JP6188745B2 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6188745B2
JP6188745B2 JP2015137582A JP2015137582A JP6188745B2 JP 6188745 B2 JP6188745 B2 JP 6188745B2 JP 2015137582 A JP2015137582 A JP 2015137582A JP 2015137582 A JP2015137582 A JP 2015137582A JP 6188745 B2 JP6188745 B2 JP 6188745B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
electrode
substrate
liquid crystal
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015137582A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015181134A (ja
Inventor
平形　吉晴
吉晴 平形
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2015137582A priority Critical patent/JP6188745B2/ja
Publication of JP2015181134A publication Critical patent/JP2015181134A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6188745B2 publication Critical patent/JP6188745B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/14—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters for producing polarised light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/20—Electroluminescent [EL] light sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/13355—Polarising beam splitters [PBS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133608—Direct backlight including particular frames or supporting means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/13362—Illuminating devices providing polarized light, e.g. by converting a polarisation component into another one
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources

Description

本発明は、照明装置、面光源を一体で搭載した液晶素子、液晶表示装置に関する。
液晶パネル等のフラットパネルディスプレイの改善が進み、映像の高品位化、低消費電
力化、長寿命化が図られている。これに対して、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ
Ｐａｎｅｌ）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｍｉｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＳＥＤ（
Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐ
ｌａｙ）、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ
：以下ＥＬともいう）、無機ＥＬ等の種々の自発光型のディスプレイが研究され、一部実
用化されるに至っている。これら自発光型の表示デバイスを用いたディスプレイは、液晶
ディスプレイ市場に食い込むことを目的に開発が続けられている。これらのディスプレイ
では、液晶のようにバックライトが必要無いことにより製品のディスプレイ部の厚さを薄
くでき、消費電力的に有利であるということが特徴の一つにあげられる。
生産技術、インフラ、小型から大型までの商品レパートリーに富む液晶ディスプレイで
あっても、上記の自発光型のディスプレイの市場投入は脅威であり、液晶パネルを用いる
ディスプレイも残る課題に対する対応が必要な状況となっている。
先に挙げた液晶ディスプレイにおける課題としては、バックライトを必要とするための
スペース、そして、これを駆動するための消費電力の低減、また、液晶の入力光として偏
光した光を必要とするための偏光以外の光のロス、および入射光を面内で均一にするため
の光学フィルム等の構造物によるコスト上昇およびスペースの増加等の改善が考えられる
。
上記課題を解決するにあたり、冷陰極管小型化、高効率化、長寿命化の開発がつづけら
れている。あるいは冷陰極管に変わり、発光ダイオードの発光効率の改善の研究が行われ
改善が進みつつある（例えば、特許文献１参照。）。しかし、これらの光源は線もしくは
点光源であり、輝度の均一化を図るために、強い散乱性を有する散乱板や導光板が必要と
なる。
さらに光の有効利用を図るために、光源と、液晶パネルとの間に、複数種類の高価な輝度
上昇フィルムを組みあわせて配置する等の対応をしたものもある。これらのフィルムは所
定の偏光の光の成分を透過させ、他の成分を光源側に戻して、この光を光源側で反射させ
、偏光方向を変化させて再度パネルの入射光として再利用を図るものである。
特開平８−２４８４２０号公報
しかし、これらのフィルムは点光源もしくは線光源と、光の屈折率差の大きな空気の層を
介して配置されることになるので、界面ロス等の損失が見過ごせずさらなる改善が求めら
れる。また、これらのコストも高く、設置空間を要する等の課題が残る。
本発明は、偏光特性を使用する機器への光源として用いる照明装置に対して、具体的に
は、この照明装置をバックライトとして液晶パネルに応用する場合に、偏光機能の付与と
、光利用効率の向上を図る照明装置構造の提案を行う。さらに、この照明装置を利用した
液晶表示装置の光源一体搭載構造を提案することを目的とする。
本発明の照明装置の構造としては、対向する第１の電極と第２の電極と、第１の電極と
第２の電極との間に少なくともＥＬ層を有する。第１の電極、ＥＬ層、第２の電極の順、
もしくは第２の電極、ＥＬ層、第１の電極の順に積層されて形成されており、ＥＬ層で発
した光は第２の電極から取り出される。
上記の発光素子の第１の電極は、発光層からの光を反射することできる電極である。ま
た、第２の電極は発光層からの光を透過することができる電極である。
さらに、第２の電極を透過する光の方向には、任意の偏光成分を選択透過させ、それ以
外の光の成分を反射させる機能を有する構造体がある（以下、選択反射構造体）。ここで
選択透過させられた光の成分は、液晶への入射光として用いることができる。この成分の
光をここでは有効光として表現する。また、ここで選択透過した以外の成分の反射光を不
要光として表現する。本発明において、不要光とは、必要としない光という意味ではなく
、反射などによって偏光状態を変化させることによって有効光として取り出すことのでき
る光をいう。
ここで不要光である反射光の成分は、照明装置に設けられた反射性を有する第１の電極と
選択反射構造体との間で反射させることにより、この反射光の偏光面や、偏光状態を変化
させる。より効率的に偏光状態の変化を実行するため、位相差板や散乱板の機能を単独も
しくは組みあわせてもよい。これにより、透過光と同じ成分を有する光に変化させ、この
成分も有効光として取り出すことも特徴としている。
選択反射構造体の具体例としては、コレステリック液晶と偏光膜との組み合わせによる反
射偏光板を用いてもよいし、偏光ビームスプリッター（以下ＰＢＳ）等のようなＰ波、Ｓ
波偏光の分離光学系を組みあわせて構成してもよい。この構造だけでも良いが、より望ま
しくは、これに変換効率を高めるために、反射される不要光の偏光状態や偏光面を積極的
に変化させるために、λ／４位相差板や散乱板、散乱構造体のような光学作用を有する構
造体を、単独もしくは、組みあわせて使用してもよい。ここでは、これらの組み合わせた
構造物を広く選択反射構造体と定義する。
第１の電極と第２の電極に駆動電圧を印加して、その間のＥＬ層を発光させた面光源から
の射出光は、偏光の選択反射機能を形成した選択反射構造体を形成することにより、所定
の偏光の光成分のみを透過し、それ以外の成分の不要光を反射する。この作用を利用し、
この選択反射構造体と、照明装置の反射電極間で、不要光の反射をともなう偏光面や偏光
状態の変化を生じさせる。これにより照明装置の光を、照明装置の射出側において効率的
に任意の偏光状態で取り出すことができる。通常は直線偏光となるようにして用いられる
。
ここでの特徴のひとつは、空気の層を介在することなく配置できるため、空気の層と選択
反射構造体上に配置される膜面での界面ロスを減少することができることとなる。これに
より反射電極である第一の電極と、選択反射構造体間の複数回の反射においても従来に比
べて損失が少なく扱える。
本発明の照明装置の一形態は、反射材料からなる第１の電極、ＥＬ層、透光性導電膜から
なる第２の電極を有し、ＥＬ層で発した光は第２の電極から取り出され、第２の電極の光
が取り出される側には、空気の層を介在させずに選択反射構造体が設けられ、選択反射構
造体は特定の偏光成分の光を透過させ、その他の光を反射させる機能を有する。
本発明の照明装置の一形態は、基板上に第１の電極、ＥＬ層、第２の電極の順に積層され
、第１の電極は反射性を有する材料からなり、第２の電極は透光性を有する材料からなり
、ＥＬ層で発した光は第２の電極から取り出され、第２の電極の光が取り出される側には
、空気の層を介在させずに選択反射構造体が設けられ、選択反射構造体は特定の偏光成分
の光を透過させ、その他の光を反射させる機能を有する。
本発明の照明装置の一形態は、透光性を有する材料からなる基板の一方の面に、透光性を
有する材料からなる第２の電極、ＥＬ層、反射性を有する材料からなる第１の電極の順に
積層され、基板の他方の面には、選択反射構造体が設けられ、ＥＬ層で発した光は第２の
電極から取り出され、第２の電極の取り出された光は基板を介して空気の層は介在させず
に選択反射構造体に入射され、選択反射構造体は、入射された光のうち特定の偏光成分の
光を透過させ、その他の光を反射させる機能を有する。
本発明の照明装置の一形態は、透光性を有する材料からなる基板の一方の面に、透光性を
有する材料からなる第２の電極、ＥＬ層、反射性を有する材料からなる第１の電極の順に
積層され、基板の他方の面は、接着層が接して設けられ、接着層に接して選択反射構造体
が設けられ、ＥＬ層で発した光は第２の電極から取り出され、第２の電極の取り出された
光は基板及び接着層を介して選択反射構造体に入射され、選択反射構造体は、入射された
光のうち特定の偏光成分の光を透過させ、その他の光を反射させる機能を有する。
本発明の液晶表示装置の一形態は、一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板の一方の
基板にマトリクス状に配置された透光性電導膜からなる画素電極と、画素電極に接続され
た半導体素子とが形成され、一方の基板は透光性および絶縁性を有する基板であり、もう
一方の基板は反射材料からなる第１の電極、ＥＬ層、透光性導電膜からなる第２の電極、
選択反射構造体を有し、ＥＬ層で発した光は第２の電極から取り出され、第２の電極の光
が取り出される側には、空気の層を介在させずに選択反射構造体が設けられている。
本発明の液晶表示装置の一形態は、一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板の一方の
基板にマトリクス状に配置された透光性電導膜からなる画素電極と、画素電極に接続され
た半導体素子とが形成され、一方の基板は透光性および絶縁性を有する基板であり、もう
一方の基板は、画素電極と対向する面に選択反射構造体を有し、もう一方の基板の裏面に
透光性導電膜からなる第２の電極、ＥＬ層、及び反射材料からなる第１の電極が順に積層
され、もう一方の基板は透光性および絶縁性を有する。
本発明の液晶表示装置の一形態は、一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板の一方の
基板にマトリクス状に配置された透光電導膜からなる画素電極と、画素電極に接続された
半導体素子とが形成され、一方の基板は透光性および絶縁性を有する基板であり、もう一
方の基板は、画素電極と対向する面に接して接着層が設けられ、接着層に接して選択反射
構造体を有し、もう一方の基板の裏面に透光導電膜からなる第２の電極と、ＥＬ層と、反
射材料からなる第１の電極とが順に積層され、もう一方の基板は透光性および絶縁性を有
する。
上記構成において、選択反射構造体は、Ｐ波を透過させ、Ｓ波を第１の電極側へ反射させ
るように構成された偏光ビームスプリッター機能を組み合わせた光学構成体からなっても
よい。また、選択反射構造体は、入射される光のうち、特定の回転方向の円偏光成分を透
過させ、透過した円偏光成分の光を直線偏光に変換する位相差板を有し、それ以外の成分
の光を第１の電極側へ反射させるように構成された反射偏光機能を有するものでもよい。
ここで、本発明の発光素子は、第１の電極と第２の電極の間にあるＥＬ層は、少なくとも
１層の発光層を有するものであればよい。ＥＬ層に発光層を複数設けてもよい。
また、発光層以外に、電子注入層、電子輸送層、ホールブロッキング層、正孔輸送層、正
孔注入層等の各層が適宜形成された発光素子も、本発明の範疇に含まれる。
また、本発明のＥＬ層は、無機発光材料をバインダー中に分散させたものでもよいし、
薄膜形成したものでもよいし、発光層以外に、１層以上の誘電体層を設けて形成された発
光素子も、本発明の範疇に含まれる。
本発明の効果としては、面光源を使用することにより、特に散乱光学系等が必要無く、輝
度ムラの少ない射出光を利用することが可能となる。また、射出光が面で扱えるため、光
源と選択反射構造体との距離が非常に近い距離に平行平面的に配置でき、空気の層を含ま
ずに光源と一体に搭載した構造で構成できるため、屈折率差が少なくできることから、界
面ロスの少ない構成とすることができる。これらの特徴のもとで、単一の偏光成分に加え
て、反射された不要光も変換して取り出せる作用を実現するため高い光の利用効率の偏光
光源が構成可能となる。
さらに、同一基板上にこれらの機能を盛り込むことができるため、液晶のバックライト光
源としての利用だけでなく、直接液晶の対向基板として用いることができ、バックライト
内蔵形の液晶パネルの実現が可能となる。
これらの効果により、液晶パネルの低消費電力化、薄型化を実現することが可能となる。
本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の液晶表示装置を説明する図。 本発明の液晶表示装置を説明する図。 本発明の電子機器を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる
様態で実施することが可能である。例えば、実施形態を適宜組み合わせることが可能であ
る。本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更する
ことは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は本実施の形態の記載内容に限
定して解釈されるものではない。
（実施形態１）
図１に、本実施形態の偏光機能を具備した照明装置の断面図を示す。基板１０１の片面
上に反射材料からなる第１の電極１０２と、この第１の電極形成後に絶縁層１０３が設け
られ、第１の電極上の発光領域にＥＬ層１０４が設けられている。この発光領域となるＥ
Ｌ層上に、透光性（導電膜）材料からなる第２の電極１０５が設けられている。さらに、
接着層１０６を介して選択反射構造体１０７が配置される。
この構成では第１の電極の取出部１１１と第２の電極の取出部１１２も同一面上に形成
される。
ここでは、この選択反射構造体１０７は、光学作用面（以下、光軸面）が９０度の角度で
配置された２つのＰＢＳからなるＰＢＳブロック１０８の集合体（以下ＰＢＳアレー）１
０９を形成している。
光源から入射された光のＳ波成分（以下、Ｓ波）は、この２つのＰＢＳブロック１０８間
で反射して、光源側にＳ波の反射光を戻すようにしたものである。このとき、Ｐ波成分（
以下、Ｐ波）はこの光学作用面を透過して、光源の射出光となる。
さらに、ここでは、選択反射構造体１０７の構成要素として、λ／４位相差板（以下、
λ／４板）１１０を所定の位置に配置した例を示している。組となるＰＢＳブロック１０
８で光源側へ反射して戻されるＳ波反射光は、λ／４板１１０を通す事により、ある回転
方向の円もしくは楕円偏光成分の光に変換される。この戻された円もしくは楕円偏光の反
射光は、さらに第１電極の反射面で再び反射され、再度λ／４板に入射した場合は、さら
にλ／４の位相差が付与されるため、Ｐ波成分の光もしくはＰ波成分の多い光に変換され
てＰＢＳブロックを通過することが可能となる。本発明では、選択反射構造体内において
、反射され光の方向を変化させられた光を反射光と記す。
つまり、本実施の形態のλ／４板１１０は最も効率的に偏光状態を変化させるために配
置されるものである。この例では、ＰＢＳブロック１０８の片側だけにλ／４板１１０を
形成したが、図２で示すようにλ／４板２１０のようにＰＢＳアレー２０９に対して全面
に構成してもよい。勿論、構成コストを下げるために配置しなくても、従来の光源と比較
して改善が見込める。
本実施の形態では、この選択反射構造体１０７は、光学作用面（以下、光軸面）が９０度
の角度で配置された２つのＰＢＳからなるＰＢＳブロック１０８で説明したが、有効光成
分を透過させ、不要光を反射させ光源側に戻すことを目的とするので、この角度は９０度
に限定されるものではない。例えば６０度であっても１４０度であっても目的を達成させ
られればよい。
本実施の形態の効果としては、面光源を使用することにより、特に散乱光学系等が必要無
く、輝度ムラの少ない射出光を利用することが可能となる。また、射出光が面で扱えるた
め、次の選択反射構造体との距離が非常に近い距離に平行平面的に配置でき、空気の層を
含まずに光源と一体に搭載した構造で構成できるため、屈折率差が少なくできることから
、界面ロスの少ない構成とすることができる。これらの特徴のもとで、単一の偏光成分に
加えて、反射された不要光も変換して取り出せる作用を実現するため高い光の利用効率の
偏光光源が構成可能となる。
さらに、同一基板上にこれらの機能を盛り込むことができるため、液晶のバックライト光
源としての利用だけでなく、直接液晶の対向基板として用いることができ、バックライト
内蔵形の液晶パネルの実現が可能となる。
これらの効果により、液晶パネルの低消費電力化、薄型化を実現することが可能となる。
（実施形態２）
図３に、本実施形態の偏光機能を具備した照明装置の断面図を示す。ひとつの基板の片
面に光源構造を、もう一つの面に選択反射構造体を配置したものである。この構造をここ
では、両面構造として表現する。
基板１１０１の片面上に、透光性材料からなる第２の電極１１０５と、この第２の電極形
成後に絶縁層１１０３が設けられ、第２の電極上の発光領域にＥＬ層１１０４が設けられ
ている。この発光領域となるＥＬ層１１０４上に、反射材料からなる第１の電極１１０２
が設けられている。さらに、この第１の電極１１０２上に保護膜１１１３が配置されてい
る。
さらに、基板の他の一方の面には、上記第２の電極から射出される光の領域と同じ位置
接着層１１０６を介して選択反射構造体１１０７が配置される。
この構成では、第１の電極の取出部１１１１と第２の電極の取出部１１１２は、選択反
射構造体からの射出光の面とは反対側に配置されることを特徴としている。
光源からの光学的な作用としてはガラス基板を間に介在させるという以外は、実施形態
１と同様となるため、ここでは省略する。
本実施の形態のλ／４板１１１０は最も効率的に偏光状態を変化させるために配置され
るものである。この例では、ＰＢＳブロック１１０８の片側だけにλ／４板１１１０を形
成したが、図４では、両面構造の実施形態２において、λ／４板を省略した例を示す。
本実施の形態では、散乱層として接着層２１０６中に、散乱体２１１０を分散させた構成
とすることにより、偏光状態を変化させるという性質ではなく、主に偏光面を意図的に変
化させる効果を利用して、取り出し効率の改善を図るとともに、光源からの射出光を散乱
させ、より輝度の均一性の改善を図るものである。射出光の取り出し効率という面では、
λ／４板１１１０を配置したものに対しては劣るが、作製面から簡単な構造となり、低コ
スト化が図れるという利点がある。
本実施の形態の効果としては、面光源を使用することにより、特に散乱光学系等が必要無
く、輝度ムラの少ない射出光を利用することが可能となる。また、射出光が面で扱えるた
め、次の選択反射構造体との距離が非常に近い距離に平行平面的に配置でき、空気の層を
含まずに光源と一体に搭載した構造で構成できるため、屈折率差が少なくできることから
、界面ロスの少ない構成とすることができる。これらの特徴のもとで、単一の偏光成分に
加えて、反射された不要光も変換して取り出せる作用を実現するため高い光の利用効率の
偏光光源が構成可能となる。
さらに、同一基板上にこれらの機能を盛り込むことができるため、液晶のバックライト光
源としての利用だけでなく、直接液晶の対向基板として用いることができ、バックライト
内蔵形の液晶パネルの実現が可能となる。
これらの効果により、液晶パネルの低消費電力化、薄型化を実現することが可能となる。
（実施形態３）
図５に、本実施形態の偏光機能を具備した照明装置の断面図を示す。基板３０１の片面
上に反射材料からなる第１の電極３０２と、この第１の電極形成後に絶縁層３０３が設け
られ、第１の電極上の発光領域にＥＬ層３０４が設けられている。この発光領域となるＥ
Ｌ層上に、透光性（導電膜）材料からなる第２の電極３０５が設けられている。さらに、
パッシベーション層３０６を介して選択反射構造体３０７が配置される。
この構成では第１の電極の取出部３１０と第２の電極の取出部３１１も同一面上に形成
される。
ここでは、この選択反射構造体３０７は、所定の円偏光成分のみが透過し、この透過光成
分は積層された位相差板で直線偏光に変換され出力される。また、その他の成分の光を反
射させる作用をもつ。
さらに、ここでは、選択反射構造体３０７の構成要素として、λ／４板３０９を所定の
位置に配置した例を示している。λ／４板３０９を通す事により、この光学膜を通過する
光は、その偏光状態を変化させる。反射偏光板３０８へ入射する光は、まず、λ／４板３
０９を通過するときに偏光変換される。この偏光変換された入射光の内、反射偏光板３０
８で所定の円偏光成分のみが透過し、偏光板で直線偏光に変換して有効光として出力する
。
また、反射偏光板３０８で反射された不要光は、再度λ／４板３０９を通過することに
より、偏光変換され光源方向へ戻される。この不要光が光源の第１電極で反射され、再度
選択反射構造体への入射光となる。ここで、またλ／４板３０９で偏光変換され、その内
の所定の円偏光成分が有効光として射出されることとなる。
この例のλ／４板３０９はより効率的に偏光状態を変化させるために配置されるもので
あるが、図６では、作製コストを優先してλ／４板を使用しない例を示した。基板４０１
の片面上に反射材料からなる第１の電極４０２と、この第１の電極形成後に絶縁層４０３
が設けられ、第１の電極上の発光領域にＥＬ層４０４が設けられている。この発光領域と
なるＥＬ層上に、透光性（導電膜）材料からなる第２の電極４０５が設けられている。さ
らに、パッシベーション層４０６を介して反射偏光板４０８を含む選択反射構造体４０７
が配置される。この構成では第１の電極の取出部４０９と第２の電極の取出部４１０も同
一面上に形成される。この構成であっても従来の光源と比較して改善が見込める。
本実施の形態の効果としては、面光源を使用することにより、特に散乱光学系等が必要無
く、輝度ムラの少ない射出光を利用することが可能となる。また、射出光が面で扱えるた
め、次の選択反射構造体との距離が非常に近い距離に平行平面的に配置でき、空気の層を
含まずに光源と一体に搭載した構造で構成できるため、屈折率差が少なくできることから
、界面ロスの少ない構成とすることができる。これらの特徴のもとで、単一の偏光成分に
加えて、反射された不要光も変換して取り出せる作用を実現するため高い光の利用効率の
偏光光源が構成可能となる。
さらに、同一基板上にこれらの機能を盛り込むことができるため、液晶のバックライト光
源としての利用だけでなく、直接液晶の対向基板として用いることができ、バックライト
内蔵形の液晶パネルの実現が可能となる。
これらの効果により、液晶パネルの低消費電力化、薄型化を実現することが可能となる。
（実施形態４）
図７に、本実施形態の偏光機能を具備した照明装置の断面図を示す。ひとつの基板の片
面に光源構造を、もう一つの面に選択反射構造体を配置した両面構造における他の例をし
めす。
基板３３０１の片面上に、透光性材料からなる第２の電極３３０５と、この第２の電極形
成後に絶縁層３３０３が設けられ、第２の電極上の発光領域にＥＬ層３３０４が設けられ
ている。この発光領域となるＥＬ層３３０４上に、反射材料からなる第１の電極３３０２
が設けられている。さらに、この第１の電極３３０２上に保護膜３３０６が配置されてい
る。
さらに、基板の他の一方の面には、上記第２の電極から射出される光の領域と同じ位置
選択反射構造体３３０７が配置される。
この構成では、第１の電極の取出部３３１０と第２の電極の取出部３３１１は、選択反
射構造体３３０７からの射出光の面とは反対側に配置されることを特徴としている。
光源からの光学的な作用としてはガラス基板を光源と選択反射構造体との間に介在させ
るという以外は、実施形態３と同様となるため、ここでは省略する。
本実施の形態の選択反射構造体３３０７は、効率的に偏光状態を変化させるためにλ／
４板３３０９と反射偏光板３３０８で構成している。基板上に直に光学薄膜を形成した構
造としているが、これらは接着層を含むフィルム製の部材を用いてもよい。
ここで図８では、両面構造の実施形態３において、λ／４板を省略し、散乱層を用いた例
を示す。なお、選択反射構造体４３０７は、反射偏光板４３１２を含んで構成されている
。
本実施の形態では、散乱層として接着層４３０８中に、散乱体４３０９を分散させた構成
とすることにより、偏光状態を変化させるという性質ではなく、主に偏光面を意図的に変
化させる効果を利用して、取り出し効率の改善を図るとともに、光源からの射出光を散乱
させ、より輝度の均一性の改善を図るものである。作製面から簡単な構造とでき、低コス
ト化が図れるという利点がある。
本実施の形態の効果としては、面光源を使用することにより、特に散乱光学系等が必要無
く、輝度ムラの少ない射出光を利用することが可能となる。また、射出光が面で扱えるた
め、次の選択反射構造体との距離が非常に近い距離に平行平面的に配置でき、空気の層を
含まずに光源と一体に搭載した構造で構成できるため、屈折率差が少なくできることから
、界面ロスの少ない構成とすることができる。これらの特徴のもとで、単一の偏光成分に
加えて、反射された不要光も変換して取り出せる作用を実現するため高い光の利用効率の
偏光光源が構成可能となる。
さらに、同一基板上にこれらの機能を盛り込むことができるため、液晶のバックライト光
源としての利用だけでなく、直接液晶の対向基板として用いることができ、バックライト
内蔵形の液晶パネルの実現が可能となる。
これらの効果により、液晶パネルの低消費電力化、薄型化パネルを実現することが可能と
なる。
（実施形態５）
本実施形態では、表示機能を有するアクティブマトリクス型液晶パネルに用いた例に
ついて図９を用いて説明する。
図９（Ａ）はアクティブマトリクス型液晶パネルを正面からみたときの模式図である。
素子基板８００に対向基板８０１がシール材８０２により固着されている。
素子基板８００には、画素部８０３と、ゲートドライバー回路８０４と、ソースドライ
バー回路８０５とが設けられている。ゲートドライバー回路８０４及びソースドライバー
回路８０５は、それぞれ、配線群を介して、外部入力端子であるＦＰＣ（フレキシブルプ
リントサーキット）８０６と接続している。そして、ソースドライバー回路８０５と、ゲ
ートドライバー回路８０４は、それぞれ、ＦＰＣ８０６からビデオ信号、クロック信号、
スタート信号、リセット信号、各種電源等を受け取る。
画素部８０３及びゲートドライバー回路８０４、ソースドライバー回路８０５のトラン
ジスタは、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）で形成されている。なお、ゲートドライバ
ー回路８０４及びソースドライバー回路８０５は、上記のように必ずしも画素部８０３と
同一の素子基板８００上に設けられている必要はなく、例えば、配線パターンが形成され
たＦＰＣ上にＩＣチップを実装したもの（ＴＣＰ）等を利用し、基板外部に設けられてい
てもよい。また、ゲートドライバー回路８０４及びソースドライバー回路８０５において
、それぞれ一部の回路を素子基板８００上に設け、一部を素子基板８００外部に設けても
よい。
図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＡ−Ａ’における断面を示す。この対向基板８０１は、本
発明の偏光作用付きの光源を有しており、この対向基板からの有効光の射出面と、素子基
板８００の素子面を、所定の間隔（以下、セルギャップ）を保って対向するように配置す
る。これらの両基板（素子基板８００、対向基板８０１）を固着しているシール材８０２
の内側に液晶８０７を配向させて光源一体搭載化パネルを形成する。
ここでは、図示していないが、対向電極８１９および画素電極８２３の電極を有する各表
面には配向処理された配向膜が形成されている。また、セルギャップを維持するために、
ここでは素子基板上にスペーサ８２０を形成している。また図示はしていないがシール材
８０２中にもフィラーといわれるスペーサ材を混在して用いてもよい。この構造では素子
基板８００側から光りが取り出される。
ここで対向基板８０１には、反射材料からなる第１の電極８０８と、発光部となるＥＬ
層８０９，透光性導電材料からなる第２の電極８１０が順次積層される。本断面には記載
されていないが、第１の電極と第２の電極の電気的な短絡を生じる可能性がある場合は、
これを避けるために発光エリアと電源接続部を除いた領域には絶縁層が設けてもよい。
次にここでは、第２電極８１０上へ、ＥＬ層への水分や酸素による悪影響を防ぐ目的で
パッシベーション層８１１を設けている。
反射材料としては、チタン、タングステン、ニッケル、金、白金、銀、アルミニウム、マ
グネシウム、カルシウム、リチウム、およびそれらの合金からなる導電膜などを用いるこ
とができる。
透光性導電材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛（
ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに
酸化珪素（ＳｉＯ２）を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステ
ンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタン
を含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができ
る。
平坦化膜としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）、窒素を含む酸化アルミニウム（酸化窒化アルミニウムともいう）（ＡｌＯ
Ｎ）、酸素を含む窒化アルミニウム（窒化酸化アルミニウムともいう）（ＡｌＮＯ）、酸
化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ポリシラザン、窒素含有炭素
膜（ＣＮ）、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ膜、その
他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。また、シロキ
サン樹脂を用いてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、感
光性、非感光性どちらでも良く、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド
、レジスト又はベンゾシクロブテンなどを用いることができる。また、オキサゾール樹脂
を用いることもでき、例えば光硬化型ポリベンゾオキサゾールなどを用いることができる
。
パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化
アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アル
ミニウムまたは酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭
素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることがで
きる。又はシロキサン樹脂を用いてもよい。
本実施の形態では、実施形態１で示したＰＢＳアレー８１４とλ／４位相差板８１３の
組み合わせによる選択反射構造体８２７を、接着層８１２を介してパッシベーション層８
１１上に設けている。
液晶パネルでは画素部８０３におけるセルギャップの均一性が重要なため、対向基板側
のこの表示領域において特に平坦性が必要とされる。このため、ＰＢＳアレー８１４とλ
／４位相差板８１３の組み合わせによる選択反射構造体８２７上に平坦化膜８１５を形成
している。
さらに、本実施の形態ではカラー表示可能な液晶パネルの構成として、前記平坦化膜８
１５上にはブラックマトリクス（以下、ＢＭ）８１６、カラーフィルタ８１７、オーバー
コート８１８を順次形成している。ここでオーバーコート８１８は、平坦化作用の他に、
ＢＭ８１６や，カラーフィルタ８１７からの拡散物が、液晶や素子基板上の素子への悪影
響を防ぐ目的を兼ねている。このオーバーコート８１８の上に液晶の対向電極８１９とな
る透光性導電膜が形成されている。
他方、素子基板８００上には、画素ＴＦＴ８２１，補助容量８２２，透光性導電膜から
なる画素電極８２３で画素部８０３が構成され、回路ＴＦＴ８２４からなる薄膜トランジ
スタ等によりソースドライバー回路８０５が構成されている。同様にこの断面には記載さ
れないが薄膜トランジスタ等からなるゲートドライバー回路８０４も構成されている。こ
れらのソースドライバー回路８０５及びゲートドライバー回路８０４へは端子部８２６の
端子引出配線８２５を介してＦＰＣ８０６へ接続され、各種の電源や信号が印加される。
本実施形態の断面部には図示されていないが、パネル形成時に対向基板８０１の内側に
第１の電極８０８および第２の電極８１０の取り出し部が配置されることになる。このた
め、これらの電極への電源の印加は、導電性スペーサや導電性ペースト等を介して素子基
板８００の配線から端子引出配線に電気的に接続してもよいし、対向基板８０１の外形を
大きくして、この内側の面に直接電源配線をしてもよい。
本実施の形態の効果としては、面光源を使用することにより、特に散乱光学系等が必要無
く、輝度ムラの少ない射出光を利用することが可能となる。また、射出光が面で扱えるた
め、次の選択反射構造体との距離が非常に近い距離に平行平面的に配置でき、空気の層を
含まずに光源と一体に搭載した構造で構成できるため、屈折率差が少なくできることから
、界面ロスの少ない構成とすることができる。これらの特徴のもとで、単一の偏光成分に
加えて、反射された不要光も変換して取り出せる作用を実現するため高い光の利用効率の
偏光光源が構成可能となる。
さらに、同一基板上にこれらの機能を盛り込むことができるため、液晶のバックライト光
源としての利用だけでなく、直接液晶の対向基板として用いることができ、バックライト
内蔵形の液晶パネルの実現が可能となる。
これらの効果により、液晶パネルの低消費電力化、薄型化パネルを実現することが可能と
なる。
（実施形態６）
本実施形態では、表示機能を有するアクティブマトリクス型液晶パネルに用いた他の
例について図１０を用いて説明する。本実施の形態では、実施形態４で示した構造を液晶
パネルの対向基板へ採用している。
図１０（Ａ）はアクティブマトリクス型液晶パネルを正面からみたときの模式図である
。素子基板９００に対向基板９０１がシール材９０２により固着されている。
素子基板９００には、画素部９０３と、ゲートドライバー回路９０４と、ソースドライ
バー回路９０５とが設けられている。ゲートドライバー回路９０４及びソースドライバー
回路９０５は、それぞれ、配線群を介して、外部入力端子であるＦＰＣ（フレキシブルプ
リントサーキット）９０６と接続している。そして、ソースドライバー回路９０５と、ゲ
ートドライバー回路９０４は、それぞれ、ＦＰＣ９０６からビデオ信号、クロック信号、
スタート信号、リセット信号、各種電源等を受け取る。
画素部９０３及び駆動回路部であるゲートドライバー回路９０４及びソースドライバー
回路９０５のトランジスタは、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）で形成されている。な
お、ゲートドライバー回路９０４、ソースドライバー回路９０５は、上記のように必ずし
も画素部９０３と同一基板である素子基板９００上に設けられている必要はなく、例えば
、配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップを実装したもの（ＴＣＰ）等を利用し
、基板外部に設けられていてもよい。また、ゲートドライバー回路９０４、ソースドライ
バー回路９０５において、それぞれ一部の回路を素子基板９００上に設け、一部を素子基
板９００外部に設けてもよい。
図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＢ−Ｂ’における断面を示す。この対向基板９０１は
、本発明の偏光作用付きの光源を有しており、この対向基板からの有効光の射出面と、素
子基板９００の素子面を、所定の間隔（以下、セルギャップ）を保って対向するように配
置する。これらの素子基板９００及び対向基板９０１を固着しているシール材９０２の内
側に液晶９０７を配向させて光源一体搭載パネルを形成する。
ここでは、図示していないが、対向電極９２１および画素電極９２５の電極を有する各表
面には配向処理された配向膜が形成されている。また、セルギャップを維持するために、
ここでは素子基板上にスペーサ９２２を形成している。また図示はしていないがシール材
９０２材中にもフィラーといわれるスペーサ材を混在して用いてもよい。この構造では素
子基板９００側から光りが取り出される。
ここで対向基板９０１の一方の面には、透光性導電材料からなる第２の電極９０８と、
絶縁層９０９，発光部となるＥＬ層９１０、反射材料からなる第１の電極９１１が順次積
層される。絶縁層９０９は、第１の電極と第２の電極の電気的な短絡を避けるために設け
られている。
この第１の電極９１１上へ、ＥＬ層への水分や酸素による悪影響を防ぐ目的でパッシベ
ーション層９１２を設けている。さらにこの上には保護膜９１３でこの光源部の保護を図
っている。パッシベーション層９１２と保護膜９１３は必要に応じてつければよい。
また、対向基板の他方の面には、発光部の発光が第２の電極から取り出される射出面と
ほぼ同じ領域に選択反射構造体９１４を形成する。ここでは、選択反射構造体９１４とし
てはλ／４位相差板９１５と反射偏光板９１６の組み合わせとしている。
液晶パネルでは画素部９０３におけるセルギャップの均一性が重要なため、対向基板側
のこの表示領域において特に平坦性が必要とされる。このため、選択反射構造体９１４上
に平坦化膜９１７を形成している。
さらに、本実施の形態ではカラー表示可能な液晶パネルの構成として、前記平坦化膜９
１７上にはブラックマトリクス（以下、ＢＭ）９１８、カラーフィルタ９１９、オーバー
コート９２０を順次形成している。ここでオーバーコート９２０は、平坦化作用の他に、
ＢＭ９１８や，カラーフィルタ９１７からの拡散物が、液晶や素子基板上の素子への悪影
響を防ぐ目的を兼ねている。このオーバーコート９２０上に液晶の対向電極９２１となる
透光性導電膜が形成されている。
他方、素子基板９００上には、画素ＴＦＴ９２３，補助容量９２４，透光性導電膜から
なる画素電極９２５で画素部９０３が構成され、回路ＴＦＴ９２６からなる薄膜トランジ
スタ等によりソースドライバー回路９０５が構成されている。同様にこの断面には記載さ
れないが薄膜トランジスタ等からなるゲートドライバー回路９０４も構成されている。こ
れらのソースドライバー回路９０５及びゲートドライバー回路９０４へは端子部９２８の
端子引出配線９２７を介してＦＰＣ９０６へ接続され、各種の電源や信号が印加される。
本実施形態では、パネル形成時に対向基板９０１の外側に第１の電極９１１と電気的に
接続する第１電極取出部９２９と、第２の電極９０８と電気的に接続する第２電極取出部
９３０が配置されることになる。
通常は第１の電極９１１形成時に同時に第１電極取出部９２９も形成し、第２の電極９０
８形成時に同時に第２電極取出部９３０が形成される。
第２の電極および第２電極取出部は透光性導電材料であるＩＴＯやＺｎＯ等により形成さ
れるが、これらの膜は金属材料に比べて電気抵抗が高い。また、これらの透光性導電膜自
体をそのまま剥き出しとして扱うのは信頼性上も望ましくない。さらに直接半田付け等を
行う場合は特殊な半田付け装置、材料が必要となる等の問題がある。
本実施の形態では、先行して形成された第２電極取出部９３０上に、第１の電極９１１形
成と同時にアルミニウムやアルミニウム合金等の金属材料からなる第１電極形成膜が、第
１電極とは電気的に切り離して積層する構造としている。これにより第２電極において第
２電極取り出し部の抵抗を低減するとともに信頼性の向上を図っている。
液晶パネルの表示面を表としたときに、パネルの裏面に電源接続部を有する構造となって
いる。
実施形態１〜６は照明装置（光源）からの射出光の取り出し効率の改善を図りながら、か
つ偏光した光を取り出す事を同時に実現する構造例を示しているが、選択反射構造体を単
に偏光板と同等の作用の膜もしくはフィルム等を用いてもよい。光源と偏光板との間に空
気の層が介在しないため、それだけでも、この間の光学的な界面ロス分が改善される。
あるいは、実施形態１〜６のような一体搭載化光源の有効光の射出側上に、さらに偏光
板（膜）等を配置し、偏光板の透過軸と、射出光の偏光面を射出光が透過するように合わ
せることにより、より消光比のよい偏光光源とすることも可能である。これにより、液晶
表示装置等のコントラスト等が向上できる。
なお、本実施形態では、アクティブマトリクス型液晶パネルについて説明したが、パッ
シブマトリクス型液晶パネルにも適用することができる。
また、実施形態５、６で示される画素部８０３，９０３の各面積に対して、光源の発光
部となるＥＬ層８０９，９１０の各面積は若干大きめにすることが望ましい。しかし、こ
の発光部自体を大きくすることは消費電力の増加にもつながる。さらに、ソースドライバ
ー回路８０５、９０５、ゲートドライバー回路８０４，９０４を構成する回路ＴＦＴ８２
４，９２６等の薄膜トランジスタに不要な光を照射することは光リークの影響を考慮する
と望ましいとは言えない。本発明は、発光部の領域を各パネル形状に合わせて選択的に配
置することが可能であるという特徴もある。つまり、ＥＬ層は画素領域に重畳するように
選択的に設けられる構造でもよい。
本実施の形態の効果としては、面光源を使用することにより、特に散乱光学系等が必要無
く、輝度ムラの少ない射出光を利用することが可能となる。また、射出光が面で扱えるた
め、次の選択反射構造体との距離が非常に近い距離に平行平面的に配置でき、空気の層を
含まずに光源と一体に搭載した構造で構成できるため、屈折率差が少なくできることから
、界面ロスの少ない構成とすることができる。これらの特徴のもとで、単一の偏光成分に
加えて、反射された不要光も変換して取り出せる作用を実現するため高い光の利用効率の
偏光光源が構成可能となる。
さらに、同一基板上にこれらの機能を盛り込むことができるため、液晶のバックライト光
源としての利用だけでなく、直接液晶の対向基板として用いることができ、バックライト
内蔵形の液晶パネルの実現が可能となる。
これらの効果により、液晶パネルの低消費電力化、薄型化パネルを実現することが可能と
なる。
（実施の形態１）
本発明の表示装置は、電子機器の表示部として用いることができる。
本実施の形態で示す電子機器は、実施の形態１乃至６で示した表示装置を有する。光取り
出し効率を向上させた偏光光源を用いることにより、低消費電力化を実現することができ
る。また、この光源を対向基板に設け、液晶パネルと一体に搭載することよって、パネル
の厚みや、これまで必要だった光源（照明装置）スペースを削減することができる。薄型
で省スペースの低消費電力の液晶表示装置等が実現できる。
本発明を適用して作製された電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ
、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、
オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具
体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生
し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器
の具体例を図１１に示す。
図１１（Ａ）は本発明に係るテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部
９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置に
おいて、表示部９１０３に本発明の表示装置を用いることができる。光取り出し効率を向
上させた偏光光源を用いることにより、テレビ装置本体の低消費電力化をはかることがで
きる。それにより住環境に適合した製品とすることができる。
図１１（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部
９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２
０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３は本発明の表示装置を用いる
ことができる。光取り出し効率を向上させた偏光光源を用いることにより、コンピュータ
自体の低消費電力を図ることができる。
図１１（Ｃ）は携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声
入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７、ア
ンテナ９４０８等を含む。この携帯電話において、表示部９４０３は、本発明の表示装置
を用いることができる。光取り出し効率を向上させた偏光光源を用いるため、携帯電話は
低消費電力化が図られ、より利便性の高いものとすることができる。
図１１（Ｄ）はカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接
続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音
声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラにおいて、
表示部９５０２は、本発明の表示装置を用いることができる。光取り出し効率を向上させ
た偏光光源を用いるため、カメラ本体の低消費電力化が図られ、より利便性の高いものと
することができる。
以上の様に、本発明の表示装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適
用することが可能である。本発明を適用することにより、薄型で省スペースの低消費電力
の電子機器を作製することが可能となる。
（実施の形態２）
本発明の表示装置は、照明装置として用いることもできる。本発明を適用した表示装置
を照明装置として用いる一態様を、図１２乃至１４を用いて説明する。
また、自動車、自転車、船などのヘッドライトとして用いることが可能である。図１２は
、本発明を適用した表示装置を自動車のヘッドライトとして用いた例である。図１２（Ｂ
）は図１２（Ａ）のヘッドライト１０００の部分を拡大した断面図である。図１２（Ｂ）
において、光源１０１１として本発明の表示装置が用いられている。光源１０１１から出
た光は、反射板１０１２により反射され、外部へ取り出される。図１２（Ｂ）に示すよう
に、複数の光源を用いることで、より高輝度の光を得ることができる。また、図１２（Ｃ
）は、円筒形状に作製した本発明の表示装置を光源として用いた例である。光源１０２１
からの発光は反射板１０２２により反射され、外部へ取り出される。
図１３は、本発明を適用した表示装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例で
ある。図１３に示す電気スタンドは、筐体２１０１と、光源２１０２を有し、光源２１０
２として、本発明の表示装置が用いられている。本発明の表示装置は、薄型で省スペース
であるため、室内での設置場所の自由度が高い。
図１４は、本発明を適用した表示装置を、室内の照明装置３００１として用いた例である
。本発明の表示装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることが
できる。また、本発明の表示装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力
化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した表示装置を
、室内の照明装置３００１として用いた部屋に、図１１（Ａ）で説明したような、本発明
に係るテレビジョン装置３００２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。こ
のような場合、両装置は低消費電力であるので、電気料金を心配せずに、明るい部屋で迫
力のある映像を鑑賞することができる。
照明装置としては、図１２、図１３、図１４で例示したものに限られず、住宅や公共施設
の照明をはじめ、様々な形態の照明装置として応用することができる。このような場合に
おいて、本発明に係る照明装置は、発光媒体が薄膜状であるので、デザインの自由度が高
いので、様々な意匠を凝らした商品を市場に提供することができる。
このように、本発明の表示装置により、より消費電力の低く、薄型で省スペースの電子機
器を提供することができる。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせるこ
とができる。

Claims (2)

  1. 発光素子と、
    前記発光素子の光が取り出される側に順に設けられた、
    位相差板と、
    前記位相差板と重なる、第１の偏光ビームスプリッター、及び前記位相差板と重ならない、第２の偏光ビームスプリッターと、
    前記第１の偏光ビームスプリッター及び前記第２の偏光ビームスプリッターの表面を平坦にすることができる、平坦化膜と、
    前記平坦化膜を介して、前記発光素子と重なる液晶素子と、を有することを特徴とする表示装置。
  2. 第１の基板と、
    前記第１の基板に設けられた、発光素子と、
    前記発光素子の光が取り出される側に順に設けられた、
    位相差板と、
    前記位相差板と重なる、第１の偏光ビームスプリッター、及び前記位相差板と重ならない、第２の偏光ビームスプリッターと、
    前記第１の偏光ビームスプリッター及び前記第２の偏光ビームスプリッターの表面を平坦にすることができる、平坦化膜と、
    前記平坦化膜を介して、前記発光素子と重なる液晶素子と、
    前記第１の基板と対向するように配置した、第２の基板と、を有し、
    前記発光素子の取り出し部は、前記第１の基板側に設けられ、
    前記発光素子の取り出し部は、導電性スペーサまたは導電性ペーストを介して前記第２の基板側に設けられた端子引出配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
JP2015137582A 2006-06-02 2015-07-09 表示装置 Active JP6188745B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015137582A JP6188745B2 (ja) 2006-06-02 2015-07-09 表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006155470 2006-06-02
JP2006155470 2006-06-02
JP2015137582A JP6188745B2 (ja) 2006-06-02 2015-07-09 表示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013219457A Division JP2014026294A (ja) 2006-06-02 2013-10-22 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015181134A JP2015181134A (ja) 2015-10-15
JP6188745B2 true JP6188745B2 (ja) 2017-08-30

Family

ID=38913065

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013219457A Withdrawn JP2014026294A (ja) 2006-06-02 2013-10-22 発光装置
JP2015137582A Active JP6188745B2 (ja) 2006-06-02 2015-07-09 表示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013219457A Withdrawn JP2014026294A (ja) 2006-06-02 2013-10-22 発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20080006833A1 (ja)
JP (2) JP2014026294A (ja)
KR (1) KR101391156B1 (ja)
CN (1) CN101083857B (ja)
TW (1) TWI465146B (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413073B (zh) * 2009-01-20 2013-10-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 具有消除關機殘影功能之液晶顯示器
KR101641713B1 (ko) * 2009-08-13 2016-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9721998B2 (en) 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US9261730B2 (en) 2013-01-03 2016-02-16 Empire Technology Development Llc Display devices including inorganic components and methods of making and using the same
CN103091898B (zh) * 2013-02-06 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示屏及其制备方法、显示装置
US10359857B2 (en) * 2013-07-18 2019-07-23 Immersion Corporation Usable hidden controls with haptic feedback
DE102015101216A1 (de) * 2015-01-28 2016-07-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung mit Strahlungskonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements
US9964799B2 (en) * 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
CN107430461B (zh) * 2015-03-17 2022-01-28 株式会社半导体能源研究所 触摸屏
CN107636729B (zh) * 2015-04-22 2022-03-04 昕诺飞控股有限公司 照明规划生成器
WO2017064593A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2017081575A1 (en) 2015-11-11 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US10948163B2 (en) * 2017-12-08 2021-03-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight unit
CN112652729B (zh) * 2021-01-18 2022-08-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光器件及其制备方法、显示装置
CN114280842A (zh) * 2021-12-21 2022-04-05 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组、显示装置以及电子设备

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1223396A (en) * 1917-03-13 1917-04-24 Skf Svenska Kullagerfab Ab Ball-cage for ball-bearings.
US2227957A (en) * 1936-01-09 1941-01-07 Goodrich Co B F Softened rubber
US3297667A (en) * 1963-02-28 1967-01-10 Union Carbide Corp Production of cis-1, 4-polydienes by polymerization of 1, 3-dienes
US3322738A (en) * 1964-03-09 1967-05-30 Phillips Petroleum Co Process for terminating the organolithium catalysis of diene polymerization and produt resulting therefrom
US3541063A (en) * 1967-12-29 1970-11-17 Goodyear Tire & Rubber Process for the polymerization of diolefins with a catalyst comprising alkylaluminum compounds,group iii-b organo metal compounds and organoaluminum fluoride compounds
US3794604A (en) * 1971-09-24 1974-02-26 Goodyear Tire & Rubber Diolefin polymerization catalyst composition
GB1597500A (en) * 1977-12-29 1981-09-09 Shell Int Research Polymers
CA1223396A (en) * 1981-06-29 1987-06-23 Tooru Shibata Process for producing conjugated diene polymer
JPS58189203A (ja) * 1982-04-30 1983-11-04 Nippon Zeon Co Ltd ゴム組成物
US4647625A (en) * 1983-12-26 1987-03-03 Nippon Zeon Co., Ltd. Process for modifying conjugated diene polymers
DE3538130A1 (de) * 1985-10-26 1987-04-30 Bunawerke Huels Gmbh Verfahren und katalysator zur herstellung von syndiotaktischem 1,2-polybutadien
DE3611421A1 (de) * 1986-04-05 1987-10-08 Basf Ag Polymerisate mit aminogruppen, deren herstellung und verwendung
US4906706A (en) * 1986-09-05 1990-03-06 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Modified conjugated diene polymer and process for production thereof
US5064910A (en) * 1986-09-05 1991-11-12 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Preparation of conjugated diene polymers modified with an organo-tin or germanium halide
JPH02181302A (ja) 1988-12-29 1990-07-16 Seikosha Co Ltd 発音機能付きエレクトロルミネセンス装置
IT1230756B (it) * 1989-02-17 1991-10-29 Enichem Elastomers Metodo per la preparazione di polibutadiene a lavorabilita' migliorata.
US5066729A (en) * 1990-04-09 1991-11-19 Bridgestone/Firestone, Inc. Diene polymers and copolymers terminated by reaction with n-alkyl and n-aryl imines
US5109907A (en) * 1990-04-09 1992-05-05 Bridgestone/Firestone, Inc. Diene polymers and copolymers terminated by reaction with N-alkyl and N-aryl imines
US5227431A (en) * 1991-04-12 1993-07-13 Bridgestone/Firestone, Inc. Diene polymers and copolymers jumped by partial crosslinking and terminated with a substituted imine
JPH06349578A (ja) 1993-06-03 1994-12-22 Nichia Chem Ind Ltd Ｅｌランプ
US5310798A (en) * 1993-08-16 1994-05-10 Bridgestone/Firestone, Inc. Diene polymers and copolymers terminated with compounds having multiple-bonded nitrogen atoms and partially crosslinked with polyfunctional reagents
JP2761453B2 (ja) 1993-11-17 1998-06-04 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
US5508333A (en) * 1993-12-29 1996-04-16 Bridgestone Corporation Diene polymers and copolymers having an alkoxysilane group
JP3219943B2 (ja) 1994-09-16 2001-10-15 株式会社東芝 平面直視型表示装置
DE4436059A1 (de) * 1994-10-10 1996-04-11 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von mittels Nd-Katalysatoren polymerisierten Dienkautschuken mit niedrigem cold-flow und geringem Eigengeruch
JPH08248420A (ja) 1995-03-07 1996-09-27 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JP3555809B2 (ja) * 1995-06-19 2004-08-18 株式会社ブリヂストン ラジアルタイヤ
US5844060A (en) * 1995-07-05 1998-12-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Organopolysiloxane resin, production method thereof, and curable organopolysiloxane resin composition using the same
JPH0962196A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Sony Corp 表示装置の光源
JPH0987426A (ja) * 1995-09-20 1997-03-31 Bridgestone Corp ゴム組成物の製造方法
WO1997012276A1 (en) 1995-09-25 1997-04-03 Philips Electronics N.V. Electroluminescent illumination system and a flat-panel picture display device provided with such a system
JPH09127885A (ja) 1995-10-30 1997-05-16 Sony Corp 表示素子
DE69723684T2 (de) * 1996-04-17 2004-04-22 Nippon Zeon Co., Ltd. Dienpolymerzusammensetzung, verfahren zu deren herstellung und kautschukzusammensetzung die dieselbe enthält
TW359765B (en) * 1996-05-10 1999-06-01 Seiko Epson Corp Projection type liquid crystal display apparatus
JP3606411B2 (ja) * 1996-07-10 2005-01-05 株式会社ブリヂストン タイヤ加硫成型用金型およびその製造方法
JP3331903B2 (ja) * 1996-08-23 2002-10-07 セイコーエプソン株式会社 表示素子及びそれを用いた電子機器
JP3117645B2 (ja) * 1996-09-03 2000-12-18 株式会社ブリヂストン 空気入りラジアルタイヤ
DE69815172T2 (de) * 1997-03-05 2004-07-01 Jsr Corp. Verfahren zur Herstellung von konjugierten Dien-Polymeren
US5916961A (en) * 1997-07-11 1999-06-29 Bridgestone Corporation Amine-initiated elastomers having hysteresis reducing interaction with silica
US5866650A (en) * 1997-07-11 1999-02-02 Bridgestone Corporation Composition of cyclic amine-initiated elastomers and amorphous silica and process for the production thereof
US5971046A (en) * 1997-09-17 1999-10-26 Bridgestone/Firestone, Inc. Method and apparatus for bonding an active tag to a patch and a tire
JPH11133231A (ja) 1997-10-27 1999-05-21 Nitto Denko Corp 偏光素子、光学素子、照明装置及び液晶表示装置
JPH11164912A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Jsr Corp ソリッドゴルフボール用ゴム組成物およびソリッドゴルフボール
US6197713B1 (en) * 1997-12-19 2001-03-06 Bridgestone Corporation Use of Lewis acids for the breakdown of gelatinous rare earth compounds in hydrocarbon solutions
JP4112663B2 (ja) * 1998-02-19 2008-07-02 シチズンホールディングス株式会社 液晶表示装置
US6255416B1 (en) * 1998-05-13 2001-07-03 Jsr Corporation Method of producing conjugated diene polymers
JP2000081848A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置を搭載した電子機器
DE69942499D1 (de) * 1998-10-05 2010-07-29 Semiconductor Energy Lab Reflektierende Halbleitervorrichtung
EP2309482A3 (en) * 1998-10-30 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Field sequantial liquid crystal display device and driving method thereof, and head mounted display
JP2000147429A (ja) * 1998-11-10 2000-05-26 Nitto Denko Corp 偏光面光源装置及び液晶表示装置
JP4341100B2 (ja) * 1999-02-12 2009-10-07 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
JP3487782B2 (ja) 1999-03-17 2004-01-19 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2000347633A (ja) 1999-03-31 2000-12-15 Sharp Corp 光制御素子およびその駆動方法
EP1099711B1 (en) * 1999-11-12 2006-03-29 JSR Corporation Modified conjugated diene polymer, method of producing it and rubber composition comprising the same
US6992147B1 (en) * 1999-11-12 2006-01-31 Bridgestone Corporation Modified polymers prepared with lanthanide-based catalysts
US6977281B1 (en) * 1999-11-12 2005-12-20 Bridgestone Corporation Modified polymers prepared with lanthanide-based catalysts
JP4011805B2 (ja) 1999-11-22 2007-11-21 日東電工株式会社 導光板、面光源装置及び液晶表示装置
US6197888B1 (en) * 1999-12-30 2001-03-06 Bridgestone Corporation Process for producing blends of syndiotactic 1, 2-polybutadiene and rubbery elastomers with an iron-based catalyst system
US6291591B1 (en) * 2000-04-13 2001-09-18 Bridgestone Corporation Process for producing blends of syndiotactic 1,2-polybutadiene and rubbery elastomers with a chromium-based catalyst system
US6303692B1 (en) * 2000-04-13 2001-10-16 Bridgestone Corporation Preparation of blends of syndiotactic 1,2-polybutadiene and rubbery elastomers with a molybdenum-based catalyst system
JP2001357979A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Toshiba Corp Ｅｌ素子
JP2002117972A (ja) 2000-10-12 2002-04-19 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
BR0115238B1 (pt) * 2000-11-09 2011-09-20 sistema catalìtico utilizável para preparar por polimerização elastÈmeros diênicos e processos de preparação do mesmo e de elastÈmeros diênicos.
EP1332162B1 (en) * 2000-11-10 2013-05-01 Bridgestone Corporation Functionalized high cis-1,4-polybutadiene prepared using novel functionalizing agents
JP4011292B2 (ja) * 2001-01-15 2007-11-21 株式会社日立製作所 発光素子、及び表示装置
WO2002068484A1 (en) * 2001-02-28 2002-09-06 Bridgestone Corporation Continuous process for the production of conjugated diene polymers having narrow molecular weight distribution and products therefrom
CN1326884C (zh) * 2001-04-23 2007-07-18 兰爱克谢斯德国有限责任公司 含高比例顺位双键的改性聚合物、其制备方法及其应用
JP2003100444A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Keiwa Inc 面照明装置
US7342070B2 (en) * 2001-09-27 2008-03-11 Jsr Corporation Conjugated diolefin (co)polymer rubber, process for producing (co)polymer rubber, rubber composition, composite, and tire
JP2003140561A (ja) 2001-10-30 2003-05-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6699813B2 (en) * 2001-11-07 2004-03-02 Bridgestone Corporation Lanthanide-based catalyst composition for the manufacture of polydienes
JP2003217835A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Nippon Seiki Co Ltd 電界発光素子
KR101010865B1 (ko) * 2002-05-16 2011-01-26 미쉐린 러쉐르슈 에 떼크니크 에스.에이. 폴리부타디엔 제조용 촉매 시스템 및 폴리부타디엔의제조방법
US20030231394A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-18 Koichi Kimura Optical element and display unit using this
JP2004045769A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Toyota Industries Corp 表示装置
EP2266993B1 (en) * 2002-10-30 2017-06-14 Bridgestone Corporation The use of sulfur containing initiators for anionic polymerization of monomers
JP2004163583A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2004342336A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP4131838B2 (ja) * 2003-05-16 2008-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2005043698A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
US7008899B2 (en) * 2003-08-11 2006-03-07 Bridgestone Corporation Lanthanide-based catalyst composition for producing cis-1,4-polydienes
JP4184189B2 (ja) * 2003-08-13 2008-11-19 株式会社 日立ディスプレイズ 発光型表示装置
US7094849B2 (en) * 2003-12-15 2006-08-22 Bridgestone Corporation Bulk polymerization process for producing polydienes
JP4485184B2 (ja) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US7453426B2 (en) * 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
ITMI20040076A1 (it) * 2004-01-22 2004-04-22 Polimeri Europa Spa Procedimento per la preparazione di polibutadiene a basso grado di ranificazione
US7268332B2 (en) * 2004-01-26 2007-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
CN100564407C (zh) * 2004-03-02 2009-12-02 株式会社普利司通 本体聚合方法
JP5005164B2 (ja) * 2004-03-03 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 発光素子，発光型表示装置及び照明装置
JP2005292407A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Nec Corp 液晶パネルおよびその製造方法及び液晶パネルを搭載した電子機器
JP4444745B2 (ja) * 2004-07-08 2010-03-31 キヤノン株式会社 偏光分離素子および画像投射装置
US20070271808A9 (en) 2004-09-21 2007-11-29 Eastman Kodak Company Lewis acid organometallic desiccant
US7335712B2 (en) * 2005-04-21 2008-02-26 Bridgestone Corporation Process of producing a siloxy-functionalized polymer
TW200641465A (en) * 2005-05-20 2006-12-01 Sanyo Epson Imaging Devices Co Display device
US20060264590A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Bridgestone Corporation Anionic polymerization initiators and polymers therefrom
US7868110B2 (en) * 2005-05-20 2011-01-11 Bridgestone Corporation Anionic polymerization initiators and polymers therefrom
US7816483B2 (en) * 2005-08-11 2010-10-19 Bridgestone Corporation Amine functionalized polymer
US8217572B2 (en) * 2005-10-18 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with prism layer
US7879952B2 (en) * 2005-12-28 2011-02-01 Bridgestone Corporation Functionalized polymers
US7671138B2 (en) * 2006-05-26 2010-03-02 Bridgestone Corporation Polymers functionized with hydrobenzamides
US7732534B2 (en) * 2006-08-28 2010-06-08 Bridgestone Corporation Polymers functionalized with nitro compounds
US8088868B2 (en) * 2006-12-19 2012-01-03 Bridgestone Corporation Polymers functionalized with protected oxime compounds
US7879958B2 (en) * 2007-08-07 2011-02-01 Bridgestone Corporation Polyhydroxy compounds as polymerization quenching agents
US8324329B2 (en) * 2007-08-07 2012-12-04 Bridgestone Corporation Process for producing functionalized polymers

Also Published As

Publication number Publication date
CN101083857A (zh) 2007-12-05
TW200810584A (en) 2008-02-16
JP2014026294A (ja) 2014-02-06
CN101083857B (zh) 2012-01-18
US9046245B2 (en) 2015-06-02
KR20070115641A (ko) 2007-12-06
JP2015181134A (ja) 2015-10-15
US20080006833A1 (en) 2008-01-10
TWI465146B (zh) 2014-12-11
KR101391156B1 (ko) 2014-05-19
US20120147305A1 (en) 2012-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6188745B2 (ja) 表示装置
JP3898012B2 (ja) 表示装置
CN1332254C (zh) 图像显示装置
JP4608637B2 (ja) フルカラーｏｌｅｄバックライトを有する半透過型ディスプレイ
JP3993221B2 (ja) 表示装置
US6831718B2 (en) Liquid crystal display device
US8325290B2 (en) Dual liquid crystal display device
US7920228B2 (en) Dual liquid crystal display device
US9213196B2 (en) Display and electronic unit
JP2006323302A (ja) 表示装置
JP5251357B2 (ja) 照明装置、液晶表示装置及び電子機器
US9904131B1 (en) Liquid crystal panel and liquid crystal device
KR20140006252A (ko) 에어 제로 갭 본딩을 이용한 패널 일체형 ｌｃｄ 모듈
JP5494290B2 (ja) 照明装置、及び電気光学装置
US11307456B2 (en) Backlight module and display device
JP2008010416A (ja) 照明装置および液晶表示装置
US7916243B2 (en) Dual liquid crystal display device
JP4666285B2 (ja) 液晶表示装置
JP2010050013A (ja) 照明装置、液晶表示装置、及び電子機器
JP2011013636A (ja) 液晶装置及び電子機器
KR20070053850A (ko) 양방향 표시를 위한 액정 표시 장치 및 그 구동 방법과그를 이용한 이동 통신 단말기
JP2011013637A (ja) 液晶装置及び電子機器
KR20080051851A (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150804

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160607

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170725

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170801

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6188745

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250