JP6704860B2 - Ｃｏｆ型半導体パッケージ及び液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＣＯＦ型半導体パッケージ及び液晶表示装置に関するものである。本願は、２０１５年１月２９日に、日本に出願された特願２０１５−０１５７８７に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

近年、半導体チップ、トランジスター、コンデンサ、キャパシターなどの電子部品、電池（バッテリー）などの電気部品では、さらなる高性能化が進められている。それに伴って、電子部品や電気部品の発熱量が増大している。電子部品や電気部品が高温になると、寿命が短くなったり、信頼性が低下したりする場合がある。

例えば、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）は、高性能化により、個々のピクセルを制御する駆動チップのリードが微細化されている。そのため液晶表示装置では、コストダウン、軽量化、薄膜化および収率向上のため、１９９０年代末からパッケージング技術としてＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）が導入されてきている。しかしながら、ディスプレイの高解像度化に伴うＴＶ及びモニターの駆動周波数の増加から、ドライバＩＣの駆動負荷が上昇し、発生する発熱に対応できなくなってきている。

このため、従来、電子部品や電気部品には、これらが発生する熱をより効率的に放散できるヒートシンクやヒートスプッレダーが求められている。従来のヒートスプレッターとしては、アルミニウム箔や銅箔などの熱伝導性を有する金属箔に粘着テープを貼り合せたものなどが多く用いられている。
例えば、特許文献１には、粘着剤層とアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層上に、熱放射層を設けた熱放射シートを積層した、除熱用放熱シートが開示されている。
特許文献２には、ＣＯＦ型半導体パッケージの放熱対策として、ＣＯＦ型半導体パッケージングのポリイミドフィルム基板下部およびＩＣチップ上部にアルミニウムなどの金属類で構成された放熱パッドを設けることが開示されている。

特開２００５−１０１０２５号公報 特開２００８−２８３９６号公報

しかしながら、特許文献１に開示されている熱放射層は、アルミニウムまたはアルミニウム合金にアルミナを塗装したものであり、放熱性が十分とは言えなかった。またアルミナ層は、衝撃や変形により欠損が生じることがある。このアルミナ層の欠損等が生じると、十分な絶縁性を確保することができず、絶縁性を必要とする場所への使用は困難であった。

同様に特許文献２に開示されている放熱パッドは、特別な処理等が施されていないアルミニウムなどの金属類であり、十分な放熱性を実現できるとは言えなかった。また外部との絶縁性を確保することもできなかった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、チップから発生する熱を効率良く拡散、放熱でき、かつ外部環境との絶縁性を維持できるＣＯＦ型半導体パッケージを提供することを課題とする。

発明者らは、鋭意検討の結果、チップがフィルム上に付着したＣＯＦ型半導体パッケージであって、チップの上に、粘着層と、金属層と、熱放射フィラーおよびバインダーを含有する熱放射層と、絶縁層とを順に具備する熱放射シートを備えることで、チップから発生する熱を効率良く拡散、放熱でき、かつ外部環境との絶縁性を維持できることを見出した。
すなわち、本発明は以下に示す構成を備えるものである。

（１）本発明の一態様に係るＣＯＦ型半導体パッケージは、フィルムと、前記フィルム上に付着されたチップと、前記チップ上に設けられ、粘着層と、金属層と、熱放射フィラーおよびバインダーを含有する熱放射層と、絶縁層とを順に具備する熱放射シートと、を備える。

（２）上記（１）に記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記熱放射シートが、前記フィルムの前記チップが形成されていない面にさらに接着されていてもよい。

（３）上記（２）に記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記チップ上の熱放射シートと、前記フィルムの前記チップが形成されていない面にさらに接着された熱放射シートが、前記フィルムをはさんで対向する位置に接着されていてもよい。

（４）上記（１）〜（３）のいずれか一つに記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記絶縁層の平均厚みが５〜５０μｍであってもよい。

（５）上記（１）〜（４）のいずれか一つに記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記熱放射フィラーが炭素質材料であってもよい。

（６）上記（１）〜（５）のいずれか一つに記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記炭素質材料が、カーボンブラック、黒鉛および気相法炭素繊維から選ばれる１種または２種以上の材料であってもよい。

（７）上記（１）〜（６）のいずれか一つに記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記熱放射層の平均厚みが０．１〜５μｍであってもよい。

（８）上記（１）〜（７）のいずれか一つに記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記金属層の平均厚みが２０〜１００μｍであってもよい。

（９）上記（１）〜（８）のいずれか一つに記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記金属層がアルミニウム、銅、及びこれらを含む合金のいずれかであってもよい。

（１０）上記（１）〜（９）のいずれか一つに記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記粘着層の平均厚みが５〜５０μｍであってもよい。

（１１）上記（１）〜（１０）のいずれか一つに記載のＣＯＦ型半導体パッケージは、前記チップが複数あり、前記複数のチップを橋架けるように前記熱放射シートを接着されていてもよい。

（１２）本発明の一態様に係る液晶表示装置は、上記（１）〜（１１）のいずれか一つに記載のＣＯＦ型半導体パッケージを備える。

本発明のＣＯＦ型半導体パッケージは、チップから発生する熱をより効率よく拡散、放熱できる。

本発明の第１実施形態にかかるＣＯＦ型半導体パッケージの断面を模式的に示した図である。 本発明の第１実施形態の他の態様にかかるＣＯＦ型半導体パッケージの断面を模式的に示した図である。 本発明の第２実施形態にかかるＣＯＦ型半導体パッケージの断面を模式的に示した図である。 本発明の第２実施形態の他の態様にかかるＣＯＦ型半導体パッケージの断面を模式的に示した図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

「ＣＯＦ型半導体パッケージ」
（第１実施形態）
図１は、本発明の一態様にかかるＣＯＦ型半導体パッケージの断面を模式的に示した図である。図１に示すＣＯＦ型半導体パッケージ２０は、下部絶縁層９と、下部絶縁層９の上面に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数のリード８と、リード８の終端８Ａを除いて被覆する表面絶縁層７と、リード８の終端８Ａに接着されたチップ５と、チップ５のリードの終端８Ａが接着された面と反対側の面に接着された熱放射シート１０とを備える。熱放射シート１０は、絶縁層１と、熱放射フィラーおよびバインダーを含有する熱放射層２と、金属層３と、粘着層４とを順に備え、粘着層４の面がチップ５に接着される。図１では、下部絶縁層９、リード８、表面絶縁層７からなるシートフィルム上に一つのチップ５が実装されているが、本発明のＣＯＦ型半導体パッケージはこの態様に限られず、シートフィルムに複数のチップ５が実装されているものも含む。チップ５が固定されている周辺には、アンダーフィル層６が埋め込まれてチップを安定に固定している。アンダーフィル層６には、例えば異方導電性フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）や非導電性ペースト（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）などを用いることができる。

また本発明のＣＯＦ型半導体パッケージは、図１の態様に限られない。例えば、図２に示すＣＯＦ型半導体パッケージ３０のように、下部絶縁層９のリード８が配置されていない面に、さらに熱放射シート１０を備えてもよい。この場合、リード８が配置されていない面に形成される熱放射シート１０は、チップ５に対向する部分に形成されていることが好ましい。チップ５直下が最も高熱になり、当該部分を放熱することが最も好ましいためである。この場合、２つの熱放射シートは、構造が同一であれば各層の素材、例えば金属の種類、熱放射フィラー、バインダーの種類や量比、各層の厚さなど異なっていてもよく、それぞれに最適なものとすることができる。

＜熱放射シート＞
熱放射シート１０は、絶縁層１と、熱放射フィラーおよびバインダーを含有する熱放射層２と、金属層３と、粘着層４とを順に有する。
熱放射シート１０は、チップ５のリードの終端８Ａが接着された面と反対側の面に接着される。熱放射シート１０は、チップ５に接着する前には必要に応じてさらに粘着層４の露出面に剥離シートを積層していても良い。また各層の間には、その他の層を有していてもよい。
本明細書において、「平均厚み」とは、熱放射シート１０の断面を観察し、無作為に選んだ１０カ所の厚みを測定し、その算術平均値として得られた値を指す。厚みの測定は、マイクロスコープで観察した断面画像から算出もしくはマイクロメーターにより直接測定を行った。

（絶縁層）
絶縁層１は、チップ５を外部と電気的に遮断する層であり、熱放射シート１０を接合した際に、最外層となる層である。
熱放射層２の上に層を設けることは、熱放射を阻害するおそれがあり、当業者の通常の技術常識からは行われないが、本発明者らは熱放射層２の上に絶縁層１を設けても高い熱拡散性及び絶縁性を実現できることを見出した。

絶縁層１は、電気絶縁性を有する。ここで、絶縁性とは、例えば絶縁層１の両面に１〜５ｋＶの電圧を印加した際にも絶縁破壊されず、絶縁性を維持できることを意味する。
絶縁層１が絶縁性を有することで、電子部品等の中の絶縁性を必要とする場所での使用も可能となる。

絶縁層１を構成する材料としては、絶縁性を有すれば特に限定されず、樹脂材料やセラミック材料を使用することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンなどを用いることができる。絶縁性、耐熱性の観点から、ＰＥＴが特に好ましい。

絶縁層１の平均厚みは、５〜５０μｍであることが好ましく、５〜１５μｍであることがより好ましい。絶縁層１の平均厚みが５〜５０μｍであれば、十分な絶縁性と高い放熱性を維持することができる。

絶縁層１を熱放射層２の上に積層する方法は、特に限定されるものではない。例えば、絶縁層１となる樹脂を溶融押し出しし、熱放射層上にラミネートする方法や、予めフィルム状に成形された絶縁層１を各種の粘着剤、接着剤により熱放射層２と貼り合せる方法がある。

熱放射シート１０は、上述のような絶縁層１を有することで、外部との高い絶縁性を維持することができ、電子部品等の中の絶縁性を必要とする場所での使用も可能となる。また絶縁層１が、その下に形成される熱放射層２等を保護するため、耐摩耗性も向上することができる。すなわち、熱放射シート１０に衝撃や変形が加わっても、放熱性及び絶縁性を維持することができる。

（熱放射層）
熱放射層２は、熱放射フィラーおよびバインダーを含有する。

熱放射層２に用いられる熱放射フィラーは、放射率０．８以上であれば金属、非金属に関わらず特に限定されない。高熱放射率および低コストの観点からは、炭素質材料が好ましい。炭素質材料としては、アセチレンブラック、ケッチェンブラック等のカーボンブラック、黒鉛、気相法炭素繊維等が挙げられ、中でもカーボンブラックが好ましい。これらの中から１種または２種以上を選択して用いても良い。熱放射フィラーの粒子径は、累積質量５０％粒子径（Ｄ５０）が０．１〜２．０μｍであることが好ましく、０．２〜１．０μｍであることがより好ましい。累積質量５０％粒子径（Ｄ５０）が０．１〜２．０μｍであると、平滑性の高い熱放射層を得ることができる。

熱放射層２に用いられるバインダーとしては、熱放射フィラーを結着できる材料であれば特に限定されない。熱放射フィラーの結着性、熱放射フィラーおよびバインダーを含有する組成物の塗工性、及び熱放射層２としての皮膜性能の観点から、バインダーとしては、熱、又は光硬化性の樹脂が好ましい。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、オキセタン系樹脂、ビニルエーテル系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、ビニルエステル系樹脂および（メタ）アクリル系樹脂等を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、オキセタン系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ビニルエステル系樹脂、フェノール系樹脂、ノボラック系樹脂、アミノ系樹脂、および架橋性官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂、高分子多糖類等を用いることができる。

バインダーとして用いられる硬化性樹脂としては、耐久性、密着性の点で熱硬化のエポキシ系樹脂、又は高分子多糖類が好ましく、これらを酸架橋剤で架橋し硬化することが好ましい。エポキシ系樹脂としては、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦのジグリシジルエーテル、ビフェノールのジグリシジルエーテル等が例示でき、１種または２種以上を用いることが出来る。高分子多糖類としては、キトサン、キチンおよびその誘導体から選ばれる１種または２種以上が挙げられる。また、酸架橋剤としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水ドデシルコハク酸、無水メチルナジック酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、無水ブタンテトラカルボン酸などの酸無水物が挙げられ、それらの１種または２種以上を用いることが出来る。
熱放射層２における熱放射フィラーの含有量は、好ましくは２０〜５０質量％、より好ましくは３０〜４０質量％である。この範囲内であることにより熱放射フィラー単体の熱放射率に近づけ、放熱性を向上させるメリットがある。熱放射層２におけるバインダーの含有量は、好ましくは５０〜８０質量％、より好ましくは６０〜７０質量％である。この範囲内であることにより熱放射フィラーを基材上に担持するメリットがある。

熱放射層２の形成方法は、特に限定されない。例えば、熱放射フィラーおよびバインダーを含有する組成物を、絶縁層１又は金属層３の上に塗布、硬化することで熱放射層２を形成することが出来る。
熱放射フィラーおよびバインダーを含有する組成物は、必要に応じて溶剤で希釈してから塗布、乾燥、さらに硬化させて熱放射層２を形成してもよい。
熱放射フィラーおよびバインダーを含有する組成物の塗工方法としては、均一の厚みの薄膜を形成することが出来るグラビア塗工が好ましい。
熱放射層の平均厚みとしては、０．１〜５μｍであることが好ましく、０．５〜３μｍであることがより好ましい。熱放射層の平均厚みが０．１〜５μｍであれば、熱放射層内の熱放射フィラー量を十分確保でき、十分な放熱性を得られる。

（金属層）
金属層３は、熱放射層２と電子部品等の発熱体（チップ５）の間に備えられる。金属層３は、高い熱伝導性を有することで、熱放射層２にチップ５で発生した熱を効率よく伝えることができる。

金属層３としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウムおよびそれらの金属を含む合金などを用いることができる。熱伝導率が高い金属であることが好ましく、低価格や加工容易性の観点からは、金属層３として銅、アルミニウムおよびそれらの金属を含む合金を用いることが好ましい。

金属層３の平均厚みは、２０〜１００μｍであることが好ましく、３０〜８０μｍであることがより好ましい。金属層３の平均厚みが２０μｍ以上であると、熱放射性に優れた熱放射シート１０が得られるとともに、熱放射シート１０を製造する工程における金属層３の歪みや変形が少ないものとなる。金属層３の平均厚みが８０μｍ以下であると、発熱体に熱放射シート１０を接合する際の、熱放射シート１０の発熱体に対する形状追従性を十分に確保することができる。従って、発熱体の表面が曲面である場合にも、発熱体と熱放射シート１０との接触面積を十分に確保することができるため、発熱体の熱を効率よく放熱することができる。

（粘着層）
粘着層４は、熱放射シート１０を電子機器等の発熱体であるチップ５と接着するための層である。
粘着層４に用いられる粘着剤としては、特に限定されない。絶縁性と粘着力が十分であれば良く、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等を用いることが出来る。中でも、粘着力の点でアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。
粘着剤は、溶剤を含んだもの、無溶剤のもの、何れも用いることができる。粘着剤の凝集力を高める目的で、粘着剤に応じた硬化剤を含んでも良い。硬化剤としては、例えば、イソシアネート系化合物、エポキシ系化合物、アジリジン系化合物、メラミン系化合物等を用いることができる。
粘着層４の形成方法としては、例えば、金属層３または剥離シートの一方の面に、溶剤で希釈された粘着剤を塗布し、乾燥して熱硬化させる方法等が挙げられる。

本発明に用いる粘着層４の平均厚みは、５〜５０μｍであることが好ましく、８〜２０μｍであることがより好ましい。粘着層４の平均厚みが５μｍ以上であると、粘着層４と、チップ５および金属層３との接合強度が十分に高く、絶縁性も満足できる熱放射シート１０となる。粘着層４の平均厚みが５０μｍ以下であると、発熱体の熱を、粘着層４を介して金属層３に効率よく伝導できる。

粘着剤の塗布方法は、特に限定されない。例えば、グラビヤロールコーター、リバースロールコーター、キスロールコーター、ディップロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、スプレーコーター、コンマコーター、ダイレクトコーターなどを用いる方法が挙げられる。

粘着層４の粘着力は、後述する測定方法を用いて測定したＳＵＳ３０４に対する粘着力が５Ｎ／２５ｍｍ以上のものであることが好ましく、８Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、１０Ｎ／２５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。粘着層４の粘着力が５Ｎ／２５ｍｍ以上であると、粘着層４と、チップ５および金属層３との接合強度が十分に高い熱放射シート１０となる。

（粘着力の試験方法）
粘着層４の粘着力は、以下に示す方法により求める。
厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム（東レ株式会社製、「ルミラー（登録商標）Ｓ−１０」）を基材とし、基材上に粘着層４を形成して、試験用積層シートとする。次に、試験用積層シートを縦２５ｍｍ、横１００ｍｍの大きさに切り取り、短冊状シートとする。次いで、ＳＵＳ３０４からなる試験板上に、粘着層を試験板に向けて短冊状シートを積層する。その後、短冊状シート上を、２ｋｇのゴムローラー（幅：約５０ｍｍ）を１往復させて試験板と短冊状シートとを接合する。

接合された試験板および短冊状シートを、２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下で２４時間放置する。その後、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、短冊状シートの試験板に対する粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定する。

粘着層４は、粘着剤に絶縁性の熱伝導性フィラーを含有させてもよい。熱伝導性フィラーとしては、絶縁性で熱伝導性を有するものであればよい。例えば、金属酸化物、金属窒化物および金属水和物などから選択される１種または２種以上の粒子が挙げられる。金属酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタンなどが挙げられる。金属窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素などが挙げられる。金属水和物としては、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウムなどが挙げられる。

熱伝導性フィラーは、粉体であることが粘着層４へ均一に分散させる観点から好ましい。熱伝導性フィラーの粒子径は、累積質量５０％粒子径（Ｄ５０）が１〜５０μｍであることが好ましく、３〜３０μｍであることがより好ましい。また、熱伝導性フィラーの粒子径は、粘着層４の厚みに合せて適宜設定することが好ましい。累積質量５０％粒子径（Ｄ５０）が１〜５０μｍであると、粘着層４に含まれる熱伝導性フィラーと、発熱体（チップ５）および金属層３との接触面積が十分に得られ、発熱体（チップ５）の熱を、粘着層４を介して金属層３に効率よく伝導できる。

「累積質量５０％粒子径（Ｄ５０）」は、例えば、株式会社島津製作所製の商品名「ＳＡＬＤ−２００Ｖ ＥＲ」のレーザ回折式粒度分布測定装置を用いるレーザ回折式粒度分布測定により得られる。

（熱放射シートの製造方法）
熱放射シート１０の製造方法について特に制限はない。例えば、金属層３の片面に熱放射層２を形成し、その後、熱放射層２に絶縁層１をラミネートする。さらに金属層３のもう片面に粘着層４を貼り合せることで熱放射シート１０を得ることが出来る。得られた熱放射シート１０は、粘着層４の金属層３と貼り合せた面の反対側に、剥離シートが積層されることで、熱放射シート１０を発熱体に接合するまでの間、剥離シートによって粘着層４を保護できる。熱放射シート１０は、絶縁層１、熱放射層２、金属層３、および粘着層４がこの順で積層されていれば良く、必要に応じて各層の間に粘着剤層やラミネート層等の他の層を含んでもよい。

熱放射シート１０は、熱放射率が０．８〜１であることが好ましく、より好ましくは０．９〜１である。熱放射率が０．８〜１であれば、十分な熱放射性が得られる。

熱放射シート１０は絶縁破壊電圧が１ｋＶ以上であることが好ましい。より好ましくは、２ｋＶ以上である。絶縁破壊電圧が１ｋＶ以上であれば、弱電用途への使用に問題がなく使用が可能となる。

＜下部絶縁層、リード、表面絶縁層、チップ＞
本発明の一態様にかかるＣＯＦ型半導体パッケージに備えられた下部絶縁層９、リード８、表面絶縁層７、チップ５は従来公知の物を用いることができる。
下部絶縁層９、リード８、表面絶縁層７は、全体で柔軟性を有しており、下部絶縁層９を例えばポリイミドとし、リード８を例えば銅とし、表面絶縁層７を例えばＳＲ（ソルダーレジスト）層として、互いを積層して構成することができる。終端の一部が露出されたリード８の上部面には、半導体集積回路を有するチップ５が固定され、チップ５が固定されている周辺には、アンダーフィル層６が埋め込まれてチップを安定に固定している。アンダーフィル層６には、例えば異方導電性フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）や非導電性ペースト（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）などを用いることができる。

（第２実施形態）
図３および図４は、本発明の第２実施形態にかかるＣＯＦ型半導体パッケージの断面模式図である。第２実施形態のＣＯＦ型半導体パッケージは、チップ５が複数あり、熱放射シート１０が、この複数のチップ５を橋架けるように接着されている。このとき、チップ５は半導体パッケージ４０のように一枚のシートに複数接着されていてもよく、半導体パッケージ５０のように、１つのシートにチップ５が１つずつ接着されていてもよい。
このように、複数のチップに対して一つの熱放射シート１０が設けられている場合、各チップに熱放射シート１０を接着させる必要が無くなり、パッケージングが容易になる。各チップを一体として扱うことができ、実装時にも一括でボンディングすることができる。

「液晶表示装置」
本発明の一態様に係る液晶表示装置は、上述のＣＯＦ型半導体パッケージ２０、３０、４０または５０を備える。ＣＯＦ型半導体パッケージは、ＬＣＤパネルと接続されて実装される。このようにすることで、ＬＣＤパネルのフレキシブルプリント配線板上に、ドライバＩＣであるチップが実装される。

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。

（実施例１）
絶縁層１として１２μｍ厚のＰＥＴフィルム（東洋紡エステル（登録商標）フィルムＥ５１００：東洋紡社製）に接着剤を１μｍ厚となるように塗工乾燥し、次いで熱放射層２と金属層３を有するカーボンコートアルミ金属シート（昭和電工製：カーボンコートアルミ箔 ＳＤＸ（商標））のカーボンコート層上に貼り合せ、絶縁層１、熱放射層２、金属層３が順に積層された積層シートを形成した。熱放射層２は、熱放射フィラーとしてカーボンブラック、バインダーとしてキトサン誘導体をピロメリット酸により架橋させたものである。熱放射層２の平均厚みは1μｍであり、金属層３は、平均厚み５０μｍのアルミ箔である。
次いで、粘着層を作製した。粘着層を構成する粘着剤組成物は、アクリル系粘着剤（昭和電工株式会社製 ビニロール（登録商標） ＰＳＡ ＳＶ−６８０５ 固形分 ４７％ ）１００質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー株式会社製 コロネート（登録商標） ＨＸ 固形分１００％）１質量部、及び希釈用溶剤の酢酸エチル１００質量部を混合し、作製した。この粘着剤組成物を、剥離処理されたＰＥＴフィルム上にドクターブレードにより塗工し溶剤を乾燥させ、次いで剥離ＰＥＴを被せて粘着シートを得た。この粘着シートを、金属層３と接着させることで粘着層を得た。
このようにして作製された熱放射シートを、チップ上に接着し、チップの温度及び電気絶縁性を測定した。

（比較例１）
熱放射シートを用いない場合のチップの温度及び電気絶縁性を測定した。
（比較例２〜４）
熱放射シートの構成を表１に示す構成として、チップの温度及び電気絶縁性を測定した。

（電気絶縁性の評価）
ＪＩＳ Ｃ２１１０−１に準拠した方法で、各実施例および各比較例で作製した熱放射シートの厚さ方向の絶縁破壊電圧を測定した。
具体的には、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍの正方形の熱放射シートの剥離ＰＥＴフィルムを剥がしたものを測定サンプルとして用いた。
測定には菊水電子工業（株）製の耐電圧試験器（ＴＯＳ５１０１）を使用し、上部電極は直径２５ｍｍ、高さ２５ｍｍ、下部電極は直径７０ｍｍ、高さ１５ｍｍのものを使用した。
昇圧はＪＩＳ Ｃ２１１０−１の６０秒段階昇圧試験の条件に従って行い、サンプルが破壊された電圧を絶縁破壊電圧とした。
得られた結果について、以下のように評価した。
○：１ｋＶ以上
×：１ｋＶ未満

（チップ温度の評価）
回路基板（ＦＲ−４）に半導体チップ（０．５ｍｍ厚、９ｍｍ角）を実装した半導体装置を使用し、そのチップの上に実施例１、比較例１〜４で作製したサンプルを貼りつけ、外気温２５℃下、電圧５Ｖ、電力５Ｗにおけるチップの温度を測定した。測定のタイミングは、動作させてから温度が一定になった際の温度をチップ温度として測定した。チップの温度の測定方法は、チップと放熱積層シートの間にＫ熱電対用リード線（オメガ社製）を挟み、ＡＳ ＴＯＯＬ ＵＳＢ データロガー（アズワン社製）で測定した。

実施例１の構成のＣＯＦ型半導体パッケージのチップ温度と、比較例１〜３の構成のＣＯＦ型半導体パッケージのチップ温度を比較すると、実施例１の構成のＣＯＦ型半導体パッケージのチップ温度が低くなっていることがわかる。すなわち、本発明の構成のＣＯＦ型半導体パッケージは、高い放熱性を示していることがわかる。
また実施例１の構成のＣＯＦ型半導体パッケージと、比較例４の構成のＣＯＦ型半導体パッケージを比較すると、実施例１の構成のＣＯＦ型半導体パッケージは、電気絶縁性を有していることがわかる。すなわち、絶縁性を有する部分でも、当該ＣＯＦ型半導体パッケージを用いることができることがわかる。

１‥絶縁層、２‥熱放射層、３‥金属層、４‥粘着層、５‥チップ、６‥アンダーフィル層、７‥表面絶縁層、８‥リード、９‥下部絶縁層、１０‥熱放射シート、２０、３０、４０、５０‥ＣＯＦ型半導体パッケージ

Claims (14)

1. フィルムと、
   前記フィルム上に付着されたチップと、
   前記チップ上に設けられ、粘着層と、金属層と、熱放射フィラーおよびバインダーを含有する熱放射層と、絶縁層とを順に具備する熱放射シートと、を備え、
   前記粘着層が、粘着剤、もしくは粘着剤および硬化剤からなるＣＯＦ型半導体パッケージ。
2. 前記熱放射フィラーの累積質量５０％粒子径（Ｄ５０）は、０．１〜２．０μｍである請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
3. 前記バインダーが高分子多糖類を酸架橋剤で架橋した硬化物である、請求項１または２に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
4. 前記熱放射シートが、前記フィルムの前記チップが形成されていない面にさらに接着されている請求項１〜３のいずれか一項に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
5. 前記チップ上の熱放射シートと、前記フィルムの前記チップが形成されていない面にさらに接着された熱放射シートが、前記フィルムをはさんで対向する位置に接着されている請求項４に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
6. 前記絶縁層の平均厚みが５〜５０μｍである請求項１〜５のいずれか一項に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
7. 前記熱放射フィラーが炭素質材料である請求項１〜６のいずれか一項に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
8. 前記炭素質材料が、カーボンブラック、黒鉛および気相法炭素繊維から選ばれる１種または２種以上の材料である請求項７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
9. 前記熱放射層の平均厚みが０．１〜５μｍである請求項１〜８のいずれか一項に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
10. 前記金属層の平均厚みが２０〜１００μｍである請求項１〜９のいずれか一項に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
11. 前記金属層がアルミニウム、銅、及びこれらを含む合金のいずれかであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
12. 前記粘着層の平均厚みが５〜５０μｍである請求項１〜１１のいずれか一項に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
13. 前記チップが複数あり、
    前記熱放射シートが、前記複数のチップを橋架けるように接着された請求項１〜１２のいずれか一項に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
14. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載のＣＯＦ型半導体パッケージを備えた液晶表示装置。

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