KR20070065477A - ＢｉＴｅ계 ｎ형 열전재료의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 조대분말과 미세분말을 소정의 혼합비로 혼합한 뒤, 수분내의 짧은 시간에 소결이 가능한 방전플라즈마 소결공정을 통해 소결하여 결정학적 배향성을 향상시키고, 조직의 치밀화 및 제어를 용이하게 함으로써 기계적 강도가 우수하고, 성능 및 제조단가 면에서 유리한 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법을 제공함에 있다. 이를 위한 본 발명은 Bi, Te, Se 원소 및 SbI3 도펀트를 n형 조성에 맞도록 칭량하여 석영관에 장입한 후 진공봉입하여 교반로에 투입하여 잉고트를 제조하고, 제조된 잉코트를 파쇄한 뒤, 200~300㎛의 조대분말과, 45㎛ 이하의 미세분말로 분급하며, 분급된 분말의 수소를 환원시킨 다음 조대분말과 미세분말의 소정의 혼합비로 혼합하여 방전플라즈마 소결공정을 이용해 소결하는 것으로 이루어진 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법에 관한 것을 그 기술적 요지로 한다.
방전플라즈마 소결, 배향성, 열전재료, 조대분말, 미세분말
Description
도 1 은 본 발명의 실시 예에 의해 제조된 n형 열전재료의 미세분말 혼합비의 변화에 따른 상대밀도 변화를 나타낸 그래프,
도 2 는 본 발명의 실시 예에 의해 제도된 n형 열전재료의 (0 0 6)면의 극점도(pole figure),
도 3 은 본 발명의 실시 예에 의해 제조된 n형 열전재료의 미세분말 혼합비의 변화에 따른 굽힘강도의 변화를 나타낸 그래프,
도 4 는 본 발명의 실시 예에 의해 제조된 n형 열전재료의 미세분말 혼합비의 변화에 따른 열전능의 변화를 나타낸 그래프,
도 5 는 본 발명의 실시 예에 의해 제조된 n형 열전재료의 미세분말 혼합비의 변화에 따른 홀계수의 측정을 통하여 환산된 캐리어 농도 및 이동도의 변화를 나타낸 그래프,
도 6 은 본 발명의 실시 예에 의해 제조된 n형 열전재료의 미세분말 혼합비의 변화에 따른 전기비저항의 변화를 나타낸 그래프,
도 7 은 본 발명의 실시 예에 의해 제조된 n형 열전재료의 미세분말 혼합비의 변화에 따른 열전도도의 변화를 나타낸 그래프,
도 8 은 본 발명의 실시 예에 의해 제조된 n형 열전재료의 미세분말 혼합비의 변화에 따른 성능지수의 변화를 나타낸 그래프.
본 발명은 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법에 관한 것으로, 특히 조대분말과 미세분말을 소정의 혼합비로 혼합하여 방전플라즈마 소결정정을 통해 소결함으로써 열전재료를 제조하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 Bi-Te계 열전재료는 상온 근방에서의 우수한 열전성능으로 인하여 고집적 소자 및 각종 센서 등의 방열문제를 해결하기 위한 수단으로써 사용되고 있으며, 주로 일방향응고법이나 단결정성장법에 의해 제조되고 있다. 그러나 일방향응고법 또는 단결정성장법 등 주조법에 의한 열전소자는 우수한 열전성능에도 불구하고 단위정이 능면체로써 Te-Te 결합이 원자결합 중에서 결합력이 가장 약한 Van der waals 결합으로 이루어져 있기 때문에 그 기저면이 벽개면으로 가공 및 모듈의 제조시 회수율감소에 의한 제조단가의 상승으로 인하여 고비용이 드는 단점을 갖고 있다. 아울러 이러한 성질은 Bi2Te3계 열전재료에 있어서 기계적, 전기적 특성에 강한 이방성을 갖게 하여 전기전도도의 경우 a축과 c축간의 값 차이가 약 3배까 지 나타나게 된다. 또한 이방성에 기인하여 에너지 변환효율을 향상시키기 위해서는 a축 방향에서 사용해야 하지만 단결정의 경우 재료가 벽개면을 따라 쉽게 쪼개지기 때문에 가공상의 난점이 있으며, 재료의 적지 않는 손실이 수반된다.
상기와 같은 단결정의 문제점을 극복하기 위하여 기계적 강도가 우수하며, 성능 및 제조단가면에서 유리할 것으로 기대되는 분말야금공정에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으나, 통상적인 장시간의 소결방법으로는 성분원소의 휘발, 결정립의 크기 및 결정학적 이방성 등의 조직제어와 이에 따른 열전성의 제어가 곤란한 문제점이 발생되었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 고려하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 조대분말과 미세분말을 소정의 혼합비로 혼합한 뒤, 수분내의 짧은 시간에 소결이 가능한 방전플라즈마 소결공정을 통해 소결하여 결정학적 배향성을 향상시키고, 조직의 치밀화 및 제어를 용이하게 함으로써 기계적 강도가 우수하고, 성능 및 제조단가 면에서 유리한 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법을 제공함에 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하고 종래의 결점을 제거하기 위한 과제를 수행하는 본 발명의 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법은 Bi, Te, Se 원소 및 SbI3 도 펀트를 n형 조성에 맞도록 칭량하여 석영관에 장입한 후 진공봉입하는 진공봉입단계(S1);
상기 봉입단계(S1)를 거쳐 봉입된 석영관을 교반로에 투입하여 교반한 후, 노냉하여 잉고트를 제조하는 잉고트 제조단계(S2);
상기 잉고트 제조단계(S2)를 단계를 거쳐 제조된 잉고트를 파쇄하는 파쇄단계(S3);
상기 파쇄단계(S3)를 거쳐 파쇄된 분말을 분쇄하는 분쇄단계(S4);
상기 분쇄단계를 거쳐 분쇄된 분말을 200~300㎛의 조대분말과, 20~45㎛ 이하의 미세분말로 분리하는 분급단계(S5);
상기 분급단계(S5)를 거쳐 분급된 분말을 파이렉스 튜브에 장입하고, 수소를 채워 봉입한 다음, 소정의 온도로 가열 및 유지하여 분말의 수소를 환원시키는 수 환원단계(S6);
상기 수소환원단계(S6)를 거친 조대분말과 미세분말을 혼합하여 앰플에 장입하고, 진공봉입한 후, 3차원 혼합기를 이용하여 혼합하는 혼합단계(S7);
상기 혼합단계(S7)를 거쳐 혼합된 분말을 방전플라즈마 소결장비를 이용해 소결하는 소결단계(S8);로 이루어진다.
상기 진공봉입단계(S1)는 잉고트를 제조하기 위한 준비단계로써, 순도 99.999%의 Bi, Te, Se 등의 원소 및 SbI3 도펀트를 열전재료의 n형 조성에 맞도록 칭량하여 석영관에 장입한 후, 용해시 성분원소의 산화 억제를 위해 10-4 torr 이하 로 진공봉입하게 된다. 한편, 상기 n형 조성으로는 특정한 조성비에 구애받지 아니하며 Bi-Te계 열전재료의 모든 조성이 그 대상으로 될 수 있으나, 바람직하게는 Bi2Te2.85Se0.15로 이루어진다.
상기 잉고트 제조단계(S2)는 준비된 재료를 이용하여 잉고트를 제조하는 단계로써, 상기 원소들이 장입되어 봉입된 석영관을 교반로에 투입하여 잉코트를 제조하게 된다. 이러한 잉고트 제조단계(S2)는 700~750℃에서 10회/분의 속도로 2시간 동안 교반한 후, 노냉하는 것으로 진행된다. Bi2Te2 .85Se0 .15의 용융온도 범위는 590~595℃이며 이의 제조온도는 일반적으로 용융온도 범위보다 100~150℃ 높은 온도에서 이루어진다. 그 보다 높은 온도에서는 성분원소의 휘발이 증가되는 문제점이 발생되며, 용융 시간은 길수록 유리하나 대략 2시간정도면 충분한 것으로 나타났다.
상기 파쇄단계(S3)는 고형화된 잉고트를 파쇄하는 단계로써, 분말의 산화를 최대한 방지하기 위해하여 질소(불활성) 분위기하의 그로브박스내에서 알루미나 유발을 이용하여 파쇄가 이루어지게 된다.
상기 분쇄단계(S4)는 파쇄된 잉고트를 아르곤 분위기에서 볼밀을 이용하여 분쇄하게 되며, 이때 분쇄되는 분말이 300㎛ 이하의 입도를 갖도록 분쇄하게 된다.
상기 분급단계(S5)는 분쇄된 분말을 조대분말과 미세분말로 분리하는 단계로써, 200~300㎛의 조대분말과, 20~45㎛ 이하의 미세분말로 분급하게 된다. 이때 조대분말은 결정학적 배향성을 증가시키기 위한 것으로, 분말의 형태가 얇은 판상형 태를 유지한 채로 200~300㎛의 입도를 갖는 분말들로 이루어지는 것이 바람직하며, 미세분말은 조직의 치밀화와 밀도향상 및 기계적강도의 증가를 위한 것으로 45㎛ 이하의 것이 바람직하나, 입도가 너무 미세하면 산화영향에 의해 열전소자의 성능이 저하되므로 20~45㎛의 입도륵 갖는 분말들로 이루어지게 된다.
상기 수소환원단계(S6)는 분급된 분말을 파이렉스 튜브(pyrex tube)에 장입하고, 99.999% 이상의 수소를 300~500torr 정도로 채워 봉입한 후, 340~380℃에서 10~15시간동안 진행함으로써 분말내의 수소를 환원시키게 된다. 여기서 수소량이 부족하면 충분환 환원 반응이 이루어질 수 없고, 수소량이 과다하면 고온에서 팽창하여 폭발할 위험이 있다. 또한 340℃ 미만의 온도에서는 반응에 필요한 활성화 에너지가 작아 매우 장시간의 수소환원이 요구되고, 380℃를 초과하면 수소환원 중 성분원소의 휘발 위험이 있다. 수소환원 공정 시간은 온도에 의존하며, 340~380℃의 온도 영역에서는 10~15 시간이 바람직하다.
상기 혼합단계(S7)는 분급된 조대분말과 미세분말을 소정의 비율로 혼합하여 앰플에 장입하고, 10-4 torr 이하로 진공봉입한 후 3차원 혼합기를 이용하여 90 rpm에서 2~3시간동안 혼합시키게 된다. 여기서 조대분말의 혼합비율이 증가하면 배향성 증가에 의해 전기적 특성이 좋아지는 반면 재료내부에 결함이 증가하여 열전도 특성이 나빠지게 된다. 한편 미세분말의 혼합비율이 과도하게 증가하면 배향성 감소 및 산화 증가에 의해 전기적 특성이 급격히 감소하므로 60~80wt.%의 조대분말과 20~40wt.%의 미세분말이 혼합됨이 바람직하다. 또한 혼합시간이 짧으면 분말의 혼 합이 균일하지 못하며, 혼합시간이 너무 길면 분말들 간의 마찰 및 충돌에 의해 분말이 분쇄되어 입도가 감소되므로 2~3시간이 바람직하며, 혼합속도는 용량에 의존하므로 조건에 따라 달라질 수 있다.
상기 소결단계(S8)는 10-3 torr 이하의 진공중에서 380~460℃의 온도 및 20~40MPa의 압력으로 방전플라스마 소결공정을 진행함으로써 열전재료를 제조하게 된다. 소결압력은 높을수록 유리하지만, 본 실시 예에서는 소결몰드로써 카본몰드를 사용하였으며 카본몰드의 최대압축강도는 40MPa이기 때문에 40MPa로 제한하였다. 소결몰드를 압축강도가 높은 steel 금형 또는 텅스텐 금형 등으로 교체하면 이들 금형의 최대압축강도까지 가압할 수도 있게 된다.
실시예
순도 99.999%의 Bi, Te, Se 및 SbI3를 Bi2Te2.85Se0.15 + 0.05wt.% SbI3의 조성을 갖도록 하여 n형 열전재료의 기본 재료를 구성한다. 상기 기본 재료를 석영관에 장입한 후, 2×10-5 torr 로 진공봉입한다. 상기 석영관을 교반로에 투입하여 750℃에서 10회/분의 속도로 2시간 동안 교반한 후, 노냉함으로써 잉고트를 제조한다. 이처럼 제조된 잉고트를 질소분위기하의 그로브박스내에서 알루미나 유발을 이용하여 파쇄한다. 파쇄된 잉고트를 아르곤 분위기에서 볼밀을 이용하여 10시간 동안 분쇄한다. 분쇄된 분말을 200~300㎛의 조대분말과, 20~45㎛의 미세분말로 분급한다. 분급된 분말을 파이렉스 튜브(pyrex tube)에 장입하고, 99.999%의 수소를 380 torr 로 채워 봉입한 후, 380℃에서 10시간동안 진행함으로써 분말내의 수소를 환원시킨다. 분급된 조대분말에 미세분말을 10%씩 증가시켜 앰프에 장입하고, 2×10-5 torr로 진공봉입한 후 3차원 혼합기를 이용하여 90 rpm에서 3시간동안 혼합시킨다. 혼합된 분말을 1×10-3 torr의 진공중에서 420℃의 온도 및 40MPa의 압력으로 방전플라스마 소결공정을 진행함으로써 Φ20×8㎣의 Bi-Te계 n형의 열전재료를 제조한다.
도 1은 미세분말의 혼합비에 따른 상대밀도의 변화를 나타낸 것으로, 도 1을 참조하면, 20wt.%의 미세분말이 혼합된 경우 97% 이상의 상대밀도를 보였으며, 이러한 결과는 조대분말들의 사이에 발생하는 간극들에 미세분말이 채워지게 됨으로써 소결성이 향상되었기 때문이다.
도 2는 n형 열전재료의 (0 0 6)면의 극점도(pole figure)를 나타내고 있다. 조대분말로만 소결한 2(a)와 미세분말이 20wt.% 혼합된 2(b)는 미세분말로만 소결한 2(c)에 비해 높은 배향성을 나타내었다.
도 3은 미세분말의 혼합비에 따른 굽힙강도의 변화를 나타낸 것으로, 굽힘강도는 미세분말의 혼합비가 증가함에 따라 거의 직선적으로 증가하는 경향을 나타내었으며 미세분말로만 소결한 소결체에서 90.8MPa의 최대값을 나타내었다. 미세분말이 20wt.% 혼합된 경우에도 굽힘강도는 56.4MPa을 나타내어 주조재에 비하여 3배 이상의 향상을 보였다. 여기서 상기 주조재는 약 18MPa의 굽힘강도를 보인다.
도 4는 미세분말의 혼합비에 따른 열전능의 변화를 나타낸 것으로, 미세분말의 혼합비가 증가함에 따라 열전능은 감소하였다. 이는 파쇄과정 중에 발생하는 분 말 표면의 산화에 의해 전자가 증가하게 되어 결과적으로 열전능이 감소한 것으로서, 홀계수의 측정결과를 환산한 캐리어 농도의 변화에서 확인할 수 있다(도 5 참조).
도 6은 미세분말의 혼합비에 따른 전기비저항의 변화를 나타낸 것으로, 전기비저항의 변화는 미세분말이 20wt.%까지 증가함에 따라 급격하게 감소한 후 이후 완만하게 감소하는 경향을 보였다. 초기에 급격한 비저항의 감소는 도 5에서 볼 수 있는 바와 같이 캐리어 농도와 이동도 모두가 미세분말의 혼합비가 증가함에 따라 증가하기 때문이며, 미세분말이 다량 혼합된 경우 캐리어 이동도의 감소에 의해 전기비저항의 감소율은 둔화되었다.
도 7은 미세분말의 혼합비에 따른 열전도도의 변화를 나타낸 것으로, 미세분말의 혼합비가 증가함에 따라 미소하게 증가하였다. 열전도도는 캐리어에 의한 기여분과 격자진동에 의한 기여분의 합으로 나타내어지며, 캐리어에 의한 기여분은 Wiedemann-Franz 법칙에 의해 전기비저항에 반비례한다. 한편, 격자진동에 의한 기여분은 캐리어농도에 상관없이 일정하므로 전체 열전도도는 캐리어에 의한 기여분에 의존한다. 따라서 열전도도는 전기비저항에 반비례하는 경향을 나타내었고 이는 도 5의 캐리어농도 및 이동도의 변화 양상으로 알 수 있다.
도 8은 미세분말의 혼합비에 따른 성능지수의 변화를 나타낸 것으로, 20wt.%의 미세분말이 혼합된 경우, 2.62×10-3/K로서 최대의 성능지수를 보였고, 이는 조대분말에 의한 배향성 증가 및 미세분말에 의한 소결성 향상이 캐리어 이동도를 증 가시켰기 때문이다.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같이 결정학적 배향성이 큰 조대분말과 상대적으로 배향성이 적은 미세분말을 소정의 혼합비로 혼합한 뒤 수분내의 짧은 시간에 소결이 가능한 방전플라즈마 소결공정을 이용하여 소결함으로써 열전재료를 제조하도록 구성되어 열전재료 조직의 치밀화와 결정립의 크기 및 열전성능의 제어가 용이하게 되었다. 더욱이 열전재료의 우수한 기계적 강도의 구현이 가능해지며, 성능 및 제조단가면에서도 더욱 유리하게 되었다.
Claims (7)
- Bi, Te, Se의 원소 및 SbI3 도펀트를 n형 조성에 맞도록 칭량하여 석영관에 장입한 후 진공봉입하는 진공봉입단계(S1);상기 봉입단계(S1)를 거쳐 봉입된 석영관을 교반로에 투입하여 교반한 후, 노냉하여 잉고트를 제조하는 잉고트 제조단계(S2);상기 잉고트 제조단계(S2)를 단계를 거쳐 제조된 잉고트를 파쇄하는 파쇄단계(S3);상기 파쇄단계(S3)를 거쳐 파쇄된 분말을 분쇄하는 분쇄단계(S4);상기 분쇄단계를 거쳐 분쇄된 분말을 200~300㎛의 조대분말과, 20~45㎛ 이하의 미세분말로 분리하는 분급단계(S5);상기 분급단계(S5)를 거쳐 분급된 분말을 파이렉스 튜브에 장입하고, 수소를 채워 봉입한 다음, 소정의 온도로 가열 및 유지하여 분말의 수소를 환원시키는 수 환원단계(S6);상기 수소환원단계(S6)를 거친 조대분말과 미세분말을 혼합하여 앰플에 장입하고, 진공봉입한 후, 3차원 혼합기를 이용하여 혼합하는 혼합단계(S7);상기 혼합단계(S7)를 거쳐 혼합된 분말을 방전플라즈마 소결장비를 이용해 소결하는 소결단계(S8);로 이루어진 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 혼합단계(S7)는, 60~80wt.%의 조대분말과 20~40wt.%의 미세분말을 혼합하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 파쇄단계(S3)는, 질소분위기하의 그로브박스내에서 알루미나 유발을 이용하여 파쇄하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 분쇄단계(S4)는, 아르곤 분위기하에서 볼밀을 이용하여 분쇄하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 소결단계(S8)는, 10-3 torr 이하의 진공중에서, 420~460℃의 온도 및 20~40MPa의 압력으로 진행하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방 법.
- 제 1 항에 있어서,상기 잉고트 제조단계(S2)는, 700~750℃에서 10회/분의 속도로 2시간 동안 교반한 후, 노냉하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 수소환원단계(S6)는, 분급된 분말이 장입된 상기 파이렉스 튜브에 수소를 300~500 torr로 채워 봉입하고, 340~380℃에서 10~15시간동안 유지하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법.
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| KR101323319B1 (ko) * | 2012-01-09 | 2013-10-29 | 한국전기연구원 | 은이 첨가된 비스무스-텔레리움-셀레니움계 열전재료의 제조방법 |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101068957B1 (ko) * | 2010-01-22 | 2011-09-29 | 한국기계연구원 | 열전재료 세척장치 및 이를 이용한 열전재료 세척방법 |
| KR101323319B1 (ko) * | 2012-01-09 | 2013-10-29 | 한국전기연구원 | 은이 첨가된 비스무스-텔레리움-셀레니움계 열전재료의 제조방법 |
| KR20140047401A (ko) * | 2012-10-12 | 2014-04-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전재료 및 그 제조방법 |
| WO2016171346A1 (ko) * | 2015-04-21 | 2016-10-27 | 희성금속 주식회사 | 저항 발열체를 이용한 Bi-Te계 열전 재료의 제조 방법 |
| WO2017069304A1 (ko) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | 희성금속 주식회사 | 열전 재료의 제조방법 및 이로부터 제조된 열전 재료 |
| WO2018139693A1 (ko) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 희성금속 주식회사 | 입도 제어에 따른 Bi-Te계 열전 재료의 제조 방법 및 이로부터 제조된 Bi-Te계 열전 재료 |
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