JP2010504631A - 光学要素及び方法 - Google Patents

Abstract

光学要素とこの光学要素の光学挙動を統御する方法、マイクロリソグラフィのための投影露光装置における光学要素の使用、本発明による光学要素を収容する半導体リソグラフィのための投影露光装置又は投影対物器械、本発明によるこの投影露光装置又は本発明によるこの投影対物器械を作動させる方法を提供する。本発明は、光学ビームに関して光学活性である領域と、この光学活性領域において光学ビームの入射方向に対して横方向に少なくとも部分的に最大５０マイクロメートルの直径を有する導電体軌道（３）とを含む、光学ビームによって照射される光学システムの波面誤差の少なくとも部分的な局所補正のための光学要素（１）に関する。
【選択図】図１００

Description

本発明は、光学放射に対して光学活性である領域と、この光学活性領域において光学放射の入射方向に対して少なくとも横方向の区画に最大５０マイクロメートルの直径を有する導電体軌道（３）とを含む、光学放射が印加される光学システムの波面収差の少なくとも部分的な空間分解補正のための光学要素（１）に関する。
本発明は、光学要素とこの光学要素の光学挙動を統御する方法とに関し、かつ光学システムに、好ましくは、マイクロリソグラフィのための投影露光装置における光学要素の使用に関する。更に、本発明は、本発明による光学要素を収容する半導体リソグラフィのための投影露光装置又は投影対物器械に関する。更に、本発明は、本発明によるこの投影露光装置又は本発明によるこの投影対物器械を作動させる方法に関する。

マイクロリソグラフィのための最新の投影対物器械では、光学収差を補正するために多くの波面マニピュレータが用いられる。これらのマニピュレータの殆どは、光学要素の機械的な操作によって波面補正をもたらしている。この操作は、光学要素の位置変更及び／又は変形のいずれかによって行われる。上述のマニピュレータは、いわゆる従来の設定と共に、かつ約１２０ウェーハ／時の処理機能で対物器械を用いる時に典型的に発生するような低次の波面収差に対する補正特性を有する。

しかし、絶え間なく増大する処理機能要件は、対物器械において益々高い光強度を必要とし、従って、光学要素に対して作用する熱負荷が絶え間なく増大する。この熱負荷は、レンズの場合は、温度に依存する屈折率及び表面変形により、ミラーの場合は、主にミラー基板の熱膨張に起因する表面変形の結果として波面収差を引き起こす。これに加えて、リソグラフィの開発においては、例えば、双極設定のような照明環境に向う傾向があり、これらの照明環境は、特に瞳の近くのレンズ上での屈折力密度の強い集中を伴い、従って、それによって生じる局所的に高い熱負荷に起因して、半径方向及び／又は方位角方向の高次で強く局所化された波面収差を同様に引き起こす場合がある。これらの波面収差は、冒頭で示したマニピュレータを用いては、ある限られた程度までしか補償することができない。高い屈折力密度に起因して高度に発生する圧密化のような光によって誘起される寿命効果によって引き起こされる波面収差にも同じことが当て嵌まる。これらの波面収差も、既存の公知のマニピュレータを用いては効率的に補償することができない。

寿命効果によって引き起こされるこれらの波面収差を効率的に補償する１つの可能性は、現時点では、特定の補正非球面が付加された交換可能なプレートの使用である。これらの補償プレートは、対物器械の寿命中の波面収差の変化を適切に考慮に入れるために対物器械の寿命内で繰返し交換する必要がある。
補正非球面を有する補償プレートは、収差を補償することができるが、動的に急激に変化する可能性がある収差を補償するにはむしろ不適切である。更に、補償すべき収差は、補償プレートの作成の前、従って、特に投影対物器械内へのこの補償プレートの組込みの前に既知でなくてはならない。補償プレートの組込みによって新しい波面収差が更に誘起されるので、ここでは完璧な補償は本質的に不可能である。
解決すべき明確化された問題は、波面収差、この場合は特に半径方向及び／又は方位角方向の高次の収差を可能な限り柔軟に補償することができる波面マニピュレータを見出すことにある。この問題に対する理想的な解決法は、特に半径方向及び／又は方位角方向の高次の収差を補償する制御可能な２次元補正非球面にある。

上述のように、上述の意味で既存のマニピュレータは、特に機械式のものである。すなわち、一例として、ＤＥ１９８２４０３０Ａ１は、特定の像収差が低減するように、駆動要素を用いて変形することができる適応ミラーを有する反射屈折投影対物器械を説明している。
ＥＰ６７８７８６及びＤＥ１９８５９６３４Ａ１は、レンズ又はミラーが、像収差補正に向けてアクチュエータを用いて同様に変形される投影露光装置を開示している。
しかし、レンズが操作される場合には、光学ビーム経路内の機械要素は陰影及び散乱光を引き起こすので、機械概念は、レンズ縁部の操作に限定される。レンズ縁部へのこの制約は、可能な補正プロフィール、及び特に複雑な機構によっても回避することができない半径方向の次数の本来的な制限を構成する。

熱マニピュレータは、機械マニピュレータの代替物として公知であり、例えば、米国特許明細書ＵＳ６、１９８、５７９Ｂ１におけるような熱マニピュレータが同様にレンズ縁部に配列される。しかし、この文献で提案されている熱マニピュレータは、その機械版と同じく半径方向の次数に同じ制限をもたらし、更に、レンズ直径にわたる熱の伝播速度によって与えられる比較的長い時定数が内在する。従って、縁部で作動される熱マニピュレータは、主に一時的に定常状態にある波面収差を補償するのに適している。しかし、長い時定数に起因して、そのようなマニピュレータは、一過性の波面収差を非常に限られた程度に補償するのにしか適さない。

更に、レンズの周辺に配列されたペルチェ素子を用いて非回転対称像収差を補正するために方法が、ＤＥ１９８２７６０２Ａ１から公知であり、ペルチェ素子は、非回転対称放射線がこの要素を通る場合に、それによって生じる結像収差を補正することができるように光学要素の温度挙動を統御する。
レンズ又はミラーのような光学要素の非対称温度負荷を補正するためのデバイス及び方法が、同様にＤＥ１９８５９６３４Ａ１から公知であり、ここでも光学要素は、同様にアクチュエータを用いて変形される。

ＷＯ２００４／０３６３１６は、ミラー及びレンズのような光学要素の結像収差を補正する方法を開示しており、ここでは、結像収差が低減するように、付加的な照射によって光学要素の温度が変更される。ＵＳ６０８１３８８は、結像収差が統御されるように、アクチュエータ又は所定の機械力によってレンズ表面を変形することを開示している。
更に、ＵＳ６５２１８７７Ｂ１は、透過抵抗層を用いて光学要素の温度を局所的に統御することを開示しており、ＵＳ６４６６３８２Ｂ２には、有利な光の受光域に対して補完的な構造を有する吸収特性を有する層をレンズ上に付加することを提案する別の解決法が開示されている。

文献ＵＳ２００７／００１９３０５Ａ１、ＵＳ２００３／００２１０４０Ａ１、ＷＯ２００６／１２８６１３Ａ１、ＪＰ２００４／２４６３４３Ａ１、ＥＰ０６７８７６８Ａ２、ＵＳ６１９８５７９Ｂ１、及びＤＥ１０２００５０６２４０１Ａ１は、例えば、半導体リソグラフィのための投影対物器械のような光学システムの結像特性を改善するための更に別の概念を示している。

ＤＥ１９８２４０３０Ａ１ ＥＰ６７８７８６ ＤＥ１９８５９６３４Ａ１ ＵＳ６、１９８、５７９Ｂ１ ＤＥ１９８２７６０２Ａ１ ＷＯ２００４／０３６３１６ ＵＳ６０８１３８８ ＵＳ６５２１８７７Ｂ１ ＵＳ６４６６３８２Ｂ２ ＵＳ２００７／００１９３０５Ａ１ ＵＳ２００３／００２１０４０Ａ１ ＷＯ２００６／１２８６１３Ａ１ ＪＰ２００４／２４６３４３Ａ１ ＥＰ０６７８７６８Ａ２ ＵＳ６１９８５７９Ｂ１ ＤＥ１０２００５０６２４０１Ａ１ ＷＯ２００３／０７５０９６Ａ２ ＷＯ２００５／０６９０５５Ａ２

Ｍｉｃｈａｅｌ Ｊ．Ｋｉｄｇｅｒ著「基礎光学設計」、「ＳＰＩＥ ＰＲＥＳＳ」、Ｂｅｌｌｉｎｇｈａｍ、Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎ、ＵＳＡ

本発明の目的は、特に時間的に変化する可能性がある結像収差及び／又は方位角方向及び／又は半径方向の高次の結像収差が関連するとみられるマイクロリソグラフィのための投影露光装置をその結像収差に関して補正するための代替的方法を提供することである。本発明の更に別の目的は、光学要素上に入射する電磁放射線を時間的かつ空間的に局所的に統御することを可能にする光学要素及び同じく方法を特定することである。更に、可能な結像収差に関して動的に補正することができる半導体リソグラフィのための投影露光装置又は投影対物器械を特定することが本発明の目的である。更に、結像収差の空間的かつ時間的高分解補正を可能にする半導体リソグラフィのための投影露光装置又は投影対物器械を作動させる方法を特定することが本発明の目的である。

これらの目的は、請求項１から請求項５６に特定する特徴を有するデバイス、請求項５７に記載のこれらのデバイスの使用、請求項７２から請求項９６に記載のデバイス、請求項９７及び請求項９８に記載の方法、請求項９９及び請求項１００に記載の使用、並びに上述の特定する特徴を有する請求項１０１によるデバイスによって達成される。下位請求項は、本発明の有利な変形及び発展に関する。
ここで、上述の明確化された問題に対する１つの解決法は、自由に設定することができる温度プロフィールを有する光学要素を達成することにある。これは、あらゆる場所において光学要素に熱を供給することができる機能を必要とする。しかし、投影対物器械の光学性能から成る要件は、ビーム経路内に位置決めすることが許される光学活性要素に対して非常に厳しい制約を必要とする。マグニチュードの次数に関して数千分の１という最大許容均一エリアカバレージ、すなわち、ビーム経路の遮蔽が、瞳の近くの要素において生じる。この制約は、視野の近くでは、更に一層厳しい。従って、流体機械熱ポンプの使用は除外される。

本発明による光学要素は、少なくとも１つの導電体軌道を有し、光学要素の光学作用をこの導電体軌道の駆動によって統御することができる。
従って、光学要素の光学厚みを光学要素の光学屈折率の温度依存性を用いて変更することができる。この場合には、位相変化Δφは、光学要素内を横断する加熱距離ΔＺ、光学屈折率の温度感度ｄｎ／ｄＴ、及び温度変化ΔＴにほぼ比例する。
Δφ＝ΔＺ（ｄｎ／ｄＴ）ΔＴ
すなわち、所定の光学要素幾何学形状において、位相変化は、温度変化にほぼ比例する。従って、光学要素を通過する光学波面は、光学要素の温度プロフィールに応じて波面変形を受ける。逆に、変形を受けた波面は、適切な逆の温度プロフィールによって補正することができる。一般的に１ケルビン未満から数ケルビンまでの非常に小さい温度範囲内では、これらの温度にわたって屈折率の温度変化を一定であると仮定することができる。石英ガラスでは、例えば、約０．００２／１ｍＫの感度が生じ、すなわち、２０ｍｍのガラス厚において、１Ｋの温度変動で４００ｎｍの位相効果を発生させることができる。
この位相効果は、マイクロリソグラフィのための投影対物器械における典型的な振幅の高次の波面収差の補正には十分である。

屈折率変化に加えて、光学要素の熱に依存する膨張も同様に光学要素の光学作用変化に関連する。この場合には、これによる位相変化Δφ’は、光学要素の境界における屈折率のジャンプΔｎ、光学要素の膨張感度又は熱膨張係数（ＣＴＥ）ｄＺ／ｄＴ、及び温度変化ΔＴに空間的に局所的にほぼ比例する。
Δφ≒Δｎ（ｄＺ／ｄＴ）ΔＴ
この場合、光学要素における導電体軌道の配列に依存して、光学要素の屈折率変化からの効果と光学要素の光学活性面積の形態変化との割合は変化する。ミラーの場合には、当然ながら光学要素の光学活性面積変化のみが効果を有する。

従って、温度調節に向けて導電体軌道が用いられる場合には、一方では、導電体軌道が光学要素の光学作用を本質的に劣化させないように、導電体軌道が少なくとも光学放射の入射方向に対して直角の区画において５０μｍよりも小さい断面を有する場合に、既に概説した遮蔽問題という理由から有利である。他方では、導電体軌道の十分な密度によって光学要素内の温度の空間的に自由な調節機能を保証することは有利である。瞳直径の１０〜１５パーセントの波面収差の横方向分解能を保証する導電体軌道間の距離は有利である。

本発明による光学要素が用いられる結像システム内での光学要素の位置に依存して、５０μｍよりも小さい導電体軌道範囲も有利なものとすることができる。半導体リソグラフィのための投影対物器械の瞳平面領域内の位置の場合には、特に約１μｍの範囲は極めて有利である。この更に制約的な基準値は、導電体軌道の比較的小さい直径に起因して、光学要素の機能の劣化が殆ど回避され又は更には除外され、導電体軌道の適切な空間分散の場合には、光学要素の光学活性比率のうちの小さい割合しか遮蔽による影響を受けないという効果を有する。

プリント回路基板製作、リソグラフィ、電子ビームリソグラフィからの超微細導電体エッチング法を用いるか、又はレーザによる微細構造体形成を用いると、最小範囲が約０．５μｍから１０ｎｍまでの小さい導電体軌道を製造することができる。
光学要素の光学作用に対する導電体軌道自体の悪影響を回避するためには、導電体軌道の直径だけでなく、光学要素内の導電体軌道によって全体として引き起こされる遮蔽を制限することが必要である。

半導体リソグラフィのための投影対物器械に用いられる光学要素への本発明の適用の場合には、以下の推定を行うことができる。すなわち、対物器械内の光学要素の位置に依存して、例えば、５×０．２５までの気泡度を満足できる。この気泡度は、１．２５ｍｍ²の合計面積に対応する。「ＩＳＯ １０１０−３」によると、この場合には、クラスター化が発生しない限り、この面積を等しい合計面積のより多くの気泡の間で分散させることができる。従って、第１の近似では、１．２５ｍまでの長さ及び１μｍの幅を有する導電体軌道を光学要素にわたって分散させることを満足できることになる。適切な場合には、導電体軌道の分布又は幅及び断面形態における不規則性により、例えば、特定の回折次数又は方向性散乱光の統御のような系統的な効果が発生しないことを保証することができる。

本発明は、特にレンズ又は平面プレートの放射線を透過させる領域内での用途に適するが、ミラーの反射面上又はそうでなければその背後における使用も同様に想定することができる。屈折部分及び反射部分を含むビームスプリッタにおける使用も同様に想定することができる。熱入力によって誘発される光学作用は、光学要素の光が通過する第１の領域及び光学要素の光を反射する第２の領域の発生を有する全ての場合に、光学要素の屈折率及び形態変化に対する上述の効果の重ね合わせに対応する。

本発明による光学要素の光学活性光学区域の領域内に好ましくは分散方式で配列された少なくとも１つの導電性導体軌道を用いて、光学要素を電力によって光学活性区域の近くで局所的に例えば数ミリケルビンだけ加熱することができ、この熱入力により、光学活性区域をその形態又は他のパラメータに関して制御可能な方式で変更することができる。従って、導電性導体軌道による電力入力により、光学要素の光学作用を制御することができる。これは、例えば、投影露光装置のような光学結像システムにおける高次の結像収差を動的に補正するのに用いることができる。透過における補正要素の使用可能性により、光学結像システム内のあらゆる望ましい位置において、すなわち、特に局所的に変形可能なミラーが設けられない位置においても、従って、例えば、純屈折光学結像システム内でも半径方向及び／又は方位角方向の高次の結像収差を補正することができる。

光学要素上に入射する電磁放射線の波長範囲は、極紫外範囲（ＥＵＶ）までの光学範囲、すなわち、約１０ｎｍ〜約１μｍのスペクトル範囲にある。しかし、本発明の光学要素は、１μｍの波長範囲を超える例えば１０μｍまでの赤外線及び遠赤外線範囲におけるような電磁放射線に適用することができる。
光学要素内に好ましくは分散方式で配列されたこの少なくとも１つの導電性導体軌道は、光学要素の光学活性区域上及び光学要素内の光学活性区域の下の両方に配列することができる。更に、本発明による光学要素の導電性導体軌道は、導電体軌道を電気的に駆動するための接続要素を含む。
本発明による光学要素は、イオンビーム加工によって製造される補正非球面を用いた時のものと同様の空間分解能で電磁放射線の波面の管理を可能にするが、従来の手法とは対照的に、設定を数秒内で動的に変更することができる。

上記に示した補正非球面の複雑な製作及び統合は、過去に計算した静的加熱プロフィールの使用によって置換することができる。同様に、予めプログラムされた様々な補正作用を動的に「切り換える」ことができ、これは、特定の用途において分解能を改善する役割を達成することができる。この場合には、測定データから事前に計算された又は導出された補正プロフィールは、圧密化／希薄化（すなわち、光学要素材料の局所密度変化）、歪んだ光学要素ホルダ、光学要素の表面変形に起因する結像収差を補正することができる。制御コンピュータからの本発明による光学要素が用いられるシステムの現在の作動モードに関する情報との対話において、光学要素の加熱に起因する密度及び形態の局所変化を動的に補償することができる。更に、必要な加熱プロフィールを導出するのに波面センサからのデータが直接用いられる自動フィードバックループを想定することができる。

１つの好ましい実施形態では、光学要素は、少なくとも部分的に透過的及び／又は反射的な活性光学区域を有する。この場合には、光学要素は、立方形ビームスプリッタ、プレート形ビームスプリッタ、平行平面プレート、楔プレート、又は一般的に屈折光学要素（ＲＯＥ）として形成することができる。好ましくは、本発明による光学要素は、レンズ、例えば、収束レンズ、発散レンズ、フレネルレンズ、又はフレネルゾーンプレートとして形成される。

また、本発明による光学要素は、少なくとも部分的に反射的な要素、例えば、ビームスプリッタデバイスとすることができる。そのような光学要素の場合には、反射被覆区域を光学要素の有利なビーム光路に対する入力側又はその出力側に配列することができる。光学要素の加熱は、入力側の表面形態、又は他の場合には出力側の表面形態に相応に影響を及ぼし、更に光学要素の屈折率にも影響を及ぼす。更に、本発明による光学要素は、例えば、反射又は透過格子の形態にあるような回折光学要素として達成することができる。更に、本発明による光学要素は、屈折、反射、及び／又は回折構造を含む組合せ要素として達成することができる。
本発明による光学要素のこの少なくとも１つの導電体軌道は、少なくとも各区画において５０μｍよりも小さい直径又は断面寸法を有することができ、好ましくは、直径又は断面寸法は、５０ｎｍと１μｍの間にある。

本発明の基礎的な原理の図である。 光学要素に対する熱入力の統御の図である。 ２つの部分で構成された光学要素を示す図である。 本発明の第１の変形を示す図である。 導電体軌道が基板の仕上げ研磨済み表面に付加された本発明の実施形態を示す図である。 導電体軌道の断面プロフィールの異なる変形を示す図である。 導電体軌道の断面プロフィールの異なる変形を示す図である。 導電体軌道の断面プロフィールの異なる変形を示す図である。 導電体軌道の断面プロフィールの異なる変形を示す図である。 高い加熱電力密度を有する領域が模擬される本発明の実施形態の図である。 高い加熱電力密度を有する領域が模擬される本発明の実施形態の図である。 マトリックス構造にある導電体軌道の配列を示す図である。 不等距離導電体軌道を有するマトリックス構造を示す図である。 導電体軌道の星形配列を示す図である。 導電体軌道の回転対称配列を示す図である。 導電体軌道の回転対称配列を示す図である。 導電体軌道がそれらの交差点において抵抗器を通じて接続される本発明の変形を示す図である。 図１０に例示する実施形態の修正を示す図である。 図１０に例示する実施形態の更に別の修正を示す図である。 光学要素の両側に導電体軌道を配列する１つの可能性を示す図である。 様々な不規則マトリックス構造を示す図である。 本発明の更に別の変形を示す図である。 光学要素の異なる表面領域の高空間分解熱駆動の可能性を示す図である。 給電ワイヤ、蛇行加熱ワイヤ、及び移行領域の有利な実施形態を示す図である。 加熱ワイヤが局所不良に対して強固になるように加熱ワイヤを配列する１つの可能性を示す図である。 導電体軌道のグループ化の３次元の基本的図である。 電気的な連結のための可撓性導体膜を通じた接点接続及びグループ化を示す図である。 互いに重畳する本発明による２つのプレート型光学要素の場合にモアレ効果を回避し、同時に散乱光に関する好ましい方向から利点を得る１つの可能性を示す図である。 本発明による光学要素及び本発明による散乱光絞りを有するマイクロリソグラフィのための本発明による投影対物器械を示す図である。 本発明による光学要素及び本発明による散乱光絞りを有するマイクロリソグラフィのための本発明による第２の投影対物器械を示す図である。 本発明による光学要素及び本発明による散乱光絞りを有するマイクロリソグラフィのための本発明による第３の投影対物器械を示す図である。 上述の例示的な実施形態で説明した光学要素が内部に統合される半導体リソグラフィのための投影露光装置を示す図である。

図１００は、本発明の一般的な手法を示している。基板を含む光学要素１には、この光学要素内でオーム抵抗を形成する電気駆動可能な導体軌道３が装備される。電圧が導体軌道に印加されると、電流が流れ、オーム抵抗が加熱される。導体軌道のコイルは、加熱の空間的な局所化を可能にする。
図１０１は、光学要素１に対する加熱の２つの効果を示している。これらの２つの効果は、空間的に局所的な性質を有するので、光学要素１からの抜粋部分のみを図２に例示している。２つの効果の第１のものは、光学要素の屈折率に対する効果である。
Δφ≒ΔＺ（ｄｎ／ｄＴ）ΔＴ
第２の効果は、光学要素の膨張及びそれに関連する形態変化のものである。
Δφ’≒Δｎ（ｄｎ／ｄＴ）ΔＴ

図１は、第１の基板１ａ及び第２の基板１ｂからの２つの部分で構成される光学要素１を変形として示している。この場合には、導体軌道３は、２つの基板の間に配列される。第２の基板１ｂは、肉薄のセメント層４を用いて第１の基板１ａに接続され、この場合には、セメント層４は、第１の基板１ａの表面上の導体軌道３によって引き起こされる高さの差を補償する役割も達成する。光学要素１は、特に、レンズ、ミラー、ビームスプリッタデバイス、又はそうでなければ回折構造を有する光学要素とすることができる。
また、光学要素を１つの基板から形成し、導体軌道をこの光学要素の表面領域内に置くことができる。

図２は、導体軌道３が切除部５内に配列された変形を示している。この場合には、切除部５は、特にエッチング法によって製造されたものとすることができる。この変形は、第１の基板をセメント層を用いずに第２の基板１ｂに接続することができるという利点を有する。従って、一例として、第２の基板１ｂを基板１に締め付けによって接続することができる。
図３は、実現化に少ない経費しか伴わない本発明の実施形態を示している。この場合には、導体軌道３は、基板１の研磨済み表面上に配列される。基板１及び同様に導体軌道３は、光学層６によって覆われる。光学層６は、例えば、反射防止層とすることができ、又はそうでなければミラーが光学要素１として用いられる場合は高反射層とすることができる。図３の実施形態を製造するために、光学層６は、既に導体軌道３が設けられた基板１に付加され、基板１の光学面及び導体軌道３を覆う。光学層６のための製作過程に依存して、光学層６は、その付加の後に導体軌道領域内で高くなってもよく、光学層６の付加に続く研磨段階によってそこを平坦化することができる。

導体軌道３の断面の構成には様々な可能性があり、これらのうちのいくつかを図４に例示している。図４ａに例示しているように、エッチング又は蒸着された導体軌道３は、通常は平坦である。しかし、光学活性断面を低減するために、導体軌道３の高さがその幅よりも大きい導体軌道３のプロフィールを所定の抵抗値に対して選択することができ、この事例を図４ｂに例示している。ビーム経路が光学要素１の関連する場所で発散する場合には、図４ｃに略示しているように台形断面の導体軌道３を選択することができる。光学放射が、大部分傾斜して入射する光学要素１の縁部における領域では、導体軌道３のプロフィールは、図４ｄに例示しているように光学要素１の中心に向って傾斜した方式で形成することができる。更に、導体軌道３のプロフィールの縁部及びコーナを丸めた方式又は不規則な方式で構成することを想定することができ、それによって広角な範囲にわたって散乱を低減又は不明瞭化することができる。
この場合には、導体軌道は、少なくとも光学放射の入射方向に対して横方向の区画において最大１マイクロメートル又は０．５マイクロメートルと０．０１マイクロメートルの間の断面を有することができる。導体軌道間の離間は、０．０１ミリメートルと１ミリメートルとの間である。０．０５ミリメートルと０．５ミリメートルの間の間隔、又は特に０．１ミリメートルの間隔も可能である。

図５は、高い加熱電力密度領域が結像される場合を部分図５ａ及び５ｂに示している。ここでは、図５ａの事例は、光学要素１がマイクロリソグラフィのための投影露光装置に用いられる場合に、図面平面内で垂直であると仮定して例示していないこの事例では双極で引き起こされる熱の印加に関するものである。図５ａに例示している事例では、導体軌道３は、光学放射が印加される領域に対して補完的な区域上に集中している。それによって総熱入力の少なくとも部分的な均一化が達成される。同様に図５ａは、光学要素１内に配列された導体軌道３との接点を作成するのに用いられる接続ワイヤ７を示している。図５ｂは、スキャナスロットの形態にある視野に則した加熱ゾーンの実施形態を有する視野に近い光学要素の位置における変形を示している。この場合には、光学要素１は、投影対物器械の視野に近い領域内に配列される。この図においても、光学要素１内の導体軌道３及び接続ワイヤ７を示している。導体軌道３が加熱ワイヤとして用いられる場合には、図５ａ及び図５ｂに例示しているように、導体軌道３の分割及びそのコイルを変更することにより、光学要素１の加熱密度を変更することができる。この場合には、コイルは、導体軌道３の横方向のジグザグ進路という意味で横方向変化のものとすることができ、更に、例えばつる巻きバネの方式で３次元で形成することを想定することができる。

図５ａ及び図５ｂにおける本発明の更に別の変形では、光学放射の熱入力と導体軌道の熱入力との等しい方位角の向きを仮定する。この場合には、導体軌道が設けられた光学要素の基板は、光学放射によって引き起こされる熱入力を実質的に吸収する１つ又は複数の光学要素と反対の符号のｄｎ／ｄＴを有する。ここでの可能な組合せは、石英とＣａＦ₂、又はその逆である。
図６は、導体軌道３がマトリックス方式で配列された光学要素１を平面図で示している。水平及び垂直の導体軌道は、加熱抵抗器又はコイル（この図には例示していない）を通じて接続される。本発明のこの変形は、導体軌道３の各々の場合で別々の接点接続により、導体軌道３の交差点において局所的に加熱を行う可能性をもたらす。図６に示している導体軌道の配列は、個々の製造業者において発生する可能性があるもののような光学要素に用いられる材料の組成における帯状変化を補償する可能性を開くものである。全ての交差点を個々に駆動することを可能にするためには、図面平面から出る方向における導体軌道のオフセットが当然ながら必要である。しかし、個々の導体軌道の結合も、光学放射によって引き起こされる光学要素の加熱の予め既知の対称特性の場合に有利なものとすることができる。更に、個々の導体軌道に印加される電圧は、パルス方式で駆動することができる。

図７は、導体軌道３が、光学要素１にわたってマトリックス構造内に等距離で配列されない事例を同様に平面図で示している。個々の導体軌道は、ここでも前と同様に加熱抵抗器又はコイル（例示していない）を通じて接続される。特に、本発明のこの実施形態は、光学要素１が、半導体リソグラフィのための投影露光装置に用いられる場合に、四重極照明環境の効果を補償するのに適している。上記に解説した双極照明の状況で行ったものに類似する説明を光学放射の得られる熱入力と加熱ワイヤ又は加熱抵抗器の熱入力との互いに対する必要な相対的幾何学位置に対して当て嵌めることができる。

導体軌道において回折される光、及び必要な電力供給を最小にするために、給電ワイヤの長さを最小にすることが適切である。瞳の近くの区域で一般的であるようなほぼ円形の光学利用領域よりも前の区域にわたる補正要素の一様な駆動には、放射状の手法を想定することができる。この場合には、導体軌道又は熱アクチュエータの配列が、光軸回りに少なくとも近似的な回転対称性を有し、対称次数（３６０°／対称次数による回転は、配列をそれ自体へと変換する）は２又はそれよりも高いことを仮定することができ、図８は、特に複数のリップルを補償するのに適するそのような可能性を平面図で示している。個々の導体軌道は、加熱抵抗器又はコイル（この図には例示していない）を通じて接続される。この場合には、導体軌道３は、光学要素１内で星形方式で放射状に配列され、導体軌道３が回転対称格子として達成される変形を図９ａに平面図で例示している。個々の導体軌道は、加熱抵抗器（この図には例示していない）を通じて接続される。当然ながらこの場合にも、抵抗器によって互いに接続される導体軌道の全ての交差点を個々に駆動することができるわけではない。
更に別の回転対称の変形を図９ｂに平面図で示している。この実施形態では、更に別の加熱抵抗器は設けられない。局所的に異なる熱入力は、導体軌道の局所的に異なる密度によって達成される。それによって光学要素１における空間高分解能温度制御が可能になる。

図１０は、上記に平面図のみで例示した実施形態を導体軌道の交差点において詳細に示している。この場合には、導体軌道３ａ及び３ｂは、これらの交差点において抵抗器８を通じて接続される。代替物として、ダイオード、ツェナーダイオード、又は抵抗器、ダイオード、及びツェナーダイオードの組合せを含めることができる。次に、電圧パルスが、図示の導体軌道３ａ及び３ｂに同時に印加されると、導体軌道３ａ及び３ｂの交差点にある抵抗器８は選択的に加熱される。好ましくは、抵抗器は、交差点に制限されるだけではなく、その代わりに蛇行方式で配列される。この場合には、導体軌道３ａ及び３ｂの抵抗を抵抗器８のものと比較して低く保つことにより、これらの導体軌道に沿った加熱を低く保つことができる。導体軌道３を等距離又は不等距離方式で配列する可能性がある。導体軌道３ａ及び３ｂが別々に接点接続される場合には、電圧パルスを導体軌道３ａ及び３ｂに別々に印加する可能性がもたらされる。すなわち、抵抗器８内、更に導体軌道３ａ及び３ｂ自体に沿って加熱電力をある一定の程度まで設定することができる。それによって抵抗器８を用いて点収差を補正し、導体軌道３ａ及び３ｂを用いて線形に延びる収差を補正する可能性がもたらされる。図１０には、２つの導体軌道３ａ及び３ｂを例示的にのみ示している。光学要素１にわたって加熱電力を効率的に分散するために、複数の導体軌道３をこの光学要素上に配列することができる。光学要素への光学放射の印加における対称性、例えば、ミラー対称性又は点対称性又は１８０°、９０°、又は４５°のような方位角に関する回転対称性の理由から、補正の自由度を不要にすることができる場合には、これは、個々の導体軌道を互いの間で短絡させることができるという結果を有し、それによって光学要素１の製作の簡素化が生じる。

図１１は、図１０に例示している実施形態を図２の概念と組み合わせた変形を示している。この場合には、一方の組の導体軌道３ａは、切除部５内に埋め込まれる方式で基板１ａ内に配列される。他方の組の導体軌道３Ｂは、第２の基板１ｂの表面上に配列される。２組の導体軌道３のうちの少なくとも一方の表面をエッチングし、次に抵抗層９を付加することにより、又はスポット溶接により、導体軌道３ａと３ｂとの交差点における接点領域が、導体軌道３ａ及び３ｂ自体よりも高い抵抗を有することが確実になる。図１０で選択した図では、２つの基板をセメント接合することを不要にすることができるように、上側の組である導体軌道３ｂも同様に図面平面に対して平行に第２の基板１ｂ内に埋め込み方式で配列される。この配列の代替形態は、セメント層（例示していない）を設けることにあり、この場合には、導体軌道３ａ及び３ｂのそれぞれの基板１ａ及び１ｂ内への埋め込みを不要にすることができる。

図１２は、図１０に例示している手法を光学要素１の表面上に用いた本発明の変形を示している。この場合には、導体軌道３ａは、光学要素１自体の表面上に配列されて交差点領域内で抵抗層９によって覆われ、第２の組の導体軌道３ｂはその上を延びている。この配列は、反射防止層としての光学層６によって覆われる。
１つの代替形態は、２つの導体軌道３ａ及び３ｂを小さい断面を有する更に別の導体軌道によって接続することにある。この目的のためには、抵抗層９の代わりに絶縁層が必要であるという相違点を伴って、図１１及び１２に例示している手法を用いなければならない。この場合には、更に別の導体軌道は、スポット溶接、レーザ溶接、スパークフラッシュオーバー、又はリソグラフィ製造工程によって絶縁層を局所的に穿孔することによって製造することができ、交差点において、有限ではあるが、依然として導体軌道の軌道抵抗よりも有意に高い抵抗を有する導体軌道３ａと３ｂの間の領域が生成される。

図１３は、導体軌道３が両側及び内側領域内に配列された光学要素１を示している。この場合には、導体軌道３は、平坦なものとするか、又は入射波面に適応するように形成することができる。それによって例えば加熱により、光学要素１の材料密度、及び従って屈折率を３次元で統御する可能性がもたらされる。それによって放射線が大きい角度で透過する光学要素１の場合でさえも均一性又は電圧収差の補正が可能になる。

図１４は、導体軌道３のマトリックス構造を局所的に変更可能な方式で如何にして構成することができるかに関する様々な変形を示しており、それによって導体軌道３の光学作用は、大きな角度空間にわたって分散される。従って、局所加熱電力密度を要件に最適に適応させるために、例えば、導体軌道３の密度を変更することができ、又はそうでなければ導体軌道３のコイルを度数及び振幅に関して異なる程度に変更することができる。この場合には、導体軌道３のコイル形態を例えば正弦曲線方式、又はそうでなければ鋸歯、三角形、又は他の関数で選択することができる。導体軌道３のプロフィールを変更する可能性もあることは言うまでもない。

図１５は、抵抗器又は抵抗又は絶縁層を不要にすることができる変形を示している。この場合には、導体軌道３ａ及び３ｂは、交差点の近くで小さい断面で形成される。交差点自体は導電方式で達成され、これは、互いに重畳する蒸着又はスポット溶接によって達成することができる。代替形態として、例えば、蒸着によって金属化層を面積方式で付加し、次にこの層から、例えば、エッチング処理によって構造を製造することにより、望ましい構造を製造することができる。光学要素１の全領域において等しい厚みを有する導体軌道を特定の簡易な方式で付加することができ、この導体軌道の幅のみが変更される。この変形の欠点は、電流導通導体軌道３ａ及び３ｂそれぞれのテーパ部分１７及び１８が、等しい程度まで加熱されることである。選択性は、各場合に電圧が導体軌道３ａ及び３ｂに同時に印加されず、各場合に導体軌道３ａ及び３ｂの片方の端部にのみ印加される手法によって得ることができる。言い換えれば、電圧は、第１のパルスで点１０と点１１の間に印加され、第２のパルスで点１２と点１３の間に印加される。電流は、第１のパルスの間には矢印１５で示している方向に流れ、第２のパルスの間には矢印１６の方向に流れる。この解決法の結果、一定時間にわたる平均値で、テーパ部分１７及び１８におけるものの２倍の電力が交差点１９において発せられる。
本発明の場合に起こり得る１つの問題は、個々の導体軌道の間のクロストークである。この問題は、特に平面図で見た光学要素内のエリアカバレージが非常に大きくなる時に関わってくる。

下記においては図１６を参照し、最大エリアカバレージ、すなわち、導体軌道３によって覆われる光学要素１の表面の最大比率から成る非常に厳しい要件を満たす個々に駆動可能な加熱ゾーン１０１の２次元アレイを達成する１つの可能性、エリアカバレージの均一性、温度分布の均一性、及び相互クロストーク、すなわち、非駆動加熱ゾーン１０１内の望ましくない加熱電力の発散の説明を提供する。

例えば、投影対物器械の瞳平面内の導体軌道３の規則的な格子状構造では、結果として生じるアレイ内の散乱光成分は、第一近似としてはエリアカバレージに比例する。１パーセントよりも有意に低い最新の対物器械の一般的な散乱光レベルは、僅か数千分の１の最大エリアカバレージしか許容しない。更に、エリアカバレージはできる限り均一である。
照明環境及び結像される構造に依存して、この瞳平面内の光強度は異なって集中され、更に双極照明環境の場合は特に比較的大きい程度に異なって集中される。例えば、全ての回折次数に均一に影響を与える加熱要素のエリアカバレージが選択される。
従って、双極スポットの一般的なサイズにわたって平均されたエリアカバレージは、光学的に自由な領域にわたって、すなわち、有利な光学放射が通過する領域にわたって数パーセント以内で均一でなければならない。

導体軌道３は、図１６には例示していない光学要素１の材料内に局所熱入力を引き起こし、いわゆる温度リップル、すなわち、局所温度変化がこの光学要素の表面において形成される。この場合には、この温度リップルの光学要素１内への浸透深さは、導体軌道３の間隔にほぼ対応する。従って、光学波面に対する温度リップルの影響を小さく保つためには、導体軌道の間隔を十分に高密に選ばなければならない。できる限り規則的な導体軌道３の配列は、上記と同じ理由から有利である。

概説した問題は、一例として図１６に示しているように、導体軌道３を給電ワイヤ３０１の区画と加熱ワイヤ３０２の区画との交互配列として形成することによって３×３の加熱ゾーン１０１を含む加熱アレイ１００に基づく本発明によって解決される。この場合には、給電ワイヤ３０１は、横断する非駆動加熱ゾーン１０１内へのできる限り最低限の熱入力しか引き起こさないように、低インピーダンスを有するように選択される。それとは対照的に、加熱ワイヤ３０２は、望ましい加熱電力を割り当てられた加熱ゾーン１０１内で局所的に発生させ、図１６には例示していない光学要素１内に導入するために、例えば、図１６に例示しているように、断面の縮小によって高インピーダンスを有するように選択される。

例示しているように、給電ワイヤ３０１及び加熱ワイヤ３０２として区画に形成された導体軌道３の個々の部分的区画は、ここでは加熱ゾーン１０１における各場合にブリッジ３０３を通じて共通して電気的に接点接続され、このブリッジ自体は、接続パッド３０４を通じて電圧供給源（例示していない）に接続することができる。反対側では、導体軌道３の接点接続は、全ての導体軌道３に対して共通して用いることができる共通バスバー３０５を用いて達成される。

例示的な実施形態では、給電ワイヤ３０１が横断する領域内での望ましくない加熱を最小にするために、給電ワイヤ３０１又は給電軌道３０１の抵抗は、加熱ワイヤ３０２の抵抗に関連してできる限り小さく選択される。給電ワイヤ３０１の領域内での実質的に低い加熱は、導体軌道３の方向に互いに縦列で位置する加熱ゾーン１０１に制限され、加熱ゾーン１０１内で均一である。それによって簡単な分離変換によって駆動側の寄生加熱電力成分を分離することができ、言い換えれば、望ましい加熱ゾーン１０１の駆動の把握により、適切な閉ループ制御が、加熱ゾーン１０１内の互いに縦列で配列された同じ加熱ゾーンの寄生効果を補償することができる。

この場合には、加熱ゾーン１０１内の最大寄生加熱電力成分は、望ましい加熱電力の１０％〜２０％よりも大きくてはならない。
寄生加熱電力成分は、列内の加熱ゾーン１０１の数から１を引いたもの、並びにゾーンに沿った給電抵抗及び加熱抵抗に比例する。横方向の範囲で１０個の加熱ゾーン１０１を含む加熱アレイ及び求められる１０％のクロストークでは、必要な抵抗比Ｒ_feed（給電ワイヤ３０１の抵抗）ｄ／Ｒ_heat（加熱ワイヤ３０２の抵抗）＝１／９０が生じ、１５個の加熱ゾーン１０１を含む加熱アレイの場合には、Ｒ_feed／Ｒ_heat＝１／１４０が生じる。給電ワイヤ３０１及び加熱ワイヤ３０２の抵抗は、ワイヤの幅、層の厚み、材料選択によって設定することができ、更にワイヤの有効長によって設定することができる。本発明によるそのような光学要素は、１００個から２２５個の加熱ゾーンを有する。

所定の加熱電力を達成するために、絶対抵抗Ｒ＝Ｕ／Ｉの最大値は、必要な電圧Ｕによって制限される。２００Ｖよりも低いか又はそれに等しい作動電圧では、電子構成要素及び接続構成要素は、コンパクトに達成することができる。より高い作動電圧を想定することができるが、これらの作動電圧では、電気フラッシュオーバーを回避し、電子構成要素の誘電強度を保証するために、益々高い経費が必要になる。

最小可能給電抵抗は、最大許容ワイヤ断面によって下方に制限を受け、最大許容ワイヤ断面は、許容エリアカバレージ、並びに適切な導電材料の抵抗率によって更に制限を受ける。この場合には、純元素が可能な最も低い抵抗率を有し、合金の抵抗率は、元素のものよりも一般的に高い。所定の長さの加熱ゾーン１０１、及び所定の断面制限では、可能な最小抵抗は、利用可能な導電材料の抵抗率によって制限を受ける。Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｗｏ、Ｍｏ、Ｓｎ、又はＮｉのような低い抵抗率を有する金属は、例えば、給電ワイヤ３０１として適切である。

一般的に、可能な最低給電抵抗を求めようと努めるべきである。加熱ワイヤ３０２の高い抵抗は、給電ワイヤ３０１の断面と比較して小さい加熱ワイヤ３０２の断面によって得ることができる。更に、加熱ワイヤ３０２の有効長は、蛇行構成を用いて延ばすことができ、それによって加熱ワイヤ３０２の総抵抗が高まる。加熱ワイヤ抵抗は、理論的には有効長によって任意に高めることができるが、これは、エリアカバレージに対しては欠点であり、この理由から、１〜５０の間の長さ係数が好ましい。

給電ワイヤ３０１のものよりも高い抵抗率を有する第２の導電体材料を加熱すべきゾーン１０１内の加熱ワイヤ３０２に向けて更に選択することができる。例えば、Ｎｉ、Ｐｔ、又はＣｒのような比較的高い抵抗率を有する金属、又はＳｉ又はＧｅのような半導体を例えば加熱ワイヤ３０２のための材料として選択することができる。代替的な実施形態では、用いられる材料の抵抗率は、不純物元素によってドーピングすることによって要件に向けて最適に適応される。金属の場合には、抵抗率は、ドーピング又は合金組成の導入によって人工的に高めることができ、半導体の場合には、抵抗率は、ドーピング元素の導入によって人工的に下げることができる。

これは、導体軌道の一部、特に給電ワイヤ及び／又は加熱ワイヤをドーピングすることによって達成することができる。
給電ワイヤ３０１、蛇行加熱ワイヤ３０２、及び個々の区画の間の移行領域３０６の実施形態を図１７に示している。加熱ワイヤ３０２の内側のコーナにおける高電流密度を回避するために、加熱ワイヤ３０２の進路は、少なくとも区画においてある半径によって丸められる。

代替形態として、相を設けることができる。更に、移行領域３０６内での電流密度を下げ、それによって境界層での電気機械的劣化の危険性を排除するために、より大きい重なり領域を有する移行ゾーンが、移行領域３０６内に設けられることになる。給電ワイヤ３０１及び加熱ワイヤ３０２が、２つの別々のリソグラフィ処理においてパターン化される場合には、大きな重なり領域は、重なり要件を軽減する。

加熱ワイヤ３０２の場合には、要件に依存して、電気抵抗を望ましいレベルに設定するために、可能な最小層厚を有する非常に肉薄の線が求められるので、組み立て、材料の薄肉化、層不良、抵抗不良、粒子及び縫製不良の結果としてここには高い不良危険性が存在する。そのような局所不良に対して強固である配列を図１８に例示している。個々の蛇行の代わりに、ここでは加熱ワイヤ３０２の複数の蛇行区画が並列して配列され、規則的な間隔でバイパス３０７によって横手方向に接続される。局所不良が区画のうちの１つの内で発生すると、電流は、バイパス３０７及び隣接する蛇行区画を通じてこの場所を迂回する。

光学要素１毎の加熱ゾーン１０１の数、及び加熱ゾーン１０１毎の加熱ワイヤ３０２の数に依存して、数百本から数千本に上るワイヤを電気的に接点接続すべきである。図１６に示しているように、加熱アレイ１００の片側で全ての給電ワイヤを共通バスバー３０５において組み合わせることができる。反対側には、同じ加熱ゾーン１０１に割り当てられた全ての導体軌道３をブリッジ３０３を用いて組み合わせることができる。それによって接続ワイヤの数が、能動的に駆動される加熱ゾーン１０１の数まで低減する。

１つの好ましい実施形態では、ブリッジ３０３は、導体軌道３を有する第１のレベルから適切な誘電体を用いて電気的に分離された導電体構造を有する第２のレベルの助けを得て達成される。接点接続孔用いて、加熱ゾーン１０１に関連する全ての給電ワイヤ３０１は、ブリッジ３０３に接続される。駆動体電子機器に向う電気接続は、第２のレベル上の接点区域を用いて、又は第１のレベル上の露出接点区域を用いて実施することができ、この解決法の基本的な図を図１９に示している。
代替的な実施形態では、ブリッジ３０３は、結合ワイヤによって達成され、それによって第２のレベルのパターン化を不要にすることができる。
更に別の代替的な実施形態では、ブリッジ３０３は、接続ボード内で達成される。この場合には、接点接続点の数は導体軌道３の数に対応するが、引き出される線の数は、加熱ゾーン１０１の数まで低減する。

上述の解決法を用いたワイヤの減数の後には、加熱ゾーン又は加熱ワイヤの数に対応する引き出し線の数は、一般的に百本から数千本である。従って、目的は、更に、できる限り力がかからない方式で、本発明による光学要素１への複数の接続ワイヤを電気的に連結することであり、これは、給電線を通じて導入される力及びモーメントが、光学要素１の変形、傾斜、及び位置変化を引き起こす可能性があり、更にこれらによって光学収差が高まるからである。

第１の実施形態では、電気接続は、光学要素１０１から機械的に分離された転送ボード上へのワイヤ結合によって達成される。結合ワイヤは、非常に肉薄のものとして選択することができ、機械的剛性を最小にすることに関して弓形幾何学形状が好ましいので、接合ブリッジは、最小の機械的剛性、及び従って最適な分離を有する電気接続を成す。
代替形態として、図２０に示しているように、電気的な連結のために可撓性導体膜３５０を用いることができる。すなわち、この場合は加熱ゾーン１０１に割り当てられた全ての給電ワイヤ３０１を可撓性導体膜上の同じ接点接続軌道３５１上に整列して互いに縦列で配列することができ、それによって接点接続の複雑度が低減する。更に、同じ導体膜３５０上に１つの行に関連付けられた接点接続軌道を配列することができる。可撓性導体膜３５０の区域剛性を低減するために、Ｓ字形態又は蛇腹に似た複数の波形を付加することができる。更に、光学要素の変形を生成する恐れのあるせん断応力が、可撓性導体膜３５０の区域剛性によって強まるのを防止するために、可撓性導体膜３５０に、接点接続列に沿った区画においてスロットが切削される。可撓性導体膜３５０を本発明による光学要素の接点に電気的に接点接続するのに適する方法は、導電接着剤、異方性導電接着剤又は接着テープ、異方性導電テープ、スタンプ式半田付け、炉内半田付け、熱風半田付け、又はレーザ半田付けによる半田付け接続、更に同じくワイヤ結合である。
沿面電流及びフラッシュオーバーを回避するために、光学要素上の導体軌道をＳｉＯ₂層又はいずれか他の光学的に透過的な誘電体層内に埋め込むことができる。そのような層は、起こり得る表面不良、及びパターン化処理によって引き起こされる凹凸を覆い、光学要素の必要な表面精度を得るために過研磨することができる。

本発明において更に発生する問題点は、導体軌道の増大するエリアカバレージに伴って、導体軌道によって発生する散乱光の問題点である。本発明の以下の実施形態は、マイクロリソグラフィのための投影対物器械に対して立案したものである。しかし、これらの実施形態は、他の光学システムにおいても想定することができる。
投影露光装置のウェーハ平面内で、導体軌道によって引き起こされる散乱光成分は、エリアカバレージ以外に、走査方向に対する導体軌道の向きに依存するものとすることができる。本発明による光学要素の下流の視野位置内の視野絞りは、導体軌道によって引き起こされる散乱光が露光すべきウェーハ上に入射しないように、この散乱光のかなりの部分を吸収することができる。この場合には、視野絞りの好ましい形態は、物体視野、特にスキャナ視野の像に対応する。スキャナスロットは、走査方向にこの方向に対して垂直の方向よりも有意に幅狭であるから、散乱光が走査方向に回折されるように、ワイヤを走査方向に対して垂直に配列することができ、この場合には、この走査方向のより幅狭な視野開口により、この走査方向に対して垂直な方向よりも有意に大きな部分が吸収される。

本発明による光学要素によって引き起こされるか、又は導体軌道又は熱アクチュエータにおける散乱又は回折によって引き起こされるいわゆる散乱光又はそれと類義の迷光を低減することができる更に別の可能性を下記に提供する。
一般的に迷光は、回折の場所における伝播方向が有利な方向から、すなわち、有利な光学放射に与えられた方向から偏位する光である。この回折が瞳の近くで発生する場合には、この方向変化は、像における位置変化に変換され、それによっていわゆる二重像又はゴースト像が引き起こされる。

迷光は、それがいかなる有利なビーム経路にも適合しない場所を通過する時に吸収することができる。これらの場所は、迷光が瞳の近くで発生する場合には、例えば、中間像領域内にあり、視野の近くで発生する迷光では瞳領域内にある。本発明によると、回折的に作用する補正手段は、これらの対応する場所における迷光絞りと組み合わせることができる。本発明による光学要素が、例えば、投影対物器械等における光学システム内の光の方向で最初の中間像の上流に位置決めされる場合には、この中間像の近くの迷光絞りが有利なものとすることができる。

そのような迷光絞りを設計するための例示的方法は、以下の段階を含む。
１．光学補正要素を設計する段階。
２．この光学補正要素の回折作用を判断する段階。
３．有利なビーム経路及び同じくシステムを通じて回折される光の光路を計算する段階。この計算は、例えば、光線ベースのシミュレーションの関連における試験区域をシステム内に位置決めし、各場合に、この試験区域上で有利な放射線及び散乱光が通過する領域を計算することによって行うことができる。
４．迷光が通過するが、有利な光は通過しない対物器械領域を判断する段階。この判断は、段階３で説明した試験区域の領域の差動セットを形成することによって行うことができる。
５．これらの対物器械領域が、迷光絞りを位置決めするのに適切であるか否かを試験する段階。適切な場合には、迷光絞りをこれらの場所に設ける。

従って、迷光絞りを設計及び位置決めすることにより、本質的に以下の条件が満たされることを意図している。
−有利なビーム経路内の光が、影響を受けずに迷光絞りを通過する。
−通常の照射を受けて導体軌道又は熱アクチュエータによって回折される光のうちの少なくとも１つの部分が迷光絞りに当たる。
上述の矩形視野を有するシステムでは、視野は、走査方向におけるよりも走査方向に対して直角方向において大きい。これに応じて迷光は、この視野の「短い」方向において、それに対して垂直方向におけるよりも容易に吸収することができる。従って、走査方向に対して垂直方向に向けられた直線的な導体軌道を通る散乱光は、より容易に吸収、及び従って低減することができる。

本発明の変形は、迷光絞りがより視野の近くに配置され、有利なビーム経路と並んで、少なくとも部分的に、短い視野方向の方向に横方向に取り付けられながらも本発明による光学要素を瞳平面内又はその近くに位置決めすることにある。
また、光の方向に本発明の光学要素の下流に配列された少なくとも１つの開口絞りの使用も、散乱光を抑制するのに有効な可能性である。
また、光学投影対物器械の最後の区域も、散乱光を吸収することができる場所である。
本発明による光学要素の現実の更に別の形態を下記に提供する。

導体軌道又は熱アクチュエータを付加するのに、平行平面プレートは、光学要素として適切である。これに対する代替形態は、導体軌道又は熱アクチュエータを湾曲区域、適切な場合は非球面区域上に配列することにある。この場合には、湾曲表面は、１００００ｍｍよりも小さい、好ましくは、５０００ｍｍよりも小さい曲率半径を提供することができる。この目的のために、１つの要素を別の湾曲要素上に密着し、これらを平面方式で構造化することができる。構造化された湾曲表面形態は、密着からの解離の後に確立されることになる。湾曲区域上に導体軌道又は熱アクチュエータを配列する理由には、適切な部分開口領域内での構造的空間の欠如、又は例えば高度のビーム偏向が、関連領域及び関連要素内で発生し、それによって屈折率変化に特に敏感に反応する場合の限られた電力における屈折率変化の望ましい増幅の欠如を含むことができる。

更に、光学要素は、他の理由から異なる個々の要素の間で分割することができ、いずれにしても必要なこの分割により、光学要素自体を例えば導体軌道又は熱アクチュエータのような補正手段の担体として示すことができる。
また、本発明による光学要素を達成するのに、紫外範囲内で固有の複屈折を提供するフッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化バリウムリチウム、他のフッ化物、ＬｕＡＧ（ルテチウムアルミニウムガーネット）、又はスピネルのような結晶光学材料の使用を想定することができる。システム内で結果として生じる複屈折を小さく保つために、これらの要素を加算効果が許容限度を超えないように、異なる結晶配向及び光軸回りに異なる回転位置を有する部分要素に分割することが既に提案されている。

一例として、［１００］、［１１１］、又は［１１０］方向の結晶学的主軸をシステムの光軸方向に配向することができ、これに対応する補償手順は、文献中に様々に見出されている。
本発明の代替的な変形では、導体軌道又は熱アクチュエータによって引き起こされる不可避の回折効果を望ましい回折光学効果として用いることを想定することができる。言い換えれば、光学効果に付加される導電体構造は、望ましい光学作用及び望ましい熱作用両方を有することになる。

本発明による光学要素の設計又は適用における補正計画は以下の通りである。
本発明による光学要素の設計又は適用における補正計画では、一例として最大許容電流が制限要因を示すので、特にこれらの光学要素の補正潜在力が制限されることを考慮すべきである。従って、一例では、本発明による光学要素を従来のマニピュレータ（波長、ガス組成、ガス圧力、及びガス温度、光学要素の剛体移動、又は光学要素の縁部からの撓み）と組み合わせて、これらの従来のマニピュレータを用いて行程重視の粗調整を行う段階が設けられ、一方でより微細な補正のみが本発明による光学要素を用いて達成される。ある一定の補正自由度を原理的に両方の方向に励起することができるが、１つの方向にしか励起する必要がないことが既知である場合には、マニピュレータの移動により、そうでなければ無用な補正方向にゼロ状態が既に達成されていることになるように、システム内で（本発明による光学要素自体又は同等の部分開口位置にあるいずれかの他の光学要素のいずれかにおいて）例えば非球面化により、必要な方向にバイアスを発生させることができる。その後、この「無用」補正方向から戻すマニピュレータの移動により、望ましい補正作用を得ることができる。波面補正のために利用可能な二重調節範囲は、上述のバイアスのない手順との比較をもたらす。

製造変動を補償するために、本発明による光学要素に関する較正データ記録を最初に作成することが適切である。この目的のために、個々の局所領域は、所定の電流強度で駆動され、その結果として生じる波面に対する影響が干渉分光的に測定される。これらの情報に基づいて、この後、これらの局所領域は、局所温度変化の高精度光学作用が得られるように駆動される。
一例では、本発明による光学要素は、交換可能な部品として設計することができる。従って、一例では、本発明による補正手段を投影露光装置の好ましい使用、すなわち、例えば、双極又は四重極照明に適応させることができる。更に、交換可能な部品は、異なる表面形態の結果として異なる非球面効果を有することができ、又は例えば圧密化の得られる投影対物器械の特定の変化の補正に向けて設計することができる。

光学要素が平行平面プレートとして実施される場合には、この光学要素を光軸に沿った発散又は収束ビーム経路内で変位することができるように設計することが適切とすることができる。光軸に沿った変位の結果として、部分口径比は、発散ビーム経路によってかなり変化し、光学要素は、各場合にこのシステムの状態において最適な領域内で作動させることができるようになる。そのような変位は、例えば、寿命及びレンズ加熱効果が、異なる部分開口範囲で支配的であり、システムが既に用いられてきた利用法及び期間に依存して異なる重みを有する外乱を引き起こす時に適切とすることができる。一般的に光学要素は、その位置に関して更に変更可能であり（好ましくは、光軸に対して平行又は垂直の軸に関する偏芯、傾斜、回転）、及び／又は特に非点変形、３つ葉又は４つ葉のクローバー形変形を受けることができるように設計することができる（導体軌道又は熱アクチュエータの負荷制限の関連において）。上記に示した光学要素の回転／傾斜の変位は、当然ながら、光学要素がビーム経路の非発散又は集束部分内に置かれる場合にも与えることができる。

投影露光装置が、例えば、第１のモードが一様なレンズ加熱が小さい波面収差しか発生させないが、迷光に対して敏感に反応し、それに対して、第２の作動モードが大きな加熱効果を発生させるが、迷光に対してより高い耐性を有するという異なる作動モードで利用される場合に、構造化されていない本発明による非駆動光学要素と同じ光学作用を有する光学要素との本発明による光学要素の迅速な交換を提供することが適切とすることができる。構造化されておらず、従って、迷光を発生させない光学要素は、ビーム経路内で第１の作動モードに用いられる。第２のモードでは、本発明による光学要素が用いられ、例えば、第２のモードの一様でない加熱によって引き起こされる波面収差が、この要素によって補正される。
従って、本発明による光学要素が、投影露光装置の作動中に交換することができ、すなわち、特に機械的に交換することができるホルダ内に保持することができ、簡単な接近性に対して予防措置が取られるように設計されるならば有利である。

本発明による光学要素を適切に設計することを可能にするためには、補正すべき外乱は、できる限り正確に把握すべきである。この情報は、第１の場合には、作動中の投影露光装置における波面収差の測定から得ることができる。これに対する代替形態として、一定時間にわたって平均して一定である照射では、吸収される光量及び確定される温度分布へと外挿を行うことができる。ここから時間的に発達する結像収差を計算することができ、補正の基準として用いることができる。この場合には、外挿は、同時の高速なシミュレーション計算に基づくもの又は波面収差の測定に基づく過去の較正に基づいて実施するもののいずれかとすることができる。あらゆる事態において、照射が、例えば、レチクル及び／又は照明の変更が行われた直後に変化した場合には、好ましくは、測定は、比較的短いインターバルで実施すべきである。そのような場合の後には、時間的発達は特に急激に進むことになり、この第１の場合では、システムの測定頻度を直近の照射変化及びシステムの時定数（計算又は測定によって最初に把握される）に関して時間インターバルに適応させることができる。システムが静的状態に近づくと（「飽和に向う」）、測定は、より低い頻度で行わねばならず、投影露光装置の露光ウェーハの処理機能はこれに応じて高まる。

投影対物器械全体の観点から課せられる更に別の問題は、本発明による光学要素を配列すべき場所である。この場合には、場所は、本発明による光学要素の投影対物器械の光学放射の波面に対する光学効果という意味で理解すべきである。
本発明による光学効果のいくつかの好ましい位置を例示的に以下に説明する。この場合には、いわゆる近軸部分口径比が、システム内の位置の基準値としての役割を達成する。

近軸部分口径比は、次式で与えられる。

ここで、ｒは、近軸周辺光線高さを表し、ｈは、近軸主光線高さを表し、符号関数「ｓｉｇｎ ｘ」は、ｘの符号を表し、ｓｇｎ０＝１が宣言されることになる。近軸周辺光線及び近軸主光線の定義は、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｊ．Ｋｉｄｇｅｒ著「基礎光学設計」、「ＳＰＩＥ ＰＲＥＳＳ」、Ｂｅｌｌｉｎｇｈａｍ、Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎ、ＵＳＡに示されており、この文献は、引用によって本明細書に組み込まれている。

近軸部分口径比は、ビーム経路内のある平面の視野又は瞳近接性の基準値である符号付き変数である。部分口径比は、定義によって−１と１の間の値に正規化され、近軸部分口径比ゼロは、各視野平面に対応し、−１から＋１又は＋１から−１への近軸部分口径比のジャンプを有する不連続性は、各瞳平面に対応する。本出願では、これに応じて近軸部分口径比０は視野平面を表し、一方でマグニチュードに関して１の近軸部分口径比は瞳平面を特定する。

従って、視野に近い平面は、０に近い近軸部分口径比を有し、一方で瞳に近い平面は、マグニチュードに関して１に近い近軸部分口径比を有する。近軸部分口径比の符号は、基準平面の前方又は後方という平面の位置を示している。例示的に、コマ光線の関連区域内での貫通点の符号を定義として用いることができる。
ビーム経路内の２つの平面は、これらの平面が同じ近軸部分口径比を有する場合に共役と呼ばれる。瞳平面は互いに共役であり、視野平面も同様である。

この場合には、本発明による光学要素又は本発明による配列は、一例ではシステム内の本発明による第１の要素又は本発明による配列に関する近軸部分口径比がマグニチュードに関して０．８よりも大きい、好ましくは、０．９よりも大きい場所に配列することができる。更に又は代替的な実施形態では、近軸部分口径比がマグニチュードに関して０．９よりも小さい、好ましくは、０．８よりも小さい本発明による光学要素又は本発明による配列を存在させることができる。更に、部分口径比がマグニチュードに関して０．８よりも小さく、第２の要素のもの又は第２の配列のものとは反対の符号を有する本発明による更に別の光学要素又は本発明による更に別の配列を存在させることができる。
一実施形態では、投影対物器械内の異なる場所に配列された本発明による２つの光学要素において、それぞれの近軸部分口径比は、少なくとも０．１５、好ましくは、０．３だけ互いに異なる。

その全範囲が本出願に統合されているＷＯ２００３／０７５０９６Ａ２にも示されている図２０１の屈折結像投影対物器械３７は、平面プレートとして設計された要素２１１を含む。この平面プレートは、交換可能方式で設計される。光学要素２１１の本発明による一構成では、光学要素２１１には、本発明による導体軌道が装備され、光学要素２１１は、交換可能及び／又は交換不能とすることができる。上述の平面プレートは、０．９と１．０の間の部分口径比に対応する場所に置かれる。散乱光を回避するために、本発明による投影対物器械３７には、ビーム経路方向に最後の光学要素とウェーハ（この図には例示していない）の間に散乱光絞り２２１を設けることができる。

図２０２の反射屈折投影対物器械３７は、平面プレートとして設計された光学要素２１２を含む。光学要素２１２の本発明による一構成では、光学要素２１２には、本発明による導体軌道が装備され、光学要素２１２は、交換可能及び／又は交換不能とすることができる。上述の平面プレートは、−０．８と−０．９の間の部分口径比に対応する場所に置かれる。従って、この平面プレートは、前の例示的な実施形態におけるものよりも視野に幾分近い。散乱光を回避するために、本発明による投影対物器械３７には、投影対物器械３７の瞳平面内に散乱光絞り２２２を設けることができる。

その全範囲が本出願に統合されているＷＯ２００５／０６９０５５Ａ２にも示されている図２０３の反射屈折投影対物器械３７は、平面プレートとして設計された要素２１３を含む。この平面プレートは、交換可能方式で設計される。光学要素２１３の本発明による一構成では、光学要素２１３には、本発明による導体軌道が装備され、光学要素２１３は、交換可能及び／又は交換不能とすることができる。上述の平面プレートは、約１．０の部分口径比に対応する場所に置かれ、この部分口径比は、投影対物器械３７の瞳平面に対応する。散乱光を回避するために、本発明による投影対物器械３７には、中間像の近くに散乱光絞り２２３を設けることができる。この場合には、散乱光絞りは、中間像平面内にスキャナスロットの像を有することができる。
同様に、本発明は、マイクロリソグラフィのための反射結像投影対物器械内に用いることができる。

以上の本発明の３つの例示的な実施形態では、本発明による１つの光学要素の代わりに、複数のそのような光学要素を異なる位置に用いることができ、それによって補正の可能性が高まる。
本発明による２つ又は一般的に複数の光学要素を用いることにより、本発明において更に発生する問題点として、モアレ効果を回避することが浮上する。本発明の以下の実施形態は、マイクロリソグラフィのための投影対物器械のために立案したものである。しかし、これらの実施形態は、他の光学システムにおいても想定することができる。

モアレ効果を回避する１つの可能性は、本発明による光学要素をこれらの導体軌道の向きに関して方位角方向に交錯方式で配列することである。例示的に、９０°だけ交錯させることができる。この場合には、散乱光操作に関して有利であり、既に上述した投影露光装置の走査方向に対して直角である導体軌道の向きを完全に放棄しなくてもよいように、図２１に例示しているように、本発明によるそれぞれの光学要素の導体軌道の互いに対して非常に僅かな、特に５°よりも小さい程度の方位角方向の交錯が行われる。そのような交錯は、本発明による複数の個々の光学要素と比較して行うことができる。しかし、交錯は、本発明による単一の光学要素内で行うことができる。

図２４１は、上述の本発明による光学要素が内部に統合される半導体リソグラフィのための投影露光装置３１を示している。投影露光装置３１は、感光材料によって被覆された基板上に構造を露光する役割を達成し、この基板は、例えば、コンピュータチップのような半導体構成要素を製造することに向けて一般的に主にシリコンから成り、ウェーハ３２として示している。

この場合には、本質的に投影露光装置３１は、照明デバイス３３、構造が設けられたマスクを受け取って正確に位置決めするためのデバイス３４、ウェーハ３２上の後の構造を決めるいわゆるレチクル３５、このウェーハ３２を装着し、移動し、更に正確に位置決めするためのデバイス３６、並びに結像デバイス、すなわち、投影対物器械３７を含み、投影対物器械３７は、ホルダ３９を用いて投影対物器械３７の対物器械ハウジング４０内に装着された複数の光学要素３８を含む。この場合には、本発明による光学要素１は、投影対物器械３７内のあらゆる望ましい場所、又はそうでなければ照明デバイス３３内に配列することができる。

この場合には、基本的な機能原理は、レチクル３５内に導入された構造がウェーハ３２上に結像されることをもたらし、この結像は、一般的に縮小方式で実施される。
露光が起動された後に、ウェーハ３２は、同じウェーハ３２上で、各々がレチクル３５によって規定された構造を有する複数の個々の視野が露光されるように矢印方向に更に移動される。この場合には、露光処理自体は、互いに対するウェーハとレチクルとの相対静止位置の間（ウェーハステッパ）、又はウェーハとレチクルとの相対移動の間（ウェーハスキャナ）で実施することができる。

照明デバイス３３は、レチクル３５のウェーハ３２上への結像に必要とされる投影ビーム４１、例えば、光又は同様の電磁放射線を供給する。この放射線のための発生源としてレーザなどを用いることができる。放射線は、投影ビーム４１がレチクル３５上に当たる際に、偏光、均一な視野照明（「均一性」）又は強度プロフィール、テレセントリシティ、視野縁部における遮蔽、対称性要件に沿った用途特定の瞳充填（双極、四重極、環状）という望ましい性質を有するように、光学要素を用いて照明デバイス３３内で成形される。
ビーム４１によってレチクル３５の像が発生し、上述したように、投影対物器械３７によって相応に縮小される方式でウェーハ３２に転写される。投影対物器械３７は、例えば、レンズ、ミラー、プリズム、終端プレートなどのような複数の個々の屈折、回折、及び／又は反射光学要素を有する。

１ 光学要素

Claims (101)

1. 光学放射が印加される光学システムの波面収差の少なくとも部分的な空間分解補正のための光学要素（１）であって、
   光学放射に対して光学活性である領域と、
   少なくとも前記光学放射の入射方向に対して横方向の区画において最大５０マイクロメートルの直径を有する、前記光学活性領域内の導電体軌道（３）と、
   を含むことを特徴とする光学要素。
2. 前記導電体軌道は、横方向に３０ミリメートルよりも小さい前記空間分解補正を可能にする局所加熱ゾーンを形成することを特徴とする請求項１に記載の光学要素。
3. 前記波面収差は、方位角方向及び／又は半径方向に高次である結像収差を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学要素。
4. 前記加熱ゾーンによって発生させることができる温度プロフィールが、前記光学放射によって光学要素に発生させることができる温度プロフィールの逆であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光学要素。
5. 前記導電体軌道は、少なくとも前記光学放射の入射方向に対して横方向の区画において最大１マイクロメートル又は０．５と０．０１マイクロメートルの間の断面を有し、及び／又は該導体軌道の離間は、０．０１と１、好ましくは、０．０５と０．５の間、非常に好ましくは、約０．１ミリメートルであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光学要素。
6. レンズ、収束レンズ、発散レンズ、フレネルレンズ、フレネルゾーンプレート、平面プレート、楔プレート、ミラー、又はビームスプリッタであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の光学要素。
7. 前記光学放射の波長が、０．０１から１マイクロメートルのスペクトル範囲にあることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光学要素。
8. 前記光学放射の前記波長は、約２４８、１９３、又は１３ナノメートルであることを特徴とする請求項７に記載の光学要素。
9. 前記光学活性領域は、前記導体軌道の少なくとも一部分を含む透過部分を有することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の光学要素。
10. 前記導体軌道は、駆動するための電気接続要素を有することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の光学要素。
11. 前記波面収差は、前記光学システムの更に別の光学要素の圧密化及び／又は希薄化によって引き起こされる可能性がある結像収差を含むことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の光学要素。
12. 前記導体軌道は、光学要素の表面の前記領域に位置していることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の光学要素。
13. 第１の基板（１ａ）及び第２の基板（１ｂ）から構成され、
    前記導体軌道（３）は、前記２つの基板の間に配列される、
    ことを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の光学要素。
14. 前記第１の基板（１ａ）は、セメント層（４）を用いて前記第２の基板（１ｂ）に接続されることを特徴とする請求項１３に記載の光学要素。
15. 前記導体軌道（３）は、切除部（５）に配列されることを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の光学要素。
16. 前記導体軌道（３）は、反射防止又は高反射性層である光学層（６）によって覆われることを特徴とする請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の光学要素。
17. 前記導体軌道の前記断面は、台形であり、及び／又は該導体軌道の縁部及び／又はコーナが、丸められていることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の光学要素。
18. 前記導体軌道のコイルが、前記光学放射を印加することができる領域に対して補完的な領域に存在することを特徴とする請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の光学要素。
19. 前記放射線を印加することができる前記領域は、双極又は四重極の形態を有することを特徴とする請求項１８に記載の光学要素。
20. 前記導体軌道のコイルが、前記光学放射を印加することができる領域に存在し、
    前記光学放射の前記波長において、該光学放射が印加される前記光学システムの更に別の光学要素のものとその符号に則して反対であるｄｎ／ｄＴを有する、
    ことを特徴とする請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の光学要素。
21. フッ化カルシウムから成り、
    前記更に別の光学要素は、石英ガラスから成り、前記光学放射の前記波長は、約１９３ナノメートルである、
    ことを特徴とする請求項２０に記載の光学要素。
22. 石英ガラスから成り、
    前記更に別の光学要素は、フッ化カルシウムから成り、前記光学放射の前記波長は、約１９３ナノメートルである、
    ことを特徴とする請求項２０に記載の光学要素。
23. 前記導体軌道（３）は、光学要素（１）の平面図において前記光学放射の伝播方向にマトリックスで配列されることを特徴とする請求項１から請求項２２のいずれか１項に記載の光学要素。
24. 前記導体軌道（３）は、光学要素（１）の平面図において前記光学放射の伝播方向に星形方式又は回転対称に放射状に配列されることを特徴とする請求項１から請求項２２のいずれか１項に記載の光学要素。
25. 前記マトリックスの構造が、等距離又は非等距離であることを特徴とする請求項２３に記載の光学要素。
26. 前記導体軌道は、光学要素（１）の平面図において前記光学放射の視線方向に見る交差点で抵抗器（８）、ダイオード、ツェナーダイオード、又はこれらの組合せを用いて接続されることを特徴とする請求項１から請求項２５のいずれか１項に記載の光学要素。
27. 前記導体軌道は、少なくとも１つの抵抗層（９）によって互いに分離されることを特徴とする請求項１から請求項２６のいずれか１項に記載の光学要素。
28. 前記導体軌道は、より小さい断面を有する更に別の導体軌道によって接続されることを特徴とする請求項１から請求項２７のいずれか１項に記載の光学要素。
29. 前記加熱ゾーン（１０１）は、個々に駆動可能であることを特徴とする請求項１から請求項２８のいずれか１項に記載の光学要素。
30. 前記導体軌道は、加熱ゾーン（１０１）に対する各場合にブリッジ（３０３）を通じて及び／又は共通バスバーによって連帯的に電気的に接点接続されることを特徴とする請求項１から請求項２９のいずれか１項に記載の光学要素。
31. １００と２２５個の間の加熱ゾーン（１０１）が存在することを特徴とする請求項１から請求項３０のいずれか１項に記載の光学要素。
32. 前記導体軌道は、約２００ボルトの作動電圧で作動させることができることを特徴とする請求項１から請求項３１のいずれか１項に記載の光学要素。
33. 前記導体軌道は、給電ワイヤと加熱ワイヤに細分化され、該給電ワイヤは、該加熱ワイヤよりも低い抵抗率を有し、及び／又は該導体軌道の一部、特に、正確には該給電ワイヤ及び／又は正確には該加熱ワイヤは、ドープされることを特徴とする請求項１から請求項３２のいずれか１項に記載の光学要素。
34. 前記導電体軌道は、それぞれ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｗｏ、Ｍｏ、Ｓｎ、又はＮｉと、Ｎｉ、Ｐｔ、又はＣｒ、又はＳｉ又はＧｅのような半導体とで構成される給電ワイヤと加熱ワイヤに細分化されることを特徴とする請求項１から請求項３３のいずれか１項に記載の光学要素。
35. 前記加熱ワイヤの進路は、少なくとも区画において半径によって丸められることを特徴とする請求項１から請求項３４のいずれか１項に記載の光学要素。
36. 前記加熱ワイヤ（３０２）は、蛇行方式に配分される方法で置かれ、該加熱ワイヤの一部は、バイパス（３０７）によって接続されることを特徴とする請求項１から請求項３５のいずれか１項に記載の光学要素。
37. ワイヤ結合又は可撓性導体膜（３５０）を用いて転送ボードに接続した１００個よりも多いか又は１０００個よりも多い接続要素が存在し、
    前記導体膜（３５０）は、折り畳まれ、及び／又はスロットに切削され、及び／又は導電接着剤を用いて前記導体軌道に連結される、
    ことを特徴とする請求項１０から請求項３６のいずれか１項に記載の光学要素。
38. 前記導体軌道は、光学要素上の光透過性誘電体、特に、ＳｉＯ₂内に埋め込まれることを特徴とする請求項１から請求項３７のいずれか１項に記載の光学要素。
39. 結晶材料、特に、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化バリウムリチウム、ルテチウムアルミニウムガーネット、又はスピネルから成ることを特徴とする請求項１から請求項３８のいずれか１項に記載の光学要素。
40. 互いに対して異なる結晶配向を有する２つの部分的要素を収容することを特徴とする請求項３９に記載の光学要素。
41. 相互交換可能な部品として設計されることを特徴とする請求項１から請求項４０のいずれか１項に記載の光学要素。
42. 前記光学システムは、マイクロリソグラフィのための投影対物器械であることを特徴とする請求項１から請求項４１のいずれか１項に記載の光学要素。
43. 請求項４２に記載の光学要素１を含むことを特徴とする、マイクロリソグラフィのための投影対物器械。
44. 前記光学要素は、投影対物器械の瞳平面に位置していることを特徴とする請求項４３に記載の投影対物器械。
45. 屈折性、反射性、又は反射屈折性であることを特徴とする請求項４３又は請求項４４に記載の投影対物器械。
46. 投影対物器械の瞳直径の１０から１５パーセントの波面の空間分解補正を保証することを特徴とする請求項４３から請求項４５のいずれか１項に記載の投影対物器械。
47. 前記光学要素の下流に配置されて特に中間像平面に物体視野の像の形態を有する視野絞り（２１５）が装備され、及び／又は開口絞り（２１３）が装備され、及び／又は投影対物器械の最後の光学活性区域の下流に絞り（２１１）が装備されることを特徴とする請求項４３から請求項４６のいずれか１項に記載の投影対物器械。
48. 既存のマニピュレータを含むことを特徴とする請求項４３から請求項４７のいずれか１項に記載の投影対物器械。
49. 前記光学要素は、前記光学放射の方向に移動可能、特に、変位可能であり、及び／又は変形可能、特に、非点変形、及び／又は３つ葉及び／又は４つ葉クローバー変形を受けることができることを特徴とする請求項４３から請求項４８のいずれか１項に記載の投影対物器械。
50. 前記光学要素は、マグニチュードに関して０．８よりも大きいか又は０．９よりも大きい部分口径比に対応する投影対物器械の位置に配列されることを特徴とする請求項４３から請求項４９のいずれか１項に記載の投影対物器械。
51. 前記光学要素は、マグニチュードに関して０．９よりも小さいか又は０．８よりも小さい部分口径比に対応する投影対物器械の位置に配列されることを特徴とする請求項４３から請求項５０のいずれか１項に記載の投影対物器械。
52. 請求項１から請求項４２のいずれか１項に記載の第２の光学要素が、マグニチュードに関して０．８よりも小さい部分口径比に対応する投影対物器械の位置に配列され、
    前記光学要素と前記第２光学要素の前記部分口径比の符号は異なっている、
    ことを特徴とする請求項５０に記載の投影対物器械。
53. 請求項１から請求項４２のいずれか１項に記載の複数の光学要素が、マグニチュードに関して０．１５又は０．３だけ異なる部分口径比に対応する投影対物器械の位置に配列されることを特徴とする請求項４３から請求項５２のいずれか１項に記載の投影対物器械。
54. 請求項１から請求項４２のいずれか１項に記載の第２の光学要素を収容し、
    前記光学要素及び前記第２の光学要素は、それらのそれぞれの導体軌道の向きに関して互いに交錯する方式で方位角方向に９０°だけ又は５°よりも小さい角度だけ対で回転される、
    ことを特徴とする請求項４３から請求項５３のいずれか１項に記載の投影対物器械。
55. 請求項４３から請求項５４のいずれか１項に記載の投影対物器械を含むことを特徴とする投影露光装置。
56. 制御コンピュータ及び波面センサを含むことを特徴とする請求項５５に記載の投影露光装置。
57. 請求項１から請求項４２のいずれか１項に記載の光学要素（１）、又は請求項４３から請求項５４のいずれか１項に記載の投影対物器械、又は請求項５５又は請求項５６に記載の投影露光装置の使用。
58. 光学放射が印加される光学システムの波面収差の少なくとも部分的な空間分解補正の方法であって、
    光学放射に対して光学活性である領域とこの光学活性領域内の導電体軌道（３）とを含む光学要素（１）を駆動する段階、
    を含み、
    前記導電体軌道は、少なくとも前記光学放射の入射方向に対して横方向の区画において最大５０マイクロメートルの直径を有し、
    前記光学要素を駆動する前記段階は、前記導電体軌道の電気的駆動によって実施される、
    ことを特徴とする方法。
59. 前記導体軌道は、横方向に３０ミリメートルよりも小さい空間分解補正を可能にする局所加熱ゾーンを形成することを特徴とする請求項５８に記載の方法。
60. 前記波面収差及び／又は前記光学放射は、時間的に変化し、時間的に変化する前記光学要素を駆動する段階が、前記導電体軌道の時間的に変化する電気的駆動によって実施されることを特徴とする請求項５８又は請求項５９に記載の方法。
61. 前記波面収差は、半径方向及び／又は方位角方向の高次の結像収差を含有することを特徴とする請求項５８から請求項６０のいずれか１項に記載の方法。
62. 電圧が、前記導体軌道（３）にパルス方式で印加されることを特徴とする請求項５８から請求項６１のいずれか１項に記載の方法。
63. 前記光学システムの更に別の光学要素における均一性及び／又は電圧収差が補正されることを特徴とする請求項５８から請求項６２のいずれか１項に記載の方法。
64. 加熱ゾーンの寄生加熱電力が、分離変換によって駆動側で分離されることを特徴とする請求項５８から請求項６２のいずれか１項に記載の方法。
65. 粗い補正が、既存のマニピュレータを用いて実施されることを特徴とする請求項５８から請求項６４のいずれか１項に記載の方法。
66. 請求項５５及び請求項５６のいずれか１項に記載のマイクロリソグラフィのための投影露光装置を作動させる方法。
67. 前記投影露光装置は、請求項５６に記載のものであり、制御コンピュータが、請求項５８から請求項６５のいずれか１項に記載の方法の１つを実施するために導電体軌道を駆動するための波面センサからの情報を使用することを特徴とする請求項６６に記載の方法。
68. 前記光学要素は、交換され、特に、更に別の構造化されていない光学要素と交換され、又は構造化されていない更に別の光学要素が、前記光学要素と交換されることを特徴とする請求項６６又は請求項６７に記載の方法。
69. 前記光学要素は、移動され、特に、前記光学放射の方向に変位され、及び／又は変形され、特に、非点変形、及び／又は３つ葉及び／又は４つ葉クローバー変形を受けることを特徴とする請求項６６から請求項６８のいずれか１項に記載の方法。
70. 前記光学要素に設定される温度分布が、前記投影対物器械における温度分布の測定及び／又はシミュレーション及び／又は外挿によって判断され、前記補正の計算が実施されることを特徴とする請求項６６から請求項６９のいずれか１項に記載の方法。
71. 前記駆動する段階は、レチクル及び／又は照明の変更の後に実施されることを特徴とする請求項６７から請求項７０のいずれか１項に記載の方法。
72. 少なくとも１つの光学活性区域を含み、少なくとも１つの導電体軌道（３）が該活性区域の領域に分散方式で配列され、該光学活性区域の該光学活性区域上に入射する電磁放射線との相互作用を該導体軌道（３）の電気的駆動によって統御することができる光学要素（１）であって、
    少なくとも１つの導体軌道（３）が、少なくとも光学放射の入射方向に対して直角の区画において５０μｍよりも短い範囲を有する、
    ことを特徴とする光学要素（１）。
73. 前記活性区域上の前記放射線の入射に関して少なくとも部分的に透過性及び／又は部分的に反射性であることを特徴とする請求項７２に記載の光学要素（１）。
74. レンズ、ミラー、又はビームスプリッタデバイスであることを特徴とする請求項７２から請求項７３のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
75. 回折構造を有することを特徴とする請求項７２から請求項７４のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
76. 互いに接続され、その間に前記導体軌道（３）が配列された２つの基板（１ａ、１ｂ）を含み、少なくとも一方の基板（１ａ）は、前記光学活性区域を有することを特徴とする請求項７２から請求項７５のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
77. 少なくとも１つの切除部（５）を有する少なくとも一方の基板（１ａ）を含み、前記導体軌道は、少なくとも部分的に該切除部（５）に配列されることを特徴とする請求項７２から請求項７６のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
78. 前記導体軌道（３）が少なくとも部分的に付加される表面を含むことを特徴とする請求項７２から請求項７７のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
79. 前記導体軌道（３）で被覆された前記表面は、少なくとも部分的に該導体軌道（３）を覆う層（６）を含むことを特徴とする請求項７２から請求項７８のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
80. 前記層（６）は、反射層、高反射（ＨＲ）層、又は反射防止（ＡＲ）層であることを特徴とする請求項７９に記載の光学要素（１）。
81. 前記導体軌道（３）のその縦方向に垂直な断面が、ほぼ矩形、台形、又は菱形プロフィールを示すことを特徴とする請求項７２から請求項８０のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
82. 前記プロフィールは、不規則に構成された縁部を有することを特徴とする請求項８１に記載の光学要素（１）。
83. ２次元及び／又は３次元の波状構造をその縦方向に沿って有する導体軌道（３）を含むことを特徴とする請求項７２から請求項８２のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
84. 少なくとも２つの導体軌道（３）が、平行に配列されることを特徴とする請求項７２から請求項８３のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
85. 少なくとも２つの導体軌道（３）が、互いに対して０°以外の角度で配列されることを特徴とする請求項７２から請求項８４のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
86. 第１の組の導体軌道（３）が、第２の組の導体軌道（３）に対して０°以外の角度で配列され、該第１及び第２の組の導体軌道（３）は、交差点（１９）で交差することを特徴とする請求項７２から請求項８５のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
87. 前記交差点（１９）は、互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項８６に記載の光学要素（１）。
88. 少なくとも１つの組の導体軌道（３）は、該導体軌道（３）の等距離配列を有することを特徴とする請求項８６及び請求項８７のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
89. 少なくとも１つの組の導体軌道（３）は、導体軌道（３）の非等距離配列を有することを特徴とする請求項８６から請求項８８のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
90. 複数の導体軌道（３）が、星形方式で配列されることを特徴とする請求項７２から請求項８９のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
91. ２つの個々に駆動可能な導体軌道（３）の間に、少なくとも１つの付加的な抵抗器（８）が、該それぞれの導体軌道（３）に電気的に接続されることを特徴とする請求項７２から請求項９０のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
92. 互いに接続された少なくとも２つの基板（１ａ、１ｂ）を含み、
    電気抵抗器（８）が間に配列された導体軌道（３）が、少なくとも２つの平面で該２つの基板（１ａ、１ｂ）の間に配列される、
    ことを特徴とする請求項７２から請求項９１のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
93. 互いに接続された少なくとも２つの基板（１ａ、１ｂ）を含み、
    電気抵抗器（８）に接続された導体軌道（３）が、少なくとも部分的に少なくとも１つの基板（１ａ）に配列される、
    ことを特徴とする請求項７２から請求項９２のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
94. 互いに重ねて配列された２つの領域の少なくとも一部分の表面に導体軌道（３）を含み、
    少なくとも１つの抵抗器（８）が、該領域の間に配列される、
    ことを特徴とする請求項７２から請求項９３のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
95. 絶縁層が、前記導体軌道（３）が配列された前記平面又は領域の間の少なくとも一部分に配列されることを特徴とする請求項９２から請求項９４のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
96. 導体軌道（３）の電気抵抗を高めるために、該導体軌道（３）は、少なくとも一部分においてその断面に関して収縮方式で形成されることを特徴とする請求項７２から請求項９５のいずれか１項に記載の光学要素（１）。
97. 請求項７２から請求項９６のいずれか１項に記載の光学活性区域の領域に配列された少なくとも１つの導電体軌道（３）を含む光学要素（１）の光学的挙動を、該光学要素（１）を局所的に加熱する目的のために少なくとも１つの導体軌道（３）を電気的に駆動することによって統御する方法。
98. 投影露光装置（３１）の結像特性を改善するためであることを特徴とする請求項９７に記載の方法。
99. 光学結像システムの結像挙動を統御するための請求項７２から請求項９６のいずれか１項に記載の光学要素（１）の使用。
100. 半導体リソグラフィのための投影露光装置（３１）の光学結像システムにおける請求項７２から請求項９６のいずれか１項に記載の光学要素（１）の使用。
101. 半導体リソグラフィのための投影露光装置（３１）であって、
     請求項７２から請求項９６に記載の少なくとも１つの光学要素（１）、
     を有することを特徴とする投影露光装置（３１）。

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