JP2010504631A - 光学要素及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図100
Description
本発明は、光学要素とこの光学要素の光学挙動を統御する方法とに関し、かつ光学システムに、好ましくは、マイクロリソグラフィのための投影露光装置における光学要素の使用に関する。更に、本発明は、本発明による光学要素を収容する半導体リソグラフィのための投影露光装置又は投影対物器械に関する。更に、本発明は、本発明によるこの投影露光装置又は本発明によるこの投影対物器械を作動させる方法に関する。
補正非球面を有する補償プレートは、収差を補償することができるが、動的に急激に変化する可能性がある収差を補償するにはむしろ不適切である。更に、補償すべき収差は、補償プレートの作成の前、従って、特に投影対物器械内へのこの補償プレートの組込みの前に既知でなくてはならない。補償プレートの組込みによって新しい波面収差が更に誘起されるので、ここでは完璧な補償は本質的に不可能である。
解決すべき明確化された問題は、波面収差、この場合は特に半径方向及び/又は方位角方向の高次の収差を可能な限り柔軟に補償することができる波面マニピュレータを見出すことにある。この問題に対する理想的な解決法は、特に半径方向及び/又は方位角方向の高次の収差を補償する制御可能な2次元補正非球面にある。
EP678786及びDE19859634A1は、レンズ又はミラーが、像収差補正に向けてアクチュエータを用いて同様に変形される投影露光装置を開示している。
しかし、レンズが操作される場合には、光学ビーム経路内の機械要素は陰影及び散乱光を引き起こすので、機械概念は、レンズ縁部の操作に限定される。レンズ縁部へのこの制約は、可能な補正プロフィール、及び特に複雑な機構によっても回避することができない半径方向の次数の本来的な制限を構成する。
レンズ又はミラーのような光学要素の非対称温度負荷を補正するためのデバイス及び方法が、同様にDE19859634A1から公知であり、ここでも光学要素は、同様にアクチュエータを用いて変形される。
更に、US6521877B1は、透過抵抗層を用いて光学要素の温度を局所的に統御することを開示しており、US6466382B2には、有利な光の受光域に対して補完的な構造を有する吸収特性を有する層をレンズ上に付加することを提案する別の解決法が開示されている。
ここで、上述の明確化された問題に対する1つの解決法は、自由に設定することができる温度プロフィールを有する光学要素を達成することにある。これは、あらゆる場所において光学要素に熱を供給することができる機能を必要とする。しかし、投影対物器械の光学性能から成る要件は、ビーム経路内に位置決めすることが許される光学活性要素に対して非常に厳しい制約を必要とする。マグニチュードの次数に関して数千分の1という最大許容均一エリアカバレージ、すなわち、ビーム経路の遮蔽が、瞳の近くの要素において生じる。この制約は、視野の近くでは、更に一層厳しい。従って、流体機械熱ポンプの使用は除外される。
従って、光学要素の光学厚みを光学要素の光学屈折率の温度依存性を用いて変更することができる。この場合には、位相変化Δφは、光学要素内を横断する加熱距離ΔZ、光学屈折率の温度感度dn/dT、及び温度変化ΔTにほぼ比例する。
Δφ=ΔZ(dn/dT)ΔT
すなわち、所定の光学要素幾何学形状において、位相変化は、温度変化にほぼ比例する。従って、光学要素を通過する光学波面は、光学要素の温度プロフィールに応じて波面変形を受ける。逆に、変形を受けた波面は、適切な逆の温度プロフィールによって補正することができる。一般的に1ケルビン未満から数ケルビンまでの非常に小さい温度範囲内では、これらの温度にわたって屈折率の温度変化を一定であると仮定することができる。石英ガラスでは、例えば、約0.002/1mKの感度が生じ、すなわち、20mmのガラス厚において、1Kの温度変動で400nmの位相効果を発生させることができる。
この位相効果は、マイクロリソグラフィのための投影対物器械における典型的な振幅の高次の波面収差の補正には十分である。
Δφ≒Δn(dZ/dT)ΔT
この場合、光学要素における導電体軌道の配列に依存して、光学要素の屈折率変化からの効果と光学要素の光学活性面積の形態変化との割合は変化する。ミラーの場合には、当然ながら光学要素の光学活性面積変化のみが効果を有する。
光学要素の光学作用に対する導電体軌道自体の悪影響を回避するためには、導電体軌道の直径だけでなく、光学要素内の導電体軌道によって全体として引き起こされる遮蔽を制限することが必要である。
光学要素内に好ましくは分散方式で配列されたこの少なくとも1つの導電性導体軌道は、光学要素の光学活性区域上及び光学要素内の光学活性区域の下の両方に配列することができる。更に、本発明による光学要素の導電性導体軌道は、導電体軌道を電気的に駆動するための接続要素を含む。
本発明による光学要素は、イオンビーム加工によって製造される補正非球面を用いた時のものと同様の空間分解能で電磁放射線の波面の管理を可能にするが、従来の手法とは対照的に、設定を数秒内で動的に変更することができる。
本発明による光学要素のこの少なくとも1つの導電体軌道は、少なくとも各区画において50μmよりも小さい直径又は断面寸法を有することができ、好ましくは、直径又は断面寸法は、50nmと1μmの間にある。
図101は、光学要素1に対する加熱の2つの効果を示している。これらの2つの効果は、空間的に局所的な性質を有するので、光学要素1からの抜粋部分のみを図2に例示している。2つの効果の第1のものは、光学要素の屈折率に対する効果である。
Δφ≒ΔZ(dn/dT)ΔT
第2の効果は、光学要素の膨張及びそれに関連する形態変化のものである。
Δφ’≒Δn(dn/dT)ΔT
また、光学要素を1つの基板から形成し、導体軌道をこの光学要素の表面領域内に置くことができる。
図3は、実現化に少ない経費しか伴わない本発明の実施形態を示している。この場合には、導体軌道3は、基板1の研磨済み表面上に配列される。基板1及び同様に導体軌道3は、光学層6によって覆われる。光学層6は、例えば、反射防止層とすることができ、又はそうでなければミラーが光学要素1として用いられる場合は高反射層とすることができる。図3の実施形態を製造するために、光学層6は、既に導体軌道3が設けられた基板1に付加され、基板1の光学面及び導体軌道3を覆う。光学層6のための製作過程に依存して、光学層6は、その付加の後に導体軌道領域内で高くなってもよく、光学層6の付加に続く研磨段階によってそこを平坦化することができる。
この場合には、導体軌道は、少なくとも光学放射の入射方向に対して横方向の区画において最大1マイクロメートル又は0.5マイクロメートルと0.01マイクロメートルの間の断面を有することができる。導体軌道間の離間は、0.01ミリメートルと1ミリメートルとの間である。0.05ミリメートルと0.5ミリメートルの間の間隔、又は特に0.1ミリメートルの間隔も可能である。
図6は、導体軌道3がマトリックス方式で配列された光学要素1を平面図で示している。水平及び垂直の導体軌道は、加熱抵抗器又はコイル(この図には例示していない)を通じて接続される。本発明のこの変形は、導体軌道3の各々の場合で別々の接点接続により、導体軌道3の交差点において局所的に加熱を行う可能性をもたらす。図6に示している導体軌道の配列は、個々の製造業者において発生する可能性があるもののような光学要素に用いられる材料の組成における帯状変化を補償する可能性を開くものである。全ての交差点を個々に駆動することを可能にするためには、図面平面から出る方向における導体軌道のオフセットが当然ながら必要である。しかし、個々の導体軌道の結合も、光学放射によって引き起こされる光学要素の加熱の予め既知の対称特性の場合に有利なものとすることができる。更に、個々の導体軌道に印加される電圧は、パルス方式で駆動することができる。
更に別の回転対称の変形を図9bに平面図で示している。この実施形態では、更に別の加熱抵抗器は設けられない。局所的に異なる熱入力は、導体軌道の局所的に異なる密度によって達成される。それによって光学要素1における空間高分解能温度制御が可能になる。
1つの代替形態は、2つの導体軌道3a及び3bを小さい断面を有する更に別の導体軌道によって接続することにある。この目的のためには、抵抗層9の代わりに絶縁層が必要であるという相違点を伴って、図11及び12に例示している手法を用いなければならない。この場合には、更に別の導体軌道は、スポット溶接、レーザ溶接、スパークフラッシュオーバー、又はリソグラフィ製造工程によって絶縁層を局所的に穿孔することによって製造することができ、交差点において、有限ではあるが、依然として導体軌道の軌道抵抗よりも有意に高い抵抗を有する導体軌道3aと3bの間の領域が生成される。
本発明の場合に起こり得る1つの問題は、個々の導体軌道の間のクロストークである。この問題は、特に平面図で見た光学要素内のエリアカバレージが非常に大きくなる時に関わってくる。
照明環境及び結像される構造に依存して、この瞳平面内の光強度は異なって集中され、更に双極照明環境の場合は特に比較的大きい程度に異なって集中される。例えば、全ての回折次数に均一に影響を与える加熱要素のエリアカバレージが選択される。
従って、双極スポットの一般的なサイズにわたって平均されたエリアカバレージは、光学的に自由な領域にわたって、すなわち、有利な光学放射が通過する領域にわたって数パーセント以内で均一でなければならない。
寄生加熱電力成分は、列内の加熱ゾーン101の数から1を引いたもの、並びにゾーンに沿った給電抵抗及び加熱抵抗に比例する。横方向の範囲で10個の加熱ゾーン101を含む加熱アレイ及び求められる10%のクロストークでは、必要な抵抗比Rfeed(給電ワイヤ301の抵抗)d/Rheat(加熱ワイヤ302の抵抗)=1/90が生じ、15個の加熱ゾーン101を含む加熱アレイの場合には、Rfeed/Rheat=1/140が生じる。給電ワイヤ301及び加熱ワイヤ302の抵抗は、ワイヤの幅、層の厚み、材料選択によって設定することができ、更にワイヤの有効長によって設定することができる。本発明によるそのような光学要素は、100個から225個の加熱ゾーンを有する。
給電ワイヤ301、蛇行加熱ワイヤ302、及び個々の区画の間の移行領域306の実施形態を図17に示している。加熱ワイヤ302の内側のコーナにおける高電流密度を回避するために、加熱ワイヤ302の進路は、少なくとも区画においてある半径によって丸められる。
代替的な実施形態では、ブリッジ303は、結合ワイヤによって達成され、それによって第2のレベルのパターン化を不要にすることができる。
更に別の代替的な実施形態では、ブリッジ303は、接続ボード内で達成される。この場合には、接点接続点の数は導体軌道3の数に対応するが、引き出される線の数は、加熱ゾーン101の数まで低減する。
代替形態として、図20に示しているように、電気的な連結のために可撓性導体膜350を用いることができる。すなわち、この場合は加熱ゾーン101に割り当てられた全ての給電ワイヤ301を可撓性導体膜上の同じ接点接続軌道351上に整列して互いに縦列で配列することができ、それによって接点接続の複雑度が低減する。更に、同じ導体膜350上に1つの行に関連付けられた接点接続軌道を配列することができる。可撓性導体膜350の区域剛性を低減するために、S字形態又は蛇腹に似た複数の波形を付加することができる。更に、光学要素の変形を生成する恐れのあるせん断応力が、可撓性導体膜350の区域剛性によって強まるのを防止するために、可撓性導体膜350に、接点接続列に沿った区画においてスロットが切削される。可撓性導体膜350を本発明による光学要素の接点に電気的に接点接続するのに適する方法は、導電接着剤、異方性導電接着剤又は接着テープ、異方性導電テープ、スタンプ式半田付け、炉内半田付け、熱風半田付け、又はレーザ半田付けによる半田付け接続、更に同じくワイヤ結合である。
沿面電流及びフラッシュオーバーを回避するために、光学要素上の導体軌道をSiO2層又はいずれか他の光学的に透過的な誘電体層内に埋め込むことができる。そのような層は、起こり得る表面不良、及びパターン化処理によって引き起こされる凹凸を覆い、光学要素の必要な表面精度を得るために過研磨することができる。
投影露光装置のウェーハ平面内で、導体軌道によって引き起こされる散乱光成分は、エリアカバレージ以外に、走査方向に対する導体軌道の向きに依存するものとすることができる。本発明による光学要素の下流の視野位置内の視野絞りは、導体軌道によって引き起こされる散乱光が露光すべきウェーハ上に入射しないように、この散乱光のかなりの部分を吸収することができる。この場合には、視野絞りの好ましい形態は、物体視野、特にスキャナ視野の像に対応する。スキャナスロットは、走査方向にこの方向に対して垂直の方向よりも有意に幅狭であるから、散乱光が走査方向に回折されるように、ワイヤを走査方向に対して垂直に配列することができ、この場合には、この走査方向のより幅狭な視野開口により、この走査方向に対して垂直な方向よりも有意に大きな部分が吸収される。
一般的に迷光は、回折の場所における伝播方向が有利な方向から、すなわち、有利な光学放射に与えられた方向から偏位する光である。この回折が瞳の近くで発生する場合には、この方向変化は、像における位置変化に変換され、それによっていわゆる二重像又はゴースト像が引き起こされる。
1.光学補正要素を設計する段階。
2.この光学補正要素の回折作用を判断する段階。
3.有利なビーム経路及び同じくシステムを通じて回折される光の光路を計算する段階。この計算は、例えば、光線ベースのシミュレーションの関連における試験区域をシステム内に位置決めし、各場合に、この試験区域上で有利な放射線及び散乱光が通過する領域を計算することによって行うことができる。
4.迷光が通過するが、有利な光は通過しない対物器械領域を判断する段階。この判断は、段階3で説明した試験区域の領域の差動セットを形成することによって行うことができる。
5.これらの対物器械領域が、迷光絞りを位置決めするのに適切であるか否かを試験する段階。適切な場合には、迷光絞りをこれらの場所に設ける。
−有利なビーム経路内の光が、影響を受けずに迷光絞りを通過する。
−通常の照射を受けて導体軌道又は熱アクチュエータによって回折される光のうちの少なくとも1つの部分が迷光絞りに当たる。
上述の矩形視野を有するシステムでは、視野は、走査方向におけるよりも走査方向に対して直角方向において大きい。これに応じて迷光は、この視野の「短い」方向において、それに対して垂直方向におけるよりも容易に吸収することができる。従って、走査方向に対して垂直方向に向けられた直線的な導体軌道を通る散乱光は、より容易に吸収、及び従って低減することができる。
また、光の方向に本発明の光学要素の下流に配列された少なくとも1つの開口絞りの使用も、散乱光を抑制するのに有効な可能性である。
また、光学投影対物器械の最後の区域も、散乱光を吸収することができる場所である。
本発明による光学要素の現実の更に別の形態を下記に提供する。
また、本発明による光学要素を達成するのに、紫外範囲内で固有の複屈折を提供するフッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化バリウムリチウム、他のフッ化物、LuAG(ルテチウムアルミニウムガーネット)、又はスピネルのような結晶光学材料の使用を想定することができる。システム内で結果として生じる複屈折を小さく保つために、これらの要素を加算効果が許容限度を超えないように、異なる結晶配向及び光軸回りに異なる回転位置を有する部分要素に分割することが既に提案されている。
本発明の代替的な変形では、導体軌道又は熱アクチュエータによって引き起こされる不可避の回折効果を望ましい回折光学効果として用いることを想定することができる。言い換えれば、光学効果に付加される導電体構造は、望ましい光学作用及び望ましい熱作用両方を有することになる。
本発明による光学要素の設計又は適用における補正計画では、一例として最大許容電流が制限要因を示すので、特にこれらの光学要素の補正潜在力が制限されることを考慮すべきである。従って、一例では、本発明による光学要素を従来のマニピュレータ(波長、ガス組成、ガス圧力、及びガス温度、光学要素の剛体移動、又は光学要素の縁部からの撓み)と組み合わせて、これらの従来のマニピュレータを用いて行程重視の粗調整を行う段階が設けられ、一方でより微細な補正のみが本発明による光学要素を用いて達成される。ある一定の補正自由度を原理的に両方の方向に励起することができるが、1つの方向にしか励起する必要がないことが既知である場合には、マニピュレータの移動により、そうでなければ無用な補正方向にゼロ状態が既に達成されていることになるように、システム内で(本発明による光学要素自体又は同等の部分開口位置にあるいずれかの他の光学要素のいずれかにおいて)例えば非球面化により、必要な方向にバイアスを発生させることができる。その後、この「無用」補正方向から戻すマニピュレータの移動により、望ましい補正作用を得ることができる。波面補正のために利用可能な二重調節範囲は、上述のバイアスのない手順との比較をもたらす。
一例では、本発明による光学要素は、交換可能な部品として設計することができる。従って、一例では、本発明による補正手段を投影露光装置の好ましい使用、すなわち、例えば、双極又は四重極照明に適応させることができる。更に、交換可能な部品は、異なる表面形態の結果として異なる非球面効果を有することができ、又は例えば圧密化の得られる投影対物器械の特定の変化の補正に向けて設計することができる。
従って、本発明による光学要素が、投影露光装置の作動中に交換することができ、すなわち、特に機械的に交換することができるホルダ内に保持することができ、簡単な接近性に対して予防措置が取られるように設計されるならば有利である。
本発明による光学効果のいくつかの好ましい位置を例示的に以下に説明する。この場合には、いわゆる近軸部分口径比が、システム内の位置の基準値としての役割を達成する。
ビーム経路内の2つの平面は、これらの平面が同じ近軸部分口径比を有する場合に共役と呼ばれる。瞳平面は互いに共役であり、視野平面も同様である。
一実施形態では、投影対物器械内の異なる場所に配列された本発明による2つの光学要素において、それぞれの近軸部分口径比は、少なくとも0.15、好ましくは、0.3だけ互いに異なる。
同様に、本発明は、マイクロリソグラフィのための反射結像投影対物器械内に用いることができる。
本発明による2つ又は一般的に複数の光学要素を用いることにより、本発明において更に発生する問題点として、モアレ効果を回避することが浮上する。本発明の以下の実施形態は、マイクロリソグラフィのための投影対物器械のために立案したものである。しかし、これらの実施形態は、他の光学システムにおいても想定することができる。
露光が起動された後に、ウェーハ32は、同じウェーハ32上で、各々がレチクル35によって規定された構造を有する複数の個々の視野が露光されるように矢印方向に更に移動される。この場合には、露光処理自体は、互いに対するウェーハとレチクルとの相対静止位置の間(ウェーハステッパ)、又はウェーハとレチクルとの相対移動の間(ウェーハスキャナ)で実施することができる。
ビーム41によってレチクル35の像が発生し、上述したように、投影対物器械37によって相応に縮小される方式でウェーハ32に転写される。投影対物器械37は、例えば、レンズ、ミラー、プリズム、終端プレートなどのような複数の個々の屈折、回折、及び/又は反射光学要素を有する。
Claims (101)
- 光学放射が印加される光学システムの波面収差の少なくとも部分的な空間分解補正のための光学要素(1)であって、
光学放射に対して光学活性である領域と、
少なくとも前記光学放射の入射方向に対して横方向の区画において最大50マイクロメートルの直径を有する、前記光学活性領域内の導電体軌道(3)と、
を含むことを特徴とする光学要素。 - 前記導電体軌道は、横方向に30ミリメートルよりも小さい前記空間分解補正を可能にする局所加熱ゾーンを形成することを特徴とする請求項1に記載の光学要素。
- 前記波面収差は、方位角方向及び/又は半径方向に高次である結像収差を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光学要素。
- 前記加熱ゾーンによって発生させることができる温度プロフィールが、前記光学放射によって光学要素に発生させることができる温度プロフィールの逆であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導電体軌道は、少なくとも前記光学放射の入射方向に対して横方向の区画において最大1マイクロメートル又は0.5と0.01マイクロメートルの間の断面を有し、及び/又は該導体軌道の離間は、0.01と1、好ましくは、0.05と0.5の間、非常に好ましくは、約0.1ミリメートルであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光学要素。
- レンズ、収束レンズ、発散レンズ、フレネルレンズ、フレネルゾーンプレート、平面プレート、楔プレート、ミラー、又はビームスプリッタであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記光学放射の波長が、0.01から1マイクロメートルのスペクトル範囲にあることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記光学放射の前記波長は、約248、193、又は13ナノメートルであることを特徴とする請求項7に記載の光学要素。
- 前記光学活性領域は、前記導体軌道の少なくとも一部分を含む透過部分を有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道は、駆動するための電気接続要素を有することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記波面収差は、前記光学システムの更に別の光学要素の圧密化及び/又は希薄化によって引き起こされる可能性がある結像収差を含むことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道は、光学要素の表面の前記領域に位置していることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の光学要素。
- 第1の基板(1a)及び第2の基板(1b)から構成され、
前記導体軌道(3)は、前記2つの基板の間に配列される、
ことを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の光学要素。 - 前記第1の基板(1a)は、セメント層(4)を用いて前記第2の基板(1b)に接続されることを特徴とする請求項13に記載の光学要素。
- 前記導体軌道(3)は、切除部(5)に配列されることを特徴とする請求項13又は請求項14に記載の光学要素。
- 前記導体軌道(3)は、反射防止又は高反射性層である光学層(6)によって覆われることを特徴とする請求項13から請求項15のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道の前記断面は、台形であり、及び/又は該導体軌道の縁部及び/又はコーナが、丸められていることを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道のコイルが、前記光学放射を印加することができる領域に対して補完的な領域に存在することを特徴とする請求項1から請求項17のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記放射線を印加することができる前記領域は、双極又は四重極の形態を有することを特徴とする請求項18に記載の光学要素。
- 前記導体軌道のコイルが、前記光学放射を印加することができる領域に存在し、
前記光学放射の前記波長において、該光学放射が印加される前記光学システムの更に別の光学要素のものとその符号に則して反対であるdn/dTを有する、
ことを特徴とする請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の光学要素。 - フッ化カルシウムから成り、
前記更に別の光学要素は、石英ガラスから成り、前記光学放射の前記波長は、約193ナノメートルである、
ことを特徴とする請求項20に記載の光学要素。 - 石英ガラスから成り、
前記更に別の光学要素は、フッ化カルシウムから成り、前記光学放射の前記波長は、約193ナノメートルである、
ことを特徴とする請求項20に記載の光学要素。 - 前記導体軌道(3)は、光学要素(1)の平面図において前記光学放射の伝播方向にマトリックスで配列されることを特徴とする請求項1から請求項22のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道(3)は、光学要素(1)の平面図において前記光学放射の伝播方向に星形方式又は回転対称に放射状に配列されることを特徴とする請求項1から請求項22のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記マトリックスの構造が、等距離又は非等距離であることを特徴とする請求項23に記載の光学要素。
- 前記導体軌道は、光学要素(1)の平面図において前記光学放射の視線方向に見る交差点で抵抗器(8)、ダイオード、ツェナーダイオード、又はこれらの組合せを用いて接続されることを特徴とする請求項1から請求項25のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道は、少なくとも1つの抵抗層(9)によって互いに分離されることを特徴とする請求項1から請求項26のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道は、より小さい断面を有する更に別の導体軌道によって接続されることを特徴とする請求項1から請求項27のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記加熱ゾーン(101)は、個々に駆動可能であることを特徴とする請求項1から請求項28のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道は、加熱ゾーン(101)に対する各場合にブリッジ(303)を通じて及び/又は共通バスバーによって連帯的に電気的に接点接続されることを特徴とする請求項1から請求項29のいずれか1項に記載の光学要素。
- 100と225個の間の加熱ゾーン(101)が存在することを特徴とする請求項1から請求項30のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道は、約200ボルトの作動電圧で作動させることができることを特徴とする請求項1から請求項31のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導体軌道は、給電ワイヤと加熱ワイヤに細分化され、該給電ワイヤは、該加熱ワイヤよりも低い抵抗率を有し、及び/又は該導体軌道の一部、特に、正確には該給電ワイヤ及び/又は正確には該加熱ワイヤは、ドープされることを特徴とする請求項1から請求項32のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記導電体軌道は、それぞれ、Ag、Cu、Au、Al、Wo、Mo、Sn、又はNiと、Ni、Pt、又はCr、又はSi又はGeのような半導体とで構成される給電ワイヤと加熱ワイヤに細分化されることを特徴とする請求項1から請求項33のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記加熱ワイヤの進路は、少なくとも区画において半径によって丸められることを特徴とする請求項1から請求項34のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記加熱ワイヤ(302)は、蛇行方式に配分される方法で置かれ、該加熱ワイヤの一部は、バイパス(307)によって接続されることを特徴とする請求項1から請求項35のいずれか1項に記載の光学要素。
- ワイヤ結合又は可撓性導体膜(350)を用いて転送ボードに接続した100個よりも多いか又は1000個よりも多い接続要素が存在し、
前記導体膜(350)は、折り畳まれ、及び/又はスロットに切削され、及び/又は導電接着剤を用いて前記導体軌道に連結される、
ことを特徴とする請求項10から請求項36のいずれか1項に記載の光学要素。 - 前記導体軌道は、光学要素上の光透過性誘電体、特に、SiO2内に埋め込まれることを特徴とする請求項1から請求項37のいずれか1項に記載の光学要素。
- 結晶材料、特に、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化バリウムリチウム、ルテチウムアルミニウムガーネット、又はスピネルから成ることを特徴とする請求項1から請求項38のいずれか1項に記載の光学要素。
- 互いに対して異なる結晶配向を有する2つの部分的要素を収容することを特徴とする請求項39に記載の光学要素。
- 相互交換可能な部品として設計されることを特徴とする請求項1から請求項40のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記光学システムは、マイクロリソグラフィのための投影対物器械であることを特徴とする請求項1から請求項41のいずれか1項に記載の光学要素。
- 請求項42に記載の光学要素1を含むことを特徴とする、マイクロリソグラフィのための投影対物器械。
- 前記光学要素は、投影対物器械の瞳平面に位置していることを特徴とする請求項43に記載の投影対物器械。
- 屈折性、反射性、又は反射屈折性であることを特徴とする請求項43又は請求項44に記載の投影対物器械。
- 投影対物器械の瞳直径の10から15パーセントの波面の空間分解補正を保証することを特徴とする請求項43から請求項45のいずれか1項に記載の投影対物器械。
- 前記光学要素の下流に配置されて特に中間像平面に物体視野の像の形態を有する視野絞り(215)が装備され、及び/又は開口絞り(213)が装備され、及び/又は投影対物器械の最後の光学活性区域の下流に絞り(211)が装備されることを特徴とする請求項43から請求項46のいずれか1項に記載の投影対物器械。
- 既存のマニピュレータを含むことを特徴とする請求項43から請求項47のいずれか1項に記載の投影対物器械。
- 前記光学要素は、前記光学放射の方向に移動可能、特に、変位可能であり、及び/又は変形可能、特に、非点変形、及び/又は3つ葉及び/又は4つ葉クローバー変形を受けることができることを特徴とする請求項43から請求項48のいずれか1項に記載の投影対物器械。
- 前記光学要素は、マグニチュードに関して0.8よりも大きいか又は0.9よりも大きい部分口径比に対応する投影対物器械の位置に配列されることを特徴とする請求項43から請求項49のいずれか1項に記載の投影対物器械。
- 前記光学要素は、マグニチュードに関して0.9よりも小さいか又は0.8よりも小さい部分口径比に対応する投影対物器械の位置に配列されることを特徴とする請求項43から請求項50のいずれか1項に記載の投影対物器械。
- 請求項1から請求項42のいずれか1項に記載の第2の光学要素が、マグニチュードに関して0.8よりも小さい部分口径比に対応する投影対物器械の位置に配列され、
前記光学要素と前記第2光学要素の前記部分口径比の符号は異なっている、
ことを特徴とする請求項50に記載の投影対物器械。 - 請求項1から請求項42のいずれか1項に記載の複数の光学要素が、マグニチュードに関して0.15又は0.3だけ異なる部分口径比に対応する投影対物器械の位置に配列されることを特徴とする請求項43から請求項52のいずれか1項に記載の投影対物器械。
- 請求項1から請求項42のいずれか1項に記載の第2の光学要素を収容し、
前記光学要素及び前記第2の光学要素は、それらのそれぞれの導体軌道の向きに関して互いに交錯する方式で方位角方向に90°だけ又は5°よりも小さい角度だけ対で回転される、
ことを特徴とする請求項43から請求項53のいずれか1項に記載の投影対物器械。 - 請求項43から請求項54のいずれか1項に記載の投影対物器械を含むことを特徴とする投影露光装置。
- 制御コンピュータ及び波面センサを含むことを特徴とする請求項55に記載の投影露光装置。
- 請求項1から請求項42のいずれか1項に記載の光学要素(1)、又は請求項43から請求項54のいずれか1項に記載の投影対物器械、又は請求項55又は請求項56に記載の投影露光装置の使用。
- 光学放射が印加される光学システムの波面収差の少なくとも部分的な空間分解補正の方法であって、
光学放射に対して光学活性である領域とこの光学活性領域内の導電体軌道(3)とを含む光学要素(1)を駆動する段階、
を含み、
前記導電体軌道は、少なくとも前記光学放射の入射方向に対して横方向の区画において最大50マイクロメートルの直径を有し、
前記光学要素を駆動する前記段階は、前記導電体軌道の電気的駆動によって実施される、
ことを特徴とする方法。 - 前記導体軌道は、横方向に30ミリメートルよりも小さい空間分解補正を可能にする局所加熱ゾーンを形成することを特徴とする請求項58に記載の方法。
- 前記波面収差及び/又は前記光学放射は、時間的に変化し、時間的に変化する前記光学要素を駆動する段階が、前記導電体軌道の時間的に変化する電気的駆動によって実施されることを特徴とする請求項58又は請求項59に記載の方法。
- 前記波面収差は、半径方向及び/又は方位角方向の高次の結像収差を含有することを特徴とする請求項58から請求項60のいずれか1項に記載の方法。
- 電圧が、前記導体軌道(3)にパルス方式で印加されることを特徴とする請求項58から請求項61のいずれか1項に記載の方法。
- 前記光学システムの更に別の光学要素における均一性及び/又は電圧収差が補正されることを特徴とする請求項58から請求項62のいずれか1項に記載の方法。
- 加熱ゾーンの寄生加熱電力が、分離変換によって駆動側で分離されることを特徴とする請求項58から請求項62のいずれか1項に記載の方法。
- 粗い補正が、既存のマニピュレータを用いて実施されることを特徴とする請求項58から請求項64のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項55及び請求項56のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィのための投影露光装置を作動させる方法。
- 前記投影露光装置は、請求項56に記載のものであり、制御コンピュータが、請求項58から請求項65のいずれか1項に記載の方法の1つを実施するために導電体軌道を駆動するための波面センサからの情報を使用することを特徴とする請求項66に記載の方法。
- 前記光学要素は、交換され、特に、更に別の構造化されていない光学要素と交換され、又は構造化されていない更に別の光学要素が、前記光学要素と交換されることを特徴とする請求項66又は請求項67に記載の方法。
- 前記光学要素は、移動され、特に、前記光学放射の方向に変位され、及び/又は変形され、特に、非点変形、及び/又は3つ葉及び/又は4つ葉クローバー変形を受けることを特徴とする請求項66から請求項68のいずれか1項に記載の方法。
- 前記光学要素に設定される温度分布が、前記投影対物器械における温度分布の測定及び/又はシミュレーション及び/又は外挿によって判断され、前記補正の計算が実施されることを特徴とする請求項66から請求項69のいずれか1項に記載の方法。
- 前記駆動する段階は、レチクル及び/又は照明の変更の後に実施されることを特徴とする請求項67から請求項70のいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1つの光学活性区域を含み、少なくとも1つの導電体軌道(3)が該活性区域の領域に分散方式で配列され、該光学活性区域の該光学活性区域上に入射する電磁放射線との相互作用を該導体軌道(3)の電気的駆動によって統御することができる光学要素(1)であって、
少なくとも1つの導体軌道(3)が、少なくとも光学放射の入射方向に対して直角の区画において50μmよりも短い範囲を有する、
ことを特徴とする光学要素(1)。 - 前記活性区域上の前記放射線の入射に関して少なくとも部分的に透過性及び/又は部分的に反射性であることを特徴とする請求項72に記載の光学要素(1)。
- レンズ、ミラー、又はビームスプリッタデバイスであることを特徴とする請求項72から請求項73のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 回折構造を有することを特徴とする請求項72から請求項74のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 互いに接続され、その間に前記導体軌道(3)が配列された2つの基板(1a、1b)を含み、少なくとも一方の基板(1a)は、前記光学活性区域を有することを特徴とする請求項72から請求項75のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 少なくとも1つの切除部(5)を有する少なくとも一方の基板(1a)を含み、前記導体軌道は、少なくとも部分的に該切除部(5)に配列されることを特徴とする請求項72から請求項76のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 前記導体軌道(3)が少なくとも部分的に付加される表面を含むことを特徴とする請求項72から請求項77のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 前記導体軌道(3)で被覆された前記表面は、少なくとも部分的に該導体軌道(3)を覆う層(6)を含むことを特徴とする請求項72から請求項78のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 前記層(6)は、反射層、高反射(HR)層、又は反射防止(AR)層であることを特徴とする請求項79に記載の光学要素(1)。
- 前記導体軌道(3)のその縦方向に垂直な断面が、ほぼ矩形、台形、又は菱形プロフィールを示すことを特徴とする請求項72から請求項80のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 前記プロフィールは、不規則に構成された縁部を有することを特徴とする請求項81に記載の光学要素(1)。
- 2次元及び/又は3次元の波状構造をその縦方向に沿って有する導体軌道(3)を含むことを特徴とする請求項72から請求項82のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 少なくとも2つの導体軌道(3)が、平行に配列されることを特徴とする請求項72から請求項83のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 少なくとも2つの導体軌道(3)が、互いに対して0°以外の角度で配列されることを特徴とする請求項72から請求項84のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 第1の組の導体軌道(3)が、第2の組の導体軌道(3)に対して0°以外の角度で配列され、該第1及び第2の組の導体軌道(3)は、交差点(19)で交差することを特徴とする請求項72から請求項85のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 前記交差点(19)は、互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項86に記載の光学要素(1)。
- 少なくとも1つの組の導体軌道(3)は、該導体軌道(3)の等距離配列を有することを特徴とする請求項86及び請求項87のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 少なくとも1つの組の導体軌道(3)は、導体軌道(3)の非等距離配列を有することを特徴とする請求項86から請求項88のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 複数の導体軌道(3)が、星形方式で配列されることを特徴とする請求項72から請求項89のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 2つの個々に駆動可能な導体軌道(3)の間に、少なくとも1つの付加的な抵抗器(8)が、該それぞれの導体軌道(3)に電気的に接続されることを特徴とする請求項72から請求項90のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 互いに接続された少なくとも2つの基板(1a、1b)を含み、
電気抵抗器(8)が間に配列された導体軌道(3)が、少なくとも2つの平面で該2つの基板(1a、1b)の間に配列される、
ことを特徴とする請求項72から請求項91のいずれか1項に記載の光学要素(1)。 - 互いに接続された少なくとも2つの基板(1a、1b)を含み、
電気抵抗器(8)に接続された導体軌道(3)が、少なくとも部分的に少なくとも1つの基板(1a)に配列される、
ことを特徴とする請求項72から請求項92のいずれか1項に記載の光学要素(1)。 - 互いに重ねて配列された2つの領域の少なくとも一部分の表面に導体軌道(3)を含み、
少なくとも1つの抵抗器(8)が、該領域の間に配列される、
ことを特徴とする請求項72から請求項93のいずれか1項に記載の光学要素(1)。 - 絶縁層が、前記導体軌道(3)が配列された前記平面又は領域の間の少なくとも一部分に配列されることを特徴とする請求項92から請求項94のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 導体軌道(3)の電気抵抗を高めるために、該導体軌道(3)は、少なくとも一部分においてその断面に関して収縮方式で形成されることを特徴とする請求項72から請求項95のいずれか1項に記載の光学要素(1)。
- 請求項72から請求項96のいずれか1項に記載の光学活性区域の領域に配列された少なくとも1つの導電体軌道(3)を含む光学要素(1)の光学的挙動を、該光学要素(1)を局所的に加熱する目的のために少なくとも1つの導体軌道(3)を電気的に駆動することによって統御する方法。
- 投影露光装置(31)の結像特性を改善するためであることを特徴とする請求項97に記載の方法。
- 光学結像システムの結像挙動を統御するための請求項72から請求項96のいずれか1項に記載の光学要素(1)の使用。
- 半導体リソグラフィのための投影露光装置(31)の光学結像システムにおける請求項72から請求項96のいずれか1項に記載の光学要素(1)の使用。
- 半導体リソグラフィのための投影露光装置(31)であって、
請求項72から請求項96に記載の少なくとも1つの光学要素(1)、
を有することを特徴とする投影露光装置(31)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006045075.2 | 2006-09-21 | ||
DE102006045075A DE102006045075A1 (de) | 2006-09-21 | 2006-09-21 | Steuerbares optisches Element |
PCT/EP2007/008266 WO2008034636A2 (de) | 2006-09-21 | 2007-09-21 | Optisches element und verfahren |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010504631A true JP2010504631A (ja) | 2010-02-12 |
JP2010504631A5 JP2010504631A5 (ja) | 2010-11-11 |
JP5453673B2 JP5453673B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=39134083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009528651A Expired - Fee Related JP5453673B2 (ja) | 2006-09-21 | 2007-09-21 | 光学要素及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8891172B2 (ja) |
EP (2) | EP2650730A2 (ja) |
JP (1) | JP5453673B2 (ja) |
KR (1) | KR101493535B1 (ja) |
CN (1) | CN101517489B (ja) |
DE (1) | DE102006045075A1 (ja) |
WO (1) | WO2008034636A2 (ja) |
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- 2007-09-21 EP EP13175621.5A patent/EP2650730A2/de not_active Withdrawn
- 2007-09-21 JP JP2009528651A patent/JP5453673B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100921 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100921 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131111 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5453673 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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