KR20100103389A - 회로 기판용 금속박 테이프 - Google Patents

Abstract

미리 회로가 형성된 회로 기판에 라미네이트되어 사용되는 금속박 테이프로서, 적어도 금속박과 접착제층으로 이루어지고, 그 금속박의 두께가 5 ∼ 100 ㎛ 이고, 그 접착제의 두께가 2 ∼ 40 ㎛ 인 회로 기판용 금속박 테이프.

Description

회로 기판용 금속박 테이프{METAL FOIL TAPE FOR CIRCUIT SUBSTRATE}

본 발명은, TCP (Tape Carrier Package), COF (Chip on Film), 플렉시블 프린트 배선판 등의 회로 기판에 사용되는 금속박 테이프에 관한 것이다.

종래, 회로 기판에 반도체 소자가 접속된 반도체 장치로는 TCP 나 COF 등이 알려져 있다. TCP 는, 폴리이미드 필름 등의 절연 필름 (예를 들어 12 ∼ 100 ㎛ 두께 × 35 ∼ 70 ㎜ 폭), 접착제, 구리박 (예를 들어 18 ㎛ 두께) 의 3 층 구조로 이루어지고, 이너 리드로서 플라잉 리드의 구조를 취하고 있으며, 배선 피치는 40 ㎛ 이상이 일반적이다. 이에 대하여, COF 는, 절연 필름과 구리박 (예를 들어 8 ∼ 35 ㎛ 두께) 으로 이루어지는 2 층 구조이고, 이너 리드가 절연 필름에 밀착되어 있기 때문에, TCP 와 비교하여 보다 미세한 배선을 형성하기 용이하고, 예를 들어 배선 피치가 30 ㎛ 이하인 이너 리드도 가능하다.

상기 TCP 나 COF 로 대표되는 반도체 장치에 있어서는, 반도체 소자가 동작함으로써 발생하는 다량의 열을 어떻게 효율적으로 방열시킬지가 문제가 된다. 즉, 발생한 열은, 일부가 반도체 소자의 전극 패드측 표면과는 반대측의 이면으로부터 외부로 방열되고, 일부가 범프, 이너 리드 및 아우터 리드를 통해 반도체 소자가 접속된 배선 기판으로부터 외부로 방열된다. 그리고 잔부가 반도체 소자의 표면으로부터 밀봉 수지와 절연 필름을 통해 외부로 방열된다. 이 방열이 불충분한 경우, 축적된 열에 의해 반도체 소자가 동작 불량을 일으킬 우려가 있다. 따라서, 반도체 소자가 발생하는 열을 어떻게 효율적으로 방열시킬지는 반도체 장치에 있어서 중요한 문제이다.

이와 같은 상황하에서, 최근, 반도체 소자로부터의 발열량은 크게 증가하는 경향이 있어, 상기 방열 문제는 더욱 큰 문제가 되고 있다. 예를 들어 상기 COF 의 경우, 최근 디스플레이의 대형화, 고해상도화에 따라, COF 의 반도체 소자에 가해지는 구동 전압 및 동작 주파수가 높아지고, 이로써 반도체 소자로부터의 발열량은 증대되고 있다.

또한 최근 전자 장치에는, 소형·박형·경량·고성능·고기능, 고품질·고신뢰성이 요구되게 되었고, 이와 같은 전자 장치에 사용되는 회로 기판도 고밀도 배선이 요구되게 되었다. 예를 들어 COF 용 회로 기판의 배선의 경우에는, 소형화, 고밀도화가 요구되고 미세화되어, 이너 리드의 폭은 예를 들어 15 ㎛ 이하로 작아졌다. 이 때문에, 상기 범프, 이너 리드 및 아우터 리드를 통한 방열 효율은 저하되어, 반도체 소자의 방열 대책이 심각한 문제가 되었다.

이와 같은 반도체 소자의 방열 문제를 개선하기 위해서, 예를 들어 일본 특허 공개 공보 제2002-261403호에는, 금속 방열판이 접착제를 통해 배선 기판에 접착된 방열판 부착 배선 기판이 제안되어 있다. 그러나, 여기서 제안되어 있는 금속 방열판의 금속 두께는 0.5 ∼ 2 ㎜ 로 되어 있다. 이와 같이 두꺼운 금속을 방열판으로서 사용한 경우, 방열 효율은 확보할 수 있지만, 그 두께 때문에 배선 기판 전체가 무거워짐과 동시에, 금속의 강성 때문에 배선 기판의 도체에 데미지를 주기 쉬워진다는 문제가 새롭게 발생한다. 게다가 금속이 접착된 부위에서 배선 기판을 절곡시키면 도체에 현저한 스트레스가 발생하여, 도체가 쉽게 파단된다는 문제도 있다. 또한, 금속 방열판과 배선 기판을 접착시키는 접착제의 두께도 40 ∼ 150 ㎛ 로 두껍고, 그 때문에 방열 효율이 저하됨과 함께, 도체에 스트레스를 주기 쉬워진다는 문제도 있다.

또한, 일본 특허 공개 공보 제2006-108356호에는, 일방의 면에 배선 및 반도체가 배치되고, 타방의 면에 방열 부재가 배치된 COF 등의 반도체 장치가 제안되어 있다. 그러나, 여기서 제안된 장치는, 방열 부재가 배치되는 위치가 제약되는 데다가, 사용되는 방열 부재의 두께나 특성에 대하여 관심을 기울이지 않았기 때문에, 방열 부재가 배치된 부위에서의 절곡 등에 대한 적성이 없다. 그 결과, 종래의 반도체 장치에는 사용 방법이 제한된다는 문제가 있다.

본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여, 반도체 장치에 요구되는 소형화, 경량화의 요구를 만족시키고, 또한 내열성이나 내절성(耐折性) 이 우수하고, 실장된 반도체 소자의 방열성이 높아진 회로 기판을 제조할 수 있는 금속박 테이프의 제공을 목적으로 하는 것이다.

본 발명에 의하면, 미리 회로가 형성된 회로 기판에 라미네이트되어 사용되는 금속박 테이프로서, 적어도 금속박과 접착제층으로 이루어지고, 그 금속박의 두께가 5 ∼ 100 ㎛ 이고, 그 접착제층의 두께가 2 ∼ 40 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 회로 기판용 금속박 테이프가 제공된다.

본 발명의 금속박 테이프는 반도체 장치에 요구되는 소형화, 경량화의 요구를 만족시키고, 또한 내열성이나 내절성(耐折性) 이 우수하고, 실장된 반도체 소자의 방열성이 높아진 회로 기판을 제조할 수 있다.

본 발명의 회로 기판용 금속박 테이프는, 적어도 금속박과 접착제층으로 이루어지는 것이고, 미리 회로가 형성된 회로 기판에 라미네이트되어 사용되는 것이다. 본 발명의 금속박 테이프가 라미네이트된 회로 기판은, 내절성을 저해시키지 않고 강도, 방열 효율이 향상된다. 이와 같이, 라미네이트하는 것만으로 회로 기판의 내절성을 저해시키지 않고 강도 및 방열 효율을 향상시킬 수 있는 금속박 테이프는 종래 존재하지 않았다.

본 발명의 금속박 테이프를 구성하는 상기 금속박의 두께는 5 ∼ 100 ㎛ 이고, 바람직하게는 7 ∼ 90 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 80 ㎛, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 60 ㎛ 이다. 그 두께가 5 ㎛ 미만에서는, 방열 효율이 저하됨과 함께, 강도가 저하되어 핸들링이 어려워진다. 한편, 100 ㎛ 를 초과하면, 지나치게 무거워짐과 함께, 내절성이 저하되는 경향이 있다. 따라서, 5 ∼ 100 ㎛ 두께의 금속박을 사용함으로써, 강도, 방열 효율 및 내절성을 구비한 금속박 테이프로 할 수 있다.

금속박의 재질로는, 구리, 알루미늄, 니켈, 텅스텐 등의 임의의 금속이나 니크롬, 스테인리스 등의 임의의 합금을 사용할 수 있고, 내절성이나 가공성 등의 관점에서 구리 및 알루미늄이 바람직하고, 또한 비용이나 내부식성 등의 관점에서 알루미늄이 보다 바람직하다. 또한, 금속박은 단층의 형태를 갖고 있어도 되고, 적층된 형태를 갖고 있어도 된다.

상기 금속박은, 그 인장 파괴 연신율이 3 ％ 이상인 것이 바람직하고, 4 ％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 인장 파괴 연신율이 3 ％ 이상인 금속박을 사용함으로써, 보다 내절성이 우수한 금속박 테이프로 할 수 있다. 또한, 그 인장 파괴 연신율의 상한값에 제한은 없지만, 제조가 용이하다는 점에서 통상 30 ％ 이고, 바람직하게는 20 ％ 이다. 또한, 인장 탄성률이 5 ∼ 40 ㎬ 의 범위에 있는 금속박을 사용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ∼ 35 ㎬ 이며, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 30 ㎬ 이다. 인장 탄성률이 5 ㎬ 이상인 금속박을 사용함으로써, 주름 등의 외관상의 문제를 일으키지 않고, 충분한 강도의 테이프로 할 수 있으며, 또한 40 ㎬ 이하로 함으로써, 회로 기판에 형성된 배선에 미치는 데미지가 작아지고, 내절성이 향상된다.

이와 같이, 인장 파괴 연신율이 크며, 그리고/또는 인장 탄성률이 낮은 금속박은, 예를 들어 200 ℃ 이상의 고온에서 금속박을 소둔 처리함으로써 바람직하게 얻을 수 있다. 금속박의 형성 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 압연 방법이나 전해 방법 등을 채용할 수 있다.

금속박 테이프의 접착제층에 사용되는 접착제로는, 아크릴계, 에폭시계, 실리콘계 등 임의의 종래 공지된 접착제를 사용할 수 있다. 이들 중에서는, 내열성이나 접착성 등의 관점에서, 아크릴계 접착제를 바람직하게 사용할 수 있다. 아크릴계 접착제는, 아크릴계 폴리머를 주성분 또는 베이스 폴리머로서 함유하는 조성물이다.

상기 아크릴계 폴리머로는 특별히 제한되지 않지만, 주구성 단량체 성분 (모노머 주성분) 으로서 (메트)아크릴산알킬에스테르 (아크릴산알킬에스테르, 메타크릴산알킬에스테르) 가 사용되는 것이 바람직하다. 알킬에스테르의 알킬로는, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 펜틸, 이소아밀, 네오펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 이소옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 이소노닐, 데실, 이소데실, 운데실, 도데실 등의 C_1-12 알킬이 바람직하다.

또한, 아크릴계 폴리머에 있어서, (메트)아크릴산에스테르는 단량체 주성분으로서 사용되고 있기 때문에, (메트)아크릴산에스테르의 비율로는, 단량체 성분 전체량에 대하여 50 중량％ 이상의 비율로 사용되고 있는 것이 중요하고, 바람직하게는 70 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 80 중량％ 이상이다. (메트)아크릴산에스테르 비율의 상한으로는, 물론 100 중량％ 이하이지만, 바람직하게는 97 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 95 중량％ 이하이다.

이와 같은 아크릴계 폴리머를 구성하는 모노머 성분으로는, (메트)아크릴산에스테르와 공중합할 수 있는 다른 모노머 성분이 1 종 또는 2 종 이상 사용되어도 된다. 이와 같은 공중합성 모노머 성분으로는, 예를 들어 (메트)아크릴산히드록시알킬 모노머, 수산기 함유 모노머, 카르복실기 함유 모노머 또는 그 산무수물, 아미드계 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 시아노기 함유 모노머, 관능기 함유 모노머, 비닐에스테르계 모노머, 스티렌계 모노머, 올레핀계 모노머, 이소시아네이트기 함유 모노머, 알콕시기 함유 모노머, 비닐에테르계 모노머 외에, 다관능 모노머도 사용할 수 있다. 특히, 공중합성 모노머 성분으로는, (메트)아크릴산히드록시알킬 등의 수산기 함유 모노머, (메트)아크릴산 등의 카르복실기 함유 모노머 또는 그 산무수물, 디알킬(메트)아크릴아미드 등의 아미드계 모노머 등의 관능기 함유 모노머 성분이 바람직하다. 따라서, 아크릴계 폴리머로는, 관능기를 함유하는 아크릴계 폴리머가 바람직하고, 특히, 카르복실기나 수산기를 함유하는 아크릴계 폴리머를 바람직하게 사용할 수 있다.

접착제층을 형성하기 위한 아크릴계 접착제 조성물에는, 아크릴계 폴리머와 가교 반응할 수 있는 관능기를 갖는 경화제를 배합하여, 열 경화형 아크릴계 접착제로 해도 된다. 경화제로는, 공지된 경화제 중에서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 메틸화메틸올멜라민, 부틸화헥사메틸올멜라민 등의 다관능 멜라민 화합물；디글리시딜아닐린, 글리세린디글리시딜에테르 등의 다관능 에폭시 화합물；톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 트리메틸올프로판톨릴렌디이소시아네이트, 폴리에테르폴리이소시아네이트, 폴리에스테르폴리이소시아네이트 등의 다관능 이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 경화제는 1 종 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 본 발명의 경화제로는 에폭시 경화제를 바람직하게 사용할 수 있다. 경화제의 사용량으로는, 아크릴계 폴리머 100 중량부에 대하여, 통상 0.01 ∼ 20 중량부, 바람직하게는 0.1 ∼ 10 중량부의 범위로 하는 것이 좋다.

접착제층을 형성하기 위한 아크릴계 접착제 조성물 중에는, 필요에 따라, 예를 들어 자외선 흡수제, 광 안정제, 박리 조정제, 가소제, 연화제, 충전제, 착색제 (안료나 염료 등), 노화 방지제, 계면 활성제, 난연제, 대전 방지제, 산화 방지제 등의 공지된 첨가제 등이 함유되어 있어도 된다.

상기 성분으로 이루어지는 접착제는, 그 경화 후의 인장 탄성률이 10 ㎫ 이하인 것이 바람직하다. 그 인장 탄성률이 10 ㎫ 이하이면, 내절성이 우수한 접착제층이 된다. 이러한 관점에서, 그 인장 탄성률은 5 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 ㎫ 이하, 특히 바람직하게는 1 ㎫ 이하이다. 그 하한은 대체로 0.05 ㎫ 이고, 바람직하게는 0.1 ㎫ 이다.

접착제층의 형성 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 기재로서의 금속박의 소정의 면 상에 직접 접착제를 도포하는 방법이나, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에스테르 등의 박리 가능한 필름 상에 접착제층을 형성한 후, 금속박 상에 전사하는 방법 등을 들 수 있다. 또한 접착제의 도포시에는, 관용되는 도공기 (예를 들어 그라비아 롤 코터, 딥 롤 코터, 바 코터, 나이프 코터, 스프레이 코터, 다이 코터 등) 를 사용할 수 있다.

본 발명의 금속박 테이프를 구성하는 접착제층의 두께는 2 ∼ 40 ㎛ 이고, 바람직하게는 3 ∼ 30 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 20 ㎛ 이다. 접착제층의 두께가 2 ㎛ 미만이면 균일한 층 형성이 곤란함과 함께 밀착성이 저하될 우려가 있고, 40 ㎛ 를 초과하면 회로 기판의 내절성이 저해됨과 함께, 방열 효율의 저하를 초래한다. 따라서, 접착제층의 두께를 2 ∼ 40 ㎛ 로 함으로써, 밀착성, 내절성 및 방열성이 우수한 회로 기판용 금속박 테이프로 할 수 있다.

접착제층 중에는, 열 전도성 필러, 예를 들어 산화규소, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소 등을 배합함으로써 방열성을 향상시킬 수 있다.

금속박 테이프 전체의 두께는 7 ∼ 140 ㎛ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ∼ 120 ㎛, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 100 ㎛ 이다. 그 두께가 지나치게 얇으면, 강도가 저하되어 핸들링이 어려워진다. 한편, 그 두께가 지나치게 두꺼우면, 내절성이 저하될 우려가 있다. 단, 이 전체의 두께는, 후술하는 이형 필름의 두께는 포함하지 않는 두께이다. 또한, 금속박의 두께에 대한 접착제층의 두께의 비 (접착제층의 두께/금속박의 두께) 는 1/50 ∼ 2 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1/20 ∼ 1/1 이다. 그 비가 지나치게 작으면 피착체에 대한 접착력이 약해질 우려가 있고, 그 비가 지나치게 크면 불필요한 접착제를 사용함과 함께, 방열 효율이 저하될 우려가 있다.

금속박 테이프의 폭은 피착체의 크기를 고려하여 결정되지만, 통상 5 ∼ 500 ㎜ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ∼ 300 ㎜, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 200 ㎜ 이다. 그 폭이 지나치게 좁으면 핸들링이 나빠지고, 지나치게 넓어도 핸들링이 나빠진다.

이와 같이 얻어진 금속박 테이프는, 이형성 (박리성) 필름이 보호 필름으로서 접착제층에 라미네이트 등에 의해 적층되어, 보호 필름 부착 회로 기판용 금속박 테이프로 할 수 있다. 이로써 저장, 수송에 바람직한 상태가 된다. 사용시에는, 보호 필름을 박리하여 원하는 전자 장치에 라미네이트한다. 상기 보호 필름으로는, 이형 처리가 실시된 폴리에스테르 필름이나, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등의 임의의 필름을 사용할 수 있다. 본 발명의 금속박 테이프는, 적절한 코어에 감아 롤 형상으로 할 수 있다.

본 발명의 금속박 테이프는, 예를 들어 TCP, COF 나 플렉시블 프린트 배선판 등의 회로가 미리 형성된 임의의 회로 기판에 사용할 수 있다. 또한, 회로 기판 전체면에 라미네이트해도 되고, 회로 기판의 일부에 라미네이트해도 되며, 그 설치 지점으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 절연 필름의 반도체 소자 탑재측과 반대측의 절연 필름면에 라미네이트할 수 있다. 또한, 절연 필름의 반도체 소자 탑재측의 예를 들어 배선의 둘레나, 커버레이 필름 상, 솔더 레지스트 상 등에도 라미네이트할 수 있다. 반도체 소자 탑재측에 라미네이트하면, 발열체인 반도체 소자와 보다 가까운, 즉 열 전달의 경로로서 절연 필름을 개재하지 않은 위치에 설치하게 되기 때문에, 방열성을 보다 향상시킬 수 있다. 본 발명의 금속박 테이프를 피착체인 회로 기판에 라미네이트하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 열 라미네이터 등을 사용하면 접착제층과 피착체 사이에 기포가 잘 들어가지 않기 때문에 바람직하다.

금속박 테이프를 피착체에 설치한 후, 접착제층을 가열이나 자외선 등의 에너지선 조사에 의해 경화시킬 수 있다. 열 경화의 온도 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 50 ℃ ∼ 260 ℃, 보다 바람직하게는 80 ℃ ∼ 200 ℃, 더욱 바람직하게는 100 ∼ 180 ℃ 에서 실시할 수 있다. 온도가 지나치게 낮으면 충분한 접착력을 얻기 위해서는 장시간의 경화가 필요해지기 때문에 생산성이 저하되고, 온도가 지나치게 높으면 접착제층의 열화나 발포의 우려가 있다. 또한, 경화 시간에 대해서도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 10 초 ∼ 12 시간으로 실시할 수 있다.

본 발명의 금속박 테이프는, TCP, COF 나 플렉시블 프린트 배선판 등의 임의의 회로 기판에 사용할 수 있는데, 특히 도체폭 30 ㎛ 이하의 회로를 갖고, 반도체가 탑재된 TCP 나 COF 등의 회로 기판에 사용함으로써, 반도체 구동시의 발열 등에 의한 온도 상승에 의해 일어나는 트러블을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 금속박 테이프가 라미네이트된 부위에서 회로 기판을 절곡시켜도 회로에 대한 데미지가 작기 때문에, 단선 등의 트러블이 잘 일어나지 않는 내절성이 우수한 회로 기판을 얻을 수 있다.

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 발명은 본 실시예에 한정되지 않는다.

실시예 1

두께가 50 ㎛, 폭 500 ㎜ 인 알루미늄박 (스미케이 알루미박 주식회사 제조, 1085-O, 양면 광택재, 인장 파괴 연신율 4.2 ％, 인장 탄성률 27.5 ㎬) 의 일방의 면 상에, 경화 후의 인장 탄성률이 0.38 ㎫ 인, 메타크릴산알킬에스테르 및 메타크릴산을 공중합하여 얻어진 아크릴계 폴리머에 경화제로서 에폭시 화합물이 배합된 열 경화형 아크릴계 접착제를 도포하고, 130 ℃ 에서 1 분간 건조시켜, 두께가 8 ㎛ 인 접착제층을 형성한 후, 그 접착제층 상에, 일방의 면이 실리콘계 이형 처리제에 의해 이형 처리된 두께 25 ㎛ 의 이형성 필름 (미츠비시 수지 주식회사 제조, MRX) 을 보호 필름으로서 중첩시켜, 알루미늄박/접착제층/보호 필름의 층 구성을 갖는 적층체로 하고, 또한 48 ㎜ 폭으로 슬릿하여 금속박 테이프를 얻었다.

얻어진 금속박 테이프를 폴리이미드 필름에 후술하는 조건에서 라미네이트하였다. 경화시킨 후의 접착력은 0.76 kN/m 로 우수하고, 260 ℃ 1 분의 가열 처리에 의한 기포 발생이나 팽창·박리는 확인되지 않았다. 또한, 0.5 ㎜ 폭의 도체를 갖는 회로 가공 시트에 라미네이트한 후의 MIT 시험기에 의한 내절성 시험에서는, 474 회로 우수한 내절성을 나타냈다.

실시예 2

금속박에, 30 ㎛ 두께의 알루미늄박 (닛폰 제박 주식회사 제조, 1N30, 편면 광택재, 인장 파괴 연신율 5.3 ％, 인장 탄성률 23.4 ㎬) 을 사용하고, 105 ㎜ 로 슬릿한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 알루미늄박/접착제층/보호 필름의 층 구성을 갖는 금속박 테이프를 얻었다. 얻어진 금속박 테이프의 접착력, 내열성 및 내절성의 결과를 표 1 에 나타낸다.

실시예 3

금속박에, 두께가 9 ㎛ 인 구리박 (후쿠다 금속 박분 공업 주식회사 제조, RCF-T5B, 인장 파괴 연신율 12.1 ％, 인장 탄성률 23.0 ㎬) 을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 구리박/접착제층/보호 필름의 층 구성을 갖는 금속박 테이프를 얻었다. 얻어진 금속박 테이프의 접착력, 내열성 및 내절성의 결과를 표 1 에 나타낸다.

실시예 4

접착제에, 경화 후의 인장 탄성률이 3.29 ㎫ 인 아크릴계 접착제를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 알루미늄박/접착제층/보호 필름의 층 구성을 갖는 금속박 테이프를 얻었다. 얻어진 금속박 테이프의 접착력, 내열성 및 내절성의 결과를 표 1 에 나타낸다.

실시예 5

접착제층 두께를 15 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 알루미늄박/접착제층/보호 필름의 층 구성을 갖는 금속박 테이프를 얻었다. 얻어진 금속박 테이프의 접착력, 내열성 및 내절성의 결과를 표 1 에 나타낸다.

비교예 1

금속박으로서 두께가 150 ㎛ 인 알루미늄박을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 알루미늄박/접착제층/보호 필름의 층 구성을 갖는 금속박 테이프를 얻었다. 얻어진 금속박 테이프의 접착력 및 내열성은 특별히 문제가 확인되지 않았지만, 알루미늄박이 150 ㎛ 로 두꺼웠기 때문에, 내절성이 80 회로 매우 열등한 결과였다.

비교예 2

접착제층 두께를 50 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 알루미늄박/접착제층/보호 필름의 층 구성을 갖는 금속박 테이프를 얻었다. 얻어진 금속박 테이프의 접착력은 양호했지만, 260 ℃ 에서 1 시간 가열 후에, 접착제층에서의 발포가 다수 확인되었다. 또한, 내절성은 95 회로 열등한 결과였다.

실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 2 에 의해 얻어진 금속박 테이프에 대하여, 하기 평가 방법에 의해 접착력, 내열성, 내절성을 평가하였다. 평가 결과는 표 1 에 나타냈다. 또한, 내열성 평가에 대해서는, 내열 시험에 의해 접착제층에 기포 발생이 관찰되지 않은 경우를 「○ (양호)」로 하고, 기포 발생이 관찰된 경우를 「× (불량)」로 하여 평가하였다.

두께의 측정은, 디지마이크로미터 (주식회사 니콘 제조, MS-11C＋MFC-101) 및 디지마이크로헤드에 초경(超硬) 플랫 측정자 (주식회사 미츠토요 제조, 파트 No.120056) 를 사용하여 실시하였다. 또한, 금속박의 두께에 대해서는 금속박 단일체로 측정하고, 접착제층에 대해서는 금속박과 접착제층의 2 층의 합계 두께를 측정하여, 그 값과 금속박의 두께의 차를 접착제층의 두께로 하였다.

접착력의 평가는 다음의 방법으로 실시하였다. 폴리이미드 필름 (토레·듀퐁 주식회사 제조, 카프톤 150EN) 과 금속박 테이프를, 금속박 테이프의 접착제층과 폴리이미드 필름이 접하도록 중첩시키고, 열 라미네이터 장치를 사용하여 120 ℃ 에서 0.5 m/분의 전송 속도로 열 라미네이트하고, 160 ℃ 에서 2 시간 경화시켜, 금속박 테이프와 폴리이미드 필름의 적층체로 하였다. 또한, 금속박 테이프가 보호 필름을 갖는 경우에는, 미리 보호 필름을 박리하고, 폴리이미드 필름과 라미네이트하였다. 다음으로 금속박을 2 ㎜ 폭으로 에칭 가공하여 측정용 시료로 하고, 측정용 시료의 폴리이미드 필름측을 양면 테이프로 두께 1 ㎜ 의 스테인리스판에 고정시키고, 50 ㎜/분의 속도로 금속박을 90° 방향으로 박리하여, 그 때의 박리 강도를 접착력으로 하였다.

내열성의 평가는 다음의 방법으로 실시하였다. 폴리이미드 필름 (토레·듀퐁 주식회사 제조, 카프톤 150EN) 에, 얻어진 금속박 테이프를 중첩시키고, 열 라미네이터 장치를 사용하여 120 ℃ 에서 0.5 m/분의 전송 속도로 열 라미네이트하고, 160 ℃ 에서 2 시간 경화시켜 내열성 평가용 시료로 하고, 260 ℃ 오븐에 1 분간 넣어 접착제층의 변화 모습을 관찰하였다.

내절성의 평가는 다음의 방법으로 실시하였다. COF 용 동장(銅張) 적층판 (스미토모 금속 광산 주식회사 제조, 에스파플렉스 도체 두께 8 ㎛/폴리이미드 두께 38 ㎛) 을 에칭 가공하여, 폴리이미드폭 10 ㎜ 이고 도체폭 0.5 ㎜ 인 회로 가공 시트를 얻었다. 그 회로 가공 시트에, 10 ㎜ 폭으로 절단된 금속박 테이프를 부착하고, 120 ℃, 0.5 m/분으로 열 라미네이트 후, 160 ℃ 에서 2 시간 경화시켜 내절성 시험용 시료로 하였다. 시험은 MIT 시험기 (토요 정기 주식회사 제조, MIT 내유 피로 시험기 MIT-DA) 를 사용하여 회로 가공 시트와 금속박 테이프가 중첩된 부분에서 굴곡 시험을 실시하여, 회로 가공 시트의 도체가 파단될 때까지의 굴곡 횟수를 측정하였다 (절곡 각도 ±135°, 곡률 반경 R = 0.8 ㎜, 절곡 속도 175 rpm, 하중 100 gf/10 ㎜W).

인장 탄성률·인장 파괴 연신율의 측정은 다음의 방법으로 실시하였다. 금속박에 대해서는, 인장 시험기 (주식회사 시마즈 제작소, Autograph AGS-H) 를 사용하여, 길이 150 ㎜, 폭 10 ㎜ 의 시료를 척간 거리 50 ㎜, 인장 속도 5 ㎜/분으로 측정하였다. 또한 접착제에 대해서는, 알루미늄박 (스미케이 알루미박 주식회사 제조, 1085-O, 양면 광택재) 상에 접착제를 도포하고, 130 ℃ 에서 4 분간 건조시키고, 또한 160 ℃ 에서 2 시간 경화시켜 두께가 50 ㎛ 인 접착제층을 형성한 후, 알루미늄박을 에칭에 의해 완전히 제거하여 접착제 단일막으로 하고, 그 접착제 단일막을 길이 150 ㎜, 폭 10 ㎜ 로 절단하고, 인장 시험기 (주식회사 시마즈 제작소, Autograph AG-IS) 를 사용하여 척간 거리 50 ㎜, 인장 속도 50 ㎜/분으로 측정하였다. 측정은 JIS K 7127 에 준거하여 실시하였다.

Claims (8)

1. 미리 회로가 형성된 회로 기판에 라미네이트되어 사용되는 금속박 테이프로서, 적어도 금속박과 접착제층으로 이루어지고, 그 금속박의 두께가 5 ∼ 100 ㎛ 이고, 그 접착제층의 두께가 2 ∼ 40 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 회로 기판용 금속박 테이프.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 금속박의 인장 파괴 연신율이 3 ％ 이상인 금속박 테이프.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 금속박의 인장 탄성률이 5 ∼ 40 ㎬ 인 금속박 테이프.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 금속박이 알루미늄박인 금속박 테이프.
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 접착제층이 아크릴계 접착제로 이루어지는 금속박 테이프.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 아크릴계 접착제층이 아크릴계 폴리머와 에폭시 경화제를 함유하는 금속박 테이프.
7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 접착제층을 구성하는 접착제의 경화 후의 인장 탄성률이 10 ㎫ 이하인 금속박 테이프.
8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 접착제층에 이형성 필름이 적층되어 있는 금속박 테이프.