KR20080045080A - 초전도 전도체의 제조 방법 - Google Patents
초전도 전도체의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080045080A KR20080045080A KR1020070117568A KR20070117568A KR20080045080A KR 20080045080 A KR20080045080 A KR 20080045080A KR 1020070117568 A KR1020070117568 A KR 1020070117568A KR 20070117568 A KR20070117568 A KR 20070117568A KR 20080045080 A KR20080045080 A KR 20080045080A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- ybco
- superconducting
- intermediate layer
- textured
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 7
- BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N [O].[Cu].[Y].[Ba] Chemical compound [O].[Cu].[Y].[Ba] BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- SLODBEHWNYQCRC-UHFFFAOYSA-N [La+3].[O-2].[Zr+4] Chemical class [La+3].[O-2].[Zr+4] SLODBEHWNYQCRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSOKRZIXBNTTJX-UHFFFAOYSA-N [O].[Ca].[Cu].[Sr].[Bi] Chemical compound [O].[Ca].[Cu].[Sr].[Bi] OSOKRZIXBNTTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Ce+3].[Ce+3] DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0016—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for heat treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
초전도 전도체(7)의 제조 방법이 개시된다. 이 방법에서 초전도 재료로서 이트륨-바륨-구리-산화물(YBCO) 물질로 만들어진 층은 텍스처링된 금속성 토대 둘레에 바로 제공되거나 또는 버퍼층이 제공된 후에 그 둘레에 제공되며, 열처리를 거친다. 이를 위해 먼저 길게 연장된 금속성 캐리어(1) 둘레에 금속성 재료로 만들어진 중간층이 제공되며, 상기 금속성 재료는 YBCO의 결정구조와 조화를 이룰 수 있거나 또는 YBCO의 제공에 적합한 버퍼층의 구조와 조화를 이룰 수 있는 재료이다. 이어서, 중간층이 제공된 캐리어(1)는, 상기 중간층이 YBCO 재료로 만들어진 층 또는 버퍼층을 위한 금속성 토대로서 미리 결정된 텍스처링을 얻도록 처리된다. 이에 이어, 텍스처링된 중간층 둘레에 바로 초전도 YBCO 재료로 만들어진 층이 제공되거나 또는 상기 중간층 둘레에 버퍼층이 제공된 후 그 둘레에 BCO 재료로 만들어진 층이 제공되며, 최종적으로 열처리가 실행된다.
초전도 전도체, YBCO, 금속성 캐리어, 중간층, 버퍼층
Description
본 발명은 초전도 전도체의 제조방법에 관한 것으로서, 초전도 재료로서 이트륨-바륨-구리-산화물(YBCO)로 만들어진 층은 텍스처링된(textured) 금속성 토대(base) 둘레에 바로 제공되거나 또는 버퍼층(buffer layer)이 제공된 후 그 둘레에 제공되며, 열처리를 거치는, 초전도 전도체의 제조방법에 관한 것이다(US-A-5 739 086).
초전도 전도체는 특별한 재료로 구성되며, 이 재료는 충분히 낮은 온도에서 초전도 상태로 넘어간다. 상응하여 구성된 전도체의 전기 저항은 이로 인해 영(zero)에 가까워진다. 적합한 초전도 재료는 예컨대 YBCO(이트륨-바륨-구리-산화물) 또는 BSCCO(비스무트-스트론튬-칼슘-구리-산화물)이다. 초전도 상태에 도달하기 위해, 상기 유형의 세라믹 재료를 위해 충분히 낮은 온도는 예컨대 4 K 와 110 K 사이이다. 이러한 초전도 전도체는 고온 초전도체로 명칭된다. 적합한 냉각수단 은 예컨대 질소, 헬륨, 네온, 수소 또는 각각 액체 상태에서 상기 재료들의 혼합물이다.
상기 언급된 US-A-5 739 086은 고온 초전도체를 제조하기 위한 상이한 방법들을 기술하고 있다. BSCCO 초전도체에서, BSCCO 재료는 예컨대 분말 형태로 은으로 만들어진 튜브 안에 채워져 밀봉된다. 튜브의 기계적 변형 및 이에 이은 열처리(어닐링)로 인해, 초전도 상태가 도달된다. 뛰어난 전기적 특성으로 인해 특히 전기 케이블 및 코일을 위해 적합한 YBCO 초전도체에서는, 예컨대 기층으로서 2축으로 텍스처링되며(textured) 금속으로 만들어진 띠 상에 우선 마찬가지로 금속으로 구성된 버퍼층이 제공되며, 이에 이어 상기 버퍼층 상에 YBCO 재료가 제공된다. 기층은 예컨대 니켈, 구리 또는 철 또는 합금으로 구성된다. 버퍼층을 위해서는 예컨대 구리 또는 은이 이용된다. YBCO 재료는 최종적으로 마찬가지로 열처리에 의해 초전도 상태로 옮겨진다. 이렇게 제조된 초전도 전도체는 -이미 언급한 바와 같이- 바람직하게는 전기 모터 및 자석을 위한 전기 케이블 및 코일에서 이용될 수 있다. 하지만 띠 모양으로 인해 단지 한 방향으로만 굽어질 수 있다.
본 발명의 목적은, YBCO를 기초로 하여 보다 쉽게 가공될 수 있는 초전도 전도체의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따르면,
- 길게 연장된 금속성 캐리어 둘레에, YBCO의 결정구조(crystal structure)와 조화를 이룰 수 있거나 또는 YBCO의 제공에 적합한 버퍼층(buffer layer)의 구조와 조화를 이룰 수 있는 금속성 재료로 만들어진 중간층을 제공하고,
- 이어서, 상기 중간층이 제공된 캐리어를, 중간층에 YBCO 재료로 만들어진 층 또는 버퍼층을 위한 금속성 토대로서 미리 결정된 텍스처링(texturing)을 제공하도록 처리하고,
- 텍스처링된(textured) 중간층 둘레에 바로 초전도 YBCO 재료로 만들어진 층을 제공하거나, 또는 중간층 둘레에 버퍼층을 제공한 후 초전도 YBCO 재료로 만들어진 층을 제공하며,
- 최종적으로 열처리를 실행함으로써 달성된다.
상기 방법과 함께, 초전도 상태로 옮겨질 수 있는 전기 전도체는 바람직하게는 원형 횡단면을 갖도록 형성되며, 상기 전도체는 통상적인 와이어 형태의 전도체와 동일한 방식으로 가공될 수 있다. 전도체의 굽힘시 특별한 방향이 더 이상 필요 하지 않다. 따라서, 상기 전도체는 특히 전기 모터 및 자석을 위한 코일을 제조하기 위해 적합하며, 또한 통상적인 장치를 이용하여 전기 케이블을 구성하는데 적합하다.
본 발명의 방법에 따르면, 초전도 전도체를 YBCO를 기초로 하여 보다 용이하게 제조할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 방법의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도면 부호 1은 스트랜드(strand), 로프(rope) 또는 관(tube)으로 형성될 수 있는 금속성 캐리어(carrier)를 표시한 것이다. 이 캐리어는 바람직하게는 원형 횡단면을 가지며, 강철로 구성되고, 제조되는 초전도 전도체를 위해 텐션 프루프(tension-proof) 중앙 요소로서 사용될 수 있다. 캐리어(1)는 바람직하게는 0.5 mm 내지 3.0 mm 의 외경을 갖는다.
도변 부호 2로 지시된 장치에서 캐리어(1) 둘레에 중간층(3)이 제공되며, 상기 중간층은 YBCO 재료를 위한 금속성 토대로 사용되거나 또는 적합한 버퍼층(buffer layer)으로 사용되며, 상기 버퍼층 둘레에는 YBCO 층이 제공된다. 중간층(3)은 니켈, 구리 또는 철 또는 합금과 같은 금속성 재료로 구성되며, 상기 재료는 YBCO의 결정구조와 조화를 이루거나 또는 YBCO를 제공하는데 적합한 버퍼층의 구조와 조화를 이룰 수 있다. 중간층(3)을 제공하기 위해서는 예컨대 PVD 방법(Physical Vapor Deposition), CVD 방법(Chemical Vapor Deposition) 또는 CSD 방법(Chemical Solution Deposition)과 같은 일반적인 코팅법이 이용될 수 있다. PVD 방법은 예컨대 스퍼터링(sputtering), 전자빔 증발, 아크 증발 및 이온 지원된 방법과 같은 통용되는 모든 진공 코팅법을 포함할 수 있다.
중간층(3)은 바람직하게는 20 nm 내지 1 mm 의 벽두께로 제공된다. 이어서, 코팅된 캐리어(1)는 도면부로 4로 지시된 설비에서, 중간층(3)에 필요한 결정(crystal)의 정렬을 갖는 뚜렷한 텍스처링(texturing)이 제공되도록 처리되며, 상기 텍스처링에서는 가능한 한 모든 결정들이 서로 평행하게 정렬되도록 처리된다. 그 후, 캐리어(1)는, 빙둘러 닫히고 YBCO 또는 버퍼층을 위한 텍스처링된(textured) 토대에 의해 둘러싸이며, 상기 버퍼층 상에는 YBCO 재료가 제공된다.
중간층(3)의 텍스처링(texturing)은 기계적으로 또는 열적으로 또는 바람직하게는 기계적/열적으로 또는 자기장(magnetic field)을 이용하여 얻어질 수 있다. 기계적인 처리시, 코팅된 캐리어(1)는 예컨대 롤러로 압연되거나 또는 특히 바람직하게는 적어도 하나의 와이어 드로잉 다이(wire-drawing die)에 의해 직경의 감소를 위해 드로잉될 수 있다. 상응하는 장치('W'와 'Z')가 도 1에서 시설(4) 안에 개략적으로 표시되어 있다. 바람직하게 실행가능한 열기계적 처리시, 캐리어(1)를 둘러싸는 중간층(3)의 두께는 실내온도와 300℃ 사이의 온도영역에서 드로잉에 의해 본래의 횡단면의 약 1% 내지 5%로 감소될 수 있다. 이러한 두께 감소는 이상적으로는 여러 단계들에서 실행되는데, 예컨대 단계당 10% 횡단면 감소 이하로 행해진다. 이에 이어, 바람직하게는 재결정 어닐링(recrystallization annealing)이 700℃ 내지 1200℃ 에서 실행될 수 있다. 이때, 온도는 중간층(3)을 위해 사용된 합금에 의해 좌우된다. 순수한 니켈인 경우에는 700℃의 온도가 사용되는 반면, 5% 텅스텐 첨가물을 갖는 니켈 합금에서는 1000℃ 내지 1100℃의 온도가 제공될 수 있다.
자기 처리에 의해 결정(crystal)의 정렬을 야기하기 위하여, 중간층(3)으로 둘러싸인 캐리어(1)는 시설(4)에서 상응하는 강력한 자기장에 의해 드로잉될 수 있다.
상기 기술된 바와 같이 중간층(3)이 처리된 후, 도면부호 5로 표시된 시설에서는 중간층 둘레에 YBCO 재료로 만들어진 층(6)이 제공될 수 있으며, 이 층의 두께는 바람직하게는 1㎛ 내지 5㎛ 사이이다. 이는 이미 언급된 공지된 코팅법, 즉 예컨대 PVD 방법, CVD 방법 또는 CSD 방법으로 실행될 수 있다. 그 후, 시설(5) 뒤에서는 초전도 YBCO 재료로 코팅된 원형 전도체(7)가 나오며, 이 전도체는 최종적으로 도면부호 8로 표시된 장치에서 초전도성을 달성하기 위해 열처리를 거치게 되는데, 바람직하게는 어닐링(annealing)된다. 이는 바람직하게는 700℃ 내지 850℃의 온도에서 실행될 수 있다.
중간층(3)의 보호를 위해, 상기 중간층 둘레에는 YBCO 재료로 만들어진 층(6)을 제공하기 전에 예컨대 100 nm 내지 200 nm 의 두께를 가지는 버퍼층(9) (도 4)이 제공될 수 있으며, 이 버퍼층은 예컨대 세라믹(ceramics)으로 구성된다. 적합한 재료는 예컨대 세륨-산화물 또는 란타늄-지르코늄-산화물이다. 버퍼층(9)은 중간층(3) 및 YBCO 재료로 만들어진 층(6)을 위해 기술된 것과 동일한 코팅법으로 제공될 수 있다. 그 후, 버퍼층(9) 둘레에는 기술된 바와 같이 YBCO 재료로 만들어진 층(6)이 제공되며, 그 후 장치(8)에서 열처리가 실행된다.
버퍼층(9)은 예컨대 란타늄 아세틸아세토네이트/지르콘 아세틸아세토네이트(La2Zr207)로 구성될 수 있다. 이 층은 예컨대 중간층(3)의 딥코팅(dip coating)에 의해 상기한 재료들이 프로피온산에 용해되어 있는 용액에서 얻어진다. 이때, 캐리어(1)는 용액에 의해 드로잉된다. 이때, 이에 이어 건조되는(용액이 증발한다) 액체층은 캐리어(1)의 표면에 균일하게 남아 있다. 그 후, 건조된 층은 1000℃ 에서 어닐링 오븐을 통과하도록 가이드되며, 따라서 유기적 구성부품이 분해되고 프로세스 가스와 함께 소산된다. 중간층(3)으로서 에피택시얼(epitaxial) 성장된 La2Zr207층이 남으며, 이 층 둘레는 이에 이어 YBCO 재료로 만들어진 층(6)이 마찬가지로 에피택시얼로 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 실행하기 위한 배열의 개략도,
도 2 및 도 3은 도 1의 선(II-II) 및 선(III-III)의 단면 확대도,
도 4는 본 발명에 따른 방법으로 제조가능한 초전도 전도체의 횡단면이다.
Claims (5)
- 초전도 재료로서 이트륨-바륨-구리-산화물(YBCO)로 만들어진 층이 텍스처링된(textured) 금속성 토대 둘레에 바로 제공되거나 또는 버퍼층이 제공된 후에 제공되고, 열처리를 거치는, 초전도 전도체의 제조 방법에 있어서,- 길게 연장된 금속성 캐리어(1) 둘레에, YBCO의 결정구조와 조화를 이룰 수 있거나 또는 YBCO의 제공에 적합한 버퍼층(9)의 구조와 조화를 이룰 수 있는 금속성 재료로 만들어진 중간층(3)을 제공하고,- 이어서, 상기 중간층(3)이 제공된 캐리어(1)를, 중간층(3)에 YBCO 재료로 만들어진 층(6) 또는 버퍼층(9)을 위한 금속성 토대로서 미리 결정된 텍스처링(texturing)을 제공하도록 처리하고,- 텍스처링된(textured) 중간층(3) 둘레에 바로 초전도 YBCO 재료로 만들어진 층(6)을 제공하거나, 또는 중간층(3) 둘레에 버퍼층(9)을 제공한 후 초전도 YBCO 재료로 만들어진 층(6)을 제공하며,- 최종적으로 열처리를 실행하는 것을 특징으로 하는, 초전도 전도체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 중간층(3)은 기계적 변형에 의해 텍스처링되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 중간층(3)은 열처리에 의해 텍스처링되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 중간층(3)은 열기계적 처리에 의해 텍스처링되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 중간층(3)은 자기장에 의해 텍스처링되는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP06291793.5 | 2006-11-17 | ||
| EP06291793A EP1923926B1 (de) | 2006-11-17 | 2006-11-17 | Verfahren zur Herstellung eines supraleitfähigen elektrischen Leiters |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080045080A true KR20080045080A (ko) | 2008-05-22 |
Family
ID=37866271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070117568A KR20080045080A (ko) | 2006-11-17 | 2007-11-16 | 초전도 전도체의 제조 방법 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7737086B2 (ko) |
| EP (1) | EP1923926B1 (ko) |
| JP (1) | JP5219454B2 (ko) |
| KR (1) | KR20080045080A (ko) |
| CN (1) | CN101183573B (ko) |
| AT (1) | ATE495552T1 (ko) |
| DE (1) | DE502006008727D1 (ko) |
| ES (1) | ES2356755T3 (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2319228T3 (es) * | 2006-10-27 | 2009-05-05 | Nexans | Procedimiento para fabricar un conductor electrico superconductivo. |
| EP2012373B1 (en) * | 2007-07-02 | 2011-10-19 | Nexans | Process for the production of a coated conductor with simplified layer architecture |
| FR2940323B1 (fr) | 2008-12-18 | 2011-02-11 | Centre Nat Rech Scient | Procede de depot de films d'oxydes sur tubes metalliques textures |
| ES2389159T3 (es) | 2009-08-13 | 2012-10-23 | Nexans | Conductor recubierto |
| EP2284918A1 (en) | 2009-08-13 | 2011-02-16 | Nexans | High temperature superconductor, in particular improved coated conductor |
| WO2012012258A2 (en) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | First Solar, Inc. | Temperature-adjusted spectrometer |
| DE102011081465A1 (de) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Spulen und Vorrichtung mit einer supraleitenden Spule hergestellt nach dem Verfahren |
| US10068683B1 (en) | 2014-06-06 | 2018-09-04 | Southwire Company, Llc | Rare earth materials as coating compositions for conductors |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647420A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Showa Electric Wire & Cable Co | Manufacture of ceramic superconductive wire |
| JPS647423A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Showa Electric Wire & Cable Co | Manufacture of ceramic superconductive wire |
| JP2557442B2 (ja) * | 1988-01-22 | 1996-11-27 | 北陸電力株式会社 | 酸化物超電導線材 |
| JPH0227612A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Fuji Electric Co Ltd | 酸化物系超電導線材 |
| JP2879346B2 (ja) * | 1989-07-03 | 1999-04-05 | 東邦レーヨン株式会社 | 超電導繊維材料 |
| US6194352B1 (en) * | 1994-01-28 | 2001-02-27 | American Superconductor Corporation | Multifilament composite BSCCO oxide superconductor |
| JP3397474B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2003-04-14 | キヤノン株式会社 | 超伝導線 |
| US5872081A (en) * | 1995-04-07 | 1999-02-16 | General Atomics | Compositions for melt processing high temperature superconductor |
| US5741377A (en) * | 1995-04-10 | 1998-04-21 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
| EP0977282B1 (en) | 1998-07-30 | 2005-05-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Oxide superconductor on core type wire |
| JP4513142B2 (ja) * | 1998-07-30 | 2010-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導素線とそれを集合した酸化物超電導導体および酸化物超電導素線の製造方法 |
| JP2000268649A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 酸化物超電導線材およびその製造方法 |
| US6436317B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-08-20 | American Superconductor Corporation | Oxide bronze compositions and textured articles manufactured in accordance therewith |
| DE60323314D1 (de) * | 2002-10-04 | 2008-10-16 | Nexans | Metall-Keramik-Hochtemperatursupraleiterverbund und Verfahren zur Verbindung eines Keramikhochtemperatursupraleiters mit einem Metall |
| US20060049057A1 (en) * | 2002-12-20 | 2006-03-09 | Midwest Research Institute | Electrodeposition of biaxial textured films |
| DE602006021287D1 (de) * | 2006-05-18 | 2011-05-26 | Nexans | Leiter, beschichtet mit einem polykristallinen Film verwendbar zur Herstellung von Hochtemperatursupraleitungsschichten |
| EP1898475B1 (en) * | 2006-09-05 | 2014-01-08 | Nexans | Resistive high temperature superconductor fault current limiter |
| ES2319228T3 (es) * | 2006-10-27 | 2009-05-05 | Nexans | Procedimiento para fabricar un conductor electrico superconductivo. |
| EP2012373B1 (en) * | 2007-07-02 | 2011-10-19 | Nexans | Process for the production of a coated conductor with simplified layer architecture |
-
2006
- 2006-11-17 ES ES06291793T patent/ES2356755T3/es active Active
- 2006-11-17 AT AT06291793T patent/ATE495552T1/de active
- 2006-11-17 DE DE502006008727T patent/DE502006008727D1/de active Active
- 2006-11-17 EP EP06291793A patent/EP1923926B1/de not_active Not-in-force
-
2007
- 2007-10-23 JP JP2007274922A patent/JP5219454B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-23 US US11/977,150 patent/US7737086B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-16 KR KR1020070117568A patent/KR20080045080A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-11-19 CN CN2007101870736A patent/CN101183573B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5219454B2 (ja) | 2013-06-26 |
| EP1923926B1 (de) | 2011-01-12 |
| DE502006008727D1 (de) | 2011-02-24 |
| ATE495552T1 (de) | 2011-01-15 |
| CN101183573A (zh) | 2008-05-21 |
| JP2008130550A (ja) | 2008-06-05 |
| US7737086B2 (en) | 2010-06-15 |
| EP1923926A1 (de) | 2008-05-21 |
| US20080119365A1 (en) | 2008-05-22 |
| CN101183573B (zh) | 2013-01-02 |
| ES2356755T3 (es) | 2011-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20080038025A (ko) | 초전도 전도체의 제조 방법 | |
| KR20080045080A (ko) | 초전도 전도체의 제조 방법 | |
| JP5806302B2 (ja) | 交流損失を低減したマルチフィラメント超伝導体とその形成方法 | |
| US9082530B2 (en) | Superconducting thin film material and method of manufacturing same | |
| JP2007115562A (ja) | 希土類系テープ状酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| RU2386732C1 (ru) | Способ получения двухстороннего сверхпроводника второго поколения | |
| JP2693255B2 (ja) | Ｎｂ▲下３▼Ａｌ系超電導線材の製造方法並びに製造装置 | |
| Shiohara et al. | Highlights in R&D for coated conductors in Japan | |
| US6998028B1 (en) | Methods for forming superconducting conductors | |
| CN105648401B (zh) | 高性能rebco多层膜、应用及其制备方法 | |
| Jin et al. | Biaxial texturing of Cu sheets and fabrication of ZrO2 buffer layer for YBCO HTS films | |
| JP2010244745A (ja) | Ｎｂ３Ａｌ超電導線材、及びＮｂ３Ａｌ超電導線材の製造方法 | |
| JP3629527B2 (ja) | Ｎｂ３Ａｌ化合物系超電導線材の製造方法及びその方法により得られる超電導線材 | |
| US3346467A (en) | Method of making long length superconductors | |
| JP4128358B2 (ja) | 酸化物超電導導体の製造方法 | |
| KR101017779B1 (ko) | 붕화마그네슘 초전도 다심 선재의 제조 방법, 제조 장치 및이에 의해 제조된 붕화마그네슘 초전도 다심 선재 | |
| Doi et al. | {110}< 110> textured Ag tapes for biaxially oriented YBa2Cu3O7 coated conductors | |
| JPH01137525A (ja) | 酸化物超電導成形体の製造方法 | |
| Tsuchiya et al. | Properties of Nb3Al wires processed by double rapid heating and quenching | |
| JPS6381708A (ja) | 超電導体 | |
| JP2004319256A (ja) | 銀テープとその製造方法及び超電導線材 | |
| JPH03194803A (ja) | 酸化物超伝導体線材の作製方法 | |
| Murakami et al. | Introduction to processing methods | |
| JPH01134825A (ja) | 酸化物超電導成形体の製造方法 | |
| ITRM980395A1 (it) | Substrato metallico per superconduttori ad alta temperatura e relativo procedimento di produzione |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E601 | Decision to refuse application |