KR20090127400A - 시아닌화합물, 상기 화합물을 사용한 광학필터 및 광학기록재료 - Google Patents

시아닌화합물, 상기 화합물을 사용한 광학필터 및 광학기록재료 Download PDF

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미츠히로 오카다
코이치 시게노
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Abstract

하기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물 및 상기 화합물을 사용한 광학필터 및 광학기록재료.
Figure 112009043969442-PCT00066
시아닌화합물, 광학필터, 광학기록재료

Description

시아닌화합물, 상기 화합물을 사용한 광학필터 및 광학기록재료{CYANINE COMPOUND, OPTICAL FILTER USING THE COMPOUND AND OPTICAL RECORDING MATERIAL}
본 발명은 앵커기를 가지는 시아닌화합물, 상기 시아닌화합물을 사용한 광학필터 및 광학기록재료에 관한 것이다. 상기 화합물은 광학요소 등, 특히 화상표시장치용의 광학필터에 함유시키는 광흡수제, 및 레이저광에 의해 기록, 재생되는 광학기록매체의 광학기록층에 사용되는 광학기록재료에 함유시키는 광학기록제로서 유용하다.
450㎚~1100㎚의 범위에 강도가 큰 흡수를 가지는 화합물, 특히 극대 흡수(λmax)가 480~620㎚에 있는 화합물은 DVD±R 등의 광학기록매체의 광학기록층이나, 액정표시장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 일렉트로 루미네센스 디스플레이(ELD), 음극관 표시장치(CRT), 형광 표시관, 전계 방사형 디스플레이 등의 화상표시장치용의 광학필터, CCD 이미지 센서, CMOS 이미지 센서 등에 있어서 광학요소로서 사용되고 있다.
예를 들면, 화상표시장치에서의 광학요소의 용도로서는 컬러필터의 광흡수제가 있다. 화상표시장치는 적색, 청색, 녹색의 삼원색의 광의 조합으로 컬러화상을 나타내고 있는데, 컬러화상을 표시하는 광에는 녹색과 적색 사이의 550~600㎚ 등의 표시 품질의 저하를 초래하는 광이 포함되어 있고, 또한 750~1100㎚의 적외 리모컨의 오작동의 원인이 되는 광도 포함되어 있다. 그리하여, 이들 불필요한 파장의 광을 선택적으로 흡수하는 광흡수성 화합물(광흡수제)을 함유하는 광학필터가 사용되고 있다.
또한 광학필터에는 형광등 등의 외광의 반사나 반영(反映)을 방지하는 기능도 요망되고 있다. 반사나 반영을 방지하기 위해서는, 광학필터에는, 상기의 불필요한 파장의 광을 선택적으로 흡수하는 기능과 더불어 480~500㎚의 파장광을 흡수하는 것이 필요하다. 이 영역의 광은 화상표시에 필요한 휘선(輝線)에 가깝다. 따라서, 화상 품질에 영향을 미치지 않기 위해서는, 광흡수제의 광흡수가 특별히 급준(急峻)한 것, 즉 λmax의 반값폭이 작은 것이 요망된다.
또한 광흡수제에는 광이나 열 등에 의해 기능이 상실되지 않는 것도 요망된다.
광흡수제를 함유하는 광학필터로서, 예를 들면, 하기 특허문헌 1에는, 440~510㎚에 극대 흡수파장을 가지는 디피로메텐금속킬레이트화합물을 사용한 광학필터가 개시되어 있고, 하기 특허문헌 2에는, 440~510㎚에 극대 흡수파장을 가지는 포르피린화합물을 사용한 광학필터가 개시되어 있다. 그러나 이들 광학필터에 사용되는 화합물은 흡수파장 특성, 혹은 용매나 바인더수지와의 친화성 면에서 만족스러운 성능이 얻어지지 않고 있다. 따라서, 이들 광학필터는 480~500㎚에 있어서 충분한 성능을 나타내는 것은 아니었다.
또한 상기의 광학기록매체에 있어서는, 기록 및 재생에 사용하는 반도체 레 이저의 파장은, CD-R은 750~830㎚이고, DVD±R은 620㎚~690㎚인데, 한층 더 용량의 증가를 실현하기 위해 단파장 레이저를 사용하는 광디스크가 검토되고 있고, 예를 들면 기록광으로서 380~420㎚의 광을 사용하는 것이 검토되고 있다.
단파장 기록용의 광학기록매체에 있어서, 광학기록층의 형성에는 각종 화합물이 사용되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 3에는 시아닌계 색소가 보고되어 있고, 특허문헌 4에는 트리아졸화합물의 금속 착체가 보고되어 있으며, 특허문헌 5에는 포르피린화합물이 보고되어 있다. 그러나 이들 화합물은, 광학기록층의 형성에 사용되는 광학기록재료로서는, 특히 금속 반사막과의 친화성이 낮아 내습열성(耐濕熱性)에 문제가 있었다.
[특허문헌 1] 일본국 공개특허공보 2003-57436호
[특허문헌 2] 일본국 공개특허공보 2004-45887호
[특허문헌 3] 일본국 공개특허공보 2001-301333호
[특허문헌 4] 일본국 공개특허공보 2004-174838호
[특허문헌 5] 일본국 공개특허공보 2005-59601호
따라서, 본 발명의 목적은, 흡수파장 특성 및 내광성이 뛰어나고, 특히, 화상표시장치용의 광학필터 및 레이저광에 의한 광학기록재료에 사용되는 광학요소에 적합한 화합물 및 상기 화합물을 함유하는 광학필터 및 광학기록재료를 제공하는 데 있다.
본 발명자 등은 검토를 거듭한 결과, 특정 구조를 가지는 시아닌화합물이 금속 반사막과의 친화성이 뛰어난 것을 발견하여, 이것을 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 지견하였다.
본 발명은, 상기 지견에 근거하여 이루어진 것으로서, 하기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물을 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
Figure 112009043969442-PCT00001
(식 중 R1, R2, R3, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소원자, 수산기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알콕시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 6~30인 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 7~30인 아릴알킬기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 하기 일반식(Ⅱ), (Ⅱ') 혹은 (Ⅲ)으로 표현되는 치환기, 또는 앵커기를 나타내고, R4는 하기 일반식(Ⅱ) 혹은 (Ⅱ')로 표현되는 치환기, 또는 앵커기를 나타내며, R1과 R2, R5와 R6은 각각 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 이들 환 구조는 앵커기로 치환되어 있어도 된다. X1은 산소원자, 유황원자, 셀렌원자, -CR7R8-, -NH- 또는 -NYa-를 나타내고, X1 중의 기인 R7 및 R8은 각각 독립적으 로, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 6~30인 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 7~30인 아릴알킬기, 하기 일반식(Ⅱ), (Ⅱ') 혹은 (Ⅲ)으로 표현되는 치환기, 또는 앵커기를 나타내며, R7과 R8은 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 상기 환 구조는 앵커기로 치환되어 있어도 된다. Y1 및 Y2 및 X1 중의 기인 Ya는 각각 독립적으로, 수소원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알콕시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 6~30인 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 7~30인 아릴알킬기, 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기, 또는 앵커기를 나타낸다. -Q-는 쇄 중에 환 구조를 포함하고 있어도 되고, 앵커기로 치환되어 있어도 되는 폴리메틴쇄를 구성하는 연결기를 나타내며, 상기 폴리메틴쇄 중의 수소원자는 할로겐원자, 시아노기, 수산기, 알킬기, 알콕시기 또는 아릴기로 치환되어 있어도 되고, 상기 알킬기, 알콕시기 또는 아릴기는 이들 기로 더 치환되어 있어도 된다. Anq-는 q가의 음이온을 나타내고, q는 1 또는 2를 나타내며, p는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타낸다.
단, 상기 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, Ya, Y1, 및 Y2 중 적어도 한 개 이상은 앵커기이거나, -Q-가 앵커기로 치환되어 있으면서 식 중의 앵커기는 합계 10 이하이다.)
Figure 112009043969442-PCT00002
(상기 일반식(Ⅱ)에 있어서, L과 T 사이의 결합은 이중결합, 공역 이중결합 또는 삼중결합이고, L은 탄소원자를 나타내며, T는 탄소원자, 산소원자 또는 질소원자를 나타내고, x, y 및 z는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내며(단, T가 산소원자인 경우는 x와 y는 0이며, T가 질소원자인 경우는 y+z는 0 또는 1이다.), a는 0~4의 수를 나타내고, R9는 수소원자, 할로겐원자, 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기 또는 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알콕시기를 나타내며, R1O, R11 및 R12는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자 또는 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기를 나타내고, R1O과 R12는 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다. 상기 일반식(Ⅱ')에 있어서, L'와 T' 사이의 결합은 이중결합 또는 공역 이중결합이고, L'는 탄소원자를 나타내며, T'는 탄소원자, 산소원자 또는 질소원자를 나타내고, a'는 0~4의 수를 나타내며, L'와 T'를 포함하는 환은 헤테로원자를 포함하고 있어도 되는 5원환, 헤테로원자를 포함하고 있어도 되는 6원환, 나프탈렌환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 안트라센환 또는 안트라퀴논환을 나타내고, 이들 L'와 T'를 포함하는 환은 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기, 알콕시기로 치환되어 있어도 된다.)
Figure 112009043969442-PCT00003
(식 중 Ra~Ri는 각각 독립적으로, 수소원자 또는 탄소원자수 1~4인 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기 중의 메틸렌기는 -O- 또는 -C0-로 치환되어 있어도 되며, Z는 직접 결합 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~8인 알킬렌기를 나타내고, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기는 -0-, -S-, -C0-, -CO0-, -OC0-, -S02-, -NH-, -CONH-, -NHC0-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 되며, M은 Fe, Co, Ni, Ti, Cu, Zn, Zr, Cr, Mo, Os, Mn, Ru, Sn, Pd, Rh, Pt 또는 Ir을 나타낸다.)
또한 본 발명은 상기 시아닌화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 광학필터를 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
또한 본 발명은 상기 시아닌화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 광학기록재료를 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
또한 본 발명은 기체(基體)상에 상기 광학기록재료로 형성된 광학기록층을 가지는 것을 특징으로 하는 광학기록매체를 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
이하, 본 발명의 시아닌화합물, 및 상기 시아닌화합물을 함유하여 이루어지는 광학필터 및 광학기록재료에 대하여, 바람직한 실시형태에 근거하여 상세하게 설명한다.
우선, 상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물에 대하여 설명한다.
상기 일반식(Ⅰ)에 있어서, R1, R2, R3, R5, R6, Y1 및 Y2 및 X1 중의 기인 R7, R8 및 Ya로 표시되는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸, 아밀, 이소아밀, 제3아밀, 헥실, 시클로헥실, 시클로헥실메틸, 시클로헥실에틸, 헵틸, 이소헵틸, 제3헵틸, n-옥틸, 이소옥틸, 제3옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 이소노닐, 데실 등을 들 수 있고, R1, R2, R3, R5, R6, Y1, Y2 및 X1 중의 기인 Ya로 표시되는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알콕시기로서는, 예를 들면, 메틸옥시, 에틸옥시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 부틸옥시, 제2부틸옥시, 제3부틸옥시, 이소부틸옥시, 아밀옥시, 이소아밀옥시, 제3아밀옥시, 헥실옥시, 시클로헥실옥시, 헵틸옥시, 이소헵틸옥시, 제3헵틸옥시, n-옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 제 3옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시 등을 들 수 있으며, R1, R2, R3, R5, R6, Y1 및 Y2 및 X1 중의 기인 R7, R8 및 Ya로 표시되는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 6~30인 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐, 나프틸, 안트라센-1-일, 페난트렌-1-일, 테트라세닐, 펜타세닐, 크리세닐, 트리페닐레닐, 피레닐, 피세닐, 페릴레닐 등을 들 수 있고, R1, R2, R3, R5, R6, Y1 및 Y2 및 X1 중의 기인 R7, R8 및 Ya로 표시되는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 7~30인 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 벤질, 페네틸, 2-페닐프로판, 디페닐메틸, 트리페닐메틸, 스티릴, 신나밀 등을 들 수 있으며, R1, R2, R3, R5 및 R6으로 표시되는 할로겐원자로서는 불소, 염소, 브롬, 요오드를 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅰ)에서의 R1과 R2, R5와 R6, 및 X1 중의 기인 R7과 R8이 연결하여 형성하는 환 구조로서는, 예를 들면, 벤젠환, 나프탈렌환, 시클로헥산환, 시클로부탄환, 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 시클로헵탄환, 피페리딘환, 피페라진환, 피롤리딘환, 모르폴린환, 티오모르폴린환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 트리아진환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 이미다졸환, 옥사졸환, 이미다졸리딘환, 피라졸리딘환, 이소옥사졸리딘환, 이소티아졸리딘환 등을 들 수 있고, 이들 환은 다른 환과 축합되어 있거나, 치환되어 있어도 된다.
상기 일반식(Ⅰ)에서의 -Q-로 표시되는 쇄 중에 환 구조를 포함하고 있어도 되고, 앵커기로 치환되어 있어도 되는 연결기를 구성하는 폴리메틴쇄로서는 탄소원 자수 1~7인 폴리메틴쇄를 들 수 있으며, 이들 폴리메틴쇄 중에서도 모노메틴, 트리메틴, 펜타메틴, 헵타메틴이 제조비용이 작고, 흡수파장 특성이 380~420㎚인 단파장용 레이저용의 광학기록매체의 광학기록층의 형성에 특히 적합하기 때문에 특히 바람직하다.
-Q-로서는, 예를 들면, 하기 (1)~(10)으로 표현되는 기를 바람직하게 들 수 있다.
Figure 112009043969442-PCT00004
(식 중 R16, R17, R18, R19, R20 및 R21은 각각 독립적으로, 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 시아노기, 탄소원자수 6~30인 아릴기, 디페닐아미노기, 탄소원자수 1~10인 알킬기 또는 탄소원자수 1~8인 알콕시기를 나타내고, Z'는 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 시아노기, 디페닐아미노기, 탄소원자수 6~30인 아릴기, 탄소원자 수 7~30인 아랄킬기 또는 탄소원자수 1~10인 알킬기를 나타내며, 상기 알킬기 또는 아랄킬기의 알킬렌 부분은 에테르 결합 또는 티오에테르 결합으로 치환되어 있어도 된다.)
상기 일반식(Ⅰ) 중 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, Ya, Y1 및 Y2 중 적어도 한 개 이상은 앵커기이거나 -Q-가 앵커기로 치환되어 있으면서, 식 중의 앵커기는 합계 10 이하이다. 앵커기란, 시아닌화합물에 이것이 포함되는 기재나 이것이 접촉하는 기체에 대하여, 화학적 또는 정전기적인 친화력, 결합능력을 부여하는 기이다. 앵커기는, 기재나 기체는 금속이나 수지인 것에서 음이온성기가 유효하다. 이러한 앵커기로서는, 예를 들면, 하기 일반식(Ⅶ)로 표현되는 기를 바람직하게 들 수 있다.
[화학식 5-1]
-L-P (Ⅶ)
(식 중 L은 직접 결합 또는 탄소원자수 1~12인 2가의 탄화수소기이며, P는 음이온성기이다.)
상기 일반식(Ⅶ) 중 L로 표시되는 2가의 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌 등의 탄소원자수 1~8인 알킬렌기; 페닐렌, 톨릴렌, 나프틸렌 등의 탄소원자수 6~12인 아릴렌기; 페닐렌메틸렌, 페닐렌에틸렌 등의 아릴렌알킬렌기; 페닐렌디메틸렌, 페닐렌디에틸렌 등의 아릴렌디알킬렌기 등을 들 수 있고, 상기 탄소원자수 1~8인 알킬렌기 및 아릴렌알킬렌기 및 아릴렌디알킬렌기 중의 메틸렌쇄는 -0-, -S-, -CO- 또는 -C=C-로 치환되어 있어도 된다. P로 표시되는 음이온성기로서는, 예를 들면, 카르복실기, 술폰산기, 인산기, 혹은 그 금속염, 암모늄염, 유기 암모늄염, 에스테르 등을 들 수 있다. 이들 앵커기 중에서도, 하기 일반식(Ⅷ)로 표현되는 기가 제조비용이 작고, 광학기록재료로서 사용하는 경우는, 금속 반사막과의 친화성이 높기 때문에 바람직하며, 하기 일반식(Ⅸ)로 표현되는 기가 보다 바람직하다.
[화학식 5-2]
-L-P' (Ⅷ)
(식 중 L은 직접 결합 또는 탄소원자수 1~12인 2가의 탄화수소기이며, P'는 카르복실기, 술폰산기 또는 인산기를 나타낸다.)
[화학식 5-3]
-L-COOH (Ⅸ)
(식 중 L은 직접 결합 또는 탄소원자수 1~12인 2가의 탄화수소기를 나타낸다.)
상기 일반식(Ⅰ)에 있어서, Anq-로 표시되는 음이온으로서는, 예를 들면, 1가의 것으로서, 염소 음이온, 브롬 음이온, 요오드 음이온, 불소 음이온 등의 할로겐 음이온; 과염소산 음이온, 염소산 음이온, 티오시안산 음이온, 6불화인산 음이온, 6불화안티몬 음이온, 4불화붕소 음이온 등의 무기계 음이온; 벤젠술폰산 음이 온, 톨루엔술폰산 음이온, 트리플루오로메탄술폰산 음이온, 디페닐아민-4-술폰산 음이온, 2-아미노-4-메틸-5-클로로벤젠술폰산 음이온, 2-아미노-5-니트로벤젠술폰산 음이온, 일본국 공개특허공보 평8-253705호, 일본국 공표특허공보 2004-503379호, 일본국 공개특허공보 2005-336150호, 국제공개공보 2006/28006호 등에 기재된 술폰산 음이온 등의 유기 술폰산 음이온; 옥틸인산 음이온, 도데실인산 음이온, 옥타데실인산 음이온, 페닐인산 음이온, 노닐페닐인산 음이온, 2,2'-메틸렌비스(4,6-디제3부틸페닐)포스폰산 음이온 등의 유기 인산계 음이온, 비스트리플루오로메틸술포닐이미드 음이온, 비스퍼플루오로부탄술포닐이미드 음이온, 퍼플루오로-4-에틸시클로헥산술포네이트 음이온, 테트라키스(펜타플루오로페닐)붕산 음이온, 테트라키스(펜타플루오로페닐)갈륨 음이온, 트리스(플루오로알킬술포닐)카르보 음이온, 디벤조일주석산 음이온 등을 들 수 있고, 2가의 것으로서는, 예를 들면, 벤젠디술폰산 음이온, 나프탈렌디술폰산 음이온 등을 들 수 있다. 또한 여기상태에 있는 활성 분자를 탈여기시키는(켄칭(quenching)시키는) 기능을 가지는 켄처(quencher) 음이온이나 시클로펜타디에닐환에 카르복실기나 포스폰산기, 술폰산기 등의 음이온성기를 가지는 페로센, 루테오센 등의 메탈로센화합물 음이온 등도 필요에 따라 사용할 수 있다.
상기의 켄처 음이온으로서는, 예를 들면, 하기 일반식(A), (B), (C) 또는 (D)로 표현되는 것, 일본국 공개특허공보 소60-234892호, 일본국 공개특허공보 평5-43814호, 일본국 공개특허공보 평5-305770호, 일본국 공개특허공보 평6-239028호, 일본국 공개특허공보 평9-309886호, 일본국 공개특허공보 평9-323478호, 일본 국 공개특허공보 평10-45767호, 일본국 공개특허공보 평11-208118호, 일본국 공개특허공보 2000-168237호, 일본국 공개특허공보 2002-201373호, 일본국 공개특허공보 2002-206061호, 일본국 공개특허공보 2005-297407호, 일본국 공고특허공보 평7-96334호, 국제공개공보 98/29257호 등에 기재된 바와 같은 음이온을 들 수 있다.
Figure 112009043969442-PCT00005
(식 중 M은 니켈원자, 코발트원자 또는 구리원자를 나타내고, R22 및 R23은 할로겐원자, 탄소원자수 1~8인 알킬기, 탄소수 6~30인 아릴기 또는 -SO2-G기를 나타내며, G는 알킬기, 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 아릴기, 디알킬아미노기, 디아릴아미노기, 피페리디노기 또는 모르폴리노기를 나타내고, a 및 b는 각각 0~4를 나타낸다. 또한 R24, R25, R26 및 R27은 각각 독립적으로, 알킬기, 알킬페닐기, 알콕시페닐기 또는 할로겐화페닐기를 나타낸다.)
Figure 112009043969442-PCT00006
Figure 112009043969442-PCT00007
상기 일반식(Ⅱ)에서의 R9, R1O, R11 및 R12로 표시되는 할로겐원자로서는 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있고, R9, R1O, R11 및 R12로 표시되는 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸 등을 들 수 있으며, R9로 표시되는 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알콕시기로서 는, 예를 들면, 메틸옥시, 에틸옥시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 부틸옥시, 제2부틸옥시, 제3부틸옥시, 이소부틸옥시 등을 들 수 있고, R1O과 R12가 연결하여 형성하는 환 구조로서는, 상기 일반식(Ⅰ)에서의 R1과 R2, R5와 R6 및 R7과 R8이 연결하여 형성하는 환 구조로서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅱ')에 있어서, 헤테로원자를 포함하고 있어도 되는 5원환으로서는, 예를 들면, 시클로펜텐환, 시클로펜타디엔환, 이미다졸환, 티아졸환, 피라졸환, 옥사졸환, 이속사졸환, 티오펜환, 푸란환, 피롤환 등을 들 수 있고, 헤테로원자를 포함하고 있어도 되는 6원환으로서는, 예를 들면, 벤젠환, 피리딘환, 피페라진환, 피페리딘환, 모르폴린환, 피라진환, 피론환, 피롤리딘환 등을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅲ)에 있어서, Ra~Ri로 표시되는 탄소원자수 1~4인 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸 등을 들 수 있고, 상기 알킬기 중의 메틸렌기가 -O-로 치환된 기로서는, 예를 들면, 메톡시, 에톡시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 메톡시메틸, 에톡시메틸, 2-메톡시에틸 등을 들 수 있으며, 상기 알킬기 중의 메틸렌기가 -C0-로 치환된 기로서는, 예를 들면, 아세틸, 1-카르보닐에틸, 아세틸메틸, 1-카르보닐프로필, 2-옥소부틸, 2-아세틸에틸, 1-카르보닐이소프로필 등을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅲ)에 있어서, Z로 표시되는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~8인 알킬렌기로서는, 예를 들면, 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 메틸에틸렌, 부틸렌, 1-메틸프로필렌, 2-메틸프로필렌, 1,2-디메틸프로필렌, 1,3-디메틸프로필 렌, 1-메틸부틸렌, 2-메틸부틸렌, 3-메틸부틸렌, 4-메틸부틸렌, 2,4-디메틸부틸렌, 1,3-디메틸부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 헵틸렌, 옥틸렌, 에탄-1,1-디일, 프로판-2,2-디일 등을 들 수 있고, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기가 -0-, -S-, -CO-, -CO0-, -OC0-, -S02-, -NH-, -CONH-, -NHC0-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환된 기로서는, 예를 들면, 메틸렌옥시, 에틸렌옥시, 옥시메틸렌, 티오메틸렌, 카르보닐메틸렌, 카르보닐옥시메틸렌, 메틸렌카르보닐옥시, 술포닐메틸렌, 아미노메틸렌, 아세틸아미노, 에틸렌카르복시아미드, 에탄이미드일, 에테닐렌, 프로페닐렌 등을 들 수 있다.
R1, R2, R3, R5, R6, R7, R8, Ya, Y1 및 Y2로 표시되는 탄소원자수 1~10인 알킬기, R1, R2, R3, R5, R6, Ya, Y1 및 Y2로 표시되는 탄소원자수 1~10인 알콕시기, R1, R2, R3, R5, R6, R7, R8, Ya, Y1 및 Y2로 표시되는 탄소원자수 6~30인 아릴기, 및 R1, R2, R3, R5, R6, R7, R8, Ya, Y1 및 Y2로 표시되는 탄소원자수 7~30인 아릴알킬기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는, 이하의 기를 들 수 있는 것 외에 상술의 앵커기로서 예시한 기여도 된다. 또한 R1, R2, R3, R5, R6, R7, R8, Ya, Y1 및 Y2 및 X1 중의 기인데, 상기의 탄소원자수 1~10인 알킬기 등의 탄소원자를 함유하는 기이면서, 그들 기가 이하의 치환기 중에서도 탄소원자를 함유하는 치환기를 가지는 경우는, 상기 치환기를 포함한 전체의 탄소원자수가 규정된 범위를 만족하는 것으로 한다.
상기 치환기로서는, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 시클로프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸, 아밀, 이소아밀, 제3아밀, 시클로펜틸, 헥실, 2-헥실, 3-헥실, 시클로헥실, 비시클로헥실, 1-메틸시클로헥실, 헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 이소헵틸, 제3헵틸, n-옥틸, 이소옥틸, 제3옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 이소노닐, 데실 등의 알킬기; 메틸옥시, 에틸옥시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 부틸옥시, 제2부틸옥시, 제3부틸옥시, 이소부틸옥시, 아밀옥시, 이소아밀옥시, 제3아밀옥시, 헥실옥시, 시클로헥실옥시, 헵틸옥시, 이소헵틸옥시, 제3헵틸옥시, n-옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 제3옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 노닐옥시, 데실옥시 등의 알콕시기; 메틸티오, 에틸티오, 프로필티오, 이소프로필티오, 부틸티오, 제2부틸티오, 제3부틸티오, 이소부틸티오, 아밀티오, 이소아밀티오, 제3아밀티오, 헥실티오, 시클로헥실티오, 헵틸티오, 이소헵틸티오, 제3헵틸티오, n-옥틸티오, 이소옥틸티오, 제3옥틸티오, 2-에틸헥실티오 등의 알킬티오기; 비닐, 1-메틸에테닐, 2-메틸에테닐, 2-프로페닐, 1-메틸-3-프로페닐, 3-부테닐, 1-메틸-3-부테닐, 이소부테닐, 3-펜테닐, 4-헥세닐, 시클로헥세닐, 비시클로헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 데세닐, 펜타데세닐, 에이코세닐, 트리코세닐 등의 알케닐기; 벤질, 페네틸, 디페닐메틸, 트리페닐메틸, 스티릴, 신나밀 등의 아릴알킬기; 페닐, 나프틸 등의 아릴기; 페녹시, 나프틸옥시 등의 아릴옥시기; 페닐티오, 나프틸티오 등의 아릴티오기; 피리딜, 피리미딜, 피리다질, 피페리딜, 피라닐, 피라졸릴, 트리아질, 피롤릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 이미다졸릴, 벤조이미다졸릴, 트리아졸릴, 푸릴, 푸라닐, 벤조푸라닐, 티에닐, 티오페닐, 벤조티오페닐, 티아디아졸릴, 티아졸릴, 벤조티아졸릴, 옥사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이소티아졸릴, 이소옥사졸릴, 인돌릴, 2-피롤리디논-1-일, 2-피페리돈-1-일, 2,4-디옥시이미다졸리딘-3-일, 2,4-디옥시옥사졸리딘-3-일 등의 복소환 기; 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 할로겐원자; 아세틸, 2-클로로아세틸, 프로피오닐, 옥타노일, 아크릴로일, 메타크릴로일, 페닐카르보닐(벤조일), 프탈로일, 4-트리플루오로메틸벤조일, 피발로일, 살리실로일, 옥살로일, 스테아로일, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, t-부톡시카르보닐, n-옥타데실옥시카르보닐, 카르바모일 등의 아실기; 아세틸옥시, 벤조일옥시 등의 아실옥시기; 아미노, 에틸아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 부틸아미노, 시클로펜틸아미노, 2-에틸헥실아미노, 도데실아미노, 아닐리노, 클로로페닐아미노, 톨루이디노, 아니시디노, N-메틸-아닐리노, 디페닐아미노, 나프틸아미노, 2-피리딜아미노, 메톡시카르보닐아미노, 페녹시카르보닐아미노, 아세틸아미노, 벤조일아미노, 포르밀아미노, 피발로일아미노, 라우로일아미노, 카르바모일아미노, N,N-디메틸아미노카르보닐아미노, N,N-디에틸아미노카르보닐아미노, 모르폴리노카르보닐아미노, 메톡시카르보닐아미노, 에톡시카르보닐아미노, t-부톡시카르보닐아미노, n-옥타데실옥시카르보닐아미노, N-메틸-메톡시카르보닐아미노, 페녹시카르보닐아미노, 술파모일아미노, N,N-디메틸아미노술포닐아미노, 메틸술포닐아미노, 부틸술포닐아미노, 페닐술포닐아미노 등의 치환 아미노기; 술폰아미드기, 술포닐기, 카르복실기, 시아노기, 술포기, 수산기, 니트로기, 메르캅토기, 이미드기, 카르바모일기, 술폰아미드기 등을 들 수 있고, 이들 기는 더 치환되어 있어도 된다. 또한 카르복실기 및 술포기는 염을 형성하고 있어도 된다.
상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물 중에서도, 하기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물이 제조비용이 작고, 금속 반사막과의 친화성이 높으면서, 흡 수파장 특성이 380~420㎚인 단파장용 레이저용의 광학기록매체의 광학기록층의 형성에 적합하므로 바람직하며, 이들 하기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물 중에서도, 하기 일반식(Ⅴ)로 표현되는 시아닌화합물이 제조비용이 작고, 금속 반사막과의 친화성이 높으면서, 흡수파장 특성이 380~420㎚인 단파장용 레이저용의 광학기록매체의 광학기록층의 형성에 특히 적합하므로 특히 바람직하다.
또한 상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물 중에서도, 하기 일반식(Ⅵ)으로 표현되는 시아닌화합물이 제조비용이 작고, 금속 반사막과의 친화성이 높으면서, 흡수파장 특성이 380~420㎚인 단파장용 레이저용의 광학기록매체의 광학기록층의 형성에 특히 적합하므로 바람직하다.
Figure 112009043969442-PCT00008
(식 중 환 A는 치환기를 가지고 있어도 되는 벤젠환 또는 나프탈렌환을 나타내고, R3, R4, R5, R6, X1, Y1, Y2, -Q-, Anq-, p 및 q는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.)
Figure 112009043969442-PCT00009
(식 중 환 A는 치환기를 가지고 있어도 되는 벤젠환 또는 나프탈렌환을 나타내고, R3, R4, Y1, -Q-, Anq-, p 및 q는 상기 일반식(Ⅰ)과 같으며, R14는 R3과 같고, R15는 R4와 같으며, Y3은 Y1과 같다.)
Figure 112009043969442-PCT00010
(식 중 R1, R2, R3, R5, R6, X1, Y1, Y2, -Q-, Anq-, p 및 q는 상기 일반식(Ⅰ)과 같고, a는 상기 일반식(Ⅱ)와 같으며, R13은 동일 또는 달라도 되고, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 카르복실기, 탄소원자수 1~4인 알킬기 또는 탄소원자수 1~4인 알콕시기를 나타내며, 인접하는 R13은 각각 연결하여 탄소원자수 3~12인 탄소 환 또는 복소환을 형성하고 있어도 되고, m은 0~5의 수이다.)
상기 일반식(Ⅳ), (Ⅴ)에서의 환 A로 표시되는 벤젠환 또는 나프탈렌환이 가지고 있어도 되는 치환기로서는 상기 일반식(Ⅰ)의 설명에서 예시한 기를 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅵ)에서의 R13으로 표시되는 할로겐원자로서는 상기 일반식(Ⅰ)의 설명에서 예시한 기를 들 수 있고, R13으로 표시되는 탄소원자수 1~4인 알킬기 및 탄소원자 1~4인 알콕시기로서는 상기 일반식(Ⅱ)의 설명에서 예시한 기를 들 수 있다. 인접하는 R13이 연결하여 형성하는 탄소원자수 3~12인 탄소환으로서는, 예를 들면, 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로부텐, 3-메틸시클로부텐, 시클로펜텐, 시클로헥센, 인덴, 펜탈렌 등을 들 수 있고, 인접하는 R13이 연결하여 형성하는 탄소원자수 3~12인 복소환으로서는, 예를 들면, 피란환, 티오피란환, 피라졸릴환, 피롤리딘환, 이미다졸리딘환, 피라졸리딘환, 티아졸리딘환, 이소티아졸리딘환, 옥사졸리딘환, 이소옥사졸리딘환, 피페리딘환, 피페라진환, 피페리돈환, 모르폴린환 등을 들 수 있다.
상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물의 구체예로서는 하기 화합물 No.1~No.52를 들 수 있다. 또한 이하의 예시에서는 음이온을 생략한 양이온으로 나타내고 있다. 본 발명의 화합물에 있어서 이중결합은 공명(共鳴) 구조를 취하고 있어도 된다.
Figure 112009043969442-PCT00011
Figure 112009043969442-PCT00012
Figure 112009043969442-PCT00013
Figure 112009043969442-PCT00014
Figure 112009043969442-PCT00015
Figure 112009043969442-PCT00016
Figure 112009043969442-PCT00017
상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물에는, R3 및 R4로 표시되는 기가 결합하는 부제(不齊)원자를 키랄 중심으로 하는 에난티오머, 디아스테레오머 또는 라세미체 등의 광학 이성체가 존재하는 경우가 있는데, 이 중 어떠한 광학 이성체를 단리(單離)하여 사용해도, 혹은 그들의 혼합물로서 사용해도 된다.
상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물은, 그 제조방법에 의해 특별히 한정되지 않고, 주지 일반의 시아닌화합물을 합성하는 방법으로 얻을 수 있 다. 또한 앵커기는 주지의 화학반응을 응용함으로써 도입할 수 있다. 예를 들면, 일반식(Ⅰ) Y1, Y2가 앵커기인 시아닌화합물은, 반응식 1에 나타내는 바와 같이, 인돌레닌과 앵커기를 가지는 할로겐화알킬의 반응에 의해 앵커기를 가지는 인돌레닌 4급염을 합성하고, 이 앵커기를 가지는 인돌레닌 4급염과 아미딘화합물의 반응 생성물과, 앵커기를 가지는 인돌레닌 4급염을 반응시키는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한 R3, R4, R7, R8에 앵커기를 도입한 시아닌화합물은, 반응식 2에 나타내는 바와 같이, 히드라진화합물과 앵커기를 가지는 메틸케톤의 환화(環化) 반응에 의해 앵커기를 가지는 인돌레닌을 합성하고, 이것과 할로겐화알킬을 사용한 4급화 반응에 의해 얻어진 중간체와, 아미딘화합물의 반응에 의해 제조할 수 있다. 또한 -Q-에 앵커기를 도입하는 경우는, 반응식 3에 나타내는 바와 같이, -Q-에 할로겐원자를 가지는 아미딘화합물과 인돌레닌 4급염의 반응 생성물에 앵커기를 가지는 티올화합물을 반응시키는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한 앵커기를 가지는 모노메틴시아닌화합물은, 반응식 4에 나타내는 바와 같이, 인돌레닌 4급염과 2위치에 티오에테르기를 가지는 4급염을 반응시키는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한 하기 반응식 중 -Q'-는 연결기 Q를 부여하는 기를 나타내고, -Q''-는 Q'를 부여하는 기를 나타낸다.
[화학식 19-1]
Figure 112009043969442-PCT00018
[화학식 19-2]
Figure 112009043969442-PCT00019
[화학식 20-1]
Figure 112009043969442-PCT00020
[화학식 20-2]
Figure 112009043969442-PCT00021
상술한 본 발명의 시아닌화합물은 450㎚~1100㎚의 범위의 광에 대한 광학요소, 특히 480~620㎚의 범위의 광에 대한 광학요소로서 적합하다. 상기 광학요소란, 특정 광을 흡수함으로써 기능을 발휘하는 요소이며, 구체적으로는 광흡수제, 광학기록제, 광증감제 등을 들 수 있다.
예를 들면, 광흡수제는 화상표시장치용 등의 광학필터에 사용되고, 광학기록제는 CD-R, DVD±R, HDDVD-R, BD-R 등의 광학기록매체에서의 광학기록층에 사용된다.
다음으로, 상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물을 적어도 1종 함유하는 본 발명의 광학필터에 대하여 이하에 설명한다.
본 발명의 광학필터는 화상표시장치용으로서 사용하는 경우, 통상 디스플레이의 전면에 배치된다. 예를 들면, 본 발명의 광학필터는 디스플레이의 표면에 직접 붙여도 되고, 디스플레이의 앞에 전면판이 마련되어 있는 경우는 전면판의 표측(외측) 또는 이측(裏側)(디스플레이측)에 광학필터를 붙여도 된다.
상기 화상표시장치로서는, 예를 들면, 액정표시장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 일렉트로 루미네센스 디스플레이(ELD), 음극관 표시장치(CRT), 형광 표시관, 및 전계 방사형 디스플레이 등을 들 수 있다.
본 발명의 광학필터에 있어서, 본 발명의 시아닌화합물의 사용량은, 특히 화상표시장치용으로서 사용하는 경우, 광학필터의 단위 면적당 통상 1~1000㎎/㎡, 바람직하게는 5~100㎎/㎡이다. 1㎎/㎡미만의 사용량으로는 광흡수효과를 충분히 발휘할 수 없고, 1000㎎/㎡를 넘게 사용한 경우에는 필터의 색상이 지나치게 강해져 표시 품질 등을 저하시킬 우려가 있으며, 게다가 명도가 저하할 우려도 있다.
화상표시장치용으로서 사용하는 경우, 본 발명의 광학필터에는, 색조 조정 등을 위해 본 발명의 화합물 이외의 광흡수제를 사용하거나, 외광의 반사나 반영을 방지하기 위해 본 발명의 화합물 이외의 480㎚~500㎚ 대응의 광흡수제를 사용해도 된다. 또한 화상표시장치가 플라즈마 디스플레이인 경우, 적외 리모컨의 오작동 방지를 위해 750~1100㎚ 대응의 근적외선 흡수제를 사용해도 된다.
색조 조정용의 상기 광흡수제로서는 550~600㎚의 오렌지광의 제거를 위해 사 용되는 것으로서, 예를 들면, 트리메틴인돌륨화합물, 트리메틴벤조옥사졸륨화합물, 트리메틴벤조티아졸륨화합물 등의 트리메틴시아닌 유도체; 펜타메틴옥사졸륨화합물, 펜타메틴티아졸륨화합물 등의 펜타메틴시아닌 유도체; 스쿠아릴륨 색소 유도체; 아조메틴 색소 유도체; 크산텐 색소 유도체; 아조 색소 유도체; 피로메텐 색소 유도체; 아조 금속 착체 유도체: 로다민 색소 유도체; 프탈로시아닌 유도체; 포르피린 유도체; 디피로메텐금속킬레이트화합물 등을 들 수 있다.
또한 외광의 반영 방지용인 480~500㎚ 대응의 상기 광흡수제로서는, 예를 들면, 트리메틴인돌륨화합물, 트리메틴옥사졸륨화합물, 트리메틴티아졸륨화합물, 인돌리덴트리메틴티아조늄화합물 등의 트리메틴시아닌 유도체; 프탈로시아닌 유도체; 나프탈로시아닌 유도체; 포르피린 유도체; 디피로메텐금속킬레이트화합물 등을 들 수 있다.
또한 적외 리모컨 오작동 방지용인 750~1100㎚ 대응의 근적외선 흡수제로서는, 예를 들면, 비스이미늄 유도체; 펜타메틴벤조인돌륨화합물, 펜타메틴벤조옥사졸륨화합물, 펜타메틴벤조티아졸륨화합물 등의 펜타메틴시아닌 유도체; 헵타메틴인돌륨화합물, 헵타메틴벤조인돌륨화합물, 헵타메틴옥사졸륨화합물, 헵타메틴벤조옥사졸륨화합물, 헵타메틴티아졸륨화합물, 헵타메틴벤조티아졸륨화합물 등의 헵타메틴시아닌 유도체; 스쿠아릴륨 유도체; 비스(스틸벤디티오라토)화합물, 비스(벤젠디티오라토)니켈화합물, 비스(캠퍼디티오라토)니켈화합물 등의 니켈 착체; 아조 색소 유도체; 프탈로시아닌 유도체; 포르피린 유도체; 디피로메텐금속킬레이트화합물 등을 들 수 있다.
본 발명의 광학필터에 있어서, 상기의 색조 조정을 위한 광흡수제, 480~500㎚ 대응의 광흡수제 및 근적외선 흡수제는 본 발명의 시아닌화합물과 동일한 층에 함유되어 있어도 되고, 다른 층에 함유되어 있어도 된다. 그들의 사용량은 각각 통상 광학필터의 단위 면적당 1~1000㎎/㎡의 범위이며, 바람직하게는 5~100㎎/㎡이다.
본 발명의 광학필터의 대표적인 구성으로서는, 투명 지지체에 필요에 따라 밑칠층, 반사 방지층, 하드코팅층, 윤활층 등의 각 층을 마련한 것을 들 수 있다. 본 발명의 화합물이나, 본 발명의 화합물 이외의 색소 화합물인 광흡수제, 각종 안정제의 임의 성분을 본 발명의 광학필터에 함유시키는 방법으로서는, 예를 들면, (1)투명 지지체 또는 임의의 각 층에 함유시키는 방법, (2)투명 지지체 또는 임의의 각 층에 코팅하는 방법, (3)투명 지지체 및 임의의 각 층으로부터 선택되는 임의의 서로 이웃하는 양자간의 점착제층에 함유시키는 방법, (4)임의의 각 층과는 별도로 본 발명의 시아닌화합물 등의 광흡수제 등을 함유하는 광흡수층을 마련하는 방법을 들 수 있다. 본 발명의 시아닌화합물은 상기 (3)의 방법에 의해 점착제층에 함유시키거나, 또는 상기 (4)의 방법에 의해 광흡수재에 함유시키는데 적합하다.
상기 투명 지지체의 재료로서는, 예를 들면, 유리 등의 무기 재료; 디아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 프로피오닐셀룰로오스, 부티릴셀룰로오스, 아세틸프로피오닐셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 등의 셀룰로오스에스테르; 폴리아미드; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-1,2-디페녹시에탄-4,4'-디카르복실레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리스티렌; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀; 폴리메틸메타크릴레이트 등의 아크릴계 수지; 폴리카보네이트; 폴리술폰; 폴리에테르술폰; 폴리에테르케톤; 폴리에테르이미드; 폴리옥시에틸렌, 노르보르넨수지 등의 고분자 재료를 들 수 있다. 투명 지지체의 투과율은 80%이상인 것이 바람직하고, 86%이상인 것이 더욱 바람직하다. 헤이즈는 2%이하인 것이 바람직하고, 1%이하인 것이 더욱 바람직하다. 굴절율은 1.45~1.70인 것이 바람직하다.
상기 투명 지지체 중에는 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 페놀계, 인계 등의 산화 방지제, 난연제, 활제, 대전 방지제, 무기 미립자 등을 첨가할 수 있고, 또한 상기 투명 지지체에는 각종의 표면처리를 실시할 수 있다.
상기 무기 미립자로서는, 예를 들면, 이산화규소, 이산화티탄, 황산바륨, 탄산칼슘, 탤크, 카올린 등을 들 수 있다.
상기 각종 표면처리로서는, 예를 들면, 약품 처리, 기계적 처리, 코로나 방전 처리, 화염 처리, 자외선 조사 처리, 고주파 처리, 글로우 방전 처리, 활성 플라즈마 처리, 레이저 처리, 혼산(混酸) 처리, 오존 산화 처리 등을 들 수 있다.
상기 밑칠층은 광흡수제를 함유하는 광흡수층을 마련하는 경우에 투명 지지체와 광흡수층 사이에 사용하는 층이다. 상기 밑칠층은 유리 전이온도가 -60~60℃인 폴리머를 포함하는 층, 광흡수층측의 표면이 조면(粗面)인 층, 또는 광흡수층의 폴리머와 친화성을 가지는 폴리머를 포함하는 층으로서 형성한다. 또한 밑칠층은 광흡수층이 마련되어 있지 않은 투명 지지체의 면에 마련하고, 투명 지지체와 그 위에 마련되는 층(예를 들면, 반사 방지층, 하드코팅층)의 접착력을 개선하기 위해 마련해도 되며, 광학필터와 화상표시장치를 접착하기 위한 접착제와 광학필터의 친화성을 개선하기 위해 마련해도 된다. 밑칠층의 두께는 2㎚~20㎛가 바람직하고, 5㎚~5㎛가 보다 바람직하며, 20㎚~2㎛가 더욱 바람직하고, 50㎚~1㎛가 더욱 더 바람직하며, 80㎚~300㎚가 가장 바람직하다. 유리 전이온도가 -60~60℃인 폴리머를 포함하는 밑칠층은 폴리머의 점착성으로 투명 지지체와 필터층을 접착한다. 유리 전이온도가 -60~60℃인 폴리머는, 예를 들면, 염화비닐, 염화비닐리덴, 아세트산비닐, 부타디엔, 네오프렌, 스티렌, 클로로프렌, 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르, 아크릴로니트릴 또는 메틸비닐에테르의 중합 또는 이들의 공중합에 의해 얻을 수 있다. 유리 전이온도는 50℃이하인 것이 바람직하고, 40℃이하인 것이 보다 바람직하며, 30℃이하인 것이 더욱 바람직하고, 25℃이하인 것이 더욱 더 바람직하며, 20℃이하인 것이 가장 바람직하다. 밑칠층의 25℃에서의 탄성율은 1~1000㎫인 것이 바람직하고, 5~800㎫인 것이 더욱 바람직하며, 10~500㎫인 것이 가장 바람직하다. 광흡수층의 표면이 조면인 밑칠층은 조면 위에 광흡수층을 형성함으로써 투명 지지체와 광흡수층을 접착한다. 광흡수층의 표면이 조면인 밑칠층은 폴리머 라텍스의 도포에 의해 용이하게 형성할 수 있다. 라텍스의 평균 입자지름은 0.02~3㎛인 것이 바람직하고, 0.05~1㎛인 것이 더욱 바람직하다. 광흡수층의 바인더 폴리머와 친화성을 가지는 폴리머로서는 아크릴수지, 셀룰로오스 유도체, 젤라틴, 카제인, 전분, 폴리비닐알코올, 가용성 나일론 및 고분자 라텍스 등을 들 수 있다. 또한 본 발명의 광학필터에는 두 개 이상의 밑칠층을 마련해도 된다. 밑칠층에는 투 명 지지체를 팽윤시키는 용제, 매트제, 계면활성제, 대전 방지제, 도포 조제, 경막제(硬膜劑) 등을 첨가해도 된다.
상기 반사 방지층에 있어서는 저굴절율층이 필수적이다. 저굴절율층의 굴절율은 상기 투명 지지체의 굴절율보다도 낮다. 저굴절율층의 굴절율은 1.20~1.55인 것이 바람직하고, 1.30~1.50인 것이 더욱 바람직하다. 저굴절율층의 두께는 50~400㎚인 것이 바람직하고, 50~200㎚인 것이 더욱 바람직하다. 저굴절율층은 굴절율이 낮은 불소 함유 폴리머로 이루어지는 층(일본국 공개특허 소57-34526호, 일본국 공개특허 평3-130103호, 일본국 공개특허 평6-115023호, 일본국 공개특허 평8-313702호, 일본국 공개특허 평7-168004호의 각 공보 기재), 졸겔법에 의해 얻어지는 층(일본국 공개특허 평5-208811호, 일본국 공개특허 평6-299091호, 일본국 공개특허 평7-168003호의 각 공보 기재), 혹은 미립자를 포함하는 층(일본국 공고특허 소60-59250호, 일본국 공개특허 평5-13021호, 일본국 공개특허 평6-56478호, 일본국 공개특허 평7-92306호, 일본국 공개특허 평9-288201호의 각 공보에 기재)으로서 형성할 수 있다. 미립자를 포함하는 층에서는, 미립자간 또는 미립자 내의 미크로보이드로서 저굴절율층에 공극을 형성할 수 있다. 미립자를 포함하는 층은 3~50체적%의 공극율을 가지는 것이 바람직하고, 5~35체적%의 공극율을 가지는 것이 더욱 바람직하다.
넓은 파장영역의 반사를 방지하기 위해서는, 상기 반사 방지층에 있어서, 저굴절율층과 더불어 굴절율이 높은 층(중·고굴절율층)을 적층하는 것이 바람직하다. 고굴절율층의 굴절율은 1.65~2.40인 것이 바람직하고, 1.70~2.20인 것이 더욱 바람직하다. 중굴절율층의 굴절율은 저굴절율층의 굴절율과 고굴절율층의 굴절율의 중간값이 되도록 조정한다. 중굴절율층의 굴절율은 1.50~1.90인 것이 바람직하고, 1.55~1.70인 것이 더욱 바람직하다. 중·고굴절율층의 두께는 5㎚~100㎛인 것이 바람직하고, 10㎚~10㎛인 것이 더욱 바람직하며, 30㎚~1㎛인 것이 가장 바람직하다. 중·고굴절율층의 헤이즈는 5%이하인 것이 바람직하고, 3%이하인 것이 더욱 바람직하며, 1%이하인 것이 가장 바람직하다. 중·고굴절율층은 비교적 높은 굴절율을 가지는 폴리머 바인더를 사용하여 형성할 수 있다. 굴절율이 높은 폴리머로서는 폴리스티렌, 스티렌 공중합체, 폴리카보네이트, 멜라민수지, 페놀수지, 에폭시수지, 환상(環狀)(지환식 또는 방향족) 이소시아네이트와 폴리올의 반응으로 얻어지는 폴리우레탄 등을 들 수 있다. 그 밖의 환상(방향족, 복소환식, 지환식)기를 가지는 폴리머나, 불소 이외의 할로겐원자를 치환기로서 가지는 폴리머도 굴절율이 높다. 이중결합을 도입하여 라디칼 경화를 가능하게 한 모노머의 중합반응에 의해 형성된 폴리머를 사용해도 된다.
또한 높은 굴절율을 얻기 위해 상기 폴리머 바인더 중에 무기 미립자를 분산해도 된다. 무기 미립자의 굴절율은 1.80~2.80인 것이 바람직하다. 무기 미립자는 금속의 산화물 또는 황화물로 형성하는 것이 바람직하다. 금속의 산화물 또는 황화물로서는 산화티탄(예를 들면, 루틸, 루틸/아나타제의 혼합 결정, 아나타제, 비결정질 구조), 산화주석, 산화인듐, 산화아연, 산화지르코늄, 황화아연 등을 들 수 있다. 이 중에서도 산화티탄, 산화주석 및 산화인듐이 특히 바람직하다. 무기 미립자는 이들 금속의 산화물 또는 황화물을 주성분으로 하며, 또한 다른 원소를 포함 할 수 있다. 주성분이란, 입자를 구성하는 성분 중에서 가장 함유량(중량%)이 많은 성분을 의미한다. 다른 원소로서는 Ti, Zr, Sn, Sb, Cu, Fe, Mn, Pb, Cd, As, Cr, Hg, Zn, Al, Mg, Si, P, S 등을 들 수 있다. 피막 형성성으로 용제에 분산할 수 있거나, 그 자체가 액상인 무기 재료, 예를 들면, 각종 원소의 알콕시드, 유기산의 염, 배위성 화합물과 결합한 배위 화합물(예를 들면 킬레이트화합물), 활성 무기 폴리머를 사용하여 중·고굴절율층을 형성할 수도 있다.
상기 반사 방지층의 표면에는 안티 글래어 기능(입사광을 표면에서 산란시켜 막 주위의 모습이 막 표면으로 옮기는 것을 방지하는 기능)을 부여할 수 있다. 예를 들면, 투명 필름의 표면에 미세한 요철을 형성하여 그 표면에 반사 방지층을 형성하거나, 혹은 반사 방지층을 형성 후 엠보싱롤에 의해 표면에 요철을 형성함으로써, 안티 글래어 기능을 가지는 반사 방지층을 얻을 수 있다. 안티 글래어 기능을 가지는 반사 방지층은 일반적으로 3~30%의 헤이즈를 가진다.
상기 하드코팅층은 상기 투명 지지체의 경도보다도 높은 경도를 가진다. 하드코팅층은 가교하고 있는 폴리머를 포함하는 것이 바람직하다. 하드코팅층은 아크릴계, 우레탄계, 에폭시계의 폴리머, 올리고머 또는 모노머(예를 들면 자외선 경화형 수지) 등을 사용하여 형성할 수 있다. 실리카계 재료로 하드코팅층을 형성할 수도 있다.
상기 반사 방지층(저굴절율층)의 표면은 윤활층을 형성해도 된다. 윤활층은 저굴절율층 표면에 미끄럼성을 부여하여 내상성(耐傷性)을 개선하는 기능을 가진다. 윤활층은 폴리오르가노실록산(예를 들면 실리콘 오일), 천연왁스, 석유왁스, 고급 지방산 금속염, 불소계 윤활제 또는 그 유도체를 사용하여 형성할 수 있다. 윤활층의 두께는 2~20㎚인 것이 바람직하다.
본 발명의 시아닌화합물을 광학필터에 함유시킬 때에 상기 "(3)투명 지지체 및 임의의 각 층으로부터 선택되는 임의의 서로 이웃하는 양자간의 점착제층에 함유시키는 방법"을 채용하는 경우에는, 본 발명의 화합물 등을 점착제에 함유시킨 후, 상기 점착제를 사용하여 상술한 투명 지지체 및 임의의 각 층 중 서로 이웃하는 양자를 접착하면 된다. 상기 점착제로서는 실리콘계, 우레탄계, 아크릴계, 폴리비닐부티랄계, 에틸렌-아세트산비닐계 등의 공지의 합판 유리용 투명 점착제를 사용할 수 있다. 또한 상기 점착제를 사용하는 경우, 필요에 따라 경화제로서 금속킬레이트계, 이소시아네이트계, 에폭시계 등의 가교제를 사용할 수 있다. 또한 점착제층의 두께는 2~400㎛로 하는 것이 바람직하다.
상기 "(4)임의의 각 층과는 별도로 본 발명의 시아닌화합물 등의 광흡수제를 함유하는 광흡수층을 마련하는 방법"을 채용하는 경우, 본 발명의 화합물은, 그대로 사용하여 광흡수층을 형성할 수도 있고, 바인더에 분산시켜 광흡수층을 형성할 수도 있다. 상기 바인더로서는, 예를 들면, 젤라틴, 카제인, 전분, 셀룰로오스 유도체, 아르긴산 등의 천연 고분자 재료, 혹은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 스티렌-부타디엔 코폴리머, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리아미드 등의 합성 고분자 재료가 사용된다.
상기 바인더를 사용할 때에는, 동시에 유기 용매를 사용할 수도 있고, 상기 유기 용매로서는, 특별히 한정되지 않고 공지의 다양한 용매를 적당히 사용할 수 있으며, 예를 들면, 이소프로판올 등의 알코올류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 부틸디글리콜 등의 에테르알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산메톡시에틸 등의 에스테르류; 아크릴산에틸, 아크릴산부틸 등의 아크릴산에스테르류, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 등의 불화알코올류; 헥산, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소류; 메틸렌디클로라이드, 디클로로에탄, 클로로포름 등의 염소화탄화수소류 등을 들 수 있다. 이들 유기 용매는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
또한 상기의 밑칠층, 반사 방지층, 하드코팅층, 윤활층, 광흡수층 등은 일반적인 도포방법에 의해 형성할 수 있다. 도포방법으로서는 딥 코팅법, 에어 나이프 코팅법, 커튼 코팅법, 롤러 코팅법, 와이어 바 코팅법, 그라비어 코팅법, 호퍼를 사용하는 익스트루전(extrusion) 코팅법(미국 특허 제2681294호 명세서 기재) 등을 들 수 있다. 두 개 이상의 층을 동시 도포에 의해 형성해도 된다. 동시 도포법에 대해서는, 미국 특허 제2761791호, 미국 특허 제2941898호, 미국 특허 제3508947호, 미국 특허 제3526528호의 각 명세서 및 하라자키 유지 저 "코팅공학" 253페이지(1973년 아사쿠라 서점 발행)에 기재가 있다.
본 발명의 시아닌화합물은 흡수의 반값폭이 작으므로 본 발명의 시아닌화합물을 함유하는 본 발명의 광학필터는, 화상표시에 필요한 광의 흡수가 작아, 표시화상의 고품질화에 사용되는 화상표시장치용, 예를 들면, 액정표시장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 일렉트로 루미네센스 디스플레이(ELD), 음극관 표시장 치(CRT), 형광 표시관 및 전계 방사형 디스플레이 등의 광학필터로서 적합하다.
또한 본 발명의 광학필터는 분석장치용, 반도체장치 제조용, 천문 관측용, 광통신용 등의 광학필터로서도 사용된다.
다음으로, 기체상에 광학기록층이 형성된 광학기록매체의 상기 광학기록층에 사용되는 본 발명의 시아닌화합물을 적어도 1종 함유하는 본 발명의 광학기록재료에 대하여 이하에 설명한다.
본 발명의 광학기록재료란, 상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물 및 후술하는 유기 용매나 각종 화합물과의 혼합물이다.
상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 시아닌화합물을 함유하는 본 발명의 광학기록재료를 사용하여 광학기록매체의 광학기록층을 형성하는 방법에 대해서는, 특별히 제한을 받지 않는다. 일반적으로는 메탄올, 에탄올 등의 저급 알코올류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 부틸디글리콜 등의 에테르알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산메톡시에틸 등의 에스테르류; 아크릴산에틸, 아크릴산부틸 등의 아크릴산에스테르류, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 등의 불화알코올류; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소류; 메틸렌디클로라이드, 디클로로에탄, 클로로포름 등의 염소화탄화수소류 등의 유기 용매에, 본 발명의 시아닌화합물 및 필요에 따라 후술의 각종 화합물을 용해하여 용액상의 광학기록재료를 제작해, 상기 광학기록재료를 기체상에 스핀코팅, 스프레이, 디핑 등으로 도포하는 습식 도포법이 사용된다. 상기 유기 용매를 사용하는 경우, 그 사용량은 본 발명의 광학기록재료 중에서의 본 발명의 시아닌화합물의 함유량이 0.1~10질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 광학기록재료로서, 본 발명의 시아닌화합물 또는 상기 화합물과 후술의 각종 화합물의 혼합물을 단체(單體)로서 사용하며, 본 발명의 광학기록매체를 제조하는 경우에는 증착법, 스퍼터링법 등이 사용된다.
상기 광학기록층은 박막으로서 형성되고, 그 두께는 통상 0.001~10㎛가 적당하며 바람직하게는 0.01~5㎛의 범위이다.
또한 본 발명의 광학기록재료 중에 있어서, 본 발명의 시아닌화합물의 함유량은 본 발명의 광학기록재료에 포함되는 고형분 중 10~100질량%가 바람직하다. 상기 광학기록층은, 광학기록층 중에 본 발명의 시아닌화합물을 50~100질량% 함유하도록 형성되는 것이 바람직하고, 이러한 화합물 함유량의 광학기록층을 형성하기 위해, 본 발명의 광학기록재료는, 본 발명의 시아닌화합물을 본 발명의 광학기록재료에 포함되는 고형분 중 50~100질량% 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 광학기록재료에 포함되는 상기 고형분은, 상기 광학기록재료로부터 유기 용매 등의 고형분 이외의 성분을 제거한 성분으로서, 상기 고형분의 함유량은 상기 광학기록재료 중 0.01~100질량%가 바람직하고, 0.1~10질량%가 보다 바람직하다.
본 발명의 광학기록재료는, 본 발명의 시아닌화합물 이외에, 필요에 따라 본 발명의 시아닌화합물 이외의 시아닌화합물, 아조계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 옥소놀계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 인돌화합물, 스티릴계 화합물, 포르핀 계 화합물, 아줄레늄계 화합물, 크로코닉메틴계 화합물, 피릴륨계 화합물, 티오피릴륨계 화합물, 트리아릴메탄계 화합물, 디페닐메탄계 화합물, 테트라히드로콜린계 화합물, 인도페놀계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 나프토퀴논계 화합물, 크산텐계 화합물, 티아진계 화합물, 아크리딘계 화합물, 옥사진계 화합물, 스피로피란계 화합물, 플루오렌계 화합물, 로다민계 화합물 등의 통상 광학기록층에 사용되는 화합물; 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 등의 수지류; 계면활성제; 대전 방지제; 활제; 난연제; 힌더드아민 등의 라디칼 포착제; 페로센 유도체 등의 피트 형성 촉진제; 분산제; 산화 방지제; 가교제; 내광성 부여제 등을 함유해도 된다. 또한 본 발명의 광학기록재료는 일중항 산소 등의 켄처로서 방향족 니트로소화합물, 아미늄화합물, 이미늄화합물, 비스이미늄화합물, 천이금속킬레이트화합물 등을 함유해도 된다. 본 발명의 광학기록재료에 있어서, 이들 각종 화합물은 본 발명의 광학기록재료에 포함되는 고형분 중 0~50질량%의 범위가 되는 양으로 사용된다.
이러한 광학기록층을 마련하는 상기 기체의 재질은, 기입(기록)광 및 판독(재생)광에 대하여 실질적으로 투명한 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트 등의 수지, 유리 등이 사용된다. 또한 그 형상은 용도에 따라 테이프, 드럼, 벨트, 디스크 등의 임의의 형상인 것을 사용할 수 있다.
또한 상기 광학기록층상에는 금, 은, 알루미늄, 구리 등을 사용하여 증착법 혹은 스퍼터링법에 의해 반사막을 형성할 수도 있고, 아크릴수지, 자외선 경화성 수지 등의 유기물을 사용하여, 혹은 무기물을 사용하여 스퍼터링법에 의해 보호층을 형성할 수도 있다.
본 발명의 광학기록재료는, 정보의 기록, 재생에 반도체 레이저를 사용하여 열적 정보 패턴으로서 부여함으로써 기록하는 광학기록매체에서의 광학기록층에 사용되는 광학기록재료에 적합하다. 특히 고속기록 타입의 CD-R, DVD±R, HD-DVD-R, BD-R 등의 공지의 단층식, 이층식, 다층식 광디스크에 적합하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 시아닌화합물은, 광학필터나 광학기록재료 등의 광학요소로서 적합하게 사용되는 것 외에 색소 증감형 태양전지, 광 전기 화학전지, 비선형(非線型) 광학장치, 일렉트로크로믹 디스플레이, 홀로그램, 유기 반도체, 유기 EL, 할로겐화은 사진 감광 재료, 증감제, 인쇄 잉크, 잉크젯, 전자사진 컬러 토너, 화장료, 플라스틱 등의 착색제, 단백질용 염색제, 물질 검출을 위한 발광 염료 등으로서도 사용된다.
<실시예>
이하, 제조예 및 실시예로서 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하의 실시예 등에 의해 하등 제한을 받는 것은 아니다.
하기 실시예 1은 상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물의 제조예를 나타내고, 실시예 2~5는 실시예 1에서 얻어진 본 발명의 시아닌화합물을 사용한 본 발명의 광학필터의 작성예를 나타낸다. 또한 하기 실시예 6은 실시예 1에서 얻어진 본 발명의 시아닌화합물을 사용한 본 발명의 광학기록재료 및 광학기록매체의 실시예를 나타내고, 비교예 1은 본 발명의 시아닌화합물과는 다른 구조의 화합물을 사용한 광학기록재료 및 광학기록매체의 예를 나타낸다. 또한 하기 평가예 1 및 비교 평가예 1에서는, 각각 실시예 1에서 얻어진 본 발명의 시아닌화합물 및 비교 화합물에 대하여 금속 반사막과의 친화성의 평가를 행하였다.
하기 실시예 7~26은 본 발명의 시아닌화합물의 제조예를 나타내고, 또한 하기 평가예 2 및 비교 평가예 2에서는, 각각 실시예 26에서 얻어진 본 발명의 시아닌화합물 및 비교 화합물에 대하여 금속 반사막과의 친화성의 평가를 행하였다. 또한 하기 평가예 3~7 및 비교 평가예 3~6에서는, 각각 실시예 1, 15, 20, 16 및 24에서 얻어진 본 발명의 시아닌화합물 및 비교 화합물에 대하여 도포막의 물에의 용출 내성평가를 행하였다.
[실시예 1] 화합물 No.1의 요오드염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 21]로 표현되는 화합물 1.14g, N-메틸-3-메틸(4-카르복시벤질)-2-메틸벤조인돌레닌의 요오드염 1.18g, 무수아세트산 0.766g 및 피리딘 4.00g을 넣어 60℃로 3시간 교반하였다. 클로로포름 10㎖ 및 물 20㎖를 첨가해 유수 분리를 행하며 용매를 증류 제거하였다. 아세톤으로부터 재결정을 행하여 녹색 분말을 1.20g(수율 68%) 얻었다. 얻어진 녹색 분말은 목적물인 화합물 No.1의 요오드염인 것을 확인하였다. 얻어진 녹색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한 얻어진 화합물에 대하여, TG-DTA에 의해 열분석을 행하여 융점, 분해점을 측정하였다. 조건은 100㎖/분 질소기류 중 승온 10℃/분으로 행하고, 융점은 DTA의 흡열의 피크, 분해점은 TG의 중량 감소 개시온도로 하였다. 이하의 실시예도 동일하다.
Figure 112009043969442-PCT00022
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도(多重度);프로톤수)
(2.02;s;6H), (2.17;s;3H), (3.53;s;3H), (3.66;d;1H), (3.86;s;3H), (4.22;d;1H), (6.56-6.60;m;4H), (7.45;d;2H), (7.49-8.48;m;12H), (8.69;t;1H), (12.7;s;1H)
[2] UV 흡수 측정(클로로포름 용매)
λmax; 591㎚, ε; 1.10×105
[3] 분해 온도(TG-DTA: 100㎖/분 질소기류 중, 승온 10℃/분)
216.3℃; 피크탑
[4] 융점
211.7℃
[실시예 2] 광학필터의 작성 1
하기의 배합으로 도공액을 조제하여, 밀착 용이하게 처리한 188㎛ 두께의 폴 리에틸렌테레프탈레이트 필름에 상기 도공액을 바 코터 #9에 의해 도포한 후 100℃로 3분 건조시켜, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름상에 막 두께 10㎛의 필름층을 가지는 광학필터(화합물 No.1의 함유량 2.0㎎/㎡)를 얻었다. 이 광학필터에 대하여, 가부시키가이샤 니혼 분코 제품 자외 가시 근적외 분광 광도계 Ⅴ-570으로 흡수 스펙트럼을 측정한 바 λmax가 591㎚이고 반값폭이 94.9㎚였다.
(배합)
스미펙스 LG 2.5g
(가부시키가이샤 스미토모 가가쿠 제품 아크릴계 수지 바인더, 수지분 40질량%)
화합물 No.1의 요오드염 2㎎
메틸에틸케톤 2.5g
[실시예 3] 광학필터의 작성 2
하기의 배합으로 점착제 용액을 조제하여, 밀착 용이하게 처리한 188㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 상기 점착제 용액을 바 코터 #30에 의해 도포한 후 100℃로 10분간 건조시켜, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름상에 두께 약 10㎛의 점착제층을 가지는 광학필터(화합물 No.1의 함유량 2.0㎎/㎡)를 얻었다. 이 광학필터에 대하여, 가부시키가이샤 니혼 분코 제품 자외 가시 근적외 분광 광도계 Ⅴ-570으로 측정한 바 λmax가 591.5㎚이고 반값폭이 95.O㎚였다.
(배합)
화합물 No.1의 요오드염 2.0㎎
아크릴계 점착제 20g
(데비 본드 5541: 다이아본드사 제품)
메틸에틸케톤 80g
[실시예 4] 광학필터의 작성 3
하기의 배합으로 UV 바니시를 조제하여, 밀착 용이하게 처리한 188㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 상기 UV 바니시를 바 코터 #9에 의해 도포한 후 80℃로 30초 건조시켰다. 그 후 적외선 차단 필름 필터 부가 고압 수은등으로 자외선을 100mJ 조사하여, 경화막 두께 약 5㎛인 필터층을 가지는 광학필터(화합물 No.1의 함유량 2.0㎎/㎡)를 얻었다. 이 광학필터에 대하여, 가부시키가이샤 니혼 분코 제품 자외 가시 근적외 분광 광도계 Ⅴ-570으로 흡수 스펙트럼을 측정한 바 λmax 591㎚이고 반값폭이 94.8㎚였다.
(배합)
아데카 옵토머 KRX-571-65 100g
(가부시키가이샤 아사히 덴카 고교 제품 UV 경화 수지, 수지분 80질량%)
화합물 No.1의 요오드염 0.05g
메틸에틸케톤 60g
[실시예 5] 광학필터의 작성 4
하기의 배합으로 도공액을 조제하여, 밀착 용이하게 처리한 188㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 상기 도공액을 바 코터 #9에 의해 도포한 후 100℃로 3분간 건조시켜, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름상에 막 두께 약 10㎛의 필름층 을 가지는 광학필터(화합물 No.1의 함유량 2.0㎎/㎡)를 얻었다. 이 광학필터에 대하여, 가부시키가이샤 니혼 분코 제품 자외 가시 근적외 분광 광도계 Ⅴ-570으로 측정한 바 λmax가 591㎚이고 반값폭이 95.O㎚였다.
(배합)
폴리에스터 TP-220 100g
(니혼 고세이 가가쿠사 제품 폴리에스테르수지)
화합물 No.1의 요오드염 0.1g
메틸에틸케톤 60g
상기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 본 발명의 시아닌화합물을 사용한 실시예 2~5의 광학필터는 특정 파장(550~620㎚)에 흡수를 가지고 있고, 특히 적색의 색 순도를 높일 수 있기 때문에 화상표시장치, 특히 플라즈마 디스플레이용의 광학필터로서의 성능이 뛰어난 것이 명백하다.
[실시예 6]
상기의 실시예 1에서 얻은 화합물 No.1의 요오드염을 화합물의 농도가 농도 1.0질량%가 되도록 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 용액에 용해하여, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 용액으로서 실시예 6의 광학기록재료를 각각 얻었다. 티탄킬레이트화합물(T-50: 니혼 소다사 제품)을 도포, 가수 분해하여 하지층(下地層)(0.01㎛)을 마련한 지름 12㎝의 폴리카보네이트 디스크 기판상에, 상기의 광학기록재료를 스핀코팅법으로 도포해 두께 100㎚의 광학기록층을 형성하여 실시예 6의 광학기록매체 No.1을 얻었다.
[비교예 1]
화합물 No.1의 요오드염을 대신하여 하기 비교 화합물 0을 사용한 것 이외에는 상기 실시예 6과 동일하게 하여 비교예 1의 광학기록재료를 제작하고, 상기 광학기록재료를 사용하여 비교예 1의 광학기록매체를 얻었다.
Figure 112009043969442-PCT00023
[평가예 1, 비교 평가예 1] 금속 반사막과의 친화성 평가
우선, 두께 200㎛의 20×20mm인 폴리카보네이트판상에 증착법을 사용하여 두께 10㎛의 알루미늄의 박막을 형성하였다. 이어서, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올에, 본 발명의 시아닌화합물인 화합물 No.1의 요오드염을 농도 1질량%가 되도록 용해하여 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 용액을 조제하고, 얻어진 용액을 알루미늄을 증착한 20×20mm의 폴리카보네이트판상에 2000rpm, 60초로 스핀코팅법에 의해 도포하여 시험편을 작성하였다. 또한 화합물 No.1의 요오드염을 대신하여 비교 화합물 0을 사용한 것 이외에는 상기와 동일하게 시험편을 제작하였다. 얻어진 시험편을 80℃의 물에 30초간 침지하고, λmax=635㎚, 650㎚ 및 665㎚에서의 침지 전(R1) 및 침지 후(R2)의 반사율의 차(ΔR=R2-R1)를 구하여, 금속 반사막과의 친화성 평가로 하였다. 결과를 [표 1]에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00024
상기 [표 1]의 결과에 의하면, 본 발명의 시아닌화합물을 사용한 금속 반사막에 있어서는, 80℃의 물에 침지한 후에도 반사율의 변화는 거의 나타나지 않고, 내수성이 높았다. 한편, 비교 화합물을 사용한 금속 반사막에 있어서는, 80℃의 물에 침지한 후의 반사율의 변화는 10%이상이고 내수성이 낮았다. 이것은 본 발명의 시아닌화합물이 앵커기를 가지기 때문에 금속 반사막과의 친화성이 높은 것에 기인한다고 생각된다.
본 발명의 시아닌화합물은, DVD-R의 레이저 파장인 635㎚, 650㎚ 및 665㎚에 있어서 높은 금속 반사막과의 친화성을 나타내기 때문에 광학기록재료로서 적합하게 사용된다.
[실시예 7] 화합물 No.30의 헥사플루오로인산염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 23]으로 표현되는 화합물 2.9g, 하기 [화학식 24]로 표현되는 화합물 2.0g, 아세토니트릴 7.4g 및 트리에틸아민 0.8g을 넣어 45℃로 4시간 교반하였다. 클로로포름 10㎖ 및 물 20㎖를 첨가하여 유수 분리를 행하였다. 계속해서 헥사플루오로인산칼륨 0.9g을 녹인 물 20㎖를 첨가하여 염 교환을 행하였다. 수층을 제거한 후, 헥사플루오로인산칼륨 0.2g을 녹인 물 20㎖로 다시 염 교환 후 15㎖의 물로 두 번 유층의 물 세정을 행하였다. 용매를 증류 제거한 후 아세톤 1.2g을 첨가해 가열 용해시키고, 아세트산부틸 12g을 첨가하여 정석(晶析)시켰다. 120℃의 감압 건조 후 녹색 분말 430㎎(수율 12%)을 얻었다. 얻어진 녹색 분말은 목적물인 화합물 No.30의 헥사플루오로인산염인 것을 확인하였다. 얻어진 녹색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00025
Figure 112009043969442-PCT00026
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(12.67;s;1H), (8.73;t;1H), (8.50;d;1H), (8.29;d;1H), (8.12-8.01;m;4H), (7.83;d;1H), (7.77;t;1H), (7.68;t;1H), (7.59-7.51;m;3H), (6.96;t;1H), (6.87;t;2H), (6.66-6.61;m;2H), (6.44;d;2H), (4.51;t;2H), (4.19;d;1H), (3.61-3.50;m;4H), (2.87;t;2H), (2.16;s;3H), (2.07-2.04;m;6H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 593.O㎚, ε; 1.14×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
207℃
[실시예 8] 화합물 No.31의 과염소산염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 25]로 표현되는 화합물 2.9g, 무수아세트산 0.9g, 아세토니트릴 9.3g을 넣어 교반 후 하기 [화학식 26]으로 표현되는 화합물 2.8g, 트리에틸아민 1.2g을 첨가하여 60℃로 5시간 교반하였다. 클로로포름 10g 및 물 10g, 과염소산나트륨1수화물 0.7g을 첨가해 유수 분리를 행하여 용매를 증류 제거하였다. 또한 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제를 행하여 적자색(赤紫色) 분말 130㎎(수율 3%)을 얻었다. 얻어진 적자색 분말은 목적물인 화합물 No.31의 과염소산염인 것을 확인하였다. 얻어진 적자색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00027
Figure 112009043969442-PCT00028
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(1.85;s;3H), (2.02;s;3H), (2.04;s;3H), (2.44-2.49;m;2H), (3.49;s;3H), (3.65;d;1H), (4.21;d;1H), (4.44;t;2H), (6.56;d;2H), (6.58;d;1H), (6.66;d;1H), (7.08;d;2H), (7.35;d;1H), (7.45-7.56;m;4H), (7.63-7.68;m;2H), (7.37;t;1H), (7.80-7.82;m;2H), (8.00;d;1H), (8.04-8.10;m;3H), (8.26;d;1H), (8.43;d;1H), (8.71;t;1H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 593.5㎚, ε; 1.15×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
137℃
[실시예 9] 화합물 No.32의 헥사플루오로인산염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 27]로 표현되는 화합물 0.5g, 하기 [화합물 28]로 표현되는 화합물 0.7g, 피리딘 2.0g, 무수아세트산 0.1g을 넣어 실온에서 10시간 교반하였다. 클로로포름과 물을 첨가하여 유수 분리를 행하고, 헥사플루오로인산칼륨 수용액에서의 유수 분리와 클로로포름층의 물 세정을 행하여 용매를 증류 제거하였다. 실리카겔 박층 크로마토그래피를 사용해 정제를 행하여 자색 분말 0.1g(수율 10%)을 얻었다. 얻어진 자색 분말은 목적물인 화합물 No.32의 헥사플루오로인산염인 것을 확인하였다. 얻어진 자색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00029
Figure 112009043969442-PCT00030
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(8.56;t;1H), (8.28;t;2H), (8.09-8.04;m;4H), (7.79;d;1H), (7.35;d;1H), (7.66;t;1H), (7.54-7.48;m;2H), (6.61;q;2H), (5.01-4.90;m;1H), (4.76-4.67;m;2H), (4.40;t;2H), (4.27;t;2H), (4.45-4.00;m;9H), (3.66;dd;1H), (3.11;dd;1H), (2.36;br t;4H), (2.03;s;3H), (1.97;s;6H), (1.85-1.75;m;2H), (1.67-1.61;m;2H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 568.O㎚, ε; 9.22×104M-1㎝-1
[3] 분해 온도
95℃
[실시예 10] 화합물 No.33의 헥사플루오로인산염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 29]로 표현되는 화합물 2.7g과 하기 [화학식 30]으로 표현되는 화합물 1.9g, 피리딘 6.6g, 무수아세트산 0.6g을 넣어 60℃로 4시간 교반하였다. 클로로포름과 물을 첨가해 유수 분리를 행하여 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 및 클로로포름으로 정석을 행하여 다갈색 분말 0.5g(수율 15%)을 얻었다. 얻어진 다갈색 분말은 목적물인 화합물 No.33의 헥사플루오로인산염인 것을 확인하였다. 얻어진 다갈색 분말에 대한 분석치를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00031
Figure 112009043969442-PCT00032
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(14.5;s;1H), (12.6;s;1H), (9.08;t;1H), (8.44;d;1H), (8.05;d;2H), (7.97;t;2H), (7.76;t;1H), (7.56-7.50;m;2H), (7.40;d;1H), (6.91;m;1H), (6.82;t;2H), (6.48;d;1H), (6.41;d;2H), (6.21;d;1H), (4.06;d;1H), (3.98;d;1H), (3.51;s;3H), (2.15;s;3H), (1.52;d;6H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 543.O㎚, ε; 4.50×104M-1㎝-1
[3] 분해 온도
244℃
[실시예 11] 화합물 No.34의 과염소산염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 31]로 표현되는 화합물 2.42g, 하기 [화학식 32]로 표현되는 화합물 2.1g, 아세토니트릴 7.3g, 트리에틸아민 0.8g 및 무수아세트산 0.8g을 넣어 실온에서 2.5시간 교반하였다. 클로로포름 10㎖ 및 물 20㎖를 첨가하여 유수 분리를 행하였다. 계속해서 과염소산나트륨1수화물 150㎎을 녹인 물 20㎖를 첨가하여 염 교환을 행한 후 20㎖의 물로 두 번 유층의 물 세정을 행하였다. 용매를 증류 제거한 후 아세톤 17.0g을 첨가해 정석시켰다. 120℃의 감압 건조 후 다갈색 분말 1.3g(수율 36%)을 얻었다. 얻어진 다갈색 분말은 목적물인 화합물 No.34의 과염소산염인 것을 확인하였다. 얻어진 다갈색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00033
Figure 112009043969442-PCT00034
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(8.66;t;1H), (8.47;d;1H), (8.26;d;1H), (8.13-8.04;m;3H), (7.96;d;1H), (7.81;d;1H), (7.74;t;1H), (7.67;t;1H), (7.57-7.48;m;3H), (7.38;d;2H), (6.66-6.56;m;2H), (6.49;d;2H), (4.48;t;2H), (4.15;d;1H), (3.62;d;1H), (3.51;s;3H), (2.75;t;2H), (2.16;s;3H), (2.03-2.01;m;6H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 593.5㎚, ε; 1.14×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
237℃
[실시예 12] 화합물 No.35의 헥사플루오로인산염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 33]으로 표현되는 화합물 1.2g, 하기 [화학식 34]로 표현되는 화합물 1.1g, 아세토니트릴 3.2g, 무수아세트산 0.3g 및 트리에틸아민 0.3g을 넣어 40℃로 3.5시간 교반하였다. 클로로포름 8㎖ 및 물 15㎖를 첨가하여 유수 분리를 행하였다. 계속해서 헥사플루오로인산칼륨 0.5g을 녹인 물 20㎖를 첨가하여 염 교환을 행하였다. 수층을 제거한 후, 헥사플루오로인산칼륨 0.2g을 녹인 물 20㎖로 다시 염 교환 후 15㎖의 물로 두 번 유층의 물 세정을 행하였다. 용매를 증류 제거한 후 메틸이소부틸케톤 14.0g를 첨가하여 정석시켰다. 100℃의 감압 건조 후 적색 분말 0.8g(수율 49%)을 얻었다. 얻어진 녹색 분말은 목적물인 화합물 No.35의 헥사플루오로인산염인 것을 확인하였다. 얻어진 적색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00035
Figure 112009043969442-PCT00036
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(8.55;t;1H), (8.51;d;2H), (8.09-8.02;m;4H), (7.77;t;2H), (7.60-7.53;m;4H), (7.39;t;2H), (6.95;t;1H), (6.89-6.86;m;2H), (6.69-6.65;m;2H), (6.56-6.45;m;4H), (4.27-4.18;m;2H), (3.76-3.69;m;2H), (3.57;s;6H), (2.21;s;6H)
[2] UV 흡수 측정(클로로포름 용매)
λmax; 598.5㎚, ε; 1.04×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
215℃
[4] 융점
186℃
[실시예 13] 화합물 No.36의 과염소산염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 35]로 표현되는 화합물 1.9g, 하기 [화학식 36]으로 표현되는 화합물 1.7g, 아세토니트릴 11.9g, 트리에틸아민 0.6g 및 무수아세트산 0.6g을 넣어 실온에서 2시간 교반하였다. 클로로포름 15㎖ 및 물 20㎖를 첨가하여 유수 분리를 행하였다. 계속해서 과염소산나트륨1수화물 0.2g을 녹인 물 20㎖를 첨가하여 염 교환을 행하였다. 또한 과염소산나트륨1수화물 0.3g을 녹인 물 20㎖를 첨가하여 염 교환을 행한 후 20㎖의 물로 두 번 유층의 물 세정을 행하였다. 용매를 증류 제거한 후 컬럼 크로마토그래피로 정제를 행하여, 120℃의 감압 건조 후 다갈색 분말 1.2g(수율 30%)을 얻었다. 얻어진 다갈색 분말은 목적물인 화합물 No.36의 과염소산염인 것을 확인하였다. 얻어진 다갈색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00037
Figure 112009043969442-PCT00038
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(12.69;br;1H), (8.76;t;1H), (8.58;d;1H), (8.30;d;1H), (8.13-8.06;m;3H), (7.98;d;1H), (7.86-7.81;m;2H), (7.68-7.42;m;9H), (7.31;s;1H), (6.70-6.64;m;2H), (6.55;d;1H), (4.53;t;2H), (4.36;d;1H), (3.77;d;1H), (3.50;s;3H), (2.89;t;2H), (2.20;s;3H), (2.07-2.05;m;6H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 594.O㎚, ε; 0.93×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
200℃
[실시예 14] 화합물 No.37의 요오드염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 37]로 표현되는 화합물 0.7g, 오르토포름산트리에틸 0.9g, 피리딘 1.3g을 넣어 50℃로 4시간 교반하였다. 이것에 물 1g을 첨가해 고체를 석출시켜 얻어진 고체를 클로로포름과 아세톤의 혼합 용매로 가열 교반하여 자색 분말 150㎎(수율 23%)을 얻었다. 얻어진 자색 분말은 목적물인 화합물 No.37의 요오드염인 것을 확인하였다. 얻어진 자색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00039
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(2.00-2.35;m;10H), (3.60-3.70;m;2H;4.15-4.30;m;6H), (6.39-6.48;m;4H), (6.76-6.95;m;8H;7.55;t;2H), (7.56;d;2H), (7.77;t;2H), (8.00;d;2H), (8.07;d;2H), (8.49;d;2H), (8.87;t;1H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 602.O㎚, ε; 1.23×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
197.9℃
[실시예 15] 화합물 No.38의 요오드염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 38]로 표현되는 화합물 1.3g, 1,1,3,3-테트라메톡시프로판 1.5g, 피리딘 2.3g을 넣어 100℃로 8시간 교반하였다. 클로로포름과 물을 첨가해 유수 분리를 행하여 용매를 증류 제거하였다. 아세톤으로 정석을 행하여 청색 분말을 0.4g(수율 38%)을 얻었다. 얻어진 청색 분말은 목적물인 화합물 No.38의 요오드염인 것을 확인하였다. 얻어진 청색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00040
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(1.89;s;6H), (1.91-1.95;m;2H), (2.03-2.07;m;2H), (3.50;d;2H), (3.65;d;2H), (3.95-4.05;m;4H), (6.36;d;2H), (6.53;d;4H), (6.71;t;1H), (6.94-7.01;m;6H), (7.14;d;2H), (7.24-7.33;m;4H), (7.77;d;2H), (8.55;t;2H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 654.O㎚, ε; 2.63×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
192℃
[실시예 16] 화합물 No.39의 요오드염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 39]로 표현되는 화합물 1.5g, 1,1,3,3-테트라메톡시프로판 1.5g, 피리딘 2.8g을 넣어 100℃로 8시간 교반하였다. 클로로포름과 물을 첨가해 유수 분리를 행하여 용매를 증류 제거하였다. 잔사에 아세톤을 첨가해 정석을 행하여 흑색 분말 140㎎(수율 10%)을 얻었다. 얻어진 흑색 분말은 목적물인 화합물 No.39의 요오드염인 것을 확인하였다. 얻어진 흑색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00041
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(1.60-1.75;m;4H), (3.77-3.95;m;12H), (6.35;d;2H), (6.68-6.76;m;9H), (6.97-6.99;m;14H), (7.26-7.33;m;4H), (7.95;d;2H), (8.79;t;2H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 664.5㎚, ε; 2.63×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
210℃
[실시예 17] 화합물 No.40의 요오드염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 40]으로 표현되는 화합물 1.7g, 테트라메톡시프로판 2.6g, 피리딘 3.4를 넣어 100℃로 5시간 교반하였다. 클로로포름과 요오드화나트륨 수용액으로 유수 분리를 행하여 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 녹색 분말 190㎎(수율 11%)을 얻었다. 얻어진 녹색 분말은 목적물인 화합물 No.40의 요오드염인 것을 확인하였다. 얻어진 녹색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00042
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(2.00-2.20;m;4H), (2.13;s;6H), (3.80-3.95;m;2H), (4.01;d;2H), (4.15-4.22;m;4H), (6.38-6.46;m;6H), (6.75-6.93;m;8H), (7.50;d;2H), (7.55;t;2H), (7.75;t;2H), (8.00;d;2H), (8.07;d;2H), (8.48;d;2H), (8.61;t;1H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 692.5㎚, ε; 1.65×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
175℃
[실시예 18] 화합물 No.41의 염소염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 41]로 표현되는 화합물 1.2g, 테트라메톡시프로판 0.5g, 피리딘 3.4g을 넣어 100℃로 12시간 교반하였다. 클로로포름 10g, 물 10㎖를 첨가하여 유수 분리와 또한 클로로포름층의 물 세정을 행하였다. 클로로포름층으로부터 석출한 결정을 여과 분별하여 자색 분말 120㎎(수율 12%)을 얻었다. 얻어진 자색 분말은 목적물인 화합물 No.41의 염소염인 것을 확인하였다. 얻어진 자색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00043
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(12.12;br;2H), (8.53;t;2H), (7.76;d;2H), (7.38;t;2H), (7.30;t;2H), (7.19;d;2H), (7.05-6.97;m;6H), (6.67-6.62;m;5H), (6.35;d;2H), (3.74;d;2H), (3.62;d;2H), (3.35;s;6H), (2.85-2.75;m;2H), (2.68-2.63;m;2H), (1.91-1.79;m;2H), (1.47-1.41;m;2H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 652.5㎚, ε; 2.32×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
208℃
[실시예 19] 화합물 No.42의 요오드염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 42]로 표현되는 화합물 1.2g, 무수아세트산 0.2g, 피리딘 6.5g을 넣어 실온에서 1시간 교반하였다. 계속해서 하기 [화학식 43]으로 표현되는 화합물을 첨가하여 80℃로 6시간 교반하였다. 용매를 증류 제거하고, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 정제를 행하여 자색 분말 250㎎(수율 15%)을 얻었다. 얻어진 자색 분말은 목적물인 화합물 No.42의 요오드염인 것을 확인하였다. 얻어진 자색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00044
Figure 112009043969442-PCT00045
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(1.88;s;6H), (2.12;s;3H), (2.27;t;2H), (3.47;s;3H), (3.88;d;1H), (4.05;d;1H), (4.45;t;2H), (6.42;dd;2H), (6.50;d;2H), (6.70;t;1H), (7.20-7.26;m;4H), (7.26;t;2H), (7.44-7.58;m;5H), (7.73-7.80;m;2H), (8.00-8.08;m;4H), (8.23;d;1H), (8.50-8.56;m;2H), (8.63;t;1H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 685.O㎚, ε; 1.59×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
190℃
[실시예 20] 화합물 No.43의 요오드염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 44]로 표현되는 화합물 0.6g, 1,1,3,3-테트라메톡시프로판 0.2g 및 피리딘 1.3g을 넣어 120℃로 3.5시간 교반하였다. 계속해서 요오드화나트륨 0.2g, 클로로포름 10㎖ 및 물 10㎖를 첨가하여 염 교환을 행하였다. 수층을 제거하고 용매를 증류 제거한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피, 또한 실리카겔 박층 크로마토그래피로 정제하여 청자색(靑紫色) 분말 30㎎(수율 5%)을 얻었다. 얻어진 청자색 분말은 목적물인 화합물 No.43의 요오드염인 것을 확인하였다. 얻어진 청자색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00046
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(CDCl3 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(7.90;t;1H), (7.67;t;1H), (7.39-7.36;m;2H), (7.25-6.99;m;17H), (6.53-6.35;m,2H), (4.09;t;4H), (2.58-2.34;m;8H), (1.81-1.45;m;12H), (1.37-1.27;m;8H), (0.89,quin,4H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 649.5㎚, ε; 1.30×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
241℃
[실시예 21] 화합물 No.44의 브롬염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 45]로 표현되는 화합물 2.2g, 하기 [화학식 46]으로 표현되는 화합물 1.5g, 무수아세트산 0.5g, 피리딘 5g을 넣어 80℃로 5시간 교반하였다. 이 반응액을 물 100㎖에 넣어 고체를 석출시켜, 얻어진 고체를 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 자색 분말을 240㎎(수율 10%)을 얻었다. 얻어진 자색 분말은 목적물인 화합물 No.44의 브롬염인 것을 확인하였다. 얻어진 자색 고체에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00047
Figure 112009043969442-PCT00048
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(2.06-2.15;m;2H), (2.18;s;3H), (3.22;s;3H), (3.90-4.28;m;8H), (6.40;d;2H), (6.47-6.54;m;6H), (6.77-6.99;m;10H), (7.28;d;1H), (7.50-7.60;m;3H), (7.74;t;1H), (7.84;t;1H), (7.95;d;1H), (8.02-8.07;m;3H), (8.50;d;1H), (8.75-8.90;m;3H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 697.O㎚, ε; 2.01×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
185℃
[실시예 22] 화합물 No.45의 헥사플루오로인산염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 47]로 표현되는 화합물 290㎎, 4-메르캅토안식향산 46㎎, 아세토니트릴 1.0g을 넣어 빙욕(氷浴) 빙냉(氷冷)하에서 트리에틸아민 36㎎을 적하하였다. 1시간 교반한 후 아세트산에틸 10㎖와 물 10㎖를 첨가하여 유수 분리를 행하였다. 용매를 증류 제거한 후 잔사에 아세톤 2㎖와 n-헥산 20㎖로 재침전을 행하여 다갈색 분말 260㎎(수율 79%)을 얻었다. 얻어진 다갈색 분말은 목적물인 화합물 No.45의 헥사플루오로인산염인 것을 확인하였다. 얻어진 다갈색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00049
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(8.42;d;2H), (8.21;d;2H), (8.06;d;2H), (8.01;d;2H), (7.90;d;2H), (7.72;t;2H), (7.59;d;2H), (7.54;t;2H), (7.44;d;2H), (6.93;t;2H), (6.80;t;2H), (6.17-6.13;m;6H), (4.00-3.97;m;6H), (3.12;s;2H), (1.92;s;6H), (1.49-1.42;m;2H), (0.94;q;4H), (0.86;d;12H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 870.O㎚, ε; 2.88×105M-1㎝-1
[3] 분해 온도
190℃
[실시예 23] 화합물 No.46의 브롬염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 하기 [화학식 48]로 표현되는 화합물 21.2g, 하기 [화학식 49]로 표현되는 화합물 22.8g, 트리에틸아민 10.1g, 아세토니트릴 86.4g을 넣어 70℃로 4시간 교반하였다. 실온까지 냉각하여, 석출한 결정을 여과하여 얻어진 고체를 아세트산에틸 200㎖로 가열 환류를 행하여 황색 분말 18.4g(수율 66%)을 얻었다. 얻어진 황색 분말은 목적물인 화합물 No.46의 브롬염인 것을 확인하였다. 얻어진 황색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00050
Figure 112009043969442-PCT00051
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(8.43;d;1H), (8.04;d;1H), (7.95;d;2H), (7.82;d;1H), (7.74;t;1H), (7.59-7.52;m;3H), (7.42;d;1H), (7.27;d;1H), (6.44;d;2H), (5.72;s;1H), (4.26;s;1H), (3.98;s;3H), (3.91;d;1H), (3.46;s;3H), (2.16;s;3H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 419.5㎚, ε; 4.48×104M-1㎝-1
[3] 분해 온도
227℃
[실시예 24] 화합물 No.46의 테트라플루오로붕산염의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 상기 실시예 23에서 얻은 화합물 No.46의 브롬염 1.0g을 메탄올 80㎖에 용해 후, 테트라플루오로붕산나트륨 0.3g을 용해시킨 메탄올 용액 20㎖를 첨가하여 2.5시간 교반하였다. 석출한 고체를 여과 분별하고, 고체를 물로 세정하여 황색 분말 0.1g(수율 10%)을 얻었다. 얻어진 황색 분말은 목 적물인 화합물 No.46의 테트라플루오로붕산염인 것을 확인하였다. 얻어진 황색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(8.42;d;1H), (8.04;d;1H), (7.96;d;2H), (7.71;d;1H), (7.74;t;1H), (7.61-7.40;m;3H), (7.42;d;1H), (7.26;d;2H), (6.42;d;2H), (5.75;s;1H), (4.22;s;1H), (3.97;s;3H), (3.91;d;1H), (3.46;s;3H), (2.12;s;3H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 420.O㎚, ε; 4.39×104M-1㎝-1
[3] 분해 온도
255℃
[실시예 25] 화합물 No.46의 코발트 착체염 1의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 상기 실시예 23에서 얻은 화합물 No.46의 브롬염 2.8g, 하기 [화학식 50]으로 표현되는 화합물 4.1g, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 40g을 넣어 60℃로 2시간 교반하였다. 아세트산에틸 5㎖를 첨가해 정석을 행하여 다갈색 분말 3.7g(수율 61%)을 얻었다. 얻어진 다갈색 분말은 목적물인 화합물 No.46의 코발트 착체염 1인 것을 확인하였다. 얻어진 다갈색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00052
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(8.99;s;2H), (8.45;d;1H), (8.05;d;1H), (7.98;d;2H), (7.86-7.81;m;3H), (7.75;t;1H), (7.66-7.53;m;5H), (7.43;d;1H), (7.35;d;2H), (6.60-6.54;m;4H), (3.46;s;3H), (3.32-3.27;m;11H), (1.10;t;12H)
[2] UV 흡수 측정(메탄올 용매)
λmax; 423.5㎚, ε; 7.68×104M-1㎝-1
[3] 분해 온도
261℃
[실시예 26] 화합물 No.46의 코발트 착체염 2의 제조
질소 치환한 반응 플라스크에, 상기 실시예 23에서 얻은 화합물 No.46의 브 롬염 0.5g, 하기 [화학식 51]로 표현되는 화합물 0.9g, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 10g을 넣어 60℃로 1.5시간 교반하였다. 아세트산에틸 10㎖를 첨가해 정석을 행하여 다갈색 분말 1.1g(수율 90%)을 얻었다. 얻어진 다갈색 분말은 목적물인 화합물 No.46의 코발트 착체염 2인 것을 확인하였다. 얻어진 다갈색 분말에 대한 분석 결과를 이하에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00053
(분석 결과)
[1] 1H-NMR(DMSO-d6 용매)
(피크탑의 케미컬 시프트 ppm;다중도;프로톤수)
(9.02;s;2H), (8.45;d;1H), (8.06;d;1H), (8.00-7.93;m;4H), (7.83;d;1H), (7.75;t;1H), (7.63-7.54;m;3H), (7.44;d;1H), (7.36;d;2H), (6.89;d;2H), (6.58;d;2H), (5.76;s;1H), (4.32;s;1H), (3.99-3.96;m;4H), (3.59-3.48;m;7H), (2.89;s;6H), (2.17;s;3H), (0.92;quin;4H), (0.76;sex;4H), (0.45;t;6H)
[2] UV 흡수 측정(아세톤 용매)
λmax; 417.5㎚, ε; 7.11×104M-1㎝-1
[3] 분해 온도
266℃
[평가예 2, 비교 평가예 2]
우선, 두께 200㎛인 20×20㎜의 폴리카보네이트판상에 증착법을 사용하여 두께 10㎛의 알루미늄의 박막을 형성하였다. 계속해서 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올에, 화합물 No.46의 코발트 착체염 2를 농도 1질량%가 되도록 용해하여 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 용액을 조제하여, 얻어진 용액을 알루미늄을 증착한 20×20㎜의 폴리카보네이트판상에 2000rpm, 60초로 스핀코팅법에 의해 도포하여 시험편을 작성하였다. 또한 화합물 No.46의 코발트 착체염 2를 대신하여 하기 비교 화합물 1을 사용한 것 이외에는 상기와 동일하게 시험편을 제작하였다. 얻어진 시험편을 80℃의 물에 30초간 침지하고, λmax=405㎚에서의 침지 전(R1) 및 침지 후(R2)의 반사율의 차(ΔR=R2-R1)를 구하여 금속 반사막과의 친화성 평가로 하였다. 결과를 [표 2]에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00054
Figure 112009043969442-PCT00055
상기 [표 2]의 결과에 의하면, 본 발명의 시아닌화합물을 사용한 금속 반사막에 있어서는, 80℃의 물에 침지한 후에도 반사율의 변화는 거의 나타나지 않고, 내수성이 높았다. 한편, 비교 화합물 1을 사용한 금속 반사막에 있어서는, 80℃의 물에 침지한 후의 반사율의 변화는 10%이상이고 내수성이 낮았다. 이것은 본 발명의 시아닌화합물이 앵커기를 가지기 때문에 금속 반사막과의 친화성이 높은 것에 기인하는 것으로 생각된다.
본 발명의 시아닌화합물은 HDDVD-R 및 BD-R의 레이저 파장인 405㎚에 있어서 높은 금속 반사막과의 친화성을 나타내기 때문에 광학기록재료로서 적합하게 사용된다.
[평가예 3~6, 비교 평가예 3~5]
2,2,3,3-테트라플루오로프로판올에, [표 3]에 기재된 시아닌화합물을 농도 1질량%가 되도록 용해하여 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 용액을 조제하여, 얻어진 용액을 25×25㎜의 폴리카보네이트판상에 2000rpm, 60초로 스핀코팅법에 의해 도포하여 시험편을 작성하였다. 얻어진 시험편을 78℃의 물에 1분간 침지하고, λmax에서의 침지 전(R1) 및 침지 후(R2)의 흡수 극대의 흡광도로부터 잔존율(X=(R1-R2)/R1)을 구하여 도포막의 물에의 용출 내성평가로 하였다. 결과를 [표 3]에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00056
Figure 112009043969442-PCT00057
[평가예 7, 비교 평가예 6]
[표 4]에 기재된 시아닌화합물을 사용한 것 이외에는 평가 3~6과 같은 조건으로 시험편을 작성하였다. 얻어진 시험편을 18℃의 물에 10초 침지하고, λmax에서의 침지 전(R1) 및 침지 후(R2)의 흡수 극대의 흡광도로부터 잔존율(X=(R1-R2)/R1)을 구하여 도포막의 물에의 용출 내성평가로 하였다. 결과를 [표 4]에 나타낸다.
Figure 112009043969442-PCT00058
Figure 112009043969442-PCT00059
상기 [표 3] 및 [표 4]의 결과에 의하면, 본 발명의 시아닌화합물을 폴리카보네이트상에 막을 제조한 박막에 있어서, 80℃ 또는 18℃의 물에 침지한 후에는 비교 화합물에 비교하여 흡광도 잔존율이 높았다. 이것은 본 발명의 시아닌화합물의 앵커기인 카르본산과, 폴리카보네이트의 극성기의 친화성에 의한 효과인 것으로 고찰할 수 있다.
본 발명에 의하면, 광학요소로서 적합한 흡수파장 특성 및 금속이나 수지에의 친화성이 뛰어난 시아닌화합물을 제공할 수 있다. 또한 상기 시아닌화합물을 사용한 광학필터는 화상표시용 광학필터로서 적합한 것으로서, 상기 시아닌화합물을 함유하여 이루어지는 광학기록재료는 광학기록매체의 광학기록층의 형성에 적합하게 사용된다.

Claims (13)

  1. 하기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 1]
    Figure 112009043969442-PCT00060
    (식 중 R1, R2, R3, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소원자, 수산기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알콕시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 6~30인 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 7~30인 아릴알킬기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 하기 일반식(Ⅱ), (Ⅱ') 혹은 (Ⅲ)으로 표현되는 치환기, 또는 앵커기를 나타내고, R4는 하기 일반식(Ⅱ) 혹은 (Ⅱ')로 표현되는 치환기, 또는 앵커기를 나타내며, R1과 R2, R5와 R6은 각각 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 이들 환 구조는 앵커기로 치환되어 있어도 된다. X1은 산소원자, 유황원자, 셀렌원자, -CR7R8-, -NH- 또는 -NYa-를 나타내고, X1 중의 기인 R7 및 R8은 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬기, 치환기를 가지고 있 어도 되는 탄소원자수 6~30인 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 7~30인 아릴알킬기, 하기 일반식(Ⅱ), (Ⅱ') 혹은 (Ⅲ)으로 표현되는 치환기, 또는 앵커기를 나타내며, R7과 R8은 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 상기 환 구조는 앵커기로 치환되어 있어도 된다. Y1 및 Y2 및 X1 중의 기인 Ya는 각각 독립적으로, 수소원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~10인 알콕시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 6~30인 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 7~30인 아릴알킬기, 하기 일반식(Ⅲ)으로 표현되는 치환기, 또는 앵커기를 나타낸다. -Q-는 쇄 중에 환 구조를 포함하고 있어도 되고, 앵커기로 치환되어 있어도 되는 폴리메틴쇄를 구성하는 연결기를 나타내며, 상기 폴리메틴쇄 중의 수소원자는 할로겐원자, 시아노기, 수산기, 알킬기, 알콕시기 또는 아릴기로 치환되어 있어도 되고, 상기 알킬기, 알콕시기 또는 아릴기는 이들 기로 더 치환되어 있어도 된다. Anq-는 q가의 음이온을 나타내고, q는 1 또는 2를 나타내며, p는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타낸다.
    단, 상기 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, Ya, Y1, 및 Y2 중 적어도 한 개 이상은 앵커기이거나, -Q-가 앵커기로 치환되어 있으면서 식 중의 앵커기는 합계 10 이하이다.)
    [화학식 2]
    Figure 112009043969442-PCT00061
    (상기 일반식(Ⅱ)에 있어서, L과 T 사이의 결합은 이중결합, 공역 이중결합 또는 삼중결합이고, L은 탄소원자를 나타내며, T는 탄소원자, 산소원자 또는 질소원자를 나타내고, x, y 및 z는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내며(단, T가 산소원자인 경우는 x와 y는 0이고, T가 질소원자인 경우는 y+z는 0 또는 1이다.), a는 0~4의 수를 나타내고, R9는 수소원자, 할로겐원자, 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기 또는 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알콕시기를 나타내며, R1O, R11 및 R12는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자 또는 할로겐원자로 치환되어 있어도 되는 탄소원자수 1~4인 알킬기를 나타내고, R1O과 R12는 연결하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다. 상기 일반식(Ⅱ')에 있어서, L'와 T' 사이의 결합은 이중결합 또는 공역 이중결합이고, L'는 탄소원자를 나타내며, T'는 탄소원자, 산소원자 또는 질소원자를 나타내고, a'는 0~4의 수를 나타내며, L'와 T'를 포함하는 환은 헤테로원자를 포함하고 있어도 되는 5원환, 헤테로원자를 포함하고 있어도 되는 6원환, 나프탈렌환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 안트라센환 또는 안트라퀴논환을 나타내고, 이들 L'와 T'를 포함하는 환은 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기, 알콕시기로 치환되어 있어도 된다.)
    [화학식 3]
    Figure 112009043969442-PCT00062
    (식 중 Ra~Ri는 각각 독립적으로, 수소원자 또는 탄소원자수 1~4인 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기 중의 메틸렌기는 -0- 또는 -C0-로 치환되어 있어도 되며, Z는 직접 결합 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소원자수 1~8인 알킬렌기를 나타내고, 상기 알킬렌기 중의 메틸렌기는 -0-, -S-, -C0-, -CO0-, -OC0-, -S02-, -NH-, -CONH-, -NHC0-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 되며, M은 Fe, Co, Ni, Ti, Cu, Zn, Zr, Cr, Mo, Os, Mn, Ru, Sn, Pd, Rh, Pt 또는 Ir을 나타낸다.)
  2. 제1항에 있어서,
    하기 일반식(Ⅳ)로 표현되는 시아닌화합물인 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 4]
    Figure 112009043969442-PCT00063
    (식 중 환 A는 치환기를 가지고 있어도 되는 벤젠환 또는 나프탈렌환을 나타내고, R3, R4, R5, R6, X1, Y1, Y2, -Q-, Anq-, p 및 q는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.)
  3. 제1항에 있어서,
    하기 일반식(Ⅴ)로 표현되는 시아닌화합물인 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 5]
    Figure 112009043969442-PCT00064
    (식 중 환 A는 치환기를 가지고 있어도 되는 벤젠환 또는 나프탈렌환을 나타내고, R3, R4, Y1, -Q-, Anq-, p 및 q는 상기 일반식(Ⅰ)과 동일하며, R14는 R3과 같고, R15는 R4와 같으며, Y3은 Y1과 같다.)
  4. 제1항에 있어서,
    하기 일반식(Ⅵ)으로 표현되는 시아닌화합물인 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 6]
    Figure 112009043969442-PCT00065
    (식 중 R1, R2, R3, R5, R6, X1, Y1, Y2, -Q-, Anq-, p 및 q는 상기 일반식(Ⅰ)과 같고, a는 상기 일반식(Ⅱ)와 같으며, R13은 동일 또는 달라도 되고, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 카르복실기, 탄소원자수 1~4인 알킬기 또는 탄소원자수 1~4인 알콕시기를 나타내며, 인접하는 R13은 각각 연결하여 탄소원자수 3~12인 탄소환 또는 복소환을 형성하고 있어도 되고, m은 0~5의 수이다.)
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 일반식(Ⅰ)에 있어서,
    -Q-로 표시되는 연결기를 구성하는 폴리메틴쇄가 모노메틴, 트리메틴, 펜타 메틴 또는 헵타메틴으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 일반식(Ⅰ)에 있어서,
    앵커기가 하기 일반식(Ⅶ)로 표현되는 기인 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 7]
    -L-P (Ⅶ)
    (식 중 L은 직접 결합 또는 탄소원자수 1~12인 2가의 탄화수소기이고, p는 음이온성기를 나타낸다.)
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 일반식(Ⅰ)에 있어서,
    앵커기가 하기 일반식(Ⅷ)로 표현되는 기인 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 8]
    -L-P' (Ⅷ)
    (식 중 L은 직접 결합 또는 탄소원자수 1~12인 2가의 탄화수소기이고, P'는 카르복실기, 술폰산기 또는 인산기를 나타낸다.)
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 일반식(Ⅰ)에 있어서,
    앵커기가 하기 일반식(Ⅸ)로 표현되는 기인 것을 특징으로 하는 시아닌화합물.
    [화학식 9]
    -L-COOH (Ⅸ)
    (식 중 L은 직접 결합 또는 탄소원자수 1~12인 2가의 탄화수소기를 나타낸다.)
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 시아닌화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 광학필터.
  10. 제9항에 있어서,
    화상표시장치용인 것을 특징으로 하는 광학필터.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 화상표시장치가 플라즈마 디스플레이인 것을 특징으로 하는 광학필터.
  12. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 시아닌화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 광학기록재료.
  13. 기체상에 제12항에 기재된 광학기록재료로 형성된 광학기록층을 가지는 것을 특징으로 하는 광학기록매체.
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