KR20070115641A - 조명 장치 및 액정표시장치 - Google Patents

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KR20070115641A
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

편광특성을 사용하는 기기에의 광원으로서 사용하는 장치에 대하여, 구체적으로는, 이 광원을 백라이트로서 액정 패널에 응용하는 경우에, 편광기능의 부여와, 광 이용효율의 향상을 꾀하는 광원 구조의 제안을 행한다. 더구나, 이 광원을 이용한 액정표시장치의 광원 일체 탑재 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다. 반사 재료로 이루어지는 제1의 전극, EL층, 투명 도전막으로 이루어지는 제2의 전극을 갖고, EL 층에서 발생한 빛은 제2의 전극에서 추출되고, 제2의 전극의 빛이 추출되는 측에는, 공기의 층을 개재시키지 않고 선택 반사 구조체가 설치되고, 선택 반사 구조체는 특정한 편광 성분의 빛을 투과시키고, 그 이외의 성분의 빛을 반사시키는 기능을 갖는 광원으로 한다.
조명 장치, 액정표시장치, 백라이트, 선택 반사 구조체

Description

조명 장치 및 액정표시장치{LIGHTING DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
도1은 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도2는 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도3은 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도4는 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도5는 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도6은 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도7은 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도8은 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도9는 본 발명의 액정표시장치를 설명하는 도면.
도10은 본 발명의 액정표시장치를 설명하는 도면.
도11은 본 발명의 전자기기를 설명하는 도면.
도12는 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도13은 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
도14는 본 발명의 조명 장치를 설명하는 도면.
본 발명은, 조명 장치, 면 광원을 일체로 탑재한 액정소자, 액정표시장치에 관한 것이다.
액정 패널 등의 플랫 패널 디스플레이의 개선이 진행되어, 영상의 고품위화, 저소비 전력화, 장기 수명화가 도모되고 있다. 이에 대하여 PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emmision Display), SED(Surface-Conduction Electron-emitter Display), 유기 일렉트로루미네센스(Electro Luminescence: 이하 EL이라고도 한다), 무기 EL 등의 여러 가지의 자발광형의 디스플레이가 연구되어, 일부 실용화되는 것에 이르고 있다. 이들 자발광형의 표시 디바이스를 사용한 디스플레이는, 액정 모니터 시장에 먹혀 들어가는 것을 목적으로 개발이 계속되고 있다. 이들 디스플레이에서는, 액정과 같이 백라이트가 필요 없는 것에 의해 제품의 디스플레이부의 두께를 얇게 할 수 있고, 소비 전력적으로 유리인 것이 특징의 하나로 들 수 있다.
생산 기술, 인프라에 있어서, 소형으로부터 대형까지의 상품 레파토리에 풍부하는 액정 모니터하도, 상기한 자발광형의 디스플레이의 시장투입은 위협으로, 액정 패널을 사용하는 디스플레이도 남는다는 과제에 대한 대응이 필요한 상황이 되고 있다.
앞에서 든 액정 모니터에 있어서의 과제로서는, 백라이트를 필요로 하는 것에 의한 스페이스, 그리고, 이것을 구동하기 위한 소비 전력의 저감, 또한 액정의 입력 광으로서 편광된 빛을 필요로 하는 것에 의한 편광 이외의 빛의 손실, 및 입사광을 면 내에서 균일하게 하기 위한 광학 필름 등의 구조물에 의한 비용 상승 및 스페이스의 증가 등의 개선을 생각할 수 있다.
상기 과제를 해결함에 있어서, 냉음극관 소형화, 고효율화, 장수명화의 개발이 계속되고 있다. 또는 냉음극관 대신에, 발광 다이오드의 발광 효율의 개선의 연구가 행해져 개선이 진행하고 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조). 그러나, 이들 광원은 선 또는 점광원으로, 휘도의 균일화를 도모하기 위해서, 강한 산란성을 갖는 산란판이나 도광판이 필요하게 된다.
더구나, 빛의 유효이용을 꾀하기 위해서, 광원과, 액정 패널과의 사이에, 복수 종류의 고가의 휘도 상승 필름을 조합시켜서 배치하는 것 등의 대응을 한 것도 있다. 이들 필름은 소정의 편광의 빛의 성분을 투과시키고, 다른 성분을 광원측으로 되돌려, 이 빛을 광원측에서 반사시키고, 편광방향을 변화시켜서 다시 패널의 입사광으로서 재이용을 도모하는 것이다.
[특허문헌 1] 일본국 특개평 8-248420호 공보
그러나, 이들 필름은 점광원 또는 선 광원과, 빛의 굴절률 차이가 큰 공기의 층을 거쳐서 배치되게 되므로, 계면 손실 등의 손실을 간과하지 할 수 없어 한층 개선이 요청된다. 또한 이들의 비용도 높고, 설치 공간을 필요로 하는 등의 과제가 남는다.
본 발명은, 편광특성을 사용하는 기기에의 광원으로서 사용하는 조명 장치에 대하여, 구체적으로는, 이 조명 장치를 백라이트로서 액정 패널에 응용할 경우에, 편광 기능의 부여와, 광이용 효율의 향상을 꾀하는 조명 장치 구조의 제안을 행한다. 더구나, 이 조명 장치를 이용한 액정 표시장치의 광원의 일체 탑재 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 조명 장치의 구조로서는, 대향하는 제1의 전극과 제2의 전극과, 제1의 전극과 제2의 전극과의 사이에 적어도 EL층을 갖는다. 제1의 전극, EL층, 제2의 전극의 순서, 또는 제2의 전극, EL층, 제1의 전극의 순서로 적층되어서 형성되오 있고, EL 층에서 발생한 빛은 제2의 전극으로부터 추출된다.
상기한 발광소자의 제1의 전극은, 발광층으로부터의 빛을 반사할 수 있는 전극이다. 또한 제2의 전극은 발광층으로부터의 빛을 투과할 수 있는 전극이다.
더구나, 제2의 전극을 투과하는 빛의 방향에는, 임의의 편광성분을 선택 투과시키고, 그 이외의 빛의 성분을 반사시키는 기능을 갖는 구조체가 있다(이하, 선택 반사 구조체). 여기에서 선택 투과시켜진 빛의 성분은, 액정에의 입사광으로서 사용할 수 있다. 이 성분의 빛을 여기에서는 유효광으로서 표현한다. 또한 여기에서 선택 투과한 것 이외의 성분의 반사광을 불요광으로서 표현한다. 본 발명에 있어서, 불요광이란, 필요로 하지 않는 빛이라고 하는 의미가 아니고, 반사 등에 의해 편광상태를 변화시킴으로써 유효광으로서 추출할 수 있는 빛을 말한다.
여기에서 불요광인 반사광의 성분은, 조명 장치에 설치된 반사성을 갖는 제1의 전극과 선택 반사 구조체 사이에서 반사시킴으로써, 이 반사광의 편광면이나, 편광상태를 변화시킨다. 보다 효율적으로 편광상태의 변화를 실행하기 위해서, 위상차판이나 산란판의 기능을 단독 또는 조합시켜도 좋다. 이에 따라 투과광과 같은 성분을 갖는 빛으로 변화시키고, 이 성분도 유효광으로서 추출하는 것도 특징으로 한다.
선택 반사 구조체의 구체적인 예로서는, 콜레스테릭 액정과 편광막의 조합에 의한 반사 편광판을 사용해도 되고, 편광 빔 스플리터(이하 PBS) 등과 같은 P파, S파 편광의 분리 광학계를 조합시켜서 구성해도 된다. 이 구조만이라도 되지만, 보다 바람직하게는, 이것으로 변환 효율을 향상시키기 위해서, 반사되는 불요광의 편광 상태나 편광면을 적극적으로 변화시키기 위해서, λ/4 위상차판이나 산란판, 산란 구조체와 같은 광학작용을 갖는 구조체를, 단독 또는 조합시켜서 사용해도 된다. 여기에서는, 이것들이 조합한 구조물을 넓게 선택 반사 구조체로 정의한다.
제1의 전극과 제2의 전극에 구동전압을 인가하고, 그 사이의 EL층을 발광시키면 광원으로부터의 출사광은, 편광의 선택 반사 기능을 형성한 선택 반사 구조체를 형성함으로써, 소정의 편광의 광성분만을 투과하고, 그 이외의 성분의 불요광을 반사한다. 이 작용을 이용하여, 이 선택 반사 구조체와, 조명 장치의 반사 전극 사이에서, 불요광의 반사를 수반하는 편광면이나 편광상태의 변화를 생기게 한다. 이에 따라 조명 장치의 빛을, 조명 장치의 사출측에서 효율적으로 임의의 편광상태에서 추출할 수 있다. 보통은 직선편광이 되도록 해서 사용된다.
여기에서의 특징의 한가지는, 공기의 층을 개재하지 않고 배치할 수 있기 때문에, 공기의 층과 선택 반사 구조체 위에 배치되는 막 면에서의 계면 손실을 저감할 수 있게 된다. 이에 따라 반사 전극인 제1 전극과, 선택 반사 구조체 사이의 복수회의 반사에 있어서도 종래와 비교해서 손실이 적게 취급할 수 있다.
본 발명의 조명 장치의 일 실시예는, 반사 재료로 이루어지는 제1의 전극, EL층, 투광성 도전막으로 이루어지는 제2의 전극을 갖고, EL 층에서 발생한 빛은 제2의 전극에서 추출되고, 제2의 전극의 빛이 추출되는 측에는, 공기의 층을 개재시키지 않고 선택 반사 구조체가 설치되고, 선택 반사 구조체는 특정한 편광성분의 빛을 투과시키고, 그 이외의 빛을 반사시키는 기능을 갖는다.
본 발명의 조명 장치의 일 실시예는, 기판 상에 제1의 전극, EL층, 제2의 전극의 순서로 적층되고, 제1의 전극은 반사성을 갖는 재료로 이루어지고, 제2의 전극은 투광성을 갖는 재료로 이루어지고, EL 층에서 발생한 빛은 제2의 전극에서 추출되고, 제2의 전극의 빛이 추출되는 측에는, 공기의 층을 개재시키지 않고 선택 반사 구조체가 설치되고, 선택 반사 구조체는 특정한 편광성분의 빛을 투과시키고, 그 이외의 빛을 반사시키는 기능을 갖는다.
본 발명의 조명 장치의 일 실시예는, 투광성을 갖는 재료로 이루어지는 기판의 한쪽의 면에, 투광성을 갖는 재료로 이루어지는 제2의 전극, EL층, 반사성을 갖는 재료로 이루어지는 제1의 전극의 순서로 적층되고, 기판의 다른 쪽의 면에는, 선택 반사 구조체가 설치되고, EL 층에서 발생한 빛은 제2의 전극에서 추출되고, 제2의 전극의 추출된 빛은 기판을 거쳐 공기의 층은 개재시키지 않고 선택 반사 구 조체에 입사되고, 선택 반사 구조체는, 입사된 빛 중 특정한 편광성분의 빛을 투과시키고, 그 이외의 빛을 반사시키는 기능을 갖는다.
본 발명의 조명 장치의 일 실시예는, 투광성을 갖는 재료로 이루어지는 기판의 한쪽의 면에, 투광성을 갖는 재료로 이루어지는 제2의 전극, EL층, 반사성을 갖는 재료로 이루어지는 제1의 전극의 순서로 적층되고, 기판의 다른 쪽의 면은, 접착층이 접해서 설치되고, 접착층에 접해서 선택 반사 구조체가 설치되고, EL 층에서 발생한 빛은 제2의 전극에서 추출되고, 제2의 전극의 추출된 빛은 기판 및 접착층을 거쳐서 선택 반사 구조체에 입사되고, 선택 반사 구조체는, 입사된 빛 중 특정한 편광성분의 빛을 투과시키고, 그 이외의 빛을 반사시키는 기능을 갖는다.
본 발명의 액정표시장치의 일 실시예는, 한 쌍의 기판 사이에 액정이 끼워지고, 한 쌍의 기판의 한쪽의 기판에 매트릭스 형태로 배치된 투광성 도전막으로 이루어진 화소전극과, 화소전극에 접속된 반도체소자가 형성되고, 한쪽의 기판은 투광성 및 절연성을 갖는 기판이며, 또 한쪽의 기판은 반사 재료로 이루어지는 제1의 전극, EL층, 투광성 도전막으로 이루어지는 제2의 전극, 선택 반사 구조체를 갖고, EL 층에서 발생한 빛은 제2의 전극에서 추출되고, 제2의 전극의 빛이 추출되는 측에는, 공기의 층을 개재시키지 않고 선택 반사 구조체가 설치되어 있다.
본 발명의 액정표시장치의 일 실시예는, 한 쌍의 기판 사이에 액정이 끼워지고, 한 쌍의 기판의 한쪽의 기판에 매트릭스 형태로 배치된 투광성 도전막으로 이루어진 화소전극과, 화소전극에 접속된 반도체소자가 형성되고, 한쪽의 기판은 투광성 및 절연성을 갖는 기판이며, 또 한쪽의 기판은, 화소전극과 대향하는 면에 선 택 반사 구조체를 갖고, 또 한쪽의 기판의 이면에 투광성 도전막으로 이루어지는 제2의 전극, EL층, 및 반사 재료로 이루어지는 제1의 전극이 순차적으로 적층되고, 또 한쪽의 기판은 투광성 및 절연성을 갖는다.
본 발명의 액정표시장치의 일 실시예는, 한 쌍의 기판 사이에 액정이 끼워지고, 한 쌍의 기판의 한쪽의 기판에 매트릭스 형태로 배치된 투광성 도전막으로 이루어진 화소전극과, 화소전극에 접속된 반도체소자가 형성되고, 한쪽의 기판은 투광성 및 절연성을 갖는 기판이며, 또 한쪽의 기판은, 화소전극과 대향하는 면에 주전하여 접착층이 설치되고, 접착층에 접하여 선택 반사 구조체를 갖고, 또 한쪽의 기판의 이면에 투광성 도전막으로 이루어지는 제2의 전극, EL층, 및 반사 재료로 이루어지는 제1의 전극이 순차적으로 적층되고, 또 한쪽의 기판은 투광성 및 절연성을 갖는다.
상기 구성에 있어서, 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고, S파를 제1의 전극측에 반사시키도록 구성된 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체로 이루어져도 된다. 또한 선택 반사 구조체는, 입사되는 빛 중에서, 특정한 회전 방향의 원 편광 성분을 투과시키고, 투과된 원 편광 성분의 빛을 직선 편광으로 변환하는 위상차판을 갖고, 그 이외의 성분의 빛을 제1의 전극측에 반사시키도록 구성된 반사 편광판 기능을 갖는 것이어도 된다.
여기에서, 본 발명의 발광소자는, 제1의 전극과 제2의 전극 사이에 있는 EL층은, 적어도 1층의 발광층을 갖는 것이면 된다. EL 층에 발광층을 복수 형성해도 된다.
또한 발광층 이외에, 전자주입층, 전자수송층, 홀 블록층, 정공수송층, 정공주입층 등의 각 층이 적당하게 형성된 발광소자도, 본 발명의 범주에 포함된다.
또한 본 발명의 EL층은, 무기 발광 재료를 바인더 중에 분산시킨 것이어도 되고, 박막 형성한 것이어도 되고, 발광층 이외에, 1층 이상의 유전체층을 설치해서 형성된 발광소자도, 본 발명의 범주에 포함된다.
[실시예]
이하에서, 본 발명의 실시예를 도면에 의거하여 설명한다. 단, 본 발명은 많은 다른 태양으로 실시하는 것이 가능하다. 예를 들면 실시예를 적당하게 조합하는 것이 가능하다. 본 발명의 취지 및 그 범위에서 일탈하지 않고 그것의 형태 및 상세를 다양하게 변경하는 것은 당업자라면 용이하게 이해된다. 따라서, 본 발명은 본 실시예의 기재 내용에 한정해서 해석되는 것은 아니다.
(실시예1)
도1에, 본 실시예의 편광기능을 구비한 조명 장치의 단면도를 나타낸다. 기판(101)의 한 면 위에 반사 재료로 이루어진 제1의 전극(102)과, 이 제1의 전극형성 후에 절연층(103)이 설치되고, 제1의 전극 상의 발광 영역에 EL층(104)이 설치되어 있다. 이 발광 영역이 되는 EL층 상에, 투광성(도전막) 재료로 이루어지는 제2의 전극(105)이 설치된다. 더구나, 접착층(106)을 개재하여 선택 반사 구조체(107)가 배치된다.
이 구성에서는 제1의 전극의 추출부(111)과 제2의 전극의 추출부(112)도 동일면 상에 형성된다.
여기에서는, 이 선택 반사 구조체(107)는, 광학 작용면(이하, 광축면)이 90도의 각도로 배치된 2개의 PBS로 이루어진 PBS 블록(108)의 집합체(이하 PBS 어레이)(109)를 형성하고 있다.
광원으로부터 입사된 빛의 S파 성분(이하, S파)은, 이 2개의 PBS 블록(108) 사이에서 반사하여, 광원측으로 S파의 반사광을 되돌려 주도록 한 것이다. 이때, P파 성분(이하, P파)은 이 광학 작용면을 투과하여, 광원의 출사광이 된다.
더구나, 여기에서는, 선택 반사 구조체(107)의 구성요소로서, λ/4 위상차판(이하, λ/4판)(110)을 소정의 위치에 배치한 예를 나타내고 있다. PBS 블록(108)에서 광원측으로 반사해서 복귀되는 S파 반사광은, λ/4판(110)을 통과시키는 것에 의해, 어떤 회전 방향의 원 또는 타원 편광 성분의 빛으로 변환된다. 이 복귀된 원 또는 타원 편광의 반사광은, 더 제1전극의 반사면에서 다시 반사되어, 다시 λ/4판에 입사한 경우에는, 다시 λ/4의 위상차가 부여되기 때문에, P파 성분의 빛 또는 P파 성분이 많은 빛으로 변환되어 PBS 블록을 통과하는 것이 가능해 진다. 본 발명에서는, 선택 반사 구조체 내에 있어서, 반사되어 빛의 방향을 변화되었던 빛을 반사광으로 기재한다.
즉, 본 실시예의 λ/4판(110)은 가장 효율적으로 편광상태를 변화시키기 위해서 배치되는 것이다. 이 예에서는, PBS 블록(108)의 한쪽에만 λ/4판(110)을 형성했지만, 도2에서 도시한 바와 같이 λ/4판(210)과 같이 PBS 어레이(209)에 대하 여 전체 면에 구성해도 된다. 물론, 구성 비용을 낮추기 위해 배치하지 않아도, 종래의 광원과 비교해서 개선을 예상할 수 있다.
본 실시예에서는, 이 선택 반사 구조체(107)은, 광학 작용면(이하, 광축면)이 90도의 각도로 배치된 2개의 PBS로 이루어진 PBS 블록(108)으로 설명했지만, 유효 광성분을 투과시키고, 불요광을 반사시켜 광원측으로 되돌리는 것을 목적으로 하므로, 이 각도는 90도에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 60도라도 140도라도 목적을 달성시킬 수 있으면 된다.
본 실시예의 효과로서는, 면광원을 사용함으로써, 특히 산란 광학계 등이 필요가 없어, 휘도 얼룩이 적은 출사광을 이용하는 것이 가능해 진다. 또한 출사광을 면으로 취급할 수 있기 때문에, 다음의 선택 반사 구조체와의 거리가 대단히 가까운 거리에 평행 평면적으로 배치할 수 있어, 공기의 층을 포함하지 않고 광원과 일체로 탑재한 구조로 구성할 수 있기 때문에, 굴절률 차이를 적게 할 수 있으므로, 계면 손실이 적은 구성으로 할 수 있다. 이들 특징을 기초로, 단일의 편광 성분에 덧붙여, 반사된 불요광도 변환해서 추출할 수 있는 작용을 실현하기 때문에 높은 빛의 이용 효율의 편광 광원이 구성 가능해 진다.
더구나, 동일 기판 상에 이들 기능을 담을 수 있기 위해서, 액정의 백라이트 광원으로서의 이용 뿐만 아니라, 직접 액정의 대향기판으로서 사용할 수 있어, 백라이트 내장형의 액정 패널의 실현이 가능해 진다.
이러한 효과에 의해, 액정 패널의 저소비 전력화와 초박형화를 실현하는 것이 가능해 진다.
(실시예2)
도3에, 본 실시예의 편광기능을 구비한 조명 장치의 단면도를 나타낸다. 1개의 기판의 한 면에 광원 구조를, 또 1개의 면에 선택 반사 구조체를 배치한 것이다. 이 구조를 여기에서는, 양면 구조로서 표현한다.
기판(1101)의 한 면 위에, 투광성 재료로 이루어진 제2의 전극(1105)과, 이 제2의 전극 형성후에 절연층(1103)이 설치되고, 제2의 전극 상의 발광 영역에 EL층(1104)이 설치되어 있다. 이 발광 영역이 되는 EL층(1104) 상에, 반사 재료로 이루어지는 제1의 전극(1102)이 설치된다. 더구나, 이 제1의 전극(1102) 상에 보호막(1113)이 배치되어 있다.
더구나, 기판의 다른 한쪽의 면에는, 상기 제2의 전극에서 출사되는 빛의 영역과 같은 위치에 접착층(1106)을 개재하여 선택 반사 구조체(1107)가 배치된다.
이 구성에서는, 제1의 전극의 추출부(1111)와 제2의 전극의 추출부(1112)는, 선택 반사 구조체로부터의 출사광의 면과는 반대측에 배치되는 것을 특징으로 한다.
광원으로부터의 광학적인 작용으로서는 유리 기판을 사이에 개재시킨다고 하는 것 이외는, 실시예1과 동일하게 되기 때문에, 여기에서는 생략한다.
본 실시예의 λ/4판(1110)은 가장 효율적으로 편광상태를 변화시키기 위해서 배치되는 것이다. 이 예에서는, PBS 블록(1108)의 한 쪽에만 λ/4판(1110)을 형성했지만, 도4에서는, 양면 구조의 실시예 2에 있어서, λ/4판을 생략한 예를 나타낸 다.
본 실시예에서는, 산란층으로서 접착층(2106) 내부에, 산란체(2110)를 변화시킨다 구성으로 함으로써, 편광 상태를 변화시킨다고 하는 설질이 아니고, 주로 편광면을 의도적으로 변화시키는 효과를 이용하여, 추출 효율의 개선을 꾀하는 동시에, 광원으로부터의 출사광을 산란시켜, 보다 휘도의 균일성의 개선을 꾀하는 것이다. 출사광의 추출 효율이라고 하는 면에서는, λ/4판(1110)을 배치한 것에 대하해서는 뒤지지만, 제작면에서 간단한 구조가 되어, 저비용화를 꾀할 수 있다고 하는 이점이 있다.
본 실시예의 효과로서는, 면광원을 사용함으로써, 특히 산란 광학계 등이 필요가 없고, 휘도 얼룩이 적은 출사광을 이용하는 것이 가능해 진다. 또한 출사광이 면으로 취급할 수 있기 때문에, 다음의 선택 반사 구조체와의 거리가 대단히 가까운 거리에 평행 평면적으로 배치할 수 있어, 공기의 층을 포함하지 않고 광원과 일체로 탑재한 구조로 구성할 수 있기 때문에, 굴절률 차이가 적게 생기므로, 계면 손실이 적은 구성으로 할 수 있다. 이들 특징을 기초로, 단일의 편광 성분에 덧붙여, 반사된 불요광도 변환해서 추출시키는 작용을 실현하기 때문에 높은 빛의 이용 효율의 편광 광원이 구성 가능해 진다.
더구나, 동일기판 상에 이들 기능을 담을 수 있기 위해서, 액정의 백라이트 광원으로서의 이용 뿐만 아니라, 직접 액정의 대향기판으로서 사용할 수 있어, 백라이트 내장형의 액정 패널의 실현이 가능해 진다.
이러한 효과에 의해, 액정 패널의 저소비 전력화와 초박형화를 실현하는 것 이 가능해 진다.
(실시예3)
도5에, 본 실시예의 편광기능을 구비한 조명 장치의 단면도를 나타낸다. 기판(301)의 한 면 위에 반사 재료로 이루어진 제1의 전극(302)과, 이 제1의 전극형성 후에 절연층(303)이 설치되고, 제1의 전극 상의 발광 영역에 EL층(304)이 설치된다. 이 발광 영역이 되는 EL층 상에, 투광성(도전막) 재료로 이루어지는 제2의 전극(305)이 설치된다. 더구나, 패시베이션층(306)을 개재하여 선택 반사 구조체(307)가 배치된다.
이 구성에서는 제1의 전극의 추출부(310)와 제2의 전극의 추출부(311)도 동일면 상에 형성된다.
여기에서는, 이 선택 반사 구조체(307)는, 소정의 원 편광 성분만이 투과하여, 이 투과 광 성분은 적층된 위상차판으로 직선 편광으로 변환되어 출력된다. 또한 그 밖의 성분의 빛을 반사시키는 작용을 갖는다.
더구나, 여기에서는, 선택 반사 구조체(307)의 구성요소로서, λ/4판(309)을 소정의 위치에 배치한 예를 나타내고 있다. λ/4판(309)을 통과함으로써, 이 광학막을 통과하는 빛은, 그것의 편광상태를 변화시킨다. 반사 편광판(308)에 입사하는 빛은, 우선, λ/4판(309)을 통과할 때에 편광변환된다. 이 편광변환된 입사광의 중에서, 반사 편광판(308)에서 소정의 원 편광 성분만이 투과하여, 편광판으로 직선 편광으로 변환해서 유효광으로서 출력한다.
또한 반사 편광판(308)에서 반사된 불요광은, 다시 λ/4판(309)을 통과함으로써, 편광변환되어 광원 방향으로 복귀된다. 이 불요광이 광원의 제1전극에서 반사되고, 다시 선택 반사 구조체에의 입사광이 된다. 여기에서, 또한 λ/4판(309??에서 편광변환되, 그 중의 소정의 원 편광 성분이 유효광으로서 출사되게 된다.
본 실시예의 λ/4판(309)은 보다 효율적으로 편광상태를 변화시키기 위해서 배치되는 것이지만, 도6에서는, 제작 비용을 우선해서 λ/4판을 사용하지 않는 예를 나타내었다. 기판(401)의 한 면 위가 반사 재료로 이루어진 제1의 전극(402)과, 이 제1의 전극 형성후에 절연층(403)이 설치되고, 제1의 전극 상의 발광 영역에 EL층(404)이 설치된다. 이 발광 영역이 되는 EL층 상에, 투광성(도전막) 재료로 이루어지는 제2의 전극(405)이 설치된다. 더구나, 패시베이션층(406)을 개재하여 반사 편광판(408)을 포함하는 선택 반사 구조체(407)가 배치된다. 이 구성에서는 제1의 전극의 추출부(409)와 제2의 전극의 추출부(410)도 동일 면 상에 형성된다. 효율은 다소 희생이되지만 종래의 광원과 비교해서 개선을 예상할 수 있다.
본 실시예의 효과로서는, 면광원을 사용함으로써, 특히 산란 광학계 등이 필요가 없고, 휘도 얼룩이 적은 출사광을 이용하는 것이 가능해 진다. 또한 출사광이 면으로 취급할 수 있기 때문에, 다음의 선택 반사 구조체와의 거리가 대단히 가까운 거리에 평행평면적으로 배치할 수 있, 공기의 층을 포함하지 않고 광원과 일체로 탑재한 구조로 구성할 수 있기 때문에, 굴절률 차이가 적게 생기므로, 계면 손실이 적은 구성으로 할 수 있다. 이들 특징을 기초로, 단일의 편광 성분에 덧붙여, 반사된 불요광도 변환시키는 작용을 실현하기 때문에 높은 빛의 이용 효율의 편광 광원이 구성 가능해 진다.
더구나, 동일 기판 상에 이들 기능을 담을 수 있기 때문에, 액정의 백라이트 광원으로서의 이용 뿐만 아니라, 직접 액정의 대향기판으로서 사용할 수 있어, 백라이트 내장형의 액정 패널의 실현이 가능해 진다.
이러한 효과에 의해, 액정 패널의 저소비 전력화와 초박형화를 실현하는 것이 가능해 진다.
(실시예4)
도7에, 본 실시예의 편광기능을 구비한 조명 장치의 단면도를 나타낸다. 1개의 기판의 한 면에 광원구조를, 또 1개의 면에 선택 반사 구조체를 배치한 양면 구조에 있어서의 다른 예를 나타낸다.
기판(3301)의 한 면 위에, 투광성 재료로 이루어진 제2의 전극(3305)과, 이 제2의 전극 형성후에 절연층(3303)이 설치되고, 제2의 전극 상의 발광 영역에 EL층(3304)이 설치된다. 이 발광 영역이 되는 EL층(3304) 상에, 반사 재료로 이루어지는 제1의 전극(3302)이 설치된다. 더구나, 이 제1의 전극(3302) 상에 보호막(3306)이 배치되어 있다.
더구나, 기판의 다른 한쪽의 면에는, 상기 제2의 전극으로 출사되는 빛의 영역과 같은 위치에 선택 반사 구조체(3307)가 배치된다.
이 구성에서는, 제1의 전극의 추출부(3310)와 제2의 전극의 추출부(3311)는, 선택 반사 구조체(3307)로부터의 출사광의 면과는 반대측에 배치되는 것을 특징으 로 한다.
광원으로부터의 광학적인 작용으로서는 유리 기판을 광원과 선택 반사 구조체 사이에 개재시킨다고 하는 것 이외는, 실시예3과 동일하게 되기 때문에, 여기에서는 생략한다.
본 실시예의 선택 반사 구조체(3307)는, 효율적으로 편광상태를 변화시키기 위해서 λ/4판(3309)과 반사 편광판(3308)으로 구성하고 있다. 기판 상에 바로 광학 박막을 형성한 구조로 하고 있지만, 이것들은 접착층을 포함하는 필름제의 부재를 사용해도 된다.
여기에서 도8에서는, 양면 구조의 실시예3에 있어서, λ/4판을 생략하고, 산란층을 사용한 예를 나타낸다. 이때, 선택 반사 구조체(4307)는, 반사 편광판(4312)으로 구성되어 있다.
본 실시예에서는, 산란층으로서 접착층(4308) 중에, 산란체(4309)를 분산시킨 구성으로 함으로써, 편광상태를 변화시킨다고 하는 성질이 아니고, 주로 편광면을 의도적으로 변화시키는 효과를 이용하여, 추출 효율의 개선을 꾀하는 동시에, 광원으로부터의 출사광을 산란시켜, 보다 휘도의 균일성의 개선을 꾀하는 것이다. 제작면에서 간단한 구조로 할 수 있어, 저비용화를 꾀할 수 있다고 하는 이점이 있다.
본 실시예의 효과로서는, 면광원을 사용함으로써, 특히 산란 광학계 등이 필요가 없고, 휘도 얼룩이 적은 출사광을 이용하는 것이 가능해 진다. 또한 출사광이 면으로 취급할 수 있기 때문에, 다음의 선택 반사 구조체와의 거리가 대단히 가까 운 거리에 평행평면적으로 배치할 수 있어, 공기의 층을 포함하지 않고 광원과 일체로 탑재한 구조로 구성할 수 있기 때에, 굴절률 차이가 적게 생기기 때문에, 계면 손실이 적은 구성으로 할 수 있다. 이들 특징을 기초로, 단일의 편광 성분에 덧붙여, 반사된 불요광도 변환하여 추출할 수 있는 작용을 실현하기 때문에 높은 빛의 이용 효율의 편광광원이 구성 가능해 진다.
더구나, 동일 기판 상에 이들 기능을 담을 수 있기 때문에, 액정의 백라이트 광원으로서의 이용 뿐만 아니라, 직접 액정의 대향기판으로서 사용할 수 있어, 백라이트 내장형의 액정 패널의 실현이 가능해 진다.
이러한 효과에 의해, 액정 패널의 저소비 전력화와 초박형화를 실현하는 것이 가능해 진다.
(실시예5)
본 실시예에서는 표시 기능을 갖는 액티브 매트릭스형 액정 패널에 사용한 예에 대해서 도9을 사용하여 설명한다.
도9a는 액티브 매트릭스형 액정 패널을 정면에서 보았을 때의 모식도이다. 소자 기판(800)에 대향기판(801)이 씰재(802)에 의해 고정되어 있다.
소자기판(800)에는, 화소부(803)과, 게이트 드라이버 회로(804)과, 소스 드라이버 회로(805)가 설치된다. 게이트 드라이버 회로(804) 및 소스 드라이버 회로(805)는, 각각, 배선군을 거쳐서, 외부 입력 단자인 FPC(플렉시블 프린트 서킷)(806)과 접속하고 있다. 그리고, 소스 드라이버 회로(805)과, 게이트 드라이버 회로(804)는, 각각, FPC(806)로부터 비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호, 리셋트 신호, 각종 전원 등을 받는다.
화소부(803) 및 게이트 드라이버 회로(804), 소스 드라이버 회로(805)의 트랜지스터는, 박막 트랜지스터(이하, TFT)로 형성되어 있다. 이때, 게이트 드라이버 회로(804) 및 소스 드라이버 회로(805)는, 상기한 바와 같이 반드시 화소부(803)와 동일한 소자기판(800) 상에 설치될 필요는 없고, 예를 들면 배선 패턴이 형성된 FPC 상에 IC칩을 실장한 것(TCP) 등을 이용하여, 기판 외부에 설치되어서 있어도 된다. 또한 게이트 드라이버 회로(804) 및 소스 드라이버 회로(805)에 있어서, 각각 일부의 회로를 소자기판(800) 상에 설치하고, 일부를 소자기판(800) 외부에 형성해도 된다.
도9b는, 도9a의 A-A'에 있어서의 단면을 나타낸다. 이 대향기판(801)은, 본 발명의 편광작용을 갖는 광원을 갖고 있고, 이 대향기판으로부터의 유효광의 사출면과, 소자기판(800)의 소자면을, 소정의 간격(이하, 셀 갭)을 유지해서 대향하도록 배치한다. 이들 양 기판(소자기판(800), 대향기판(801))을 고정하고 있는 씰재(802)의 내측에 액정(807)을 배향시켜서 광원 일체 탑재화 패널을 형성한다.
여기에서는, 도시하지는 않았지만, 대향전극(819) 및 화소전극(823)의 전극을 갖는 각 표면에는 배향처리된 배향막이 형성되어 있다. 또한 셀 갭을 유지하기 위해서, 여기에서는 소자기판 상에 스페이서(820)를 형성하고 있다. 또한 도시는 하지 않았지만, 씰재(802) 내부에도 필러로 불리는 스페이서재를 혼재해서 사용해도 된다. 이 구조에서는 소자기판(800)측으로부터 빛이 추출된다.
여기에서 대향기판(801)에는, 반사 재료로 이루어지는 제1의 전극(808)과, 발광부가 되는 EL층(809), 투광성 도전 재료로 이루어지는 제2의 전극(810)이 순차 적층 된다. 본 단면에는 기재되지 않고 있지만, 제1의 전극과 제2의 전극의 전기적인 단락을 일으킬 가능성이 있는 경우에는, 이것을 피하기 위해서 발광 에어리어와 전원접속부를 제외한 영역에는 절연층이 설치해도 된다.
다음에 여기에서는, 제2전극(810) 위에, EL층에의 수분이나 산소에 의한 악영향을 막을 목적으로 패시베이션층(811)을 설치하고 있다.
반사 재료로서는, 티타늄, 텅스텐, 니켈, 금, 백금, 은, 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 및 그것들의 합금으로 이루어지는 도전막 등을 사용할 수 있다.
투광성 도전 재료로서는, 인듐 주석 산화물(ITO), 산화인듐에 산화아연(ZnO)을 혼합한 IZO(indium zinc oxide), 산화인듐에 산화 규소(SiO2)을 혼합한 도전 재료, 유기 인듐, 유기 주석, 산화텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화티탄을 포함하는 인듐 산화물, 산화티탄을 포함하는 인듐 주석 산화물 등을 사용할 수 있다.
평탄화 막으로서는, 산화 규소, 질화규소, 산화 질화규소, 질화산화 규소, 질화알루미늄(AIN), 질소를 포함하는 산화 알루미늄(산화 질화알루미늄이라고도 한다)(AlON), 산소를 포함하는 질화 알루미늄(질화산화알루미늄이라고도 한다) (AINO), 산화알루미늄, 다이어몬드 라이크 카본(DLC), 폴리실라잔, 질소 함유 탄소막(CN), PSG(인글라스), BPSG(인 보론 그라스), 알루미나막, 그 밖의 무기절연성 재료를 포함하는 물질로 선택된 재료로 형성할 수 있다. 또한 실록산 수지를 사용해도 된다. 또한 유기절연성 재료를 사용해도 되고, 유기재료로서는, 감광성, 비감광성 어느쪽도 되고, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 레지스트 또는 벤조시클로부텐 등을 사용할 수 있다. 또한 옥사졸 수지를 사용할 수도 있고, 예를 들면 광경화형 폴리벤조옥사졸 등을 사용할 수 있다.
패시베이션막으로서는, 질화규소, 산화 규소, 산화 질화규소, 질화산화 규소, 질화알루미늄, 산화 질화알루미늄, 질소 함유량이 산소 함유량보다도 많은 질화산화 알루미늄 또는 산화 알루미늄, 다이어몬드 라이크 카본(DLC), 질소 함유 탄소막을 포함하는 절연막으로 이루어지고, 상기 절연막을 단층 또는 조합한 적층을 사용할 수 있다. 또는 실록산 수지를 사용해도 된다.
본 실시예에서는, 실시예1에서 나타낸 PBS 어레이(814)와 λ/4 위상차판(813)의 조합에 의한 선택 반사 구조체(827)를, 접착층(812)을 거쳐서 패시베이션층(811) 상에 설치하고 있다.
액정 패널에서는 화소부(803)에 있어서의 셀 갭의 균일성이 중요하기 때문에, 대향기판측의 이 표시 영역에 있어서 특히 평탄성이 필요로 된다. 이 때문에, PBS 어레이(814)와 λ/4 위상차판(813)의 조합에 의한 선택 반사 구조체(827) 상에 평탄화 막(815)을 형성하고 있다.
더구나, 본 실시예에서는 칼라 표시가능한 액정 패널의 구성으로서, 상기 평탄화 막(815) 상에는 블랙 매트릭스(이하, BM)(816), 칼라필터(817), 오버코트(818)를 순차 형성하고 있다. 여기에서 오버코트(818)는, 평탄화 작용의 이외에, BM8(816)이나, 칼라필터(817)로부터의 확산물이, 액정이나 소자기판 상의 소자에의 악영향을 막을 목적을 겸하고 있다. 이 오버코트(818) 위에 액정의 대향전극(819)이 되는 투광성 도전막이 형성되어 있다.
한편, 소자기판(800) 위에서는, 화소 TFT(821), 보조 용량(822), 투광성 도전막으로 이루어지는 화소전극(823)으로 화소부(803)가 구성되고, 회로 TFT(824)로 이루어지는 박막 트랜지스터 등에 의해 소스 드라이버 회로(805)가 구성되어 있다. 마찬가지로 이 단면에는 기재되지 않지만 박막 트랜지스터 등으로 이루어지는 게이트 드라이버 회로(804)도 구성되어 있다. 이들 소스 드라이버 회로(805) 및 게이트 드라이버 회로(804)에는 단자부(826)의 단자 인출 배선(825)을 거쳐서 FPC(806)에 접속되어, 각종의 전원이나 신호가 인가된다.
본 실시예의 단면부에는 도면에 나타내지는 않았지만, 패널 형성시에 대향기판(801)의 내측에 제1의 전극(808) 및 제2의 전극(810)의 추출부가 배치되게 된다. 이 때문에, 이들 전극에의 전원의 인가는, 도전성 스페이서나 도전성 페이스트 등을 거쳐서 소자기판(800)의 배선으로부터 단자 인출 배선에 전기적으로 접속해도 되고, 대향기판(801)의 외형을 크게 하여, 이 내측의 면에 직접 전원배선을 해도 된다.
본 실시예의 효과로서는, 면광원을 사용함으로써, 특히 산란 광학계 등이 필요가 없어, 휘도 얼룩이 적은 출사광을 이용하는 것이 가능해 진다. 또한 출사광이 면으로 취급할 수 있기 때문에, 다음의 선택 반사 구조체와의 거리가 대단히 가까운 거리에 평행 평면적으로 배치할 수 있고, 공기의 층을 포함하지 않고 광원과 일 체로 탑재한 구조로 구성할 수 있기 때문에, 굴절률 차이가 적게 생기기 때문에, 계면 손실이 적은 구성으로 할 수 있다. 이들 특징을 기초로, 단일의 편광 성분에 덧붙여, 반사된 불요광도 변환하여 추출할 수 있는 작용을 실현하기 때문에 높은 빛의 이용 효율의 편광광원이 구성 가능해 진다.
더구나, 동일 기판 상에 이들 기능을 담을 수 있기 때문에, 액정의 백라이트 광원으로서의 이용 뿐만 아니라, 직접 액정의 대향기판으로서 사용할 수 있어, 백라이트 내장형의 액정 패널의 실현이 가능해 진다.
이러한 효과에 의해, 액정 패널의 저소비 전력화와 초박형화를 실현하는 것이 가능해 진다.
(실시예6)
본 실시예에서는 표시 기능을 갖는 액티브 매트릭스형 액정 패널에 사용한 것 이외의 예에 대해서 도10을 사용하여 설명한다. 본 실시예에서는, 실시예4에서 나타낸 구조를 액정 패널의 대향기판에 채용하고 있다.
도10a는 액티브 매트릭스형 액정 패널을 정면에서 보았을 때의 모식도이다. 소자기판(900)에 대향기판(901)이 씰재(902)에 의해 고정되어 있다.
소자기판(900)에는, 화소부(903)와, 게이트 드라이버 회로(904)와, 소스 드라이버 회로(905)가 설치되어 있다. 게이트 드라이버 회로(904) 및 소스 드라이버 회로(905)는, 각각, 배선군을 거쳐서, 외부 입력 단자인 FPC(플렉시블 프린트 서킷)(906)과 접속하고 있다. 그리고, 소스 드라이버 회로(905)과, 게이트 드라이버 회로(904)는, 각각, FPC(906)로부터 비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호, 리셋트 신호, 각종 전원 등을 받는다.
화소부(903) 및 구동회로부인 게이트 드라이버 회로(904) 및 소스 드라이버 회로(905)의 트랜지스터는, 박막 트랜지스터(이하, TFT)으로 형성되어 있다. 이때, 게이트 드라이버 회로(904), 소스 드라이버 회로(905)는, 상기한 바와 같이 반드시 화소부(903)와 동일 기판인 소자기판(900) 상에 설치될 필요는 없고, 예를 들면 배선 패턴이 형성된 FPC 상에 IC칩을 설치한 것(TCP) 등을 이용하여, 기판 외부에 설치되어 있어도 된다. 또한 게이트 드라이버 회로(904), 소스 드라이버 회로(905)에 있어서, 각각 일부의 회로를 소자기판(900) 상에 설치하고, 일부를 소자기판(900) 외부에 형성해도 된다.
도10b는 도10a의 A-A'에 있어서의 단면을 나타낸다. 이 대향기판(901)은, 본 발명의 편광 작용을 갖는 광원을 갖고 있고, 이 대향기판으로부터의 유효광의 사출면과, 소자기판(900)의 소자면을, 소정의 간격(이하, 셀 갭)을 유지해서 대향하도록 배치한다. 이들 소자기판(900) 및 대향기판(901)을 고정하고 있는 씰재(902)의 내측에 액정(907)을 배향시켜서 광원 일체 탑재 패널을 형성한다.
여기에서는, 도시하고 있지는 않지만, 대향전극(921) 및 화소전극(925)의 전극을 갖는 각 표면에는 배향처리된 배향막이 형성되어 있다. 또한 셀 갭을 유지하기 위해서, 여기에서는 소자기판 상에 스페이서(922)를 형성하고 있다. 또한 도시하지는 않았지만 씰재(902) 내부에도 필러라고 불리는 스페이서재를 혼재해서 사용해도 된다. 이 구조에서는 소자기판(900)측으로부터 빛이 추출된다.
여기에서 대향기판(901)의 한쪽의 면에는, 투광성 도전 재료로 이루어지는 제2의 전극(908)과, 절연층(909), 발광부가 되는 EL층(910), 반사 재료로 이루어지는 제1의 전극(911)이 순차 적층된다. 절연층(909)은, 제1의 전극과 제2의 전극의 전기적인 단락을 피하기 위해서 설치된다.
이 제1의 전극(911) 위에, EL층에의 수분이나 산소에 의한 악영향을 막을 목적으로 패시베이션층(912)을 설치하고 있다. 더구나 이 위에는 보호막(913)으로 이 광원부의 보호를 꾀하고 있다. 패시베이션층(912)과 보호막(913)은 필요에 따라서 부착하면 된다.
또한 대향기판의 다른 쪽의 면에는, 발광부의 발광이 제2의 전극에서 추출되는 사출면과 거의 같은 영역에 선택 반사 구조체(914)를 형성한다. 여기에서는, 선택 반사 구조체(914)로서는 λ/4 위상차판(915)과 반사 편광판(916)의 조합으로 하고 있다.
액정 패널에서는 화소부(903)에 있어서의 셀 갭의 균일성이 중요하기 때문에, 대향기판측의 이 표시 영역에 있어서 특히 평탄성이 필요하게 된다. 이 때문에, 선택 반사 구조체(914) 상에 평탄화 막(917)을 형성하고 있다.
더구나, 본 실시예에서는 칼라 표시가능한 액정 패널의 구성으로서, 상기 평탄화 막(917) 상에는 블랙 매트릭스(이하, BM)(918), 칼라필터(919), 오버코트(920)를 순차 형성하고 있다. 여기에서 오버코트(920)는, 평탄화 작용 이외에, BM(918)이나, 칼라필터(919)로부터의 확산물이, 액정이나 소자기판 상의 소자에의 악영향을 방지할 목적을 겸하고 있다. 이 오버코트(920) 상에 액정의 대향전 극(921)이 되는 투광성 도전막이 형성되어 있다.
한편, 소자기판(900) 위에서는, 화소 TFT(923), 보조 용량(924), 투광성 도전막으로 이루어지는 화소전극(925)으로 화소부(903)가 구성되어고 회로 TFT(926)로 이루어지는 박막 트랜지스터 등에 의해 소스 드라이버 회로(905)가 구성되어 있다. 마찬가지로 이 단면에는 기재되지 않지만 박막 트랜지스터 등으로 이루어지는 게이트 드라이버 회로(904)도 구성되어 있다. 이들 소스 드라이버 회로(905) 및 게이트 드라이버 회로(904)에는 단자부(928)의 단자 인출 배선(927)을 거쳐서 FPC(906)에 접속되어, 각종의 전원이나 신호가 인가된다.
본 실시예에서는 패널 형성시에 대향기판(901)의 외측에 제1의 전극(911)과 전기적으로 접속하는 제1전극 추출부(929)와, 제2의 전극(908)과 전기적으로 접속하는 제2전극추출부(930)가 배치되게 된다.
통상은 제1의 전극(911) 형성시에 동시에 제1전극추출부(929)도 형성하고, 제2의 전극(908) 형성시에 동시에 제2전극추출부(930)가 형성된다.
제2의 전극 및 제2전극추출부는 투광성 도전 재료인 ITO나 ZnO 등에 의해 형성되지만, 이것들의 막은 금속재료와 비교해서 전기 저항이 높다. 또한 이들 투광성 도전막 자체를 그대로 드러냄으로서 다루는 것은 신뢰성상에도 바람직하지 않다. 더구나 직접 납땜 등을 행할 경우는 특수한 납땜 장치, 재료가 필요하게 되는 등의 문제가 있다.
본 실시예에서는, 선행해서 형성된 제2전극추출부(930) 상에, 제1의 전극(911) 형성과 동시에 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속재료로 이루어지는 제1전극형성막이, 제1전극과는 전기적으로 분리되어 적층하는 구조로 되어 있다. 이에 따라 제2의 전극의 제2전극추출부의 저항을 저감하는 동시에 신뢰성의 향상을 꾀하고 있다.
액정 패널의 표시면을 표면으로 했을 때에, 패널의 이면에 전원접속부를 갖는 구조로 되어 있다.
실시예 1∼6은 조명 장치(광원)로부터의 출사광의 추출 효율의 개선을 꾀하면서, 또한 편광된 빛을 추출하는 것을 동시에 실현하는 구조예를 나타내고 있지만, 선택 반사 구조체를 간단히 편광판과 동등한 작용의 막 또는 필름 등을 사용해도 된다. 광원과 편광판 사이에 공기의 층이 개재하지 않기 때문에, 그것만으로도, 이 사이의 광학적인 계면 손실분이 개선된다.
또는, 실시예 1∼6과 같은 일체 탑재화 광원의 유효광의 사출측 상에, 다시 편광판(막) 등을 배치하고, 편광판의 투과축과, 출사광의 편광면을 출사광을 투과하도록 맞추는 것에 의해, 보다 소광비의 좋은 편광광원으로 하는 것도 가능하다. 이에 따라 액정표시장치 등의 콘트라스트 등을 향상할 수 있다.
이때, 본 실시예에서는 액티브 매트릭스형 액정 패널에 관하여 설명했지만, 패시브형 액정 패널에도 적용할 수 있다.
또한, 실시예 5, 6에서 표시되는 화소부 803, 903의 각 면적에 대하여, 광원의 발광부가 되는 EL층 809, 910의 각 면적은 약간 크게 하는 것이 바람직하다. 그러나, 이 발광부 자체를 크게 하는 것은 소비 전력의 증가에도 이어진다. 더구나, 소스 드라이버 회로 805, 905, 게이트 드라이버 회로 804, 904을 구성하는 회로 TFT 824, 926 등의 박막 트랜지스터에 불필요한 빛을 조사하는 것은 빛 리크의 영향을 고려하면 바람직하다고는 할 수 없다. 본 발명은, 발광부의 영역을 각 패널 형상에 맞춰서 선택적으로 배치하는 것이 가능하다고 하는 특징도 있다. 즉, EL층은 화소 영역에 중첩하도록 선택적으로 설치되는 구조라도 된다.
본 실시예의 효과로서는, 면광원을 사용함으로써, 특히 산란 광학계 등이 필요가 없어, 휘도 얼룩이 적은 출사광을 이용하는 것이 가능해 진다. 또한 출사광이 면으로 취급할 수 있기 때문에, 다음의 선택 반사 구조체와의 거리가 대단히 가까운 거리에 평행평면적으로 배치할 수 있어, 공기의 층을 포함하지 않고 광원과 일체로 탑재한 구조로 구성할 수 있기 때문에, 굴절률 차이가 적게 생기기 때문에, 계면 손실이 적은 구성으로 할 수 있다. 이들 특징을 기초로, 단일의 편광 성분에 덧붙여, 반사된 불요광도 변환하여 추출할 수 있는 작용을 실현하기 때문에 높은 빛의 이용 효율의 편광 광원이 구성 가능해 진다.
더구나, 동일 기판 상에 이들 기능을 담을 수 있기 때문에, 액정의 백라이트 광원으로서의 이용 뿐만 아니라, 직접 액정의 대향기판으로서 사용할 수 있어, 백라이트 내장형의 액정 패널의 실현이 가능해 진다.
이러한 효과에 의해, 액정 패널의 저소비 전력화와 초박형화를 실현하는 것이 가능해 진다.
(실시예7)
본 발명의 표시장치는, 전자기기의 표시부로서 사용할 수 있다.
본 실시예에서 나타내는 전자기기는, 실시예1 내지 5에서 나타낸 표시장치를 갖는다. 광 추출 효율을 향상시킨 편광 광원을 사용함으로써, 저소비 전력화를 실현할 수 있다. 또한 이 광원을 대향기판에 설치하고, 액정 패널과 일체로 탑재하는 것에 의해, 패널의 두께나, 지금까지 필요했던 광원(조명 장치) 스페이스를 삭감 할 수 있다. 초박형으로 공간절약의 저소비 전력의 액정표시장치 등을 실현할 수 있다.
본 발명을 적용해서 제작된 전자기기로서, 비디오카메라, 디지탈 카메라, 고글형 디스플레이, 네비게이션 시스템, 음향재생장치(카 오디오, 오디오 컴포넌트 등), 컴퓨터, 게임 기기, 휴대 정보단말(모바일 컴퓨터, 휴대전화, 휴대형 게임기 또는 전자서적 등), 기록 매체를 구비한 화상재생장치(구체적으로는 Digital Versatile Disc(DVD) 등의 기록 매체를 재생하고, 그 화상을 표시할 수 있는 표시장치를 구비한 장치) 등을 들 수 있다. 이들 전자기기의 구체적인 예를 도11에 나타낸다.
도11a는 본 발명에 따른 텔레비젼 장치이며, 하우징(9101), 지지 대(9102), 표시부(9103), 스피커부(9104), 비디오 입력 단자(9105) 등을 포함한다. 이 텔레비젼 장치에 있어서, 표시부(9103)에 본 발명의 표시장치를 사용할 수 있다. 광 추출 효율을 향상시킨 편광 광원을 사용함으로써, 텔레비젼 장치 본체의 저소비 전력화를 도모할 수 있다. 그것에 의해 주거환경에 적합한 제품으로 할 수 있다.
도11b는 본 발명에 따른 컴퓨터이며, 본체(9201), 하우징(9202), 표시부(9203), 키보드(9204), 외부 접속 포트(9205), 포인팅 마우스(9206) 등을 포함한 다. 이 컴퓨터에 있어서, 표시부(9203)는 본 발명의 표시장치를 사용할 수 있다. 광 추출효율을 향상시킨 편광광원을 사용함으로써, 컴퓨터 자체의 저소비 전력을 꾀할 수 있다.
도11c는 휴대전화이며, 본체(9401), 하우징(9402), 표시부(9403), 음성입력부(9404), 음성출력부(9405), 조작 키(9406), 외부 접속 포트(9407), 안테나(9408) 등을 포함한다. 이 휴대전화에 있어서, 표시부(9403)는, 본 발명의 표시장치를 사용할 수 있다. 광 추출효율을 향상시킨 편광 광원을 사용하기 때문에, 휴대전화는 저소비 전력화가 도모되어, 보다 편리성이 높은 것으로 할 수 있다.
도11d는 카메라이며, 본체(9501), 표시부(9502), 하우징(9503), 외부 접속 포트(9504), 리모트 컨트롤 수신부(9505), 수상부(9506), 배터리(9507), 음성입력부(950B), 조작 키(9509), 접안부(9510) 등을 포함한다. 이 카메라에 있어서, 표시부(9502)는, 본 발명의 표시장치를 사용할 수 있다. 광 추출효율을 향상시킨 편광 광원을 사용하기 때문에, 카메라 본체의 저소비 전력화가 도모되어, 보다 편리성이 높은 것으로 할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 표시장치의 적용 범위는 극히 넓고, 모든 분야의 전자기기에 적용하는 것이 가능하다. 본 발명을 적용함에 의해, 초박형이고 공간절약의 저소비 전력의 전자기기를 제작하는 것이 가능해 진다.
(실시예 8)
본 발명의 표시장치는, 조명 장치로서 사용할 수도 있다. 본 발명을 적용한 표시장치를 조명 장치로서 사용하는 일 실시예를, 도12 내지 도14을 사용하여 설명한다.
또한 자동차, 자전거, 배 등의 헤드라이트로서 사용하는 것이 가능하다. 도12은, 본 발명을 적용한 표시장치를 자동차 헤드라이트로서 사용한 예다. 도12b는 도12a의 헤드라이트(1000)의 부분을 확대한 단면도다. 도12b에 있어서, 광원(1011)에서, 본 발명의 표시장치가 이용되고 있다. 광원(1011)으로부터 나온 빛은, 반사판(1012)에 의해 반사되어, 외부로 추출된다. 도12b에 나타나 있는 바와 같이 복수의 광원을 사용함으로써보다 고휘도의 빛을 얻을 수 있다. 또한 도12c는, 원통 형상으로 제작한 본 발명의 표시장치를 광원으로서 사용한 예이다. 광원(1021)으로부터의 발광은 반사판(1022)에 의해 반사되어, 외부로 추출된다.
도13은, 본 발명을 적용한 표시장치를, 조명 장치인 전기 스탠드로서 사용한 예이다. 도13에 나타내는 전기 스탠드는, 하우징(2101)과, 광원(2102)을 갖고, 광원(2102)으로서, 본 발명의 표시장치가 이용되고 있다. 본 발명의 표시장치는, 초박형이고 공간절약이기 때문, 실내에서의 설치 장소의 자유도가 높다.
도14는, 본 발명을 적용한 표시장치를, 실내의 조명 장치(3001)로서 사용한 예이다. 본 발명의 표시장치는 대면적화가 가능하기 때문에, 대면적의 조명 장치로서 사용할 수 있다. 또한 본 발명의 표시장치는, 초박형이고 저소비 전력이기 때문에, 초박형화, 저소비 전력화의 조명 장치로서 사용하는 것이 가능해 진다. 이렇게, 본 발명을 적용한 표시장치를, 실내의 조명 장치(3001)로서 사용한 방에, 도11a서 설명한 것 같은, 본 발명에 따른 텔레비젼 장치(3002)를 설치해서 공공 방송 이나 영화를 감상할 수 있다. 이러한 경우, 양 장치는 저소비 전력이므로, 전기요금을 걱정하지 않고, 밝은 방에서 박력이 있는 영상을 감상할 수 있다.
조명 장치로서는, 도12, 도13, 도14에 예시한 것에 한정되지 않고, 주택이나 공공 시설의 조명을 비롯해, 여러가지 형태의 조명 장치로서 응용할 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 본 발명에 따른 조명 장치는, 발광 매체가 박막형이므로, 디자인의 자유도가 높으므로, 다양하고 정교하게 디자인된 상품을 시장에 제공할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 표시장치에 의해, 보다 소비 전력의 낮고, 초박형이며 공간절약의 전자기기를 제공할 수 있다. 본 실시예는, 상기한 실시예와 자유롭게 조합할 수 있다.
본 발명의 효과로서는, 면광원을 사용함으로써, 특히 산란 광학계 등이 필요없어, 휘도 얼룩이 적은 출사광을 이용하는 것이 가능해 진다. 또한 출사광이 면으로 취급할 수 있기 때문에, 광원과 선택 반사 구조체의 거리가 대단히 가까운 거리에 평행 평면적으로 배치할 수 있어, 공기의 층을 포함하지 않고 광원과 일체로 탑재한 구조로 구성할 수 있다. 그 때문에 굴절률 차이가 적게 생기기 때문에, 계면 손실이 적은 구성으로 할 수 있다. 이들 특징을 기초로, 단일의 편광 성분에 덧붙여, 반사된 불요광도 변환해서 추출할 수 있는 작용을 실현하기 때문에 높은 빛의 이용 효율의 편광광원이 구성 가능해 진다.
더구나, 동일 기판 상에 이들 기능을 담을 수 있기 때문에, 액정의 백라이트 광원으로서의 이용 뿐만 아니라, 직접 액정의 대향기판으로서 사용할 수 있어, 백라이트 내장형의 액정 패널의 실현이 가능해 진다.
이러한 효과에 의해, 액정 패널의 저소비 전력화와 초박형화를 실현하는 것이 가능해 진다.

Claims (45)

  1. 반사 재료를 사용하는 제1 전극과,
    발광 도전막을 사용하는 제 2 전극과,
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재된 EL층과,
    선택 반사 구조체를 구비하고,
    상기 EL층에서 발생한 빛은 상기 제2 전극에서 추출되고,
    상기 제2 전극의 빛이 추출되는 측에 인접하여 상기 선택 반사 구조체가 설치되고,
    상기 선택 반사 구조체는 특정한 편광 성분의 빛을 투과시키고, 그 이외의 빛을 반사시킬 수 있는 조명 장치.
  2. 기판과,
    제1 전극과,
    EL층과,
    제2 전극과,
    선택 반사 구조체를 구비하고,
    상기 제 1 전극, EL층과 제 2 전극은 상기 기판 위에 순차 적층되고,
    상기 제1 전극은 반사성 재료를 포함하고,
    상기 제2 전극은 투광성 재료를 포함하고,
    상기 EL층에서 발생한 빛은 상기 제2 전극에서 추출되고,
    상기 제2 전극의 빛이 추출되는 측에 인접하여 상기 선택 반사 구조체가 설치되고,
    상기 선택 반사 구조체는 특정한 편광 성분의 빛을 투과시키고, 그 이외의 빛을 반사시킬 수 있는 조명 장치.
  3. 투광성 재료를 사용하는 기판과,
    투광성 재료를 사용하는 제 2 전극과,
    EL층과,
    반사성 재료를 사용하는 제 1 전극과,
    상기 제 2 전극에 인접하여 설치된 선택 반사 구조체를 구비하고,
    상기 제 1 전극, EL층과 제 1 전극은 상기 기판의 일면 위에 순차 적층되고,
    상기 선택 반사 구조체가 상기 기판의 다른 면 위에 설치되고,
    상기 EL층에서 발생한 빛은 상기 제2 전극에서 추출되고,
    상기 제2 전극에서 추출된 빛은 상기 기판을 거쳐 상기 선택 반사 구조체에 입사되고,
    상기 선택 반사 구조체는 입사광의 특정한 편광 성분의 빛을 투과시키고, 그 이외의 빛을 반사시킬 수 있는 조명 장치.
  4. 투광성 재료를 사용하는 기판과,
    투광성 재료를 사용하는 제 2 전극과,
    EL층과,
    반사성 재료를 사용하는 제 1 전극과,
    접착층과,
    선택 반사 구조체를 구비하고,
    상기 제 2 전극, EL층과 제 1 전극은 상기 기판의 일면 위에 순차 적층되고,
    상기 접착층은 상기 기판의 다른 면과 접촉하여 설치되고,
    상기 선택 반사 구조체가 상기 접착층과 접촉하여 설치되고,
    상기 EL층에서 발생한 빛은 상기 제2 전극에서 추출되고,
    상기 제2 전극에서 추출된 빛은 상기 기판과 상기 접착층을 거쳐 상기 선택 반사 구조체에 입사되고,
    상기 선택 반사 구조체는 입사광의 특정한 편광 성분의 빛을 투과시키고, 그 이외의 빛을 반사시킬 수 있는 조명 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고 S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 포함하는 조명 장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고 S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 포함하는 조명 장치.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고 S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 포함하는 조명 장치.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고 S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 포함하는 조명 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고, S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 복수의 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 포함하는 조명 장치.
  10. 제 2항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고, S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 복수의 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 포함하는 조명 장치.
  11. 제 3항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고, S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 복수의 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 포함하는 조명 장치.
  12. 제 4항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고, S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 복수의 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 포함하는 조명 장치.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, 입사되는 특정한 회전 방향의 빛을 포함하는 원 편광 성분을 투과시켜, 투과한 원 편광 성분의 빛을 직선 편광으로 변환하는 위상차판을 구비하고,
    상기 선택 반사 구조체는, 그 이외의 성분의 빛을 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 반사 편광 기능을 포함하는 조명 장치.
  14. 제 2항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, 입사되는 특정한 회전 방향의 빛을 포함하는 원 편광 성분을 투과시켜, 투과한 원 편광 성분의 빛을 직선 편광으로 변환하는 위상차판을 구비하고,
    상기 선택 반사 구조체는, 그 이외의 성분의 빛을 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 반사 편광 기능을 포함하는 조명 장치.
  15. 제 3항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, 입사되는 특정한 회전 방향의 빛을 포함하는 원 편광 성분을 투과시켜, 투과한 원 편광 성분의 빛을 직선 편광으로 변환하는 위상차판을 구비하고,
    상기 선택 반사 구조체는, 그 이외의 성분의 빛을 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 반사 편광 기능을 포함하는 조명 장치.
  16. 제 4항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, 입사되는 특정한 회전 방향의 빛을 포함하는 원 편광 성분을 투과시켜, 투과한 원 편광 성분의 빛을 직선 편광으로 변환하는 위상차판을 구비하고,
    상기 선택 반사 구조체는, 그 이외의 성분의 빛을 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 반사 편광 기능을 포함하는 조명 장치.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는 위상차판을 포함하는 조명 장치.
  18. 제 2항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는 위상차판을 포함하는 조명 장치.
  19. 제 3항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는 위상차판을 포함하는 조명 장치.
  20. 제 4항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는 위상차판을 포함하는 조명 장치.
  21. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 선택 반사 구조체 사이에 산란층을 더 구비한 조명 장치.
  22. 제 2항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 선택 반사 구조체 사이에 산란층을 더 구비한 조명 장치.
  23. 제 3항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 선택 반사 구조체 사이에 산란층을 더 구비한 조명 장치.
  24. 제 4항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 선택 반사 구조체 사이에 산란층을 더 구비한 조명 장치.
  25. 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 설치된 액정과,
    투광 도전막을 사용하는 화소 전극과,
    상기 화소 전극에 접속된 반도체소자를 구비하고,
    상기 화소전극과 상기 반도체소자는 상기 제 1 기판 위에 형성되고,
    상기 제 1 기판은 투광성 및 절연성 기판이고,
    상기 제 2 기판은 반사 재료를 사용하는 제1 전극과, EL층과, 투광 도전막을 사용하는 제 2 전극과, 상기 제 2 전극에 인접 설치된 선택 반사 구조체를 구비하고,
    상기 EL층에서 발생한 빛은 상기 제2 전극에서 추출되고,
    상기 제2 전극의 빛이 추출되는 측에 상기 선택 반사 구조체가 설치된 액정표시장치.
  26. 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 설치된 액정과,
    투광 도전막을 사용하는 화소 전극과,
    상기 화소 전극에 접속된 반도체소자를 구비하고,
    상기 화소전극과 상기 반도체소자는 상기 제 1 기판 위에 형성되고,
    상기 제 1 기판은 투광성 및 절연성 기판이고,
    상기 제 2 기판은 상기 화소 전극과 대향하는 면에 선택 반사 구조체를 구비하고,
    투광 도전막을 사용하는 제 2 전극과, EL층과, 반사 재료를 사용하는 제 1 전극이 상기 제 2 기판의 이면 위에 순차 적층되고,
    상기 제 2 기판은 투광성 및 절연성을 갖는 기판인 액정표시장치.
  27. 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 설치된 액정과,
    투광 도전막을 사용하는 화소 전극과,
    상기 화소 전극에 접속된 반도체소자와,
    선택 반사 구조체를 구비하고,
    상기 화소전극과 상기 반도체소자는 상기 제 1 기판 위에 형성되고,
    상기 제 1 기판은 투광성 및 절연성 기판이고,
    상기 제 2 기판은 상기 화소 전극과 대향하는 면에 접하여 접착층을 구비하고,
    상기 선택 반사 구조체가 상기 접착층과 접하여 설치되고,
    투광 도전막을 사용하는 제 2 전극과, EL층과, 반사 재료를 사용하는 제 1 전극이 상기 제 2 기판의 이면 위에 순차 적층되고,
    상기 제 2 기판은 투광성 및 절연성을 갖는 기판인 액정표시장치.
  28. 제 25항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고, S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 구비한 액정표시장치.
  29. 제 26항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고, S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 구비한 액정표시장치.
  30. 제 27항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, P파를 투과시키고, S파를 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 편광 빔 스플리터 기능을 조합한 광학 구성체를 구비한 액정표시장치.
  31. 제 25항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, 입사되는 특정한 회전 방향의 빛을 포함하는 원 편광 성분을 투과시켜, 투과한 원 편광 성분의 빛을 직선 편광으로 변환하는 위상차판을 구비하고,
    상기 선택 반사 구조체는, 그 이외의 성분의 빛을 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 반사 편광 기능을 포함하는 액정표시장치.
  32. 제 26항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, 입사되는 특정한 회전 방향의 빛을 포함하는 원 편광 성분을 투과시켜, 투과한 원 편광 성분의 빛을 직선 편광으로 변환하는 위상차판을 구비하고,
    상기 선택 반사 구조체는, 그 이외의 성분의 빛을 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 반사 편광 기능을 포함하는 액정표시장치.
  33. 제 27항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는, 입사되는 특정한 회전 방향의 빛을 포함하는 원 편광 성분을 투과시켜, 투과한 원 편광 성분의 빛을 직선 편광으로 변환하는 위상차판을 구비하고,
    상기 선택 반사 구조체는, 그 이외의 성분의 빛을 상기 제1 전극측에 반사시키도록 구성된 반사 편광 기능을 포함하는 액정표시장치.
  34. 제 25항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는 위상차판을 포함하는 액정표시장치.
  35. 제 26항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는 위상차판을 포함하는 액정표시장치.
  36. 제 27항에 있어서,
    상기 선택 반사 구조체는 위상차판을 포함하는 액정표시장치.
  37. 제 25항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 선택 반사 구조체 사이에 산란층이 설치된 액정표시장치.
  38. 제 26항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 선택 반사 구조체 사이에 산란층이 설치된 액정표시장치.
  39. 제 27항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 선택 반사 구조체 사이에 산란층이 설치된 액정표시장치.
  40. 제 25항에 있어서,
    상기 EL층은 상기 화소영역에 중첩하도록 선택적으로 설치된 액정표시장치.
  41. 제 26항에 있어서,
    상기 EL층은 상기 화소영역에 중첩하도록 선택적으로 설치된 액정표시장치.
  42. 제 27항에 있어서,
    상기 EL층은 상기 화소영역에 중첩하도록 선택적으로 설치된 액정표시장치.
  43. 제 1항에 있어서,
    반사 선택 반사 구조체는 접착층을 개재하여 상기 제 2 전극과 접촉하는 조명 장치.
  44. 제 2항에 있어서,
    반사 선택 반사 구조체는 접착층을 개재하여 상기 제 2 전극과 접촉하는 조명 장치.
  45. 제 25항에 있어서,
    반사 선택 반사 구조체는 접착층을 개재하여 상기 제 2 전극과 접촉하는 액정표시장치.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413073B (zh) * 2009-01-20 2013-10-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 具有消除關機殘影功能之液晶顯示器
KR101641713B1 (ko) * 2009-08-13 2016-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9721998B2 (en) 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
CN105074554B (zh) 2013-01-03 2018-04-17 英派尔科技开发有限公司 包括无机部件的显示设备及其制作方法和使用方法
CN103091898B (zh) * 2013-02-06 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示屏及其制备方法、显示装置
US10359857B2 (en) * 2013-07-18 2019-07-23 Immersion Corporation Usable hidden controls with haptic feedback
DE102015101216A1 (de) * 2015-01-28 2016-07-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung mit Strahlungskonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements
WO2016147074A1 (en) * 2015-03-17 2016-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US9964799B2 (en) * 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
JP6704935B2 (ja) * 2015-04-22 2020-06-03 シグニファイ ホールディング ビー ヴィＳｉｇｎｉｆｙ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｂ．Ｖ． 照明配置図作成器
WO2017064593A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2017081575A1 (en) 2015-11-11 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US10948163B2 (en) * 2017-12-08 2021-03-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight unit
CN112652729B (zh) * 2021-01-18 2022-08-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光器件及其制备方法、显示装置
CN114280842A (zh) * 2021-12-21 2022-04-05 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组、显示装置以及电子设备

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1223396A (en) * 1917-03-13 1917-04-24 Skf Svenska Kullagerfab Ab Ball-cage for ball-bearings.
US2227957A (en) * 1936-01-09 1941-01-07 Goodrich Co B F Softened rubber
US3297667A (en) * 1963-02-28 1967-01-10 Union Carbide Corp Production of cis-1, 4-polydienes by polymerization of 1, 3-dienes
US3322738A (en) * 1964-03-09 1967-05-30 Phillips Petroleum Co Process for terminating the organolithium catalysis of diene polymerization and produt resulting therefrom
US3541063A (en) * 1967-12-29 1970-11-17 Goodyear Tire & Rubber Process for the polymerization of diolefins with a catalyst comprising alkylaluminum compounds,group iii-b organo metal compounds and organoaluminum fluoride compounds
US3794604A (en) * 1971-09-24 1974-02-26 Goodyear Tire & Rubber Diolefin polymerization catalyst composition
GB1597500A (en) * 1977-12-29 1981-09-09 Shell Int Research Polymers
CA1223396A (en) * 1981-06-29 1987-06-23 Tooru Shibata Process for producing conjugated diene polymer
JPS58189203A (ja) * 1982-04-30 1983-11-04 Nippon Zeon Co Ltd ゴム組成物
US4647625A (en) * 1983-12-26 1987-03-03 Nippon Zeon Co., Ltd. Process for modifying conjugated diene polymers
DE3538130A1 (de) * 1985-10-26 1987-04-30 Bunawerke Huels Gmbh Verfahren und katalysator zur herstellung von syndiotaktischem 1,2-polybutadien
DE3611421A1 (de) * 1986-04-05 1987-10-08 Basf Ag Polymerisate mit aminogruppen, deren herstellung und verwendung
US5064910A (en) * 1986-09-05 1991-11-12 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Preparation of conjugated diene polymers modified with an organo-tin or germanium halide
US4906706A (en) * 1986-09-05 1990-03-06 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Modified conjugated diene polymer and process for production thereof
JPH02181302A (ja) 1988-12-29 1990-07-16 Seikosha Co Ltd 発音機能付きエレクトロルミネセンス装置
IT1230756B (it) * 1989-02-17 1991-10-29 Enichem Elastomers Metodo per la preparazione di polibutadiene a lavorabilita' migliorata.
US5109907A (en) * 1990-04-09 1992-05-05 Bridgestone/Firestone, Inc. Diene polymers and copolymers terminated by reaction with N-alkyl and N-aryl imines
US5066729A (en) * 1990-04-09 1991-11-19 Bridgestone/Firestone, Inc. Diene polymers and copolymers terminated by reaction with n-alkyl and n-aryl imines
US5227431A (en) * 1991-04-12 1993-07-13 Bridgestone/Firestone, Inc. Diene polymers and copolymers jumped by partial crosslinking and terminated with a substituted imine
JPH06349578A (ja) 1993-06-03 1994-12-22 Nichia Chem Ind Ltd Ｅｌランプ
US5310798A (en) * 1993-08-16 1994-05-10 Bridgestone/Firestone, Inc. Diene polymers and copolymers terminated with compounds having multiple-bonded nitrogen atoms and partially crosslinked with polyfunctional reagents
JP2761453B2 (ja) 1993-11-17 1998-06-04 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
ES2179965T3 (es) * 1993-12-29 2003-02-01 Bridgestone Corp Polimeros y copolimeros de dieno que tienen un grupo de alcoxisilano.
JP3219943B2 (ja) 1994-09-16 2001-10-15 株式会社東芝 平面直視型表示装置
DE4436059A1 (de) * 1994-10-10 1996-04-11 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von mittels Nd-Katalysatoren polymerisierten Dienkautschuken mit niedrigem cold-flow und geringem Eigengeruch
JPH08248420A (ja) 1995-03-07 1996-09-27 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JP3555809B2 (ja) * 1995-06-19 2004-08-18 株式会社ブリヂストン ラジアルタイヤ
US5844060A (en) * 1995-07-05 1998-12-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Organopolysiloxane resin, production method thereof, and curable organopolysiloxane resin composition using the same
JPH0962196A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Sony Corp 表示装置の光源
JPH0987426A (ja) * 1995-09-20 1997-03-31 Bridgestone Corp ゴム組成物の製造方法
DE69634849T2 (de) 1995-09-25 2006-05-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Elektrolumineszentes beleuchtungssystem und flachtafelbildanzeigevorrichtung mit einem solchen system
JPH09127885A (ja) 1995-10-30 1997-05-16 Sony Corp 表示素子
DE69723684T2 (de) * 1996-04-17 2004-04-22 Nippon Zeon Co., Ltd. Dienpolymerzusammensetzung, verfahren zu deren herstellung und kautschukzusammensetzung die dieselbe enthält
TW359765B (en) * 1996-05-10 1999-06-01 Seiko Epson Corp Projection type liquid crystal display apparatus
JP3606411B2 (ja) * 1996-07-10 2005-01-05 株式会社ブリヂストン タイヤ加硫成型用金型およびその製造方法
JP3331903B2 (ja) * 1996-08-23 2002-10-07 セイコーエプソン株式会社 表示素子及びそれを用いた電子機器
JP3117645B2 (ja) * 1996-09-03 2000-12-18 株式会社ブリヂストン 空気入りラジアルタイヤ
DE69815172T2 (de) * 1997-03-05 2004-07-01 Jsr Corp. Verfahren zur Herstellung von konjugierten Dien-Polymeren
US5916961A (en) * 1997-07-11 1999-06-29 Bridgestone Corporation Amine-initiated elastomers having hysteresis reducing interaction with silica
US5866650A (en) * 1997-07-11 1999-02-02 Bridgestone Corporation Composition of cyclic amine-initiated elastomers and amorphous silica and process for the production thereof
US5971046A (en) * 1997-09-17 1999-10-26 Bridgestone/Firestone, Inc. Method and apparatus for bonding an active tag to a patch and a tire
JPH11133231A (ja) 1997-10-27 1999-05-21 Nitto Denko Corp 偏光素子、光学素子、照明装置及び液晶表示装置
JPH11164912A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Jsr Corp ソリッドゴルフボール用ゴム組成物およびソリッドゴルフボール
US6197713B1 (en) * 1997-12-19 2001-03-06 Bridgestone Corporation Use of Lewis acids for the breakdown of gelatinous rare earth compounds in hydrocarbon solutions
JP4112663B2 (ja) * 1998-02-19 2008-07-02 シチズンホールディングス株式会社 液晶表示装置
US6255416B1 (en) * 1998-05-13 2001-07-03 Jsr Corporation Method of producing conjugated diene polymers
JP2000081848A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置を搭載した電子機器
DE69942499D1 (de) * 1998-10-05 2010-07-29 Semiconductor Energy Lab Reflektierende Halbleitervorrichtung
EP0997868B1 (en) * 1998-10-30 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field sequential liquid crystal display device and driving method thereof, and head mounted display
JP2000147429A (ja) * 1998-11-10 2000-05-26 Nitto Denko Corp 偏光面光源装置及び液晶表示装置
JP4341100B2 (ja) * 1999-02-12 2009-10-07 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
JP3487782B2 (ja) * 1999-03-17 2004-01-19 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2000347633A (ja) 1999-03-31 2000-12-15 Sharp Corp 光制御素子およびその駆動方法
US6977281B1 (en) * 1999-11-12 2005-12-20 Bridgestone Corporation Modified polymers prepared with lanthanide-based catalysts
ES2261156T3 (es) * 1999-11-12 2006-11-16 Jsr Corporation Polimeros de dieno conjugado modificados, metodo para la produccion y composicion de caucho que comprende el mismo.
JP4898045B2 (ja) * 1999-11-12 2012-03-14 株式会社ブリヂストン ランタニドを基にした触媒を用いて製造した変性重合体
JP4011805B2 (ja) 1999-11-22 2007-11-21 日東電工株式会社 導光板、面光源装置及び液晶表示装置
US6197888B1 (en) * 1999-12-30 2001-03-06 Bridgestone Corporation Process for producing blends of syndiotactic 1, 2-polybutadiene and rubbery elastomers with an iron-based catalyst system
US6303692B1 (en) * 2000-04-13 2001-10-16 Bridgestone Corporation Preparation of blends of syndiotactic 1,2-polybutadiene and rubbery elastomers with a molybdenum-based catalyst system
US6291591B1 (en) * 2000-04-13 2001-09-18 Bridgestone Corporation Process for producing blends of syndiotactic 1,2-polybutadiene and rubbery elastomers with a chromium-based catalyst system
JP2001357979A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Toshiba Corp Ｅｌ素子
JP2002117972A (ja) 2000-10-12 2002-04-19 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
CA2427984A1 (fr) * 2000-11-09 2002-05-16 Michelin Recherche Et Technique S.A. Systeme catalytique et procede de preparation d'elastomeres au moyen de ce systeme
JP4965055B2 (ja) * 2000-11-10 2012-07-04 株式会社ブリヂストン 新規な官能化剤を用いて製造した官能化高シス−１，４−ポリブタジエン
JP4011292B2 (ja) * 2001-01-15 2007-11-21 株式会社日立製作所 発光素子、及び表示装置
ES2266457T3 (es) * 2001-02-28 2007-03-01 Bridgestone Corporation Procedimiento continuo para la produccion de polimeros de dieno conjugados que tienen distribucion de peso molecular estrecha y productos de los mismos.
WO2002085952A2 (de) * 2001-04-23 2002-10-31 Bayer Aktiengesellschaft Modifizierte polymere mit einem hohen anteil an cis-ständigen doppelbindungen, ein verfahren zu deren herstellung sowie deren verwendung
JP2003100444A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Keiwa Inc 面照明装置
US7342070B2 (en) * 2001-09-27 2008-03-11 Jsr Corporation Conjugated diolefin (co)polymer rubber, process for producing (co)polymer rubber, rubber composition, composite, and tire
JP2003140561A (ja) 2001-10-30 2003-05-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6699813B2 (en) * 2001-11-07 2004-03-02 Bridgestone Corporation Lanthanide-based catalyst composition for the manufacture of polydienes
JP2003217835A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Nippon Seiki Co Ltd 電界発光素子
ES2254934T3 (es) * 2002-05-16 2006-06-16 Societe De Technologie Michelin Sistema catalitico para preparar polibutadienos y procedimiento de preparacion.
US20030231394A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-18 Koichi Kimura Optical element and display unit using this
JP2004045769A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Toyota Industries Corp 表示装置
JP4522947B2 (ja) * 2002-10-30 2010-08-11 株式会社ブリヂストン モノマーのアニオン重合に硫黄含有開始剤を使用する方法
JP2004163583A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2004342336A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP4131838B2 (ja) * 2003-05-16 2008-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2005043698A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
US7008899B2 (en) * 2003-08-11 2006-03-07 Bridgestone Corporation Lanthanide-based catalyst composition for producing cis-1,4-polydienes
JP4184189B2 (ja) * 2003-08-13 2008-11-19 株式会社 日立ディスプレイズ 発光型表示装置
JP4485184B2 (ja) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US7094849B2 (en) * 2003-12-15 2006-08-22 Bridgestone Corporation Bulk polymerization process for producing polydienes
US7453426B2 (en) * 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
ITMI20040076A1 (it) * 2004-01-22 2004-04-22 Polimeri Europa Spa Procedimento per la preparazione di polibutadiene a basso grado di ranificazione
US7268332B2 (en) * 2004-01-26 2007-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
CN100564407C (zh) * 2004-03-02 2009-12-02 株式会社普利司通 本体聚合方法
JP5005164B2 (ja) * 2004-03-03 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 発光素子，発光型表示装置及び照明装置
JP2005292407A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Nec Corp 液晶パネルおよびその製造方法及び液晶パネルを搭載した電子機器
JP4444745B2 (ja) * 2004-07-08 2010-03-31 キヤノン株式会社 偏光分離素子および画像投射装置
US20070271808A9 (en) 2004-09-21 2007-11-29 Eastman Kodak Company Lewis acid organometallic desiccant
US7335712B2 (en) * 2005-04-21 2008-02-26 Bridgestone Corporation Process of producing a siloxy-functionalized polymer
US20060264590A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Bridgestone Corporation Anionic polymerization initiators and polymers therefrom
US7868110B2 (en) * 2005-05-20 2011-01-11 Bridgestone Corporation Anionic polymerization initiators and polymers therefrom
TW200641465A (en) * 2005-05-20 2006-12-01 Sanyo Epson Imaging Devices Co Display device
US7816483B2 (en) * 2005-08-11 2010-10-19 Bridgestone Corporation Amine functionalized polymer
US8217572B2 (en) * 2005-10-18 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with prism layer
US7879952B2 (en) * 2005-12-28 2011-02-01 Bridgestone Corporation Functionalized polymers
US7671138B2 (en) * 2006-05-26 2010-03-02 Bridgestone Corporation Polymers functionized with hydrobenzamides
US7732534B2 (en) * 2006-08-28 2010-06-08 Bridgestone Corporation Polymers functionalized with nitro compounds
US8088868B2 (en) * 2006-12-19 2012-01-03 Bridgestone Corporation Polymers functionalized with protected oxime compounds
US8324329B2 (en) * 2007-08-07 2012-12-04 Bridgestone Corporation Process for producing functionalized polymers
US7879958B2 (en) * 2007-08-07 2011-02-01 Bridgestone Corporation Polyhydroxy compounds as polymerization quenching agents

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