KR20100109566A - 광전 변환 소자 구조 및 태양 전지 - Google Patents
광전 변환 소자 구조 및 태양 전지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100109566A KR20100109566A KR1020107019388A KR20107019388A KR20100109566A KR 20100109566 A KR20100109566 A KR 20100109566A KR 1020107019388 A KR1020107019388 A KR 1020107019388A KR 20107019388 A KR20107019388 A KR 20107019388A KR 20100109566 A KR20100109566 A KR 20100109566A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- type semiconductor
- semiconductor layer
- power generation
- contact
- layer
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 197
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 78
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 81
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L31/03685—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic System including microcrystalline silicon, uc-Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/07—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the Schottky type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PIN type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PIN type
- H01L31/1055—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PIN type the devices comprising amorphous materials of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the Schottky type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
본 발명의 과제는, 콘택트 저항을 저감시킴으로써 광전(光電) 변환 소자 구조의 변환 효율을 개선하는 것이다. 본 발명의 pin 구조의 광전 변환 소자 구조는 p형 반도체의 하전자대(荷電子帶)의 상한의 에너지 준위(準位) 또는 n형 반도체층의 전자 친화력과, 당해 반도체와 접촉하는 금속층의 워크 함수를 선택함으로써, 전극으로서 Al, Ag 등을 이용한 경우에 비교하여 콘택트 저항을 저감시킨다. 선택된 금속층은 Al, Ag 등에 의해 형성된 전극과 반도체와의 사이에 형성되거나, n형 또는 p형 반도체로 치환될 수 있다.
Description
본 발명은 광전(光電) 변환 소자 구조 및 당해 광전 변환 소자 구조를 포함하는 태양 전지에 관한 것이다.
종래 제안되어 있는 태양 전지에는 박막에 의해 형성된 광전 변환 소자 구조를 포함하는 태양 전지가 있다. 이 경우, i형 반도체층의 양면에 각각 일도전형(예를 들면 p형) 반도체층 및 역도전형(예를 들면, n형) 반도체층을 접촉시킨 구조를 포함하는 pin 구조가 채용되는 경우가 있다. 이러한 pin 구조를 채용한 경우, i형 반도체층에 전계(electric field)를 가함으로써 캐리어의 확산 길이를 길게 할 수 있다. 또한, 광전 변환 소자 구조에 있어서의 각 반도체층을 비정질(非晶質) 반도체, 미결정(微結晶) 반도체, 단결정 반도체, 다결정 반도체 등 여러 가지의 반도체에 의해 형성하는 것이 제안되고 있다. 또한, 각 반도체층을 형성하는 반도체로서, Si, SiC, Ge, SiGe 등을 사용하는 것도 제안되고 있다.
이와 같이, i층을 포함하는 3층 구조의 광전 변환 소자 구조를 포함하는 태양 전지는 서로 다른 3종류의 반도체층을 성막시킬 필요가 있기 때문에, 비용의 상승은 피할 수 없는 상황에 있다.
특허문헌 1 및 2에는 pin형 광전 변환 소자 구조를 포함하는 박막 태양 전지가 개시되어 있다. 구체적으로 말하면, 특허문헌 1에 기재된 박막 태양 전지는 미결정상(相)을 포함하는 비정질 실리콘(μc-Si)의 층을 갖는 pin형 비정질의 광전 변환 소자 구조를 갖고 있다. 즉, 특허문헌 1에 기재된 박막 태양 전지는, 발전층(發電層)을 형성하는 pin층 중 미결정상을 포함하는 반도체층(μc-Si)에 의해 p층을 형성하고, i층을 비정질 실리콘 게르마늄(a-SiGe)에 의해 형성함과 함께 당해 p층과 i층과의 사이에 p층보다도 밴드 갭이 넓고, p형으로 저(低)불순물 농도의 계면층을 형성하고 있다. 이 광전 변환 소자 구조는 광조사 후의 특성인 열화를 억제할 수 있음과 함께 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 특허문헌 2는 제조 프로세스에 있어서의 열 확산에 의한 계면 특성의 열화를 억제하여, 변환 효율이 높은 광전 변환 소자 구조를 포함하는 태양 전지를 개시하고 있다. 특허문헌 2에서는, 발전층을 형성하는 pin층 중 각각 미결정상을 포함하는 비정질 실리콘계 박막(μc-Si)에 의해 p형 및 n형 반도체층을 형성하고, 비정질 실리콘계 막에 의해 i형 반도체층을 형성한 광전 변환 소자 구조가 제안되고 있다. 또한, 특허문헌 2는 p형 또는 n형 반도체층과 i형 반도체층과의 사이에 복수층으로 이루어지는 계면 반도체층을 형성한 구조를 제안하고 있다. 여기에서는, i형 반도체층측의 계면 반도체층의 불순물 첨가량을 비정질 반도체층측의 계면 반도체층의 불순물 첨가량보다도 적게하고, 이에 따라 i형 반도체층의 p형 반도체층측 접합 계면에 있어서의 밴드 갭을 i형 반도체층의 밴드 갭보다 넓게 하고 있다. 상기한 광전 변환 소자 구조를 포함하는 태양 전지는 계면 특성의 열화를 억제할 수 있다.
전술한 바와 같이, 특허문헌 1 및 2는 모두 pin층의 3층으로 이루어지는 발전층의 내부 구조를 변화시킴으로써, 계면 특성의 열화를 억제하여 변환 효율의 향상을 도모하고 있다.
즉, 특허문헌 1은 p층과 i층과의 사이에 계면층을 형성하는 구성을 나타내고 있고, 한편, 특허문헌 2도 i형 반도체층과 p형 또는 n형 반도체층의 사이에 계면 반도체층을 형성하는 구성을 나타내고 있다. 바꾸어 말하면, 특허문헌 1 및 2 모두 pin층에 접촉하여 형성되는 전극층에 수반되는 콘택트 저항에 따르는 문제점에 대해서 지적하고 있지 않다.
본 발명의 목적은 전극층과 반도체층 사이의 콘택트 저항을 저감시킬 수 있는 광전 변환 소자 구조 및 태양 전지를 공급하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 발전층에 접촉하여 형성되는 발전층을 개선함으로써 변환 효율이 높고, 경제성이 높은 광전 변환 소자 구조 및 태양 전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 발전층 자체의 구조를 개선함으로써 콘택트 저항을 저감시킨 광전 변환 소자 구조 및 태양 전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 실시 형태에 의하면, 제1 전극층과, 제2 전극층과, 상기 제1 및 제2 전극층의 사이에 형성된 1개 또는 복수의 발전 적층체(積層體)를 포함하고,
상기 발전 적층체는, p형 반도체층과, 당해 p형 반도체층에 접촉하여 형성된 i형 반도체층과, 상기 i형 반도체층에 접촉하여 형성된 n형 반도체층을 포함하고,
상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 p형 반도체층은 상기 제1 전극층에 접촉하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 n형 반도체층은 상기 제2 전극층에 접촉하고,
상기 제2 전극층은, 적어도 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분이 상기 접촉하는 n형 반도체층의 전자 친화력(n형 실리콘의 경우는 절대치로 4.09eV임)보다도 절대치가 작은 워크 함수(work function)를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제2 실시 형태에 의하면, 상기 제2 전극층의 적어도 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분이 마그네슘, 하프늄, 이트륨으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 한 종류의 단체(單體) 금속 또는 그의 합금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제3 실시 형태에 의하면, 상기 중 어느 하나에 있어서, 상기 발전 적층체의 적어도 1개에 있어서의 상기 i형 반도체층은, 결정 실리콘, 미결정 비정질 실리콘, 및, 비정질 실리콘 중 어느 하나에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제4 실시 형태에 의하면, 상기 중 어느 하나에 있어서, 상기 제2 전극층은 상기 접촉하는 n형 반도체층의 전자 친화력보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제5 실시 형태에 의하면, 상기 중 어느 하나에 있어서, 상기 제2 전극층은 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분을 제외한 부분이 상기 접촉하는 n형 반도체층의 전자 친화력보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속보다 높은 도전율의 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제6 실시 형태에 의하면, 상기 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 전극층의 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 상기 접촉하는 p형 반도체층의 하전자대(荷電子帶)의 상한의 에너지 준위(準位)(p형 실리콘의 경우는 절대치로 5.17eV임)보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제7 실시 형태에 의하면, 제1 전극층과, 제2 전극층과, 상기 제1 및 제2 전극층의 사이에 형성된 1개 또는 복수의 발전 적층체를 포함하고,
상기 발전 적층체는, p형 반도체층과, 당해 p형 반도체층에 접촉하여 형성된 i형 반도체층과, 상기 i형 반도체층에 접촉하여 형성된 n형 반도체층을 포함하고,
상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 p형 반도체층은 상기 제1 전극층에 접촉하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 n형 반도체층은 상기 제2 전극층에 접촉하고,
상기 제1 전극층은 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 상기 접촉하는 p형 반도체층의 하전자대의 상한의 에너지 준위보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제8 실시 형태에 의하면, 상기 제1 전극층의 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 니켈(Ni), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd), 및, 백금(Pt)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 일종의 단체 금속 또는 그의 합금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제9 실시 형태에 의하면, 상기 제1 전극층은 상기 접촉하는 p형 반도체층의 하전자대의 상한의 에너지 준위보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제10 실시 형태에 의하면, 상기 제1 전극층은, 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분을 제외한 부분이 상기 접촉하는 p형 반도체층의 하전자대의 상한의 에너지 준위보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속보다 높은 도전율의 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제11 실시 형태에 의하면, i형 반도체층과, 당해 i형 반도체층의 일표면에 접촉하여 형성된 일도전형의 반도체층과, 상기 i형 반도체층의 다른 표면에 직접 접촉하여 형성되며, 미리 정해진 금속으로 이루어지는 금속층을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제12 실시 형태에 의하면, 상기 금속층은 상기 i형 반도체층 및 상기 일도전형의 반도체층과 함께, 발전 영역을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제13 실시 형태에 의하면, 상기 일도전형의 반도체층에 직접 또는 다른 발전 영역을 통하여 접촉하여 형성된 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제14 실시 형태에 의하면, 상기 금속층에 접촉하여 형성된 다른 전극층을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제15 실시 형태에 의하면, 상기 i형 반도체층의 일표면에 접촉하여 형성되는 일도전형의 반도체층은 p형 반도체층인 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제16 실시 형태에 의하면, 상기 11 내지 15 실시 형태 중 어느 하나에 있어서, 상기 i형 반도체층의 다른 표면에 접촉하여 형성되는 금속층의 금속은 상기 i형 반도체층을 구성하는 반도체가 n형 반도체인 경우의 당해 n형 반도체의 전자 친화력보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제17 실시 형태에 의하면, 상기 11 내지 14 실시 형태 중 어느 하나에 있어서, 상기 i형 반도체층의 일표면에 접촉하여 형성되는 일도전형의 반도체층은 n형 반도체층이고, 상기 i형 반도체층의 다른 표면에 접촉하여 형성되는 금속층의 금속은 상기 i형 반도체층을 구성하는 반도체가 p형 반도체인 경우의 당해 p형 반도체의 하전자대의 상한의 에너지 준위보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제18 실시 형태에 의하면, 제1 전극층과, 제2 전극층과, 상기 제 1 및 제2 전극층의 사이에 형성된 1개 또는 복수의 발전 적층체를 포함하고, 상기 발전 적층체는 p형 반도체층과, 당해 p형 반도체층에 접촉하여 형성된 i형 반도체층과, 상기 i형 반도체층에 접촉하여 형성된 n형 반도체층을 포함하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 p형 반도체층은 상기 제1 전극층에 접촉하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 n형 반도체층은 상기 제2 전극층에 접촉하고, 상기 제2 전극층은 적어도 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분이 Al 및 Ag보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제19 실시 형태에 의하면, 제18 실시 형태에 있어서, 상기 제2 전극층의 적어도 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분이 망간 및 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 한 종류의 단체 금속 또는 그의 합금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제20 실시 형태에 의하면, 제1 전극층과, 제2 전극층과, 상기 제 1 및 제2 전극층의 사이에 형성된 1개 또는 복수의 발전 적층체를 포함하고, 상기 발전 적층체는, p형 반도체층과, 당해 p형 반도체층에 접촉하여 형성된 i형 반도체층과, 상기 i형 반도체층에 접촉하여 형성된 n형 반도체층을 포함하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 p형 반도체층은 상기 제1 전극층에 접촉하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 n형 반도체층은 상기 제2 전극층에 접촉하고, 상기 제1 전극층은 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 ZnO보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제21 실시 형태에 의하면, 제20 실시 형태에 있어서, 상기 제1 전극층의 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 코발트(Co) 또는 그의 합금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제22 실시 형태에 의하면, 상기 11 내지 21 실시 형태 중 어느 하나에 있어서, 상기 i형 반도체층은 실리콘에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
본 발명의 제23 실시 형태에 의하면, 상기 11 내지 22 실시 형태 중 어느 하나에 기재된 광전 변환 소자 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지가 얻어진다.
본 발명에 의하면, 전극층과 반도체층과의 콘택트 저항을 저감시킴으로써 변환 효율이 높은 광전 변환 소자 구조가 얻어진다.
도 1은 본 발명의 원리를 설명하는 광전 변환 소자 구조의 등가 회로(equivalent circuit)를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광전 변환 소자 구조를 설명하는 개략도이다.
도 3a는 n-Si와 금속의 접촉 전의 워크 함수가 φs<φm의 관계에 있는 경우의 밴드 구조 및 접촉 후의 밴드 구조를 나타내는 도면이다.
도 3b는 n-Si와 금속의 접촉 전의 워크 함수가 φs<φm의 관계에 있는 경우의 밴드 구조 및 접촉 후의 밴드 구조를 나타내는 도면이다.
도 4a는 n-Si와 금속의 접촉 전의 워크 함수가 φs>φm의 관계에 있는 경우의 밴드 구조 및 접촉 후의 밴드 구조를 나타내는 도면이다.
도 4b는 n-Si와 금속의 접촉 전의 워크 함수가 φs>φm의 관계에 있는 경우의 밴드 구조 및 접촉 후의 밴드 구조를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 광전 변환 소자 구조를 설명하는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 광전 변환 소자 구조를 설명하는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광전 변환 소자 구조를 설명하는 개략도이다.
도 3a는 n-Si와 금속의 접촉 전의 워크 함수가 φs<φm의 관계에 있는 경우의 밴드 구조 및 접촉 후의 밴드 구조를 나타내는 도면이다.
도 3b는 n-Si와 금속의 접촉 전의 워크 함수가 φs<φm의 관계에 있는 경우의 밴드 구조 및 접촉 후의 밴드 구조를 나타내는 도면이다.
도 4a는 n-Si와 금속의 접촉 전의 워크 함수가 φs>φm의 관계에 있는 경우의 밴드 구조 및 접촉 후의 밴드 구조를 나타내는 도면이다.
도 4b는 n-Si와 금속의 접촉 전의 워크 함수가 φs>φm의 관계에 있는 경우의 밴드 구조 및 접촉 후의 밴드 구조를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 광전 변환 소자 구조를 설명하는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 광전 변환 소자 구조를 설명하는 개략도이다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
도 1에 나타난 광전 변환 소자의 등가 회로도를 참조하여 본 발명의 원리를 설명한다. 도시되어 있는 바와 같이, 태양 전지를 구성하는 광전 변환 소자 구조는 빛의 조사에 의해 전기를 발생하는 발전층(즉, 전지 부분)(10), 당해 발전층(10)에 있어서의 접합 계면의 부정합(不整合)에 의해 흐르는 누설 전류(leakage current)에 상당하는 병렬 저항(Rsh), 발전층(10)을 사이에 끼우는 2개의 전극 사이의 저항(Rs)에 의해 등가적으로 나타낼 수 있다. 여기에서, 저항(Rs)은 각 전극 자체의 저항과, 각 전극과 발전층을 형성하는 반도체층과의 사이의 콘택트 저항의 합성 저항이다. 도면으로부터도 분명한 바와 같이, 부하(負荷)는 2개의 저항(Rs)간에 접속되게 된다.
본 발명의 원리는, 도 1에 나타난 등가 회로에 있어서의 저항(Rs)의 콘택트 저항을 저감시킴으로써 광전 변환 소자 구조의 변환 효율을 향상시키는 것에 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 광전 변환 소자 구조는 도 2에 나타내는 바와 같이, 투명 전극에 의해 형성된 제1 전극(21)과, Al 또는 Ag와 같이 높은 반사율을 갖는 제2 전극(22)과, 제1 및 제2 전극(21, 22)의 사이에 형성된 pin의 3층으로 이루어지는 발전층(25)을 구비하고 있다. 발전층(25)은 제1 전극(21)에 접촉하여 형성된 p형 반도체층(251), 제2 전극(22)에 접촉하여 형성된 n형 반도체층(252)과, p형 반도체층(251)과 n형 반도체층(252)과의 사이에 형성된 i형 반도체층(253)을 갖고 있다. 또한, 이 실시 형태에서는 발전층(25)을 구성하는 p형 반도체층(251), i형 반도체층(253), 및, n형 반도체층(252)으로서, 결정 실리콘(Si)을 사용하는 것으로 한다. 이 경우, 결정 실리콘에 의해 형성된 p-Si의 하전자대의 상한의 에너지 준위는 -5.17eV로, 이것보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속을 제1 전극(21)에 이용한다. 혹은, ZnO보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속 또는 그의 합금을 제1 전극(21)에 이용한다.
한편, n-Si의 전자 친화력은 -4.09eV로, 이것보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속을 제2 전극(22)에 이용한다. 혹은, Al 및 Ag보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속 또는 그의 합금을 제2 전극(22)에 이용한다.
본 발명의 제1 실시 형태에서는, 제2 전극(22)인 이면(裏面) 전극의 워크 함수에 주목하여 제2 전극(22)과 n형 반도체층(252)과의 사이의 콘택트 저항을 저감시켰다. 또한, 제2 전극(22)으로서는, 통상, -4.28eV의 워크 함수를 갖는 알루미늄(Al) 또는 -4.26eV의 워크 함수를 갖는 은(Ag)이 사용되고 있다.
여기에서는, 반도체(n-Si)의 전자 친화력 -4.09eV보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속으로, 바람직하게는 반사율이 높은 금속 재료로 제2 전극(22)을 형성한다. 구체적으로는, n-Si로 이루어지는 반도체와, 오믹 콘택트를 형성하는 금속 재료에 의해 제2 전극(22)을 형성함으로써, 콘택트 저항을 Al, Ag에 비교하여 저감시킬 수 있다.
또한, n-Si로 이루어지는 반도체에 대하여, 쇼트키 배리어(schottky barrier)를 형성하는 금속 재료를 사용함으로써도, 콘택트 저항을 Al, Ag에 비교하여 저감시킬 수 있다.
상기한 콘택트 저항을 저감시킬 수 있는 금속 재료는 n-Si와의 사이의 워크 함수를 고려함으로써 결정할 수 있다. 이하에서는, 금속 재료의 워크 함수를 φm으로 하고, 반도체(여기에서는, n-Si)의 전자 친화력을 φs로 나타내는 것으로 한다.
이제, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 진공 준위에 대한 워크 함수의 관계가 절대치로 φm<φs인 경우에 있어서의 접촉 전의 상태와 접촉 후의 상태가 나타나 있다. 이러한 반도체와 금속이 접촉하면, 도 3b에 나타내는 바와 같이 오믹 콘택트가 형성된다. n-Si의 φs는 전술한 바와 같이 -4.09eV이기 때문에, 당해 n-Si의 워크 함수보다도 절대치가 작은 워크 함수(φm)를 갖는 금속 재료는 워크 함수 -3.7eV인 Mg, 워크 함수 -3.9인 Hf, 워크 함수 -3.1eV인 Y 등을 이용할 수 있으며, 이들 금속을 사용함으로써 콘택트 저항을, Al, Ag를 n-Si에 접촉시킨 경우보다도 저하시킬 수 있다.
한편, Al 및 Ag보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속을 사용함으로써도 콘택트 저항을, Al, Ag를 n-Si에 접촉시켰을 경우보다도 저하시킬 수 있다.
예를 들면, 워크 함수 -4.1eV인 Mn 및 Zr은 -4.28eV인 Al, -4.26eV인 Ag와 동일하게 n-Si의 워크 함수 -4.09eV보다도 근소하게 작고, φs<φm의 관계에 있다. 이 경우, n-Si에 상기한 금속 재료가 접촉하기 전의 상태에서는 도 4a에 나타내는 상태에 있고, 한편, 양자가 접촉하면 도 4b에 나타내는 바와 같이 쇼트 키 배리어(장벽)가 형성된다. 그러나, n-Si의 표면이 강하게 도프되어 있으면 터널 전류에 의해 장벽을 통과하여 오믹 콘택트가 형성되는 것은 Al, Ag와 동일하다.
전술한 Mn, Zr의 워크 함수는 Al, Ag에 비교하여 n-Si의 워크 함수(φs)에 가깝고, Al 및 Ag보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖기 때문에, Mn, Zr에 의해 제2 전극(22)을 형성해도 Al, Ag를 사용한 경우보다도 콘택트 저항을 저하시킬 수 있다.
실제, Al과 n-Si와의 콘택트 저항은 5×10-6Ω·㎠정도이지만, 금속의 워크 함수(φm)와 n-Si의 워크 함수(φs)의 차가 0.05eV인 Mn, Zr에서는 5×10-12Ω·㎠정도의 콘택트 저항을 달성할 수 있었다. 또한, 다른 Mg, Hf, Y에 있어서도 10-8Ω·㎠정도까지 콘택트 저항을 저하시킬 수 있었다.
상기한 예에서는, 도 2에 나타낸 제2 전극(22)과 n-Si와의 사이의 콘택트 저항에 대해서 고찰했지만, 제1 전극(21)과 p-Si(251)에 있어서도 p-Si와 제1 전극 (21)간의 콘택트 저항을 저감시키는 것도 가능하다. 통상, p-Si의 하전자대의 상한의 에너지 준위(φs)는 -5.17eV로, 이것보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속을 제1 전극(21)에 이용한다. 예를 들면, p-Si의 하전자대의 상한의 에너지 준위(φs)(-5.17eV)보다 절대치가 큰 워크 함수(φm)를 갖는 금속(즉, φs<φm)을 사용한 경우 오믹 콘택트가 형성된다. 구체적으로 말하면, Ni의 워크 함수(φm)는 -5.2eV이기 때문에, Ni가 전극 재료로서 사용된 경우 p-Si와의 콘택트 저항을 저감시킬 수 있다. Ir, Pd, Pt도 각각 워크 함수가 -5.3eV, -5.2eV, -5.7eV이기 때문에 매우 적합하다.
도 5를 참조하여, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 광전 변환 소자 구조를 설명한다. 도 5에 나타난 광전 변환 소자 구조는 n-Si(252)와 제2 전극(22)과의 사이에 부가 금속층(30)을 형성한 구조를 갖고 있다. 도시된 제2 전극(22)으로서는 통상대로 Al 또는 Ag를 사용하고, 당해 제2 전극(22)에 있어서의 반사율을 확보하는 한편, 제2 전극(22)과 n-Si(252)와의 사이에 콘택트 저항 저감용 부가 금속층(30)을 형성하고 있다. 부가 금속층(30)을 형성하는 금속으로서는, 예를 들면, 제2 전극(22)을 형성하는 Al, Ag의 워크 함수(φm)보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속(Mg, Mn, Hf, Y, Zr 등)을 선택함으로써 콘택트 저항을 저감시킬 수 있다. 이러한 금속을 사용함으로써, n-Si(252)와의 사이에서 실질적으로 오믹 콘택트를 형성할 수 있다.
또한, -5.15eV의 워크 함수를 갖는 p-Si(251)와 제1 전극(21)과의 콘택트 저항을 작게 하기 위해, p-Si(251)와 제1 전극(21)의 사이에 부가 금속층을 형성할 수 있다. p-Si측의 전극으로서 -4.25eV의 워크 함수(φm)를 갖는 ZnO가 이용되고 있는 경우에는, -5.0eV인 Co, -5.2eV인 Ni 등의 ZnO보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속 재료를 부가 금속층으로서 사용함으로써, 콘택트 저항을 저감시킬 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 광전 변환 소자 구조는, 도 2에 나타낸 광전 변환 소자 구조 중, n-Si(252)를 금속층(35)으로 치환시킨 구조, 즉, n-Si(252)를 생략한 구조를 갖고 있다. 당해 금속층(35)으로서는, n-Si(252)와 동등한 정도의 워크 함수(φm)를 갖는 금속 재료가 이용된다. -4.09eV의 워크 함수(φs)를 갖는 n-Si(252)와 동등한 정도의 워크 함수(φm)를 갖는 금속으로서는 -4.1eV의 워크 함수(φm)를 갖는 Mn, Zr을 이용할 수 있다.
도 6에서는, n-Si(252)를 금속층(35)으로 치환시킨 예를 나타냈지만, -5.15eV의 워크 함수(φs)를 갖는 p-Si(251)를 금속층으로 치환할 수 있다. 이 경우, 워크 함수-5.0eV인 Co, -5.2eV인 Ni, -5.2eV인 Pd, -5.3eV인 Ir 등을 금속층을 형성하는 금속 재료로서 사용해도 콘택트 저항을 저감시킬 수 있다.
전술한 실시 형태에서는 결정 실리콘을 사용했을 경우에 대해서만 설명했지만, 본 발명은 하등 이에 한정되는 일 없이 비정질의 실리콘, 미결정을 포함하는 비정질 실리콘(μc-Si)을 사용한 경우에도 동일하게 적용할 수 있다. 이 경우, 비정질 실리콘 및 μc-Si의 워크 함수를 고려하여 금속을 선택하는 것은 말할 필요도 없다.
또한, 본 발명은 실리콘에 한정되는 일 없이, 다른 반도체를 이용한 경우에도 적용하여 콘택트 저항을 저감시킬 수 있어 변환 효율을 개선할 수 있다.
본 발명에 따른 광전 변환 소자는 태양 전지에 한정되지 않고, 다른 전자 기기용의 광전 변환 소자에도 적용할 수 있다.
10 : 발전층(전지 부분)
21 : 제1 전극
22 : 제2 전극
25 : 발전층
251 : p형 반도체층
252 : n형 반도체층
253 : i형 반도체층
30 : 부가 전극층
35 : 금속층
21 : 제1 전극
22 : 제2 전극
25 : 발전층
251 : p형 반도체층
252 : n형 반도체층
253 : i형 반도체층
30 : 부가 전극층
35 : 금속층
Claims (23)
- 제1 전극층과, 제2 전극층과, 상기 제1 및 제2 전극층의 사이에 형성된 1개 또는 복수의 발전(發電) 적층체(積層體)를 포함하고,
상기 발전 적층체는, p형 반도체층과, 당해 p형 반도체층에 접촉하여 형성된 i형 반도체층과, 상기 i형 반도체층에 접촉하여 형성된 n형 반도체층을 포함하고,
상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 p형 반도체층은 상기 제1 전극층에 접촉하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 n형 반도체층은 상기 제2 전극층에 접촉하고,
상기 제2 전극층은, 적어도 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분이 상기 접촉하는 n형 반도체층의 전자 친화력보다도 절대치가 작은 워크 함수(work function)를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전(光電) 변환 소자 구조. - 제1항에 있어서,
상기 제2 전극층의 적어도 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분이 마그네슘, 하프늄, 이트륨으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 한 종류의 단체(單體) 금속 또는 그의 합금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 발전 적층체의 적어도 1개에 있어서의 상기 i형 반도체층은, 결정 실리콘, 미결정(微結晶) 비정질(非晶質) 실리콘, 및, 비정질 실리콘 중 어느 하나에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 전극층은 상기 접촉하는 n형 반도체층의 전자 친화력보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 전극층은 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분을 제외한 부분이 상기 접촉하는 n형 반도체층의 전자 친화력보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속보다 높은 도전율의 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극층의 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 상기 접촉하는 p형 반도체층의 하전자대(荷電子帶)의 상한의 에너지 준위(準位)보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제1 전극층과, 제2 전극층과, 상기 제1 및 제2 전극층의 사이에 형성된 1개 또는 복수의 발전 적층체를 포함하고,
상기 발전 적층체는 p형 반도체층과, 당해 p형 반도체층에 접촉하여 형성된 i형 반도체층과, 상기 i형 반도체층에 접촉하여 형성된 n형 반도체층을 포함하고,
상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 p형 반도체층은 상기 제1 전극층에 접촉하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 n형 반도체층은 상기 제2 전극층에 접촉하고,
상기 제1 전극층은 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 상기 접촉하는 p형 반도체층의 하전자대의 상한의 에너지 준위보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 제1 전극층의 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 니켈(Ni), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd), 및, 백금(Pt)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 일종의 단체 금속 또는 그의 합금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극층은 상기 접촉하는 p형 반도체층의 하전자대의 상한의 에너지 준위보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극층은 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분을 제외한 부분이 상기 접촉하는 p형 반도체층의 하전자대의 상한의 에너지 준위보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속보다 높은 도전율의 금속으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - i형 반도체층과, 당해 i형 반도체층의 일표면에 접촉하여 형성된 일도전형의 반도체층과, 상기 i형 반도체층의 다른 표면에 직접 접촉하여 형성되며, 미리 정해진 금속으로 이루어지는 금속층을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조.
- 제11항에 있어서,
상기 금속층은 상기 i형 반도체층 및 상기 일도전형의 반도체층과 함께, 발전 영역을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 일도전형의 반도체층에 직접 또는 다른 발전 영역을 통하여 접촉하여 형성된 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속층에 접촉하여 형성된 다른 전극층을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 i형 반도체층의 일표면에 접촉하여 형성되는 일도전형의 반도체층은 p형 반도체층인 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 i형 반도체층의 다른 표면에 접촉하여 형성되는 금속층의 금속은 상기 i형 반도체층을 구성하는 반도체가 n형 반도체인 경우의 당해 n형 반도체의 전자 친화력보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 i형 반도체층의 일표면에 접촉하여 형성되는 일도전형의 반도체층은 n형 반도체층이고, 상기 i형 반도체층의 다른 표면에 접촉하여 형성되는 금속층의 금속은 상기 i형 반도체층을 구성하는 반도체가 p형 반도체인 경우의 당해 p형 반도체의 하전자대의 상한의 에너지 준위보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제1 전극층과, 제2 전극층과, 상기 제1 및 제2 전극층의 사이에 형성된 1개 또는 복수의 발전 적층체를 포함하고,
상기 발전 적층체는 p형 반도체층과, 당해 p형 반도체층에 접촉하여 형성된 i형 반도체층과, 상기 i형 반도체층에 접촉하여 형성된 n형 반도체층을 포함하고,
상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 p형 반도체층은 상기 제1 전극층에 접촉하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 n형 반도체층은 상기 제2 전극층에 접촉하고,
상기 제2 전극층은 적어도 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분이 Al 및 Ag보다도 절대치가 작은 워크 함수를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제18항에 있어서,
상기 제2 전극층의 적어도 상기 n형 반도체층에 접촉하는 부분이 망간 및 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 한 종류의 단체 금속 또는 그의 합금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제1 전극층과, 제2 전극층과, 상기 제1 및 제2 전극층의 사이에 형성된 1개 또는 복수의 발전 적층체를 포함하고,
상기 발전 적층체는 p형 반도체층과, 당해 p형 반도체층에 접촉하여 형성된 i형 반도체층과, 상기 i형 반도체층에 접촉하여 형성된 n형 반도체층을 포함하고,
상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 p형 반도체층은 상기 제1 전극층에 접촉하고, 상기 1개의 발전 적층체 또는 상기 복수의 발전 적층체 중의 상기 제1 전극측의 발전 적층체의 상기 n형 반도체층은 상기 제2 전극층에 접촉하고,
상기 제1 전극층은 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 ZnO보다도 절대치가 큰 워크 함수를 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제20항에 있어서,
상기 제1 전극층의 적어도 상기 p형 반도체층에 접촉하는 부분이 코발트(Co) 또는 그의 합금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제11항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 i형 반도체층은 실리콘에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자 구조. - 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재된 광전 변환 소자 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008057314 | 2008-03-07 | ||
JPJP-P-2008-057314 | 2008-03-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100109566A true KR20100109566A (ko) | 2010-10-08 |
KR101210502B1 KR101210502B1 (ko) | 2012-12-10 |
Family
ID=41055959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020107019388A KR101210502B1 (ko) | 2008-03-07 | 2009-03-02 | 광전 변환 소자 구조 및 태양 전지 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110000533A1 (ko) |
JP (1) | JPWO2009110403A1 (ko) |
KR (1) | KR101210502B1 (ko) |
CN (1) | CN101960613A (ko) |
DE (1) | DE112009000498T5 (ko) |
TW (1) | TW201001727A (ko) |
WO (1) | WO2009110403A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101818265B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2018-01-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101876470B1 (ko) | 2009-11-06 | 2018-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN102169916B (zh) * | 2011-02-16 | 2012-10-10 | 北京大学 | 基于一维半导体纳米材料的级联太阳能电池及其制备方法 |
JP5307280B2 (ja) * | 2011-08-15 | 2013-10-02 | シャープ株式会社 | 薄膜光電変換素子 |
TWI578553B (zh) * | 2012-01-05 | 2017-04-11 | 洪儒生 | 結晶矽太陽能電池及其製造方法 |
CN102646794A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-22 | 华北电力大学 | 一种p-i-n型聚合物太阳能电池及其制备方法 |
CN103077976A (zh) * | 2012-08-17 | 2013-05-01 | 常州天合光能有限公司 | 一种提高n型衬底hit太阳能电池开路电压的方法 |
CN103311367A (zh) * | 2013-05-31 | 2013-09-18 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法 |
US9577134B2 (en) * | 2013-12-09 | 2017-02-21 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap |
KR101867854B1 (ko) * | 2016-09-23 | 2018-06-15 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
CN106711273A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-05-24 | 东华理工大学 | 一种变掺杂变组分AlGaAsGaAs核辐射探测器 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2926754A1 (de) * | 1979-07-03 | 1981-01-15 | Licentia Gmbh | Solarzellen-anordnung |
JPS5674970A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-20 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric conversion device and its manufacture |
JPS5752176A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
US4378460A (en) * | 1981-08-31 | 1983-03-29 | Rca Corporation | Metal electrode for amorphous silicon solar cells |
JPH06188443A (ja) * | 1981-12-28 | 1994-07-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 可撓性光起電力装置 |
US4419530A (en) * | 1982-02-11 | 1983-12-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Solar cell and method for producing same |
JPS6193674A (ja) * | 1984-10-13 | 1986-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
US4680611A (en) * | 1984-12-28 | 1987-07-14 | Sohio Commercial Development Co. | Multilayer ohmic contact for p-type semiconductor and method of making same |
US4647711A (en) * | 1985-01-29 | 1987-03-03 | The Standard Oil Company | Stable front contact current collector for photovoltaic devices and method of making same |
JPS61203665A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-09 | Fujitsu Ltd | アモルフアスシリコン型フオトダイオ−ドの製造方法 |
JPS63169770A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-13 | Sharp Corp | アモルフアス太陽電池モジユ−ル |
JPS63194372A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Fuji Electric Co Ltd | 非晶質光電変換装置 |
JPS63233572A (ja) * | 1987-03-22 | 1988-09-29 | Nippon Denso Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
JPH01152765A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 |
JPH01259571A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
JPH02218174A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換半導体装置 |
JPH07326783A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Canon Inc | 光起電力素子の形成方法及びそれに用いる薄膜製造装置 |
EP0853822A4 (en) * | 1995-10-05 | 1999-08-18 | Ebara Solar Inc | SOLAR CELL WITH SELF-LOCALLY DIFFUSED SELF-ALIGNED TRANSMITTER |
JP2922465B2 (ja) * | 1996-08-29 | 1999-07-26 | 時夫 中田 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JP4253966B2 (ja) | 1999-12-06 | 2009-04-15 | 富士電機システムズ株式会社 | 非晶質薄膜太陽電池 |
JP2001257371A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 太陽電池作製方法及び太陽電池並びに集光型太陽電池モジュール |
JP4171162B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2008-10-22 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法 |
JP2003008038A (ja) | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
JP2004296491A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
AU2004259485B2 (en) * | 2003-07-24 | 2009-04-23 | Kaneka Corporation | Stacked photoelectric converter |
JP4511146B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-07-28 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法 |
JP2005109360A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ヘテロ接合太陽電池 |
JP2007005663A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP5242009B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2013-07-24 | 国立大学法人名古屋大学 | カーボンナノウォールを用いた光起電力素子 |
-
2009
- 2009-03-02 CN CN2009801076594A patent/CN101960613A/zh active Pending
- 2009-03-02 KR KR1020107019388A patent/KR101210502B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-03-02 JP JP2010501883A patent/JPWO2009110403A1/ja active Pending
- 2009-03-02 US US12/920,900 patent/US20110000533A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-02 DE DE112009000498T patent/DE112009000498T5/de not_active Ceased
- 2009-03-02 WO PCT/JP2009/053814 patent/WO2009110403A1/ja active Application Filing
- 2009-03-06 TW TW098107310A patent/TW201001727A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110000533A1 (en) | 2011-01-06 |
KR101210502B1 (ko) | 2012-12-10 |
WO2009110403A1 (ja) | 2009-09-11 |
JPWO2009110403A1 (ja) | 2011-07-14 |
DE112009000498T5 (de) | 2011-02-24 |
CN101960613A (zh) | 2011-01-26 |
TW201001727A (en) | 2010-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101210502B1 (ko) | 광전 변환 소자 구조 및 태양 전지 | |
CN109728103B (zh) | 太阳能电池 | |
US10084107B2 (en) | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices | |
JP5461028B2 (ja) | 太陽電池 | |
EP2816609B1 (en) | Solar cell | |
CN107369726B (zh) | n型晶体硅双面太阳电池 | |
US20120060914A1 (en) | Coplanar type photovoltaic cell and method for fabricating the same | |
WO2009110409A1 (ja) | 太陽電池 | |
CN112133763A (zh) | 一种p型晶体硅太阳能电池、生产方法 | |
US20110284074A1 (en) | Photovoltaic cell | |
AU2023222978A1 (en) | Photovoltaic cell, method for preparing same, and photovoltaic module | |
US8697986B2 (en) | Photovoltaic device with double-junction | |
JP2012038783A (ja) | 光電変換素子 | |
JP2004134432A (ja) | 光電変換装置 | |
WO2017163506A1 (ja) | 太陽電池セル | |
CN112466979B (zh) | 光伏器件 | |
CN220934090U (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
CN112466980B (zh) | 碳化硅电池 | |
CN112466975B (zh) | 光伏器件 | |
KR101173626B1 (ko) | 태양 전지 | |
CN211929501U (zh) | 异质结太阳能电池片 | |
KR20160117770A (ko) | 이중막 패시베이션 구조물 및 이를 포함하는 태양 전지 | |
WO2014002257A1 (ja) | 太陽電池 | |
US20100139751A1 (en) | Photovoltaic device and manufacturing method thereof | |
CN117727809A (zh) | 太阳能电池及光伏组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161122 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171120 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |