CN105525122B - 纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法。首先,采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭,然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中,采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨,然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中,在真空气氛下烧结成块体;再将烧结成的块体破碎后,在氩气气氛下进行二次球磨,然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1‑xSnx/SiCy(0≤x≤1.0,0<y≤0.05)块体。本发明成本低,适用成分范围广,操作简单,可靠性好,可实现纳米SiC颗粒在Mg2Si1‑xSnx基体中的弥散分布,同时能够细化基体晶粒尺寸,提高材料的致密度和可加工性。
Description
技术领域
本发明涉及纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法。
背景技术
热电材料作为一种新型能源材料,利用固体内部载流子(电子或空穴)和声子的输运及其相互作用,实现热能和电能直接相互转换的功能材料。Mg-Si-Sn基热电材料作为热电材料的优势在于原料丰富、价格低廉,无毒无污染,热电性能潜能高,被认为是环境友好型绿色新型能源材料,.该体系材料的热电优值仍一直徘徊在1左右,如能进一步优化热电性能必将加快其实用化的步伐和扩大应用领域。近年来,在元素掺杂改善材料热电性能的基础上,通过材料微结构纳米复合化实现对电、热输运的协同调控,从而优化热电性能成为当前提高材料热电优值ZT的有效手段。但在外部掺入纳米粉直接混合过程中会存在因纳米颗粒比表面积大、活性高,而容易发生团聚,无法实现均匀分散的问题。
本发明主要采用二次机械球磨结合放电等离子烧结技术制备纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料,通过二次机械球磨不仅实现了纳米SiC颗粒在Mg-Si-Sn基体中的均匀地弥散分布,而且能够进一步降低晶粒的尺寸,达到细化晶粒的效果,结合放电等离子烧结能够有效地抑制晶粒的长大,增强声子散射降低晶格热导率,从而有益于热电性能的提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适用成分范围广、成本低、致密度高、纳米相均匀弥散分布的制备纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的方法。
本发明主要是对不同成分配比的Mg2Si1-xSnx(0≤x≤1.0)基体中实现纳米SiC颗粒的均匀弥散分布,并有效地降低晶粒尺寸,提升材料的致密度。
本发明的制备方法包括以下步骤:
纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)感应熔炼:以Mg块、Si块、Sn块为原料,按化学式Mg2Si1-xSnx配比称重,将配好的原料放入氧化铝坩埚中,在氩气保护气氛下采用感应熔炼设备进行熔炼,得到Mg2Si1-xSnx铸锭;
2)一次机械球磨:将步骤(1)中所得到的铸锭置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,按化学式配比为Mg2Si1-xSnx/SiCy,称重SiC纳米粉末与破碎的铸锭装入硬质合金球磨罐中,氩气气氛下机械球磨,球料质量比为15:1,转速为500r/min,球磨时间为2-4h;
3)放电等离子烧结:将步骤(2)中所得球磨粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下采用放电等离子烧结设备进行烧结,在总气压低于5Pa的真空条件下,升温速率为60-100℃/min,施加的轴向压力为30-100MPa,烧结温度为670-720℃,保温5-15min;;
4)二次机械球磨:将步骤(3)中所得的烧结块体经过表面打磨后,置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,装入硬质合金球磨罐中,在氩气的保护气氛下进行球磨,球料质量比为15:1,转速为500r/min,球磨时间为0.5-2h h;;
5)放电等离子烧结:将步骤(4)中所得的球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,在总气压低于5Pa的真空条件下,升温速率为40-80℃/min,施加的轴向压力为30-100MPa,烧结温度为670-720℃,保温5-15min,得到纳米SiC颗粒均匀地弥散分布的Mg2Si1- xSnx/SiCy块体;
以上步骤中0≤x≤1.0,0<y≤0.05。
进一步,所述感应熔炼设备的熔炼炉功率在16-22kw,熔炼时间为70-100s。
与现有技术相比较,本发明具有以下有益效果:
(1)本发明的制备方法适用成分范围广,成本低,致密度高,工艺操作简单,可靠性好,球磨和烧结时间较短,通常的熔炼或固相反应结合热压烧结制备热电材料需要大概2天的时间,而本工艺只需5-6h就可以完成,大大提高了生产效率,而且能够很好的控制氧气的含量,可以有效地抑制Mg元素的氧化和挥发。
(2)通过控制机械球磨时间、球料比、转速,SPS烧结升温速度、烧结压力和冷却速度等工艺参数,从而实现对材料晶粒尺寸的细化、纳米相弥散分布等微观调控,且材料的致密度与一次MM+SPS制备工艺有了大幅度的提升,优化了纳米结构,获得了纳米SiC复合的Mg-Si-Sn基热电材料。
附图说明
图1、实施通过二次MM+SPS方法制备的SiC纳米复合(a)-Mg2Si0.3Sn0.7/SiC0.01,(b)-Mg2Si0.4Sn0.6/SiC0.01,(c)-Mg2Si0.5Sn0.5/SiC0.01样品的X射线衍射谱图。
图2、实施通过二次MM+SPS与一次MM+SPS方法制备的高致密的SiC纳米复合Mg-Si-Sn基热电材料的断口扫描形貌的对比,(a)-二次MM+SPS所得样品断口扫描形貌。(b)-一次MM+SPS所得样品断口扫描形貌。
图3、实施通过二次MM+SPS方法制备的SiC纳米复合Mg2Si0.3Sn0.7/SiC0.01热电材料的透射电镜微观表征。
以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明,但本发明的保护范围不限于下述实施例。
具体实施方式
实施例1
1)感应熔炼:以Mg块(纯度99.99%)、Sn块(纯度99.99%)为原料,按化学式Mg2Sn配比称重,将配制好的原料放入氧化铝坩埚中,在氩气气氛中采用感应熔炼设备进行熔炼,熔炼时间为75s,最高功率为16kw,得到Mg2Sn铸锭。
2)一次机械球磨结合放电等离子烧结:将Mg2Sn的铸锭置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,按化学式配比为Mg2Sn/SiC0.005称重SiC纳米粉末与破碎的铸锭装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为3h,在氩气的保护气氛下进行球磨;将经过一次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并称取一定量装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为70℃/min,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为690℃,保温5min,随炉冷却至室温。
3)二次机械球磨结合放电等离子烧结:将烧结块体经过表面打磨后置于氧含量低于0.5ppm的氩气气氛的手套箱中破碎,装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为1h,在氩气的保护气氛下进行球磨。将经过二次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为40℃/min升温,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为690℃,保温10min,随炉冷却至室温,得到纳米SiC复合的Mg2Sn/SiC0.005块体。
实施例2
1)感应熔炼:以Mg块(纯度99.99%)、Si块(纯度99.999%)、Sn块(纯度99.99%)为原料,按化学式Mg2Si0.3Sn0.7配比称重,将配制好的原料放入氧化铝坩埚中,在氩气气氛中采用感应熔炼设备进行熔炼,熔炼时间为75s,最高功率为17kw,得到Mg2Si0.3Sn0.7铸锭。
2)一次机械球磨结合放电等离子烧结:将Mg2Si0.3Sn0.7的铸锭置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,按化学式配比为Mg2Si0.3Sn0.7/SiC0.01,称重SiC纳米粉末与破碎的铸锭装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为3h,在氩气的保护气氛下进行球磨;将经过一次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并称取一定量装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为70℃/min,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为700℃,保温5min,随炉冷却至室温。
3)二次机械球磨结合放电等离子烧结:将烧结块体经过表面打磨后置于氧含量低于0.5ppm的氩气气氛的手套箱中破碎,装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为1h,在氩气的保护气氛下进行球磨。将经过二次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为40℃/min升温,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为700℃,保温10min,随炉冷却至室温,得到纳米SiC复合的Mg2Si0.3Sn0.7/SiC0.01块体。
实施例3
1)感应熔炼:以Mg块(纯度99.99%)、Si块(纯度99.999%)、Sn块(纯度99.99%)为原料,按化学式Mg2Si0.4Sn0.6配比称重,将配制好的原料放入氧化铝坩埚中,在氩气气氛中采用感应熔炼设备进行熔炼,熔炼时间为80s,最高功率为18kw,得到Mg2Si0.4Sn0.6铸锭。
2)一次机械球磨结合放电等离子烧结:将所得铸锭置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,按化学式配比为Mg2Si0.4Sn0.6/SiC0.01,称重SiC纳米粉末与破碎的铸锭装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为3h,在氩气的保护气氛下进行球磨;将经过一次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并称取一定量装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为70℃/min,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为705℃,保温5min,随炉冷却至室温。
3)二次机械球磨结合放电等离子烧结:将烧结块体经过表面打磨后置于氧含量低于0.5ppm的氩气气氛的手套箱中破碎,装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为1h,在氩气的保护气氛下进行球磨。将经过二次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为50℃/min升温,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为705℃,保温10min,随炉冷却至室温,得到纳米SiC复合的Mg2Si0.4Sn0.6/SiC0.01块体。
实施例4
1)感应熔炼:以Mg块(纯度99.99%)、Si块(纯度99.999%)、Sn块(纯度99.99%)为原料,按化学式Mg2Si0.5Sn0.5配比称重,将配制好的原料放入氧化铝坩埚中,在氩气气氛中采用感应熔炼设备进行熔炼,熔炼时间为85s,最高功率为19kw,得到Mg2Si0.5Sn0.5铸锭。
2)一次机械球磨结合放电等离子烧结:将Mg2Si0.5Sn0.5的铸锭置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,按化学式配比为Mg2Si0.5Sn0.5/SiC0.01,称重SiC纳米粉末与破碎的铸锭装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为3h,在氩气的保护气氛下进行球磨;将经过一次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并称取一定量装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为70℃/min,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为710℃,保温5min,随炉冷却至室温。
3)二次机械球磨结合放电等离子烧结:将烧结块体经过表面打磨后置于氧含量低于0.5ppm的氩气气氛的手套箱中破碎,装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为1h,在氩气的保护气氛下进行球磨。将经过二次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为50℃/min升温,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为710℃,保温10min,随炉冷却至室温,得到纳米SiC复合的Mg2Si0.5Sn0.5/SiC0.01块体。
实施例5
1)感应熔炼:以Mg块(纯度99.99%)、Si块(纯度99.999%)、Sn块(纯度99.99%)为原料,按化学式Mg2Si0.6Sn0.4配比称重,将配制好的原料放入氧化铝坩埚中,在氩气气氛中采用感应熔炼设备进行熔炼,熔炼时间为90s,最高功率为20kw,得到Mg2Si0.6Sn0.4铸锭。
2)一次机械球磨结合放电等离子烧结:将Mg2Si0.6Sn0.4的铸锭置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,按化学式配比为Mg2Si0.6Sn0.4/SiC0.02,称重SiC纳米粉末与破碎的铸锭装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为3h,在氩气的保护气氛下进行球磨;将经过一次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并称取一定量装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为70℃/min,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为715℃,保温5min,随炉冷却至室温。
3)二次机械球磨结合放电等离子烧结:将烧结块体经过表面打磨后置于氧含量低于0.5ppm的氩气气氛的手套箱中破碎,装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为1h,在氩气的保护气氛下进行球磨。将经过二次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为50℃/min升温,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为715℃,保温10min,随炉冷却至室温,得到纳米SiC复合的Mg2Si0.6Sn0.4/SiC0.02块体。
实施例6
1)感应熔炼:以Mg块(纯度99.99%)、Si块(纯度99.999%)、Sn块(纯度99.99%)为原料,按化学式Mg2Si0.4Sn0.6配比称重,将配制好的原料放入氧化铝坩埚中,在氩气气氛中采用感应熔炼设备进行熔炼,熔炼时间为80s,最高功率为18kw,得到Mg2Si0.4Sn0.6铸锭。
2)一次机械球磨结合放电等离子烧结:将所得铸锭置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,按化学式配比为Mg2Si0.4Sn0.6/SiC0.03,称重SiC纳米粉末与破碎的铸锭装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为3h,在氩气的保护气氛下进行球磨;将经过一次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并称取一定量装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为70℃/min,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为705℃,保温5min,随炉冷却至室温。
3)二次机械球磨结合放电等离子烧结:将烧结块体经过表面打磨后置于氧含量低于0.5ppm的氩气气氛的手套箱中破碎,装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为:500r/min,球磨时间为1h,在氩气的保护气氛下进行球磨。将经过二次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为50℃/min升温,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为705℃,保温10min,随炉冷却至室温,得到纳米SiC复合的Mg2Si0.4Sn0.6/SiC0.03块体。
实施例7
1)感应熔炼:以Mg块(纯度99.99%)、Si块(纯度99.999%)、为原料,按化学式Mg2Si配比称重,将配制好的原料放入氧化铝坩埚中,在氩气气氛中采用感应熔炼设备进行熔炼,熔炼时间为95s,最高功率为21kw,得到Mg2Si铸锭。
2)一次机械球磨结合放电等离子烧结:将Mg2Si的铸锭置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,按化学式配比为Mg2Si/SiC0.05,称重SiC纳米粉末与破碎的铸锭装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为3h,在氩气的保护气氛下进行球磨;将经过一次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并称取一定量装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为80℃/min,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为720℃,保温5min,随炉冷却至室温。
3)二次机械球磨结合放电等离子烧结:将烧结块体经过表面打磨后置于氧含量低于0.5ppm的氩气气氛的手套箱中破碎,装入硬质合金(WC)球磨罐中,设定球料比为15:1(质量比),转速为500r/min,球磨时间为1h,在氩气的保护气氛下进行球磨。将经过二次机械球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于放电等离子烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,升温速率为40℃/min,施加的轴向压力为30MPa,烧结温度为720℃,保温10min,随炉冷却至室温,得到纳米SiC复合的Mg2Si/SiC0.05块体。
Claims (2)
1.纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)感应熔炼:以Mg块、Si块、Sn块为原料,按化学式Mg2Si1-xSnx配比称重,将配好的原料放入氧化铝坩埚中,在氩气保护气氛下采用感应熔炼设备进行熔炼,得到Mg2Si1-xSnx铸锭;
2)一次机械球磨:将步骤(1)中所得到的铸锭置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,按化学式配比为Mg2Si1-xSnx/(SiC)y,称重SiC纳米粉末与破碎的铸锭装入硬质合金球磨罐中,氩气气氛下机械球磨,球料质量比为15:1,转速为500r/min,球磨时间为2-4h;
3)放电等离子烧结:将步骤(2)中所得球磨粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下采用放电等离子烧结设备进行烧结,在总气压低于5Pa的真空条件下,升温速率为60~100℃/min,施加的轴向压力为30~100MPa,烧结温度为670~720℃,保温5~15min;
4)二次机械球磨:将步骤(3)中所得的烧结块体经过表面打磨后,置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱中破碎,装入硬质合金球磨罐中,在氩气的保护气氛下进行球磨,球料质量比为15:1,转速为500r/min,球磨时间为0.5-2h;
5)放电等离子烧结:将步骤(4)中所得的球磨的粉末置于氧含量低于0.5ppm的真空手套箱并装进石墨模具,然后将模具置于烧结炉腔体中,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,在总气压低于5Pa的真空条件下,升温速率为40~80℃/min,施加的轴向压强为30~100MPa,烧结温度为670~720℃,保温5~15min,得到纳米SiC颗粒均匀地弥散分布的Mg2Si1-xSnx/(SiC)y
块体;
以上步骤中0≤x≤1.0,0<y≤0.05。
2.根据权利要求1所述的纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法,其特征是:所述感应熔炼设备的熔炼炉功率在16~22kW,熔炼时间为70~100s。
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