KR20090019799A - 전극 접합방법 및 부품 실장장치 - Google Patents

전극 접합방법 및 부품 실장장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090019799A
KR20090019799A KR1020087028498A KR20087028498A KR20090019799A KR 20090019799 A KR20090019799 A KR 20090019799A KR 1020087028498 A KR1020087028498 A KR 1020087028498A KR 20087028498 A KR20087028498 A KR 20087028498A KR 20090019799 A KR20090019799 A KR 20090019799A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inert gas
electrode
atmospheric pressure
component
pressure plasma
Prior art date
Application number
KR1020087028498A
Other languages
English (en)
Inventor
요시마사 이나모토
하치로 나카츠지
가즈히로 이노우에
히로유키 츠지
Original Assignee
파나소닉 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파나소닉 주식회사 filed Critical 파나소닉 주식회사
Publication of KR20090019799A publication Critical patent/KR20090019799A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/38—Selection of media, e.g. special atmospheres for surrounding the working area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K11/00—Resistance welding; Severing by resistance heating
    • B23K11/0006—Resistance welding; Severing by resistance heating the welding zone being shielded against the influence of the surrounding atmosphere
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/38—Selection of media, e.g. special atmospheres for surrounding the working area
    • B23K35/383—Selection of media, e.g. special atmospheres for surrounding the working area mainly containing noble gases or nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81009—Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81009—Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
    • H01L2224/8101—Cleaning the bump connector, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/81013—Plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81053—Bonding environment
    • H01L2224/81054—Composition of the atmosphere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81053—Bonding environment
    • H01L2224/81054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/81075—Composition of the atmosphere being inert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0195—Tool for a process not provided for in H05K3/00, e.g. tool for handling objects using suction, for deforming objects, for applying local pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/082—Suction, e.g. for holding solder balls or components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/086—Using an inert gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/09—Treatments involving charged particles
    • H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 전극 접합방법은, 반도체 장치와 같은 부품(1) 및 기판(10) 중 적어도 어느 하나의 세정될 전극 면을 세정용 상압 플라즈마(8)로 조사하는 플라즈마 세정단계; 상기 상압 플라즈마의 조사가 끝나기 전에 상기 전극 면(3)과 그 근방을 제 1 불활성 가스(4)로 덮고 그 후에도 그 상태를 유지하는 불활성 가스 분위기 유지단계; 및 상기 불활성 가스 분위기 유지단계가 끝나기 전에 상기 부품(1)의 전극과 상기 기판(10)의 전극을 접합하는 접합단계를 포함한다. 이에 따라 전극 면(3)은 기판(10)에 접합될 부품(1)을 손상하지 않고 플라즈마 세정되며, 세정된 상태가 전극을 접합하는 동안 유지되어 높은 접합력과 높은 신뢰성의 전극 접합상태를 제공한다.
상압 플라즈마, 불활성 가스 분위기, 질소가스, 접합, 손상, 신뢰성, 세정

Description

전극 접합방법 및 부품 실장장치{ELECTRODE BONDING METHOD AND PART MOUNTING APPARATUS}
본 발명은 기판 전극에 부품 전극을 접합하는 전극 접합방법과 이 방법에 적용되는 부품 실장장치에 관한 것으로, 특히 전극 표면을 플라즈마-세정하고 전극을 접합하는 중에 이 상태를 유지하여 높은 신뢰성의 접합 상태를 제공하기 위한 전극 접합방법 및 부품 실장장치에 관련한다.
범프(bump) 전극이나 플랫(flat) 전극을 구비한 반도체 장치와 범프 전극이나 플랫 전극을 구비한 유연 기판을 갖는 부품과 같이 다양한 종류의 부품을 플랫 전극이나 점프 전극을 갖는 기판에 로드하기 위한 전극 접합방법, 그리고 초음파 접합이나 열 압착 접합에 의해 이들 전극을 서로 접합하는 것은 지금까지 알려져 왔다. 전극 표면에 산화막이 있거나 또는 유기물 오염이 있거나 흡습 상태에서 초음파 접합이나 열 압착 접합이 수행되면, 접합면은 접합력을 떨어뜨리는 것을 포함할 수 있다. 따라서, 부품 및 기판의 전극의 표면을 산 처리로 습식 세정하거나 진공챔버에서 플라즈마 처리로 세정하여 전극 표면으로부터 산화막을 제거하거나 유기물 오염을 제거하여 높은 접합력과 신뢰성의 접합 상태를 제공하는 것이 또한 알려져 왔다.
그러나, 세정을 수행하기 위한 세정장치는 일반적으로 대규모 장치와 높은 코스트를 요구하며, 부품을 기판에 로드하고 접합하는 실장장치로부터 이격되어 설치된다. 따라서, 기판과 부품이 이들 사이에서 운반되는 동안, 공기 중의 습기, 산소, 이산화탄소 등으로부터 접합력을 떨어뜨리는 산화막, 유기물 오염, 및 흡습이 다시 일어날 수 있다는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 접합방법으로서, 도 10A 내지 10C에 나타낸 바와 같은 접합방법이 알려져 왔다. 이 접합방법은, 서로 인접한 접합물(전극부)(61)과 피접합물(기판)(62)을 이들의 편평면이 대체로 나란히 유지되도록 두는 단계; 이들 사이에 가스 노즐(63)로부터 불활성 가스를 공급하여 간극을 불활성 가스로 채우는 단계; 접합물(61)과 피접합물(62) 사이에 전원공급장치(65)로부터 전원을 인가하여 플라즈마(66)를 생성하는 단계(도 10A); 전원공급을 중지하여 플라즈마(66)를 소거하는 단계(도 10B); 및 접합을 위해 접합물(61)을 피접합물(62)에 접촉해두는 단계를 포함한다(일본특허공개 제2004-223600호 참조).
도 11에 나타낸 바와 같이, 유량조절수단(72)을 통하여 가스원(71)으로부터 상압플라즈마 발생수단(73)에 불활성 가스와 반응가스를 공급하는 단계; 상압플라즈마 발생수단(73)의 혼합가스에 고주파 전계를 인가하여 상압 플라즈마(74)를 발생하는 단계; 및 접합물(전극부)(76)과 피접합물(기판)(77)의 접합 영역에 플라즈마 노즐(5)로부터 발생한 상압 플라즈마(74)를 분사하여 플라즈마로 접합 영역의 표면을 세정하고 접합물(76)과 피접합물(77)의 세정된 접합 영역을 접합 장치(78)에서 서로 접촉하도록 하여 접합물(76)과 피접합물(77)을 접합하는 단계를 포함하 는 방법도 알려져 왔다(일본 공개특허 제2004-228346호 참조).
그런데, 도 10A 내지 10C에 나타낸 접합방법에서, 전원은 전원공급장치(65)로부터 접합물(61)과 피접합물(62) 사이에 공급되어 이들 사이에 플라즈마(66)를 발생하며, 고충전 플라즈마(66)가 접합물(61)과 피접합물(62) 사이에 놓이도록 된다. 이는 접합물(61)이 전극을 갖는 반도체 장치인 경우, 접합물(61) 자체의 품질 수준의 저하와 함께 충전 등에 의해 접합물(61) 자체가 손상을 입을 가능성이 있다는 문제점을 가져온다.
또한, 도 11에 도시한 구성에서, 상압플라즈마 발생수단(73)이 발생한 상압 플라즈마(74)는 단지 짧은 수명을 가지며 상압플라즈마 발생수단(73) 외부에서 한 차례 급격하게 감쇄한다. 이는 상압플라즈마 발생수단(73)과 플라즈마 노즐(75) 사이에 짧은 거리를 필요로 한다. 실제 장치에서, 개별 기계들의 배치 공간 때문에 도 11에 나타낸 것과 같은 방식을 실행하는 것은 어렵다. 또한, 플라즈마 노즐(75)로부터 공기로 유입되는 상압 플라즈마(74)는 공기에 함유된 습기 및 산소와 충돌하여 사라지며, 플라즈마 노즐(75)로부터 상압 플라즈마의 유효 조사 범위는 플라즈마 노즐(75)의 말단으로부터 3㎜ 이내이다. 한편, 도 12에 나타낸 바와 같이, 접합물(전극부)(76)의 전극(76a)과 피접합물(기판)(77)의 전극(77a)이 형성된 영역은, 접합물(전극부)(76)이 작은 경우 수 ㎜이고, 접합물(전극부)(76)이 큰 경우 수십 ㎜이다. 이러한 환경에서, 많은 경우 상압 플라즈마(74)로 조사된 전극(76a)의 표면은 영역 A에서처럼 조사에 실패하고, 조사된 전극(76a)의 표면은 영역 B에서처럼 성공적으로 조사되더라도 플라즈마 효과의 이득을 더 이상 얻을 수 없기 때문에 문제가 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로, 본 발명의 목적은 기판에 접합될 부품을 손상시킬 가능성이 없고 부품이 큰 전극 배치 영역을 갖더라도 전극 표면을 플라즈마 -세정할 수 있으며, 전극을 접합하는 중에 세정된 상태를 유지하여 높은 접합력과 높은 신뢰성의 접합 상태를 제공할 수 있는 전극 접합방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 높은 접합력과 높은 신뢰성의 접합 상태를 제공하도록 상기의 전극 접합방법이 적용되는 부품 실장장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 전극 접합방법은, 부품(1) 및 기판(10) 중 적어도 어느 하나의 세정될 전극 면을 세정용 상압 플라즈마(8)로 조사하는 플라즈마 세정단계; 상기 상압 플라즈마의 조사가 끝나기 전에 상기 전극 면(3)과 그 근방을 제 1 불활성 가스(4)로 덮고 그 후에도 그 상태를 유지하는 불활성 가스 분위기 유지단계; 및 상기 불활성 가스 분위기 유지단계가 끝나기 전에 상기 부품(1)의 전극과 상기 기판(10)의 전극을 접합하는 접합단계를 포함한다. 질소가스는 문자 그대로 불활성 가스가 아니지만, 본 발명에서 실제 불활성 가스와 거의 동일하게 사용될 수 있음에 유의해야 한다. 그러므로, 여기에 적용된 것처럼, 질소가스는 불활성 가스에 포함될 것이다.
상기의 구성에 의하면, 세정될 전극 면은 전원 대신에 부품과 기판 사이에 공급되어 플라즈마를 발생하는 상압 플라즈마로 조사된다. 따라서, 기판에 접합될 부품의 전극이 충전되어 전하로 손상을 입을 가능성 없이 전극 면을 플라즈마 세정할 수 있다. 세정된 전극 면은 제 1 불활성 가스로 덮이기 때문에, 세정된 상태를 유지할 수도 있다. 전극은 세정된 상태를 유지하는 동안 연속하여 접합되며, 따라서 높은 접합력과 높은 신뢰성의 접합 상태를 제공한다.
플라즈마 세정단계에서, 바람직하게, 조사한 상압 플라즈마에 인접하여 배치된 접지전극을 이용하여 플라즈마로부터 이온 전하를 제거하여, 상기 조사는 주로 라디컬만을 포함하도록 할 수 있다. 이것은 부품의 전극이 충전되어 전하로 손상을 입을 가능성을 더욱 줄여준다.
플라즈마 세정단계에서, 바람직하게, 세정될 전극 면과 그 근방은 상압 플라즈마로 조사되기 전에 제 1 불활성 가스로 덮여서, 세정될 전극 면은 제 1 불활성 가스의 매체를 통하여 상압 플라즈마의 라디컬로 조사된다. 라디컬이 제 1 불활성 가스에서 더 긴 수명을 갖고 제 1 불활성 가스는 세정될 전극 면 전체에 걸쳐 조사용 라디컬을 전개하기 때문에, 세정될 전극이 큰 배치 영역을 갖더라도 모든 전극 면에 신뢰성 있게 플라즈마 세정된다.
불활성 가스 분위기 유지단계에서, 바람직하게, 제 1 불활성 가스는 세정될 전극 면을 따라 흐르도록 공급되고, 제 1 불활성 가스가 세정될 전극 면을 따라 흐른 후 제 1 불활성 가스가 흡입된다. 이에 따라, 전체 세정될 전극 면을 틀림없이 제 1 불활성 가스로 덮을 수 있고, 세정된 상태를 신뢰성 있게 유지할 수 있다. 또한, 제 1 불활성 가스가 상기한 바와 같이 상압 플라즈마의 조사 이전부터 공급된다면, 모든 전극 면을 더욱 신뢰성 있게 플라즈마 세정할 수 있다.
플라즈마 세정단계는 상압 부근의 제 2 불활성 가스와 반응가스의 혼합가스에 고주파 전계를 인가하여 발생하는 상압 플라즈마를 이용할 수 있다. 이 상압 플라즈마는 간단하고 콤팩트한 구성의 상압 플라즈마 발생장치로 발생할 수 있다.
또한, 플라즈마 세정단계는 반응가스, 또는 제 3 불활성 가스와 반응가스의 혼합가스를 제 2 불활성 가스에 고주파 전계를 인가하여 발생한 상압 플라즈마와 충돌시켜 발생한 플라즈마를 적절하게 이용할 수 있다. 이는 상압 플라즈마를 저전력으로 신뢰성 있고 안정하게 발생시키며, 반응가스 또는 혼합가스를 상압 플라즈마와 충돌시켜 대량의 조사용 반응가스 라디컬을 효율적으로 발생할 수 있다. 따라서, 세정될 대면적의 전극 면을 저전력으로 세정할 수 있다.
제 1, 제 2 및 제 3 불활성 가스는 아르곤, 헬륨, 크세논, 질소, 및 이들 중 하나 또는 다수의 혼합가스로부터 선택된 서로 동일한 또는 다른 종류의 가스를 적절하게 이용한다. 반응가스는, 그것이 수소가스라면 산화막을 제거할 수 있으며, 산소가스라면 유기물을 분해 및 제거할 수 있다.
접합단계에서, 기판의 전극 면이 금이고 부품의 전극이 금 범프이면, 접합을 위해 전극 사이에 초음파 진동이 적절하게 인가된다.
접합단계에서, 기판의 전극과 부품의 전극 중 적어도 어느 하나가 솔더 물질로 구성되면, 전극은 열 압착으로 적절하게 접합된다.
또한, 접합단계에서, 접합 전에 기판의 전극과 부품의 전극 중 적어도 어느 하나에 이방성 도전필름이나 비도전성 필름이 부착되거나 이방성 도전 또는 비도전 페이스트가 도포될 수 있다. 이것은 틀림없이 용이하게 접합력을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 부품 실장장치는, 기판 위에 부품을 로드하고 기판의 전극과 부품의 전극을 접합하는 부품 실장장치로서, 상기 장치는, 기판을 기설정된 위치에 위치시키는 기판 위치설정 수단; 부품을 공급하는 부품 공급유닛; 부품 공급유닛에서 부품을 픽업하고, 이송하고, 기판 위에 로드하여 기판의 전극과 부품의 전극을 접합하는 부품 로딩수단; 기판과 부품 중 적어도 어느 하나를 상압 플라즈마로 조사하는 상압 플라즈마 조사수단; 상압 플라즈마로 조사될 상기 전극의 면이 제 1 불활성 가스로 덮이도록 제 1 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급수단; 및 기판 위치설정 수단, 부품 공급유닛, 부품 로딩수단, 상압 플라즈마 조사수단, 및 불활성 가스 공급수단을 제어하는 제어부를 포함하며, 제어부는, 상압 플라즈마에 의한 전극 면의 조사가 끝나기 전에 불활성 가스 공급수단을 활성화하고, 기판과 부품의 전극을 접합하는 동안 상압 플라즈마로 조사된 전극 면을 제 1 불활성 가스로 덮인 채로 유지하도록 제어를 실행한다.
이러한 구성에 의하면, 앞의 전극 접합방법을 실행하고 기판에 부품을 실장하여 부품의 전극과 기판의 전극이 높은 접합력으로 안정되게 접합되도록 한다.
바람직하게, 제 1 불활성 가스의 배출 포트와 흡입 포트는, 제 1 불활성 가스가 상압 플라즈마로 조사될 전극 면(3)을 따라 흐르도록 배치된다. 이에 따라, 전체 전극 면을 제 1 불활성 가스로 덮고 세정된 상태를 신뢰성 있게 유지할 수 있다.
바람직하게, 불활성 가스 공급수단은 PSA(Pressure Swing Adsorption; 가압교대흡착) 타입이나 막 분리 타입의 질소 발생기를 통하여 공기로부터 직접 얻는 순도 99% 이상의 질소가스를 제 1 불활성 가스로 공급한다. 이에 따라, 극히 고순도의 불활서 가스를 요구하지 않고 저가 구성으로 제 1 불활성 가스를 발생할 수 있다.
각 수단의 배치와 구성에 대해서는, 바람직하게 불활성 가스 공급수단은 부품 로딩수단 위에 배치되고, 상압 플라즈마 조사수단은 부품 로딩수단의 이동가능 범위 내에서 부품 공급유닛이나 기판 위치설정 수단에 인접하여 배치된다. 이것은 부품 로딩수단에 의해 부품을 이송하는 중에 부품 로딩수단에 의해 픽업된 부품의 전극을 플라즈마 세정하고, 세정된 상태를 유지하는 불활성 가스 분위기를 생성할 수 있도록 한다. 그 상태에서, 부품 로딩수단은 부품의 전극과 기판의 전극을 접합하여 부품을 기판에 실장할 수 있다.
다른 구성으로, 불활성 가스 공급수단은 기판 위치설정 수단 위에 배치되고, 상압 플라즈마 조사수단은 부품 로딩수단 위에 배치될 수 있다. 이에 따라, 부품 로딩수단에 대향한 채로 기판의 전극을 플라즈마 세정하고, 불활성 가스 공급수단으로부터 불활성 가스를 공급하여 불활성 가스 분위기를 생성함으로써 기판 전극의 세정된 상태를 유지하도록 할 수 있다.
또한, 기준위치에 대해서 픽업된 부품의 전극의 변위량을 검출하는 제 1 인식수단이 부품 로딩수단의 이동가능 범위 내에 배치된다면, 부품의 전극과 기판의 전극을 고정밀도로 위치 설정하여 높은 신뢰성의 접합 상태를 확보할 수 있다.
도 1A 내지 1D는 본 발명의 전극 접합방법에 따른 실시 예 1의 공정 설명도이다.
도 2는 실시 예 1에 따른 흡입 헤드, 가스 전달 헤더, 및 상압플라즈마 조사수단을 나타내는 확대 구성도이다.
도 3A와 3B는 실시 예 1에 따른 가스 전달 헤더가 일체로 구축된 흡입 헤드의 구성의 일 예를 나타내며, 도 3A는 종단면도이고, 도 3B는 저면으로부터 본 사시도이다.
도 4A 내지 4F는 실시 예 1의 전극 접합방법이 적용된 부품 실장방법의 공정 설명도이다.
도 5A 내지 5D는 본 발명의 전극 접합방법에 따른 실시 예 2의 공정 설명도이다.
도 6은 실시 예 2의 다른 구성 예를 나타내는 종단면도이다.
도 7은 실시 예 2의 또 다른 구성 예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 전극 접합방법이 적용되는 부품 실장장치에 따른 실시 예 3의 도식적 구성을 나타내는 사시도이다.
도 9는 실시 예 3에 따른 부품 실장장치의 제어 구성을 나타내는 블록도이다.
도 10A 내지 10C는 종래 전극 접합방법의 공정 설명도이다.
도 11은 다른 종래 전극 접합방법을 수행하는 장치의 도식적 구성도이다.
도 12는 도 11에 나타낸 전극 접합방법의 문제점을 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명에 따른 전극 접합방법과 이 방법이 적용된 부품 실장장치의 실시 예들을 설명한다.
(실시 예 1)
먼저, 도 1A 내지 4F를 참조하여 본 발명의 전극 접합방법에 따른 실시 예 1을 설명한다.
도 1A 내지 1D는 본 발명에 따른 전극 접합방법의 기본 단계를 보여준다. 먼저, 도 1A의 단계에서, 반도체 장치(1) 또는 부품이 흡입 헤드(2)에 흡입되어 고정된다. 도 2에 확대하여 나타낸 것처럼, 흡입 헤드(2)는 제 1 불활성 가스(4)를 세정할 전극 면을 포함하는 고정된 반도체 장치(1)의 전극 배치 면(3) 쪽으로 배출하기 위한 가스 전달 헤더(5)를 구비한다. 제 1 불활성 가스의 가스원(미도시)과 관련된 가스 공급 파이프(6)는 이 가스 전달 헤더(5)에 연결된다. 다음, 도 1B의 단계에서, 전극 배치 면(3)에 상압 플라즈마 조사수단(7)으로부터 배출된 상압 플라즈마(8)가 조사되어 전극 배치 면(3)은 상압 플라즈마(8)로 세정된다. 상압 플라즈마의 조사가 완료되기 전, 제 1 불활성 가스(4)가 가스 전달 헤더(5)로부터 배출되어 전극 배치 면(3)과 그 근방은 불활성 가스 분위기로 유지된다. 가스원으로는, 바람직하게 제 1 불활성 가스(4)는 PSA(Pressure Swing Adsorption; 가압교대흡착) 타입이나 막 분리 타입의 질소 발생기를 통하여 공기로부터 직접 얻는 것이 바람직하다. 이는, 순도 99% 이상의 질소가스를 저가로 얻을 수 있고, 제 1 불활성 가스(4)는 그 정도의 순도로 충분히 효율적이기 때문이다.
이 경우, 상압 플라즈마를 이용하여 세정하는 원리를 설명한다. 상압 근방에서(500 내지 1500㎜Hg의 압력 범위), 고주파 전계를 인가하면서 불활성 가스가 반응공간에 공급될 때, 반응공간의 불활성 가스 원자는 방전 플라즈마의 전자에 의해 여기하거나 이온화되어 라디컬, 이온 및 전자로 된다. 라디컬은 고에너지의 준안정 상태의 원자이며, 주위에 놓여 있는 동종 또는 이종의 원자와 반응하여 이들 원자를 여기하거나 이온화시키고 자신은 안정상태로 돌아오는 특성을 갖는다. 전자도 동종 또는 이종의 원자와 연속하여 충돌함으로써 라디컬, 이온, 및 전자를 발생하고, 이에 의해 라디컬을 발생하는 반응이 눈덩이 방식으로 진행한다. 여기서, 수소가스와 산소가스 같은 반응가스가 존재하면, 불활성 가스 라디컬은 또한 주위의 반응가스 원자를 여기시키거나 이온화하여 반응가스 라디컬, 이온, 및 전자를 발생한다. 반응가스 라디컬을 포함하는 이 상압 플라즈마가 반응공간에 배출되어 처리 대상의 표면을 조사하면, 반응가스 라디컬은 처리 대상 표면의 물질과 반응하고 표면 산화물의 환원 및 제거, 표면 유기물의 분해 및 제거와 같은 플라즈마 처리에 의해 세정을 수행한다.
앞의 도 1B의 단계에서, 상압 플라즈마 조사수단(7)으로부터 배출된 상압 플라즈마(8)는 공기 중이라면 곧 바로 사라질 것이다. 그러나, 도시된 예에서, 가스 전달 헤더(5)는 제 1 불활성 가스(4)를 배출하고 제 1 불활성 가스(4)는 전극 배치 면(3)과 그 근방을 덮으며, 그 상태에서 상압 플라즈마(8)가 전극 배치 면(3) 쪽으로 배출된다. 제 1 불활성 가스(4)가 존재함으로써, 상압 플라즈마(8)의 라디컬이 사라지는 것을 방지할 수 있고, 전극 배치 면(3)을 신뢰성 있게 조사한다. 또한, 흡입 헤드(2)는 화살표로 나타낸 것처럼 상압 플라즈마 조사수단(7)을 따라 아래로 이동할 수 있어 반응가스 라디컬을 갖는 상압 플라즈마(8)로 연속하여 전체 전극 배치 면(3)을 효과적으로 조사한다.
다음, 도 1C의 단계에서, 상기한 바와 같이, 전극 배치 면(3)을 상압 플라즈마로 세정한 후라도, 제 1 불활성 가스(4)는 가스 전달 헤더(5)로부터 계속 배출되어 전극 배치 면(3)과 그 근방은 불활성 가스 분위기를 유지한다. 이 상태에서, 흡입 헤드(2)는 반도체 장치(1)가 기판(10)에 로드될 위치로 이동한다. 다음, 도 1D의 단계에서, 기판 위치설정 수단으로 역할하는 반도체 고정 테이블(9) 위에 고정된 기판(10)의 반도체 장치 로딩 위치 바로 위에 반도체 장치(1)가 위치한다. 그때 흡입 헤드(2)와 기판 고정 테이블(9)은 서로 근접하여 기판(10)의 전극과 반도체 장치(1)의 전극이 접촉하게 된다. 이어, 이들 전극은 초음파 접합이나 열 압착 접합으로 서로 접합된다. 제 1 불활성 가스(4)에 의해 만들어진 불활성 가스 분위기는 접합 단계가 완료될 때까지 유지되며, 접합이 완료되면 제 1 불활성 가스(4)의 배출이 중지된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상압 플라즈마 조사수단(7)은, 제 2 불활성 가스와 반응가스의 혼합가스(12)가 원통형 반응용기(11)의 일단으로부터 공급되고, 고주파 전원공급장치(14)로부터 반응용기(11)의 가장자리 부근에 배치된 한 쌍의 전극(13a, 13b)으로 고주파 전압이 인가되어 고주파 전계를 발생하도록 구성되는 것을 알아야 한다. 이에 의해 상압 플라즈마(8)가 반응용기(11)에 발생하고 반응용기(11)의 타단으로부터 배출된다. 인가된 고주파 전압은 정현파형, 펄스형 등이다. 이 구성은 한 쌍의 전극(13a, 13b) 대신에 반응용기(11)의 가장자리에 배치된 코일이나 안테나를 포함할 수 있는 것을 알아야 한다. 반면, 이 구성은 반대쪽에 대향하여 배치된 한 쌍의 편평 전극을 포함할 수 있다. 또한, 바람직하게, 접지에 연결된 접지전극(15)은 상압 플라즈마(8)가 배출되는 반응용기(11)의 타단의 개구에 인접하여 배치되며, 이에 따라 배출하는 상압 플라즈마(8)에서의 이온을 제거하여 반도체 장치(1)의 전극배치 면(3)을 주로 라디컬 만으로 조사하도록 한다.
이것은 반도체 장치(1)의 전극이 차지-업되고 전하로 손상될 가능성을 더 높은 신뢰성으로 배제한다.
상기한 흡입 헤드(2)과 가스 전달 헤더(5)의 구성의 구체적인 예로, 바람직하게 흡입 헤드(2)는 도 3A와 3B에 나타낸 것처럼 가스 전달 헤더(5)와 일체화된다. 흡입 헤드(2)는 저면과 네 측면 주위에 반도체 장치(1)를 흡입하는 흡입 면(17)을 구비한 흡입 헤드 블록(16), 제 1 불활성 가스를 네 측면 주위에 똑같이 배분하는 등분배 챔버(18)로 구성된다. 흡입 면(17)에 형성된 다수의 흡입 홀(17a)은 내부에 형성된 흡입 채널(20)을 통하여 최상부에 형성된 흡입 포트(19)에 연결된다. 등분배 챔버(18)의 저면 전달 개구(23)는 흡입 면(17) 쪽으로 가스를 전달하도록 비스듬하게 형성된다. 흡입 포트(19)는 흡입 수단(미도시)에 연결되고, 가스 공급 포트(21)는 제 1 불활성 가스원(미도시)에 연결된다. 이와 같이, 바람직하게, 흡입 헤드(2)와 가스 전달 헤더(5)는 콤팩트한 구성을 위하여 일체형으로 서로 결합한다.
또한, 도 1D의 단게에서 전극을 접합할 때, 기판(10)상 전극 면이 금으로 도 금되고 반도체 장치(1) 위에 형성된 전극이 금 범프(bump)인 경우, 초음파 진동을 접합 전극 사이에 인가하는 초음파 접합이 바람직하다. 이 경우, 50℃ 내지 250℃의 가열 온도, 20 내지 200㎑의 초음파 주파수, 및 0.1 내지 10㎫의 압력이 바람직하다. 초음파 접합은 상기한 금-금 접합에만 한정되지 않으며, 다른 물질에도 적용할 수 있다는 것을 알아야 한다. 이에 더하여, 기판(10) 상 전극과 반도체 장치(1)의 전극 중 적어도 하나가 솔더 볼과 솔더 도금과 같이 솔더 물질로 구성된 경우, 양 전극을 열 압착으로 접합하는 열 압착 접합이 바람직하다. 이 경우, 150℃ 내지 300℃의 가열 온도가 바람직하다. 또한, 접합 전에 기판(10)의 전극과 반도체 장치(1)의 전극 중 적어도 어느 하나에 이방성 도전필름이나 비도전성 필름이 부착되거나 이방성 도전 또는 비도전 페이스트가 도포될 수 있다. 이것은 틀림없이 용이하게 접합력을 향상시킬 수 있고, 접합과 동시에 기판(10)과 반도체 장치(1) 사이의 간극을 밀봉할 수 있다.
다음, 이 실시 예에 따라 기판 위에 반도체 장치를 실장하는 단계를 도 4A 내지 4F를 참조하여 설명한다. 먼저, 도 4A의 단계에서, 흡입 헤드(2), 가스 전달 헤더(5), 및 기판(10)의 전극을 인식하기 위한 영상 인식 카메라 등으로 구성된 제 2 인식수단(24)을 구비한 부품 로딩수단(25)은 부품 공급유닛(26)으로 이동하여 흡입 헤드(2)로 반도체 장치(1)를 흡입하여 픽업한다. 다음, 도 4B의 단계에서, 부품 로딩수단(25)은 상압 플라즈마 조사수단(7) 위를 지나도록 이동하여 반도체 장치(1)의 전극 배치 면(3)을 플라즈마 세정하며, 그동안 상기한 바와 같이 제 1 불활성 가스(4)가 가스 전달 헤더(5)로부터 배출되어 반도체 장치(1)의 전극 배치 면(3)과 그 근방이 제 1 불활성 가스(4)의 분위기로 덮인다. 그 결과, 불활성 가스 분위기로 덮여 있는 상태는 유기물과 습기가 전극에 부착되는 것을 피하고 산화막의 생성을 피하도록 유지된다. 다음, 도 4C의 단계에서, 부품 로딩수단(25)은 반도체 장치(1)의 전극이나 인식 마크가 영상 인식 카메라 등으로 구성된 제 1 인식수단(27)의 바로 위에 오도록 위치하며, 이에 따라 반도체 장치(1)의 전극이나 인식 마크의 위치를 인식하고 정상 위치로부터의 편향을 검출한다. 다음, 도 4D의 단계에서, 부품 로딩수단(25)은 제 2 인식수단(24)이 기판(10) 위의 전극이나 인식 마크의 바로 위에 오도록 위치한다. 제 2 인식수단(24)은 기판(10) 상의 전극이나 인식 마크의 위치를 인식하고, 정상 위치로부터의 편향을 검출한다. 도 4E의 단계에서, 검출된 위치 편향량은 보정되어 반도체 장치(1)의 전극이 기판(10)의 전극 바로 위에 놓이도록 부품 로딩수단(25)의 위치를 정한다. 도 4F의 단계에서, 반도체 장치(1)의 전극 배치 면(3)이 불활성 가스 분위기로 덮인 상태를 유지하면서 반도체 장치(1)의 전극과 기판(10)의 전극은 접합된다. 접합이 완료된 후, 제 1 불활성 가스(4)는 가스 전달 헤더(5)로부터 배출되는 것을 중지한다. 이것으로 기판(10) 위에 반도체 장치(1)를 실장하는 것을 완료한다. 이어, 도 4A의 단계로 복귀하여 상기의 동작을 반복하며, 이에 따라 기판(10) 위에 반도체 장치(1)를 연속하여 실장한다.
(실시 예 2)
다음, 도 5A 내지 7을 참조하여 본 발명의 전극 접합방법에 따른 실시 예 2를 설명한다. 실시 예에 대한 다음의 설명에서, 앞의 실시 예와 동일한 부품에는 동일한 참조번호가 부여되고 그에 대한 설명은 생략됨을 알아야 한다. 주로 차이점에 대해서만 설명할 것이다. 앞의 실시 예 1은 상압 플라즈마 조사수단(7)이 부품 로딩수단(25)과 별개로 설치되고, 반도체 장치(1)의 전극 배치 면(3)이 플라즈마로 처리되도록 부품 로딩수단(25)이 상압 플라즈마 조사수단(7) 위를 지나 이동하는 경우를 다루었다. 그러나, 이 실시 예에서, 상압 플라즈마 조사수단(28)은 부품 로딩수단(25) 위에 배치된다. 더 구체적으로, 도 5A와 5B에 나타낸 것처럼, 부품 로딩수단(25)의 흡입 헤드(2)는 상승 및 하강할 수 있도록 수직 이송수단(29)에 의해 지지되고, 그 근방은 불활성 가스 공급수단으로 역할하는 바닥이 개구된(open-bottomed) 커버(30)로 덮여서, 들린 위치에서 커버(30)의 바닥 영역에 수납되고 하부 위치에서 커버(30)의 바닥으로부터 아래로 돌출되어 놓인다. 이때, 제 1 불활성 가스(4)는 이 커버(30) 내부 상부로부터 흡입 헤드(2) 근방에 공급되고, 상압 플라즈마 조사수단(28)은 커버(30)의 바닥 영역의 일측에 배치되어 그것의 플라즈마 조사 노즐(31)이 커버(30)의 바닥 영역을 뚫고 다소 비스듬하게 위로 개구된다.
다음, 상기한 구성을 이용하여 실장 단계를 설명한다. 먼저, 도 5A의 단계에서, 부품 실장수단(25)은 부품 공급유닛(26)으로 이동하고, 흡입 헤드(2)는 수직 이송수단(29)에 의해 내려져 반도체 장치(1)를 흡입 고정한다. 다음, 도 5B의 단계에서, 흡입 헤드(2)는 수직 이송수단(29)에 의해 올려져 흡입된 반도체 장치(1)는 커버(30)에 수납된다. 또한, 제 1 불활성 가스(4)가 커버(30)에 공급되어 반도체 장치(1)의 바닥의 전극 배치 면(3)을 포함하여 불활성 가스 분위기를 만든다. 제 1 불활성 가스(4)는 항상 커버(30)에 공급되어 불활성 가스 분위기를 만들 수도 있음 을 알아야 한다. 다음, 도 5C의 단계에서, 상압 플라즈마 조사수단(28)이 활성화되어 플라즈마 배출 노즐(31)로부터 상압 플라즈마(8)를 배출한다. 여기서, 상압 플라즈마(8)는 제 1 불활성 가스(4)의 분위기 내에 배출된다. 이것은 상압 플라즈마(8)를 제 1 불활성 가스(4) 내로 넓게 전개하여, 전개된 플라즈마(32)가 반도체 장치(1)의 바닥을 따라 퍼져 반도체 장치(1)의 전체 전극 배치 면(3)을 틀림없이 플라즈마 세정하도록 한다. 플라즈마 세정이 완료되면, 상압 플라즈마 조사수단(28)의 동작은 정지하고 동시에 커버(30) 내 불활성 가스 분위기가 유지된다. 다음, 도 5D의 단계에서, 부품 로딩수단(25)은, 커버(30) 내부에 불활성 가스 분위기가 유지되는 동안, 위치설정을 위해 기판(10) 위로 이동한다. 이어 흡입 헤드(2)는 수직 이송수단(29)에 의해 낮아져 반도체 장치(1)의 전극과 기판(10)의 전극을 접합하며, 이에 따라 반도체 장치(1)를 기판(10) 위에 실장한다. 이와 같이, 이 실시 예는 상기한 첫 번째 실시 예의 같은 동작과 효과를 제공할 수 있다.
다음, 이 실시 예의 다른 구성 예를 도 6을 참조하여 설명한다. 도 5A 내지 5D의 예는, 제 1 불활성 가스(4)가 위로부터 커버(30) 내부에 공급되어 흡입 헤드(2)에 흡입되는 반도체 장치(1)의 바닥의 전극 배치 면(3)을 포함하여 커버(30)의 전체 내부가 불활성 가스 분위기에 놓이는 경우를 다루었다. 도 6의 구성 예에서, 불활성 가스 공급수단으로 역할하는 바닥이 개구된 커버(33)가 흡입 헤드(2)의 주변을 감싸도록 배치된다. 제 1 불활성 가스의 배출 포트(34)는 이 커버(33)의 일측에 형성되고, 불활성 가스의 흡입 포트(35)는 다른 측에 형성되어, 배출 포트(34)로부터 배출된 제 1 불활성 가스(4)는 흡입 헤드(2)에 흡입된 반도체 장 치(1)의 바닥의 전극 배치 면(3)을 따라 흐르고 흡입 포트(35) 내로 흡입됨으로써, 전극 배치 면(3)을 제 1 불활성 가스(4)가 흐르는 불활성 가스 분위기로 유지한다. 이어, 상압 플라즈마 조사수단(28)의 플라즈마 배출 노즐(31)은 배출 포트(34)의 아래에 인접하여 위쪽으로 다소 비스듬하게 열린다.
아 구성 예에 의하면, 배출된 상압 플라즈마(8)는 배출 포트(34)로부터 배출된 제 1 불활성 가스(4)와 충돌하고, 상압 플라즈마(8)의 라디컬은 전극 배치 면(3)을 따라 흐르는 제 1 불활성 가스(4)에 의해 운반된다. 이에 따라 전극 배치 면(3) 전체로 플라즈마(32)가 전개되어 전체 전극 배치 면(3)에 대해 효과적인 플라즈마 세정을 수행하게 된다.
다음, 이 실시 예의 또 다른 구성 예를 도 7을 참조하여 설명한다. 도 5A 내지 5D 및 도 6의 예에서, 상압 플라즈마 조사수단(7)과 플라즈마 배출 노즐(31)의 단면 구성과 크기에 대해 특정한 설명이 없었다. 상압 플라즈마를 발생하는 반응공간은 통상 작은데, 이는 클 경우 플라즈마를 발생하기 어렵고 일반적으로 단면이 원형이나 사각형이기 때문이다. 따라서, 배출된 상압 플라즈마(8)도 작다. 그러므로, 대형 반도체 장치(1)의 전극 배치 면(3)을 한 번에 플라즈마 세정하기 어렵고, 상압 플라즈마 조사수단(28)이나 플라즈마 배출 노즐(31)은 전극 배치 면(3)을 따라 쓸어내리도록 이동되어야 하므로 플라즈마 처리 시간을 필요로 한다.
도 7의 구성 예는 이 문제를 해결하도록 의도된다. 제 1 불활성 가스(4)를 배출하는 가스 전달 헤더(5)의 배출 포트(36)는 반도체 장치(1)의 전극 배치 면(3)의 폭 치수와 대응하는 폭을 갖는 편평한 직사각 단면으로 형성되고, 제 1 불활성 가스(4)가 전체 폭에 걸쳐 전극 배치 면(3)을 따라 흐르도록 구성된다. 이에 더하여, 상압 플라즈마 조사수단(37)은 그 반응용기(38)도 전극 배치 면(3)의 폭 치수에 대응하는 폭을 갖는 편평한 직사각 단면을 가지며 반대 쪽에 한 쌍의 편평 전극(미도시)을 구비하도록 구성된다. 고주파 전압은 고주파 전원공급장치(미도시)로부터 한 쌍의 편평 전극 사이에 인가되어 편평한 반응용기(38)의 내부는 고주파 전계를 만나고, 제 2 불활성 가스와 반응가스의 혼합가스(12)가 이 반응용기(38)의 일단으로부터 공급되어 편평하고 폭이 넓은 상압 플라즈마(8)가 배출된다. 이때, 상압 플라즈마 조사수단(37)은, 배출된 상압 플라즈마(8)가 제 1 불활성 가스(4)의 배출 포트(36)에 인접하여 제 1 불활성 가스(4)의 흐름과 충돌하도록 배치된다.
이 구성 예에 의하면, 상압 플라즈마 조사수단(37)으로부터 배출된 상압 플라즈마(8)가 전극 배치 면(3)의 전체 폭에 대응하는 폭을 갖는 배출 포트(36)로부터 전극 배치 면(3)을 따라 흐르는 제 1 불활성 가스의 흐름과 충돌함으로써, 상압 플라즈마(8)의 라디컬은 전극 배치 면(3)을 따라 흐르는 제 1 불활성 가스(4)에 의해 운반된다. 이에 따라, 플라즈마(32)는 틀림없이 전체 전극 배치 면(3) 위로 동시에 균일하게 전개되고, 전체 전극 배치 면(3)을 단시간에 한꺼번에 효과적으로 플라즈마 세정한다.
(실시 예 3)
다음, 도 8과 9를 참조하여, 본 발명의 전극 접합방법이 적용되는 부품 실장장치에 따른 실시 예 3을 설명한다.
이 실시 예에 따른 부품 실장장치는 실시 예 1의 전극 접합방법을 실행하도 록 의도되며, 나란히 배치된 부품 로딩장치(39)와 완전 접합장치(40)로 구성된다. 부품 로딩장치(39)는, 기판을 반입 및 반출하고 위치 설정하며 베이스(41)의 최상부에 배치되는 기판 수송수단(42); 3차원 이송로봇으로 구성되고 베이스(41) 뒤쪽에 직립한 지지 칼럼(43)에 배치된 부품 로딩수단(25); 및 가스 전달 헤더(5)를 구비하고 그것의 이동체(44)에 배치된 흡입 헤드(2)를 구비한다. 제 2 인식수단(24)도 이동체(44)에 배치된다. 이에 더하여, 부품 공급유닛(26)은 베이스(41)의 전면에 배치되고, 제 1 인식수단(27)과 상압 플라즈마 조사수단(7)은 그 뒤에 배치된다. 또한, 완전 접합장치(40)는. 기판(10)을 반입, 반출하고 위치 설정하며 베이스(45)의 최상부에 배치되는 기판 수송수단(46); 및 베이스(45) 뒤쪽에 직립한 지지 칼럼(47)에 배치된 열 압착 헤드(48)를 포함한다. 열 압착 헤드(48)는 기판(10)에 로드된 반도체 장치(1)를 가열하고 압착하여 그 전극을 열 압착으로 완전하게 접합한다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 기판 수송수단(42), 부품 로딩수단(24)과 그 흡입 헤드(2), 제 2 인식수단(24), 상압 플라즈마 조사수단(7), 및 부품 로딩장치(39)의 제 1 인식수단(27)은 저장부(50)에 저장된 운영 프로그램과 다양한 종류의 데이터에 기초하여 운영부(49)로부터의 명령에 따라 제어부(51)에 의해 동작 제어된다. 또한, 동작 상태, 다양한 프로세스의 결과 등은 표시부(52)에 표시된다.
이 부품 실장장치가 기판(10)에 반도체 장치(1)를 실장하는 동작은 실시 예 1의 도 4A 내지 4F를 참조하여 설명한 실장 동작과 같기 때문에, 그 설명을 참조로 이용하고 불필요한 설명은 생략한다.
앞의 실시 예들은 기판(10)에 실장되는 부품이 반도체 장치(1)인 경우만 다루었지만, 부품은 이에 한정되지 않는다. 전극을 구비한 플렉시블 기판을 갖는 IC 컴포넌트와 같이 기판의 전극에 접합될 전극을 갖는 다양한 종류의 부품이 적용될 수 있다.
앞의 실시 예들은 또한 상압 플라즈마(8)를 이용하여 반도체 장치(1)의 전극, 부품을 세정하는 경우만을 다루었다. 그러나, 기판(10)의 전극, 또는 부품의 전극과 기판(10)의 전극 양자가 상압 플라즈마(8)로 세정될 수 있는 것을 알아야 한다. 기판(10)의 전극을 세정하기 위한 바람직한 구성은, 불화성 가스 공급수단으로 역할하는 가스 전달 헤더(5)가 기판 위치설정수단으로 역할하는 기판 수송수단(42) 위에 배치되고, 상압 플라즈마 조사수단(28)이 부품 로딩수단(25) 위에 배치되는 것임을 주목해야 한다.
앞의 실시 예들은 또한 제 2 불활성 가스와 반응가스의 혼합가스(12)로 구성되거나, 이 혼합가스에 고주파 전계를 인가하여 발생한 상압 플라즈마(8)를 이용하는 경우만 다루었다. 그러나, 반응가스, 또는 제 3 불활성 가스와 반응가스의 혼합가스를 제 2 불활성 가스에 고주파 전계를 인가하여 발생한 상압 플라즈마와 충돌시켜 발생한 상압 플라즈마를 이용할 수도 있다. 이 경우, 저전력으로 신뢰성 있고 안정되게 상압 플라즈마를 발생할 수 있고, 반응가스나 혼합가스를 상압 플라즈마와 충돌시켜 조사를 위한 다량의 반응가스 라디컬을 효율적으로 발생할 수 있다. 이에 따라, 저전력으로 효율적인 세정을 할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 세정될 전극 면은 플라즈마로 조사되어 전극 면은 기판에 접합될 부품을 손상하지 않고 플라즈마 세정된다. 또한, 세정될 전극 면은 그 후에도 제 1 불활성 가스로 계속 덮여서, 전극을 접합하는 중에도 세정된 상태가 유지되어 높은 신뢰성의 접합 상태를 제공한다. 이에 따라, 다양한 종류의 부품을 기판에 실장하기 위한 부품 실장장치에 적절하게 적용할 수 있다.

Claims (9)

  1. 전극 접합방법으로서,
    부품(1) 및 기판(10) 중 적어도 어느 하나의 세정될 전극 면을 세정용 상압 플라즈마(8)로 조사하는 플라즈마 세정단계;
    상기 상압 플라즈마의 조사가 끝나기 전에 상기 전극 면(3)과 그 근방을 제 1 불활성 가스(4)로 덮고 그 후에도 그 상태를 유지하는 불활성 가스 분위기 유지단계; 및
    상기 불활성 가스 분위기 유지단계가 끝나기 전에 상기 부품(1)의 전극과 상기 기판(10)의 전극을 접합하는 접합단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 접합방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마 세정단계에서, 상기 조사한 상압 플라즈마(8)에 인접하여 배치된 접지전극(15)을 이용하여 상기 플라즈마(8)로부터 이온 전하가 제거되어, 상기 조사는 주로 라디컬만을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 접합방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마 세정단계에서, 상기 세정될 전극 면(3)과 그 근방은 상기 상압 플라즈마(8)로 조사되기 전에 상기 제 1 불활성 가스(4)로 덮여서, 상기 세정될 전극 면(3)은 상기 제 1 불활성 가스(4)의 매체를 통하여 상기 상압 플라즈마(8)의 라디컬로 조사되는 것을 특징으로 하는 전극 접합방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 불활성 가스 분위기 유지단계에서, 상기 제 1 불활성 가스(4)는 상기 세정될 전극 면(3)을 따라 흐르도록 공급되고, 상기 제 1 불활성 가스(4)가 상기 세정될 전극 면(3)을 따라 흐른 후 상기 제 1 불활성 가스(4)가 흡입되는 것을 특징으로 하는 전극 접합방법.
  5. 기판(10) 위에 부품(1)을 로드하고 상기 기판(10)의 전극과 상기 부품(1)의 전극을 접합하는 부품 실장장치로서,
    상기 장치는,
    상기 기판(10)을 기설정된 위치에 위치시키는 기판 위치설정 수단(9, 42);
    상기 부품(1)을 공급하는 부품 공급유닛(26);
    상기 부품 공급유닛(26)에서 상기 부품(1)을 픽업하고, 이송하고, 상기 기판(10) 위에 로드하여 상기 기판(10)의 전극과 상기 부품(1)의 전극을 접합하는 부품 로딩수단(25);
    상기 기판(10)과 상기 부품(1) 중 적어도 어느 하나를 상압 플라즈마(8)로 조사하는 상압 플라즈마 조사수단(7, 28, 37);
    상기 상압 플라즈마(8)로 조사될 상기 전극의 면이 제 1 불활성 가스(4)로 덮이도록 상기 제 1 불활성 가스(4)를 공급하는 불활성 가스 공급수단(5, 30, 33); 및
    상기 기판 위치설정 수단(42), 상기 부품 공급유닛(26), 상기 부품 로딩수단(25), 상기 상압 플라즈마 조사수단(7, 28, 37), 및 상기 불활성 가스 공급수단(5, 30, 33)을 제어하는 제어부(51)를 포함하며,
    상기 제어부(51)는, 상기 상압 플라즈마(8)에 의한 상기 전극 면의 조사가 끝나기 전에 상기 불활성 가스 공급수단(5, 30, 33)을 활성화하고, 상기 기판(10)과 부품(1)의 전극을 접합하는 동안 상기 상압 플라즈마(8)로 조사된 상기 전극 면을 상기 제 1 불활성 가스(4)로 덮인 채로 유지하도록 제어를 실행하는 것을 특징으로 하는 부품 실장장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제 1 불활성 가스(4)의 배출 포트(34)와 흡입 포트(35)는, 상기 제 1 불활성 가스(4)가 상기 상압 플라즈마(8)로 조사될 상기 전극 면(3)을 따라 흐르도록 배치되는 것을 특징으로 하는 부품 실장장치.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 불활성 가스 공급수단(5, 30, 33)은 PSA(Pressure Swing Adsorption; 가압교대흡착) 타입이나 막 분리 타입의 질소 발생기를 통하여 공기로부터 직접 얻는 순도 99% 이상의 질소가스를 상기 제 1 불활성 가스(4)로 공급하는 것을 특징으 로 하는 부품 실장장치.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 불활성 가스 공급수단(5, 30, 33)은 상기 부품 로딩수단(25) 위에 배치되고, 상기 상압 플라즈마 조사수단(7)은 상기 부품 로딩수단(25)의 이동가능 범위 내에서 상기 부품 공급유닛(26)이나 상기 기판 위치설정 수단(9, 42)에 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 부품 실장장치.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 불활성 가스 공급수단(5, 30, 33)은 상기 기판 위치설정 수단(9, 42) 위에 배치되고, 상기 상압 플라즈마 조사수단(7)은 상기 부품 로딩수단(25) 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 부품 실장장치.
KR1020087028498A 2006-06-22 2007-06-22 전극 접합방법 및 부품 실장장치 KR20090019799A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006172230A JP4697066B2 (ja) 2006-06-22 2006-06-22 電極接合方法及び部品実装装置
JPJP-P-2006-172230 2006-06-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090019799A true KR20090019799A (ko) 2009-02-25

Family

ID=38833865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087028498A KR20090019799A (ko) 2006-06-22 2007-06-22 전극 접합방법 및 부품 실장장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8449712B2 (ko)
JP (1) JP4697066B2 (ko)
KR (1) KR20090019799A (ko)
CN (1) CN101473707B (ko)
DE (1) DE112007001365T5 (ko)
TW (1) TW200807591A (ko)
WO (1) WO2007148836A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101146323B1 (ko) * 2007-04-02 2012-05-21 삼성테크윈 주식회사 부품실장기의 부품인식장치 및 이를 이용한 부품실장방법
KR20150116316A (ko) * 2014-04-07 2015-10-15 한국과학기술연구원 이차전지 및 그 제조방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008311265A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Nec Electronics Corp 接合装置およびこの接合装置を用いた電子装置の製造方法
JP5329150B2 (ja) * 2008-08-12 2013-10-30 キヤノンマシナリー株式会社 ダイボンダ
DE102009056122A1 (de) 2009-11-30 2011-06-01 Smartrac Ip B.V. Verfahren zur Kontaktierung eines Chips
JP2012049470A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Nec Corp 半導体保持装置及びこれを備えた半導体接合装置
DE102013104933A1 (de) * 2012-06-06 2013-12-12 Hanning Elektro-Werke Gmbh & Co. Kg Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Aluminiumdrahts
DE102012220353B4 (de) 2012-11-08 2015-11-26 Sauer Ultrasonic Gmbh Werkzeug, Werkzeugmaschine und Bearbeitungsverfahren
CN104425289B (zh) * 2013-09-11 2017-12-15 先进科技新加坡有限公司 利用激发的混合气体的晶粒安装装置和方法
US10475763B2 (en) * 2015-05-26 2019-11-12 Asm Technology Singapore Pte Ltd Die bonding apparatus comprising an inert gas environment
US10297567B2 (en) * 2015-12-18 2019-05-21 Intel Corporation Thermocompression bonding using plasma gas
TW201816909A (zh) * 2016-10-27 2018-05-01 矽品精密工業股份有限公司 安裝設備及安裝方法
US10754355B2 (en) * 2016-12-02 2020-08-25 Pacesetter, Inc. Weld shielding apparatus and method of use
JP6435004B2 (ja) * 2017-03-30 2018-12-05 オリジン電気株式会社 接合部材製造装置及び接合部材の製造方法
US11342302B2 (en) 2018-04-20 2022-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonding with pre-deoxide process and apparatus for performing the same
CN110391146B (zh) * 2018-04-20 2021-10-22 台湾积体电路制造股份有限公司 利用预先去氧化物工艺的接合及其执行装置
KR102225956B1 (ko) * 2018-10-19 2021-03-12 세메스 주식회사 다이 본딩 장치, 기판 본딩 장치, 다이 본딩 방법 및 기판 본딩 방법
JP7287647B2 (ja) * 2019-03-05 2023-06-06 株式会社新川 接合条件評価装置
CN111933602A (zh) * 2019-08-28 2020-11-13 格物感知（深圳）科技有限公司 去膜的铝硅键合工艺
WO2021229633A1 (ja) * 2020-05-11 2021-11-18 株式会社Fuji プラズマ発生装置、プラズマ発生方法、および制御装置
JP2022174463A (ja) * 2021-05-11 2022-11-24 澁谷工業株式会社 ボンディング装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2537304B2 (ja) * 1989-12-07 1996-09-25 新技術事業団 大気圧プラズマ反応方法とその装置
JP2657850B2 (ja) * 1990-10-23 1997-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法
JP3753194B2 (ja) * 1995-12-14 2006-03-08 セイコーエプソン株式会社 プラズマ処理方法及びその装置
US6320155B1 (en) * 2000-01-11 2001-11-20 Geomat Insights, Llc Plasma enhanced wire bonder
JP2002110613A (ja) * 2000-09-26 2002-04-12 Matsushita Electric Works Ltd プラズマ洗浄装置及びプラズマ洗浄方法
TW531801B (en) * 2000-11-14 2003-05-11 Sekisui Chemical Co Ltd Normal plasma processing method and processing device
US20020148816A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-17 Jung Chang Bo Method and apparatus for fabricating printed circuit board using atmospheric pressure capillary discharge plasma shower
WO2003077307A1 (en) * 2002-03-11 2003-09-18 Toyo Kohan Co., Ltd. Electronic circuit device and porduction method therefor
US6693043B1 (en) * 2002-09-20 2004-02-17 Novellus Systems, Inc. Method for removing photoresist from low-k films in a downstream plasma system
JP2004119430A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Tadatomo Suga 接合装置および方法
KR20050047123A (ko) * 2002-09-26 2005-05-19 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 접합 장치
JP2006134899A (ja) * 2002-11-28 2006-05-25 Toray Eng Co Ltd 接合方法および装置
JP2006134900A (ja) * 2002-11-28 2006-05-25 Toray Eng Co Ltd 接合方法および装置
JP2004228346A (ja) 2003-01-23 2004-08-12 Konica Minolta Holdings Inc 電子部品の実装装置及び実装方法
JP4147950B2 (ja) 2003-01-27 2008-09-10 松下電器産業株式会社 接合方法及び装置
JP4575839B2 (ja) * 2004-05-28 2010-11-04 パナソニック株式会社 接合装置及び接合方法
JP2006086311A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品実装方法および装置
US20070068623A1 (en) * 2005-09-27 2007-03-29 Yunsang Kim Apparatus for the removal of a set of byproducts from a substrate edge and methods therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101146323B1 (ko) * 2007-04-02 2012-05-21 삼성테크윈 주식회사 부품실장기의 부품인식장치 및 이를 이용한 부품실장방법
KR20150116316A (ko) * 2014-04-07 2015-10-15 한국과학기술연구원 이차전지 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007148836A3 (en) 2008-04-17
WO2007148836A2 (en) 2007-12-27
CN101473707A (zh) 2009-07-01
CN101473707B (zh) 2011-01-12
US20090145546A1 (en) 2009-06-11
JP4697066B2 (ja) 2011-06-08
TW200807591A (en) 2008-02-01
JP2008004722A (ja) 2008-01-10
US8449712B2 (en) 2013-05-28
DE112007001365T5 (de) 2009-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090019799A (ko) 전극 접합방법 및 부품 실장장치
TWI385739B (zh) Bonding device and joining method
JP4027072B2 (ja) 減圧プラズマ処理装置及びその方法
JP3206142B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
JP2006339363A (ja) 表面活性化方法および表面活性化装置
JP2005294800A (ja) 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置
JP4409134B2 (ja) 実装システム
CN112640039A (zh) 接合系统以及接合方法
WO2003001858A1 (en) Method and device for installation
KR100864855B1 (ko) 반도체 소자의 실장을 위한 세정 및 본딩의 인라인 처리장치
JP3948325B2 (ja) フィルム基板処理方法
JP4584031B2 (ja) 接合装置及び接合方法
JP4852521B2 (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
JP4186495B2 (ja) 電子部品装着装置
JP2004165186A (ja) 樹脂供給方法及び樹脂供給システム
JP2000117213A (ja) プラズマ洗浄方法及び装置
JP4440284B2 (ja) 減圧プラズマ処理装置及びその方法
JP2006013479A (ja) 接合装置及び接合方法
JP2009136728A (ja) 基板洗浄装置及び洗浄方法
JP4760609B2 (ja) 基板への部品実装方法及び装置
JP6067210B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2004119664A (ja) 接合方法および装置
KR20230136543A (ko) 실장 장치 및 실장 방법
CN116782628A (zh) 安装装置以及安装方法
JP2004228346A (ja) 電子部品の実装装置及び実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right