JP4091909B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハ、ＬＣＤ（液晶表示装置）用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、プリント基板などの各種被処理基板に対して現像液、エッチング液、洗浄液、および剥離液などの処理液を供給して処理するための基板処理装置及び基板処理方法に関する。

例えば液晶表示装置用基板は、レジスト膜を形成した後にパターンを露光した被処理基板の表面に現像液を液盛りし、現像処理を施した後、現像液を洗い流して被処理基板にパターンを作成する工程を経て作製される。従って、この種の基板の処理装置は、被処理基板を搬送する搬送ローラ、現像液を吐出する液盛ノズル、現像処理（パドル現像処理）部、及び現像液を洗浄する洗浄処理部などを具備するのが一般的である。そして前記液盛り工程は、被処理基板を搬送ローラによって液盛ノズルの下方を搬送しつつ、液盛ノズルから現像液を吐出させて基板上の一端側（基板搬送方向先端側）から他端側（基板搬送方向後端側）へ、順に液盛りする方法が採られている。

このような基板処理装置において、例えば特許文献１には、液盛り処理の際には搬送ローラで比較的高速で基板を搬送し、パドル現像処理の際は基板の搬送を停止若しくは低速搬送とし、また洗浄処理の際には再び高速搬送するという技術が開示されている。かように搬送速度を変化させる理由は次の通りである。
（１）基板の搬送方向先端側から現像液を供給している場合に、現像液のミストが基板の搬送方向後端側に飛散して後端側表面にミストが付着すると、該付着部分で現像反応が開始してしまい現像ムラが生じる。しかるに、液盛り処理の際には基板を高速搬送して液盛り処理を短時間で完了させることにより、前記現像ムラの問題を解消できる。
（２）洗浄処理においては、洗浄液が基板に供給されることで現像反応が停止するが、この洗浄処理時における基板搬送速度と、前記液盛り処理時における基板搬送速度とを一致させるようにすれば、現像処理時間を基板面内で均一化でき高品質な現像が行える。

なお、パドル現像処理の際に基板の搬送を停止若しくは低速搬送とするのは、パドル現像処理には所定の処理時間を要することから、液盛り処理の際の高速搬送を維持するとパドル現像処理部として長尺の装置長を要することになり、これを回避するためである。

一方特許文献２には、前記液盛り工程において、基板の搬送速度を、液盛りを開始する基板の先端部で遅くし（液盛りノズルから吐出されている現像液に基板が突入する直前は遅くし）、突入後に加速して基板の中央部が液盛りノズルと対向している時は搬送速度を高速にし、そして基板の後端部に差し掛かると減速して再び遅くするという技術が開示されている。このような液盛り工程における基板搬送速度制御により、基板先端部及び後端部に気泡の抱込み等が無い確実な液盛りが行えるものである。
特開平１１−８７２１０号公報 特開２００２−３２４７５１号公報

ところで、近年液晶業界では基板サイズの大型化が進行しており、これに伴い上記基板処理装置などの設備装置も大型化せざるを得ないことから、フットプリント（設備装置の床面積）の面での問題が顕在化しており、可及的に設備装置の小型化が求められる時流にある。基板サイズの大型化に対応しつつ設備装置の小型化を図る手法として、基板への液盛り後に基板搬送速度を急減速させる手法が考えられる。しかしながら、かかる急減速を行うと、基板上に形成されている液層が減速による慣性力によって基板搬送方向先端側に付勢され、結果として基板搬送方向後端側の液層厚さ（液面高さ）が薄くなる現象が生じることとなる。この現象によって、液層厚さが薄くなった領域の現像処理の進行度合いが他の領域と比較して遅くなり、而して基板搬送方向先端側と後端側とで現像ムラが発生するという不都合がある。

一方、設備装置の小型化がさほど求められないケースであっても、基板への液層形成後における基板搬送速度の減速度が適性化されていない場合、同様に液層厚さの乱れによる現像ムラが生じたり、徒らに設備装置長さが長尺化したりする問題が生じ得る。

従って本発明は、基板上に処理液の液層を形成した後に、基板搬送速度を減速させる動作を行わせる基板処理装置或いは基板処理方法において、設備装置の長尺化を可及的に抑制することを考慮する一方で、搬送速度の減速による液層の液面高さ変動に起因する現像ムラの発生を防止できる基板処理装置或いは基板処理方法を提供することを課題とする。

本発明の請求項１にかかる基板処理装置は、基板上に処理液の液層を形成して処理する基板処理装置において、基板をほぼ水平に支持しつつ所定方向に搬送する搬送手段と、搬送手段によって搬送される基板の表面に処理液を供給して基板上に処理液の液層を形成する第１の処理液供給手段と、前記第１の処理液供給手段によって液層が形成された基板の搬送速度を減速させるように前記搬送手段を制御する制御手段と、少なくとも前記制御手段によって搬送速度を減速するときに、基板の搬送方向の少なくとも後端側領域に処理液を供給する第２の処理液供給手段とを具備し、前記第２の処理液供給手段は、前記制御手段により前記基板の搬送速度が減速されるのに先立って、前記第１の処理液供給手段によって前記基板表面に形成された前記液層に対して前記処理液の供給を開始し、この際に前記第２の処理液供給手段から供給される処理液の流量が、前記第１の処理液供給手段により処理液を供給する際の流量よりも低流量とされることを特徴とするものである。

この構成によれば、基板の搬送速度を減速する際に、該減速に伴う慣性力によって液層の厚さが薄くなりがちな基板の搬送方向後端側に対して、第２の処理液供給手段により処理液を供給するので、基板上に形成された液層に液層厚不足部分が生じることはない。また、基板の搬送速度の減速に先立って第２の処理液供給手段により基板に処理液の供給が開始されるので、減速に伴って生じる慣性を打ち消すような液流を基板表面に予め形成することができ、これにより慣性による液層移動を抑制できるようになる。さらに、第２の処理液供給手段からは低流量で処理液が供給されるので、この処理液供給により、先に第１の処理液供給手段からの処理液供給で形成された基板上の液層が大きく掻き乱されたり、液層へ処理液が突入する際に空気の抱込みが生じたりすることはない。ここで第１及び第２の処理液供給手段としては、処理液を面状に吐出可能なスリットを備えるノズルを用いることができる。また、第１及び第２の処理液供給手段は１つのノズルでも、２以上のノズルを適所に配置した構成であっても良い（以下同じ）。

請求項２にかかる基板処理装置は、請求項１において、第１の処理液供給手段及び／又は第２の処理液供給手段は、インバータ制御された吐出機構を備えていることを特徴とする。このように第１、第２の処理液供給手段のいずれか、或いは双方にインバータ制御された吐出機構を具備させることで、間欠的な処理液の吐出を行い易くなり、また流量制御（流量を一時的に増加させる等も含めて）も容易に行えるようになる。

本発明の請求項３にかかる基板処理方法は、基板上に処理液の液層を形成して処理する基板処理方法であって、ほぼ水平に基板を搬送しつつ該基板の表面に、第１の処理液供給手段により処理液を供給して基板上に処理液の液層を形成するステップと、少なくとも前記第１の処理液供給手段によって液層が形成された基板の搬送速度を減速させつつ、第２の処理液供給手段により、前記基板の搬送方向の少なくとも後端側領域に処理液を供給するステップとを具備し、前記第２の処理液供給手段は、前記基板の搬送速度の減速が開始される直前から、前記第１の処理液供給手段によって前記基板表面に形成された前記液層に対して前記処理液の供給を開始し、この際に前記第２の処理液供給手段から供給される処理液の流量が、前記第１の処理液供給手段により処理液を供給する際の流量よりも低流量とされることを特徴とするものである。

かかる基板処理方法によれば、基板の搬送速度を減速する際に、該減速に伴う慣性力によって液層の厚さが薄くなりがちな基板の搬送方向後端側に対して、第２の処理液供給手段により処理液を供給するので、基板上に形成された液層に液層厚不足部分が生じることはない。また、基板の搬送速度の減速が開始される直前から、第２の処理液供給手段により基板に処理液の供給が開始されるので、減速に伴って生じる慣性を打ち消すような液流を基板表面に予め形成することができ、これにより慣性による液層移動を抑制できるようになる。さらに、第２の処理液供給手段からは低流量で処理液が供給されるので、この処理液供給により、先に第１の処理液供給手段からの処理液供給で形成された基板上の液層が大きく掻き乱されたり、液層へ処理液が突入する際に空気の抱込みが生じたりすることはない。

請求項４にかかる基板処理方法は、請求項３において、第２の処理液供給手段から基板へ処理液の供給を、前記基板の搬送速度が所定の搬送速度への減速が完了した後の所定期間継続させることを特徴とする。減速完了後も、慣性による基板前方への液層の動きが若干残存しているが、この構成のように、減速完了後直ちに第２の処理液供給手段による処理液供給を停止せず、所定期間だけ処理液を吐出させるようにすれば、前記慣性による基板前方への液層の移動を抑止することができるようになる。

本発明の請求項５にかかる基板処理方法は、基板上に処理液の液層を形成して処理する基板処理方法であって、ほぼ水平な状態で基板を比較的低速の第１の搬送速度で搬送しつつ、第１の処理液供給手段による処理液供給エリアに基板を突入させ、基板を比較的高速の第２の搬送速度に加速しながら該基板の表面に処理液の液層形成を開始するステップと、基板を第２の搬送速度で搬送しつつ、第１の処理液供給手段で基板全面に処理液の液層を形成するステップと、基板が所定箇所まで搬送された時点であって、基板の搬送速度を前記第２の搬送速度から比較的低速の第３の搬送速度への減速を開始させる直前に、前記第１の処理液供給手段により処理液を供給する際の流量よりも低流量で、第２の処理液供給手段により基板上に形成された液層へ処理液の供給を開始するステップと、基板の搬送方向後端部が第１の処理液供給手段を通過した後において、基板の搬送速度を前記第３の搬送速度へ減速するステップと、前記第３の搬送速度への減速を完了させると共に、前記減速完了後の所定期間経過後に第２の処理液供給手段による処理液の供給を停止するステップとを具備すること特徴とするものである。

この構成によれば、液盛り工程の際は比較的高速で基板を搬送（第２の搬送速度）し、一方液盛り工程の前後では加速ないしは減速して比較的低速で基板を搬送（第１の搬送速度）する方式を採用する基板処理方法において、基板の搬送速度を液盛り工程後に減速する際に、該減速に伴う慣性力によって液層の厚さが薄くなりがちな基板の搬送方向後端側に対して、第２の処理液供給手段により処理液を供給するので、基板上に形成された液層に液層厚不足部分が生じることはない。また、基板の搬送速度が第２の搬送速度から比較的低速の第３の搬送速度への減速を開始させる直前から、第２の処理液供給手段により基板の搬送方向の後端側領域へ処理液の供給が開始されるので、減速に伴って生じる慣性を打ち消すような液流を基板表面に予め形成することができ、これにより慣性による液層移動を抑制できるようになる。なお上記構成において、第３の搬送速度は装置長の制約の範囲内でなるべく高速度に設定すれば減速度が小さくなり、液層の液面高さ変動の抑制という点では好ましいので、この点を優先させる場合は第３の搬送速度＞第１の搬送速度の関係とすることが望ましい。但し、第３の搬送速度＝第１の搬送速度の関係としても勿論よい（以下、同様）。

請求項６にかかる基板処理方法は、請求項５において、第１の処理液供給手段による処理液供給エリアに基板を突入させるに際し、第１の処理液供給手段から処理液を供給する際の流量を、一時的に増加させることを特徴とする。この構成によれば、第１の処理液供給手段による処理液供給エリアに基板を突入させる際に空気の抱込みが生じたとしても、大流量の処理液の吐出により気泡等を掻き落としてしまうことができるようになる。

請求項１に係る基板処理装置によれば、基板の搬送方向後端側に対して、第２の処理液供給手段により処理液を供給して、基板上に形成された液層に液層厚不足部分が生じさせないようにするので、比較的急速な基板搬送速度の減速を行っても（液層が減速時の慣性力によって先端側へ付勢されても）、基板の搬送方向後端側において必要な液層厚さは確保され、現像ムラが生じることはない。また、第２の処理液供給手段からは低流量で処理液を供給させるので、第２の処理液供給手段を設置したことに伴う現像ムラの発生の危惧を払拭できる。さらに、減速に伴って生じる慣性を打ち消すような液流を基板表面に予め形成することができ、これにより慣性による液層移動を抑制できるので、安定して所定の厚さの液層を備えた状態でのパドル現像等の液処理を行うことができる。従って、基板全面に亘り均一な現像処理等の液処理がなされて高品質な処理基板を製造することができるようになる。

請求項２に係る基板処理装置によれば、第１の処理液供給手段及び／又は第２の処理液供給手段から間欠的な処理液の吐出を行い易くなり、また流量制御も容易に行えるようになるので、搬送されてくる基板に対して必要な時に必要量だけ、それぞれのノズルから処理液を吐出させることができ、薬液使用量を削減しコストダウンを図ることができる。また、処理液を循環使用する場合において、処理液を常時供給し続けていると、その間に処理液が大気と接触して劣化する場合があるが、この基板処理装置では上記の通り間欠的な処理液の吐出を行えるので、このような処理液の劣化の問題を解消することができる。

請求項３に係る基板処理方法によれば、上記と同様に、比較的急速な基板搬送速度の減
速を行っても、基板の搬送方向後端側において必要な液層厚さは、第２の処理液供給手段からの処理液供給により確保され、現像ムラが生じることはない。また、第２の処理液供給手段からは低流量で処理液を供給させるので、第２の処理液供給手段を設置したことに伴う現像ムラの発生の危惧を払拭できる。さらに、減速に伴って生じる慣性を打ち消すような液流を基板表面に予め形成することができ、これにより慣性による液層移動を抑制できるので、安定して所定の厚さの液層を備えた状態でのパドル現像等の液処理を行うことができる。従って、基板全面に亘り均一な現像処理等の液処理がなされて高品質な処理基板を製造することができるようになる。

請求項４に係る基板処理方法によれば、減速完了後直ちに第２の処理液供給手段による処理液供給を停止せず、所定期間だけ処理液を吐出させるようにするので、前記慣性による基板前方への液層の移動を抑止することができる。従って、慣性による液層厚さ乱れ対策の万全を期すことができ、より安定して所定の厚さの液層を備えた状態でのパドル現像等の液処理を行うことができるようになり、なお一層の高品質を図ることができる。

請求項５に係る基板処理方法によれば、液盛り工程の際は比較的高速で基板を搬送（第２の搬送速度）し、一方液盛り工程の前後では加速ないしは減速して比較的低速で基板を搬送（第１の搬送速度）する方式を採用する基板処理方法において、上記と同様に、比較的急速な基板搬送速度の減速を行っても、基板の搬送方向後端側において必要な液層厚さは、第２の処理液供給手段からの処理液供給により確保され、現像ムラが生じることはない。また、第２の処理液供給手段からは低流量で処理液を供給させるので、第２の処理液供給手段を設置したことに伴う現像ムラの発生の危惧を払拭できる。さらに、減速に伴って生じる慣性を打ち消すような液流を基板表面に予め形成することができ、これにより慣性による液層移動を抑制できるので、安定して所定の厚さの液層を備えた状態でのパドル現像等の液処理を行うことができる。従って、基板全面に亘り均一な現像処理等の液処理がなされて高品質な処理基板を製造することができるようになる。

請求項６に係る基板処理方法によれば、第１の処理液供給手段による処理液供給エリアに基板を突入させるに際に空気の抱込みが生じたとしても、大流量の処理液の吐出により気泡等を掻き落とすことが可能であるので、気泡等が含有されない液層を形成することができ、該気泡等の含有を要因とする現像ムラの発生を防止できる。

以下図面に基づいて、本発明の実施形態につき詳細に説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明が適用された基板処理装置の全体構成の一例を模式的に示す側面図である。この基板処理装置１は、例えば大型で矩形のＬＣＤ用ガラス基板（以下、単に基板と称す）Ｓの表面に処理液としての現像液を供給して現像処理した後、洗浄液を供給して洗浄処理するものである。

この基板処理装置１は、ほぼ水平な姿勢で搬送される基板Ｓの表面に処理液（現像液）を供給して、該現像液の表面張力により基板Ｓ表面に現像液の液層を形成する液層形成室２と、現像液の液層が形成された基板Ｓを保持して液層の現像液による処理（パドル現像）を進行させる処理進行室３と、現像液の液層による処理終了後の基板Ｓの姿勢を水平姿勢から傾斜姿勢に変換する姿勢変換室４と、傾斜姿勢の基板Ｓの表面に洗浄液を供給して洗浄する洗浄室５と、洗浄後の基板Ｓを乾燥させる乾燥室６と、乾燥後の基板Ｓを水平姿勢に戻す姿勢変換室７とを備えている。

液層形成室２には、基板Ｓをほぼ水平姿勢で搬送する搬送ローラ２１と、この搬送ローラ２１により水平姿勢で搬送される基板Ｓの表面に、現像液を供給してその表面に現像液の液層を形成する第１の現像液供給ノズル２２（第１の処理液供給手段）と、基板Ｓの搬送方向後端側領域に現像液を供給する第２の現像液供給ノズル２３（第２の処理液供給手段）とが設けられている。この点については、後記で詳述する。前記第１、第２現像液供給ノズル２２、２３には給液装置１２０が接続されており、該給液装置１２０の現像液タンク１１に貯留された現像液が、ポンプ１２ａ、１２ｂによりそれぞれ供給されるよう構成されている。なお、前記ポンプ１２ａ、１２ｂは、インバータ制御部１２１により制御可能とされており、現像液はこのインバータ制御されたポンプ１２ａ、１２ｂにより第１、第２現像液供給ノズル２２、２３へ向けてそれぞれ圧送される。なお、本実施形態では第１、第２現像液供給ノズル２２、２３各々に、それぞれポンプ１２ａ、１２ｂを設置する構成を例示しているが、１つのポンプで第１、第２現像液供給ノズル２２、２３に対して現像液を圧送する構成としても良い。

処理進行室３には、液層形成室２から現像液の液層が表面に形成された状態で搬送ローラ２１により搬送されてくる基板Ｓを受け入れ、かかる状態で保持する搬送ローラ３１が設けられており、この領域を所定時間かけて基板が通過する際にパドル現像が行われる。姿勢変換室４は、基板Ｓを所定角度傾斜させて基板Ｓ上の処理済現像液の液層を流下させるもので、処理進行室３から現像液の液層が形成された状態で搬送ローラ３１により搬送されてくる基板Ｓを受け入れて保持する搬送ローラ４１が設けられている。当該姿勢変換室４における基板Ｓを傾斜させる機構については、例えば特許文献１に記載の機構を採用することができる。

洗浄室５は、現像処理した基板Ｓの表面及び裏面を洗浄するもので、姿勢変換室４から傾斜姿勢で搬送ローラ４１により搬送されてくる基板Ｓを受け入れて同じ傾斜姿勢で搬送する搬送ローラ５１と、搬送ローラ５１により傾斜姿勢で搬送される基板Ｓの表面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル５２と、基板Ｓの裏面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル５３と、基板Ｓの裏面に対して接触して洗浄するロールブラシ５４とを備えている。前記洗浄液供給ノズル５２、５３は、洗浄液としての超純水を供給する供給源５５に接続されている。

乾燥室６は、洗浄室５から傾斜姿勢で搬送ローラ５１により搬送されてくる基板Ｓを受け入れて同じ傾斜姿勢で搬送する搬送ローラ６１と、搬送ローラ６１により傾斜姿勢で搬送される基板Ｓの表面に対してエアを吹き付けて洗浄液を吹き飛ばし乾燥させるエアナイフ６２と、基板Ｓの裏面に対してエアを吹き付けて洗浄液を吹き飛ばし乾燥させるエアナイフ６３とを有する。前記エアナイフ６２、６３は、エアを圧送するためのコンプレッサー６４に接続されている。そして姿勢変換室７には、乾燥室６から搬送ローラ６１により搬送されてくる基板Ｓを傾斜姿勢で受け入れて保持し水平姿勢に戻す搬送ローラ７１が設けられている。

図２は、前記液層形成室２の拡大側面図であり、図３はこの液層形成室２において用いられる第１の現像液供給ノズル２２（なお第２の現像液供給ノズル２３も同構成である）の一例を示す分解斜視図である。図２に示すように、第１の現像液供給ノズル２２は搬送ローラ２１上を搬送される基板Ｓの搬送方向上流側に配置され、第２の現像液供給ノズル２３が搬送方向下流側に配置されている。第１の現像液供給ノズル２２は、その吐出口２２Ｅが基板Ｓの搬送方向を向くよう傾斜配置され、かかる傾斜配置状態において基板Ｓと略平行面となる液盛面２２８に、吐出口２２Ｅから吐出された現像液が溜められ（つまり基板Ｓと吐出口２２Ｅとの間のギャップに現像液が溜められ）、基板Ｓの搬送に従って、基板Ｓの搬送方向先端側から順に基板Ｓ上に現像液が液盛り（液層の形成）されるものである。また第２の現像液供給ノズル２３は、その吐出口２３Ｅが基板Ｓに対して垂直方向を向くよう配置されており、第１の現像液供給ノズル２２による液層形成後に基板Ｓの搬送が進行し、基板Ｓの搬送方向後端側が吐出口２３Ｅの存在位置にさしかかった時（後述するように基板Ｓの搬送速度の減速がなされる時）に、該基板Ｓの搬送方向後端側に現像液を追加的に補填するものである。

第１の現像液供給ノズル２２は、いわゆるスリットノズルであって、図３に示すように細長い半割れ型のノズル本体２２１、２２２と、これらの合せ面に介在されるスペーサ２２３とを有しており、該スペーサ２２３が一辺を欠いたコ字型部材とされることでスリット状の吐出口２２Ｅ（図中の符号２２６で指す部分）が形成されている。一方のノズル本体２２２の接合面２２５側には、現像液を一時的に貯留しその吐出を均一化するための凹部２２４が形成されている。他方のノズル本体２２１には、前記凹部２２４に連通する開口２２７が設けられており、該開口２２７を通して現像液供給配管２２０から凹部２２４へ現像液が供給可能とされている。かかる構成により、インバータ制御部１２１により制御されたポンプから圧送された現像液は、現像液供給配管２２０を経由して凹部２２４に至り、その後吐出口２２Ｅから面状に吐出される。第２の現像液供給ノズル２３も同様な構成であり、現像液は現像液供給配管２３０を経由して吐出口２３Ｅから面状に吐出されるものである。

上記各搬送ローラ２１、３１、４１、５１、６１、７１は、図１において簡略化して示している駆動源１３により回転駆動され、それら個々の駆動のＯＮ−ＯＦＦ、及び駆動速度（すなわち基板搬送速度）の加速、減速等の動作は、マイクロコンピュータ等を備えた制御手段１４によって制御されるよう構成されている。また第１、第２の現像液供給ノズル２２、２３に対して現像液を圧送する給液装置１２０も、制御手段１４により制御される。図４は、制御手段１４におけるこれらの制御状況を説明するための制御ブロック図である。

制御手段１４は、第１の現像液供給ノズル制御部１４１、第２の現像液供給ノズル制御部１４２、ローラ駆動制御部１４３、及びセンサ情報取得部１４４を備えている。この制御手段１４には、図１では図示省略している基板位置検知センサ８が接続されている。基板位置検知センサ８は例えば光電式位置検出センサ等からなり、該基板位置検知センサ８は搬送ローラ２１等にて搬送される基板Ｓの搬送方向先端位置及び後端位置を検知し、その基板位置情報を制御手段１４に送信する。この基板位置情報は、制御手段１４のセンサ情報取得部１４４で受領され、各種制御の基礎情報として活用される。

第１の現像液供給ノズル制御部１４１は、センサ情報取得部１４４に与えられた基板位置情報に基づき、第１の現像液供給ノズル２２からの現像液の吐出のＯＮ−ＯＦＦ、並びにＯＮの場合の吐出量を決定し、吐出指示信号を生成して給液装置１２０へ送信する。これを受けて給液装置１２０のインバータ制御部１２１は、前記吐出指示信号に応じてインバータ制御してポンプ１２ａを動作させ、所要量の現像液をタンク１１から第１の現像液供給ノズル２２へ向けて圧送させ、これを第１の現像液供給ノズル２２から吐出させる。第２の現像液供給ノズル制御部１４２も同様に、センサ情報取得部１４４からの基板位置情報に基づき吐出指示信号を生成して給液装置１２０へ送信するもので、該吐出指示信号によりポンプ１２ｂを動作させ、第２の現像液供給ノズル２３から所要量の現像液が吐出されるものである。なお、ポンプ１２ａ及びポンプ１２ｂからタンク１１へ戻るバイパス配管路を別途設け、第１、第２の現像液供給ノズル２２、２３から現像液を吐出させないときに、現像液の流路を前記バイパス配管路へ切り換える切り換え信号を発生可能としても良い。さらに、現像液の吐出ＯＦＦ時において、ポンプ１２ａ及びポンプ１２ｂを完全にＯＦＦ状態とするのではなく、インバータ制御により第１、第２の現像液供給ノズル２２、２３から現像液を少量吐出させ続けるようにしても良い。これにより、第１、第２の現像液供給ノズル２２、２３からの処理液の吸い込み（若干の逆流）によるエアの抱込みを防止できるという利点がある。

ローラ駆動制御部１４３は、センサ情報取得部１４４に与えられた基板位置情報に基づき、基板Ｓの搬送速度を低速（第１の搬送速度、第３の搬送速度）、高速（第２の搬送速度）、さらに低速から高速への加速、高速から低速への減速を変化させるべく、搬送ローラ２１等の駆動源１３を駆動させる駆動信号を生成するものである。前記第１、第２、第３の搬送速度、並びに加速度や減速度は操作者によって設定されてメモリ等に格納され、基板位置情報に応じて所定の駆動信号を読み出し、この駆動信号により駆動源１３を制御することで、基板Ｓの搬送速度が制御される。

次に、上記制御手段１４の制御に基づく基板処理装置１の動作とそれによる処理方法を、図１、図４、図５の処理工程図、図６のタイムチャート、および図７のフローチャートに基づいて詳細に説明する。なお、図５に示した工程（ａ）〜（ｇ）は、図６に示すタイムチャート上の（ａ）〜（ｇ）にそれぞれ対応させている。

図示しない基板供給装置から供給される基板Ｓは、搬送ローラ２１によりほぼ水平姿勢で搬送されて液層形成室２へ導入される。すなわち、図５（ａ）に示すように、第１の現像液供給ノズル２２（及び第２の現像液供給ノズル２３）による現像液の吐出位置に向けて、基板Ｓが送られる。このときの基板搬送速度は、第１の搬送速度（低速）ｖ１とされている（図７のフローチャートのステップＳ１）。このように、基板Ｓを現像液の吐出位置に突入させるに際し、基板の搬送速度を低速とすることで、基板Ｓの先端部に現像液が衝突することによる気泡の抱込みの発生を抑止することができる。また、基板Ｓの先端部は現像液をはじき易い傾向があり、かかる「はじき」により基板Ｓの濡れが不十分になるケースが生じることがあるが、上記のような低速突入とすると前記「はじき」の問題も解消できるという利点がある。

次に、基板Ｓが所定位置まで搬送されたか否かが確認される（ステップＳ２１）。この場合の「所定位置」とは、基板Ｓが第１の現像液供給ノズル２２による現像液供給が可能なエリア（処理液供給エリア）へ至る直前位置である。かかる位置に基板Ｓが達したことが基板位置検知センサ８により検知されると（ステップＳ２１でＹｅｓ）、該検知情報（基板位置情報）は制御手段１４のセンサ情報取得部１４４へ送られる。第１の現像液供給ノズル制御部１４１は、この基板位置情報に基づき吐出指示信号生成して給液装置１２０へ送り、この指示信号によってインバータ制御部１２１はポンプ１２ａを動作させ、これにより第１の現像液供給ノズル２２から通常の現像処理に必要な流量（通常流量Ｇ１）よりも少ない低流量Ｇ０で現像液の吐出が開始される（ステップＳ２２）。図５（ａ）はこの状態を示している。なお、現像液への突入時に実質的に気泡等が生じることのない十分な低速に第１の搬送速度ｖ１を選定する場合は、第１の現像液供給ノズル２２からの現像液吐出量を当初から通常流量Ｇ１としても良い。

続いて、基板Ｓが第１の現像液供給ノズル２２による現像液供給エリアに達したかが確認され（ステップＳ３１）、上記と同様にその到達が基板位置検知センサ８により検知されると（ステップＳ３１でＹｅｓ）、図５（ｂ）に示すように、基板搬送速度は、第１の搬送速度（低速）ｖ１から第２の搬送速度（高速）ｖ２への加速が開始される（ステップＳ３２）。つまり、基板Ｓが現像液カーテンに突入する時点では低速で、突入後に高速への加速が行われる。かかる加速制御は、センサ情報取得部１４４を経由して与えられた基板位置情報に基づき、ローラ駆動制御部１４３が生成する駆動信号にてローラ駆動源１３を制御することにより行われる。これら搬送速度は基板Ｓのサイズや現像液の材質、液層の厚さ等によって適宜定めれば良いが、例えば第１の搬送速度ｖ１＝２〜３ｍ／ｍｉｎ程度、第２の搬送速度ｖ２＝６〜８ｍ／ｍｉｎ程度とすることができる。

これに加えて、第１の現像液供給ノズル２２からの現像液の吐出量が増加され、図６のタイムチャートに示すように、通常の現像処理に必要な流量（通常流量Ｇ１）にて現像液が供給される（ステップＳ３３）。ここで、上記第１の搬送速度ｖ１から第２の搬送速度ｖ２への加速は、基板Ｓの端縁部が現像液カーテンに突入後、基板Ｓの有効エリア（素子形成領域）の端部ＥＰが該現像液カーテンに到達するまでの間に完了させるものとする。なお、有効エリアの周囲領域が狭く、基板Ｓの有効エリア端縁部分に対する液盛り状態のバラツキが懸念される場合もあるが、この場合の好ましい実施態様については後述する。

このようなプロセスを経て、図５（ｃ）に示すように、基板Ｓ上への液盛りが開始され、基板Ｓの搬送方向先端側から順に現像液の液層Ｌが形成される。このとき、図６に示すように基板の搬送速度の加速は完了し、第２の搬送速度（高速）ｖ２による搬送が行われている。そして該液盛り処理は、図５（ｅ）に示すように、基板Ｓの搬送方向後端部が第１の現像液供給ノズル２２を通過するまで継続される。

而して次段のステップＳ４１では、基板Ｓが所定の箇所に達したかが確認される。この「所定の箇所」とは、第２の現像液供給ノズル２３による基板Ｓへの現像液供給を開始すべき点として予め設定された箇所である。そして基板Ｓの「所定箇所」通過が基板位置検知センサ８により検知されると（ステップＳ４１でＹｅｓ）、この基板位置情報を検知した基板位置検知センサ８は制御手段１４に検知信号を送り、これを受けて第２の現像液供給ノズル制御部１４２は第２の現像液供給ノズルの吐出指示信号を生成して給液装置１２０へ送る。この指示信号によってインバータ制御部１２１はポンプ１２ｂを動作させ、第２の現像液供給ノズル２３から所定の流量（少流量ｇ）での現像液の吐出が開始される（ステップＳ４２）。図５（ｄ）はこの状態を示している。このとき、基板Ｓの搬送速度は、第２の搬送速度ｖ２であり未だ減速されていないが、減速開始時点の直前の時点（例えば図６のタイムチャートの（ｄ）時点）で先立って第２の現像液供給ノズル２３により基板Ｓに現像液の供給を開始しておくと、減速に伴う慣性による液層移動を打ち消すような液流を予め形成できるという利点がある。

続いて、基板Ｓの後端部（正確には基板Ｓの有効エリアの後端部）が第１の現像液供給ノズル２２を通過したかが確認される。そして基板Ｓの有効エリア後端部通過が基板位置検知センサ８により検知されると、制御手段１４の第１の現像液供給ノズル制御部１４１は吐出停止信号を生成して給液装置１２０へ送信し、またローラ駆動制御部１４３はローラ駆動源１３に所定の速度へ減速させるための制御信号を生成して送信する。これにより、第１の現像液供給ノズル２２からの現像液の吐出は停止されると共に、基板Ｓの搬送速度を現状の第２の搬送速度ｖ２から第３の搬送速度ｖ３（第１の搬送速度ｖ１と同速度であっても良い）へ減速する減速動作が開始される。（ステップＳ４２）。図５（ｅ）はこの状態を示しており、以上の工程により液盛り自体は完了し、基板Ｓの全面に液層Ｌが形成されることとなる。このとき、第２の現像液供給ノズル２３による所定の流量（少流量ｇ）での現像液の吐出は継続されている。

上記のような減速をしつつ、さらに基板Ｓの搬送が進むと、図５（ｆ）に示すように、基板Ｓの搬送方向後端側が第２の現像液供給ノズル２３に差し掛かるあたりになると、基板Ｓの搬送速度が第２の搬送速度ｖ２から第３の搬送速度ｖ３へ減速される際の慣性力で、基板Ｓ上の液層Ｌが搬送方向に向けて付勢され、液層Ｌの先端側Ｌａの液層厚さが厚くなる（付勢力が大きいと基板Ｓからこぼれる）一方で、その後端側Ｌｂの液層厚さが薄くなる現象が顕著となる。しかしながら、このように薄肉化した後端側Ｌｂに現像液が補填される結果、図中点線Ｌｇで示す通り液層厚さは嵩上げされることとなる。このような動作により液層Ｌの後端側Ｌｂにおける所要液層厚さは常時確保されることになるので、現像処理が部分的に遅延して現像ムラが生ずるということはない。

なお、図６に示すように、第２の現像液供給ノズル２３から吐出される現像液の流量（少流量ｇ）は、第１の現像液供給ノズル２２から吐出される通常流量Ｇ１に比べて低流量とされる。これは、先に第１の現像液供給ノズル２２からの現像液供給により既に基板Ｓ上に液層Ｌが形成されていることから、大流量で供給した場合に、既形成の液層Ｌが大きく掻き乱されたり、第２の現像液供給ノズル２３からの現像液が液層Ｌへ突入する際に空気の抱込みが生じたりしないようにするためである。

次に、基板Ｓの最後端部が、第２の現像液供給ノズル２３を通過したかが確認される（ステップＳ５１）。そして基板Ｓの最後端部の通過が確認され（ステップＳ５１でＹｅｓ）、一定の保持時間ｘが経過したら、制御手段１４の第２の現像液供給ノズル制御部１４２は吐出停止信号を生成して給液装置１２０へ送信し、第２の現像液供給ノズル２３からの現像液の吐出は停止される（ステップＳ５２）。図５（ｇ）はこの停止される直前の状態を示している。ここで一定の保持時間ｘを持たせるのは、減速完了後も慣性による基板Ｓ前方への液層の動きが若干残るため、減速完了後の一定時間は、第２の現像液供給ノズル２３から現像液を吐出させるようにすることが望ましいからである。

なおこの時点、すなわち基板Ｓの最後端部が、第２の現像液供給ノズル２３を通過した時点（第２の現像液供給ノズル２３による現像液供給エリアから脱出した時点）において、図６の記号（ｇ）に示すように基板Ｓの搬送速度の減速、つまり第２の搬送速度ｖ２から第３の搬送速度ｖ３へ減速が完了されている。このように第２の現像液供給ノズル２３からの現像液供給と基板Ｓの搬送速度の減速完了をなされるよう、第２の現像液供給ノズル制御部１４２及びローラ駆動制御部１４３は、それぞれ制御信号を生成するものである。かかる制御を行うことにより、液こぼれ等が生じる可能性がある実質的全区間（図６のタイムチャートにおける減速区間及びその前後区間である（ｄ）〜（ｇ）及び保持時間ｘの区間）において第２の現像液供給ノズル２３から処理液の補填が可能となるので、処理液の不足分を漏れなく補填することができるようになる。

なお、基板Ｓの搬送速度の制御は、図６のタイムチャートに示すように、加速開始・終了時及び減速開始・終了時において、速度変移度合いを緩やかにする所謂Ｓ字制御とすることが望ましい。Ｓ字制御とすれば、液盛り初期時の液盛り乱れが生じにくくなり、また減速時に生じる慣性力を緩和できるようになる。

以上説明した実施形態では、第２の現像液供給ノズル２３からの現像液の吐出を、第２の搬送速度ｖ２から第３の搬送速度ｖ３への減速開始前から開始し、第３の搬送速度ｖ３への減速完了後の一定時間経過後まで吐出を続ける例について説明したが、第２の搬送速度ｖ２から第３の搬送速度ｖ３への減速開始時点で第２の現像液供給ノズル２３からの現像液の吐出を開始し、第３の搬送速度ｖ３への減速完了と同時に吐出を完了させる（例えば図６のタイムチャートの記号（ｆ）〜（ｇ）の区間のみ吐出させる）ようにしても良い。

ところで、基板Ｓの有効エリアの周囲領域が狭く、基板Ｓの有効エリア端縁部分に対する液盛り状態のバラツキが懸念される場合があり、この場合における基板Ｓを第１の現像液供給ノズル２２による現像液供給エリアへ突入させるに際の好ましい変形実施態様について説明する。図８はかかる変形実施態様にかかる処理工程図、図９はこれに対応するタイムチャートである。

この実施形態では、基板Ｓが所定位置にまで搬送されて来た時点（図７のステップＳ２１の時点）で、既に高速（第２の搬送速度ｖ２）に加速しておくと共に、第１の現像液供給ノズル２２からは所定の増加流量Ｇ２での吐出を開始させておく。図８（ａ）はこの状態を示している。そして図８（ｂ）の通り、基板Ｓを第１の現像液供給ノズル２２による現像液供給エリアに第２の搬送速度ｖ２で突入させる。そして、このような増加流量Ｇ２による現像液の供給は、図８（ｃ）に示すように、基板Ｓの有効エリアの端部ＥＰが第１の現像液供給ノズル２２を通過した後の一定期間まで継続される。このような変形実施態様によれば、現像液供給エリアへの突入時において現像液を増加流量Ｇ２で供給しているので、たとえ気泡等の噛み込みが発生したとしても、大流量の現像液の吐出によりこれを掻き落とすことができるようになる。しかも、基板Ｓの有効エリアの端部ＥＰが第１の現像液供給ノズル２２に至るときには、確実に高速搬送（第２の搬送速度ｖ２）状態とされているので、基板Ｓの有効エリアの周囲領域が狭い場合においても、基板Ｓの有効エリア端縁部分に対する液盛り状態のバラツキが生じず高品質な現像処理を行えるという利点がある。なお、図８（ｄ）以下の動作については、図５（ｄ）以下の動作と同様であるので、説明を省略する。

以上が本発明の要点部分である液層形成室２における処理である。上記の如く液層形成室２において現像液の液層Ｌが形成された状態（図５（ｇ）の状態）の基板Ｓは、図１に示すように、搬送ローラ２１から搬送ローラ３１へ渡されて処理進行室３へ搬送される。搬送ローラ３１は、例えば前記第１の搬送速度（低速）ｖ１での基板Ｓの搬送を所定時間継続し（一時的に基板Ｓの搬送を停止させるようにしても良い）、その表面に形成されている現像液の液層Ｌによる処理を進行させ、パドル現像を行わせる。処理進行室３において所定時間だけ現像処理が行われると、基板Ｓは表面に現像液の液層が形成されたままの状態で搬送ローラ３１から搬送ローラ４１へ渡されて姿勢変換室４へ搬送される。ここで基板Ｓは片方に傾斜した姿勢とされ、この基板Ｓの傾斜により、基板Ｓ上の液層（現像液）のほとんど全てが流下される。

しかる後基板Ｓは、同じ傾斜姿勢のままで搬送ローラ５１へ渡されて洗浄室５へ搬送され、洗浄液供給ノズル５２，５３からの洗浄液の供給、及びロールブラシ５４の洗浄動作により、基板Ｓの表裏面が洗浄される。この姿勢変換室４から洗浄室５への搬送は、他の搬送動作よりも搬送ローラ４１、５１を高速に駆動（例えば前述の第２の搬送速度（高速）ｖ２による駆動）して行われる。これにより、基板Ｓの全面にできるだけ時間差なく洗浄液を供給して基板Ｓに触れている現像液を洗い落として、ムラ無く速やかに現像処理を終了することができる。

洗浄室５から傾斜姿勢で搬送ローラ５１により搬送される基板Ｓ、は同じ傾斜姿勢のままで搬送ローラ６１へ渡されて乾燥室６へ搬送される。乾燥室６においては、搬送ローラ６１により傾斜姿勢で搬送される基板Ｓの表面及び裏面にエアナイフ６２，６３からエアを吹き付けて洗浄液を吹き飛ばし、基板Ｓの乾燥が行われる。そして乾燥室６から傾斜姿勢で搬送ローラ６１により搬送されてくる基板Ｓは、同じ傾斜姿勢のままで搬送ローラ７１へ渡されて姿勢変換室７へ搬送され、基板Ｓは再び水平状態に姿勢変換される。そして、かかる姿勢変換動作後に、搬送ローラ７１を駆動して基板Ｓを図示しない基板受け入れ装置へ搬出し、当該基板Ｓの処理が完了するものである。

以上説明した通りの実施形態によれば、液層形成室２における現像液の液盛り（現像反応の開始）と、洗浄室５における洗浄（現像反応の停止）とを共に、基板を高速搬送している状態で行うので現像ムラが生じにくく、とりわけ基板搬送速度を液層形成室２と洗浄室５とで一致させることで現像処理時間を基板面内で均一化することができ、より現像ムラの発生を抑制することが可能となる一方で、処理進行室３等では基板の搬送速度を低速とするので装置長の冗長化を抑制できる。そして、このように基板搬送速度の高速から低速への切り換えを行うに際し、減速時の慣性力により生ずる基板Ｓ上の液層の層厚乱れを、上述の通り第２の現像液供給ノズル２３からの現像液の補填により是正するので、搬送速度変換に起因する現像ムラも発生することがなく、従って高品質な処理基板を製造することができるものである。

（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態おいて採用される制御手段１４０（第１実施形態における制御手段１４に相当）における制御状況を説明するための制御ブロック図、図１１は第２実施形態による処理工程図、図１２はタイムチャートを示している。本実施形態において第１実施形態と相違する点は、図１１に示すように複数のノズルを用いず一つの現像液供給ノズル２２Ｓのみを用い、制御手段１４０も現像液供給ノズル２２Ｓのみによる現像液供給に対応した制御を行う点である。すなわち制御手段１４０は、上記と同様な基板搬送速度の減速を行うに際し、基板上に形成された液層の前記減速に伴う液面高さ変動が、該液層による基板処理に必要な液層厚さを保持しうる範囲内の減速度に選択する如き制御を行う。以下、この点を中心に説明し、その他の部分（全体構成等）は先の説明との重複を避けるため説明を簡略化ないしは省略する。

まず図１０の制御ブロック図において、制御手段１４０は、第１実施形態の場合と同様なローラ駆動制御部１４３、センサ情報取得部１４４を備えると共に、現像液供給ノズル制御部１４５及び減速度設定部１４６を備えている。

現像液供給ノズル制御部１４５は、基板位置検知センサ８からセンサ情報取得部１４４に与えられた基板位置情報に基づき、現像液供給ノズル２２Ｓからの現像液の吐出のＯＮ−ＯＦＦ、並びにＯＮの場合の吐出量を決定し、吐出指示信号を生成して給液装置１２０へ送信する。これを受けて給液装置１２０のインバータ制御部１２１は、前記吐出指示信号に応じてインバータ制御してポンプ１２ａを動作させ、所要量の現像液をタンク１１から現像液供給ノズル２２Ｓへ向けて圧送させ、これを現像液供給ノズル２２Ｓから吐出させる。

減速度設定部１４６は、メモリ等の記憶手段を備えており、基板Ｓのサイズ、現像液の粘度、液盛り層厚などを考慮し、予め定められた液層による基板処理に必要な液層厚さを保持しうる範囲内の減速度を記憶させるものである。ローラ駆動制御部１４３は、センサ情報取得部１４４に与えられた基板位置情報に基づき、基板Ｓの搬送速度を低速（第１の搬送速度、第３の搬送速度）、高速（第２の搬送速度）、さらに低速から高速への加速、高速から低速への減速を変化させるべく、搬送ローラ２１等の駆動源１３を駆動させる駆動信号を生成するのであるが、高速から低速への減速を行うに際しての減速度は、操作者によって減速度設定部１４６に設定された減速度が採用されるようになっている。

次に図１１の処理工程図、図１２のタイムチャートにおいて、図示しない基板供給装置から供給される基板Ｓは、図１１（ｈ）に示すように、ほぼ水平姿勢で搬送されて液層形成室へ導入され（このときの基板搬送速度は、第１の搬送速度（低速）ｖ１）、現像液供給ノズル２２Ｓによる現像液の吐出位置（現像液供給エリア）に向けて基板Ｓが送られ、現像液の流れに突入される。このとき、現像液供給ノズル２２Ｓによる現像液の吐出量は、図１２のタイムチャートに示すように、突入直前は通常の現像処理に必要な流量よりも少ない低流量Ｇ０で現像液の吐出量とされ、突入後に通常の現像処理に必要な流量（通常流量Ｇ１）とされる点、及び基板搬送速度が、第１の搬送速度（低速）ｖ１から第２の搬送速度ｖ２へ向けての加速が行われる点については、第１実施形態と同様である。なお、基板Ｓの搬送速度の制御は、図１２のタイムチャートから明らかな通り、加速開始・終了時及び減速開始・終了時において、速度変移度合いを緩やかにするＳ字制御が採用されている。Ｓ字制御を採用することで、液盛り初期時の液盛り乱れが生じにくくなり、また減速時に生じる慣性力を緩和できるようになる。

次に、図１１（ｉ）に示すように、基板Ｓ上に液盛りが行われ、基板Ｓの搬送方向先端側から順に現像液の液層Ｌが形成される。このとき、図１２に示すように基板の搬送速度の加速は完了し、第２の搬送速度（高速）ｖ２による搬送が行われている。そして該液盛り処理は、図１１（ｊ）に示すように、基板Ｓの搬送方向後端部が現像液供給ノズル２２Ｓを通過するまで継続される。

そして基板Ｓの後端部通過が基板位置検知センサ８により検知されると、制御手段１４０の現像液供給ノズル制御部１４５は吐出停止信号を生成して給液装置１２０へ送信し、またローラ駆動制御部１４３はローラ駆動源１３に所定の速度へ減速させるための制御信号を、減速度設定部１４６に設定されている減速度情報に基づいて生成して送信する。これにより、現像液供給ノズル２２Ｓからの現像液の吐出は停止されると共に、基板Ｓの搬送速度を現状の第２の搬送速度ｖ２から第３の搬送速度ｖ３（第１の搬送速度ｖ１と同速度であっても良い。図１２のタイムチャートでは同速度の場合を例示している）へ減速する減速動作が開始される。図１１（ｊ）はこの状態を示しており、以上の工程により液盛り自体は完了し、基板Ｓの全面に液層Ｌが形成されることとなる。

このとき、図１２に示すように、現像反応は既に開始しており、前記減速動作中にあって、現像反応が徐々に進行してゆくよう装置構成が為される。つまり、図１に示す処理進行室３の領域において、当該減速動作が為されるものである。

引き続いて、図１１（ｋ）に示すように、特定の減速度ｘにて、基板搬送速度の減速が継続される。このときの減速度ｘは、前述の通り基板Ｓ上に形成された液層Ｌの当該減速に伴う慣性力による液面高さ変動が、液層Ｌによる基板処理に必要な液層厚さを保持しうる範囲内の減速度に選択されている。特定の減速度ｘは上述の通り基板Ｓのサイズ等により適宜定めれば良いが、例えば基板Ｓのサイズが１１００×１２５０ｍｍ、液盛りした液層Ｌの厚さが４〜５ｍｍ、現像液としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド０．４％又は２．８３％；粘度＝１ｃｐ程度）を採用した場合、減速度ｘ（搬送速度［ｍ／ｍｉｎ］／減速時間［ｓｅｃ］）は１．５〜０．３程度、特に１．０〜０．５程度に選定される。

このような減速動作が行われ、図１１（ｌ）に示すように、いずれ第３の搬送速度ｖ３にまでの減速が完了するのであるが、この減速動作の完了と共に、図１２に示すように液層Ｌによる現像が完了するように為されている。換言すると、バドル現像の工程において、基板Ｓの搬送速度の減速（第２の搬送速度ｖ２から第３の搬送速度ｖ３への減速）が完了するよう為されており、従って処理進行室３の長さは、かかる減速動作に必要な長さを具備するように装置構成が定められる。なお、本実施形態のようにパドル現像の完了時と減速完了時を必ずしも一致させる必要はなく、減速完了前にパドル現像が完了するように構成（制御）してもよいが、両者が同時完了するように構成すれば、可及的に装置長さを短くできるので好ましい。

しかる後、姿勢変換室４による基板Ｓの傾斜、洗浄室５による基板Ｓの洗浄、乾燥室６による乾燥、さらに姿勢変換室７による姿勢変換を経て、基板Ｓの処理が完了する。

以上説明した通りの実施形態は、設備装置の小型化がさほど求められていない場合等において好適であって、基板Ｓの搬送方向後端側へ処理液を補填する別個の処理液供給手段等を設けずとも、パドル現像等に必要な所定の処理液の液層厚さを常時確保できるようになるので、処理液供給手段の装置構成を特段複雑化することなく、高品質な現像処理を行うことができるようになる。また第１、第２実施形態において、現像液の供給について専ら説明したが、エッチング液、洗浄液、或いは剥離液等の供給についても本発明は適用可能である。

本発明が適用された基板処理装置の全体構成の一例を模式的に示す側面図である。 本発明が適用された液層形成室の拡大側面図である。 上記液層形成室において用いられる現像液供給ノズルの一例を示す分解斜視図である。 本発明の第１実施形態における制御手段の制御状況を説明するための制御ブロック図である。 本発明の第１実施形態における処理工程図である。 本発明の第１実施形態におけるタイムチャートである。 本発明の第１実施形態におけるフローチャートである。 本発明の第１実施形態における変形実施態様を示す処理工程図である。 本発明の第１実施形態における変形実施態様を示すタイムチャートである。 本発明の第２実施形態における制御手段の制御状況を説明するための制御ブロック図である。 本発明の第２実施形態における処理工程図である。 本発明の第２実施形態におけるタイムチャートである。

符号の説明

１ 基板処理装置
１２ａ、１２ｂ ポンプ
１２０ 給液装置
１２１ インバータ制御部
１３ ローラ駆動源
１４、１４０ 制御手段
２ 液層形成室
２１、３１、４１、５１、６１、７１ 搬送ローラ（搬送手段）
２２ 第１の現像液供給ノズル（第１の処理液供給手段）
２３ 第２の現像液供給ノズル（第２の処理液供給手段）
２２Ｓ 現像液供給ノズル
３ 処理進行室
４、７ 姿勢変換室
５ 洗浄室
６ 乾燥室
Ｓ 基板
Ｌ 液層

Claims (6)

1. 基板上に処理液の液層を形成して処理する基板処理装置において、
   基板をほぼ水平に支持しつつ所定方向に搬送する搬送手段と、
   搬送手段によって搬送される基板の表面に処理液を供給して基板上に処理液の液層を形成する第１の処理液供給手段と、
   前記第１の処理液供給手段によって液層が形成された基板の搬送速度を減速させるように前記搬送手段を制御する制御手段と、
   少なくとも前記制御手段によって搬送速度を減速するときに、基板の搬送方向の少なくとも後端側領域に処理液を供給する第２の処理液供給手段とを具備し、
   前記第２の処理液供給手段は、前記制御手段により前記基板の搬送速度が減速されるのに先立って、前記第１の処理液供給手段によって前記基板表面に形成された前記液層に対して前記処理液の供給を開始し、この際に前記第２の処理液供給手段から供給される処理液の流量が、前記第１の処理液供給手段により処理液を供給する際の流量よりも低流量とされることを特徴とする基板処理装置。
2. 第１の処理液供給手段及び／又は第２の処理液供給手段は、インバータ制御された吐出機構を備えていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 基板上に処理液の液層を形成して処理する基板処理方法であって、
   ほぼ水平に基板を搬送しつつ該基板の表面に、第１の処理液供給手段により処理液を供給して基板上に処理液の液層を形成するステップと、
   少なくとも前記第１の処理液供給手段によって液層が形成された基板の搬送速度を減速させつつ、第２の処理液供給手段により、前記基板の搬送方向の少なくとも後端側領域に処理液を供給するステップとを具備し、
   前記第２の処理液供給手段は、前記基板の搬送速度の減速が開始される直前から、前記第１の処理液供給手段によって前記基板表面に形成された前記液層に対して前記処理液の供給を開始し、この際に前記第２の処理液供給手段から供給される処理液の流量が、前記第１の処理液供給手段により処理液を供給する際の流量よりも低流量とされることを特徴とする基板処理方法。
4. 第２の処理液供給手段から基板へ処理液の供給を、前記基板の搬送速度が所定の搬送速度への減速が完了した後の所定期間継続させることを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
5. 基板上に処理液の液層を形成して処理する基板処理方法であって、
   ほぼ水平な状態で基板を比較的低速の第１の搬送速度で搬送しつつ、第１の処理液供給手段による処理液供給エリアに基板を突入させ、基板を比較的高速の第２の搬送速度に加速しながら該基板の表面に処理液の液層形成を開始するステップと、
   基板を第２の搬送速度で搬送しつつ、第１の処理液供給手段で基板全面に処理液の液層を形成するステップと、
   基板が所定箇所まで搬送された時点であって、基板の搬送速度を前記第２の搬送速度から比較的低速の第３の搬送速度への減速を開始させる直前に、前記第１の処理液供給手段により処理液を供給する際の流量よりも低流量で、第２の処理液供給手段により基板上に形成された液層へ処理液の供給を開始するステップと、
   基板の搬送方向後端部が第１の処理液供給手段を通過した後において、基板の搬送速度を前記第３の搬送速度へ減速するステップと、
   前記第３の搬送速度への減速を完了させると共に、前記減速完了後の所定期間経過後に第２の処理液供給手段による処理液の供給を停止するステップと
   を具備すること特徴とする基板処理方法。
6. 第１の処理液供給手段による処理液供給エリアに基板を突入させるに際し、第１の処理液供給手段から処理液を供給する際の流量を、一時的に増加させることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
   

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