KR20070122159A - 석영 제품의 베이크 방법 및 석영 제품 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고, 상기 열처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 제1 석영 제품 및 제2 석영 제품에 포함되는 금속을 제거하기 위해 베이크 방법에 있어서, 제1 지그 요소 부재와 제2 지그 요소 부재가 착탈 가능하게 단차형으로 적층되어 구성되는 지그를 이용하여, 제1 지그 요소 부재에 제1 석영 제품을 적재하고, 상기 제1 지그 요소 부재의 위에 제2 지그 요소 부재를 적층하고, 상기 제2 지그 요소 부재에 제2 석영 제품을 적재하는 공정과, 석영 제품이 단차형으로 적재된 상기 지그를 덮개체의 위에 탑재하고, 상기 덮개체를 상승시켜 베이크용 종형 용기의 하단 개구부로부터 상기 베이크용 종형 용기 내에 상기 지그를 반입하는 동시에, 상기 베이크용 종형 용기의 하단 개구부를 상기 덮개체에 의해 밀폐하는 공정과, 상기 베이크용 종형 용기 내의 분위기를 가열하는 공정과, 염화수소 가스와, 상기 염화수소 가스의 반응성을 높이기 위한 가스를 포함하는 베이크용 가스를 상기 베이크용 종형 용기 내에 공급하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법이다.
종형 용기, 개구부, 지그, 덮개체, 가스 공급관
Description
도1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 베이크 처리 장치를 도시하는 개략 종단면도.
도2는 웨이퍼를 열처리하는 종형 열처리 장치의 일례를 도시하는 개략 단면도.
도3은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 베이크 장치에 있어서의 베이크용의 지그를 도시하는 개략 사시도.
도4는 도3의 베이크용의 지그를 도시하는 개략 정면도.
도5는 석영 제품이 적재된 도3의 베이크용의 지그를 베이크 장치 내에 반입한 상태를 도시하는 설명도.
도6은 도5의 A1-A1선 단면도.
도7은 도3의 베이크용의 지그에 가스가 흐르는 상태를 설명하는 설명도.
도8은 다른 실시 형태에 있어서의 베이크용의 지그를 도시하는 개략 사시도.
도9는 도8의 베이크용의 지그를 도시하는 개략 정면도.
도10은 석영 제품이 적재된 도8의 베이크용의 지그를 베이크 장치 내에 반입한 상태를 도시하는 설명도.
도11은 도10의 A2-A2선 단면도.
도12는 도10의 B2-B2선 단면도.
도13은 도10의 C2-C2선 단면도.
도14는 도10의 D2-D2선 단면도.
도15는 도10의 E2-E2선 단면도.
도16은 도8의 베이크용의 지그에 가스가 흐르는 상태를 설명하는 설명도.
도17은 다른 실시 형태에 있어서의 베이크용의 지그를 도시하는 개략 사시도.
도18은 도17의 베이크용의 지그를 도시하는 개략 정면도.
도19는 석영 제품이 적재된 도17의 베이크용의 지그를 베이크 장치 내에 반입한 상태를 도시하는 설명도.
도20은 도19의 A3-A3선 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2 : 종형 용기
3 : 가스 공급관
4 : 반응 튜브
6 : 지그
21 : 개구부
22 : 플랜지
23 : 덮개체
24 : 승강 기구
25 : 엘리베이터
26 : 히터
27 : 배기관
28 : 흡인 펌프
W : 웨이퍼
[문헌 1] 일본 특허 공개 제2002-313787호
본 발명은, 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치의 반응 용기 내에 반입되고, 상기 반응 용기 내의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 석영 제품을 베이크하는 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 프로세스에 사용되는 열처리 장치의 하나로서, 뱃치(batch)식 열처리 장치인 종형 열처리 장치가 있다. 이 종형 열처리 장치에서는, 하방이 개방되어 있는 종형의 반응관과, 상기 반응관의 외측을 둘러싸도록 설치된 히터에 의해 가열로가 구성된다. 그리고, 웨이퍼 보트라 불리는 웨이퍼 보유 지지구에 다수매의 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라 함)가 선반형으로 보유 지지되고, 이것이 반응관의 하방측으로부터 반입되고, 가열로가 밀폐되고, 그리고 웨이퍼에 열처리가 실 시된다. 열처리로서는, 산화 처리, 확산 처리, CVD에 의한 성막 처리 등이 행해진다.
열처리 장치의 구성 부품인 반응관, 웨이퍼 보트 및 단열 유닛(보온 유닛)은, 통상 석영에 의해 구성된다. 이러한 석영 제품은 석영 잉곳으로부터 다양한 공정을 거쳐 가공된다. 이 가공시에, 가공구와 접촉하는 것에 의해서나, 혹은 작업 분위기의 영향 등에 의해 구리 등의 금속 오염이 생기는 일이 있다. 물론, 석영 제품은, 석영 제품의 제조 회사(메이커)에 의해 플루오르화수소산에 의해 세정되는 등 하여 석영 제품의 표면부의 구리는 제거되어 있을 것이다. 그러나, 구리는 이온화 경향이 작기 때문에 플루오르화수소산 중에 용출한 구리가 석영 제품의 표면부 상에 다시 부착되어 버리고, 결과적으로 석영 제품의 표면부에 구리가 미량으로 남는 경우가 있을 수 있는 것이다.
석영 제품은 반도체 제조 장치의 제조 회사(메이커)에 반입되고, 예를 들어 종형 열처리 장치로서 조립되어 사용자에게 출하된다. 이때, 석영 제품의 표면부가 구리에 의해 가령 미량이라도 오염되어 있으면, 사용자가 장치의 운전을 개시하여 웨이퍼의 열처리를 행할 때에, 석영 제품의 표면부의 구리가 가열되어 그 분자 운동이 활발해져, 그 일부가 열처리 분위기 내에 비산하고, 웨이퍼에 부착되어 웨이퍼를 오염시킨다는 문제를 일으킨다. 또한, 최근에 있어서는, 반도체 다비이스의 박막화 내지 미세화가 한층 더 진행되고 있기 때문에, 웨이퍼가 구리에 오염되어 버리면, 그 양이 가령 미량이라도, 전체 디바이스의 전기적 특성에 악영향을 주어, 수율이 저하되어 버린다는 문제도 있다.
한편, 일본 특허 공개 제2002-313787호(특히, 청구항 1, 단락 0017 및 0027)에는, 석영 제품을 열처리 장치로서 조립한 후, 산화 처리의 운용을 행하기 전에, 석영 제품을 염화수소 가스 및 산소 가스에 의해 베이크하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 이 경우, 사용자측에 있어서의 장치의 개시가 지연되어 버린다는 불이익이 있다.
또한, 상기 특허 공개 공보에는, 석영 제품을 열처리 장치로서 조립하기 전에, 상기한 베이크 처리를 행하는 것도 기재되어 있다. 실제로는, 이와 같이 미리 석영 제품을 베이크 처리하는 것이 사용자측의 장치의 개시를 신속하게 하는 데 있어서 득책이다. 이 경우, 종형 열처리 장치의 석영 제품인 반응관, 웨이퍼 보트, 웨이퍼 보트의 하방의 단열 유닛, 온도 센서 유닛 등을 효율적이고, 불균일 없이, 또한, 작업이 행하기 쉬운 방법으로 베이크 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 그러나, 베이크 처리의 구체적인 태양에 관해서는, 상기 특허 공개 공보에서는 전혀 설명이 이루어지고 있지 않다.
본 발명은 이상과 같은 문제점에 착안하여, 이것을 유효하게 해결하기 위해 창안된 것이다. 본 발명의 목적은, 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치의 반응 용기 내에 반입되고, 상기 반응 용기 내의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 석영 제품을 베이크하는 요청에 대해, 복수의 석영 제품을 용이하게 일괄하여 베이크할 수 있는 베이크 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고, 상기 열 처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 제1 석영 제품 및 제2 석영 제품에 포함되는 금속을 제거하기 위한 베이크 방법에 있어서,
제1 지그 요소 부재와 제2 지그 요소 부재가 착탈 가능하게 단차형으로 적층되어 구성되는 지그를 이용하여, 제1 지그 요소 부재에 제1 석영 제품을 적재하고, 상기 제1 지그 요소 부재의 위에 제2 지그 요소 부재를 적층하고, 상기 제2 지그 요소 부재에 제2 석영 제품을 적재하는 공정과,
석영 제품이 단차형으로 적재된 상기 지그를 덮개체의 위에 탑재하고, 상기 덮개체를 상승시켜 베이크용 종형 용기의 하단 개구부로부터 상기 베이크용 종형 용기 내에 상기 지그를 반입하는 동시에, 상기 베이크용 종형 용기의 하단 개구부를 상기 덮개체에 의해 밀폐하는 공정과,
상기 베이크용 종형 용기 내의 분위기를 가열하는 공정과,
염화수소 가스와, 상기 염화수소 가스의 반응성을 높이기 위한 가스를 포함하는 베이크용 가스를 상기 베이크용 종형 용기 내에 공급하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법이다.
반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고 상기 열처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 석영 제품으로서는, 예를 들어, 반응 용기, 기판 보유 지지구, 단열 유닛, 노구(爐口)를 개폐하는 덮개체의 상면측의 커버체 등을 구체예로서 들 수 있다.
상기한 특징에 따르면, 복수의 석영 제품을 용이하게 일괄하여 베이크할 수 있다. 지그 요소 부재의 단수, 즉, 일괄하여 베이크하는 석영 제품의 개수는 물 론, 두 개로 한정되지 않는다. 예를 들어, 소품의 석영 제품을 베이크할 때에는, 지그 요소 부재의 단수를 많게 하여, 일괄하여 베이크하는 석영 제품의 개수를 많게 하는 것이 바람직하다. 한편, 반응 용기나 기판 보유 지지구 등의 대형 부품을 베이크할 때에는, 지그 요소 부재의 단수를 적게 함으로써 전체의 신장을 조정할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 지그 요소 부재 및 상기 제2 지그 요소 부재의 각각은, 서로 적층되는 지그 요소 부재 본체와, 상기 지그 요소 부재 본체에 설치된, 석영 제품을 적재하기 위한 적재판을 갖고 있다.
적재판은, 예를 들어 지그 요소 부재 본체에 대해 착탈 가능하다.
또한, 바람직하게는, 적재판에는 가스 통과용의 개구부가 형성되어 있다.
또한, 예를 들어, 지그 요소 부재 본체는 통형체이다. 이 경우, 바람직하게는, 지그 요소 부재 본체의 주위 벽에 가스를 통과시키기 위한 복수의 가스 통과용의 개구부가 주위 방향으로 분산하여 형성된다. 이러한 구성으로 하면, 가스의 체류가 억제되어 가스가 원활하게 흐른다. 이것에 의해, 지그 요소 부재에 적재된 석영 제품을 고르게 베이크할 수 있다. 또한, 이 경우, 지그 요소 부재 본체의 내경이, 베이크용 종형 용기의 내경에 가까운 크기로 구성되는 것이 바람직하다.
예를 들어, 최상단의 지그 요소 부재에는 석영 제품이 상기 지그 요소 부재보다도 상방으로 돌출한 상태로 적재될 수 있다. 구체적으로는, 최상단의 지그 요소 부재에는 석영 제품으로서 열처리 장치의 반응 용기 또는 기판 보유 지지구가 적재될 수 있다.
또한, 본 발명은, 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고 상기 열처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 석영 제품이며, 상기한 어느 하나의 특징을 구비한 베이크 방법에 의해 베이크 처리된 것을 특징으로 하는 석영 제품이다.
또한, 본 발명은, 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고, 상기 열처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 석영 제품의 세트이며, 상기한 어느 하나의 특징을 구비한 베이크 방법에 의해 동시에 베이크 처리된 것을 특징으로 하는 석영 제품의 세트이다.
또한, 본 발명은, 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고, 상기 열처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 제1 석영 제품 및 제2 석영 제품에 포함되는 금속을 제거하기 위한 베이크 장치이며, 제1 지그 요소 부재와 제2 지그 요소 부재가 착탈 가능하게 단차형으로 적층되어 구성되는 지그와, 제1 지그 요소 부재에 제1 석영 제품을 적재하고, 상기 제1 지그 요소 부재의 위에 제2 지그 요소 부재를 적층하고, 상기 제2 지그 요소 부재에 제2 석영 제품을 적재한 상태의 상기 지그 및 상기 석영 제품이 탑재되는 덮개체와, 상기 덮개체에 의해 하단 개구부가 폐색되는 베이크용 종형 용기와, 상기 베이크용 종형 용기 내의 분위기를 가열하는 가열 장치와, 염화수소 가스와 상기 염화수소 가스의 반응성을 높이기 위한 가스를 포함하는 베이크용 가스를 상기 베이크용 종형 용기 내에 공급하는 가스 공급 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 장치이다.
<제1 실시 형태>
본 발명의 제1 실시 형태에 관한 베이크 방법을 실시하기 위한 베이크 장치에 대해 설명한다.
도1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 베이크 장치를 도시하는 개략 종단면도이다. 이 베이크 장치는, 후술하는 베이크용의 지그에 적재되는 석영 제품을 베이크 처리하는 장치이다.
도1에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 베이크 장치는, 비금속제 예를 들어 석영제의 원통형으로 형성된 종형 용기(2)를 구비하고 있다. 이 종형 용기(2)의 하단부는 반입 출구(노구)로서 개방되어 있다. 그 개구부(21)의 주연부에는 플랜지(22)가 일체로 형성되어 있다. 종형 용기(2)의 하방에는 플랜지(22)의 하면에 접촉하여 개구부(21)를 기밀하게 폐쇄할 수 있는, 예를 들어 석영제의 덮개체(23)가 설치되어 있다. 덮개체(23)는, 승강 기구(24)에 의해 승강 가능하게 구성된 엘리베이터(25)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 이 덮개체(23)의 위에, 후술하는 베이크용의 지그가 탑재된다.
종형 용기(2)의 주위에는, 통형의 예를 들어 냉각된 캔 부재(20)가 마련되어 있다. 또한 캔 부재(20)의 예를 들어 내측에, 가열 수단인 히터(26), 예를 들어 카본 와이어 히터가 설치되어 있다. 또한, 히터는 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 철-탄탈-카본 합금 등의 금속체라도 좋다. 또한, 종형 용기(2)는 석영제에 한정되지 않고, 예를 들어 세라믹스 등으로 제조되어 있어도 좋다.
또한, 종형 용기(2)의 하방부의 측면에는 배기관(27)이 접속되어 있다. 배 기관(27)의 기단부측에는 배기 수단인 흡인 펌프(28)가 접속되어 있다. 이 흡인 펌프(28)에 의해, 종형 용기(2) 내에 공급되는 베이크용의 가스 및 퍼지 가스가 배기되도록 되어 있다.
또한, 종형 용기(2)의 상방부의 측면에는, 염화수소 가스와, 상기 염화수소 가스의 반응성을 높이기 위한 가스를 포함하는 베이크용의 가스를 종형 용기(2) 내에 공급하기 위한 가스 공급 수단인 가스 공급관(가스 공급부)(3)이, 예를 들어 횡방향으로 종형 용기(2) 내에 돌출하도록 마련되어 있다. 또한, 가스 공급관(3)은 1군데에 마련되는 구성으로 한정되지 않고, 예를 들어 종형 용기(2)의 주위 방향을 따라 복수 병렬로 배치되어도 좋다. 또한, 염화수소 가스의 반응성을 높이기 위한 가스로서는, 산소, 수증기, 질소, 수소 및 오존 중으로부터 적어도 일종 이상의 가스가 선택되는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에서는, 가스 공급관(3)의 타단부측(외부 접속측)은 세 개로 분기되어 있다. 각 분기관에, 염화수소(HCl) 가스 공급원(31), 산소(O2) 가스 공급원(32), 질소(N2) 가스 공급원(33)이 각각 마련되어 있다. 각 분기관의 도중에는 가스 공급 기기군(31a, 32a, 33a)이 각각 설치되어 있다. 이것에 의해, 염화수소 가스, 산소 가스 및 질소 가스가 독립되어 유량 조정되면서 공급 가능하도록 구성되어 있다. 또한, 불활성 가스인 질소 가스는 종형 용기(2) 내의 퍼지 가스로서 사용된다. 퍼지 가스로서는 질소 가스에 한정되지 않고, 불활성 가스를 이용해도 좋다. 퍼지 가스에 질소 가스 이외의 불활성 가스를 이용하는 경우에는, 상기 가 스의 공급 수단을 별도 마련할 필요가 있다. 또한, 상기 가스 공급 기기군(31a, 32a, 33a)은, 구체적으로는, 예를 들어 밸브나 매스플로우 컨트롤러 등으로 구성되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 염화수소 가스의 반응성을 높이기 위한 가스로서, 산소 가스와 질소 가스와의 조합이 선택되고 있다. 그러나, 염화수소 가스의 반응성을 높이기 위한 가스의 조합으로서는, 예를 들어, 산소 가스와 질소 가스, 수소 가스와 질소 가스, 수증기와 질소 가스, 수증기와 산소 가스 등의 조합도 예로서 들 수 있다.
다음에, 상술한 베이크 장치를 이용하여 베이크 처리된 석영 제품이 탑재된 열처리 장치의 일례를, 도2를 이용하여 설명해 둔다. 도2에 도시하는 열처리 장치에서는, 베이크 처리된 석영 제품으로서, 석영제의 종형의 반응 튜브(4)를 구비하고 있다. 웨이퍼(W)가 반응 튜브(4)의 내부에 배치되도록 되어 있다. 즉, 반응 튜브(4)가, 웨이퍼(W)의 열처리 처리 분위기를 구획하도록 되어 있다. 반응 튜브(4)의 하단부측은 개방되어 있다. 그 하단 개구부는, 승강 가능한 석영제의 덮개체(41)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 석영제의 덮개체(41)도 베이크 처리된 석영 제품이다.
반응 튜브(4)의 상단부측은, 직경 축소하는 배기부(40)로서 구성되어 있다. 이 배기부(40)는 또한 굴곡하여, 그 선단부는 개방되는 배기구(40a)로 되어 있다.
덮개체(41)의 위에는, 단열 유닛(42)을 통해, 복수매의 기판 예를 들어 25 내지 50매의 웨이퍼(W)가 선반형으로 적재되는 석영제의 웨이퍼 보트(기판 보유 지 지구)(43)가 설치되어 있다. 또한, 반응 튜브(4)의 하단부 근방의 측면에는, 반응 튜브(4) 내에 있어서 상방향으로 연장하는 석영제의 L자형 인젝터(44)가 삽입되어 있다. 또한, 반응 튜브(4)의 주위에는 통형의 캔 부재(4a)가 마련되어 있다. 이 캔 부재(4a)에, 반응 튜브(4) 내의 분위기를 가열하기 위한 히터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
다음에, 상술한 베이크용 종형 용기(2) 내에 석영 제품을 반입하기 위한 베이크용의 지그에 대해, 도3 및 도4를 참조하면서 설명한다.
도3 및 도4에 도시하는 베이크용의 지그(6)는 3개의 원통 부재(통형체)(51, 52, 53)를 적층한 것이다. 이들의 원통 부재(51, 52, 53)는, 지그 요소 부재로서, 서로 적층되는 태양으로 착탈 가능하게 되어 있다. 이들 원통 부재(51, 52, 53)의 외경은, 상술한 종형 용기(2)의 내경보다도, 예를 들어 20 ㎜ 내지 60 ㎜만큼 작게 구성되어 있다.
1단째의 원통 부재(51) 및 2단째의 원통 부재(52)의 각각의 주위 벽에는, 그 하부 모서리측에 있어서, 도3 및 도4에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 반원형 혹은 U자형으로, 베이크용의 가스를 통과시키기 위한 개구부(51a, 52a)가 절결되어 있다. 각 개구부(51a, 52a)는, 주위 방향에 복수, 본 실시 형태에서는 8개 형성되어 있다. 또한, 2단째의 원통 부재(52)의 상단부면에는, 주위 방향을 따르도록 링 형상 지지부(52b)가 형성되어 있다. 또한, 최상단의 원통 부재(53)에는, 주위 방향을 따르도록 기립편(53b)이 예를 들어 3개 형성되어 있다. 최상단의 원통 부재(53)에 있어서는, 인접하는 기립편(53b)과 기립편(53b)과의 사이의 간극이, 베이 크용의 가스를 통과시키기 위한 개구부(53a)로 되어 있다.
또한, 도4에 도시하는 바와 같이, 2단째의 원통 부재(52)의 하단부면에는 단차부(7)가 형성되어 있다. 이 단차부(7)가, 1단째의 원통 부재(51)의 상단부면에 형성된 단차부(71)와 결합함으로써, 1단째의 원통 부재(51)와 2단째의 원통 부재(52)가 끼워 맞추어지도록 되어 있다. 최상단의 원통 부재(53)와 2단째의 원통 부재(52)에 대해서도, 같은 구조에 의해 서로 끼워 맞추어지도록 되어 있다.
도5는 석영 제품이 적재된 도3의 베이크용의 지그를 베이크 장치 내에 반입한 상태를 도시하는 도면이다. 본 실시 형태에서는, 도5에 도시하는 바와 같이, 베이크 장치의 덮개체(23)의 위에, 1단째의 원통 부재(51)가 적재된다. 다음에, 이 원통 부재(51)의 위에 2단째의 원통 부재(52)가 적재된다. 다음에, 2단째의 원통 부재(52)의 상단부면에 형성된 링 형상 지지부(52b)에 베이크 대상인 석영 제품으로서의 덮개체(41)가 적재된다. 구체적으로는, 링 형상 지지부(52b)에 의해 덮개체(41)의 주연부가 지지된다. 그리고, 덮개체(41)가 적재된 원통 부재(52)의 위에 최상단의 원통 부재(53)가 적재된다. 그리고, 주위 방향을 따르도록 형성된 기립편(53b)의 위에 베이크 대상인 석영 제품으로서의 반응 튜브(4)가 적재된다. 구체적으로는, 3개의 기립편(53b)에 의해 반응 튜브(4)의 하방측의 플랜지 부분이 지지된다.
도5에 도시하는 바와 같이, 반응 튜브(4)의 상단부측의 배기구(40a)는, 종형 용기(2)의 상방측 측면으로부터 돌출하도록 마련된 가스 공급관(3)에 대향하도록 배치된다. 이것에 의해, 후술하는 바와 같이, 가스 공급관(3)을 통해 종형 용 기(2) 내에 공급되는 베이크용의 가스는, 반응 튜브(4)의 상단부측의 배기구(40a)로부터 들어가, 반응 튜브(4) 내를 하방측을 향해 흐른다.
또한, 도5에 도시하는 바와 같이, 1단째의 원통 부재(51)와 2단째의 원통 부재(52)로 둘러싸이는 영역에는, 상하 방향에 선반형으로 복수의 차열판(50)이 설치되어 있다. 각 차열판(50)은 지지 부재(50a)를 통해, 구체적으로는 지지 부재(50a)에 복수 마련된 도시되지 않은 홈부를 통해 덮개체(23)에 지지되도록 되어 있다. 또한, 도6은 도5의 A1-A1선 단면도이다.
계속해서, 도1에 도시하는 베이크 처리 장치를 이용하여, 대기압 하에 있어서, 도2에 도시하는 열처리 장치를 구성하는 석영 제품을 베이크 처리하는 공정에 대해 상세하게 설명한다. 본 실시 형태에서는, 도2에 도시된 반응 튜브(4) 및 덮개체(41)가 베이크 처리된다.
우선, 베이크 장치의 덮개체(23)가 하강 위치로 설정된다. 이 상태에서, 상기 덮개체(23)의 상방에 있어서, 기술한 바와 같이, 지그 요소 부재인 원통 부재(51, 52, 53)의 적층 작업이 행해지는 동시에, 각 석영 제품이 지그(6)에 탑재된다. 구체적으로는, 반응 튜브(4)와 덮개체(41)가 지그(6)에 탑재된다. 그리고, 덮개체(23)를 상승시킴으로써 종형 용기(2) 내에 지그(6) 및 석영 제품(4, 41)이 반입되고, 하방측 개구부(21)가 덮개체(23)에 의해 폐쇄되어, 종형 용기(2)가 기밀 상태로 된다. 또한, 지그(6)는, 종형 용기(2)의 하방측의 측면에 형성된 배기구와, 각 원통 부재(51, 52, 53)의 주위 벽에 형성된 개구부(51a, 52a, 53a)가 대향하도록 조립된다(배치됨).
계속해서, 가스 공급 기기군(33a) 내의 밸브가 개방되고, 예를 들어 20 L/min의 유량으로 종형 용기(2) 내에 질소(N2) 가스가 공급되고, 상기 종형 용기(2) 내의 퍼지 처리가 행해진다. 그러한 후, 히터(26)의 가열 동작이 개시되어, 종형 용기(2) 내의 분위기가 소정의 온도, 예를 들어 800 내지 1000 ℃로 된다.
다음에, 가스 공급 기기군(31a) 내의 밸브가 개방되고, 예를 들어 2 L/min의 유량으로 종형 용기(2) 내에 염화수소(HCl) 가스가 공급된다. 이것과 동시에, 가스 공급 기기군(32a) 내의 밸브가 개방되고, 예를 들어 8 L/min의 유량으로 종형 용기(2) 내에 산소(O2) 가스가 공급된다.
종형 용기(2) 내에 공급된 염화수소 가스와 상기 가스의 반응성을 높이는 산소 가스로 이루어지는 베이크용의 가스는, 반응 튜브(4)의 상단부측의 배기구(40a)로부터 들어가, 반응 튜브(4) 내를 하방측을 향해 흐른다. 반응 튜브(4)를 통과한 베이크용의 가스는, 원통 부재(51, 52, 53)의 외주벽과 종형 용기(2)의 내주벽과의 사이에 형성된 간극(S)(도5 및 도6 참조)을 통해, 2단째의 원통 부재(52) 및 1단째의 원통 부재(51)의 주위 벽에 각각 형성된 개구부(52a, 51a)로부터 지그(6) 내에 유입되거나, 혹은, 지그(6) 내를 관통하여 개구부(52a, 51a)로부터 상기 간극(S)에 다시 유출된다.
도7은 가스가 개구부(52a, 51a)로부터 간극(S)을 향해 유출되는 상태를 도시하는 도면이다. 종형 용기(2)의 하단부측에 도달한 베이크용의 가스는, 간극(S)을 통해, 종형 용기(2)의 하방측 측면에 접속된 배기관(27)으로부터 외부로 배기된다.
이와 같이 하여, 종형 용기(2) 내에 베이크용의 가스를 공급함으로써, 베이크 처리가 소정 시간 예를 들어 3 내지 20시간 행해진다. 이것에 의해, 반응 튜브(4)의 내주면 및 덮개체(41)의 표면부에 포함되는 금속, 예를 들어 구리(Cu)가 염화수소와 반응하여 염화물로 되어, 석영 표면으로부터 탈락하고, 베이크용의 가스에 동반하여 배기관(27)으로부터 외부로 배기된다.
소정 시간이 경과한 후, 가스 공급 기기군(31a) 내의 밸브가 폐쇄되어, 염화수소 가스의 공급이 정지된다. 이것과 동시에, 산소 가스의 공급 유량이 5 L/min으로 설정되어, 산소 퍼지가 행해진다.
이 산소 퍼지는, 필요에 따라서 행해지는 것이지만, 베이크용의 가스를 공급한 후에 산소 퍼지를 행하면 염화수소가 산화되어 염소산이 생성한다. 이것에 의해, 석영의 표면의 미결합손과 염소산이 결합하여 불순물로 되는 것이 억제될 수 있다.
산소 퍼지가 종료된 후, 가스 공급 기기군(32a) 내의 밸브가 폐쇄되어, 산소 가스의 공급이 정지된다. 그리고, 종형 용기(2) 내의 질소 퍼지가 행해진다. 그러한 후, 가스 공급 기기군(33a) 내의 밸브가 폐쇄되어, 질소 가스의 공급이 정지된다. 또한 계속해서, 히터(26)의 가열 동작이 정지되어, 종형 용기(2) 내의 온도가 상온이 될 때까지 자연 냉각된다. 그러한 후, 덮개체(23)가 하강되어 종형 용기(2)로부터 상기 지그(6)가 반출되는 동시에, 종형 용기(2)가 기밀 상태로부터 개방된다. 또한 덮개체(23)가 하강 위치에 도달하면, 덮개체(23) 상의 지그(6)가 분해되어 반응 튜브(4)와 덮개체(41)가 취출된다. 이것에 의해 베이크 처리가 종료 한다. 이들 반응 튜브(4) 및 덮개체(41)는 웨이퍼(W)를 열처리하는 종형 열처리 장치에 조립된다.
이상과 같은 제1 실시 형태에 따르면, 2단째의 원통 부재(52)의 위에 덮개체(41)를 적재하고, 그 위에 최상단의 원통 부재(53)를 적층하고, 또한 원통 부재(53)의 위에 반응 튜브(4)를 적재하도록 하고 있다. 이것에 의해, 간단한 구조의 지그이면서, 석영 제품인 반응 튜브(4) 및 덮개체(41)를 일괄하여 베이크할 수 있다. 또한, 지그에 대한 석영 제품의 빌트인 작업 내지 취출 작업도 매우 용이하다. 그리고, 원통 부재(51, 52, 53)를 베이크로의 종형 용기(2)의 내경에 가까운 크기의 통형체에 의해 구성하고 있고, 또한 그 주위 벽에 복수의 가스 통과용의 개구부(51a, 52a, 53a)가 형성되어 있기 때문에, 가스의 체류가 억제되어 가스가 원활하게 흐른다. 이것에 의해, 원통 부재(52, 53)에 적재되어 있는 반응 튜브(4) 및 덮개체(41)를 고르게 베이크할 수 있다.
<제2 실시 형태>
계속해서, 상술한 종형 용기(2) 내에 석영 제품을 반입하기 위한 베이크용의 지그의 다른 실시 형태에 대해, 도8 및 도9를 참조하면서 설명한다. 또한, 도3 및 도4에 도시된 것과 동일한 구성 부분에 대해서는, 동일한 부호를 붙이는 동시에, 그 설명을 생략한다.
도8 및 도9에 도시하는 베이크용의 지그(106)는, 5개의 통형체(151, 152, 154, 155, 156)를 적층한 것이다. 이들의 통형체(151, 152, 154, 155, 156)는, 지그 요소 부재로서 서로 적층되는 태양으로 착탈 가능하게 되어 있다. 1단째 내지 3단째의 통형체(151, 152, 154)는 제1 실시 형태의 원통 부재(51, 52, 53)와 같은 구조 및 크기이고, 각각 개구부(151a, 152a, 154a)가 형성되어 있다. 또한, 3단째의 통형체(154)의 상단부면에는, 주위 방향을 따르도록 링 형상 지지부(154b)가 형성되어 있다. 이 링 형상 지지부(154b)에는 적재판(154c)이 적재되도록 되어 있다.
4단째의 통형체(155)는, 그 상단 개구부가, 그 하단 개구부보다도 약간 직경 축소된 형상을 갖고 있다. 이 직경 축소된 형상의 상단 개구부의 상면에는, 주위 방향을 따르도록 링 형상 지지부(155b)가 형성되어 있다. 이 링 형상 지지부(155b)에는 적재판(155c)이 적재되도록 되어 있다. 또한, 이 통형체(155)의 주위 벽에는, 그 하부 모서리측에 있어서, 도8 및 도9에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 반원형 혹은 U자형으로, 베이크용의 가스를 통과시키기 위한 개구부(155a)가 절결되어 있다. 개구부(155a)는 주위 방향에 복수, 본 실시 형태에서는 4개 형성되어 있다.
또한, 4단째의 통형체(155)의 위에 적재되는 최상단의 통형체(156)의 주위 벽에는, 그 상부 모서리측으로부터, 도8 및 도9에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 반원형 혹은 U자형으로, 베이크용의 가스를 통과시키기 위한 1개의 개구부(156a)가 절결되어 있다. 그리고, 통형체(156)의 주위 벽의 상기 개구부(156a)에 대향하는 위치에 있어서, 상기 주위 벽 하부 모서리측으로부터, 도8 및 도9에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 반원형 혹은 U자형으로, 베이크용의 가스를 통과시키기 위한 1개의 개구부(156c)가 절결되어 있다. 그 밖에, 최상단의 통형체(156)의 상단부면에 는 주위 방향을 따라 오목부(156d)가 복수, 본 실시 형태에서는 3개 형성되어 있다.
또한, 도9에 도시하는 바와 같이, 4단째의 통형체(155)의 상단부면에는, 주위 방향을 따르도록 단차부(172)가 형성되어 있다. 이 단차부(172)가, 최상단의 통형체(156)의 하단부면과 끼워 맞추어지도록 되어 있다. 또한, 도4와 마찬가지로 하여, 1단째의 통형체(151)와 2단째의 통형체(152)가 끼워 맞추어지고, 2단째의 통형체(152)와 3단째의 통형체(154)가 끼워 맞추어지고, 3단째의 통형체(154)와 4단째의 통형체(155)가 끼워 맞추어지도록 되어 있다.
도10은 석영 제품이 적재된 도8의 베이크용의 지그(106)를 베이크 장치 내에 반입한 상태를 도시하는 도면이다. 도10의 각 단면이 도11 내지 도15에 도시되어 있다. 구체적으로는, 도11은 도10의 A2-A2선 단면도이고, 도12는 도10의 B2-B2선 단면도이고, 도13은 도10의 C2-C2선 단면도이고, 도14는 도10의 D2-D2선 단면도이고, 도15는 도10의 E2-E2선 단면도이다.
본 실시 형태에서는, 도10에 도시하는 바와 같이, 베이크 장치의 덮개체(123)의 위에 1단째의 통형체(원통 부재)(151)가 적재된다. 다음에, 이 통형체(151)의 위에 2단째의 통형체(원통 부재)(152)가 적재된다. 다음에, 2단째의 통형체(152)의 상단부면에 형성된 링 형상 지지부(152b)에 적재판(152c)이 적재되고, 그 위에 베이크 대상인 석영 제품으로서의 소품류(48)가 적재된다.
다음에, 2단째의 통형체(152)의 위에 3단째의 통형체(원통 부재)(154)가 적재된다. 이 3단째의 통형체(154)의 상단부면에 형성된 링 형상 지지부(154b)에 적 재판(154c)이 적재되고, 그 위에 베이크 대상인 석영 제품으로서의 인젝터(44) 및 통 부품(46, 47)이 적재된다.
다음에, 3단째의 통형체(154)의 위에 4단째의 통형체(155)가 적재된다. 이 4단째의 통형체(155)의 상단부면에 형성된 링 형상 지지부(155b)에 중앙 부분이 크게 개방된 적재판(155c)이 적재된다. 그리고, 도12에 도시하는 바와 같이, 상기 적재판(155c)의 위에, 베이크 대상인 석영 제품으로서의 단열 부재(81)[단열 유닛(42)을 구성함]가 적재된다.
다음에, 4단째의 통형체(155)의 위에 최상단의 통형체(156)가 적재된다. 이 최상단의 통형체(156)의 상단부면에, 도11에 도시하는 바와 같이 중앙부가 개방되는 동시에 주연부가 크게 절결된 대략 링 형상의 적재판(156b)이 적재된다. 그리고, 도11에 도시하는 바와 같이, 이 대략 링 형상의 적재판(156b)의 위에, 베이크대상인 석영 제품으로서의 웨이퍼 보트(43)가 적재된다. 구체적으로는, 도10에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보트(43)의 회전축이 적재판(156b)의 중앙 개구부를 관통하여 적재판(155c)의 중앙 개구부 부근까지 삽입되고, 웨이퍼 보트(43)의 하방측의 원판 주연 부분이 적재판(156b)에 접촉되어 지지된다.
또한, 도12 내지 도14에 도시하는 바와 같이, 각 적재판(152c, 154c, 155c)에는 개구부(152d, 154d, 155d)가 각각 형성되어 있다. 이들 개구부(152d, 154d, 155d)의 패턴(크기 내지 배치 태양)은 가스의 흐름이나 각 적재판 상에 적재되는 석영 제품에 따라서 적절하게 설계된다.
도10 및 도15에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 덮개 체(123) 상에 지지 부재(50a)를 통해 차열판(50)이 적재된다. 여기서는, 도15에 도시하는 바와 같이, 차열판(50)의 외경은 1단째의 통형체(151)의 외경보다도 작게 구성되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 도9에 도시하는 바와 같이, 지그(106)가 탑재되는 덮개체(123)의 하단부면에, 열처리 장치를 구성하는 석영 제품을 고정하기 위한 두 개의 접속 포트(157, 158)가 설치되어 있다. 도10에 도시하는 바와 같이, 접속 포트(157)에는, 종형 용기(2) 내에 있어서 상방향으로 연장하는 동시에 내부에 열전대가 마련된 온도 센서(49)가 삽입된다. 한편, 접속 포트(158)에는, 내부에 급전체가 설치되고 그 상단부에 발열판(8)이 고정된 지지 로드(80)가 삽입된다. 온도 센서(49)의 기단부측에는 케이블(49a)이 접속되어 있고, 온도 센서(49)가 접속 포트(157)에 삽입된 경우에는, 케이블(49a)이 접속 포트(157)의 하방측으로부터 연장 돌출하도록 되어 있다. 이것에 의해, 베이크 처리시에 케이블(49a)이 가열되는 것이 방지될 수 있다. 또한, 발열판(8)은 제2 통형체(152)와 차열판(50)에 의해 둘러싸이는 영역에 배치된다.
다음에, 도10을 참조하면서, 종형 용기(2) 내에 베이크용의 가스가 공급된 경우의 종형 용기(2) 내에 있어서의 베이크용의 가스의 흐름에 대해 설명한다. 종형 용기(2) 내에 공급된 베이크용의 가스는, 우선, 웨이퍼 보트(43)를 따라 하방측을 향해 흐른다. 웨이퍼 보트(43)의 웨이퍼(W)의 적재 영역을 통과한 베이크용의 가스는, 통형체(151, 152, 154, 155, 156)의 외주벽과 종형 용기(2)의 내주벽과의 사이에 형성된 간극(S)(도10, 도12, 도13, 도14 및 도15 참조)을 통해, 1단째의 통 형체(151), 2단째의 통형체(152), 3단째의 통형체(154), 4단째의 통형체(155) 및 최상단의 통형체(156)의 주위 벽에 각각 형성된 개구부(151a, 152a, 154a, 155a, 156a, 156c)로부터 지그(106) 내에 유입되거나, 혹은, 지그(106) 내를 관통하여 개구부[151a, 152a, 154a, 155a, 156c(156a)]로부터 상기 간극(S)에 다시 유출된다.
도16은, 가스가 개구부[151a, 152a, 154a, 155a, 156a(156c)]로부터 간극(S)을 향해 유출되는 상태를 도시하는 도면이다. 종형 용기(2)의 하단측에 도달한 베이크용의 가스는, 간극(S)을 통해, 종형 용기(2)의 하방측 측면에 접속된 배기관(27)으로부터 외부로 배기된다.
이상과 같은 제2 실시 형태에 따르면, 통형체(151, 152, 154, 155)와 소품의 석영 제품을 순차 적층하여, 최상단의 통형체(156)에 웨이퍼 보트(43)를 적재하도록 하고 있다. 이것에 의해, 간단한 구조의 지그이면서, 석영 제품인 많은 소품 및 웨이퍼 보트(43)를 일괄하여 베이크할 수 있다. 또한, 지그(106)에 대한 석영 제품의 빌트인 작업 내지 취출 작업도 매우 용이하다. 또한, 통형체(151, 152, 154, 155, 156)의 주위 벽에 개구부[151a, 152a, 154a, 155a, 156a(156c)]가 각각 형성되어 있기 때문에, 가스의 체류가 억제되어 가스가 원활하게 흐른다. 이것에 의해, 통형체(151, 152, 154, 155, 156)에 적재되어 있는 소품 및 웨이퍼 보트(43)를 고르게 베이크할 수 있다. 또한, 제2 실시 형태의 통형체의 일부를 제1 실시 형태의 지그(6)에 조립하여, 베이크 처리를 행할 수도 있다.
다음에, 베이크용의 지그의 다른 사용 형태에 대해 설명한다. 본 형태에서 는, 도17 및 도18에 도시하는 통형체(251, 252)[전술한 통형체(51, 52)와 동일 구 성임]를 이용하여, 도19에 도시하는 바와 같이, 석영 제품인 복수의 온도 센서(282)에 동시에 베이크 처리가 행해지는 것이다.
도19에 도시하는 바와 같이, 온도 센서(282)가, 덮개체(223)의 측면에 형성된 접속 포트(259)에 삽입된다. 여기서, 도20에 도시하는 바와 같이, 덮개체(223)의 측면에는 복수의 접속 포트(259)가 설치되어 있다. 그리고, 그들 접속 포트(259)에 온도 센서(282)가 각각 삽입된다. 또한, 도20은 도19의 A3-A3선 단면도이다.
도19의 사용 형태에서는, 석영 제품인 복수의 온도 센서(282)와 함께, 통형체(251, 252) 및 적재판(252b)을 이용하여 석영 제품인 단열 부재(281)도 동시에 베이크 처리하고 있다. 이와 같이, 통형체(251, 252)를 이용하여 유연하게 사용 형태를 결정할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치의 반응 용기 내에 반입되고, 상기 반응 용기 내의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 석영 제품을 베이크하는 요청에 대해, 복수의 석영 제품을 용이하게 일괄하여 베이크할 수 있다.
Claims (16)
- 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고, 상기 열처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 제1 석영 제품 및 제2 석영 제품에 포함되는 금속을 제거하기 위한 베이크 방법에 있어서,제1 지그 요소 부재와 제2 지그 요소 부재가 착탈 가능하게 단차형으로 적층되어 구성되는 지그를 이용하여, 제1 지그 요소 부재에 제1 석영 제품을 적재하고, 상기 제1 지그 요소 부재의 위에 제2 지그 요소 부재를 적층하고, 상기 제2 지그 요소 부재에 제2 석영 제품을 적재하는 공정과,석영 제품이 단차형으로 적재된 상기 지그를 덮개체의 위에 탑재하고, 상기 덮개체를 상승시켜 베이크용 종형 용기의 하단 개구부로부터 상기 베이크용 종형 용기 내에 상기 지그를 반입하는 동시에, 상기 베이크용 종형 용기의 하단 개구부를 상기 덮개체에 의해 밀폐하는 공정과,상기 베이크용 종형 용기 내의 분위기를 가열하는 공정과,염화수소 가스와, 상기 염화수소 가스의 반응성을 높이기 위한 가스를 포함하는 베이크용 가스를 상기 베이크용 종형 용기 내에 공급하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 지그 요소 부재 및 상기 제2 지그 요소 부재의 각각은,서로 적층되는 지그 요소 부재 본체와,상기 지그 요소 부재 본체에 설치된, 석영 제품을 적재하기 위한 적재판을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법.
- 제2항에 있어서, 적재판은 지그 요소 부재 본체에 대해 착탈 가능한 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법.
- 제2항에 있어서, 적재판에는 가스 통과용의 개구부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법.
- 제2항에 있어서, 지그 요소 부재 본체는 통형체인 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법.
- 제5항에 있어서, 지그 요소 부재 본체의 주위 벽에는 가스를 통과시키기 위한 복수의 가스 통과용의 개구부가 주위 방향으로 분산하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법.
- 제1항에 있어서, 최상단의 지그 요소 부재에는 석영 제품이 상기 지그 요소 부재보다도 상방으로 돌출한 상태로 적재되는 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법.
- 제7항에 있어서, 최상단의 지그 요소 부재에는 석영 제품으로서 열처리 장치의 반응 용기 또는 기판 보유 지지구가 적재되는 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 방법.
- 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고, 상기 열처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 석영 제품이며,제1항에 기재된 베이크 방법에 의해 베이크 처리된 것을 특징으로 하는 석영 제품.
- 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고, 상기 열처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 석영 제품의 세트이며,제1항에 기재된 베이크 방법에 의해 동시에 베이크 처리된 것을 특징으로 하는 석영 제품의 세트.
- 반도체 기판을 열처리하는 열처리 장치 내에 반입되고, 상기 열처리 장치의 열처리 분위기에 적어도 일부가 접촉하는 제1 석영 제품 및 제2 석영 제품에 포함되는 금속을 제거하기 위한 베이크 장치이며,제1 지그 요소 부재와 제2 지그 요소 부재가 착탈 가능하게 단차형으로 적층되어 구성되는 지그와,제1 지그 요소 부재에 제1 석영 제품을 적재하고, 상기 제1 지그 요소 부재의 위에 제2 지그 요소 부재를 적층하고, 상기 제2 지그 요소 부재에 제2 석영 제품을 적재한 상태의 상기 지그 및 상기 석영 제품이 탑재되는 덮개체와,상기 덮개체에 의해 하단 개구부가 폐색되는 베이크용 종형 용기와,상기 베이크용 종형 용기 내의 분위기를 가열하는 가열 장치와,염화수소 가스와, 상기 염화수소 가스의 반응성을 높이기 위한 가스를 포함하는 베이크용 가스를 상기 베이크용 종형 용기 내에 공급하는 가스 공급 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 지그 요소 부재 및 상기 제2 지그 요소 부재의 각각은,서로 적층되는 지그 요소 부재 본체와,상기 지그 요소 부재 본체에 설치된, 석영 제품을 적재하기 위한 적재판을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 장치.
- 제12항에 있어서, 적재판은 지그 요소 부재 본체에 대해 착탈 가능한 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 장치.
- 제12항에 있어서, 적재판에는 가스 통과용의 개구부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 장치.
- 제12항에 있어서, 지그 요소 부재 본체는 통형체인 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 장치.
- 제15항에 있어서, 지그 요소 부재 본체의 주위 벽에는 가스를 통과시키기 위한 복수의 가스 통과용의 개구부가 주위 방향으로 분산하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 석영 제품의 베이크 장치.
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