KR20070005399A - 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속 기판 혹은 도전성 기판을 이용하여 플렉서블화가 가능하면서도 외부로부터의 전기적 충격을 받지 않는 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 본 발명은 기판과, 상기 기판의 일면을 덮는 제 1 절연체와, 상기 기판의 타면에 배치된 디스플레이부와, 상기 기판의 단부가 노출되지 않도록 상기 기판의 단부를 덮는 제 2 절연체를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법{Flat panel display apparatus and method of manufacturing the same}
도 1 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들 또는 단면도들이다.
도 7은 도 6에 도시된 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 변형예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시된 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 다른 변형예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들 또는 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 11: 제 1 절연체
12: 제 2 절연체 13: 제 3 절연체
20: 디스플레이부 30: 대향부재
40: 실런트
본 발명은 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 금속 기판을 이용하여 플렉서블화가 가능하면서도 외부로부터의 전기적 충격을 받지 않는 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로 유기 전계발광 디스플레이 장치, TFT-LCD 등과 같은 평판형 디스플레이 장치는 구동 특성상 초박형화 및 플렉서블화가 가능하여 이에 대한 많은 연구가 이루어지고 있다.
평판형 디스플레이 장치가 박형화 및 연성을 갖도록 하기 위해서는 플렉서블한 기판을 사용하게 되는데, 이러한 플렉서블한 기판으로는 일반적으로 합성수지재로 이루어진 기판이 사용되었다. 그러나 평판형 디스플레이 장치들은 그 특성에 따라 유기막, 구동을 위한 박막 트랜지스터, 전극 또는 배향막 등의 다양한 구조를 구비하고 있기 때문에, 이들을 형성하기 위한 매우 까다로운 공정조건도 만족시켜야 한다. 따라서 합성수지재의 기판을 이용하는 경우 그러한 공정조건에 의해 기판이 변형되거나 기판 상에 형성되는 박막 등이 변형될 수 있다는 문제점이 있었다.
이러한 합성수지재 기판의 한계를 극복하기 위해, 최근에는 상기 합성수지재 기판 대신 금속 호일을 기판으로 사용하는 기술이 연구중이다.
이러한 금속 호일 기판은, 빛이 금속 호일 기판 반대 방향으로 방출되는 전면 발광형 구조로 사용하기에 충분하며, 또한 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화하는 고온 공정을 비교적 자유롭게 행할 수 있는 등, 종래의 기판에 비해 공정 조건에 비교적 덜 민감하다는 장점이 있다. 미국 공개 특허 공보 제 2004/0,087,066호 등에는 이와 같이 금속 호일을 기판으로 사용한 능동 구동형 유기 전계발광 디스플레이 장치가 개시되어 있다.
한편, 이러한 금속 기판은 전기적 도체이므로 최종 디스플레이 장치에서 외부로 노출되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 이때 디스플레이부가 구비되는 면의 반대면은 절연체로 덮이도록 하여 노출되지 않도록 할 수 있는데, 대량 생산 시에는 일련의 공정을 거쳐 하나의 디스플레이 장치만을 제조하는 것이 아니라 복수개의 디스플레이 장치를 동시에 생산하므로 금속 기판의 단부는 외부로 노출된다는 문제점이 있었다. 즉, 하나의 금속 기판 상에 복수개의 디스플레이부들을 형성한 후 금속 기판을 절단하여 복수개의 디스플레이 장치들을 동시에 제조하는데, 이 과정에서 디스플레이부들의 형성 이전에 금속 기판을 절연체로 덮는다 하더라도 금속 기판을 절단하여 복수개의 디스플레이 장치를 만드는 단계에서 금속 기판의 단부가 노출될 수밖에 없다는 문제점이 있었다. 이렇게 금속 기판의 일부가 노출될 경우, 정전기 등이 디스플레이부에 영향을 주어 수명을 저하시키며 불량을 야기할 수 있다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 금속 기판을 이용하여 플렉서블화가 가능하면서도 외부로부터의 전기적 충격을 받지 않는 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판과, 상기 기판의 일면을 덮는 제 1 절연체와, 상기 기판의 타면에 배치된 디스플레이부와, 상기 기판의 단부가 노출되지 않도록 상기 기판의 단부를 덮는 제 2 절연체를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 기판의 타면을 덮는 제 3 절연체를 더 구비하고, 상기 디스플레이부는 상기 제 3 절연체 상에 구비되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 절연체와 상기 제 3 절연체는 동일 물질로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연체는 무기 절연체인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연체는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 티타늄옥사이드, 알루미늄옥사이드 및 이들의 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연체는 유기 절연체인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연체는 PI, Parylene, PMMA, Epoxy, PS, PE, PP, PTFE, PPS, PC, PET, PVC, BCB, PVP, PAN, PVA, Phenolic resin 및 CYPE 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판은 금속 기판인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 금속 기판은 스테인레스 스틸, Ti, Mo, Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 디스플레이부는 전계발광 소자를 구비하는 디스플레이부인 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 금속 기판의 일면을 덮도록 제 1 절연체를 형성하는 단계와, 상기 금속 기판의 타면에 복수개의 디스플레이부들을 형성하는 단계와, 상기 금속 기판을 상기 각 디스플레이부의 외주부를 따라 절단하여 복수개의 디스플레이 패널을 만드는 단계와, 상기 각 디스플레이 패널의 금속 기판의 단부를 덮도록 제 2 절연체를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 절연체를 형성하는 단계와 상기 디스플레이부들을 형성하는 단계 사이에 상기 금속 기판의 타면을 덮도록 제 3 절연체를 형성하는 단계를 더 구비하고, 상기 디스플레이부들을 형성하는 단계는, 상기 제 3 절연체 상에 복수개의 디스플레이부들을 형성하는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 절연체를 형성하는 단계와 상 기 제 3 절연체를 형성하는 단계는 동시에 이루어지는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연체는 무기물로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연체는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 티타늄옥사이드, 알루미늄옥사이드 및 이들의 화합물 중 적어도 하나를 포함하도록 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연체는 유기물로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연체는 PI, Parylene, PMMA, Epoxy, PS, PE, PP, PTFE, PPS, PC, PET, PVC, BCB, PVP, PAN, PVA, Phenolic resin 및 CYPE 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 금속 기판은 스테인레스 스틸, Ti, Mo, Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 디스플레이부들을 형성하는 단계는 전계발광 소자를 구비한 디스플레이부들을 형성하는 단계인 것으로 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들 또는 단면도들이다.
먼저 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 금속 기판(10)을 이용하여 평판 디스플레이 장치를 제조한다. 금속 기판(10)은 금속 호일로 구비될 수 있는데, 스테인레스 스틸, Ti, Mo, Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금 중 적어도 하나를 포함하도록 할 수 있다. 이러한 금속 기판(10)은 그 표면을 세정한 후 평탄화 처리를 하는 것이 바람직한데, 이 평탄화 처리는 화학적-기계적 폴리싱(CMP: chemical mechanical polishing) 방법을 이용하여 행할 수 있다.
이러한 금속 기판(10)의 일면에는 제 1 절연체(11)가 형성된다. 이 제 1 절연체(11)는 최종적으로 제조된 평판 디스플레이 장치에서 금속 기판(11)의 면이 노출되는 것을 방지하는 역할을 하는 것으로, 유기물 또는 무기물로 형성될 수 있다. 그러한 무기물로는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 티타늄옥사이드, 알루미늄옥사이드 및 이들의 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 들 수 있으며, 유기물로는 PI, Parylene, PMMA, Epoxy, PS, PE, PP, PTFE, PPS, PC, pET, PVC, BCB, PVP, PAN, PVA, Phenolic resin 또는 CYPE 등과 같은 물질을 들 수 있다.
그 후, 도 3에 도시된 것과 같이 금속 기판(10)의 타면에 복수개의 디스플레이부(20)들을 형성한다. 이 디스플레이부(20)는 다양한 소자를 이용하여 형성할 수 있는데, 예컨대 전계발광 소자, 전자 방출 소자 또는 액정 소자 등을 들 수 있다. 특히 본 발명은 전술한 바와 같이 플렉서블 특성이 요구되는 디스플레이 장치에 적용될 시 그 효용성이 높은 바, 이러한 플렉서블 특성 구현에 가장 바람직한 소자로 는 전계발광 소자를 들 수 있다.
이 전계발광 소자의 구조를 간략히 설명하자면 다음과 같다.
전계발광 소자를 구비한 평판 디스플레이 장치는 발광층에서의 발광 색상에 따라 다양한 화소 패턴을 구비하는데, 예컨대 적색, 녹색 및 청색의 화소를 구비한다. 이러한 전계발광 소자는 전류구동 방식의 발광 소자로서, 소자를 구성하는 양 전극간의 전류 흐름에 따라 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상을 구현한다.
전계발광 소자는, 제 1 전극과, 제 1 전극 상부로 구비되는 적어도 발광층을 포함하는 중간층과, 중간층의 상부로 구비되는 제 2 전극으로 구성된다. 본 발명은 반드시 상기와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며 다양한 전계발광 소자의 구조가 그대로 적용될 수 있음은 물론이다.
제 1 전극은 애노드 전극의 기능을 하고, 제 2 전극은 캐소드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 제 1 전극과 제 2 전극의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
제 1 전극은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있다. 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3층을 형성하여 구비될 수 있다. 제 1 전극의 패턴은 수동 구동형(Passive Matrix type : PM)의 경우에는 포토리소그래피 방법 등을 이용하여 서로 소정 간격 떨어진 스트라이프 상의 라인들 로 형성될 수 있고, 능동 구동형(Active Matrix type : AM)의 경우에는 화소에 대응되는 형태로 형성될 수 있다. 능동 구동형의 경우에는 또한, 제 1 전극과 기판 사이에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 구비한 TFT(Thin Film Transistor)층이 더 구비되고, 제 1 전극은 이 TFT층에 전기적으로 연결된다.
제 2 전극도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명전극으로 사용될 때에는 제 2 전극이 캐소드 전극으로 사용될 수 있으므로, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 또는 이들의 화합물이 중간층을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인을 구비하여 형성할 수 있다. 그리고 반사형 전극으로 사용될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 또는 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제 1 전극 및 제 2 전극으로 전도성 폴리머 등 유기물을 사용할 수도 있다.
제 2 전극은 수동 구동형의 경우에는 제 1 전극의 패턴에 직교하는 스트라이프 상의 라인으로 구비될 수 있고, 능동 구동형의 경우에는 전체 화소들을 덮도록 또는 각 화소에 대응되도록 구비될 수 있다.
한편, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 개재되는 중간층은 제 1 전극과 제 2 전극의 전기적 구동에 의해 발광하는 발광층을 가지며, 중간층의 종류에 따라서 전계발광소자가 유기 전계발광소자 또는 무기 전계발광소자로 구분될 수 있다.
유기 전계발광 소자의 경우에는 저분자 유기막 또는 고분자 유기막으로 구비 될 수 있다.
저분자 유기막을 사용할 경우, 중간층은 홀 주입층(HIL: hole injection layer), 홀 수송층(HTL: hole transport layer), 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이러한 저분자 유기막은 진공 중에서 유기물을 가열하여 증착하는 방식으로 형성될 수 있다. 물론 중간층의 구조는 반드시 위에 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 다양한 층으로서 구성할 수 있다.
고분자 유기막을 사용할 경우에는 중간층은 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비될 수 있다. 고분자 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT : poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI : polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 형성될 수 있다. 고분자 유기 발광층은 PPV, Soluble PPV's, Cyano-PPV, 폴리플루오렌(Polyfluorene) 등으로 구비될 수 있으며, 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅 또는 레이저를 이용한 열전사방식 등의 통상의 방법으로 컬러 패턴을 형성할 수 있다. 물론 이러한 고분자 유기층의 경우에도 상기 중간층의 구조는 반드시 위에 한정되는 것 은 아니고, 필요에 따라 다양한 층으로서 구성할 수 있다.
무기 전계발광 소자의 경우에는 중간층은 무기막으로 구비되며, 이는 발광층 및 상기 발광층과 전극 사이에 개재된 절연층으로 구비될 수 있다. 물론 중간층의 구조는 반드시 위에 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 다양한 층으로서 구성할 수 있다. 이때 발광층은 ZnS, SrS, CaS 등과 같은 금속황화물 또는 CaGa2S4, SrGa2S4 등과 같은 알카리 토류 칼륨 황화물, 그리고 Mn, Ce, Tb, Eu, Tm, Er, Pr, Pb 등을 포함하는 천이 금속 또는 알카리 희토류 금속들로 구비될 수 있다.
이와 같이 디스플레이부(20)를 형성한 후, 금속 기판(10)을 각 디스플레이부(20)의 외주부를 따라 절단하여 복수개의 디스플레이 패널을 만든다. 즉, 도 4에서 개략적으로 도시된 점선(10a, 10b)을 따라 금속 기판(10)을 절단하여, 복수개의 디스플레이 패널을 만든다.
도 5는 이와 같이 절단하여 제조된 디스플레이 패널을 보여준다. 이때 금속 기판(10)의 단부가 외부로 노출되어 있으므로, 도 6에 도시된 것과 같이 디스플레이 패널의 금속 기판(10)의 단부를 덮도록 제 2 절연체(12)를 형성한다.
이 제 2 절연체(12) 역시 유기물 또는 무기물로 형성될 수 있다. 무기물로는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 티타늄옥사이드, 알루미늄옥사이드 및 이들의 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 들 수 있으며, 유기물로는 PI, Parylene, PMMA, Epoxy, PS, PE, PP, PTFE, PPS, PC, pET, PVC, BCB, PVP, PAN, PVA, Phenolic resin 또는 CYPE 등과 같은 물질을 들 수 있 다.
한편, 도 6을 참조하면 금속 기판(10)의 면들 중 디스플레이부(20)가 형성된 면은 노출되어 있는 것으로 도시되어 있다. 더 정확히 설명하자면 디스플레이부(20)의 외주부에서 금속 기판(10)은 노출되어 있는데, 도 6에 도시된 것과 같은 평판 디스플레이 장치는 휴대폰 또는 다른 장치에 결합됨으로써 금속 기판(10)이 노출되지 않도록 할 수 있다.
물론 이러한 평판 디스플레이 장치가 다른 장치에 결합되지 않고 그 자체로서 독립된 디스플레이 장치가 될 수도 있는데, 도 7은 그러한 변형예를 개략적으로 도시하고 있다.
즉, 도 7에 도시된 것과 같이 실런트(40)를 이용하여 디스플레이부(20) 외측으로 금속 기판(10)에 부착되는 대향 부재(30)가 더 구비될 수 있다. 특히 디스플레이부(20)가 전술한 바와 같이 전계발광 소자로 구비될 경우 이 전계발광 소자는 외부의 수분 및 산소 등에 매우 취약하므로, 이를 보호하기 위해 대향 부재(30)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 이 경우 대향 부재(30) 내측에는 외부로부터 침투한 수분 및 산소 등을 제거하기 위한 제습제 등이 필요에 따라 더 구비될 수도 있다. 한편, 디스플레이부(20)에서 방출되는 광은 금속 기판(10)이 아닌 대향 부재(30)를 통해 외부로 취출되어야 하므로, 이 대향 부재(30)는 투명한 것이 바람직하다.
물론 도 6과 같이 대향 부재가 구비되지 않는 경우에도, 제 2 절연체(12)가 금속 기판(10)이 노출되지 않도록 디스플레이부(20)에 인접한 부분까지 구비되도록 할 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능함은 자명하다.
이와 같은 경우, 금속 기판(10)은 노출되지 않게 되어, 플렉서블한 특성을 유지하면서도 외부로부터의 정전기 등에 의해 디스플레이부(20)가 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다.
물론 제 2 절연체(12)가 형성되기 전에 대향 부재(30)가 구비되고 그 후 제 2 절연체(12)가 형성될 수도 있는데, 도 8은 그와 같은 평판 디스플레이 장치를 도시하고 있다.
본 실시예의 설명에서 기판(10)이 금속 기판인 경우에 대해서만 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 도전성 물질로 만들어진 기판이라면 전술한 바와 같이 그 단부가 외부에 노출되지 않도록 할 필요가 있는 바, 이러한 경우에도 본 발명이 적용될 수 있음은 물론이다. 이는 후술할 실시예에 있어서도 동일하다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들 또는 단면도들이다.
본 실시예에 따른 제조공정이 전술한 제조공정과 다른 점은, 금속 기판(10)의 타면에 디스플레이부를 형성하기에 앞서, 그 면에 제 3 절연체(13)를 형성한다는 것이다.
금속 기판(10)은 전기적으로 도체이므로, 그 상부에 형성되는 디스플레이부와 절연시킬 필요가 있을 경우에는 이러한 제 3 절연체(13)를 사전에 형성할 필요가 있다. 물론 그 상부에 형성되는 디스플레이부의 일 구성요소와 전기적 소통을 이루는 경우에도, 그 디스플레이부의 다른 구성요소와 전기적으로 절연될 필요가 있을 경우가 있으므로 필요에 따라 이러한 제 3 절연체(13)가 구비되도록 할 수 있다. 또한, 금속 기판(10)으로부터 후에 디스플레이부로 금속 성분이 확산되어 들어가는 것을 방지하기 위한 목적으로도 이러한 제 3 절연체(13)가 필요에 따라 형성될 수도 있다.
이 경우, 제 1 절연체(11)와 제 3 절연체(13)는 서로 다른 공정을 거쳐 형성될 수도 있으나, 동시에 형성될 수도 있다. 예컨대 디핑(dipping) 법과 같은 방법을 이용하여 동시에 형성될 수도 있다. 이러한 경우에는 제 1 절연체(11)과 제 3 절연체(13)는 동일한 물질로 형성되게 된다.
그 후, 도 10에 도시된 것과 같이 제 3 절연체(13) 상에 복수개의 디스플레이부(20)들을 형성하고, 도 11에 도시된 것과 같이 이를 각 디스플레이부의 외주부를 따라 금속 기판(11)을 절단하여 복수개의 디스플레이 패널들을 제조한다.
이 경우, 금속 기판(11)을 절단함으로써 제 1 절연체(11) 및 제 3 절연체(13)에 의해 덮이지 않은 금속 기판(11)의 단부가 노출되는데, 이를 방지하기 위해 금속 기판(11)의 단부에 제 2 절연체(12)를 형성하여 금속 기판(11)이 노출되지 않도록 한다. 제 1 절연체(11) 및 제 2 절연체(12)의 재료 등은 전술한 실시예에서 설명한 것과 동일하다.
물론 도시하지 않았으나, 전술한 실시예 및 변형예들에서 설명한 바와 같이 대향 부재가 더 구비될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
상기 실시예들 및 그 변형예들에서는 디스플레이부가 전계발광 소자를 구비한 경우인 전계발광 디스플레이 장치에 대해 설명했으나, 본 발명이 이에 한정되지 않음은 물론이다. 즉, 디스플레이부는 액정으로 형성될 수도 있고 전자 방출 소자로 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 금속 기판 혹은 도전성 기판을 사용함으로써, 고온 공정에도 쉽게 평판 디스플레이 장치를 제조할 수 있다.
둘째, 금속 기판 혹은 도전성 기판을 사용함으로써, 보다 플렉서블한 평판 디스플레이 장치를 제조할 수 있다.
셋째, 금속 기판 혹은 도전성 기판이 노출되지 않도록 함으로써, 정전기 등과 같은 외부로부터의 전기적 충격으로부터 디스플레이부를 보호하여 불량 등을 방지할 수 있으며, 이를 통해 디스플레이 장치의 수명을 획기적으로 늘릴 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (19)

  1. 기판;
    상기 기판의 일면을 덮는 제 1 절연체;
    상기 기판의 타면에 배치된 디스플레이부; 및
    상기 기판의 단부가 노출되지 않도록 상기 기판의 단부를 덮는 제 2 절연체;를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 타면을 덮는 제 3 절연체를 더 구비하고, 상기 디스플레이부는 상기 제 3 절연체 상에 구비되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 절연체와 상기 제 3 절연체는 동일 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 절연체는 무기 절연체인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 2 절연체는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 티타늄옥사이드, 알루미늄옥사이드 및 이들의 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 절연체는 유기 절연체인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제 2 절연체는 PI, Parylene, PMMA, Epoxy, PS, PE, PP, PTFE, PPS, PC, PET, PVC, BCB, PVP, PAN, PVA, Phenolic resin 및 CYPE 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 금속 기판인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 금속 기판은 스테인레스 스틸, Ti, Mo, Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
  10. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이부는 전계발광 소자를 구비하는 디스플레이부인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  11. 금속 기판의 일면을 덮도록 제 1 절연체를 형성하는 단계;
    상기 금속 기판의 타면에 복수개의 디스플레이부들을 형성하는 단계;
    상기 금속 기판을 상기 각 디스플레이부의 외주부를 따라 절단하여 복수개의 디스플레이 패널을 만드는 단계; 및
    상기 각 디스플레이 패널의 금속 기판의 단부를 덮도록 제 2 절연체를 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제 1 절연체를 형성하는 단계와 상기 디스플레이부들을 형성하는 단계 사이에 상기 금속 기판의 타면을 덮도록 제 3 절연체를 형성하는 단계를 더 구비하고,
    상기 디스플레이부들을 형성하는 단계는, 상기 제 3 절연체 상에 복수개의 디스플레이부들을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제 1 절연체를 형성하는 단계와 상기 제 3 절연체를 형성하는 단계는 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 제 2 절연체는 무기물로 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제 2 절연체는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 티타늄옥사이드, 알루미늄옥사이드 및 이들의 화합물 중 적어도 하나를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 제 2 절연체는 유기물로 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제 2 절연체는 PI, Parylene, PMMA, Epoxy, PS, PE, PP, PTFE, PPS, PC, PET, PVC, BCB, PVP, PAN, PVA, Phenolic resin 및 CYPE 중 적어도 하나를 포 함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  18. 제 11항에 있어서,
    상기 금속 기판은 스테인레스 스틸, Ti, Mo, Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  19. 제 11항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이부들을 형성하는 단계는 전계발광 소자를 구비한 디스플레이부들을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100934480B1 (ko) * 2009-03-17 2009-12-30 실리콘 디스플레이 (주) 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
KR101443369B1 (ko) * 2007-02-12 2014-09-26 엘지디스플레이 주식회사 표시 기판 모듈 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6642092B1 (en) * 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
US8405193B2 (en) * 2004-04-02 2013-03-26 General Electric Company Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages
CN100508675C (zh) * 2007-06-08 2009-07-01 信利半导体有限公司 有机电致发光显示器的防静电方法
KR101267534B1 (ko) * 2009-10-30 2013-05-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
CN102825889A (zh) * 2012-08-10 2012-12-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及具有该显示基板的显示装置
KR102167133B1 (ko) * 2013-12-18 2020-10-16 엘지디스플레이 주식회사 금속 필름을 이용한 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치
CN104051671B (zh) * 2014-06-16 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示装置及其制备方法
CN107565060B (zh) * 2016-07-01 2019-11-22 上海和辉光电有限公司 一种显示器件的制备方法
KR102620962B1 (ko) * 2016-12-07 2024-01-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4339482A (en) * 1980-08-29 1982-07-13 Lucitron, Inc. Flat-panel display and method of manufacture
JPH0652795B2 (ja) * 1984-03-07 1994-07-06 太陽誘電株式会社 可撓性非晶質半導体太陽電池
US4695490A (en) * 1985-10-15 1987-09-22 Rca Corporation Seal for liquid crystal display
JP3158667B2 (ja) 1991-08-01 2001-04-23 セイコーエプソン株式会社 液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子の再生方法
JPH08124676A (ja) * 1994-10-20 1996-05-17 Fuji Electric Co Ltd 薄膜el素子の耐熱基板構造
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
JP4011649B2 (ja) 1996-06-11 2007-11-21 出光興産株式会社 多色発光装置およびその製造方法
JPH11202349A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6204906B1 (en) * 1999-03-22 2001-03-20 Lawrence E. Tannas, Jr. Methods of customizing the physical size and shape of commercial off-the-shelf (COTS) electronic displays
US6355125B1 (en) * 1999-03-26 2002-03-12 Agfa-Gevaert Method for making an electric or electronic module comprising a glass laminate
JP4819211B2 (ja) 1999-03-26 2011-11-24 奇美電子股▲ふん▼有限公司 ガラス積層物を含む電気的または電子的モジュールの製造法
US6362507B1 (en) 1999-04-20 2002-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical devices in which pixel section and the driver circuit are disposed over the same substrate
CA2367465A1 (en) * 1999-04-28 2000-11-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation
US6597489B1 (en) * 1999-06-30 2003-07-22 Gentex Corporation Electrode design for electrochromic devices
KR100720066B1 (ko) * 1999-11-09 2007-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 제작방법
JP4563539B2 (ja) 2000-02-07 2010-10-13 アイファイヤー アイピー コーポレイション 複合基板およびこれを用いたel素子
CN1227751C (zh) * 2000-02-17 2005-11-16 Lg电子株式会社 有机电致发光显示板及其封装方法
JP4566475B2 (ja) 2000-08-04 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP3909556B2 (ja) 2001-01-15 2007-04-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US7255451B2 (en) * 2002-09-20 2007-08-14 Donnelly Corporation Electro-optic mirror cell
US6576351B2 (en) * 2001-02-16 2003-06-10 Universal Display Corporation Barrier region for optoelectronic devices
JP4255643B2 (ja) 2001-02-21 2009-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6822391B2 (en) * 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
CN1292299C (zh) * 2001-06-29 2006-12-27 西铁城时计株式会社 液晶显示板及其制造方法
WO2003023745A1 (fr) 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Appareil d'affichage et son procede de fabrication
KR100944886B1 (ko) * 2001-10-30 2010-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
JP3810681B2 (ja) 2001-12-20 2006-08-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
JP3865056B2 (ja) * 2002-01-22 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 封止用基板の製造方法
JP3942017B2 (ja) 2002-03-25 2007-07-11 富士フイルム株式会社 発光素子
US7268486B2 (en) * 2002-04-15 2007-09-11 Schott Ag Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements
US6642092B1 (en) 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
US7291970B2 (en) * 2002-09-11 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus with improved bank structure
US7436050B2 (en) * 2003-01-22 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a flexible printed circuit
JP2004354648A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Hitachi Ltd 表示装置
KR100583252B1 (ko) * 2003-12-29 2006-05-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
EP1712109A4 (en) * 2003-12-30 2008-03-19 Agency Science Tech & Res FLEXIBLE ELECTROLUMINESCENT DEVICES
JP2005297498A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Dainippon Printing Co Ltd 可撓性基板およびそれを用いた有機デバイス
KR100601378B1 (ko) * 2004-11-26 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치
US7368307B2 (en) * 2005-06-07 2008-05-06 Eastman Kodak Company Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101443369B1 (ko) * 2007-02-12 2014-09-26 엘지디스플레이 주식회사 표시 기판 모듈 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법
KR100934480B1 (ko) * 2009-03-17 2009-12-30 실리콘 디스플레이 (주) 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법

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Publication number Publication date
JP2007017967A (ja) 2007-01-25
EP1744381A1 (en) 2007-01-17
US20070007893A1 (en) 2007-01-11
US8030844B2 (en) 2011-10-04
CN1893102A (zh) 2007-01-10
KR100719554B1 (ko) 2007-05-17

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