JP2003321448A

JP2003321448A - 新規なフッ素化イミド化合物、および該化合物を用いた電子写真感光体、電子写真装置

Info

Publication number: JP2003321448A
Application number: JP2002124092A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Fujiyama; 高広藤山; Misan Sekiguchi; 未散関口; Atsuo Otsuji; 淳夫大辻
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2002-04-25
Filing date: 2002-04-25
Publication date: 2003-11-11

Abstract

(57)【要約】【課題】有機電子写真感光体における電子輸送剤として
好適な新規化合物と、該化合物を用いた高感度の電子写
真感光体とを提供することを課題とする。【解決手段】下記式（１）されるイミド化合物。 [式中、Ｒ₁〜Ｒ₅は、それぞれ独立にフッ素原子、ペル
フルオロアルキル基、ペルフルオロアルキルオキシ基、
ペルフルオロアルキルチオ基を表し、Ｒｇは、置換基を
有していても良い芳香環状、もしくは三重結合を表す。
ただし、Ｒｇがテトラフルオロフェニル基であり、かつ
Ｒ₁〜Ｒ₅すべてがフッ素原子である場合を除く。] 【効果】本発明により得られる新規イミド化合物は電子
輸送性に優れ、該化合物を電子写真感光体に用いた場合
には、樹脂への分散性が改善されつつ、かつ電気特性、
繰り返し安定性にも優れた高耐久性の電子写真感光体が
得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、新規なフッ素化イミド誘
導体および、該化合物を用いた電子写真感光体、さらに
詳しくは、静電式複写機、ファクシミリ、レーザービー
ムプリンタ等の画像形成装置に用いられる電子写真感光
体、ならびに該感光体を備えた電子写真装置に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】有機電子写真感光体（OPC）は、
近年、無公害、低コスト、材料選択の自由度から感光体
特性を様々に設計できるなどの観点から、広く実用化さ
れている。OPCの感光層は、電荷発生層と電荷輸送層と
を積層させた積層型の感光体、いわゆる機能分離型の感
光体や、電荷発生剤と電荷輸送剤とを単一の感光層中に
分散させた、いわゆる単層型の感光体などが提案されて
いる。これらの感光体に使用される電荷輸送剤にはキャ
リヤ移動度が高いことが要求されているが、キャリヤ移
動度が高い電荷輸送剤のほとんどが正孔輸送性であるた
め、実用に供されているOPCは、機械的強度の観点か
ら、最外層に電荷輸送層が設けられた負帯電プロセスの
積層型感光体に限られている。しかし、負帯電プロセス
のOPCは負極性コロナ放電を利用するため、正極性のそ
れに比べて不安定であり、かつオゾンの発生量が多いの
で感光体を劣化させる原因となり、また使用環境への悪
影響などが問題となっている。

【０００３】そこで、このような問題点を解決するため
には正帯電プロセスで使用できるOPCが有効である。そ
のためには、電荷輸送剤として電子輸送剤を使用するこ
とが必要であり、例えば特開平１−２０６３４９号公報
には、ジフェノキノン構造またはベンゾキノン構造を有
する化合物を電子写真感光体用の電子輸送剤として使用
することが提案されている。また、特開平５−１４２８
１２号公報には、ベンゼンテトラカルボン酸ジイミド化
合物を電子写真感光体用の電子輸送剤として使用するこ
とが提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
ジフェノキノン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ベンゼン
テトラカルボン酸ジイミド化合物などの従来の電子輸送
剤は、結着樹脂との相溶性が低いため、析出する等の問
題がある。また、感光層中に分散できる量が制限されて
しまうために、ホッピング距離が長くなり、低電界での
電子移動が生じ難い。従って、従来の電子輸送剤を含有
する感光体は、電子輸送能に優れた感光体とすることが
困難であった。下記に示す全フッ素化イミド誘導体（化
３）はすでに知られているが、この化合物の樹脂への分
散性は極めて悪いという問題がある。

【０００５】

【化３】

【０００６】そこで本発明の目的は、上記した技術的課
題を解決し、有機電子写真感光体における電子輸送剤と
して好適な新規化合物と、該化合物を用いた従来よりも
高感度の電子写真感光体等を提供することである。

【０００７】

【課題を解決する手段】本発明者らは鋭意検討した結
果、一般式（１）（化４）で示されるフッ素化イミド化
合物が、樹脂への分散性が良好であり、かつ薄膜形成性
や電子輸送性に優れており、さらには電子写真感光体に
おける電子輸送剤として使用することにより、高感度で
高性能な素子が作製可能であることを見出し、本発明に
至った。

【０００８】

【化４】

【０００９】[式中、Ｒ₁〜Ｒ₅は、それぞれ独立にフッ
素原子、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルキ
ルオキシ基、ペルフルオロアルキルチオ基を表し、Ｒｇ
は、置換基を有していても良い芳香環、もしくは三重結
合を表す。ただし、Ｒｇがテトラフルオロフェニル基で
あり、かつＲ₁〜Ｒ₅すべてがフッ素原子である場合を除
く。]すなわち本発明は、一般式（１）（化５）で示される全フッ素化イミド化
合物。

【００１０】

【化５】

【００１１】[式中、Ｒ₁〜Ｒ₅は、それぞれ独立にフッ
素原子、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルキ
ルオキシ基、ペルフルオロアルキルチオ基を表し、Ｒｇ
は、置換基を有していても良い芳香環、もしくは三重結
合を表す。ただし、Ｒｇがテトラフルオロフェニル基で
あり、かつＲ₁〜Ｒ₅すべてがフッ素原子である場合を除
く。] 一般式（１）中Ｒｇが下記式群（２）（化６）で表さ
れることを特徴とする記載のイミド化合物。

【００１２】

【化６】

【００１３】[式中、ZはO、S、またはNHであり、Ｘ₁〜
Ｘ_１８はそれぞれ独立にフッ素原子、ペルフルオロアリ
ール基、ペルフルオロアリ−ルオキシ基、ペルフルオロ
アリールチオ基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオ
ロアルキルオキシ基、ペルフルオロアルキルチオ基から
なる群より選ばれる基である。ただし、Ｘ_１〜Ｘ_４が全
てフッ素原子であり、かつＲ_１〜Ｒ_５が全てフッ素原子
である場合を除く。] 導電性基体上に感光層が設けられた電子写真感光体に
おいて、該感光層中に、上記化合物が含有されているこ
とを特徴とする電子写真感光体。上記電子写真感光体を備えた電子写真装置。に関す
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
まず、一般式（１）のＲｇについて説明する。Ｒｇは、
置換基を有していても良い芳香環、もしくは三重結合を
表す。Ｒｇにおいて、置換基を有していても良い芳香環
は、複素環式芳香族環もしくは炭素環式芳香族環を骨格
構造として有するものが挙げられる。

【００１５】複素環式芳香族環は、五員環あるいは六員
環から構成される。好ましくは１〜４個の芳香族環が縮
合して構成されており、より好ましくは１〜３個の芳香
族環が縮合して構成されている。複素環式芳香族環に含
有される炭素数は、好ましくは４〜１４個であり、より
好ましくは４〜１１個である。

【００１６】また、炭素環式芳香族環は、芳香族環を構
成する骨格構造の原子が全て炭素原子である環であり、
五員環あるいは六員環から構成される。好ましくは１〜
５個の芳香族環が縮合して構成されており、より好まし
くは１〜４個の芳香族環が縮合して構成されている。炭
素環式芳香族構造に含有される炭素数は、好ましくは５
〜２２個であり、より好ましくは５〜１８個である。

【００１７】Ｒｇで表される構造において、複素環式芳
香族環の具体例としては、一般式（３）（化７）に示す
ヘテロ原子１個を含む五員環が挙げられ、Z＝Oのフラン
環、Z＝Sのチオフェン環、Ｚ＝ＮＨのピロール環などが
挙げられる。これらの中で好ましくはチオフェン環、フ
ラン環であり、より好ましくはチオフェン環である。

【００１８】

【化７】

【００１９】また、一般式（３）にベンゼン環が縮合し
た一般式（４）（化８）が挙げられ、Ｚ＝ＮＨのインド
ール環、Ｚ＝Ｏのベンゾフラン環、Ｚ＝Ｓのベンゾチオ
フェン環などが挙げられる。これらの中で好ましくはベ
ンゾチオフェン環、ベンゾフラン環であり、より好まし
くはベンゾチオフェン環である。

【００２０】

【化８】

【００２１】さらには、一般式（３）のＺ＝Ｓのチオフ
ェン環に芳香環が縮合した一般式（５）（化９）などが
挙げられる。

【００２２】

【化９】

【００２３】次に、一般式（６）（化１０）に示すヘテ
ロ原子２個を含む五員環が挙げられ、Ｚ１＝Ｏのオキサ
ゾール環、Ｚ１＝Ｓのチアゾール環、Ｚ１＝ＮＨのイミ
ダゾール環などが挙げられる。また、Ｚ２＝Ｏのイソオ
キサゾール環、Ｚ２＝Ｓのイソチアゾール環、Ｚ２＝Ｎ
Ｈのピラゾール環などが挙げられる。これらの中で好ま
しくはオキサゾール環、チアゾール環であり、より好ま
しくはチアゾール環である。

【００２４】

【化１０】

【００２５】また、一般式（６）の五員環にベンゼン環
が縮合した一般式（７）（化１１）が挙げられる。一般
式（７）において、Ｚ１＝Ｏのベンゾオキサゾール環、
Ｚ１＝Ｓのベンゾチアゾール環、Ｚ１＝ＮＨのベンゾイ
ミダゾール環などが挙げられる。また、一般式（７）に
おいて、Ｚ２＝Ｏのベンゾイソオキサゾール環、Ｚ２＝
Ｓのベンゾイソチアゾール環、Ｚ２＝ＮＨのベンゾピラ
ゾール環などが挙げられる。

【００２６】

【化１１】

【００２７】これらＲｇの複素環式芳香族環のうち、好
ましい骨格構造は、一般式（３）である。さらに、好ま
しいZはO、S、ＮＨであり、より好ましくは、OまたはS
であり、Z=Sであるチオフェン環は特に好ましい。

【００２８】Ｒｇで表される構造において、炭素環式芳
香族環の具体例としては、縮合多環式芳香族環が挙げら
れる。具体的には、ペンタレン環、フェナレン環、トリ
フェニレン環、ペリレン環、インデン環、アズレン環、
フェナントレン環、ピレン環、ピセン環などが挙げられ
る。その中でもアセン形芳香族構造が好ましい。具体的
な例示としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラ
セン環、ナフタセン環、ペンタセン環などが挙げられ
る。これらの中で好ましくはベンゼン環、ナフタレン
環、アントラセン環であり、より好ましくは、ベンゼン
環、ナフタレン環である。

【００２９】これらＲｇの炭素環式芳香環のうち、好ま
しい骨格構造は、ベンゼン環、ナフタレン環であり、さ
らに好ましくは、ベンゼン環である。以上、例示したＲ
ｇのうち、特に好ましいのは下記式群（２）（化１２）
である。なお、ZはO、S、またはNHを表し、好ましく
は、OまたはS、より好ましくはSである。

【００３０】

【化１２】

【００３１】次に、一般式（１）のＲｇの骨格構造に導
入されうる置換基、より具体的には一般式群（２）にお
けるＸ_１〜Ｘ_１８、について説明する。置換基Ｘ_１〜Ｘ
_１８は、それぞれ独立にフッ素原子、ペルフルオロアリ
ール基、ペルフルオロアリ−ルオキシ基、ペルフルオロ
アリールチオ基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオ
ロアルキルオキシ基、ペルフルオロアルキルチオ基から
なる群より選ばれる基である。

【００３２】ペルフルオロアリール基としては、ペンタ
フルオロフェニル基、ヘプタフルオロナフチル基、ノナ
フルオロビフェニル基、トリフルオロチエニル基、ペン
タフルオロビチエニル基などが挙げられる。ぺルフルオ
ロアリ−ルオキシ基としては、ペンタフルオロフェニル
オキシ基、ヘプタフルオロナフチルオキシ基、ノナフル
オロビフェニルオキシ基、トリフルオロチエニルオキシ
基、ペンタフルオロビチエニルオキシ基などが挙げられ
る。ペルフルオロアリールチオ基としては、ペンタフル
オロフェニルチオ基、ヘプタフルオロナフチルチオ基、
ノナフルオロビフェニルチオ基、トリフルオロチエニル
チオ基、ペンタフルオロビチエニルチオ基などが挙げら
れる。

【００３３】ペルフルオロアルキル基としては、炭素数
１〜４のペルフルオロアルキル基が好ましい。具体的に
は、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、
ｎ−ペルフルオロプロピル基、ｎ−ペルフルオロブチル
基の直鎖状のものと、ｉ―ペルフルオロプロピル基、ｓ
−ペルフルオロブチル基、ｔ−ペルフルオロブチル基の
分岐状のものが好ましい。ペルフルオロアルキルオキシ
基としては、炭素数１〜３のアルキルオキシ基が好まし
い。具体的には、トリフルオロメトキシ基、ペンタフル
オロエトキシ基、ぺルフルオロプロポキシ基、ペルフル
オロイソプロポキシ基が好ましい。ペルフルオロアルキ
ルチオ基としては、炭素数１〜３のアルキルチオ基が好
ましい。具体的には、トリフルオロメチルチオ基、ペン
タフルオロエチルチオ基、ペルフルオロプロピルチオ
基、ペルフルオロイソプロピルチオ基が好ましい。

【００３４】さらに、一般式（１）におけるＲ₁〜Ｒ₅に
ついて説明する。Ｒ₁〜Ｒ₅は、それぞれ独立にフッ素原
子、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルキルオ
キシ基、ペルフルオロアルキルチオ基を表す。

【００３５】ペルフルオロアルキル基としては、炭素数
１〜４のペルフルオロアルキル基が好ましい。具体的に
は、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、
ｎ−ペルフルオロプロピル基、ｎ−ペルフルオロブチル
基の直鎖状のものと、ｉ―ペルフルオロプロピル基、ｓ
−ペルフルオロブチル基、ｔ−ペルフルオロブチル基の
分岐状のものが好ましい。ペルフルオロアルキルオキシ
基としては、炭素数１〜３のアルキルオキシ基が好まし
い。具体的には、トリフルオロメトキシ基、ペンタフル
オロエトキシ基、ぺルフルオロプロポキシ基、ペルフル
オロイソプロポキシ基が好ましい。ペルフルオロアルキ
ルチオ基としては、炭素数１〜３のアルキルチオ基が好
ましい。具体的には、トリフルオロメチルチオ基、ペン
タフルオロエチルチオ基、ペルフルオロプロピルチオ
基、ペルフルオロイソプロピルチオ基が好ましい。前記
一般式（１）で示される化合物の具体例を、下記（表１
〜表５）に示すが、これらの化合物に限定されるもので
はない。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】

【表３】

【００３９】

【表４】

【００４０】

【表５】

【００４１】本発明のイミド化合物の合成法は特に限定
されるものではないが、通常のカルボン酸イミドを合成
する際に用いられている公知の方法に準じて合成するこ
とができる。

【００４２】反応温度は、１００〜２５０℃の範囲であ
り、好ましくは１１０〜２００℃の範囲である。反応温
度が２５０℃を超えると副生成物が増加し、目的とする
化合物の収率が低下する。また、反応温度が１００℃よ
りも低いと反応速度が遅く実用的でない。

【００４３】本発明のイミド化合物の製造に用いられる
反応溶媒としては、極性有機溶媒を用いることが好まし
い。例えば、フェノール系溶媒として、フェノール、ｏ−クロロフ
ェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノー
ル、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、
２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４
−キシレノール、３，５−キシレノール、非プロトン性アミド系溶媒として、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メ
チルカプロラクタム、ヘキサメチルホスホロトリアミ
ド、エーテル系溶媒として、１，２−ジメトキシエタン、
ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，２−ビス
（２−メトキシエトキシ）エタン、テトラヒドロフラ
ン、ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］エー
テル、１，４−ジオキサン、アミン系溶媒として、ピリジン、キノリン、イソキノ
リン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、イ
ソホロン、ピペリジン、２，４−ルチジン、２，６−ル
チジン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプ
ロピルアミン、トリブチルアミン、その他の溶媒として、ジメチルスルホキシド、ジメチ
ルスルホン、ジフェニルエーテル、スルホラン、ジフェ
ニルスルホン、テトラメチル尿素、アニソール、水、ベ
ンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−
キシレン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン、ｍ
−ジクロルベンゼン、ｐ−ジクロルベンゼン、ブロムベ
ンゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、ｍ−ジブロモベンゼ
ン、ｐ−ジブロモベンゼン、ｏ−クロルトルエン、ｍ−
クロルトルエン、ｐ−クロルトルエン、ｏ−ブロモトル
エン、ｍ−ブロモトルエン、ｐ−ブロモトルエン、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メタノール、エ
タノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノー
ル、イソブタノール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
シクロヘキサン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩
化炭素、フルオロベンゼン、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、等が挙げられ
る。これらの溶媒は、単独又は２種以上混合して用いて
も差し支えない。

【００４４】本発明の有機電子写真感光体の実施形態に
ついて、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の
感光体の一実施例を示す概念図である。１は導電性基
体、２は下引き層、３は感光層、４は保護層であり、下
引き層２と保護層４は必要に応じて設けられる。感光層
３は、電荷発生機能と電荷輸送機能を併せ持ち、一つの
層で両方の機能を有する単層型や、電荷発生層と電荷輸
送層とに分離した積層型がある。

【００４５】導電性基体１は、感光体の電極としての機
能と同時に他の各層の支持体となっており、円筒状、板
状、フィルム状のいずれでもよく、材質的にはアルミニ
ウム、ステンレス鋼、ニッケルなどの金属、あるいはガ
ラス、樹脂などの上に導電処理を施したものでも良い。

【００４６】下引き層２は、必要に応じて設けることが
でき、樹脂を主成分とする層やアルマイト等の酸化皮膜
などからなり、導電性基体から感光層への不要な電荷注
入を阻止、基体表面の欠陥被覆、感光層の接着性向上等
の目的で必要に応じて設けられる。下引き層用の樹脂バ
インダーとしては、ポリカーボネート樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラ
ール樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、
ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリ
コーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
アセタール樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹
脂、メタクリル酸エステルの重合体およびこれらの共重
合体などを適宜組み合わせて使用することが可能であ
る。また、樹脂バインダー中には、酸化ケイ素（シリ
カ）、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化カルシウム、酸化ア
ルミニウム（アルミナ）、酸化ジルコニウム等の金属酸
化物、硫化バリウム、硫化カルシウム等の金属硫化物、
窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物、金属酸
化物微粒子等を含有してもよい。

【００４７】樹脂を主成分とする下引き層の場合、電子
輸送性の付与、電荷トラップの低減等を目的として、本
発明の新規フッ素化合物を含有させることができる。含
有量は、下引き層の固形分に対して、０．１〜６０重量
％であり、好ましくは、５〜４０重量％である。下引き
層の膜厚は、下引き層の配合組成にも依存するが、繰り
返し連続使用したときに残留電位が増大するなどの悪影
響が出ない範囲で任意に設定できる。

【００４８】感光層３は、機能分離型の場合は、電荷発
生層と電荷輸送層の主として２層からなり、単層型の場
合は１層からなる。電荷発生層は、有機光導電性物質を
真空蒸着または有機光導電性物質の粒子を樹脂バインダ
ー中に分散させた材料を塗布して形成され、光を受容し
て電荷を発生する。また、その電荷発生効率が高いこと
と同時に発生した電荷の電荷輸送層への注入性が重要で
あり、電場依存性が少なく低電場でも注入の良いことが
望ましい。

【００４９】電荷発生層は、電荷発生機能を有すればよ
いので、その膜厚は、電荷発生物質の光吸収係数より決
まり、一般的には５μｍ以下であり、好適には１μｍ以
下である。電荷発生層は、電荷発生物質を主体としてこ
れに電荷輸送物質などを添加して使用することも可能で
ある。電荷発生物質として、フタロシアニン系顔料、ア
ゾ顔料、アントアントロン顔料、ペリレン顔料、ペリノ
ン顔料、スクアリリウム顔料、チアピリリウム顔料、キ
ナクリドン顔料等を用いることができ、またこれらの顔
料を組み合わせて用いてもよい。特にアゾ顔料として
は、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料とし
ては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−
３，４：９，１０−ペリレンビス（カルボキシイミ
ド）、フタロシアニン系顔料としては、無金属フタロシ
アニン、銅フタロシアニン、チタニルフタロシアニンが
好ましく、更には、Ｘ型無金属フタロシアニン、τ型無
金属フタロシアニン、ε型銅フタロシアニン、α型チタ
ニルフタロシアニン、β型チタニルフタロシアニン、Ｙ
型チタニルフタロシアニン、アモルファスチタニルフタ
ロシアニン、特開平８−２０９０２３号公報に記載のＣ
ｕＫα：Ｘ線回折スペクトルにてブラック角２θが９．
６°を最大ピークとするチタニルフタロシアニンが好ま
しい。

【００５０】電荷発生層用の樹脂バインダーとしては、
ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、シリコーン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル樹
脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアセタール樹
脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、メタクリ
ル酸エステルの重合体およびこれらの共重合体などを適
宜組み合わせて使用することが可能である。

【００５１】電荷輸送層は樹脂バインダー中に電荷輸送
物質を分散させた材料からなる塗膜であり、暗所では絶
縁体層として感光体の電荷を保持し、光受容時には電荷
発生層から注入される電荷を輸送する機能を発揮する。
電荷輸送物質としては、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン
化合物、ピラゾロン化合物、オキサジアゾール化合物、
オキサゾール化合物、アリールアミン化合物、ベンジジ
ン化合物、スチルベン化合物、スチリル化合物、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリシラン等の正孔輸送物質また
は、本発明の新規フッ素化イミド化合物、無水コハク
酸、無水マレイン酸、ジブロム無水コハク酸、無水フタ
ル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４−ニトロ無水フタル
酸、無水ピロメリット酸、ピロメリット酸、トリメリッ
ト酸、無水トリメリット酸、フタルイミド、４−ニトロ
フタルイミド、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、クロラニル、ブロマニル、ｏ−ニトロ安息
香酸、トリニトロフルオレノン、キノン、ジフェノキノ
ン、ナフトキノン、アントラキノン、スチルベンキノン
等の電子輸送物質を使用することが可能である。

【００５２】電荷輸送層用の樹脂バインダーとしては、
ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニル
アセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアセタール樹脂、ポ
リアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、メタクリル酸エ
ステルの重合体およびこれらの共重合体などを適宜組み
合わせて使用することが可能である。特には、以下に示
す構造単位（III−１）〜（III−７）を１種または２種
以上を有するポリカーボネート樹脂や、ポリエステル樹
脂が適しており、これらの樹脂を２種以上混合して用い
てもよい。電荷輸送層の膜厚は、実用的に有効な表面電
位を維持するためには、３〜５０μｍの範囲が好まし
く、より好適には１０〜４０μｍである。

【００５３】単層型の感光層の場合は、主成分として、
上記電荷発生層と電荷輸送層に用いられる電荷発生物質
と電荷輸送物質および樹脂バインダーが用いられるもの
と、電荷発生物質と樹脂バインダーを用いるものがあ
る。単層型感光層の膜厚は、実用的に有効な表面電位を
維持するためには、３〜５０μｍの範囲が好ましく、よ
り好適には１０〜４０μｍである。

【００５４】これらの感光層中には、耐環境性や有害な
光に対する安定性を向上させる目的で、酸化防止剤や光
安定剤などの劣化防止剤を含有させることもできる。こ
のような目的に用いられる化合物としては、トコフェロ
ールなどのクロマノール誘導体およびエーテル化化合
物、エステル化化合物、ポリアリールアルカン化合物、
ハイドロキノン誘導体、ジエーテル化化合物、ベンゾフ
ェノン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、チオエーテ
ル化合物、フェニレンジアミン誘導体、ホスホン酸エス
テル、亜リン酸エステル、フェノール化合物、ヒンダー
ドフェノール化合物、直鎖アミン化合物、環状アミン化
合物、ヒンダードアミン化合物等が挙げられる。

【００５５】さらに、感光層中には、電子輸送性の付
与、電荷トラップの低減等を目的として、電子受容物
質、電子輸送物質である本発明の新規キノン系化合物を
含有させることができる。含有量は、感光層の各層の固
形分に対して、０．１〜９０重量％であり、好ましくは
５〜６０重量％である。さらにまた、必要に応じ他の電
子受容物質を併用することができる。これらの電子受容
物質としては、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロ
ム無水コハク酸、無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル
酸、４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、ピ
ロメリット酸、トリメリット酸、無水トリメリット酸、
フタルイミド、４−ニトロフタルイミド、テトラシアノ
エチレン、テトラシアノキノジメタン、クロラニル、ブ
ロマニル、ｏ−ニトロ安息香酸、トリニトロフルオレノ
ン、キノン、ジフェノキノン、ナフトキノン、アントラ
キノン、スチルベンキノンなどの化合物を挙げることが
できる。

【００５６】保護層４は、耐刷性を向上させること等を
目的とし、必要に応じ設けることができ、樹脂バインダ
ーを主成分とする層や、アモルファスカーボン等の無機
薄膜からなる。また樹脂バインダー中には、導電性の向
上や、摩擦係数の低減、潤滑性の付与等を目的として、
酸化ケイ素（シリカ）、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化カ
ルシウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化ジルコ
ニウム等の金属酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム
等の金属硫化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の金
属窒化物、金属酸化物微粒子、または４フッ化エチレン
樹脂等のフッ素系樹脂粒子、フッ素系クシ型グラフト重
合樹脂等を含有してもよい。また、電荷輸送性を付与す
る目的で、上記感光層に用いられる電荷輸送物質、電子
受容物質や、本発明の新規フッ素化イミド化合物を含有
させることもできる。

【００５７】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。

【００５８】

【実施例１】例示化合物Ｎｏ.１１（化１３）の合成第一ステップ（Ｎ−（ペンタフルオロフェニル）テトラブロモフタル
イミドの合成）トルエンで共沸脱水したＤＭＩ５０ｍｌ
にテトラブロモフタル酸無水物１０．０ｇ（０．０２１
６ｍｏｌ）、ペンタフルオロアニリン３．９５ｇ（０．
０２１６ｍｏｌ）を装入した反応器を１３０℃で６ｈｒ
加熱したが、分析の結果、原料の酸無水物が残存してい
ることがわかった。さらに、ペンタフルオロアニリン
０．７５ｇ（０．００４１ｍｏｌ）を追加して１６０℃
で７．５ｈｒ反応させた。これを、トルエン／水から抽
出し、Na₂SO₄を用いて乾燥した。濾液を濃縮して、黄色
の固体１６．３６ｇを得た。得られた固体を、トルエン
を展開溶媒としてカラムクロマトグラフィーを行ない、
黄色の固体９．５７ｇを得た。これをＩＰＡを用いて加
熱しながら撹拌を行ない、淡黄色の固体を得た。収量：
５．８３ｇ。純度：９６．５％。収率：４１．４％。第二ステップＤＭＩ１５０ｍｌにトルエン４０ｍｌを加えて共沸脱水
を行なった。この操作を２回繰り返した。この反応器
に、上記フタルイミド誘導体１．０ｇ（９６．５％
０．００１５ｍｏｌ）、ペンタフルオロチオフェノキシ
ド銅（Ｉ）２．０ｇを装入して１２０℃で２ｈｒ加熱し
た。原料のイミド誘導体が残存していることがわかった
ので、さらにペンタフルオロチオフェノキシド銅（Ｉ）
０．５ｇを追加して１２０℃で２ｈｒ、１３０℃で２．
５ｈｒ加熱して、原料のイミド誘導体を消失させた。冷
却後、濾過を行い、濾液をトルエン／水から抽出し、Na
₂SO₄を用いて乾燥した。濾液を濃縮して、黒色の液体
３．４０ｇを得た。得られた液体を、トルエン／ヘキサ
ン（４／６）を展開溶媒としてカラムクロマトグラフィ
ーを行ない、橙色の固体１．２７ｇを得た。これをＩＰ
Ａを用いて再結晶化を行ない、黄色の固体を得た。収
量：０．９６ｇ。純度：９６．３％。純収率：５５．７
％。融点：１６７−１６９℃。マス分析（ＦＤ法）を行
なった結果、ｍ／ｚ＝１１０５のピークを検出できたこ
とから、目的物が得られたことを確認できた。

【００５９】

【化１３】

【００６０】

【実施例２】有機電子写真感光体の評価 α型ＴｉＯ_２フタロシアニン２ｇ、ポリビニルブチラー
ル樹脂（積水化学：ＢＨ−３）２ｇをテトラヒドロフラ
ン９６ｇと共にボールミルで２時間分散した。この分散
液をアルミニウム基板上に塗工、乾燥して、膜厚０．３
μｍの電荷発生層を作製した。次に例示化合物Ｎｏ.４
４１０ｇ、ポリカーボネート樹脂（帝人化成：パンラ
イトＬ−１２５０）１０ｇをジクロロメタン８０ｇに溶
解した。この塗液を電荷発生層上に塗工、乾燥して、膜
厚２０μｍの電子輸送層を形成し、積層型電子写真感光
体を作製した。電子写真感光体の電子写真特性は以下の
方法で測定した。静電複写紙試験装置（川口電機製作
所：ＥＰＡ−８１００）により、暗所にて表面電位＋６
００Ｖになるように帯電させ、ハロゲンランプ光をフィ
ルターにて７８０（ｎｍ）に分光した１．０（μＷ/ｃ
ｍ２）の単色光を照射して、初期表面電位（Ｖ0 ）、Ｖ
0と２秒間暗所に放置した時の表面電位（Ｖ2 ）の比
（暗減衰率：ＤＤＲ₂＝Ｖ2／Ｖ0 ）、光露光後に帯電
量が初期の１／２まで減少する時間から半減露量感度
（Ｅ1/2 ）を算出し、光露光５秒後の表面電位から残留
電位（ＶＲ3 ）を算出した。

【００６１】

【比較例１】有機電子写真感光体の評価実施例２で使用した電子輸送材料（例示化合物Ｎｏ.４
４）を下記式（ａ）（化１４）で示されるジフェノキノ
ン化合物（東京化成工業（株）製）に代えた以外は実施
例２と同様に感光体を作製した。

【００６２】

【化１４】

【００６３】

【表６】

【００６４】

【発明の効果】本発明により得られる新規イミド化合物
は電子輸送性に優れ、該化合物を電子写真感光体に用い
た場合には、樹脂への分散性が改善されつつ、かつ電気
特性、繰り返し安定性にも優れた高耐久性の電子写真感
光体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子写真感光体の模式的側面図で
ある。

【符号の説明】

１：導電性基体２：下引き層３：感光層４：保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H068 AA18 BA14 BA16 BA63 4C204 AB03 BB05 CB04 DB16 EB02 FB14 GB29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記式（１）で表されるイミド化合物。【化１】 [式中、Ｒ₁〜Ｒ₅は、それぞれ独立にフッ素原子、ペル
フルオロアルキル基、ペルフルオロアルキルオキシ基、
ペルフルオロアルキルチオ基を表し、Ｒｇは、置換基を
有していても良い芳香環、もしくは三重結合を表す。た
だし、Ｒｇがテトラフルオロフェニル基であり、かつＲ
₁〜Ｒ₅すべてがフッ素原子である場合を除く。]
【請求項２】Ｒｇが下記式群（２）（化２）で表される
ことを特徴とする請求項１記載のイミド化合物。【化２】 [式中、ZはO、S、またはNHであり、Ｘ₁〜Ｘ_１８はそれ
ぞれ独立にフッ素原子、ペルフルオロアリール基、ペル
フルオロアリ−ルオキシ基、ペルフルオロアリールチオ
基、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルキルオ
キシ基、ペルフルオロアルキルチオ基からなる群より選
ばれる基である。ただし、Ｘ_１〜Ｘ_４が全てフッ素原子
であり、かつＲ_１〜Ｒ_５が全てフッ素原子である場合を
除く。]
【請求項３】導電性基体上に感光層が設けられた電子
写真感光体において、該感光層中に、請求項１〜２記載
の化合物が含有されていることを特徴とする電子写真感
光体。
【請求項４】請求項３記載の電子写真感光体を備えた電
子写真装置。