KR20090057309A - 열적으로 안정한 저항을 갖는 인덕터 - Google Patents

열적으로 안정한 저항을 갖는 인덕터 Download PDF

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제로미 제이. 호프만
티모씨 샤퍼
니콜라스 제이. 샤데
데이비드 랭
클락 스미쓰
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Abstract

인덕터(10, 100, 120)는 상부 표면(14)과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들(18, 20)을 가지는 인덕터 바디(12, 102, 124)를 포함한다. 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들 사이에는 인덕터 바디를 관통하는 보이드(28)가 제공된다. 열적으로 안정한 저항성 부재(30, 84, 98, 122)가 위치되며 켈빈(kelvin) 타입 감지를 위해 사용될 수 있는 표면 실장 단자들(32, 34, 38, 40, 126, 128)이 형성되도록 상부 표면을 향해 구부러진다. 인덕터 바디가 페라이트로 형성될 경우, 인덕터 바디는 슬롯(26)을 포함한다. 저항성 부재는 천공된 저항성 스트립(84)으로 형성되며 부분적 권선 또는 다수의 권선들(94)이 제공된다. 인덕터는 저항성 부재 부근에 형성된 분산형 갭 자성 물질(124)로 형성될 수 있다. 인덕터를 제조하는 방법은 열적으로 안정한 저항성 부재가 인덕터 바디로부터 연장되도록, 열적으로 안정한 저항성 부재 부근에 인덕터 바디(12, 102, 124)를 위치시키는 단계를 포함한다.

Description

열적으로 안정한 저항을 갖는 인덕터{INDUCTOR WITH THERMALLY STABLE RESISTANCE}
본 발명은 열적으로 안정한 저항을 갖는 인덕터에 관한 것이다.
인덕터들은 비-절연형(non-isolated) DC/DC 컨버터들에서 에너지 저장 장치들로서 오랫동안 사용되어 왔다. 고전류의 열적으로 안정한 레지스터들 또한 전류 감지를 위해 동시에 사용되었으나, DC/DC 컨버터의 전체 효율을 감소시키는 전력 감소 및 관련된 전압 강하가 수반된다. 점차적으로, DC/DC 컨버터 제조자들은 PC 보드 유효 영역(real estate)으로부터 보다 작고, 보다 빠르고 보다 복잡한 시스템에 대한 요구로 압박되고 있다. 이용가능한 공간의 축소로 부품 개수를 감소시키는 것이 요구되고 있으나, 전력 증가가 요구되며 보다 높은 전류는 동작 온도 상승을 유도한다. 따라서, 인덕터의 설계에서의 요구조건들이 경쟁시되는 것으로 나타났다.
전류 감지 레지스터와 인덕터를 단일 유니트로 조합하여 부품 개수가 감소되고 인덕터의 DCR과 연관된 전력 손실이 감소되어 저항성 부재(resistive element)와 관련된 전력 손실만이 남게 되었다. 인덕터들이 ±15% 이상의 DCR 톨러런스로 설계될 수 있는 반면, 인덕터 저항의 전류 감지 능력은 인덕터 권선(winding)에서 구리의 3900ppm/℃의 열저항 계수(TCR)로 인해 상당히 가변적이다. 인덕터의 DCR이 전류 감지 기능에 이용될 경우, 통상적으로 콤포넌트 감소 목적을 무시하는 안정한 전류 감지 포인트를 유지하기 위해 회로소자를 보상하는 소정 형태가 요구된다. 또한, 보상 회로소자가 인덕터에 근접해 있을 수 있지만, 인덕터는 여전히 외부에 있고 인덕터를 통한 전류 부하가 변함에 따라 콘덕터 가열시 변화에 신속하게 응답할 수 없다. 따라서, 인덕터의 권선에 대한 전압 강하를 정확하게 추적하는 보상 회로소자의 능력에 지체가 이루어져 전류 감지 능력에 오류가 발생한다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 개선된 온도 안정성을 가지는 권선 저항을 갖는 인덕터가 요구된다.
따라서, 본 발명의 주목적, 특징 또는 장점은 최신기술을 개선하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적, 특징 또는 장점은 개선된 열적 안정성을 가지는 권선 저항을 갖는 인덕터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적, 특징 또는 장점은 전류 감지 레지스터와 인덕터를 단일 유니트로 조합하여, 부품 개수를 감소시키고 인덕터의 DCR과 관련된 전력 손실을 감소시키는 것이다.
본 발명의 하나 이상의 상기 및/또는 다른 목적들, 특징들 또는 장점들이 하기 상세한 설명 및 청구항들로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 일 면에 따라 인덕터가 제공된다. 인덕터는 상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들을 가지는 인덕터 바디를 포함한다. 인덕터는 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들 사이에서 인덕터 바디를 관통하는 보이드(void)를 포함한다. 열적으로 안정한 저항성 부재가 보이드를 통하게 위치되며 대향 표면 실장 단자들을 형성하도록 상부 표면을 향해 구부러진다(turned). 표면 실장 단자들은 켈빈 타입 측정들을 위한 켈빈 단자들(Kelvin terminals)일 수 있다. 따라서, 예를 들어, 대향 표면 실장 단자들은 단자의 일부분은 전류를 전달하고 단자의 다른 부분은 전압 강하를 감지하는데 이용되도록 분리된다.
본 발명의 또 다른 면에 따라 인덕터는 상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 표면들을 가지는 인덕터 바디를 포함하며, 인덕터 바디는 페라이트 코어(ferrite core)를 형성한다. 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들 사이에는 인덕터 바디를 관통하는 보이드(void)가 제공된다. 인덕터 바디의 상부 표면에는 슬롯이 제공된다. 열적으로 안정한 저항성 부재가 보이드를 통하게 위치되며 대향 단부 실장 단자들을 형성하도록 슬롯을 향해 구부러진다.
본 발명의 또 다른 면에 따라, 인덕터가 제공된다. 인덕터는 상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들을 가지는 인덕터 바디를 포함한다. 인덕터 바디는, 제한되는 것은 아니지만, MPP, HI FLUX, SENDUST, 또는 분말형(powdered) 철과 같이 분산형 갭 자성 물질로 형성된다. 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들 사이에는 인덕터 바디를 관통하는 보이드가 제공된다. 열적으로 안정한 저항성 부재가 보이드를 통하게 위치되고 대향 표면 실장 단자들을 형성하도록 상부 표면을 향해 구부러진다.
본 발명의 또 다른 면에 따라, 인덕터가 제공된다. 인덕터는 열적으로 안정한 저항성 부재, 및 상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들을 가지는 인덕터 바디를 포함한다. 인덕터 바디는 열적으로 안정한 저항성 부재들에 대해 압착되는 분산형 갭 자성 물질을 포함한다.
본 발명의 또 다른 면에 따라 인덕터가 제공된다. 인덕터는 열적으로 안정한 권선형(wirewound) 저항성 부재 및 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재 부근에 압착된 분산형 갭 자성 물질의 인덕터 바디를 포함한다.
본 발명의 또 다른 면에 따라, 방법이 제공된다. 상기 방법은 상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들을 가지는 인덕터 바디를 제공하는 단계 및 열적으로 안정한 저항성 부재를 제공하는 단계를 포함하며, 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들 사이에는 인덕터 바디를 관통하는 보이드가 제공된다. 또한, 상기 방법은 보이드를 통하게 열적으로 안정한 저항성 부재를 위치시키는 단계 및 대향 표면 실장 단자들을 형성하기 위해 상부 표면을 향해 열적으로 안정한 저항성 부재의 단부들을 구부리는 단계(turning)를 포함한다.
본 발명의 또 다른 면에 따라, 인덕터를 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 인덕터 바디 물질을 제공하는 단계; 열적으로 안정한 저항성 부재를 제공하는 단계; 및 열적으로 안정한 저항성 부재의 단자들이 인덕터 바디 물질로부터 연장되도록 열적으로 안정한 저항성 부재 부근에 인덕터 바디를 위치시키는 단계를 포함한다.
도 1은 슬롯형(slotted) 코어를 지나며 부분적인 권선(partial turn)을 가지 는 인덕터의 일 실시예를 나타내는 투시도이다.
도 2는 단일 슬롯 페라이트 코어의 단면도이다.
도 3은 단일 슬롯 페라이트 코어의 상부도이다.
도 4는 4개의 표면 실장 단자들을 가지는 스트립의 상부도이다.
도 5는 슬롯이 없는 인덕터의 일 실시예를 나타내는 투시도이다.
도 6은 다수의 권선을 갖는 저항성 부재의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 7은 권선형(wound wire) 저항성 부재가 사용되는 본 발명의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
본 발명의 일면은 열적으로 안정한 저항을 갖는 낮은 프로파일의 높은 전류 인덕터를 제공한다. 이러한 인덕터는 고체 니켈-크롬 또는 망간-구리 금속 합금 또는 슬롯형 페라이트 코어에 삽입되는 낮은 TCR을 갖는 저항성 부재로서 다른 적절한 합금을 이용한다.
도 1은 본 발명의 이러한 일 실시예의 개략도를 나타낸다. 장치(10)는 상부 측면(14), 바닥 측면(16), 제 1 단부(18), 대향 제 2 단부(20), 및 제 1 및 제 2 대향 측면들(22, 24)을 포함하는 인덕터 바디(12)를 포함한다. "상부(top) 및 "바닥(bottom)" 이란 용어는 단지 도면들과 관련한 배향 표시를 위해 이용되는 것으로 이러한 용어는 반대일 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 표면 실장 장치로서 이용되는 장치(10)는 슬롯 측면 또는 상부 측면(14)에 장착된다. 인덕터 바디(12)는 압착된 자성 분말로부터 형성될 수 있는 단일 콤포넌트 자성 코어일 수 있다. 예 를 들어, 인덕터 바디(12)는 페라이트 코어일 수 있다. 분말형 철 또는 합금 코어들과 같은 페라이트 이외의 코어 물질들이 이용될 수도 있다. 도시된 인덕터 바디(12)는 단일 슬롯(26)을 갖는다. 인덕터 바디(12)를 관통하는 중공부(28)가 제공된다. 코어 물질 조성, 투자율 또는 페라이트의 경우 슬롯의 폭을 변화시킴으로써 상이한 인덕턴스 값들이 달성된다.
4개 단자의 켈빈 구성에서 저항성 부재(30)가 도시된다. 저항성 부재(30)는 열적으로 안정하며, 열적으로 안정한 니켈-크롬 또는 열적으로 안정한 망간-구리 또는 켈빈 단자 구성에서 열적으로 안정한 다른 합금으로 구성된다. 도시된 것처럼, 제 1 단부 상에는 2개의 단자들(32, 34)이 제공되고 제 2 단부에는 2개의 단자들(38, 40)이 제공된다. 저항성 부재(30)에서 제 1 슬롯(36)은 저항성 부재(30)의 제 1 단부 상의 단자들(32, 34)을 분리시키고 저항성 부재(30)의 제 2 슬롯(42)은 저항성 부재(30)의 제 2 단부 상의 단자들(38, 40)을 분리시킨다. 일례로, 저항성 부재 물질은 저항성 부재(30)에 대해 4개 단자의 켈빈 장치를 형성하는 방식으로 노치형(notched) 구리 단자들과 결합된다. 작은 단자들(34, 40) 또는 감지 단자들은 전류 감지를 달성하기 위해 부재에 대한 전압을 감지하는데 이용되는 반면, 나머지 넓은 단자들(32, 38) 또는 전류 단자들은 회로의 주전류 전달부로 이용된다. 저항성 부재(30)의 단부들은 표면 실장 단자들을 형성하도록 인덕터 바디(12) 부근에 형성된다.
도 1은 슬롯형 다각형 페라이트 코어를 관통하는 부분적 또는 단편적 권선(turn)이 도시되었지만, 본 발명의 범주내에서 다양한 변형이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 보다 큰 인덕턴스 값들 및 보다 높은 저항을 제공하기 위해 다수의 권선들(turns)이 이용될 수 있다. 종래 기술은 단일의 2개 단자 콘덕터가 관통하는 이러한 형태의 코어를 이용했지만, 구리 콘덕터의 저항은 열적으로 불안정하고 구리의 높은 TCR로 인한 대기 온도 변화 및 자체-가열(self-heating)로 가변적이다. 정확한 전류 감지를 얻기 위해, 이러한 변화들은 콤포넌트 수에 부가하여 전력 손실들과 관련된 외부의 안정한 전류 감지 레지스터의 사용을 요구한다. 바람직하게, 열적으로 안정한 니켈-크롬 또는 망간-구리 저항성 부재 또는 다른 열적으로 안정한 합금이 사용된다. 열적으로 안정한 저항성 부재에 대한 다른 물질들의 예로는 철을 함유하지 않는(non-ferrous) 금속성 합금들을 포함하여, 다양한 형태의 합금들이 포함된다. 바람직하게, 제한되는 것은 아니지만, 저항성 부재는 이를 테면 CUPRON와 같은 구리 니켈 합금으로 형성될 수 있다. 제한되는 것은 아니지만, 저항성 부재는 철, 크롬, 알루미늄 합금, 이를 테면, KANTHAL D로 형성될 수 있다. 바람직하게 저항성 부재는 구리 보다 상당히 낮은 온도 계수를 가지며 바람직하게는 전류 감지를 위해 상당히 높은 직류 저항(DCR:Direct Current Resistance)에서 ≤100 PPM/℃의 열저항 계수(TCR)를 갖는다. 또한, 부재는 당업자들에게 공지된 하나 이상의 다양한 방법들에 의해, ±20%의 전형적인 인덕터 저항 톨러런스와 비교할 때, ±1%의 저항 톨러런스로 교정된다.
따라서, 본 발명의 일면은 2개의 장치를 제공하며, 이중 하나는 에너지 저장 장치이고 다른 하나는 엄격한(tight) 톨러런스로 교정된 매우 안정한 전류 감지 레지스터이다. 장치의 레지스터 부분은 바람직하게 하기의 특징들, 즉 낮은 오믹 값(0.2mΩ 내지 1Ω), 엄격한 톨러런스 ±1%, -55 내지 125℃에 대해 낮은 TCR ≤100PPM/℃ 및 낮은 열적 기전력(EMF)을 갖는다. 장치의 인덕턴스 범위는 25nH 내지 10μH이다. 그러나, 바람직한 범위는 5OnH 내지 50OnH이며 35A에 이르는 전류를 처리한다.
도 2는 단일 슬롯 페라이트 코어의 단면도이다. 도 2에 도시된 것처럼, 단일 슬롯 페라이트 코어는 인덕터 바디(12)로서 이용된다. 인덕터 바디(12)의 상부 측면(14) 및 바닥 측면(16) 뿐만 아니라 제 1 단부(18) 및 대향 제 2 단부(20)가 도시된다. 단일 슬롯 페라이트 코어는 높이(62)를 갖는다. 인덕터 바디(12)의 제 1 상부 부분(78)은 슬롯(60)에 의해 제 2 상부 부분(80)과 분리된다. 인덕터 바디(12)의 제 1 상부 부분(78) 및 제 2 상부 부분(80) 모두는 상부 측면(14)과 중공부 또는 보이드(28) 사이에 높이(64)를 갖는다. 인덕터 바디(12)의 바닥 부분은 중공부 또는 보이드(28)와 바닥 측면(16) 사이에 높이(70)를 갖는다. 제 1 단부 부분(76)과 제 2 단부 부분(82)은 이들 각각의 단부 표면으로부터 중공부 또는 보이드(28)로 두께(68)를 갖는다. 중공부 또는 보이드(28)는 높이(66)를 갖는다. 슬롯(26)은 폭(60)을 갖는다. 도 2의 실시예는 한쪽 측면에는 슬롯(60)을 가지며 중심부를 관통하는 중공부 또는 보이드(28)를 갖는 인덕터 바디(12)를 위한 다각형 페라이트 코어를 포함한다. 부분적 권선(turn) 저항성 부재(30)가 상기 중공부(28)로 삽입되어 콘덕터로서 이용된다. 슬롯(60)의 폭 변화는 부품의 인덕턴스를 결정한다. 다른 자성 물질들 및 코어 구성, 이를 테면 분말형 철, 자성 합금 또는 다른 자성 물질들이 다양한 자성 코어 구성들에 이용될 수 있다. 그러나,분 말형 철과 같은 분산형 갭 자성 물질의 사용은 코어에서의 슬롯에 대한 필요성을 없앤다. 페라이트 물질이 사용될 때, 페라이트 물질은 바람직하게 최소 하기의 사양들을 따른다:
1. 20℃에서 측정된 12.5 Oe에서 Bsat >4800G
2. 100℃에서 측정된 12.5 Oe에서 Bsat Minimum = 4100G
3. 퀴리 온도, Tc> 260℃
4. 초기 투자율: 1000-2000
슬롯 측면인 상부 측면(14)은 장치(10)가 표면 실장될 때 장치(10)의 실장 표면일 수 있다. 저항성 부재(30)의 단부들은 바디(12) 부근에서 구부러져 표면 실장 단자들을 형성한다.
본 발명의 일 면에 따라, 열적으로 안정한 저항성 부재는 콘덕터로 이용된다. 부재는 펀칭, 에칭 또는 다른 기계가공(machining) 기술들에 의해 형성된 니켈-크롬 또는 망간-구리 스트립으로 구성될 수 있다. 이러한 스트립이 사용될 때, 스트립은 4개의 표면 실장 단자들을 갖는 방식으로 형성된다(예를 들어, 도 4 참조). 단지 2개의 단자들을 가질 수 있다. 2개 또는 4개의 단자 스트립은 ±1%의 저항 톨러런스로 교정된다. 니켈-크롬, 망간-구리 또는 다른 낮은 TCR 합금 원소는 ≤100ppm℃의 온도 계수를 허용한다. 리드(lead) 저항, 구리 단자들의 TCR 및 납땜 접합 저항에서 실장된(mounted) 저항 톨러런스 변화를 감소시키기 위해, 2개 단자 보다는 4개 단자 구성이 이용된다. 2개의 작은 단자들은 통상적으로 전류 감 지 목적으로 저항성 부재에 대한 전압을 감지하는데 이용되는 반면, 큰 단자는 통상적으로 감지되는 회로 전류를 전달한다(carry).
본 발명의 또 다른 면에 따라, 장치(10)는 인덕터 바디(12)의 중공부를 통해 열적으로 안정한 저항성 부재를 삽입함으로써 구성된다. 레지스터 부재 단자들은 표면 실장 단자들을 형성하도록 상부 측면 또는 슬롯 측면으로 인덕터 바디 부근에서 구부러진다. 다음 인덕터를 흐르는 전류가 DC/DC 컨버터들과 연관된 전형적 형태로 큰 단자들에 인가될 수 있다. 전류 감지는 인덕터의 저항에 대한 전압 강하를 측정하기 위해 작은 감지 단자들로부터 제어 IC 전류 감지 회로로 2개의 인쇄 회로 보드(PCB) 트레이스들을 부가함으로써 달성된다.
도 3은 인덕터 바디(12)의 폭(74) 및 길이(72)를 나타내는 단일 슬롯 페라이트 코어의 상부도이다.
도 4는 저항성 부재로서 사용될 수 있는 스트립(84)의 상부도이다. 스트립(84)은 4개의 표면 실장 단자들을 포함한다. 스트립(84)은 단자 부분들 사이에 저항성 부분(86)을 갖는다. 이러한 스트립 형성은 공지되어 있으며 본 명세서에서 참조로 통합되는 미국 특허 No. 5,287,083호에 개시된 방식으로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 단자들(32, 34, 38, 40)은 구리 또는 다른 물질로 형성된 저항성 부분(86)을 갖는 다른 콘덕터로 형성될 수 있다.
도 5는 슬롯이 없는 인덕터의 일 실시예를 나타내는 투시도이다. 도 5의 장치(100)는 인덕터 바디(12)가 분산형 갭 물질, 제한되지는 않지만, 이를 테면 자성 분말로 형성된다는 것을 제외하고 도 1의 장치(10)와 유사하다. 본 실시예에서, 인덕터 바디(12)를 위한 물질의 선택으로 인해 슬롯이 요구되지 않는다는 것을 주지된다. 분말형 철과 같은 코어 구성들 및 다른 자성 물질들, 자성 합금들 또는 다른 자성 물질들은 다양한 자성 코어 구성에 이용될 수 있다. 그러나, 분말형 철과 같은 분산형 갭 자성 물질의 사용으로 코어에 대한 슬롯의 필요성이 사라진다.분산형 갭 자성 물질들에 대한 다른 예로는 제한 없이, MPP, HI FLUX, 및 SENDUST가 포함된다.
도 6은 단부들(90) 사이에 다수의 권선들(turns)(94)을 가지는 저항성 부재(98)의 일 실시예를 나타낸다. 본 발명이 사용되는 저항성 부재가 보다 큰 인덕턴스 값들 및 보다 높은 저항을 제공하기 위해 다수의 권선들을 포함할 수 있다는 것을 고려했다. 이를 위해 다수의 권선들을 사용하는 것은 업계에 공지되어 있으며, 제한되지 않지만, 본 발명에서 참조로 통합되는 미국 특허 No. 6,946,944호에 개시된 방법이 포함된다.
도 7은 또 다른 실시예를 나타낸다. 도 7에서, 인덕터(120)는 절연체 부근에 감긴 열적으로 안정한 저항성 물질로 형성된 권선형(wound wire) 부재(122)를 포함하는 인덕터(120)를 나타낸다. 분산형 갭 자성 물질(124)은 압착(pressing), 몰딩(molding), 캐스팅(casting) 또는 다른 방식으로 권선형 부재(122) 부근에 위치된다. 권선형 부재(122)는 단자들(126, 128)을 갖는다.
다양한 실시예들에 이용되는 저항성 부재는 철을 함유하지 않은(non-ferrous) 금속성 합금들을 포함하는 다양한 형태의 합금들로 형성될 수 있다. 저항성 부재는 제한되는 것을 아니지만 CUPRON과 같은 구리 니켈 합금으로 형성될 수 있다. 저항성 부재는 제한되는 것은 아니지만, 철, 크롬, 알루미늄 합금, 이를 테면 KANTHAL D로 형성될 수 있다. 저항성 부재는 화학적 또는 기계적, 에칭 또는 기계가공 또는 다른 방식을 포함하는 임의의 수의 프로세스들을 통해 형성될 수 있다.
따라서, 본 발명이 개선된 인덕터 및 이를 제조하는 방법을 제공한다는 것이 명확해졌다. 본 발명은 사용되는 물질의 형태, 적용되는 제조 기술 분야의 다양한 변형, 및 본 발명의 범주내의 다른 변형들을 고려한다.

Claims (96)

  1. 상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들을 갖는 인덕터 바디;
    상기 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들 사이에서 상기 인덕터 바디를 관통하는 보이드;
    상기 보이드를 통하게 위치되며 대향 표면 실장(mount) 단자들이 형성되도록 상기 상부 표면을 향해 구부러진(turned) 열적으로 안정한 저항성 부재
    를 포함하는 인덕터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 대향 표면 실장 단자들은 각각의 단부 상에 전류를 위한 큰 단자 및 각각의 단부상에 전류 감지를 위한 작은 단자를 포함하는 인덕터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 대향 표면 실장 단자들은 켈빈(Kelvin) 타입 측정들들을 위해 구성되는 인덕터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 니켈 및 구리를 포함하는 철을 함유하지 않은(non-ferrous) 금속성 합금을 포함하는 인덕터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 철, 크롬 및 알루미늄을 포함하는 인덕터.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 인덕터 바디는 페라이트 코어인 인덕터.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 인덕터 바디의 상기 상부 표면에 슬롯을 더 포함하는 인덕터.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 슬롯은 상기 상부 표면으로부터 상기 보이드로 연장되는 인덕터.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 인덕터 바디는 자성 분말을 포함하는 인덕터.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 인덕터 바디는 분산형 갭 자성 물질을 포함하는 인덕터.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 전도성 물질로 형성되는 상기 표면 실장 단자들을 이용하여 상기 전도성 물질과 동작가능하게 접속되는 저항성 물질을 포함하는 인덕터.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 구리인 인덕터.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 0.2 milli-Ohms 내지 1 Ohms의 낮은 오믹 값을 갖는 인덕터.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 -55 내지 125℃의 범위에 대해 ℃ 당 100ppm(parts per million) 이하의 낮은 열저항 계수(TCR)를 갖는 인덕터.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 인덕터는 50 나노-헨리 내지 10-마이크로-헨리 범위 내의 인덕턴스를 갖는 인덕터.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 저항성 부재는 니켈-크롬을 포함하는 인덕터.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 저항성 부재는 망간-구리를 포함하는 인덕터.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 저항성 부재는 다수의 권선들(turns)을 포함하는 인덕터.
  19. 상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들을 가지며, 페라이트 코어를 형성하도록 페라이트를 포함하는 인덕터 바디;
    상기 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들 사이에서 상기 인덕터 바디를 관통하는 보이드;
    상기 인덕터 바디의 상부 표면내의 슬롯;
    상기 보이드를 통하게 위치되며 대향 표면 실장 단자들이 형성되도록 상기 슬롯을 향해 구부러지는(turned) 열적으로 안정한 저항성 부재
    를 포함하는 인덕터.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 대향 표면 실장 단자들은 각각의 단부상에 전류를 위한 큰 단자 및 각 각의 단부상에 전류 감지를 위한 작은 단자를 포함하는 인덕터.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 대향 표면 실장 단자들은 켈빈(Kelvin) 타입 측정들을 위해 구성되는 인덕터.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 니켈 및 구리를 포함하는 철을 함유하지 않은(non-ferrous) 금속성 합금을 포함하는 인덕터.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 철, 크롬, 및 알루미늄을 포함하는 인덕터.
  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 천공된(punched) 스트립으로 형성되는 인덕터.
  25. 제 19 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 에칭을 이용하여 형성되는 인덕터.
  26. 제 19 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 기계가공(machining)에 의해 형성되는 인덕터.
  27. 제 19 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 다수의 권선들(turns)을 포함하는 인덕터.
  28. 제 19 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 전도성 물질로 형성되는 상기 표면 실장 단자들을 이용하여 상기 전도성 물질과 동작가능하게 접속되는 저항성 물질을 포함하는 인덕터.
  29. 제 26 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 구리인 인덕터.
  30. 제 19 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 0.2milli-Ohms 내지 1 Ohms의 낮은 오믹 값을 갖는 인덕터.
  31. 제 19항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 -55 내지 125℃의 범위에 대해 ℃ 당 100ppm(parts per million) 이하의 낮은 열저항 계수(TCR)를 갖는 인덕터.
  32. 제 19 항에 있어서,
    상기 인덕터는 50 나노-헨리 내지 10-마이크로-헨리 범위 내의 인덕턴스를 갖는 인덕터.
  33. 제 19 항에 있어서,
    상기 저항성 부재는 니켈-크롬을 포함하는 인덕터.
  34. 제 19 항에 있어서,
    상기 저항성 부재는 망간-구리를 포함하는 인덕터.
  35. 상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들을 가지며 분산형 갭 자성 물질로 형성되는 인덕터 바디;
    상기 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들 사이에서 상기 인덕터 바디를 관통하는 보이드;
    상기 보이드를 통하게 위치되며 대향 표면 실장 단자들이 형성되도록 상기 상부 표면을 향해 구부러지는(turned) 열적으로 안정한 저항성 부재
    를 포함하는 인덕터.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 대향 표면 실장 단자들은 각각의 단부상에 전류를 위한 큰 단자 및 각각의 단부 상에 전류 감지를 위한 작은 단자를 포함하는 인덕터.
  37. 제 35 항에 있어서,
    상기 대향 표면 실장 단자들은 켈빈(Kelvin) 타입 측정들을 위해 구성되는 인덕터.
  38. 제 35 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 니켈 및 구리를 포함하는 철을 함유하지 않은(non-ferrous) 금속성 합금을 포함하는 인덕터.
  39. 제 35 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 철, 크롬, 및 알루미늄을 포함하는 인덕터.
  40. 제 35 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 천공된(punched) 스트립으로 형성되는 인덕터.
  41. 제 35 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 에칭 프로세스를 이용하여 형성되는 인덕터.
  42. 제 35 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 기계가공(machining) 프로세스를 이용하여 형성되는 인덕터.
  43. 제 35 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 다수의 권선들(turns)을 포함하는 인덕터.
  44. 제 35 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 전도성 물질로 형성되는 상기 표면 실장 단자들을 이용하여 상기 전도성 물질과 동작가능하게 접속되는 저항성 물질을 포함하는 인덕터.
  45. 제 44 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 구리인 인덕터.
  46. 제 35 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 0.2milli-Ohms 내지 1 milli-Ohms의 낮은 오믹 값을 갖는 인덕터.
  47. 제 35 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 -55 내지 125℃의 범위에 대해 ℃ 당 100ppm(parts per million) 이하의 낮은 열저항 계수(TCR)를 갖는 인덕터.
  48. 제 35 항에 있어서,
    상기 인덕터는 50 나노-헨리 내지 10-마이크로-헨리 범위 내의 인덕턴스를 갖는 인덕터.
  49. 제 35 항에 있어서,
    상기 저항성 부재는 니켈-크롬 천공 스트립인 인덕터.
  50. 제 35 항에 있어서,
    상기 저항성 부재는 망간-구리 천공 스트립인 인덕터.
  51. 열적으로 안정한 저항성 부재; 및
    상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들을 가지는 인덕터 바디
    를 포함하며, 상기 인덕터 바디는 상기 열적으로 안정한 저항성 부재들에 대해 압착된 분산형 갭 자성 물질을 포함하는 인덕터.
  52. 제 51 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 철을 함유하지 않은(non-ferrous) 금속성 합금으로 형성되는 인덕터.
  53. 제 51 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 니켈 및 구리를 포함하는 철을 함유하지 않은(non-ferrous) 금속성 합금을 포함하는 인덕터.
  54. 제 51 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 철, 크롬 및 알루미늄을 포함하는 인덕터.
  55. 열적으로 안정한 권선형(wirewound) 저항성 부재; 및
    인덕터 바디
    를 포함하며, 상기 인덕터 바디는 상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재 부근에서 압착된 분산형 갭 자성 물질을 포함하는 인덕터.
  56. 제 55 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 철을 함유하지 않은(non-ferrous) 금속성 합금으로 형성되는 인덕터.
  57. 제 55 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 니켈 및 구리를 포함하는 철을 함유하지 않은(non-ferrous) 금속성 합금을 포함하는 인덕터.
  58. 제 55 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 철, 크롬 및 알루미늄을 포함하는 인덕터.
  59. 제 55 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 0.2milli-Ohms 내지 1 Ohms의 낮은 오믹 값을 갖는 인덕터.
  60. 제 55 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 -55 내지 125℃의 범위에 대해 ℃ 당 100ppm(parts per million) 이하의 낮은 열저항 계수(TCR)를 갖는 인덕터.
  61. 제 55 항에 있어서,
    상기 인덕터는 50 나노-헨리 내지 10-마이크로-헨리 범위 내의 인덕턴스를 갖는 인덕터.
  62. 상부 표면과 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들을 가지는 인덕터 바디를 제공하는 단계 - 상기 제 1 및 제 2 대향 단부 표면들 사이에는 상기 인덕터 바디를 관통하는 보이드가 제공됨- ;
    열적으로 안정한 저항성 부재를 제공하는 단계;
    상기 보이드를 통하게 상기 열적으로 안정한 저항성 부재를 위치시키는 단계;
    대향 표면 실장 단자들이 형성되도록 상기 상부 표면을 향해 상기 열적으로 안정한 저항성 부재의 단부들을 구부리는 단계(turning)
    를 포함하는 인덕터 형성 방법.
  63. 제 62 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 니켈 및 구리를 포함하는 철을 포함하지 않는(non-ferrous) 금속성 합금을 포함하는 인덕터 형성 방법.
  64. 제 62 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 철, 크롬, 및 알루미늄을 포함하는 인덕터 형성 방법.
  65. 제 62 항에 있어서,
    상기 인덕터 바디의 상부 표면에 슬롯을 형성하는 단계를 더 포함하는 인덕터 형성 방법.
  66. 제 65 항에 있어서,
    상기 인덕터 바디는 페라이트 물질로 형성되는 인덕터 형성 방법.
  67. 제 62 항에 있어서,
    상기 인덕터 바디는 분산형 갭 자성 물질로 형성되는 인덕터 형성 방법.
  68. 제 62 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 천공된(punched) 스트립을 포함하는 인덕터 형성 방법.
  69. 제 62 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 에칭을 이용하여 형성되는 인덕터 형성 방법.
  70. 제 62 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 기계가공(machining)에 의해 형성되는 인덕터 형성 방법.
  71. 제 62 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 다수의 권선들(turns)을 포함하는 인덕터 형성 방법.
  72. 인덕터 바디 물질을 제공하는 단계;
    열적으로 안정한 저항성 부재를 제공하는 단계;
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재의 단자들이 상기 인덕터 바디 물질로부터 연장되도록, 상기 열적으로 안정한 저항성 부재 부근에 상기 인덕터 바디를 위치시키는 단계
    를 포함하는 인덕터 형성 방법.
  73. 제 72 항에 있어서,
    대향 표면 실장 단자들이 형성되도록 상기 인덕터 바디에 대해 상기 열적으 로 안정한 저항성 부재의 단부들을 구부리는 단계(turning)를 더 포함하는 인덕터 형성 방법.
  74. 제 72 항에 있어서,
    상기 인덕터 바디 물질은 분산형 갭 자성 물질인 인덕터 형성 방법.
  75. 제 74 항에 있어서,
    상기 위치시키는 단계는 상기 열적으로 안정한 저항성 부재 부근에서 분산형 갭 자성 물질을 압착하는 단계를 포함하는 인덕터 형성 방법.
  76. 제 74 항에 있어서,
    상기 위치시키는 단계는 상기 열적으로 안정한 저항성 부재 부근에서 상기 분산형 갭 자성 물질을 캐스팅하는(casting) 단계를 포함하는 인덕터 형성 방법.
  77. 제 74 항에 있어서,
    상기 위치시키는 단계는 상기 열적으로 안정한 저항성 부재 부근에서 상기 분산형 갭 자성 물질을 몰딩하는 단계를 포함하는 인덕터 형성 방법.
  78. 제 72 항에 있어서,
    상기 인덕터 바디 물질은 보이드를 갖는 강성의 바디를 형성하는 인덕터 형 성 방법.
  79. 제 76 항에 있어서,
    상기 위치시키는 단계는 상기 보이드를 통하게 상기 열적으로 안정한 저항성 부재를 삽입하는 단계를 포함하는 인덕터 형성 방법.
  80. 제 72 항에 있어서,
    상기 열적으로 아안정한 저항성 부재는 권선형(wirewound) 저항성 부재인 인덕터 형성 방법.
  81. 제 72 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 저항성 부재는 -55 내지 125℃의 범위에 대해 ℃ 당 100ppm(parts per million) 이하의 낮은 열저항 계수(TCR)를 갖는 인덕터 형성 방법.
  82. 제 79 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 0.2 milli-Ohms 내지 1 Ohms의 낮은 오믹 값을 갖는 인덕터.
  83. 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재; 및
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재 부근에서 캐스팅되는 분산형 자성 물질을 포함하는 인덕터 바디
    를 포함하는 인덕터.
  84. 제 83 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 철을 함유하지 않는(non-ferrous) 금속성 합금으로 형성되는 인덕터.
  85. 제 83 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 니켈 및 구리를 포함하는 철을 함유하지 않는(non-ferrous) 금속성 합금으로 형성되는 인덕터.
  86. 제 83 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 철, 크롬 및 알루미늄을 포함하는 인덕터.
  87. 제 83 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 0.2 milli-Ohms 내지 1 Ohms의 낮은 오믹 값을 갖는 인덕터.
  88. 제 83 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 -55 내지 125℃의 범위에 대해 ℃ 당 100ppm(parts per million) 이하의 낮은 열저항 계수(TCR)를 갖는 인덕터.
  89. 제 83 항에 있어서,
    상기 인덕터는 50 나노-헨리 내지 10-마이크로-헨리 범위 내의 인덕턴스를 갖는 인덕터.
  90. 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재; 및
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재 부근에 몰딩된 분산형 자성 물질을 포함하는 인덕터 바디
    를 포함하는 인덕터.
  91. 제 90 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 철을 함유하지 않는(non-ferrous) 금속성 합금으로 형성되는 인덕터.
  92. 제 90 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 니켈 및 구리를 포함하는 철을 함유하지 않는(non-ferrous) 금속성 합금으로 형성되는 인덕터.
  93. 제 90 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 철, 크롬 및 알루미늄을 포함하는 인덕터.
  94. 제 90 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 0.2 milli-Ohms 내지 1 Ohms의 낮은 오믹 값을 갖는 인덕터.
  95. 제 90 항에 있어서,
    상기 열적으로 안정한 권선형 저항성 부재는 -55 내지 125℃의 범위에 대해 ℃ 당 100ppm(parts per million) 이하의 낮은 열저항 계수(TCR)를 갖는 인덕터.
  96. 제 90 항에 있어서,
    상기 인덕터는 50 나노-헨리 내지 10-마이크로-헨리 범위 내의 인덕턴스를 갖는 인덕터.
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