KR20090009229A - 세라믹 분말 및 그의 용도 - Google Patents

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Abstract

반도체 봉지 재료 등에 이용되고, 좁은 간극 충전성 및 성형성이 뛰어난 조성물을 조제하기 위하여, 고무 또는 수지 등에 배합되는 세라믹 분말을 제공한다. 이 세라믹 분말은 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정기에서 측정된 입도에 있어서, 적어도 두 개의 산을 갖는 다봉성의 빈도 입도 분포를 가지며, 제1 산의 극대 입자 지름이 12∼30 ㎛, 제2 산의 극대 입자 지름이 2∼7 ㎛의 범위 내이고, 7 ㎛ 초과 12 ㎛ 까지인 입자의 함유율이 18 중량% 이하(0%를 포함함)이며, 제2 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F2)과 제1 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F1)의 비(F2/F1)가 0.5∼1.3이다.

Description

세라믹 분말 및 그의 용도{CERAMIC POWDER AND METHOD OF USING THE SAME}
본 발명은 세라믹 분말 및 그의 용도에 관한 것이다.
전자기기의 소형 경량화, 고성능화의 요구에 대응하여 반도체의 소형화, 박형화, 고밀도 실장화가 급속히 진전하고, 반도체 패키지 구조도 종래의 QFP나 S0P 등의 리드 단자형으로부터 박형화와 고밀도 실장에 유리한 BGA나 LGA 등의 에리어 어레이형으로 이행하고 있다. 또, 근래에는 하나의 반도체 패키지 내에 복수의 IC 칩을 적층하는 스택 칩 구조가 적극적으로 채용되고 있어 반도체 패키지 구조의 복잡화, 고밀도 실장화가 더욱 더 진행되고 있다.
스택 칩 구조에서는 그 구조의 복잡함으로부터 성형성의 점에서 몇 가지 문제가 클로즈업되고 있다. 그것은, IC 칩이 적층되면 기판상의 칩이 실장되어 있는 부분과 되어 있지 않은 부분의 높낮이 차이가, 종래의 1개 칩의 경우에 비해 매우 커지므로, 반도체 봉지 재료에는 유동 속도 차이가 생겨 유동 속도가 늦어지는 적층 칩의 최상단의 좁은 부분에 미소한 기포를 끌어들여 미충전(보이드)이 발생한다고 하는 문제이다. 또, 전기 접속을 위한 금 와이어가 적층하는 칩의 수에 비례해 증가하여 롱 스팬화하기 때문에, 봉지시의 유동 저항을 받아 변형하여 인접하는 와이어와 접촉, 단락이 발생하기 쉽다고 하는 문제이다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 성형용 금형측과 반도체 봉지 재료의 수지측 및 충전재측으로부터의 개선이 수행되고 있다. 성형용 금형측에서의 개선으로는, 예를 들면, 금형에 공기 배출 홈(에어 벤트)을 설치하여 성형시의 금형내의 보이드를 막는 방법(특허문헌 1), 금형에 유동 제어 부재를 설치하여 보이드, 와이어 변형의 발생을 억제하는 방법(특허문헌 2) 등이 있다. 반도체 봉지 재료측에서의 개선으로는, 예를 들면, 수지의 점도를 내리고, 또한 성형 온도에서의 수지의 경화 시간을 정밀하게 제어하는 방법(특허문헌 3), 충전재의 수지에 대한 충전율을 낮추고 봉지 수지의 점도를 내리는 동시에 충전재의 입경을 작게 하여 좁은 부위에 대한 충전성의 향상을 도모하는 방법, 충전재의 입도 분포를 조제하여 충전성과 저점도화의 양립을 도모하는 방법(특허문헌 4) 등이 있다. 그러나, 이들 방법으로는 아직 불충분하고, 보이드, 와이어 변형이 발생하지 않는다고 하는 스택 칩 구조 반도체의 봉지에 필요한 양쪽 특성을 만족할 수 있는 반도체 봉지 재료, 그것에 이용하는 세라믹 분말은 아직 없다.
특허문헌 1: 일본 특개 2003-209216호 공보
특허문헌 2: 일본 특개 2005-310831호 공보
특허문헌 3: 일본 특개 2006-013382호 공보
특허문헌 4: 일본 특개 2003-110065호 공보
발명이 해결하려고 하는 과제
본 발명의 목적은, 좁은 간극 충전성이 양호하고, 성형성이 뛰어난 반도체 봉지 재료를 조제할 수 있는 세라믹 분말과, 그것들을 수지 및 고무의 적어도 한쪽에 함유시켜 이루어진 조성물, 특히 반도체 봉지 재료를 제공하는 것이다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명은, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정기에서 측정된 입도에 있어서, 적어도 두 개의 산(peak)을 갖는 다봉성의 빈도 입도 분포를 갖는 것, 제1 산의 극대 입자 지름이 12∼30 ㎛, 제2 산의 극대 입자 지름이 2∼7 ㎛의 범위 내에 있는 것, 7 ㎛ 초과 12 ㎛ 미만인 입자의 함유율이 18 중량% 이하(0%를 포함함)인 것, 제2 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F2)과 제1 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F1)의 비(F2/F1)가 0.5∼1.3인 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹 분말이다.
본 발명에 있어서는, (1) 제3 산이 추가로 있고, 그 극대 입자 지름이 0.1∼0.8 ㎛의 범위 내에 있는 것, (2) 53 ㎛의 JIS 표준체(Standard Sieve)에서 측정된 체상량(the amount of the oversize particles - 체 위에 남는 분말 입자의 양)이 0.5 중량% 이하인 것, (3) 세라믹 분말이 실리카 분말인 것으로부터 선택된 적어도 하나의 실시 형태를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
또, 본 발명은 본 발명의 세라믹 분말을 수지 및 고무의 적어도 한쪽에 함유시켜 이루어진 것을 특징으로 하는 조성물이다. 또한, 본 발명은 본 발명의 조성물이 에폭시 수지 조성물인 것을 특징으로 하는 반도체 봉지 재료이다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 세라믹 분말의 수지 조성물 중 또는 고무 조성물 중의 충전율을 89 중량% 이상으로 해도 높은 좁은 간극 충전성을 유지하며, 또한 성형성(보이드와 와이어 변형이 일어나기 어려움)이 뛰어난 수지 조성물 또는 고무 조성물(이하, 양자를 모두 합해 「조성물」이라 함), 특히 반도체 봉지 재료의 제공이 가능해진다.
발명을 실시하기 위한 바람직한 형태
이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 분말은 세라믹 분말로 이루어지며, 세라믹 분말로는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 티타니아, 마그네시아, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소 등 각종 세라믹 분말이 포함된다.
이들 분말은 단독으로 이용해도 되고, 또 2종류 이상 혼합물로서 사용해도 되지만, 반도체 소자와 반도체 봉지 재료의 열팽창율을 근접시키는 것 및 내열성, 내냉열 사이클성, 금형의 저마모성을 더욱 높이는 점으로부터 실리카 분말이 적합하고, 특히 결정질 실리카를 고온에서 용융하여 제조된 비정질 실리카 또는 합성법으로 제조된 비정질 실리카가 최적이다. 비정질 실리카 분말의 비정질률은 후기의 방법으로 측정된 값으로 95% 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 세라믹 분말의 특징은, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정기에서 측정된 입도에 있어서, 적어도 두 개의 산을 갖는 다봉성의 빈도 입도 분포를 갖는 것, 제1 산의 극대 입자 지름이 12∼30 ㎛, 제2 산의 극대 입자 지름이 2∼7 ㎛의 범위 내인 것, 7 ㎛ 초과 12 ㎛ 미만인 입자의 함유율이 18 중량% 이하(0%를 포함함)인 것, 그리고 제2 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F2)과 제1 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F1)의 비(F2/F1)가 0.5∼1.3인 것이다. 세라믹 분말을 이와 같은 특성을 갖는 것으로 함으로써, 세라믹 분말의 에폭시 수지 등에 대한 충전율을 89 중량% 이상으로 해도 높은 좁은 간극 충전성을 유지하고, 또한 성형성이 뛰어난 반도체 봉지 재료를 제공할 수 있다.
12∼30 ㎛의 범위에 극대 입자 지름이 있는 제1 산의 입자군은 본 발명의 세라믹 분말의 주된 입자이다. 그 극대 입자 지름이 12 ㎛ 미만이면, 조성물의 점도가 급격하게 상승하여 높은 성형성을 갖는 조성물의 조제가 용이하지 않게 된다. 한편, 극대 입자 지름이 30 ㎛를 초과하면, 점도는 저하하지만 적층한 칩의 최상단의 좁은 부분에 입자가 들어가기 어려워져 좁은 간극 충전성이 악화된다. 제1 산의 극대 입자 지름은 15∼25 ㎛의 범위에 있는 것이 바람직하다. 특허문헌 4에는 제1 산의 극대 입자 지름이 32.2∼42.3 ㎛인 다봉성 입도 분포의 세라믹 분말이 나타나 있어 본 발명과 상이하다. 또한, 12∼30 ㎛인 입자의 함유율은 25 중량% 이상이 바람직하고, 특히 35 중량% 이상인 것이 바람직하다. 상한으로는, 예를 들면, 60 중량%가 바람직하다.
2∼7 ㎛의 범위에 극대 입자 지름이 있는 제2 산의 입자군은 제1 산의 입자군의 간극에 들어가 입자의 충전 구조를 조밀하게 하므로, 세라믹 분말의 충전성을 보다 높여 조성물의 점도를 한층 저하시킬 수 있다. 바람직하게는, 3∼6 ㎛이다. 특히, 제2 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F2)과 제1 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F1)의 비(F2/F1)가 0.5∼1.3, 바람직하게는 0.6∼1.2인 경우에 보다 저점도화가 도모해져 성형성을 향상시킬 수 있다. 특허문헌 4에 나타난 다봉성 입도 분포의 세라믹 분말의 F2/F1의 값은 1.9 이상이라고 추측된다. 또한, 2∼7 ㎛인 입자의 함유율은 15 중량% 이상이 바람직하고, 특히 20 중량% 이상인 것이 바람직하다. 상한으로는, 예를 들면, 50 중량%가 바람직하다.
본 발명에 있어서, 7 ㎛ 초과 12 ㎛ 미만인 입자는 상기 두 개의 산 또는 후기 세 개의 산의 입자군으로 구성되는 밀충전 구조에는 불필요하므로 함유하지 않는 것(0%)이 최적이다. 함유하고 있어도 그 함유율은 최대 18 중량%(0%를 포함함), 바람직하게는 최대 15 중량%(0%)인 것이 바람직하다. 7 ㎛ 초과 12 ㎛ 미만인 입자는 제1 산과 제2 산으로 이루어진 골짜기의 깊이를 의미하며, 이 골짜기 부분에 입자가 적은 것이 좋다. 이 조건은 매우 중요하며, 7 ㎛ 초과 12 ㎛ 미만인 입자의 함유율을 제어한 세라믹 분말은 지금까지 볼 수 없다.
본 발명에 있어서는, 또한 0.1∼0.8 ㎛, 바람직하게는 0.2∼0.7의 범위에 극대 입자 지름이 있는 제3 산의 입자군이 추가로 존재하는 것이 바람직하다. 이 입자군은 제1 산의 입자군과 제2 산의 입자군에 의해 구성되는 입자의 충전 구조의 간극에 들어가 충전 구조를 더욱 조밀하게 하여 보다 고충전율로 하더라도 양호한 성형성을 유지하므로, 보이드나 와이어 변형이 적은 뛰어난 조성물의 조제가 가능해진다. 이 범위에 들어가는 입자의 함유율은 통상 3 중량% 이상이 바람직하고, 특히 10 중량% 이상인 것이 바람직하다. 상한으로는, 예를 들면, 25 중량%가 바람직하다.
본 발명의 세라믹 분말은 53 ㎛의 JIS 표준체에서 측정된 체상량이 0.5 중량% 이하(0%를 포함함)인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 체상량이 0.3 중량% 이하(0%를 포함함)이다. 체상량이 0.5 중량%를 초과하면, 좁은 간극 충전성이 악화되는 경향이 있다.
본 발명의 세라믹 분말의 평균 구형도는 0.85 이상, 바람직하게는 0.90 이상인 것이 바람직하다. 이것에 의해 좁은 간극 충전성이 향상하여 조성물의 점도도 더욱 저하시킬 수 있다.
본 발명의 세라믹 분말의 입도 분포는 레이저 회절 산란법에 의한 입도 측정에 기초하는 값이다. 입도 분포 측정기로는, 예를 들면, 벡크만 콜터사 제 「모델 LS-230」(입자 지름 채널이 log(㎛)=0.04의 폭)이 있다. 측정 시에는, 용매로는 물을 이용하고, 사전 처리로서 1분간 호모게나이저를 이용해 200 W의 출력을 가하여 분산 처리한다. 또, PIDS(Polarization Intensity Differentia1 Scattering) 농도를 45∼55 중량%로 조제한다. 물의 굴절률로는 1.33을 이용하고, 시료 분말의 굴절률로는 그 재질의 굴절률을 고려한다. 예를 들면, 비정질 실리카에서는 굴절률을 1.50으로 한다.
극대 입자 지름이란, 레이저 회절 산란법에 의한 빈도 입도 분포에 있어서, 극대값을 나타내는 입자 범위의 중심값이다. 예를 들면, 누적 입도 분포에서 20 ㎛ 까지의 누적값이 50 중량%, 24 ㎛ 까지의 누적값이 65 중량%, 28 ㎛ 까지의 누적값이 70 중량%일 때는, 극대값을 나타내는 입자 범위는 20∼24 ㎛의 사이에서, 극대 입자 지름은 20 ㎛와 24 ㎛의 중심인 22 ㎛로 계산된다.
본 발명의 세라믹 분말의 체상량은 JIS 표준체에서 측정할 수 있다. JIS 규격의 53 ㎛ 표준체에 정칭한 세라믹 분말을 10 g 넣고 샤워수를 끼얹으면서 5분간 진탕하고, 체상에 남은 세라믹 분말을 금속제 용기에 회수, 건조시킨 후 중량을 측정한다. 체상에 남은 세라믹 분말량을 측정에 제공한 세라믹 분말의 중량으로 나누어 백분율로 함으로써 체상량을 산출한다.
비정질률은 분말 X선 회절 장치(예를 들면, RIGAKU사 제 상품명 「모델 Mini Flex」)를 이용하여 CuK α선의 2θ가 26°∼ 27.5°의 범위에 있어서 X선 회절 분석을 행하여 특정 회절 피크의 강도비로부터 측정한다. 예를 들면, 실리카 분말의 경우, 결정질 실리카는 26.7°에 주 피크가 존재하지만 비정질 실리카에서는 피크는 존재하지 않는다. 비정질 실리카와 결정질 실리카가 혼재하고 있으면, 결정질 실리카의 비율에 대응한 26.7°의 피크 높이를 얻을 수 있으므로, 결정질 실리카 표준 시료의 X선 강도에 대한 시료의 X선 강도의 비로부터 결정질 실리카 혼재비(시료의 X선 회절 강도/결정질 실리카의 X선 회절 강도)를 산출하고, 식, 비정질률(%) = (1-결정질 실리카 혼재비) × 100 으로부터 비정질률을 구한다.
평균 구형도는 실체 현미경(예를 들면, 니콘사 제 상품명 「모델 SMZ-10형」) 등으로 촬영한 입자상을 화상 해석 장치(예를 들면, 마운텍크사 제 상품명 「MacView」)에 넣고, 사진으로부터 입자의 투영 면적(A)과 주위 길이(PM)로부터 측정한다. 주위 길이(PM)에 대응하는 진원(眞圓)의 면적을(B)로 하면 그 입자의 진원도는 A/B가 되므로, 시료의 주위 길이(PM)와 동일한 주위 길이를 갖는 진원을 상정하면, PM = 2πr, B = πr2이기 때문에, B = π × (PM/2π)2 이 되어, 개개의 입자의 진원도는, 진원도 = A/B = A×4π/(PM)2 이 된다. 이와 같이 하여 얻어진 임의의 입자 200개의 진원도를 구하고, 그 평균값을 제곱한 것을 평균 구형도로 하였다.
본 발명의 세라믹 분말은, 예를 들면, 평균 입자 지름이 0.1∼0.8 ㎛인 입자와 2∼7 ㎛인 입자와 12∼30 ㎛인 입자를 혼합함으로써 용이하게 제조할 수 있다. 또, 세라믹 분말이 구상 실리카 분말이나 구상 알루미나 분말 등의 구상 산화물 분말일 때는, 고온 화염 중에 분말 원료를 분사하여 용융 구상화 처리한 후, 예를 들면, 중량 침강실, 사이클론, 백 필터(bag filter), 전기 집진기 등의 포집 장치로 회수하는 방법에 있어서, 분말 원료의 입도, 분사량, 화염 온도 등의 처리 조건을 적절히 변경하거나, 회수가루를 분급, 체치기, 혼합 등의 조작을 하거나, 또는 양자의 병용에 의해 제조할 수 있다.
본 발명의 조성물은 본 발명의 세라믹 분말을 수지 및 고무의 적어도 한쪽에 함유시킨 것이다. 조성물 중의 세라믹 분말의 함유율은, 예를 들면, 10∼99 중량%, 바람직하게는 30∼95 중량%인 것이 바람직하다.
수지로는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 불포화 폴리에스테르, 불소 수지, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드 등의 폴리아미드, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리페닐렌 설파이드, 전(全)방향족 폴리에스테르, 폴리술폰, 액정 폴리머, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 말레이미드 변성 수지, ABS 수지, AAS(아크릴로니트릴-아크릴 고무·스티렌) 수지, AES(아크릴로니트릴·에틸렌·프로필렌·디엔 고무-스티렌) 수지 등을 사용할 수 있다.
이들 중, 반도체 봉지 재료로는 1 분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시 수지가 바람직하다. 그것을 예시하면, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸 노보락형 에폭시 수지, 페놀류와 알데히드류의 노볼락 수지를 에폭시화한 것, 비스페놀 A, 비스페놀 F 및 비스페놀 S 등의 글리시딜 에테르, 프탈산이나 다이머산 등의 다염기산과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜 에스테르산 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 알킬 변성 다관능 에폭시 수지, β-나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 1,6-디히드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 2,7-디히드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 비스히드록시비페닐형 에폭시 수지, 나아가서는 난연성을 부여하기 위해 브롬 등의 할로겐을 도입한 에폭시 수지 등이다. 그 중에서도, 내습성이나 내땜납 리플로우성의 점에서는 오르토크레졸 노보락형 에폭시 수지, 비스히드록시비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌 골격의 에폭시 수지 등이 바람직하다.
에폭시 수지의 경화제로는, 예를 들면, 페놀, 크레졸, 크실레놀, 레조르시놀, 클로로페놀, t-부틸 페놀, 노닐 페놀, 이소프로필 페놀, 옥틸 페놀 등의 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 포름 알데히드, 파라포름 알데히드 또는 파라크실렌과 함께 산화 촉매하에서 반응시켜 얻어지는 노볼락형 수지, 폴리파라히드록시 스티렌 수지, 비스페놀 A나 비스페놀 S 등의 비스페놀 화합물, 피로갈롤이나 플로로글루시놀(phloroglucinol) 등의 3 관능 페놀류, 무수 말레산, 무수 프탈산이나 무수 피로메리트산 등의 산 무수물, 메타페닐렌 디아민, 디아미노디페닐 메탄, 디아미노디페닐 술폰 등의 방향족 아민 등을 들 수 있다. 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진시키기 위하여, 상기한 예를 들면 트리페닐 포스핀, 1,8-디아자-비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 경화촉진제를 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물에는 추가로 이하의 성분을 필요에 따라 배합할 수 있다. 즉, 저응력화제로서 실리콘 고무, 폴리 설파이드 고무, 아크릴계 고무, 부타디엔계 고무, 스티렌계 블록 코폴리머나 포화형 엘라스토머 등의 고무 형상 물질, 각종 열가소성 수지, 실리콘 수지 등의 수지 형상 물질, 나아가서는 에폭시 수지, 페놀 수지의 일부 또는 전부를 아미노실리콘, 에폭시실리콘, 알콕시실리콘 등으로 변성한 수지 등, 실란 커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시 실란, β-(3,4-에폭시 시클로헥실) 에틸트리메톡시 실란 등의 에폭시 실란, 아미노프로필 트리에톡시 실란, 우레이도프로필 트리에톡시 실란, N-페닐 아미노프로필 트리메톡시 실란 등의 아미노 실란, 페닐 트리메톡시 실란, 메틸 트리메톡시 실란, 옥타데실 트리메톡시 실란 등의 소수성 실란 화합물이나 메르캅토 실란 등, 표면 처리제로서 Zr 킬레이트, 티타네이트 커플링제, 알루미늄계 커플링제 등, 난연조제로서 Sb2O3, Sb2O4, Sb2O5 등, 난연제로서 할로겐화 에폭시 수지나 인 화합물 등, 착색제로서 카본 블랙, 산화철, 염료, 안료 등, 나아가서는 이형제로서 천연 왁스류, 합성 왁스류, 직쇄 지방산의 금속염, 산 아미드류, 에스테르류, 파라핀 등이다.
본 발명의 조성물은 상기 각 재료의 소정량을 블렌더나 헨셀(Henschel) 믹서 등에 의해 브랜드한 후, 가열 롤, 니더, 1축 또는 2축 압출기 등에 의해 혼련한 것을 냉각한 후 분쇄함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 반도체 봉지 재료는 본 발명의 조성물이 에폭시 수지 조성물로 이루어진 것이다. 본 발명의 반도체 봉지 재료를 이용해 반도체를 봉지하려면, 트랜스퍼 몰드, 멀티 플런저(plunger) 등의 상투적인 성형 수단이 채용된다.
실시예 1∼실시예 5, 비교예 1∼비교예 7
일본 특개 2001-233627호 공보의 실시예에 기재된 장치를 이용하여 천연 규석의 분쇄물로 이루어진 원료를 LPG와 산소의 연소에 의해 형성되는 화염 중에 공급하고 용융 구상화 처리를 수행하여 구상 비정질 실리카 분말을 제조하였다. 화염 형성 조건, 원료 입도, 원료 공급량, 분급 조건 등을 조정하여 표 1에 나타나는 12종의 구상 비정질 실리카 분말 A∼L을 제조하였다. 극대 입자 지름과, 7 ㎛ 초과 12 ㎛ 미만인 입자의 함유율과, 제2 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F2)과 제1 산의 극대 입자 지름(F1)의 비(F2/F1)의 조정은 원료 입도, 구상화 처리 분말의 다 단 체분리 조작의 조건 및 체분리 조작으로 회수된 조립자, 미립자, 초미립자의 혼합량을 변경함으로써 수행하였다. 평균 구형도의 제어는 화염 온도와 원료 공급량의 조정에 의해 수행하였다.
구상 비정질 실리카 분말 A∼L의 비정질률은 모두 99.5% 이상, 평균 구형도는 0.85 이상이었다. 이들 분말의 입도 분포를 측정하여, 극대 입자 지름과, 7 ㎛ 초과 12 ㎛ 미만인 입자의 함유율과, 제2 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F2)과 제1 산의 극대 입자 지름(F1)의 비(F2/F1)를 구하였다. 12∼30 ㎛의 범위, 2∼7 ㎛의 범위 및 0.1∼0.8 ㎛의 범위에서의 극대 입자 지름을 각각 P1, P2, P3로 하고, 표 1에 나타냈다.
얻어진 구상 비정질 실리카 분말의 반도체 봉지 재료의 충전재로서의 특성을 평가하기 위하여, 구상 비정질 실리카 분말 A∼L 89부(중량부, 이하 동일함)에 대해 4,4'-비스(2,3-에폭시프로폭시)-3,3',5,5'-테트라메틸비페닐형 에폭시 수지 5.5부, 페놀 수지 4.0부, 트리페닐포스핀 0.2부,γ-글리시독시프로필 트리메톡시시 실란 0.5부, 카본 블랙 0.3부, 카나우바 왁스 0.5부를 첨가하고, 헨셀 믹서에서 드라이 브렌드한 후, 동방향 맞물림 2축 압출 혼련기(스크류 지름 D=25 ㎜, 니딩(kneading) 디스크 길이 10 D㎜, 패들 회전수 150 rpm, 토출량 5 ㎏/h, 히터 온도 105∼110℃)로 가열혼련하였다. 혼련물(토출물)을 냉각 프레스기에서 냉각한 후 분쇄하여 반도체 봉지 재료를 제조하고, 유동성, 좁은 간극 충전성 및 금 와이어 변형량을 이하에 따라 평가하였다. 이들 결과를 표 1에 나타낸다.
(1) 유동성/스파이럴 플로우
EMMI-I-666(Epoxy Molding Material Institute; Society of Plastic Industry)에 준거한 스파이럴 플로우 측정용 금형을 부착한 트랜스퍼 성형기를 이용하여 반도체 봉지 재료의 스파이럴 플로우값을 측정하였다. 트랜스퍼 성형 조건은 금형 온도 175℃, 성형 압력 7.4 MPa, 보압시간 90초로 하였다.
(2) 좁은 간극 충전성(Narrow Interstice-Filling Up Property)
BGA용 기재 기판에 다이아 터치 필름을 통해 칩 크기 8 ㎜×8 ㎜×0.3 ㎜의 모의칩을 2매 겹쳐 금 와이어로 접속한 후, 상기의 각 반도체 봉지 재료를 사용하여 트랜스퍼 성형기를 이용해 패키지 크기 38 ㎜×38 ㎜×1.0 ㎜로 성형한 후, 175℃에서 8시간 후경화(after-curing)하여 BGA 모의 반도체를 30개 제작하였다. 또한, 칩상의 간극은 200 ㎛, 금 와이어 지름은 Φ30 ㎛, 평균 길이는 5 ㎜이다. 트랜스퍼 성형 조건은 금형 온도 175℃, 성형 압력 7.4 MPa, 보압시간 90초로 하였다. 이들 30개의 모의 반도체를 육안으로 미충전 유무를 판단하고, 미충전이 없는 모의 반도체에 대해서는 초음파 탐상 장치를 이용해 보이드의 수를 계측하여 모의 반도체 1개당 평균 보이드수를 산출하였다.
(3) 금 와이어 변형량
상기 모의 반도체의 금 와이어 부분을 연(軟) X선 투과 장치(soft X-ray radiography)로 관찰하여 금 와이어 변형량을 측정하였다. 금 와이어 변형량은 패키징 전후에서 금 와이어가 움직인 최대 거리로 하고, 12개의 금 와이어의 평균값을 취하였다.
[표 1]
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5
비정질 실리카 분말 기호 A B C D E
극대 입자 지름 P1(㎛) 19 14 19 19 27
P2(㎛) 4.5 4.5 4.5 6.2 6.2
P3(㎛) - 0.5 0.3 0.9 0.3
0.1㎛ 미만인 입자의 함유율(%) 0 1 3 0 1
0.1㎛∼0.8㎛인 입자의 함유율(%) 0 12 11 7 9
0.8㎛ 초과 2㎛ 미만인 입자의 함유율(%) 9 5 7 13 4
2㎛∼7㎛인 입자의 함유율(%) 26 22 17 31 25
7㎛ 초과 12㎛ 미만인 입자의 함유율(%) 10 13 8 14 7
12㎛∼30㎛인 입자의 함유율(%) 46 39 48 30 36
30㎛ 초과인 입자의 함유율(%) 9 8 6 5 18
극대 입자 지름의 빈도값 F1(%) 4.5 4.2 5.0 3.8 3.6
F2(%) 3.8 4.1 3.2 4.5 3.4
F2/F1 0.8 1.0 0.6 1.2 0.9
53㎛의 JIS 표준량(중량%) 0.2 0.1 0.3 0.3 0.6
유동성/스파이럴 플로우(㎝) 142 156 153 135 138
좁은 간극 충전성/F시(visual observation) (미충전 유무) 없음 없음 없음 없음 없음
좁은 간극 충전성/평균 보이드수(개) 0 0 0 1 1
금 와이어의 변형량(㎜) 0.11 0.05 0.07 0.15 0.18
[표 1](계속)
비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예4
비정질 실리카 분말 기호 F G H I
극대 입자 지름 P1(㎛) 9 36 19 19
P2(㎛) 4.5 6.2 1.6 11
P3(㎛) 0.5 0.5 0.3 0.9
0.1㎛ 미만인 입자의 함유율(%) 4 0 8 1
0.1㎛∼0.8㎛인 입자의 함유율(%) 14 6 15 3
0.8㎛ 초과 2㎛ 미만인 입자의 함유율(%) 10 5 21 10
2㎛∼7㎛인 입자의 함유율(%) 24 16 10 14
7㎛ 초과 12㎛ 미만인 입자의 함유율(%) 29 6 9 36
12㎛∼30㎛인 입자의 함유율(%) 16 25 35 31
30㎛ 초과인 입자의 함유율(%) 3 42 2 5
극대 입자 지름의 빈도값 F1(%) 2.9 4.5 3.5 3.1
F2(%) 2.7 3.5 3.8 3.3
F2/F1 0.9 0.8 1.1 1.1
53㎛의 JIS 표준량(중량%) 0.1 1.1 0.8 0.4
유동성/스파이럴 플로우(㎝) 104 162 128 106
좁은 간극 충전성/F시(visual observation) (미충전 유무) 없음 있음 없음 없음
좁은 간극 충전성/평균 보이드수(개) 1 - 2 5
금 와이어의 변형량(㎜) 1.18 0.27 0.34 0.51
[표 1](계속)
비교예 5 비교예 6 비교예 7
비정질 실리카 분말 기호 J K L
극대 입자 지름 P1(㎛) 14 19 19
P2(㎛) 6.2 4.5 4.5
P3(㎛) 0.3 0.5 0.5
0.1㎛ 미만인 입자의 함유율(%) 5 3 0
0.1㎛∼0.8㎛인 입자의 함유율(%) 10 13 8
0.8㎛ 초과 2㎛ 미만인 입자의 함유율(%) 8 9 5
2㎛∼7㎛인 입자의 함유율(%) 27 34 16
7㎛ 초과 12㎛ 미만인 입자의 함유율(%) 25 14 19
12㎛∼30㎛인 입자의 함유율(%) 23 24 51
30㎛ 초과인 입자의 함유율(%) 2 3 1
극대 입자 지름의 빈도값 F1(%) 3.4 3.5 6.3
F2(%) 3.2 5.4 2.2
F2/F1 0.9 1.5 0.3
53㎛의 JIS 표준량(중량%) 0.2 0.3 0.3
유동성/스파이럴 플로우(㎝) 115 124 140
좁은 간극 충전성/F시(visual observation) (미충전 유무) 있음 없음 있음
좁은 간극 충전성/평균 보이드수(개) - 2 -
금 와이어의 변형량(㎜) 0.68 0.49 0.22
실시예와 비교예의 대비로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 세라믹 분말에 의하면, 비교예보다 좁은 간극 충전성, 성형성이 뛰어난 조성물, 특히 반도체 봉지 재료를 조제할 수 있다.
본 발명의 세라믹 분말은 자동차, 휴대 전자기기, PC, 가정용 전자제품 등에 사용되는 반도체 봉지 재료, 반도체가 탑재되는 적층판, 나아가서는 접착제, 실링재, 각종 고무, 각종 엔지니어 플라스틱 등의 충전재로 사용된다. 또, 본 발명의 조성물은 반도체 봉지 재료 외에 유리 직포, 유리 부직포, 그 외 유기기재에 함침 경화시켜 이루어지는, 예를 들면, 프린트 기판용의 프리프레그나 각종 엔지니어 플라스틱 등으로 사용할 수 있다.

Claims (6)

  1. 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정기에서 측정된 입도에 있어서, 적어도 두 개의 산을 갖는 다봉성의 빈도 입도 분포를 갖는 것, 제1 산의 극대 입자 지름이 12∼30 ㎛, 제2 산의 극대 입자 지름이 2∼7 ㎛의 범위 내에 있는 것, 7 ㎛ 초과 12 ㎛ 미만인 입자의 함유율이 18 중량% 이하(0%를 포함함)인 것, 제2 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F2)과 제1 산의 극대 입자 지름의 빈도값(F1)의 비(F2/F1)가 0.5∼1.3인 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹 분말.
  2. 청구항 1에 있어서,
    제3 산이 추가로 있고, 그 극대 입자 지름이 0.1∼0.8 ㎛의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 분말.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    53 ㎛의 JIS 표준체에서 측정된 체상량이 0.5 중량% 이하(0%를 포함함)인 것을 특징으로 하는 세라믹 분말.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    세라믹 분말이 실리카 분말인 것을 특징으로 하는 세라믹 분말.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 세라믹 분말을 수지 및 고무의 적어도 한쪽에 함유시켜 이루어진 조성물.
  6. 수지 및 고무의 적어도 한쪽이 에폭시 수지인, 청구항 5에 기재된 조성물로 이루어진 반도체 봉지 재료.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI412506B (zh) 2006-05-12 2013-10-21 Denki Kagaku Kogyo Kk 陶瓷粉末及其用途
KR101133309B1 (ko) * 2006-05-12 2012-04-04 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 세라믹 분말 및 그의 용도
TWI457282B (zh) * 2008-06-20 2014-10-21 Denki Kagaku Kogyo Kk 非晶質矽石質粉末、其製造方法、樹脂組成物、及半導體封止材
SG10201406428QA (en) * 2009-10-09 2014-12-30 Sumitomo Bakelite Co Semiconductor device
JP5544205B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-09 株式会社アドマテックス 球状シリカ粒子の製造方法
WO2013022068A1 (ja) * 2011-08-10 2013-02-14 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、永久レジスト及び永久レジストの製造方法
JP6159512B2 (ja) * 2012-07-04 2017-07-05 太陽誘電株式会社 インダクタ
JP6266888B2 (ja) * 2013-03-19 2018-01-24 アピックヤマダ株式会社 ダミーフレーム、凸部部材、ダミーフレームの作製方法、樹脂流動性評価方法、樹脂モールド方法、及びモールド金型の製造方法
CN104658624B (zh) * 2015-01-27 2017-04-12 华东理工大学 辐射屏蔽电子封装材料及其制备方法
JP6258538B1 (ja) * 2017-03-14 2018-01-10 有限会社 ナプラ 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6296568A (ja) 1985-10-24 1987-05-06 Denki Kagaku Kogyo Kk 半導体封止用樹脂組成物
US4842800A (en) 1987-10-01 1989-06-27 General Electric Company Method of encapsulating electronic devices
IL101664A (en) 1991-05-01 1996-01-31 Rohm & Haas Epoxy printing preparations for use in surface assembly
JP3774042B2 (ja) 1997-09-11 2006-05-10 富士通株式会社 ショートセル多重装置
DE19751542A1 (de) 1997-11-20 1999-07-29 Siemens Ag Kunststoffmassen zur Umhüllung eines Metall- oder Halbleiterkörpers
JP2000063630A (ja) 1998-08-21 2000-02-29 Nippon Chem Ind Co Ltd 微細球状シリカ及び液状封止樹脂組成物
JP4294191B2 (ja) 2000-02-22 2009-07-08 電気化学工業株式会社 球状シリカ粉末の製造方法及び製造装置
CN1288914A (zh) * 2000-08-30 2001-03-28 中国科学院化学研究所 一种含复合无机填料的环氧树脂组合物
JP4155719B2 (ja) * 2001-02-27 2008-09-24 電気化学工業株式会社 球状無機質粉末及びその用途
US6844633B2 (en) * 2001-08-02 2005-01-18 Nec Electronics Corporation Sealing resin, resin-sealed semiconductor and system-in-package
DE10144871A1 (de) 2001-09-12 2003-03-27 Bosch Gmbh Robert Vergußmasse mit hoher thermischer Stabilität
JP4155729B2 (ja) 2001-10-01 2008-09-24 電気化学工業株式会社 球状無機質粉末およびその用途
JP3773855B2 (ja) 2001-11-12 2006-05-10 三洋電機株式会社 リードフレーム
JP3865641B2 (ja) * 2002-01-29 2007-01-10 電気化学工業株式会社 球状無機質粉末およびその用途
JP3868347B2 (ja) 2002-07-25 2007-01-17 電気化学工業株式会社 無機質粉末およびこれを充填した樹脂組成物
JP2005310831A (ja) 2004-04-16 2005-11-04 Nec Electronics Corp 樹脂封止装置
JP2005306923A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Denki Kagaku Kogyo Kk 無機質粉末及びこれを含有した組成物
JP2006013382A (ja) 2004-06-29 2006-01-12 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物の成形方法およびそれを用いた半導体装置
JP4542836B2 (ja) 2004-06-29 2010-09-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 搬送台車
MY148463A (en) * 2004-07-29 2013-04-30 Sumitomo Bakelite Co Epoxy resin composition and semiconductor device
MY144171A (en) 2006-03-17 2011-08-15 Denki Kagaku Kogyo Kk Silica powder and applications thereof
TWI412506B (zh) * 2006-05-12 2013-10-21 Denki Kagaku Kogyo Kk 陶瓷粉末及其用途
KR101133309B1 (ko) * 2006-05-12 2012-04-04 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 세라믹 분말 및 그의 용도

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