유기 EL 표시 장치에는, 유기 EL층으로부터 발광한 광을, 유기 EL층 등이 형성된 글래스 기판 방향으로 취출하는 보텀 에미션형과, 유기 EL층 등이 형성된 글래스 기판과 역의 방향으로 취출하는 톱 에미션형이 있다. 본 발명은 어느 유기 EL 표시 장치에도 적용할 수 있다.
이하에, 실시예를 이용하여, 본 발명의 내용을 상세하게 설명한다.
<실시예 1>
도 1은 유기 EL 패널(100)의 주요부 단면도를 도시한다. 도 1에서, 도면 부호 101은 글래스 기판 등으로 이루어지는 회로 기판을, 도면 부호 102는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 회로 형성부를, 도면 부호 1000은 유기 EL 소자를 형성한 유기 EL 소자부를, 도면 부호 113은 그 유기 EL 소자부(1000)를 피복하도록 형성한 보호막을, 도면 부호 114는 밀봉 글래스를, 도면 부호 115는 건조제를, 도면 부호 116은 시일제를 나타내고 있다. 백색 화살표는 광이 나가는 방향을 나타내고 있고, 본 실시예의 경우에는, 밀봉 글래스(114)측으로부터 광을 취출하게 된다.
유기 EL 소자부(1000)는, 밀봉 글래스(114)와 보호막(113), 시일제(116), 회로 형성부(102)를 갖는 회로 기판(101)에 의해 밀봉되어 있다. 회로 형성부(102)에는, 그 표면 요철의 상태에 따라서, 아크릴이나 폴리이미드 등으로 이루어지는 유기막이나, Si 산화막이나 Si 질화막 등의 무기 절연막을 평탄화층으로서 형성한다. 보호막(113)과 밀봉 글래스(114)는 접촉되어 있다.
본 발명이 특히 관련되는 부분은 보호막(113)이며, 수분이나 산소의 침입에 의한 유기 EL 패널(100)의 특성 열화를 방지할 수 있도록, 보호막(113)의 층 구성과 그것을 구성하는 층의 막질을 정한 것이다. 따라서, 보호막(113)과 시일제(116)만으로 수분이나 산소의 침입에 의한 유기 EL 패널(100)의 특성 열화를 방지할 수 있으면, 건조제(115)는 반드시 필요로 하지 않는다.
또한, 본 실시예에 따르면, 밀봉 글래스(114)는 보호막(113)에 의해 유지되어 있으므로, 밀봉 글래스(114)의 유기 EL 소자부(1000)에의 돌발적인 접촉에 의한 흑점 발생을 방지할 수 있다. 또한, 회로 기판(101)과 밀봉 글래스(114)의 갭을 보호막(113)에 의해 제어할 수 있고, 그 보호막(113)만으로 수분이나 산소의 침입에 의한 유기 EL 패널(100)의 특성 열화를 방지할 수 있으면, 건조제(115)와 시일제(116)는 반드시 필요로 하지 않는다.
도 2는 유기 EL 패널(100)의 유기 EL 소자부(1000)를 확대하여 도시한 주요부 단면도이다. 이 도면에 의해, 실시예 1의 상세 내용을 설명한다. 도 2에서, 도면 부호 103은 회로 형성부(102) 위에 형성한 제1 전극(하부 전극이고, 음극 혹은 양극을 나타냄)을, 도면 부호 104는 제1 전극(103)의 패턴 끝을 피복하도록 형성된 뱅크를, 도면 부호 105∼107은 유기층을, 도면 부호 108은 제2 전극(상부 전극이고, 양극 혹은 음극을 나타냄)을, 도면 부호 109는 보조 전극을, 도면 부호 110a와 110b는 SiNxOy막을, 도면 부호 111은 산화 마그네슘막을, 도면 부호 112는 수지 시트를 나타낸다. 유기 EL 소자(1000)는, 제1 전극(103)과 유기층(105∼107), 제2 전극(108)으로 구성된다.
유기 EL 패널(100)의 광을 밀봉 글래스(104)측으로부터 취출하므로, 제1 전극(103)은 반사 전극이며, 예를 들면 Al 등의 금속막, 혹은, 그 금속막과 투명한 ITO막의 적층막으로 구성된다. 뱅크(104)는 제1 전극(103)과 제2 전극(108)의 단락 방지를 위해 형성하는 것으로 SiNx막이나 SiOx막, SiNxOy막 등의 Si계 절연막이나 아크릴이나 폴리이미드막 등의 유기막으로 구성된다.
유기층(106)은 발광층을 포함하고 있고, 이 부분에서 발광한다. 도 2에서, 도면 부호 106R은 적색 발광인 것을, 도면 부호 106G는 녹색 발광인 것을, 도면 부호 106B는 청색 발광인 것을 나타내고 있다. 필요에 따라서, 유기층(106)은 홀에 대한 블로킹층이나 수송층(홀 수송층, 전자 수송층)을 포함한다.
유기층(105)과 유기층(107)은 적어도 수송층(홀 수송층 혹은 전자 수송층)과 주입층(홀 주입층 혹은 전자 주입층) 중 어느 하나에 의해 구성된다.
유기 EL 패널(100)의 광을 밀봉 글래스(104)측으로부터 취출하므로, 제2 전극(108)은 투명 전극이며, ITO막이나 IZO막, ZnO막으로 구성된다. 유기 EL 소자의 캐비티 효과를 강하게 할 때에는, 반사 전극으로서도 기능하는 Ag의 반투명막을 이용한다.
보조 전극(109)은, 제2 전극(108)의 저항이 높고, 이 저항에 의한 전압 강하가 원인으로 생기는 휘도 얼룩 등의 결함을 방지하기 위하여 설치된다. 따라서, 제2 전극(108)의 전압 강하가 작은 경우에는 생략해도 지장이 없다.
도 1에서 설명한 보호막(113)이 SiNxOy막(110a), 산화 마그네슘막(111), SiNxOy막(110b), 수지 시트(112)의 적층막에 의해 구성되어 있다. 이 부분에 본 발명을 적용하였다.
본 실시예에서의 SiNxOy막(110a, 110b)의 적외 흡수 스펙트럼을 도 3a에 나타낸다. 도면 부호 301은 Si-O 신축 진동 흡수에 의한 흡수 피크를, 도면 부호 302는 Si-N 신축 진동 흡수에 의한 흡수 피크를 나타낸다. 특징적인 것은, 도면 중 X로 나타내는 2000cm-1보다 고에너지측에 흡수 피크가 보여지지 않는 것이다. 또한, Si-N 신축 진동 흡수 피크(302)의 흡광도가 Si-O 신축 진동 흡수 피크(301)와 동일한 정도로 높게 되어 있다. 이들은, 이 SiNxOy막의 막 밀도가 높고, 질화가 진행되어 미반응 Si도 감소하고 있는 것을 나타내고 있다.
2000cm-1보다 고에너지측에 흡수 피크가 존재하는 경우라도, 도면 부호 301로 나타내어지는 Si-O 신축 진동 흡수에 의한 흡수 피크의 5% 이하이면 문제는 없다. 2000cm-1 내지 4000cm-1의 에너지 범위의 흡수 피크는 Si-H에 의한 것이지만, 실험에 따르면, Si-H의 존재가 Si-O의 존재의 5% 이하이면, 수분에 대한 블록 특성은 충분하다.
종래부터 이용되어 온 플라즈마 CVD법에 의한 SiNx막이나 SiNxOy막의 경우, 이 영역에 수분 흡장이나 수산화물 형성을 반영하는 흡수 피크나 Si나 N과 H의 흡수 피크가 보여진다. 이 때문에, SiNx막이나 SiNxOy막의 밀도가 저하하고, 수분 등에 대한 배리어성이 열화한다. 특히, 성막 온도를 100℃ 이하의 저온으로 하면, 이 막질 열화가 커져, 미반응물에 의한 이물 발생의 문제도 발생한다. 최근, ECR 플라즈마나 ICP 플라즈마를 이용한 CVD법을 이용함으로써, 저온 성막으로도 2000cm-1보다 고에너지측에 흡수 피크가 보여지지 않는 고밀도의 막이 얻어지고 있다고 하고 있지만, 성막 온도를 200℃보다 저하시키는 것은 어렵다.
이상으로부터, 본 실시예의 SiNxOy막이 종래부터 이용되어 온 SiNx막이나 SiNxOy막보다 고밀도이며, 수분이나 산소에 대한 배리어성이 우수한 것을 알 수 있다.
JP2004-50821A에는 SiNxOy막의 형성 수단으로서, 산화실리콘(SiO)을 증발원으로 한 이온 플레이팅이 제안되어 있다. 이러한 방법에 따르면, 100nm/min 이상의 고속 성막이 가능하지만, 막질에 대해서는 개시되어 있지 않다. 발명자들의 실험에 따르면, 본 방법에 의한 SiNxOy막은 도 3b에 나타내는 적외 흡수 스펙트럼을 얻을 수 있는 경우가 많았다. 도 3b로부터, 2000cm-1보다 고에너지측에 흡수 피크가 보여지지 않는 것을 알 수 있다. 그러나, Si-O 신축 진동 흡수 피크(301)가 1000cm-1보다 고에너지측에 있고, Si-N 신축 진동 흡수 피크(302)의 흡광도가 Si-O 신축 진동 흡수 피크(301)의 75% 미만으로, 낮은 것이었다. 이것은, 질화가 진행되지 않고, Si 과잉으로 되어 있는 것을 시사하고 있다. 이러한 막은 큰 압축 막 응력을 나타내는 경우가 많아, 유기 EL 소자의 보호막으로서 이용하는 것이 곤란한 것을 알 수 있었다.
이에 대하여 본 발명에서는, 활성화 반응 증착법을 이용함으로써, 유기 EL 표시 장치의 보호막으로서 다음과 같은 특성을 갖는 SiNxOy막을 형성할 수 있다.
(1) Si-O-Si 신축 진동 흡수 피크가 1000cm-1보다 저에너지측에 존재하는 것.
(2) 약 870cm-1 근방에 존재하는 Si-N 신축 진동 흡수 피크의 흡수 강도가 상 기 Si-O-Si 신축 진동 흡수 피크의 흡수 강도의 0.75배 이상인 것.
(3) 2000∼4000cm-1 영역에서의 흡수 피크의 강도가 상기 Si-N 신축 진동 흡수 피크의 흡수 강도의 5% 이하인 것.
이러한 특성의 막으로 함으로써 성막 속도가 빠르고, 막 밀도가 높으며, 또한, 막 응력이 작은 보호막을 얻을 수 있다. 상기의 조건 (1) 및 (2)에 의해 막 응력을 작게 할 수 있고, 조건 (3)에 의해, Si-H의 농도가 작고, 따라서, 막 밀도가 높은 보호막을 얻을 수 있다.
본 실시예에서의 보호막(113)은, 산화 마그네슘막(111)을 막 밀도가 높은 SiNxOy막에 의해 샌드위치한 구조로 되어 있다. 산화 마그네슘에는 흡수성이 있으므로, SiNxOy막에 핀홀 등의 결함이 있었던 경우에, 그것을 통하여 유기 EL 소자부에 진입하려고 하는 수분을 흡수시키기 위해서이다. 이에 의해 보호막(113)의 수분에 대한 배리어성은 대폭 향상된다. 산화 마그네슘막(111)을 유기 EL 소자부(1000)에 직접 접촉시키지 않는 것은, 유기 EL 소자의 제2 전극과 접촉하는 유기층(107)이 흡수성의 성질을 갖는 경우가 있기 때문이다. 산화 마그네슘(111) 위에 SiNxOy막(110b)을 적층하고 있는 것은, 산화 마그네슘(111)에 흡수시키는 수분을 적게 하여, 흡수 능력을 오래 갖게 하기 위해서이다. 이에 의해, 보호막(113)으로서 이용하는 SiNxOy막의 막 두께를 작게 할 수 있다. 이것은, SiNxOy막의 성막 설비 삭감으로 연결되어, 제조 코스트 저감에 기여할 수 있다.
따라서, 보호막(113)으로서 이용하는 SiNxOy막에 핀홀이 적고, 유기 EL 패 널(100)의 수명에 문제가 없으면, 산화 마그네슘(111)을 이용할 필요는 없으며, 적어도 1층 이상의 SiNxOy막을 이용하면 된다.
여기에서 이용하는 산화 마그네슘은 흡수성이 우수한 것이 바람직하며, 도 4a 및 도 4b에 나타낸 적외 흡수 특성에서, 3000cm-1∼4000cm-1 영역에 존재하는 수분 흡장에 관련된 흡수 피크가 낮은 것이 바람직하다. 즉, 다음 조건을 만족하는 것이 바람직하다. (1) 산화 마그네슘막의 적외 흡수 스펙트럼의 3400∼3500cm-1 영역, 및, 3600cm-1 근방에서 보여지는 O-H 진동 흡수 피크의 흡광도 log(1/T;투과율)을 상기 산화 마그네슘막의 막 두께로 나눈 값이 0.08㎛-1 이하인 것.
(2) 산화 마그네슘막의 적외 흡수 스펙트럼의 3700cm-1근방에서 보여지는 Mg-OH 진동 흡수 피크의 흡광도 log(1/T;투과율)을 상기 산화 마그네슘막의 막 두께로 나눈 값이 0.08㎛-1 이하인 것. 또한, 막 조성(O/Mg비)도 흡수 상태에 따라서 변화하기 때문에, 0.95∼1.1의 O/Mg비의 범위에서 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 산화 마그네슘막을 통과하여 유기 EL 소자측에 진입하고자 하는 수분에의 배리어성을 길게 유지하기 위해서는, 도 5a 및 도 5b에 나타내는 (111) 배향성을 나타내는 것이 바람직하다. 산화 마그네슘막의 막 밀도를 높게 할 수 있기 때문이다.
도 6에 본 실시예에서의 SiNxOy/MgO/SiNxOy 적층막 성막 장치의 개요를 도시 한다. SiNxOy막은, 질소 화합물 기체(N2나 NH3 등)를 함유하는 분위기에서, Ar 이온 빔(610, 640)을 산소 결핍형의 산화실리콘(SiOx, x≒1) 증착원(604, 644)에 조사하고, 증발된 증발 입자(611, 641)를 기판 트레이(6000)에 수납된 유기 EL 기판용 머더 기판(6100)에 퇴적하여 성막한다. Ar 이온 빔(610, 640)을 제작하기 위한 Ar 가스는 불활성 가스 공급 라인(607, 647)으로부터 도입하고, 반응 가스로 되는 질소 화합물 기체(N2나 NH3 등)는 반응 가스 공급계(608, 648)로부터 도입한다.
산화 마그네슘막은, 산소 화합물 기체(O2, N2O, CO2 등)를 함유하는 분위기에서, 전자 빔(630)을 MgO 증착원(624)에 조사하고, 증발된 증발 입자(631)를 기판 트레이(6000)에 수납된 유기 EL 기판용 머더 기판(6100)에 퇴적하여, 성막한다. 반응 가스로 되는 산소 화합물 기체(O2, N2O, CO2 등)는 반응 가스 공급계(628)로부터 도입한다.
본 성막 장치에 의해, 유기 EL 기판용 머더 기판(6100)을 수납한 기판 트레이(6000)를 이동시킴으로써, SiNxOy/MgO/SiNxOy 적층막을 형성할 수 있다. 유기 EL 기판용 머더 기판(6100)과 기판 트레이(6000)의 사이에는, 증착 마스크가 삽입되어 있고, 유기 EL 패널의 외부 회로와의 접속 단자부에는 성막되지 않도록 하고 있다. SiNxOy막의 막 두께를 200nm 이하로 함으로써, 유기 EL 기판용 머더 기판(6100)의 온도를 80℃ 이하로 유지할 수 있다. 산화 마그네슘막의 막 두께는 흡수 특성으로부터 보아 적정화하면 된다. 이러한 방법으로 제작된 SiNxOy막에는 이온을 형성하는 Ar이 함유된다. 여기에서는, Ar 이온 빔을 이용하고 있지만 이것에 한정되는 것은 아니며, 다른 불활성 기체를 이용해도 지장이 없다. 이 경우에는, 그들이 막 내에 함유된다. 또한, 산화 마그네슘막은 반응성 상기 분위기에서의 전자선 증착법에 의해 성막하고 있지만, SiNxOy막의 경우와 마찬가지로, 산소 화합물 기체(O2, N2O, CO2 등)를 함유하는 분위기에서, 불활성 기체로 이루어지는 이온 빔을 MgO 증착원에 조사하여 성막해도 된다. 이 경우에는, 산화 마그네슘막에도 불활성 기체가 함유되게 된다.
본 실시예에서 이용한 성막 방법에 따르면, 100nm/min 이상의 SiNxOy막의 성막 속도를 얻을 수 있어, 제조 설비 삭감에 공헌할 수 있다. 이들은, 유기 EL 패널의 원가 저감의 효과를 낳는다.
본 실시예에서는, SiNxOy막과 산화 마그네슘으로 이루어지는 다층막 위에 수지 시트(112)를 적층하여 보호막(113)으로 하고 있다. 이에 의해, 밀봉 글래스(114)로서 캐비티 가공 등을 실시하지 않은 평판 글래스를 이용할 수 있다. 수지 시트(112)로서는 투명한 아크릴 등을 이용하면 된다. 또한, 흡수성의 특성을 부여하여, 건조제의 역할을 갖게 하는 것도 바람직하다. 수지 시트(112)는 시일제와 유사한 기능을 하므로, 등가적으로 시일제의 두께를 늘린 효과가 얻어져, 유기 EL 소자부(1000)에 진입하고자 하는 수분에 대한 배리어성이 높아진다.
이상 설명해 온 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 수분이나 산소에 대한 배리어성이 높고 긴 수명의 유기 EL 패널을 제공할 수 있다. 또한, 밀봉 글래스의 휨에 기인한 흑점 발생도 방지할 수 있다.
<실시예 2>
본 실시예는, 본 발명을 보텀 에미션형의 유기 EL 패널에 적용한 예로서, 그 이외는 실시예 1과 동일하다. 도 7은 유기 EL 패널(100)의 주요부 단면도를 도시한다. 도 7에서 도면 부호 101은 글래스 기판 등으로 이루어지는 회로 기판을, 도면 부호 102는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 회로 형성부를, 도면 부호 1000은 유기 EL 소자를 형성한 유기 EL 소자부를, 도면 부호 113은 그 유기 EL 소자부(1000)를 피복하도록 형성한 보호막을, 도면 부호 114는 밀봉 글래스를, 도면 부호 115는 건조제를, 도면 부호 116은 시일제를 나타내고 있다. 백색 화살표는 광이 나가는 방향을 나타내고 있고, 본 실시예의 경우에는, 회로 기판(101)측으로부터 광을 취출하게 된다. 유기 EL 소자부(1000)는, 밀봉 글래스(114)와 보호막(113), 시일제(116), 회로 형성부(102)를 갖는 회로 기판(101)에 의해 밀봉되어 있다.
도 8은 유기 EL 패널(100)의 유기 EL 소자부(1000)를 확대하여 도시한 주요부 단면도이다. 도 8에서, 도면 부호 103은 회로 형성부(102) 위에 형성한 제1 전극(하부 전극이고, 음극 혹은 양극을 나타냄)을, 도면 부호 104는 제1 전극(103)의 패턴 끝을 피복하도록 형성된 뱅크를, 도면 부호 105∼107은 유기층을, 도면 부호 108은 제2 전극(상부 전극이고, 양극 혹은 음극을 나타냄)을, 도면 부호 110a와 110b는 SiNxOy막을, 도면 부호 111은 산화 마그네슘막을, 도면 부호 112는 수지 시트를 나타낸다. 유기 EL 소자(1000)는, 제1 전극(103)과 유기층(105∼107), 제2 전극(108)으로 구성된다.
유기 EL 패널(100)의 광을 회로 기판(101)측으로부터 취출하므로, 제1 전극(103)은 투명 전극이며, ITO막이나 IZO막, ZnO막으로 구성된다. 제2 전극(108)에는 반사 전극의 기능을 갖게 하기 위하여, Al 등의 금속막을 이용한다. 이 때문에, 보조 전극을 설치할 필요는 없다. 이 부분이 실시예 1과 서로 다른 점이다.
따라서, 도 7에서 설명한 보호막(113)이, SiNxOy막(110a), 산화 마그네슘막(111), SiNxOy막(110b), 수지 시트(112)의 적층막으로 구성되어 있고, 이 부분에 본 발명을 적용한 점도 실시예 1과 동일하다.
본 실시예에서도, 실시예 1과 동일한 효과가 얻어진다.
<실시예 3>
본 실시예는, 본 발명을 중공 밀봉의 유기 EL 패널에 적용한 예로서, 그 이외는 실시예 1과 동일하다. 도 9는 유기 EL 패널(100)의 주요부 단면도를 도시한다. 도 9에서, 도면 부호 101은 글래스 기판 등으로 이루어지는 회로 기판을, 도면 부호 102는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 회로 형성부를, 도면 부호 1000은 유기 EL 소자를 형성한 유기 EL 소자부를, 도면 부호 113은 그 유기 EL 소자부(1000)를 피복하도록 형성한 보호막을, 도면 부호 114는 밀봉 글래스를, 도면 부호 115는 건조제를, 도면 부호 116은 시일제를 나타내고 있다.
본 실시예의 경우, 밀봉 글래스(114)와 보호막(113) 사이에 밀봉 공간(117)이 새롭게 형성되어 있다. 이 점이 실시예 1과 서로 다른 점이며, 그 외는 동일하다. 백색 화살표는 광이 나가는 방향을 나타내고 있고, 본 실시예의 경우에는, 밀봉 글래스(114)측으로부터 광을 취출하게 된다.
유기 EL 소자부(1000)는, 밀봉 글래스(114)와 보호막(113), 시일제(116), 회로 형성부(102)를 갖는 회로 기판(101)에 의해 밀봉되어 있다. 도 10은 유기 EL 패널(100)의 유기 EL 소자부(1000)를 확대하여 도시한 주요부 단면도이다.
도 10에서, 도면 부호 103은 회로 형성부(102) 위에 형성한 제1 전극(하부 전극이고, 음극 혹은 양극을 나타냄)을, 도면 부호 104는 제1 전극(103)의 패턴 끝을 피복하도록 형성된 뱅크를, 도면 부호 105∼107은 유기층을, 도면 부호 108은 제2 전극(상부 전극이고, 양극 혹은 음극을 나타냄)을, 도면 부호 110a와 110b는 SiNxOy막을, 도면 부호 111은 산화 마그네슘막을, 도면 부호 112는 수지 시트를 나타낸다. 유기 EL 소자(1000)는, 제1 전극(103)과 유기층(105∼107), 제2 전극(108)으로 구성된다.
본 실시예에 따르면, 보호막(113)이 완충재로서 기능하기 때문에, 중공 밀봉의 결점인 밀봉 글래스(114)의 유기 EL 소자부(1000)에 접촉함에 따른 흑점 발생을 방지할 수 있다. 밀봉 공간(117) 내에 건조제(115)가 있어, 보호막(113)의 수분에 대한 배리어성이 높으므로, 종래의 중공 밀봉의 유기 EL 패널보다, 훨씬 높은 수명 특성을 나타내게 된다.
또한, 유기 EL 패널에 대하여 요구되는 수명 특성이나 기계 강도를 만족하면, 산화 마그네슘막(111), SiNxOy막(110b), 수지 시트(112), 건조제(115) 중 어느 하나를 생략해도 지장이 없다.
<실시예 4>
본 실시예는, 제3 실시예와 거의 동일하며, 밀봉 글래스(114)의 유기 EL 소 자부(1000)와 대향하는 영역 전체면에 건조제(115)를 설치한 점만이 서로 다르다.
도 11은 유기 EL 패널(100)의 주요부 단면도를 도시한 것이고, 도 12는 유기 EL 패널(100)의 유기 EL 소자부(1000)를 확대하여 도시한 주요부 단면도이다. 실시예 3과 비교하여, 건조제(115)에 의한 흡수 능력이 증대하는 것뿐으로 구성 요소 등 그 외는 동일하다. 따라서, 실시 형태 3과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
<실시예 5>
본 실시예는, 본 발명을 중공 밀봉의 보텀 에미션형 유기 EL 패널에 적용한 예이다. 중공 밀봉인 것 이외는 실시예 2와 동일하며, 보텀 에미션 유기 EL을 대상으로 삼고 있는 것 이외는 실시예 3과 동일하다. 도 13은 유기 EL 패널(1000)의 주요부 단면도를 도시한다.
도 13에서, 도면 부호 101은 글래스 기판 등으로 이루어지는 회로 기판을, 도면 부호 102는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 회로 형성부를, 도면 부호 1000은 유기 EL 소자를 형성한 유기 EL 소자부를, 도면 부호 113은 그 유기 EL 소자부(1000)를 피복하도록 형성한 보호막을, 도면 부호 114는 밀봉 글래스를, 도면 부호 115는 건조제를, 도면 부호 116은 시일제를 나타내고 있다. 백색 화살표는 광이 나가는 방향을 나타내고 있고, 본 실시예의 경우에는, 회로 기판(101)측으로부터 광을 취출하게 된다. 유기 EL 소자부(1000)는, 밀봉 글래스(114)와 보호막(113), 시일제(116), 회로 형성부(102)를 갖는 회로 기판(101)에 의해 밀봉되어 있다.
도 14는 유기 EL 패널(100)의 유기 EL 소자부(1000)를 확대하여 도시한 주요 부 단면도이다. 도 14에서, 도면 부호 103은 회로 형성부(102) 위에 형성한 제1 전극(하부 전극이고, 음극 혹은 양극을 나타냄)을, 도면 부호 104는 제1 전극(103)의 패턴 끝을 피복하도록 형성된 뱅크를, 도면 부호 105∼107은 유기층을, 도면 부호 108은 제2 전극(상부 전극이고, 양극 혹은 음극을 나타냄)을, 도면 부호 110a와 110b는 SiNxOy막을, 도면 부호 111은 산화 마그네슘막을, 도면 부호 112는 수지 시트를 나타낸다. 유기 EL 소자(1000)는, 제1 전극(103)과 유기층(105∼107), 제2 전극(108)으로 구성된다.
유기 EL 패널(100)의 광을 회로 기판(101)측으로부터 취출하므로, 제1 전극(103)은 투명 전극이며, ITO막이나 IZO막, ZnO막으로 구성된다. 제2 전극(108)에는 반사 전극의 기능을 갖게 하기 위하여, Al 등의 금속막을 이용한다. 이 때문에, 보조 전극을 설치할 필요는 없다. 이 부분이 실시예 3과 서로 다른 점이다.
따라서, 도 13에서 설명한 보호막(113)이 Si-NxOy막(110a), 산화 마그네슘막(111), SiNxOy막(110b), 수지 시트(112)의 적층막으로 구성되어 있고, 이 부분에 본 발명을 적용한 점도 실시예 3과 동일하다.
본 실시예에서도, 실시예 2나 실시예 3과 동일한 효과가 얻어지는 것은 분명하다.
<실시예 6>
본 실시예는, 실시예 5와 거의 동일하여, 밀봉 글래스(114)의 유기 EL 소자부(1000)와 대향하는 영역 전체면에 건조제(115)를 설치한 점만이 서로 다르다. 도 15는 유기 EL 패널(100)의 주요부 단면도를 도시한 것이고, 도 16은 유기 EL 패 널(100)의 유기 EL 소자부(1000)를 확대하여 도시한 주요부 단면도이다.
실시예 5와 비교하여, 건조제(115)에 의한 흡수 능력이 증대하는 것뿐으로 구성 요소 등 그 외는 동일하다. 따라서, 실시예 5와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 여러 가지 실시예들이 제시되고 기술되었으나, 개시된 실시예들은 본 발명의 범위를 벗어남 없이 변경 및 변경될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 본 명세서에 제시되고 기술된 상세 내용에 의해 한정하려는 것은 아니며, 첨부된 특허 청구 범위의 범위 내에 있는 그와 같은 모든 변형 및 변경들을 포함하고자 하는 것이다.