KR20110016418A - 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 - Google Patents

레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 Download PDF

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130045011A (ko) * 2011-10-25 2013-05-03 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리방법
KR20130049577A (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물
WO2014081127A1 (ko) * 2012-11-20 2014-05-30 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물 및 포토레지스트의 박리방법
KR20150049674A (ko) * 2013-10-30 2015-05-08 삼성디스플레이 주식회사 박리액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
KR20150109833A (ko) * 2014-03-21 2015-10-02 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20170106000A (ko) * 2016-03-11 2017-09-20 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
KR20170124359A (ko) * 2016-05-02 2017-11-10 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
KR101879576B1 (ko) * 2011-06-29 2018-07-18 동우 화인켐 주식회사 오프셋 인쇄용 요판 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법
KR20180129663A (ko) * 2017-05-26 2018-12-05 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 무연 납땜 용제용 세정제 조성물, 무연 납땜 용제의 세정 방법

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2395397A4 (en) * 2009-02-03 2012-10-03 Idemitsu Kosan Co RESIST STRIPPING COMPOSITION AND METHOD OF STRIPPING RESIST USING THE SAME
KR100950779B1 (ko) * 2009-08-25 2010-04-02 엘티씨 (주) Ｔｆｔ―ｌｃｄ 통합공정용 포토레지스트 박리제 조성물
CN103064263B (zh) * 2011-08-22 2015-06-10 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物及利用该组合物的抗蚀剂剥离方法
KR20140024625A (ko) * 2012-08-20 2014-03-03 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 제거용 박리액 조성물
US20140100151A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-10 Air Products And Chemicals Inc. Stripping and Cleaning Compositions for Removal of Thick Film Resist
CN102956505B (zh) * 2012-11-19 2015-06-17 深圳市华星光电技术有限公司 开关管的制作方法、阵列基板的制作方法
US9158202B2 (en) * 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
CN103308654B (zh) * 2013-06-13 2016-08-10 深圳市华星光电技术有限公司 用于测试光阻剥离液中水分含量的方法
US9346737B2 (en) * 2013-12-30 2016-05-24 Eastman Chemical Company Processes for making cyclohexane compounds
KR101586453B1 (ko) * 2014-08-20 2016-01-21 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
KR20170069268A (ko) * 2014-10-14 2017-06-20 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. 레지스트 패턴 처리용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법
KR102347618B1 (ko) * 2015-04-02 2022-01-05 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물
KR102529951B1 (ko) * 2015-12-14 2023-05-08 삼성디스플레이 주식회사 포토 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법
WO2018058341A1 (en) * 2016-09-28 2018-04-05 Dow Global Technologies Llc Sulfoxide/glycol ether based solvents for use in the electronics industry
KR102465604B1 (ko) * 2016-11-01 2022-11-11 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
CN106773562A (zh) * 2016-12-23 2017-05-31 昆山艾森半导体材料有限公司 一种去除az光刻胶的去胶液
CN108255027B (zh) * 2016-12-28 2024-04-12 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗液
JP6899220B2 (ja) * 2017-01-11 2021-07-07 株式会社ダイセル レジスト除去用組成物
US11279905B2 (en) * 2017-01-17 2022-03-22 Daicel Corporation Semiconductor substrate cleaning agent
CN108424818A (zh) * 2017-02-14 2018-08-21 东友精细化工有限公司 掩模清洗液组合物
CN108693717A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物
CN107271450A (zh) * 2017-06-20 2017-10-20 深圳市华星光电技术有限公司 一种聚酰胺/氮化硅膜致密性的检测方法
US11762297B2 (en) 2019-04-09 2023-09-19 Tokyo Electron Limited Point-of-use blending of rinse solutions to mitigate pattern collapse
CN110396315B (zh) * 2019-07-22 2020-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 改性修复液、制备方法及修复色阻的方法
CN114730709A (zh) * 2019-11-20 2022-07-08 日产化学株式会社 清洗剂组合物以及清洗方法
JP7577906B2 (ja) * 2020-09-22 2024-11-06 エルジー・ケム・リミテッド フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法
CN112947015A (zh) * 2021-02-08 2021-06-11 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 Pr胶剥离液及其在液晶面板制程再生中的应用
CN116285995A (zh) * 2021-12-20 2023-06-23 李长荣化学工业股份有限公司 用于移除硅的蚀刻组成物及使用其移除硅的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100528266B1 (ko) * 1996-03-22 2006-03-09 바스프 악티엔게젤샤프트 건식에칭후측벽잔류물제거용용액및제거방법
DE19801049A1 (de) * 1998-01-14 1999-07-15 Clariant Gmbh Verwendung von Formamidinium-Salzen als Bleichaktivatoren
KR100761608B1 (ko) * 2000-07-26 2007-09-27 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 팔라듐 제거액 및 팔라듐 제거방법
JP2002278092A (ja) * 2000-12-27 2002-09-27 Sumitomo Chem Co Ltd 剥離剤組成物
TWI297725B (en) * 2002-04-25 2008-06-11 Arch Spec Chem Inc Non-corrosive cleaning compositions for pemoving etch residues
JP2004029346A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
JP4443864B2 (ja) * 2002-07-12 2010-03-31 株式会社ルネサステクノロジ レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法
KR20060024478A (ko) * 2004-09-13 2006-03-17 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물
US20060116313A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Denise Geitz Compositions comprising tannic acid as corrosion inhibitor
KR20060064441A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물
US7700533B2 (en) * 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
KR101304723B1 (ko) * 2006-08-22 2013-09-05 동우 화인켐 주식회사 아미드계 화합물을 포함하는 포토레지스트 박리액 및 이를이용한 박리 방법
JP4617337B2 (ja) * 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US8361237B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101879576B1 (ko) * 2011-06-29 2018-07-18 동우 화인켐 주식회사 오프셋 인쇄용 요판 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법
KR20130045011A (ko) * 2011-10-25 2013-05-03 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리방법
KR101880302B1 (ko) * 2011-10-25 2018-07-20 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리방법
KR20130049577A (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물
KR101880303B1 (ko) * 2011-11-04 2018-07-20 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물
WO2014081127A1 (ko) * 2012-11-20 2014-05-30 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물 및 포토레지스트의 박리방법
KR20150049674A (ko) * 2013-10-30 2015-05-08 삼성디스플레이 주식회사 박리액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
KR20150109833A (ko) * 2014-03-21 2015-10-02 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20170106000A (ko) * 2016-03-11 2017-09-20 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
KR20170124359A (ko) * 2016-05-02 2017-11-10 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
KR20180129663A (ko) * 2017-05-26 2018-12-05 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 무연 납땜 용제용 세정제 조성물, 무연 납땜 용제의 세정 방법

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Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20170526

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Patent event date: 20170321

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20190425

Appeal identifier: 2017101003555

Request date: 20170726

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2017101003555; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20170726

Effective date: 20190425

PJ1301 Trial decision

Patent event code: PJ13011S01D

Patent event date: 20190425

Comment text: Trial Decision on Objection to Decision on Refusal

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Request date: 20170726

Decision date: 20190425

Appeal identifier: 2017101003555