KR20090010216A - 신틸레이터 패널과 방사선 검출기 - Google Patents

신틸레이터 패널과 방사선 검출기 Download PDF

Info

Publication number
KR20090010216A
KR20090010216A KR1020087028689A KR20087028689A KR20090010216A KR 20090010216 A KR20090010216 A KR 20090010216A KR 1020087028689 A KR1020087028689 A KR 1020087028689A KR 20087028689 A KR20087028689 A KR 20087028689A KR 20090010216 A KR20090010216 A KR 20090010216A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
scintillator panel
support substrate
sheet
film
Prior art date
Application number
KR1020087028689A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101393776B1 (ko
Inventor
아츠야 요시다
히로시 호리우치
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
도시바 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바, 도시바 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20090010216A publication Critical patent/KR20090010216A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101393776B1 publication Critical patent/KR101393776B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/611—Chalcogenides
    • C09K11/613—Chalcogenides with alkali or alkakine earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7732—Halogenides
    • C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32—Transforming X-rays
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Abstract

본 발명은 신틸레이터 패널과 방사선 검출기에 관한 것으로서, 방사선을 투과하는 지지 기판(12)의 일면에 수지 반사 시트(13)를 부착하고, 지지 기판(12)의 타면에 수지 반사 시트(13)와 동일한 재질의 수지 시트(14)를 부착한다. 지지 기판(12)의 일면의 수지 반사 시트(13)상에 방사선을 가시광으로 변환하는 형광체층(15)을 형성한다. 형광체층(15)을 덮는 방습층(17)과 수지 반사 시트(13)에 의해 형광체층(15)을 포위한다. 수지 반사 시트(13)를 지지 기판(12)과 형광체층(15)의 사이에 배치함으로써 감도 특성이 좋고, 안정적인 품질이 얻어지며, 비용도 개선할 수 있는 신틸레이터 패널(11)이 얻어지는 것을 특징으로 한다.

Description

신틸레이터 패널과 방사선 검출기{SCINTILLATOR PANEL AND RADIATION DETECTOR}
본 발명은 방사선을 가시광으로 변환하는 신틸레이터 패널과 이 신틸레이터 패널을 이용한 방사선 검출기에 관한 것이다.
종래, 의료용 또는 공업용 비파괴 검사 등 근래의 디지털화된 방사선 검출기는 컴퓨티드·라디올로지(이하, CR)나 평면 검출기(이하, FPD)와 같은 입사 X선을 신틸레이터층에서 가시광으로 변환하는 방식이 주류이다.
형광체층으로서 일부의 CR장치에서 사용되고 있는 유로퓸 첨가의 브롬화 세슘(CsBr:Eu)과, 대부분의 FPD로 사용되고 있는 탈륨 첨가의 요드화 세슘(CsI:T1)은 모두 진공 증착법으로 기둥 형상 결정이 되기 쉬운 이유에서 많이 사용되고 있는 재료이다.
예를 들면, CsI:T1를 사용한 신틸레이터 패널은 방사선 투과성의 예를 들면 유리 등의 지지 기판상에 반사막을 도포하고, 그 위에 CsI를 성막한 구성이 기본이다. 또한, 반사막과 CsI 사이에 반사막의 보호를 목적으로 보호막을 도포할 수 있다.
이와 같은 구조의 신틸레이터 패널에 X선원으로부터 피사체를 통해 입사해 온 X선은 신틸레이터에서 가시광으로 변환된다. 대표로서 X선 포톤을 사용하여 설명하면, 포톤은 형광체층내의 발광점에서 가시광으로 변환된다. 발광점에서 광은 입사 포톤의 벡터와는 전혀 관계없이 팔방으로 발산된다. 한편, 형광체층은 피러 구조를 이루므로 피러 사이의 틈과 CsI(CsI의 굴절률=1.8)의 굴절률의 차에 의해 임의의 비율의 발광 포톤은 피러 내를 통과하여 신틸레이터 패널의 표면으로 나온다. 인접하는 피러 보다 멀리 발산된 광도 대부분의 피러 사이의 광학적 계면을 가로질러 형광체층의 면 방향으로 발산될 확률은 낮고, 임의의 계면에 도달하면, 역시 그 피러 내에 갇혀져 신틸레이터 패널의 표면으로 나온다. 이상과 같은 작용에 의해 피러 구조로 한 형광체층은 그다지 발광을 흡수하지 않고, 발광을 다음 디바이스(예를 들면, FPD이면 포토다이오드)에 전달시키는 기능을 가지며, 비교적 해상도 특성이 높은 신틸레이터층이 얻어진다.
반사막은 일단 지지 기판의 방향을 향한 발광광을 CsI의 표면으로 되돌리는 기능이 있으므로, 신틸레이터 패널의 감도를 향상시키는 기능을 갖는다.
형광체층을 사용한 FPD는 신틸레이터 패널을 복수의 수광 소자가 1차원 또는 2차원상으로 배열된 이미지 센서에 부착시킨 형태가 일례이다. 이와 같은 구조의 한 FPD의 해상도·감도 특성은 신틸레이터 패널의 특성의 영향을 받는다. 즉, 상술한 CsI의 피러 구조와 반사막의 기능이 FPD의 특성을 좌우하고 있다(예를 들면, 일본 공개특허공보 제2006-58099호의 제 4-5 페이지 및 도 3 참조).
상술한 바와 같이, 신틸레이터 패널의 감도 특성에 영향을 미치는 것으로서 반사막이 있으며, 감도를 올리는 중요한 포인트이다. 이 반사막에 의한 감도를 조사한 결과, 일반적으로 이용되는 금속계 재료의 반사막보다도 수지계 재료를 모체로 하는 반사막이 감도가 높은 경향이 있는 것이 판명되어 있다. 예를 들면, 탄소 섬유 강화 플라스틱(이하, CFRP)을 재료로 하는 지지 기판에 Al 반사막, 은 합금 반사막+MgO 보호막, 및 산화티탄을 분산시킨 수지 페이스트를 도포하여 형성하는 반사막에 대해 각각 성막하고, 이들 위에 CsI를 500㎛ 성막할 때의 감도 특성은 증감지의 감도를 1로 할 때의 상대값이 각각 1.8, 2.2, 2.4이었다.
그러나, 은계의 반사막은 보호막을 코팅해도 흡습에 의해 흑화되기 쉬우므로 품질적으로 불안정하다. 또한, 산화티탄을 분산시킨 수지 페이스트를 도포하여 형성한 반사막은 높은 감도 특성을 얻기 쉽지만, 수지 페이스트의 도포 불균형에 의해 감도 불균형이 발생하는 문제가 있고, 또한 수지의 내열성의 저하에 기인하여 감도 불균형의 경향은 CsI 증착 공정시의 가열에 의해 더 강조된다.
또한, 신틸레이터 패널에서 X선 투과율을 향상시키는 것을 목적으로 하여 탄소계 재료의 지지 기판을 사용하는 것이 주류가 되고 있다. 탄소계 중에서도 CFRP는 비용이 저렴하고, 또한 강성이 높으므로 유망한 재료이다. 그러나, CFRP의 지지 기판에 수지 페이스트를 바르는 경우, 지지 기판의 표면의 젖음성이 낮으므로 수지 페이스트가 균일하게 발라지기 어렵고, 도포 불균형이 발생하기 쉬운 문제가 있다. 또한, 수지 페이스트는 일단 도포한 후, 열경화시키는 것이 많고, 이 때 지지 기판과의 열팽창률의 차에 의해 지지 기판에 휘어짐을 발생시키는 문제도 있다.
본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 감도 특성이 좋고 안정적인 품질이 얻어지며, 비용도 개선할 수 있는 신틸레이터 패널 및 이 신틸레이터 패널을 이용한 방사선 검출기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 신틸레이터 패널은 방사선을 투과하는 지지 기판과, 이 지지 기판의 일면에 설치된 수지 반사 시트와, 상기 지지 기판의 일면의 수지 반사 시트상에 설치되며, 방사선을 가시광으로 변환하는 형광체층을 구비하고 있다.
본 발명의 방사선 검출기는 복수의 수광 소자가 배열된 이미지 센서와, 이 이미지 센서와 조합된 신틸레이터 패널을 구비하고 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태를 나타내는 신틸레이터 패널의 단면도,
도 2는 상기 신틸레이터 패널의 해상도 특성을 비교 측정한 결과를 나타내는 표, 및
도 3은 상기 신틸레이터 패널을 이용한 방사선 검출기의 단면도이다.
(발명을 실시하기 위한 가장 좋은 형태)
이하, 본 발명의 일 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에 신틸레이터 패널의 단면도를 도시하고, 이 신틸레이터 패널(11)은 탄소 섬유 강화 플라스틱(이하, CFRP)을 재료로 하는 지지 기판(12)을 구비하고, 이 지지 기판(12)의 일면의 전면에 반사막으로서 두께 190㎛의 발포 폴리에틸렌테레프탈레이트(발포 PET)로 구성되는 수지 반사 시트(13)가 부착되고, 또한 지지 기판(12)의 타면의 전면에 두께 190㎛의 발포 폴리에틸렌테레프탈레이트(발포 PET)로 구성되는 수지 반사 시트(13)와 동일 재질의 수지 시트(14)가 부착되어 있다.
지지 기판(12)은 강화 섬유 기재를 복수층 적층시키고, 이에 열경화성 수지를 함침시킨 후, 열경화시킴으로써 제작된다.
수지 반사 시트(13) 및 수지 시트(14)는 지지 기판(12)의 성형시에 동시에 부착함으로써 지지 기판(12)의 양면에 형성할 수 있다. 이 때, 지지 기판(12)의 성형 공정과 반사막 형성 공정이 동시에 진행, 완료되므로 종래예에 보여지는 반사막 형성 공정을 생략할 수 있다.
또한, 지지 기판(12)의 일면에서 수지 반사 시트(13)의 표면에는 타륨 첨가의 요드화 세슘(CsI:Tl) 등으로 구성되는 신틸레이터층인 형광체층(15)이 진공 증착법으로 500㎛ 정도의 두께로 성막되어 있다. 이 형광체층(15)은 수지 반사 시트(13)의 표면으로부터 기둥 형상으로 성장한 복수의 기둥 형상 결정(16)을 갖고 있다.
이 형광체층(15)을 형성하는데에는 양면에 각 시트(13, 14)를 부착한 지지 기판(12)을 진공 증착 장치 내에서 CsI가 들어 있는 그릇과 TlI이 들어 있는 그릇을 대향시키도록 배치하고, 진공 증착시킨다. 진공 증착 시는 기판 온도를 180℃로 가열하고, 진공 증착 장치 내의 압력을 0.4Pa가 되도록 설정하면, 지지 기판(12)의 수지 반사 시트(13)의 표면에 T1I 부활의 CsI의 기둥 형상 결정(16)이 형성된다. CsI의 막두께가 500㎛에 도달한 곳에서 성막을 종료하고, 진공 증착 장치에서 CsI막이 형성된 지지 기판(12)을 취출한다.
또한, 형광체층(15)의 표면을 포함하고, 수지 반사 시트(13)의 표면으로부터 단면, 지지 기판(12)의 단면 및 수지 시트(14)의 단면역까지를 일체로 덮어 폴리파라크실렌 등으로 구성되는 방습층(17)이 열CVD법으로 막두께 15㎛ 정도로 형성되어 있다.
그리고, 이와 같이 구성된 신틸레이터 패널(11)의 해상도 특성을 비교 측정한 결과를 도 2에 도시한다.
종래예 1은 CFRP 기판상에 Al 반사막, CsI 및 폴리파라크실리렌을 형성한 것이다.
종래예 2는 CFRP 기판상에 산화티탄을 분산시킨 수지 페이스트를 도포하여 형성하는 반사막, 산화마그네슘 보호막, CsI 및 폴리파라크실리렌을 형성한 것이다.
본 실시형태의 실시예는 CFRP 기판상에 발포 PET 반사 시트, CsI 및 폴리파라크실리렌을 형성한 것이다.
그리고, 본 실시형태의 실시예에서는 신틸레이터 패널(11)의 감도 특성에 대해서는 증감지의 감도를 1로 할 때의 상대값이 2.4가 되고, 종래예 2의 산화티탄을 분산시킨 수지 페이스트를 도포하여 형성하는 반사막과 동등 이상의 감도 특성을 얻을 수 있었다. 또한, 2Lp/mm에서의 CTF(화상 분해능)도 종래예 2와 동등한 값을 유지할 수 있었다.
이와 같이 수지 반사 시트(13)를 지지 기판(12)과 형광체층(15) 사이에 배치함으로써 반사막으로서 금속계 반사막을 선택한 경우보다 감도 특성이 높고, 또한 고가의 금속계 반사막의 성막 장치를 생략할 수 있으며, 또한 반사막으로서 입상 물(粒狀物)을 분산시킨 수지 페이스트를 도포하여 형성하는 도포막을 선택한 경우보다 도포 공정을 생략할 수 있고, 또한 도포 불균형을 관리하는 것을 생략할 수 있으며, 그 결과로서 종래에 비해 감도 특성이 좋고, 안정적인 품질이 얻어지며, 비용도 개선할 수 있다.
또한, 지지 기판(12)의 수지 반사 시트(13)가 부착된 일면에 대해 반대측 타면에도 수지 시트(14)를 부착시킴으로써 수지 반사 시트(13)만을 이용한 경우에 발생하는 지지 기판(12)과 수지 반사 시트(13)의 열팽창률의 차에 의한 지지 기판(12)의 휘어짐을 방지할 수 있다. 수지 시트(14)의 재질을 수지 반사 시트(13)와 동일하게 하면 그 효과는 현저해진다.
또한, 수지 반사 시트(13)와 방습막(17)으로 형광체층(15)을 포위함으로써 형광체층(15)의 내습성을 향상시킬 수 있다.
이 경우, 폴리파라크실리렌으로 이루어진 방습막(17)은 수지 반사 시트(13)와의 결착력이 높으므로 방습막(17)이 벗겨지지 않고, 내습성을 손상시키지 않는다.
즉, 형광체층(15)으로서 CsI를 사용하는 경우, 고려하지 않으면 안되는 것이 습기 대책이다. 이 재료는 내습성이 낮으며, 형광체층(15)을 덮도록 방습막(17)을 도포할 필요가 있다. 방습막(17)으로서는 폴리파라크실리렌의 열 CVD막이 가장 일반적이다.
단, 폴리파라크실리렌막은 금속이나 무기 재료에는 그다지 결착력이 없으므로, 특히 CsI 증착부의 외주부에서는 막이 벗겨지는 것을 발생시키기 쉽다. 이 문 제를 해결하기 위해, 예를 들면 국제 특허WO99/66350호에 기재되어 있는 바와 같이, 지지 기판(12)과 방습막(17)의 접촉부를 요철 형상으로 하는 것을 생각할 수 있지만, 이 방법에서는 공정이 늘어나고, 특히 CsI 증착부의 거칠기를 유지한 채, 가장 방습막(17)이 벗겨지기 쉬운 CsI 증착부의 외주부를 요철 처리를 하려고 하는 것은 마스크 설치 작업도 더해져 더 번잡해진다. 또한, 연마, 샌드브러스트라는 표면 개질 가공에 의해 탄소 섬유가 끝이 갈라지는 문제가 있어 상술한 CFRP 기판에는 응용하기 어렵다. 이 때문에 수지 반사 시트(13)와 방습막(17)으로 형광체층(15)을 포위함으로써 폴리파라크실리렌으로 이루어진 방습막(17)과 수지 반사 시트(13)의 결착력이 높으므로 방습막(17)이 벗겨지지 않고, 형광체층(15)의 내습성을 향상시킬 수 있다.
구체적으로는 WO99/66350호에 개시되는 구조의 CsI막(적층 구조: 아몰퍼스 카본 기판(주변 요철 구조)/Al 반사막/CsI/폴리파라크실리렌)과, 본 실시형태의 CsI막을 온도 60℃, 습도 90%의 환경하에 24시간 방치할 때의 CTF값의 저하율은 지지 기판의 중심부에서는 각각 11%, 0%로 본 실시형태의 신틸레이터 패널의 구조가 다소 우수한 정도이지만, 지지 기판의 최주변부에서는 각각 44%, 0%로 현저한 차이가 보인다. 또한, 본 실시형태의 CsI막은 온도 60℃, 습도 90%의 환경하에 176시간(누계 200시간) 방치해도 지지 기판의 중심에서 주변에 걸쳐 CTF값의 저하는 보이지 않았다.
또한, 도 3에 신틸레이터 패널(11)을 이용한 방사선 검출기의 단면도를 도시한다.
이 방사선 검출기(31)는 신틸레이터 패널(11)을 이미지 센서(32)에 부착한 부착식 평면 검출기이다. 이미지 센서(32)는 유리 기판(33)상에 매트릭스상으로 배치된 포토다이오드 등의 복수의 수광 소자(34), 이들 수광 소자(34)로부터의 전기 신호를 선택적으로 취출하는 스위칭 소자 등이 형성되어 있다. 이미지 센서(32)의 표면에는 평탄화층(35)이 형성되어 있다.
그리고, 신틸레이터 패널(11)과 이미지 센서(32)를 부착하여 구성되는 방사선 검출기(31)에 의하면 감도 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 지지 기판(12)의 재료로서는 CFRP 외에 아몰퍼스 카본, 그라파이트, 유리, 베리륨, 티탄, 알루미늄 및 이들 합금, 세라믹스(알루미나, 배리리아, 지르코니아, 질화규소), 엔지니어링 플라스틱 등도 선택 가능하다.
또한, 형광체층(15)은 CsI뿐만 아니라 CsBr일 때도 동일한 효과가 얻어진다.
또한, 상기 실시형태의 방사선 검출기(31)는 이미지 센서(32)로서 포토다이오드 부착 TFT, CCD, CMOS중에서 선택 가능하다.
또한, 수지 반사 시트(13)는 지지 기판(12)의 양면에 부착해도, 지지 기판(12)의 일면에만 부착시켜 지지 기판(12)의 타면에 부착하지 않아도 원하는 효과가 얻어진다. 수지 반사 시트(13)를 지지 기판(12)의 일면에만 부착시킬 경우에는 지지 기판(12)의 형광체층(15)이 형성된 일면에 대해 반대측 타면에 다른 수지 시트(14) 등의 수지층을 부착시키는 것이 바람직하다.
또한, 수지 반사 시트(13)의 재질로서, 산화티탄(TiO2) 입자를 분산한 폴리 에틸렌테레프탈레이트를 이용해도 좋다. 이와 같은 재질을 이용한 경우, 상술한 발포 PET로 구성되는 수지 반사 시트(13)를 이용한 경우와 동일한 효과가 얻어지고, 또한 감도가 향상되는 효과가 얻어진다.
본 발명에 의하면 수지 반사 시트를 지지 기판과 형광체층 사이에 배치함으로써 반사막으로서 금속계 반사막을 선택한 경우보다 감도 특성이 높고, 또한 고가의 금속계 반사막의 성막 장치를 생략할 수 있고, 또한 반사막으로서 입상물을 분산시킨 수지 페이스트를 도포하여 형성하는 도포막을 선택한 경우보다 도포 공정을 생략할 수 있고, 또한 도포 불균형을 관리하는 것을 생략할 수 있고, 결과로서 종래에 비해 감도 특성이 좋고, 안정적인 품질이 얻어지며, 비용도 개선할 수 있다.

Claims (7)

  1. 방사선을 투과하는 지지 기판,
    상기 지지 기판의 일면에 설치된 수지 반사 시트, 및
    상기 지지 기판의 일면의 수지 반사 시트상에 설치되고, 방사선을 가시광으로 변환하는 형광체층을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    지지 기판의 형광체층이 형성된 일면에 대해 반대측의 타면에 수지 시트가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  3. 제 2 항에 있어서,
    수지 반사 시트와 수지 시트는 동일한 재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    형광체층을 덮는 방습층을 구비하고, 이 방습층과 수지 반사 시트에 의해 형광체층이 포위되어 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    수지 반사 시트의 재질은 발포 폴리에틸렌테레프탈레이트인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    수지 반사 시트의 재질은 TiO2 입자를 분산한 폴리에틸렌테레프탈레이트인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
  7. 복수의 수광 소자가 배열된 이미지 센서, 및
    상기 이미지 센서와 조합된 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 신틸레이터 패널을 구비하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
KR1020087028689A 2007-03-27 2008-03-26 신틸레이터 패널과 그 제조방법 및 방사선 검출기 KR101393776B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007080420 2007-03-27
JPJP-P-2007-080420 2007-03-27
PCT/JP2008/055696 WO2008117821A1 (ja) 2007-03-27 2008-03-26 シンチレータパネル及び放射線検出器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090010216A true KR20090010216A (ko) 2009-01-29
KR101393776B1 KR101393776B1 (ko) 2014-05-12

Family

ID=39788554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087028689A KR101393776B1 (ko) 2007-03-27 2008-03-26 신틸레이터 패널과 그 제조방법 및 방사선 검출기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9158009B2 (ko)
EP (1) EP2141708B1 (ko)
JP (1) JP5597354B2 (ko)
KR (1) KR101393776B1 (ko)
CN (1) CN101542635B (ko)
WO (1) WO2008117821A1 (ko)

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010010726A1 (ja) * 2008-07-25 2010-01-28 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線画像検出装置
KR20100070576A (ko) * 2008-12-18 2010-06-28 주식회사 동부하이텍 수직형 이미지 센서의 제조 방법
JP5305996B2 (ja) * 2009-03-12 2013-10-02 株式会社東芝 放射線検出器およびその製造方法
WO2010135489A2 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Schlumberger Canada Limited Scintillator crystal materials, scintillators, and subterranean detectors
JP5577644B2 (ja) * 2009-08-05 2014-08-27 コニカミノルタ株式会社 放射線画像検出装置およびその製造方法
US9581756B2 (en) 2009-10-05 2017-02-28 Lighting Science Group Corporation Light guide for low profile luminaire
US9157581B2 (en) 2009-10-05 2015-10-13 Lighting Science Group Corporation Low profile luminaire with light guide and associated systems and methods
JP2011137665A (ja) * 2009-12-26 2011-07-14 Canon Inc シンチレータパネル及び放射線撮像装置とその製造方法、ならびに放射線撮像システム
JP5535670B2 (ja) * 2010-01-28 2014-07-02 富士フイルム株式会社 放射線画像検出器の製造方法
EP3220392B1 (en) 2010-01-29 2021-09-15 Hamamatsu Photonics K. K. Radiation image conversion panel
JP5686993B2 (ja) * 2010-06-04 2015-03-18 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ
US8841864B2 (en) 2011-12-05 2014-09-23 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light
US8743023B2 (en) 2010-07-23 2014-06-03 Biological Illumination, Llc System for generating non-homogenous biologically-adjusted light and associated methods
US9532423B2 (en) 2010-07-23 2016-12-27 Lighting Science Group Corporation System and methods for operating a lighting device
US8686641B2 (en) 2011-12-05 2014-04-01 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light
US9681522B2 (en) 2012-05-06 2017-06-13 Lighting Science Group Corporation Adaptive light system and associated methods
US8760370B2 (en) 2011-05-15 2014-06-24 Lighting Science Group Corporation System for generating non-homogenous light and associated methods
US8547391B2 (en) 2011-05-15 2013-10-01 Lighting Science Group Corporation High efficacy lighting signal converter and associated methods
US9024536B2 (en) 2011-12-05 2015-05-05 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light and associated methods
US8465167B2 (en) 2011-09-16 2013-06-18 Lighting Science Group Corporation Color conversion occlusion and associated methods
US9827439B2 (en) 2010-07-23 2017-11-28 Biological Illumination, Llc System for dynamically adjusting circadian rhythm responsive to scheduled events and associated methods
JP5649872B2 (ja) 2010-08-24 2015-01-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器の製造方法
US9269741B2 (en) * 2010-09-07 2016-02-23 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Production method of radiation image detector and radiation image detector
US8401231B2 (en) 2010-11-09 2013-03-19 Biological Illumination, Llc Sustainable outdoor lighting system for use in environmentally photo-sensitive area
JP5538205B2 (ja) 2010-12-27 2014-07-02 富士フイルム株式会社 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法、並びに放射線画像検出装置
JP2012141188A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp シンチレータパネル及びその製造方法
US8384984B2 (en) 2011-03-28 2013-02-26 Lighting Science Group Corporation MEMS wavelength converting lighting device and associated methods
US8608348B2 (en) 2011-05-13 2013-12-17 Lighting Science Group Corporation Sealed electrical device with cooling system and associated methods
US8901850B2 (en) 2012-05-06 2014-12-02 Lighting Science Group Corporation Adaptive anti-glare light system and associated methods
US8754832B2 (en) 2011-05-15 2014-06-17 Lighting Science Group Corporation Lighting system for accenting regions of a layer and associated methods
US9185783B2 (en) 2011-05-15 2015-11-10 Lighting Science Group Corporation Wireless pairing system and associated methods
US8674608B2 (en) 2011-05-15 2014-03-18 Lighting Science Group Corporation Configurable environmental condition sensing luminaire, system and associated methods
US9173269B2 (en) 2011-05-15 2015-10-27 Lighting Science Group Corporation Lighting system for accentuating regions of a layer and associated methods
US8729832B2 (en) 2011-05-15 2014-05-20 Lighting Science Group Corporation Programmable luminaire system
US9420240B2 (en) 2011-05-15 2016-08-16 Lighting Science Group Corporation Intelligent security light and associated methods
US9648284B2 (en) 2011-05-15 2017-05-09 Lighting Science Group Corporation Occupancy sensor and associated methods
US8847436B2 (en) 2011-09-12 2014-09-30 Lighting Science Group Corporation System for inductively powering an electrical device and associated methods
US8408725B1 (en) 2011-09-16 2013-04-02 Lighting Science Group Corporation Remote light wavelength conversion device and associated methods
US8492995B2 (en) 2011-10-07 2013-07-23 Environmental Light Technologies Corp. Wavelength sensing lighting system and associated methods
US8515289B2 (en) 2011-11-21 2013-08-20 Environmental Light Technologies Corp. Wavelength sensing lighting system and associated methods for national security application
US8439515B1 (en) 2011-11-28 2013-05-14 Lighting Science Group Corporation Remote lighting device and associated methods
US9289574B2 (en) 2011-12-05 2016-03-22 Biological Illumination, Llc Three-channel tuned LED lamp for producing biologically-adjusted light
US9220202B2 (en) 2011-12-05 2015-12-29 Biological Illumination, Llc Lighting system to control the circadian rhythm of agricultural products and associated methods
US8963450B2 (en) 2011-12-05 2015-02-24 Biological Illumination, Llc Adaptable biologically-adjusted indirect lighting device and associated methods
US9913341B2 (en) 2011-12-05 2018-03-06 Biological Illumination, Llc LED lamp for producing biologically-adjusted light including a cyan LED
US8866414B2 (en) 2011-12-05 2014-10-21 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light
US8545034B2 (en) 2012-01-24 2013-10-01 Lighting Science Group Corporation Dual characteristic color conversion enclosure and associated methods
US9402294B2 (en) 2012-05-08 2016-07-26 Lighting Science Group Corporation Self-calibrating multi-directional security luminaire and associated methods
US9366409B2 (en) 2012-05-06 2016-06-14 Lighting Science Group Corporation Tunable lighting apparatus
US8899775B2 (en) 2013-03-15 2014-12-02 Lighting Science Group Corporation Low-angle thoroughfare surface lighting device
US9006987B2 (en) 2012-05-07 2015-04-14 Lighting Science Group, Inc. Wall-mountable luminaire and associated systems and methods
US8680457B2 (en) 2012-05-07 2014-03-25 Lighting Science Group Corporation Motion detection system and associated methods having at least one LED of second set of LEDs to vary its voltage
US8899776B2 (en) 2012-05-07 2014-12-02 Lighting Science Group Corporation Low-angle thoroughfare surface lighting device
JP5917323B2 (ja) 2012-07-20 2016-05-11 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP5922518B2 (ja) * 2012-07-20 2016-05-24 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP5922519B2 (ja) * 2012-07-20 2016-05-24 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP5947155B2 (ja) * 2012-08-29 2016-07-06 浜松ホトニクス株式会社 放射線像変換パネル
US9127818B2 (en) 2012-10-03 2015-09-08 Lighting Science Group Corporation Elongated LED luminaire and associated methods
US9174067B2 (en) 2012-10-15 2015-11-03 Biological Illumination, Llc System for treating light treatable conditions and associated methods
US9322516B2 (en) 2012-11-07 2016-04-26 Lighting Science Group Corporation Luminaire having vented optical chamber and associated methods
JP2016095134A (ja) * 2013-02-15 2016-05-26 国立大学法人北海道大学 放射線線量計
US9303825B2 (en) 2013-03-05 2016-04-05 Lighting Science Group, Corporation High bay luminaire
US9347655B2 (en) 2013-03-11 2016-05-24 Lighting Science Group Corporation Rotatable lighting device
US9353935B2 (en) 2013-03-11 2016-05-31 Lighting Science Group, Corporation Rotatable lighting device
US9459397B2 (en) 2013-03-12 2016-10-04 Lighting Science Group Corporation Edge lit lighting device
US9018854B2 (en) 2013-03-14 2015-04-28 Biological Illumination, Llc Lighting system with reduced physioneural compression and associate methods
US9222653B2 (en) 2013-03-15 2015-12-29 Lighting Science Group Corporation Concave low profile luminaire with magnetic lighting devices and associated systems and methods
US9157618B2 (en) 2013-03-15 2015-10-13 Lighting Science Group Corporation Trough luminaire with magnetic lighting devices and associated systems and methods
US20140268731A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Lighting Science Group Corpporation Low bay lighting system and associated methods
US9255670B2 (en) 2013-03-15 2016-02-09 Lighting Science Group Corporation Street lighting device for communicating with observers and associated methods
US9151453B2 (en) 2013-03-15 2015-10-06 Lighting Science Group Corporation Magnetically-mountable lighting device and associated systems and methods
JP6072232B2 (ja) * 2013-04-15 2017-02-01 東芝電子管デバイス株式会社 シンチレータパネルおよびその製造方法並びに放射線検出器およびその製造方法
EP2816376A1 (de) 2013-06-19 2014-12-24 cynora GmbH Verfahren zum Nachweis von Strahlung
US9429294B2 (en) 2013-11-11 2016-08-30 Lighting Science Group Corporation System for directional control of light and associated methods
US9124234B1 (en) 2014-04-11 2015-09-01 Entropic Communications, LLC. Method and apparatus for adaptive automatic gain control
JP6433560B1 (ja) * 2017-09-27 2018-12-05 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP6433561B1 (ja) 2017-09-27 2018-12-05 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP6898193B2 (ja) * 2017-09-27 2021-07-07 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
EP3714293B8 (en) * 2017-11-24 2023-11-15 Luxium Solutions, LLC Substrate including scintillator materials, system including substrate, and method of use
KR101864716B1 (ko) 2017-12-28 2018-06-07 (주)에스에프테크놀로지 알파·베타·감마 방사선 검출기능을 갖는 스마트 슬림형 플라스틱 섬광계수기

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3762689D1 (de) * 1986-01-21 1990-06-13 Fuji Photo Film Co Ltd Strahlungsbildspeicherplatte.
JPH08271637A (ja) * 1995-01-31 1996-10-18 Shimadzu Corp 放射線検出器アレイの製造方法
JPH1090498A (ja) * 1996-09-17 1998-04-10 Konica Corp 放射線増感スクリーンおよび放射線像変換パネル
AU3168099A (en) 1998-06-18 2000-01-05 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
DE69931059T2 (de) 1998-06-18 2006-12-07 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Szintillatorpanel und strahlungsbildsensor
US7034306B2 (en) * 1998-06-18 2006-04-25 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
JP4298177B2 (ja) * 2001-02-07 2009-07-15 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線検出装置及びシステム
US6835936B2 (en) 2001-02-07 2004-12-28 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, method of manufacturing scintillator panel, radiation detection device, and radiation detection system
JP2003075593A (ja) 2001-08-30 2003-03-12 Toshiba Corp 放射線シンチレータならびに画像検出器およびその製造方法
JP2004212189A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Konica Minolta Holdings Inc 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法
JP4289913B2 (ja) * 2003-03-12 2009-07-01 キヤノン株式会社 放射線検出装置及びその製造方法
US7112802B2 (en) * 2003-04-11 2006-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, radiation detecting apparatus, and radiation detection system
EP1523014A3 (en) * 2003-10-10 2008-02-13 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiographic image conversion panel and method for manufacturing the radiographic image conversion panel
JP4059184B2 (ja) * 2003-10-10 2008-03-12 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線画像変換パネル
JP2005308583A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Toshiba Corp 放射線検出器
EP1605472A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-14 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation image conversion panel
JP4594188B2 (ja) * 2004-08-10 2010-12-08 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP4653442B2 (ja) 2004-08-19 2011-03-16 株式会社東芝 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器
JP2006178157A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像撮影装置、放射線画像読取方法及び放射線画像形成方法
JP2006226912A (ja) * 2005-02-18 2006-08-31 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像変換パネル
JP4341609B2 (ja) * 2005-11-02 2009-10-07 ソニー株式会社 平面型表示装置、及び、平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2141708B1 (en) 2017-04-19
JPWO2008117821A1 (ja) 2010-07-15
CN101542635A (zh) 2009-09-23
US20100006762A1 (en) 2010-01-14
JP5597354B2 (ja) 2014-10-01
EP2141708A4 (en) 2013-05-01
EP2141708A1 (en) 2010-01-06
WO2008117821A1 (ja) 2008-10-02
KR101393776B1 (ko) 2014-05-12
US9158009B2 (en) 2015-10-13
CN101542635B (zh) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090010216A (ko) 신틸레이터 패널과 방사선 검출기
JPWO2002023220A1 (ja) シンチレータパネル、放射線イメージセンサおよびそれらの製造方法
WO1999066345A1 (fr) Panneau de scintillateur et capteur d'image de rayonnement
JPWO2002023219A1 (ja) シンチレータパネル、放射線イメージセンサおよびそれらの製造方法
TWI607229B (zh) Scintillator plate and radiation detector and radiation detector manufacturing method
JP5422149B2 (ja) シンチレータパネル
JP5922519B2 (ja) シンチレータパネル及び放射線検出器
KR100945615B1 (ko) 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서
JP2007271504A (ja) シンチレータパネル、平面検出器および撮影装置
KR101026621B1 (ko) 방사선상 변환 패널, 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지센서
WO2019244610A1 (ja) 放射線検出器及び放射線画像撮影装置
JP5917323B2 (ja) シンチレータパネル及び放射線検出器
JPWO2008117589A1 (ja) 放射線用シンチレータパネル及び放射線画像撮影装置
JP4283863B2 (ja) シンチレータパネル
KR20130039177A (ko) 신틸레이터 패널 및 이를 포함하는 방사선 검출기
JP2009287929A (ja) シンチレータパネルおよび放射線検出器
US20100012854A1 (en) Scintillator plate
KR101069370B1 (ko) 신틸레이터 패널 및 상기 패널을 구비하는 방사선 이미지 센서
KR101941592B1 (ko) 신틸레이터 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 방사선 검출기
US11796691B2 (en) Scintillator screen manufacturing method, scintillator screen and corresponding image detector
JP6502614B2 (ja) 放射線検出装置、放射線検出システム
WO2022137843A1 (ja) 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及びシンチレータパネルユニット
EP4220234A1 (en) Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
JP2011128031A (ja) 放射線検出器及びシンチレータパネル
JP2023141720A (ja) シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法及び放射線検出器の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20120611

Effective date: 20140113

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180328

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190328

Year of fee payment: 6