KR20090096371A - 가공 폐액 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는, 가공 장치 및 가공 폐액 처리 장치를 순환하는 가공액을 항상 적정 범위로 유지할 수 있는 가공 폐액 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 가공 폐액 처리 장치는, 가공 장치의 가공시에 가공액 공급 수단에 의해 공급된 가공액의 가공 폐액을 청수로 정제하는 폐액 여과 수단과, 청수를 저수하는 청수 저수 탱크와, 청수를 순수로 정제하는 순수 생성 수단과, 순수를 상기 가공액 공급 수단에 순환시키는 배관과, 각 구성 수단을 제어하는 제어 수단을 포함하는 가공 폐액 처리 장치로서, 청수 저수 탱크에 저수된 청수의 수위를 검출하는 청수 수위 검출 수단과, 청수 저수 탱크에 물을 보급하는 물 보급 수단을 포함하고, 제어 수단은 청수 수위 검출 수단으로부터의 검출 신호에 의거하여 청수 저수 탱크에 저수된 청수의 수위가 제1 수위 이하이면 물 보급 수단을 작동시켜 청수 저수 탱크에 물을 보급하고, 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 청수 저수 탱크에 저수된 청수의 수위가 제1 수위보다 높은 제2 수위 이상에 도달하면 물 보급 수단의 작동을 정지시킨다.

Description

가공 폐액 처리 장치{PROCESS LIQUID WASTE TREATMENT APPARATUS}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 절삭하는 절삭 장치 등의 가공 장치에 설치되어, 가공시에 공급되는 가공액의 폐액을 처리하는 가공 폐액 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 공정에서는, 대략 원판형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인에 의해 복수개 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절단함으로써 디바이스가 형성된 영역을 분할하여 개개의 반도체 디바이스를 제조하고 있다. 또한, 사파이어 기판의 표면에 질화갈륨계 화합물 반도체 등이 적층된 광디바이스 웨이퍼도 스트리트를 따라 절단함으로써 개개의 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광디바이스로 분할되어, 전기 기기에 널리 이용되고 있다.
전술한 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼 등의 스트리트에 따른 절단은, 통상 다이서(dicer)라 불리는 절삭 장치에 의해 행해지고 있다. 이 절삭 장치는, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 이 척 테이블에 유지된 피 가공물을 절삭하기 위한 절삭 블레이드를 구비하는 절삭 수단과, 절삭 블레이드에 가공수를 공급하는 가공수 공급 수단을 포함하고, 이 가공수 공급 수단에 의해 절삭수를 회전하는 절삭 블레이드에 공급함으로써 절삭 블레이드를 냉각시키고, 절삭 블레이드에 의한 피가공물의 절삭부에 가공수를 공급하면서 절삭 작업을 실시한다.
전술한 바와 같이 절삭시에 공급된 가공액에는 실리콘이나 질화갈륨계 화합물 반도체를 절삭함으로써 발생하는 절삭 부스러기가 혼입된다. 이 반도체 소재로 이루어진 절삭 부스러기가 혼입된 가공 폐액은 환경을 오염시키기 때문에, 가공 폐액 처리 장치를 사용하여 절삭 부스러기를 제거한 후에 재이용하거나 폐기하고 있다. (예컨대, 특허문헌 1 참조)
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2004-230527호 공보
상기 가공 폐액 처리 장치는, 가공 장치의 가공시에 공급된 가공액의 가공 폐액을 수용하는 폐액 수용 탱크와, 이 폐액 수용 탱크에 수용된 가공 폐액을 급송하는 펌프와, 이 펌프에 의해 급송된 가공 폐액을 여과하여 청수로 정제하는 폐액 여과 수단과, 이 폐액 여과 수단에 의해 정제된 청수를 저수하는 청수 저수 탱크와, 이 청수 저수 탱크에 저수된 청수를 급송하는 청수 급송 펌프와, 이 청수 급송 펌프에 의해 급송된 청수를 순수로 정제하는 이온 교환 수단을 포함하는 순수 생성 수단과, 이 순수 생성 수단에 의해 정제된 순수를 소정의 온도로 조정하는 순수 온도 조정 수단을 구비하고 있고, 이 순수 온도 조정 수단에 의해 소정의 온도로 조정된 순수를 상기 가공 장치의 가공액 공급 수단에 순환시키도록 구성되어 있다.
그런데, 가공 장치 및 가공 폐액 처리 장치를 순환하는 가공액은 증발 등에 의해 서서히 감소하므로, 보급할 필요가 있다.
또한, 가공 폐액에는 웨이퍼 등의 피가공물을 유지하는 다이싱 테이프나 합성 수지 호스로부터 방출되는 유기체탄소가 포함되고 있고, 이 유기체탄소는 가공 폐액이 순환함에 따라 서서히 증가하여, 소정 이상의 유기체탄소가 웨이퍼에 부착되면 웨이퍼의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 있다. 이 가공 폐액에 포함되는 유기체탄소는 분자 레벨이므로, 정밀한 필터에 의해서도 포착할 수 없다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 제1 기술 과제는, 가공 장치 및 가공 폐액 처리 장치를 순환하는 가공액의 양을 항상 적정 범위로 유지할 수 있는 가공 폐액 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명의 제2 기술 과제는, 가공 장치 및 가공 폐액 처리 장치를 순환하는 가공액에 포함되는 유기체탄소의 함유율을 소정 이하로 유지할 수 있는 가공 폐액 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 제1 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 가공 장치의 가공시에 가공액 공급 수단에 의해 공급된 가공액의 가공 폐액을 수용하는 폐액 수용 탱크와, 이 폐액 수용 탱크에 수용된 가공 폐액을 급송하는 펌프와, 이 펌프에 의해 급송된 가공 폐액을 여과하여 청수로 정제하는 폐액 여과 수단과, 이 폐액 여과 수단에 의해 정제된 청수를 저수하는 청수 저수 탱크와, 이 청수 저수 탱크에 저수된 청수를 급송하는 청수 급송 펌프와, 이 청수 급송 펌프에 의해 급송된 청수를 순수로 정제하는 순수 생성 수단과, 이 순수 생성 수단에 의해 정제된 순수를 소정의 온도로 조정하는 순수 온도 조정 수단과, 이 순수 온도 조정 수단에 의해 소정의 온도로 조정된 순수를 상기 가공액 공급 수단에 순환시키는 배관과, 상기 각 구성 수단을 제어하는 제어 수단을 포함하는 가공 폐액 처리 장치에 있어서,
상기 청수 저수 탱크에 저수된 청수의 수위를 검출하여 검출 신호를 상기 제어 수단으로 보내는 청수 수위 검출 수단과, 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하는 물 보급 수단을 포함하고,
상기 제어 수단은, 상기 청수 수위 검출 수단으로부터의 검출 신호에 의거하여, 상기 청수 저수 탱크에 저수된 청수의 수위가 제1 수위 이하이면 상기 물 보급 수단을 작동시켜 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하고, 상기 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 상기 청수 저수 탱크에 저수된 청수의 수위가 제1 수위보다 높은 제2 수위 이상에 도달하면 상기 물 보급 수단의 작동을 정지시켜 상기 청수 저수 탱크에 대한 물의 보급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 가공 폐액 처리 장치가 제공된다.
또한, 상기 제2 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 가공 장치의 가공시에 가공액 공급 수단에 의해 공급된 가공액의 가공 폐액을 수용하는 폐액 수용 탱크와, 이 폐액 수용 탱크에 수용된 가공 폐액을 급송하는 펌프와, 이 펌프에 의해 급송된 가공 폐액을 여과하여 청수로 정제하는 폐액 여과 수단과, 이 폐액 여 과 수단에 의해 정제된 청수를 저수하는 청수 저수 탱크와, 이 청수 저수 탱크에 저수된 청수를 급송하는 청수 급송 펌프와, 이 청수 급송 펌프에 의해 급송된 청수를 순수로 정제하는 순수 생성 수단과, 이 순수 생성 수단에 의해 정제된 순수를 소정의 온도로 조정하는 순수 온도 조정 수단과, 이 순수 온도 조정 수단에 의해 소정의 온도로 조정된 순수를 상기 가공액 공급 수단에 순환시키는 배관과, 상기 각 구성 수단을 제어하는 제어 수단을 포함하는 가공 폐액 처리 장치에 있어서,
상기 순수 생성 수단으로부터 상기 가공액 공급 수단에 이르는 경로에 설치되고 순수에 함유되는 유기체탄소의 함유율을 검출하여 검출 신호를 상기 제어 수단으로 보내는 총 유기체탄소 측정기와, 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하는 물 보급 수단을 포함하고,
상기 제어 수단은, 상기 총 유기체탄소 측정기로부터의 검출 신호에도 의거하여 순수에 함유되는 유기체탄소의 함유율이 제1 함유율 이상이면 상기 물 보급 수단을 작동시켜 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하고, 상기 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 순수에 함유되는 유기체탄소의 함유율이 제1 함유율보다 낮은 제2 함유율 이하에 도달하면 상기 물 보급 수단의 작동을 정지시켜 상기 청수 저수 탱크에 대한 물의 보급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 가공 폐액 처리 장치가 제공된다.
또한, 상기 제2 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 가공 장치의 가공시에 가공액 공급 수단에 의해 공급된 가공액의 가공 폐액을 수용하는 폐액 수용 탱크와, 이 폐액 수용 탱크에 수용된 가공 폐액을 급송하는 펌프와, 이 펌프에 의해 급송된 가공 폐액을 여과하여 청수로 정제하는 폐액 여과 수단과, 이 폐액 여과 수단에 의해 정제된 청수를 저수하는 청수 저수 탱크와, 이 청수 저수 탱크에 저수된 청수를 급송하는 청수 급송 펌프와, 이 청수 급송 펌프에 의해 급송된 청수를 순수로 정제하는 순수 생성 수단과, 이 순수 생성 수단에 의해 정제된 순수를 소정의 온도로 조정하는 순수 온도 조정 수단과, 이 순수 온도 조정 수단에 의해 소정의 온도로 조정된 순수를 상기 가공액 공급 수단에 순환시키는 배관과, 상기 각 구성 수단을 제어하는 제어 수단을 포함하는 가공 폐액 처리 장치에 있어서,
상기 순수 생성 수단으로부터 상기 가공액 공급 수단에 이르는 경로에 설치되고 순수 유량을 적산하여 유량 적산값을 상기 제어 수단으로 보내는 유량 적산계와, 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하는 물 보급 수단을 포함하고,
상기 제어 수단은, 상기 유량 적산계로부터의 검출 신호에도 의거하여 순수 유량의 적산값이 제1 적산값 이상에 도달하면 상기 물 보급 수단을 작동시켜 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하고, 상기 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 순수 유량의 적산값이 제2 적산값 이상에 도달하면 상기 물 보급 수단의 작동을 정지시켜 상기 청수 저수 탱크에 대한 물의 보급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 가공 폐액 처리 장치가 제공된다.
본 발명에 의한 가공 폐액 처리 장치에서는, 청수 수위 검출 수단에 의해 검출된 수위가 제1 수위 이하에 도달하면 물 보급 수단을 작동시켜 청수 저수 탱크에 물을 보급하고, 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 청수 수위 검출 수단에 의해 검출된 수위가 제2 수위 이상에 도달하면 물 보급 수단의 작동을 정지시켜, 청수 저수 탱크에 대한 물의 보급을 정지시키기 때문에, 청수 저수 탱크에 저류되는 가공액의 양은 항상 적정 범위로 유지된다.
또한, 본 발명에 의한 가공 폐액 처리 장치에서는, 총 유기체탄소 측정기에 의해 검출된 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 제1 함유율 이상에 도달하면 물 보급 수단을 작동시켜 청수 저수 탱크에 물을 보급하고, 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 총 유기체탄소 측정기에 의해 검출된 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 상기 제1 함유율보다 낮은 제2 함유율 이하가 되면 물 보급 수단의 작동을 정지시켜, 청수 저수 탱크에 대한 물의 보급을 정지시키기 때문에, 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 웨이퍼의 품질에 영향을 미치지 않는 범위로 유지된다.
또한, 본 발명에 의한 가공 폐액 처리 장치에서는, 유량 적산계에 의해 검출된 순수의 유량의 적산값이 제1 적산값 이상에 도달하면 물 보급 수단을 작동시켜 청수 저수 탱크에 물을 보급하고, 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 유량 적산계에 의해 검출된 순수의 유량의 적산값이 제2 적산값 이하에 도달하면 물 보급 수단의 작동을 정지시켜, 청수 저수 탱크에 대한 물의 보급을 정지시키기 때문에, 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 웨이퍼의 품질에 영향을 미치지 않는 범위로 유지된다.
이하, 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치의 바람직한 실시형태에 관해 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1에는 가공 장치로서의 절삭 장치에 인접하게 설치된 본 발명에 의한 가공 폐액 처리 장치의 사시도가 도시되어 있다.
가공 장치로서의 절삭 장치(2)는 대략 직방체형의 장치 하우징(20)을 포함하고 있다. 이 장치 하우징(20)내에는, 피가공물을 유지하는 척 테이블(21)이 절삭 이송 방향인 화살표 X로 나타내는 방향으로 이동가능하게 설치되어 있다. 척 테이블(21)은, 상면인 유지면상에 피가공물을 도시하지 않은 흡인 수단을 작동함으로써 흡인 유지하도록 되어 있다. 또한, 척 테이블(21)은 도시하지 않은 회전 기구에 의해 회전가능하게 구성되어 있다. 척 테이블(21)에는, 피가공물로서 후술하는 웨이퍼를 다이싱 테이프를 통해 지지하는 환형 프레임을 고정하기 위한 클램프(211)가 설치되어 있다. 이와 같이 구성된 척 테이블(21)은, 도시하지 않은 절삭 이송 수단에 의해, 화살표 X로 나타내는 절삭 이송 방향으로 이송되도록 되어 있다.
도 1에 나타내는 절삭 장치(2)는, 절삭 수단으로서의 스핀들 유닛(22)을 포함하고 있다. 스핀들 유닛(22)은, 도시하지 않은 인덱싱 이송 수단에 의해 도 1에서 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동되고, 도시하지 않은 절입 이송 수단에 의해 도 1에서 화살표 Z로 나타내는 절입 이송 방향으로 이동되도록 되어 있다. 이 스핀들 유닛(22)은, 도시하지 않은 이동 베이스에 장착되어 인덱싱 방향인 화살표 Y로 나타내는 방향 및 절입 방향인 화살표 Z로 나타내는 방향으로 이동 조정되는 스핀들 하우징(221)과, 이 스핀들 하우징(221)에 회전가능하게 지지된 회전 스핀들(222)과, 이 회전 스핀들(222)의 전단부에 장착된 절삭 블레이드(223)를 포함하고 있다. 스핀들 하우징(221)의 전단부에는, 절삭 블레이드(223)의 상반부를 덮는 블레이드 커버(224)가 장착되어 있고, 이 블레이드 커버(224)에 상기 절삭 블레이드(223)를 향해 가공액을 분사하는 가공액 공급 노즐(225)이 설치되어 있다. 가공액 공급 노즐(225)은 도시하지 않은 가공액 공급 수단에 접속되어 있다.
도 1에 나타내는 절삭 장치(2)는, 상기 척 테이블(21)상에 유지된 피가공물의 표면을 촬상하여, 상기 절삭 블레이드(223)에 의해 절삭해야 할 영역을 검출하기 위한 촬상 수단(23)을 포함하고 있다. 이 촬상 수단(23)은, 현미경이나 CCD 카메라 등의 광학 수단으로 이루어져 있다. 또한, 상기 장치 하우징(20)에서의 카세트 적재 영역(24a)에는, 피가공물을 수용하는 카세트를 적재하는 카세트 적재 테이블(24)이 설치되어 있다. 이 카세트 적재 테이블(24)은, 도시하지 않은 승강 수단에 의해 상하방향으로 이동가능하게 구성되어 있다. 카세트 적재 테이블(24)상에는, 피가공물로서의 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 카세트(25)가 적재된다. 카세트(25)에 수용되는 반도체 웨이퍼(W)는 표면에 격자형의 스트리트가 형성되어 있고, 이 격자형의 스트리트에 의해 구획된 복수의 직사각형 영역에 IC, LSI 등의 디바이스가 형성되어 있다. 이와 같이 형성된 반도체 웨이퍼(W)는, 환형 지지 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 이면이 점착된 상태로 카세트(25)에 수용된다.
또한, 도시한 실시형태에서의 절삭 장치(2)는, 카세트 적재 테이블(24)상에 적재된 카세트(25)에 수용되어 있는 반도체 웨이퍼(W)[환형 프레임(F)에 다이싱 테이프(T)를 통해 지지되어 있는 상태]를 임시 배치 테이블(26)로 반출하는 반출ㆍ반 입 수단(27)과, 임시 배치 테이블(26)로 반출된 반도체 웨이퍼(W)를 상기 척 테이블(21)상으로 반송하는 제1 반송 수단(28)과, 척 테이블(21)상에서 절삭 가공된 반도체 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 수단(29)과, 척 테이블(21)상에서 절삭 가공된 반도체 웨이퍼(W)를 세정 수단(29)으로 반송하는 제2 반송 수단(290)을 포함하고 있다.
도 1에 나타내는 절삭 장치(2)는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하에서는 그 작용에 관해 간단히 설명한다.
카세트 적재 테이블(24)상에 적재된 카세트(25)의 소정 위치에 수용되어 있는 반도체 웨이퍼(W)[환형 프레임(F)에 다이싱 테이프(T)를 통해 지지되어 있는 상태]는, 도시하지 않은 승강 수단에 의해 카세트 적재 테이블(24)이 상하이동함으로써 반출 위치에 위치하게 된다. 다음으로, 반출 수단(27)이 진퇴 작동하여 반출 위치에 위치하는 반도체 웨이퍼(W)를 임시 배치 테이블(26)상으로 반출한다. 임시 배치 테이블(26)로 반출된 반도체 웨이퍼(W)는, 제1 반송 수단(28)의 선회 동작에 의해 상기 척 테이블(21)상으로 반송된다. 척 테이블(21)상에 반도체 웨이퍼(W)가 적재되면, 도시하지 않은 흡인 수단이 작동하여 반도체 웨이퍼(W)를 척 테이블(21)상에 흡인 유지한다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱 테이프(T)를 통해 지지하는 환형 프레임(F)은 상기 클램프(211)에 의해 고정된다. 이와 같이 하여 반도체 웨이퍼(W)를 유지한 척 테이블(21)은, 촬상 수단(23)의 바로 아래까지 이동된다. 척 테이블(21)이 촬상 수단(23)의 바로 아래에 위치하면, 촬상 수단(23)에 의해 반도체 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 스트리트가 검출되고, 스핀들 유닛(22)을 인덱싱 방향인 화살표 Y방향으로 이동 조절하여 스트리트와 절삭 블레이드(223)의 정밀 위치맞춤 작업이 행해진다.
그 후, 절삭 블레이드(223)를 화살표 Z로 나타내는 방향으로 소정량 절입 이송하고 소정의 방향으로 회전시키면서, 반도체 웨이퍼(W)를 흡인 유지한 척 테이블(21)을 절삭 이송 방향인 화살표 X로 나타내는 방향[절삭 블레이드(223)의 회전축과 직교하는 방향]으로 소정의 절삭 이송 속도로 이동시킴으로써, 척 테이블(21)상에 유지된 반도체 웨이퍼(W)는 절삭 블레이드(223)에 의해 소정의 스트리트를 따라 절단된다(절삭 공정). 이 절삭 공정에서는, 도시하지 않은 가공액 공급 수단을 작동하여 가공액 공급 노즐(225)로부터 가공액이 절삭 블레이드(223)에 의한 가공부를 향해 분사된다. 이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(W)를 소정의 스트리트를 따라 절단하면, 척 테이블(21)을 화살표 Y로 나타내는 방향으로 스트리트의 간격만큼 인덱싱 이송하여, 상기 절삭 공정을 실시한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)의 소정 방향으로 연장되는 스트리트 전체를 따라 절삭 공정을 실시했다면, 척 테이블(21)을 90도 회전시켜, 반도체 웨이퍼(W)의 소정 방향과 직교하는 방향으로 연장되는 스트리트를 따라 절삭 공정을 실행함으로써, 반도체 웨이퍼(W)에 격자형으로 형성된 모든 스트리트가 절삭되어 개개의 칩으로 분할된다. 분할된 칩은, 다이싱 테이프(T)의 작용에 의해 조각조각나지는 않고, 환형 프레임(F)에 지지되어 웨이퍼의 상태가 유지되어 있다.
전술한 바와 같이 반도체 웨이퍼(W)의 스트리트를 따른 절삭 공정이 종료되면, 반도체 웨이퍼(W)를 유지한 척 테이블(21)은 처음에 반도체 웨이퍼(W)를 흡인 유지한 위치로 되돌아간다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)의 흡인 유지를 해제한다. 다음으로, 반도체 웨이퍼(W)는 제2 반송 수단(290)에 의해 세정 수단(29)으로 반송된다. 세정 수단(29)으로 반송된 반도체 웨이퍼(W)는 여기서 세정되어 건조된다. 이와 같이 하여 세정ㆍ건조된 반도체 웨이퍼(W)는, 제1 반송 수단(28)에 의해 임시 배치 테이블(26)로 반송된다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)는, 반출ㆍ반입 수단(27)에 의해 카세트(25)의 소정 위치에 수납된다.
전술한 절삭 공정에서, 도시하지 않은 가공액 공급 수단에 의해 가공액 공급 노즐(225)로부터 절삭 블레이드(223)에 의한 가공부에 분사된 가공액은, 절삭 블레이드(223) 및 가공부를 냉각시킨 후에 가공 폐액으로서 회수되고, 절삭 장치(2)에 인접하게 설치된 가공 폐액 처리 장치(10)에 의해 순수로 정제되어 재이용된다. 이 가공 폐액 처리 장치(10)에 관해, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.
도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)는 장치 하우징(100)을 포함하고 있고, 이 장치 하우징(100)내에 가공 폐액 처리 장치의 구성 요소가 설치되어 있다. 장치 하우징(100)내에 설치되는 가공 폐액 처리 장치의 구성 요소의 제1 실시형태에 관해, 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2에는, 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치의 구성 요소가 가공 폐액의 흐름에 따라 도시되어 있다. 도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)는, 상기 절삭 장치(2)에서의 가공시에 가공액 공급 노즐(225)로부터 절삭 블레이드(223)에 의한 가공부에 공급된 가공액의 가공 폐액을 수용하는 폐액 탱크(3)와, 이 폐액 탱크(3)에 수용된 가공 폐액을 급송하는 폐액 급송 펌프(30)를 포함하고 있다. 폐액 탱크(3)는, 상기 절삭 장치(2)에 장비되는 가공 폐액 송출 수단에 배관(31)에 의해 접속된다. 따라서, 폐액 탱크(3)에는 절삭 장치(2)에 장비되는 가공 폐액 송출 수단으로부터 이송되는 가공 폐액이 배관(31)을 통해 도입된다. 이 폐액 탱크(3)의 상벽에 가공 폐액을 급송하는 폐액 급송 펌프(30)가 설치되어 있다.
상기 폐액 급송 펌프(30)에 의해 급송되는 가공 폐액은, 가요성 호스로 이루어진 배관(32)을 통해 폐액 여과 수단(4)으로 이송된다. 폐액 여과 수단(4)은, 청수 받이 팬(pan)(41)과, 이 청수 받이 팬(41)상에 배치되는 제1 필터(42a) 및 제2 필터(42b)를 포함하고 있다. 이 제1 필터(42a) 및 제2 필터(42b)는, 청수 받이 팬(41)상에 착탈가능하게 배치된다. 상기 폐액 급송 펌프(30)와 제1 필터(42a) 및 제2 필터(42b)를 접속하는 배관(32)에는 전자(電磁) 개폐 밸브(43a) 및 전자 개폐 밸브(43b)가 설치되어 있다. 전자 개폐 밸브(43a)가 작동(ON)하여 개로(開路)하면 폐액 급송 펌프(30)에 의해 급송된 가공 폐액이 제1 필터(42a)에 도입되고, 전자 개폐 밸브(43b)가 작동(ON)하여 개로하면 폐액 급송 펌프(30)에 의해 급송된 가공 폐액이 제2 필터(42b)에 도입되도록 되어 있다. 제1 필터(42a) 및 제2 필터(42b)에 도입된 가공 폐액은, 제1 필터(42a) 및 제2 필터(42b)에 의해 여과되고 가공 폐액에 혼입되어 있는 절삭 부스러기가 포착되어 청수로 정제되며 청수 받이 팬(41)으로 유출된다. 이 청수 받이 팬(41)은 가요성 호스로 이루어진 배관(44)에 의해 청수 저수 탱크(5)에 접속되어 있고, 따라서 청수 받이 팬(41)으로 유출된 청수는 가요성 호스로 이루어진 배관(44)을 통해 청수 저수 탱크(5)로 이송되어 저류된다.
상기 배관(32)에는, 폐액 여과 수단(4)의 제1 필터(42a) 및 제2 필터(42b)에 급송되는 가공 폐액의 압력을 검출하는 압력 검출 수단(33)이 설치되어 있고, 이 압력 검출 수단(33)은 검출 신호를 후술하는 제어 수단으로 보낸다. 예컨대, 상기 전자 개폐 밸브(43a)를 작동(ON)시켜 가공 폐액을 제1 필터(42a)에 의해 여과하고 있는 상태에서, 압력 검출 수단(33)으로부터의 검출 신호가 소정 압력값 이상에 도달하면, 후술하는 제어 수단은 제1 필터(42a)에 가공 부스러기가 퇴적하여 필터로서의 기능이 상실되었다고 판단하고, 전자 개폐 밸브(43a)를 정지(OFF)시키고, 전자 개폐 밸브(43b)를 작동(ON)시킨다. 그리고, 후술하는 제어 수단은, 제1 필터(42a)에서 제2 필터(42b)로 전환한 것을 후술하는 조작 패널에 설치된 표시 수단에 표시한다. 이와 같이 표시 수단에 표시된 메시지에 의거하여 오퍼레이터는 제1 필터(42a)가 수명에 도달한 것을 감지하여 필터를 교환할 수 있다. 또한, 상기 전자 개폐 밸브(43b)를 작동(ON)시켜 가공 폐액을 제2 필터(42b)에 의해 여과하고 있는 상태에서, 압력 검출 수단(33)으로부터의 검출 신호가 소정 압력값 이상에 도달하면, 후술하는 제어 수단은 제2 필터(42b)에 가공 부스러기가 퇴적하여 필터로서의 기능이 상실되었다고 판단하고, 전자 개폐 밸브(43b)를 정지(OFF)시키며, 전자 개폐 밸브(43a)를 작동(ON)시킨다. 그리고, 후술하는 제어 수단은, 제2 필터(42b)에서 제1 필터(42a)로 전환한 것을 후술하는 조작 패널에 설치된 표시 수단에 표시한다.
상기 폐액 여과 수단(4)으로부터 가요성 호스로 이루어진 배관(44)을 통해 이송되어 청수 저수 탱크(5)에 저류된 청수는, 청수 급송 펌프(50)에 의해 급송되 어 가요성 호스로 이루어진 배관(51)을 통해 순수 생성 수단(6)으로 이송된다. 도시한 실시형태에서의 순수 생성 수단(6)은, 지지대(61)와, 이 지지대(61)에 세워져 설치된 다이어프램(611)과, 지지대(61)에 있어서 다이어프램(611)의 뒤쪽에 배치된 자외선 조사(照射) 수단(62)과, 지지대(61)에 있어서 다이어프램(611)의 앞쪽에 배치된 이온 교환 수지를 포함하는 제1 이온 교환 수단(63a) 및 제2 이온 교환 수단(63b)과, 지지대(61)에 있어서 다이어프램(611)의 뒤쪽에 배치된 정밀 필터(64)를 포함하고 있다. 이 제1 이온 교환 수단(63a) 및 제2 이온 교환 수단(63b)과 정밀 필터(64)는, 지지대(61)상에 착탈가능하게 배치된다. 상기 청수 급송 펌프(50)에 의해 급송되어 가요성 호스로 이루어진 배관(51)을 통해 이송된 청수는, 자외선 조사 수단(62)에 도입되고, 여기서 자외선(W)이 조사됨으로써 살균된다. 자외선 조사 수단(62)에서 살균 처리된 청수는, 배관(65)을 통해 제1 이온 교환 수단(63a) 또는 제2 이온 교환 수단(63b)에 도입된다. 배관(65)에는 전자 개폐 밸브(66a) 및 전자 개폐 밸브(66b)가 설치되어 있다. 전자 개폐 밸브(66a)가 작동(ON)하여 개로하면 살균 처리된 청수가 제1 이온 교환 수단(63a)에 도입되고, 전자 개폐 밸브(66b)가 작동(ON)하여 개로하면 살균 처리된 청수가 제2 이온 교환 수단(63b)에 도입되도록 되어 있다. 제1 이온 교환 수단(63a) 또는 제2 이온 교환 수단(63b)에 도입된 청수는, 이온이 교환되어 순수로 정제된다. 이와 같이 하여 청수가 이온 교환되어 정제된 순수에는, 제1 이온 교환 수단(63a) 및 제2 이온 교환 수단(63b)을 구성하는 이온 교환 수지의 수지 부스러기 등의 미세한 물질이 혼입되어 있는 경우가 있다. 이 때문에, 도시한 실시형태에서는 전술한 바와 같이 제1 이온 교환 수단(63a) 및 제2 이온 교환 수단(63b)에 의해 청수가 이온 교환되어 정제된 순수를 배관(67)을 통해 정밀 필터(64)에 도입하고, 이 정밀 필터(64)에 의해 순수에 혼입되어 있는 이온 교환 수지의 수지 부스러기 등의 미세한 물질을 포착한다.
상기 배관(67)에는, 제1 이온 교환 수단(63a) 및 제2 이온 교환 수단(63b)으로부터 정밀 필터(64)에 급송되는 순수의 압력을 검출하는 압력 검출 수단(68)이 설치되어 있고, 이 압력 검출 수단(68)은 검출 신호를 후술하는 제어 수단으로 보낸다. 예컨대, 압력 검출 수단(68)으로부터의 검출 신호가 소정 압력값 이상에 도달하면, 후술하는 제어 수단은 정밀 필터(64)에 수지 부스러기 등의 미세한 물질이 퇴적하여 필터로서의 기능이 상실되었다고 판단하고, 후술하는 조작 패널에 설치된 표시 수단에 표시한다. 이와 같이 표시 수단에 표시된 메시지에 의거하여 오퍼레이터는 정밀 필터(64)가 수명에 도달한 것을 감지하여 필터를 교환할 수 있다.
또한, 상기 배관(67)에는, 제1 이온 교환 수단(63a) 또는 제2 이온 교환 수단(63b)으로부터 정밀 필터(64)에 급송되는 순수의 비저항(比抵抗)을 검출하기 위한 비저항계(69)가 설치되어 있고, 이 비저항계(69)는 검출 신호를 후술하는 제어 수단으로 보낸다. 후술하는 제어 수단은, 상기 전자 개폐 밸브(66a)를 작동(ON)시켜 청수를 제1 이온 교환 수단(63a)에 의해 순수로 정제하고 있는 상태에서, 비저항계(69)로부터의 검출 신호가 소정값(예컨대 10MΩㆍcm) 이하에 도달하면, 후술하는 제어 수단은 제1 이온 교환 수단(63a)에 의한 순수 정제 능력이 저하되었다고 판단하고, 전자 개폐 밸브(66a)를 정지(OFF)시키며, 전자 개폐 밸브(66b)를 작동(ON)시킨다. 그리고, 후술하는 제어 수단은, 제1 이온 교환 수단(63a)에서 제2 이온 교환 수단(63b)으로 전환한 것을 후술하는 조작 패널에 설치된 표시 수단에 표시한다. 이와 같이 표시 수단에 표시된 메시지에 의거하여 오퍼레이터는 제1 이온 교환 수단(63a)이 수명에 도달한 것을 감지하여, 제1 이온 교환 수단(63a)의 이온 교환 수지를 교환할 수 있다. 또한, 상기 전자 개폐 밸브(66b)를 작동(ON)시켜 제2 이온 교환 수단(63b)에 의해 청수를 순수로 정제하고 있는 상태에서, 비저항계(69)로부터의 검출 신호가 소정값(예컨대 10MΩㆍcm) 이하에 도달하면, 후술하는 제어 수단은 제2 이온 교환 수단(63b)에 의한 순수 정제 능력이 저하되었다고 판단하고, 전자 개폐 밸브(66b)를 정지(OFF)시키며, 전자 개폐 밸브(66a)를 작동(ON)시킨다. 그리고, 후술하는 제어 수단은, 제2 이온 교환 수단(63b)에서 제1 이온 교환 수단(63a)으로 전환한 것을 후술하는 조작 패널에 설치된 표시 수단에 표시한다.
상기 순수 생성 수단(6)에 의해 정제된 순수는, 가요성 호스로 이루어진 배관(60)을 통해 순수 온도 조정 수단(7)으로 이송된다. 순수 온도 조정 수단(7)으로 이송된 순수는, 여기서 소정 온도(예컨대 23℃)로 조정되어 배관(70)을 통해 상기 절삭 장치(2)에 장비되는 가공액 공급 수단에 순환된다.
도 2를 참조하여 설명을 계속하면, 도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)는, 상기 청수 저수 탱크(5)에 저류된 청수의 수위를 검출하는 청수 수위 검출 수단(52)을 포함하고 있다. 이 청수 수위 검출 수단(52)은, 검출 신호를 후술하는 제어 수단으로 보낸다. 또한, 도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)는, 상기 청수 저수 탱크(5)에 물을 보급하는 물 보급 수단(55)을 포함하고 있다. 이 물 보급 수단(55)은, 상기 청수 수위 검출 수단(52)으로부터 보내어진 검출 신호를 입력받은 후술하는 제어 수단에 의해 제어되어, 배관(56)을 통해 청수 저수 탱크(5)에 물을 보급한다. 물 보급 수단(55)에 의해 청수 저수 탱크(5)에 보급하는 물은 수돗물이면 된다.
전술한 폐액 탱크(3), 폐액 여과 수단(4), 순수 생성 수단(6), 순수 온도 조정 수단(7) 및 각 배관 등은, 도 1 및 도 3에 도시하는 장치 하우징(100)내에 배치된다. 도 3에서는 장치 하우징(100)을 구성하는 후술하는 각 벽을 투시하여 장치 하우징(100)내에 상기 폐액 탱크(3), 폐액 여과 수단(4), 순수 생성 수단(6), 순수 온도 조정 수단(7) 및 각 배관 등이 배치된 상태를 보여주고 있다. 도시한 실시형태에서의 장치 하우징(100)은, 직방체형의 수용실을 형성하는 프레임(110), 이 프레임(110)에 장착되는 바닥벽(121)과 상벽(122)과 좌측벽(123)과 우측벽(124)과 후벽(125), 및 프레임(110)의 앞쪽에 장착되어 프레임(110)의 앞쪽에 형성되는 앞쪽 개구(101)를 개폐하는 개폐 도어(126)로 이루어져 있다.
이와 같이 구성된 장치 하우징(100)의 바닥벽(121)상에는, 상기 폐액 탱크(3), 청수 저수 탱크(5) 및 순수 생성 수단(6)이 배치된다. 폐액 탱크(3)는 장치 하우징(100)의 바닥벽(121)에 있어서 후벽(125)측에 배치되며, 청수 저수 탱크(5)는 폐액 탱크(3)에 인접하여 바닥벽(121)의 중앙부에 배치되고, 순수 생성 수단(6)은 청수 저수 탱크(5)에 인접하여 바닥벽(121)에 있어서 앞쪽 개구(101)측[개폐 도어(126)측]에 배치된다.
상기 순수 생성 수단(6)은, 도시한 실시형태에서는 장치 하우징(100)의 앞쪽 개구(101)를 통하여 인출가능하게 배치되어 있다. 즉, 장치 하우징(100)을 구성하는 좌측벽(123)과 우측벽(124)의 내면 하단부에는, 서로 대향하게 설치되어 바닥벽(121)의 상면과 평행하게 전후방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(130, 130)이 설치되어 있다. 이 한쌍의 가이드 레일(130, 130)상에 순수 생성 수단(6)의 지지대(61)를 적재함으로써, 순수 생성 수단(6)은 한쌍의 가이드 레일(130, 130)을 따라 장치 하우징(100)의 앞쪽 개구(101)를 통하여 인출가능하게 지지된다. 따라서, 순수 생성 수단(6)을 한쌍의 가이드 레일(130, 130)을 따라 장치 하우징(100)의 앞쪽 개구(101)를 통하여 인출함으로써, 순수 생성 수단(6)을 구성하는 지지대(61)에 배치된 제1 이온 교환 수단(63a) 및 제2 이온 교환 수단(63b)과 정밀 필터(64)의 교환을 용이하게 실시할 수 있다.
도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)에서는, 장치 하우징(100)내에 있어서 상기 순수 생성 수단(6) 및 청수 저수 탱크(5)의 상측에 상기 폐액 여과 수단(4)이 장치 하우징(100)의 앞쪽 개구(101)를 통하여 인출가능하게 배치되어 있다. 즉, 장치 하우징(100)을 구성하는 좌측벽(123)과 우측벽(124)의 내면 중간부에는, 서로 대향하게 설치되어 상기 바닥벽(121)의 상면과 평행[한쌍의 가이드 레일(130, 130)과 평행]하게 전후방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(140, 140)이 설치되어 있다. 이 한쌍의 가이드 레일(140, 140)상에 폐액 여과 수단(4)의 청수 받이 팬(41)을 적재함으로써, 폐액 여과 수단(4)은 한쌍의 가이드 레일(140, 140)을 따라 장치 하우징(100)의 앞쪽 개구(101)를 통하여 인출가능하게 지지된다. 폐액 여과 수단(4)의 인출 조작을 용이하게 하기 위해, 폐액 여과 수단(4)을 구성하 는 청수 받이 팬(41)의 전방 단부에는 아래쪽으로 돌출된 손잡이(411)가 설치되어 있다. 따라서, 폐액 여과 수단(4)을 한쌍의 가이드 레일(140, 140)을 따라 장치 하우징(100)의 앞쪽 개구(101)를 통하여 인출함으로써, 폐액 여과 수단(4)을 구성하는 청수 받이 팬(41)에 착탈가능하게 배치된 제1 필터(42a) 및 제2 필터(42b)의 교환을 용이하게 실시할 수 있다. 이와 같이 폐액 여과 수단(4)이 인출가능하게 배치되어 있기 때문에, 폐액 여과 수단(4)의 청수 받이 팬(41)과 상기 청수 저수 탱크(5)를 접속하는 배관은 가요성 호스로 이루어진 배관(44)에 의해 접속되어 있다.
전술한 바와 같이 폐액 여과 수단(4)의 청수 받이 팬(41)과 상기 청수 저수 탱크(5)를 가요성 호스로 이루어진 배관(44)에 의해 접속하는 것과 관련하여, 장치 하우징(100)에 있어서 폐액 여과 수단(4)의 후벽(125)측에는 가요성 호스로 이루어진 배관(44)을 지지하는 호스 지지판(150)이 설치되어 있다. 이 호스 지지판(150)은, 후벽(125)측으로 갈수록 높아지도록 경사져 있고 우측벽(124)측으로 갈수록 높아지도록 경사져 있는 형상으로 구성되어 있으며, 가요성 호스로 이루어진 배관(44)이 자중(自重)에 의해 아래쪽으로 만곡하는 것을 방지하고, 청수 받이 팬(41)측이 항상 높은 위치에 위치하도록 가요성 호스로 이루어진 배관(44)을 유지한다. 따라서, 청수 받이 팬(41)으로 유출된 청수는, 자중에 의해 가요성 호스로 이루어진 배관(44)을 통하여 청수 저수 탱크(5)에 유입될 수 있다.
도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)에서는, 장치 하우징(100)내에 있어서 상기 호스 지지판(150)의 상측에 상기 순수 온도 조정 수단(7)이 배치된 다. 즉, 장치 하우징(100)을 구성하는 좌측벽(123)과 우측벽(124)에 장착된 도시하지 않은 지지부재상에 순수 온도 조정 수단(7)이 적재되어 적절한 고정 수단에 의해 고정된다.
도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)는, 상기 각 구성 수단의 작동을 제어하는 제어 수단(8)과, 상기 제어 수단(8)에 폐액 처리 개시 정보 등의 처리 정보를 입력하는 조작 패널(9)을 포함하고 있다. 이 제어 수단(8)과 조작 패널(9)은, 도시한 실시형태에서는 일체로 구성되어 있다. 이와 같이 구성된 제어 수단(8) 및 조작 패널(9)은, 장치 하우징(100)에 있어서 폐액 여과 수단(4)의 상측에 배치된다. 즉, 장치 하우징(100)을 구성하는 좌측벽(123)과 우측벽(124)에 장착된 도시하지 않은 지지부재상에 상기 제어 수단(8) 및 조작 패널(9)이 적재되어 적절한 고정 수단에 의해 고정된다. 이때, 조작 패널(9)이 장치 하우징(100)의 앞쪽[개폐 도어(126)측에 배치되어 있는 측]에 위치한다. 조작 패널(9)에는 처리 정보 등을 입력하는 입력 수단(91)과, 제어 수단(8)에 의한 처리 정보를 표시하는 표시 수단(92) 등이 설치되어 있다.
여기서, 상기 제어 수단(8)에 관해 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4에 나타내는 제어 수단(8)은 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 제어 프로그램에 따라 연산 처리하는 중앙 처리 장치(CPU; 81)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온리 메모리(ROM; 82)와, 후술하는 피가공물에 펄스 레이저 광선을 조사하는 기점과 종점의 X, Y 좌표값의 데이터나 연산 결과 등을 저장하는 기록 및 판독가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM; 83)와, 입력 인터페이스(84) 및 출력 인터페이 스(85)를 포함하고 있다. 제어 수단(8)의 입력 인터페이스(84)에는, 상기 압력 검출 수단(33), 압력 검출 수단(68), 비저항계(69), 입력 수단(91) 등으로부터의 검출 신호 및 입력 신호가 입력된다. 그리고, 제어 수단(8)의 출력 인터페이스(85)로부터는, 상기 폐액 급송 펌프(30), 전자 개폐 밸브(43a), 전자 개폐 밸브(43b), 청수 급송 펌프(50), 물 보급 수단(55), 전자 개폐 밸브(66a), 전자 개폐 밸브(66b), 표시 수단(92) 등으로 제어 신호를 출력된다.
도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치는 이상과 같이 구성되어 있고, 오퍼레이터가 조작 패널(9)로부터 폐액 처리 개시 정보를 입력하면, 제어 수단(8)은 상기 각 구성 수단을 제어하여 전술한 바와 같이 폐액 처리 작업을 실행한다. 그리고, 전술한 폐액 처리 작업을 실행하고 있을 때에 제어 수단(8)은, 전술한 바와 같이 압력 검출 수단(33)으로부터의 검출 신호에 의거하여 폐액 여과 수단(4)의 전자 개폐 밸브(43a)를 정지(OFF)시키고 전자 개폐 밸브(43b)를 작동(ON)시킨 경우, 또는 전자 개폐 밸브(43b)를 정지(OFF)시키고 전자 개폐 밸브(43a)를 작동(ON)시킨 경우에는, 제1 필터(42a)에서 제2 필터(42b)로 또는 제2 필터(42b)에서 제1 필터(42a)로 전환한 것을 조작 패널(9)의 표시 수단(92)에 표시한다. 이와 같이 표시 수단(92)에 표시된 메시지에 의거하여 오퍼레이터는, 제1 필터(42a) 또는 제2 필터(42b)가 수명에 도달한 것을 감지하고, 장치 하우징(10)의 개폐 도어(126)를 열어, 폐액 여과 수단(4)을 한쌍의 가이드 레일(140, 140)을 따라 장치 하우징(10)의 앞쪽 개구(101)를 통하여 인출한다. 이때, 오퍼레이터는 폐액 여과 수단(4)을 구성하는 청수 받이 팬(41)에 설치된 손잡이(411)를 쥐고 인출한다. 그리고, 오퍼 레이터는, 표시 수단(92)에 표시된 메시지에 따라서 제1 필터(42a) 또는 제2 필터(42b)를 교환한다.
또한, 전술한 폐액 처리 작업을 실행하고 있을 때에 제어 수단(8)은, 상기 압력 검출 수단(68)으로부터의 검출 신호가 소정 압력값 이상에 도달하면, 정밀 필터(64)의 기능이 상실되었다고 판단하여, 조작 패널(9)의 표시 수단(92)에 표시한다. 이와 같이 표시 수단에 표시된 메시지에 의거하여 오퍼레이터는, 정밀 필터(64)가 수명에 도달한 것을 감지하고, 장치 하우징(10)의 개폐 도어(126)를 열어, 순수 생성 수단(6)을 한쌍의 가이드 레일(130, 130)을 따라 장치 하우징(10)의 앞쪽 개구(101)를 통하여 인출한다. 이때, 오퍼레이터는 순수 생성 수단(6)을 구성하는 지지대(61)에 세워져 설치된 다이어프램(611)에 설치된 손잡이(612)를 쥐고 인출한다. 그리고, 오퍼레이터는 표시 수단(92)에 표시된 메시지에 따라서 정밀 필터(64)를 교환한다.
또한, 전술한 폐액 처리 작업을 실행하고 있을 때에 제어 수단(8)은, 상기 비저항계(69)로부터의 검출 신호가 소정값(예컨대 10MΩㆍ㎝) 이하에 도달하여, 순수 생성 수단(6)의 전자 개폐 밸브(66a)를 정지(OFF)시키고 전자 개폐 밸브(66b)를 작동(ON)시킨 경우 또는 전자 개폐 밸브(66b)를 정지(OFF)시키고 전자 개폐 밸브(66a)를 작동(ON)시킨 경우에는, 제1 이온 교환 수단(63a)에서 제2 이온 교환 수단(63b)으로 또는 제2 이온 교환 수단(63b)에서 제1 이온 교환 수단(63a)으로 전환한 것을 조작 패널(9)의 표시 수단(92)에 표시한다. 이와 같이 표시 수단(92)에 표시된 메시지에 의거하여 오퍼레이터는, 제1 이온 교환 수단(63a) 또는 제2 이온 교환 수단(63b)이 수명에 도달한 것을 감지하고, 장치 하우징(10)의 개폐 도어(126)를 열어, 순수 생성 수단(6)을 한쌍의 가이드 레일(130, 130)을 따라 장치 하우징(10)의 앞쪽 개구(101)를 통하여 인출한다. 이때, 오퍼레이터는 전술한 바와 같이 순수 생성 수단(6)을 구성하는 지지대(61)에 세워져 설치된 다이어프램(611)에 설치된 손잡이(612)를 쥐고 인출한다. 그리고, 오퍼레이터는, 표시 수단(92)에 표시된 메시지에 따라서 제1 이온 교환 수단(63a) 또는 제2 이온 교환 수단(63b)의 이온 교환 수지를 교환한다.
전술한 바와 같이 가공 장치(2) 및 가공 폐액 처리 장치(10)를 순환하는 가공액은 증발 등에 의해 서서히 감소한다. 도시하지 않은 가공액 공급 수단에 의해 상기 가공액 공급 노즐(225)로부터 절삭 블레이드(223)에 의한 가공부를 향해 분사되는 가공액의 양은 일정하므로, 순환하는 전체 가공액의 양이 감소하면, 청수 저수 탱크(5)에 저류되는 청수의 수위가 낮아진다. 청수 저수 탱크(5)에 저류되는 청수의 수위가 소정 수위 이하가 되면 가공액의 안정된 공급에 지장을 초래하므로, 청수 저수 탱크(5)내에 물을 보급해야 한다. 이하, 물의 보급 제어의 제1 실시형태에 관해, 도 5에 도시한 흐름도를 참조하여 설명한다.
제어 수단(8)은, 소정 주기마다 청수 수위 검출 수단(52)으로부터 검출 신호를 입력받고, 이 청수 수위 검출 수단(52)에 의해 검출된 수위(H)가 제1 수위(H1) 이하인지 아닌지를 체크한다(단계 S1). 단계 S1에서, 청수 수위 검출 수단(52)에 의해 검출된 수위(H)가 제1 수위(H1) 이하가 아닌 경우에는, 제어 수단(8)은 청수 저수 탱크(5)에 저류되어 있는 청수의 수위가 적정 범위에 있다고 판단하여, 이 루 틴을 종료한다. 단계 S1에서, 청수 수위 검출 수단(52)에 의해 검출된 수위(H)가 제1 수위(H1) 이하인 경우에는, 제어 수단(8)은 청수 저수 탱크(5)에 저류되어 있는 청수의 수위가 적정 범위의 하한값 이하가 되었다고 판단하고, 단계 S2로 진행하여 물 보급 수단(55)을 작동(ON)시킨다. 그 결과, 물 보급 수단(55)으로부터 배관(56)을 통해 물이 청수 저수 탱크(5)에 보급된다.
상기 단계 S2에서 물 보급 수단(55)을 작동(ON)시키면, 제어 수단(8)은 단계 S3으로 진행하여 청수 수위 검출 수단(52)에 의해 검출된 수위(H)가 상기 제1 수위(H1)보다 소정량 높은 제2 수위(H2) 이상에 도달했는지 아닌지를 체크한다. 단계 S3에서 청수 수위 검출 수단(52)에 의해 검출된 수위(H)가 제2 수위(H2)보다 낮은 경우에는, 제어 수단(8)은 청수 저수 탱크(5)에 저류되어 있는 청수의 수위는 적정 범위의 상한에 도달하지 않았다고 판단하고, 상기 단계 S2로 되돌아가 단계 S2 및 단계 S3을 반복하여 실행한다. 단계 S3에서 청수 수위 검출 수단(52)에 의해 검출된 수위(H)가 제2 수위(H2) 이상인 경우에는, 제어 수단(8)은 청수 저수 탱크(5)에 저류되어 있는 청수의 수위는 적정 범위의 상한에 도달하였다고 판단하고, 단계 S4로 진행하여 물 보급 수단(55)의 작동을 정지(OFF)시키며, 청수 저수 탱크(5)에 대한 물의 보급을 정지시킨다.
이상과 같이, 도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)의 제1 실시형태에서는, 청수 수위 검출 수단(52)에 의해 검출된 수위(H)가 제1 수위(H1) 이하가 되면 물 보급 수단(55)을 작동(ON)시켜 청수 저수 탱크(5)에 물을 보급하고, 청수 수위 검출 수단(52)에 의해 검출된 수위(H)가 제2 수위(H2) 이상에 도달하면 물 보 급 수단(55)의 작동을 정지(OFF)시켜, 청수 저수 탱크(5)에 대한 물의 보급을 정지시키기 때문에, 청수 저수 탱크(5)에 저류되는 가공액은 항상 적정 범위로 유지된다.
다음으로, 본 발명에 의한 가공 폐액 처리 장치의 제2 실시형태에 관해 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6에서는 상기 도 2에 나타내는 가공 폐액 처리 장치의 각 구성 요소와 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여 그 설명은 생략한다.
도 6에 나타내는 가공 폐액 처리 장치(10)는, 상기 순수 생성 수단(6)과 순수 온도 조정 수단(7)을 접속하는 배관(60)에 순수에 함유되는 유기체탄소의 함유율을 검출하는 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)가 설치되어 있다. 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)는, 검출 신호를 상기 제어 수단(8)으로 보낸다. 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)는, 순수 온도 조정 수단(7)과 상기 절삭 장치(2)에 장비되는 가공액 공급 수단을 접속하는 배관(70)에 설치될 수도 있다. 도 6에 나타내는 가공 폐액 처리 장치(10)는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작용에 관해 설명한다.
전술한 바와 같이 가공 장치(2) 및 가공 폐액 처리 장치(10)를 순환하는 가공 폐액에는 웨이퍼(W)를 유지하는 다이싱 테이프(T)나 합성 수지 호스로부터 방출되는 유기체탄소가 포함되어 있고, 이 유기체탄소는 가공 폐액이 순환함에 따라 서서히 증가하여, 소정 이상의 유기체탄소가 웨이퍼(W)에 부착되면 웨이퍼(W)의 품질을 저하시킨다는 문제가 있다. 이 가공 폐액에 포함되는 유기체탄소는 분자 레벨이므로, 상기 정밀 필터(64)에 의해서도 포착할 수 없다. 따라서, 가공 폐액에 포 함되는 유기체탄소의 함유율을 웨이퍼(W)의 품질에 영향을 미치지 않을 정도로 저하시켜 두어야 한다. 이하, 가공 폐액에 포함되는 유기체탄소의 함유율을 소정값 이하로 유지하기 위한 물의 보급 제어의 제2 실시형태에 관해, 도 7에 도시한 흐름도를 참조하여 설명한다.
제어 수단(8)은, 소정 주기마다 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)로부터 검출 신호를 입력받아, 가공 폐액(순수)에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 제1 함유율(A1)(예컨대 0.1 ppm) 이상인지 아닌지를 체크한다(단계 P1). 단계 P1에서, 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)에 의해 검출된 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 제1 함유율(A1)(예컨대 0.1 ppm)보다 낮은 경우에는, 제어 수단(8)은 가공 폐액에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 웨이퍼(W)의 품질에 영향을 미치지 않는다고 판단하여, 이 루틴을 종료한다. 단계 P1에서, 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)에 의해 검출된 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 제1 함유율(A1)(예컨대 0.1 ppm) 이상인 경우에는, 제어 수단(8)은 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 웨이퍼(W)의 품질에 영향을 미친다고 판단하고, 단계 P3으로 진행하여 상기 물 보급 수단(55)을 작동(ON)시킨다. 그 결과, 물 보급 수단(55)으로부터 배관(551)을 통해 물이 청수 저수 탱크(5)에 보급된다. 물 보급 수단(55)으로부터 청수 저수 탱크(5)에 보급되는 물의 단위시간당 유량은, 상기 청수 급송 펌프(50)에 의해 청수 저수 탱크(5)로부터 송출하는 청수의 단위시간당 유량에 상당하도록 설정되어 있다. 이때, 도 6에 나타낸 바와 같이 청수 저수 탱크(5)에 설치된 배수 밸브(57)를 개로하여 청수를 소정량 배수될 수도 있다. 이와 같이, 청수 저수 탱크(5)에 물을 보급함으로써, 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)은 서서히 저하된다.
상기 단계 P2에서 물 보급 수단(55)을 작동(ON)시키면, 제어 수단(8)은 단계 P3으로 진행하여 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)에 의해 검출된 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 상기 제1 함유율(A1)(예컨대 0.1 ppm)보다 낮은 제2 함유율(A2)(예컨대 0.01 ppm) 이하에 도달했는지 아닌지를 체크한다. 단계 P3에서 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)에 의해 검출된 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 제2 함유율(A2)(예컨대 0.01 ppm)보다 높은 경우에는, 제어 수단(8)은 상기 단계 P2로 되돌아가 단계 P2 및 단계 P3을 반복적으로 실행한다. 단계 P3에서, 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)에 의해 검출된 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 제2 함유율(예컨대 0.01 ppm) 이하가 되면, 제어 수단(8)은 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 충분히 저하되었다고 판단하고, 단계 P4로 진행하여 물 보급 수단(55)의 작동을 정지(OFF)시키며, 청수 저수 탱크(5)에 대한 물의 보급을 정지시킨다.
이상과 같이, 도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)의 제2 실시형태에서는, 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)에 의해 검출된 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 제1 함유율(A1)(예컨대 0.1 ppm) 이상인 경우에는 물 보급 수단(55)을 작동(ON)시켜 청수 저수 탱크(5)에 물을 보급하고, 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)에 의해 검출된 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 상기 제1 함유율(A1)(예컨대 0.1 ppm)보다 낮은 제2 함유율(예컨대 0.01 ppm) 이하 에 도달하면 물 보급 수단(55)의 작동을 정지(OFF)시켜, 청수 저수 탱크(5)에 대한 물의 보급을 정지시키기 때문에, 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)이 웨이퍼(W)의 품질에 영향을 미치지 않는 범위로 유지된다.
다음으로, 본 발명에 의한 가공 폐액 처리 장치의 제3 실시형태에 관해 설명한다. 본 발명에 의한 가공 폐액 처리 장치의 제3 실시형태는, 상기 도 6에 나타내는 가공 폐액 처리 장치(10)에서의 상기 순수 생성 수단(6)과 순수 온도 조정 수단(7)을 접속하는 배관(60)에 순수의 유량을 적산하는 유량 적산계(96)가 설치된다. 이 유량 적산계(96)는, 검출 신호를 상기 제어 수단(8)으로 보낸다. 유량 적산계(96)는, 순수 온도 조정 수단(7)과 상기 절삭 장치(2)에 장비되는 가공액 공급 수단을 접속하는 배관(70)에 설치될 수도 있다. 본 발명에 의한 가공 폐액 처리 장치의 제3 실시형태는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작용에 관해 도 8에 도시한 흐름도를 참조하여 설명한다.
제어 수단(8)은, 유량 적산계(96)에 의한 적산를 시작하고(단계 R1), 유량 적산계(96)로부터 검출 신호를 입력받아 순수의 유량의 적산값(Q)이 제1 적산값(Q1)(예컨대 100 킬로리터) 이상에 도달했는지 아닌지를 체크한다(단계 R2). 제1 적산값(Q1)은, 순수가 순환함으로써 유기체탄소의 함유율이 증가하고 그 함유율이 예컨대 0.1 ppm이 되기까지의 순수의 유량의 적산값이며, 상기 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)를 사용하여 실험적으로 구한 값이다. 단계 R2에서, 유량 적산계(96)에 의해 검출된 순수의 유량의 적산값(Q)이 제1 적산값(Q1)(예컨대 100 킬로리터)에 도달하지 않은 경우에는, 제어 수단(8)은 가공 폐액에 포함되는 유기 체탄소의 함유율이 웨이퍼(W)의 품질에 영향을 미치지 않는다고 판단하여, 이 루틴을 종료한다. 단계 R2에서, 유량 적산계(96)에 의해 검출된 순수의 유량의 적산값(Q)이 제1 적산값(Q1)(예컨대 100 킬로리터) 이상에 도달한 경우에는, 제어 수단(8)은 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 웨이퍼(W)의 품질에 영향을 미친다고 판단하고, 단계 R3으로 진행하여 상기 물 보급 수단(55)을 작동(ON)시키며, 유량 적산계(96)를 클리어한다. 그 결과, 물 보급 수단(55)으로부터 배관(551)을 통해 물이 청수 저수 탱크(5)에 보급된다. 물 보급 수단(55)으로부터 청수 저수 탱크(5)에 보급되는 물의 단위시간당 유량은, 상기 청수 급송 펌프(50)에 의해 청수 저수 탱크(5)로부터 송출되는 청수의 단위시간당 유량에 상당하도록 설정되어 있다. 이와 같이, 청수 저수 탱크(5)에 물을 보급함으로써, 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율(A)은 서서히 저하된다.
상기 단계 R3에서 물 보급 수단(55)을 작동(ON)시키면, 제어 수단(8)은 단계 R4로 진행하여 유량 적산계(96)로부터 검출 신호를 입력받아 순수의 유량의 적산값(Q)이 제2 적산값(Q2)(예컨대 100 리터) 이상에 도달했는지 아닌지를 체크한다. 제2 적산값(Q2)은, 물 보급 수단(55)에 의해 물을 보급하기 시작하고 나서 순수에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 예컨대 0.01 ppm이 되기까지의 순수의 유량의 적산값이며, 상기 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)를 사용하여 실험적으로 구한 값이다. 단계 R4에서, 유량 적산계(96)에 의해 검출된 순수의 유량의 적산값(Q)이 제2 적산값(Q2)(예컨대 100 리터)에 도달하지 않은 경우에는, 제어 수단(8)은 상기 단계 R3으로 되돌아가 단계 R3 및 단계 R4를 반복하여 실행한다. 단 계 R4에서, 유량 적산계(96)에 의해 검출된 순수의 유량의 적산값(Q)이 제2 적산값(Q2)(예컨대 100 리터)에 도달하면, 제어 수단(8)은 가공 폐액(순수)에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 충분히 저하된 것으로 판단하고, 단계 R5로 진행하여 물 보급 수단(55)의 작동을 정지(OFF)시키며, 순수에 대한 물의 보급을 정지시키고, 유량 적산계(96)를 클리어한다.
이상과 같이, 도시한 실시형태에서의 가공 폐액 처리 장치(10)의 제3 실시형태에서는, 유량 적산계(96)에 의해 검출된 순수의 유량의 적산값(Q)이 제1 적산값(Q1)(예컨대 100 킬로리터) 이상에 도달하면 물 보급 수단(55)을 작동(ON)시켜 청수 저수 탱크(5)에 물을 보급하고, 물이 보급되고 나서 유량 적산계(96)에 의해 검출된 순수의 유량의 적산값(Q)이 제2 적산값(Q2)(예컨대 100 리터) 이상에 도달하면 물 보급 수단(55)의 작동을 정지(OFF)시켜, 청수 저수 탱크(5)에 대한 물의 보급을 정지시키기 때문에, 가공 폐액(순수)에 포함되는 유기체탄소의 함유율이 웨이퍼(W)의 품질에 영향을 미치지 않는 범위로 유지된다. 제3 실시형태에서는, 상기 제1 적산값(Q1) 및 제2 적산값(Q2)을 실험적으로 구하고 있기 때문에, 상기 제2 실시형태와 같이 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기; 95)를 사용할 필요는 없다.
이상, 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치를 절삭 장치에 적용한 예를 나타냈지만, 본 발명에 의한 가공 폐액 처리 장치는 연삭 장치 등의 다른 가공 장치에 적용하더라도 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치를 가공 장치로서의 절삭 장치에 인접하게 설치한 상태를 도시하는 사시도.
도 2는 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치의 구성 요소의 제1 실시형태를 가공 폐액의 흐름에 따라 도시하는 설명도.
도 3은 도 2에 도시한 장치 하우징을 구성하는 각 벽을 투시하여 장치 하우징내에 가공 폐액 처리 장치의 구성 요소를 배치한 상태를 보여주는 사시도.
도 4는 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치에 장비되는 제어 수단의 구성 블록도.
도 5는 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치에 장비되는 제어 수단에서의 물의 보급 제어의 제1 실시형태를 도시한 흐름도.
도 6은 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치의 구성 요소의 제2 실시형태를 가공 폐액의 흐름에 따라 도시하는 설명도.
도 7은 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치에 장비되는 제어 수단에서의 물의 보급 제어의 제2 실시형태를 도시한 흐름도.
도 8은 본 발명에 따라서 구성된 가공 폐액 처리 장치에 장비되는 제어 수단에서의 물의 보급 제어의 제3 실시형태를 도시한 흐름도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2 : 절삭 장치
21 : 척 테이블
22 : 스핀들 유닛
221 : 스핀들 하우징
222 : 회전 스핀들
223 : 절삭 블레이드
225 : 가공액 공급 노즐
3 : 폐액 탱크
31 : 폐액 급송 펌프
4 : 폐액 여과 수단
41 : 청수 받이 팬
42a : 제1 필터
42b : 제2 필터
43a, 43b : 전자 개폐 밸브
5 : 청수 저수 탱크
50 : 청수 급송 펌프
52 : 청수 수위 검출 수단
55 : 물 보급 장치
6 : 순수 생성 수단
61 : 지지대
62 : 자외선 조사 수단
63a : 제1 이온 교환 수단
63b : 제2 이온 교환 수단
64 : 정밀 필터
66a, 66b : 전자 개폐 밸브
7 : 순수 온도 조정 수단
71 : 냉각액층
72 : 냉각액 급송 펌프
73 : 냉각기
74 : 열교환기
8 : 제어 수단
9 : 조작 패널
91 : 입력 수단
92 : 표시 수단
95 : 총 유기체탄소 측정기(TOC 측정기)
96 : 유량 적산계
10 : 가공 폐액 처리 장치
100 : 장치 하우징

Claims (3)

  1. 가공 장치의 가공시에 가공액 공급 수단에 의해 공급된 가공액의 가공 폐액을 수용하는 폐액 수용 탱크와, 이 폐액 수용 탱크에 수용된 가공 폐액을 급송하는 펌프와, 이 펌프에 의해 급송된 가공 폐액을 여과하여 청수로 정제하는 폐액 여과 수단과, 이 폐액 여과 수단에 의해 정제된 청수를 저수하는 청수 저수 탱크와, 이 청수 저수 탱크에 저수된 청수를 급송하는 청수 급송 펌프와, 이 청수 급송 펌프에 의해 급송된 청수를 순수로 정제하는 순수 생성 수단과, 이 순수 생성 수단에 의해 정제된 순수를 소정의 온도로 조정하는 순수 온도 조정 수단과, 이 순수 온도 조정 수단에 의해 소정의 온도로 조정된 순수를 상기 가공액 공급 수단에 순환시키는 배관과, 상기 각 구성 수단을 제어하는 제어 수단을 포함하는 가공 폐액 처리 장치에 있어서,
    상기 청수 저수 탱크에 저수된 청수의 수위를 검출하여 검출 신호를 상기 제어 수단으로 보내는 청수 수위 검출 수단과, 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하는 물 보급 수단을 포함하고,
    상기 제어 수단은, 상기 청수 수위 검출 수단으로부터의 검출 신호에 의거하여, 상기 청수 저수 탱크에 저수된 청수의 수위가 제1 수위 이하이면 상기 물 보급 수단을 작동시켜 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하고, 상기 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 상기 청수 저수 탱크에 저수된 청수의 수위가 제1 수위보다 높은 제2 수위 이상에 도달하면 상기 물 보급 수단의 작동을 정지시켜 상기 청수 저수 탱크에 대한 물의 보급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 가공 폐액 처리 장치.
  2. 가공 장치의 가공시에 가공액 공급 수단에 의해 공급된 가공액의 가공 폐액을 수용하는 폐액 수용 탱크와, 이 폐액 수용 탱크에 수용된 가공 폐액을 급송하는 펌프와, 이 펌프에 의해 급송된 가공 폐액을 여과하여 청수로 정제하는 폐액 여과 수단과, 이 폐액 여과 수단에 의해 정제된 청수를 저수하는 청수 저수 탱크와, 이 청수 저수 탱크에 저수된 청수를 급송하는 청수 급송 펌프와, 이 청수 급송 펌프에 의해 급송된 청수를 순수로 정제하는 순수 생성 수단과, 이 순수 생성 수단에 의해 정제된 순수를 소정의 온도로 조정하는 순수 온도 조정 수단과, 이 순수 온도 조정 수단에 의해 소정의 온도로 조정된 순수를 상기 가공액 공급 수단에 순환시키는 배관과, 상기 각 구성 수단을 제어하는 제어 수단을 포함하는 가공 폐액 처리 장치에 있어서,
    상기 순수 생성 수단으로부터 상기 가공액 공급 수단에 이르는 경로에 설치되고 순수에 함유되는 유기체탄소의 함유율을 검출하여 검출 신호를 상기 제어 수단으로 보내는 총 유기체탄소 측정기와, 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하는 물 보급 수단을 포함하고,
    상기 제어 수단은, 상기 총 유기체탄소 측정기로부터의 검출 신호에 의거하여 순수에 함유되는 유기체탄소의 함유율이 제1 함유율 이상이면 상기 물 보급 수단을 작동시켜 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하고, 상기 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 순수에 함유되는 유기체탄소의 함유율이 제1 함유율보다 낮은 제2 함유율 이하에 도달하면 상기 물 보급 수단의 작동을 정지시켜 상기 청수 저수 탱크에 대한 물의 보급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 가공 폐액 처리 장치.
  3. 가공 장치의 가공시에 가공액 공급 수단에 의해 공급된 가공액의 가공 폐액을 수용하는 폐액 수용 탱크와, 이 폐액 수용 탱크에 수용된 가공 폐액을 급송하는 펌프와, 이 펌프에 의해 급송된 가공 폐액을 여과하여 청수로 정제하는 폐액 여과 수단과, 이 폐액 여과 수단에 의해 정제된 청수를 저수하는 청수 저수 탱크와, 이 청수 저수 탱크에 저수된 청수를 급송하는 청수 급송 펌프와, 이 청수 급송 펌프에 의해 급송된 청수를 순수로 정제하는 순수 생성 수단과, 이 순수 생성 수단에 의해 정제된 순수를 소정의 온도로 조정하는 순수 온도 조정 수단과, 이 순수 온도 조정 수단에 의해 소정의 온도로 조정된 순수를 상기 가공액 공급 수단에 순환시키는 배관과, 상기 각 구성 수단을 제어하는 제어 수단을 포함하는 가공 폐액 처리 장치에 있어서,
    상기 순수 생성 수단으로부터 상기 가공액 공급 수단에 이르는 경로에 설치되고 순수 유량을 적산하여 유량 적산값을 상기 제어 수단으로 보내는 유량 적산계와, 상기 청수 저수 탱크에 물을 보급하는 물 보급 수단을 포함하고,
    상기 제어 수단은, 상기 유량 적산계로부터의 검출 신호에 의거하여 순수 유량의 적산값이 제1 적산값 이상에 도달하면 상기 물 보급 수단을 작동시켜 상기 청 수 저수 탱크에 물을 보급하고, 상기 물 보급 수단에 의한 물의 보급을 시작하고 나서 순수 유량의 적산값이 제2 적산값 이상에 도달하면 상기 물 보급 수단의 작동을 정지시켜 상기 청수 저수 탱크에 대한 물의 보급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 가공 폐액 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160098073A (ko) * 2015-02-10 2016-08-18 가부시기가이샤 디스코 절삭 장치

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013054576A1 (ja) * 2011-10-12 2015-03-30 株式会社村田製作所 加工廃液処理装置及び加工廃液処理方法
JPWO2013057992A1 (ja) * 2011-10-20 2015-04-02 株式会社村田製作所 加工廃液循環装置
JP6101140B2 (ja) * 2013-04-18 2017-03-22 株式会社ディスコ 切削装置
JP6718263B2 (ja) * 2016-03-08 2020-07-08 株式会社ディスコ 定温水供給方法
JP7150390B2 (ja) * 2018-02-14 2022-10-11 株式会社ディスコ 加工装置
JP7339049B2 (ja) * 2019-07-26 2023-09-05 株式会社ディスコ 廃液処理装置
JP7343325B2 (ja) * 2019-07-26 2023-09-12 株式会社ディスコ 廃液処理装置
JP7320404B2 (ja) * 2019-08-16 2023-08-03 株式会社ディスコ 加工液循環装置
JP2021126609A (ja) 2020-02-13 2021-09-02 株式会社ディスコ 純水生成装置
JP2021183304A (ja) * 2020-05-21 2021-12-02 株式会社ディスコ 純水生成装置、及び紫外線照射ユニット
JP2023063801A (ja) 2021-10-25 2023-05-10 株式会社ディスコ 加工水再生装置
CN114800018A (zh) * 2022-05-13 2022-07-29 郝飞 具备水位报警功能的数控机床水箱
CN115259493A (zh) * 2022-07-25 2022-11-01 阳光硅谷电子科技有限公司 一种金刚线切片机废水处理装置及其废水处理方法
CN117102407B (zh) * 2023-10-25 2024-01-02 江苏莱赫润轧辊科技有限公司 一种冷硬铸铁活塞杆的加工装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4107528B2 (ja) * 1998-11-30 2008-06-25 株式会社ディスコ 加工水コントロールシステム
JP3678044B2 (ja) * 1999-03-19 2005-08-03 栗田工業株式会社 研磨剤スラリの再利用方法及び装置
JP2002083789A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Kurita Water Ind Ltd 研磨材の回収装置
JP2004066425A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Brother Ind Ltd 工作機械のクーラントろ過装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160098073A (ko) * 2015-02-10 2016-08-18 가부시기가이샤 디스코 절삭 장치

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