KR20080093025A - 퀴논 화합물, 전자 사진용 감광체 및 전자 사진 장치 - Google Patents

퀴논 화합물, 전자 사진용 감광체 및 전자 사진 장치 Download PDF

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켄이치 오쿠라
요이치 나카무라
모토히로 타케시마
요시키 하세가와
히로유키 켄모치
토루 고바야시
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후지 덴키 디바이스 테크놀로지 가부시키가이샤
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Abstract

전자 사진용 감광체나 유기 EL 등의 용도에 유용한 전자 수송능에 우수한 화합물을 제공한다. 또한, 이러한 신규 유기 재료를 감광층중에 전하 수송 물질로서 이용함에 의해, 고감도의 복사기용 및 프린터용의 정대전형 전자 사진용 감광체 및 그것을 이용한 전자 사진 장치를 제공한다.
하기 일반식(I)
Figure 112008049037308-PCT00033
로 표시되는 구조를 갖는 신규 퀴논 화합물이다. 도전성 기체상에, 전하 발생 물질 및 전하 수송 물질을 함유하는 감광층을 마련한 전자 사진용 감광체에서, 감광층이, 상기 화합물의 적어도 1종을 함유한다.

Description

퀴논 화합물, 전자 사진용 감광체 및 전자 사진 장치{QUINONE COMPOUND, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE BODY AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS}
본 발명은 신규 퀴논 화합물에 관한 것으로, 상세하게는, 전자 사진용 감광체(이하, 단순히 「감광체」라고도 칭한다) 등의 전하 수송 물질로서 유용한 신규 퀴논 화합물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 전자 사진용 감광체 및 전자 사진 장치에 관한 것으로, 상세하게는, 도전성 기체상에 유기 재료를 포함하는 감광층을 마련한, 전자 사진 방식의 프린터, 복사기 등에 이용되는 전자 사진용 감광체 및 그것을 이용한 전자 사진 장치에 관한 것이다.
종래는, 전자 사진용 감광체의 감광층으로서, 셀렌 또는 셀렌 합금 등의 무기 광도전성 물질, 산화 아연 또는 황하 카드뮴 등의 무기 광도전성 물질을 수지 결착제중에 분산시킨 것이 이용되어 왔다. 근래에는, 유기 광도전성 물질을 이용한 전자 사진용 감광체의 연구가 진행되고, 감도나 내구성 등이 개선되고 실용화되어 있는 것도 있다.
또한, 감광체에는, 암소(dark)에서 표면 전하를 보존하는 기능과, 광을 수용 하여 전하를 발생하는 기능과, 마찬가지로 광을 수용하여 전하를 수송하는 기능이 필요한데, 하나의 층에서 이들의 기능을 겸비한, 이른바 단층형 감광체와, 주로 전하 발생에 기여하는 층과 암소에서의 표면 전하의 보존 및 광 수용시의 전하 수송에 기여하는 층으로 기능 분리한 층을 적층한, 이른바 적층형 감광체가 있다.
이들의 감광체를 이용한 전자 사진법에 의한 화상 형성에는, 예를 들면, 칼손방식이 적용된다. 이 방식에서의 화상 형성은, 암소에서의 감광체에의 코로나 방전에 의한 대전과, 대전된 감광체 표면상에의 원고의 문자나 그림 등의 정전 잠상의 형성과, 형성된 정전 잠상의 토너에 의한 현상과, 현상된 토너상의 종이 등의 보존체에의 정착에 의해 행하여지고, 토너상 전사 후의 감광체는, 제전, 잔류 토너의 제거, 광 제전 등을 행하는 후, 재사용에 제공된다.
실용화되어 있는 유기 감광체는, 무기 감광체에 비하여, 가요성, 막형성성, 저비용, 안전성 등의 이점이 있고, 재료의 다양성 때문에, 더욱 감도, 내구성 등의 개선이 진행되고 있다.
유기 감광체의 대부분은, 전하 발생층과 전하 수송층으로 기능을 분리한 적층형의 유기 감광체이다. 일반적으로, 적층형 유기 감광체는, 도전성 기체상에, 안료나 염료 등의 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층과, 히드라존이나 트리페닐아민 등의 전하 수송 물질을 포함하는 전하 수송층을 차례로 형성한 것이고, 전자 공여성인 전하 수송 물질의 성질상, 정공 이동형이 되고, 감광체 표면을 부(負)대전한 때에 감도를 갖는다. 그런데 부대전형(negative charge type)에서는, 정대전형(positive charge type)에 비하여 대전시에 이용하는 코로나 방전이 불안정하고, 또한, 오존이나 질소 산화물 등을 발생시키기 때문에, 이들이 감광체 표면에 흡착하여, 물리적, 화학적 열화를 일으키기 쉽고, 또한, 환경을 악화한다는 문제가 있다. 이와 같은 점에서, 감광체로서는 부대전형 감광체보다도, 사용 조건의 자유도가 큰 정대전형 감광체의 쪽이, 그 적용 범위가 넓고 유리하다.
그래서, 정대전형으로 사용하기 위해, 전하 발생 물질과 전하 수송 물질을 동시에 수지 바인더에 분산시켜서 단층의 감광층으로서 사용하는 방법이 제안되어 있고, 일부 실용화되어 있다. 그러나, 단층형 감광체는 고속기에 적용하는데는 감도가 충분하지 않고, 또한, 반복 특성 등의 점에서도 더욱 개량이 필요하다.
또한, 고감도화를 목적으로 하여 기능 분리형의 적층 구조라고 하기 위해, 전하 수송층상에 전하 발생층을 적층하여 감광체를 형성하고, 정대전형으로 사용하는 방법도 생각되지만, 이 방식에서는 전하 발생층이 표면에 형성되기 때문에, 코로나 방전, 광 조사, 기계적 마모 등에 의해, 반복 사용시에 있어서의 안정성 등에 문제가 생긴다. 이 경우, 전하 발생층의 위에 다시 보호층을 마련하는 것도 제안되어 있지만, 기계적 마모는 개선되는 것이지만, 감도 등의 전기 특성의 저하를 초래하는 등의 문제는 해소되어 있지 않다.
또한, 전하 발생층상에 전자 수송성의 전하 수송층을 적층하여 감광체를 형성하는 방법도 제안되어 있다.
전자 수송성의 전하 수송 물질로서는, 예를 들면, 2,4,7-트리니트로-9-플루오레논 등이 알려져 있지만, 이 물질은 발암성이 있는 것이여서, 안전상 문제가 있다. 또한, 특허 문헌 1 내지 8 등에서는 퀴논계 화합물 등이 제안되어 있고, 이들 이외에도, 우수한 전자 수송성을 갖는 물질을 함유하는 감광체가 여러가지 제안되어 오고 있다(예를 들면, 특허 문헌 9 내지 14 등에 기재).
특허 문헌 1 : 일본 특개평1-206349호 공보
특허 문헌 2 : 일본 특개평3-290666호 공보
특허 문헌 3 : 일본 특개평8-278643호 공보
특허 문헌 4 : 일본 특개평9-190002호 공보
특허 문헌 5 : 일본 특개평9-190003호 공보
특허 문헌 6 : 일본 특개2001-222122호 공보
특허 문헌 7 : 일본 특개2003-270817호 공보
특허 문헌 8 : 일본 특개2003-270818호 공보
특허 문헌 9 : 일본 특개2000-143607호 공보
특허 문헌 10 : 일본 특개2000-199979호 공보
특허 문헌 11 : 일본 특개2001-215742호 공보
특허 문헌 12 : 일본 특개2002-62673호 공보
특허 문헌 13 : 일본 특개2003-228185호 공보
특허 문헌 14 : 일본 특개2003-238561호 공보
상술한 바와 같이, 전자 수송성의 전하 수송 물질에 관해서는 여러가지 검토가 이루어져 오고 있지만, 근래의 고감도 감광체에 대한 요청으로부터, 보다 우수한 전자 수송성을 갖는 새로운 전하 수송 물질을 이용함으로써, 보다 고성능의 감광체를 실현하는 것이 요구되고 있다.
그래서 본 발명의 목적은, 전자 사진용 감광체나 유기 EL(Electro Luminescence) 등의 용도에 유용한 전자 수송능에 우수한 화합물을 제공하는 것에 있고, 또한, 이러한 신규 유기 재료를 감광층중에 전하 수송 물질로서 이용함에 의해, 고감도의 복사기용 및 프린터용의 정대전형 전자 사진용 감광체 및 그것을 이용한 전자 사진 장치를 제공하는 것에 있다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 각종 유기 재료에 관해 예의 검토한 결과, 이하에 나타내는 일반식(I)로 표시되는 특정한 화합물이 우수한 전자 수송성을 갖는 것을 발견하고, 이것을 전하 수송 물질로서 사용함에 의해, 정대전으로 사용 가능한 고감도 감광체를 얻을 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성함에 이르렀다.
즉, 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 신규 퀴논 화합물은, 하기 일반식(I)
Figure 112008049037308-PCT00001
(식(I)중, R1 내지 R8은, 동일 또는 다르며, 수소 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R9 및 R10은, 동일 또는 다르며, 수소 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기, 또는 무치환 또는 치환기를 갖는 복소환기(複素環基)를 나타내고, 또한, R1 및 R5, R2 및 R6, R3 및 R7, R4 및 R8은, 각각 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, R11 및 R12은, 동일 또는 다르며, 할로겐 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 1 내지 6의 할로겐화 알킬기, 수산기, 니트로기, 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기, 또는 무치환 또는 치환기를 갖는 복소환기를 나타내고, n 및 m은 0 내지 4의 정수를 나타내고, n이 2 이상인 경우에는, 2 이상의 R11은 동일하여도 달라도 좋고, 또한, 2 이상의 R11끼리가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, m이 2 이상인 경우에는, 2 이상의 R12은 동일하여도 달라도 좋고, 또한, 2 이상의 R12끼리가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, 치환기는, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 1 내지 6의 할로겐화 알킬기, 수산기, 니트로기, 아릴기, 또는 복소환기를 나타낸다)로 표시되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 전자 사진용 감광체는, 도전성 기체상에, 전하 발생 물질 및 전하 수송 물질을 함유하는 감광층을 마련한 전자 사진용 감광체에 있어서, 해당 감광층이, 하기 일반식(I),
Figure 112008049037308-PCT00002
(식(I)중, R1 내지 R8은, 동일 또는 다르며, 수소 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R9 및 R10은, 동일 또는 다르며, 수소 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기, 또는 무치환 또는 치환기를 갖는 복소환기를 나타내고, 또한, R1 및 R5, R2 및 R6, R3 및 R7, R4 및 R8은, 각각 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, R11 및 R12은, 동일 또는 다르며, 할로겐 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 1 내지 6의 할로겐화 알킬기, 수산기, 니트로기, 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기, 또는 무치환 또는 치환기를 갖는 복소환기를 나타내고, n 및 m은 0 내지 4의 정수를 나타내고, n이 2 이상인 경우에는, 2 이상의 R11은 동일하여도 달라도 좋고, 또한, 2 이상의 R11끼리가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, m이 2 이상인 경우에는, 2 이상의 R12은 동일하여도 달라도 좋고, 또한, 2 이상의 R12끼리가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, 치환기는, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 1 내지 6의 할로겐화 알킬기, 수산기, 니트로기, 아릴기, 또는 복소환기를 나타낸다)로 표시되는 구조를 갖는 화합물의 적어도 일종을 함유하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 감광체로서는, 상기 감광층이, 전하 발생 물질, 전하 수송 물질 및 수지 바인더를 함유하는 단층형 감광층이고, 해당 전하 수송 물질로서 전자 수송 물질과 정공 수송 물질을 함유하고, 또한, 해당 전자 수송 물질로서, 상기 일반식(I)로 표시되는 구조를 갖는 화합물의 적어도 1종을 함유하는 것이 알맞고, 특히, 정대전 프로세스로 대전 프로세스를 행하는 전자 사진 장치에 알맞게 적용할 수 있다.
또한, 본 발명의 감광체에서는, 감광층 중에, 정공 수송 물질로서, 예를 들면, 일본 특개2000-314969호 공보 등에 기재되어 있는 바와 같은 공지의 정공 수송 물질을 이용하는 것이 가능하지만, 특히, 스티릴 화합물을 함유시키는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 감광체에서는, 감광층 중에 전하 발생 물질로서 공지의 전하 발생 물질을 이용하는 것이 가능하지만, 특히, 프탈로시아닌 화합물을 함유시키는 것이 바람직하다. 프탈로시아닌 화합물로서는, 예를 들면, 일본 특개2001-228637호 공보 등에 기재되어 있는 X형 무금속 프탈로시아닌, α형 티탄일프탈로시아닌 및 Y형 티탄일프탈로시아닌, 일본 특개2001-330972호 공보에 기재된 발명에 관한 티탄일프탈로시아닌 등이 보다 알맞지만, 이들의 화합물로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 전자 사진 장치는, 상기 본 발명의 전자 사진용 감광체를 구비하고, 또한, 정대전 프로세스로 대전 프로세스를 행하는 것을 특징으로 하는 것이다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 전자 수송성에 우수한 화합물을 얻을 수 있고, 이 화합물을 전자 사진용 감광체나 유기 EL 등의 유기 화합물을 이용한 전자 디바이스에 적용함에 의해, 전기 특성 등을 향상하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 도전성 기체상에 감광층이 마련된 전자 사진용 감광체에 있어서, 이러한 전자 수송성을 갖는 특정한 화합물을, 전자 수송 물질로서 감광층중에 함유시킴에 의해, 전자 수송성이 향상되고, 우수한 전기 특성을 나타냄과 함께, 전하의 트랩이 적어지기 때문에, 반복 안정성에도 우수한 효과를 이룬다.
따라서 본 발명에 의하면, 전기 특성이나 반복 안정성에 우수한 고내구성의 전자 사진용 감광체를 얻을 수 있고, 이 전자 사진용 감광체는, 전자 사진 방식을 이용한 프린터, 복사기, 팩스 등의 전자 사진 장치에 유용하다.
도 1은 전자 사진용 감광체의 일반적 구성을 도시하는 모식적 단면도.
도 2는 단층형 전자 사진용 감광체의 한 구성예를 도시하는 모식적 단면도.
도 3은 단층형 전자 사진용 감광체의 다른 구성예를 도시하는 모식적 단면 도.
도 4는 적층형 전자 사진용 감광체의 한 구성예를 도시하는 모식적 단면도.
도 5는 적층형 전자 사진용 감광체의 다른 구성예를 도시하는 모식적 단면도.
도 6은 적층형 전자 사진용 감광체의 또다른 구성예를 도시하는 모식적 단면도.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1 : 도전성 기체 2 : 하인층
3 : 감광층 3a : 전하 발생층
3b : 전하 수송층 4 : 보호층
상기 일반식(I)로 표시되는 화합물의 구체예를, 하기한 구조식(I-1) 내지 (I-160)로 표시하지만, 본 발명에서는, 이들의 화합물로 한정되는 것이 아니다.
또한, 하기한 구체예 중의
┼
는 t-부틸기를 나타낸다.
Figure 112008049037308-PCT00003
Figure 112008049037308-PCT00004
Figure 112008049037308-PCT00005
Figure 112008049037308-PCT00006
Figure 112008049037308-PCT00007
Figure 112008049037308-PCT00008
Figure 112008049037308-PCT00009
Figure 112008049037308-PCT00010
Figure 112008049037308-PCT00011
Figure 112008049037308-PCT00012
Figure 112008049037308-PCT00013
Figure 112008049037308-PCT00014
Figure 112008049037308-PCT00015
Figure 112008049037308-PCT00016
Figure 112008049037308-PCT00017
Figure 112008049037308-PCT00018
Figure 112008049037308-PCT00019
Figure 112008049037308-PCT00020
Figure 112008049037308-PCT00021
Figure 112008049037308-PCT00022
상기 일반식(I)로 표시되는 본 발명의 퀴논계 화합물은, 예를 들면, 하기
스킴 1로 도시하는 방법으로 제조할 수 있다. 또한, 하기식 중, R1 내지 R12은, 상 기에서와 같은 의미를 나타낸다.
Figure 112008049037308-PCT00023
즉, 먼저, 비스아닐린류(Ⅱ)를 염산 중, 아질산 나트륨을 이용하여 비스디아조늄염(Ⅲ)으로 변환한 후, 염화 제1주석, 아황산 나트륨, 아황산 칼륨 등의 환원제를 이용하여 비스히드라진 염산염(Ⅳ)으로 한다. 이것과, 구조식(V) 및/또는 (V')로 표시되는 카르본일 화합물을, 피리딘, 트리에틸아민, 아세트산 나트륨 등의 염기류를 이용하여 축합시킴에 의해, 구조식(Ⅵ)로 표시된 비스히드라존을 조제한다. 최후로, 이것을 이산화 망간, 과망간산 칼륨, 페리시안화 칼륨 등의 무기계 산화제, 또는 2,3-디클로로5,6-디시아노-L4-벤조퀴논 등의 유기계 산화제를 이용하여, 클로로포름, 염화 메틸렌 등의 할로겐 용제, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화 수소계 용제를 이용하여 실온에서 용제의 환류(還流) 온도까지의 온도 범위에서 반응을 행함에 의해, 목적하는 퀴논(상기 일반식(I))을 합성하는 것이 가능하다.
상기 일반식(I)로 표시되는 본 발명의 퀴논계 화합물은, 우수한 전자 수송성을 갖기 때문에, 이른바 전자 수송 물질로서 유용하고, 특히, 전자 사진용 감광체의 감광층 재료, 및, 유기 EL의 전자수송층 등의 기능층 재료로서 알맞게 이용할 수 있는 것이다.
이하, 본 발명의 전자 사진용 감광체의 구체적인 실시의 형태에 관해, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
도 1은, 본 발명의 감광체의 한 실시 형태를 도시하는 개념적 단면도이고, 부호 1은 도전성 기체, 2는 하인층, 3은 감광층, 4은 보호층을 각각 나타내고, 하인층(2)과 보호층(4)은, 필요에 응하여 마련된다. 감광층(3)은, 전하 발생 기능과 전하 수송 기능을 겸비하는 하나의 층으로 이루어지는 단층형이나, 전하 발생층과 전하 수송층에 분리한 층을 적층한 기능 분리형이 있다. 주된 구체예로서는, 도 2 내지 도 6에 도시하는 바와 같은 층 구성의 감광체를 들 수 있다. 도 2 및 도 3은, 감광층(3)이 단층형인 단층형 감광체를 도시한다. 또한, 도 4 및 도 5은, 하인층(2)상에 감광층(3)이. 전하 발생층(3a), 전하 수송층(3b)의 순서로 적층되어 형성되어 이루어지는 기능 분리 적층형 감광체를 도시한다. 또한, 도 6은, 감광층(3)이. 전하 수송층(3b), 전하 발생층(3a)의 순서로 적층되어 이루어지고, 이 위에 또한 보호층(4)을 갖는 기능 분리 적층형 감광체를 도시한다. 단, 본 발명은, 이들 도시하는 층 구성의 감광체로 한정되는 것이 아니다.
도전성 기체(1)는, 감광체의 전극으로서의 역할과 동시에 다른 각 층의 보존체가 되어 있고, 원통형상, 판형상, 필름형상의 어느것이라도 좋고, 재질적으로는 알루미늄, 스테인리스 강, 니켈 등의 금속, 또는 유리, 수지 등의 위에 도전 처리를 시행한 것이라도 좋다.
하인층(2)은, 필요에 응하여 마련할 수 있고, 수지를 주성분으로 하는 층이나 알루마이트 등의 산화 피막 등으로 이루어지고, 도전성 기체로부터 감광층으로의 불필요한 전하의 주입(注入) 방지, 기체 표면의 결함 피복, 감광층의 접착성의 향상 등의 목적으로 필요에 응하여 마련된다. 하인층용의 수지 바인더로서는, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 염화 비닐 수지, 아세트산 비닐 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 페놀 수지, 실리콘 수지, 폴리아미드 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리알레이트 수지, 폴리술폰 수지, 메타크릴산 에스테르의 중합체 및 이들의 공중합체 등을 적절히 조합시켜서 사용하는 것이 가능하다. 또한, 수지 바인더중에는, 산화 규소(실리카), 산화 티탄, 산화 아연, 산화 칼슘, 산화 알루미늄(알루미나), 산화 지르코늄 등의 금속 산화물이나, 황산 바륨, 황산 칼슘 등의 황산염, 공화 규소, 질 알루미늄 등의 금속 질화 등의 미립자를 1종 이상 함유시켜도 좋고, 이들의 미립자의 표면을, 실란 커플링 제 등으로 표면 처리하거나, 금속 산화막 등으로 피복하여도 좋다.
하인층의 막두께는, 하인층의 배합 조성에도 의존하지만, 반복 연속 사용한 때에 잔류 전위가 증대하는 등의 악영향이 나오지 않는 범위에서 임의로 설정할 수 있고, 통상, 0.01 내지 50㎛이다. 또한, 하인층은 복수층 적층시켜도 좋다.
감광층(3)은, 기능 분리형인 경우는, 주로 전하 발생층(3a)과 전하 수송층(3b)의 2층으로 이루어지고, 단층형인 경우는, 1층으로 이루어진다. 단, 동종의 기능을 갖는 층을 복수층 적층시켜도 좋다.
전하 발생층(3a)은, 무기 또는 유기 광도전성 물질을 진공 증착하여 형성하거나, 무기 또는 유기 광도전성 물질의 입자를 수지 바인더중에 분산시킨 재료를 도포하여 형성되고, 광을 수용하여 전하를 발생하는 기능을 갖는다. 또한, 그 전하 발생 효율이 높은 것과 함께 발생한 전하의 전하 수송층(3b)에의 주입성이 중요하고, 전장 의존성이 적고 저전장에서도 주입이 좋은 것이 바람직하다.
전하 발생층은, 전하 발생 기능을 가지면 좋기 때문에, 그 막두께는 전하 발생 물질의 광흡수 계수에 의해 결정되고, 통상, 0.1 내지 50㎛이지만, 전하 발생층상에 전하 수송층을 적층한 적층형 감광체인 경우에는, 일반적으로는 5㎛ 이하이고, 알맞게는 1㎛ 이하이다.
전하 발생층은, 전하 발생 물질을 주체로 하여, 이것에 전하 수송 물질 등을 첨가하여 사용하는 것도 가능하다. 전하 발생 물질로서는, 프탈로시아닌계 안료, 아조 안료, 안트안트론 안료, 페릴렌 안료, 페리논 안료, 스쿠아릴륨 안료, 티아피릴륨 안료, 퀴나크리돈 안료 등을 이용할 수 있고, 또한, 이들의 안료를 적절히 조합시켜서 이용하여도 좋다. 특히, 아조 안료로서는, 디스아조 안료, 트리스아조 안료, 페릴렌 안료로서는, N,N'-비스(3,5-디메틸페닐)-3,4:9,10-페릴렌비스(카르복시이미드), 프탈로시아닌계 안료로서는, 무금속 프탈로시아닌, 구리프탈로시아닌, 티 탄일프탈로시아닌이 알맞다.
본 발명에서는, 이들 전하 발생 물질중에서도, 프탈로시아닌계 안료를 이용하는 것이 특히 바람직하다. 이들의 프탈로시아닌에는 다양한 결정 형태가 존재하고, X형 무금속 프탈로시아닌, τ형 무금속 프탈로시아닌, ε형 구리프탈로시아닌, α형 티탄일프탈로시아닌, β형 티탄일프탈로시아닌, Y형 티탄일프탈로시아닌, 어모퍼스 티탄일프탈로시아닌, 특개평8-209023호 공보중에 기재된 CuKα: X선 회절 스펙트럼으로 브래그각(2θ)이 9.6°를 최대 피크로 하는 티탄일프탈로시아닌 등이 알려져 있다. 그 중에서, 예를 들면, 특개2001-228637호 공보 등에 기재되어 있는 X형 무금속 프탈로시아닌, α형 티탄일프탈로시아닌, Y형 티탄일프탈로시아닌 및 일본 특개2001-330972호 공보에 기재된 발명에 관한 티탄일프탈로시아닌 등이 보다 바람직하다.
또한, 상기 전하 발생 물질중에는, 전하 발생 기능에 더하여, 전하 수송 기능을 갖는 것도 존재한다. 특히, 아조 안료나 페릴렌 안료는 전자 수송성을 갖고 있고, 전하 발생을 목적으로 한 이외에, 전자 수송 물질로서 이용할 수도 있다.
전하 발생층용의 수지 바인더로서는, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 염화 비닐 수지, 아세트산 비닐 수지, 실리콘 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리알릴레이트 수지, 폴리술폰 수지, 메타크릴산 에스테르의 중합체 및 이들의 공중합체 등을 적절히 조합시켜서 사용하는 것이 가능하다. 또한, 분자량이 다른 동종의 수 지를 혼합하여 이용하여도 좋다. 또한, 수지 바인더의 함유량은, 전하 발생층의 고형분에 대해 10 내지 90중량%, 알맞게는 20 내지 80중량%이다.
여기서, 전하 발생층에 전하 수송 물질을 첨가한 경우에는, 하기에서 설명하는 전하 수송층에 이용되는 전하 수송 물질을 이용하는 것이 가능하고, 또한, 본 발명에 관한 상기 일반식(I)로 표시되는 화합물을 이용하는 것도 가능하다. 또한, 전하 발생층에 첨가하는 전하 수송 물질의 함유량은, 전하 발생층의 고형분에 대해 0.1 내지 50중량%로 한다.
전하 수송층(3b)은, 수지 바인더중에 전하 수송 물질을 분산시킨 재료로 이루어지는 도막이고, 암소(暗所)에서는 절연체층으로서 감광체의 전하를 보존하고, 광 수용시에는 전하 발생층으로부터 주입되는 전하를 수송하는 기능을 발휘한다.
전하 수송 물질로서는 정공 수송 물질과 전자 수송 물질이 존재하는데, 본 발명에서는 적어도, 전자 수송 물질로서, 상기 일반식(I)로 표시되는 화합물을 이용하는 것이 필요하다. 또한, 본 발명에서는, 이러한 화합물 이외에도, 다른 전자 수송 물질이나 정공 수송 물질을 병용하는 것이 가능하다. 또한, 전하 수송 물질의 함유량은, 전하 수송층의 고형분에 대해 10 내지 90중량%, 알맞게는 20 내지 80중량%이고, 본 발명에 관한 상기 일반식(I)로 표시되는 화합물은, 전하 수송층중에 포함되어 있으면 본 발명의 효과를 얻을 수 있는 것이지만, 그 함유량으로서는, 전하 수송층의 고형분에 대해, 알맞게는 10 내지 60중량%이고, 보다 알맞게는, 15 내지 50중량%이다.
다른 전자 수송 물질로서는, 공지의 전자 수송 물질을 이용할 수 있고, 무수 호박산, 무수 말레인산, 디브롬 무수 호박산, 무수 프탈산, 3-니트로 무수 프탈산, 4-니트로 무수 프탈산, 무수 피로멜리트산, 피로멜리트산, 트리멜리트산, 무수 트리 멜리트산, 프탈이미드, 4-니트로프탈이미드, 테트라시아노에틸렌, 테트라시아노퀴노디메탄, 클로라닐, 브로마닐, o-니트로안식향산, 트리니트로플루오레논, 퀴논, 벤조퀴논, 디페노퀴논, 나프토퀴논, 안트라znl논, 스틸벤퀴논 등의 전자 수용 물질, 전자 수송 물질을 사용할 수 있다. 특히, 특개2000-314969호 공보중에 기재된 구조식(ET1-1) 내지 (ET1-16), (ET2-1) 내지 (ET2-16), (ET3-1) 내지 (ET3-12), (ET4-1) 내지 (ET4-32), (ET5-1) 내지 (ET5-8), (ET6-1) 내지 (ET6-50), (ET7-1) 내지 (ET7-14), (ET8-1) 내지 (ET8-6), (ET9-1) 내지 (ET9-4), (ET10-1) 내지 (ET10-32), (ET11-1) 내지 (ET11-16), (ET12-1) 내지 (ET12-16), (ET13-1) 내지 (ET13-16), (ET14-1) 내지 (ET14-16), (ET15-1) 내지 (ET15-16), (ET-1) 내지 (ET-42) 등으로 표시되는 화합물이 바람직하다. 이들 전자 수용 물질이나 전자 수송 물질은, 1종 또는 2종 이상으로 조합시켜서 사용하는 것이 가능하다.
정공 수송 물질로서는, 특히 제한은 되지 않지만, 스티릴 화합물을 알맞게 이용할 수 있다. 또한, 본 명세서중에 있어서 스티릴 화합물이란, 하기식으로 표시되는 구조를 갖는 화합물을 나타낸다.
Figure 112008049037308-PCT00024
(상기 식중, 수소 원자는 치환 되어 있어도 좋다.)
스티릴 화합물의 구체적인 구조로서는, 예를 들면, 일본 특개2000-3149697호 공보에 기재된 구조식(HT1-1) 내지 (HT1-136), (HT2-1) 내지 (HT2-70), 일본 특개2000-2040837호 공보에 기재된 구조식(V-40) 내지 (V-57), 일본 특개2000-314970호 공보에 기재된 구조식(HT1-1) 내지 (HT1-70) 등으로 표시되는 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들의 화합물로 한정되는 것이 아니다.
정공 수송 물질로서는, 그 밖에, 히드라존 화합물, 피라졸린 화합물, 피라졸론 화합물, 옥사디아졸 화합물, 옥사졸 화합물, 아릴아민 화합물, 벤지딘 화합물, 스틸벤 화합물, 폴리비닐카르바졸, 폴리실란 등(구체적인 구조는, 예를 들면, 일본 특개2000-314969호 공보에 기재된 구조식(HT3-1) 내지 (HT3-39), (HT4-1) 내지 (HT4-20), (HT5-1) 내지 (HT5-10), (HT-1) 내지 (HT-37) 등을 참조)을 이용하는 것이 가능하고, 이들 정공 수송 물질을 1종 또는 2종 이상으로 조합시켜서 사용할 수 있다.
전하 수송층용의 수지 바인더로서는, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 염화 비닐 수지, 아세트산 비닐 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 페놀 수지, 실리콘계 수지, 실리콘 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리알릴레이트 수지, 폴리술폰 수지, 메타크릴산 에스테르의 중합체 및 이들의 공중합체 등을 적절히 조합시켜서 사용하는 것이 가능하다. 특히, 일본 특개2000-3149697호 공보중에 기재된 구조식(BD1-1) 내지 (BD1-16)에 표시되는 구조 단위를 주요 반복 단위로서 갖는 폴리카보네이트를 들 수 있다. 또한, 그 밖에도, 일본 특개2000-314969호 공보에 기재된 구조식(BD-1) 내지 (BD-7) 에 표시되는 구조 단위, 및 폴리실록산 함유의 하기 구조식(BD2)의 1종 또는 2종 이상을 주요 반복 단위로서 갖는 폴리카보네이트 수지나, 폴리에스테르 수지가 알맞고, 이들의 수지를 2종 이상 혼합하여 이용하여도 좋다. 또한, 분자량이 다른 동종의 수지를 혼합하여 이용하여도 좋다. 또한, 수지 바인더의 함유량은, 전하 수송층의 고형분에 대해 10 내지 90중량%, 알맞게는 20 내지 80중량%이다.
Figure 112008049037308-PCT00025
(식중, R은 각각 동일하여도 달라도 좋은 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6 내지 12의 방향족 탄화 수소기, B는 (CH2)x이고, x는 2 내지 6의 정 2 수, p는 0 내지 200, q는 1 내지 50의 정수이다)
전하 수송층의 막두께는, 실용적으로 유효한 표면 전위를 유지하기 위해서는, 3 내지 100㎛의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 50㎛이다.
또한, 기능 분리형의 적층 감광체로서는, 전하 발생층상에 전하 수송층을 적층시킨 것이 일반적이지만, 전하 수송층상에 전하 발생층을 적층시킨 것이라도 좋다(도 6 참조).
단층형의 감광층인 경우에는, 주성분으로서 전하 발생 물질, 전하 수송 물질 및 수지 바인더가 이용된다. 전하 수송 물질로서는, 정공 수송 물질과 전자 수송 물질이 존재하고, 본 발명에서는, 전자 수송 물질로서, 적어도 상기 일반식(I)로 표시되는 화합물을 이용하는 것이 필요하다. 또한, 그 이외의 전하 수송 물질(전자 수송 물질, 정공 수송 물질)도, 상기 전하 수송층(3b)의 경우와 마찬가지로 병용하는 것이 가능하고, 알맞게는, 정공 수송 물질과 병용하는 것이 바람직하다. 전하 발생 물질은, 상기 전하 발생층(3a)에서 이용되는 전하 발생 물질과 같은 화합물을 이용하는 것이 가능하다. 또한, 수지 바인더에 대해서도, 상기 전하 수송층(3b)이나 상기 전하 발생층(3a)에 이용되는 수지 바인더와 같은 것을 이용하는 것이 가능하다.
또한, 전하 발생 물질의 함유량은, 단층형의 감광층의 고형분에 대해 0.01 내지 50중량%, 알맞게는 0.1 내지 20중량%, 보다 알맞게는 0.5 내지 10중량%이다. 또한, 전하 수송 물질의 함유량은, 단층형의 감광층의 고형분에 대해 10 내지 90중량%, 알맞게는 20 내지 80중량%이고, 본 발명에 관한 상기 일반식(I)로 표시되는 화합물은, 단층형의 감광층에 함유되어 있으면 본 발명의 효과를 얻을 수 있는 것이지만, 그 함유량으로서는, 단층형의 감광층의 고형분에 대해, 알맞게는 10 내지 60중량%이고, 보다 알맞게는 15 내지 50중량%이다. 병용되는 정공 수송 물질의 함유량은, 단층형의 감광층의 고형분에 대해, 알맞게는 10 내지 60중량%이고, 보다 알맞게는 20 내지 50중량%이다. 수지 바인더의 함유량은, 단층형의 감광층의 고형분에 대해, 통상 10 내지 90중량%, 알맞게는 20 내지 80중량%이다.
단층형 감광층의 막두께는, 실용적으로 유효한 표면 전위를 유지하기 위해서 는, 3 내지 100㎛의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 50㎛이다.
이들의 감광층 중에는, 내환경성이나 유해한 광에 대한 안정성을 향상시키는 목적으로, 산화 방지제나 광안정제 등의 열화 방지제를 함유시킬 수도 있다. 이와 같은 목적에 이용되는 화합물로서는, 토코페롤 등의 크로마놀 유도체 및 에스테르화 화합물, 폴리아릴알칸 화합물, 히드로퀴논 유도체, 에테르화 화합물, 디에테르화 화합물, 벤조페논 유도체, 벤조트리아졸 유도체, 티오에테르 화합물, 페닐렌디아민 유도체, 포스폰산 에스테르, 아인산 에스테르, 페놀 화합물, 힌더드 페놀 화합물, 직쇄 아민 화합물, 환상 아민 화합물, 힌더드 아민 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 감광층중에는, 형성한 막의 레벨링성의 향상이나 윤활성의 부여를 목적으로 하여, 실리콘 오일이나 불소계 오일 등의 레벨링제를 함유시킬 수도 있다.
또한, 마찰 계수의 저감이나 윤활성의 부여 등을 목적으로 하여, 산화 규소(실리카), 산화 티탄, 산화 아연, 산화 칼슘, 산화 알루미늄(알루미나), 산화 지르코늄 등의 금속 산화물이나, 황산 바륨, 황산 칼슘 등의 황산염, 질화 규소, 질화 알루미늄 등의 금속 질화물의 미립자, 또는, 4불화 에틸렌 수지 등의 불소계 수지 입자나 실리콘 수지 미립자, 불소계 빗형 그라프트 중합 수지 등의 불소를 함유하는 폴리머나 실리콘을 함유하는 폴리머 등을 함유시켜도 좋다.
또한, 필요에 응하여, 전자 사진 특성을 현저하게 손상시키지 않는 범위 내에서, 그 밖에 공지의 첨가제를 함유시키는 것도 가능하다.
보호층(4)은, 내쇄성(耐刷性)을 향상시키는 것 등을 목적으로 하여, 필요에 응하여 마련할 수 있고, 수지 바인더를 주성분으로 하는 층이나, 어모퍼스 카본, 어모퍼스 규소-탄소 등의 기상 성장법에 의해 성막되는 무기 박막이나, 실리카나 알루미나의 증착 등에 의한 코팅막 등으로 이루어진다. 수지 바인더로서는, 상기 전하 수송층(3b)에 이용되는 것이나, 실록산 수지 등의 3차원 가교 수지 등을 이용할 수 있다. 또한, 수지 바인더중에는, 도전성의 향상이나, 마찰 계수의 저감, 윤활성의 부여 등을 목적으로 하여, 산화 규소(실리카), 산화 티탄, 산화 아연, 산화 칼슘, 산화 알루미늄(알루미나), 산화 지르코늄 등의 금속 산화물이나, 황산 바륨, 황산 칼슘 등의 황산염, 질화 규소, 질화 알루미늄 등의 금속 질화물의 미립자, 또는, 4불화 에틸렌 수지 등의 불소계 수지 입자나 실리콘 수지 미립자, 불소계 빗형 그라프트 중합 수지 등의 불소를 함유하는 폴리머나 실리콘을 함유하는 네트 구조의 폴리머를 함유시켜도 좋다.
또한, 전하 수송성을 부여하는 목적으로, 상기 감광층에 이용되는 전하 수송 물질, 전자 수용 물질, 전자 수송 물질이나, 상기 일반식(I)로 표시되는 화합물을 함유시키거나, 형성한 막의 레벨링성의 향상이나 윤활성의 부여를 목적으로 하여, 실리콘 오일이나 불소계 오일 등의 레벨링제를 함유시킬 수도 있다.
보호층의 막두께는, 감광층의 기능을 현저하게 해치지 않는 범위에서, 적당한 범위에서 이용하면 좋지만, 통상, 0.1 내지 50㎛의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 10㎛이다. 또한, 보호층은, 복수층 적층시켜도 좋다.
이하, 본 발명의 감광체의 제작 방법에 관해 상세히 설명한다(보다 상세하게는, 전자 사진학회지 V0L. 28 N0.2 1989 p186 내지 195 「0PC 감광체의 생산 기술」 등에 기재되어 있다).
상술한 하인층(2), 감광층(3)(전하 발생층(3a), 전하 수송층(3b)) 및 보호층(4)을 도포에 의해 형성하는 경우에는, 상기 구성 재료를 적당한 용제와 함께 용해 분산시켜서 도포액을 제작하고, 적당한 도포 방법으로 도포하고, 건조하여 용제를 제거하면 좋다.
이러한 용제로서는, 주로 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, 벤질알코올 등의 알코올류, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK), 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류, 테트라히드로푸란(THF), 디옥산, 디옥솔란, 디에틸에테르, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브 등의 환상 또는 직쇄상의 에테르류, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 n-부틸 등의 에스테르류, 염화 메틸렌, 클로로포름, 4염화 탄소, 디클로로에틸렌, 트리클로에틸렌 등의 지방족 할로겐화 탄화수소류, 리그로인 등의 광유, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 클로로벤젠, 디클로로벤젠 등의 방향족 할로겐화 탄화수소류 등이 이용되고, 이들을 2종 이상 혼합하여 이용하여도 좋다.
상기 도포액의 분산 용해 방법으로서는, 주로 페인트 쉐이커(페인트 컨디셔너), 볼 밀, 다이노 밀 등의 비즈 밀(샌드 그라인더), 초음파 분산 등의 공지의 방법을 이용할 수 있고, 또한 도포 방법으로서는, 주로 침지 도포법, 링 코팅법(실 코트), 스프레이 도포법, 바 코팅법, 블레이 코팅법 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다.
또한, 상기 건조에 있어서의 건조 온도 및 건조 시간은, 사용 용매의 종류나 제조 비용 등을 감안하여 적당하게 설정할 수 있지만, 바람직하게는 건조 온도가 실온 이상 200℃ 이하이고, 건조 시간 10분 이상 2시간 이하의 범위 내에서 설정한다. 보다 바람직하게는, 건조 온도가 용매의 비등점부터 비등점+80℃의 범위 내이다. 또한, 이 건조는 통상, 상압 또는 감압하에서, 정지 또는 송풍하에서 행한다.
본 발명의 전자 사진용 감광체는, 공지의 전자 사진 프로세스에서 사용 가능하고, 대전, 노광, 현상, 전사, 정착이라는 프로세스를 갖는 일반적인 전자 사진 프로세스에 알맞게 이용할 수 있고, 이들의 전자 사진 프로세스를 갖는 복사기, 프린터, 팩스 등에 사용할 수 있다.
여기서, 대전 프로세스로서는, 감광체를 정극으로 대전하는 정대전 프로세스와, 부극으로 대전하는 부대전 프로세스가 존재한다. 본 발명의 감광체는, 부대전 프로세스에서의 사용도 가능하지만, 정대전 프로세스에서 특히 높은 감도를 나타내기 때문에, 정대전 프로세스에서 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 감광층이, 전하 발생 물질, 전하 수송 물질 및 수지 바인더를 함유하는 단층형 감광층이고, 전하 수송 물질로서 전자 수송 물질과 정공 수송 물질을 함유하고, 또한, 전자 수송 물질로서 본 발명에 관한 상기 일반식(I)로 표시되는 화합물을 적어도 1종 함유하는 전자 사진용 감광체는, 정대전 프로세스에서 높은 감도를 갖는다.
대전 프로세스에서의 대전기(帶電器)로서는, 코로트론, 스코로트론을 이용한 비접촉의 대전기와, 롤러 형상이나 브러시 형상으로 감광체에 접촉(또는 근접)하여 대전을 행하는 대전기가 존재한다. 본 발명의 감광체는, 어느 대전기를 이용한 프로세스에서도 사용 가능하다.
노광 프로세스에 이용되는 광원으로서는, 통상, 감광체가 감도를 갖는 파장역을 갖는 광원이 사용되고, 할로겐 램프나 형광등 등의 백색광이나, 레이저광, LED(Light Emitting Diode)광 등이 알맞다. 특히, 전하 발생 물질로서 프탈로시아닌을 이용한 경우에는, 600 내지 800㎚ 부근의 반도체 레이저광이나 LED광이 보다 알맞다. 또한, 전하 발생 물질로서 450㎚ 이하에 흡수를 갖는 화합물을 이용한 경우는, 450㎚ 이하의 반도체 레이저광이나 LED광을 이용하는 것도 가능하다. 또한, 감광체의 도전성 기체로서 투과성의 것을 사용함에 의해, 내부 노광 방식에서도 사용 가능하다.
현상 프로세스로서는, 주로, 건식 토너를 이용한 건식 현상 방식과 액체 토너를 이용한 액체 현상(습식 현상) 방식이 있고, 본 발명의 감광체는, 양쪽의 방식에서 사용 가능하다. 또한, 액체 현상 방식의 경우에는, 액체 토너에 포함되는 용제에 대해, 감광체의 성분이 용출되지 않도록 공지의 수법을 채택하는 것이 바람직하다.
또한, 현상 프로세스에는, 노광 부분에 토너를 현상하는 반전(反轉) 현상 방식과 비노광 부분에 토너를 현상한 정전(正轉) 현상 방식이 있는데, 특히, 전하 발생 물질로서 프탈로시아닌을 이용한 경우에는, 반전 현상 방식의 프로세스에서 이용하는 것이 바람직하다.
공지의 전자 사진 프로세스에는, 감광체에 잔존하는 미전사 토너를 제거하거나 흐트려뜨리거나 하는 목적으로, 전사 프로세스의 후에 클리닝 프로세스를 갖는 것과, 이것을 갖지 않는 클리너리스의 것이 존재한다. 본 발명의 감광체는, 양쪽의 프로세스에서 사용 가능하다.
또한, 공지의 전자 사진 프로세스에는, 감광체에 잔존하는 전하를 제거하거나, 표면 전위를 평균화하는 목적으로, 전사 프로세스의 후에, 노광에 의한 제전 프로세스를 갖는 것과, 이것을 갖지 않는 것이 존재한다. 본 발명의 감광체는, 양쪽의 프로세스에서 사용 가능하다.
또한, 본 발명의 전자 사진 장치는, 상술한 본 발명의 전자 사진용 감광체를 구비하고, 정대전 프로세스로 대전 프로세스를 행하는 것을 특징으로 하는 것이다. 본 발명의 전자 사진 장치에서는, 대전 프로세스 이외의 다른 구성에 관해서는 특히 제한은 없고, 상술한 바와 같은 일반적인 전자 사진 프로세스에 의해 구성되는 것으로 하면 좋다.
실시예
이하에, 실시예를 들어서 본 발명을 보다 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 실시예중의 스펙트럼 데이터는 이하의 기기를 이용하여 측정하였다.
(1)1H-NMR 스펙트럼 : DRX-500(500MHz)(불카사제)
(2)MASS 스펙트럼 : P0LARIS-Q(Thermo Electron사제)
합성 실험예 1 : 상기 구체예(I-8)의 화합물의 합성
(1) 비스히드라존의 합성
염화 주석(Ⅱ) 2수화물 28.0g(124.2mmol)과 주석 737.3㎎(6.2mmol)에 농염산 100.0㎖을 가하고, 주석이 용해할 때까지 가열 교반하였다. 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘 10.0g(31.1mmol)에 농염산 100.0㎖을 가하고, 아민의 결정이 슬러리가 될 때까지 실온에서 1시간 교반하였다. -20℃로 냉각하고, 아질산 나트륨 4.5g(65.2mmol)의 물 18㎖ 용액을 30분 걸려서 적하하고, 1시간 교반하였다. 상기 염화 주석 용액을 5℃로 냉각하고, 디아조화 용액에 30분 걸려서 적하하였다. 첨가 종료 후 1시간 교반하고, 생성한 고체를 글라스 필터로 여별(濾別)하고, 1% 염산 수용액 100㎖ 로 세정하였다. 이 습윤 고체를 N,N-디메틸포름아미드 400㎖에 용해하고, 3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤즈알데히도 14.6g(62.Immol)과 아세트산 나트륨 38.2g(465.8mmol)을 가하고, 실온에서 2시간 교반하였다. 톨루엔 200㎖을 가하고, 물 400㎖을 가한 후 불용물을 셀라이트 여과하여 여별하였다. 분액 후 유기상을 물로δ 2회 세정하여 농축 후, 칼럼 크로마토그래피로 정제하고, 메탄올로부터 재결정하여 표기 화합물 18.0g(22.9mmol)을 얻었다.
수율 73.9%, mp 169℃ 내지 174℃
1H-NMR(500MHz. CDCl3)
δ1.49(s, 36H), δ5.43(s, 2H), δ7.20(s, 2H), δ7.53(s, 4H), δ7.68(s, 2H), δ7.85(s, 2H), δ7.91(s, 2H)
MS(m/z) : 784, 782, 553, 538, 307, 218, 188
(2) 구체예(I-8)의 화합물의 합성
합성 실시예 1-(1)에서 얻은 히드라존 화합물 17.9g(22.8mmol)에 톨루엔 304 ㎖을 가하고, 이산화 망간 311.9g(136.9mmol)을 가하고 70℃로 가열하고 5시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후 셀라이트 여과를 행하고, 농축 후 칼럼 크로마토그래피로 정제하였다. 톨루엔/아세토니트릴 용매로부터 재결정하여 표기 화합물 13.5g(17.2mmol)을 얻었다.
수율 75.5%, mp 232℃ 내지 237℃
1H-NMR(500MHz. CDCl3)
δ1.36(s, 18H), δ1.40(s, 18H), δ7.15(d,J=2.2Hz, 2H), δ7.55(s, 2H), δ7.83(s, 2H), δ7.86(s, 2H), δ8.31(d,J=2.2Hz, 2H)
MS(m/z) : 780, 723, 721, 667, 215, 188
합성 실험예 2 : 상기 구체예(I-21)의 화합물의 합성
(1) 비스히드라존의 합성
2,2'-비스트리플루오로메틸벤지딘 10.0g(31.2mmol)을 이용하여 합성 실시예 1-(1)과 마찬가지로 합성을 행하여, 표기 화합물 24.0g(30.7mmol)을 얻었다.
수율 98.2%, mp 223℃ 내지 226℃
1H-NMR(500MHz. CDCl3)
δ1.48(s, 36H), δ5.38(s, 2H), δ7.18(d,J=8.5Hz, 2H), δ7.23(dd,J=8.5Hz, 2.4Hz, 2H), δ7.42(d,J=2.4Hz, 2H), δ7.51(s, 4H), δ7.61(brs, 2H), δ7.72(s, 2H)
MS(m/z) : 783, 551, 319, 190
(2) 구체예(I-21)의 화합물의 합성
합성 실시예 2-(1)에서 얻은 히드라존 화합물 5.00g(6.39mmol)을 이용하여 합성 실시예 1-(2)과 마찬가지로 합성을 행하여, 표기 화합물 3.18g(4.08mmol)을 얻었다.
수율 63.9%, mp 149℃ 내지 154℃
1H-NMR(500MHz. CDCl3)
δ1.37(s, 18H), δ1.39(s, 18H), δ7.16(d,J=2.3Hz, 2H), δ7.50(d,J=8.2Hz, 2H), δ7.73(s, 2H), δ8.01(dd,J=2.3Hz, 8.2Hz, 2H), δ8.33(s, 2H), δ8.34(d,2H)
MS(m/z) : 778, 721, 665, 491
합성 실험예 3 : 상기 구체예(I-28)의 화합물의 합성
(1) 2,2'-비스트리플루오로메틸-5,5'-디브로모벤지딘의 합성
질소 분위기하, 2,2'-비스트리플루오로메틸벤지딘 20.0g(62.5mmol)을 에탄올 100㎖에 용해하고, 수냉하 브롬 21.0g(131.2mmol)을 1시간 걸려서 적하하였다. 실온에서 1시간 교반 후 톨루엔을 가하고, 유기상을 물로 3회 세정 후, 포화 중조수(重曹水), 물로 2회씩 세정하였다. 농축 후 헥산/톨루엔으로부터 재결정하여 표기 화합물 11.5g(24.1mmol)을 얻었다.
수율 38.5%, mp 154℃ 내지 157℃
1H-NMR(500MHz, CDCl3)
δ4.33(s, 4H), δ7.05(s, 2H), δ7.32(s, 2H)
MS(m/z) : 478, 298
(2) 비스히드라존의 합성
2,2'-비스트리플루오로메틸-5,5'-디브로모벤지딘 5.0g(10.5mmol)을 이용하여 합성 실시예 1-(1)과 마찬가지로 합성을 행하여, 표기 화합물 5.5g(30.7mmol)을 얻었다.
수율 58.3%, mp 153℃ 내지 155℃
1H-NMR(500MHz, CDCl3)
δ1.49(s, 36H), δ5.43(s, 2H), δ7.38(s, 2H), δ7.55(s, 4H), δ7.88(s, 2H), δ7.93(s, 2H), δ8.02(s, 2H)
MS(m/z) : 940, 708
(3) 구체예(I-28)의 화합물의 합성
합성 실시예 3-(2)에서 얻은 히드라존 화합물 5.0g(5.3mmol)을 이용하여 합성 실시예 1-(2)과 마찬가지로 합성을 행하여, 표기 화합물 3.7g(3.95mmol)을 얻었다.
수율 74.7%, mp 193℃ 내지 205℃
1H-NMR(500MHz, CDCl3)
δ1.37(s, 18H), δ1.66(s, 18H), δ7.17(d,J=2.1Hz, 2H), δ7.26(s, 2H), δ7.77(s, 2H), δ7.86(s, 2H), δ8.33(d,J=2.1Hz, 2H)
MS(m/z) : 936, 881
합성 실험예 4 : 상기 구체예(I-17)의 화합물의 합성
(1) 비스히드라존의 합성
2,2'-디메틸벤지딘 7.00g(33.0mmol)을 이용하여 합성 실시예 1-(1)과 마찬가지로 합성을 행하여, 표기 화합물 18.0g(26.7mmol)을 얻었다.
수율 80.9%, mp 204℃ 내지 208℃
1H-NMR(500MHz. CDCl3)
δ2.07(s, 6H), δ5.33(s, 2H), δ6.94-6.97(m, 2H), δ6.99-7.03(m, 4H), δ7.44(s, 2H), δ7.50(s, 4H), δ7.68(s, 2H)
MS(m/z) : 675, 443, 218, 212
(2) 구체예(I-17)의 화합물의 합성
합성 실시예 4-(1)에서 얻은 히드라존 화합물 18.0g(26.7mmol)을 이용하여 합성 실시예 1-(2)과 마찬가지로 합성을 행하여, 표기 화합물 14.5g(21.6mmol)을 얻었다.
수율 81.0%, mp 169℃ 내지 173℃
1H-NMR(500MHz. CDCl3)
δ1.68(s, 18H), δ1.40(s, 18H), δ2.21(s, 6H), δ7.15(d,J=2.3Hz, 2H), δ7.29(d,J=8.2Hz, 2H), δ7.70(s, 2H), δ7.81(dd,J=1.7Hz, 8.2Hz, 2H), δ7.86(d,J=1.7Hz, 2H), δ8.36(d,J=2.3Hz, 2H)
MS(m/z) : 670, 627, 613, 585
합성 실험예 5 : 상기 구체예(I-2)의 화합물의 합성
(1) 2,2'-디브로모벤지딘의 합성
3-브로모니트로벤젠 15.0g(74.3mmol)을 이용하여 비특허 문헌(J. Chem. Soc. PerkinTrans. I 1982, 2289)에 기재된 방법에 따라 합성을 행하여, 표기 화합물 5.0g(14.6mmol)을 얻었다.
수율 39.4%, mp 151℃ 내지 153℃(lit. mp 151℃ 내지 153℃)
1H-NMR(500MHz, CDCl3)
δ3.74(brs, 4H), δ6.64(dd,J=2.4, 8.2Hz, 2H), δ6.97(d,J=2.4Hz, 2H), δ7.00(d,J=8.2Hz, 2H)
MS(m/z) : 342, 261, 182
(2) 비스히드라존의 합성
2,2'-디브로모벤지딘 3.0g(8.8mmol)을 이용하여 합성 실시예 1-(1)과 마찬가지로 합성을 행하여, 표기 화합물 3.2g(4.0mmol)을 얻었다.
수율 45.3%, mp 193℃ 내지 196℃
1H-NMR(500MHz, CDCl3)
δ1.48(s, 36H), δ5.37(s, 2H), δ7.05(dd,J=8.3, 2.2Hz, 2H), δ7.14(d,J=8.3Hz, 2H), δ7.41(d,J=2.2Hz, 2H), δ7.49(s, 2H), δ7.50(s, 4H), δ7.68(s, 2H)
MS(m/z) : 804, 573, 436, 341, 218
(3) 구체예(I-2)의 화합물의 합성
상기 합성 실시예 5-(2)에서 얻은 비스히드라존 화합물 3.0g(3.7mmol)을 이용하여 합성 실시예 1-(2)과 마찬가지로 합성을 행하여, 표기 화합물 1.9g(2.3mmol)을 얻었다.
수율 62.9%, mp 202℃ 내지 205℃
1H-NMR(500MHz, CDCl3)
δ1.37(s, 18H), δ1.39(s, 18H), δ7.15(d,J=2.2Hz, 2H), δ7.45(d,J=8.1Hz, 2H), δ7.70(s, 2H), δ7.95(dd,J=1.8, 8.1Hz, 2H), δ8.23(d,J=1.8Hz, 2H), δ8.32(d,J=2.2Hz, 2H)
MS(m/z) : 801, 745
감광체 실시예 1
전기(電氣) 특성 평가용으로서는 판형상 감광체, 인쇄 평가용으로서는 드럼형상 감광체를, 각각 제작하였다. 또한, 이하, 「부(部)」는 중량부를 나타낸다.
알루미늄판(3㎝×10㎝, 두께 l㎜) 및 알루미늄 소관(素管)(외경 30㎜φ, 길이 247.5㎜, 두께 0.75㎜)의 외표면상에, 각각 이하와 같이 제작한 하인층 용액을 침지 도포법에 의해 도포하고, 각각, 100℃로 60분 건조하여 용제를 제거하고, 막두께 0.1㎛의 하인층을 형성하였다.
(하인층 용액의 제작)
a1)염화 비닐-아세트산 비닐 공중합 수지(SOLBIN(솔바인)A : 일신화학공업(주)제) 3부(30g)
상기 하인층 재료 a1)을 메틸에틸케톤(MEK) 97부(970g)와 함께 교반하고, 용해시켜서, 하인층 용액을 제작하였다.
다음에, 이 하인층상에, 이하와 같이 제작한 단층형 감광층 분산액을, 판형상의 것에 대해서는 침지 도포법에 의해 도포하고, 드럼형상의 것에 대해서는 링 코팅법에 의해 도포하고, 각각, 100℃에서 60분 건조하여 용제를 제거하고, 막두께 30㎛의 단층형 감광층을 형성하여, 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
(단층형 감광층 분산액의 제작)
b1) 전하 발생 물질 : X형 무금속 프탈로시아닌(일본 특개2001-228637호 공보중의 도 2 참조) 0.2부(0.1g)
b2) 정공 수송 물질 : 하기 구조식(HT2-2),
Figure 112008049037308-PCT00026
로 표시되는 스티릴 화합물(일본 특개2000-314969호 공보중의 (HT2-2)) 6.5부(3.25g)
b3) 전자 수송 물질 : 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물(합성 실시예 1) 4.5부(2.25g)
b4) 산화 방지제 : 3,5-디-tert-4-히드록시톨루엔(BHT) 1부(0.5g)
b5) 실리콘 오일(KP-340 : 신에쓰화학공업(주)제) 0.01부(0.005g)
b6) 바인더 수지 : 비스페놀 z형 폴리카보네이트 수지(판라이트 TS2050 : 데이진 화성(주)제)(일본 특개2000-314969호 공보 중의 (BD1-1) 8부(4g)
b7) 바인더 수지 : 폴리실록산 함유 공중합 폴리카보네이트 수지(터프제트 G400 : 이데미쓰흥산(주)제)(일본 특개2001-142235호 공보 중 단락[0028] 참조) 1부(0.5g)
상기 감광층 재료 b1) 내지 b7)을. 염화메틸렌 용제 100부(50g) 및 스테인리스 비즈(3㎜φ) 50g과 함께, 100㎖의 폴리병에 넣고, 페인트 컨디셔너 Model 5400(미국 : 레드데빌사제)로, 60분간 분산 처리를 행하고, 그 후, 스테인리스 비즈를 분리하고, 단층형 감광층 분산액을 제작하였다.
감광체 실시예 2
감광체 실시예 1에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 전자수송 물질로서의 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물 4.5부를, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-21)(합성 실시예 2)로 표시되는 화합물 4.5부로 대신한 이외는 감광체 실시예 1과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 실시예 3
감광체 실시예 1에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 전자수송 물질로서의 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물 4.5부를 3부로, 비스페놀 Z형 폴리카보네이트 수지 8부를 9.5부로, 각각 대신한 이외는 감광체 실시예 1과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 실시예 4
감광체 실시예 1에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 정공 수송 물질로서의 상기 식(HT2-2)로 표시되는 스티릴 화합물 6.5부를, 하기 구조식(HT1-101),
Figure 112008049037308-PCT00027
로 표시되는 스티릴 화합물(일본 특개2001-314969호 공보 중의 (HT1-101)) 6.5부로 대신한 이외는 감광체 실시예 1과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 실시예 5
감광체 실시예 1에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 정공 수송 물질로서의 상기 식(HT2-2)로 표시되는 스티릴 화합물 6.5부를, 하기 구조식(HT-11)
Figure 112008049037308-PCT00028
로 표시되는 디아민 화합물(일본 특개2000-314969호 공보중의 (HT-11)) 6.5부로 대신한 이외는 감광체 실시예 1과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 실시예 6
감광체 실시예 1에서 사용한 단층형 감광층 분산액을 하기한 단층형 감광층 분산액 2로 한 이외는 감광체 실시예 1과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
(단층형 감광층 분산액 2의 제작)
b8) α형 티탄일프탈로시아닌(일본 특개2001-228637호 공보중의 도 3 참조) 0.3부(0.15g)
b9) 정공 수송 물질 : 상기 구조식(HT2-2) 7부(3.5g)
b10) 전자 수송 물질 : 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물 4부(2g)
bl1) 실리콘 오일(KP-340) 0.01부(0.005g)
b12) 바인더 수지 : (판라이트 TS2050) 9부(4.5g)
상기 감광층 재료 b8) 내지 b12)를. THF 용제 90부(45g) 및 스테인리스 비즈(3㎜φ) 50g과 함께, 100㎖의 폴리병에 넣고, 페인트 컨디셔너 Model 5400(미국 : 레드데빌사제)로, 60분간 분산 처리를 행하고, 그 후, 스테인리스 비즈를 분리하고, 단층형 감광층 분산액2를 제작하였다.
감광체 실시예 7
감광체 실시예 6에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 전자수송 물질로서의 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물 4부를, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-21)(합성 실시예 2)로 표시되는 화합물 4부로 대신한 이외는 감광체 실시예 6과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 실시예 8
감광체 실시예 1에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물 4.5부를, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-28)(합성 실시예 3)로 표시되는 화합물 4.5부로 대신한 이외는 감광체 실시예 1과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 실시예 9
감광체 실시예 1에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물 4.5부를, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-17)(합성 실시예 4)로 표시되는 화합물 4.5부로 대신한 이외는 감광체 실시예 1과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 실시예 10
감광체 실시예 1에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물 4.5부를, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-2)(합성 실시예 5)로 표시되는 화합물 4.5부로 대신한 이외는 감광체 실시예 1과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 참고예 1
감광체 실시예 1에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물 4.5부를, 하기 구조식(ET-5),
Figure 112008049037308-PCT00029
로 표시되는 화합물 4.5부로 대신한 이외는 감광체 실시예 1과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 참고예 2
감광체 실시예 6에서 사용한 단층형 감광층 분산액의 조성중, 전자 수송 물질로서의 상기 식(I-8)로 표시되는 화합물 4부를, 상기 구조식(ET-5)로 표시되는 화합물 4부로 대신한 이외는 감광체 실시예 6과 마찬가지로 하여, 감광체를 제작하였다.
감광체 실시예 1 내지 10, 감광체 참고예 1, 2의 평가
전기 특성 평가로서, 판형상 감광체를 이용하여, (주)카와구치전기기계제작소제 정전 복사지 시험 장치 EPA-8100로 평가를 행하였다.
온도 28℃, 습도 46%의 환경하에서, 암소에 표면 전위가 약 +700V가 되도록 대전시키고, 5초 후의 표면 전위의 보존률 Vk5을. 다음 식에 의해 구하였다.
보존률 Vk5(%)=(V5/V0)×100
V0 : 대전 직후의 표면 전위
V5 : 5초 후의 표면 전위
다음에, 표면 전위를 +600V로 하여과, 할로겐 램프의 광을 필터에 780㎚로 분광한 1.0㎼/㎠의 단색광을 5초간 노광하여, 표면 전위가 반분(+300V)이 되기까지 필요로 하는 노광량을 감도 E1/2(μJ/㎠)로서 구하고, 노광 후 5초 후의 표면 전위를 잔류 전위 Vr(V)로서 구하였다.
또한, 제작한 드럼형상 감광체의 외관을 육안으로 관찰하였다.
이들의 평가 결과를 하기한 표 1중에 표시한다.
[표 1]
Figure 112008049037308-PCT00030
상기 표 1에 표시하는 바와 같이, 감광체 실시예 1, 2, 8 내지 10과 감광체 참고예 1과의 비교, 및, 감광체 실시예 6, 7과 감광체 참고례 2과의 비교(전자수송 물질이 다른 이외, 조성비율 등도 전부 같은 조건에서의 비교)를 하면, 실시예의 감광체는, 참고예의 감광체에 비하여, 감도가 높고, 또한, 잔류 전위가 낮고, 전기 특성에 있어서 우수한 것이었다.
또한, 실제의 인쇄에 의한 내구성의 평가로서, 감광체 실시예 1 내지 5, 8 내지 10 및 감광체 참고예 1의 드럼형상 감광체를 브라더공업(주)제 레이저 프린터 HL-5040에 장착하고, 온도 27℃, 습도 45%의 환경하에서, 흑(黑) 베타 화상, 백 베타 화상, 하프톤 화상을 인쇄하였다. 계속해서, 인쇄율 약 5%의 화상을 1만장 인쇄하고, 그 후 재차, 흑 베타 화상, 백 베타 화상, 하프톤 화상을 인쇄하여, 1만장 인쇄 후의 화상의 평가를 행하였다.(감광체 실시예 6, 7 및 감광체 참고예 2의 드럼형상 감광체는, 감도가 지나치게 높아서, 이 프린터에는 부적합하였기 때문에, 이 내구성의 평가는 행하지 않았다.)
결과로서, 감광체 실시예 1 내지 4, 8 내지 10의 감광체는, 초기 화상 및 1만장 인쇄 후의 화상의 쌍방에 있어서, 양호한 화상이 얻어졌다. 한편, 감광체 실시예 5 및 감광체 참고예 1의 감광체는, 초기 화상은 양호하였지만, 1만장 인쇄 후의 하프톤 화상에 얼룩이 생겼다.

Claims (6)

  1. 하기 일반식(I),
    Figure 112008049037308-PCT00031
    (식(I)중, R1 내지 R8은, 동일 또는 다르며, 수소 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R9 및 R10은, 동일 또는 다르며, 수소 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기, 또는 무치환 또는 치환기를 갖는 복소환기를 나타내고, 또한, R1 및 R5, R2 및 R6, R3 및 R7, R4 및 R8은, 각각 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, R11 및 R12은, 동일 또는 다르며, 할로겐 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 1 내지 6의 할로겐화 알킬기, 수산기, 니트로기, 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기, 또는 무치환 또는 치환기를 갖는 복소환기를 나타내고, n 및 m은 0 내지 4의 정수를 나타내고, n이 2 이상인 경우에는, 2 이상의 R11은 동일하여도 달라도 좋고, 또한, 2 이상의 R11끼리가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, m 이 2 이상인 경우에는, 2 이상의 R12은 동일하여도 달라도 좋고, 또한, 2 이상의 R12끼리가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, 치환기는, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 1 내지 6의 할로겐화 알킬기, 수산기, 니트로기, 아릴기, 또는 복소환기를 나타낸다)로 표시되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 신규 퀴논 화합물.
  2. 도전성 기체상에, 전하 발생 물질 및 전하 수송 물질을 함유하는 감광층을 마련한전자 사진용 감광체에 있어서, 해당 감광층이, 하기 일반식(I),
    Figure 112008049037308-PCT00032
    (식(I)중, R1 내지 R8은, 동일 또는 다르며, 수소 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R9 및 R10은, 동일 또는 다르며, 수소 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기, 또는 무치환 또는 치환기를 갖는 복소환기를 나타내고, 또한, R1 및 R5, R2 및 R6, R3 및 R7, R4 및 R8은, 각각 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, R11 및 R12은, 동일 또는 다르며, 할로겐 원자, 무치 환 또는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 1 내지 6의 할로겐화 알킬기, 수산기, 니트로기, 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기, 또는 무치환 또는 치환기를 갖는 복소환기를 나타내고, n 및 m은 0 내지 4의 정수를 나타내고, n이 2 이상인 경우에는, 2 이상의 R11은 동일하여도 달라도 좋고, 또한, 2 이상의 R11끼리가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, m이 2 이상인 경우에는, 2 이상의 R12은 동일하여도 달라도 좋고, 또한, 2 이상의 R12끼리가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 좋고, 치환기는, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 1 내지 6의 할로겐화 알킬기, 수산기, 니트로기, 아릴기, 또는 복소환기를 나타낸다)로 표시되는 구조를 갖는 화합물의 적어도 일종을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 사진용 감광체.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 감광층이, 전하 발생 물질, 전하 수송 물질 및 수지 바인더를 함유하는 단층형 감광층이고, 해당 전하 수송 물질로서 전자 수송 물질과 정공 수송 물질을 함유하고, 또한, 해당 전자 수송 물질로서, 상기 일반식(I)로 표시되는 구조를 갖는 화합물의 적어도 1종을 함유하는 것을 ㅌ늑징으로 하는 전자 사진용 감광체.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 감광층이 정공 수송 물질을 함유하고, 또한, 해당 정공 수송 물질로서 스티릴 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 사진용 감광체.
  5. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광층이 전하 발생 물질을 함유하고, 또한, 해당 전하 발생 물질로서 프탈로시아닌 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 사진용 감광체.
  6. 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진용 감광체를 구비하고, 또한, 정대전 프로세스로 대전 프로세스를 행하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 장치.
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