KR20090058575A - 광학 요소 및 광학적 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광 빔이 조사되는 광학 시스템의 파면 오차의 적어도 부분적인 공간 분해 보정을 위한 광학 요소(1)에 관한 것으로, 상기 광학 요소는 광 빔에 대해 광학적으로 활성을 띄는 영역 및 상기 광학적 활성 영역 내의 전기 도체 트랙(3)을 포함하고, 상기 전기 도체 트랙(3)은 적어도 부분적으로 광 빔의 입사 방향에 대해 횡방향으로 최대 50마이크로미터의 직경을 갖는다.
광학 요소, 마이크로리소그래피, 파면 수차, 투사 노광장치, 투사 대물렌즈

Description

광학 요소 및 광학적 방법 {OPTICAL ELEMENT AND METHOD}
본 발명은 광 빔이 조사될 수 있고 광 빔에 대해 광학적으로 활성을 띄는 영역 및 이 광학적 활성 영역 내의 전기 도체 트랙(3)을 포함하고, 전기 도체 트랙은 광 빔의 입사 방향에 대해 횡방향으로 적어도 부분적으로 최대 50마이크로미터의 직경을 갖는 광학 시스템의 파면 수차의 적어도 부분적인 공간 분해 보정을 위한 광학 요소(1)에 관한 것이다.
본 발명은 광학 요소 및 상기 광학 요소의 광학적 거동에 영향을 주는 방법에 관한 것이며, 또한 광학 요소를 광학 시스템에, 바람직하게는 마이크로리소그래피용 투사 노광 장치에 사용하는 것에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 본 발명에 따른 광학 요소를 포함하는 반도체 리소그래피용 투사 노광 장치 또는 투사 대물렌즈에 관한 것이다. 본 발명은 또한 본 발명에 따른 이 투사 노광 장치 또는 본 발명에 따른 이 투사 대물렌즈의 작동 방법에 관한 것이다.
현대의 마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈에서는, 광학 수차를 보정하기 위해 다수의 파면 조작기가 사용된다. 상기 조작기의 대부분은 광학 요소의 기계적 조작에 의해 파면 보정을 행한다. 이것은 위치 변경 및/또는 광학 요소의 변형에 의해 발생된다. 상기 조작기는 소위 통상의 설정과 연계하여 그리고 대략 120 웨이퍼/시간의 처리량으로 대물렌즈를 사용할 때 일반적으로 발생하는 저차 파면 수차를 위한 보정 특성을 갖는다.
그러나, 처리량 요건을 지속적으로 증가시키는 것은 대물렌즈에 훨씬 높은 광 강도를 필요로 하고, 따라서 광학 요소에 작용하는 열 부하의 지속적인 증가를 필요로 한다. 상기 열 부하는 렌즈의 경우에는 온도 의존 굴절률 및 표면 변형에 의해, 그리고 거울의 경우에는 주로 거울 기재의 열팽창으로 인한 표면 변형의 결과로서 파면 수차를 야기한다. 또한, 리소그래피의 현상시에는 예를 들어, 특히 동공 근처의 렌즈에 대한 광출력 밀도의 강한 집중을 수반하고, 따라서 그로부터 발생하는 국소적으로 높은 열 부하로 인해 반경방향으로 그리고/또는 방위각상으로 고차의 강하게 집중된 파면 수차를 야기할 수 있는 2중극 설정과 같은 조명 설정의 경향이 있다. 이들은 도입부에 언급된 조작기에 의해서는 제한된 정도로만 보상될 수 있다. 이것은 높은 광출력 밀도로 인해 발생 정도가 증가하는 압축(compaction)과 같은 광유도 수명 효과에 의해 발생되는 파면 수차에도 동일하게 적용된다. 이들 파면 수차도 역시 지금까지 알려진 조작기에 의해서는 효과적으로 보상지 못한다.
최근에는 수명 효과에 의해 발생되는 이들 파면 수차에 대한 효과적인 보상의 한가지 가능한 방법은 특정 보정 비구면이 적용되는 교환식 플레이트를 사용하는 것이다. 이들 보상 플레이트는 대물렌즈의 수명 동안 파면 수차의 변화를 적절히 고려하기 위해 대물렌즈의 수명 내에 반복적으로 교환되어야 한다.
보정 비구면을 가진 보정 플레이트는 수차를 보상할 수 있지만, 동적으로 빠 르게 변하는 수차를 보상하는데는 적합하지 않다. 또한, 보상될 수차가 보상 플레이트의 생성 전에, 구체적으로는 보상 플레이트를 투사 대물렌즈에 편입시키기 전에 알려져야 한다. 보상 플레이트를 편입시키면 그것의 특성에 의해 새로운 파면 수차가 유발되기 때문에, 여기에서는 완벽한 보상이 불가능하다.
해결되어야 할 문제는 파면 수차, 특히 이 경우에는 반경방향 및/또는 방위각 상의 고도 수차를 가능한 한 융통성 있게 보상할 수 있는 파면 조작기를 찾는 것이다. 이 문제에 대한 이상적인 해결책은 특히 반경방향 및/또는 방위각 상의 고도 수차를 보상하는 제어 가능한 2차원 보정 비구면이다.
상술한 바와 같이, 기존의 조작기는 특히 기계식이다. 따라서, 예를 들어 DE 198 24 030 A1은 적응성 거울을 가진 반사굴절 투사 대물렌즈를 설명하며, 거울은 특정 화상 수차가 감소되도록 가동 요소에 의해 변형될 수 있다.
EP 678 768 및 DE 198 59 634 A1은 렌즈 또는 거울이 마찬가지로 화상 수차 보정을 위한 액츄에이터에 의해 변형되는 투사 노광 장치를 개시한다.
광 빔 경로 내의 기계 요소는 음영 및 산란광을 유발하지만, 조작되어야 할 렌즈의 경우에는, 기계적인 개념이 렌즈 에지의 조작에만 제한된다. 렌즈 에지로의 이러한 제한은 가능한 보정 프로파일의 한계, 그리고 구체적으로 복잡한 기구에 의해서도 회피할 수 없는 반경방향 정렬의 고유한 한계를 형성한다.
열 조작기는 기계식 조작기의 대안으로서 알려져 있고, 예를 들어 US 6,198,579 B1에서와 같이 열 조작기는 마찬가지로 렌즈 에지에 배치된다. 그러나, 상술한 문헌에 제안된 열 조작기는 그것의 기계적 대응부와 동일한 한계를 반경방 향 정렬에 나타내고, 또한 렌즈 직경에 걸친 열의 전달율에 의해 주어진 비교적 긴 시간 상수를 포함한다. 따라서, 주로 에지 가동식 열 조작기는 일시적으로 정상상태인 파면 수차를 보상하는데 적합하다. 그러나, 긴 시간 상수로 인해, 그러한 조작기는 매우 한정된 정도로만 전이 파면 수차를 보상하는데 적합하다.
또한, 렌즈의 주연부에 배치된 펠티어 요소를 가진 비회전 대칭 화상 수차를 보정하기 위한 방법이 DE 198 27 602 A1으로부터 공지되어 있으며, 펠티어 요소는 펠티어 요소를 통한 비회전 대칭 복사의 경우에, 그것으로부터 발생하는 화상 수차가 보정될 수 있도록 광학 요소의 온도 거동에 영향을 준다.
렌즈 또는 거울과 같은 광학 요소의 비대칭 온도 부하를 보정하기 위한 장치 및 방법도 마찬가지로 DE 198 59 634 A1으로부터 공지되어 있으며, 여기에서는 광학 요소가 마찬가지로 액츄에이터에 의해 변형된다.
WO 2004/036316호는 거울 및 렌즈와 같은 광학 요소의 화상 수차를 보정하기 위한 방법을 개시하며, 여기에서는 화상 수차가 감소되도록 추가의 발광(irradiation)에 의해 광학 요소의 온도가 변경된다. US 6 081 388은 화상 수차가 영향을 받도록 액츄에이터 또는 규정된 기계적 힘에 의해 렌즈의 표면을 변형시키는 것을 개시한다.
또한, US 6 521 877 B1은 투명 저항층에 의해 국소적으로 광학 요소의 온도에 영향을 주는 것을 개시하고, 대안적인 해결책이 US 6 466 382 B2에 개시되어 있으며, 이것은 유효 광의 풋프린트에 대응하는 구조를 갖는 흡수 특성을 가진 층을 렌즈 위에 적용하는 것을 제안한다.
US 2007/0019305 A1, US 2003/0021040 A1, WO 2006/128613 A1, JP 2004/246343 A1, EP 0678768 A2, US 6198579 B1 및 DE 10 2005 062401 A1은 예를 들어 반도체 리소그래피용 투사 대물렌즈와 같은 광학 시스템의 화상 특성을 개선하기 위한 다른 개념을 보여준다.
본 발명의 목적은 화상 수차와 관련하여 마이크로리소그래피용 투사 노광 장치를 보정하기 위한 대안적인 방법을 제공하는 것이며, 특히 일시적으로 변화 가능한 화상 수차 및/또는 방위각상으로 그리고/또는 반경방향으로 더 고차의 화상 수차와 관련이 있다. 본 발명의 다른 목적은 광학 요소에 입사하는 전자기 빔이 일시적으로 그리고 공간적으로 국한되어 영향을 받는 것을 허용하는 광속 요소 및 방법을 특정하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 가능한 화상 수차와 관련하여 동적으로 보정될 수 있는 반도체 리소그래피용 투사 노광 장치 또는 투사 대물렌즈를 특정하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 공간적으로 그리고 일시적으로 화상 수차의 고해상도 보정을 허용하는 반도체 리소그래피용 투사 노광 장치 또는 투사 대물렌즈를 작동시키는 방법을 특정하는 것이다.
이 목적은 청구범위 제1항 내지 제56항에 특정된 특징을 가진 장치, 청구범위 제57항에 따른 이들 장치의 사용, 청구범위 제58항 내지 제71항에 따른 방법, 청구범위 제72항 내지 제96항에 따른 장치, 청구범위 제97항 및 제98항에 따른 방법, 청구범위 제99항 및 제100항에 따른 사용 및 특정된 특징을 가진 청구범위 제101항에 따른 장치에 의해 달성된다.
상술한 문제에 대한 하나의 해결책은 자유롭게 설정될 수 있는 온도 프로파일을 가진 광학 요소를 구현하는 것이다. 이것은 어떠한 위치에서도 광학 요소에 열을 공급할 수 있는 능력을 필요로 한다. 그러나, 투사 대물렌즈의 광학적 성능으로 이루어진 요건은 빔 경로 내에 위치되는 것이 허용되는 광학 활성 요소와 관련하여 매우 엄격한 제한을 필요로 한다. 수천 개 정도의 최대 허용 균등 구역 범위, 즉 빔 경로의 음영이 동공 근처에 발생한다. 제한은 필드 근처의 요소에서 훨씬 더 엄격하다. 따라서 유체-기계식 열 펌프의 사용은 배제된다.
본 발명에 따른 광학 요소는 하나 이상의 전기 도체 트랙을 가지며, 광학 요소의 광학적 작용은 도체 트랙의 구동에 의해 영향을 받을 수 있다.
따라서 광학 요소의 광학적 두께는 광학 요소의 광학적 굴절률의 온도 의존성에 의해 변할 수 있다. 이 경우에, 위상 변화는
Figure 112009023867953-PCT00001
는 광학 요소 내에서 횡단되는 가열된 거리
Figure 112009023867953-PCT00002
, 광학 굴절률의 온도 감응성 dn/dT, 및 온도 변화
Figure 112009023867953-PCT00003
에 대략 비례한다.
Figure 112009023867953-PCT00004
따라서, 광학 요소의 소정 기하학적 형상에서, 위상 변화는 대략 온도 변화에 비례한다. 따라서, 광학 요소를 통과하는 광학 파면은 광학 요소의 온도 프로파일에 대응하는 파면 변형을 겪는다. 반대로, 변형된 파면은 적절한 역 온도 프로파일에 의해 보정될 수 있다. 일반적으로 1켈빈 미만에서부터 수 켈빈까지의 매우 작은 온도 범위 내에서, 굴절률의 온도 변화는 온도에 따라 일정한 것으로 가정될 수 있다. 석영 유리에서는, 예를 들어 대략 0.002 /1 mK의 감응도가 발생한다. 즉, 20mm의 유리 두께에 대한 1K 온도 스윙으로 400nm의 위상 효과가 발생될 수 있다.
이것은 마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈에서의 고도 파면 수차의 일반적인 증폭을 보정하기에 충분하다.
굴절률 변화에 더하여, 광학 요소의 열 팽창도 또한 광학 요소의 광학 작용의 변화와 관련이 있다. 이 경우에, 이 위상 변화
Figure 112009023867953-PCT00005
는 공간적으로 국한되어 광학 요소의 경계에서의 굴절률 점프
Figure 112009023867953-PCT00006
, 광학 요소의 팽창 감응도 또는 열 팽창 계수(CTE) dZ/dT, 및 온도 변화
Figure 112009023867953-PCT00007
에 대략 비례한다.
Figure 112009023867953-PCT00008
이 경우에, 광학 요소 내의 도체 트랙의 배치에 따라서, 광학 요소의 굴절률의 변화로부터의 효과와 광학 요소의 광학적 활성 구역의 변화로부터의 효과의 비율이 달라진다. 거울의 경우에는 당연히 광학 요소의 광학적 활성 구역의 변화만이 발생한다.
따라서, 도체 트랙이 온도 조절을 위해 사용되는 경우에, 상술한 음영의 문제로 인해, 한편으로는 도체 트랙이 광학 요소의 광학적 작용을 본질적으로 손상하지 않도록, 상기 도체 트랙이 광 빔의 입사 방향에 직각으로 적어도 부분적으로 50㎛ 미만의 단면을 갖는 것이 바람직하다. 다른 한편으로는, 도체 트랙의 충분한 밀도에 의해 광학 요소에서 온도의 공간적으로 자유로운 조정성을 보장하는 것이 유리하다. 동공 직경의 10 내지 15 퍼센트의 파면 수차의 횡방향 해상도를 보장하는 도체 트랙들 사이의 거리가 유리하다.
화상 시스템 내에서 본 발명에 따른 광학 요소의 위치에 따라서, 50㎛보다 작은 도체 트랙의 크기가 또한 유리할 수 있다. 반도체 리소그래피용 투사 대물렌즈의 동공 평면의 영역 내의 위치인 경우에, 특히 대략 1㎛의 크기가 극히 유리하다. 이 추가적인 제한의 조치는 도체 트랙의 비교적 작은 직경으로 인해 광학 요소의 기능의 손상이 상당히 방지되거나 또는 심지어 배제되고, 반도체 트랙의 적절한 공간적 분포의 경우에, 광학 요소의 광학적 활성부의 작은 부분만이 음영에 의해 영향을 받는다는 효과를 갖는다.
인쇄 회로 기판 제품으로부터 극히 미세한 도체를 에칭하는 방법, 리소그래피, 전자 빔 리소그래피를 사용하여, 또는 레이저 미세구조화에 의해, 대략 0.5㎛ 내지 10nm의 최소 범위로 도체 트랙을 생산하는 것이 가능하다.
광학 요소 상의 광학적 작용에 대한 도체 트랙 자체의 부정적인 영향을 방지하기 위해, 도체 트랙의 직경 뿐만 아니라 광학 요소에서 도체 트랙에 의해 유발되는 음영을 제한할 필요가 있다.
반도체 리소그래피용 투사 대물렌즈에 사용되는 광학 요소에 본 발명을 적용하는 경우에, 다음과 같은 평가가 이루어질 수 있다. 예를 들어 5×0.25까지의 버블이 대물렌즈에서의 광학 요소 위치에 따라 허용될 수 있다. 이것은 1.25㎟의 총 면적에 대응한다. ISO 1010-3에 따르면, 이 경우에 밀집이 발생하지 않는 한, 이 면적이 동등한 총 면적의 보다 많은 버블들 간에 분배되는 것이 허용된다. 따라서, 제1 근사치에 대해, 1.25m까지의 길이 및 1㎛의 폭을 가진 도체 트랙을 광학 요소 위로 분포시키는 것이 허용된다. 적절하다면, 예를 들어 특정 회절 차수의 영향 또는 지향성 산란광과 같은 조직적인 효과가 발생하지 않는 것이 도체 트랙의 단면 형태 및 분포 또는 폭의 불규칙성 덕분에 보장될 수 있다.
본 발명은 렌즈 또는 평판의 조사 영역에 적용하는데 특히 적합하지만, 거울의 반사면 위 또는 뒤에서의 사용도 마찬가지로 고려해볼 수 있다. 굴절 부분 및 반사 부분을 포함하는 빔 스플리터에서의 사용도 마찬가지로 고려해볼 수 있다. 열 입력에 의해 유도되는 광학적 작용은, 빛이 통과하는 광학 요소의 제1 영역 및 빛을 반사하는 광학 요소의 제2 영역이 존재하는 모든 경우에, 굴절률에 대한 상술한 효과의 중첩 및 광학 요소의 형태 변화에 대응한다.
바람직하게는 본 발명에 따른 광학 요소의 광학적 활성 광학 구역의 영역에 분포 방식으로 배치되는 하나 이상의 전기 전도성 도체 트랙에 의해, 유리하게는 광학 요소는 전력에 의해 광학적 활성 구역의 근처에서 국소적으로 예를 들어 수 밀리켈빈만큼 가열될 수 있고, 그리하여 광학적 활성 구역이 열 입력으로 인해 그 형태 또는 다른 파라미터와 관련하여 제어 가능한 방식으로 변화될 수 있다. 따라서, 전기 전도성 도체 트랙에 의한 전력 입력에 의해 광학 요소의 광학적 작용을 제어하는 것이 가능하다. 이것은 예를 들어 투사 노광 장치와 같은 광학 화상 시스템에서 고차의 화상 수차를 동적으로 보정하는데 사용될 수 있다. 전달에서 보정 요소의 가능한 사용을 통해, 광학 화상 시스템 내의 임의의 원하는 위치에서, 즉 예를 들어 단순히 굴절성인 광학 화상 시스템에서 특히 국소적으로 변형 가능한 거울이 제공되지 않는 위치에서, 높은 반경방향 및/또는 방위각 차수의 화상 수차를 보정하는 것이 가능하다.
광학 요소에 입사하는 전자기 빔의 파장 범위는 바람직하게는 극자외선 범위(EUV)까지의 광학 범위, 즉 대략 10nm 내지 대략 1㎛의 스펙트럼 범위에 놓인다. 그러나, 본 발명의 광학 요소는 예를 들어 적외선 및 극적외선 범위인 1㎛ 내지 10㎛의 범위의 파장을 초과하는 전자기 빔에 적용될 수도 있다.
바람직하게는 광학 요소에 분포 방식으로 배치된 하나 이상의 전기 전도성 도체 트랙은 광학 요소의 광학적 활성 구역 상에 그리고 광학 요소 내의 광학적 활성 구역 아래에 배치될 수 있다. 본 발명에 따른 광학 요소의 전기 전도성 도체 트랙은 도체 트랙을 전기적으로 구동하기 위한 접속 요소를 더 포함한다.
본 발명에 따른 광학 요소는 이온 빔 피겨링에 의해 형성되는 보정 비구면을 사용할 때와 유사한 공간 해상도를 가진 전자기 빔의 파면의 감시를 허용하지만, 통상적인 과정에서와는 반대로 수 초 내에 극적으로 설정이 변경될 수 있다.
상술한 보정 비구면의 복잡한 형성 및 통합은 미리 계산된 정적 가열 프로파일을 사용하여 대체될 수 있다. 다양한 사전 프로그램식 보정 동작도 마찬가지로 동적으로 "전환"될 수 있고, 이는 특정 응용예에서 해상도를 향상시키는 역할을 할 수 있다. 측정 데이터로부터 미리 계산된 또는 도출된 보정 프로파일은 이 경우에 압축/굴절(즉, 광학 요소의 재료의 국소적 밀도 변화), 광학 요소의 변형된 홀더 또는 광학 요소의 표면 변형으로 인한 화상 수차를 보정할 수 있다. 본 발명에 따른 광학 요소가 사용되는 시스템의 현재 작동 모드에 관한 제어 컴퓨터로부터의 정보와의 상호작용에서, 광학 요소의 가열로 인한 밀도 또는 형태의 국소적 변화도 또한 동적으로 보상될 수 있다. 또한, 파면 센서로부터의 데이터가 요구 가열 프로파일을 도출하는데 직접 사용되는 자동 피드백 루프도 고려해볼 수 있다.
하나의 바람직한 실시예에서, 광학 요소는 적어도 부분적으로 투명하고 그리고/또는 반사성인 능동 광학 구역을 갖는다. 이 경우에, 광학 요소는 빔 스플리터 큐브, 빔 스플리터 플레이트, 평면-평행 플레이트, 쐐기 플레이트 또는 대체로 굴절 광학 요소(ROE)로서 형성될 수 있다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 광학 요소는 예를 들어 수렴 렌즈, 발산 렌즈, 프레넬 렌즈 또는 프레넬 존 플레이트와 같은 렌즈로서 형성된다.
본 발명에 따른 광학 요소는 또한 예를 들어 빔 스플리터 장치와 같은 적어도 부분적으로 반사성인 요소일 수 있다. 그러한 광학 요소의 경우에, 반사성 코팅 구역은 유효 광 빔 경로를 위한 광학 요소의 입력부 측에 또는 출력부 측에 배치될 수 있다. 광학 요소의 가열은 입력부 측의 표면 형태에, 또는 다른 경우에는 출력부 측의 표면 형태 및 광학 요소의 굴절률에도 상응하게 영향을 미친다. 또한, 본 발명에 따른 광학 요소는 예를 들어 반사 또는 전달 격자의 형태와 같은 회절 광학 요소로서 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 광학 요소는 또한 굴절, 반사 및/또는 회절 구조를 포함하는 조합된 요소로서 구현될 수 있다.
본 발명에 따른 광학 요소의 하나 이상의 도체 트랙은 적어도 소정 섹션들에서 50㎛ 미만의 직경 또는 단면 치수를 가질 수 있으며, 직경 또는 단면 치수는 50nm 내지 1㎛이다.
도 100은 본 발명의 기본 원리를 설명하는 도면이다.
도 101은 광학 요소에 대한 열의 영향을 설명하는 도면이다.
도 1은 두 부분으로 구성된 광학 요소를 도시한다.
도 2는 본 발명의 제1 변형예를 도시한다.
도 3은 기판의 마무리 연마된 표면에 도체 트랙이 적용되는 본 발명의 실시예를 도시한다.
도 4는 도체 트랙의 단면 프로파일의 여러 변형예들을 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 높은 열출력 밀도를 가진 영역이 모의 시험되는 본 발명의 실시예를 도시한다.
도 6은 매트릭스 구조인 도체 트랙의 배열을 도시한다.
도 7은 비등거리 도체 트랙을 가진 매트릭스 구조를 도시한다.
도 8은 도체 트랙의 별 모양 배열을 도시한다.
도 9a 및 도 9b는 도체 트랙의 회전 대칭 배열을 도시한다.
도 10은 도체 트랙들이 교차점들에서 저항을 통해 접속되는 본 발명의 변형예를 도시한다.
도 11은 도 10에 도시된 실시예의 수정예이다.
도 12는 도 10에 도시된 실시예의 다른 수정예이다.
도 13은 광학 요소 양쪽에 도체 트랙을 배치하는 하나의 가능예를 도시한다.
도 14는 여러 불규칙 매트릭스 구조들을 도시한다.
도 15는 본 발명의 다른 변형예를 도시한다.
도 16은 광학 요소의 여러 표면 영역들의 공간적으로 고해상인 열 구동의 가능예를 도시한다.
도 17은 급전 와이어, 곡류형 가열 와이어 및 전이 영역의 유리한 실시예를 도시한다.
도 18은 가열 와이어가 국소 결함에 강하도록 가열 와이어를 배치하는 하나의 가능예를 도시한다.
도 19는 도체 트랙의 그룹화의 3차원 기본 도면을 도시한다.
도 20은 전기적 연결을 위한 가요성 도체 필름을 통한 접촉 및 그룹화를 도시한다.
도 21은 모아레 효과를 방지하는 동시에 산란광과 관련하여 바람직한 방향으로부터 이득을 얻기 위해 서로 중첩된 본 발명에 따른 2개의 플레이트 타입 광학 요소의 경우에 있어서의 하나의 가능예를 도시한다.
도 201은 본 발명에 따른 광학 요소를 가진 마이크로리소그래피를 위한 본 발명에 따른 투사 대물렌즈 및 본 발명에 따른 산란광 조리개를 도시한다.
도 202는 본 발명에 따른 광학 요소를 가진 마이크로리소그래피를 위한 본 발명에 따른 제2 투사 대물렌즈 및 본 발명에 따른 산란광 조리개를 도시한다.
도 203은 본 발명에 따른 광학 요소를 가진 마이크로리소그래피를 위한 본 발명에 따른 제3 투사 대물렌즈 및 본 발명에 따른 산란광 조리개를 도시한다.
도 204는 상술한 예시적인 실시예의 광학 요소가 통합되는 반도체 리소그래피용 투사 노광 장치를 도시한다.
도 100은 본 발명의 포괄적인 접근법을 도시한다. 기판을 포함하는 광학 요소(1)에는 전기적으로 구동 가능한 도체 트랙(3)이 구비되고, 도체 트랙(30)은 광학 요소에서 옴 저항을 형성한다. 도체 트랙에 전압이 인가되면, 전류가 흘러 옴 저항을 가열한다. 도체 트랙의 코일링은 가열의 공간적인 국소화를 가능하게 한다.
도 101은 가열이 광학 요소(1)에 미치는 두 가지 효과를 도시한다. 이들 두 가지 효과는 공간적으로 국소적인 성질이기 때문에, 광학 요소(10)의 일부 만이 도 2에 도시되어 있다. 두 가지 효과 중 첫 번째는 광학 요소의 굴절률(
Figure 112009023867953-PCT00009
)에 대한 효과이다. 두 번째 효과는 광학 요소의 팽창 및 관련 형태 변화(
Figure 112009023867953-PCT00010
)에 대한 효과이다.
도 1은, 변형예로서, 제1 기판(1a) 및 제2 기판(1b)을 포함하는 2개의 부분으로 구성된 광학 요소(1)를 도시한다. 이 경우에, 도체 트랙(3)은 2개의 기판들 사이에 배치된다. 제2 기판(1b)은 얇은 시멘트 층(4)에 의해 제1 기판(1a)에 접속되고, 이 경우에 시멘트 층(4)은 또한 제1 기판(1a)의 표면 상의 도체 트랙(3)에 의해 유발되는 높이 차이를 보상하는 역할을 한다. 광학 요소(1)는 특히 렌즈, 거 울, 빔 스플리터 장치 또는 그 밖에 굴절 구조를 가진 그 밖의 광학 요소일 수 있다.
광학 요소는 하나의 기판으로 형성되고 도체 트랙이 이 광학 요소의 표면 영역에 위치되는 것도 가능하다.
도 2는 도체 트랙(3)이 절결부(5)에 배치되는 변형예를 도시한다. 이 경우에, 절결부(5)는 특히 에칭 방법에 의해 형성되었을 수 있다. 이 변형예는 제1 기판(1a)이 시멘트 층을 사용하지 않고 제2 기판(1b)에 접속될 수 있다는 이점을 갖는다. 따라서, 예를 들어, 제2 기판(1b)은 배선에 의해 제1 기판(1a)에 접속될 수 있다.
도 3은 적은 비용으로 구현되는 본 발명의 실시예를 도시한다. 이 경우에, 도체 트랙(3)은 기판(1a)의 연마된 표면 상에 배치된다. 기판(1a) 및 도체 트랙(3)은 광학층(6)으로 덮인다. 광학층(6)은 예를 들어 반사 방지층 또는 그 밖에-거울이 광학 요소(1)로서 사용되는 경우에- 고반사 층일 수 있다. 도 3의 실시예를 형성하기 위해, 광학층(6)은 도체 트랙(3)이 이미 제공된 기판(1a)에 적용되어, 기판(1a)의 광학 표면 및 도체 트랙(3)을 덮는다. 광학층(6)의 생산 공정에 따라서, 광학층(6)은 도체 트랙의 영역에 적용된 후에 융기되어 있을 수 있고, 적용에 이은 연마 단계에 의해 편평해질 수 있다.
도체 트랙(3)의 단면의 구성에 대한 다양한 가능예가 존재하며, 그 중 일부가 도 4a 내지 도 4d에 도시된다. 에칭되거나 또는 증착된 도체 트랙(3)은 도 4a에 도시된 바와 같이 대개 편평하다. 그러나, 광학적으로 활성인 단면을 줄이기 위해, 주어진 저항값에 대해 폭보다 높이가 큰 도체 트랙(3)의 프로파일이 선택될 수도 있으며, 이 경우는 도 4b에 도시된다. 빔 경로가 광학 요소(1)의 관련 위치에서 발산하는 경우에, 도 4c에 도시된 바와 같이 사다리꼴 단면의 도체 트랙(3)이 선택될 수도 있다. 광 빔이 주로 비스듬하게 입사하는 광학 요소(1)의 에지 영역에 대해, 도체 트랙(3)의 프로파일은 도 4d에 도시된 바와 같이 광학 요소(1)의 중심을 향해 기울어지는 방식으로 형성될 수 있다. 또한, 도체 트랙(3)의 프로파일의 에지 또는 코너가 둥글게 구성되거나 또는 불규칙하게 구성되어, 산란이 감소되거나 넓은 각도 범위에 걸쳐 퍼지게 하는 것을 고려해볼 수 있다.
이 경우에, 전기 도체 트랙은 광 빔의 입사 방향에 대해 횡방향으로 적어도 소정 섹션들에서 최대 1마이크로미터 또는 0.5 내지 0.01마이크로미터의 단면을 가질 수 있다. 도체 트랙들의 간격은 0.01밀리미터 내지 1밀리미터이다. 0.05밀리미터 내지 0.5밀리미터의 간격도 또한 가능하거나, 또는 특히 0.1밀리미터의 간격이 가능하다.
도 5a 및 도 5b는 높은 열출력 밀도의 영역이 이미징되는 경우를 도시한다. 여기에서, 도 5a의 경우는 도면의 평면에 직각으로 간주되는 열의 적용(도시되지 않음)과 관련되며, 광학 요소(1)가 마이크로리소그래피용 투사 노광 장치에 사용되는 경우에 2중극에 의해 유발된다. 도 5a에 도시된 경우에 있어서, 도체 트랙(3)은 광 빔이 조사되는 영역에 대해 상보적인 영역에 집중된다. 따라서 총 열 입력의 적어도 부분적인 균등화가 달성된다. 도 5a도 마찬가지로 광학 요소(1)에 배치된 도체 트랙(3)과 접촉하는데 사용되는 접속 와이어(7)를 도시한다. 도 5b는 광 학 요소에 있어서 필드 근처의 위치에 대한 변형예를 도시하며, 필드에 따른 가열 구역의 실시예가 스캐너 슬롯의 형태이다. 이 경우에, 광학 요소(1)는 필드 근처의 투사 대물렌즈의 영역에 배치된다. 광학 요소(1) 내의 도체 트랙(3) 및 접속 와이어(7)는 여기에도 도시되어 있다. 도체 트랙(3)이 가열 와이어로서 사용되는 경우에, 광학 요소(1)의 가열 밀도는 도 5a 및 도 5b에 도시된 도체 트랙의 분기 또는 코일링을 변경함으로써 달라질 수 있다. 이 경우에, 코일링은 도체 트랙(3)의 횡방향 지그재그 코스의 관점에서 횡방향 변화일 수 있고, 또한 코일링이 예를 들어 헬리컬 스프링의 방식으로 3차원적으로 형성되는 것도 고려해볼 수 있다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 본 발명의 다른 변형예는 광 빔의 열 입력 및 도체 트랙의 열 입력의 동일한 방위각 배향을 갖는다. 이 경우에, 도체 트랙이 제공된 광학 요소의 기판은 광학 요소와 반대 부호의 dn/dT를 갖거나, 광 빔에 의해 유발되는 열 입력을 실질적으로 흡수하는 광학 요소를 갖는다. 여기에서 가능한 짝짓기는 석영 유리와 CaF2이거나 또는 그 반대이다.
도 6은 도체 트랙(3)이 매트릭스의 방식으로 배치된 광학 요소(1)의 평면도를 도시한다. 수평 및 수직 도체 트랙은 가열 저항 또는 코일(여기에 도시되지 않음)를 통해 접속된다. 본 발명의 이러한 변형예는, 도체 트랙(3)의 개별 접촉에 의해, 도체 트랙(3)의 교차점에 국한된 가열의 가능성을 갖는다. 도 6에 도시된 도체 트랙의 배치는 개별 제조자에서 발생할 수 있는, 광학 요소를 위해 사용되는 재료의 조성에 있어서의 스트립-타입 변화를 보상하는 것을 가능하게 한다. 모든 교차점들을 개별적으로 구동하는 것이 가능하도록 하기 위해 당연히 도면의 평면을 빠져나오는 방향으로의 도체 트랙의 오프셋이 필요하다. 그러나, 개별 도체 트랙의 커플링은 광 빔에 의해 발생되는 광학 요소의 가열의 공지된 대칭 특성의 경우에도 유리할 수 있다. 개별 도체 트랙에 인가되는 전압은 추가적으로 펄스 방식으로 구동될 수 있다.
도 7은 도체 트랙(3)이 광학 요소(1)를 가로질러 매트릭스 구조로 등거리에 배치되지 않는 경우를, 마찬가지로 평면도로 도시한다. 개별 도체 트랙들은 여기에서도 역시 가열 저항 또는 코일(도시되지 않음)을 통해 접속된다. 본 발명의 이 실시예는 광학 요소(1)가 반도체 리소그래피용 투사 노광 장치에 사용되는 경우에 4중극 조명 설정의 효과를 보상하는데 특히 적합하다. 상술한 2중극 조명의 환경에서 언급된 사항들은 광 빔의 결과인 가열 입력 및 가열 와이어 또는 가열 저항 상호간의 요구되는 상대적인 기하학적 위치에도 동일하게 적용 가능하다.
도체 트랙에서 회절되는 빛과 요구 전력 공급량을 최소화하기 위해, 급전 와이어의 길이를 최소화하는 것이 적절하다. 전체 구역에 걸쳐 보정 요소의 균일한 구동을 위해, 동공 근처의 구역에서 일반적인 거의 둥근 광학적 활용 영역에서 나아가, 반경방향 접근을 고려해볼 수 있다. 이 경우에, 도체 트랙 또는 열 액츄에이터의 배치는 광축을 중심으로 적어도 대략적인 회전 대칭을 가지며, 여기에서 대칭 등급(360°/대칭 등급을 통한 회전은 배치를 원위치시킴)은 2 이상이며, 도 8은 다수의 리플의 보상에 특히 적합한 가능예의 평면도를 도시한다. 개별 도체 트랙들은 가열 저항 또는 코일(여기에 도시되지 않음)을 통해 접속된다. 이 경우에 도 체 트랙(3)들은 광학 요소(1) 내에 방사상으로 별 모양으로 배치되고, 도체 트랙(3)이 회전 대칭 격자로 구현된 변형예가 도 9a에 평면도로 도시되어 있다. 개별 도체 트랙은 가열 저항(여기에 도시되지 않음)를 통해 접속된다. 여기에서도 역시 저항에 의해 서로 접속된 도체 트랙의 모든 교차점들이 개별적으로 구동될 수는 없다는 것이 당연하다.
다른 회전 대칭 변형예가 도 9b에 평면도로 도시되어 있다. 이 실시예에는 더 이상의 가열 저항이 제공되지 않는다. 국소적으로 상이한 열 입력이 도체 트랙의 국소적으로 상이한 밀도에 의해 구현된다. 이것은 광학 요소(1)에 있어서 공간적으로 고해상 온도 제어를 가능하게 한다.
도 10은 앞에서 단순히 평면도로만 도시된 실시예들을 도체 트랙의 교차점에서 상세히 도시한다. 이 경우에, 도체 트랙(3a, 3b)은 그들의 교차점들이 저항(8)를 통해 접속된다. 대체예로서, 다이오드, 제너(Zener) 다이오드 또는 저항, 다이오드 및 제너 다이오드의 조합이 또한 포함될 수 있다. 도시된 도체 트랙(3a, 3b)에 전압 펄스가 동시에 인가되면, 도체 트랙(3a, 3b)들의 교차점에 있는 저항(8)이 선택적으로 가열된다. 바람직하게는, 저항은 교차점에만 한정되지 않고, 곡류형으로 배치된다. 이경우에, 도체 트랙(3a, 3b)을 따른 가열은 저항(8)의 저항에 비해 낮게 유지되는 저항 덕분에 낮게 유지될 수 있다. 도체 트랙(3)들을 등거리 또는 비등거리 방식으로 배치하는 것이 가능하다. 도체 트랙(3a, 3b)들이 개별적으로 접촉된 경우에, 전압 펄스를 도체 트랙(3a, 3b)에 개별적으로 인가하는 것이 가능하다. 이러한 방식으로, 저항(8)에서 그리고 도체 트랙(3a, 3b) 자체를 따라 열출 력을 어느 정도까지 설정하는 것이 가능하다. 이것은 저항(8)에 의해 점 수차를 보정하고 도체 트랙(3a, 3b)을 사용하여 선형으로 연장된 수차를 보정하는 것을 가능하게 한다. 2개의 도체 트랙(3a, 3b)은 도 10에 예시적으로만 도시되어 있다. 상기 광학 요소 전체에 걸쳐 열출력을 효과적으로 분배하기 위해, 다수의 도체 트랙(3)이 광학 요소(1) 상에 배치될 수 있다. 광학 요소에 광 빔을 적용하는데 있어서 180°, 90° 또는 45°와 같은 방위각과 관련한 거울 대칭 또는 중심 대칭 또는 회전 대칭과 같은 대칭의 이유에서 보정의 자유도가 생략될 수 있다면, 개별 도체 트랙들이 또한 서로 단락될 수 있고, 이것은 광학 요소(1)의 생산이 단순화되는 결과를 가져온다.
도 11은 도 10에 도시된 실시예가 도 2의 개념과 조합된 변형예를 도시한다. 이 경우에, 한 세트의 도체 트랙(3a)이 절결부(5)에 매설되는 방식으로 기판(1a)에 배치된다. 다른 세트의 도체 트랙(3b)은 제2 기판(1b)의 표면에 배치된다. 두 세트의 도체 트랙(3) 중 적어도 한 세트의 표면을 에칭하고, 이어서 저항층(9)을 적용함으로써, 또는 스폿 용접함으로써, 도체 트랙(3a, 3b)들의 교차점에 있는 접촉 영역이 도체 트랙(3a, 3b) 자체보다 더 높은 저항을 갖는 것이 보장된다. 도 10에서, 상부 세트의 도체 트랙(3b)도 마찬가지로 도면의 평면에 평행하게 제2 기판(1b)에 매설 방식으로 배치되고, 따라서 두 기판의 접합이 생략될 수 있다. 이것에 대한 대체예는 시멘트 층(도시되지 않음)을 제공하는 것이며, 이 경우에 도체 트랙(3a, 3b)을 각각의 기판(1a, 1b)에 매설하는 것이 생략될 수 있다.
도 12는 도 10에 도시된 방법이 광학 요소(1)의 표면에 채용된 본 발명의 변 형예를 도시한다. 이 경우에, 도체 트랙(3a)은 광학 요소(1) 자체의 표면에 배치되고, 제2 세트의 도체 트랙(3b)이 가로지르는 교차점의 영역에서 저항층(9)으로 덮인다. 장치는 반사 방지층인 광학층(6)으로 덮인다.
하나의 대체예는 더 작은 단면을 가진 추가의 도체 트랙에 의해 도체 트랙(3a, 3b)를 접속하는 것이다. 이를 위해, 도 11 및 도 12에 도시된 방법에는 저항층(9) 대신에 절연성 층이 요구된다는 차이가 적용되어야 한다. 이 경우에, 추가의 도체 트랙은 스폿 용접, 레이저 용접, 스파크 섬락(flashover) 또는 리소그래픽 형성 공정에 의해 국소적으로 천공된 절연층에 의해 형성될 수 있으며, 따라서 교차점에는 한정되어 있으면서도 도체 트랙의 트랙 저항보다 현저히 높은 저항을 가진 도체 트랙(3a, 3b)들 사이의 영역이 형성된다.
도 13은 도체 트랙(3)이 양 측면에 그리고 내측 영역에 배치된 광학 요소(1)를 도시한다. 이 경우에, 도체 트랙(3)은 편형하거나 또는 입사하는 파면에 맞도록 형성될 수 있다. 이것은 예를 들어 가열에 의해 광학 요소(1)의 재료의 밀도와 그리고 그에 따른 굴절률에 3차원적으로 영향을 미치는 것을 가능하게 한다. 이것은 큰 각도로 빔가 통과하는 광학 요소(1)의 경우에도 균등성 또는 전압 수차의 보정을 가능하게 한다.
도 14는 도체 트랙(3)의 광학적 작용이 큰 각도 공간에 걸쳐 분포되도록, 도체 트랙(3)의 매트릭스 구조가 국소적으로 변경 가능한 방식으로 구성되는 방법에 관한 다양한 변형예를 도시한다. 따라서, 예를 들어, 도체 트랙(3)의 밀도는 변화될 수 있거나, 또는 그 밖에 국소 열출력 밀도가 최적으로 요구에 부합하도록 주파 수 및 진폭의 측면에서 도체 트랙(3)의 코일링 정도를 다양하게 변경할 수 있다. 이 경우에, 도체 트랙(3)의 코일링의 형태는 예를 들어 사인 곡선의 형태로 선택되거나 또는 그 밖에 톱니형, 삼각형 또는 기타 함수를 따라 선택될 수 있다. 물론, 도체 트랙(3)의 프로파일을 변경하는 것도 가능하다.
도 15는 저항 또는 저항층 또는 절열성 층이 생략될 수 있는 변형예를 도시한다. 이 경우에, 도체 트랙(3a, 3b)은 교차점 근방에서 단면이 축소되도록 형성된다. 교차점 자체는 도전성으로 구현되고, 이것은 서로 상하로 증착하거나 또는 스폿 용접함으로써 구현될 수 있다. 대체예로서, 원하는 구조물은 금속화 층이 예를 들어 증착에 의해 구역별로 적용됨으로써 형성될 수 있고, 이어서 이 층으로부터 에칭 공정에 의해 구조물이 형성된다. 광학 요소(1)의 전체 영역에서 동일한 두께를 갖는 도체 트랙이 특히 단순한 방식으로 적용될 수 있고, 상기 도체 트랙의 폭만 변화된다. 이 변형예의 단점은 전류 운반 도체 트랙(3a, 3b)의 테이퍼형 부분(17, 18)이 각각 동일한 정도까지 가열된다는 것이다. 전압이 도체 트랙(3a, 3b)에 동시에 인가되지 않고 도체 트랙(3a, 3b) 중 하나의 단부에만 인가되는 방법에 의해 선택성이 달성될 수 있다. 즉, 전압은 제1 펄스에서 점(10)과 점(11) 사이에 인가되고, 제2 펄스에서 점(12)과 점(13) 사이에 인가된다. 전류는 제1 펄스 동안 화살표(15)에 의해 표시된 방향으로 흐르고, 제2 펄스 동안 화살표(16)의 방향으로 흐른다. 이러한 조치의 결과, 시간이 흐름에 따라 평균적으로 테이퍼형 부분(17, 18)에서의 출력의 두 배의 출력이 교차점(19)에서 방출된다.
본 발명의 경우에 있어서 가능성이 있는 한가지 문제점은 개별 도체 트랙들 사이의 혼선(crosstalk)이다. 이 문제는 광학 요소의 평면도에서 보았을 때의 영역 범위가 매우 커질 때와 특히 관련이 있다.
최대 영역 범위, 즉 도체 트랙(3)에 의해 커버되는 광학 요소(1)의 표면의 비율과, 영역 범위의 균등성과, 온도 분포의 균등성과, 상호 혼선, 즉 비구동 가열 구역(101)에서의 원하지 않는 열출력의 방출로 이루어진 매우 엄격한 요건을 만족시키는 개별 구동 가열 구역들(101)의 2차원 어레이를 구현하는 하나의 가능예에 대하여 도 16을 참조하여 이하에서 설명할 것이다.
예를 들어 투사 대물렌즈의 동공 평면에 있는 도체 트랙(3)의 규칙적인 격자 타입 구조의 경우에, 어레이 내에 발생된 산란광 성분은 영역 범위에 비례하는 제1 근사치이다. 1퍼센트보다 현저히 적은 현대의 대물렌즈의 일반적인 산란광 레벨은 수천의 최대 영역 범위만을 허용한다. 또한 영역 범위는 가능한 한 균등하다.
조명 설정 및 이미징될 구조에 따라, 이 동공 평면에서의 광 강도는 상이하게, 그리고 2중극 조명 설정의 경우에는 특히 비교적 큰 정도까지 집중된다. 예를 들어, 모든 회절 차수에 균일하게 영향을 주는 가열 요소의 영역 범위가 선택된다.
따라서, 2중극 스폿의 일반적인 크기에 걸쳐 평균된 영역 범위는 광학적으로 자유로운 영역 전체에 걸쳐, 즉 광학적 유효 빔가 통과하는 전체 영역에 걸쳐 수 퍼센트 내로 균등하여야 한다.
도체 트랙(3)은 도 16에 도시되지 않은 광학 요소(1)의 재료에 국소 열 입력을 유발하기 때문에, 소위 온도 리플(ripple), 즉 국소적 온도 변동이 상기 광학 요소의 표면에 형성된다. 이 경우에, 광학 요소(1)로의 상기 온도 리플의 침투 깊 이는 대략 도체 트랙(3)들의 간격에 대응한다. 광학 파면에 대한 온도 리플의 영향이 작게 유지되도록 하기 위해, 도체 트랙들의 간격은 충분이 조밀하도록 선택되어야 한다. 동일한 이유에서 가능한 한 규칙적인 도체 트랙(3)의 배열이 유리하다.
상술한 문제는 도 16에 도시된 바와 같이 예를 들어 급전 와이어(301)의 섹션 및 가열 와이어(302)의 섹션의 대안적인 배열로서 도체 트랙(3)을 형성함으로써 3×3 가열 구역(101)을 구성하는 가열 어레이(100)를 기초로 하여 본 발명에 따라 해결된다. 이 경우에, 급전 와이어(301)는 비구동 가열 구역(101)으로의 최소의 가능 열 입력이 방해되도록 하기 위해 낮은 임피던스를 갖도록 선택된다. 반대로, 가열 와이어(302)는 할당된 가열 구역(101)에 국소적으로 원하는 열출력를 발생시켜서 도 16에 도시되지 않은 광학 요소(1)에 도입하기 위해, 예를 들어 도 16에 도시된 바와 같은 단면 축소에 의해 높은 임피던스를 갖도록 선택될 수 있다.
도시된 바와 같이 급전 와이어(301) 및 가열 와이어(302)로서 소정 섹션들에 형성된 도체 트랙(3)의 개별적 부분 섹션들은 여기에서 브릿지(303)를 통해 가열 구역(101)에 접촉되며, 브릿지는 접속 패드(304)에 의해 전압원(도시되지 않음)에 접속될 수 있다. 반대쪽에서는, 도체 트랙(3)의 접촉이 모든 도체 트랙(3)을 위해 공동으로 사용될 수 있는 공통의 버스바(busbar)(305)에 의해 실행된다.
예시적인 실시예에서, 가열 와이어(302)의 저항에 비해 급전 와이어(301) 또는 급전 트랙(301)의 저항은 급전 와이어(301)에 의해 방해되는 영역의 원치 않는 가열을 최소화하기 위해 가능한 한 작게 선택된다. 급전 와이어(301)의 영역에서 의 실질적으로 낮은 가열은 도체 트랙(3)의 방향으로 앞뒤로 놓인 가열 구역(101)들로 한정되며, 가열 구역(101) 내에서 균등하다. 따라서, 단순한 분리(decoupling) 변환에 의해 구동측 상의 기생 열출력 성분을 분리하는 것이 가능하다. 즉, 원하는 가열 구역(101)의 구동의 인식으로 인해, 적절한 폐쇄 루프 제어가 앞뒤로 정렬된 동일 가열 구역들의 가열 구역(101)에서의 기생 효과를 보상한다.
이 경우에, 가열 구역(101) 내의 최대 기생 열출력 성분은 원하는 열출력의 10% 내지 20% 이하여야 한다.
기생 열출력 성분은 컬럼 내의 가열 구역(101)의 개수에서 하나를 뺀 것과 존을 따른 급전 저항 및 가열 저항에 비례한다. 10개의 가열 구역(101)의 횡방향 크기 및 요구되는 10%의 혼선을 포함하는 가열 어레이의 경우에, 이것은 요구 저항 비율 R급전[급전 와이어(301)의 저항]d/R가열[가열 와이어(302)의 저항]=1/90을 발생시키고, 15개의 가열 구역(101)의 횡방향 크기를 포함하는 가열 어레이의 경우에, R급전/R가열 = 1/140이 된다. 급전 와이어(301)와 가열 와이어(302)의 저항은 라인 폭, 층 두께, 재료 선택에 의해, 그리고 유효 라인 길이에 의해 설정될 수 있다. 본 발명에 따른 그러한 광학 요소는 100 내지 225개의 가열 구역을 갖는다.
절대 저항 R = U/I의 최대 값은 소정 열출력를 구현하기 위해 요구 전압(U)에 의해 제한된다. 200V 이하의 작동 전압에서, 전자 부품 및 접속 부품으로 구현될 수 있지만, 전기 섬락을 방지하고 전자 부품들의 유전체 강도를 보장하기 위해 더욱 높은 비용을 필요로 한다.
가능한 최소 급전 저항은 최대 허용 와이어 단면에 의해 하향 제한되며, 최대 허용 와이어 단면은 허용 영역 범위에 의해 제한되고 또한 적절한 도전성 재료의 비 저항에 의해 제한된다. 이 경우에, 순순한 원소는 가능한 최저 비(比) 저항을 가지며, 합금의 비 저항은 대체로 순수한 원소의 비 저항보다 높다. 가열 구역(101)의 소정 길이 및 소정 단면 제한의 경우에, 최소 가능 저항은 사용 가능한 도전성 재료의 비 저항에 의해 제한된다. Ag, Cu, Au, Al, Wo, Mo, Sn 또는 Ni와 같은 낮은 비 저항을 가진 금속이 예를 들어 급전 와이어(301)를 위한 재료로서 적합하다.
일반적으로는 최대한 낮은 저항이 추구된다. 가열 와이어(302)의 높은 저항은 급전 와이어(301)의 단면에 비해 감소된 가열 와이어(302)의 단면에 의해 달성될 수 있다. 또한, 가열 와이어(302)의 유효 길이는 가열 와이어(302)의 총 저항을 증가시키기 위해 곡류형 구조에 의해 길어질 수 있다. 가열 와이어 저항은 이론적으로는 유효 길이에 의해 임의대로 증가될 수 있지만, 이것은 영역 범위에 불리하며, 이 때문에 1 내지 50의 길이 인자가 바람직하다.
제2 도체 재료는 그 비 저항이 급전 와이어(301)의 비 저항보다 크고, 추가가적으로는 구역(101)의 가열 와이어(302)가 가열되도록 선택될 수 있다. 예를 들어 Ni, Pt 또는 Cr과 같은 비교적 높은 비 저항을 가진 금속 또는 Si 또는 Ge와 같은 반도체가 예를 들어 가열 와이어(302)를 위한 재료로서 선택될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 사용되는 재료의 비 저항은 요건에 따라 불순물 원소로 도핑함으 로써 최적으로 맞추어질 수 있다. 금속의 경우에, 비 저항은 합금 성분을 도핑 또는 도입함으로써 인위적으로 증가될 수 있고, 반도체의 경우에 비 저항은 도핑 원소의 도입에 의해 인위적으로 감소될 수 있다.
이것은 도체 트랙 중 일부, 구체적으로 급전 와이어 및/또는 가열 와이어를 도핑함으로써 달성될 수 있다.
급전 와이어(301), 곡류형 가열 와이어(302) 및 개별 섹션들 사이의 전이 구역(306)의 실시예가 도 17에 도시되어 있다. 가열 와이어(302)의 내측 코너에서 높은 전류 밀도를 피하기 위해, 가열 와이어(302)의 코스는 적어도 부분적으로 반경에 의해 둥글게 형성된다.
대체예로서, 위상이 또한 제공될 수 있다. 또한, 두 재료의 전이 영역(306)에는 이 영역에서의 전류 밀도를 낮추고 경계층에서 전자기계적 열화의 위험을 제거하기 위해 큰 중첩 영역을 가진 전이 구역이 제공된다. 확대된 중첩 영역은 급전 와이어(301) 및 가열 와이어(302)가 2개의 개별 리소그래픽 공정에서 패터닝된 경우에 지출 요건을 완화시킨다.
가열 와이어(302)의 경우에는, 요건에 따라서, 원하는 레벨의 전기 저항을 설정하기 위해 최소의 가능 층 두께를 가진 매우 얇은 라인이 요망되기 때문에, 수축, 재료의 얇아짐, 층의 결함, 저항 결함, 미립자 및 스티칭 결함으로 인해 결함의 위험이 증가한다. 그러한 국소 결함에 강한 구성이 도 18에 도시되어 있다. 개별 곡류(meander) 대신에, 가열 와이어(302)의 복수의 곡류 섹션들이 평행하게 배열되고 바이패스(307)에 의해 규칙적인 간격으로 횡방향으로 접속된다. 섹션들 중 하나에 국소 결함이 발생하면, 바이패스(307) 및 인접 곡류 섹션을 통해 이 위치 주위로 전류가 지나간다.
광학 요소(1) 당 가열 구역(101)의 개수 및 가열 구역(101) 당 가열 와이어(302)의 개수에 따라, 수백 내지 수천 개의 와이어가 전기적으로 접촉되어야 한다. 도 16에 도시된 바와 같이, 가열 어레이(100)의 일 측면에서는, 모든 급전 와이어를 공통의 버스바(305)에서 결합하는 것이 가능하다. 반대쪽에서는, 동일한 가열 구역(101)에 할당된 모든 도체 트랙(3)이 브릿지(303)에 의해 결합될 수 있다. 이것은 접속 라인의 개수를 능동적으로 구동되는 가열 구역(101)의 개수로 감소시킨다.
하나의 바람직한 실시예에서, 브릿지(303)는 적절한 유전체에 의해 도체 트랙(3)과 동일한 제1 레벨로부터 전기적으로 절연된 도체 구조와 동일한 제2 레벨의 도움으로 구현된다. 접촉 구멍에 의해, 가열 구역(101)과 결합된 모든 급전 와이어(301)가 브릿지(303)에 접속된다. 구동기 전자 장치를 향한 전기적 접속은 제2 레벨 상의 접촉 구역에 의해 또는 제1 레벨 상의 피복되지 않은 접촉 구역에 의해 수행될 수 있으며, 이러한 해결책의 기초적인 설명이 도 19에 도시되어 있다.
대안적인 실시예에서, 브릿지(303)는 와이어들을 접합함으로써 구현되고, 이것에 의해 제2 레벨의 패터닝이 방지될 수 있다.
다른 대안적인 실시예에서, 브릿지(303)는 접속 보드에서 구현될 수 있다. 이 경우에, 접촉점들의 개수는 도체 트랙(3)의 개수에 대응하지만, 인출되는 라인의 개수는 가열 구역(101)의 개수로 감소한다.
상술한 수단에 의한 라인의 감소 후에, 가열 구역 또는 가열 와이어의 개수에 대응하는 인출 라인의 개수는 일반적으로 백 개에서 수천 개이다. 따라서, 목적은 가능한 한 힘이 작용하지 않는 방식으로 다수의 접속 라인을 본 발명에 따른 광학 요소(1)에 전기적으로 연결시키는 것인데, 그 이유는 전기 공급 라인에 의해 도입되는 힘과 모멘트는 광학 요소(1)의 변형, 경사 및 위치 변화를 유발하여 광학 수차를 발생시킬 수 있기 때문이다.
제1 실시예에서, 전기적 접속은 광학 요소(101)로부터 기계적으로 분리된 트랜스퍼 보드에 대한 와이어 본딩에 의해 구현된다. 본딩 와이어는 매우 얇은 것이 선택될 수 있고, 아치형 형상이 기계적 강성도를 최소화하는데 유리하기 때문에, 본딩 브릿지는 최소의 기계적 강성도를 가진 전기 접속부와 그에 따른 최적의 기계적 분리를 구성한다.
대체예로서, 가요성 도체 필름(350)이 또한 도 20에 도시된 바와 같이 전기적 연결을 위해 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 이 경우에는 가열 구역(101)에 할당된 모든 급전 와이어(301)가 가요성 도체 필름 상의 동일한 접촉 트랙(351)에 앞뒤로 정렬되어 배치될 수 있고, 따라서 접촉의 복잡함이 감소된다. 또한, 일렬의 접촉 트랙을 동일한 도체 필름(350) 상에 배열하는 것이 가능하다. 가요성 도체 필름(350)의 구역 강성도를 감소시키기 위해, S자 형태 또는 벨로우즈와 유사한 복수의 파동 형태가 부여될 수 있다. 또한, 가요성 도체 필름(350)은 전단 응력을 방지하기 위해 접속-접속 시리즈를 따라 소정 섹션들에 슬롯이 형성된다. 전단 응력은 가요성 도체 필름(350)의 구역 강성도에 의해 축적됨으로써 광학 요소의 변형 을 초래할 수 있다. 가요성 도체 필름(350)을 본 발명에 따른 광학 요소의 접점에 전기적으로 접촉하기 위한 적절한 방법은 전기 전도성 접착제, 이방성 도전성 접착제 또는 접착제 테이프와, 이방성 도전성 테이프와, 스탬프 솔더링, 노(furnace) 솔더링, 고온 공기 솔더링 또는 레이저 솔더링에 의한 솔더링 접속부와, 와이어 본딩이다.
크리피지(creepage) 전류 및 섬락을 방지하기 위해, 광학 요소 상의 도체 트랙을 SiO2 층 또는 몇몇 다른 광학적으로 투명한 유전체의 층에 매설하는 것이 가능하다. 그러한 층은 패터닝 공정에 의해 유발되는 가능성이 있는 표면 결함 및 거칠어짐을 커버하며, 광학 요소의 요구 표면 정밀도를 달성하기 위해 과연마될 수 있다.
본 발명에서 추가로 발생되는 문제는 도체 트랙의 증가하는 영역 범위에서 도체 트랙에 의해 발생되는 산란광이다. 본 발명의 다음의 실시예는 마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈를 위해 구성된다. 그러나, 이들은 다른 광학 시스템을 위해 고려될 수 있다.
투사 노광 장치의 웨이퍼 평면에서 도체 트랙에 의해 유발되는 산란광 성분은 영역 범위뿐만 아니라 스캐닝 방향에 대한 도체 트랙의 배향에도 의존할 수 있다. 본 발명에 따른 광학 요소의 하류에 있는 필드 위치의 시야 조리개는 도체 트랙에 의해 유발되는 산란광의 상당 부분을 흡수할 수 있고, 따라서 상기 산란광은 노광될 웨이퍼에 입사되지 않는다. 이 경우에, 시야 조리개의 유리한 형태는 대상 필드의 화상에 대응하고, 특히 스캐너 필드의 화상에 대응한다. 스캐너 슬롯은 스캐닝 방향에서 그것에 직교하는 방향보다 현저히 더 좁기 때문에, 와이어들을 스캐닝 방향에 직교하도록 배치하여 산란광이 스캐닝 방향으로 회절되게 하는 것이 가능하고, 이 경우에는 이 방향으로 더 좁은 필드 구멍 덕분에 그에 직교하는 방향보다 현저히 많은 부분이 흡수된다.
본 발명에 따른 광학 요소에 의해 유발되거나 또는 도체 트랙 또는 열 액츄에이터에서의 산란 또는 회절에 의해 유발되는 소위 산란광 또는 동의어로서 미광(stray light)을 감소시킬 수 있는 다른 가능예가 이하에 설명된다.
일반적으로 미광은 회절 위치에서의 전파 방향이 유효 방향, 즉 광학적으로 유효한 복사를 위해 제공되는 방향으로부터 일탈하는 빛이다. 상기 회절이 동공 근처에서 발생하면, 이러한 방향 변화는 화상의 위치 변화로 변환되어, 소위 이중 화상 또는 고스트 화상을 유발한다.
미광은 유효 빔 경로와 만나지 않는 위치를 통과할 때 흡수될 수 있다. 상기 위치는 예를 들어 미광이 동공 근처에서 발생되는 경우에는 중간 화상의 영역에 있을 수 있고, 필드 근처에서 발생된 미광의 경우에는 동공 영역에 있을 수 있다. 본 발명에 따르면, 회절 방식으로 작용하는 보정 수단이 이들 대응 위치에서 미광 조리개과 조합될 수 있다. 본 발명에 따른 광학 요소가 예를 들어 투사 대물렌즈와 같은 광학 시스템의 광 방향으로 제1 중간 화상의 상류에 위치하는 경우에는, 중간 화상 부근의 미광 조리개가 유리할 수 있다.
그러한 미광 조리개를 설계하는 예시적인 방법은 다음의 단계를 포함한다.
1. 광학 보정 요소를 설계하는 단계
2. 그것의 회절 작용을 결정하는 단계
3. 유효 빔 경로 및 시스템을 통한 회절광의 광경로를 계산하는 단계. 이것은 예를 들어 시스템의 광선 기반 시뮬레이션의 환경에서 테스트 구역을 위치설정하고 유효 빔 및 미광이 통과하는 상기 테스트 구역 상의 영역을 계산함으로써 수행될 수 있다.
4. 미광은 통과하지만 유효광은 통과하지 않는 대물렌즈 영역을 결정하는 단계. 이것은 단계 3에서 설명된 테스트 구역의 차등 설정을 형성하는 것에 의해 수행될 수 있다.
5. 이들 대물렌즈 영역이 미광 조리개를 위치설정하는데 적합한지를 시험하는 단계. 만약 적절하다면, 이들 위치에 미광 조리개를 제공한다.
따라서, 미광 조리개를 설계하고 위치설정함으로써, 기본적으로 다음의 조건이 만족되도록 되어 있다.
- 유효 광 경로 내의 빛이 영향을 받지 않고 미광 조리개를 통과한다.
- 도체 트랙 또는 열 액츄에이터에 의한 규칙적인 발광시에 회절되는 빛의 적어도 일부가 미광 조리개에 충돌한다.
상술한 장방형 필드를 가진 시스템에서, 필드는 스캐닝 방향보다 스캐닝 방향에 직교하는 방향으로 더 크다. 이에 상응하게 미광은 필드의 이러한 "짧은" 방향에서 그에 직교하는 방향보다 더 쉽게 흡수될 수 있다. 따라서 스캐닝 방향에 직각으로 배향된 직선 도체 트랙을 통한 산란광은 더 용이하게 흡수되어서 감소될 수 있다.
본 발명의 변형예에서는 본 발명에 따른 광학 요소를 동공 평면에 또는 그 근처에 위치시키는 한편, 미광 조리개는 필드에 더 가깝게 배치되고 적어도 부분적으로 짧은 필드 방향의 방향으로 유효 빔 경로와 나란하게 횡방향으로 장착된다.
빛의 방향으로 본 발명에 따른 광학 요소의 하류에 배치된 하나 이상의 구멍을 사용하는 것도 또한 미광을 억제하기 위한 효과적인 가능예이다.
광학 투사 대물렌즈의 마지막 구역은 미광이 흡수될 수 있는 위치이다.
본 발명에 따른 광학 요소의 다른 대안적인 구현 형태가 이하에서 설명된다.
도전성 트랙 또는 열 액츄에이터를 적용하기 위해서는, 평면-평행 플레이트가 광학 요소로서 적합하다. 이것의 대체예는 도체 트랙 또는 열 액츄에이터를 만곡되고 적절한 경우에 비구면인 구역에 배치하는 것이다. 이 경우에, 만곡 표면은 10,000mm보다 작고, 바람직하게는 5,000mm보다 작은 곡률반경을 가질 수 있다. 이를 위해, 하나의 요소를 다른 만곡 요소에 감고, 이들을 편평하게 처리하고 구성하는 것이 가능하다. 만곡되고 구조화된 표면 형태는 감긴 상태로부터의 해제 후에 구축될 것이다. 도체 트랙 또는 열 액츄에이터를 만곡 구역에 배치하는 이유로는 적당한 부개구(subaperture) 영역에 구조적 공간이 없다는 것 또는 예를 들어 고도의 빔 편향이 관련 영역 및 관련 요소에 발생하여 굴절률의 변화에 대해 특히 민감하게 반응하는 경우에 한정된 출력에서의 원하는 증폭의 굴절률 변화가 없다는 것을 들 수 있다.
또한, 광학 요소는 다른 이유에서 상이한 개별 요소들로 세분될 수 있고, 여 하튼 필요한 이러한 세분덕에 예를 들어 도체 트랙 또는 열 액츄에이터와 같은 보정 수단의 캐리어가 될 수 있다.
자외선 범위에서 고유의 복굴절을 나타내는 불화 칼슘, 불화 바륨, 불화 바륨-리튬, 다른 불화물, LuAG(루테튬 알루미늄 가닛) 또는 스피넬과 같은 결정질 광학 재료를 사용하는 것도 또한 본 발명에 따른 광학 요소를 구현하기 위해 고려해볼 수 있다. 그 결과 시스템에서 발생되는 복굴절을 작게 유지하기 위해, 종합적인 효과가 용인 가능한 한계를 넘지 않도록 이들 요소를 광축을 중심으로 상이한 결정 배향 및 상이한 회전 위치를 가진 부분적인 요소들로 분할하는 것이 이미 제안되었다. 예를 들어, [100], [111] 또는 [110] 방향으로의 결정학적인 주요 축은 시스템의 광축의 방향으로 배향될 수 있고, 대응 보상 계획들은 문헌에서 다양하게 발견된다.
본 발명의 대안적인 변형예에서는, 도체 트랙 또는 열 액츄에이터에 의해 발생되는 불가피한 회절 효과를 필요한 회절 광학 효과로서 사용하는 것도 고려해볼 수 있다. 즉, 광학 요소에 적용되는 도체 구조물이 원하는 광학 작용과 원하는 열적 작용을 모두 갖는다.
본 발명에 따른 광학 요소의 설계 및 적용을 위한 보정 전략:
본 발명에 따른 광학 요소의 설계 및 적용을 위한 보정 전략에 있어서는, 특히 보정 가능성이 제한된다는 것을 고려해야 하는데, 그 이유는 예를 들어 최대 허용 전류가 제한 인자를 의미하기 때문이다. 따라서, 하나의 예에서, 본 발명에 따른 광학 요소를 통상의 조작기(파장, 가스 조성, 가스 압력 및 가스 온도, 광학 요 소의 강체 이동 또는 에지로부터의 굴곡)에 조합하고, 이들 통상적인 조작기에 의해 거리 집약적인 개략적인 튜닝을 수행하는 것이 제공되는 반면, 본 발명에 따른 광학 요소에 의해서는 더 양호한 보정만이 실행된다. 얼마간의 보정 자유도가 원칙적으로는 양 방향으로 발생하는 것이 알려져 있다면, 여전히 한 방향으로만 요구되는 것은, 시스템 내에서(본 발명에 따른 광학 요소 자체에서 또는 동등한 부개구 위치에 있는 몇몇 다른 광학부에서) 예를 들어 비구면화에 의해 원하는 방향으로 바이어스를 발생시키는 것이 가능하며, 그리하여 보통의 경우라면 쓸모없는 보정 방향으로의 조작기 이동에 의해 영 상태(zero state)가 이미 발생된다. 원하는 보정 동작은 이러한 "쓸모없는" 보정 방향으로부터 조작기를 뒤로 이동시키는 것에 의해 달성될 수 있다. 상술한 바이어스를 갖지 않은 과정에 비해 파면 조정을 위해 사용 가능한 이중의 조정 범위가 발생한다.
제품 편차를 보상하기 위해, 본 발명에 따른 광학 요소에 대해 시작시에 캘리브레이션 데이터 기록을 생성하는 것이 적절하다. 이를 위해, 개별 국소 영역들은 규정된 전류 강도에 의해 구동되고, 그 결과 파면에 미치는 영향은 인테로페로메트리컬 방식으로 측정된다. 이 정보에 기초하여, 국소 온도 변화의 고도로 정밀한 광학 작용이 달성되도록, 국소 영역들이 나중에 구동된다.
하나의 예에서, 본 발명에 따른 광학 요소는 교체 가능한 부분으로서 설계될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 보정 수단은 하나의 예에서 투사 노광 장치의 바람직한 사용, 즉 2중극 또는 4중극 조명에 맞추어질 수 있다. 또한, 교체 가능한 부분은 상이한 표면 형태로 인해 상이한 비구면 효과를 가질 수 있고, 예를 들 어 압축으로 인한 투사 대물렌즈의 특정 변화의 보정을 위해 설계될 수 있다.
광학 요소가 평면-평행 플레이트로서 실시되는 경우에, 광학 요소가 광축을 따라 발산형 또는 수렴형 빔 경로 내에서 변위 가능하도록 광학 요소를 설계하는 것이 적절할 수 있다. 광축을 따른 변위의 결과로서, 부개구 비율이 발산형 빔 경로때문에 비구면식으로 변화되고, 따라서 광학 요소는 각각의 경우에 시스템 상태를 위한 최적 영역에서 작동할 수 있다. 그러한 변위는 예를 들어 수명 및 렌즈 가열 효과가 다양한 부개구 범위에서 월등하고, 시스템이 이미 사용된 기간과 활용에 따라 상이한 무게에 의한 교란을 야기할 때 적합할 수 있다. 일반적으로, 광학 요소는 추가적으로 그 위치가 변할 수 있고(분산, 바람직하게는 광축에 평행하거나 직각인 축을 중심으로 한 경사, 회전) 그리고/또는 (도체 트랙 또는 열 액츄에이터의 부하 한계의 환경에서) 특히 비점수차, 세 잎 또는 네 잎 클로버 변형을 견딜 수 있도록 설계될 수 있다. 광학 요소의 회전/경사와 같은 상술한 변위는 물론 광학 요소가 빔 경로의 비발산형 또는 비수렴형 부분에 위치할 때 제공될 수도 있다.
투사 노광 장치가 상이한 작동 모드에서 사용되는 경우(제1 모드는 예를 들어 균일한 렌즈 가열에 의해 작은 파면 수차를 발생시키지만 미광에 민감하게 반응하고, 제2 작동 모드는 큰 가열 효과를 발생시키지만 미광에 대해서는 더 관대함), 본 발명에 따른 광학 요소를 구조화되지 않고 본 발명에 따른 비구동 광학 요소와 동일한 광학 작용을 갖는 광학 요소로 신속히 교환하는 것을 제공하는 것이 적절할 수 있다. 구조화되지 않고, 따라서 미광을 발생시키지 않는 광학 요소는 제1 작동 모드에서 빔 경로에 사용된다. 제2 모드에서는, 본 발명에 따른 광학 요소가 사용 되며, 예를 들어 제2 모드의 비균일 가열에 의해 발생된 파면 수차는 이 요소에 의해 보정된다.
따라서, 본 발명에 따른 광학 요소는 투사 노광 장치의 작동시에 교환될 수 있도록, 구체적으로는 기계적 교환 홀더에 파지되고 단순한 접근성을 위한 사전 대책이 취해지도록 설계되는 것이 유리하다.
본 발명에 따른 광학 요소를 적절히 설계하기 위해서는, 보정될 장애가 가능한 한 정확하게 알려져야 한다. 이 정보는 첫째로 작동시에 투사 노광 장치 상의 파면 수차의 측정으로부터 얻어질 수 있다. 이것의 대안으로서, 시간이 지나도 평균적으로 일정한 발광에서는, 흡수된 빛의 양과 발생된 온도 분포에 외삽법을 행하는 것이 가능하다. 일시적으로 발현되는 화상 수차는 그것으로부터 계산될 수 있고, 보정의 기초로서 사용될 수 있다. 이 경우에, 외삽법은 동시에 빠른 시뮬레이션 계산을 기초로 할 수 있거나, 또는 파면 수차의 측정값에 기반한 사전 캘리브레이션을 기초로 수행될 수 있다. 어떠한 경우에도, 발광이 예를 들어 레티클 바로 뒤에서 변하고 그리고/또는 조명 변화가 발생한다면, 측정은 바람직하게는 비교적 짧은 간격으로 수행되어야 한다. 그러한 경우 이후에, 일시적인 발현이 특히 빠르게 진행될 것이고, 따라서 첫째로 시스템 측정값의 주파수는 발광의 최종 변화 및 시스템 시간 상수(계산 또는 측정에 의해 처음부터 알려짐)와 관련하여 시간 간격에 맞추어질 수 있다. 시스템이 정상 상태에 접근하면("포화 상태로 가면"), 측정은 덜 빈번하게 실행되어야 하고, 투사 노광 장치의 노광된 웨이퍼의 처리량은 상응하게 증가한다.
전체 투사 대물렌즈의 견지에서의 다른 문제는 본 발명에 따른 광학 요소가 배치되어야 할 위치이다. 이 경우에, 투사 대물렌즈의 광 빔의 파면에 대한 본 발명에 따른 광학 요소의 광학적 효과의 관점에서 이해되어야 한다.
광학 시스템 내의 본 발명에 따른 광학 요소의 몇몇 바람직한 위치가 이하에 설명될 것이다. 이 경우에, 소위 근축(paraxial) 부개구 비율이 시스템 내의 위치의 척도의 역할을 한다.
근축 부개구 비율은 다음과 같이 주어진다.
Figure 112009023867953-PCT00011
여기에서, r은 근축 주변 광선 높이를 나타내고, h는 근축 주 광선 높이를 나타내며, 시그넘 함수 부호 x는 x의 부호를 나타내고, sgn 0=1이라고 선언된다. 근축 주변 광선 및 근축 주 광선의 정의는 마이클 제이. 키저(Michael J. Kidger)의 "기초 광학 설계(Fundamental Optical Design)"(SPIE PRESS, Bellingham, Washington, USA)에 설명되어 있으며, 이 저서는 본원에 참고로 포함된다.
근축 부개구 비율은 빔 경로 내의 평면 근방의 필드 또는 동공의 측정값인, 부호를 지닌 변수이다. 부개구 비율은 -1 내지 1의 값, 각각의 필드 평면에 대응하는 0의 근축 부개구 비율 및 -1 내지 +1에서부터 +1 내지 -1까지의 근축 부개구 비율에서의 점프의 불연속성에 대한 정의에 의해 정상화된다. 본 발명에서는, 0의 근축 부개구 비율이 상응하게 필드 평면을 나타내고, 1의 크기의 근축 부개구 비율이 동공 평면을 나타낸다.
따라서, 필드 근처의 평면은 0에 가까운 근축 부개구 비율을 갖고, 동공 근처의 평면은 1에 가까운 근축 부개구 비율값을 갖는다. 근축 부개구 비율의 부호는 기준 평면 앞 또는 뒤의 위치를 표시한다. 예를 들어, 관련 구역의 코마 광선의 관통점의 부호가 정의를 위해 사용될 수 있다.
빔 경로 내의 2개의 평면이 동일한 근축 부개구 비율을 갖는 경우, 이들은 쌍을 이루었다고 말한다. 동공 평면들은 서로 쌍을 이루며, 필드 평면들도 마찬가지이다.
이 경우에, 본 발명에 따른 광학 요소 또는 본 발명에 따른 장치는 예를 들어 본 발명에 따른 제1 요소의 근축 부개구 비율값이 0.8보다 크고, 바람직하게는 0.9보다 큰 시스템 내의 위치에 배치될 수 있다. 추가적으로, 또는 대안적인 실시예에서, 본 발명에 따른 광학 요소 또는 본 발명에 따른 장치는 근축 부개구 비율값이 0.9보다 작고, 바람직하게는 0.8보다 작도록 제공될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 다른 광학 요소 또는 본 발명에 따른 다른 장치는 그 부개구 비율값이 0.8보다 작고, 그 부개구 비율이 제2 요소 또는 제2 장치와 반대의 부호를 갖도록 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 투사 대물렌즈 내의 상이한 위치에 배치된 본 발명에 따른 2개의 광학 요소의 경우에, 각각의 근축 부개구 비율은 적어도 0.15, 바람직하게 0.3만큼 서로 차이가 난다.
전체적으로 본원에 참고로 포함된 WO 2003/075096 A2에도 도시된 도 201의 굴절 투사 대물렌즈(37)는 평면 플레이트로 표시된 광학 요소(211)를 포함한다. 이 평면 플레이트는 교체 가능한 방식으로 설계된다. 본 발명에 따른 광학 요소(211)의 한가지 구성에 있어서, 광학 요소(211)에는 본 발명에 따른 도체 트랙이 구비되고, 광학 요소(211)는 교환식이거나 그리고/또는 비교환식일 수 있다. 상기 평면 플레이트는 0.9 내지 1.0의 부개구 비율에 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 산란광을 방지하기 위해, 본 발명에 따른 투사 대물렌즈(37)에는 빔 경로의 방향으로의 마지막 광학 요소와 웨이퍼(여기에 도시되지 않음) 사이에 산란광 조리개(221)이 제공될 수 있다.
도 202의 반사굴절 투사 대물렌즈(37)는 평면 플레이트로서 설계된 광학 요소(212)를 포함한다. 본 발명에 따른 광학 요소(212)의 한가지 구성에서, 광학 요소(212)에는 본 발명에 따른 도체 트랙이 구비되고, 광학 요소(212)는 교한식이거나 그리고/또는 비교환식일 수 있다. 상기 평면 플레이트는 -0.8 내지 -0.9의 부개구 비율에 대응하는 위치에 배치된다. 따라서, 이 평면 플레이트는 이전의 예시적인 실시예보다 필드에 더 가깝다. 산란광을 방지하기 위해, 본 발명에 따른 투사 대물렌즈(37)에는 투사 대물렌즈(37)의 동공 평면에 산란광 조리개(222)이 제공될 수 있다.
전체적으로 본원에 참고로 포함된 WO 2005/069055 A2에도 도시된 도 203의 반사굴절 투사 대물렌즈(37)는 평면 플레이트로서 설계된 광학 요소(213)를 포함한다. 이들 평면 플레이트는 교체 가능한 방식으로 설계된다. 본 발명에 따른 광학 요소(213)의 한가지 구성에서, 광학 요소(213)에는 본 발명에 따른 도체 트랙이 구비되고, 광학 요소(213)는 교환식이거나 그리고/또는 비교환식일 수 있다. 상기 평면 플레이트는 투사 대물렌즈(37)의 동공 평면에 대응하는 대략 1의 부개구 비율에 대응하는 위치에 배치된다. 산란광을 방지하기 위해, 본 발명에 따른 투사 대물렌즈(37)에는 중간 화상의 부근에 산란광 조리개(223)이 제공될 수 있다. 이 경우에, 산란광 조리개는 중간 화상 평면에 스캐너 슬롯의 화상을 가질 수 있다.
본 발명은 마이크로리소그래피용 반사 투사 대물렌즈에도 마찬가지로 사용될 수 있다.
상기 본 발명의 세가지 예시적인 실시예에서는, 본 발명에 따른 하나의 광학 요소 대신에, 상이한 위치에 복수의 광학 요소를 사용하는 것이 가능하고, 이것은 보정 가능성을 증가시킨다.
본 발명에 따른 두 개 또는 포괄적으로 복수의 광학 요소를 사용하면, 본 발명에서 추가로 발생하는 문제인 모아레 효과가 방지된다. 본 발명에 따른 다음의 실시예들은 마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈를 위해 구성된다 그러나, 이들은 다른 광학 시스템용으로도 고려될 수 있다.
모아레 효과를 방지하는 하나의 가능예는 도체 트랙의 배향과 관련하여 본 발명에 따른 광학 요소를 방위각상으로 서로 엇갈리는 방식으로 배치하는 것이다. 예를 들어, 90°로 엇갈리게 실행하는 것이 가능하다. 이 경우에 투사 노광 장치의 스캐닝 방향에 대해 직각인 도체 트랙의 배향을 완전히 포기할 필요가 없도록-산란광 엔지니어링의 관점에서 유리하며, 이미 설명됨-, 도 21에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 개별 광학 요소의 도체 트랙들 상호간에 약간의-특히 5°미만의 크기- 방위각 엇갈림이 수행된다. 그러한 엇갈림은 본 발명에 따른 복수의 개별 광 학 요소에 대해 수행될 수 있다. 그러나, 이것은 본 발명에 따른 단일 광학 요소에서도 수행될 수 있다.
도 241은 본 발명에 따른 광학 요소가 합체되는 반도체 리소그래피용 투사 노광 장치(31)를 도시한다. 이것은 감광 재료로 코팅된 기판 상에 구조물을 노광하는 역할을 하고, 기판은 일반적으로 대부분 규소로 이루어지고, 예를 들어 컴퓨터 칩과 같은 반도체 부품을 생산하기 위한 웨이퍼(32)로서 지칭된다.
이 경우에, 투사 노광 장치(31)는 기본적으로 조명 장치(33), 구조물이 제공된 마스크를 수용하고 정확히 위치설정하기 위한 장치(34), 웨이퍼(32) 상의 구조물을 결정하기 위한 소위 레티클(35), 상기 웨이퍼(32)를 정밀하게 장착, 이동 및 위치설정하기 위한 장치(36) 및 화상 장치, 즉 홀더(39)에 의해 투사 대물렌즈(37)의 대물렌즈 하우징(40)에 장착되는 복수의 광학 요소(38)를 포함하는 투사 대물렌즈(37)가 제공된다. 이 경우에, 본 발명에 따른 광학 요소(1)는 투사 대물렌즈(37) 또는 그 밖에 조명 장치(33) 내의 임의의 원하는 위치에 배치될 수 있다.
이 경우에, 기초적인 기능상의 원리는 레티클(35)에 도입되는 구조물이 웨이퍼(32) 상에 이미징되는 것이며, 이미징은 일반적으로 축소 방식으로 수행된다.
노광이 실행된 후에, 웨이퍼(32)는 화살표 방향으로 더 이동하고, 그리하여 레티클(35)에 의해 규정된 구조를 각각 갖는 다수의 개별 필드가 동일 웨이퍼(32) 상에 노광된다. 이 경우에, 노광 공정 자체는 웨이퍼와 레티클이 상대적으로 정지 위치에 있는 동안(웨이퍼 스테퍼) 수행될 수 있거나 또는 웨이퍼와 레티클이 상대 이동하는 동안(웨이퍼 스캐너) 수행될 수 있다.
조명 장치(33)는 예를 들어 빛 또는 유사한 전자기 빔과 같이 웨이퍼(32) 상에 레티클(35)의 이미징을 위해 필요한 투사 빔(41)을 제공한다. 이러한 빔의 공급원으로서 레이저 등이 사용될 수 있다. 빔은 투사 빔(41)이 레티클(35) 상에 충돌할 때 편광, 균등한 필드 조명("균등성") 또는 강도 프로파일, 텔레센트리시티(telecentricity), 필드 에지에서의 음영, 대칭 요건에 의한 응용예별 동공 충전(2중극, 4중극, 환형)과 같은 원하는 특성을 갖도록, 조명 장치(33) 내에서 광학 요소에 의해 그 형상이 부여된다.
빔(41)에 의해, 레티클(35)의 화상은 상술한 바와 같이 투사 대물렌즈(37)에 의해 대응하게 축소되는 방식으로 웨이퍼에 발생 및 전달된다. 투사 대물렌즈(37)는 예를 들어 렌즈, 거울, 프리즘, 종결 플레이트 등과 같은 복수의 개별 굴절, 회절 및/또는 반사 광학 요소(38)를 갖는다.

Claims (101)

  1. 광 빔이 조사될 수 있는광학 시스템의 파면 수차의 적어도 부분적인 공간 분해 보정을 위한 광학 요소(1)이며,
    광 빔에 대해 광학적으로 활성을 띄는 영역 및 이 광학적 활성 영역 내의 전기 도체 트랙(3)을 포함하고, 전기 도체 트랙은 적어도 부분적으로 광 빔의 입사 방향에 대해 횡방향으로 최대 50마이크로미터의 직경을 갖는, 광학 요소.
  2. 제1항에 있어서, 전기 도체 트랙은 횡방향으로 30mm보다 작은 공간 분해 보정을 가능하게 하는 국소 가열 구역을 형성하는, 광학 요소.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 파면 수차는 방위각상으로 그리고/또는 반경방향으로 더 고차인 화상 수차를 포함하는 광학 요소.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 구역에 의해 발생할 수 있는 온도 프로파일은 광학 요소에서 광 빔에 의해 발생할 수 있는 온도 프로파일과 반대인, 광학 요소.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 전기 도체 트랙은 광 빔의 입사 방향에 대해 횡방향으로 적어도 부분적으로 최대 1마이크로미터의 단면 또는 0.5마 이크로미터 내지 0.01마이크로미터의 단면을 가지며, 그리고/또는 도체 트랙들의 간격은 0.01밀리미터 내지 1밀리미터, 바람직하게는 0.05밀리미터 내지 0.5밀리미터, 가장 바람직하게는 대략 0.1밀리미터인, 광학 요소.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소는 렌즈, 수렴 렌즈, 발산 렌즈, 프레넬 렌즈, 프레넬 존 플레이트, 평면 플레이트, 쐐기 플레이트, 거울 또는 빔 스플리터인, 광학 요소.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 광 빔의 파장은 0.01 내지 1마이크로미터의 스펙트럼 범위에 있는, 광학 요소.
  8. 제7항에 있어서, 광 빔의 파장은 대략 248나노미터, 193나노미터 또는 13나노미터인, 광학 요소.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 광학적 활성 영역은 도체 트랙의 적어도 일부분을 포함하는 투과부를 갖는, 광학 요소.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙은 구동을 위한 전기 접속 요소를 갖는, 광학 요소.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 파면 수차는 광학 시스템의 다른 광학 요소의 압축(compaction) 및/또는 희박(rarefaction)에 의해 유발될 수 있는 화상 수차를 포함하는, 광학 요소.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙은 광학 요소의 표면의 영역에 위치하는 광학 요소.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소(1)는 제1 기판(1a) 및 제2 기판(1b)으로 구성되고, 도체 트랙(3)은 상기 2개의 기판들 사이에 배치되는, 광학 요소.
  14. 제13항에 있어서, 제1 기판(1a)은 시멘트 층(4)에 의해 제2 기판(1b)에 접속되는, 광학 요소.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 도체 트랙(3)은 절결부(5)에 배치되는, 광학 요소.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙(3)은 반사 방지층 또는 고반사 층인 광학층(6)으로 덮이는, 광학 요소.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙의 단면은 사다리꼴이고, 그리고/또는 도체 트랙의 에지 및/또는 코너는 둥글게 형성되는, 광학 요소.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙의 코일링은 광 빔이 조사될 수 있는 영역에 대해 상보적인 영역에 존재하는, 광학 요소.
  19. 제18항에 있어서, 상기 빔이 조사될 수 있는 영역은 2중극 또는 4중극의 형태를 갖는, 광학 요소.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙의 코일링은 광 빔이 조사될 수 있는 영역에 존재하고, 광학 요소는 광 빔의 파장에서 광 빔이 조사될 수 있는 광학 시스템의 다른 광학 요소와는 부호가 반대인 dn/dT를 갖는, 광학 요소.
  21. 제20항에 있어서, 광학 요소는 불화 칼슘으로 이루어지고, 다른 광학 요소는 석영 유리로 이루어지며, 광 빔의 파장은 대략 193나노미터인, 광학 요소.
  22. 제20항에 있어서, 광학 요소는 석영 유리로 이루어지고, 다른 광학 요소는 불화 칼슘으로 이루어지며, 광 빔의 파장은 대략 193나노미터인, 광학 요소.
  23. 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙(3)은 광학 요소(1)의 평면도에서 광 빔의 전파 방향으로 매트릭스 형태로 배치되는, 광학 요소.
  24. 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙(3)은 광학 요소(1)의 평면도에서 광 빔의 전파 방향으로 방사상 별 형태로 또는 회전 대칭식으로 배치되는, 광학 요소.
  25. 제23항에 있어서, 매트릭스 구조는 등거리형(equidistant)이거나 비등거리형(non-equidistant)인, 광학 요소.
  26. 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙들은 광학 요소(1)의 평면도에서 광 빔의 관찰 방향에서 바라본 교차점에서 저항(8), 다이오드, 제너 다이오드 또는 이들의 조합에 의해 접속되는, 광학 요소.
  27. 제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙은 하나 이상의 저항 층(9)에 의해 서로 분리되는, 광학 요소.
  28. 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙들은 더 작은 단면을 가진 추가 도체 트랙들에 의해 접속되는, 광학 요소.
  29. 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 구역들(101)은 개별적으로 구동 가능한, 광학 요소.
  30. 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 가열 구역(101)을 위한 도체 트랙들은 브릿지(303)를 통해 그리고/또는 공통의 버스바에 의해 공동으로 전기적으로 접촉되는, 광학 요소.
  31. 제1항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 100개 내지 225개의 가열 구역(101)이 존재하는, 광학 요소.
  32. 제1항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙은 대략 200볼트의 작동 전압으로 작동될 수 있는 광학 요소.
  33. 제1항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙은 급전 와이어 및 가열 와이어로 세분되고, 급전 와이어는 가열 와이어보다 낮은 비(比) 저항을 가지며, 그리고/또는 도체 트랙 중 일부, 특히 정확하게는 급전 와이어 및/또는 정확하게는 가열 와이어가 도핑되는, 광학 요소.
  34. 제1항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙은 Ag, Cu, Au, Al, Wo, Mo, Sn 또는 Ni로 이루어진 급전 와이어와, Ni, Pt 또는 Cr, 또는 Si나 Ge와 같은 반도체로 이루어진 가열 와이어로 세분되는, 광학 요소.
  35. 제1항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 와이어의 코스는 적어도 부분적으로 반경에 의해 둥글게 형성되는, 광학 요소.
  36. 제1항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 와이어(302)는 곡류 형태로 분포되는 방식으로 놓이고, 가열 와이어 중 일부는 바이패스(307)에 의해 연결되는, 광학 요소.
  37. 제10항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서, 백 개 이상 또는 천 개 이상의 접속 요소가 존재하고, 접속 요소는 와이어 본딩 또는 가요성 도체 필름(350)에 의해 트랜스퍼 보드에 접속되고, 도체 필름(350)은 도체 트랙에 절첩되고, 그리고/또는 슬로팅되고, 그리고/또는 전기 전도성 접착제에 의해 연결되는, 광학 요소.
  38. 제1항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙은 광학 요소 상의 광학적으로 투명한 유전체, 특히 SiO2에 매설되는, 광학 요소.
  39. 제1항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소는 결정질 재료, 특히 불화 칼슘, 불화 바륨, 불화 바륨-리튬, 리튬 알루미늄 가닛 또는 스피넬로 형성되 는, 광학 요소.
  40. 제39항에 있어서, 광학 요소는 서로 상이한 결정 방향을 가진 2개의 부분 요소를 포함하는, 광학 요소.
  41. 제1항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소는 교체 가능한 부품으로서 설계되는, 광학 요소.
  42. 제1항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 시스템은 마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈인, 광학 요소.
  43. 제42항에 따른 광학 요소(1)를 포함하는 마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈.
  44. 제43항에 있어서, 광학 요소는 투사 대물렌즈의 동공 평면에 위치하는, 투사 대물렌즈.
  45. 제43항 또는 제44항에 있어서, 투사 대물렌즈는 굴절형, 반사형 또는 반사굴절형 렌즈인, 투사 대물렌즈.
  46. 제43항 내지 제45항 중 어느 한 항에 있어서, 투사 대물렌즈의 동공 직경의 10 내지 15퍼센트의 파장의 공간 분해 보정을 보장하는, 투사 대물렌즈.
  47. 제43항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서, 투사 대물렌즈에는 광학 요소의 하류에 배치된, 특히 중간 화상 평면에 객체 필드의 화상의 형태를 갖는 시야 조리개(215)가 구비되고, 그리고/또는 개구 조리개(213)가 구비되고, 그리고/또는 마지막 광학적 활성 구역의 하류에 하나의 조리개(211)가 구비되는, 투사 대물렌즈.
  48. 제43항 내지 제47항 중 어느 한 항에 있어서, 상비된 조작기를 포함하는 투사 대물렌즈.
  49. 제43항 내지 제48항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소는 이동가능하고, 특히 광 빔의 방향으로 변위 가능하며, 그리고/또는 광학 요소는 변형 가능하고, 특히 비점수차 변형이 가능한, 그리고/또는 세 잎 클로버 및/또는 네 잎 클로버 변형이 가능한, 투사 대물렌즈.
  50. 제43항 내지 제49항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소는 투사 대물렌즈 내에서 0.8보다 크거나 또는 0.9보다 큰 부개구 비율값에 상응하는 위치에 배치되는, 투사 대물렌즈.
  51. 제43항 내지 제50항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소는 투사 대물렌즈 내에서 0.9보다 작거나 또는 0.8보다 작은 부개구 비율값에 상응하는 위치에 배치되는, 투사 대물렌즈.
  52. 제50항에 있어서, 제1항 내지 제42항 중 어느 한 항에 따른 제2 광학 요소가 투사 대물렌즈 내에서 0.8보다 작은 부개구 비율값에 상응하는 위치에 배치되고, 광학 요소와 제2 광학 요소의 부개구 비율의 부호가 서로 상이한, 투사 대물렌즈.
  53. 제43항 내지 제52항 중 어느 한 항에 있어서, 제1항 내지 제42항 중 어느 한 항에 따른 복수의 광학 요소가 투사 대물렌즈 내에서 0.15 또는 0.3만큼 차이가 나는 부개구 비율값에 상응하는 위치에 배치되는, 투사 대물렌즈.
  54. 제43항 내지 제53항 중 어느 한 항에 있어서, 투사 대물렌즈는 제1항 내지 제42항 중 어느 한 항에 따른 제2 광학 요소를 포함하고, 광학 요소와 제2 광학 요소는 그들 각각의 도체 트랙들의 배향과 관련하여 쌍을 이루어 방위각상으로 90°만큼 또는 5°미만의 각도만큼 서로 엇갈리는 방식으로 회전되는, 투사 대물렌즈.
  55. 제43항 내지 제54항 중 어느 한 항에 따른 투사 대물렌즈를 포함하는 투사 노광 장치.
  56. 제55항에 있어서, 제어 컴퓨터 및 파면 센서를 포함하는 투사 노광 장치.
  57. 제1항 내지 제42항 중 어느 한 항에 따른 광학 요소(1), 또는 제43항 내지 제54항 중 어느 한 항에 따른 투사 대물렌즈, 또는 제55항 또는 제56항에 따른 투사 노광 장치의 사용.
  58. 광 빔이 조사될 수 있는 광학 시스템의 파면 수차의 적어도 부분적인 공간 분해 보정을 위한 방법이며,
    광 빔에 대해 광학적으로 활성을 띄는 영역 및 이 광학적 활성 영역 내의 전기 도체 트랙(3)을 포함하고, 전기 도체 트랙은 광 빔의 입사 방향에 대해 횡방향으로 적어도 부분적으로 최대 50마이크로미터의 직경을 갖는 광학 요소(1)를 구동하는 단계를 포함하고,
    광학 요소의 구동 단계는 전기 도체 트랙의 전기적 구동에 의해 수행되는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  59. 제58항에 있어서, 전기 도체 트랙은 횡방향으로 30mm보다 작은 공간 분해 보정을 가능하게 하는 국소 가열 구역을 형성하는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  60. 제58항 또는 제59항에 있어서, 파면 수차 및/또는 광 빔은 일시적으로 가변적이고, 광학 요소의 일시적으로 가변적인 구동은 전기 도체 트랙의 일시적으로 가변적인 전기 구동에 의해 수행되는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  61. 제58항 내지 제60항 중 어느 한 항에 있어서, 파면 수차는 반경방향으로 그리고/또는 방위각상으로 더 고차의 화상 수차를 포함하는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  62. 제58항 내지 제61항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙(3)에 전압이 펄스 방식으로 인가되는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  63. 제58항 내지 제62항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 시스템의 추가 광학 요소의 균질성 수차 및/또는 전압 수차가 보정되는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  64. 제58항 내지 제62항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 구역의 기생 열출력은 분리 변환에 의해 구동측에서 분리되는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  65. 제58항 내지 제64항 중 어느 한 항에 있어서, 상비된 조작기에 의해서 조동(coarse) 보정이 수행되는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  66. 제55항 또는 제56항에 따른 투사 노광 장치를 가진 마이크로리소그래피용 투사 노광 장치를 작동하는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  67. 제66항에 있어서, 투사 노광 장치는 제56항에 따른 투사 노광 장치이며, 제어 컴퓨터는 제58항 내지 제65항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하기 위해 전기 도체 트랙를 구동하기 위한 파면 센서로부터의 정보를 사용하는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  68. 제66항 또는 제67항에 있어서, 광학 요소가 교체되며, 특히 광학 요소가 구조화되지 않은 다른 광학 요소로 교체되거나, 또는 구조화되지 않은 다른 광학 요소가 광학 요소로 교체되는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  69. 제66항 내지 제68항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소가 이동되고, 특히 광학 요소가 광 빔의 방향으로 변위되고, 그리고/또는 광학 요소가 변형되고, 특히 광학 요소가 비점수차 방식으로 변형되고, 그리고/또는 세 잎 및/또는 네 잎 클로버 형태로 변형되는, 파면 수차의 공간 분해 보정 방법.
  70. 제66항 내지 제69항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소에서 설정될 온도 분포는 투사 대물렌즈에서의 온도 분포의 측정 및/또는 시뮬레이션 및/또는 외삽에 의해 결정되고 보정의 계산이 수행되는 방법.
  71. 제67항 내지 제70항 중 어느 한 항에 있어서, 구동은 레티클 및/또는 조명 변경 후에 수행되는 방법.
  72. 하나 이상의 광학적 활성 구역을 포함하고, 하나 이상의 전기 도체 트랙(3)이 광학적 활성 구역의 영역에 분포 방식으로 배치되고, 광학적 활성 구역과 광학적 활성 구역에 입사하는 전자기 빔의 상호작용이 도체 트랙(3)의 전기적 구동에 의해 영향을 받을 수 있는 광학 요소(1)에 있어서,
    하나 이상의 도체 트랙(3)은 광 빔의 입사 방향에 대해 직각으로 적어도 부분적으로 50㎛보다 작은 크기를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  73. 제72항에 있어서, 광학 요소(1)는 광학적 활성 구역에 입사하는 빔을 적어도 부분적으로 투과시키고, 그리고/또는 부분적으로 반사하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  74. 제72항 또는 제73항에 있어서, 광학 요소(1)는 렌즈, 거울 또는 빔 스플리터 장치인 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  75. 제72항 내지 제74항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소(1)는 회절 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  76. 제72항 내지 제75항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소(1)는 서로 접속된 2개의 기판(1a, 1b)을 포함하고, 2개의 기판들 사이에 도체 트랙(3)이 배치되고, 하나 이상의 기판(1a)이 광학적 활성 구역을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  77. 제72항 내지 제76항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소(1)는 하나 이상의 절결부(5)를 갖는 하나 이상의 기판(1a)을 포함하고, 도체 트랙은 적어도 부분적으로 절결부(5) 내에 배치되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  78. 제72항 내지 제77항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소(1)는 표면을 가지며, 도체 트랙(3)은 적어도 부분적으로 상기 표면에 적층되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  79. 제72항 내지 제78항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙(3)으로 덮인 표면은 도체 트랙(3)을 적어도 부분적으로 덮는 층(6)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  80. 제79항에 있어서, 층(6)은 반사 층, 고반사(HR) 층 또는 반사 방지(AR) 층인 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  81. 제72항 내지 제80항 중 어느 한 항에 있어서, 종방향에 직각인 도체 트랙(3)의 단면은 대략 장방형, 사다리꼴 또는 장사방형 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  82. 제81항에 있어서, 상기 프로파일은 불규칙하게 구성된 에지를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  83. 제72항 내지 제82항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소는 종방향을 따라 2차원 및/또는 3차원 파동 구조를 갖는 도체 트랙(3)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  84. 제72항 내지 제83항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 2개의 도체 트랙(3)이 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  85. 제72항 내지 제84항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 2개의 도체 트랙(3)은 서로에 대해 0°가 아닌 각도로 배치되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  86. 제72항 내지 제85항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 세트의 도체 트랙(3)이 제2 세트의 도체 트랙(3)에 대해 0°가 아닌 각도로 배치되고, 제1 세트와 제2 세트 의 도체 트랙(3)들은 교차점(19)에서 교차하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  87. 제86항에 있어서, 교차점(19)들은 서로 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  88. 제86항 또는 제87항에 있어서, 적어도 한 세트의 도체 트랙(3)은 등거리 배치된 도체 트랙(3)들을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  89. 제86항 내지 제88항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 한 세트의 도체 트랙(3)은 비등거리 배치의 도체 트랙들(3)을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  90. 제72항 내지 제89항 중 어느 한 항에 있어서, 복수의 도체 트랙(3)이 별 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  91. 제72항 내지 제90항 중 어느 한 항에 있어서, 개별 구동 가능한 2개의 도체 트랙(3)들 사이에서는, 하나 이상의 추가 저항(8)이 각각의 도체 트랙(3)에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  92. 제72항 내지 제91항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소는 서로 접속된 적어 도 2개의 기판(1a, 1b)을 포함하고, 전기 저항(8)을 사이에 두고 배치된 도체 트랙들(3)은 2개의 기판(1a, 1b) 사이에서 적어도 2개의 평면에 배치되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  93. 제72항 내지 제92항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소(1)는 서로 접속된 적어도 2개의 기판(1a, 1b)을 포함하고, 전기 저항(8)에 접속된 도체 트랙들(3)은 적어도 부분적으로 하나 이상의 기판(1a)에 배치되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  94. 제72항 내지 제93항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소(1)는 서로 상하로 배치된 두 영역의 적어도 일부분의 표면에 도체 트랙(3)을 포함하고, 하나 이상의 저항(8)이 두 영역들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  95. 제92항 내지 제94항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙(3)이 배치되는 평면 들 또는 영역들 사이에 적어도 부분적으로 절연층이 배치되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  96. 제72항 내지 제95항 중 어느 한 항에 있어서, 도체 트랙(3)의 전기 저항을 증가시키기 위해, 도체 트랙(3) 단면의 적어도 일부가 수축되는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소(1).
  97. 광학 요소(1)를 국소적으로 가열하기 위해 하나 이상의 도체 트랙(3)을 전기적으로 구동함으로써 제72항 내지 제96항 중 어느 한 항에 따른 광학적 활성 구역의 영역에 배치된 하나 이상의 전기 도체 트랙(3)을 포함하는 광학 요소(1)의 광학적 거동에 영향을 미치는 방법.
  98. 제97항에 있어서, 투사 노광 장치(31)의 이미징 특성을 개선하는 방법.
  99. 광학적 이미징 시스템의 이미징 거동에 영향을 미치기 위한, 제72항 내지 제96항 중 어느 한 항에 따른 광학 요소(1)의 사용.
  100. 반도체 리소그래피용 투사 노광 장치(31)의 광학적 이미징 시스템에서의, 제72항 내지 제96항 중 어느 한 항에 따른 광학 요소(1)의 사용.
  101. 반도체 리소그래피용 투사 노광 장치(31)에 있어서,
    제72항 내지 제96항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 광학 요소(1)를 갖는 것을 특징으로 하는 투사 노광 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170095969A (ko) * 2014-12-17 2017-08-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 파면 측정 장치 및 광학 파면 조작기를 갖는 투영 노광 장치

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006045075A1 (de) 2006-09-21 2008-04-03 Carl Zeiss Smt Ag Steuerbares optisches Element
US20080079928A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Nikon Corporation System and method for designing an optical element
US7525640B2 (en) 2006-11-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2181357A1 (en) 2007-08-24 2010-05-05 Carl Zeiss SMT AG Controllable optical element and method for operating an optical element with thermal actuators and projection exposure apparatus for semiconductor lithography
DE102008016360A1 (de) 2008-03-29 2008-08-07 Carl Zeiss Smt Ag Elektrisches Kontaktelement und Verfahren zur dessen Herstellung
NL1036905A1 (nl) * 2008-06-03 2009-12-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2136231A1 (en) 2008-06-17 2009-12-23 Carl Zeiss SMT AG High aperture catadioptric system
DE102008042356A1 (de) 2008-09-25 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
EP2219077A1 (en) 2009-02-12 2010-08-18 Carl Zeiss SMT AG Projection exposure method, projection exposure system and projection objective
DE102009054869B4 (de) 2009-04-09 2022-02-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel zur Führung eines Strahlungsbündels, Vorrichtungen mit einem derartigen Spiegel sowie Verfahren zur Herstellung mikro- oder nanostrukturierter Bauelemente
WO2011116792A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, exposure apparatus, and waverfront correction method
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
JP5661172B2 (ja) 2010-04-23 2015-01-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィ系の光学要素の操作を含むリソグラフィ系を作動させる方法
DE102010021539B4 (de) * 2010-05-19 2014-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Blenden
DE102010041528A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
DE102011081259A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Spiegeltemperaturmessung und/oder zur thermischen Aktuierung eines Spiegels in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102010061950A1 (de) 2010-11-25 2012-05-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren sowie Anordnung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines Spiegels in einem optischen System
DE102011077784A1 (de) 2011-06-20 2012-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsanordnung
CN103814331B (zh) 2011-09-21 2016-06-29 卡尔蔡司Smt有限责任公司 在微光刻投射曝光设备中热致动反射镜的布置
WO2013044936A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102012216286A1 (de) 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit optimiertem Messsystem
DE102011086513A1 (de) 2011-11-16 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
KR101679136B1 (ko) 2012-02-04 2016-11-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 동작 방법 및 이러한 장치의 투영 오브젝티브
WO2013156041A1 (en) 2012-04-18 2013-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh A microlithographic apparatus and a method of changing an optical wavefront in an objective of such an apparatus
DE102012212758A1 (de) 2012-07-20 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Systemkorrektur aus langen Zeitskalen
DE102012212898A1 (de) 2012-07-24 2014-01-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betreiben derselben, sowie EUV-Projektionsbelichtungsanlage
WO2014117791A1 (en) 2013-02-01 2014-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus and method of operating same
JP6236095B2 (ja) 2013-03-13 2017-11-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ装置
DE102013204427A1 (de) 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur thermischen Aktuierung eines Spiegels, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102013205567A1 (de) 2013-03-28 2014-03-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem variablen Transmissionsfilter
KR102047584B1 (ko) 2013-09-09 2019-11-21 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치 및 이러한 장치의 광학적 파면 변형의 교정 방법
KR101668984B1 (ko) 2013-09-14 2016-10-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 장치의 동작 방법
DE102014103157B3 (de) 2014-03-10 2015-06-18 Jenoptik Optical Systems Gmbh Justierbarer deformierbarer Spiegel zum Ausgleich von Aberrationen eines Strahlenbündels
US9606419B2 (en) 2014-03-21 2017-03-28 Fundació Institut De Ciències Fotòniques Adaptive photothermal lens
US9804424B2 (en) * 2014-03-21 2017-10-31 FundacióInstitut de Ciències Fotòniques Adaptive photothermal lens
DE102014206765A1 (de) * 2014-04-08 2015-10-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung, Projektionsobjektiv und EUV-Lithographieanlage
US10274648B2 (en) * 2014-05-28 2019-04-30 Fundació Institut De Ciències Fotòniques Adaptive thermal micro lens
DE102015201020A1 (de) * 2015-01-22 2016-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit Manipulator sowie Verfahren zum Steuern einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102015220537A1 (de) 2015-10-21 2016-10-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator
KR101830364B1 (ko) * 2016-03-18 2018-02-20 주식회사 레티널 심도 조절 기능을 구비한 증강 현실 구현 장치
DE102017205405A1 (de) 2017-03-30 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102017206256A1 (de) 2017-04-11 2018-10-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Wellenfrontkorrekturelement zur Verwendung in einem optischen System
DE102018203241A1 (de) 2018-03-05 2019-09-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element, sowie Verfahren zur Korrektur der Wellenfrontwirkung eines optischen Elements
DE102018211596A1 (de) * 2018-07-12 2020-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines reflektierenden optischen Elementes einer Projektionsbelichtungsanlage und reflektierendes optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage
DE102018212400A1 (de) 2018-07-25 2020-01-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines optischen Elements in einem optischen System für die Mikrolithographie
DE102018218983A1 (de) 2018-11-07 2018-12-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102020201723A1 (de) * 2020-02-12 2021-08-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einem thermischen Manipulator
DE102020208415A1 (de) * 2020-07-06 2022-01-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches element, optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen elements
CN115867831A (zh) * 2020-07-20 2023-03-28 应用材料公司 用于光学装置的集成导电孔
DE102021210243A1 (de) * 2021-09-16 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für die DUV-Lithographie

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3904274A (en) * 1973-08-27 1975-09-09 Itek Corp Monolithic piezoelectric wavefront phase modulator
US4872743A (en) 1983-04-18 1989-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Varifocal optical element
JPS6036622A (ja) 1983-08-08 1985-02-25 Nippon Kokan Kk <Nkk> 連続焼鈍による冷延鋼板の製造方法
JPS6036622U (ja) * 1983-08-19 1985-03-13 日本電気株式会社 光学レンズ
JPS6079357A (ja) 1983-10-07 1985-05-07 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影露光装置
JPS60163046A (ja) 1984-02-03 1985-08-24 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影露光光学装置及び投影露光方法
US4773748A (en) * 1984-10-09 1988-09-27 Hughes Aircraft Company Dynamically controlled mirror for reduction of projected image distortion
US4848881A (en) 1984-12-03 1989-07-18 Hughes Aircraft Company Variable lens and birefringence compensator
US4784476A (en) * 1987-01-27 1988-11-15 Hughes Aircraft Company Nipi refractive index modulation apparatus and method
US5036317A (en) * 1988-08-22 1991-07-30 Tektronix, Inc. Flat panel apparatus for addressing optical data storage locations
JPH04142727A (ja) 1990-10-03 1992-05-15 Canon Inc 投影露光装置
DE4042259C1 (en) 1990-12-31 1992-06-04 Fibronix Sensoren Gmbh, 2300 Kiel, De IR radiation filter esp. for selective transmission in IR A-range - sandwiches liq. pref. water between plane-parallel plates of good heat conductive material e.g. aluminium@ and cover-sealed
IT1251281B (it) * 1991-07-12 1995-05-08 Alenia Aeritalia & Selenia Componente ottico adattativo a film sottili elettroconduttivi basato sull'effetto joule
EP0532236B1 (en) * 1991-09-07 1997-07-16 Canon Kabushiki Kaisha System for stabilizing the shapes of optical elements, exposure apparatus using this system and method of manufacturing semiconductor devices
US5359444A (en) * 1992-12-24 1994-10-25 Motorola, Inc. Auto-focusing optical apparatus
JP3341269B2 (ja) 1993-12-22 2002-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、半導体の製造方法及び投影光学系の調整方法
US5386427A (en) 1994-02-10 1995-01-31 Massachusetts Institute Of Technology Thermally controlled lenses for lasers
JP3368091B2 (ja) 1994-04-22 2003-01-20 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JPH09232213A (ja) * 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
US5768462A (en) * 1996-03-05 1998-06-16 Kvh Industries, Inc. Grooved optical fiber for use with an electrode and a method for making same
JP2000507415A (ja) 1996-03-26 2000-06-13 マンネスマン・アクチエンゲゼルシャフト 工業用途のための光電式結像システム
EP0851304B1 (en) 1996-12-28 2004-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus and device manufacturing method
DE19824030A1 (de) 1998-05-29 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit adaptivem Spiegel und Projektionsbelichtungsverfahren
DE19827602A1 (de) 1998-06-20 1999-12-23 Zeiss Carl Fa Verfahren zur Korrektur nicht-rotationssymmetrischer Bildfehler
JP3290631B2 (ja) * 1998-10-02 2002-06-10 キヤノン株式会社 光学ユニット、光学ユニットの製造方法、光学ユニットを用いた光学系、光学ユニットを用いた露光装置及びこの露光装置を用いたデバイスの製造方法
DE19859634A1 (de) 1998-12-23 2000-06-29 Zeiss Carl Fa Optisches System, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
JP2001013297A (ja) 1999-06-30 2001-01-19 Nikon Corp 反射光学素子および露光装置
DE19956353C1 (de) * 1999-11-24 2001-08-09 Zeiss Carl Optische Anordnung
TW594711B (en) 1999-12-24 2004-06-21 Koninkl Philips Electronics Nv Optical wavefront modifier
DE19963588C2 (de) 1999-12-29 2002-01-10 Zeiss Carl Optische Anordnung
US6621557B2 (en) 2000-01-13 2003-09-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and exposure methods
JP2001264626A (ja) 2000-03-15 2001-09-26 Canon Inc 回折光学素子を有する光学系
JP3870002B2 (ja) 2000-04-07 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置
US6690500B2 (en) * 2000-06-30 2004-02-10 Pioneer Corporation Aberration correction apparatus and method
EP1243970A1 (en) * 2001-03-22 2002-09-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
DE10046379A1 (de) 2000-09-20 2002-03-28 Zeiss Carl System zur gezielten Deformation von optischen Elementen
DE10127227A1 (de) 2001-05-22 2002-12-05 Zeiss Carl Katadioptrisches Reduktionsobjektiv
KR20040089688A (ko) 2002-03-01 2004-10-21 칼 짜이스 에스엠테 아게 굴절투사렌즈
US6951397B1 (en) 2002-03-19 2005-10-04 Lockheed Martin Corporation Composite ultra-light weight active mirror for space applications
DE10220324A1 (de) 2002-04-29 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür
US6880942B2 (en) 2002-06-20 2005-04-19 Nikon Corporation Adaptive optic with discrete actuators for continuous deformation of a deformable mirror system
US20050099611A1 (en) 2002-06-20 2005-05-12 Nikon Corporation Minimizing thermal distortion effects on EUV mirror
JP2004039862A (ja) 2002-07-03 2004-02-05 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2004036316A1 (en) 2002-10-15 2004-04-29 Carl Zeiss Smt Ag Optical arrangement and method of specifying and performing a deformation of an optical surface of an optical element being part of the optical arrangement
US7019888B1 (en) 2002-10-17 2006-03-28 Aoptix Technologies Deformable mirror with perimeter wiring
JP4496782B2 (ja) 2003-01-21 2010-07-07 株式会社ニコン 反射光学系及び露光装置
US7656572B2 (en) 2003-02-26 2010-02-02 Universitat Bern Method, array, and influencing unit for said array in order to modify a wavefront of an optical beam
JP2005019628A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
US7153615B2 (en) * 2003-08-20 2006-12-26 Intel Corporation Extreme ultraviolet pellicle using a thin film and supportive mesh
EP2006739A3 (en) 2004-01-14 2013-06-26 Carl Zeiss SMT GmbH Catadioptric projection objective
JP2005268015A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Koito Mfg Co Ltd 車輌用灯具及び車輌用灯具の製造方法
JP2007532978A (ja) * 2004-04-13 2007-11-15 ジ・アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・アリゾナ 電気的に活性の液晶眼科用装置のパターン化された電極
US7791440B2 (en) * 2004-06-09 2010-09-07 Agency For Science, Technology And Research Microfabricated system for magnetic field generation and focusing
WO2006025408A1 (ja) 2004-08-31 2006-03-09 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006285182A (ja) * 2004-09-07 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd 可変焦点レンズ、および撮影装置
JP4980922B2 (ja) 2004-11-18 2012-07-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置及びマイクロリソグラフィ投影露光装置の像面湾曲を修正するための方法
US7791826B2 (en) * 2005-01-26 2010-09-07 Carl Zeiss Smt Ag Optical assembly
JP2008542829A (ja) 2005-06-02 2008-11-27 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
EP1746463A2 (de) 2005-07-01 2007-01-24 Carl Zeiss SMT AG Verfahren zum Korrigieren eines lithographischen Projektionsobjektivs und derartiges Projektionsobjektiv
DE102005062401A1 (de) 2005-12-23 2007-06-28 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur Variation der Abbildungseigenschaften eines Spiegels
US7683303B2 (en) * 2006-01-17 2010-03-23 Sri International Nanoscale volumetric imaging device having at least one microscale device for electrically coupling at least one addressable array to a data processing means
DE102006045075A1 (de) 2006-09-21 2008-04-03 Carl Zeiss Smt Ag Steuerbares optisches Element
US7525640B2 (en) * 2006-11-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090015785A1 (en) * 2007-06-08 2009-01-15 Blum Ronald D Adjustable correction for a variety of ambient lighting conditions
EP2181357A1 (en) 2007-08-24 2010-05-05 Carl Zeiss SMT AG Controllable optical element and method for operating an optical element with thermal actuators and projection exposure apparatus for semiconductor lithography

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170095969A (ko) * 2014-12-17 2017-08-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 파면 측정 장치 및 광학 파면 조작기를 갖는 투영 노광 장치

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