CN102867921B - 有机显示装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 65
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 claims description 7
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical class N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZNRNQGTVRTDPN-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,4-dimethylbenzene Chemical group CC1=CC=C(C)C(Cl)=C1 KZNRNQGTVRTDPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001871 amorphous plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000554 physical therapy Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003503 terephthalic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
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- H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
本发明提供一种有机显示装置，包括至少一个的红外显示像素，所述红外显示像素包括透明基底，沉积在所述透明基底上的第一电极层、红外有机发光层以及第二电极层，其中所述红外有机发光层填充有红外发光材料。本发明通过在有机显示装置的有机发光层填充红外发光材料构成红外有机发光层，并配合柔性透明基底，可以使得有机显示装置能够进行大面积的红外显示；而且由于本发明使用柔性透明基底，便于使用和携带，拓展了有机显示装置的功能。<!--1-->
Description
【技术领域】
本发明涉及有机显示技术领域，特别是涉及一种有机显示装置。
【背景技术】
有机发光二极管（OrganicLightEmittingDiode，OLED），作为新一代照明显示装置，通过将有机发光材料夹在透明阳极和金属反射阴极之间，对有机发光材料施加电压来进行发光。由于OLED不需要背光装置，可以制造的比较轻薄，比起其它类型的平板显示器件，OLED消耗的电力较少，且OLED可以在宽的温度范围内工作，且制造成本较低，因此得到越来越广泛的应用。而且，OLED通过设置不同颜色的有机发光材料，可以实现不同色彩的显示，譬如可以提供红光、绿光和蓝光等。
而随着红外设备的不断普及，对红外应用的要求也越来越高。现有技术的红外设备多用于加热、理疗、夜视、通讯、导航、植物栽培、高温杀菌、红外探测以及红外制导等领域，且红外设备的存在形式譬如气体氙灯、受热物体或者激光器等，上述形式的红外设备只能用于照明，无法实现大面积的红外显示。
现有技术中的无机半导体红外发生器虽可用于大面积红外显示，但是由于其使用的无机红外半导体材料为基于以碲镉汞为主的无机化合物，导致成本高、制作工艺较复杂，不能在多晶、非晶以及柔性塑料衬底上制备形成薄膜，用户携带不便，限制了无机红外半导体材料在红外显示器件的应用。
有机红外材料（譬如红外有机半导体材料）相对于无机红外半导体材料，具有价廉质轻、溶解性好、易加工成大面积柔性器件和通过分子剪裁调控光电性能等优势。
如何将有机红外材料应用于有机显示装置，既能够实现红外显示，又能降低成本，方便用户的使用，是有机显示技术领域研究的方向之一。
【发明内容】
本发明的一个目的在于提供一种有机显示装置，旨在将有机红外材料应用于有机显示装置，既能够实现红外显示，又能降低成本，方便用户的使用。
为达到上述有益效果，本发明构造了一种有机显示装置，包括至少一个的红外显示像素，所述红外显示像素包括透明基底，沉积在所述透明基底上的第一电极层、红外有机发光层以及第二电极层，其中所述红外有机发光层填充有红外发光材料。
在本发明一实施例中：所述透明基底为柔性透明基底。
在本发明一实施例中：所述红外发光材料为三价稀土离子配合物、酞菁类材料或者卟啉类材料。
在本发明一实施例中：所述红外发光材料为有机聚合物或者有机离子染料，其中所述有机聚合物的带隙在预定范围内。
在本发明一实施例中：所述透明基底和所述第一电极层之间形成有第一保护层。
在本发明一实施例中：第一电极层和红外有机发光层之间形成有空穴传输层，所述第二电极层上还形成有电子传输层。
在本发明一实施例中：所述电子传输层和所述第二电极层之间还形成有空穴阻挡层。
在本发明一实施例中：所述红外显示像素还包括有第二保护层，所述第二保护层与所述第一保护层形成一保护空间，所述第一电极层、空穴传输层、红外有机发光层、空穴阻挡层以及电子传输层均位于所述保护空间内。
在本发明一实施例中：所述第一保护层包括有至少一层的聚合物层和至少一层的截止层，且所述聚合物层和截止层交替叠加设置。
在本发明一实施例中：所述透明基底上还形成有扫描线、数据线、电源线以及开关阵列组件，所述红外显示像素通过所述关阵列组件连接所述扫描线、数据线以及电源线，并根据所述扫描线、数据线以及电源线的信号控制所述红外显示像素的开闭。
相对于现有技术，本发明通过在有机显示装置的有机发光层填充红外发光材料作为红外有机发光层，并配合柔性透明基底，可以使得有机显示装置能够进行大面积的红外显示，而且制作过程简洁，制作成本低；而且由于本发明使用柔性透明基底，因此可以将有机显示装置制作成衣服等样式，便于使用和携带，极大的拓展了有机显示装置的功能，提高了用户体验。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1为本发明中有机显示装置的俯视结构示意图；
图2为本发明中红外显示像素的剖视结构示意图；
图3为本发明中第一保护层的剖视结构示意图；
图4为本发明中有机显示装置的控制结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参阅图1，图1为本发明中有机显示装置的俯视结构示意图，其中所述有机显示装置10包括多个沿行方向A(即长度方向)和列方向B(即宽度方向)排列的红外显示像素11，所述红外显示像素11用于发射红外光线(infraredlight，IR)，其中红外光线的波长一般在0.76至400微米之间，为肉眼看不到的光线，需通过特殊仪器观测红外光线，此处暂不赘述。
请参阅图2，图2为图1中红外显示像素11的剖视结构示意图。
所述红外显示像素11包括有透明基底20，所述透明基底20上依次形成有第一保护层21、第一电极层22（即阳极），空穴(hole)传输层23、红外有机发光层24、空穴阻挡层25、电子(electron)传输层26、第二电极层27（即阴极）以及第二保护层28。
所述第二保护层28相对所述第一保护层21呈弯折封闭状，并与所述第一保护层21形成一保护空间（图未标示），该保护空间将所述第一电极层22、空穴传输层23、红外有机发光层24、空穴阻挡层25、电子传输层26以及第二电极层27包裹其中，以起到保护的作用。
所述红外有机发光层24包括红外发光材料，该红外发光材料优选为三价稀土离子配合物、酞菁类材料或者卟啉类材料，也可以是有机聚合物或者有机离子染料。其中所述有机聚合物的带隙（导带的最低点和价带的最高点的能量之差）在预定范围内，譬如该预定范围为0.50电子伏至1.50电子伏。
以所述红外发光材料为酞菁铜材料为例，酞菁铜的结构式请参阅式(I)，所述酞菁铜材料发射光谱峰值在1120纳米（nm）；以所述红外发光材料为三（8-羟基喹啉）铒为例，三（8-羟基喹啉）铒结构式请参阅式(II)，所述三（8-羟基喹啉）铒的发射光谱峰值在1530纳米。
本发明中，所述透明基底20优选为柔性(flexible)透明基底，譬如聚对苯二甲酸类塑料（Polyethyleneterephthalate，PET）或者不锈钢箔。
请参阅图3，图3为本发明中第一保护层21的剖视结构示意图。
由于本发明的透明基底20优选为柔性透明基底，因此设置所述第一保护层21用来防止外部的其它物质进入所述红外显示像素11的内部，譬如可以防水等。所述第一保护层21包括有至少一层的聚合物层211和至少一层的截止层212，譬如无机致密截止层。其中所述聚合物层211和所述截止层212交替叠加设置。
所述聚合物层211的材料可为聚对二甲苯类、聚烯类、聚酯类或者聚酰亚胺（PI）等。所述聚对二甲苯类譬如为PPX（聚对二甲苯）或者PCPX（聚-氯对二甲苯）；所述聚烯类譬如为PE（聚乙烯）、PS（聚苯乙烯）、PP（聚丙烯）、PET、PTFE（聚四氟乙烯）或者PFA（可溶性聚四氟乙烯）；所述聚酯类譬如为PEN（聚苯二甲酸乙二醇酯）、PC（聚碳酸酯）、PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）、PVAC（聚醋酸乙烯酯）或者PES（聚醚砜树脂）。
而所述截止层212的材料可为透明氧化物薄膜、透明氟化物薄膜、氮化硅系列（SixNy）或者硫系玻璃。其中所述透明氧化物薄膜譬如为二氧化钛（TiO2）、氧化镁（MgO）、二氧化硅（SiO）2、二氧化锆（ZrO2）、氧化锌（ZnO）或者氧化铝（Al2O3）；所述透明氟化物薄膜譬如为氟化锂（LiF）或者氟化镁（MgF2）；所述氮化硅系列（SixNy）譬如为（Si3N4）或者（SiNx）；所述硫系玻璃譬如为硒（Se）、碲（Te）或者锑（Sb）。当然所述截止层212的材料还可以为硫化锌（ZnS）、氮氧化矽（SiOxNy）或者碳氧化矽（SiOxCy）。
请再参阅图2，所述第一电极层22可为铟锡氧化物(ITO)，所述第二电极层27可为镁银合金。在偏压条件下，来自第二电极层27的电子与来自第一电极层22的空穴(又称电洞)在红外有机发光层24处复合，导致所述红外有机发光层24发射红外光线，用于观察红外光线的设备（图未示出）可以透过透明基底20、第一保护层21、第一电极层22以及空穴传输层23观察到所述红外有机发光层24发射的红外光线。由于本发明中所述红外有机发光层24为平面光源，使得所述有机显示装置为一大面积显示红外光源的器件。
请参阅图4，图4为本发明中有机显示装置的控制结构示意图。
透明基底（图4未绘出）上形成有扫描线31、数据线32、电源线33及薄膜场效应晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)34。所述扫描线31和数据线32交叉限定的区域设置所述红外显示像素11，而所述数据线32和电源线33设置在所述红外显示像素11的两侧。本发明中所述红外显示像素11通过TFT34连接所述扫描线31、数据线32及电源线33。所述有机显示装置还包括有驱动模块用来驱动所述红外显示像素11发射红外光线。所述驱动模块譬如栅驱动芯片以及源驱动芯片（图未示出），并分别连接所述扫描线31和数据线32，以提供所述扫描线31一扫描信号，以及提供所述数据线32一数据信号，而所述红外显示像素11根据所述扫描线31、数据线32以及电源线33上的信号实现打开或者关闭的动作。
本发明通过在有机显示装置的有机发光层填充红外发光材料作为红外有机发光层，并配合柔性透明基底，可以使得有机显示装置能够进行大面积的红外显示，而且制作过程简洁，制作成本低；而且由于本发明使用柔性透明基底，因此可以将有机显示装置制作成衣服等样式，便于使用和携带，极大的拓展了有机显示装置的功能，提高了用户体验。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种有机显示装置，其特征在于：包括至少一个的红外显示像素，所述红外显示像素包括透明基底，沉积在所述透明基底上的第一保护层，第一电极层、红外有机发光层以及第二电极层和第二保护层，其中所述红外有机发光层填充有红外发光材料，所述红外有机发光层为平面光源；所述第二保护层相对所述第一保护层呈弯折封闭状；其中，在偏压条件下，来自第二电极层的电子与来自第一电极层的空穴在红外有机发光层处复合，以致所述红外有机发光层发射红外光线；所述透明基底上形成有扫描线、数据线、电源线及薄膜场效应晶体管；所述扫描线和数据线交叉限定的区域设置所述红外显示像素，而所述数据线和电源线设置在所述红外显示像素的两侧；所述红外显示像素通过TFT连接所述扫描线、数据线及电源线；所述有机显示装置还包括有驱动模块用来驱动所述红外显示像素发射红外光线；所述驱动模块包括栅驱动芯片以及源驱动芯片，并分别连接所述扫描线和数据线，以提供所述扫描线一扫描信号，以及提供所述数据线一数据信号，而所述红外显示像素根据所述扫描线、数据线以及电源线上的信号实现打开或者关闭的动作。
2.根据权利要求1所述的有机显示装置，其特征在于：所述透明基底为柔性透明基底。
3.根据权利要求1所述的有机显示装置，其特征在于：所述红外发光材料为三价稀土离子配合物、酞菁类材料或者卟啉类材料。
4.根据权利要求1所述的有机显示装置，其特征在于：所述红外发光材料为有机聚合物或者有机离子染料。
5.根据权利要求2所述的有机显示装置，其特征在于：所述第一电极层和所述红外有机发光层之间形成有空穴传输层，所述第二电极层上还形成有电子传输层。
6.根据权利要求5所述的有机显示装置，其特征在于：所述电子传输层和所述第二电极层之间还形成有空穴阻挡层。
7.根据权利要求6所述的有机显示装置，其特征在于：所述第二保护层与所述第一保护层形成一保护空间，所述第一电极层、空穴传输层、红外有机发光层、空穴阻挡层以及电子传输层均位于所述保护空间内。
8.根据权利要求2所述的有机显示装置，其特征在于：所述第一保护层包括有至少一层的聚合物层和至少一层的截止层，且所述聚合物层和截止层交替叠加设置。
9.根据权利要求1所述的有机显示装置，其特征在于：所述透明基底上还形成有扫描线、数据线、电源线以及开关阵列组件，所述红外显示像素通过所述关阵列组件连接所述扫描线、数据线以及电源线，并根据所述扫描线、数据线以及电源线的信号控制所述红外显示像素的开闭。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210338396.1A CN102867921B (zh) | 2012-09-13 | 2012-09-13 | 有机显示装置 |
| PCT/CN2012/081412 WO2014040276A1 (zh) | 2012-09-13 | 2012-09-14 | 有机显示装置 |
| US13/703,369 US9634078B2 (en) | 2012-09-13 | 2012-09-14 | Organic display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210338396.1A CN102867921B (zh) | 2012-09-13 | 2012-09-13 | 有机显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102867921A CN102867921A (zh) | 2013-01-09 |
| CN102867921B true CN102867921B (zh) | 2015-11-25 |
Family
ID=47446637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210338396.1A Expired - Fee Related CN102867921B (zh) | 2012-09-13 | 2012-09-13 | 有机显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9634078B2 (zh) |
| CN (1) | CN102867921B (zh) |
| WO (1) | WO2014040276A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102523377B1 (ko) * | 2016-07-15 | 2023-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 두부 장착 표시 시스템 |
| KR102586792B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2023-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 구동방법 |
| KR102350624B1 (ko) | 2017-03-08 | 2022-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
| KR102330203B1 (ko) | 2017-09-25 | 2021-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
| CN107770309A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-03-06 | 苏州大学 | 近红外发光像素在oled屏幕移动终端结构的应用 |
| CN114674401B (zh) * | 2022-03-24 | 2024-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种重量测试设备 |
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Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6897474B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-05-24 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
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| JP5185598B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2013-04-17 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
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| CN101710610A (zh) * | 2009-12-07 | 2010-05-19 | 河北工业大学 | 碱金属碳酸盐掺杂有机电子注入层的有机发光二极管 |
| CN102769025A (zh) * | 2012-08-06 | 2012-11-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机电致发光二极管 |
| CN102832351A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 红外有机电致发光二极管 |
-
2012
- 2012-09-13 CN CN201210338396.1A patent/CN102867921B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-14 US US13/703,369 patent/US9634078B2/en active Active
- 2012-09-14 WO PCT/CN2012/081412 patent/WO2014040276A1/zh active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102867921A (zh) | 2013-01-09 |
| US20150179726A1 (en) | 2015-06-25 |
| US9634078B2 (en) | 2017-04-25 |
| WO2014040276A1 (zh) | 2014-03-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 518132 No. 9-2 Ming Avenue, Guangming New District, Guangdong, Shenzhen Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 518132 No. 9-2 Ming Avenue, Guangming New District, Guangdong, Shenzhen Patentee before: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20151125 |