KR20090105825A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 처리액의 소비량을 줄일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
처리액을 이용하여 기판에 대하여 액처리를 행하는 복수의 처리부(22-1 내지 22-6)와, 복수의 처리부(22-1 내지 22-6)에 처리액을 공급하는 복수의 처리부(22-1 내지 22-6)에 공통인 처리액 공급관(210)과, 복수의 처리부(22-1 내지 22-6) 중 가동되는 처리부의 수에 따라 처리액 공급관(210) 내의 처리액의 유량을 증가 또는 감소시키도록 제어하는 유량 제어부(220)를 포함한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 반도체 웨이퍼나 FPD 등의 기판에 대하여 처리액을 공급하고, 기판에 세정 처리와 같은 액처리를 행하는 기판 처리 장치와 그 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제어하는 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스나 평판 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼나 유리 기판에 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 프로세스가 다용되고 있다. 이러한 프로세스로서는, 예컨대 기판에 부착된 파티클이나 오염 물질 등을 제거하는 세정 처리를 들 수 있다.
이러한 기판 처리 장치로서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 스핀 척에 유지하고, 기판을 회전시킨 상태에서 웨이퍼에 세정액 등의 처리액을 공급하여 세정 처리를 행하는 것이 알려져 있다. 이러한 종류의 장치에서는, 통상, 처리액은 웨이퍼의 중심에 공급하고, 기판을 회전시키는 것에 의해 처리액을 외측으로 퍼트려 액막을 형성하면서, 처리액을 기판의 외측으로 이탈시킨다.
세정 처리에 사용되는 세정액으로서는, 과산화수소수 및/또는 순수에 알칼리 인 암모니아를 혼합한 알칼리성 처리액, 또는 산인 불산을 순수로 희석한 희석 불산 등이 잘 알려져 있다.
이들과 같은 처리액의 생성 방식으로서는, 순수가 흐르는 배관에 암모니아나 불산을 주입하고, 기판에 공급하기 직전에 배관 내에서 원하는 농도의 처리액을 만들도록 하고 있는 방식이 있다. 이러한 종류의 생성 방식을 채용한 기판 처리 장치는 예컨대 특허 문헌 1에 기재되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-87722호 공보
특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 장치는 1 유닛의 처리부만을 구비하고 있지만, 특허 문헌 1에 기재된 생성 방식을 이용한 기판 처리 장치에는, 작업 처리량을 향상시키기 위해서 복수 유닛의 처리부를 구비한 것, 소위 멀티 유닛형 기판 처리 장치도 존재한다.
이러한 종류의 멀티 유닛형 기판 처리 장치에서는, 전체 유닛에 공통인 처리액 공급관을 구비하고, 처리액을 전체 유닛 가동시에 사용되는 양에 해당하는 유량으로 공통의 처리액 공급관에 공급한다. 예컨대, 처리부가 모두 12 유닛 있고, 예컨대 1 유닛당 3 ℓ/min의 처리액을 사용하는 경우에는, 처리액을 36 ℓ/mindml 유량으로 공통의 처리액 공급관에 공급한다.
그러나, 1 유닛밖에 가동되지 않는 경우에도, 전체 유닛분의 처리액을 처리액 공급관에 공급해버리기 때문에, 가동되지 않는 유닛분의 처리액이 쓸데없이 폐기되게 된다.
본 발명은 처리액의 소비량을 줄일 수 있는 기판 처리 장치와 그 기판 처리 방법 및 상기 기판 처리 방법에 따라 기판 처리 장치를 제어하는 프로그램을 저장한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제1 did태에 따른 기판 처리 장치는, 처리액을 이용하여 기판에 대하여 액처리를 행하는 복수의 처리부와, 상기 복 수의 처리부에 처리액을 공급하는 상기 복수의 처리부에 공통인 처리액 공급관과, 상기 복수의 처리부 중 가동되는 처리부의 수에 따라, 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 유량을 증가 또는 감소시키도록 제어하는 유량 제어부를 포함하고, 상기 유량 제어부는, 상기 복수의 처리부 중, 새롭게 가동을 시작하는 처리부가 가동되기 전에 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 유량을 증가시킨다.
본 발명의 제2 양태에 따른 기판 처리 방법은, 처리액을 이용하여 기판에 대하여 액처리를 행하는 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부에 처리액을 공급하는 상기 복수의 처리부에 공통인 처리액 공급관을 구비한 기판 처리 장치의 기판 처리 방법으로서, 상기 복수의 처리부 중, 가동되는 처리부의 수에 따라 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 유량을 증가 또는 감소시키도록 제어한다.
본 발명의 제3 양태에 따른 기억 매체는, 컴퓨터 상에서 동작하고, 기판 처리를 제어하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 제2 양태에 따른 기판 처리 방법이 행해지도록 컴퓨터로 상기 기판 처리 장치를 제어시킨다.
본 발명에 따르면, 처리액의 소비량을 줄일 수 있는 기판 처리 장치와 그 기판 처리 방법 및 상기 기판 처리 방법에 따라 기판 처리 장치를 제어하는 프로그램을 저장한 기억 매체를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다. 참조하는 도면 전 부에 걸쳐 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙인다. 이 설명에 있어서는, 본 발명을 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 기재함)의 표리면 세정을 행하는 액처리 장치에 적용한 경우에 대해서 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 도시한 평면도이다.
기판 처리 장치(100)는, 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 캐리어(C)를 배치하고, 웨이퍼(W)의 반입ㆍ반출을 행하는 반입/반출 스테이션(기판 반입/반출)(1)과, 웨이퍼(W)에 세정 처리를 행하기 위한 처리 스테이션(액처리부)(2)과, 제어 유닛(3)을 구비하고 있으며, 이들은 인접하게 설치되어 있다.
반입/반출 스테이션(1)은, 복수의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 웨이퍼 캐리어(C)를 배치하는 캐리어 배치부(11)와, 웨이퍼(W)의 반송(搬送)을 행하는 반송부(12)와, 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달부(13)와, 반송부(12) 및 전달부(13)가 수용되는 케이스(14)를 갖고 있다.
캐리어 배치부(11)는 4개의 웨이퍼 캐리어(C)를 배치할 수 있고, 배치된 웨이퍼 캐리어(C)는 케이스(14)의 수직 벽부에 밀착된 상태가 되며, 웨이퍼 캐리어(C)의 덮개가 열림으로써, 그 안의 웨이퍼(W)가 반송부(12)에 반입될 수 있도록 되어 있다.
반송부(12)는 반송 기구(15)를 갖고 있다. 반송 기구(15)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 아암(15a)을 갖고 있고, 또한 이 웨이퍼 유지 아암(15a)을 웨이퍼 캐리어(C)의 배열 방향에 대한 수직 방향인 Y 방향으로 이동시키는 기구, 웨 이퍼 캐리어(C)의 배열 방향인 X 방향으로 연장되는 수평 가이드(17)를 따라 이동시키는 기구, 수직 방향으로 설치된 수직 가이드(도시하지 않음)를 따라 이동시키는 기구, 및 수평면 내에서 회전시키는 기구를 갖고 있다. 반송 기구(15)는 웨이퍼 캐리어(C)와 전달부(13) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
전달부(13)는 전달 스테이지(19)와, 그 위에 설치된 웨이퍼(W)를 배치할 수 있는 배치부를 복수 구비한 전달 선반(20)을 갖고 있고, 이 전달 선반(20)을 통해 처리 스테이션(2) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
처리 스테이션(2)은 직방체형으로 된 케이스(21)를 갖는다. 케이스(21) 내에는, 그 중앙 상부에 웨이퍼 캐리어(C)의 배열 방향인 X 방향에 직교하는 Y 방향을 따라 연장되는 반송로를 구성하는 반송실(21a)과, 반송실(21a)의 양측에 설치된 2개의 유닛실(21b, 21c)이 구비되어 있다.
반송실(21a)의 내부에는 반송 기구(24)가 설치되어 있다. 반송 기구(24)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 아암(24a)을 갖고 있고, 이 웨이퍼 유지 아암(24a)을 X 방향으로 이동시키는 기구, 반송실(21a)에 설치된 수평 가이드(25)를 따라 Y 방향으로 이동시키는 기구, 수직 방향으로 설치된 수직 가이드(도시하지 않음)를 따라 이동시키는 기구, 및 수평면 내에서 회전시키는 기구를 갖고 있다. 반송 기구(24)는 처리부(액처리 유닛)(22)에 대한 웨이퍼(W)의 반입/반출을 행한다.
유닛실(21b, 21c)은, 복수의 처리부(22)가 공유하는 공유 공간으로서, 복수의 처리부(22)가 배치된다. 본 예에서는 유닛실(21b, 21c)에, 반송실(21a)을 따라 6기씩, 모두 12기의 처리부(22)가 수평으로 배열된다. 처리부(22) 중 하나를 확대 하여 도시한 단면도를 도 2에 나타낸다.
도 2에 도시된 바와 같이, 처리부(22)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지부(4)와, 웨이퍼 유지부(4)에 유지된 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구(5)와, 웨이퍼 유지부(4)의 외측으로부터 아래쪽에 걸쳐 설치되고, 웨이퍼(W)에 공급된 처리액을 회수할 수 있는 드레인컵(6)과, 드레인컵(6)의 외측에 설치된 외측컵(7)을 구비한다.
본 예의 웨이퍼 유지부(4)는, 수평으로 설치되고 원판형으로 이루어진 회전 플레이트(41)와, 회전 플레이트(41)의 이면(裏面)의 중심부에 접속되고, 아래쪽을 향해 수직으로 연장되는 원통형의 회전축(42)을 갖고 있다. 회전 플레이트(41)의 중심부에는 원형의 구멍(43)이 형성되고, 구멍(43)은 원통형의 회전축(42)의 구멍(44)에 연통되어 있다. 구멍(43) 및 구멍(44) 내에는 이면측 액 공급 노즐(45)이 설치되어 있다. 이면측 액 공급 노즐(45)에는 처리액 공급 기구(300)로부터 처리액이 공급된다. 회전 플레이트(41)에는 웨이퍼(W)의 바깥 가장자리를 유지하는 유지 부재(46)가 설치되어 있다. 유지 부재(46)는 도 2 중에서는 하나만이 도시되어 있지만, 예컨대 3개 설치되며, 서로 등간격으로 배치된다. 유지 부재(46)는 웨이퍼(W)가 회전 플레이트(41)로부터 떠 있는 상태에서 수평으로 웨이퍼(W)를 유지한다.
본 예의 처리액 공급 기구(5)는, 알칼리를 함유한 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급부(51a)와, 산을 함유한 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급부(51b)를 구비한다. 처리액 공급 기구(5)에는 처리액 공급 기구(300)로부터 처리액이 공급된 다.
제1 처리액 공급부(51a)는 알칼리를 함유한 처리액을 토출하는 노즐(52a)을 구비한다. 알칼리를 함유한 처리액의 일례는, 알칼리로서 암모니아를 함유한 처리액이다. 보다 상세한 일례는 과산화수소수 및/또는 물에, 알칼리인 암모니아를 혼합한 알칼리성 처리액이다. 혹은 이들 세정액과 유사한 세정액을 들 수 있다. 노즐(52a)은 제1 스캔 아암(53a)의 선단 부분에 부착되어 있다. 제1 스캔 아암(53a)은 샤프트(54a)에 접속되어 있고, 샤프트(54a)를 회동시키는 것에 의해, 선단 부분에 부착된 노즐(52a)을, 웨이퍼 유지부(4)의 외측에 있는 대기 위치와 웨이퍼(W)의 상측의 처리 위치와의 사이에서 스캔시킬 수 있도록 되어 있다. 또한, 샤프트(54a)는 상하 방향의 승강 구동이 가능하고, 예컨대 처리 위치에 있어서 샤프트(54a)를 승강시키면, 노즐(52a)의 토출 위치(높이)를 조절할 수도 있다.
제2 처리액 공급부(51b)는 산을 함유한 처리액을 토출하는 노즐(52b)을 구비한다. 산을 함유한 처리액의 일례는 산으로서 불산을 함유한 처리액이다. 보다 상세한 일례는, 산인 불산을 물 등으로 희석한 산성 처리액, 예컨대 희석 불산이다. 노즐(52b)도, 노즐(52a)과 마찬가지로 스캔 아암, 본 예에서는 제2 스캔 아암(53b)의 선단 부분에 부착되어 있다. 본 예의 제2 스캔 아암(53b)은 제1 스캔 아암(53a)보다도 낮은 위치에 있다. 제2 스캔 아암(53b)은 샤프트(54b)에 접속되어 있고, 샤프트(54b)를 회동시키는 것에 의해, 노즐(52b)을 대기 위치와 처리 위치 사이에서 스캔시킬 수 있도록 되어 있다. 또한, 샤프트(54b)도 상하 방향의 승강 구동이 가능하고, 예컨대 처리 위치에 있어서 노즐(52b)의 토출 위치(높이)를 조절할 수도 있다.
본 예의 드레인컵(6)은 통형상으로 된 외주벽(61)과, 외주벽(61)의 하단부로부터 내측을 향해 연장되는 내측벽(62)을 가지며, 외주벽(61)과 내측벽(62)에 의해 규정된 환형 공간을, 처리액을 회수하고 수용하는 액수용부(63)라고 하고 있다. 액수용부(63)는 회수한 처리액을 배액하는 배액관(64)에 접속되어 있다. 배액관(64)은 드레인에 접속된다. 또한, 액수용부(63)의 아래쪽에는 웨이퍼 유지부(4) 아래의 공간으로 연통되는 환형 공간이 형성되어 있다. 이 환형 공간은 배기 공간(65)이 되고 있고, 배기 공간(65)은 배기관(66)에 접속되어 있다. 배기관(66)은 배기 기구(400)에 접속된다.
본 예의 외측컵(7)은 원통형의 외측벽(71)을 구비하고, 외측벽(71)으로부터 웨이퍼 유지부(4)의 아래쪽으로 연장되고, 드레인컵(6)보다도 회전축(42)에 가까운 부분에 내측벽(72)을 구비하고 있다. 본 예에서는 외측벽(71)과 내측벽(72) 사이의 공간에 드레인컵(6)이 수용되는 구조로 되어 있다. 외측컵(7)은 베이스 플레이트(8) 위에 부착되어 있다.
외측컵(7) 위에는 웨이퍼(W), 웨이퍼 유지부(4), 처리액 공급 기구(5), 드레인컵(6) 및 외측컵(7)의 상측을 덮도록 케이싱(9)이 설치되어 있다. 케이싱(9)의 상부에는 도시하지 않는 팬 필터 유닛(FFU)으로부터의 기류를 케이싱(9)의 측부에 설치된 도입구(91)를 통해 도입하는 기류 도입부(92)가 설치되어 있다. 기류 도입부(92)는 웨이퍼 유지부(4)에 유지된 웨이퍼(W)에 청정 공기를 하강류(down flow)로 공급한다. 공급된 청정 공기는 전술한 배기관(66)을 통해 배기된다.
또한, 케이싱(9)의 측부에는 기판 반입/반출구(93)가 형성되어 있다. 웨이퍼(W)는 기판 반입/반출구(93)를 통해 케이싱(6)의 내부에 대하여 반입/반출된다.
도 1을 다시 참조해보면, 기판 처리 장치(100)를 제어하는 제어 유닛(3)은, 컴퓨터인 프로세스 컨트롤러(31)와, 프로세스 컨트롤러(31)에 접속된 사용자 인터페이스(32)와, 이 프로세스 컨트롤러(31)에 접속된 기억부(33)를 구비하고 있다.
사용자 인터페이스(32)는, 작업자가 기판 처리 장치(100)를 관리하는 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(100)의 가동 상황 등을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등을 갖는다.
기억부(33)는, 기판 처리 장치(100)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러(31)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따른 처리를 기판 처리 장치(100)에 실행시키거나 하는 프로그램, 즉 레시피가 저장된다. 레시피는 기억부(33) 내의 기억 매체에 기억된다. 기억 매체는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서, 하드디스크나 반도체 메모리어도 좋고, CD-ROM, DVD, 플래시 메모리 등의 휴대할 수 있는 것이어도 좋다. 임의의 레시피는 사용자 인터페이스(32)로부터의 지시 등에 의해 기억부(33)로부터 판독되고, 이를 프로세스 컨트롤러(31)에서 실행시키면 프로세스 컨트롤러(31)의 제어 하에서 기판 처리 장치(100)에 의한 기판 처리가 행해진다. 레시피는 예컨대 전용 회선을 통해 다른 장치로부터 적절하게 전송될 수도 있다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 기본 구성을 도시한 블록도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)는, 기본적으로 처리액을 이용하여 웨이퍼에 대하여 액처리를 행하는 복수의 처리부(22-1 내지 22-6, …)와, 이들 처리부(22-1 내지 22-6, …)에 처리액을 공급하기 위한 처리부(22-1 내지 22-6, …)에 공통인 처리액 공급관(210)과, 이 처리액 공급관(210) 내의 처리액의 유량을 제어하는 유량 제어부(220)를 구비한다. 이들 처리부(22-1 내지 22-6, …)에 대한 처리액의 공급은, 상기 처리액 공급관(210)과, 이 처리액 공급관(210)으로부터 분기되어 처리부(22-1 내지 22-6, …)에 접속되는 복수의 분기 배관(211-1 내지 211-6, …)을 통하여 행해진다. 분기 배관(211-1 내지 211-6, …)의 처리액 공급관(210)으로부터의 분기부 근방에는 개폐 밸브(212-1 내지 212-6, …)가 마련되어 있다. 따라서, 처리부로의 처리액 공급 중에는 처리액 공급 배관(210)에 항상 처리액이 흐르며, 각 처리부로의 처리액의 공급ㆍ정지는 각 개폐 밸브를 개폐함으로써 행해진다. 각 개폐 밸브와 각 분기부는 일체화되어 분기부ㆍ밸브 유닛(213-1 내지 213-6, …)을 구성하고 있다. 이와 같이 일체화된 분기부ㆍ밸브 유닛(213-1 내지 213-6, …)을 마련함으로써, 분기부와 밸브 간의 거리를 짧게 하여 처리액의 고임을 줄일 수 있다.
유량 제어부(220)는 처리액 공급관(210) 내에 흐르는 처리액의 유량을 처리부(22-1 내지 22-6, …) 중 가동되는 처리부의 수에 따라 증가 또는 감소시키도록 제어한다. 본 예에서 유량 제어부(220)는 제어 유닛(3)에 의해 제어된다. 제어 유닛(3)은, 예컨대 가동되는 처리부의 수를 파악하고, 가동되는 처리부의 수에 따라, 가동되는 처리부에 필요한 처리액의 유량이 되도록 유량 제어부(220)에 유량을 증가 또는 감소시키는 지시를 내린다. 유량 제어부(220)는 이 지시에 기초하여 처리액 공급관(210) 내의 처리액의 유량을 증가 또는 감소시킨다. 유량 제어의 기본적인 일례를 도 4에 나타낸다. 도 4에서는, 6기의 처리부(22-1 내지 22-6)에 처리액을 공통으로 공급하고, 또한 하나의 처리부가 필요로 하는 처리액은 3 ℓ/min인 경우를 가정한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 가동되는 처리부가 없는 경우, 유량 제어부(220)는 처리액의 유량을 0으로 한다. 가동되는 처리부가 1기인 경우 유량 제어부(220)는 3 ℓ/min의 유량으로 처리액을 공통의 처리액 공급관(210)에 공급한다. 또한, 유량 제어부(220)는, 가동되는 처리부가 2기인 경우 6 ℓ/min, 3기인 경우 9 ℓ/min, …, 6기인 경우 18 ℓ/min로 하는 것과 같이, 가동되는 처리부의 수에 따라 유량을 증가시킨다. 반대로 가동되는 처리부가 감소되면, 유량 제어부(220)는 18 ℓ/min에서 15 ℓ/min, 12 ℓ/min, …로 줄여 나가고, 가동되는 처리부가 0이 되면 처리액의 유량을 0으로 한다.
또한, 도 4에서는, 1기에서 6기까지 순차적으로 증가해 나가고, 6기에서 1기까지 순차적으로 감소해 나가는 예를 나타내고 있지만, 가동되는 처리부의 수는 예컨대 2기에서 4기로 증가하거나, 4기에서 1기로 감소하거나, 또한 1기에서 6기로 증가하는 것과 같이, 무작위적으로 변화되는 경우가 있다. 이러한 경우, 유량 제어부(220)는 유량을 6 ℓ/min에서 12 ℓ/min로 증가시키거나, 12 ℓ/min에서 3 ℓ/min로 감소시키거나, 3 ℓ/min에서 18 ℓ/min로 증가시키는 것과 같이 제어하면 좋다.
또한, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)는, 처리액의 유량을 증가시키는 타이밍을 유닛 가동 시작 전으로 옮기도록 하고 있다(도 4 중의 시간 t). 이와 같이 유량 제어부(220)가 유닛 가동 시작 전부터 처리액의 유량을 증가시킴으로써, 공통의 처리액 공급관(210) 내로 흐르는 처리액의 유량을, 유닛 가동 시작시에는 가동 유닛 전체에서 필요한 유량으로 안정시킬 수 있다. 이러한 구성에 따르면, 공통의 처리액 공급관(210) 내로 흐르는 처리액의 유량이 유닛 가동 중에 부족하게 되어 버리는 등의 사정을 억제할 수 있다. 처리액의 유량을 증가시키는 타이밍을 유닛 가동 시작 전으로 옮기려면, 제어 유닛(3)이, 예컨대 웨이퍼(W)의 기판 처리 장치(100)로의 반입, 웨이퍼(W)의 반송 기구(24)로의 전달 등, 유닛 가동 시작 전에 행해지는 단계의 시작을 명령하면서, 유량 증가의 명령을 유량 제어부(220)에 내리도록 하면 좋다.
이와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)는, 가동되는 처리부의 수에 따라, 처리액 공급 기구(300)로부터 공급되는 처리액의 유량을 증가 또는 감소시켜, 처리부에 필요한 처리액의 유량분을 감소시킨다. 따라서, 제1 실시형태에 따르면, 가동 유닛 수에 관계없이 전체 유닛분의 처리액을 공급하는 기판 처리 장치에 비하여, 처리액의 소비량을 줄일 수 있는 기판 처리 장치를 얻을 수 있다.
또한, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)와 같이, 처리액을 증가시키는 타이밍을 유닛 가동 시작 전으로 옮기면, 처리액의 소비량을 줄이면서, 유닛 가동 중에, 공통의 처리액 공급관(210) 내에 흐르는 처리액의 유량 부족이 발생하기가 어려운 기판 처리 장치를 얻을 수 있다.
또한, 유량이 안정되는 시간을 설정하고, 새롭게 가동을 시작하는 처리부가 증가 후의 처리액 공급관(210) 내의 처리액의 유량이 안정된 후에 가동되도록, 유량 제어부(220)가 처리액 공급관(210) 내의 처리액의 유량을 증가시키도록 하여도 좋다.
도 5는 유량 제어의 다른 예를 도시한 도면이다.
도 5에 도시된 유량 제어가 도 4에 도시된 유량 제어와 다른 것은, 처리부(22-1 내지 22-6)가 사용하는 처리액 이외에 공통의 처리액 공급관(210) 내에 베이스가 되는 처리액을 흐르게 하도록 한 것이다. 처리액의 유량의 오차를 정밀하게 제어하고 싶은 경우, 베이스가 되는 처리액을 추가적으로 흐르게 함으로써, 예컨대 처리부(22-1 내지 22-6)가 사용하는 처리액의 유량에 오차가 있었던 경우에도, 공통의 처리액 공급관(210) 내로 흐르는 처리액의 유량 부족이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 예컨대, 유량 제어부(220)가 1 유닛당 3 ℓ/min의 유량으로 처리액을 정밀도 좋게 제어하여 공통의 처리액 공급관(210)에 공급하였다고 하자. 이 경우, 예컨대 처리부(22-1 내지 22-6)가, 예컨대 3 ℓ/min를 소비하려 할 때에, 3.1 ℓ/min를 공통의 처리액 공급관(210)으로부터 소비하고 있었다고 하면, 유닛 가동 중에, 어딘가의 처리부에서는 처리액이 부족하게 되어 버린다. 이러한 사정은, 공통의 처리액 공급관(210) 내에 처리부(22-1 내지 22-6)가 사용하는 처리액 이외에 베이스가 되는 처리액을 여분으로 흐르게 하도록 함으로써 해소할 수 있다. 본 예에서는, 일례로서 베이스가 되는 처리액을 5 ℓ/min의 유량으로 흐르게 한다.
또한, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)에서는, 가동되는 처리부의 수에 따라, 공통의 처리액 공급관(210) 내를 흐르는 처리액의 유량이 변한다. 이 때문에, 공통의 처리액 공급관(210) 내의 압력이 가동되는 처리부의 수에 따라 변한다. 공통의 처리액 공급관(210) 내의 압력이 변하면, 처리부(22-1 내지 22-6) 내에 있어서, 처리액의 토출량이 변화될 가능성이 있다. 이러한 토출량의 변화를 억제하기 위해서는, 공통의 처리액 공급관(210) 내의 유량이 변했을 때에, 배압(背壓)을 제어하여 공통의 처리액 공급관(210) 내의 압력을 일정하게 하면 좋다. 배압 제어를 채용한 기판 처리 장치의 일례를 도 6에 나타낸다.
도 6에 도시된 바와 같이, 배압 제어부(240)는 공통의 처리액 공급관(210)에 있어서, 처리부(22-1 내지 22-6, …) 중 가장 뒤쪽 단의 처리부와 드레인 사이의 부분에 구비되어 있다. 배압 제어부(240)는 공통의 처리액 공급관(210) 내의 처리액의 유량 변화에 따라 처리액의 배압을 바꾼다. 이에 따라, 유량 제어부(220)가 처리액의 유량을 바꾼 경우에도, 처리액 공급관(210) 내의 압력이 일정해지도록 제어할 수 있다.
배압 제어부(240)의 일례로서는, 도 6에 도시된 바와 같이, 공통의 처리액 공급관(210)에 있어서, 배압 제어용 밸브(241)를 가장 뒤쪽 단의 처리부와 드레인 사이에 설치하고, 압력 측정부(242)를 처리부(22-1 내지 22-6, …) 중 예컨대 가장 뒤쪽 단의 처리부와 배압 제어용 밸브(241)와의 사이에 설치한다. 압력 측정부(242)는 배압 제어용 밸브와, 공통의 처리액 공급관(210) 중 처리부(22-1 내지 22-6, …)에 접속된 부분과의 사이의 압력을 측정한다. 배압 제어용 밸브(241)는, 압력 측정부(242)의 측정 결과에 따라, 공통의 처리액 공급관(210) 내의 압력이 소 정 압력(배압)에 의해 일정해지도록 개방도를 조절한다. 예컨대, 배압 제어용 밸브(241)는, 공통의 처리액 공급관(210) 내의 압력이 소정 압력보다도 높아졌을 경우에는 개방도를 넓혀 소정 압력이 되도록 압력을 낮춘다. 반대로, 소정 압력보다도 낮아지면 개방도를 좁혀 소정 압력이 되도록 압력을 높인다.
이와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)에 있어서, 다른 예에 따른 유량 제어, 즉 처리부(22-1 내지 22-6, …)가 사용하는 처리액 이외에 베이스가 되는 처리액을 여분으로 흐르게 하는 것을 채용한 경우에는, 유닛 가동 중에 처리액이 부족하게 되어 버리는 것을 더 억제할 수 있다.
또한, 배압 제어부(240)를 공통의 처리액 공급관(210)에 있어서, 가장 뒤쪽 단의 처리부와 드레인 사이의 부분에 더 설치한다. 이러한 구성에 따르면, 예컨대 가동되는 처리부(22-1 내지 22-6, …)의 수가 변하여도 공통의 처리액 공급관(210) 내의 압력을 일정하게 제어할 수 있고, 처리부(22-1 내지 22-6, …)에 있어서의 처리액의 토출량이 변화되기 어려운 기판 처리 장치를 얻을 수 있다.
(제2 실시형태)
도 7은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 기본 구성을 도시한 블록도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(200)가 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)와 다른 점은, 서로 다른 액체를 공통의 처리액 공급관(210) 내에서 혼합하여, 원하는 농도의 처리액을 웨이퍼(W)에 공급하기 직전에 만들도록 한 것이다. 이 때문에, 기판 처리 장치(200)는, 기판 처리 장 치(100)의 구성, 예컨대 도 6에 도시된 구성에 대하여, 공통의 처리액 공급관(210)에 흐르는 제1 액체에, 이 제1 액체와는 다른 제2 액체를 주입하고, 처리액 공급관(210) 내에서 제1 액체에 제2 액체를 혼합하여 처리액을 생성하는 혼합부(214)를 더 구비하고 있다. 제2 액체는 제2 액체 공급관(222)을 통해 혼합부(214)에 공급된다. 혼합부(214)는 처리액 공급관(210)과 제2 액체 공급관(222)의 합류부와, 제2 액체 공급관(222)에 마련되며, 제2 액체의 공급ㆍ정지를 행하는 개폐 밸브(215)와 일체화된 합류부ㆍ밸브 유닛(216)으로 구성되어 있다. 이와 같이 혼합부(214)를 일체화된 합류부ㆍ밸브 유닛(216)으로 구성함으로써, 합류부와 밸브 간의 거리를 짧게 하여 제2 처리액의 고임을 줄일 수 있다.
유량 제어부(220)는 혼합부(214)의 전단(前段)에 설치되어 있다. 유량 제어부(220)는 제1 액체의 유량 및 제2 액체의 유량을 복수의 처리부(22-1 내지 22-6, …) 중 가동되는 액처리부의 수에 따라 증가 또는 감소시켜 혼합부(214)에 보낸다. 이에 따라, 기판 처리 장치(200)에 있어서도, 기판 처리 장치(100)와 마찬가지로 공통의 처리액 공급관(210) 내의 처리액의 유량이 가동되는 처리부의 수에 따라 증가 또는 감소된다. 유량이 제어된 제1 액체 및 제2 액체를 혼합부(214)에 있어서 혼합함으로써 원하는 농도의 처리액이 생성된다. 제1 액체의 일례는 순수(DIW)이다. 제1 액체 속에 주입되는 제2 액체의 일례는 케미컬이다. 케미컬의 예로서는, 불산(HF), 염산(HCL), 암모니아(NH3)를 들 수 있다. 본 예에서는, 혼합부(214)에서, 예컨대 순수에 불산(HF), 염산(HCL), 또는 암모니아(NH3)를 원하는 농도가 되 도록 혼합함으로써 처리액을 생성한다.
또한, 본 예의 유량 제어부(220)는, 증가 또는 감소 중인 처리액의 농도가 증가 또는 감소 전의 처리액의 농도에 근접하도록, 제1 액체의 증가량 또는 감소량과 제2 액체의 증가량 또는 감소량 중 적어도 어느 한쪽을 제어하도록 고안되었다. 이 때문에, 유량 제어부(220)는 제1 액체, 예컨대 순수(DIW)의 유량 및 순수의 증가량 또는 감소량을 제어하여 혼합부(214)로 보내는 제1 액체 유량 제어기(LFC)(221-1)와, 제2 액체, 예컨대 케미컬의 유량 및 케미컬의 증가량 또는 감소량을 제어하여 혼합부(214)로 보내는 제2 LFC(221-2)를 구비하고 있다. 또한, 제1 액체[예컨대, 순수(DIW)]의 공급 시작 제어는 제1 액체 유량 제어기(LFC)(221-1)에서 행한다. 제1 액체 및 제2 액체의 유량과 시간과의 관계를 도 8a에 나타낸다.
제1 액체(A)와 제2 액체(B)는 서로 다른 액체이기 때문에, 예컨대 제1 액체(A)의 점도와 제2 액체(B)의 점도는 서로 다르다. 이 때문에, 예컨대 단위 시간당의 증가량이나 증가의 방법 혹은 설정 유량에 도달할 때까지의 시간 등이 달라진다.
특히, 제1 액체(A) 및 제2 액체(B)의 유량의 증가기에 있어서는, 도 8a에 도시된 바와 같이, 증가량이나 증가의 방법이 다르기 때문에 양자의 유량에 차이가 난다. 예컨대, 제1 액체(A)가 순수이고, 제2 액체(B)가 불산인 경우에는, 불산 쪽이 순수보다도 유량이 빠르게 증가한다. 이 때문에, 도 8b에 도시된 바와 같이, 유량의 증가기에서는, 불산과 순수의 혼합 비율이 흐트러져 일시적으로 농도가 농후한 처리액이 생성되어 버린다. 처리액의 증가 타이밍과 처리액의 농도와의 관계 를 도 8c에 나타낸다.
도 8c에 도시된 바와 같이, 처리 도중에 처리액의 유량을 증가시키면, 증가 도중에 일시적으로 농도가 농후한 처리액이 생성되고, 농후한 처리액이 처리액 공급관(210)을 통해 처리부에 공급되어 버린다. 유량이 안정되는 안정기에서는, 불산과 순수의 혼합 비율이 설정된 비율로 되돌아가기 때문에 농도는 설정된 농도로 되돌아간다. 그러나, 일시적으로라도 농후한 처리액, 즉 성질이 다른 처리액이 처리부에 공급되어 버리면, 액처리를 안정적으로 행하기는 어렵게 된다.
그래서, 본 예에서는, 증가 또는 감소 중인 처리액의 농도가 증가 또는 감소 전의 처리액의 농도에 근접하도록, 유량 제어부(220)를 이용하여 제1 액체(A)의 유량의 증가량 및 제2 액체(B)의 유량의 증가량을 제어한다.
구체적인 일례는, 도 9a 중의 점선 I로 나타낸 바와 같이, 제2 액체(B)의 유량의 증가량이 제1 액체(A)보다도 빠를 때에는, 제2 액체(B)의 유량의 증가량을 억제하면서, 설정 유량까지 증가하도록 제어한다. 제2 액체(B)의 유량의 증가량을 억제하는 방법은, 제1 액체(A)의 유량의 증가량에 근접하도록 억제하는 것이면 좋다. 제어는, 제1 액체(A) 및 제2 액체(B)의 단위 시간당의 유량의 증가량이 동일해지도록 하는 것이다.
이와 같이 제2 액체(B)의 유량의 증가량을 억제함으로써, 도 9b에 도시된 바와 같이, 유량의 증가기에서도, 제1 액체(A)와 제2 액체(B)의 혼합 비율이 흐트러져 설정 농도에서 벗어나 버리는 것을, 점선 Ⅱ로 나타내는 제2 액체(B)의 유량의 증가량을 억제하지 않는 경우에 비하여 경감시킬 수 있다.
따라서, 도 9c에 도시된 바와 같이, 처리 중에 처리액의 유량을 증가시켜도, 농도가 농후한 처리액이 생성되는 사정이 억제되어 성질이, 안정된 처리액을 처리액 공급관(210)을 통해 처리부에 공급할 수 있다.
또한, 도 9a 내지 도 9c에 도시된 예에 있어서는, 제2 액체(B)의 유량 증가량만을 억제하도록 하였다. 그러나, 제1 액체(A)의 유량 증가량 및 제2 액체(B)의 유량 증가량 모두를 억제하면, 제1 액체(A)와 제2 액체(B)의 혼합 비율이 흐트러지기가 어려워지는 경우에는, 도 10a 내지 도 10b에 도시된 바와 같이, 제1 액체(A)의 유량 증가량 및 제2 액체(B)의 유량 증가량 모두를 억제하도록 하여도 좋다.
또한, 본 예에서, 유량 제어부(220)는 가동되는 처리부의 수에 따라 처리액의 유량을 감소시킨다. 유량을 감소시킬 때에도 마찬가지로 처리액의 농도가 변동하는 현상이 일어난다.
예컨대, 도 11a에 도시된 바와 같이, 제1 액체(A)가 순수이고, 제2 액체(B)가 불산인 경우에는, 불산 쪽이 순수보다도 유량이 빠르게 감소한다. 이 때문에, 도 11b에 도시된 바와 같이, 유량의 감소기에서는, 불산과 순수의 혼합 비율이 흐트러져 일시적으로 농도가 희박한 처리액이 생성되어 버린다. 처리액의 감소 타이밍과 처리액의 농도와의 관계를 도 11c에 나타낸다.
도 11c에 도시된 바와 같이, 처리 도중에 처리액의 유량을 감소시키면, 증가의 경우와는 반대로 농도가 희박한 처리액이 생성된다. 이 경우도, 성질이 다른 처리액이 처리부에 공급되어 버리게 되기 때문에, 처리부에서의 액처리를 안정적으로 행하기는 어렵게 된다.
그래서, 본 예에서는, 도 12a 중의 점선 Ⅲ으로 나타낸 바와 같이, 제2 액체(B)의 유량의 감소량이 제1 액체(A)보다도 빠를 때에는, 제2 액체(B)의 유량의 감소량을 억제하면서, 설정 유량까지 감소하도록 제어한다. 제2 액체(B)의 유량의 감소량의 억제 방법은, 제1 액체(A)의 유량의 감소량에 근접하도록 억제하는 것이면 좋다. 제어는, 제1 액체(A) 및 제2 액체(B)의 단위 시간당 유량의 감소량이 동일해지도록 하는 것이다. 처리액의 유량의 감소는 가동되는 처리부가 증가하기 전에 종료된다.
이와 같이 제2 액체(B)의 유량의 감소량을 억제함으로써, 도 12b에 도시된 바와 같이, 유량의 감소기에서도, 제1 액체(A)와 제2 액체(B)의 혼합 비율이 흐트러져 설정 농도에서 벗어나게 되는 것을, 점선 Ⅳ로 나타낸 바와 같이 제2 액체(B)의 유량 감소량을 억제하지 않는 경우에 비하여 경감시킬 수 있다.
따라서, 도 12c에 도시된 바와 같이, 처리 도중에 처리액의 유량을 감소시켜도, 농도가 희박한 처리액이 생성되는 사정이 억제되어, 성질이 안정된 처리액을 처리액 공급관(210)을 통해 처리부에 공급할 수 있다.
또한, 감소시키는 경우에 있어서도, 제1 액체(A)의 유량 감소량 및 제2 액체(B)의 유량 감소량 모두를 억제하면, 제1 액체(A)와 제2 액체(B)의 혼합 비율이 흐트러지기가 더 어려워지는 경우에는, 도 13a 내지 도 13b에 도시된 바와 같이, 제1 액체(A) 및 제2 액체(B)의 유량 감소량 모두를 억제하도록 하여도 좋다.
제1 액체(A), 제2 액체(B)의 유량 증가량 또는 유량 감소량을 억제하기 위한 제어량은, 예컨대 제1 액체(A)의 성질 및 제2 액체(B)의 성질을 조사해 두고, 미리 레시피 내에 기록해 두어도 좋다.
또한, 처리 시작 등에는 보다 안정적인 상태가 되는 제어를 시키면 더 좋다. 예컨대, 도 14에 도시된 바와 같이, 유량이 안정되기 시작하고 나서 곧 처리를 시작하는 것이 아니라, 더 안정될 때까지 잠시 동안의 시간(t)을 두고 나서 처리를 시작하도록 하면 좋다.
또한, 농도를 보다 정밀도 좋게 제어하고 싶은 경우에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 공통의 처리액 공급관(210) 내의 처리액의 농도를 측정하는 농도 측정부(230)를 설치하고, 측정된 농도에 따라 유량 제어부(220)를 제어하도록 하여도 좋다. 농도 측정부(230)는 예컨대 도전율계 등을 이용하여 구현할 수 있다. 본 예에서는, 농도 측정부(230)를, 공통의 처리액 공급관(210)에 있어서 처리부(22-1 내지 22-6, …) 중 가장 앞쪽 단의 처리부(22-1)와 혼합부(214) 사이의 부분에 구비하고 있다.
농도 측정부(230)는, 혼합부(214)로부터 배출된 처리액의 농도를 모니터링하고, 처리액의 농도가 설정 농도보다도 벗어나면, 예컨대 농도가 허용 오차를 초과하는 것과 같이 벗어난 경우에는, 증가 또는 감소 중인 처리액의 농도가 증가 또는 감소 전의 처리액의 농도에 근접하도록, 제1 액체(A)의 유량 증가량 또는 감소량과 제2 액체(B)의 유량 증가량 또는 감소량 중 적어도 어느 한쪽을 제어한다.
이와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(200)에 의하면, 웨이퍼(W)에 공급하기 직전에 원하는 농도의 처리액을 만드는 구성에 있어서, 처리 중에 처리액의 유량을 변화시켰다고 해도 처리액의 농도 변화가 일어나기가 어렵고, 성질 이 안정된 처리액을 처리부에 공급할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(200)에서도, 처리액의 유량을 가동되는 처리부의 수에 따라 증가 또는 감소시키기 때문에, 성질이 안정된 처리액의 소비량도 줄일 수 있다.
이상, 본 발명을 몇 가지 실시형태에 따라 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.
예컨대, 상기 실시형태에서는, 웨이퍼의 표리면 세정을 행하는 세정 처리 장치를 예를 들어 나타내고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 표면만 또는 이면만의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치이어도 좋고, 또한 세정 처리에 한정되지 않고, 다른 액처리이어도 상관없다.
또한, 상기 실시형태에서는 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우 에 대해서 나타내었지만, 액정 표시 장치(LCD)용 유리 기판으로 대표되는 평판 디스플레이(FPD)용 기판 등, 다른 기판에 적용 가능한 것은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 도시한 평면도.
도 2는 처리부를 확대하여 도시한 단면도.
도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 기본 구성을 도시한 블록도.
도 4는 유량 제어의 기본적인 일례를 도시한 도면.
도 5는 유량 제어의 다른 예를 도시한 도면.
도 6은 배압 제어를 채용한 기판 처리 장치의 일례를 도시한 블록도.
도 7은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 기본 구성을 도시한 블록도.
도 8a는 유량과 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 8b는 농도와 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 8c는 유량의 증가 타이밍과 처리액의 농도와의 관계를 도시한 도면.
도 9a는 유량과 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 9b는 농도와 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 9c는 유량의 증가 타이밍과 처리액의 농도와의 관계를 도시한 도면.
도 10a는 유량과 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 10b는 농도와 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 11a는 유량과 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 11b는 농도와 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 11c는 유량의 감소 타이밍과 처리액의 농도와의 관계를 도시한 도면.
도 12a는 유량과 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 12b는 농도와 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 12c는 유량의 감소 타이밍과 처리액의 농도와의 관계를 도시한 도면.
도 13a는 유량과 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 13b는 농도와 시간과의 관계를 도시한 도면.
도 14는 유량의 증가 타이밍과 처리 시작과의 관계를 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
22 : 처리부
210 : 공통의 처리액 공급관
211 : 혼합부
220 : 유량 제어부
230 : 농도 측정부
240 : 배압 제어부

Claims (9)

  1. 처리액을 이용하여 기판에 대하여 액처리를 행하는 복수의 처리부와,
    이 복수의 처리부에 처리액을 공급하는 상기 복수의 처리부에 공통인 처리액 공급관과,
    상기 복수의 처리부 중 가동되는 처리부의 수에 따라, 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 유량을 증가 또는 감소시키도록 제어하는 유량 제어부
    를 포함하고, 상기 유량 제어부는, 상기 복수의 처리부 중, 새롭게 가동을 시작하는 처리부가 가동되기 전에 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 유량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리액 공급관에 흐르는 제1 액체에, 이 제1 액체와는 다른 제2 액체를 주입하고, 상기 처리액 공급관 내에서 상기 제1 액체에 상기 제2 액체를 혼합하여 상기 처리액을 생성하는 혼합부를 더 포함하며,
    상기 유량 제어부는, 상기 복수의 처리부 중 가동되는 처리부의 수에 따라, 상기 제1 액체의 유량 및 상기 제2 액체의 유량을 증가 또는 감소시키고, 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 유량을 증가 또는 감소시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 유량 제어부는, 증가 또는 감소 중인 상기 처리액의 농도가 증가 또는 감소 전의 상기 처리액의 농도에 근접하도록, 상기 제1 액체의 유량 증가량 또는 감소량과 상기 제2 액체의 유량 증가량 또는 감소량 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 새롭게 가동을 시작하는 처리부가, 증가 후의 상기 처리액 공급관 내의 처리액 유량이 안정된 후에 가동되도록, 상기 유량 제어부는 처리액 공급관 내의 처리액의 유량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 혼합부와 상기 복수의 처리부 사이에 있는 상기 처리액 공급관 부분에 접속되고, 상기 혼합부에서 혼합되어 생성된 상기 처리액의 농도를 측정하는 농도 측정부를 더 포함하며,
    상기 유량 제어부는, 상기 농도 측정부에서의 상기 처리액의 농도 측정 결과에 따라, 증가 또는 감소 중인 상기 처리액의 농도가 증가 또는 감소 전의 상기 처리액의 농도에 근접하도록, 상기 제1 액체의 유량 증가량 또는 감소량과 상기 제2 액체의 유량 증가량 또는 감소량 중 적어도 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 배출단과 상기 복수의 처리부 사이에 있는 상기 처리액 공급관 부분에 접속되고, 상기 처리액 공급관 내의 처리액 의 압력을 제어하는 배압(背壓) 제어부를 더 포함하며,
    이 배압 제어부는, 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 유량의 변화에 따라 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 압력을 일정하게 유지하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 복수의 처리부와 상기 배압 제어 기구 사이에 있는 상기 처리액 공급관 부분에 접속되고, 상기 처리액 공급관 내의 압력을 측정하는 압력 측정부를 더 포함하며,
    상기 배압 제어부는, 상기 압력 측정부의 측정 결과에 따라 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 압력을 바꾸는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 처리액을 이용하여 기판에 대하여 액처리를 행하는 복수의 처리부와, 이 복수의 처리부에 처리액을 공급하는 상기 복수의 처리부에 공통인 처리액 공급관을 구비하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법으로서,
    상기 복수의 처리부 중 가동되는 처리부의 수에 따라, 상기 처리액 공급관 내의 처리액의 유량을 증가 또는 감소시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 컴퓨터 상에서 동작하고, 기판 처리를 제어하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 제어 프로그램은, 실행시에 제8항에 기재한 기판 처리 방법이 행해지도록, 컴퓨터로 상기 기판 처리 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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