実現できる。

第１実施形態にかかる基板処理システム１の概略構成を示す上面図である。 第１実施形態にかかる制御部６０の電気的構成を示すブロック図である。 第１実施形態にかかる現像装置１７の構成を概略的に示す側面図である。 第１実施形態における基板搬送のタイミングチャートである。 他の態様におけるタイミングチャートの一例を示す図である。 第２実施形態にかかる現像装置１７Ａの構成を概略的に示す側面図である。 第２実施形態における基板搬送のタイミングチャートである。 第３実施形態の基板処理システム１Ｂの構成を概略的に示す上面図である。 第３実施形態における基板搬送のタイミングチャートである。 第４実施形態における基板搬送のタイミングチャートである。

＜１ 第１実施形態＞
＜１．１ 基板処理システム１の構成＞
以下、基板処理システム１について図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態にかかる基板処理システム１の概略構成を示す上面図である。基板処理システム１は、複数の処理装置を接続して一貫した処理を可能にしたコータ／デベロッパ装置である。

基板処理システム１は、主として、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、レジスト塗布装置１４、プリベーク装置１５、露光装置１６、現像装置１７、及びポストベーク装置１８の各処理装置と、上記した装置群への基板Ｓの出入を行うインデクサー部１１と、を備えている。

インデクサー部１１から露光装置１６までの行きラインには、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、レジスト塗布装置１４、プリベーク装置１５等が配置される。露光装置１６からインデクサー部１１までの帰りラインには、現像装置１７、ポストベーク装置１８等が配置される。

インデクサー部１１には複数の基板Ｓを収納するカセットが載置される。インデクサー部１１に配されるインデクサーロボットによりカセットから取り出された基板Ｓは、まず、洗浄装置１２において洗浄される。洗浄装置１２での処理を終えた基板Ｓは、脱水ベーク装置１３に搬送され、脱水ベーク処理が行われる。脱水ベーク処理が行われた基板Ｓは、次にレジスト塗布装置１４に搬送され、レジスト塗布処理が施される。レジスト塗布処理が施された基板Ｓは、次にプリベーク装置１５に搬送され、加熱処理が施される。加熱処理が施された基板Ｓは、次に露光装置１６に搬送され、露光処理が施される。

これらの処理を終えた基板Ｓは、現像装置１７に搬送され、現像処理が行われる。現像処理を終えた基板Ｓは、ポストベーク装置１８に運ばれ、加熱処理を施される。その後、該基板Ｓは、インデクサーロボットによってインデクサー部１１に載置される元のカセットに収容される。

また、基板処理システム１は、各処理装置での処理および基板Ｓの搬送を制御する制御部６０を有する。制御部６０は、図２に示されるように、例えば、ＣＰＵ６１、ＲＯＭ６２、ＲＡＭ６３、記憶装置６４等が、バスライン６５を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ＲＯＭ６２は基本プログラム等を格納しており、ＲＡＭ６３はＣＰＵ６１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置６４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。

また、制御部６０では、入力部６６、表示部６７、通信部６８もバスライン６５に接続されている。入力部６６は、各種スイッチ、タッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部６７は、液晶表示装置、ランプ等により構成されており、ＣＰＵ６１による制御のもと各種の情報を表示する。通信部６８は、ＬＡＮ等を介したデータ通信機能を有する。また、制御部６０には、各ロボットおよび各処理装置が制御対象として接続されている。

制御部６０のＣＰＵ６１が処理プログラムＰを実行することによって、基板Ｓの搬送動作および各処理装置での処理動作が制御される。制御部６０は、本発明における搬送制御部としての機能を有する。

＜１．２ 現像装置１７の構成＞
以下では、各処理装置における基板Ｓの搬送制御の一例として、特に現像装置１７（基板処理装置）の内部における基板Ｓの搬送制御について説明する。図３は、現像装置１７の構成を概略的に示す側面図である。

現像装置１７は、基板Ｓを搬送方向ＡＲに沿って搬送する搬送機構２と、基板Ｓの搬送方向ＡＲに沿って配される複数の処理室（現像液供給室１７１、液切室１７２、置換水洗室１７３、１７４、および、直水洗室１７５）と、を有する。

搬送機構２（搬送部）は、基板Ｓの主面Ｐに平行な面内で搬送方向ＡＲと直交する方向に伸びる複数の搬送ローラ２１を搬送方向ＡＲに沿って有する。複数の搬送ローラ２１は、複数の処理室の各々で個別に回転速度を制御可能とされている。より詳細には、各処理室に属する搬送ローラ２１は、処理室ごとに個別の伝動機構を介して個別の搬送駆動部に駆動接続されている。そして、搬送機構２が複数の搬送ローラ２１を同期して回転させることにより、該複数の搬送ローラ２１上に配される基板Ｓが搬送方向ＡＲに沿って搬送される。

現像液供給室１７１は、基板Ｓの主面Ｐに形成された露光後のレジスト膜に現像液を供給する処理部（図示しない現像液供給部）を、有する処理室である。

液切室１７２は、現像液供給室１７１の搬送下流側に隣接され、基板Ｓの主面Ｐに対して高圧の気体を噴出することにより該主面Ｐに付着する現像液の大部分を除去する処理部（エアナイフ４２）、を有する処理室である。エアナイフ４２は、例えば、基板Ｓの主面Ｐに平行な面内で搬送方向ＡＲと直交する方向に伸びる開口を有するスリットノズルと、該スリットノズルに高圧の気体を供給する供給源とで構成しうる。

置換水洗室１７３は、液切室１７２の搬送下流側に隣接され、基板Ｓの主面Ｐに洗浄水を供給して該主面Ｐに残存する現像液を洗浄水により置換する処理部（スプレーノズル４３）、を有する処理室である。この洗浄水としては、例えば、置換水洗室１７３において先行する基板Ｓに供給されその主面Ｐから流れ落ちた液体を回収し循環させて得られる循環洗浄水を用いる。置換水洗室１７４は、置換水洗室１７３の搬送下流側に隣接され、処理部としてスプレーノズル４４を有し、置換水洗室１７４と同様に構成される処理室である。

直水洗室１７５は、置換水洗室１７４の搬送下流側に隣接され、基板Ｓの主面Ｐに残存する現像液を洗浄水で洗い流し現像反応を完全に停止させる処理部（スプレーノズル４５）、を有する処理室である。この洗浄水としては、例えば、純水を用いる。

以上のような構成となっているため、現像装置１７では、露光装置１６から現像装置１７の内部に搬入された基板Ｓが、各処理装置の内部を搬送されつつ処理を受けることで、その主面Ｐでの現像処理が十分に進行しかつ現像液が除去されて、ポストベーク装置１８に搬出される（搬送工程、処理工程）。

また、上記各処理室には、搬送方向ＡＲに沿って、基板Ｓが特定の位置を通過することを検知するセンサ１０１〜１０５が設けられる。センサ１０１は、液切室１７２のうち搬送上流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ１０２は、液切室１７２のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ１０３は、置換水洗室１７３のうち搬送上流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ１０４は、置換水洗室１７４のうち搬送上流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ１０５は、直水洗室１７５のうち搬送上流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。

＜１．３ 現像装置１７における基板Ｓの搬送制御＞
図４は、ある基板Ｓ１と、該基板Ｓ１に後続して搬送される基板Ｓ２とが、液切室１７２、置換水洗室１７３、１７４および直水洗室１７５を搬送される際のタイミングチャートである。図４では、縦軸が経過時間を示し、横軸が基板Ｓの位置を示す。図４中において、折れ線Ｌ１は基板Ｓ１の搬送方向先端部を示し、折れ線Ｌ２は基板Ｓ１の搬送方向後端部を示し、折れ線Ｌ３は基板Ｓ２の搬送方向先端部を示し、折れ線Ｌ４は基板Ｓ２の搬送方向後端部を示す。また、以下の説明では、ある基板と後続の基板とを区別する際にはそれぞれ基板Ｓ１、基板Ｓ２と呼ぶが、両者を区別しない場合には単に基板Ｓと呼ぶ。

基板Ｓ１は、時刻ｔ０にその先端部が液切室１７２に搬入され、速度Ｖ１で液切室１７２の内部を搬送される。そして、時刻ｔ１において、センサ１０２は、液切室１７２のうち搬送下流側の位置を基板Ｓ１の先端位置が通過することを検知する（位置検出工程）。検知された情報は、制御部６０に伝送される。

制御部６０には、予め、搬送方向ＡＲにおけるセンサ１０２とエアナイフ４２との距離、搬送方向ＡＲにおける基板Ｓ１の全長、および、基板Ｓ１の搬送速度Ｖ１がいずれも既知の値として登録されている。このため、制御部６０は、これら各値とセンサ１０２によって検知された情報とを基に、基板Ｓ１の後端がエアナイフ４２の直下を通過する時刻ｔ２（すなわち、基板Ｓ１に対するエアナイフ４２の液切処理が終了する時刻ｔ２）を演算により算出する。

時刻ｔ１〜ｔ２の期間においても、基板Ｓ１は速度Ｖ１で搬送される。本実施形態では、搬送方向ＡＲに関して、基板Ｓ１の全長が一の処理室の全長よりも長い。したがって、基板Ｓ１を搬送方向ＡＲに沿って搬送することにより、基板Ｓ１が連続する２以上の処理室にまたがって搬送されている期間が存在することとなる。この場合、制御部６０が、上記２以上の処理室での搬送速度を互いに同一とする等速制御を行うことで、各搬送ローラ２１上で基板Ｓ１が滑ることなく搬送方向ＡＲに沿って搬送される。例えば、時刻ｔ２の直前においては、基板Ｓ１が液切室１７２、置換水洗室１７３、１７４にまたがって搬送されており、液切室１７２、置換水洗室１７３、１７４での搬送速度が互いに速度Ｖ１で同一とされている。

そして、時刻ｔ２のタイミングで基板Ｓ１の搬送速度が速度Ｖ１から速度Ｖ２へと切り替えられる。このとき、基板Ｓ１は液切室１７２、置換水洗室１７３、１７４にまたがって搬送されているため、液切室１７２、置換水洗室１７３、１７４での搬送速度が互いに同時に速度Ｖ２へと切り替えられる。このように、制御部６０は、センサ１０２によって基板Ｓの通過が検知されたタイミングに応じて、該基板Ｓの搬送速度を制御するタイミング（本実施形態では、時刻ｔ２）を確定する。基板Ｓ１は、その後も速度Ｖ２で搬送され、置換水洗室１７４および直水洗室１７５を通過して、現像装置１７から搬出される。

以上説明したように、液切室１７２は、速度Ｖ１で基板Ｓ１を搬送する期間と、速度Ｖ２で基板Ｓ１を搬送する期間と、の両期間を有する。液切室１７２では、基板Ｓの後端がセンサ１０２によって検知されてから所定時間後に基板Ｓ１が液切室１７２から搬出されると、搬送速度が速度Ｖ２から速度Ｖ１に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。また、置換水洗室１７３は、速度Ｖ１で基板Ｓ１を搬送する期間と、速度Ｖ２で基板Ｓ１を搬送する期間と、の両期間を有する。置換水洗室１７３では、基板Ｓ１の後端がセンサ１０４によって検知されると、搬送速度が速度Ｖ２から速度Ｖ１に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。また、置換水洗室１７４は、速度Ｖ１で基板Ｓ１を搬送する期間と、速度Ｖ２で基板Ｓ１を搬送する期間と、の両期間を有する。置換水洗室１７４では、基板Ｓ１の後端がセンサ１０５によって検知されると、搬送速度が速度Ｖ２から速度Ｖ１に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。他方、直水洗室１７５では速度Ｖ２の定速で基板を搬送すれば足りるので、直水洗室１７５では基板通過後も搬送ローラ２１の回転速度を切替える必要はない。

時刻ｔ３に液切室１７２に搬入される基板Ｓ２についても、基板Ｓ１の場合と同様の搬送制御が行われる。すなわち、基板Ｓ２は、基板Ｓ２に対するエアナイフ４２の液切処理が終了する時刻ｔ４まで速度Ｖ１で搬送され、時刻ｔ４のタイミングで搬送速度が速度Ｖ１から速度Ｖ２に切り替えられ、以降は速度Ｖ２で搬送される。基板Ｓ２に後続する基板についても同様の搬送制御が実行される。

以下、本実施形態の搬送制御の効果について説明する。

上記の通り、本実施形態における基板Ｓの搬送制御では、液切室１７２に搬入されてからエアナイフ４２による液切処理が終了するまでの期間については相対的に速い速度Ｖ１で基板Ｓが搬送され、エアナイフ４２による液切処理が終了してから直水洗室１７５を搬出されるまでの期間については相対的に遅い速度Ｖ２で基板Ｓが搬送される（搬送制御工程）。

図５は、基板の搬送制御が処理室ごとに行われる他の態様におけるタイミングチャートの一例を示す図である。該態様では、液切室１７２に搬入されてから液切室１７２を搬出されるまでの期間（時刻ｔ０〜ｔ２．５の期間）については相対的に速い速度Ｖ１で基板Ｓが搬送され、液切室１７２を搬出されてから直水洗室１７５を搬出されるまでの期間（時刻ｔ２．５以降の期間）については相対的に遅い速度Ｖ３で基板Ｓが搬送される（図５）。

本実施形態では、上記他の態様とは異なり、エアナイフ４２（特定処理部）と基板Ｓとの相対位置に応じて制御部６０により搬送速度が制御される。この結果、エアナイフ４２における液切処理が終了するタイミングで、該液切処理に好適な搬送速度である速度Ｖ１から後続処理に適する速度Ｖ２へと切り替えることができる。本実施形態では、速度Ｖ１からより低速の速度Ｖ２へと切り替えるタイミング（時刻ｔ２）が、他の態様において速度Ｖ１からより低速の速度Ｖ３へと切り替えるタイミング（時刻ｔ２．５）よりも早い。このため、低速（速度Ｖ２）で水洗処理を行う期間を十分に確保でき、基板Ｓの主面Ｐから現像液が十分に除去された状態で該基板Ｓをポストベーク装置１８に搬出することができる。

また、本実施形態では、エアナイフ４２（特定処理部）よりも搬送方向下流側に配される処理部として、搬送される基板Ｓの主面Ｐに水洗処理を行う水洗部（スプレーノズル４３〜４５）が配される。そして、水洗部（スプレーノズル４４、４５）によって基板Ｓが処理を受ける際の基板Ｓの搬送速度Ｖ２が、エアナイフ４２（特定処理部）によって基板Ｓが処理を受ける際の基板Ｓの搬送速度Ｖ１よりも遅い。このため、基板Ｓの主面Ｐから現像液が十分に除去された状態で、該基板Ｓをポストベーク装置１８に搬出することができる。

＜２ 第２実施形態＞
図６は、現像装置１７Ａの構成を概略的に示す側面図である。図７は、基板Ｓが、液切水洗室２７２および直水洗室２７３を搬送される際のタイミングチャートである。図７では、縦軸が経過時間を示し、横軸が基板Ｓの位置を示す。図７中において、折れ線Ｌ５は基板Ｓの搬送方向先端部を示し、折れ線Ｌ６は基板Ｓの搬送方向後端部を示す。以下の説明において、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。

第２実施形態の基板処理システムは、上記第１実施形態の基板処理システム１のうち現像装置１７に係る構成を後述する現像装置１７Ａに代えたシステムである。以下では、第２実施形態における基板Ｓの搬送制御の一例として、特に現像装置１７Ａ（基板処理装置）の内部における基板Ｓの搬送制御について説明する。

＜２．１ 現像装置１７Ａの構成＞
現像装置１７Ａは、基板Ｓを搬送方向ＡＲに沿って搬送する搬送機構２Ａと、基板Ｓの搬送方向ＡＲに沿って配される複数の処理室（現像液供給室２７１、液切水洗室２７２、および、直水洗室２７３）と、を有する。

搬送機構２Ａ（搬送部）は、基板Ｓの主面Ｐに平行な面内で搬送方向ＡＲと直交する方向に伸びる複数の搬送ローラ２１を搬送方向ＡＲに沿って有する。複数の搬送ローラ２１は、現像液供給室２７１、液切水洗室２７２、直水洗室２７３のうち搬送上流側の領域２７３ａ、および、直水洗室２７３のうち搬送下流側の領域２７３ｂの各々で個別に回転速度を制御可能とされている。

現像液供給室２７１は、基板Ｓの主面Ｐに形成された露光後のレジスト膜に現像液を供給する処理部（図示しない現像液供給部）を、有する処理室である。

液切水洗室２７２は、現像液供給室２７１の搬送下流側に隣接され、基板Ｓの主面Ｐに対して高圧の気体を噴出することにより該主面Ｐに付着する現像液の大部分を除去する処理部（エアナイフ４６）と、基板Ｓの主面Ｐに洗浄水を供給して該主面Ｐに残存する現像液を洗浄水により置換する処理部（スプレーノズル４７）と、を有する処理室である。処理室には少なくとも１つの処理部が設けられれば足り、上記第１実施形態のように各処理室が１つの処理部を有する態様の他、第２実施形態のように１つの処理室が複数の処理部を有する態様であっても良い。

エアナイフ４６は、例えば、基板Ｓの主面Ｐに平行な面内で搬送方向ＡＲと直交する方向に伸びる開口を有するスリットノズルと、該スリットノズルに高圧の気体を供給する供給源とで構成しうる。また、上記洗浄水としては、例えば、置換水洗室１７３においてある基板Ｓに供給されその主面Ｐから流れ落ちた液体を回収し循環させて後続の基板Ｓに供給する循環洗浄水を用いる。

直水洗室２７３は、液切水洗室２７２の搬送下流側に隣接され、基板Ｓの主面Ｐに残存する現像液を洗浄水で洗い流し現像反応を完全に停止させる処理部（スプレーノズル４８）、を有する処理室である。この洗浄水としては、例えば、純水を用いる。

以上のような構成となっているため、現像装置１７Ａでは、露光装置１６から現像装置１７Ａの内部に搬入された基板Ｓが、各処理装置の内部を搬送されつつ処理を受けることで、その主面Ｐでの現像処理が十分に進行しかつ現像液が除去されて、ポストベーク装置１８に搬出される（搬送工程、処理工程）。

また、上記各処理室には、搬送方向ＡＲに沿って、基板Ｓが特定の位置を通過することを検知するセンサ２０１〜２０３が設けられる。センサ２０１は、現像液供給室２７１のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ２０２は、液切水洗室２７２のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ２０３は、直水洗室２７３のうち搬送上流側の領域２７３ａと搬送下流側の領域２７３ｂとの境界位置を基板Ｓが通過することを検知する。

＜２．２ 現像装置１７Ａにおける基板Ｓの搬送制御＞
基板Ｓは、現像液供給室２７１を通過し、時刻ｔ０に該基板Ｓの先端部が速度Ｖ２１で液切水洗室２７２に搬入される。また、時刻ｔ０よりも前の時点で、センサ２０１は、現像液供給室２７１のうち搬送下流側の位置を基板Ｓの先端位置が通過することを検知する（位置検出工程）。検知された情報は、制御部６０に伝送される。

制御部６０には、予め、搬送方向ＡＲにおけるセンサ２０１とエアナイフ４６との距離、搬送方向ＡＲにおける基板Ｓの全長、および、基板Ｓの搬送速度Ｖ２１がいずれも既知の値として登録されている。このため、制御部６０は、これら各値とセンサ２０１によって検知された情報とを基に、基板Ｓの先端がエアナイフ４６の直下を通過する時刻ｔ２１（すなわち、基板Ｓに対するエアナイフ４６の液切処理が開始する時刻ｔ２１）を演算により算出する。

時刻ｔ０〜ｔ２１の期間においては、基板Ｓは速度Ｖ２１で搬送される。そして、時刻ｔ２１のタイミングで基板Ｓの搬送速度が速度Ｖ２１から速度Ｖ２２へと切り替えられる。このとき、基板Ｓは、現像液供給室２７１および液切水洗室２７２にまたがって搬送されているため、現像液供給室２７１および液切水洗室２７２での搬送速度が互いに同時に速度Ｖ２２へと切り替えられる。

その後、時刻ｔ２１〜ｔ２２の期間において、基板Ｓは速度Ｖ２２で搬送される。また、時刻ｔ２２の時点で、センサ２０３は、直水洗室２７３のうち搬送上流側の領域２７３ａと搬送下流側の領域２７３ｂとの境界位置を基板Ｓが通過することを検知する。検知された情報は、制御部６０に伝送される。そして、時刻ｔ２２のタイミングで基板Ｓの搬送速度が速度Ｖ２２から速度Ｖ２３へと切り替えられる。このとき、基板Ｓは、液切水洗室２７２および直水洗室２７３（特に、領域２７３ａ）にまたがって搬送されているため、液切水洗室２７２および直水洗室２７３（特に、領域２７３ａ）での搬送速度が互いに同時に速度Ｖ２３へと切り替えられる。

このように、液切水洗室２７２は、速度Ｖ２１で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ２２で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ２３で基板Ｓを搬送する期間と、の３期間を有する。液切水洗室２７２では、基板Ｓの後端がセンサ２０２によって検知されてから所定時間後に基板Ｓが液切水洗室２７２から搬出されると、搬送速度が速度Ｖ２３から速度Ｖ２１に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。また、直水洗室２７３の領域２７３ａは、速度Ｖ２２で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ２３で基板Ｓを搬送する期間と、の両期間を有する。直水洗室２７３の領域２７３ａでは、基板Ｓの後端がセンサ２０３によって検知され基板Ｓが領域２７３ａから搬出されると、搬送速度が速度Ｖ２３から速度Ｖ２２に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。他方、直水洗室２７３の領域２７３ｂでは速度Ｖ２３の定速で基板を搬送すれば足りるので、搬送ローラ２１の回転速度を切替える必要はない。

その後に後続の基板Ｓが液切水洗室２７２に搬入される場合も、上記と同様の搬送制御が行われる。

以下、第２実施形態の搬送制御の効果について説明する。

上記の通り、第２実施形態における基板Ｓの搬送制御では、現像液供給室２７１に搬入されてからエアナイフ４６による液切処理が開始するまでの期間については速度Ｖ２３より速く速度Ｖ２２よりも遅い速度Ｖ２１で基板Ｓが搬送され、エアナイフ４６による液切処理が開始してから直水洗室２７３の上記境界位置までは相対的に最も早い速度Ｖ２２で基板Ｓが搬送され、直水洗室２７３の上記境界位置から基板Ｓが搬出されるまでの期間については相対的に最も遅い速度Ｖ２３で基板Ｓが搬送される（搬送制御工程）。

第２実施形態では、基板の搬送制御が処理室ごとに行われる他の態様とは異なり、エアナイフ４６（特定処理部）と基板Ｓとの相対位置に応じて制御部６０により搬送速度が制御される。この結果、エアナイフ４６における液切処理が開始するタイミングで、該液切処理に好適な搬送速度である速度Ｖ２２（相対的に最も早い速度）へと切り替えることができる。

また、第２実施形態では、直水洗室２７３の上記境界位置から基板Ｓが搬出されるまでの期間については相対的に最も遅い速度Ｖ２３で基板Ｓが搬送され、直水洗の期間を十分に確保することができる。これにより、基板Ｓの主面Ｐから現像液が十分に除去された状態で、該基板Ｓをポストベーク装置１８に搬出することができる。

＜３ 第３実施形態＞
図８は、第３実施形態の基板処理システム１Ｂ（レジスト剥離システム）の構成を概略的に示す上面図である。基板処理システム１Ｂでは、基板Ｓを搬送方向ＡＲに沿って搬送しながら、この基板Ｓの主面に処理液を供給することによって、基板Ｓの主面に形成されているレジスト膜を順次剥離する（搬送工程、処理工程）。

このような機能を実現するために、この基板処理システム１Ｂは、入口コンベア３０、第１剥離室３１、第２剥離室３２、置換水洗室３３、第１循環水洗室３４、第２循環水洗室３５、第３循環水洗室３６、直水洗室３７、乾燥室３８、および、出口コンベア３９を、搬送方向ＡＲに関して上流側から順に結合して構成されている。

図９は、基板Ｓが、置換水洗室３３、第１循環水洗室３４、第２循環水洗室３５、第３循環水洗室３６、および、直水洗室３７を搬送される際のタイミングチャートである。図９では、縦軸が経過時間を示し、横軸が基板Ｓの位置を示す。図９中において、折れ線Ｌ７は基板Ｓの搬送方向先端部を示し、折れ線Ｌ８は基板Ｓの搬送方向後端部を示す。以下の説明において、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。

＜３．１ 基板処理システム１Ｂの構成＞
基板処理システム１Ｂにおいても、上記第１実施形態と同様、複数の搬送ローラ２１によって基板Ｓが各処理室の内部を搬送される。したがって、入口コンベア３０から搬入された基板Ｓは、第１剥離室３１、第２剥離室３２、置換水洗室３３、第１循環水洗室３４、第２循環水洗室３５、第３循環水洗室３６、直水洗室３７、および、乾燥室３８、の各々で順次に処理を施された後、出口コンベア３９から搬出される。

第１剥離室３１および第２剥離室３２は、搬送ローラ２１の上方に配される基板Ｓの主面Ｐに剥離液を供給するための処理部を有する。このため、基板Ｓの主面Ｐに向けて剥離液を供給することができ、その基板Ｓの主面Ｐに形成されているレジスト膜を剥離することができる。

置換水洗室３３は、基板Ｓの主面Ｐに洗浄液としての純水を高圧で供給するための処理部（スプレーノズル４９）を有する。また、第１循環水洗室３４、第２循環水洗室３５、および、第３循環水洗室３６は、基板Ｓの主面Ｐに洗浄水を供給するための処理部を有する。この洗浄水としては、例えば、先行する基板Ｓに供給されその主面Ｐから流れ落ちた液体を回収し循環させて得られる循環洗浄水を用いる。また、直水洗室３７は、基板Ｓの主面Ｐに残存する剥離液を洗浄水で洗い流す処理部、を有する。この洗浄水としては、例えば、純水を用いる。置換水洗室３３、第１循環水洗室３４、第２循環水洗室３５、第３循環水洗室３６、および、直水洗室３７、によって、基板Ｓの主面Ｐに洗浄水を供給することで基板の主面Ｐから剥離液を除去することができる。

乾燥室３８は、基板Ｓの主面Ｐに乾燥したエアを吹き付け、基板Ｓの主面Ｐに残存する水分を除去する処理部（例えば、エアナイフ）を有する。

また、上記各処理室には、搬送方向ＡＲに沿って、基板Ｓが特定の位置を通過することを検知するセンサ３０１〜３０４が設けられる。センサ３０１は、置換水洗室３３のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ３０２は、第１循環水洗室３４のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ３０３は、第２循環水洗室３５のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ３０４は、第３循環水洗室３６のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。

＜３．２ 置換水洗室３３、第１循環水洗室３４、第２循環水洗室３５、第３循環水洗室３６、および、直水洗室３７における基板Ｓの搬送制御＞
基板Ｓは、時刻ｔ０にその先端部が置換水洗室３３に搬入され、速度Ｖ３１で置換水洗室３３の内部を搬送される。そして、時刻ｔ３１において、センサ３０１は、置換水洗室３３のうち搬送下流側の位置を基板Ｓの後端位置が通過することを検知する（位置検出工程）。検知された情報は、制御部６０に伝送される。そして、時刻ｔ３１のタイミングで、基板Ｓの搬送速度が速度Ｖ３１から速度Ｖ３２へと切り替えられる。このとき、基板Ｓは置換水洗室３３、第１循環水洗室３４、および、第２循環水洗室３５にまたがって搬送されているため、置換水洗室３３、第１循環水洗室３４、および、第２循環水洗室３５での搬送速度が互いに同時に速度Ｖ３２へと切り替えられる。

基板Ｓはその後も速度Ｖ３２で搬送され、時刻ｔ３２において、センサ３０３が第２循環水洗室３５のうち搬送下流側の位置を基板Ｓの後端位置が通過することを検知する。検知された情報は、制御部６０に伝送される。そして、時刻ｔ３２のタイミングで、基板Ｓの搬送速度が速度Ｖ３２から速度Ｖ３３へと切り替えられる。このとき、基板Ｓは、第１循環水洗室３４および第２循環水洗室３５にまたがって搬送されているため、第１循環水洗室３４および第２循環水洗室３５での搬送速度が互いに同時に速度Ｖ３３へと切り替えられる。基板Ｓは、その後も速度Ｖ３３で、第３循環水洗室３６および直水洗室３７を通過して搬送される。

このように、置換水洗室３３は、速度Ｖ３１で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ３２で基板Ｓを搬送する期間と、の両期間を有する。置換水洗室３３では、基板Ｓの後端がセンサ３０１によって検知されてから所定時間後に基板Ｓが置換水洗室３３から搬出されると、搬送速度が速度Ｖ３２から速度Ｖ３１に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。また、第１循環水洗室３４は、速度Ｖ３１で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ３２で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ３３で基板Ｓを搬送する期間と、の３期間を有する。第１循環水洗室３４では、基板Ｓの後端がセンサ３０２によって検知されてから所定時間後に基板Ｓが第１循環水洗室３４から搬出されると、搬送速度が速度Ｖ３３から速度Ｖ３１に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。また、第２循環水洗室３５は、速度Ｖ３１で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ３２で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ３３で基板Ｓを搬送する期間と、の３期間を有する。第２循環水洗室３５では、基板Ｓの後端がセンサ３０３によって検知されてから所定時間後に基板Ｓが第２循環水洗室３５から搬出されると、搬送速度が速度Ｖ３３から速度Ｖ３１に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。他方、第３循環水洗室３６および直水洗室３７では速度Ｖ３３の定速で基板を搬送すれば足りるので、搬送ローラ２１の回転速度を切替える必要はない。

その後に後続の基板Ｓが置換水洗室３３に搬入される場合も、上記と同様の搬送制御が行われる。

以下、第３実施形態の搬送制御の効果について説明する。

上記の通り、第３実施形態における基板Ｓの搬送制御では、置換水洗室３３に搬入されてからスプレーノズル４９による置換水洗処理が終了するまでの期間については速度Ｖ３３より速く速度Ｖ３２よりも遅い速度Ｖ３１で基板Ｓが搬送され、エアナイフ４６による置換水洗処理が終了してから第２循環水洗室３５の搬送下流位置までは相対的に最も早い速度Ｖ３２で基板Ｓが搬送され、第２循環水洗室３５の搬送下流位置以降は基板Ｓが相対的に最も遅い速度Ｖ３３で搬送される（搬送制御工程）。

第３実施形態では、基板の搬送制御が処理室ごとに行われる他の態様とは異なり、スプレーノズル４９（特定処理部）と基板Ｓとの相対位置に応じて制御部６０により搬送速度が制御される。この結果、スプレーノズル４９における置換水洗処理が終了するタイミングで、該置換水洗処理に好適な搬送速度である速度Ｖ３１から後続処理に適する速度Ｖ３２へと切り替えることができる。

また、第３実施形態では、基板Ｓの先端部がセンサ３０３によって検知された以降の期間については相対的に最も遅い速度Ｖ３３で基板Ｓが搬送され、水洗期間を十分に確保することができる。これにより、基板Ｓの主面Ｐから剥離液が十分に除去された状態で、該基板Ｓを乾燥室３８に搬送することができる。

＜４ 第４実施形態＞
図１０は、第４実施形態の基板処理システム（エキシマＵＶ処理システム）において、基板Ｓが搬送される際のタイミングチャートである。図１０では、縦軸が経過時間を示し、横軸が基板Ｓの位置を示す。図１０中において、折れ線Ｌ９は基板Ｓの搬送方向先端部を示し、折れ線Ｌ１０は基板Ｓの搬送方向後端部を示す。以下の説明において、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。

第４実施形態の基板処理システムでは、基板Ｓをほぼ水平な搬送方向に向けてコンベア（ローラコンベア、ベルトコンベア等）で搬送し、エキシマＵＶ光を基板Ｓの主面Ｐに照射する（搬送工程、処理工程）。

この基板処理システムは、コンベアによって基板Ｓを搬送する第１処理室５１ないし第３処理室５３、および、基板Ｓを搬送しつつ該基板Ｓの主面Ｐに対してエキシマＵＶを照射する第４処理室５４、を基板Ｓの搬送方向に関して上流側から順に結合して構成されている。

＜４．１ エキシマＵＶ処理システムの構成＞
エキシマＵＶ処理システムでは、コンベア（図示せず）によって基板Ｓが第１処理室５１ないし第３処理室５３の内部を搬送される。また、第４処理室５４はエキシマＵＶ光を基板Ｓの主面Ｐに向けて照射する処理部（エキシマランプ５５）を有する。

また、第１処理室５１ないし第４処理室５４には、基板Ｓの搬送方向に沿って、基板Ｓが特定の位置を通過することを検知するセンサ４０１〜４０４が設けられる。センサ４０１は、第１処理室５１のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ４０２は、第２処理室５２のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ４０３は、第３処理室５３のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。センサ４０４は、第４処理室５４のうち搬送下流側の位置を基板Ｓが通過することを検知する。

＜４．２ 第１処理室５１ないし第４処理室５４における基板Ｓの搬送制御＞
基板Ｓは、時刻ｔ０にその先端部が第１処理室５１に搬入され、速度Ｖ４１で第１処理室５１の内部を搬送される。そして、時刻ｔ４１において、センサ４０１は、第１処理室５１のうち搬送下流側の位置を基板Ｓ１の先端位置が通過することを検知する。検知された情報は、制御部６０に伝送される。

制御部６０には、予め、搬送方向におけるセンサ４０１と第１処理室５１−第２処理室５２の境界位置との距離、搬送方向における基板Ｓの全長、および、基板Ｓの搬送速度Ｖ４１がいずれも既知の値として登録されている。このため、制御部６０は、これら各値とセンサ４０１によって検知された情報とを基に、基板Ｓの先端が上記境界位置を通過する時刻ｔ４２を演算により算出する。

時刻ｔ４１〜ｔ４２の期間においても、基板Ｓは速度Ｖ４１で搬送される。そして、時刻ｔ４２のタイミングで、基板Ｓの搬送速度が速度Ｖ４１から速度Ｖ４２へと切り替えられる。

基板Ｓはその後も速度Ｖ４２で搬送され、時刻ｔ４３において、センサ４０３が第３処理室５３のうち搬送下流側の位置を基板Ｓの先端位置が通過することを検知する（位置検出工程）。検知された情報は、制御部６０に伝送される。

制御部６０には、予め、搬送方向におけるセンサ４０３とエキシマランプ５５との距離、搬送方向における基板Ｓの全長、および、基板Ｓの搬送速度Ｖ４２がいずれも既知の値として登録されている。このため、制御部６０は、これら各値とセンサ４０３によって検知された情報とを基に、基板Ｓの先端がエキシマランプ５５を通過する時刻ｔ４４（すなわち、基板Ｓ１に対するエキシマランプ５５の照射処理が開始する時刻ｔ４４）を演算により算出する。

時刻ｔ４３〜ｔ４４の期間においても、基板Ｓは速度Ｖ４２で搬送される。そして、時刻ｔ４４のタイミングで、基板Ｓの搬送速度が速度Ｖ４２から速度Ｖ４３へと切り替えられる。このとき、基板Ｓは、第２処理室５２ないし第４処理室５４にまたがって搬送されているため、第２処理室５２ないし第４処理室５４での搬送速度が互いに同時に速度Ｖ４３へと切り替えられる。基板Ｓは、その後も速度Ｖ４３で、第４処理室５４を通過して搬送される。

このように、第１処理室５１は、速度Ｖ４１で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ４２で基板Ｓを搬送する期間と、の両期間を有する。第１処理室５１では、基板Ｓの後端がセンサ４０１によって検知されてから所定時間後に基板Ｓが第１処理室５１から搬出されると、搬送速度が速度Ｖ４２から速度Ｖ４１に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。また、第２処理室５２は、速度Ｖ４２で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ４３で基板Ｓを搬送する期間と、の両期間を有する。第２処理室５２では、基板Ｓの後端がセンサ４０２によって検知されてから所定時間後に基板Ｓが第２処理室５２から搬出されると、搬送速度が速度Ｖ４３から速度Ｖ４２に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。また、第３処理室５３は、速度Ｖ４２で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ４３で基板Ｓを搬送する期間と、の両期間を有する。第３処理室５３では、基板Ｓの後端がセンサ４０３によって検知されてから所定時間後に基板Ｓが第３処理室５３から搬出されると、搬送速度が速度Ｖ４３から速度Ｖ４２に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。また、第４処理室５４は、速度Ｖ４２で基板Ｓを搬送する期間と、速度Ｖ４３で基板Ｓを搬送する期間と、の両期間を有する。第４処理室５４では、基板Ｓの後端がセンサ４０４によって検知されてから所定時間後に基板Ｓが第４処理室５４から搬出されると、搬送速度が速度Ｖ４３から速度Ｖ４２に戻される。これにより、後続の基板を受入可能となる。

その後に後続の基板Ｓが第１処理室５１に搬入される場合も、上記と同様の搬送制御が行われる。

以下、第４実施形態の搬送制御の効果について説明する。

上記の通り、第４実施形態における基板Ｓの搬送制御では、基板Ｓの先端が第１処理室５１に位置する期間は速度Ｖ４３より速く速度Ｖ４２よりも遅い速度Ｖ４１で基板Ｓが搬送され、基板Ｓの先端が第２処理室５２に搬入されてからエキシマランプ５５による照射処理が開始するまでの期間については相対的に最も早い速度Ｖ４２で基板Ｓが搬送され、エキシマランプ５５による照射処理以降は基板Ｓが相対的に最も遅い速度Ｖ４３で搬送される（搬送制御工程）。

第４実施形態では、基板の搬送制御が処理室ごとに行われる他の態様とは異なり、エキシマランプ５５（特定処理部）と基板Ｓとの相対位置に応じて制御部６０により搬送速度が制御される。この結果、エキシマランプ５５における照射処理が開始するタイミングで、基板Ｓの搬送速度を該照射処理に好適な搬送速度である速度Ｖ４３へと切り替えることができる。

＜５ 変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。

上記各実施形態では、搬送ローラ２１を用いた搬送態様や、コンベアを用いた搬送態様について説明したが、この他にも種々の搬送態様を採用しうる。

また、上記各実施形態では、特定処理部としてエアナイフ４２、４６、スプレーノズル４９、エキシマランプ５５を用いる態様について説明したが、これに限られるものではない。本発明では、種々の処理部を特定処理部とし、該特定処理部と基板との相対位置に応じて基板の搬送速度を制御することができる。

第１実施形態および第３実施形態では、特定処理部が基板Ｓへの処理を終了するタイミングで搬送速度の切替が行われる態様について説明した。また、第２実施形態および第４実施形態では、特定処理部が基板Ｓへの処理を開始するタイミングで搬送速度の切替が行われる態様について説明した。これらの態様とは異なる態様として、特定処理部が基板Ｓへの処理を開始するタイミングと特定処理部が基板Ｓへの処理を終了するタイミングとの両方で、搬送速度の切替が行われる態様であっても構わない。

以上、実施形態およびその変形例に係る基板処理装置および基板処理方法について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。

１、１Ｂ 基板処理システム
４２、４６ エアナイフ（特定処理部）
４９ スプレーノズル（特定処理部）
５５ エキシマランプ（特定処理部）
６０ 制御部
１０１〜１０５、２０１〜２０３、３０１〜３０４、４０１〜４０４ センサ
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２ 基板
Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ２１〜Ｖ２３、Ｖ３１〜Ｖ３３、Ｖ４１〜Ｖ４３ 速度

Claims (5)

1. 基板処理装置であって、
   基板を搬送方向に沿って搬送する搬送部と、
   前記搬送方向に沿って配され、搬送される前記基板が通過する現像液供給室、液切室および置換水洗室を含む複数の処理室と、
   前記現像液供給室に設けられて前記基板の主面に形成されたレジスト膜に現像液を供給する現像液供給部と、
   前記液切室に設けられて前記基板の主面に対して気体を噴出するエアナイフと、
   前記置換水洗室に設けられて前記基板の主面に洗浄水を供給するスプレーノズルと、
   前記複数の処理室の各々で個別に前記搬送部の搬送速度を制御可能な搬送制御部と、
   を備え、
   前記搬送制御部は、前記エアナイフが前記基板への液切処理を終了するタイミングである前記基板の後端が前記エアナイフの直下を通過するタイミングで、前記液切室および前記置換水洗室における前記基板の搬送速度を第１の搬送速度から前記第１の搬送速度よりも低速の第２の搬送速度に切り替え、
   前記基板が前記複数の処理室のうち連続する前記液切室および前記置換水洗室にまたがって搬送されている期間が存在しており、
   前記搬送制御部は、前記期間においては、前記液切室および前記置換水洗室での前記搬送速度を同一の前記第２の搬送速度とすることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置であって、
   前記基板が特定の位置を通過することを検知するセンサ、を備え、
   前記搬送制御部は、前記センサによって前記基板の通過が検知されたタイミングに応じて、前記搬送速度を制御するタイミングを確定することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２記載の基板処理装置であって、
   前記搬送部は、前記基板の主面に平行な面内で前記搬送方向と直交する方向に伸びる複数のローラを前記搬送方向に沿って有し、前記複数のローラを同期して回転させることにより前記複数のローラ上に配される前記基板を前記搬送方向に沿って搬送することを特徴とする基板処理装置。
4. 基板処理方法であって、
   基板を搬送方向に沿って搬送する搬送工程と、
   搬送される前記基板が通過する現像液供給室、液切室および置換水洗室を含む複数の処理室において、前記現像液供給室に設けられて前記基板の主面に形成されたレジスト膜に現像液を供給する現像液供給部、前記液切室に設けられて前記基板の主面に対して気体を噴出するエアナイフ、および、前記置換水洗室に設けられて前記基板の主面に洗浄水を供給するスプレーノズルによって、前記基板に処理を実行する処理工程と、
   前記複数の処理室の各々で個別に搬送速度を制御する搬送制御工程と、
   を備え、
   前記搬送制御工程では、前記エアナイフが前記基板への液切処理を終了するタイミングである前記基板の後端が前記エアナイフの直下を通過するタイミングで、前記液切室および前記置換水洗室における前記基板の搬送速度を第１の搬送速度から前記第１の搬送速度よりも低速の第２の搬送速度に切り替え、
   前記基板が前記複数の処理室のうち連続する前記液切室および前記置換水洗室にまたがって搬送されている期間が存在しており、
   前記搬送制御工程では、前記期間においては、前記液切室および前記置換水洗室での前記搬送速度を同一の前記第２の搬送速度とすることを特徴とする基板処理方法。
5. 請求項４記載の基板処理方法であって、
   前記基板が特定の位置を通過することを検知する位置検出工程、を備え、
   前記搬送制御工程では、前記位置検出工程によって前記基板の通過が検知されたタイミングに応じて前記搬送速度を制御するタイミングを確定することを特徴とする基板処理方法。

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