TW201640631A - Ｃｏｆ型半導體封裝及液晶顯示裝置 - Google Patents

Ｃｏｆ型半導體封裝及液晶顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201640631A
TW201640631A TW105102346A TW105102346A TW201640631A TW 201640631 A TW201640631 A TW 201640631A TW 105102346 A TW105102346 A TW 105102346A TW 105102346 A TW105102346 A TW 105102346A TW 201640631 A TW201640631 A TW 201640631A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat radiation
layer
semiconductor package
type semiconductor
wafer
Prior art date
Application number
TW105102346A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI614856B (zh
Inventor
中西健一
池谷達宏
新井良和
Original Assignee
昭和電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 昭和電工股份有限公司 filed Critical 昭和電工股份有限公司
Publication of TW201640631A publication Critical patent/TW201640631A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI614856B publication Critical patent/TWI614856B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本發明一態樣之COF型半導體封裝，具備：膜；及晶片，附著於前述膜上；及熱放射片，設於前述晶片上，依序具備黏著層、金屬層、含有熱放射填料及黏結劑之熱放射層、絕緣層。

Description

COF型半導體封裝及液晶顯示裝置
本發明有關COF型半導體封裝及液晶顯示裝置。本案基於2015年1月29日於日本申請之特願2015-015787而主張優先權，將其內容援用於此。
近年來，半導體晶片、電晶體、電容器(condenser)、電容器(capacitor)等電子零件、電池(battery)等電性零件，正發展進一步的高性能化。伴隨此，電子零件或電性零件的發熱量愈發增大。若電子零件或電性零件變得高溫，則可能有壽命變短、可靠性降低之情形。
例如，液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display：LCD)，因高性能化，控制各個像素之驅動晶片的引線(lead)被做成微細化。因此液晶顯示裝置中，為求成本下降、輕量化、薄膜化及良率提升，從1990年代末開始便導入COF(Chip on Film，覆晶薄膜)作為封裝技術。然而，由於顯示器的高解析度化所伴隨之TV及監 視器的驅動頻率增加，驅動IC的驅動負載上昇，對於產生之發熱逐漸變得無法因應。
因此，習知，電子零件或電性零件中，需要能夠將它們產生的熱更有效率地逸散之散熱座(heat sink)或均熱器(heat spreader)。作為習知之均熱器，多使用在鋁箔或銅箔等具有熱傳導性的金屬箔上貼合接著膠帶而成之物等。
例如，專利文獻1中揭示一種在由黏著劑層與鋁或鋁合金所構成之層上，層積設有熱放射層的熱放射片而成之除熱用散熱片。
專利文獻2中，作為COF型半導體封裝的散熱措施，揭示一種在COF型半導體封裝的聚醯亞胺膜基板下部及IC晶片上部設置由鋁等金屬類所構成之散熱墊。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-101025號公報
[專利文獻2]日本特開2008-28396號公報
然而，專利文獻1揭示之熱放射層，係在鋁或鋁合金上塗裝了氧化鋁，散熱性難謂充分。此外，氧化 鋁層可能因衝撃或變形而發生破損。若發生該氧化鋁層之破損等，則無法確保充分的絕緣性，難以使用於需要絕緣性之場所。
同樣地專利文獻2揭示之散熱墊，為未施加特別處理等之鋁等金屬類，難謂能實現充分的散熱性。此外，也無法確保與外部之絕緣性。
本發明有鑑於上述事由而研發，研究課題在於提供一種能夠將從晶片產生的熱有效率地擴散、散熱，且能維持與外部環境的絕緣性之COF型半導體封裝。
發明團隊經致力研討之結果，發現了一種晶片附著於膜上之COF型半導體封裝，其在晶片之上具備熱放射片，該熱放射片依序具備黏著層、金屬層、含有熱放射填料及黏結劑之熱放射層、絕緣層，藉此便能將從晶片產生的熱有效率地擴散、散熱，且能維持與外部環境的絕緣性。
也就是說，本發明為具備以下所示構成之物。
(1)本發明一態樣之COF型半導體封裝，具備：膜；及晶片，附著於前述膜上；及熱放射片，設於前述晶片上，依序具備黏著層、金屬層、含有熱放射填料及黏結劑之熱放射層、絕緣層。
(2)上述(1)所述之COF型半導體封裝，前述熱放射片，更接著於前述膜的未形成有前述晶片之面 亦可。
(3)上述(2)所述之COF型半導體封裝，前述晶片上的熱放射片、與更接著於前述膜的未形成有前述晶片之面的熱放射片，係接著於夾著前述膜而相向之位置亦可。
(4)上述(1)~(3)中任一者所述之COF型半導體封裝，前述絕緣層的平均厚度為5~50μm亦可。
(5)上述(1)~(4)中任一者所述之COF型半導體封裝，前述熱放射填料為碳質材料亦可。
(6)上述(1)~(5)中任一者所述之COF型半導體封裝，前述碳質材料為由碳黑、石墨及氣相法碳纖維中選擇之1種或2種以上的材料亦可。
(7)上述(1)~(6)中任一者所述之COF型半導體封裝，前述熱放射層的平均厚度為0.1~5μm亦可。
(8)上述(1)~(7)中任一者所述之COF型半導體封裝，前述金屬層的平均厚度為20~100μm亦可。
(9)上述(1)~(8)中任一者所述之COF型半導體封裝，前述金屬層為鋁、銅、及包含它們的合金之任一種亦可。
(10)上述(1)~(9)中任一者所述之COF型半導體封裝，前述黏著層的平均厚度為5~50μm 亦可。
(11)上述(1)~(10)中任一者所述之COF型半導體封裝，前述晶片有複數個，將前述熱放射片以跨架前述複數個晶片的方式接著亦可。
(12)本發明一態樣之液晶顯示裝置，具備：上述(1)~(11)中任一者所述之COF型半導體封裝。
本發明之COF型半導體封裝，能夠將從晶片產生的熱更有效率地擴散、散熱。
1‧‧‧絕緣層
2‧‧‧熱放射層
3‧‧‧金屬層
4‧‧‧黏著層
5‧‧‧晶片
6‧‧‧底部填充層
7‧‧‧表面絕緣層
8‧‧‧引線
9‧‧‧下部絕緣層
10‧‧‧熱放射片
20、30、40、50‧‧‧COF型半導體封裝
[圖1]本發明第1實施形態之COF型半導體封裝的截面模型示意圖。
[圖2]本發明第1實施形態的另一態樣之COF型半導體封裝的截面模型示意圖。
[圖3]本發明第2實施形態之COF型半導體封裝的截面模型示意圖。
[圖4]本發明第2實施形態的另一態樣之COF型半導體封裝的截面模型示意圖。
以下，利用圖面詳細說明本發明之實施形態。本發明並非限定於以下實施形態，凡所屬技術領域者可容易理解在不脫離本發明要旨及其範圍之下，可將其形態及細節做種種變更。是故，本發明並非由以下所示實施形態之記載內容所限定解釋。
「COF型半導體封裝」 (第1實施形態)
圖1為本發明一態樣之COF型半導體封裝的截面模型示意圖。圖1所示之COF型半導體封裝20，具備：下部絕緣層9；及複數個引線8，形成於下部絕緣層9的上面，終端配置成集合於中央部分；及表面絕緣層7，披覆引線8的除了終端8A以外；及晶片5，接著於引線8的終端8A；及熱放射片10，接著於晶片5的供引線的終端8A接著之面的相反側之面。熱放射片10，依序具備絕緣層1、及含有熱放射填料及黏結劑之熱放射層2、及金屬層3、及黏著層4，黏著層4的面接著於晶片5。圖1中，在由下部絕緣層9、引線8、表面絕緣層7所構成之片膜上組裝有一個晶片5，但本發明之COF型半導體封裝並不限於此態樣，還包含在片膜上組裝有複數個晶片5者。在晶片5被固定之周邊，埋入有底部填充(underfill)層6以將晶片穩定地固定。底部填充層6，能夠使用例如異方導電性膜(Anisotropic Conductive Film：ACF)或非導電性膏(Non-Conductive Paste： NCP)等。
此外，本發明之COF型半導體封裝不限於圖1之態樣。例如，亦可如圖2所示之COF型半導體封裝30般，在下部絕緣層9的未配置有引線8之面，更具備熱放射片10。在此情形下，形成於未配置有引線8的面之熱放射片10，較佳是形成於和晶片5相向之部分。這是因為晶片5正下方最為高熱，將該部分散熱最佳的緣故。在此情形下，2個熱放射片，若構造相同，則各層的素材，例如金屬的種類、熱放射填料、黏結劑的種類或量比、各層的厚度等亦可相異，能夠分別訂為最適合者。
<熱放射片>
熱放射片10，依序具有絕緣層1、及含有熱放射填料及黏結劑之熱放射層2、及金屬層3、及黏著層4。
熱放射片10，接著於晶片5的供引線的終端8A接著之面的相反側之面。熱放射片10，於接著至晶片5前，視必要亦可更在黏著層4的露出面層積剝離片。此外，在各層之間亦可具有其他層。
本說明書中，所謂「平均厚度」，係指觀察熱放射片10的截面，測定隨機選出之10處的厚度，取其算術平均值而得之值。厚度的測定，是由顯微鏡觀察出的截面圖像而算出，或藉由測微器(micrometer)進行直接測定。
(絕緣層)
絕緣層1，為將晶片5與外部予以電性阻斷之層，當接合熱放射片10時，為成為最外層之層。
在熱放射層2的上方設置層，可能會妨礙熱放射，依所屬技術領域者的通常技術常識本不應進行，但本發明團隊發現即使在熱放射層2的上方設置絕緣層1仍能實現高度的熱擴散性及絕緣性。
絕緣層1，具有電性絕緣性。此處，所謂絕緣性，意指例如即使在絕緣層1的兩面施加1~5kV的電壓時也不會被絕緣破壞，能夠維持絕緣性。
絕緣層1具有絕緣性，藉此即使在電子零件等當中需要絕緣性之場所也可使用。
作為構成絕緣層1之材料，凡具有絕緣性則無特別限定，能夠使用樹脂材料或陶瓷材料。例如，能夠使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯、聚丙烯或聚乙烯等聚烯烴等。由絕緣性、耐熱性的觀點看來，PET尤佳。
絕緣層1的平均厚度，較佳為5~50μm，更佳為5~15μm。若絕緣層1的平均厚度為5~50μm，便能維持充分的絕緣性與高度散熱性。
將絕緣層1層積於熱放射層2的上方之方法，並無特別限定。例如，有將作為絕緣層1的樹脂予以熔融射出，疊合於熱放射層上之方法，或將事先成形為膜狀的絕緣層1藉由各種黏著劑、接著劑與熱放射層2貼合之方法。
熱放射片10，具有上述般的絕緣層1，藉此便能維持與外部的高度絕緣性，即使在電子零件等當中需要絕緣性之場所也可使用。此外，絕緣層1會保護形成於其下方之熱放射層2等，因此耐磨耗性也能提升。也就是說，即使對熱放射片10施加衝撃或變形，也能維持散熱性及絕緣性。
(熱放射層)
熱放射層2，含有熱放射填料及黏結劑。
熱放射層2中使用的熱放射填料，凡放射率為0.8以上，則無論金屬、非金屬均無特別限定。由高熱放射率及低成本的觀點看來，碳質材料較佳。作為碳質材料，可舉出乙炔碳黑、科琴(ketjen)碳黑等碳黑，石墨，氣相法碳纖維等，其中又以碳黑較佳。亦可從它們當中選擇1種或2種以上來使用。熱放射填料的粒徑，以累積質量50%粒徑(D50)為0.1~2.0μm較佳，0.2~1.0μm更佳。若累積質量50%粒徑(D50)為0.1~2.0μm，便能獲得平滑性(smoothness)高的熱放射層。
作為熱放射層2中使用的黏結劑，凡為能將熱放射填料黏結之材料皆無特別限定。由熱放射填料的黏結性、含有熱放射填料及黏結劑之組成物的塗敷性、及作為熱放射層2的皮膜性能的觀點看來，作為黏結劑較佳是熱或光硬化性之樹脂。就光硬化性樹脂而言，例如能夠使用環氧系樹脂、氧雜環丁烷(oxetane)系樹脂、乙烯醚系 樹脂、聚矽氧烷(polysiloxane)系樹脂、乙烯酯系樹脂及甲基丙烯酸系樹脂等。就熱硬化性樹脂而言，例如能夠使用環氧系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂、聚矽氧烷系樹脂、不飽和聚酯系樹脂、乙烯酯系樹脂、酚系樹脂、酚醛系樹脂、胺系樹脂、及具有交聯性官能基的甲基丙烯酸系樹脂、高分子多醣類等。
就作為黏結劑使用之硬化性樹脂而言，由耐久性、密合性的觀點看來較佳是熱硬化的環氧系樹脂、或高分子多醣類，較佳是將它們以酸交聯劑予以交聯硬化。就環氧系樹脂而言，能夠舉例出雙酚A的二環氧丙基(diglycidyl)醚、雙酚F的二環氧丙基醚、聯苯酚(biphenol)的二環氧丙基醚等，能夠使用1種或2種以上。就高分子多醣類而言，可舉出由幾丁聚醣(chitosan)、幾丁質(chitin)及其衍生物中選擇之1種或2種以上。此外，就酸交聯劑而言，可舉出無水鄰苯二甲酸、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、1,2,4-苯三甲酸酐(trimellitic acid anhydride)、四氫鄰苯二甲酸酐、焦蜜石酸酐、十二烷基琥珀酸酐、甲基納迪克酸酐(methyl nadic anhydride；a.k.a.methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride)、二苯甲酮四羧酸酐、丁烷四羧酸酐等酸酐，能夠使用它們的1種或2種以上。
熱放射層2中的熱放射填料的含有量，較佳為20~50質量%，更佳為30~40質量%。藉由落在此範圍內， 會趨近熱放射填料單體的熱放射率，有使散熱性提升之優點。熱放射層2中的黏結劑的含有量，較佳為50~80質量%，更佳為60~70質量%。藉由落在此範圍內，有將熱放射填料擔持於基材上之優點。
熱放射層2的形成方法並無特別限定。例如，能夠將含有熱放射填料及黏結劑之組成物，於絕緣層1或金屬層3上塗布、硬化，藉此形成熱放射層2。
含有熱放射填料及黏結劑之組成物，視必要亦可以溶劑稀釋後塗布、乾燥，再使其硬化形成熱放射層2。
作為含有熱放射填料及黏結劑之組成物的塗敷方法，較佳是能夠形成均一厚度薄膜之凹版塗敷(gravure coating)。
就熱放射層的平均厚度而言，較佳為0.1~5μm，更佳為0.5~3μm。若熱放射層的平均厚度為0.1~5μm，便能充分確保熱放射層內的熱放射填料量，可獲得充分的散熱性。
(金屬層)
金屬層3，配備於熱放射層2與電子零件等發熱體(晶片5)之間。金屬層3，具有高度熱傳導性，藉此能夠將在晶片5產生的熱有效率地傳遞至熱放射層2。
作為金屬層3，能夠使用金、銀、銅、鐵、鎳、鋁及含有該些金屬之合金等。較佳為熱傳導率高的金屬，由價格低或加工容易性的觀點看來，作為金屬層3較 佳是使用銅、鋁及含有該些金屬之合金。
金屬層3的平均厚度，較佳為20~100μm，更佳為30~80μm。若金屬層3的平均厚度為20μm以上，則可獲得熱放射性優良的熱放射片10，而且成為製造熱放射片10之工程中金屬層3的應變或變形為少者。若金屬層3的平均厚度為80μm以下，則當將熱放射片10接合至發熱體時，能夠充分確保熱放射片10相對於發熱體之形狀追蹤性。是故，即使當發熱體的表面為曲面的情形下，仍能充分確保發熱體與熱放射片10之接觸面積，因此能夠將發熱體的熱有效率地散熱。
(黏著層)
黏著層4，為用來將熱放射片10與電子機器等發熱體亦即晶片5接著之層。
作為黏著層4中使用之黏著劑，並無特別限定。凡絕緣性與黏著力充分皆可，能夠使用矽氧樹脂系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、橡膠系黏著劑等。其中，由黏著力的觀點看來較佳是使用丙烯酸系黏著劑。
黏著劑，能夠使用含有溶劑者、無溶劑者的任一種。若欲提高黏著劑的凝聚力(cohesion)，亦可含有和黏著劑相應之硬化劑。作為硬化劑，例如能夠使用異氰酸鹽(isocynate)系化合物、環氧系化合物、氮環丙烷(aziridine)系化合物、三聚氰胺系化合物等。
就黏著層4的形成方法而言，例如可舉出在金屬層3 或剝離片的一方之面塗布以溶劑稀釋而成之黏著劑，乾燥並使其熱硬化之方法等。
本發明中使用的黏著層4的平均厚度，較佳為5~50μm，更佳為8~20μm。若黏著層4的平均厚度為5μm以上，則會成為黏著層4與晶片5及金屬層3之接合強度足夠高，亦能滿足絕緣性之熱放射片10。若黏著層4的平均厚度為50μm以下，則能將發熱體的熱透過黏著層4有效率地傳導至金屬層3。
黏著劑的塗布方法並無特別限定。例如可舉出使用凹版輥塗布機、反向輥(reverse roll)塗布機、接觸輥(kiss roll)塗布機、浸沾輥(dip roll)塗布機、棒狀(bar)塗布機、刮刀(knife)塗布機、噴塗(spray)塗布機、逗號輪(comma)塗布機、直接塗布機(direct coater)等之方法。
黏著層4的黏著力，較佳為利用後述測定方法測定出之對SUS304的黏著力為5N/25mm以上，更佳為8N/25mm以上，再更佳為10N/25mm以上。若黏著層4的黏著力為5N/25mm以上，則會成為黏著層4與晶片5及金屬層3之接合強度足夠高之熱放射片10。
(黏著力之試驗方法)
黏著層4的黏著力，是藉由以下所示方法求出。
以厚度50μm的PET膜(東麗株式會社製，「lumirror(註冊商標)S-10」)作為基材，在基材上形 成黏著層4，成為試驗用層積片。接著，將試驗用層積片裁取成縱25mm、橫100mm的大小，做成長條狀片。接下來，在由SUS304所構成之試驗板上，以黏著層朝向試驗板來層積長條狀片。其後，令2kg的橡膠輥(寬幅：約50mm)在長條狀片上往復1次，將試驗板與長條狀片接合。
將接合後的試驗板及長條狀片，於23℃、濕度50%RH的環境下放置24小時。其後，遵照JIS Z0237，以剝離速度300mm/分進行180°方向的拉伸試驗，測定長條狀片對於試驗板之黏著力(N/25mm)。
黏著層4，亦可令黏著劑中含有絕緣性的熱傳導性填料。作為熱傳導性填料，凡為絕緣性且具有熱傳導性者皆可。例如，可舉出由金屬氧化物、金屬氮化物及金屬水合物等中選擇之1種或2種以上的粒子。就金屬氧化物而言，可舉出氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、二氧化鈦等。就金屬氮化物而言，可舉出氮化鋁、氮化硼、氮化矽等。就金屬水合物而言，可舉出氫氧化鎂、氫氧化鋁等。
熱傳導性填料，由均一地分散於黏著層4的觀點看來，較佳為粉體。熱傳導性填料的粒徑，以累積質量50%粒徑(D50)為1~50μm較佳，3~30μm更佳。此外，熱傳導性填料的粒徑，較佳是配合黏著層4的厚度來適當設定。若累積質量50%粒徑(D50)為1~50μm，則可充分獲得黏著層4中含有的熱傳導性填料與發熱體(晶片5)及金屬層3之接觸面積，能夠將發熱體(晶片5) 的熱透過黏著層4有效率地傳導至金屬層3。
「累積質量50%粒徑(D50)」，例如是藉由使用株式會社島津製作所製的商品名「SALD-200V ER」的雷射繞射式粒度分布測定裝置所做之雷射繞射式粒度分布測定而獲得。
(熱放射片之製造方法)
有關熱放射片10之製造方法並無特別限制。例如，在金屬層3的單面形成熱放射層2，其後將絕緣層1疊合至熱放射層2。再於金屬層3的另一單面貼合黏著層4，藉此便能獲得熱放射片10。獲得的熱放射片10，藉由在黏著層4的與金屬層3貼合之面的相反側層積剝離片，則在將熱放射片10接合至發熱體前的期間，能夠藉由剝離片來保護黏著層4。熱放射片10，只要依絕緣層1、熱放射層2、金屬層3、及黏著層4的順序層積即可，視必要亦可於各層之間含有黏著劑層或疊合層等其他層。
熱放射片10，熱放射率較佳為0.8~1，更佳為0.9~1。若熱放射率為0.8~1，則可獲得充分的熱放射性。
熱放射片10較佳是絕緣破壞電壓為1kV以上。更佳為2kV以上。若絕緣破壞電壓為1kV以上，則就弱電用途的使用而言可無問題地使用。
<下部絕緣層、引線、表面絕緣層、晶片>
本發明一態樣之COF型半導體封裝所配備的下部絕緣層9、引線8、表面絕緣層7、晶片5能夠使用習知周知之物。
下部絕緣層9、引線8、表面絕緣層7全體具有柔軟性，能夠將下部絕緣層9訂為例如聚醯亞胺、引線8訂為例如銅、表面絕緣層7訂為例如SR(solder resist；阻銲劑)層，互相層積彼此而構成。在終端的一部分露出之引線8的上部面，具有半導體積體電路之晶片5係被固定，而在晶片5被固定之周邊，埋入有底部填充層6以將晶片穩定地固定。底部填充層6，能夠使用例如異方導電性膜(Anisotropic Conductive Film：ACF)或非導電性膏(Non-Conductive Paste：NCP)等。
(第2實施形態)
圖3及圖4為本發明第2實施形態之COF型半導體封裝的截面模型示意圖。第2實施形態之COF型半導體封裝，晶片5有複數個，熱放射片10是以跨架該複數個晶片5的方式接著。此時，晶片5可如半導體封裝40般在一張片上接著複數個，亦可如半導體封裝50般在1個片上1個個接著晶片5。
像這樣，當對複數個晶片設置一個熱放射片10的情形下，無需使熱放射片10接著於各晶片，封裝會變得容易。能夠將各晶片視為一體來處置，組裝時亦能統一地接合。
「液晶顯示裝置」
本發明一態樣之液晶顯示裝置，具備上述COF型半導體封裝20、30、40或50。COF型半導體封裝，與LCD面板連接而組裝。藉由這麼做，便會在LCD面板的撓性印刷配線板上組裝驅動IC亦即晶片。
[實施例]
以下，藉由實施例更具體地說明本發明，但本發明悉未受到該些例子所限定。
(實施例1)
作為絕緣層1，在12μm厚的PET膜(東洋紡ESTER(註冊商標)膜E5100：東洋紡公司製)上塗敷黏著劑並乾燥使成為1μm厚，接下來貼合至具有熱放射層2與金屬層3之敷碳鋁金屬片(昭和電工製：敷碳鋁箔SDX(商標))的敷碳層上，形成依序層積有絕緣層1、熱放射層2、金屬層3之層積片。熱放射層2，為藉由焦蜜石酸令作為熱放射填料的碳黑、作為黏結劑的幾丁聚醣衍生物交聯而成之物。熱放射層2的平均厚度為1μm，金屬層3為平均厚度50μm的鋁箔。
接下來，製作出黏著層。構成黏著層之黏著劑組成物，為將丙烯酸系黏著劑(昭和電工株式會社製Vinylol(註冊商標)PSA SV-6805固態成分47%)100質量 份、異氰酸鹽系交聯劑(東曹株式會社製CORONATE(註冊商標)HX固態成分100%)1質量份、及稀釋用溶劑的醋酸乙酯100質量份予以混合而製作出。將此黏著劑組成物，藉由刮刀(doctor blade)塗敷至經剝離處理的PET膜上並使溶劑乾燥，接下來披覆剝離PET而獲得黏著片。令此黏著片與金屬層3接著，藉此便獲得黏著層。
將像這樣製作出的熱放射片接著於晶片上，測定晶片的溫度及電性絕緣性。
(比較例1)
測定當未使用熱放射片的情形下之晶片的溫度及電性絕緣性。
(比較例2~4)
將熱放射片的構成訂為表1所示構成，測定晶片的溫度及電性絕緣性。
(電性絕緣性之評估)
以遵照JIS C2110-1之方法，測定以各實施例及各比較例製作出之熱放射片的厚度方向的絕緣破壞電壓。
具體而言，使用縱100mm、橫100mm的正方形熱放射片的剝離PET膜已剝離者作為測定樣本。
測定係使用菊水電子工業(株)製之耐電壓試驗器 (TOS5101)，上部電極使用了直徑25mm、高25mm，下部電極使用了直徑70mm、高15mm者。
升壓係遵照JIS C2110-1的60秒階段升壓試驗之條件進行，以樣本被破壞之電壓作為絕緣破壞電壓。
針對獲得的結果，如以下般評估。
○：1kV以上
×：1kV未滿
(晶片溫度之評估)
使用在電路基板(FR-4)上組裝了半導體晶片(0.5mm厚、9mm見方)之半導體裝置，在其晶片之上貼附以實施例1、比較例1~4製作出的樣本，於外氣溫25℃下，測定電壓5V、電力5W下的晶片溫度。測定的時間點，是測定令其動作起算至溫度成為一定時之溫度作為晶片溫度。晶片溫度的測定方法，是在晶片與散熱層積片之間夾住K熱電偶用引線(OMEGA公司製)，以AS TOOL USB資料記錄器(AS ONE公司製)測定。
若將實施例1的構成之COF型半導體封裝的晶片溫度與比較例1~3的構成之COF型半導體封裝的晶片溫度比較可知，實施例1的構成之COF型半導體封裝的晶片溫度較低。也就是說，可知本發明的構成之COF型半導體封裝，顯現出高度散熱性。
此外，若將實施例1的構成之COF型半導體封裝與比較例4的構成之COF型半導體封裝比較可知，實施例1的構成之COF型半導體封裝具有電性絕緣性。也就是說，可知即使在具有絕緣性的部分也能使用該COF型半導體封裝。
1‧‧‧絕緣層
2‧‧‧熱放射層
3‧‧‧金屬層
4‧‧‧黏著層
5‧‧‧晶片
6‧‧‧底部填充層
7‧‧‧表面絕緣層
8‧‧‧引線
8A‧‧‧終端
9‧‧‧下部絕緣層
10‧‧‧熱放射片
20‧‧‧COF型半導體封裝

Claims (12)

  1. 一種COF型半導體封裝，具備：膜；及晶片，附著於前述膜上；及熱放射片，設於前述晶片上，依序具備黏著層、金屬層、含有熱放射填料及黏結劑之熱放射層、絕緣層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之COF型半導體封裝，其中，前述熱放射片，更接著於前述膜的未形成有前述晶片之面。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之COF型半導體封裝，其中，前述晶片上的熱放射片、與更接著於前述膜的未形成有前述晶片之面的熱放射片，係接著於夾著前述膜而相向之位置。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之COF型半導體封裝，其中，前述絕緣層的平均厚度為5~50μm。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之COF型半導體封裝，其中，前述熱放射填料為碳質材料。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之COF型半導體封裝，其中，前述碳質材料為由碳黑、石墨及氣相法碳纖維中選擇之1種或2種以上的材料。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之COF型半導體封裝，其中，前述熱放射層的平均厚度為0.1~5μm。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之COF型半導體封裝，其中，前述金屬層的平均厚度為20~100μm。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所述之COF型半導體封裝，其中，前述金屬層為鋁、銅、及包含它們之合金的任一種。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所述之COF型半導體封裝，其中，前述黏著層的平均厚度為5~50μm。
  11. 如申請專利範圍第1或2項所述之COF型半導體封裝，其中，前述晶片有複數個，前述熱放射片，是以跨架前述複數個晶片的方式接著。
  12. 一種液晶顯示裝置，具備：如申請專利範圍第1或2項所述之COF型半導體封裝。
TW105102346A 2015-01-29 2016-01-26 Ｃｏｆ型半導體封裝及液晶顯示裝置 TWI614856B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015015787 2015-01-29
JP2015-015787 2015-01-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201640631A true TW201640631A (zh) 2016-11-16
TWI614856B TWI614856B (zh) 2018-02-11

Family

ID=56543196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105102346A TWI614856B (zh) 2015-01-29 2016-01-26 Ｃｏｆ型半導體封裝及液晶顯示裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6704860B2 (zh)
KR (1) KR20170096050A (zh)
TW (1) TWI614856B (zh)
WO (1) WO2016121579A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI638433B (zh) * 2017-10-24 2018-10-11 英屬維京群島商艾格生科技股份有限公司 元件次黏著載具及其製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101897129B1 (ko) * 2016-10-18 2018-09-10 한국기계연구원 소자 전사방법 및 소자 전사방법을 이용한 전자제품 제조방법
CN107481619B (zh) * 2017-09-29 2019-09-24 武汉天马微电子有限公司 显示模组和显示装置
CN110262105B (zh) * 2019-06-13 2020-10-16 武汉华星光电技术有限公司 显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02295733A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Hagiwara Kogyo Kk 遠赤外線放射性複合フイルム
JP4352076B2 (ja) * 2003-04-16 2009-10-28 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の放熱構造
JP5489394B2 (ja) * 2006-07-20 2014-05-14 三星電子株式会社 Ｃｏｆ型半導体パッケージ
TWI395306B (zh) * 2008-02-05 2013-05-01 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件之散熱模組化結構及其製法
US8508056B2 (en) * 2009-06-16 2013-08-13 Dongbu Hitek Co., Ltd. Heat releasing semiconductor package, method for manufacturing the same, and display apparatus including the same
BR112014032223B1 (pt) * 2012-06-29 2021-10-19 Sony Corporation Unidade de exibição
JP5372270B1 (ja) * 2013-02-19 2013-12-18 ビッグテクノス株式会社 熱放射性フィルム及び熱放射性粘着テープ
KR101465580B1 (ko) * 2013-06-11 2014-11-26 에스케이씨 주식회사 방열시트

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI638433B (zh) * 2017-10-24 2018-10-11 英屬維京群島商艾格生科技股份有限公司 元件次黏著載具及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170096050A (ko) 2017-08-23
TWI614856B (zh) 2018-02-11
JP6704860B2 (ja) 2020-06-03
JPWO2016121579A1 (ja) 2017-12-14
WO2016121579A1 (ja) 2016-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4993880B2 (ja) 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
JP5367656B2 (ja) フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途
JP5742375B2 (ja) 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート
US20160076829A1 (en) Heat dissipating sheet
JP2007044994A (ja) グラファイト複合構造体、それを用いた放熱部材及び電子部品
TWI614856B (zh) Ｃｏｆ型半導體封裝及液晶顯示裝置
JP2011236427A (ja) 異方導電性接着シート及び接続構造体
CN102290381A (zh) 散热增益型电子封装体
TWI781215B (zh) 改善散熱及電磁波屏蔽功能的層壓石墨的膜上晶片型半導體封裝
KR101419426B1 (ko) 방열시트
TW201832330A (zh) 散熱片
JP7232996B2 (ja) 電子部品搭載基板および電子機器
JP5424984B2 (ja) 半導体モジュールの製造方法
JP2016094599A (ja) 熱伝導性シート用樹脂組成物、基材付き樹脂層、熱伝導性シートおよび半導体装置
US20230287246A1 (en) Method for manufacturing joined body, joined body, and hot-melt adhesive sheet
TW202031117A (zh) 電磁波遮蔽片以及電子零件搭載基板
JP5152815B2 (ja) 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
JP4993877B2 (ja) 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
JP5225766B2 (ja) 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
TWI590750B (zh) 絕緣散熱薄片、散熱器及電子機器
JP4994653B2 (ja) 異方導電性接着シート
JP2015181170A (ja) フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途
JP2020057759A (ja) 電磁波シールドシート、および電子部品搭載基板
JP2011253859A (ja) 接着層付き基板、放熱性実装基板、接着層付き基板の製造方法、および放熱性実装基板の製造方法
JP5819899B2 (ja) フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途