KR20070000366A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20070000366A
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Abstract

A substrate processing apparatus is provided to improve the continuity between respective processes, by divisionally collecting a first processing solution, which is supplied onto a substrate to be processed on a conveyance line, and effectively replacing the first processing solution with a second processing solution. A conveyance line(120) includes a first conveyance section(M1) having a horizontal conveyance route, a second conveyance section(M2) having an upwardly inclined conveyance route, a third conveyance section(M3) having a downwardly inclined conveyance route, and a fourth conveyance section(M4) having a horizontal conveyance route. A conveyance driving part drives a conveyance structure for conveying a substrate on the conveyance line. A first processing solution supply part supplies a first processing solution onto the substrate in the first or second conveyance section. A second processing solution supply part(138) supplies a second processing solution onto the substrate in the third conveyance section.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate Processing Equipment {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 피처리 기판상에 처리액을 공급해 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 기술과 관련되어 특히 기판을 평류 방식에서 수평 방향으로 반송하면서 액처리를 실시하는 기판 처리 장치에 관한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid onto a substrate to be treated and performing a predetermined treatment, in particular, a substrate processing apparatus for performing liquid processing while conveying a substrate in a horizontal direction in a horizontal flow mode.

최근 LCD(액정 표시 디스플레이) 제조에 있어서의 레지스트 도포 현상 처리 시스템에서는 LCD용 기판(예를 들어 유리 기판)의 대형화에 유리에 대응할 수 있는 현상 방식으로서 회전자를 수평 방향으로 부설한 반송로상에서 기판을 반송하면서 반송중에 현상 린스 건조 등의 일련의 현상 처리 공정을 실시하도록 한 이른바 평류 방식이 보급되어 있다. 이러한 평류 방식은 기판을 회전운동시키는 스핀과 비교하여 대형 기판의 취급이 간단하고 미스트의 발생 내지 기판으로의 재부착이 적은 등의 이점이 있다.Recently, in a resist coating and developing system in LCD (liquid crystal display display) manufacturing, a substrate is formed on a conveying path in which a rotor is placed in a horizontal direction as a developing method that can cope with glass in increasing the size of an LCD substrate (for example, a glass substrate). The so-called flat flow system which carries out a series of image development processing processes, such as image development rinse drying, is popular during conveyance, conveying. Compared to the spin for rotating the substrate, this drift system has advantages such as easy handling of a large substrate and less generation of mist or reattachment to the substrate.

평류 방식을 채용하는 종래의 현상 처리 장치는 현상액의 분별 회수율을 높이기 위해서 예를 들어 특허 문헌 1로 개시되는 바와 같이 평류의 반송로에 있어서 현상액 공급부의 하류 측에 기판을 반송 방향으로 기울이는 기판 경사 기구를 설치해 현상액 공급부에서 수평인 기판상에 현상액을 활성해 그대로 평류로 기판을 반송로의 하류측에 반송해 소정 시간 후에 반송로상의 소정 위치에서 기판 경사 기구가 기판을 정면 또는 후 방향으로 경사시켜 기판상의 현상액을 중력으로 떨어뜨려 아래에 떨어진 현상액을 현상액 회수용의 팬으로 수집하도록 하고 있다. 그리고 기판 경사 기구가 상기와 같은 경사 자세에 의한 액분리를 일정시간내에 끝마쳐 기판을 수평 자세에 되돌리면 다음에 기판은 하류측의 린스부에 평류로 보내져 거기서 린스 노즐이 수평 자세의 기판상에 린스액을 분출하는 것으로 기판상에서 현상액으로부터 린스액으로의 치환(현상 정지)을 한다. 이 린스부에서 기판으로부터 떨어진 액은 린스액 회수용의 팬에 모아진다. 그리고 린스 처리가 끝난 기판이 하류측의 건조부를 평류로 통과하는 동안에 에어 나이프가 수평 자세의 기판에 반송 방향과 역방향으로 고압의 에어류를 맞혀 액분리 하는 것으로써 기판 표면이 마르게 되어 있다.The conventional developing apparatus employing the flat flow method is a substrate inclination mechanism for tilting a substrate in a conveying direction on a downstream side of a developing solution supply section in a flat flow conveying path, for example, as disclosed in Patent Document 1 in order to increase the recovery rate of the developer. And the developer is activated on the horizontal substrate in the developer supplying section, and the substrate is transported as it is in a flat stream downstream to the conveying path. After a predetermined time, the substrate tilting mechanism inclines the substrate in the front or rear direction at a predetermined position on the conveying path. The developing solution of the phase is dropped by gravity to collect the developing solution under the pan for collecting the developer. When the substrate tilting mechanism finishes the liquid separation in the tilted position as described above within a predetermined time and returns the substrate to the horizontal position, the substrate is then sent to the downstream rinse part in a flat flow where the rinse nozzle is placed on the horizontal position of the substrate. By rinsing the rinse liquid, substitution (development stop) from the developer to the rinse liquid is performed on the substrate. The liquid separated from the substrate in this rinse portion is collected in a pan for rinse liquid recovery. And while the rinse-processed board | substrate passes through the downstream drying part in the counter current, the surface of the board | substrate is dried by making an air knife pressurize high-pressure air flow in the reverse direction to a conveyance direction to the board | substrate of a horizontal attitude | position.

[특허 문헌 1] 일본국 특개2003-7582호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-7582

그렇지만 상기와 같은 종래의 현상 처리 장치에 있어서는 현상액을 활성된 기판을 반송로상에서 정지시켜 수평 상태로부터 경사 상태로 자세 변환해 경사 자세로 액분리를 실시한 후에 다시 수평 자세로 되돌려 평류의 반송을 재개한다고 하는 기구 및 일련의 동작이 상당히 번잡하고 비효율적이다라고 말하는 일면이 있었다. 게다가 현상액의 액분리를 개시하고 나서 하류측의 린스부에서 액치환 즉 현상 정지용의 린스 처리를 개시할 때까지의 시간 지연이 길기 때문에 린스 처리를 실행하기 전에 기판의 전단측으로부터 피처리면이 건조해 버려 얼룩의 기미가 발생한다고 하는 현상 처리 품질의 저하도 염려되고 있다.However, in the conventional developing apparatus as described above, the developer is stopped by the active substrate on the conveying path, the posture is changed from the horizontal state to the inclined state, and the liquid separation is performed in the inclined position, and then returned to the horizontal position to resume the conveyance of the flat stream. There was one aspect that said a mechanism and a series of operations were quite troublesome and inefficient. Furthermore, the surface to be processed is dried from the front end side of the substrate before the rinsing process because the time delay from the start of the liquid separation of the developer to the start of the liquid replacement, that is, the rinsing process for stopping the development, is long. The deterioration of the developing quality such that stains are generated is also feared.

또 현상 시간에 대해서도 기판상의 면내 균일성을 보증하는 것이 어려웠다. 즉 현상액을 활성된 기판을 정지 위치에서 수평 자세로부터 경사 자세로 자세 변환 하기에 즈음해서는 기판의 각부에서 운동 속도, 운동 범위(특히 높이 위치) 등이 다르기 위해서 현상액 공급시와 같은 시간차이로 각부의 액분리를 실시하는 것은 불가능하고 결과적으로 현상액의 공급으로부터 현상 정지까지의 시간 즉 현상 시간이 기판의 각부(특히 기판 전단부와 후단부와의 사이)에서 흩어진다고 하는 문제가 있었다.Moreover, it was difficult to ensure in-plane uniformity on a board | substrate also regarding developing time. In other words, when the active substrate is changed from the horizontal position to the inclined position at the stop position, the parts of the substrate have different movement speeds, ranges of motion (especially height positions), and so on. It was impossible to carry out liquid separation, and as a result, there was a problem that the time from the supply of the developing solution to the stop of developing, that is, the developing time, was scattered at each part of the substrate (particularly between the front end and the rear end of the substrate).

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것이고, 평류의 반송 라인상에서 피처리 기판에 공급한 제1의 처리액을 분별 회수해 제2의 처리액에 이동하는 동작을 효율적으로 유연하게 실시할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and efficiently and flexibly performs an operation of fractionally recovering a first processing liquid supplied to a substrate to be processed on a flat stream conveying line and moving it to a second processing liquid. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of being made.

본 발명의 다른 목적은 평류의 반송 라인상에서 피처리 기판에 공급한 제1의 처리액을 소정의 처리 시간 경과후에 분별 회수해 제2의 처리액에 치환하는 동작을 효율적으로 면내 균일하게 실시할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.It is another object of the present invention to efficiently and uniformly perform an operation in which the first treatment liquid supplied to the substrate to be processed on the flat stream conveying line is separated and replaced with the second treatment liquid after a predetermined treatment time has elapsed. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 다른 목적은 평류의 반송 라인상에서 피처리 기판을 반송하면서 기판상에 일련의 처리를 차례로 실시함에 즈음하여 각 처리간의 연속성 내지 수율의 향상과 상호 간섭의 방지를 동시에 실현시키는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which simultaneously realizes an improvement in continuity and yield between each processing and prevention of mutual interference, while sequentially carrying out a series of processing on the substrate while conveying the substrate to be processed on the conveying line of the flat stream. It is to offer.

상기의 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 기판 처리 장치는 피처리 기판을 피처리면을 위로 향한 상향의 자세로 반송하기 위한 반송체를 수평인 소정의 반송 방향으로 부설하여 이루고 상기 반송 방향에 있어서 실질적으로 수평인 반송로를 가지는 제1의 반송 구간과; 상기 제1의 반송 구간에 이어지는 상승 경사의 반송로를 가지는 제2의 반송 구간과 ; 상기 제2의 반송 구간에 이어지는 하향 경사의 반송로를 가지는 제3의 반송 구간과; 상기 제3의 반송 구간에 이어지는 실질적으로 수평인 반송로를 가지는 제4의 반송 구간을 포함한 평류의 반송 라인과 ;상기 반송 라인상에서 상기 기판을 반송하기 위해서 상기 반송체를 구동하는 반송 구동부와 ;상기 제 1 또는 제2의 반송 구간내에서 상기 기판상에 제1의 처리액을 공급하는 제1의 처리액 공급부와 ; 상기 제3의 반송 구간내에서 상기 기판상에 제2의 처리액을 공급하는 제2의 처리액 공급부를 가진다.In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention is formed by placing a carrier for conveying a substrate to be processed in an upward attitude toward the surface to be processed in a predetermined horizontal conveyance direction and substantially in the conveying direction. A first conveying section having a horizontal conveying path; A second conveying section having a conveying path of an inclined slope following the first conveying section; A third conveying section having a conveying path of a downward slope following the second conveying section; A conveying line of a flat stream including a fourth conveying section having a substantially horizontal conveying path following the third conveying section; a conveying drive unit which drives the conveying body to convey the substrate on the conveying line; A first processing liquid supply unit for supplying a first processing liquid to the substrate in a first or second conveying section; It has a 2nd process liquid supply part which supplies a 2nd process liquid on a said board | substrate in a said 3rd conveyance section.

상기의 장치 구성에 있어서는 제2 및 제3의 반송 구간안에 제1 및 제4의 반송 구간보다 높고 융기 한 융기부가 형성된다. 기판이 이 융기부의 상향 경사로(제 2의 반송 구간)를 오를 때에 기판상의 제1의 처리액이 하부 즉 후방에 중력으로 이동해 기판 후단으로부터 흘러 떨어진다. 이 때 기판상에서는 기판의 전단측으로부터 후단측에 향하여 반송 속도와 대충 같은 이동 속도로 제1의 처리액의 액분리를 한다. 이렇게 해 융기부의 상향 경사로를 넘은 기판은 그 상면에 제1의 처리액이 매우 얇은 피막으로 남아 있는 상태로 하향 경사로(제 3의 반송 구간)에 들어간다. 여기서 이 하향 경사로를 내려오는 기판에 대해서 제2의 처리액 공급부가 제2의 처리액을 공급하는 것으로써 기판상의 각부에 얇게 남아 있던 제1의 처리액이 중력과 제1의 처리액의 흐름의 압력을 받아 전방으로 흘러내리고 기판전단으로부터 내보낸다. 이렇게 해 기판상에서 기판의 전단측으로부터 후단측에 향하여 반송 속도와 대강 같은 속도로 제1의 처리액이 제2의 처리액에 치환된다.In the above apparatus configuration, the raised portions which are higher than the first and fourth conveyance sections are formed in the second and third conveyance sections. When the board | substrate climbs the upward incline (2nd conveyance section) of this ridge, the 1st process liquid on a board | substrate moves under gravity, and it flows down from a board | substrate rear end. At this time, on the board | substrate, liquid separation of a 1st process liquid is performed from the front end side of a board | substrate to the back end side at the movement speed roughly the same as conveyance speed. In this way, the board | substrate which crossed the upward ramp of the ridge part enters a downward ramp (third conveyance section) in the state in which the 1st process liquid remains a very thin film on the upper surface. Here, the second processing liquid supply unit supplies the second processing liquid to the substrate which descends the downward slope so that the first processing liquid that remains thin in each part of the substrate is the gravity and the flow of the first processing liquid. Under pressure, it flows forward and out from the substrate front. In this way, on the board | substrate, the 1st process liquid is substituted by the 2nd process liquid from the front end side of a board | substrate to the rear end side at the speed | rate similar to conveyance speed.

본 발명의 매우 적절한 한 가지 양태에 의하면 반송 방향에 있어서 제2의 반송 구간이 기판의 사이즈보다 짧은 길이로 설정되고 한층 더 바람직하게는 제2의 반송 구간과 제3의 반송 구간을 서로 더한 구간이 기판의 사이즈보다 짧은 길이로 설정된다. 이 경우 기판은 그 가요성에 의해 전체 길이의 일부에 융기부에 모방한 돌기조의 기판 융기부를 형성하고 또한 반송 속도에 동일한 속도로 기판 융기부를 기판의 전단으로부터 후단까지 반송 방향과 반대 방향으로 상대적으로 이동시키면서 반송 라인의 융기부( 제2 및 제3의 반송 구간)를 통과한다.According to one very suitable aspect of the present invention, the second conveying section is set to a length shorter than the size of the substrate in the conveying direction, and more preferably, the section in which the second conveying section and the third conveying section are added to each other It is set to a length shorter than the size of the substrate. In this case, the substrate is formed by the flexibility to form a projection-like substrate ridge in a part of the entire length, and the substrate ridge is relatively moved in the opposite direction from the front end to the rear end of the substrate at the same speed as the conveyance speed. While passing, it passes through the ridges (the 2nd and 3rd conveyance section) of a conveyance line.

본 발명에 있어서의 평류의 반송 라인은 각 반송 구간의 경계 지점에서 급각도에 꺽여지는 것 같은 진로 변경을 실시하는 것보다는 그 부근에서 적당한 곡율 반경을 그려 진로 변경하는 것이 바람직하고 또 융기부의 정점이 플랫으로 되어 있는 구성 즉 제2의 반송 구간의 종단부와 제3의 반송 구간의 시단부의 사이에 실질적으로 수평인 반송로가 형성되는 구성도 가능하다.In the present invention, it is preferable to change the course by drawing a proper radius of curvature in the vicinity of the flat line conveying line rather than performing a course change such as bending at a sharp angle at the boundary point of each conveying section. The structure which is flat, ie, the structure in which a substantially horizontal conveyance path is formed between the end part of a 2nd conveyance section and the start end part of a 3rd conveyance section, is also possible.

또 본 발명의 바람직한 한 종류에 의하면 제2의 반송 구간내에서 반송 라인의 반송로에서 윗쪽으로 떨어지는 기판의 부위를 소정의 높이 위치에서 억제하기 위한 기판 억제부가 설치된다. 이 기판 억제부는 바람직하게는 기판의 좌우 양주변부에 접하는 회전 가능한 한 쌍의 롤러를 가지는 것으로서 좋다. 기판이 제2의 반송 구간내의 상향 경사로를 오를 때에는 기판의 후단부가 반송 라인의 반송로에서 윗쪽으로 떨어져도 기판 억제부에 의한 높이 규제를 받으면서 정상 부근까지 후 경자세를 유지할 수 있기 때문에 기판상의 액분리를 최후(기판 후단)까지 순조롭게 실시할 수가 있다.Moreover, according to one kind of this invention, the board | substrate suppression part for restraining the site | part of the board | substrate which falls upward from the conveyance path of a conveyance line in a 2nd conveyance section at a predetermined height position is provided. This board | substrate suppression part should preferably have a pair of rotatable rollers which contact | connect both the left and right peripheral parts of a board | substrate. When the substrate crosses the upward slope in the second conveyance section, even if the rear end portion of the substrate falls upward from the conveying path of the conveying line, the liquid separation on the substrate can be maintained after the light posture is maintained near the top while being regulated by the height of the substrate suppressor. Can be carried out smoothly to the end (after board).

또 바람직한 한 종류로서 제1의 처리액 공급부보다 하류측의 제2의 반송 구간내의 소정 위치에서 기판상에 가스를 불어내는 제1의 에어 나이프가 설치된다. 기판이 제2의 반송 구간내의 상향 경사로를 오를 때에 제1의 에어 나이프에서 가스류를 기판상에 맞히는 것으로 기판상의 제1의 처리액의 액분리를 원조 또는 촉진할 수가 있다.Moreover, as a preferable kind, the 1st air knife which blows gas on a board | substrate at the predetermined position in the 2nd conveyance section downstream of a 1st process liquid supply part is provided. The liquid separation of the first processing liquid on the substrate can be assisted or promoted by fitting the gas flow onto the substrate with the first air knife when the substrate climbs the upward slope in the second conveyance section.

또 제1의 처리액 공급부에서 하류측의 제 1 또는 제2의 반송 구간내의 소정 위치에서 기판의 후단으로부터 제1의 처리액이 흘러 떨어지는 것을 촉발하기 위한액분리 촉발부를 설치하는 것도 바람직하다. 매우 적절한 한 종류로서 이 액분리 촉발부는 반송로상에 반송체로서 배치되는 외경이 일정한 원주 형상 또는 원통형의 회전자에 의해 구성되어도 좋다. 혹은 다른 매우 적절한 한 종류로서 액분리 촉발부가 기판의 후단부에 윗쪽으로부터 반송 방향과 역방향으로 가스류를 맞히는 가스 노즐에 의해 구성되어도 괜찮다.It is also preferable to provide a liquid separation trigger for triggering the flow of the first processing liquid from the rear end of the substrate at a predetermined position in the first or second conveying section on the downstream side in the first processing liquid supply unit. As a very suitable type, the liquid separation triggering portion may be constituted by a cylindrical or cylindrical rotor having a constant outer diameter arranged as a carrier on the transport path. Alternatively, as another very suitable type, the liquid separation triggering portion may be constituted by a gas nozzle that directs the gas flow in the reverse direction to the conveyance direction from above on the rear end of the substrate.

본 발명의 매우 적절한 한 가지 양태에 의하면 제1의 처리액 공급부가 제1의 반송 구간내의 소정 위치에서 기판을 향해 제1의 처리액을 토출하는 처리액 공급 노즐을 갖고 반송 구동부가 제1 및 제2의 반송 구간을 통해서 기판을 일정한 속도로 반송한다. 이 경우 하류측의 제2 및 제3의 반송 구간에서는 제1의 반송 구간에서 기판상에 제1의 처리액이 공급되었을 때와 거의 같은 주사 속도로 기판의 전단으로부터 후단으로 향하여 제1의 처리액의 액분리 없이 제2의 처리액으로의 치환을 한다.According to one very suitable aspect of the present invention, the first processing liquid supply unit has a processing liquid supply nozzle for discharging the first processing liquid toward the substrate at a predetermined position in the first conveying section, and the conveyance driving unit has the first and the first processing liquids. The substrate is conveyed at a constant speed through the conveyance section of 2. In this case, in the second and third conveying sections on the downstream side, the first processing liquid is moved from the front end to the rear end of the substrate at the same scanning speed as when the first processing liquid is supplied on the substrate in the first conveying section. Substitute the second treatment liquid without separating the liquid.

매우 적절한 한 종류에 의하면 제1 및 제2의 반송 구간에서 반송로 아래에 떨어진 액을 수집하기 위한 제1의 집액부와 제3 및 제4의 반송 구간에서 반송로 아래에 떨어진 액을 수집하기 위한 제2의 집액부가 설치된다. 관련된 구성에 있어서는 제1의 처리액 공급부로부터 기판상에 공급한 제1의 처리액의 대부분을 제1의 집액부에 분별 회수할 수가 있다. 제2의 집액부에는 주로 제2의 처리액이 회수된다.According to one very suitable type, the first collecting part for collecting the liquid dropped below the conveying path in the first and the second conveying section and the liquid collecting part for collecting the liquid falling under the conveying path in the third and fourth conveying sections. The second liquid collecting part is provided. In the related structure, most of the 1st processing liquid supplied on the board | substrate from the 1st processing liquid supply part can be collect | recovered fractionally by the 1st collection part. The second processing liquid is recovered mainly in the second collecting part.

매우 적절한 한 종류에 의하면 제2의 반송 구간과 제3의 반송 구간의 경계 부근에 반송 라인을 따른 주위의 공간을 상류측과 하류측으로 멀리하기 위한 제1의 간이벽이 설치된다. 이 제1의 간이벽에는 반송 라인을 통하기 위한 통로가 형성된다.According to one very suitable type, a first simple wall is provided near the boundary between the second conveying section and the third conveying section to separate the space around the conveying line to the upstream side and the downstream side. The first simple wall is provided with a passage for passing the conveying line.

또 매우 적절한 한 종류에 의하면 반송 라인이 제4의 반송 구간에 이어지는 상승 경사의 반송로를 가지는 제5의 반송 구간과 제5의 반송 구간에 이어지는 실질적으로 수평인 반송로를 가지는 제6의 반송 구간을 포함한다. 관련되는 구성에 있어서는 제4의 반송 구간으로부터 제6의 반송 구간에 걸쳐 상향 단차부가 형성된다. 이 상향 단차부 또는 제5의 반송 구간은 기판의 사이즈보다 짧은 길이로 설정되는 것이 바람직하다. 이것에 의해 기판은 그 가요성을 이용해 기판 전체 길이의 일부에 상기 단차부에 모방한 라인 형상의 기판 단차부를 형성하고 또한 반송 속도에 동일한 속도로 기판 단차부를 기판의 전단으로부터 후단까지 반송 방향과 반대 방향으로 상대적으로 이동시키면서 반송 라인의 상향 단차부(제5의 반송 구간)를 통과한다. 이 상향 단차부( 제5의 반송 구간)에서는 기판상에 남아 있던 제2의 처리액이 기판전단측으로부터 후방으로 중력으로 이동해 기판 후단으로부터 흘러 떨어진다.According to a very suitable type, the conveying line has a fifth conveying section having a rising slope conveying path following the fourth conveying section and a sixth conveying section having a substantially horizontal conveying path following the fifth conveying section. It includes. In the related configuration, an upward step portion is formed from the fourth conveyance section to the sixth conveyance section. It is preferable that this upward step part or 5th conveyance section is set to length shorter than the size of a board | substrate. As a result, the substrate uses the flexibility to form a line-shaped substrate stepped part imitating the stepped part on a part of the entire length of the substrate, and at the same speed as the conveying speed, the substrate stepped part is opposite to the conveying direction from the front end to the rear end of the substrate. It passes through the upward step part (5th conveyance section) of a conveyance line, moving relatively in a direction. In this upward step (fifth conveying section), the second processing liquid remaining on the substrate moves from the front end side of the substrate to the rear side by gravity and flows down from the rear end of the substrate.

매우 적절한 한 종류에 의하면 제 5 또는 제6의 반송 구간내에서 기판상으로부터의 액(제2의 처리액)의 액분리를 원조하기 위해서 반송 방향과 역방향에 기판상에 가스를 불어내는 제2의 에어 나이프가 설치된다.According to one very suitable type, a second blower which blows gas on the substrate in the opposite direction to the conveying direction in order to assist the liquid separation of the liquid (the second processing liquid) from the substrate within the fifth or sixth conveying section. An air knife is installed.

매우 적절한 한 종류에 의하면 제5의 반송 구간과 제6의 반송 구간의 경계 부근에 반송 라인을 따른 주위의 공간을 상류측과 하류측으로 멀리하기 위한 제2의 간이벽이 설치된다. 이 제2의 간이벽에도 반송 라인을 통하기 위한 통로가 형성된다.According to one kind that is very suitable, a second simple wall is provided near the boundary between the fifth conveyance section and the sixth conveyance section to separate the space around the conveying line to the upstream side and the downstream side. A passage for passing the transfer line is also formed in this second simple wall.

매우 적절한 한 종류에 의하면 반송 라인이 제1의 반송 구간보다 상류측에서 제1의 반송 구간보다 높은 위치에서 실질적으로 수평인 반송로를 가지는 제7의 반송 구간과 이 제7의 반송 구간과 제1의 반송 구간의 사이에 하향 경사의 반송로를 가지는 제8의 반송 구간을 포함한다. 관련되는 구성에 있어서는 제7의 반송 구간으로부터 제1의 반송 구간에 걸쳐 하향 단차부가 형성된다. 이 하향 단차부는 기판상에 공급된 제1의 처리액이 기판상을 전하여 상류측 근처의 다른 유니트 또는 처리부에 미치는 것을 막아 멈추는 기능을 가질수가 있다. 이 상향 단차부 즉 제8의 반송 구간은 기판의 사이즈보다 짧은 길이로 설정되어도 좋다. 또 제8의 반송 구간과 제1의 반송 구간의 경계 부근에 반송 라인을 따른 주위의 공간을 상류측과 하류측으로 멀리하기 위한 제3의 간이벽이 설치되어도 좋다.According to one very suitable type, the seventh conveying section having a substantially horizontal conveying path at a position higher than the first conveying section on the upstream side of the first conveying section, and the seventh conveying section and the first conveying section The eighth conveyance section which has a conveyance path of a downward inclination between conveyance sections of is included. In the related configuration, a downward stepped portion is formed from the seventh conveying section to the first conveying section. The downward stepped portion may have a function of stopping the first processing liquid supplied on the substrate from passing on the substrate to the other unit or processing portion near the upstream side. This upward stepped portion, that is, the eighth conveying section, may be set to a length shorter than the size of the substrate. In addition, a third simple wall may be provided near the boundary between the eighth conveyance section and the first conveyance section to separate the space around the conveyance line upstream and downstream.

또한 본 발명에 있어서 반송 라인상에서 취하는 기판이 상향 자세는 수평 자세나 반송 방향에 있어서의 경사 자세뿐만이 아닌 임의의 방향(예를 들어 좌우의 횡방향)으로 경사하는 자세를 포함한다.In addition, in this invention, the board | substrate taken on a conveyance line includes the attitude | position which inclines not only a horizontal attitude | position or the inclination attitude | position in a conveyance direction, but in arbitrary directions (for example, the left-right horizontal direction).

도 1에 본 발명의 기판 처리 장치를 적용할 수 있는 하나의 구성예로서의 도포 현상 처리 시스템을 나타낸다. 이 도포 현상 처리 시스템 (10)은 클린 룸내에 설치되고 예를 들어 LCD용의 유리 기판을 피처리 기판으로 해 LCD 제조 프로세스 에 있어서 포트리소그래피 공정안의 세정 레지스트;도포 프리베이크 현상 및 포스트 베이크등의 각 처리를 실시하는 것이다. 노광 처리는 이 시스템에 인접해 설치되는 외부의 노광 장치 (12)로 행해진다.1 shows a coating and developing treatment system as one structural example to which the substrate processing apparatus of the present invention can be applied. This coating and developing processing system 10 is installed in a clean room, for example, using a glass substrate for LCD as a substrate to be treated, and a cleaning resist in a port lithography process in the LCD manufacturing process; coating prebaking, post-baking, and the like. To carry out the treatment. An exposure process is performed by the external exposure apparatus 12 provided adjacent to this system.

이 도포 현상 처리 시스템 (10)은 중심부에 횡길이의 프로세스 스테이션(P/S, 16)을 배치해 그 긴 방향(X방향) 양단부에 카셋트 스테이션(C/S, 14)와 인터페이스 스테이션(I/F, 18)을 배치하고 있다.The coating and developing processing system 10 arranges the horizontally processed process stations (P / S, 16) at the center, and has the cassette station (C / S, 14) and the interface station (I /) at both ends thereof in the long direction (X direction). F, 18) is arranged.

카셋트 스테이션(C/S, 14)는 시스템 (10)의 카셋트 반입출포트이고 기판 (G)를 다단에 겹쳐 쌓도록 해 복수매 수용 가능한 카셋트 (C)를 수평인 한 방향(Y방향)에 4개까지 나열하여 재치 가능한 카셋트 스테이지 (20)과 이 스테이지 (20)상의 카셋트 (C)에 대해서 기판 (G)의 출입을 실시하는 반송 기구 (22)를 구비하고 있다. 반송 기구 (22)는 기판 (G)를 보지할 수 있는 수단 예를 들어 반송 아암 (22 a)를 갖고 X· Y· Z·θ의 4축으로 동작 가능하고 인접하는 프로세스 스테이션(P/S, 16)측과 기판 (G)의 수수를 실시할 수 있게 되어 있다.The cassette station C / S 14 is a cassette entry / exit port of the system 10 and allows the substrate G to be stacked in multiple stages so that four or more cassettes C can be accommodated in one horizontal direction (Y direction). The cassette stage 20 which can be arrange | positioned up to two pieces, and the conveyance mechanism 22 which carries out the board | substrate G with respect to the cassette C on this stage 20 are provided. The conveying mechanism 22 has a means capable of holding the substrate G, for example, a conveying arm 22a, which is operable in four axes of X Y Y Z θ and adjacent to the process station P / S, 16) side and the board | substrate G can be carried out.

프로세스 스테이션(P/S, 16)은 수평인 시스템 긴 방향(X방향)에 연장하는 평행 또한 역방향의 한 쌍의 라인 (A·B)에 각 처리부를 프로세스 플로우 또는 공정의 순서로 배치하고 있다. 더욱 상세하게는 카셋트 스테이션(C/S, 14)측으로부터 인터페이스 스테이션(I/F, 18)측으로 향하는 상류부의 프로세스 라인 (A)에는 세정 프로세스부 (24)와 제1의 열적 처리부 (26)과 도포 프로세스부 (28)과 제2의 열적 처리부 (30)을 횡일렬로 배치하고 있다. 여기서 세정 프로세스부 (24)는 1개의 평류 반송 라인을 공유하는 평류 방식의 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41) 및 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)를 구비하고 있다. 또 도포 프로세스부 (28)은 레지스트 도포 유니트(CT, 82)· 감압 건조 유니트(VD, 84)를 구비하고 있다.The process station P / S, 16 arrange | positions each process part in process flow or process order in a pair of parallel line | wire A and B which extends in the horizontal system longitudinal direction (X direction). More specifically, the process line A of the upstream portion from the cassette station C / S 14 to the interface station I / F 18 is provided with a cleaning process part 24 and a first thermal processing part 26; The application | coating process part 28 and the 2nd thermal processing part 30 are arrange | positioned in a horizontal line. The washing | cleaning process part 24 is equipped with the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 and the scrubber washing | cleaning unit (SCR) 42 of the parallel flow system which share one horizontal flow conveyance line here. Moreover, the application | coating process part 28 is equipped with the resist application | coating unit (CT, 82) and the pressure reduction drying unit (VD, 84).

한편 인터페이스 스테이션(I/F, 18)측으로부터 카셋트 스테이션(C/S, 14)측으로 향하는 하류부의 프로세스 라인 (B)에는 제2의 열적 처리부 (30)과 현상 프로세스부 (32)와 탈색 프로세스부 (34)와 제3의 열적 처리부 (36)을 횡일렬로 배치하고 있다. 여기서 현상 프로세스부 (32)와 탈색 프로세스부 (34)는 평류형이고 공통의 평류 반송 라인으로 접속되고 있다.On the other hand, in the downstream process line (B) from the interface station (I / F) 18 to the cassette station (C / S, 14) side, the second thermal processing unit 30, the developing process unit 32, and the decolorization process unit 34 and the 3rd thermal processing part 36 are arrange | positioned in a horizontal line. Here, the developing process part 32 and the decolorization process part 34 are parallel type and are connected by the common horizontal conveyance line.

양프로세스 라인 (A·B)의 사이에는 보조 반송 공간 (38)이 설치되고 있고 기판 (G)를 1매 단위로 수평으로 재치 가능한 셔틀 (40)이 도시하지 않는 구동 기구에 의해 라인 방향(X방향)으로 쌍방향으로 이동할 수 있게 되어 있다.The auxiliary conveyance space 38 is provided between both process lines A and B, and the shuttle 40 which can arrange | position the board | substrate G horizontally by one unit is not shown in the line direction X by the drive mechanism not shown. Direction) can be moved in both directions.

세정 프로세스부 (24)의 하류 측에 인접하는 제1의 열적 처리부 (26)은 프로세스 라인 (A)를 따라 중심부에 세로형의 반송 기구 (46)을 설치해 그 전후 양측으로 복수의 유니트를 다단으로 적층 배치하고 있다. 예를 들어 도 2에 나타나는 바와 같이 상류측의 다단 유니트부(TB, 44)에는 기판 수수용의 패스 유니트(PASS, 50) 탈수 베이크용의 가열 유니트(DHP, 52· 54) 및 애드히젼유니트(AD, 56)이 아래로부터 순서로 쌓인다. 여기서 패스 유니트(PASS, 50)은 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)측으로부터 기판 (G)를 평류로 수취하기 위해서 이용된다. 또 하류측의 다단 유니트부(TB, 48)에는 기판 수수용의 패스 유니트(PASS, 60)· 냉각 유니트(COL, 62· 64) 및 애드히젼유니트(AD, 66)이 아래로부터 순서로 쌓인다. 여기서 패스 유니트(PASS, 60)은 도포 프로세스부 (28)측에 기판 (G)를 평류로 보내기 위한 것이다.The first thermal processing unit 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process unit 24 is provided with a vertical conveying mechanism 46 in the center along the process line A, and the plurality of units are multistage in both front and rear sides thereof. Lamination is carried out. For example, as shown in FIG. 2, the upstream side multi-stage unit (TB, 44) includes a substrate unit pass unit (PASS, 50) and a heating unit (DHP, 52 · 54) for dewatering bake and an adhesion unit ( AD, 56) are stacked in order from below. The pass unit PASS 50 is used to receive the substrate G in a straight stream from the scrubber cleaning unit SCR 42 side. In the downstream multistage unit sections TB and 48, a pass-through unit PASS 60, a cooling unit COL 62-64, and an ADH 66 unit are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit PASS 60 is for directing the substrate G to the flow direction on the application process part 28 side.

도 2에 나타나는 바와 같이 세로형 반송 기구 (46)은 수직 방향으로 연장 하는 가이드 레일 (68)을 따라 승강 이동 가능한 승강 반송체 (70)과 이 승강 반송체 (70)상에서 θ방향으로 회전 또는 선회 가능한 선회 반송체 (72)와 이 선회 반송체 (72)상에서 기판 (G)를 지지하면서 전후방향에 진퇴 또는 신축 가능한 반송 아암 또는 핀셋 (74)를 가지고 있다. 승강 반송체 (70)을 승강 구동하기 위한 구동부 (76)이 수직 가이드 레일 (68)의 기단 측에 설치되어 선회 반송체 (72)를 선회 구동하기 위한 구동부 (78)이 승강 반송체 (70)에 장착되어 반송 아암 (74)를 진퇴 구동하기 위한 구동부 (80)이 회전 반송체 (72)에 장착되고 있다. 각 구동부 (76··78·80)은 예를들면 전기 모터등으로 구성되어도 좋다. 관련되는 구성의 반송 기구 (46)은 고속으로 승강 내지 선회 운동해 양 이웃의 다단 유니트부(TB, 44·48)안의 임의의 유니트에 액세스 가능하고 보조 반송 공간 (38)측의 셔틀 (40)과도 기판 (G)를 수수할 수 있게 되어 있다.As shown in FIG. 2, the vertical conveyance mechanism 46 rotates or pivots on (theta) direction on the lifting carrier 70 which can move up and down along the guide rail 68 extended in a vertical direction, and this lifting carrier 70 The revolving carrier body 72 and the conveying arm or tweezers 74 which can be advanced or retracted in the front-rear direction while supporting the substrate G on the revolving carrier 72 are provided. A drive unit 76 for lifting and lowering the lifting carrier 70 is provided on the proximal end side of the vertical guide rail 68, and the driving unit 78 for swinging and driving the swing carrier 72 is the lifting carrier 70. Is attached to the rotary carrier 72 for driving the drive arm 74 forward and backward. Each drive part 76 * 78 * 80 may be comprised, for example with an electric motor. The conveyance mechanism 46 of the related structure is raising and turning at high speed, and is accessible to arbitrary units in the multistage unit parts TB, 44 * 48 of both neighbors, and the shuttle 40 on the side of the auxiliary conveyance space 38 is carried out. The transient substrate G can be received.

도포 프로세스부 (28)의 하류 측에 인접하는 제2의 열적 처리부 (30)도 상기 제 1의 열적 처리부 (26)과 같은 구성을 가지고 있어 양프로세스 라인 (A·B)의 사이에 세로형의 반송 기구 (90)을 설치하고 프로세스 라인 (A)측(최후미)에 한쪽의 다단 유니트부(TB, 88)을 설치하고 프로세스 라인 (B)측(선두)에 다른쪽의 다단 유니트부(TB, 92)를 설치하고 있다. 또 현상 프로세스부 (32)의 하류 측에 배치되는 제3의 열적 처리부 (36)도 상기 제 1의 열적 처리부 (26)이나 제2의 열적 처리부 (30)과 같은 구성을 가지고 있고 프로세스 라인 (B)를 따라 세로형의 반송 기구 (100)과 그 전후 양측으로 한 쌍의 다단 유니트부(TB, 98·102)를 설치하고 있다.The second thermal processing unit 30 adjacent to the downstream side of the coating process unit 28 also has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26, and is vertical between the two process lines A · B. A conveyance mechanism 90 is provided, and one multistage unit portion TB, 88 is installed on the process line (A) side (end), and the other multistage unit portion (TB) on the process line (B) side (head). , 92). Moreover, the 3rd thermal processing part 36 arrange | positioned downstream of the developing process part 32 also has the same structure as the said 1st thermal processing part 26 or the 2nd thermal processing part 30, and the process line B The vertical conveyance mechanism 100 and a pair of multistage unit parts TB, 98 占 102 are provided on both sides of the vertical conveyance mechanism.

인터페이스 스테이션 (I/F, 18)은 인접하는 노광 장치 (12)와 기판 (G)의 교환을 행하기 위한 반송 장치 (104)를 갖고 그 주위에 버퍼·스테이지(BUF, 106) 익스텐션·쿨링 스테이지(EXT·COL, 108) 및 주변장치 (110)을 배치하고 있다. 버퍼·스테이지 (BUF, 106)에는 정치형의 버퍼 카셋트(도시하지 않음)가 놓여진다. 익스텐션·쿨링 스테이지 (EXT·COL, 108)은 냉각 기능을 갖춘 기판 수수용의 스테이지이고 프로세스스테이션 (P/S, 16)측과 기판 (G)를 교환할 때에 이용된다. 주변장치 (110)은 예를 들어 타이틀러(TITLER)와 주변 노광 장치(EE)를 상하에 겹쳐 쌓은 구성으로서 좋다. 반송 장치 (104)는 기판 (G)를 보지할 수 있는 수단 예를 들어 반송 아암 (104a)를 갖고 인접하는 노광 장치 (12)나 각 유니트 (BUF, 106)· (EXT·COL,108)·(TITLER/EE,110)과 기판 (G)의 수수를 실시할 수 있게 되어 있다.The interface station I / F, 18 has a conveying apparatus 104 for exchanging the adjacent exposure apparatus 12 and the substrate G, and has a buffer stage (BUF, 106) extension cooling stage around it. (EXT COL 108) and the peripheral device 110 are arranged. The stationary buffer cassette (not shown) is placed in the buffer stage BUF 106. The extension cooling stage (EXT COL) 108 is a stage for receiving a substrate with a cooling function and is used to exchange the substrate G with the process station P / S 16. The peripheral apparatus 110 is good as a structure which piled up the titler TITLER and the peripheral exposure apparatus EE up and down, for example. The conveying apparatus 104 has a means which can hold | maintain the board | substrate G, for example, the conveying arm 104a, and the adjacent exposure apparatus 12 and each unit BUF, 106, (EXTCOL, 108) The TITLER / EE 110 and the substrate G can be transferred.

도 3에 이 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 1매의 기판 (G)에 대한 처리의 순서를 나타낸다. 먼저 카셋트 스테이션 (C/S, 14)에 있어서 반송 기구 (22)가 스테이지 (20)상의 소정의 카셋트 (C)중에서 기판 (G)를 꺼내 프로세스 스테이션(P/S, 16)의 세정 프로세스부 (24)의 반송 라인에 반입한다(스텝 S1).The procedure of the process with respect to one board | substrate G in this coating | coated development process system is shown in FIG. First, in the cassette station C / S, 14, the conveyance mechanism 22 takes out the board | substrate G from the predetermined | prescribed cassette C on the stage 20, and the cleaning process part of the process station P / S, 16 ( It carries in to the conveyance line of 24) (step S1).

세정 프로세스부 (24)내에서 기판 (G)는 반송 라인상을 프로세스 라인 (A)방향으로 평류로 반송되어 도중의 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41) 및 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)로 자외선 세정 처리나 스크러빙 세정 처리 등을 차례로 실시시킨다(스텝 S2 S3). 스크러버 세정 유니트 (SCR, 42)내에서 세정 처리가 끝난 기판 (G)는 상기 반송 라인상에 실린 채로 제1의 열적 처리부 (26)의 상류측 오픈 타워(TB, 44)내의 패스 유니트(PASS, 50)에 반입된다.In the cleaning process part 24, the board | substrate G is conveyed on the conveyance line in the horizontal direction to the process line A direction, and the excimer UV irradiation unit (e-UV, 41) and the scrubber cleaning unit (SCR, 42) of the middle are carried out. UV cleaning treatment, scrubbing cleaning treatment, etc. are performed in order (step S2 S3). The substrate G having been cleaned in the scrubber cleaning unit SCR 42 is loaded on the conveying line and passes through the pass unit PASS in the upstream open tower TB, 44 of the first thermal processing unit 26. It is carried in 50).

제1의 열적 처리부 (26)에 있어서 기판 (G)는 세로형 반송 기구 (46)에 의해 소정의 순서로 소정의 유니트를 돌게된다. 예를 들어 기판 (G)는 최초로 패스 유니트 (PASS, 50)으로부터 가열 유니트(DHP, 52· 54)의 하나에 옮겨져 거기서 탈수 처리를 받는다(스텝 S4). 다음에 기판 (G)는 냉각 유니트 (COL,62·64)의 하나에 옮겨져 거기서 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S5). 그 후 기판 (G)는 애드히젼유니트(AD, 56·66)의 1개에 옮겨져 거기서 소수화 처리를 받는다(스텝 S6). 이 소수화 처리의 종료후에 기판 (G)는 냉각 유니트 (COL,62·64)의 하나로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S7). 마지막에 기판 (G)는 하류측 다단 유니트부(TB, 48)에 속하는 패스 유니트 (PASS, 60)에 옮겨진다.In the 1st thermal processing part 26, the board | substrate G turns a predetermined unit by the vertical conveyance mechanism 46 in predetermined order. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit PASS 50 to one of the heating units DHP 52 · 54 and subjected to dehydration therefrom (step S4). Subsequently, the substrate G is transferred to one of the cooling units COL 62 · 64, where it is cooled to a constant substrate temperature (step S5). Subsequently, the substrate G is transferred to one of the adhi- sion units AD, 56 · 66, and subjected to hydrophobic treatment therein (step S6). After the completion of this hydrophobization treatment, the substrate G is cooled to a constant substrate temperature by one of the cooling units COL 62 · 64 (step S7). Finally, the substrate G is transferred to the pass unit PASS 60 belonging to the downstream multistage unit section TB, 48.

이와 같이 제1의 열적 처리부 (26)내에서는 기판 (G)가 반송 기구 (46)을 개입시켜 상류측의 다단 유니트부 (TB, 44)와 하류측의 다단 유니트부 (TB, 48)과의 사이에 임의로 왕래할 수 있게 되어 있다. 또한 제2 및 제3의 열적 처리부 (30,36)에서도 같은 기판 반송 동작을 실시할 수 있게 되어 있다.Thus, in the 1st thermal processing part 26, the board | substrate G passes through the conveyance mechanism 46, and the upstream multistage unit part TB, 44 and the downstream multistage unit part TB, 48 are located. You can come and go arbitrarily. The same substrate transfer operation can also be performed in the second and third thermal processing units 30 and 36.

제1의 열적 처리부 (26)으로 상기와 같은 일련의 열적 또는 열계의 처리를 받은 기판 (G)는 하류측 다단 유니트부(TB, 48)내의 패스 유니트 (PASS, 60)으로부터 하류측 근처의 도포 프로세스부 (28)의 레지스트 도포 유니트(CT, 82)에 옮겨진다.The substrate G subjected to the above-described series of thermal or thermal treatments by the first thermal processing section 26 is applied near the downstream side from the pass unit PASS 60 in the downstream multistage unit section TB, 48. It transfers to the resist coating unit CT and 82 of the process part 28. As shown in FIG.

기판 (G)는 레지스트 도포 유니 트(CT, 82)로 예를 들어 스핀 코트법에 의해 기판 상면(피처리면)에 레지스트액을 도포시키고 직후에 하류측 근처의 감압 건조 유니트(VD, 84)로 감압에 의한 건조 처리를 받는다. (스텝 S8). The substrate G is coated with a resist coating unit (CT, 82), for example, by a spin coating method on the upper surface of the substrate (to-be-processed surface), and immediately afterwards to a vacuum drying unit (VD, 84) near the downstream side. The drying process by reduced pressure is received. (Step S8).

도포 프로세스부 (28)로 상기와 같은 레지스트 도포 처리를 받은 기판 (G)는 하류측 근처에 위치 하는 제2의 열적 처리부 (30)의 상류측 다단 유니트부(TB, 88)에 속하는 패스 유니트 (PASS)에 수수된다.The substrate G subjected to the resist coating treatment as described above by the application process unit 28 belongs to a pass unit belonging to the upstream side-stage unit unit TB, 88 of the second thermal processing unit 30 located near the downstream side ( PASS).

제2의 열적 처리부 (30)내에서 기판 (G)는 반송 기구 (90)에 의해 소정의 순서로 소정의 유니트를 돌게된다. 예를 들어 기판 (G)는 최초로 상기 패스 유니트(PASS)로부터 가열 유니트 (PREBAKE)의 하나에 옮겨져 거기서 레지스트 도포 후 베이킹을 받는다(스텝 S9). 다음에 기판 (G)는 냉각 유니트(COL)의 하나에 옮겨져 거기서 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S10). 그 후 기판 (G)는 하류측 다단 유니트부(TB, 92)측의 패스 유니트(PASS)를 경유해 혹은 경유하지 않고 인터페이스 스테이션(I/F, 18)측의 익스텐션·쿨링 스테이지(EXT·COL, 108)에 수수된다.In the second thermal processing unit 30, the substrate G is rotated by the transfer mechanism 90 in predetermined order in a predetermined unit. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit PASS to one of the heating units PREBAKE, where it is subjected to baking after applying resist (step S9). Subsequently, the substrate G is transferred to one of the cooling units COL and cooled there to a constant substrate temperature (step S10). Subsequently, the substrate G extends or extends the cooling stage (EXT / COL) on the interface station (I / F, 18) with or without the pass unit (PASS) on the downstream multi-stage unit (TB, 92) side. , 108).

인터페이스 스테이션(I/F, 18)에 있어서 기판 (G)는 익스텐션·쿨링 스테이지(EXT·COL, 108)로부터 주변장치 (110)의 주변 노광 장치(EE)에 반입되어 거기서 기판 (G)의 주변부에 부착하는 레지스트를 현상시에 제거하기 위한 노광을 받은 후에 근처의 노광 장치 (12)에 보내진다(스텝 S11).In the interface station I / F, 18, the substrate G is carried from the extension cooling stage EXT COL 108 into the peripheral exposure apparatus EE of the peripheral device 110, whereby the peripheral portion of the substrate G is located. After receiving an exposure for removing the resist attached to the film at the time of development, it is sent to a nearby exposure apparatus 12 (step S11).

노광 장치 (12)에서는 기판 (G)상의 레지스트에 소정의 회로 패턴이 노광된다. 그리고 패턴 노광을 끝낸 기판 (G)는 노광 장치 (12)로부터 인터페이스 스테이션(I/F, 18)에 되돌려지면(스텝 S11) 먼저 주변장치 (110)의 타이틀러(TITLER)에 반입되고 거기서 기판상의 소정의 부위에 소정의 정보가 기록된다(스텝 S12). 그 후 기판 (G)는 익스텐션·쿨링 스테이지(EXT·COL,108)에 되돌려진다. 인터페이스 스테이션(I/F, 18)에 있어서의 기판 (G)의 반송 및 노광 장치 (12)의 기판 (G)의 교환은 반송 장치 (104)에 의해 행해진다.In the exposure apparatus 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Subsequently, when the substrate G, which has finished the pattern exposure, is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station I / F, 18 (step S11), the substrate G is first loaded into the titler TITLER of the peripheral device 110 and thereon on the substrate. Predetermined information is recorded in the predetermined site (step S12). Subsequently, the substrate G is returned to the extension cooling stage EXT COL 108. The conveyance of the board | substrate G in the interface station I / F, 18, and the exchange of the board | substrate G of the exposure apparatus 12 are performed by the conveyance apparatus 104. FIG.

프로세스 스테이션 (P/S,16)에서는 제2의 열적 처리부 (30)에 있어서 반송 기구 (90)이 익스텐션·쿨링 스테이지(EXT·COL, 108)에서 노광 완료의 기판 (G)를 받아 프로세스 라인 (B)측의 다단 유니트부(TB, 92)내의 패스 유니트(PASS)를 개입시켜 현상 프로세스부 (32)로 수수한다.In the process station P / S, 16, in the second thermal processing unit 30, the transfer mechanism 90 receives the exposed substrate G from the extension cooling stage EXT COL 108, and the process line ( It passes to the developing process part 32 via the pass unit PASS in the multistage unit part TB, 92 of B) side.

현상 프로세스부 (32)에서는 상기 다단 유니트부(TB, 92)내의 패스 유니트(PASS)로부터 받은 기판 (G)를 평류로 현상 유니트(DEV, 94)에 반입한다. 현상 유니트(DEV, 94)에 있어서 기판 (G)는 프로세스 라인 (B)의 하류에 향하여 평류의 반송 라인상을 반송되는 동안에 현상 린스 건조의 일련의 현상 처리가 가해진다(스텝 S13).In the developing process part 32, the board | substrate G received from the pass unit PASS in the said multistage unit part TB, 92 is carried in to the developing unit DEV, 94 in a parallel flow. In the developing unit DEV and 94, the substrate G is subjected to a series of developing processes of developing rinse drying while conveying the conveying line image of the flat stream toward the downstream of the process line B (step S13).

현상 프로세스부 (32)로 현상 처리를 받은 기판 (G)는 평류의 반송 라인에 실린 채로 하류측 근처의 탈색 프로세스부 (34)에 반입되어 거기서 i선 조사 유니트(i-UV, 96)에 의한 탈색 처리를 받는다(스텝 S14). 탈색 처리가 끝난 기판 (G)는 제3의 열적 처리부 (36)의 상류측 다단 유니트부(TB, 98)내의 패스 유니트(PASS)에 수수된다.The substrate G subjected to the developing process by the developing process part 32 is carried in the decolorization process part 34 near the downstream side while being loaded in the conveying line of the flat stream, whereby the i-ray irradiation unit (i-UV, 96) is used. A decoloring process is performed (step S14). The board | substrate G after the decolorization process is received by the pass unit PASS in the upstream multistage unit part TB, 98 of the 3rd thermal processing part 36. As shown in FIG.

제3의 열적 처리부 (36)에 있어서 기판 (G)는 최초로 상기 패스 유니트(PASS)로부터 가열 유니트 (POBAKE)의 하나에 옮겨져 거기서 포스트베이킹을 받는다(스텝 S15). 다음에 기판 (G)는 하류측 다단 유니트부(TB, 102)내의 패스 쿨링·유니트(PASS·COL)에 옮겨져 거기서 소정의 기판 온도로 냉각된다(스텝 S16). 제3의 열적 처리부 (36)에 있어서의 기판 (G)의 반송은 반송 기구 (100)에 의해 행해진다.In the third thermal processing unit 36, the substrate G is first transferred from the pass unit PASS to one of the heating units POBAKE and subjected to postbaking there (step S15). Subsequently, the substrate G is transferred to the pass cooling unit PASS · COL in the downstream multistage unit units TB, 102 and is cooled to a predetermined substrate temperature therein (step S16). The conveyance of the board | substrate G in the 3rd thermal processing part 36 is performed by the conveyance mechanism 100. FIG.

카셋트 스테이션(C/S, 14)측에서는 반송 기구 (22)가 제3의 열적 처리부 (36)의 패스 쿨링·유니트(PASS·COL)로부터 도포 현상 처리의 전공정을 끝낸 기판 (G)를 받아 받은 기판 (G)를 어느쪽이든 1개(통상은 원래)의 카셋트 (C)에 수용한다 (스텝 S1).On the cassette station C / S, 14 side, the conveyance mechanism 22 received the board | substrate G which completed the previous process of the application | coating development process from the pass cooling unit (PASS / COL) of the 3rd thermal processing part 36. Either board | substrate G is accommodated in one cassette (normally original) (step S1).

이 도포 현상 처리 시스템 (10)에 있어서는 평류의 반송 라인을 가지는 현상 프로세스부 (32) 및 세정 프로세스부 (24)에 본 발명을 적용할 수가 있다.In this application | coating development system 10, this invention can be applied to the image development process part 32 and washing | cleaning process part 24 which have a flat stream conveyance line.

[실시 형태 1] Embodiment 1

이하 도 4~도 1 3을 참조해 본 발명을 현상 프로세스부 (32)의 현상 유니트(DEV, 94)에 적용한 하나의 실시 형태를 설명한다.Hereinafter, one embodiment to which the present invention is applied to the developing unit DEV 94 of the developing processor 32 will be described with reference to FIGS.

도 4에 상기 실시 형태에 있어서의 현상 유니트(DEV, 94)내의 전체 구성을 모식적으로 나타낸다. 이 현상 유니트(DEV, 94)는 도시와 같이 프로세스 라인 (B)를 따라 수평 방향(X방향)으로 연장하는 평류의 반송 라인 (120)을 설치하고 있고 이 반송 라인 (120)을 따라 상류측으로부터 순서에 현상부 (122)· 린스부 (124) 및 건조부 (126)을 설치하고 있다.4, the whole structure in the developing unit DEV 94 in the said embodiment is shown typically. This developing unit (DEV) 94 is provided with the conveyance line 120 of the flat stream which extends in a horizontal direction (X direction) along a process line B as shown in figure, and from this upstream along this conveyance line 120 The developing part 122, the rinse part 124, and the drying part 126 are provided in the order.

반송 라인 (120)은 기판 (G)를 피처리면을 위로 향한 상향의 자세로 반송하기 위한 회전자 (128)을 반송 방향(X방향)으로 일정 간격으로 부설하여 이루어지고 제2의 열적 처리부 (30, 도 1)에 있어서의 다단 유니트부(TB, 92)내의 패스 유니트(PASS)를 시점으로 해 현상 유니트 (DEV, 94) 및 탈색 프로세스부 (34)를 빠져 나가 제3의 열적 처리부 (36, 도 1)에 있어서의 다단 유니트부(TB, 98)내의 패스 유니트(PASS)로 종단하고 있다. 반송 라인 (120)의 각 회전자 (128)은 예를 들어 전기 모터를 가지는 반송 구동부(도시하지 않음)에 톱니바퀴 기구 또는 벨트 기구등의 전동 기구를 개입시켜 접속되고 있다.The conveying line 120 is formed by laying the rotor 128 for conveying the substrate G in an upward attitude toward the surface to be processed at regular intervals in the conveying direction (X direction), and the second thermal processing unit 30. 1, the path unit PASS in the multi-stage unit section TB, 92 in FIG. 1 is used as a starting point, and the development unit DEV 94 and the decolorization process section 34 exit the third thermal processing section 36. It terminates with the pass unit PASS in the multistage unit parts TB and 98 in FIG. 1). Each rotor 128 of the conveyance line 120 is connected to the conveyance drive part (not shown) which has an electric motor, for example through a transmission mechanism, such as a gearwheel mechanism or a belt mechanism.

이 반송 라인 (120)은 반송 방향(X방향) 에 있어서 시점에서 종점까지 같은 높이 위치에서 계속되고 있는 것이 아니라 도중에서 소정의 지점에 융기부(120a·120b) 및 단차부 (120c)를 가지고 있고 도 4에 나타나는 바와 같이 반송 방향(X방향)의 1사이드로부터 본 반송로의 형상에 따라 9개의 반송 구간 M₁ ;M₂; M₃; M₄; M5 ;M6 ;M7 ;M8 ;M9 로 구분할 수 있다.The conveying line 120 does not continue at the same height position from the starting point to the end point in the conveying direction (X direction), but has ridges 120a and 120b and stepped portions 120c at predetermined points along the way. As shown in FIG. 4, nine conveyance sections M ';M2; according to the shape of the conveyance path seen from one side in the conveyance direction (X direction); M₃; M₄; M 5 ; M 6 ; M 7 ; M 8 ; M 9

제1의 반송 구간 (M₁)는 다단 유니트부(TB, 92)의 패스 유니트(PASS) 내의 시점 (P0)로부터 현상부 (122)내의 출구보다 약간 앞(상류측)의 위치로 설정된 제1의 구간 변경점 (P₁)까지의 구간이고 시점 (Po)의 높이 위치를 유지한 채로 거의 수평 일직선으로 연장하는 수평 반송로를 가지고 있다. 제2의 반송 구간 (M₂)는 상기 제 1의 구간 변경점 (P₁)로부터 현상부 (122)와 린스부 (124)의 경계 부근의 위치로 설정된 제2의 구간 변경점 (P₂)까지의 구간이고 시점 (Po)의 높이 위치보다 소정량(예를 들어 10~25mm) 높은 제1의 융기부(120a)의 정상까지 소정의 경사각(예를 들어 2~5˚)으로 오르는 상승 경사의 반송로를 가지고 있다.The first conveying section M 'is set to a position slightly earlier (upstream) from the time point P 0 in the pass unit PASS of the multistage unit sections TB and 92 (upstream side). It has a horizontal conveying path extending to a substantially horizontal straight line while maintaining the height position of the point of view Po, which is a section up to the section change point P₁ of. The second conveyance section M₂ is a section from the first section change point P₁ to a second section change point P₂ set to a position near the boundary between the developing unit 122 and the rinse section 124. It has a conveyance path of an ascending inclination which rises to a predetermined inclination angle (for example, 2 to 5 degrees) to the top of the first ridge 120a which is a predetermined amount (for example, 10 to 25 mm) higher than the height position of Po. have.

제3의 반송 구간 (M₃)은 상기 제 2의 구간 변경점 (P₂)로부터 린스부 (124)의 입구 부근으로 설정된 제3의 구간 변경점 (P₃)까지의 구간이고 상기 제 1의 융기부(120a)의 정상으로부터 그보다 소정량(예를 들어 10~25mm) 낮은 제1의 보텀 위치까지 소정의 경사각(예를 들어 2~5˚)으로 내리는 하향 경사의 반주로를 가지고 있다. 제4의 반송 구간 (M₄)는 린스부 (124)내에서 입구 부근의 상기 제 3의 구간 변경점 (P₃)로부터 심부의 소정 위치로 설정된 제4의 구간 변경점 (P₄)까지의 구간이고 상기 제 1의 보텀 위치와 같은 높이로 거의 수평 일직선으로 연장하는 수평 반송로를 가지고 있다.The third conveyance section M₃ is a section from the second section change point P₂ to the third section change point P₃ set near the inlet of the rinse section 124 and the first ridge 120a. It has an accommodating path of downward inclination falling at a predetermined inclination angle (for example, 2 to 5 degrees) from the top to a first bottom position lower than the predetermined amount (for example, 10 to 25 mm). The fourth conveyance section M 'is the section from the third section change point P₃ near the entrance in the rinse section 124 to the fourth section change point P₄ set to a predetermined position of the core portion and is the first section. It has a horizontal conveyance path extending almost horizontally at the same height as the bottom position of.

제5의 반송 구간 (M5)는 린스부 (124)내에서 상기 제 4의 구간 변경점 (P₄)로부터 그보다 소정의 거리만 하류측의 위치로 설정된 제5의 구간 변경점 (P5)까지의 구간이고 제 1의 보텀 위치보다 소정량(예를 들어 10~25mm) 높은 제2의 융기부 (120b)의 정상까지 소정의 경사각(예를 들어 2~5˚)으로 오르는 상승 경사의 반주로를 가지고 있다. 제6의 반송 구간 (M6)는 린스부 (124)내에서 상기 제 5의 구간 변경점 (P5)로부터 그보다 소정의 거리만 하류측의 위치로 설정된 제6의 구간 변경점 (P6)까지의 구간이고 상기 제 2의 융기부 (120b)의 정상으로부터 그보다 소정량(예를 들어 (10~25mm) 낮은 제2의 보텀 위치까지 소정의 경사각(예를 들어 2~5˚)으로 내리는 하향 경사의 반주로를 가지고 있다.The fifth conveyance section M 5 is a section from the fourth section change point P ′ within the rinse section 124 to a fifth section change point P 5 in which only a predetermined distance is set to the downstream side. And have an accompaniment path of ascending inclination which rises to a predetermined inclination angle (for example, 2 to 5 degrees) to the top of the second ridge 120b which is a predetermined amount (for example, 10 to 25 mm) higher than the first bottom position. have. The sixth conveying section M 6 is provided from the fifth section changing point P 5 in the rinsing section 124 to the sixth section changing point P 6 in which only a predetermined distance is set to the downstream side. A downward inclination that falls at a predetermined inclination angle (for example, 2 to 5 degrees) from a top of the second ridge 120b to a second bottom position that is a predetermined amount (for example, (10 to 25 mm) lower than that). It has an accompaniment track.

제7의 반송 구간 (M7)은 린스부 (124)내에서 상기 제 6의 구간 변경점 (P6)으로부터 그보다 소정의 거리만 하류측의 위치 즉 출구보다 약간 앞(상류측)의 위치로 설정된 제7의 구간 변경점 (P7)까지의 구간이고 상기 제 2의 보텀 위치와 같은 높이로 거의 수평 일직선으로 연장하는 수평 반송로를 가지고 있다. 제8의 반송 구간 (M8)은 상기 제 7의 구간 변경점 (P7)로부터 린스부 (124)와 건조부 (126)의 경계 부근으로 설정된 제8의 구간 변경점 (P8)까지의 구간이고 상기 제 2의 보텀 위치보다 소정량(예를 들어 (10~25mm) 높은 단차부 (120c)의 상단 위치까지 소정의 경사각(예를 들어 2~5˚)으로 오르는 상승 경사의 반주로를 가지고 있다.The seventh conveying section M 7 is set in the rinse section 124 to a position on the downstream side, that is, slightly ahead of the exit (upstream side) from the sixth section change point P 6 . It has a horizontal conveyance path extending to a substantially horizontal straight line at the same height as the second bottom position and extending to the seventh section change point P 7 . The eighth conveyance section M 8 is a section from the seventh section change point P 7 to the eighth section change point P 8 set near the boundary between the rinse section 124 and the drying section 126. It has an accompaniment path of ascending inclination which goes up to a predetermined inclination angle (for example, 2 to 5 degrees) to the upper end position of the stepped portion 120c which is a predetermined amount (for example, (10 to 25 mm) higher than the second bottom position). .

제9의 반송 구간 (M9)는 상기 제 8의 구간 변경점 (P8)로부터 건조부 (126) 및 탈색 프로세스부 (34, 도 1)를 통하여 다단 유니트부(TB, 98,도 1)의 패스 유니트(PASS) 내의 종점까지 도달하는 구간이고 상기 단차부 (120c)의 상단 위치의 높이를 일정하게 유지한 채 수평 일직선으로 연장하는 수평반주로를 가지고 있다.The ninth conveyance section M 9 passes from the eighth section change point P8 through the drying section 126 and the decolorizing process section 34 (FIG. 1) to the multi-stage unit section TB, 98, FIG. 1. It has a horizontal accommodating path extending to the end point in the unit PASS and extending in a horizontal straight line while keeping the height of the upper end position of the stepped portion 120c constant.

또한 반송 라인 (120)은 각 구간 변경점 (P)로 급각도로 꺽여지는 것 같은 진로 변경을 실시하는 것보다는 그 부근에서 적당한 곡율 반경을 그려 변경하는 것이 바람직하고 또 융기부(120a·120b)가 플랫(수평)인 정상을 가지는 사다리꼴의 형상상으로 되어 있어도 괜찮다.In addition, it is preferable that the conveying line 120 draw and change an appropriate radius of curvature in the vicinity thereof rather than performing a course change such as being sharply bent at each section change point P, and the ridges 120a and 120b It may be in the shape of a trapezoid having a flat top (horizontal).

현상부 (122)에 있어서는 제1의 반송 구간 (M₁)내의 소정 위치에 반송 라인 (120)상을 회전자 반송으로 이동하는 수평 자세의 기판 (G)를 향해 윗쪽으로부터 기준 농도의 현상액을 토출하는 현상액 공급 노즐(이하 「현상 노즐」이라고 약칭한다. 130)이 반송 방향을 따라 1개 또는 복수 라인 배치되고 있다. 각 현상 노즐 (130)은 예를 들어 슬릿 형상의 토출구 또는 1열로 배치된 다수의 미세지름 토출구을 가지는 긴형의 노즐로부터 이루어지고 도시하지 않는 현상액 공급원으로부터 배관을 개입시켜 현상액을 급액되도록 되어 있다.In the developing part 122, the developer of the reference density is discharged from the upper side toward the substrate G in a horizontal posture in which the conveyance line 120 is moved by the rotor conveyance at a predetermined position in the first conveying section M '. A developer supply nozzle (hereinafter referred to as "development nozzle") 130 is disposed along one or more lines along the conveyance direction. Each developing nozzle 130 is made of, for example, an elongated nozzle having a slit-shaped outlet or a plurality of fine diameter ejection outlets arranged in a single row, and supplies developer with a pipe from a developer supply source (not shown).

현상부 (122)내에는 반송 라인 (120) 아래에 떨어진 현상액을 수집하기위한 팬 (132)도 설치되고 있다. 이 팬 (132)의 배액구는 배액관 (134)를 개입시켜 현상액 재이용 기구 (136)에 통하고 있다. 현상액 재이용 기구 (136)은 현상액 노즐 (130)에 의해 기판 (G)상에 현상액을 활성할 때에 넘쳐 흘러 떨어진 현상액을 팬 (132) 및 배액관 (134)를 개입시켜 회수해 회수한 현상액에 원액이나 용매를 더해 기준 농도로 조정한 리사이클의 현상액을 상기 현상액 공급원에 보내게 되어 있다.In the developing unit 122, a fan 132 for collecting the developer dropped below the transfer line 120 is also provided. The drain port of the fan 132 communicates with the developer reuse mechanism 136 via the drain tube 134. The developer reuse mechanism 136 recovers the developer that has overflowed when the developer is activated on the substrate G by the developer nozzle 130 through the fan 132 and the drainage tube 134, and then recovers the developer solution. The recycling developer adjusted to the standard concentration by adding the solvent is sent to the developer supply source.

린스부 (124)에 있어서는 입구 부근의 제3의 반송 구간 (M₃)내의 소정 위치에 반송 라인 (120)의 상기 제 1의 융기부(120a)의 하향 경사면을 통과하는 기판 (G)를 향해 윗쪽으로부터 액치환(현상 정지) 용의 린스액을 토출하는 제1의 린스액 공급 노즐(이하「린스 노즐」이라고 약칭한다. 138)이 반송 방향을 따라 1개 또는 복수 라인 배치되고 있다. 또 중심부의 제5의 반송 구간 (M5)내의 소정 위치에 반송 라인 (120)의 상기 제 2의 융기부 (120b)의 상승 경사면을 통과하는 기판 (G)를 향해 윗쪽으로부터 세정용의 린스액을 토출하는 제2의 린스 노즐 (140)이 반송 방향을 따라 1개 또는 복수 라인 배치되고 있다. 또 그 하류측 근처의 제6의 반송 구간 (M6)내의 소정 위치에 반송 라인 (120)의 제2의 융기부 (120b)의 하향 경사면을 통과하는 기판 (G)를 향해 윗쪽으로부터 마무리 세정용의 린스액을 토출하는 제3의 린스 노즐 (142)가 반송 방향을 따라 1개 또는 복수 라인 배치되고 있다. 또한 린스부 출구 부근에서 제8의 반송 구간 (M8)내의 소정 위치에 반송 라인 (120)의 상향 단차부 (120c)를 오르는 기판 (G)를 향해 윗쪽으로부터 최종 세정용의 린스액을 토출하는 제4의 린스 노즐 (145)가 반송 방향을 따라 1개 또는 복수 라인 배치되고 있다. 각 린스 노즐 (138, 140, 142, 145)는 예를 들어 상기 현상액 노즐 (130)과 같은 구성을 가지는 긴형 노즐로부터 이루어지고 도시하지 않는 린스액 공급원으로부터 배관을 개입시켜 린스액을 급액되게 되어 있다.In the rinse portion 124, the upper portion is directed upward toward the substrate G passing through the downward inclined surface of the first raised portion 120a of the conveying line 120 at a predetermined position in the third conveying section M₃ near the inlet. The 1st rinse liquid supply nozzle (henceforth "rinse nozzle") which discharges the rinse liquid for liquid substitution (development stop) from this is arranged one or more lines along a conveyance direction. Moreover, the rinse liquid for cleaning from the upper side toward the board | substrate G which passes the rising inclined surface of the said 2nd ridge part 120b of the conveyance line 120 in the predetermined position in the 5th conveyance section M5 of the center part. One or a plurality of lines of the second rinse nozzles 140 for discharging the ink are disposed along the conveying direction. Moreover, for finishing washing from the upper side toward the board | substrate G which passes the downward inclined surface of the 2nd ridge part 120b of the conveyance line 120 at the predetermined position in the 6th conveyance section M6 near the downstream side. One or more lines of the third rinse nozzles 142 for discharging the rinse liquid are arranged along the conveying direction. Moreover, the rinse liquid for final washing | cleaning is discharged from the upper side toward the board | substrate G which climbs the upward step part 120c of the conveyance line 120 to the predetermined position in 8th conveyance section M8 near the rinse part exit. One or more lines of the 4th rinse nozzle 145 are arrange | positioned along a conveyance direction. Each of the rinse nozzles 138, 140, 142, and 145 is made of, for example, an elongated nozzle having the same configuration as the developer nozzle 130, and is supplied with rinse liquid through a pipe from a rinse liquid supply source (not shown). .

린스부 (124)내에는 반송 라인 (120)아래에 떨어진 린스액을 수집하기 위한 팬 (144)가 설치되고 있다. 이 팬 (144)의 배액구는 배액관 (146)을 개입시켜 린스액 회수부(도시하지 않음)에 통하고 있다. In the rinse section 124, a fan 144 for collecting the rinse liquid dropped below the conveying line 120 is provided. The drain port of the fan 144 is connected to the rinse liquid recovery unit (not shown) via the drain pipe 146.

건조부 (126)에 있어서는 제9의 반송 구간 (M9)의 시작단 부근의 소정 위치에 반송 라인 (120)의 상기 단차부 (120c)를 올라 온 직후의 기판 (G)를 향해 윗쪽으로부터 반송 방향과 역방향으로 액분리 없이 건조용의 고압 가스류(통상은 에어류)를 맞히는 긴형의 가스 노즐 또는 에어 나이프 (148)이 반송 방향을 따라 1개 또는 복수 라인 배치되고 있다. 반송 라인 (120) 아래로부터 기판 (G)의 하면을 향해 액분리 없고 건조용의 고압 가스류를 맞히는 하부 에어 나이프(도시하지 않음)도 설치 가능하다. 또 건조부 (126)내에서 반송 라인 (120) 아래에 떨어진 액을 수집하기 위한 팬(도시하지 않음)을 설치해도 좋다.In the drying part 126, it conveys from the upper side toward the board | substrate G immediately after raising the said step part 120c of the conveyance line 120 to the predetermined position near the start end of the 9th conveyance section M9. In the direction opposite to the direction, a long gas nozzle or air knife 148 for hitting a high-pressure gas stream (typically an air stream) for drying without liquid separation is arranged one or more lines along the conveying direction. The lower air knife (not shown) which meets the high pressure gas stream for drying without liquid separation from below the conveyance line 120 toward the lower surface of the board | substrate G can also be installed. Moreover, you may install the fan (not shown) for collecting the liquid falling under the conveyance line 120 in the drying part 126. FIG.

하류측 근처의 탈색 프로세스부 (34)에는 반송 라인 (120)상을 회전자 반송으로 이동하는 기판 (G)를 향해 윗쪽으로부터 탈색 처리용의 i선(파장 365 nm)을 조사하는 i선 조사 유니트(i-UV, 96)이 설치되고 있다.I-ray irradiation unit that irradiates i-rays (wavelength 365 nm) for decoloring treatment from the upper side to the decolorizing process portion 34 near the downstream side toward the substrate G moving on the conveying line 120 in the rotor conveyance. (i-UV, 96) is installed.

현상 유니트 (DEV, 94)는 일체적인 하우징 (150)내에 현상부 (122); 린스부 (124) 및 건조부 (126)을 수용하고 있어 다른 처리부간의 경계에는 반송 라인 (120)을 따른 주위의 공간을 상류측과 하류측으로 떨어지게 하기 위한 수직 방향으로 연장하는 간이벽 (152, 154)를 설치하고 있다. 더욱 상세하게는 현상부 (122)와 린스부 (124)의 경계 즉 제2의 반송 구간 (M₂)와 제3의 반송 구간 (M₃)의 경계 부근에 간이벽 (152)가 설치되고 린스부 (124)와 건조부 (126)의 경계 즉 제8의 반송 구간 (M8)와 제9의 반송 구간 (M9)의 경계 부근에 간이벽 (154)가 설치된다. 각 간이벽 (152, 154)에는 반송 라인 (120)을 통하는 통로 (156,158)이 각각 형성되고 있다.The developing unit DEV 94 includes a developing part 122 in an integral housing 150; The rinsing part 124 and the drying part 126 are accommodated, and at the boundary between the other processing parts, the simple walls 152 and 154 extending in the vertical direction to allow the space around the conveying line 120 to fall upstream and downstream. ) Is being installed. More specifically, a simple wall 152 is provided near the boundary between the developing portion 122 and the rinse portion 124, that is, the boundary between the second conveyance section M₂ and the third conveyance section M₃, and the rinse section ( A simple wall 154 is provided near the boundary between the 124 and the drying unit 126, that is, between the eighth conveyance section M 8 and the ninth conveyance section M 9 . In each of the simple walls 152 and 154, passages 156 and 158 through the transfer line 120 are formed, respectively.

이 현상 유니트(DEV, 94)에 있어서 각 처리부 (122,124,126)내의 공간은 간이벽 (152,154)의 통로 (156, 158)을 개입시켜 서로 연통하고 있다. 현상부 (122) 및 건조부 (126)에서는 실외의 공기를 끌어들이기 위한 팬 (160,162)와 이들의 팬 (160,162)로부터의 공기류를 제진하는 에어 필터 (164,166)에 의해 천정으로부터 청정한 공기가 다운 플로우로 실내에 공급되게 되어 있다. 이 중 현상부 (122)의 천정으로부터 공급되는 청정 공기는 현상 처리시에 발생하는 현상액의 미스트를 말려들게 하도록 해 상기 간이벽 (152)의 통로 (156)을 통하여 린스부 (124)의 실내에 유입한다. 한편 건조부 (126)의 천정으로부터 공급되는 청정 공기는 건조(액분리) 처리로 발생하는 린스액의 미스트를 말려들게 하도록 해 상기 간이벽 (154)의 통로 (158)을 통하여 린스부 (124)의 실내에 유입하도록 되어 있다. 린스부 (124)의 저부에는 예를 들어 배기 펌프 또는 배기 팬을 가지는 배기 기구 (168)에 통하는 배기구 (170)이 설치되고 있다. 상기와 같이 해 현상부 (122)측으로부터 유입해 온 미스트 섞인 공기와 건조부 (126)측으로부터 유입해 온 미스트 섞인 공기는 린스부 (124)내에서 발생하는 미스트도 말려들게 해 좌우로부터 합류해 배기구 (170)으로부터 배출되도록 되어 있다.In this developing unit DEV, 94, the spaces in the processing units 122, 124, 126 communicate with each other via the passages 156, 158 of the simple walls 152, 154. In the developing unit 122 and the drying unit 126, clean air is drawn down from the ceiling by the fans 160 and 162 for drawing outdoor air and the air filters 164 and 166 for damping the air flow from the fans 160 and 162. It is supposed to be supplied indoors with a flow. Among them, the clean air supplied from the ceiling of the developing part 122 causes the mist of the developing solution generated during the developing process to be rolled in, so that the clean air supplied to the interior of the rinse part 124 through the passage 156 of the simple wall 152. Inflow. On the other hand, the clean air supplied from the ceiling of the drying unit 126 causes the rinse of the rinse liquid generated by the drying (liquid separation) process to be rolled up through the passage 158 of the simple wall 154. It is supposed to flow into the room. At the bottom of the rinse section 124, an exhaust port 170 is provided, for example, which communicates with an exhaust mechanism 168 having an exhaust pump or an exhaust fan. As mentioned above, the mist mixed air which flowed in from the solution developing part 122 side and the mist mixed air which flowed in from the drying part 126 side also dry the mist which generate | occur | produces in the rinse part 124, and joins from right and left. It is supposed to be discharged from the exhaust port 170.

여기서 이 현상 유니트(DEV, 94)에 있어서의 전체의 동작을 설명한다. 상기와 같이 제2의 열적 처리부 (30, 도 l) 에 있어서 노광 후의 기판 (G)는 반송 기구 (90)에 의해 다단 유니트부(TB, 92)의 패스 유니트(PASS)에 반입된다. 도 4에 나타나는 바와 같이 이 패스 유니트(PASS) 내에는 반송 기구 (90, 도 1)로부터 기판 (G)를 수취하는 리프트 핀 승강기구 (172)가 설치되고 있다. 이 리프트 핀 승강기구 (172)에 의해 반송 라인 (120)상에 기판 (G)가 수평으로 이동 재치되면 반송 구동부의 구동에 의한 일정 속도의 회전자 반송으로 기판 (G)는 근처의 현상 유니트(DEV, 94)를 향해 반송된다.Here, the whole operation in this developing unit DEV 94 will be described. As mentioned above, the board | substrate G after exposure in the 2nd thermal processing part 30 (FIG. 1) is carried in to the pass unit PASS of the multistage unit part TB, 92 by the conveyance mechanism 90. As shown in FIG. As shown in FIG. 4, in this pass unit PASS, the lift pin lifting mechanism 172 which receives the board | substrate G from the conveyance mechanism 90 (FIG. 1) is provided. When the board | substrate G moves horizontally and is mounted on the conveyance line 120 by this lift pin lifting mechanism 172, the board | substrate G is moved by the rotor of a constant speed by the drive of a conveyance drive part, Conveyed toward DEV, 94).

현상 유니트(DEV, 94)에서는 최초로 현상부 (122)에 있어서 기판 (G)가 반송 라인 (120)의 제1의 반송 구간 (M₁)내를 수평 자세로 이동하는 동안에 정치의 현상 노즐 (130)에서 현상액을 공급시키고 기판 (G)상에는 기판전단으로부터 기판 후단에 향하여 반송 속도와 동일한 주사 속도로 현상액이 활성된다. 기판 (G)로부터 흘러넘친 현상액은 팬 (132)에 모아진다.In the developing unit DEV 94, for the first time, in the developing unit 122, the substrate G is fixed while the substrate G moves in the first conveying section M₁ of the conveying line 120 in a horizontal posture. Is supplied to the developer, and the developer is activated on the substrate G from the substrate front end to the substrate rear end at the same scanning speed as the conveyance speed. The developer overflowed from the substrate G is collected in the fan 132.

상기와 같이 해 현상액을 활성된 기판 (G)는 직후에 제2의 반송 구간 (M₂)로 제1의 융기부(120a)의 상향 경사로를 오르고 여기서 기판 (G)상의 현상액이 아래쪽 즉 뒤쪽으로 중력으로 이동해 기판 후단으로부터 흘러 떨어진다. 흘러 떨어진 현상액은 팬 (132)에 모아진다. 이 때 기판 (G)상에서는 기판의 전단측으로부터 후단측에 향하여 반송 속도와 대충 같은 이동 속도로 현상액의 액분리를 한다. 이렇게 해 제1의 융기부(120a)를 넘은 기판 (G)는 그 상면에 현상액이 매우 얇은 액막으로 남아 있는 상태로 린스부 (124)측의 하향 경사로(제 3의 반송 구간 (M₃))에 도달한다.As described above, the substrate G having activated the developing solution immediately climbs the upward slope of the first ridge 120a to the second conveying section M2, where the developing solution on the substrate G is gravity downwardly or backward. And flows from the substrate back end. The dripping developer is collected in the fan 132. At this time, on the substrate G, the developer solution is separated from the front end side to the rear end side of the substrate at a moving speed roughly the same as the conveying speed. In this way, the board | substrate G beyond the 1st ridge | 120a part 120a is in the downhill slope (third conveyance section M₃) by the side of the rinse part 124, in the state which the developing solution remains a very thin liquid film on the upper surface. To reach.

린스부 (124)에 있어서 기판 (G)가 제3의 반송 구간 (M₃)의 융기부를 나올 때 윗쪽의 린스 노즐 (138)이 기판 (G)상에 린스액을 공급하는 것으로써 기판 (G)상의 각부에 얇게 남아 있던 현상액은 중력과 린스액의 흐름의 압력을 받아 전방으로 흘러 내리고 기판전단으로부터 나가게 된다. 기판 (G)의 전방에 흘러 떨어진 현상액 및 린스액은 팬 (144)에 모아진다. 이렇게 해 기판 (G)상에서 기판의 전단측으로부터 후단측에 향하여 반송 속도와 대충 같은 주사 속도로 현상액이 린스액에 치환되어 현상이 정지한다.In the rinse section 124, when the substrate G exits the ridge of the third conveying section M₃, the upper rinse nozzle 138 supplies the rinse liquid onto the substrate G, thereby providing the substrate G. The developer, which remained thin in each part of the phase, flows down to the front under pressure of gravity and the flow of the rinse liquid and exits from the front end of the substrate. The developer and the rinse liquid which flowed in front of the substrate G are collected in the fan 144. In this way, on the board | substrate G, from the front end side to the back end side of a board | substrate, a developing solution is substituted by the rinse liquid at the scanning speed roughly the same as a conveyance speed, and image development stops.

상기와 같이 해 현상 처리를 끝낸 기판 (G)는 수평인 제4의 반송 구간 (M₄)를 통과해 다음의 제5의 반송 구간 (M5)로 제2의 융기부 (120b)의 하향 단차부를 오른다. 이 때 기판 (G)상에 남아 있는 치환용의 린스액이 기판전단측으로부터 후방에 중력으로 이동해 기판 후단으로부터 흘러 떨어진다. 또한 윗쪽의 린스 노즐 (140)에서 기판 (G)상에 일차 세정용의 린스액이 공급되어 오래된 린스액을 보내면서 이 새로운 린스액도 기판 후단으로부터 흘러 떨어진다. 기판의 후방에 흘러 떨어진 린스액은 팬 (144)에 모아진다. 이렇게 해 제2의 융기부 (120b)의 정점을 넘은 기판 (G)는 그 상면에 일차 세정용의 린스액이 얇은 액막으로 남아 있는 상태로 제2의 융기부 (120b)의 융기부(제6의 반송 구간 (M6))에 도달한다.A substrate (G) which finished by developing processing as described above is passed through the conveyance section (M₄) of the horizontal fourth conveying section of the following fifth (M 5) in parts of the downward level difference of the second elevated portion (120b) of Rises. At this time, the replacement rinse liquid remaining on the substrate G moves from the substrate front side to the rear by gravity and flows down from the substrate rear end. Further, the first rinse liquid for primary cleaning is supplied from the upper rinse nozzle 140 to the substrate G, and the new rinse liquid flows from the rear end of the substrate while the old rinse liquid is sent. The rinse liquid flowing down the back of the substrate is collected in the fan 144. Thus, the board | substrate G beyond the vertex of the 2nd ridge part 120b has the ridge part (6th) of the 2nd ridge part 120b in the state which the rinse liquid for primary washing | cleaning remains in the thin liquid film on the upper surface. Conveys section M6).

그 다음에 제2의 융기부 (120b)의 하향 경사로 (M6)를 기판 (G)가 내려갈 때에는 윗쪽의 린스 노즐 (142)에 의해 기판 (G)상에 2차 세정용의 새로운 린스액이 공급되어 기판 (G)상에 얇게 남아 있던 일차 세정액을 전방으로 보내면서 새로운 린스액도 기판전단으로부터 흘러 떨어진다. 기판 (G)의 전방으로 흘러 떨어진 린스액은 팬 (144)에 모아진다.Then, when the substrate G goes down the downward slope M6 of the second ridge 120b, a new rinse liquid for secondary cleaning is supplied onto the substrate G by the upper rinse nozzle 142. As a result, the first rinse liquid, which remained thin on the substrate G, is moved forward, and the new rinse liquid also flows out of the substrate shear. The rinse liquid that has flowed forward of the substrate G is collected in the fan 144.

상기와 같이 해 린스 처리를 끝낸 기판 (G)는 수평인 제7의 반송 구간 (M7)을 통과해 다음의 제8의 반송 구간 (M8)로 상향 단차부 (120c)의 경사로를 오른다. 이 때 기판 (G)상에 남아 있는 마무리용 린스액이 기판전단측으로부터 후방에 중력으로 이동해 기판 후단으로부터 흘러 떨어진다. 또한 윗쪽의 린스 노즐 (145)에서 기판 (G)상에 최종 세정용의 린스액이 공급되어 오래된 린스액을 내보내면서 이 새로운 린스액도 기판 후단으로부터 흘러 떨어진다. 기판 (G)의 후방에 흘러 떨어진 린스액은 팬 (144)에 모아진다. 그리고 기판 (G)가 단차부 (120c)를 올라 건조부 (126)측 즉 제9의 반송 구간 (M9)내의 상단 반주로에 들어가면 에어 나이프 (148)이 기판 (G)에 대해서 반송 방향과 역방향으로 고압 가스류를 맞히는 것으로 기판 (G)상에 남아 있던 린스액이 기판 후방에 몰려 기판 후단으로부터 몰아내진다(액분리된다). 기판 (G)의 후방에 날아간 린스액은 팬 (144)에 모아진다.A substrate (G) which finished by rinsing treatment as described above comes up the ramp of the horizontal seventh conveying section (M 7) upward step portion (120c) in the conveying interval (M 8) of claim 8, and then the passes through the. At this time, the finishing rinse liquid remaining on the substrate G moves from the substrate front side to the rear by gravity and flows down from the substrate rear end. In addition, the final rinse liquid is supplied from the upper rinse nozzle 145 onto the substrate G to discharge the old rinse liquid, and the new rinse liquid also flows from the rear end of the substrate. The rinse liquid that has flowed behind the substrate G is collected in the fan 144. And the transport direction with respect to the substrate (G) has the step portion drying device up to (120c) (126) side that is the conveying section (M 9) the air knife (148) of the substrate (G) enters the to the top of the backing in the ninth By hitting the high-pressure gas stream in the reverse direction, the rinse liquid remaining on the substrate G is driven to the rear of the substrate to be driven out of the rear end of the substrate (liquid separation). The rinse liquid blown behind the substrate G is collected in the fan 144.

이렇게 해 현상 유니트(DEV, 32)내에서 일련의 현상 처리 공정을 끝낸 기판 (G)는 그대로 반송 라인 (120)상을 곧바로 이동해 하류측 근처의 탈색 프로세스부 (34)로 탈색 처리를 받고 나서 다단 유니트부(TB, 98; 도 1)의 패스 유니트(PASS)에 보내진다.In this way, the board | substrate G which completed a series of image development processes in the development unit DEV 32 moves directly on the conveyance line 120, and has been subjected to the decolorization process by the decolorization process part 34 near a downstream side. It is sent to the pass unit PASS of the unit part TB 98 (FIG. 1).

상기와 같이 이 실시 형태의 현상 유니트(DEV, 32)에 있어서는 유니트를 종단하는 반송 라인 (120)상을 기판 (G)가 일정 속도의 회전자 반송으로 이동해 그 평류의 이동중에 현상부 (122)· 린스부 (124) 및 건조부 (126)으로 각각 현상 처리· 린스 처리 ·건조 처리를 차례로 베풀어지게 되어 있다.As described above, in the developing unit DEV 32 of this embodiment, the substrate G moves on the conveyer line 120 terminating the unit to the rotor conveyance at a constant speed, and the developing unit 122 moves during the flat flow. The rinse section 124 and the drying section 126 are subjected to development treatment, rinse treatment and drying treatment, respectively.

특히 현상부 (122)에서는 수평 반송로(M1) 상의 소정 위치에서 수평 자세의 기판 (G)상에 현상액이 활성해져 그곳으로부터 반송 라인 (120)의 하류 측에 소정의 거리만 떨어진 장소에 위치하는 제1의 융기부(120a)의 경사로상에서 중력을 이용한 현상액의 액분리 없이 현상 정지를 한다. 특히 기판 (G)가 제1의 융기부(120a)의 상향 경사로(M₂)를 오를 때에 기판 (G)상의 현상액의 대부분이 후방에 떨어지므로 일부러 기판을 정지시키고 들어 올려 수평 자세로부터 경사 변환으로 자세 변환할 필요는 없다. 또한 기판 (G)가 상향 경사로(M₂)를 넘으면 기판 (G)의 상면(피처리면)이 마르지 않는 동안에 사이를 넣지 않고 하향 경사로(M₃)로 액치환용의 린스액이 공급되므로 액치환전의 원하지 않는 건조에 기인하는 현상 불량(얼룩의 발생 등)을 방지할 수 있다. 또 기판 (G)상의 각부에서 현상액의 제거 내지 현상 정지를 하는 주사의 방향 및 속도가 기판 (G)상의 각부에 현상액이 활성해졌을 때의 주사의 방향 및 속도와 동일하기 때문에 현상 시간의 면내 균일성 나아가서는 현상 균일성을 향상시킬 수가 있다. 또 기판 (G)가 융기부 (120a)를 통과할 때에 형성되는 기판 융기부 또는 경사부가 국소적(통 형상)이고 기판 전체로 보면 기판상의 현상액의 흐름은 저속으로 천천히 하고 있다. 이것에 의해 기판상의 액에 난류나 액 결렬이 일어나기 어렵다. 이점으로 기판 전체를 수평 자세로부터 급격하게 소정 각도의 경사 자세로 자세 변환하는 종래 방식에 있어서는 기판상에서 급속히 흘러내리는 현상액이 난류나 액결렬을 일으키기 쉽고 현상 얼룩짐의 원인이 되는 일이 있었다.In particular, the developing section 122 in the horizontal transport to a location at a predetermined position away a predetermined distance on the downstream side of the horizontal position the substrate feed line 120 on the (G) therefrom becomes the developer is active only in on the (M 1) The development stop is performed on the inclined path of the first ridge 120a without separation of the developer using gravity. Particularly, when the substrate G climbs the upward slope M₂ of the first ridge 120a, most of the developer on the substrate G falls backward, so that the substrate is intentionally stopped and lifted, and the attitude is changed from the horizontal posture to the inclination change. There is no need to convert. In addition, if the substrate G exceeds the upward ramp M₂, the rinse liquid for the liquid substitution is supplied to the downward ramp M₃ without intervening while the upper surface (to-be-processed surface) of the substrate G does not dry out, so that it is not desired to exchange the liquid. It is possible to prevent development defects (such as staining) caused by drying. In addition, in-plane uniformity of the development time since the direction and speed of the scanning for removing or stopping the development of the developer from each part on the substrate G are the same as the direction and speed of the scan when the developer is activated on each part of the substrate G. Furthermore, development uniformity can be improved. The substrate ridge or inclined portion formed when the substrate G passes through the ridge 120a is local (cylindrical) and the flow of the developer on the substrate is slow at a low speed. As a result, turbulence and liquid breakup hardly occur in the liquid on the substrate. Advantageously, in the conventional system of rapidly changing the entire substrate from a horizontal posture to an inclined posture of a predetermined angle, the developer rapidly flowing down on the substrate tends to cause turbulence and liquid breakup, and causes development unevenness.

린스부 (124)에서는 기판 (G)가 반송 라인 (120)의 제2의 융기부 (120b)를 통과할 때에 그 상향 경사로(M5)로 일차 세정을 해 하향 경사로 (M6)로 2차 세정을 한다. 경사로(M5· M6)로 기판 (G)상의 린스액이 중력으로 자연스럽게 기판 후방 또는 기판 전방에 흘러떨어지므로 기판의 세정을 효율적으로 실시할 수가 있다. 또한 상향 경사로(M5)를 통과할 때에 기판 (G)상의 린스액은 후방에 전해져 기판 후단으로부터 떨어지므로 이 상향 경사로(M5)로 세정수를 공급하는 린스 노즐 (140)을 생략하는 것도 가능하다. 그러나 현상 정지에 이용한 린스액을 필요 최소한의 세정수로 신속하게 씻어 흘리는데 이 상향 경사로(M5)로 일차 세정을 실시하는 것은 매우 효율이 좋다. 따라서 하향 경사로 (M6) 측에만 린스 노즐 (142)를 복수 라인 나열하는 것보다는 그 중의 1개를 상향 경사로(M5) 측에 일차 세정용의 린스 노즐 (140)으로서 배치하는 쪽이 코스트 퍼포먼스의 면에서 우수하다.In the rinse section 124, when the substrate G passes through the second raised portion 120b of the conveying line 120, the substrate G is first cleaned by the upward ramp M 5 , and the second cleaning is performed by the downward ramp M6. Do it. Since the rinse liquid on the substrate G flows naturally to the rear of the substrate or the front of the substrate by the inclined path M 5 · M 6 , the substrate can be cleaned efficiently. In addition, the rinse liquid on the up-slope (M 5), the substrate (G) when passing through the is also possible to omit the rinse nozzle 140, which therefore dropped from the rear end transmitted to the rear substrate supply the washing water to the upward ramp (M 5) Do. However, the rinse liquid used to stop the development is quickly rinsed with the minimum amount of washing water required, and the primary rinsing with this upward ramp M 5 is very efficient. Therefore, rather than arranging a plurality of lines of the rinse nozzles 142 only on the side of the downward slope M 6 , the cost performance is to arrange one of them as the rinse nozzle 140 for the primary cleaning on the side of the upward slope M 5 . Excellent in terms of

이 실시 형태에서는 그 조금 하류측에서 상향 단차부 (120c)의 윗쪽에 설치되는 린스노즐 (145)가 상기 린스 노즐 (140)과 같은 작용 효과를 가지므로 제2의 융기부 (120b)를 생략하는 구성 즉 수평 일직선의 반송로에 치환하는 구성도 가능하다. 그 경우 상기 린스 노즐 (140·142)를 수평 반송로를 따라 배치해도 좋고 혹은 생략해도 괜찮다.In this embodiment, since the rinse nozzle 145 provided above the upward step part 120c on the slightly downstream side has the same effect as the rinse nozzle 140, the 2nd ridge part 120b is abbreviate | omitted. The structure, that is, the structure which substitutes to a horizontal straight conveyance path is also possible. In that case, the said rinse nozzle 140 * 142 may be arrange | positioned along a horizontal conveyance path, or you may abbreviate | omit.

건조부 (126)에서는 기판 (G)가 반송 라인 (120)의 단차부 (120c)를 통과할 때에 그 상향 경사로 (M8)로 기판 (G)상에 남아 있던 린스액의 대부분이 중력으로 자연스럽게 기판 후방에 흘러떨어지므로 상단의 수평 반송로(M9) 측에 배치하는 에어 나이프 (148)의 갯수나 건조용 가스의 소비량을 절감할 수가 있다. 또한 에어 나이프 (148)을 상향 경사로(M8)의 윗쪽에 설치하는 것도 가능하다.In the drying unit 126, most of the rinse liquid remaining on the substrate G in the upward inclination M 8 when the substrate G passes through the stepped portion 120c of the conveying line 120 naturally by gravity. a horizontal transport of the top becomes to fall down on the rear substrate can be (M 9) for reducing the consumption of the number of rooms or the drying of the air knife 148 to place the gas side. It is also possible to install the air knife 148 above the upward ramp M 8 .

또 현상 유니트(DEV, 32)의 하우징 (150)내에서는 현상부 (122)에 설치한 청정 공기 공급부(160 164)에서 공급되는 청정 공기류를 현상부 (122)로부터 린스부 (124)에 흘려 건조부 (126)에 설치한 청정 공기 공급부(162·166)에서 공급되는 청정 공기류를 건조부 (126)으로부터 린스부 (124)에 흘리도록 하고 있다. 현상부 (122) 및 건조부 (126)내에서 발생하는 미스트는 신속하게 린스부 (124)에 모아져 린스부 (124)로부터 현상부 (122) 및 건조부 (126) 으로 미스트가 역류하는 경우는 없다. 이것에 의해 현상부 (122) 및 건조부 (126) 내에서 기판 (G)에 미스트가 재부착하는 것을 효율적으로 확실히 방지할 수 있다. 또한 린스부 (124)내에서는 기판 (G)에 미스트가 부착해도 곧바로 린스액과 함께 씻겨 흐르므로 어떠한 지장은 없다.In addition, in the housing 150 of the developing unit DEV 32, clean air flow supplied from the clean air supply unit 160 164 provided in the developing unit 122 flows from the developing unit 122 to the rinse unit 124. The clean air flow supplied from the clean air supply parts 162 · 166 provided in the drying part 126 is made to flow from the drying part 126 to the rinse part 124. FIG. When mist generated in the developing part 122 and the drying part 126 quickly collects in the rinse part 124 and the mist flows back from the rinse part 124 to the developing part 122 and the drying part 126, none. This can effectively and reliably prevent the reattachment of the mist to the substrate G in the developing portion 122 and the drying portion 126. In addition, even if mist adheres to the substrate G in the rinse portion 124, the rinse flows with the rinse liquid immediately.

다음에 도 5~도 13에 대해 이 실시 형태의 현상 유니트(DEV, 32)에 있어서의 각부의 실시예 및 작용을 설명한다.Next, the example and operation | movement of each part in the developing unit DEV 32 of this embodiment are demonstrated about FIGS.

상기와 같이 현상액을 활성된 기판 (G)가 반송 라인 (120)의 융기부(120a)의 상향 경사로 (M₂)를 오를 때에 기판 (G)상의 액이 중력으로 기판 후방에 전해진다. 이 때 표면장력이 기동하여 기판 (G)의 후단으로부터 현상액이 떨어지기 어려운 경우도 있으므로 이 표면장력을 무너뜨려 현상액의 원활하고 균일한 흘러내림을 촉진하는 적당한 외력 또는 작용을 주는 것이 바람직하다.As described above, when the substrate G having activated the developing solution climbs the upward slope M2 of the ridge 120a of the transfer line 120, the liquid on the substrate G is transferred to the rear of the substrate by gravity. At this time, the surface tension may be started to cause the developer to be difficult to fall off from the rear end of the substrate G. Therefore, it is preferable to break the surface tension to provide an appropriate external force or action to promote smooth and uniform flow of the developer.

도 5는 관련된 관점으로부터 상향 경사로 (M₂)에 이용해 매우 적절한 회전자 반송로의 구성을 나타낸다. 이 구성예에 있어서 반송 라인 (120)의 회전자 (128)에는 반송 구간에 따라 2 종류의 회전자 (128A·128B)가 사용되고 있다. 상세하게는 수평 반송로 (M1) 및 하향 경사 반송로 (M₃)을 구성하는 제1 타입의 회전자 (128A)는 비교적 가는 샤프트 (172)의 수 지점에 큰직경의 롤러부 (174)를 고착하여 이루어지고 롤러부 (174)에 기판 (G)를 실어 회전하도록 되어 있다. 상향 경사로 (M₂)에 이용되는 제2 타입의 회전자 (128B)는 제1 타입의 롤러부 (174)와 동지름의 원주 또는 원통형 샤프트 (176)을 갖고 이 샤프트 (176) 자체에 기판 (G)를 실어 회전하도록 되어 있다. 또한 제2 타입의 회전자 (128B)에는 축방향으로 적당한 간격을 두고 예를들면 고무제의 미끄럼 멈춤 링 (177)을 복수 장착하는 것이 바람직하다.Fig. 5 shows the construction of a rotor conveying path which is very suitable for use in an upward ramp M2 from a related point of view. In this configuration example, two types of rotors 128A and 128B are used for the rotor 128 of the conveying line 120 depending on the conveying section. Specifically, the first type of rotor 128A constituting the horizontal conveying path M 1 and the downwardly inclined conveying path M₃ has a large diameter roller portion 174 at several points of the relatively thin shaft 172. It adheres and is made to rotate the board | substrate G on the roller part 174. The rotor 128B of the second type used for the upward ramp M2 has a circumferential or cylindrical shaft 176 of the same diameter as the roller type 174 of the first type and has a substrate G on its own. ) To rotate. In addition, it is preferable to attach a plurality of rubber stop rings 177 to the second type rotor 128B at appropriate intervals in the axial direction, for example.

도 7에 나타나는 바와 같이 제2 타입의 회전자 (128B)가 기판 (G)의 후단을 눌러 송출할 때에 기판 (G)의 후단 주변부 전체에 회전자 (128B)의 샤프트 (176)이 접하는 것으로 기판 (G)의 후단 주변부 전체로부터 균일하게 현상액 (R)이 샤프트 (176)에 감기도록 해 넘쳐 흘러 떨어진다.As shown in FIG. 7, when the second type of rotor 128B presses the rear end of the substrate G to feed the substrate, the shaft 176 of the rotor 128B is in contact with the entire rear end periphery of the substrate G. The developer R is uniformly wound on the shaft 176 from the entire rear end periphery of (G), and overflows.

도 5에 있어서 각 회전자 (128·128A·128B)는 양단부를 베어링 (178)에 회전 가능하게 지지를 받고 있고 일단부측의 베어링 (178)보다도 외측의 단에 장착한 톱니바퀴 풀리 (180)에 벨트 전동 기구의 타이밍 벨트 (182)를 감겨 걸려 있다. 이 타이밍 벨트 (182)는 전기 모터로 이루어지는 반송 구동부(도시하지 않음)의 회전 구동 축으로 접속되고 있다. 또한 각 회전자 (128)의 톱니바퀴 풀리 (180) 및 타이밍 벨트 (182)는 하우징 (150)의 밖에 배치되고 있다.In Fig. 5, each of the rotors 128, 128A, and 128B is rotatably supported by the bearing 178, and is mounted on the gear pulley 180 mounted at a step outside the bearing 178 on one end side. The timing belt 182 of the belt transmission is wound up. This timing belt 182 is connected to the rotation drive shaft of the conveyance drive part (not shown) which consists of an electric motor. In addition, the gear pulley 180 and the timing belt 182 of each rotor 128 are disposed outside the housing 150.

도 6에 나타나는 바와 같이 서로 인접하는 회전자 (128, 128)의 사이에는 아이드러 풀리 (184)가 배치되고 있다. 각 아이들러 풀리 (184)는 타이밍 벨트 (182)를 각 톱니바퀴 풀리 (180)에 감기 위한 온 위치(실선으로 나타내는 위치)와 타이밍 벨트 (182)를 각 톱니바퀴 풀리 (180)으로부터 제외하기 위한 오프 위치(쇄선으로 나타내는 위치)의 사이에 절환되게 되어 있다.As shown in FIG. 6, the idler pulley 184 is arrange | positioned between the rotors 128 and 128 which adjoin each other. Each idler pulley 184 is turned on to turn off the timing belt 182 to each gear pulley 180 (a position indicated by a solid line) and an off to remove the timing belt 182 from each gear pulley 180. It is switched between positions (position shown with a dashed line).

도 8에 반송 라인 (120)의 상향 경사로 (M₂)로 기판 (G)의 후단으로부터 현상액의 넘쳐 흘러 떨어지는 것을 원조하기 위한 별도의 방법을 나타낸다. 이 방법은 상향 경사로 (M₂)의 적당한 위치 예를 들어 꼭대기 위치의 윗쪽에 가스 노즐 또는 가스 노즐 (186)을 배치해 기판 (G)의 후단부로 향해 이 가스 노즐 (186)에서고압 가스(통상은 고압 에어)를 일시적 또는 순간적으로 분출하게 해 그 고압 가스의 압력으로 기판 (G)의 후단으로부터 현상액 (R)를 후방에 떨어뜨리는 것이다.8 shows another method for assisting the overflow of the developer from the rear end of the substrate G in the upward slope M2 of the conveying line 120. This method involves placing a gas nozzle or gas nozzle 186 at a suitable position in the upward ramp M2, for example, at the top position, towards the rear end of the substrate G, where the high pressure gas (usually High pressure air) is blown out temporarily or momentarily, and the developer R is dropped from the rear end of the substrate G at the pressure of the high pressure gas.

도 9에 나타내는 구성은 반송 라인 (120)의 상향 경사로 (M₂)를 급균배로 형성하는 경우에 이용하는 매우 적절한 것으로 도시와 같이 서로 인접하는 회전자 (128, 128)의 사이에 띠형상 무단 벨트 (188)을 걸고 건네주고 있다. 기판 (G)가 상향 경사로 (M₂)의 입구에서 지금까지의 수평 이동으로부터 향상되어 이동으로 바뀔 때에 기판 (G)의 전단이 벨트 (188)에 실려 상단측의 회전자 (122)로 유연하게 갈아탈 수가 있다.The configuration shown in FIG. 9 is very suitable for use in the case where the upward slope M2 of the conveying line 120 is formed in a steep uniform multiple, and as shown in Fig. 9, a belt-shaped endless belt (between the adjacent rotors 128 and 128) is shown. 188) is handing over. When the substrate G is improved from the horizontal movement so far at the inlet of the upward ramp M2 and changed to the movement, the front end of the substrate G is loaded on the belt 188 and flexibly changed to the rotor 122 on the upper side. I can ride it.

도 10에 나타내는 구성은 반송 라인 (120)의 상향 경사로 (M₂)에 있어서의 액분리로 기판 (G)의 후단부에 현상액의 액굄이 남는 것을 확실히 방지하기 위한 것으로 상향 경사로 (M₂)의 윗쪽 바람직하게는 정상부보다 조금 상류측의 위치에 소정의 높이 위치에서 기판 (G)의 좌우 양주변부에 접하는 한 쌍의 롤러 (190)을 배치한다.The configuration shown in FIG. 10 is for preventing the liquid from remaining in the rear end of the substrate G due to the liquid separation in the upward ramp M2 of the conveying line 120. The upper side of the upward ramp M2 is preferable. Preferably, a pair of rollers 190 which contact the left and right peripheral portions of the substrate G at a predetermined height position are disposed at a position slightly upstream from the top portion.

기판 (G)가 상향 경사로 (M₂)를 통과할 때에 기판 (G)상의 액이 중력으로 기판 후방에 전해지고 기판 후단으로부터 흘러 떨어지지만 기판전단으로부터 기판 (G)의 대부분이 하향 경사로 (M₃)측으로 이동하면 기판 (G)의 후단부가 상향 경사로 (M₂)로부터 윗쪽으로 분리된다. 이 때 기판 (G)의 후단부가 쇄선 (G')로 나타나는 바와 같이 크게 튀면 기판 (G)의 후단부에 현상액의 액굄이 남을 우려가 있다. 그러나 이 구성예에 의하면 기판 (G)의 후단부가 상향 경사로 (M₂)로부터 윗쪽으로 분리되도 롤러 (190)에 의한 높이 규제를 받으면서 정상 부근까지 후 경사 자세를 유지할 수 있기 때문에 기판 (G)상의 액분리를 마지막 끝까지 수행할 수가 있다. 또한 기판 (G)를 전방에 보내는 방향으로 롤러 (190)을 회전 구동하는 구성도 가능하다.When the substrate G passes through the upward ramp M2, the liquid on the substrate G is transferred to the rear of the substrate by gravity and flows down from the rear end of the substrate, but most of the substrate G moves from the front edge of the substrate toward the downward ramp M₃. The rear end of the lower surface of the substrate G is separated upward from the upward ramp M2. At this time, if the rear end portion of the substrate G splashes largely as indicated by the chain line G ', the liquid solution of the developer may remain in the rear end portion of the substrate G. However, according to this configuration example, even if the rear end of the substrate G is separated upward from the upward slope M2, the liquid on the substrate G can be maintained in the rear inclined position up to the vicinity while being regulated by the height of the roller 190. Separation can be done to the end. Moreover, the structure which rotationally drives the roller 190 in the direction which sends a board | substrate G to the front is also possible.

도 11은 반송 라인 (120)의 상향 경사로 (M₂)의 윗쪽에 액분리 촉진용의 에어 나이프 (192)를 배치하는 구성을 나타내고 있다. 기판 (G)가 상향 경사로 (M₂)를 오를 때에 에어 나이프 (192)가 윗쪽으로부터 에어흐름을 불어 내리는 것으로 기판 (G)상에서 현상액이 후방에 흘러내리는 것을 촉진할 수가 있다. 이 구성은 상향 경사로 (M₂)의 경사각이나 고도차이가 작을 때에 매우 적합하게 적용할 수 있다.FIG. 11: shows the structure which arrange | positions the air knife 192 for liquid separation promotion on the upward slope M2 of the conveyance line 120. As shown in FIG. When the substrate G climbs the upward slope M2, the air knife 192 blows the air flow from the upper side to promote the flow of the developer on the substrate G backward. This configuration can be suitably applied when the inclination angle or altitude difference of the upward slope (M₂) is small.

또한 상술한 각부의 실시예(도 5~도 11)는 반송 라인 (120)의 제1의 융기부(120a)로의 적용으로 한정되는 것은 아니고 제2의 융기부 (120b)나 단차부 (120c)에도 적용 가능하다.5 to 11 are not limited to the application of the conveying line 120 to the first ridge 120a, but the second ridge 120b or the step 120c. Applicable to

도 12에 반송 라인 (120)상에서 기판 (G)가 제1의 융기부(120a)를 통과할 때의 액처리의 작용을 모식적으로 나타낸다. 도시와 같이 기판 (G)는 그 가요성을 이용해 전체 길이의 일부에 융기부(120a)에 모방한 돌기조의 기판 융기부(Ga)를 형성하고 또한 반송 속도에 동일한 속도로 기판 융기부(Ga)를 기판의 전단으로부터 후단까지 반송 방향과 반대 방향으로 상대적으로 이동시키면서 반송 라인 (120)의 융기부(120a)를 통과한다. 반송 방향에 있어서의 제1의 융기부(120a)의 구간 길이 즉 반송 구간 (M₂,M₃)를 서로 더한 길이는 예를 들면 수십 cm 전후이고 기판 (G)의 전체 길이(예를 들어 (100~250 cm)보다 짧다.12, the operation of the liquid treatment when the substrate G passes through the first raised portion 120a on the conveyance line 120 is schematically illustrated. As shown in the drawing, the substrate G uses the flexibility to form a protrusion-like substrate ridge portion Ga imitating the ridge portion 120a on a part of the entire length, and at the same speed as the conveyance speed, the substrate ridge portion Ga Passes through the ridges 120a of the conveying line 120 while moving relative to the conveying direction from the front end to the rear end of the substrate. The length of the section length of the first ridge 120a in the conveying direction, that is, the length of the conveying sections M2 and M₃, is, for example, several tens of centimeters, and the total length of the substrate G (for example, (100 to Shorter than 250 cm).

상향 경사로 (M₂)에서는 기판 (G)상에서 현상액 (R)이 중력에 의해 기판 후방에 흘러 기판 (G)의 전단으로부터 후단으로 향하여 거의 반송 속도에 동일한 속도로 현상액 (R)의 액막이 액활성의 상태로부터 박막 (R')의 상태로 변화한다. 박막 (R')의 상태가 된 시점에서 현상은 종반(예를 들어 95 %이상)에 도달한다.In the upward ramp M2, the developer R flows on the substrate G to the rear of the substrate by gravity, and from the front end to the rear end of the substrate G, the liquid film of the developer R is almost at the same conveyance speed. To the state of the thin film R '. At the time when the state of the thin film R 'is reached, the phenomenon reaches the end (for example, 95% or more).

기판 (G)가 융기부(120a)의 정점을 넘어 하향 경사로 (M₃)로 이동하면 윗쪽의 린스 노즐 (138)에서 띠형상의 토출류로 린스액 (S)를 공급시킴으로써 기판 (G)상의 린스액 (S)가 착액하는 라인 부근에서 얇은 막상태의 현상액 (R')는 신속하게 린스액 (S)에 치환되어 현상이 완전하게 정지한다. 치환된 현상액 (R')는 전방에 흘러 내려 기판전단으로부터 떨어진다. 이 때 린스액에 치환된 현상액 (R')가 흐르는 영역은 이미(한발 앞서) 현상을 정지하고 있으므로 현상의 진행에 어떤 영향도 받지 않는다. 또 도 12에 나타나는 바와 같이 융기부(120a)를 사이에 두고 기판 후단측의 영역에는 현상액 (R)이 흐르는 한편 기판 전단측의 영역에는 린스액 (S)가 흐르므로 기판 (G)의 전체가 액의 중량감으로 안정인 자세를 유지한 채로 반송 라인 (120)의 융기부(120a)를 통과할 수가 있다. 또 기판 (G)가 융기부(120a)를 통과할 때에 그 정상부의 전후로 즉 기판 전단측과 기판 후단측에 다른 액(현상액과 린스액)을 섞는 경우 없이 공급 가능하고 현상 얼룩짐을 방지할 수가 있다. 즉 기판 (G)상에서 현상액과 린스액이 섞이면 기판 (G)상의 각부에서 액농도가 달라 현상 얼룩짐이 일어나기 쉽다. 또한 기판 (G)의 반송을 정지하는 경우 없이 짧은 거리 또는 스페이스내에서 효율적으로 기판상이 다른 액을 각각 개별의 팬 (132, 144)에 분별 회수할 수가 있다.When the substrate G moves beyond the apex of the ridge 120a to the downward slope M₃, the rinse on the substrate G is supplied by supplying the rinse liquid S to the strip-shaped discharge flow from the upper rinse nozzle 138. In the vicinity of the line where the liquid S lands, the developer R 'in a thin film state is quickly replaced by the rinse liquid S, and the development is completely stopped. The substituted developer R 'flows to the front and falls from the front end of the substrate. At this time, the region in which the developing solution R 'substituted with the rinse liquid flows has already stopped (a step ahead), and thus is not affected by the progress of the development. As shown in FIG. 12, the developing solution R flows in the region at the rear end side of the substrate while the ridge 120a is interposed therebetween, while the rinse liquid S flows in the region at the front end side of the substrate. The ridge 120a of the transfer line 120 can be passed while maintaining a stable posture due to the weight of the liquid. In addition, when the substrate G passes through the ridge 120a, it can be supplied before and after the top of the substrate, i.e., without mixing other liquids (developing and rinse liquids) on the front and rear ends of the substrate, and can prevent development unevenness. . In other words, when the developer and the rinse liquid are mixed on the substrate G, the liquid concentration is different at each part on the substrate G, so that development unevenness is likely to occur. Moreover, the liquid which differs on a board | substrate efficiently can be collect | recovered to each fan 132,144 separately in the short distance or space, without stopping the conveyance of the board | substrate G.

반송 라인 (120)의 제2의 융기부 (120b)에서도 액이 다른 것만으로 상기 제 1의 융기부(120a)와 같은 작용을 가진다. 무엇보다 상기한 것처럼 제2의 융기부 (120b)를 생략해 이 구간을 수평 일직선의 반주로에서 구성하는 것도 가능하다.The second ridge 120b of the conveying line 120 also has the same action as that of the first ridge 120a only because the liquid is different. As mentioned above, it is also possible to omit the 2nd ridge part 120b, and to comprise this area in the horizontal straight accompaniment.

도 13에 기판 (G)가 반송 라인 (120)의 단차부 (120c, 반송 구간 (M8))를 통과할 때의 액분리의 작용을 모식적으로 나타낸다. 도시와 같이 기판 (G)는 그 가요성을 이용해 전체 길이의 일부에 단차부 (120c)에 모방한 라인 형상의 기판 단차부(Gc)를 형성하고 또한 반송 속도에 동일한 속도로 기판 단차부 (Gc)를 기판의 전단으로부터 후단까지 반송 방향과 반대 방향으로 상대적으로 이동시키면서 반송 라인 (120)의 상향 단차부 (120c, M8)를 통과한다.FIG. 13 schematically illustrates the action of liquid separation when the substrate G passes through the stepped portion 120c (the conveying section M 8 ) of the conveying line 120. As shown in the drawing, the substrate G forms a line-shaped substrate stepped portion Gc that mimics the stepped portion 120c at a part of the entire length using its flexibility, and the substrate stepped portion Gc at the same speed as the conveying speed. ) Is passed through the up-stepped portions 120c and M 8 of the conveying line 120 while moving relative to the conveying direction from the front end to the rear end of the substrate.

이 상향 단차부 (120c, M8)에서는 기판 (G)상에서 사용이 끝난 린스액 (S) 및 린스 노즐 (145)에서 기판 (G)상에 공급된 새로운 린스액 (S)가 중력에 의해 기판 후방에 흘러 기판 (G)의 전단으로부터 후단으로 향하여 거의 반송 속도에 동일한 속도로 린스액 (S)의 액막이 거의 액활성의 상태로부터 박막 (S')의 상태로 변화한다. 기판 (G)가 단차부 (120c, M8)를 넘어 상단의 수평반주로 (M9)에 들어가면 윗쪽의 에어 나이프 (148)에서 나이프 형상의 토출류로 고압 가스류를 반송 방향과 역방향으로 분무되는 것으로 기판 (G)상에 얇은 상태로 남아 있던 린스액 (S')는 전부 기판 후단측에 전해져 기판으로부터 제거된다.In these upwardly stepped portions 120c and M 8 , the used rinse liquid S on the substrate G and the new rinse liquid S supplied on the substrate G from the rinse nozzle 145 are driven by gravity. Flowing backward, the liquid film of the rinse liquid S changes from the state of the liquid activity to the state of the thin film S 'at a speed substantially equal to the conveyance speed from the front end of the substrate G to the rear end. When the substrate G enters the horizontal accommodating passage M 9 above the stepped portions 120c and M 8 , the high-pressure gas flow is sprayed in the opposite direction to the conveying direction by the knife-shaped discharge flow from the upper air knife 148. The rinse liquid S 'remaining in the thin state on the substrate G is transmitted to the rear end side of the substrate and removed from the substrate.

[실시 형태 2] Embodiment 2

다음에 도 14~도 17을 참조해 본 발명을 세정 프로세스부 (24)에 적용한 하나의 실시 형태를 설명한다.Next, with reference to FIGS. 14-17, one Embodiment which applied this invention to the cleaning process part 24 is demonstrated.

도 14에 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 세정 프로세스부 (24)내의 구성을 나타낸다. 이 세정 프로세스부 (24)는 도시와 같이 프로세스 라인 (A)를 따라 수평 방향(X방향)으로 연장하는 평류의 반송 라인 (200)을 설치하고 있고 이 반송 라인 (200)을 따라 엑시머 조사 유니트(e-UV, 41)과 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)를 배치하고 있다. 그리고 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)내에는 상류측으로부터 차례로 반입부 (202)· 스크러빙 세정부 (204)· 프로 세정부 (206) ·린스부 (208) ·건조부 (210) 및 반출부 (212)를 설치하고 있다.The structure in the washing process part 24 which concerns on one Embodiment of this invention in FIG. 14 is shown. This cleaning process part 24 is provided with the conveyance line 200 of the flat stream which extends in a horizontal direction (X direction) along a process line A as shown in figure, and excimer irradiation unit ( e-UV, 41) and a scrubber cleaning unit (SCR) 42 are disposed. In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, the loading part 202, the scrubbing cleaning part 204, the pro cleaning part 206, the rinsing part 208, the drying part 210 and the unloading part (from the upstream side) 212) is installed.

반송 라인 (200)은 기판 (G)를 피처리면이 위를 향한 상향의 자세로 반송하기 위한 회전자 (214)를 반송 방향(X방향)으로 일정 간격으로 부설하여 이루어지고 세정 프로세스부 (24)의 입구에 시점을 갖고 엑시머 조사 유니트(e-UV, 41) 및 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)를 빠져 나가 제1의 열적 처리부 (26, 도 1)에 있어서의 다단 유니트부(TB, 44)내의 패스 유니트(PASS, 50 ; 도 2)로 종단하고 있다. 반송 라인 (200)의 각 회전자 (214)는 예를 들어 전기 모터를 가지는 반송 구동부(도시하지 않음)에 톱니바퀴 기구 또는 벨트 기구 등의 전동 기구를 개입시켜 접속되고 있다.The conveying line 200 is formed by laying a rotor 214 for conveying the substrate G in an upward attitude with the surface to be processed upwards at regular intervals in the conveying direction (X direction), and the cleaning process part 24. A multi-stage unit part (TB, 44) in the first thermal processing part 26 (FIG. 1) exiting the excimer irradiation unit (e-UV) 41 and the scrubber cleaning unit (SCR, 42) with a viewpoint at the entrance. It is terminated with the pass unit PASS 50 (FIG. 2). Each rotor 214 of the conveyance line 200 is connected to the conveyance drive part (not shown) which has an electric motor, for example through a transmission mechanism, such as a gearwheel mechanism or a belt mechanism.

이 반송 라인 (200)도 반송 방향(X방향)에 있어서 시점에서 종점까지 같은 높이 위치에서 계속되고 있는 것이 아니라 도중에서 소정의 지점에 융기부 (200a, 200b)· 상향 단차부 (200c) 및 하향 단차부 (200d)를 가지고 있다. 더욱 상세하게는 반입부 (202)내에 제1의 융기부 (200a)가 설치되고 프로 세정부 (206)내에 제2의 융기부 (200b)가 설치되고 린스부 (208)내에 상향 단차부 (200c)가 설치되고 건조부 (210)과 반출부 (212)의 경계 부근에 하향 단차부 (200d)가 설치되고 있어 그들 기복부 이외의 반송 구간은 수평 일직선의 반송로에 형성되고 있다.This conveying line 200 is also not continued at the same height position from the start point to the end point in the conveying direction (X direction), but the ridges 200a and 200b, the upward stepped portion 200c and the downward direction are set at predetermined points along the way. It has the stepped portion 200d. More specifically, the first ridge 200a is installed in the carrying-in portion 202, the second ridge 200b is installed in the pro-cleaning portion 206, and the upward stepped portion 200c is provided in the rinse portion 208. ) Is provided, and the downward stepped portion 200d is provided near the boundary between the drying section 210 and the carrying out section 212, and a conveyance section other than those undulating portions is formed in a horizontal straight conveying path.

엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41)은 반송 라인 (200)의 윗쪽에 자외선 램프 (216)을 수용한 램프실 (218)을 설치하고 있다. 자외선 램프 (216)은 예를 들어 유전체 배리어 방전 램프로 이루어지고 유기 오염의 세정에 매우 적절한 파장 172 nm의 자외선(자외 엑시머빛)을 바로 아래의 반송 라인 (200)상의 기판 (G)에 석영 유리창 (220)을 통해 조사하도록 되어 있다. 자외선 램프 (216)의 배후 또는 위에는 횡단면 원호 형상의 오목면 반사경 (222)가 설치되고 있다.The excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 is provided with a lamp chamber 218 accommodating an ultraviolet lamp 216 above the conveying line 200. Ultraviolet lamp 216 is made of, for example, a dielectric barrier discharge lamp and a quartz glass window on substrate G on conveying line 200 directly below ultraviolet (ultraviolet excimer) wavelength 172 nm which is very suitable for cleaning organic contamination. Investigation through 220 is made. The concave reflector 222 of a cross-sectional arc shape is provided behind or on the ultraviolet ray lamp 216.

스크러버 세정 유니트(SCR, 42)에 있어서 반입부 (202)의 천정에는 청정한 공기를 다운 플로우로 공급하는 팬·필터·유니트(FFU, 224)가 장착되고 있다. 제1의 융기부 (200a)의 윗쪽에는 특히 노즐 ·에어 나이프 등의 도구는 설치되지 않는다.In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, a fan filter unit (FFU, 224) for supplying clean air in a downflow is mounted on the ceiling of the carrying-in portion 202. In particular, tools such as nozzles and air knives are not provided above the first raised portions 200a.

스크러빙 세정부 (204)내에는 반송로 라인 (200)을 따라 상류측으로부터 차례로 에어 커튼 노즐 (226); 약액 공급노즐 (228) ;롤 브러쉬 (230) 및 세정 스프레이관 (232)가 배치되고 있다. 에어 커튼 노즐 (226)은 바로 아래를 통과하는 기판 (G)의 상면에 대해서 슬릿 형상의 공기류를 반송 방향의 하류 측에 향하여 불어내도록 배치된다. 에어 커튼 노즐 (226)의 바로 아래에는 전체 길이에 걸쳐서 원통형의 샤프트를 가지는 제2 타입의 회전자 (214B)가 배치되고 있다. 약액 공급노즐 (228); 롤 브러쉬 (230) 및 세정 스프레이관 (232)는 반송 라인 (200)을 사이에 두어 그 상하 양측으로 설치하는 것도 가능하다.In the scrubbing cleaning unit 204, the air curtain nozzle 226 in sequence from the upstream side along the conveying path line 200; A chemical liquid supply nozzle 228; a roll brush 230 and a cleaning spray tube 232 are disposed. The air curtain nozzle 226 is arrange | positioned so that a slit-shaped air flow may blow toward the downstream side of a conveyance direction with respect to the upper surface of the board | substrate G which just passes under. Directly below the air curtain nozzle 226 is a second type rotor 214B having a cylindrical shaft over its entire length. Chemical liquid supply nozzle 228; The roll brush 230 and the cleaning spray pipe 232 can also be provided on both the upper and lower sides with the conveying line 200 interposed therebetween.

프로 세정부 (206)내에는 제2의 융기부 (200b)의 상향 경사로의 윗쪽에 프로 세정용 노즐로서 예를 들면 2 유체 제트 노즐 (234)가 설치되고 있다. 린스부 (208)내에는 상향 단차부 (200c)의 윗쪽에 린스 노즐 (236)이 설치되고 있다. 건조부 (210)내에는 수평 반송로의 윗쪽에 에어 나이프 (238)이 설치되고 있다. 또한 린스 노즐 (236) 및 에어 나이프 (238)을 반송 라인 (200)을 사이에 두고 또한 그 상하 양측으로 설치하는 것도 가능하다. 또 프로 세정부 (206)에도 반송 라인 (200) 아래로부터 기판 (G)의 하면(이면)에 대해서 세정용의 린스액을 불어 거는 하부 린스 노즐(도시하지 않음)을 설치할 수가 있다. 반출부 (212)의 천정에도 청정한 공기를 다운 플로우로 공급하는 팬·필터·유니트(FFU, 240)이 장착되고 있다. 하향 단차부 (200d)의 윗쪽에는 특히 노즐, 에어 나이프 등의 도구는 설치되지 않는다.In the pro cleaning section 206, for example, a two-fluid jet nozzle 234 is provided as a pro cleaning nozzle above the upward slope of the second ridge 200b. The rinse nozzle 236 is provided in the rinse part 208 above the upward step part 200c. In the drying part 210, the air knife 238 is provided above the horizontal conveyance path. Moreover, it is also possible to provide the rinse nozzle 236 and the air knife 238 to the upper and lower sides of the conveyance line 200 between them. Moreover, the lower part rinse nozzle (not shown) which blows the rinse liquid for washing | cleaning with respect to the lower surface (lower surface) of the board | substrate G from below the conveyance line 200 can also be provided also in the pro washing | cleaning part 206. FIG. A fan filter unit (FFU, 240) for supplying clean air in the downflow is also mounted to the ceiling of the carrying out portion 212. In particular, tools such as nozzles and air knives are not provided above the downward stepped portion 200d.

서로 인접하는 유니트 또는 처리부 (41,202,204,206,208,210,212)의 사이에는 간이벽 (242, 244, 246, 248 , 250, 252)가 각각 설치되고 있다. 또 액을 취급하는 처리부 (204, 206, 208, 210)내에는 반송 라인 (200) 아래에 떨어진 액을 수집하기 위한 팬 (254, 256, 258, 260)이 각각 설치되고 있다. 각 팬의 바닥에 설치된 배액구에는 회수 계통 또는 배액 계통의 배관이 접속되고 있다. 또 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)의 중심부에 위치하는 프로 세정부 (206)내의 바닥부에는 예를 들어 배기 펌프 또는 배기 팬을 가지는 배기 기구(도시하지 않음)에 통하는 배기구 (262)가 설치되고 있다.Between the units or processing units 41, 202, 204, 206, 208, 210 and 212 adjacent to each other, the simple walls 242, 244, 246, 248, 250 and 252 are provided, respectively. In the processing units 204, 206, 208, and 210 for handling the liquid, fans 254, 256, 258, and 260 for collecting the liquid dropped below the conveying line 200 are respectively provided. Pipes of a recovery system or a drainage system are connected to the drainage port provided at the bottom of each fan. In addition, an exhaust port 262 is provided at the bottom of the pro cleaning unit 206 located at the center of the scrubber cleaning unit (SCR) 42, for example, through an exhaust mechanism (not shown) having an exhaust pump or an exhaust fan. have.

여기서 이 세정 프로세스부 (24)에 있어서의 전체의 동작 및 작용을 설명한다.Here, the whole operation and effect | action in this washing | cleaning process part 24 are demonstrated.

상기와 같이 카셋트 스테이션(C/S,14)측의 반송 기구 (22)에 의해 미처리의 기판 (G)가 반송 라인 (200)상에 반입되어 회전자 반송에 의한 평류로 프로세스 라인 (A)의 하류 측에 향하여 반송되어 온다.As mentioned above, the unprocessed board | substrate G is carried in to the conveyance line 200 by the conveyance mechanism 22 of the cassette station C / S, 14 side, and the process line A of the process line A by the rotor conveyance is carried out. It is conveyed toward the downstream side.

엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41)에서는 램프실 (218)내의 자외선 램프 (216)에서 발해진 자외선이 석영 유리창 (220)을 투과해 반송 라인 (200)상의 기판 (G)에 조사된다. 이 자외선에 의해 기판 표면 부근의 산소가 여기 되어 오존이 생성되어 이 오존에 의해 기판 표면의 유기물이 산화·기화해 제거된다.In the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, ultraviolet rays emitted from the ultraviolet lamp 216 in the lamp chamber 218 pass through the quartz glass window 220 and are irradiated onto the substrate G on the transfer line 200. The ultraviolet rays excite oxygen near the substrate surface to generate ozone, and the ozone oxidizes and vaporizes and removes organic substances on the substrate surface.

이렇게 해 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41)로 자외선 세정 처리를 받은 기판 (G)는 하류측 근처의 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)에 들어가 반입부 (202)내의 제1의 융기부 (200a)를 통과해 스크러빙 세정부 (204)에 보내진다.In this way, the substrate G subjected to the ultraviolet cleaning treatment by the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 enters the scrubber cleaning unit (SCR) 42 near the downstream side, and the first ridge (in the inlet 202) ( It is sent to the scrubbing cleaning part 204 through 200a).

스크러빙 세정부 (204)에 있어서 기판 (G)는 최초로 약액 노즐 (228)에서 예를 들어 산 또는 알칼리계의 약액을 불어 걸 수 있다. 기판 (G)상에 남은 약액은 에어 커튼 노즐 (226)으로부터의 공기류를 받기 때문에 기판 (G)상을 상류 측에 흘러 반입부 (202)측으로 들어가는 경우는 없다. 또 원통 회전자 (214B)는 기판 (G)의 이면옆을 차지하면서 반송함으로써 기판 (G)의 이면을 전하여 액이 반입부 (202)측에 가지 않게 기능한다. 약액을 공급받은 기판 (G)는 직후에 롤 브러쉬 (230) 아래를 마찰하면서 빠져 나간다. 롤 브러쉬 (230)은 도시하지 않는 브러쉬 구동부의 회전 구동력으로 반송 방향과 대항하는 방향으로 회전해 기판 표면의 이물(진애 ·파편· 오염물 등)을 마찰한다. 그 직후에 세정 스프레이관 (232)가 기판 (G)에 세정액 예를 들어 순수한 물을 불어 걸어 기판상에 부유하고 있는 이물을 씻어 흘린다. 스크러빙 세정부 (204)내에서 기판 (G)내지 반송 라인 (200) 아래에 떨어진 액은 팬 (254)에 모아진다.In the scrubbing cleaning unit 204, the substrate G can be blown first with, for example, an acid or an alkali chemical liquid from the chemical liquid nozzle 228. The chemical liquid remaining on the substrate G receives the air flow from the air curtain nozzle 226, so that the substrate G does not flow on the upstream side and enter the carrying-in portion 202. Moreover, the cylindrical rotor 214B conveys the back surface of the board | substrate G by conveying while occupying the back surface side of the board | substrate G, and functions so that liquid may not go to the loading part 202 side. The substrate G supplied with the chemical liquid immediately exits while rubbing under the roll brush 230. The roll brush 230 is rotated in a direction opposite to the conveying direction by the rotational driving force of the brush drive unit (not shown) to rub foreign matter (dust, debris, contaminants, etc.) on the substrate surface. Immediately thereafter, the cleaning spray tube 232 blows the cleaning liquid, for example, pure water, onto the substrate G to wash away the foreign matter suspended on the substrate. The liquid dropped under the substrate G to the conveying line 200 in the scrubbing cleaning unit 204 is collected in the fan 254.

이 후 기판 (G)는 블로우 세정부 (206)에 들어가 제2의 융기부 (200b)에 걸리고 그 상향 경사로를 오를 때에 2 유체 제트 노즐 (234)에 의해 프로 세정을 받는다. 2 유체 제트 노즐 (234)는 제2의 융기부 (200b)의 상향 경사로를 오르는 기판 (G)상에서 그의 막두께가 얇아지고 있는 곳을 노려 가압한 세정액(예를 들어 물)과 가압한 기체(예를 들어 질소)의 혼합 유체를 분사해 기판 (G)의 표면에 부착 또는 잔존하고 있는 이물을 가압 2 유체의 매우 강한 충격력으로 제거한다. 기판 (G)상의 액의 대부분은 융기부 (200b)의 상향 경사로측에서 아래쪽(상류측)에 날려 버려져 팬 (256)에 모아진다. 기판 (G)상에서 융기부 (200b)의 융기부측 즉 린스부 (208)에 갖고 오게 되는 액은 대부분 없다.Subsequently, the substrate G enters the blow cleaning unit 206 and is caught by the second ridge 200b and is pro-cleaned by the two-fluid jet nozzle 234 when climbing the upward slope thereof. The two-fluid jet nozzle 234 pressurizes the cleaning liquid (for example, water) and the pressurized gas aimed at a place where the film thickness thereof becomes thinner on the substrate G on the upward slope of the second ridge 200b. For example, a mixed fluid of nitrogen is sprayed to remove foreign substances adhering or remaining on the surface of the substrate G with a very strong impact force of the pressurized 2 fluid. Most of the liquid on the substrate G is blown from the uphill side of the ridge 200b to the lower side (upstream side) and collected in the fan 256. Most of the liquid brought to the ridge portion ie the rinse portion 208 of the ridge portion 200b on the substrate G is large.

린스부 (208)에서는 상향 단차부 (200c)를 오르는 기판 (G)를 향해 린스 노즐 (236)이 최종 세정용의 린스액을 공급한다. 기판 (G)상에 공급된 린스액은 기판 후단측에 향하여 기판상을 흘러 그 대부분이 린스부 (208)내의 팬 (258)에 떨어진다. 이와 같이 상향 단차부 (200c)를 오르는 경사 자세의 기판 (G)에 린스액을 불어 걸어 린스 처리를 실시하는 방식은 수평 자세의 기판에 대해서 린스액을 불어 거는 종래 방식과 비교하여 기판상의 액의 흐름이나 치환 효율이 좋고 린스액의 사용량을 큰폭으로 저감 할 수 있다.In the rinse portion 208, the rinse nozzle 236 supplies the rinse liquid for the final cleaning toward the substrate G that climbs the upward stepped portion 200c. The rinse liquid supplied onto the substrate G flows onto the substrate toward the rear end side of the substrate, and most of it falls on the fan 258 in the rinse portion 208. In this way, the rinse treatment is performed by blowing the rinse liquid onto the substrate G in an inclined posture rising up the stepped portion 200c, as compared with the conventional method of blowing the rinse liquid against the substrate in the horizontal posture. The flow and replacement efficiency are good, and the amount of rinse liquid used can be greatly reduced.

기판 (G)가 상향 단차부 (200c)를 다 올라 수평반주로의 구간에 들어가면에어 나이프 (238)이 기다리고 있고 기판 (G)에 대해서 반송 방향과 역방향에 고압 가스류를 맞힌다. 이것에 의해 기판 (G)상이 남아 있거나 린스액이 기판 후방에 몰려 기판 후단으로부터 몰아내진다(액 분리된다).When the board | substrate G climbs up the upward step part 200c and enters the section of a horizontal accompaniment path, the air knife 238 will await and high pressure gas flow will be matched with the board | substrate G in the conveyance direction and a reverse direction. Thereby, the board | substrate G phase remains or a rinse liquid collects in the back of a board | substrate, and it is driven out from a rear end of a board | substrate (liquid separation).

반입부 (202) 천정의 팬·필터·유니트(FFU, 224)로부터 다운 플로우로 공급되는 청정 공기는 상기 간이벽 (244, 246)의 통로(기판 통로)를 지나 프로 세정부 (206)의 실내에 유입해 그 때에 스크러빙 세정부 (204)내에서 발생하는 약액 등의 미스트도 프로 세정부 (206)내에 옮겨 온다. 한편 반출부 (212) 천정의 팬·필터·유니트(FFU, 240)으로부터 다운 플로우로 공급되는 청정 공기 는상기 간이벽 (252,250, 248)의 통로(기판 통로)를 지나 프로 세정부 (206)의 실내에 유입해 그 때에 건조실 (210) 린스부 (208)내에서 발생하는 린스액 등의 미스트도 프로 세정부 (206)내에 옮겨 온다. 이렇게 해 반입부 (202)측에서 흘러 온 미스트 섞인 공기와 반출부 (212)측에서 흘러 온 미스트 섞인 공기는 블로우 세정부 (206)내에서 발생하는 미스트도 말려들게 해 좌우로부터 합류해 바닥부의 배기구 (262)로부터 배출된다. 따라서 블로우 세정부 (206)내에서 발생하는 미스트가 옆실 특히 린스부 (208)에는 들어가는 경우가 없다.The clean air supplied in the downflow from the fan filter unit (FFU, 224) in the ceiling of the carry-on part 202 passes through the passages (substrate passages) of the simple walls 244 and 246, and the interior of the pro-cleaning part 206 is provided. The mist, such as a chemical liquid generated in the scrubbing cleaning unit 204 at that time, is also transferred into the pro cleaning unit 206. On the other hand, the clean air supplied in the downflow from the fan filter unit (FFU, 240) of the discharge part 212 ceiling passes through the passage (substrate passage) of the said simple walls 252, 250 and 248 of the pro-cleaning part 206. Mist, such as a rinse liquid, which flows into the room and is generated in the rinse section 208 of the drying chamber 210 at that time, is also transferred into the pro cleaning section 206. In this way, the mist mixed air which flowed from the inlet part 202 side and the mist mixed air which flowed in the outlet part 212 side also take in the mist which generate | occur | produces in the blow washing part 206, joins from right and left, and the exhaust vent of the bottom part is carried out. Discharged from 262. Therefore, mist which generate | occur | produces in the blow washing part 206 does not enter a side chamber especially the rinse part 208.

상기와 같이 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)에 있어서는 평류의 반송 라인 (200)의 도중에 융기부 (200b) 및 상향 단차부 (200c)를 설치하고 또한 그러한 윗쪽 또는 그 부근에 블로우 세정용 노즐이나 린스 노즐 등의 도구를 배치하는 구성에 의해 기판 (G)상의 액처리에 관해서 상기한 제1의 실시 형태와 관련되는 현상 유니트(DEV, 32)와 같은 작용 효과를 얻을 수 있다.As described above, in the scrubber cleaning unit (SCR) 42, a ridge portion 200b and an upward step portion 200c are provided in the middle of the conveyance line 200 of the flat stream, and a blow cleaning nozzle or rinse above or in the vicinity thereof. By the arrangement | positioning of tools, such as a nozzle, the effect similar to the developing unit DEV 32 which concerns on 1st Embodiment mentioned above regarding the liquid process on the board | substrate G can be acquired.

또한 이 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)는 그 입구 또는 반입부 (202)내에 융기부 (200a)를 설치해 그 출구 또는 반출부 (212)내에 하향 단차부 (200d)를 설치하고 있다.In addition, the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is provided with a ridge 200a in its inlet or carrying-in portion 202 and a downward step 200d in its outlet or carrying-out portion 212.

도 15~도 17에 대해 반입부 (202)내에 설치되는 융기부 (200a)의 작용을 설명한다. 또한 에어 커튼 노즐 (226)을 생략하고 있다.15-17, the effect | action of the ridge 200a provided in the carrying-in part 202 is demonstrated. In addition, the air curtain nozzle 226 is abbreviate | omitted.

스크러버 세정 유니트(SCR, 42)내의 약액 공급노즐 (228)에서 기판 (G)상에 적하된 약는 융기부 (200a)의 벽에 의해 도 15 및 도 16에 나타나는 바와 같이 상류측으로 퍼짐(특히 쇄선 270으로 나타나는 바와 같은 기판 중앙부에서의 퍼짐)을저지시킨다.The medicine dropped on the substrate G in the chemical liquid supply nozzle 228 in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is spread upstream by the wall of the ridge 200a as shown in FIGS. 15 and 16 (in particular, the dashed line 270). Spreading in the center portion of the substrate as shown in FIG.

또 시스템의 가동중에 돌연 알람이 발생해 반송 라인 (200)이 멈추면 반송 라인 (200)상을 이동하고 있던 각 기판 (G)는 액처리 도중의 각 위치로 정지하게 된다. 이 때 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41)과 스크러버 세정 유니트(SCR, 42) 에 걸쳐 기판 (G)가 정지했다고 해도 도 17에 나타나는 바와 같이 기판 (G)상의 약액 (K)는 역시 융기부 (200a)의 벽에 의해 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41)로의 침입을 저지시킨다(막아 멈추게 한다).In addition, when a sudden alarm occurs during operation of the system and the conveying line 200 stops, the respective substrates G moving on the conveying line 200 are stopped at respective positions during the liquid treatment. At this time, even if the substrate G is stopped across the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 and the scrubber cleaning unit (SCR) 42, the chemical liquid K on the substrate G is still melted as shown in FIG. Intrusion into the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 by the wall of the base 200a is prevented (blocked).

엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41)내에 약액 그 외의 액체가 들어가면 석영 유리창 (220)이나 자외선 램프 (216)등의 열화나 고장의 원인이 된다. 거기서 종래는 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41)과 약액 공급노즐 (228)의 사이에 기판 1매 분의 공간적인 떨어짐 또는 완충 영역을 설치하고 있었다. 이 실시 형태에 의하면 상기와 같은 상향 경사로 (200a)의 막아 멈춤 기능에 의해 그러한 큰 스페이스의 완충 영역을 생략하는 것이 가능하고 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)측의 최상류에 배치하는 약액 공급 노즐 (228)을 가급적으로 엑시머 UV조사 유니트(e-UV, 41)에 접근해 배치할 수가 있다. 또한 이 융기부 (200a)를 하향 단차부에서 대용하는 것도 가능하다.If chemical liquids or other liquids enter the excimer UV irradiation unit (e-UV, 41), it may cause deterioration or failure of the quartz glass window 220 or the ultraviolet lamp 216. There has conventionally been provided a space dropping or buffering area for one substrate between the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 and the chemical liquid supply nozzle 228. According to this embodiment, it is possible to omit such a large space buffer area by the above-mentioned stop function of the upward slope 200a, and the chemical | medical solution supply nozzle 228 arrange | positioned at the uppermost side of the scrubber cleaning unit (SCR) 42 side. ) Can be placed close to the excimer UV irradiation unit (e-UV, 41). It is also possible to substitute the ridge 200a in the downward stepped portion.

반출부 (212)내의 하향 단차부 (200d)는 반송 라인 (200)의 시점과 종점을 같은 높이 위치에 맞추기 위한 것이다. 상기와 같이 반입부 (202)내에 하향 단차부를 설치하는 경우는 반출부 (212)내에 하향 단차부 (200d)는 불필요해진다.The downward stepped portion 200d in the carrying out portion 212 is for fitting the start point and the end point of the transfer line 200 to the same height position. When the downward stepped portion is provided in the carry-in portion 202 as described above, the downward stepped portion 200d is unnecessary in the carry-out portion 212.

이상 본 발명의 매우 적절한 실시 형태에 대해서 설명했지만 본 발명은 상기의 실시 형태로 한정되는 것은 아니고 그 기술적 사상의 범위내에서 여러 가지의 변형 또는 변경이 가능하다. 예를 들어 상기 현상 프로세스부 (32)의 반송 라인 (120) 혹은 세정 프로세스부 (24)의 반송 라인 (200)에 있어서 상기와 같은 융기부나 단차부를 임의의 순서 및 임의의 지점에 설치하는 것이 가능하다. 예를 들어 상기 현상 프로세스부 (32)의 반송 라인 (120)에 있어서도 현상부 (122)의 입구 부근에 융기부 또는 하향 단차부를 설치하는 것이 가능하다. 이것에 의해 현상 노즐 (130)에서 기판 (G)상에 공급된 현상액이 상류측 근처의 다른 유니트로 미치지 않게 하거나 반송 라인 (120)의 시점의 높이 위치를 종점의 높이 위치에 맞출 수가 있다. 또 스크러버 세정 유니트(SCR, 42)에 설치한 에어 커튼 노즐 (226) 및 원통 회전자 (214B)의 구성 또는 기능을 현상 유니트(DEV, 94)에 적용하는 것도 가능하다. 상기 실시 형태의 반송 라인 (120)(200)에 있어서의 기판 (G)의 상향 자세는 수평 자세 또는 전후 방향(X방향)의 경사 자세였지만 좌우 방향(Y방향) 그 외의 방향으로 경사 자세를 취하는 것도 가능하다.As mentioned above, although very suitable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said embodiment, A various deformation | transformation or a change is possible within the range of the technical idea. For example, in the conveyance line 120 of the said image development process part 32 or the conveyance line 200 of the washing | cleaning process part 24, it is possible to provide such a ridge | bulb part and a step part in arbitrary order and arbitrary points. Do. For example, also in the conveyance line 120 of the said image development process part 32, it is possible to provide a ridge | bulb part or a downward step part in the vicinity of the entrance of the developing part 122. FIG. Thereby, the developing solution supplied from the developing nozzle 130 to the board | substrate G may not reach another unit near the upstream, or the height position of the start point of the conveyance line 120 can be matched with the height position of an end point. Moreover, it is also possible to apply the structure or function of the air curtain nozzle 226 and the cylindrical rotor 214B provided in the scrubber washing | cleaning unit SCR, 42 to the developing unit DEV, 94. FIG. The upward attitude of the substrate G in the conveyance lines 120 and 200 of the above embodiment was a horizontal posture or an inclined posture in the front-rear direction (X direction), but the inclined posture in other directions in the left-right direction (Y direction). It is also possible.

상기한 실시 형태는 현상 처리 장치 및 세정 처리 장치와 관련되는 것이었지만 본 발명은 1 종류 또는 복수 종류의 처리액을 이용해 기판에 원하는 처리를 가하는 임의의 처리 장치에 적용 가능하다. 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정하는 것은 아니고 플랫 패널 디스플레이용의 각종 기판이나 반도체 웨이퍼 ·CD기판· 유리 기판· 포토마스크· 프린트 기판 등도 가능하다.Although the above embodiment relates to the developing processing apparatus and the cleaning processing apparatus, the present invention can be applied to any processing apparatus for applying a desired treatment to a substrate using one or more kinds of processing liquids. The substrate to be treated in the present invention is not limited to an LCD substrate, and various substrates for flat panel displays, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like can also be used.

본 발명의 기판 처리 장치에 의하면 상기와 같은 구성 및 작용에 의해 평류의 반송 라인상에서 피처리 기판에 공급한 제1의 처리액을 분별 회수해 제2의 처리액에 치환하는 동작을 효율적으로 유연하게 실시할 수가 있다. 또 제1의 처리액을 소정의 처리 시간 경과후에 분별 회수해 제2의 처리액에 치환하는 동작을 효율적으로 면내 균일하게 실시할 수도 있다. 또 평류의 반송 라인상에서 피처리 기판을 반송하면서 기판상에 일련의 처리를 차례로 실시함에 즈음하여 각 처리간의 연속성내지 수율의 향상과 상호 간섭의 방지를 동시에 실현시키는 것도 가능하다.According to the substrate processing apparatus of the present invention, the above-described configuration and operation efficiently and flexibly collect and recover the first processing liquid supplied to the processing target substrate on the conveying line in the flat stream and replace the second processing liquid with the second processing liquid. You can do it. Moreover, the operation | movement which separates a 1st process liquid after a predetermined process time and substitutes it for a 2nd process liquid can also be performed efficiently uniformly in surface inside. In addition, it is also possible to simultaneously realize the improvement of the continuity and the yield and the prevention of mutual interference between the processings by sequentially performing a series of processings on the substrates while transferring the substrates to be processed on the conveyance line of the flat stream.

도 1은 본 발명의 적용 가능한 도포 현상 처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the structure of the application | coating development process system applicable of this invention.

도 2는 상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 열적 처리부의 구성을 나타내는 측면도이다. It is a side view which shows the structure of the thermal processing part in the said coating and developing process system.

도 3은 상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리 순서를 나타내는 플로차트이다. 3 is a flowchart showing a processing procedure in the coating and developing processing system.

도 4는 실시 형태에 있어서의 현상 유니트내의 전체 구성을 나타내는 정면도이다.4 is a front view showing the overall configuration of the developing unit in the embodiment.

도 5는 실시 형태에 있어서의 반송 라인의 구성을 나타내는 평면도이다.5 is a plan view illustrating a configuration of a conveying line in the embodiment.

도 6은 실시 형태에 있어서의 반송 라인의 구동부의 구성을 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows the structure of the drive part of the conveyance line in embodiment.

도 7은 실시 형태의 반송 라인에 있어서 기판상으로부터 액이 떨어질 때의 하나의 실시예의 작용을 나타내는 도이다.It is a figure which shows the effect | action of one Example at the time of liquid dripping from the board | substrate in the conveyance line of embodiment.

도 8은 실시 형태에 있어서 기판상으로부터 액이 떨어지는 것을 촉진하기 위한 하나의 실시예를 나타내는 도이다.FIG. 8 is a diagram showing one example for facilitating dripping of liquid from a substrate on the embodiment. FIG.

도 9는 실시 형태에 있어서의 반송 라인의 상향 경사로에 적용 가능한 하나의 실시예를 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows one Example applicable to the upward slope of a conveyance line in embodiment.

도 10은 실시 형태에 있어서의 반송 라인의 상향 경사로에 적용 가능한 하나의 실시예를 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows one Example applicable to the upward slope of a conveyance line in embodiment.

도 11은 실시 형태에 있어서의 반송 라인의 상향 경사로에 적용 가능한 하나의 실시예를 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows one Example applicable to the upward slope of a conveyance line in embodiment.

도 12는 실시 형태에 있어서 반송 라인의 융기부 부근에서 행해지는 액처리의 작용을 나타내는 도이다.It is a figure which shows the effect | action of the liquid process performed in the vicinity of the ridge | bulb part of a conveyance line in embodiment.

도 13은 실시 형태에 있어서 반송 라인의 상향 단차부 부근에서 행해지는 액처리 내지 건조 처리의 작용을 나타내는 도이다.It is a figure which shows the effect | action of the liquid process-drying process performed in the vicinity of the upward step part of a conveyance line in embodiment.

도 14는 실시 형태에 있어서의 세정 프로세스부내의 전체 구성을 나타내는 정면도이다.It is a front view which shows the whole structure in the washing process part in embodiment.

도 15는 도 14의 실시 형태에 있어서 하향 단차부의 하나의 작용을 나타내는 부분 측면도이다. FIG. 15 is a partial side view illustrating one operation of the downward stepped portion in the embodiment of FIG. 14.

도 16은 도 14의 실시 형태에 있어서 하향 단차부의 하나의 작용을 나타내는 평면도이다.FIG. 16 is a plan view illustrating one operation of the downward stepped portions in the embodiment of FIG. 14. FIG.

도 17은 도 14의 실시 형태에 있어서 하향 단차부의 하나의 작용을 나타내는 부분 측면도이다. It is a partial side view which shows one effect | action of the downward step part in embodiment of FIG.

**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**** Description of reference numerals indicating major parts **

10 도포 현상 처리 시스템 10 coating and developing treatment system

24 세정 프로세스부24 Cleaning Process Section

32 현상 프로세스부32 development process part

41 자외선 조사 유니트(e-UV) 41 UV irradiation unit (e-UV)

42 스크러버 세정 유니트(SCR) 42 Scrubber Cleaning Unit (SCR)

94 현상 유니트(DEV)94 Development Unit (DEV)

120 반송 라인120 conveying lines

120a·120b 상향 단차부120a · 120b upward step

120c 단차부120c step

122 현상부 122 Development Department

124 린스부124 Rinse

126 건조부 126 Drying Unit

128 회전자128 rotor

130 현상액 공급 노즐(현상 노즐) 130 Developer nozzle (developing nozzle)

136 현상액 재이용 기구136 Developer reuse tool

138 ; 140; 142 린스액 공급 노즐(린스 노즐) 138; 140; 142 Rinse solution supply nozzle (rinse nozzle)

145 린스액 공급 노즐(린스 노즐)145 Rinse solution supply nozzle (rinse nozzle)

148 롤 브러쉬148 roll brush

152 ; 154 간이벽152; 154 simple wall

182 타이밍 벨트 182 timing belt

186 가스 노즐186 gas nozzle

188 띠형상 무단 벨트 188 Band Shaped Endless Belt

190 롤러190 rollers

192 롤 브러쉬 192 roll brush

200 반송 라인 200 bounce lines

200a ; 200b 융기부 200a; 200b ridge

200c 상승 단차부200c lift step

200d 하향 단차부200d downward step

224 팬·필터·유니트 224 Fan Filter Unit

226 에어 커텐 노즐226 air curtain nozzle

228 약액 공급 노즐228 chemical supply nozzle

230 롤 브러쉬230 roll brush

232 프로 세정 노즐 232 pro cleaning nozzle

234 에어나이프 2류체 제트노즐234 Air Knife Airflow Jet Nozzle

236 린스액 공급 노즐(린스 노즐) 236 Rinse solution supply nozzle (rinse nozzle)

238 롤 브러쉬238 roll brush

Claims (20)

피처리 기판을 피처리면을 위로 향한 상향의 자세로 반송하기 위한 반송체를 수평인 소정의 반송 방향으로 부설하여 이루어지고, 상기 반송 방향에 있어서 실질적으로 수평인 반송로를 가지는 제1의 반송 구간과, 상기 제1의 반송 구간에 이어지는 상향 경사의 반송로를 가지는 제2의 반송 구간과, 상기 제2의 반송 구간에 이어지는 하향 경사의 반송로를 가지는 제3의 반송 구간과, 상기 제3의 반송 구간에 이어지는 실질적으로 수평인 반송로를 가지는 제4의 반송 구간을 포함한 평류의 반송 라인과,A first conveying section which is formed by laying a conveying body for conveying the substrate to be processed in an upward attitude with the surface to be processed upward in a predetermined horizontal conveying direction and having a conveying path substantially horizontal in the conveying direction; A second conveyance section having a conveyance path of an upward slope following the first conveyance section, a third conveyance section having a conveyance path of a downward inclination following the second conveyance section, and the third conveyance A flat stream conveying line including a fourth conveying section having a substantially horizontal conveying path following the section, 상기 반송 라인상에서 상기 기판을 반송하기 위해서 상기 반송체를 구동하는 반송 구동부와,A conveying drive unit which drives the conveying body in order to convey the substrate on the conveying line; 상기 제 1 또는 제2의 반송 구간내에서 상기 기판상에 제1의 처리액을 공급하는 제1의 처리액 공급부와,A first processing liquid supply unit for supplying a first processing liquid onto the substrate in the first or second conveying section; 상기 제3의 반송 구간내에서 상기 기판상에 제2의 처리액을 공급하는 제2의 처리액 공급부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a second processing liquid supply unit for supplying a second processing liquid onto the substrate within the third conveying section. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 반송 방향에 있어서 상기 제2의 반송 구간의 길이는 상기 기판의 사이즈보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The length of the said 2nd conveyance section in the said conveyance direction is shorter than the size of the said board | substrate, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 반송 방향에 있어서 상기 제2의 반송 구간과 상기 제3의 반송 구간을 서로 더한 구간의 길이는 상기 기판의 사이즈보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the length of the section obtained by adding the second conveyance section and the third conveyance section to each other is shorter than the size of the substrate. 청구항 1 내지 3중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 반송 방향에 있어서 상기 제2의 반송 구간의 종단부와 상기 제3의 반송 구간의 시작 단부의 사이에 실질적으로 수평인 반송로가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned conveyance path being formed substantially horizontally between the terminal part of the said 2nd conveyance section, and the start end of the said 3rd conveyance section. 청구항 1 내지 3 중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제2의 반송 구간내에서 상기 반송 라인의 반송로에서 윗쪽으로 분리되는 상기 기판의 부위를 소정의 높이 위치에서 억제하는 기판 억제부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.It has a board | substrate suppression part which suppresses the site | part of the said board | substrate which isolate | separates upwards from the conveyance path of the said conveyance line in a predetermined height position in a said 2nd conveyance section. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 기판 억제부가 상기 기판의 좌우 양주변부에 접하는 회전 가능한 한 쌍의 롤러를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the substrate suppressing portion has a pair of rotatable rollers in contact with the left and right peripheral portions of the substrate. 청구항 1 내지 3중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제1의 처리액 공급부보다도 하류측의 상기 제2의 반송 구간내의 소정 위치에서 상기 기판상에 액분리 용의 가스를 불어내는 제1의 에어 나이프를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a first air knife which blows gas for liquid separation onto the substrate at a predetermined position in the second conveyance section downstream from the first processing liquid supply part. 청구항 1 내지 3중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제1의 처리액 공급부보다 하류측의 상기 제 1 또는 제2의 반송 구간내의 소정 위치에서 상기 기판의 후단으로부터 상기 제1의 처리액이 흘러 떨어지는 것을 촉발하기 위한 액분리 촉발부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a liquid separation trigger for triggering the flow of the first processing liquid from the rear end of the substrate at a predetermined position in the first or second conveying section downstream from the first processing liquid supplying portion. Substrate processing apparatus. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 액분리 촉발부가 상기 반송로상에 상기 반송체로서 배치되는 외경이 일정한 원주 형상 또는 원통형의 회전자에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned liquid separation triggering part being comprised by the circumferential shape or cylindrical rotor of which the outer diameter arrange | positioned as the said conveyance body on the said conveyance path is constant. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 액분리 촉발부가 상기 기판의 후단부에 윗쪽으로부터 상기 반송 방향과 역방향으로 가스류를 맞히는 가스 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the gas separation triggering portion includes a gas nozzle that engages a gas flow in a reverse direction to the conveyance direction from above on a rear end portion of the substrate. 청구항 1 내지 3중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제1의 처리액 공급부가 상기 제1의 반송 구간내의 소정 위치에서 상기 기판을 향해 상기 제1의 처리액을 토출하는 처리액 공급 노즐을 갖고,The first processing liquid supply unit has a processing liquid supply nozzle for discharging the first processing liquid toward the substrate at a predetermined position in the first transport section, 상기 반송 구동부가 상기 제1 및 제2의 반송 구간을 통해서 상기 기판을 일정한 속도로 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The said conveyance drive part conveys the said board | substrate at a constant speed through the said 1st and 2nd conveyance section, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 1내지 3중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제1 및 제2의 반송 구간에서 상기 반송로 아래에 떨어진 액을 수집하기위한 제1의 집액부와, 상기 제3 및 제4의 반송 구간에서 상기 반송로 아래에 떨어진 액을 수집하기 위한 제2의 집액부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A first collecting part for collecting the liquid dropped below the conveying path in the first and second conveying sections, and a material for collecting the liquid dropped below the conveying path in the third and fourth conveying sections. It has a liquid collection part of 2, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 1 내지 3중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제2의 반송 구간과 상기 제3의 반송 구간의 경계 부근에 상기 반송 라인을 따른 주위의 공간을 상류측과 하류측으로 구분하기 위한 제1의 간이벽을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a first simple wall for dividing the space around the conveying line into an upstream side and a downstream side near a boundary between the second conveyance section and the third conveyance section. 청구항 1 내지 3중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 반송 라인이 상기 제4의 반송 구간에 이어지는 상승 경사의 반송로를 가지는 제5의 반송 구간과, 상기 제5의 반송 구간에 이어지는 실질적으로 수평인 반송로를 가지는 제6의 반송 구간을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The conveying line includes a fifth conveying section having a conveyance path of an inclined slope following the fourth conveying section, and a sixth conveying section having a substantially horizontal conveying path following the fifth conveying section. Substrate processing apparatus, characterized in that. 청구항 14에 있어서,The method according to claim 14, 상기 반송 방향에 있어서 상기 제5의 반송 구간의 길이는 상기 기판의 사이즈보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The length of the said 5th conveyance section in the said conveyance direction is shorter than the size of the said board | substrate, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 14에 있어서,The method according to claim 14, 상기 제 5 또는 제6의 반송 구간내에서 상기 기판상으로부터의 상기 처리액의 액분리를 원조하기 위해서 상기 반송 방향과 역방향으로 상기 기판상에 가스를 불어내는 제2의 에어 나이프를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a second air knife which blows gas onto the substrate in the opposite direction to the conveying direction to assist liquid separation of the processing liquid from the substrate within the fifth or sixth conveying section. Substrate processing apparatus. 청구항 14에 있어서,The method according to claim 14, 상기 제5의 반송 구간과 상기 제6의 반송 구간의 경계 부근에 상기 반송 라인을 따른 주위의 공간을 상류측과 하류측으로 구분하기 위한 제2의 간이벽을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a second simple wall for dividing the space around the conveying line into an upstream side and a downstream side near a boundary between the fifth conveyance section and the sixth conveyance section. 청구항 1 내지 3중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 반송 라인이 상기 제1의 반송 구간보다 상류측에서 상기 제1의 반송 구간보다 높은 위치에서 실질적으로 수평인 반송로를 가지는 제7의 반송 구간과, 상기 제7의 반송 구간과 상기 제1의 반송 구간의 사이에 하향 경사의 반송로를 가지는 제8의 반송 구간을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A seventh conveying section having a conveying path substantially horizontal at a position higher than the first conveying section on an upstream side of the first conveying section, the seventh conveying section and the first And an eighth conveyance section having a conveyance path with a downward slope between the conveyance sections. 청구항 18에 있어서,The method according to claim 18, 상기 반송 방향에 있어서 상기 제8의 반송 구간의 길이는 상기 기판의 사이즈보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The length of said 8th conveyance section in the said conveyance direction is shorter than the size of the said board | substrate, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 18에 있어서,The method according to claim 18, 상기 제8의 반송 구간과 상기 제1의 반송 구간과의 경계 부근에 상기 반송 라인을 따른 주위의 공간을 상류측과 하류측으로 구분하기 위한 제3의 간이벽을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a third simple wall for dividing the space around the conveying line into an upstream side and a downstream side near a boundary between the eighth conveyance section and the first conveyance section.
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