JP2007005695A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2007005695A
JP2007005695A JP2005186521A JP2005186521A JP2007005695A JP 2007005695 A JP2007005695 A JP 2007005695A JP 2005186521 A JP2005186521 A JP 2005186521A JP 2005186521 A JP2005186521 A JP 2005186521A JP 2007005695 A JP2007005695 A JP 2007005695A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
transport
section
liquid
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005186521A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4523498B2 (en
Inventor
Yoji Komiya
洋司 小宮
Norihiko Nishimura
徳彦 西村
Shunichi Yahiro
俊一 八尋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2005186521A priority Critical patent/JP4523498B2/en
Priority to TW095123001A priority patent/TWI307932B/en
Priority to KR1020060058238A priority patent/KR101194975B1/en
Priority to CN2006100942484A priority patent/CN1892423B/en
Publication of JP2007005695A publication Critical patent/JP2007005695A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4523498B2 publication Critical patent/JP4523498B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently and smoothly carry out an operation as to separate and recover first treatment liquid which is supplied to a processed substrate on a conveyance line of a flush level, and as to substitute second treatment liquid for the first treatment liquid. <P>SOLUTION: A substrate G forms a substrate bump G<SB>a</SB>of a protrusion imitated to a bump 120a of a conveyance line 120 at a part of a substrate full length by a flexibility thereof, and passes by the bump 120a while relatively moving the substrate bump G<SB>a</SB>from a front end to a back end of the substrate G at a speed equal to a conveyance speed in the opposite direction to a conveyance direction. In an upward slope way M<SB>2</SB>, developer R flows to the backward of the substrate G by a gravity on the substrate G, and the liquid membrane of the developer R changes from a status of a liquid pile to a status of a thin film R' at a speed almost equal to the conveyance speed from the front end to the back end of the substrate G. When the substrate G moves to a downward slope way M<SB>3</SB>; rinse liquid S is supplied from an upper rinse nozzle 138 by a belt-like discharge flow, the developer R in the thin film status is replaced by the rinse liquid S near a line where the rinse liquid S on the substrate G touches liquid, and consequently a development is completely stopped. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、被処理基板上に処理液を供給して所定の処理を行う基板処理技術に係り、特に基板を平流し方式で水平方向に搬送しながら液処理を行う基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing technique for supplying a processing liquid onto a substrate to be processed and performing a predetermined processing, and more particularly to a substrate processing apparatus for performing a liquid processing while transporting a substrate in a horizontal direction by a flat flow method.

最近、LCD(液晶表示ディスプレイ)製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、LCD用基板(たとえばガラス基板)の大型化に有利に対応できる現像方式として、コロを水平方向に敷設した搬送路上で基板を搬送しながら搬送中に現像、リンス、乾燥等の一連の現像処理工程を行うようにした、いわゆる平流し方式が普及している。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、大型基板の取扱いが簡単であり、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。   Recently, resist coating and development processing systems in LCD (liquid crystal display) manufacturing have been developed as a development method that can advantageously cope with the increase in size of LCD substrates (for example, glass substrates). On the other hand, a so-called flat-flow method is widely used in which a series of development processing steps such as development, rinsing, and drying are performed during conveyance. Such a flat flow method has advantages such as easier handling of a large substrate and less occurrence of mist or reattachment to the substrate, compared to a spinner method that rotates the substrate.

平流し方式を採用する従来の現像処理装置は、現像液の分別回収率を高めるために、たとえば特許文献1で開示されるように、平流しの搬送路において現像液供給部の下流側に基板を搬送方向で傾ける基板傾斜機構を設置し、現像液供給部で水平な基板上に現像液を盛ってそのまま平流しで基板を搬送路の下流側へ搬送し、所定時間後に搬送路上の所定位置で基板傾斜機構が基板を前向きまたは後向きに傾斜させて基板上の現像液を重力で落とし、下に落ちた現像液を現像液回収用のパンで受け集めるようにしている。そして、基板傾斜機構が上記のような傾斜姿勢による液切りを一定時間内に済ませて基板を水平姿勢に戻すと、次に基板は下流側のリンス部へ平流しで送られ、そこでリンスノズルが水平姿勢の基板上にリンス液を噴き掛けることにより、基板上で現像液からリンス液への置換(現像停止)が行われる。このリンス部で基板から落ちた液はリンス液回収用のパンに受け集められる。そして、リンス処理の済んだ基板が下流側の乾燥部を平流しで通過する間に、エアナイフが水平姿勢の基板に搬送方向と逆向きで高圧のエア流を当てて液切りすることにより、基板表面が乾くようになっている。
特開2003−7582号公報
In order to increase the separation recovery rate of the developing solution, the conventional developing processing apparatus adopting the flat flowing method has a substrate on the downstream side of the developing solution supply section in the flat conveying path as disclosed in Patent Document 1, for example. The substrate tilting mechanism is installed to tilt the substrate in the transport direction, and the developer is supplied on the horizontal substrate by the developer supply unit, and the substrate is flown as it is to the downstream side of the transport path, and a predetermined position on the transport path after a predetermined time. Then, the substrate tilting mechanism tilts the substrate forward or backward, drops the developer on the substrate by gravity, and collects the developer that has dropped down on the pan for collecting the developer. When the substrate tilting mechanism finishes draining the liquid in the tilted posture as described above within a predetermined time and returns the substrate to the horizontal posture, the substrate is then sent to the downstream rinse section in a flat flow, where the rinse nozzle is By spraying the rinsing liquid onto the horizontal substrate, the replacement of the developing solution with the rinsing liquid is performed on the substrate (development is stopped). The liquid that has fallen from the substrate in the rinse section is collected in a rinse liquid collecting pan. Then, while the rinsed substrate passes through the downstream drying section in a flat flow, the air knife applies a high-pressure air flow to the horizontal substrate in a direction opposite to the conveying direction to drain the substrate. The surface is dry.
JP 2003-7582 A

しかしながら、上記のような従来の現像処理装置においては、現像液を盛られた基板を搬送路上で停止させて水平状態から傾斜状態に姿勢変換し、傾斜姿勢で液切りを行った後に再び水平姿勢に戻して平流しの搬送を再開するという機構および一連の動作が結構煩雑で非効率であるという一面があった。さらに、現像液の液切りを開始してから下流側のリンス部で液置換つまり現像停止用のリンス処理を開始するまでの時間遅れが長いために、リンス処理を実行する前に基板の前端側から被処理面が乾いてしまって斑のしみが発生するという現像処理品質の低下も懸念されている。   However, in the conventional development processing apparatus as described above, the substrate on which the developer is stacked is stopped on the conveyance path, the posture is changed from the horizontal state to the inclined state, and after the liquid is removed in the inclined posture, the horizontal posture is again obtained. There was one aspect that the mechanism and a series of operations of returning to the normal flow and restarting the flow of the flat flow are quite complicated and inefficient. Furthermore, since there is a long time lag from the start of liquid removal of the developer to the start of the liquid replacement at the downstream rinse portion, that is, the development stop rinse process, the front side of the substrate before the rinse process is executed. Therefore, there is a concern that the quality of the development process is deteriorated such that the surface to be processed is dried and spots of spots occur.

また、現像時間についても、基板上の面内均一性を保証するのが難しかった。すなわち、現像液を盛られた基板を停止位置で水平姿勢から傾斜姿勢に姿勢変換するに際しては、基板の各部で運動速度、運動範囲(特に高さ位置)等が異なるために、現像液供給時と同じ時間差で各部の液切りを行うことは不可能であり、結果として現像液の供給から現像停止までの時間つまり現像時間が基板の各部(特に基板前端部と後端部との間)でばらつくという問題があった。   Also, with respect to the development time, it was difficult to ensure in-plane uniformity on the substrate. That is, when changing the posture of the substrate on which the developer is accumulated from the horizontal posture to the inclined posture at the stop position, the movement speed, the movement range (particularly the height position), etc. are different in each part of the substrate. It is impossible to drain each part with the same time difference as the result. As a result, the time from the supply of the developer to the stop of the development, that is, the development time is different in each part of the substrate (particularly between the front end and the rear end of the substrate). There was a problem of variation.

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第1の処理液を分別回収して第2の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行えるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and separates and collects the first processing liquid supplied to the substrate to be processed on the flat-carrying transfer line, thereby providing the second processing liquid. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which can efficiently and smoothly perform the replacement operation.

本発明の別の目的は、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第1の処理液を所定の処理時間経過後に分別回収して第2の処理液に置き換える動作を効率よく面内均一に行えるようにした基板処理装置を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide an efficient in-plane operation for separating and recovering the first processing liquid supplied to the substrate to be processed on the flat-carrying transfer line after the predetermined processing time and replacing it with the second processing liquid. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can perform uniform processing.

本発明の他の目的は、平流しの搬送ライン上で被処理基板を搬送しながら基板上に一連の処理を順次施すに際して各処理間の連続性ないしスループットの向上と相互干渉の防止とを同時に実現する基板処理装置を提供することにある。   Another object of the present invention is to simultaneously improve the continuity or throughput between processes and prevent mutual interference when sequentially carrying out a series of processes on a substrate while transporting the substrate to be processed on a flat flow transfer line. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus to be realized.

上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板を被処理面を上に向けた仰向けの姿勢で搬送するための搬送体を水平な所定の搬送方向に敷設してなり、前記搬送方向において実質的に水平な搬送路を有する第1の搬送区間と、前記第1の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を有する第2の搬送区間と、前記第2の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を有する第3の搬送区間と、前記第3の搬送区間に続く実質的に水平な搬送路を有する第4の搬送区間とを含む平流しの搬送ラインと、前記搬送ライン上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動部と、前記第1または第2の搬送区間内で前記基板上に第1の処理液を供給する第1の処理液供給部と、前記第3の搬送区間内で前記基板上に第2の処理液を供給する第2の処理液供給部とを有する。   In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention lays a transport body for transporting a substrate to be processed in a supine posture with the processing surface facing upward in a predetermined horizontal transport direction. A first transport section having a substantially horizontal transport path in the transport direction, a second transport section having an upward inclined transport path following the first transport section, and the second transport section. A flat flow conveying line including a third conveying section having a downwardly inclined conveying path following the third conveying section and a fourth conveying section having a substantially horizontal conveying path following the third conveying section; A transport driving unit for driving the transport body to transport the substrate on a line; and a first processing liquid supply for supplying a first processing liquid onto the substrate in the first or second transport section. And the second processing liquid is supplied onto the substrate in the third transfer section. That a second processing liquid supply unit.

上記の装置構成においては、第2および第3の搬送区間の中に第1および第4の搬送区間よりも高く隆起した隆起部が形成される。基板がこの隆起部の上り傾斜路(第2の搬送区間)を上る際に、基板上の第1の処理液が下方つまり後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。この時、基板上では基板の前端側から後端側へ向って搬送速度とほぼ等しい移動速度で第1の処理液の液切りが行われる。こうして隆起部の上り傾斜路を乗り越えた基板は、その上面に第1の処理液が非常に薄い液膜で残っている状態で、下り傾斜路(第3の搬送区間)に入る。ここで、この下り傾斜路を下りる基板に対して第2の処理液供給部が第2の処理液を供給することにより、基板上の各部に薄く残っていた第1の処理液が重力と第1の処理液の流れの圧力を受けて前方へ流下し基板前端から追い出される。こうして基板上で基板の前端側から後端側へ向って搬送速度とほぼ等しい速度で、第1の処理液が第2の処理液に置換される。   In the above apparatus configuration, a raised portion that is raised higher than the first and fourth transport sections is formed in the second and third transport sections. When the substrate goes up the upward slope (second transfer section) of the raised portion, the first processing liquid on the substrate moves downward, that is, rearward by gravity and flows down from the rear end of the substrate. At this time, on the substrate, the first processing liquid is drained from the front end side to the rear end side of the substrate at a moving speed substantially equal to the transport speed. Thus, the substrate that has overcome the uphill slope of the raised portion enters the downhill slope (third transfer section) with the first processing liquid remaining as a very thin liquid film on the upper surface thereof. Here, when the second processing liquid supply unit supplies the second processing liquid to the substrate descending the down ramp, the first processing liquid remaining thinly on each part on the substrate is reduced in gravity and first. In response to the pressure of the flow of the 1 processing liquid, it flows down and is ejected from the front end of the substrate. In this manner, the first processing liquid is replaced with the second processing liquid at a speed substantially equal to the transport speed from the front end side to the rear end side of the substrate.

本発明の好適な一態様によれば、搬送方向において第2の搬送区間が基板のサイズよりも短い長さに設定され、さらに好ましは第2の搬送区間と第3の搬送区間とを足し合わせた区間が基板のサイズよりも短い長さに設定される。この場合、基板は、その可撓性により全長の一部に隆起部に倣った突条の基板隆起部を形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板隆起部を基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら搬送ラインの隆起部(第2および第3の搬送区間)を通過する。   According to a preferred aspect of the present invention, the second transport section is set to a length shorter than the size of the substrate in the transport direction, and more preferably, the second transport section and the third transport section are added. The combined section is set to a length shorter than the size of the substrate. In this case, the substrate forms a ridge-shaped substrate ridge that follows the ridge on part of the entire length due to its flexibility, and conveys the substrate ridge from the front end to the rear end of the substrate at a speed equal to the conveyance speed. It passes through the ridges (second and third conveyance sections) of the conveyance line while moving relatively in the direction opposite to the direction.

本発明における平流しの搬送ラインは、各搬送区間の境界地点で急角度に折れ曲がるような進路変更を行うよりは、その付近で適度な曲率半径を描いて進路変更するのが好ましく、また隆起部の頂点がフラットになっている構成、つまり第2の搬送区間の終端部と第3の搬送区間の始端部との間に実質的に水平な搬送路が形成される構成も可能である。   In the present invention, it is preferable to change the course of the straight flow line by drawing an appropriate radius of curvature in the vicinity thereof, rather than performing a course change that bends at a steep angle at the boundary point of each conveyance section. In other words, a configuration in which the top is flat, that is, a configuration in which a substantially horizontal transport path is formed between the terminal end of the second transport section and the start end of the third transport section is also possible.

また、本発明の好ましい一態様によれば、第2の搬送区間内で搬送ラインの搬送路から上方に離れる基板の部位を所定の高さ位置で抑えるための基板抑え部が設けられる。この基板抑え部は、好ましくは、基板の左右両縁部に当接する回転可能な一対のローラを有するものであってよい。基板が第2の搬送区間内の上り傾斜路を上る際には、基板の後端部が搬送ラインの搬送路から上方に離れても、基板抑え部による高さ規制を受けながら頂上付近まで後傾姿勢を維持できるため、基板上の液切りを最後(基板後端)まで首尾よく行うことができる。   According to a preferred aspect of the present invention, there is provided a substrate holding part for holding a portion of the substrate that is separated upward from the transfer path of the transfer line in the second transfer section at a predetermined height position. The substrate holding portion may preferably have a pair of rotatable rollers that come into contact with the left and right edges of the substrate. When the substrate climbs the uphill slope in the second transport section, the rear end of the substrate moves upward from the transport path of the transport line to the vicinity of the top while receiving the height regulation by the substrate restraint section. Since the tilted posture can be maintained, liquid draining on the substrate can be performed successfully to the end (back end of the substrate).

また、好ましい一態様として、第1の処理液供給部よりも下流側の第2の搬送区間内の所定位置で基板上にガスを吹き付ける第1のエアナイフが設けられる。基板が第2の搬送区間内の上り傾斜路を上る際に、第1のエアナイフよりガス流を基板上に当てることで、基板上の第1の処理液の液切りを援助または促進することができる。   Moreover, as a preferable aspect, a first air knife that blows gas onto the substrate at a predetermined position in the second transfer section downstream of the first processing liquid supply unit is provided. When the substrate goes up an uphill slope in the second transfer section, the gas flow is applied to the substrate from the first air knife, thereby assisting or promoting the draining of the first processing liquid on the substrate. it can.

また、第1の処理液供給部よりも下流側の第1または第2の搬送区間内の所定位置で基板の後端から第1の処理液が流れ落ちるのを触発するための液切り触発部を設けるのも好ましい。好適な一態様として、この液切り触発部は、搬送路上に搬送体として配置される外径が一定の円柱状または円筒状のコロによって構成されてよい。あるいは、別の好適な一態様として、液切り触発部が、基板の後端部に上方から搬送方向と逆向きにガス流を当てるガスノズルによって構成されてもよい。   In addition, a liquid draining triggering unit for triggering the first processing liquid to flow down from the rear end of the substrate at a predetermined position in the first or second transport section downstream from the first processing liquid supply unit. It is also preferable to provide it. As a preferred embodiment, the liquid-cutting inducing portion may be constituted by a cylindrical or cylindrical roller having a constant outer diameter arranged as a transport body on the transport path. Or as another suitable one mode, a liquid cutting inducing part may be constituted by a gas nozzle which applies a gas flow to the rear end part of a substrate from the upper direction in the opposite direction to the conveyance direction.

本発明の好適な一態様によれば、第1の処理液供給部が第1の搬送区間内の所定位置で基板に向けて第1の処理液を吐出する処理液供給ノズルを有し、搬送駆動部が第1および第2の搬送区間を通じて基板を一定の速度で搬送する。この場合、下流側の第2および第3の搬送区間では、第1の搬送区間で基板上に第1の処理液が供給された時とほぼ同じ走査速度で基板の前端から後端に向って第1の処理液の液切りないし第2の処理液への置換が行われる。   According to a preferred aspect of the present invention, the first processing liquid supply unit has a processing liquid supply nozzle that discharges the first processing liquid toward the substrate at a predetermined position in the first transport section, A drive part conveys a board | substrate at a fixed speed through the 1st and 2nd conveyance area. In this case, in the second and third transport sections on the downstream side, from the front end to the rear end of the substrate at substantially the same scanning speed as when the first processing liquid was supplied onto the substrate in the first transport section. The first treatment liquid is drained or replaced with the second treatment liquid.

好適な一態様によれば、第1および第2の搬送区間で搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第1の集液部と、第3および第4の搬送区間で搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第2の集液部とが設けられる。かかる構成においては、第1の処理液供給部より基板上に供給した第1の処理液の大部分を第1の集液部に分別回収することができる。第2の集液部には、主として第2の処理液が回収される。   According to a preferred aspect, the first liquid collecting portion for collecting the liquid that has fallen under the conveyance path in the first and second conveyance sections, and the conveyance path in the third and fourth conveyance sections. And a second liquid collecting part for collecting the liquid dropped below. In such a configuration, most of the first processing liquid supplied onto the substrate from the first processing liquid supply unit can be separately collected in the first liquid collection unit. The second treatment liquid is mainly collected in the second liquid collection unit.

好適な一態様によれば、第2の搬送区間と第3の搬送区間との境界付近に搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第1の隔壁が設けられる。この第1の隔壁には、搬送ラインを通すための開口が形成される。   According to a preferred aspect, the first partition is provided in the vicinity of the boundary between the second transport section and the third transport section to separate the surrounding space along the transport line into the upstream side and the downstream side. . The first partition is formed with an opening for passing the transport line.

また、好適な一態様によれば、搬送ラインが、第4の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を有する第5の搬送区間と、第5の搬送区間に続く実質的に水平な搬送路を有する第6の搬送区間とを含む。かかる構成においては、第4の搬送区間から第6の搬送区間にかけて上り段差部が形成される。この上り段差部または第5の搬送区間は基板のサイズよりも短い長さに設定されるが好ましい。これにより、基板は、その可撓性を利用して基板全長の一部に該段差部に倣ったライン状の基板段差部を形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板段差部を基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら搬送ラインの上り段差部(第5の搬送区間)を通過する。この上り段差部(第5の搬送区間)では、基板上に残っていた第2の処理液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。   According to a preferred aspect, the transport line includes a fifth transport section having an upward inclined transport path following the fourth transport section, and a substantially horizontal transport path following the fifth transport section. And a sixth transport section. In such a configuration, an ascending step portion is formed from the fourth transport section to the sixth transport section. It is preferable that the ascending step portion or the fifth transport section is set to a length shorter than the size of the substrate. As a result, the substrate uses the flexibility to form a line-shaped substrate step portion that follows the step portion on a part of the entire length of the substrate, and the substrate step portion is placed at the front end of the substrate at a speed equal to the conveyance speed. Passing through the upward step portion (fifth transport section) of the transport line while relatively moving in the direction opposite to the transport direction from the rear end to the rear end. In the ascending step portion (fifth transport section), the second processing liquid remaining on the substrate moves from the front end side of the substrate to the rear by gravity and flows down from the rear end of the substrate.

好適な一態様によれば、第5または第6の搬送区間内で基板上からの液(第2の処理液)の液切りを援助するために搬送方向と逆向きに基板上にガスを吹き付ける第2のエアナイフが設けられる。   According to a preferred aspect, gas is blown onto the substrate in the direction opposite to the transport direction to assist in draining the liquid (second processing liquid) from the substrate within the fifth or sixth transport section. A second air knife is provided.

好適な一態様によれば、第5の搬送区間と第6の搬送区間との境界付近に搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第2の隔壁が設けられる。この第2の隔壁にも、搬送ラインを通すための開口が形成される。   According to a preferred aspect, the second partition is provided in the vicinity of the boundary between the fifth transport section and the sixth transport section to separate the surrounding space along the transport line into the upstream side and the downstream side. . An opening for passing the transport line is also formed in the second partition wall.

好適な一態様によれば、搬送ラインが、第1の搬送区間よりも上流側で第1の搬送区間よりも高い位置で実質的に水平な搬送路を有する第7の搬送区間と、この第7の搬送区間と第1の搬送区間との間で下り傾斜の搬送路を有する第8の搬送区間とを含む。かかる構成においては、第7の搬送区間から第1の搬送区間にかけて下り段差部が形成される。この下り段差部は、基板上に供給された第1の処理液が基板上を伝って上流側隣の他のユニットまたは処理部に及ぶのを塞き止める機能を奏することができる。この上り段差部つまり第8の搬送区間は基板のサイズよりも短い長さに設定されてよい。また、第8の搬送区間と第1の搬送区間との境界付近に搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第3の隔壁が設けられてよい。   According to a preferred aspect, the seventh conveyance section includes a seventh conveyance section having a substantially horizontal conveyance path at a position upstream of the first conveyance section and higher than the first conveyance section. And an eighth conveyance section having a downwardly inclined conveyance path between the seven conveyance sections and the first conveyance section. In such a configuration, the downward step portion is formed from the seventh transport section to the first transport section. The descending step portion can exhibit a function of blocking the first processing liquid supplied on the substrate from reaching the other unit or processing unit on the upstream side through the substrate. The ascending step, that is, the eighth conveyance section may be set to a length shorter than the size of the substrate. Further, a third partition wall may be provided in the vicinity of the boundary between the eighth transport section and the first transport section for separating the surrounding space along the transport line into the upstream side and the downstream side.

なお、本発明において搬送ライン上でとる基板の仰向け姿勢は、水平姿勢や搬送方向における傾斜姿勢だけでなく任意の方向(たとえば左右の横方向)で傾斜する姿勢を含む。   In the present invention, the posture on the back of the substrate taken on the transport line includes not only a horizontal posture and a tilted posture in the transport direction but also a posture tilted in an arbitrary direction (for example, left and right lateral directions).

本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第1の処理液を分別回収して第2の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行うことができる。また、第1の処理液を所定の処理時間経過後に分別回収して第2の処理液に置き換える動作を効率よく面内均一に行うこともできる。さらには、平流しの搬送ライン上で被処理基板を搬送しながら基板上に一連の処理を順次施すに際して各処理間の連続性ないしスループットの向上と相互干渉の防止とを同時に実現することも可能である。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, the first processing liquid supplied to the substrate to be processed on the flat transport line is separated and recovered and replaced with the second processing liquid by the configuration and operation as described above. Can be performed efficiently and smoothly. In addition, the operation of separating and collecting the first processing liquid after a predetermined processing time and replacing it with the second processing liquid can be efficiently and uniformly performed. Furthermore, when carrying out a series of processes on a substrate while carrying the substrate to be processed on a flat-carrying transfer line, it is possible to simultaneously improve the continuity or throughput between processes and prevent mutual interference. It is.

図1に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD用のガラス基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。   FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the substrate processing apparatus of the present invention can be applied. The coating and developing processing system 10 is installed in a clean room. For example, a glass substrate for LCD is used as a substrate to be processed, and cleaning, resist coating, pre-baking, developing, post-baking and the like in a photolithography process are performed in the LCD manufacturing process. The processing is performed. The exposure process is performed by an external exposure apparatus 12 installed adjacent to this system.

この塗布現像処理システム10は、中心部に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション(C/S)14とインタフェースステーション(I/F)18とを配置している。   In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is disposed at the center, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station (I / F) are disposed at both ends in the longitudinal direction (X direction). ) 18.

カセットステーション(C/S)14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平な一方向(Y方向)に4個まで並べて載置可能なカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the system 10, and arranges up to four cassettes C that can accommodate a plurality of substrates C in a horizontal direction (Y direction) by stacking substrates G in multiple stages. A cassette stage 20 that can be placed, and a transport mechanism 22 that takes in and out the substrate G to and from the cassette C on the stage 20 are provided. The transport mechanism 22 has a means for holding the substrate G, for example, a transport arm 22a, and can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ, and the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate G Delivery is now possible.

プロセスステーション(P/S)16は、水平なシステム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向きの一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインAには、洗浄プロセス部24と、第1の熱的処理部26と、塗布プロセス部28と、第2の熱的処理部30とを横一列に配置している。ここで、洗浄プロセス部24は、1本の平流し搬送ラインを共有する平流し方式のエキシマUV照射ユニット(e−UV)41およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)42を備えている。また、塗布プロセス部28は、レジスト塗布ユニット(CT)82、減圧乾燥ユニット(VD)84およびエッジリムーバ・ユニット(ER)86を備えている。   In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or the process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the horizontal system longitudinal direction (X direction). More specifically, the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side includes a cleaning process unit 24, a first thermal processing unit 26, and The coating process section 28 and the second thermal processing section 30 are arranged in a horizontal row. Here, the cleaning process unit 24 includes a flat-flow excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 and a scrubber cleaning unit (SCR) 42 that share a single flat-flow conveyance line. The coating process unit 28 includes a resist coating unit (CT) 82, a reduced pressure drying unit (VD) 84, and an edge remover unit (ER) 86.

一方、インタフェースステーション(I/F)18側からカセットステーション(C/S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、第2の熱的処理部30と、現像プロセス部32と、脱色プロセス部34と、第3の熱的処理部36とを横一列に配置している。ここで、現像プロセス部32と脱色プロセス部34は平流し型であり、共通の平流し搬送ラインで接続されている。   On the other hand, in the downstream process line B from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side, a second thermal processing unit 30, a development processing unit 32, and a decolorization process are provided. The unit 34 and the third thermal processing unit 36 are arranged in a horizontal row. Here, the development process unit 32 and the decolorization process unit 34 are of a flat flow type and are connected by a common flat flow conveyance line.

両プロセスラインA,Bの間には補助搬送空間38が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に載置可能なシャトル40が図示しない駆動機構によってライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっている。   An auxiliary transfer space 38 is provided between the process lines A and B, and a shuttle 40 that can horizontally place the substrate G in units of one sheet is bidirectional in the line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). Can be moved to.

洗浄プロセス部24の下流側に隣接する第1の熱的処理部26は、プロセスラインAに沿って中心部に縦型の搬送機構46を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図2に示すように、上流側の多段ユニット部(TB)44には、基板受け渡し用のパスユニット(PASS)50、脱水ベーク用の加熱ユニット(DHP)52,54およびアドヒージョンユニット(AD)56が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PASS)50は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42側から基板Gを平流しで受け取るために用いられる。また、下流側の多段ユニット部(TB)48には、基板受け渡し用のパスユニット(PASS)60、冷却ユニット(COL)62,64およびアドヒージョンユニット(AD)66が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PASS)60は、塗布プロセス部28側へ基板Gを平流しで送るためのものである。 The first thermal processing unit 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process unit 24 is provided with a vertical transfer mechanism 46 at the center along the process line A, and a plurality of units are arranged in multiple stages on both front and rear sides thereof. is doing. For example, as shown in FIG. 2, the upstream multi-stage unit section (TB) 44 includes a substrate passing pass unit (PASS) 50, dehydrating baking heating units (DHP) 52 and 54, and an adhesion unit. (AD) 56 are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit (PASS) 50 is used to receive the substrate G in a flat flow from the scrubber cleaning unit (SCR) 42 side. Further, in the downstream multistage unit section (TB) 48, a substrate transfer pass unit (PASS) 60, cooling units ( COL ) 62, 64, and an adhesion unit (AD) 66 are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit (PASS) 60 is for sending the substrate G in a flat flow toward the coating process section 28 side.

図2に示すように、縦型搬送機構46は、鉛直方向に延在するガイドレール68に沿って昇降移動可能な昇降搬送体70と、この昇降搬送体70上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体72と、この旋回搬送体72上で基板Gを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット74とを有している。昇降搬送体70を昇降駆動するための駆動部76が垂直ガイドレール68の基端側に設けられ、旋回搬送体72を旋回駆動するための駆動部78が昇降搬送体70に取り付けられ、搬送アーム74を進退駆動するための駆動部80が回転搬送体72に取り付けられている。各駆動部76,78,80はたとえば電気モータ等で構成されてよい。かかる構成の搬送機構46は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部(TB)44,48の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間38側のシャトル40とも基板Gを受け渡しできるようになっている。   As shown in FIG. 2, the vertical transport mechanism 46 can be moved up and down along a guide rail 68 extending in the vertical direction, and can be rotated or swiveled in the θ direction on the lift transport body 70. A revolving transport body 72 and a transport arm or tweezers 74 that can move back and forth in the front-rear direction while supporting the substrate G on the revolving transport body 72. A drive unit 76 for driving the lifting and lowering conveyance body 70 up and down is provided on the base end side of the vertical guide rail 68, and a driving unit 78 for driving the swiveling conveyance body 72 to rotate is attached to the lifting and lowering conveyance body 70. A drive unit 80 for advancing and retracting 74 is attached to the rotary transport body 72. Each drive part 76,78,80 may be comprised by the electric motor etc., for example. The transport mechanism 46 configured as described above can move up and down or swivel at high speed to access any unit in the adjacent multistage unit sections (TB) 44 and 48, and the shuttle 40 on the side of the auxiliary transport space 38 and the substrate G can be accessed. Can be handed over.

塗布プロセス部28の下流側に隣接する第2の熱的処理部30も、上記第1の熱的処理部26と同様の構成を有しており、両プロセスラインA,Bの間に縦型の搬送機構90を設け、プロセスラインA側(最後尾)に一方の多段ユニット部(TB)88を設け、プロセスラインB側(先頭)に他方の多段ユニット部(TB)92を設けている。また、現像プロセス部32の下流側に配置される第3の熱的処理部36も、上記第1の熱的処理部26や第2の熱的処理部30と同様の構成を有しており、プロセスラインBに沿って縦型の搬送機構100とその前後両側に一対の多段ユニット部(TB)98,102を設けている。   The second thermal processing unit 30 adjacent to the downstream side of the coating process unit 28 also has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26, and a vertical type is formed between both process lines A and B. , A multi-stage unit portion (TB) 88 is provided on the process line A side (last), and the other multi-stage unit portion (TB) 92 is provided on the process line B side (lead). Further, the third thermal processing unit 36 disposed on the downstream side of the developing process unit 32 has the same configuration as the first thermal processing unit 26 and the second thermal processing unit 30. Along the process line B, a vertical transport mechanism 100 and a pair of multi-stage unit parts (TB) 98 and 102 are provided on both front and rear sides thereof.

インタフェースステーション(I/F)18は、隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行うための搬送装置104を有し、その周囲にバッファ・ステージ(BUF)106、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108および周辺装置110を配置している。バッファ・ステージ(BUF)106には定置型のバッファカセット(図示せず)が置かれる。エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション(P/S)16側と基板Gをやりとりする際に用いられる。周辺装置110は、たとえばタイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置104は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム104aを有し、隣接する露光装置12や各ユニット(BUF)106、(EXT・COL)108、(TITLER/EE)110と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   The interface station (I / F) 18 includes a transfer device 104 for exchanging the substrate G with the adjacent exposure device 12, and a buffer stage (BUF) 106 and an extension / cooling stage (EXT / COL) around the transfer device 104. ) 108 and peripheral device 110 are arranged. A stationary buffer cassette (not shown) is placed on the buffer stage (BUF) 106. The extension / cooling stage (EXT / COL) 108 is a stage for transferring a substrate having a cooling function, and is used when the substrate G is exchanged with the process station (P / S) 16 side. For example, the peripheral device 110 may have a configuration in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are stacked vertically. The transfer device 104 has a means for holding the substrate G, for example, a transfer arm 104a, and transfers the substrate G to and from the adjacent exposure device 12, each unit (BUF) 106, (EXT / COL) 108, (TITLER / EE) 110. Can be done.

図3に、この塗布現像処理システムにおける1枚の基板Gに対する処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)14において搬送機構22がステージ20上の所定のカセットCの中から基板Gを取り出し、プロセスステーション(P/S)16の洗浄プロセス部25の搬送ラインに搬入する(ステップS1)。   FIG. 3 shows a processing procedure for one substrate G in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the transport mechanism 22 takes out the substrate G from the predetermined cassette C on the stage 20 and transports it to the transport line of the cleaning process section 25 of the process station (P / S) 16. (Step S1).

洗浄プロセス部24内で基板Gは搬送ライン上をプロセスラインA方向に平流しで搬送され、途中のエキシマUV照射ユニット(e−UV)41およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)42で紫外線洗浄処理やスクラビング洗浄処理等を順次施される(ステップS2,S3)。スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内で洗浄処理の済んだ基板Gは、該搬送ライン上に載せられたまま第1の熱的処理部26の上流側オーブンタワー(TB)44内のパスユニット(PASS)50に搬入される。   The substrate G is transported on the transport line in the direction of the process line A in the cleaning process section 24, and is subjected to ultraviolet cleaning and scrubbing by an excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 and a scrubber cleaning unit (SCR) 42 on the way. A cleaning process and the like are sequentially performed (steps S2 and S3). The substrate G that has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is placed on the transfer line, and the pass unit (PASS) in the upstream oven tower (TB) 44 of the first thermal processing unit 26. ) 50.

第1の熱的処理部26において、基板Gは縦型搬送機構46により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Gは、最初にパスユニット(PASS)50から加熱ユニット(DHP)52,54の1つに移され、そこで脱水処理を受ける(ステップS4)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)62,64の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。しかる後、基板Gはアドヒージョンユニット(AD)56,66の一つに移され、そこで疎水化処理を受ける(ステップS6)。この疎水化処理の終了後に、基板Gは冷却ユニット(COL)62,64の1つで一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。最後に、基板Gは下流側多段ユニット部(TB)48に属するパスユニット(PASS)60に移される。   In the first thermal processing section 26, the substrate G is rotated by a predetermined unit by a vertical transfer mechanism 46 in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) 50 to one of the heating units (DHP) 52 and 54, where it undergoes a dehydration process (step S4). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 62 and 64, where it is cooled to a constant substrate temperature (step S5). Thereafter, the substrate G is transferred to one of the adhesion units (AD) 56 and 66, where it is subjected to a hydrophobic treatment (step S6). After completion of the hydrophobic treatment, the substrate G is cooled to a constant substrate temperature by one of the cooling units (COL) 62 and 64 (step S7). Finally, the substrate G is moved to the pass unit (PASS) 60 belonging to the downstream multi-stage unit section (TB) 48.

このように、第1の熱的処理部26内では、基板Gが、搬送機構46を介して上流側の多段ユニット部(TB)44と下流側の多段ユニット部(TB)48との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第2および第3の熱的処理部30,36でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。   As described above, in the first thermal processing unit 26, the substrate G is interposed between the upstream multi-stage unit unit (TB) 44 and the downstream multi-stage unit unit (TB) 48 via the transport mechanism 46. You can come and go arbitrarily. The second and third thermal processing units 30 and 36 can perform the same substrate transfer operation.

第1の熱的処理部26で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Gは、下流側多段ユニット部(TB)48内のパスユニット(PASS)60から下流側隣の塗布プロセス部28のレジスト塗布ユニット(CT)82へ移される。   The substrate G that has undergone a series of thermal or thermal processing as described above in the first thermal processing section 26 is adjacent to the downstream side from the pass unit (PASS) 60 in the downstream multistage unit section (TB) 48. Is moved to a resist coating unit (CT) 82 of the coating process unit 28.

基板Gはレジスト塗布ユニット(CT)82でたとえばスピンコート法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)84で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット(ER)86で基板周縁部の余分(不要)なレジストを取り除かれる(ステップS8)。なお、レジスト塗布ユニット(CT)82にたとえば長尺ノズルを用いるスピンレスのスリットコート法を採用する場合は、レジスト塗布後のエッジリンスが不要であり、エッジリムーバ・ユニット(ER)86を省くことができる。   The substrate G is coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a resist coating unit (CT) 82, for example, by spin coating, and immediately after that, it is subjected to a drying process by a reduced pressure drying unit (VD) 84 adjacent to the downstream side. Then, the unnecessary (unnecessary) resist on the peripheral edge of the substrate is removed by the edge remover unit (ER) 86 adjacent to the downstream side (step S8). Note that when a spinless slit coating method using a long nozzle, for example, is employed for the resist coating unit (CT) 82, edge rinsing after resist coating is unnecessary, and the edge remover unit (ER) 86 may be omitted. it can.

塗布プロセス部28で上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Gは、下流側隣に位置する第2の熱的処理部30の上流側多段ユニット部(TB)88に属するパスユニット(PASS)に受け渡される。   The substrate G that has been subjected to the resist coating process as described above in the coating process unit 28 is a pass unit (PASS) that belongs to the upstream multi-stage unit unit (TB) 88 of the second thermal processing unit 30 located adjacent to the downstream side. Is passed on.

第2の熱的処理部30内で、基板Gは、搬送機構90により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Gは、最初に該パスユニット(PASS)から加熱ユニット(PREBAKE)の1つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける(ステップS9)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。しかる後、基板Gは下流側多段ユニット部(TB)92側のパスユニット(PASS)を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション(I/F)18側のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108へ受け渡される。   Within the second thermal processing unit 30, the substrate G is rotated through a predetermined unit by the transport mechanism 90 in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (PREBAKE), where it is subjected to baking after resist coating (step S9). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL), where it is cooled to a constant substrate temperature (step S10). Thereafter, the substrate G passes through the downstream side multistage unit (TB) 92 side pass unit (PASS) or without passing through the interface station (I / F) 18 side extension cooling stage (EXT COL). ) 108.

インタフェースステーション(I/F)18において、基板Gは、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108から周辺装置110の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる(ステップS11)。   In the interface station (I / F) 18, the substrate G is transferred from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 to the peripheral exposure device (EE) of the peripheral device 110, where the resist adhering to the peripheral portion of the substrate G is removed. After receiving an exposure for removal at the time of development, it is sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S11).

露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると(ステップS11)、先ず周辺装置110のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される(ステップS12)。しかる後、基板Gはエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108に戻される。インタフェースステーション(I/F)18における基板Gの搬送および露光装置12との基板Gのやりとりは搬送装置104によって行われる。   In the exposure device 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Then, when the substrate G that has undergone pattern exposure is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station (I / F) 18 (step S11), it is first carried into a titler (TITLER) of the peripheral device 110, where there is a predetermined on the substrate. Predetermined information is written in the part (step S12). Thereafter, the substrate G is returned to the extension / cooling stage (EXT / COL) 108. Transfer of the substrate G in the interface station (I / F) 18 and exchange of the substrate G with the exposure apparatus 12 is performed by the transfer device 104.

プロセスステーション(P/S)16では、第2の熱的処理部30において搬送機構90がエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108より露光済の基板Gを受け取り、プロセスラインB側の多段ユニット部(TB)92内のパスユニット(PASS)を介して現像プロセス部32へ受け渡す。   In the process station (P / S) 16, the transport mechanism 90 receives the exposed substrate G from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 in the second thermal processing unit 30, and the multi-stage unit unit on the process line B side (TB) The image is transferred to the development process unit 32 via the pass unit (PASS) in 92.

現像プロセス部32では、該多段ユニット部(TB)92内のパスユニット(PASS)から受け取った基板Gを平流しで現像ユニット(DEV)94に搬入する。現像ユニット(DEV)94において、基板Gは、プロセスラインBの下流に向って平流しの搬送ライン上を搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される(ステップS13)。   In the developing process section 32, the substrate G received from the pass unit (PASS) in the multi-stage unit section (TB) 92 is flattened and carried into the developing unit (DEV) 94. In the development unit (DEV) 94, the substrate G is subjected to a series of development processes of development, rinsing, and drying while being transported on the flat transport line toward the downstream of the process line B (step S13). .

現像プロセス部32で現像処理を受けた基板Gは、平流しの搬送ラインに載せられたまま下流側隣の脱色プロセス部34へ搬入され、そこでi線照射ユニット(i−UV)96による脱色処理を受ける(ステップS14)。脱色処理の済んだ基板Gは、第3の熱的処理部36の上流側多段ユニット部(TB)98内のパスユニット(PASS)に受け渡される。   The substrate G that has undergone the development process in the development process unit 32 is carried to the decolorization process unit 34 adjacent to the downstream side while being placed on a flat-flow conveyance line, where the decolorization process is performed by an i-ray irradiation unit (i-UV) 96. (Step S14). The substrate G that has been subjected to the decoloring process is transferred to the pass unit (PASS) in the upstream multistage unit section (TB) 98 of the third thermal processing section 36.

第3の熱的処理部36において、基板Gは、最初に該パスユニット(PASS)から加熱ユニット(POBAKE)の1つに移され、そこでポストベーキングを受ける(ステップS15)。次に、基板Gは下流側多段ユニット部(TB)102内のパスクーリング・ユニット(PASS・COL)に移され、そこで所定の基板温度に冷却される(ステップS16)。第3の熱的処理部36における基板Gの搬送は搬送機構100によって行われる。   In the third thermal processing section 36, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (POBAKE), where it is subjected to post-baking (step S15). Next, the substrate G is transferred to a path cooling unit (PASS COL) in the downstream multi-stage unit section (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S16). The transport mechanism 100 transports the substrate G in the third thermal processing unit 36.

カセットステーション(C/S)14側では、搬送機構22が、第3の熱的処理部36のパスクーリング・ユニット(PASS・COL)から塗布現像処理の全工程を終えた基板Gを受け取り、受け取った基板Gをいずれか1つ(通常は元)のカセットCに収容する(ステップS1)。   On the cassette station (C / S) 14 side, the transport mechanism 22 receives and receives the substrate G that has completed all the steps of the coating and developing process from the pass cooling unit (PASS COL) of the third thermal processing unit 36. The substrate G is accommodated in any one (usually the original) cassette C (step S1).

この塗布現像処理システム10においては、平流しの搬送ラインを有する現像プロセス部32および洗浄プロセス部24に本発明を適用することができる。   In the coating and developing processing system 10, the present invention can be applied to the developing process section 32 and the cleaning process section 24 having a flat flow conveying line.

[実施形態1]
以下、図4〜図13を参照して本発明を現像プロセス部32の現像ユニット(DEV)94に適用した一実施形態を説明する。
[Embodiment 1]
Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a development unit (DEV) 94 of the development process section 32 will be described with reference to FIGS.

図4に、この実施形態における現像ユニット(DEV)94内の全体構成を模式的に示す。この現像ユニット(DEV)94は、図示のように、プロセスラインBに沿って水平方向(X方向)に延びる平流しの搬送ライン120を設置しており、この搬送ライン120に沿って上流側から順に現像部122、リンス部124および乾燥部126を設けている。   FIG. 4 schematically shows the overall configuration of the developing unit (DEV) 94 in this embodiment. As shown in the figure, the developing unit (DEV) 94 is provided with a flat flow conveying line 120 extending in the horizontal direction (X direction) along the process line B, and from the upstream side along the conveying line 120. A developing unit 122, a rinse unit 124, and a drying unit 126 are provided in this order.

搬送ライン120は、基板Gを被処理面を上に向けた仰向けの姿勢で搬送するためのコロ128を搬送方向(X方向)に一定間隔で敷設してなり、第2の熱的処理部30(図1)における多段ユニット部(TB)92内のパスユニット(PASS)を始点とし、現像ユニット(DEV)94および脱色プロセス部34を通り抜け、第3の熱的処理部36(図1)における多段ユニット部(TB)98内のパスユニット(PASS)で終端している。搬送ライン120の各コロ128は、たとえば電気モータを有する搬送駆動部(図示せず)に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。   The transport line 120 is formed by laying rollers 128 for transporting the substrate G in a supine posture with the processing surface facing upward in the transport direction (X direction) at regular intervals, and the second thermal processing unit 30. In the third thermal processing unit 36 (FIG. 1), the pass unit (PASS) in the multi-stage unit unit (TB) 92 in (FIG. 1) starts, passes through the development unit (DEV) 94 and the decoloring process unit 34. It terminates in a pass unit (PASS) in the multistage unit section (TB) 98. Each roller 128 of the conveyance line 120 is connected to a conveyance drive unit (not shown) having an electric motor, for example, via a transmission mechanism such as a gear mechanism or a belt mechanism.

この搬送ライン120は、搬送方向(X方向)において始点から終点まで同じ高さ位置で続いているのではなく、途中で所定の箇所に隆起部120a,120b,および段差部120cを有しており、図4に示すように、搬送方向(X方向)の一サイドから見た搬送路の形状に応じて9つの搬送区間M1,M2,M3,M4,M5,M6,M7,M8,M9に区分できる。 The transport line 120 does not continue at the same height position from the start point to the end point in the transport direction (X direction), but has raised portions 120a and 120b and a stepped portion 120c at predetermined locations along the way. As shown in FIG. 4, nine transfer sections M 1 , M 2 , M 3 , M 4 , M 5 , M 6 , M, depending on the shape of the transfer path viewed from one side in the transfer direction (X direction). 7 , M 8 , M 9 .

第1の搬送区間M1は、多段ユニット部(TB)92のパスユニット(PASS)内の始点P0から現像部122内の出口よりも少し手前(上流側)の位置に設定された第1の区間変更点P1までの区間であり、始点P0の高さ位置を保ったままほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。第2の搬送区間M2は、上記第1の区間変更点P1から現像部122とリンス部124との境界付近の位置に設定された第2の区間変更点P2までの区間であり、始点P0の高さ位置よりも所定量(たとえば10〜25mm)高い第1の隆起部120aの頂上まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で上る上り傾斜の搬送路を有している。 The first transport section M 1 is set at a position slightly upstream (upstream side) from the start point P 0 in the pass unit (PASS) of the multistage unit section (TB) 92 to the exit in the developing section 122. a segment between the section changes P 1 of has a horizontal conveying path extending substantially horizontally aligned while maintaining the height position of the starting point P 0. The second conveyance section M 2 is a section from the first section change point P 1 to the second section change point P 2 set near the boundary between the developing unit 122 and the rinse unit 124, and a conveyance path of the up-ramp climbing at a predetermined amount than the height position of the starting point P 0 (e.g. 10 to 25 mm) high predetermined angle of inclination to the top of the first raised portion 120a (e.g. 2 to 5 °) .

第3の搬送区間M3は、上記第2の区間変更点P2からリンス部124の入口付近に設定された第3の区間変更点P3までの区間であり、上記第1の隆起部120aの頂上からそれよりも所定量(たとえば10〜25mm)低い第1のボトム位置まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で下る下り傾斜の搬走路を有している。第4の搬送区間M4は、リンス部124内で入口付近の上記第3の区間変更点P3から内奥の所定位置に設定された第4の区間変更点P4までの区間であり、上記第1のボトム位置と同じ高さでほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。 The third transfer section M 3 is a section from the second section change point P 2 to the third section change point P 3 set in the vicinity of the entrance of the rinse section 124, and the first raised section 120a. A downwardly inclined traveling path that descends at a predetermined inclination angle (for example, 2 to 5 °) from the top of the vehicle to a first bottom position that is lower by a predetermined amount (for example, 10 to 25 mm) than that. The fourth transport section M 4 is a section from the third section change point P 3 near the entrance to the fourth section change point P 4 set at a predetermined position inside the rinse section 124, A horizontal conveyance path extending substantially in a horizontal line at the same height as the first bottom position is provided.

第5の搬送区間M5は、リンス部124内で上記第4の区間変更点P4からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置に設定された第5の区間変更点P5までの区間であり、第1のボトム位置よりも所定量(たとえば10〜25mm)高い第2の隆起部120bの頂上まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で上る上り傾斜の搬走路を有している。第6の搬送区間M6は、リンス部124内で上記第5の区間変更点P5からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置に設定された第6の区間変更点P6までの区間であり、上記第2の隆起部120bの頂上からそれよりも所定量(たとえば10〜25mm)低い第2のボトム位置まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で下る下り傾斜の搬走路を有している。 The fifth transport section M 5 is a section from the fourth section change point P 4 to the fifth section change point P 5 set at a position downstream of the fourth section change point P 4 by a predetermined distance in the rinse section 124. And an upwardly inclined traveling path that rises at a predetermined inclination angle (for example, 2 to 5 °) to the top of the second raised portion 120b that is higher by a predetermined amount (for example, 10 to 25 mm) than the first bottom position. ing. The sixth transport section M 6 is a section from the fifth section change point P 5 to the sixth section change point P 6 set at a position downstream of the fifth section change point P 5 by a predetermined distance in the rinse section 124. And a downwardly inclined traveling path that descends at a predetermined inclination angle (for example, 2 to 5 °) from the top of the second raised portion 120b to a second bottom position that is lower by a predetermined amount (for example, 10 to 25 mm) than that. have.

第7の搬送区間M7は、リンス部124内で上記第6の区間変更点P6からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置つまり出口より少し手前(上流側)の位置に設定された第7の区間変更点P7までの区間であり、上記第2のボトム位置と同じ高さでほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。第8の搬送区間M8は、上記第7の区間変更点P7からリンス部124と乾燥部126との境界付近に設定された第8の区間変更点P8までの区間であり、上記第2のボトム位置よりも所定量(たとえば10〜25mm)高い段差部120cの上段位置まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で上る上り傾斜の搬走路を有している。 The seventh transport section M 7 is set within the rinse section 124 to a position downstream from the sixth section change point P 6 by a predetermined distance, that is, a position slightly ahead (upstream) from the outlet. This is a section up to the seventh section change point P 7 , and has a horizontal conveyance path extending substantially in a horizontal straight line at the same height as the second bottom position. The eighth transport section M 8 is a section from the seventh section change point P 7 to the eighth section change point P 8 set in the vicinity of the boundary between the rinse section 124 and the drying section 126. 2 has an upwardly inclined traveling path that rises at a predetermined inclination angle (for example, 2 to 5 °) to the upper position of the stepped portion 120c that is a predetermined amount (for example, 10 to 25 mm) higher than the bottom position.

第9の搬送区間M9は、上記第8の区間変更点P8から乾燥部126および脱色プロセス部34(図1)を通って多段ユニット部(TB)98(図1)のパスユニット(PASS)内の終点まで至る区間であり、上記段差部120cの上段位置の高さを一定に保ったまま水平一直線に延びる水平搬走路を有している。 The ninth transport section M 9 is the pass section (PASS) of the multistage unit section (TB) 98 (FIG. 1) from the eighth section change point P 8 through the drying section 126 and the decoloring process section 34 (FIG. 1). ), And has a horizontal runway extending in a horizontal straight line while maintaining the height of the upper position of the stepped portion 120c constant.

なお、搬送ライン120は、各区間変更点Pで急角度に折れ曲がるような進路変更を行うよりは、その付近で適度な曲率半径を描いて進路変更するのが好ましく、また隆起部120a,120bがフラット(水平)な頂上を有する台形の形状になっていてもよい。   In addition, it is preferable to change the course of the conveyance line 120 by drawing an appropriate radius of curvature in the vicinity thereof, rather than making a course change that bends at a steep angle at each section change point P, and the raised portions 120a and 120b It may have a trapezoidal shape with a flat (horizontal) top.

現像部122においては、第1の搬送区間M1内の所定位置に、搬送ライン120上をコロ搬送で移動する水平姿勢の基板Gに向けて上方から基準濃度の現像液を吐出する現像液供給ノズル(以下、「現像ノズル」と略称する。)130が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。各現像ノズル130は、たとえばスリット状の吐出口または1列に配置された多数の微細径吐出口を有する長尺型のノズルからなり、図示しない現像液供給源から配管を介して現像液を給液されるようになっている。 In the developing unit 122, a developer supply for discharging a developer having a reference density from above toward a predetermined position in the first transport section M1 toward a horizontal substrate G moving on the transport line 120 by roller transport. One or a plurality of nozzles (hereinafter abbreviated as “developing nozzles”) 130 are arranged along the transport direction. Each developing nozzle 130 is composed of, for example, a slit-shaped discharge port or a long nozzle having a large number of fine-diameter discharge ports arranged in a row, and the developer is supplied from a developer supply source (not shown) through a pipe. It is supposed to be liquid.

現像部122内には、搬送ライン120の下に落ちた現像液を受け集めるためのパン132も設けられている。このパン132の排液口は排液管134を介して現像液再利用機構136に通じている。現像液再利用機構136は、現像液ノズル130により基板G上に現像液を盛る際にこぼれ落ちた現像液をパン132および排液管134を介して回収し、回収した現像液に原液や溶媒を加え、基準濃度に調整したリサイクルの現像液を上記現像液供給源に送るようになっている。   In the developing unit 122, a pan 132 is also provided for collecting developer that has fallen under the transport line 120. The drain port of the pan 132 communicates with the developer reuse mechanism 136 via the drain pipe 134. The developer reuse mechanism 136 collects the developer spilled when the developer is deposited on the substrate G by the developer nozzle 130 through the pan 132 and the drain pipe 134, and the stock solution and the solvent are added to the collected developer. In addition, a recycled developer adjusted to a reference density is sent to the developer supply source.

リンス部124においては、入口付近の第3の搬送区間M3内の所定位置に、搬送ライン120の上記第1の隆起部120aの下り斜面を通過する基板Gに向けて上方から液置換(現像停止)用のリンス液を吐出する第1のリンス液供給ノズル(以下、「リンスノズル」と略称する。)138が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。また、中心部の第5の搬送区間M5内の所定位置に、搬送ライン120の上記第2の隆起部120bの上り斜面を通過する基板Gに向けて上方から洗浄用のリンス液を吐出する第2のリンスノズル140が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。また、その下流側隣の第6の搬送区間M6内の所定位置に、搬送ライン120の第2の隆起部120bの下り斜面を通過する基板Gに向けて上方から仕上げ洗浄用のリンス液を吐出する第3のリンスノズル142が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。さらに、出口付近にて第8の搬送区間M8内の所定位置に、搬送ライン120の上り段差部120cを上る基板Gに向けて上方から最終洗浄用のリンス液を吐出する第4のリンスノズル145が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。各リンスノズル138,140,142,145は、たとえば上記現像液ノズル130と同様の構成を有する長尺型ノズルからなり、図示しないリンス液供給源から配管を介してリンス液を給液されるようになっている。 In the rinsing section 124, liquid replacement (development) is performed from above toward a substrate G passing through the downward slope of the first raised section 120 a of the transport line 120 at a predetermined position in the third transport section M 3 near the entrance. One or a plurality of first rinse liquid supply nozzles (hereinafter abbreviated as “rinse nozzles”) 138 for discharging a rinse liquid for stoppage are arranged along the transport direction. In addition, a rinsing liquid for cleaning is discharged from above toward the substrate G passing through the rising slope of the second raised portion 120b of the transfer line 120 at a predetermined position in the fifth transfer section M5 in the center. One or a plurality of second rinse nozzles 140 are arranged along the transport direction. Further, a rinsing liquid for finishing cleaning is applied from above to the substrate G passing through the descending slope of the second raised portion 120b of the transfer line 120 at a predetermined position in the sixth transfer section M6 adjacent to the downstream side. One or a plurality of third rinse nozzles 142 for discharging are arranged along the transport direction. Further, a fourth rinse nozzle that discharges a rinse liquid for final cleaning from above toward the substrate G that goes up the ascending step 120c of the transport line 120 at a predetermined position in the eighth transport section M8 near the outlet. One or a plurality 145 are arranged along the transport direction. Each of the rinsing nozzles 138, 140, 142, and 145 is, for example, a long nozzle having the same configuration as the developer nozzle 130, and is supplied with a rinsing liquid via a pipe from a rinsing liquid supply source (not shown). It has become.

リンス部124内には、搬送ライン120の下に落ちたリンス液を受け集めるためのパン144が設けられている。このパン144の排液口は排液管146を介してリンス液回収部(図示せず)に通じている。図示省略するが、搬送ライン120の下から基板Gの下面に対して洗浄用のリンス液を噴き掛ける下部リンスノズルを設けることもできる。   A pan 144 is provided in the rinsing section 124 for collecting the rinse liquid that has fallen under the transport line 120. The drain port of the pan 144 communicates with a rinse liquid recovery unit (not shown) via a drain pipe 146. Although not shown in the drawing, a lower rinse nozzle that sprays a rinse solution for cleaning on the lower surface of the substrate G from below the transfer line 120 may be provided.

乾燥部126においては、第9の搬送区間M9の始端付近の所定位置に、搬送ライン120の上記段差部120cを上ってきた直後の基板Gに向けて上方から搬送方向と逆向きに液切りないし乾燥用の高圧ガス流(通常はエア流)を当てる長尺型のガスノズルまたはエアナイフ148が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。搬送ライン120の下から基板Gの下面に向けて液切りないし乾燥用の高圧ガス流を当てる下部エアナイフ(図示せず)も設置可能である。また、乾燥部126内で搬送ライン120の下に落ちた液を受け集めるためのパン(図示せず)を設けてもよい。 In the drying unit 126, the ninth liquid at a predetermined position near the starting end, from above the conveying direction and opposite toward the substrate G immediately came up with the step portion 120c of the transfer line 120 of the transport section M 9 in One or a plurality of long gas nozzles or air knives 148 for applying a high-pressure gas flow for cutting or drying (usually an air flow) are arranged along the transport direction. A lower air knife (not shown) for applying a high-pressure gas flow for draining or drying from the bottom of the transfer line 120 toward the lower surface of the substrate G can also be installed. Moreover, you may provide the bread | pan (not shown) for collecting the liquid which fell under the conveyance line 120 in the drying part 126. FIG.

下流側隣の脱色プロセス部34には、搬送ライン120上をコロ搬送で移動する基板Gに向けて上方から脱色処理用のi線(波長365nm)を照射するi線照射ユニット(i−UV)96が設けられている。   An i-ray irradiation unit (i-UV) that irradiates the decoloring process unit 34 adjacent to the downstream side with i-rays (wavelength 365 nm) for decolorization processing from above toward the substrate G that moves by roller conveyance on the conveyance line 120. 96 is provided.

現像ユニット(DEV)94は、一体的なハウジング150内に現像部122,リンス部124および乾燥部126を収容しており、異なる処理部間の境界には搬送ライン120に沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための鉛直方向に延在する隔壁152,154を設けている。より詳細には、現像部122とリンス部124との境界つまり第2の搬送区間M2と第3の搬送区間M3との境界付近に隔壁152が設けられ、リンス部124と乾燥部126との境界つまり第8の搬送区間M8と第9の搬送区間M9との境界付近に隔壁154が設けられる。各隔壁152,154には、搬送ライン120を通す開口156,158がそれぞれ形成されている。 The developing unit (DEV) 94 accommodates the developing unit 122, the rinsing unit 124, and the drying unit 126 in an integral housing 150, and a boundary space between the different processing units is surrounded by a surrounding space along the transport line 120. Partition walls 152 and 154 extending in the vertical direction for separating the upstream side and the downstream side are provided. More specifically, the partition wall 152 is provided in the vicinity of the boundary between the developing unit 122 and the boundary, that the second transport section M 2 and the third transport section M 3 of the rinsing section 124, a rinsing portion 124 and the drying unit 126 A partition wall 154 is provided in the vicinity of the boundary, that is, in the vicinity of the boundary between the eighth transport section M 8 and the ninth transport section M 9 . Openings 156 and 158 through which the conveyance line 120 passes are formed in the partition walls 152 and 154, respectively.

この現像ユニット(DEV)94において、各処理部122,124,126内の空間は隔壁152,154の開口156,158を介して相互に連通している。現像部122および乾燥部126では、室外の空気を引き込むためのファン160,162と、これらのファン160,162からの空気流を除塵するエアフィルタ164,166とによって、天井から清浄な空気がダウンフローで室内に供給されるようになっている。このうち、現像部122の天井から供給される清浄空気は、現像処理時に発生する現像液のミストを巻き込むようにして上記隔壁152の開口156を通ってリンス部124の室内に流入する。一方、乾燥部126の天井から供給される清浄空気は、乾燥(液切り)処理で発生するリンス液のミストを巻き込むようにして上記隔壁154の開口158を通ってリンス部124の室内に流入するようになっている。リンス部124の底部には、たとえば排気ポンプまたは排気ファンを有する排気機構168に通じる排気口170が設けられている。上記のようにして現像部122側から流入してきたミスト混じりの空気と、乾燥部126側から流入してきたミスト混じりの空気は、リンス部124内で発生するミストをも巻き込んで左右から合流して排気口170から排出されるようなっている。   In the developing unit (DEV) 94, spaces in the processing units 122, 124, and 126 communicate with each other through openings 156 and 158 in the partition walls 152 and 154. In the developing unit 122 and the drying unit 126, clean air is lowered from the ceiling by the fans 160 and 162 for drawing outdoor air and the air filters 164 and 166 for removing dust from the air flow from the fans 160 and 162. It is designed to be supplied indoors with a flow. Among these, the clean air supplied from the ceiling of the developing unit 122 flows into the chamber of the rinse unit 124 through the opening 156 of the partition wall 152 so as to involve the mist of the developer generated during the developing process. On the other hand, the clean air supplied from the ceiling of the drying unit 126 flows into the chamber of the rinse unit 124 through the opening 158 of the partition wall 154 so as to involve the mist of the rinse liquid generated in the drying (liquid draining) process. It is like that. At the bottom of the rinsing part 124, an exhaust port 170 leading to an exhaust mechanism 168 having an exhaust pump or an exhaust fan, for example, is provided. As described above, the mist mixed air flowing in from the developing unit 122 side and the mist mixed air flowing in from the drying unit 126 side also include the mist generated in the rinse unit 124 and merge from the left and right. The gas is discharged from the exhaust port 170.

ここで、この現像ユニット(DEV)94における全体の動作を説明する。上記のように、第2の熱的処理部30(図1)において露光後の一連の熱処理を終えた基板Gは搬送機構90によって多段ユニット部(TB)92のパスユニット(PASS)に搬入される。図4に示すように、このパスユニット(PASS)内には、搬送機構90(図1)から基板Gを受け取るリフトピン昇降機構172が設けられている。このリフトピン昇降機構172により搬送ライン120上に基板Gが水平に移載されると、搬送駆動部の駆動による一定速度のコロ搬送で基板Gは隣の現像ユニット(DEV)94に向けて搬送される。   Here, the overall operation of the developing unit (DEV) 94 will be described. As described above, the substrate G that has undergone a series of post-exposure heat treatments in the second thermal processing unit 30 (FIG. 1) is carried into the pass unit (PASS) of the multi-stage unit unit (TB) 92 by the transport mechanism 90. The As shown in FIG. 4, in this pass unit (PASS), a lift pin lifting mechanism 172 for receiving the substrate G from the transport mechanism 90 (FIG. 1) is provided. When the substrate G is horizontally transferred onto the transport line 120 by the lift pin lifting mechanism 172, the substrate G is transported toward the adjacent developing unit (DEV) 94 by roller transport at a constant speed by driving the transport driving unit. The

現像ユニット(DEV)94では、最初に現像部122において、基板Gが搬送ライン120の第1の搬送区間M1内を水平姿勢で移動する間に定置の現像ノズル130より現像液を供給され、基板G上には基板前端から基板後端に向って搬送速度と等しい走査速度で現像液が盛られる。基板Gからこぼれた現像液はパン132に受け集められる。 In the developing unit (DEV) 94, first, in the developing unit 122, the developing solution is supplied from the stationary developing nozzle 130 while the substrate G moves in a horizontal posture in the first transport section M1 of the transport line 120. On the substrate G, a developer is deposited from the front end of the substrate toward the rear end of the substrate at a scanning speed equal to the transport speed. The developer spilled from the substrate G is collected by the pan 132.

上記のようにして現像液を盛られた基板Gは、直後に第2の搬送区間M2で第1の隆起部120aの上り傾斜路を上り、ここで基板G上の現像液が下方つまり後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。流れ落ちた現像液はパン132に受け集められる。この時、基板G上では基板の前端側から後端側へ向って搬送速度とほぼ等しい移動速度で現像液の液切りが行われる。こうして第1の隆起部120aを乗り越えた基板Gは、その上面に現像液が非常に薄い液膜で残っている状態で、リンス部124側の下り傾斜路(第3の搬送区間M3)に差し掛かる。 The substrate G on which the developer is deposited as described above immediately rises in the second conveying section M 2 and ascends the upward slope of the first raised portion 120a, where the developer on the substrate G is below, that is, behind. It moves by gravity to flow down from the rear edge of the substrate. The developer that has flowed down is collected in the pan 132. At this time, on the substrate G, the developer is drained at a moving speed substantially equal to the transport speed from the front end side to the rear end side of the substrate. In this way, the substrate G that has overcome the first raised portion 120a remains on the upper slope of the substrate G in the downward inclined path (third transport section M 3 ) on the rinse portion 124 side with the developer remaining as a very thin liquid film. Approaching.

リンス部124において、基板Gが第3の搬送区間M3の下り傾斜路を下りる時、上方のリンスノズル138が基板G上にリンス液を供給することにより、基板G上の各部に薄く残っていた現像液は重力とリンス液の流れの圧力を受けて前方へ流下し基板前端から追い出される。基板Gの前方へ流れおちた現像液およびリンス液はパン144に受け集められる。こうして基板G上で基板の前端側から後端側へ向って搬送速度とほぼ等しい走査速度で、現像液がリンス液に置換され、現像が停止する。 In the rinse section 124, when the substrate G descend a third downlink ramp transport section M 3 of, by the upper rinse nozzle 138 to supply the rinse liquid on the substrate G, remains thinly to each part of the substrate G The developing solution flows forward under the pressure of gravity and the flow of the rinsing solution and is ejected from the front end of the substrate. The developing solution and the rinsing solution that have flowed forward of the substrate G are collected by the pan 144. In this way, the developing solution is replaced with the rinsing solution at a scanning speed substantially equal to the transport speed from the front end side to the rear end side of the substrate G, and development stops.

上記のようにして現像処理を終えた基板Gは、水平な第4の搬送区間M4を通過し、次の第5の搬送区間M5で第2の隆起部120bの上り傾斜路を上る。この時、基板G上に残っている置換用のリンス液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。さらに、上方のリンスノズル140より基板G上に一次洗浄用のリンス液が供給され、古いリンス液を追い出しながらこの新たなリンス液も基板後端から流れ落ちる。基板の後方に流れ落ちたリンス液はパン144に受け集められる。こうして、第2の隆起部120bの頂点を越える基板Gは、その上面に一次洗浄用のリンス液が薄い液膜で残っている状態で、第2の隆起部120bの下り傾斜路(第6の搬送区間M6)に差し掛かる。 The substrate G that has been subjected to the development processing as described above passes through the horizontal fourth transport section M 4 , and goes up the ascending slope of the second raised portion 120 b in the next fifth transport section M 5 . At this time, the rinsing liquid for replacement remaining on the substrate G moves backward from the front end side of the substrate by gravity and flows down from the rear end of the substrate. Further, a rinse liquid for primary cleaning is supplied from the upper rinse nozzle 140 onto the substrate G, and this new rinse liquid also flows down from the rear end of the substrate while expelling the old rinse liquid. The rinse liquid that has flowed down to the rear of the substrate is collected by the pan 144. Thus, the substrate G beyond the top of the second raised portion 120b has a downward sloping path (sixth of the second raised portion 120b) in a state in which the rinse liquid for primary cleaning remains as a thin liquid film on the upper surface of the substrate G. The transport section M 6 ) is reached.

次いで、第2の隆起部120bの下り傾斜路(M6)を基板Gが下りる際には、上方のリンスノズル142により基板G上に二次洗浄用の新たなリンス液が供給され、基板G上に薄く残っていた一次洗浄液を前方に追いやりながら新たなリンス液も基板前端から流れ落ちる。基板Gの前方に流れ落ちたリンス液はパン144に受け集められる。 Next, when the substrate G descends the down slope (M 6 ) of the second raised portion 120b, a new rinse liquid for secondary cleaning is supplied onto the substrate G by the upper rinse nozzle 142, and the substrate G The new rinse liquid also flows down from the front end of the substrate while chasing the primary cleaning liquid remaining thinly on the front. The rinse liquid that has flowed down in front of the substrate G is collected by the pan 144.

上記のようにしてリンス処理を終えた基板Gは、水平な第7の搬送区間M7を通過し、次の第8の搬送区間M8で上り段差部120cの傾斜路を上る。この時、基板G上に残っている仕上げ用リンス液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。さらに、上方のリンスノズル145より基板G上に最終洗浄用のリンス液が供給され、古いリンス液を追い出しながらこの新たなリンス液も基板後端から流れ落ちる。基板Gの後方に流れ落ちたリンス液はパン144に受け集められる。そして、基板Gが段差部120cを上り、乾燥部126側つまり第9の搬送区間M6内の上段搬走路に入ると、エフナイフ148が基板Gに対して搬送方向と逆向きに高圧ガス流を当てることにより、基板G上の残っていたリンス液が基板後方へ寄せられて基板後端から追い出される(液切りされる)。基板Gの後方に飛ばされたリンス液はパン144に受け集められる。 The substrate G that has been subjected to the rinsing process as described above passes through the horizontal seventh transport section M 7 and goes up the slope of the ascending step 120 c in the next eighth transport section M 8 . At this time, the finishing rinse liquid remaining on the substrate G moves from the substrate front end side to the rear by gravity and flows down from the substrate rear end. Further, a rinse liquid for final cleaning is supplied onto the substrate G from the upper rinse nozzle 145, and this new rinse liquid also flows down from the rear end of the substrate while expelling the old rinse liquid. The rinse liquid that has flowed down to the rear of the substrate G is collected by the pan 144. Then, the substrate G is up the step portion 120c, enters the upper搬走path in the transport section M 6 of the drying section 126 side, that is the ninth, high pressure gas stream in the conveying direction and opposite Efunaifu 148 to the substrate G Is applied, the remaining rinsing liquid on the substrate G is moved toward the rear of the substrate and driven out from the rear end of the substrate (liquid drained). The rinse liquid that has been blown behind the substrate G is collected by the pan 144.

こうして現像ユニット(DEV)32内で一連の現像処理工程を終えた基板Gは、そのまま搬送ライン120上をまっすぐ移動して下流側隣の脱色プロセス部34で脱色処理を受けてから、多段ユニット部(TB)98(図1)のパスユニット(PASS)へ送られる。   The substrate G that has completed a series of development processing steps in the development unit (DEV) 32 moves straight on the transport line 120 as it is and undergoes decoloring processing in the decoloring process unit 34 adjacent to the downstream side, and then the multistage unit unit. (TB) sent to the pass unit (PASS) of 98 (FIG. 1).

上記のように、この実施形態の現像ユニット(DEV)32においては、ユニットを縦断する搬送ライン120上を基板Gが一定速度のコロ搬送で移動し、その平流しの移動中に現像部122、リンス部124および乾燥部126でそれぞれ現像処理、リンス処理、乾燥処理を順次施されるようになっている。   As described above, in the development unit (DEV) 32 of this embodiment, the substrate G moves by roller conveyance at a constant speed on the conveyance line 120 that cuts the unit, and the developing unit 122, The rinsing unit 124 and the drying unit 126 are sequentially subjected to development processing, rinsing processing, and drying processing, respectively.

特に、現像部122では、水平搬送路(M1)上の所定位置で水平姿勢の基板G上に現像液が盛られ、そこから搬送ライン120の下流側に所定の距離だけ離れた場所に位置する第1の隆起部120aの傾斜路上で重力を利用した現像液の液切りないし現像停止が行われる。特に、基板Gが第1の隆起部120aの上り傾斜路(M2)を上る際に基板G上の現像液の大部分が後方へ落ちるので、わざわざ基板を停止させ持ち上げて水平姿勢から傾斜変換へ姿勢変換する必要はない。しかも、基板Gが上り傾斜路(M2)を乗り越えると、基板Gの上面(被処理面)が乾かないうちに間髪を入れずに下り傾斜路(M3)で液置換用のリンス液が供給されるので、液置換前の不所望な乾燥に起因する現像不良(斑の発生等)を防止できる。また、基板G上の各部で現像液の除去ないし現像停止が行われる走査の向きおよび速度が、基板G上の各部に現像液が盛られたときの走査の向きおよび速度と等しいので、現像時間の面内均一性ひいては現像均一性を向上させることができる。また、基板Gが隆起部120aを通過する際に形成される基板隆起部または傾斜部が局所的(瘤状)であり、基板全体でみると基板上の現像液の流れは低速でゆっくりしている。このことにより、基板上の液に乱流や液割れが起こり難い。この点、基板全体を水平姿勢から急激に所定角度の傾斜姿勢に姿勢変換する従来方式においては、基板上で急速に流下する現像液が乱流や液割れを起こしやすく、現像ムラの原因になることがあった。 In particular, in the developing unit 122, the developer is deposited on the substrate G in a horizontal posture at a predetermined position on the horizontal transport path (M 1 ), and is located at a position away from the downstream of the transport line 120 by a predetermined distance. The developer is drained or the development is stopped using gravity on the slope of the first raised portion 120a. In particular, since most of the developer on the substrate G falls backward when the substrate G climbs the upward slope (M 2 ) of the first raised portion 120a, the substrate is purposely stopped and lifted to change the inclination from the horizontal posture. There is no need to change posture. In addition, when the substrate G gets over the upward slope (M 2 ), the rinsing liquid for liquid replacement is formed on the downward slope (M 3 ) without putting any hair before the upper surface (surface to be processed) of the substrate G is dried. Since it is supplied, it is possible to prevent development defects (occurrence of spots, etc.) due to undesired drying before liquid replacement. Further, since the direction and speed of scanning at which each part on the substrate G removes or stops development is equal to the direction and speed of scanning when the developer is deposited on each part on the substrate G, the development time In-plane uniformity, and thus development uniformity can be improved. Also, the substrate bulge or slope formed when the substrate G passes through the bulge 120a is local (grooved), and the flow of the developer on the substrate is slow and slow when viewed as a whole. Yes. As a result, turbulent flow and liquid cracking hardly occur in the liquid on the substrate. In this regard, in the conventional method in which the entire substrate is suddenly changed from a horizontal posture to a tilted posture of a predetermined angle, the developer that rapidly flows down on the substrate is liable to cause turbulent flow and liquid cracking, which causes development unevenness. There was a thing.

リンス部124では、基板Gが搬送ライン120の第2の隆起部120bを通過する際に、その上り傾斜路(M5)で一次洗浄が行われ、下り傾斜路(M6)で二次洗浄が行われる。傾斜路(M5,M6)で基板G上のリンス液が重力で自然に基板後方または基板前方へ流下するので、基板の洗浄を効率よく行うことができる。なお、上り傾斜路(M5)を通過する際に基板G上のリンス液は後方へ寄せられて基板後端から落ちるので、この上り傾斜路(M5)で洗浄水を供給するリンスノズル140を省くことも可能である。しかし、現像停止に用いたリンス液を必要最小限の洗浄水で速やかに洗い流すうえで、この上り傾斜路(M5)で一次洗浄を行うのは非常に効率がよい。したがって、下り傾斜路(M6)側だけにリンスノズル142を複数本並べるよりは、その中の1本を上り傾斜路(M5)側に一次洗浄用のリンスノズル140として配置する方がコストパフォーマンスの面で優れている。 In the rinse section 124, when the substrate G passes through the second raised portion 120b of the transfer line 120, the primary cleaning is performed on the upward inclined path (M 5 ) and the secondary cleaning is performed on the downward inclined path (M 6 ). Is done. Since the rinse liquid on the substrate G naturally flows down to the rear or front of the substrate by gravity on the ramps (M 5 , M 6 ), the substrate can be cleaned efficiently. It should be noted that the rinse liquid on the substrate G is drawn rearward and falls from the rear end of the substrate when passing through the ascending ramp (M 5 ). Therefore, the rinsing nozzle 140 for supplying cleaning water through the ascending ramp (M 5 ). Can be omitted. However, it is very efficient to perform the primary cleaning on the upward slope (M 5 ) in order to quickly wash away the rinse solution used for the development stop with the minimum required cleaning water. Therefore, rather than arranging a plurality of rinse nozzles 142 only on the down slope (M 6 ) side, it is more costly to arrange one of them as the rinse nozzle 140 for primary cleaning on the up slope (M 5 ) side. Excellent in terms of performance.

この実施形態では、その少し下流側で上り段差部120cの上方に設けられるリンスノズル145が上記リンスノズル140と同様の作用効果を奏するので、第2の隆起部120bを省く構成、つまり水平一直線の搬送路に置き換える構成も可能である。その場合、上記リンスノズル140,142を水平搬送路に沿って配置してもよく、あるいは省いてもよい。   In this embodiment, the rinsing nozzle 145 provided slightly above the upstream stepped portion 120c has the same effect as the rinsing nozzle 140. Therefore, the second raised portion 120b is omitted, that is, a horizontal straight line. A configuration that replaces the conveyance path is also possible. In that case, the rinse nozzles 140 and 142 may be arranged along the horizontal conveyance path or may be omitted.

乾燥部126では、基板Gが搬送ライン120の段差部120cを通過する際に、その上り傾斜路(M8)で基板G上に残っていたリンス液の多くが重力で自然に基板後方へ流下するので、上段の水平搬送路(M9)側に配置するエアナイフ148の本数や乾燥用ガスの消費量を節減することができる。なお、エアナイフ148を上り傾斜路(M8)の上方に設置することも可能である。 In the drying unit 126, when the substrate G passes through the stepped portion 120c of the transfer line 120, most of the rinsing liquid remaining on the substrate G in the upward inclined path (M 8 ) naturally flows down to the rear of the substrate by gravity. Therefore, it is possible to reduce the number of air knives 148 arranged on the upper horizontal conveyance path (M 9 ) side and the consumption of the drying gas. It is also possible to install the air knife 148 above the ascending ramp (M 8 ).

また、現像ユニット(DEV)32のハウジング150内では、現像部122に設けた清浄空気供給部(160,164)より供給される清浄空気流を現像部122からリンス部124へ流し、乾燥部126に設けた清浄空気供給部(162,166)より供給される清浄空気流を乾燥部126からリンス部124へ流すようにしている。現像部122および乾燥部126内で発生するミストは速やかにリンス部124へ集められ、リンス部124から現像部122および乾燥部126へミストが逆流することはない。このことにより、現像部122および乾燥部126内で基板Gにミストが再付着するのを効率よく確実に防止できる。なお、リンス部124内では基板Gにミストが付着してもすぐにリンス液と一緒に洗い流されるので、なんら支障はない。   Further, in the housing 150 of the developing unit (DEV) 32, a clean air flow supplied from a clean air supply unit (160, 164) provided in the developing unit 122 flows from the developing unit 122 to the rinse unit 124, and a drying unit 126. A clean air flow supplied from a clean air supply unit (162, 166) provided in the drying unit 126 is allowed to flow from the drying unit 126 to the rinse unit 124. The mist generated in the developing unit 122 and the drying unit 126 is quickly collected in the rinsing unit 124, and the mist does not flow back from the rinsing unit 124 to the developing unit 122 and the drying unit 126. Accordingly, it is possible to efficiently and surely prevent mist from reattaching to the substrate G in the developing unit 122 and the drying unit 126. In the rinsing section 124, even if mist adheres to the substrate G, it is immediately washed out together with the rinsing liquid, so there is no problem.

次に、図5〜図13につき、この実施形態の現像ユニット(DEV)32における各部の実施例および作用を説明する。   Next, with reference to FIGS. 5 to 13, examples and actions of each part in the developing unit (DEV) 32 of this embodiment will be described.

上記のように、現像液を盛られた基板Gが搬送ライン120の隆起部120aの上り傾斜路M2を上る際に基板G上の液が重力で基板後方へ寄せられる。この時、表面張力が働いて基板Gの後端から現像液が落ち難くいこともあるので、この表面張力を崩して現像液の円滑ないし均一な流下を促進する適当な外力または作用を与えるのが好ましい。 As described above, when the substrate G on which the developing solution is piled up the ascending slope M 2 of the raised portion 120 a of the transport line 120, the solution on the substrate G is moved toward the rear of the substrate by gravity. At this time, since the surface tension works and it is difficult for the developer to fall from the rear end of the substrate G, an appropriate external force or action for accelerating the smooth or uniform flow of the developer by breaking the surface tension is given. Is preferred.

図5は、かかる観点から上り傾斜路M2に用いて好適なコロ搬送路の構成を示す。この構成例において、搬送ライン120のコロ128には、搬送区間に応じて2種類のコロ128A,128Bが使われている。詳細には、水平搬送路M1および下り傾斜搬送路M3を構成する第1タイプのコロ128Aは、比較的細いシャフト172の数箇所に太径のローラ部174を固着してなり、ローラ部174に基板Gを載せて回転するようになっている。上り傾斜路M2に用いられる第2タイプのコロ128Bは、第1タイプのローラ部174と同径の円柱または円筒状シャフト176を有し、このシャフト176自体に基板Gを載せて回転するようになっている。なお、第2タイプのコロ128Bには、軸方向に適当な間隔を置いてたとえばゴム製のすべり止めリング177を複数装着するのが好ましい。 FIG. 5 shows a configuration of a roller conveyance path suitable for use in the upward inclined path M 2 from this viewpoint. In this configuration example, two types of rollers 128 </ b> A and 128 </ b> B are used for the roller 128 of the transfer line 120 according to the transfer section. Specifically, the first type roller 128A constituting the horizontal conveyance path M 1 and the downward inclined conveyance path M 3 is formed by fixing large-diameter roller portions 174 to several portions of a relatively thin shaft 172, and the roller portion. A substrate G is placed on 174 and rotated. The second type roller 128B used for the up slope M 2 has a columnar or cylindrical shaft 176 having the same diameter as the first type roller portion 174, and rotates with the substrate G placed on the shaft 176 itself. It has become. In addition, it is preferable that a plurality of, for example, a rubber non-slip ring 177 is attached to the second type roller 128B at an appropriate interval in the axial direction.

図7に示すように、第2タイプのコロ128Bが基板Gの後端を押して送り出す際に基板Gの後端縁部全体にコロ128Bのシャフト176が触れることにより、基板Gの後端縁部全体から均一に現像液Rがシャフト176に巻き取られるようにしてこぼれ落ちる。   As shown in FIG. 7, when the second type roller 128B pushes and feeds the rear end of the substrate G, the shaft 176 of the roller 128B touches the entire rear end edge of the substrate G. The developer R is spilled down from the whole so as to be wound around the shaft 176.

図5において、各コロ128(128A,128B)は、両端部を軸受178に回転可能に支持されており、一端部側の軸受178よりも外側の端に取り付けた歯車プーリ180にベルト伝動機構のタイミングベルト182が巻き掛けられている。このタイミングベルト182は電気モータからなる搬送駆動部(図示せず)の回転駆動軸に接続されている。なお、各コロ128の歯車プーリ180およびタイミングベルト182はハウジング150の外に配置されている。   In FIG. 5, each roller 128 (128A, 128B) is rotatably supported at both ends by a bearing 178, and a belt transmission mechanism is attached to a gear pulley 180 attached to an end outside the bearing 178 on one end side. A timing belt 182 is wound around. The timing belt 182 is connected to a rotation drive shaft of a conveyance drive unit (not shown) made of an electric motor. Note that the gear pulley 180 and the timing belt 182 of each roller 128 are disposed outside the housing 150.

図6に示すように、相隣接するコロ128,128の間にはアイドラプーリ184が配置されている。各アイドラプーリ184は、タイミングベルト182を各歯車プーリ180に巻き掛けるためのオン位置(実線で示す位置)と、タイミングベルト182を各歯車プーリ180から外すためのオフ位置(鎖線で示す位置)との間で切り換えられるようになっている。   As shown in FIG. 6, an idler pulley 184 is disposed between the adjacent rollers 128, 128. Each idler pulley 184 includes an on position (a position indicated by a solid line) for winding the timing belt 182 around each gear pulley 180, and an off position (a position indicated by a chain line) for removing the timing belt 182 from each gear pulley 180. Can be switched between.

図8に、搬送ライン120の上り傾斜路M2で基板Gの後端から現像液のこぼれ落ちるのを援助するための別の方法を示す。この方法は、上り傾斜路M2の適当な位置たとえば麓の位置の上方にガスノズルまたはエアナイフ186を配置し、基板Gの後端部に向けてこのガスノズル186より高圧ガス(通常は高圧エア)を一時的または瞬間的に噴出させて、その高圧ガスの圧力で基板Gの後端から現像液Rを後方へ落とすものである。 FIG. 8 shows another method for assisting the spilling of the developer from the rear end of the substrate G in the upward slope M 2 of the transport line 120. In this method, a gas nozzle or an air knife 186 is disposed at an appropriate position on the upward ramp M 2 , for example, the position of the ridge, and high-pressure gas (usually high-pressure air) is supplied from the gas nozzle 186 toward the rear end of the substrate G. The developer R is ejected temporarily or instantaneously, and the developer R is dropped backward from the rear end of the substrate G with the pressure of the high-pressure gas.

図9に示す構成は、搬送ライン120の上り傾斜路M2を急勾配に形成する場合に用いて好適なもので、図示のように、相隣接するコロ128,128の間に帯状無端ベルト188を掛け渡している。基板Gが上り傾斜路M2の入口でそれまでの水平移動から上向き移動に変わる際に、基板Gの前端がベルト188に載せられて上段側のコロ122へスムースに乗り移ることができる。 The configuration shown in FIG. 9 is suitable for use when the uphill slope M 2 of the conveying line 120 is formed with a steep slope, and as shown in the drawing, a belt-like endless belt 188 between adjacent rollers 128, 128 is used. I am passing. When the substrate G changes from the previous horizontal movement to the upward movement at the entrance of the ascending ramp M 2 , the front end of the substrate G can be placed on the belt 188 and smoothly transferred to the upper roller 122.

図10に示す構成は、搬送ライン120の上り傾斜路M2における液切りで基板Gの後端部に現像液の液溜まりが残るのを確実に防止するためのもので、上り傾斜路M2の上方、好ましくは頂上部よりも少し上流側の位置に、所定の高さ位置で基板Gの左右両縁部に当接する一対のローラ190を配置する。 The configuration shown in FIG. 10 is for to reliably prevent the rear end portion of the substrate G in draining the upstream ramp M 2 of the conveyor line 120 of puddle of developer remains, up ramps M 2 A pair of rollers 190 that are in contact with the left and right edge portions of the substrate G at a predetermined height position are disposed above, preferably at a position slightly upstream from the top.

基板Gが上り傾斜路M2を通過する際に基板G上の液が重力で基板後方へ寄せられ基板後端から流れ落ちるが、基板前端から基板Gの大部分が下り傾斜路M3側に移ると基板Gの後端部が上り傾斜路M2から上方へ離れる。この時、基板Gの後端部が鎖線G'で示すように大きく跳ね上がると、基板Gの後端部に現像液の液溜まりが残るおそれがある。しかし、この構成例によれば、基板Gの後端部が上り傾斜路M2から上方へ離れてもローラ190による高さ規制を受けながら頂上付近まで後傾姿勢を維持できるため、基板G上の液切りを最後の最後まで遂行することができる。なお、基板Gを前方へ送る向きにローラ190を回転駆動する構成も可能である。 When the substrate G passes through the ascending ramp M 2 , the liquid on the substrate G is moved toward the rear of the substrate by gravity and flows down from the rear end of the substrate, but most of the substrate G moves to the descending ramp M 3 side from the front end of the substrate. And the rear end portion of the substrate G is separated upward from the ascending ramp M 2 . At this time, if the rear end portion of the substrate G jumps greatly as shown by a chain line G ′, a developer pool may remain at the rear end portion of the substrate G. However, according to this configuration example, even if the rear end portion of the substrate G is separated upward from the ascending ramp M 2 , the backward tilt posture can be maintained near the top while being restricted by the height of the roller 190. The liquid draining can be carried out to the last minute. In addition, the structure which rotationally drives the roller 190 in the direction which sends the board | substrate G ahead is also possible.

図11は、搬送ライン120の上り傾斜路M2の上方に液切り促進用のエアナイフ192を配置する構成を示している。基板Gが上り傾斜路M2を上る際に、エアナイフ192が上方からエア流を吹き降ろすことにより、基板G上で現像液が後方へ流下するのを促進することができる。この構成は、上り傾斜路M2の傾斜角や高度差が小さいときに好適に適用できる。 FIG. 11 shows a configuration in which an air knife 192 for promoting liquid draining is disposed above the upward inclined path M 2 of the transport line 120. When the substrate G goes up the upward slope M 2 , the air knife 192 blows down the air flow from above, thereby facilitating the backward flow of the developer on the substrate G. This configuration can be suitably applied when the inclination angle and altitude difference of the ascending ramp M 2 are small.

なお、上述した各部の実施例(図5〜図11)は、搬送ライン120の第1の隆起部120aへの適用に限定されるものではなく、第2の隆起部120bや段差部120cにも適用可能である。   In addition, the embodiment (FIGS. 5 to 11) of each part described above is not limited to the application to the first raised part 120a of the transfer line 120, but also to the second raised part 120b and the stepped part 120c. Applicable.

図12に、搬送ライン120上で基板Gが第1の隆起部120aを通過するときの液処理の作用を模式的に示す。図示のように、基板Gは、その可撓性を利用して全長の一部に隆起部120aに倣った突条の基板隆起部Gaを形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板隆起部Gaを基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら搬送ライン120の隆起部120aを通過する。搬送方向における第1の隆起部120aの区間長、つまり搬送区間M2,M3を足し合わせた長さはたとえば数十cm前後であり、基板Gの全長(たとえば100〜250cm)よりも短い。 FIG. 12 schematically shows the action of the liquid treatment when the substrate G passes through the first raised portion 120a on the transfer line 120. As shown in the figure, the substrate G uses the flexibility to form a protruding substrate raised portion Ga that follows the raised portion 120a on a part of the entire length, and the substrate raised portion at a speed equal to the conveyance speed. the G a to pass through the ridges 120a of the conveyor line 120 while relatively moving in a direction opposite to the conveying direction from the front end of the substrate to the rear end. The section length of the first raised portion 120a in the transport direction, that is, the total length of the transport sections M 2 and M 3 is, for example, around several tens of centimeters, and is shorter than the total length of the substrate G (for example, 100 to 250 cm).

上り傾斜路M2では、基板G上で現像液Rが重力により基板後方へ流れ、基板Gの前端から後端に向ってほぼ搬送速度に等しい速度で現像液Rの液膜が液盛りの状態から薄膜R'の状態に変化する。薄膜R'の状態になった時点で現像は終盤(たとえば95%以上)に差し掛かる。 In the upward inclined path M 2 , the developer R flows on the substrate G toward the rear of the substrate due to gravity, and the liquid film of the developer R is in a liquid state at a speed substantially equal to the transport speed from the front end to the rear end of the substrate G. To the state of the thin film R ′. When the state of the thin film R ′ is reached, the development reaches the final stage (for example, 95% or more).

基板Gが隆起部120aの頂点を越えて下り傾斜路M3に移ると、上方のリンスノズル138より帯状の吐出流でリンス液Sを供給されることにより、基板G上のリンス液Sが着液するライン付近で薄膜状態の現像液R'は速やかにリンス液Sに置換されて現像が完全に停止する。置換された現像液R'は前方へ流下して基板前端から落ちる。この際、リンス液に置換された現像液R'が流れる領域は既に(一足先に)現像を停止しているので、現像の進行に何の影響も受けない。また、図12に示すように、隆起部120aを挟んで基板後端側の領域には現像液Rが流れる一方で、基板前端側の領域にはリンス液Sが流れるので、基板Gの全体が液の重みで安定な姿勢を保ったまま搬送ライン120の隆起部120aを通過することができる。また、基板Gが隆起部120aを通過する際に、その頂上部の前後で、つまり基板前端側と基板後端側とに、異なる液(現像液とリンス液)を混ざることなく供給可能であり、現像ムラを防止することができる。因みに、基板G上で現像液とリンス液が混ざると、基板G上の各部で液濃度が異なり現像ムラが起こりやすい。さらに、基板Gの搬送を停止することなく、短い距離またはスペース内で効率よく基板上の異なる液をそれぞれ個別のパン132,144に分別回収することができる。 When the substrate G moves in the downward ramp M 3 beyond the apex of the raised portion 120a, by supplying a rinse liquid S in strip discharge flow from above the rinse nozzle 138, the rinse liquid S on the substrate G is an incoming The developing solution R ′ in the thin film state is immediately replaced with the rinsing solution S in the vicinity of the liquid line, and the development is completely stopped. The replaced developer R ′ flows forward and falls from the front end of the substrate. At this time, since the development in the region where the developing solution R ′ replaced with the rinsing solution flows has already been stopped (a little ahead), it is not affected by the progress of the development. Further, as shown in FIG. 12, while the developer R flows in the region on the rear end side of the substrate across the raised portion 120a, the rinsing liquid S flows in the region on the front end side of the substrate. The raised portion 120a of the transfer line 120 can be passed while maintaining a stable posture with the weight of the liquid. Further, when the substrate G passes through the raised portion 120a, different liquids (developer and rinsing liquid) can be supplied before and after the top, that is, the front end side and the rear end side of the substrate without being mixed. Uneven development can be prevented. Incidentally, when the developing solution and the rinsing solution are mixed on the substrate G, the concentration of the solution is different at each part on the substrate G, and uneven development tends to occur. Further, different liquids on the substrate can be efficiently collected and collected in the individual pans 132 and 144 within a short distance or space without stopping the conveyance of the substrate G.

搬送ライン120の第2の隆起部120bでも、液が異なるだけで上記第1の隆起部120aと同様の作用が奏される。もっとも、上記したように、第2の隆起部120bを省いて、この区間を水平一直線の搬走路で構成することも可能である。   Even in the second raised portion 120b of the transfer line 120, the same action as that of the first raised portion 120a is achieved only by the difference in liquid. But as above-mentioned, it is also possible to exclude the 2nd protruding part 120b and to comprise this area by a horizontal straight runway.

図13に、基板Gが搬送ライン120の段差部120c(搬送区間M8)を通過するときの液切りの作用を模式的に示す。図示のように、基板Gは、その可撓性を利用して全長の一部に段差部120cに倣ったライン状の基板段差部Gcを形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板段差部Gcを基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら搬送ライン120の上り段差部120c(M8)を通過する。 FIG. 13 schematically shows the action of draining when the substrate G passes through the stepped portion 120c (transport section M 8 ) of the transport line 120. As shown, the substrate G is a substrate stepped portion in its flexibility by using to form a substrate stepped portion G c part on the step portion 120c to follow a linear full-length a, and equal to the conveying speed velocity the G c passing through the upstream step portion 120c of the conveyor line 120 while relatively moving in a direction opposite to the conveying direction from the front end of the substrate to the rear end (M 8).

この上り段差部120c(M8)では、基板G上で使用済みのリンス液Sおよびリンスノズル145より基板G上に供給された新たなリンス液Sが重力により基板後方へ流れ、基板Gの前端から後端に向ってほぼ搬送速度に等しい速度でリンス液Sの液膜がほぼ液盛りの状態から薄膜S'の状態に変化する。基板Gが段差部120c(M8)を越えて上段の水平搬走路M9に入ると、上方のエアナイフ148よりナイフ状の吐出流で高圧ガス流を搬送方向と逆向きに吹き付けられることにより、基板G上に薄膜状態で残っていたリンス液S'は根こそぎ基板後端側へ寄せられて基板から除去される。 In the ascending step 120c (M 8 ), the rinse liquid S used on the substrate G and the new rinse liquid S supplied onto the substrate G from the rinse nozzle 145 flow toward the rear of the substrate due to gravity, and the front end of the substrate G The liquid film of the rinsing liquid S changes from the substantially liquid state to the thin film S ′ at a speed substantially equal to the conveying speed from the rear to the rear end. When the substrate G passes the step 120c (M 8 ) and enters the upper horizontal transport path M 9 , a high-pressure gas flow is blown from the upper air knife 148 with a knife-like discharge flow in the direction opposite to the conveyance direction. The rinse solution S ′ remaining in the thin film state on the substrate G is uprooted and moved toward the rear end side of the substrate and removed from the substrate.

[実施形態2]
次に、図14〜図17を参照して本発明を洗浄プロセス部24に適用した一実施形態を説明する。
[Embodiment 2]
Next, an embodiment in which the present invention is applied to the cleaning process unit 24 will be described with reference to FIGS.

図14に、本発明の一実施形態による洗浄プロセス部24内の構成を示す。この洗浄プロセス部24は、図示のように、プロセスラインAに沿って水平方向(X方向)に延びる平流しの搬送ライン200を設置しており、この搬送ライン200に沿ってエキシマ照射ユニット(e−UV)41とスクラバ洗浄ユニット(SCR)42とを配置している。そして、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内には、上流側から順に搬入部202、スクラビング洗浄部204、ブロー洗浄部206、リンス部208、乾燥部210および搬出部212を設けている。   FIG. 14 shows a configuration in the cleaning process unit 24 according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the cleaning process unit 24 is provided with a flat transport line 200 extending in the horizontal direction (X direction) along the process line A, and the excimer irradiation unit (e -UV) 41 and a scrubber cleaning unit (SCR) 42 are arranged. In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, a carry-in unit 202, a scrubbing cleaning unit 204, a blow cleaning unit 206, a rinse unit 208, a drying unit 210, and a carry-out unit 212 are provided in this order from the upstream side.

搬送ライン200は、基板Gを被処理面が上を向いた仰向けの姿勢で搬送するためのコロ214を搬送方向(X方向)に一定間隔で敷設してなり、洗浄プロセス部24の入口に始点を有し、エキシマ照射ユニット(e−UV)41およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)42を通り抜け、第1の熱的処理部26(図1)における多段ユニット部(TB)44内のパスユニット(PASS)50(図2)で終端している。搬送ライン200の各コロ214は、たとえば電気モータを有する搬送駆動部(図示せず)に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。   The transfer line 200 is formed by laying rollers 214 for transferring the substrate G in a supine posture with the processing surface facing upward in the transfer direction (X direction) at a predetermined interval, and starts at the entrance of the cleaning process unit 24. Pass through the excimer irradiation unit (e-UV) 41 and the scrubber cleaning unit (SCR) 42, and pass units (PASS) in the multistage unit section (TB) 44 in the first thermal processing section 26 (FIG. 1). ) 50 (FIG. 2). Each roller 214 of the conveyance line 200 is connected to a conveyance drive unit (not shown) having an electric motor, for example, via a transmission mechanism such as a gear mechanism or a belt mechanism.

この搬送ライン200も、搬送方向(X方向)において始点から終点まで同じ高さ位置で続いているのではなく、途中で所定の箇所に隆起部200a、200b,上り段差部200cおよび下り段差部200dを有している。より詳細には、搬入部202内に第1の隆起部200aが設けられ、ブロー洗浄部206内に第2の隆起部200bが設けられ、リンス部208内に上り段差部200cが設けられ、乾燥部210と搬出部212との境界付近に下り段差部200dが設けられており、それら起伏部以外の搬送区間は水平一直線の搬送路に形成されている。   The transport line 200 does not continue at the same height position from the start point to the end point in the transport direction (X direction), but has raised portions 200a, 200b, an ascending step portion 200c, and a descending step portion 200d at predetermined locations along the way. have. More specifically, a first raised portion 200a is provided in the carry-in portion 202, a second raised portion 200b is provided in the blow cleaning portion 206, an ascending step portion 200c is provided in the rinse portion 208, and drying is performed. A descending step portion 200d is provided in the vicinity of the boundary between the portion 210 and the carry-out portion 212, and the conveyance sections other than the undulating portions are formed in a horizontal straight conveyance path.

エキシマUV照射ユニット(e−UV)41は、搬送ライン200の上方に紫外線ランプ216を収容したランプ室218を設けている。紫外線ランプ216は、たとえば誘電体バリア放電ランプからなり、有機汚染の洗浄に好適な波長172nmの紫外線(紫外エキシマ光)を直下の搬送ライン200上の基板Gに石英ガラス窓220を通して照射するようになっている。紫外線ランプ216の背後または上には横断面円弧状の凹面反射鏡222が設けられている。   The excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 is provided with a lamp chamber 218 in which an ultraviolet lamp 216 is accommodated above the transport line 200. The ultraviolet lamp 216 is composed of, for example, a dielectric barrier discharge lamp, and irradiates the substrate G on the transport line 200 directly below the substrate G on the transport line 200 with a wavelength 172 nm suitable for cleaning organic contamination through the quartz glass window 220. It has become. A concave reflector 222 having a circular arc cross section is provided behind or above the ultraviolet lamp 216.

スクラバ洗浄ユニット(SCR)42において、搬入部202の天井には、清浄な空気をダウンフローで供給するファン・フィルタ・ユニット(FFU)224が取り付けられている。第1の隆起部200aの上方には特にノズル、エアナイフ等のツールは設けられない。   In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, a fan filter unit (FFU) 224 that supplies clean air in a downflow is attached to the ceiling of the carry-in unit 202. No particular tools such as nozzles and air knives are provided above the first raised portion 200a.

スクラビング洗浄部204内には、搬送路ライン200に沿って上流側から順にエアカーテンノズル226、薬液供給ノズル228、ロールブラシ230および洗浄スプレー管232が配置されている。エアカーテンノズル226は、直下を通過する基板Gの上面に対してスリット状の空気流を搬送方向の下流側に向けて吹き付けるように配置される。エアカーテンノズル226の直下には、全長に亘って円筒状のシャフトを有する第2タイプのコロ214Bが配置されている。薬液供給ノズル228、ロールブラシ230および洗浄スプレー管232は、搬送ライン200を挟んでその上下両側に設けることも可能である。   In the scrubbing cleaning unit 204, an air curtain nozzle 226, a chemical solution supply nozzle 228, a roll brush 230, and a cleaning spray pipe 232 are arranged in order from the upstream side along the conveyance path line 200. The air curtain nozzle 226 is disposed so as to blow a slit-shaped air flow toward the downstream side in the transport direction with respect to the upper surface of the substrate G that passes immediately below. A second type roller 214B having a cylindrical shaft over its entire length is disposed directly below the air curtain nozzle 226. The chemical solution supply nozzle 228, the roll brush 230, and the cleaning spray tube 232 may be provided on both upper and lower sides of the conveyance line 200.

ブロー洗浄部206内には、第2の隆起部200bの上り傾斜路の上方にブロー洗浄用ノズルとしてたとえば2流体ジェットノズル234が設けられている。リンス部208内には、上り段差部200cの上方にリンスノズル236が設けられている。乾燥部210内には、水平搬送路の上方にエアナイフ238が設けられている。なお、リンスノズル236およびエアナイフ238を搬送ライン200を挟んでその上下両側に設けることも可能である。また、ブロー洗浄部206にも搬送ライン200の下から基板Gの下面(裏面)に対して洗浄用のリンス液を吹き掛ける下部リンスノズル(図示せず)を設けることができる。搬出部212の天井にも、清浄な空気をダウンフローで供給するファン・フィルタ・ユニット(FFU)240が取り付けられている。下り段差部200dの上方には特にノズル、エアナイフ等のツールは設けられない。   In the blow cleaning unit 206, for example, a two-fluid jet nozzle 234 is provided as a blow cleaning nozzle above the ascending slope of the second raised portion 200b. In the rinse portion 208, a rinse nozzle 236 is provided above the ascending step portion 200c. An air knife 238 is provided in the drying unit 210 above the horizontal conveyance path. Note that the rinse nozzle 236 and the air knife 238 may be provided on both upper and lower sides of the conveyance line 200. The blow cleaning unit 206 can also be provided with a lower rinse nozzle (not shown) for spraying a cleaning rinse liquid on the lower surface (back surface) of the substrate G from below the transfer line 200. A fan filter unit (FFU) 240 that supplies clean air in a downflow is also attached to the ceiling of the carry-out unit 212. A tool such as a nozzle or an air knife is not particularly provided above the descending step portion 200d.

相隣接するユニットまたは処理部41,202,204,206,208,210,212の間には、隔壁242,244,246,248,250,252がそれぞれ設けられている。また、液を扱う処理部204,206,208,210内には、搬送ライン200の下に落ちた液を受け集めるためのパン254,256,258,260がそれぞれ設けられている。各パンの底に設けられた排液口には回収系統または排液系統の配管が接続されている。また、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42の中心部に位置するブロー洗浄部206内の底部には、たとえば排気ポンプまたは排気ファンを有する排気機構(図示せず)に通じる排気口262が設けられている。   Partitions 242, 244, 246, 248, 250, and 252 are respectively provided between adjacent units or processing units 41, 202, 204, 206, 208, 210, and 212. Further, pans 254, 256, 258, and 260 for collecting the liquid that has fallen under the transport line 200 are provided in the processing units 204, 206, 208, and 210 that handle the liquid, respectively. A recovery system or a drain system pipe is connected to a drain port provided at the bottom of each pan. Further, an exhaust port 262 leading to an exhaust mechanism (not shown) having an exhaust pump or an exhaust fan, for example, is provided at the bottom of the blow cleaning unit 206 located at the center of the scrubber cleaning unit (SCR) 42. .

ここで、この洗浄プロセス部24における全体の動作および作用を説明する。 Here, the overall operation and action of the cleaning process section 24 will be described.

上記のようにカセットステーション(C/S)14側の搬送機構22により未処理の基板Gが搬送ライン200上に搬入され、コロ搬送による平流しでプロセスラインAの下流側に向けて搬送されてくる。 As described above, the unprocessed substrate G is loaded onto the transfer line 200 by the transfer mechanism 22 on the cassette station (C / S) 14 side, and transferred toward the downstream side of the process line A by flat flow by roller transfer. come.

エキシマUV照射ユニット(e−UV)41では、ランプ室218内の紫外線ランプ216より発せられた紫外線が石英ガラス窓220を透過して搬送ライン200上の基板Gに照射される。この紫外線により基板表面付近の酸素が励起されてオゾンが生成され、このオゾンによって基板表面の有機物が酸化・気化して除去される。   In the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, ultraviolet rays emitted from the ultraviolet lamp 216 in the lamp chamber 218 pass through the quartz glass window 220 and are irradiated onto the substrate G on the transport line 200. Oxygen in the vicinity of the substrate surface is excited by the ultraviolet rays to generate ozone, and organic substances on the substrate surface are oxidized and vaporized and removed by the ozone.

こうしてエキシマUV照射ユニット(e−UV)41で紫外線洗浄処理を受けた基板Gは、下流側隣のスクラバ洗浄ユニット(SCR)42に入り、搬入部202内の第1の隆起部200aを通過してスクラビング洗浄部204に送られる。   The substrate G thus subjected to the ultraviolet cleaning process by the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 enters the scrubber cleaning unit (SCR) 42 on the downstream side and passes through the first raised portion 200a in the carry-in portion 202. To the scrubbing cleaning unit 204.

スクラビング洗浄部204において、基板Gは最初に薬液ノズル228よりたとえば酸またはアルカリ系の薬液を吹き掛けられる。基板G上に残った薬液は、エアカーテンノズル226からの空気流を受けるため、基板G上を上流側に流れて搬入部202側へ入ることはない。また、円筒コロ214Bは、基板Gの裏面側を塞ぎながら搬送することにより、基板Gの裏面を伝わって液が搬入部202側へ行かないように機能する。薬液を供給された基板Gは、直後にロールブラシ230の下を擦りながら通り抜ける。ロールブラシ230は、図示しないブラシ駆動部の回転駆動力で搬送方向と対抗する向きに回転し、基板表面の異物(塵埃、破片、汚染物等)を擦り取る。その直後に、洗浄スプレー管232が基板Gに洗浄液たとえば純水を吹き掛け、基板上に浮遊している異物を洗い流す。スクラビング洗浄部204内で基板Gないし搬送ライン200の下に落ちた液はパン254に受け集められる。   In the scrubbing cleaning unit 204, the substrate G is first sprayed with, for example, an acid or alkaline chemical solution from the chemical solution nozzle 228. Since the chemical solution remaining on the substrate G receives an air flow from the air curtain nozzle 226, it does not flow upstream on the substrate G and enter the loading portion 202 side. Further, the cylindrical roller 214B functions so as to prevent the liquid from traveling to the carry-in portion 202 side along the back surface of the substrate G by being transported while closing the back surface side of the substrate G. The substrate G supplied with the chemical solution passes immediately after rubbing under the roll brush 230. The roll brush 230 rotates in a direction opposite to the conveying direction by a rotational driving force of a brush driving unit (not shown) and scrapes off foreign matters (dust, debris, contaminants, etc.) on the substrate surface. Immediately thereafter, the cleaning spray tube 232 sprays a cleaning liquid such as pure water on the substrate G to wash away foreign substances floating on the substrate. The liquid that has fallen under the substrate G or the transport line 200 in the scrubbing cleaning unit 204 is collected by the pan 254.

この後、基板Gはブロー洗浄部206に入って、第2の隆起部200bに差し掛かり、その上り傾斜路を上る際に2流体ジュットノズル234によりブロー洗浄を受ける。2流体ジュットノズル234は、第2の隆起部200bの上り傾斜路を上る基板G上で液の膜厚が薄くなっているところをめがけて、加圧した洗浄液(たとえば水)と加圧した気体(たとえば窒素)との混合流体を噴射し、基板Gの表面に付着または残存している異物を加圧2流体の非常に強い衝撃力で除去する。基板G上の液の大部分は隆起部200bの上り傾斜路側で下方(上流側)へ吹き飛ばされ、パン256に受け集められる。基板G上で隆起部200bの下り傾斜路側つまりリンス部208に持ち込まれる液は殆どない。   Thereafter, the substrate G enters the blow cleaning unit 206, reaches the second raised portion 200b, and is subjected to blow cleaning by the two-fluid jut nozzle 234 when going up the upward inclined path. The two-fluid jet nozzle 234 is configured to apply a pressurized cleaning liquid (for example, water) and a pressurized gas (for example, water) toward the place where the film thickness of the liquid is thin on the substrate G that goes up the ascending ramp of the second raised portion 200b. For example, a foreign fluid adhering to or remaining on the surface of the substrate G is removed with a very strong impact force of the pressurized two fluids. Most of the liquid on the substrate G is blown down (upstream) on the uphill side of the raised portion 200 b and collected by the pan 256. On the substrate G, almost no liquid is brought into the down slope side of the raised portion 200b, that is, the rinse portion 208.

リンス部208では、上り段差部200cを上る基板Gに向けて、リンスノズル236が最終洗浄用のリンス液を供給する。基板G上に供給されたリンス液は基板後端側へ向って基板上を流れ、その多くがリンス部208内のパン258に落ちる。このように上り段差部200cを上る傾斜姿勢の基板Gにリンス液を吹き掛けてリンス処理を行う方式は、水平姿勢の基板に対してリンス液を吹き掛ける従来方式と較べて、基板上の液の流れや置換効率が良く、リンス液の使用量を大幅に低減できる。   In the rinse part 208, the rinse nozzle 236 supplies the rinse liquid for final cleaning toward the board | substrate G which goes up the ascending level | step difference part 200c. The rinsing liquid supplied on the substrate G flows on the substrate toward the rear end side of the substrate, and most of the rinsing liquid falls on the pan 258 in the rinsing portion 208. In this manner, the method of performing the rinsing process by spraying the rinsing liquid on the inclined substrate G that rises up the stepped portion 200c is more liquid than the conventional method of spraying the rinsing liquid on the horizontal substrate. The flow and replacement efficiency are good, and the amount of rinse solution used can be greatly reduced.

基板Gが上り段差部200cを上りきって水平搬走路の区間に入ると、エフナイフ238が待ち構えており、基板Gに対して搬送方向と逆向きに高圧ガス流を当てる。これによって、基板G上の残っていたリンス液が基板後方へ寄せられて基板後端から追い出される(液切りされる)。   When the substrate G reaches the uphill step portion 200c and enters the section of the horizontal transport path, the F knife 238 waits and applies a high-pressure gas flow to the substrate G in the direction opposite to the transport direction. As a result, the rinsing liquid remaining on the substrate G is moved toward the rear of the substrate and driven out (removed) from the rear end of the substrate.

搬入部202天井のファン・フィルタ・ユニット(FFU)224からダウンフローで供給される清浄空気は、上記隔壁244,246の開口(基板通路)を通ってブロー洗浄部206の室内に流入し、その際にスクラビング洗浄部204内で発生する薬液等のミストもブロー洗浄部206内に運んでくる。一方、搬出部212天井のファン・フィルタ・ユニット(FFU)240からダウンフローで供給される清浄空気は、上記隔壁252,250,248の開口(基板通路)を通ってブロー洗浄部206の室内に流入し、その際に乾燥室210およびリンス部208内で発生するリンス液等のミストもブロー洗浄部206内に運んでくる。こうして、搬入部202側から流れてきたミスト混じりの空気と、搬出部212側から流れてきたミスト混じりの空気は、ブロー洗浄部206内で発生するミストをも巻き込んで左右から合流して底部の排気口262から排出される。したがって、ブロー洗浄部206内で発生するミストが隣室、特にリンス部124には入ることがない。   The clean air supplied by the downflow from the fan filter unit (FFU) 224 on the ceiling of the carry-in portion 202 flows into the chamber of the blow cleaning unit 206 through the openings (substrate passages) of the partition walls 244 and 246, and At this time, mist such as a chemical generated in the scrubbing cleaning unit 204 is also carried into the blow cleaning unit 206. On the other hand, the clean air supplied by the down flow from the fan filter unit (FFU) 240 on the ceiling of the carry-out unit 212 passes through the openings (substrate passages) of the partition walls 252, 250, and 248 and enters the blow cleaning unit 206. The mist such as the rinse liquid generated in the drying chamber 210 and the rinsing unit 208 at that time is also carried into the blow cleaning unit 206. In this way, the mist mixed air flowing from the carry-in unit 202 side and the mist mixed air flowing from the carry-out unit 212 side also join the mist generated in the blow cleaning unit 206 from the left and right to join together. It is discharged from the exhaust port 262. Therefore, mist generated in the blow cleaning unit 206 does not enter the adjacent chamber, particularly the rinse unit 124.

上記のように、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42においては、平流しの搬送ライン200の途中に隆起部200bおよび上り段差部200cを設け、かつそれらの上方またはその付近にブロー洗浄用ノズルやリンスノズル等のツールを配置する構成により、基板G上の液処理に関して、上記した第1の実施形態に係る現像ユニット(DEV)32と同様の作用効果を得ることができる。   As described above, in the scrubber cleaning unit (SCR) 42, the raised portion 200b and the ascending step portion 200c are provided in the middle of the flat conveying line 200, and the blow cleaning nozzle or the rinse nozzle is provided above or in the vicinity thereof. With the configuration in which tools such as the above are arranged, the same effects as the developing unit (DEV) 32 according to the first embodiment described above can be obtained with respect to the liquid processing on the substrate G.

さらに、このスクラバ洗浄ユニット(SCR)42は、その入口または搬入部202内に隆起部200aを設け、その出口または搬出部212内に下り段差部200dを設けている。   Further, the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is provided with a raised portion 200 a in the inlet or carry-in portion 202 and a descending step portion 200 d in the outlet or carry-out portion 212.

図15〜図17につき、搬入部202内に設けられる隆起部200aの作用を説明する。なお、エアカーテンノズル226を省いている。   The operation of the raised portion 200a provided in the carry-in portion 202 will be described with reference to FIGS. Note that the air curtain nozzle 226 is omitted.

スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内の薬液供給ノズル228より基板G上に滴下された薬液Kは、隆起部200aの壁により、図15および図16に示すように上流側への広がり(特に鎖線270で示すような基板中央部での広がり)を阻止される。   The chemical solution K dripped onto the substrate G from the chemical solution supply nozzle 228 in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 spreads upstream (particularly with a chain line 270) as shown in FIGS. (Spreading at the center of the substrate as shown in FIG. 4) is prevented.

また、システムの稼働中に突然アラームが発生して搬送ライン200が止まると、搬送ライン200上を移動していた各基板Gは液処理途中の各位置で停止することになる。このとき、エキシマUV照射ユニット(e−UV)41とスクラバ洗浄ユニット(SCR)42とに跨って基板Gが停止したとしても、図17に示すように、基板G上の薬液Kはやはり隆起部200aの壁によってエキシマUV照射ユニット(e−UV)41への侵入を阻止される(塞き止められる)。   Further, when an alarm is suddenly generated during the operation of the system and the transfer line 200 stops, each substrate G that has moved on the transfer line 200 stops at each position during the liquid processing. At this time, even if the substrate G stops across the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 and the scrubber cleaning unit (SCR) 42, the chemical solution K on the substrate G is still raised as shown in FIG. Intrusion into the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 is blocked (blocked) by the wall of 200a.

エキシマUV照射ユニット(e−UV)41内に薬液その他の液体が入ると、石英ガラス窓220や紫外線ランプ216等の劣化や故障の原因になる。そこで、従来は、エキシマUV照射ユニット(e−UV)41と薬液供給ノズル224との間に基板1枚分の空間的な隔たりまたは緩衝領域を設けていた。この実施形態によれば、上記のような隆起部200aの塞き止め機能によりそのような大スペースの緩衝領域を省くことが可能であり、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42側の最上流に配置する処理液供給ノズル224を可及的にエキシマUV照射ユニット(e−UV)41に近づけて配置することができる。なお、この隆起部200aを下り段差部で代用することも可能である。   If chemicals or other liquids enter the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, the quartz glass window 220, the ultraviolet lamp 216, etc. may be deteriorated or broken down. Therefore, conventionally, a spatial separation or buffer area for one substrate is provided between the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 and the chemical solution supply nozzle 224. According to this embodiment, it is possible to omit such a large buffer area by the blocking function of the raised portion 200a as described above, and it is arranged at the most upstream side on the scrubber cleaning unit (SCR) 42 side. The processing liquid supply nozzle 224 can be arranged as close to the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 as possible. It should be noted that the raised portion 200a can be replaced with a descending step portion.

搬出部212内の下り段差部200dは、搬送ライン200の始点と終点を同じ高さ位置に合わせるためのものである。上記のように搬入部202内に下り段差部を設ける場合は、搬出部212内に下り段差部200dは不要となる。   The descending step portion 200d in the carry-out portion 212 is for aligning the start point and the end point of the transport line 200 at the same height position. As described above, when the descending step portion is provided in the carry-in portion 202, the descending step portion 200d is not required in the unloading portion 212.

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形または変更が可能である。たとえば、上記現像プロセス部32の搬送ライン120あるいは洗浄プロセス部24の搬送ライン200において上記のような隆起部や段差部を任意の順序および任意の箇所に設置することが可能である。たとえば、上記現像プロセス部32の搬送ライン120においても、現像部122の入口付近に隆起部または下り段差部を設けることが可能である。これにより、現像ノズル130より基板G上に供給された現像液が上流側隣の他のユニットへ及ばないようにしたり、搬送ライン120の始点の高さ位置を終点の高さ位置に合わせることができる。また、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42に設けたエアカーテンノズル226および円筒コロ214Bの構成または機能を現像ユニット(DEV)94に適用することも可能である。上記実施形態の搬送ライン120,200における基板Gの仰向け姿勢は水平姿勢または前後方向(X方向)の傾斜姿勢であったが、左右方向(Y方向)その他の方向で傾斜姿勢をとることも可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications or changes can be made within the scope of the technical idea. For example, the raised portions and stepped portions as described above can be installed in any order and at any location in the transport line 120 of the developing process unit 32 or the transport line 200 of the cleaning process unit 24. For example, in the transport line 120 of the developing process unit 32, it is possible to provide a raised portion or a descending step portion near the entrance of the developing unit 122. This prevents the developer supplied on the substrate G from the developing nozzle 130 from reaching another unit on the upstream side, or matches the height position of the start point of the transport line 120 to the height position of the end point. it can. Further, the configuration or function of the air curtain nozzle 226 and the cylindrical roller 214B provided in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 can be applied to the developing unit (DEV) 94. Although the posture of the substrate G on the transfer lines 120 and 200 in the above embodiment is a horizontal posture or a tilted posture in the front-rear direction (X direction), it can be tilted in the left-right direction (Y direction) or other directions. It is.

上記した実施形態は現像処理装置および洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は1種類または複数種類の処理液を用いて基板に所望の処理を施す任意の処理装置に適用可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。   Although the above-described embodiments relate to the development processing apparatus and the cleaning processing apparatus, the present invention is applicable to any processing apparatus that performs a desired process on a substrate using one type or a plurality of types of processing solutions. . The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and various substrates for flat panel displays, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the application | coating development processing system which can apply this invention. 上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the thermal process part in the said application | coating development processing system. 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence in the said application | coating development processing system. 実施形態における現像ユニット内の全体構成を示す正面図である。FIG. 2 is a front view illustrating an overall configuration in the developing unit according to the embodiment. 実施形態における搬送ラインの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the conveyance line in embodiment. 実施形態における搬送ラインの駆動部の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the drive part of the conveyance line in embodiment. 実施形態の搬送ラインにおいて基板上から液が落ちるときの一実施例の作用を示す図である。It is a figure which shows the effect | action of one Example when a liquid falls from on a board | substrate in the conveyance line of embodiment. 実施形態において基板上から液が落ちるのを促進するための一実施例を示す図である。It is a figure which shows one Example for promoting that a liquid falls from on a board | substrate in embodiment. 実施形態における搬送ラインの上り傾斜路に適用可能な一実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Example applicable to the up slope of the conveyance line in embodiment. 実施形態における搬送ラインの上り傾斜路に適用可能な一実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Example applicable to the up slope of the conveyance line in embodiment. 実施形態における搬送ラインの上り傾斜路に適用可能な一実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Example applicable to the up slope of the conveyance line in embodiment. 実施形態において搬送ラインの隆起部付近で行われる液処理の作用を示す図である。It is a figure which shows the effect | action of the liquid processing performed near the protruding part of a conveyance line in embodiment. 実施形態において搬送ラインの上り段差部付近で行われる液処理ないし乾燥処理の作用を示す図である。It is a figure which shows the effect | action of the liquid process thru | or the drying process performed in the vicinity of the uphill level part of a conveyance line in embodiment. 実施形態における洗浄プロセス部内の全体構成を示す正面図である。It is a front view which shows the whole structure in the washing | cleaning process part in embodiment. 図14の実施形態において下り段差部の一作用を示す部分側面図である。FIG. 15 is a partial side view showing an operation of the descending step portion in the embodiment of FIG. 14. 図14の実施形態において下り段差部の一作用を示す平面図である。It is a top view which shows one effect | action of a downward level | step-difference part in embodiment of FIG. 図14の実施形態において下り段差部の一作用を示す部分側面図である。FIG. 15 is a partial side view showing an operation of the descending step portion in the embodiment of FIG. 14.

符号の説明Explanation of symbols

10 塗布現像処理システム
24 洗浄プロセス部
32 現像プロセス部
41 紫外線照射ユニット(e−UV)
42 スクラバ洗浄ユニット(SCR)
94 現像ユニット(DEV)
120 搬送ライン
120a,120b 隆起部
120c 段差部
122 現像部
124 リンス部
126 乾燥部
128 コロ
130 現像液供給ノズル(現像ノズル)
136 現像液再利用機構
138,140,142 リンス液供給ノズル(リンスノズル)
140 リンス液供給ノズル(リンスノズル)
148 エアナイフ
152,154 隔壁
182 タイミングベルト
186 ガスノズル
188 帯状無端ベルト
190 ローラ
192 エアナイフ
200 搬送ライン
200a 下り傾斜路
200b,200c 隆起部
200d 上り傾斜路
224 薬液供給ノズル
226 ロールブラシ
228 洗浄スプレー管
230 エアナイフ
232 ブロー洗浄ノズル
234 エアナイフ
236 リンス液供給ノズル(リンスノズル)
238 エアナイフ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Application | coating development processing system 24 Cleaning process part 32 Development process part 41 Ultraviolet irradiation unit (e-UV)
42 Scrubber cleaning unit (SCR)
94 Development Unit (DEV)
120 Conveyance lines 120a, 120b Raised portions 120c Stepped portions 122 Developing portions 124 Rinsing portions 126 Drying portions 128 Rollers 130 Developer supply nozzles (developing nozzles)
136 Developer reuse mechanism 138, 140, 142 Rinsing liquid supply nozzle (rinsing nozzle)
140 Rinsing liquid supply nozzle (rinsing nozzle)
148 Air knife 152, 154 Bulkhead 182 Timing belt 186 Gas nozzle 188 Stripless endless belt 190 Roller 192 Air knife 200 Conveying line 200a Down slope 200b, 200c Raised portion 200d Up slope 224 Chemical solution supply nozzle 226 Roll brush 228 Cleaning spray pipe 230 Air knife 232 Cleaning nozzle 234 Air knife 236 Rinsing liquid supply nozzle (rinsing nozzle)
238 Air knife

Claims (20)

被処理基板を被処理面を上に向けた仰向けの姿勢で搬送するための搬送体を水平な所定の搬送方向に敷設してなり、前記搬送方向において実質的に水平な搬送路を有する第1の搬送区間と、前記第1の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を有する第2の搬送区間と、前記第2の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を有する第3の搬送区間と、前記第3の搬送区間に続く実質的に水平な搬送路を有する第4の搬送区間とを含む平流しの搬送ラインと、
前記搬送ライン上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動部と、
前記第1または第2の搬送区間内で前記基板上に第1の処理液を供給する第1の処理液供給部と、
前記第3の搬送区間内で前記基板上に第2の処理液を供給する第2の処理液供給部と
を有する基板処理装置。
A transport body for transporting a substrate to be processed in a supine posture with the processing surface facing upward is laid in a predetermined horizontal transport direction, and has a transport path that is substantially horizontal in the transport direction. A second transport section having an upwardly inclined transport path following the first transport section, a third transport section having a downwardly inclined transport path following the second transport section, A plain flow conveying line including a fourth conveying section having a substantially horizontal conveying path following the third conveying section;
A transport driving unit for driving the transport body to transport the substrate on the transport line;
A first processing liquid supply unit for supplying a first processing liquid onto the substrate in the first or second transfer section;
A substrate processing apparatus comprising: a second processing liquid supply unit configured to supply a second processing liquid onto the substrate within the third transfer section.
前記搬送方向において前記第2の搬送区間の長さは前記基板のサイズよりも短い請求項1に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a length of the second transfer section in the transfer direction is shorter than a size of the substrate. 前記搬送方向において前記第2の搬送区間と前記第3の搬送区間とを足し合わせた区間の長さは前記基板のサイズよりも短い請求項1に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a length of a section obtained by adding the second transport section and the third transport section in the transport direction is shorter than a size of the substrate. 前記搬送方向において前記第2の搬送区間の終端部と前記第3の搬送区間の始端部との間に実質的に水平な搬送路が形成される請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substantially horizontal conveyance path is formed in the said conveyance direction between the termination | terminus part of the said 2nd conveyance area, and the start end part of the said 3rd conveyance area. Substrate processing equipment. 前記第2の搬送区間内で前記搬送ラインの搬送路から上方に離れる前記基板の部位を所定の高さ位置で抑える基板抑え部を有する請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。   5. The substrate processing according to claim 1, further comprising a substrate holding portion that holds a portion of the substrate that is separated upward from a conveyance path of the conveyance line in the second conveyance section at a predetermined height position. apparatus. 前記基板抑え部が、前記基板の左右両縁部に当接する回転可能な一対のローラを有する請求項5に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the substrate holding portion includes a pair of rotatable rollers that come into contact with both left and right edge portions of the substrate. 前記第1の処理液供給部よりも下流側の前記第2の搬送区間内の所定位置で前記基板上に液切り用のガスを吹き付ける第1のエアナイフを有する請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。   7. The apparatus according to claim 1, further comprising: a first air knife that blows a gas for liquid removal onto the substrate at a predetermined position in the second transfer section downstream of the first processing liquid supply unit. The substrate processing apparatus according to item. 前記第1の処理液供給部よりも下流側の前記第1または第2の搬送区間内の所定位置で前記基板の後端から前記第1の処理液が流れ落ちるのを触発するための液切り触発部を有する請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。   Liquid draining trigger for triggering the first processing liquid to flow down from the rear end of the substrate at a predetermined position in the first or second transport section downstream of the first processing liquid supply unit. The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-7 which has a part. 前記液切り触発部が、前記搬送路上に前記搬送体として配置される外径が一定の円柱状または円筒状のコロによって構成される請求項8に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the liquid draining inducing portion is configured by a columnar or cylindrical roller having a constant outer diameter arranged as the transport body on the transport path. 前記液切り触発部が、前記基板の後端部に上方から前記搬送方向と逆向きにガス流を当てるガスノズルを含む請求項8または請求項9に記載の基板処理装置。   10. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the liquid draining inducing portion includes a gas nozzle that applies a gas flow from above to a rear end portion of the substrate in a direction opposite to the transport direction. 前記第1の処理液供給部が、前記第1の搬送区間内の所定位置で前記基板に向けて前記第1の処理液を吐出する処理液供給ノズルを有し、
前記搬送駆動部が、前記第1および第2の搬送区間を通じて前記基板を一定の速度で搬送する請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The first processing liquid supply unit includes a processing liquid supply nozzle that discharges the first processing liquid toward the substrate at a predetermined position in the first transport section;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transport driving unit transports the substrate at a constant speed through the first and second transport sections.
前記第1および第2の搬送区間で前記搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第1の集液部と、前記第3および第4の搬送区間で前記搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第2の集液部とを有する請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。   A first liquid collecting portion for collecting liquid that has fallen under the transport path in the first and second transport sections; and a lower portion of the transport path in the third and fourth transport sections. The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-11 which has a 2nd liquid collection part for collecting and collecting a liquid. 前記第2の搬送区間と前記第3の搬送区間との境界付近に前記搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第1の隔壁を有する請求項1〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The first partition for separating a surrounding space along the transfer line into an upstream side and a downstream side near a boundary between the second transfer section and the third transfer section. The substrate processing apparatus as described in any one of Claims. 前記搬送ラインが、前記第4の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を有する第5の搬送区間と、前記第5の搬送区間に続く実質的に水平な搬送路を有する第6の搬送区間とを含む請求項1〜13のいずれか一項に記載の基板処理装置。   A fifth transport section in which the transport line has an upwardly inclined transport path following the fourth transport section; and a sixth transport section having a substantially horizontal transport path following the fifth transport section; The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-13 containing. 前記搬送方向において前記第5の搬送区間の長さは前記基板のサイズよりも短い請求項14に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 14, wherein a length of the fifth transfer section in the transfer direction is shorter than a size of the substrate. 前記第5または第6の搬送区間内で前記基板上からの前記処理液の液切りを援助するために前記搬送方向と逆向きに前記基板上にガスを吹き付ける第2のエアナイフを有する請求項14または請求項15に記載の基板処理装置。   15. A second air knife that blows gas onto the substrate in a direction opposite to the transport direction to assist in draining the processing liquid from the substrate within the fifth or sixth transport section. Or the substrate processing apparatus of Claim 15. 前記第5の搬送区間と前記第6の搬送区間との境界付近に前記搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第2の隔壁を有する請求項14〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置。   17. A second partition for separating a surrounding space along the transfer line into an upstream side and a downstream side near a boundary between the fifth transfer section and the sixth transfer section. The substrate processing apparatus as described in any one of Claims. 前記搬送ラインが、前記第1の搬送区間よりも上流側で前記第1の搬送区間よりも高い位置で実質的に水平な搬送路を有する第7の搬送区間と、前記第7の搬送区間と前記第1の搬送区間との間で下り傾斜の搬送路を有する第8の搬送区間とを含む請求項1〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。   A seventh transport section having a substantially horizontal transport path at a position higher than the first transport section on the upstream side of the first transport section, and the seventh transport section; The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an eighth transfer section having a downwardly inclined transfer path with respect to the first transfer section. 前記搬送方向において前記第8の搬送区間の長さは前記基板のサイズよりも短い請求項18に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 18, wherein a length of the eighth transport section is shorter than a size of the substrate in the transport direction. 前記第8の搬送区間と前記第1の搬送区間との境界付近に前記搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第3の隔壁を有する請求項18または請求項19に記載の基板処理装置。



19. A third partition for separating a peripheral space along the transfer line into an upstream side and a downstream side near a boundary between the eighth transfer section and the first transfer section. 19. The substrate processing apparatus according to 19.



JP2005186521A 2005-06-27 2005-06-27 Development processing apparatus and development processing method Active JP4523498B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005186521A JP4523498B2 (en) 2005-06-27 2005-06-27 Development processing apparatus and development processing method
TW095123001A TWI307932B (en) 2005-06-27 2006-06-26 Substrate processing apparatus
KR1020060058238A KR101194975B1 (en) 2005-06-27 2006-06-27 Substrate processing apparatus
CN2006100942484A CN1892423B (en) 2005-06-27 2006-06-27 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005186521A JP4523498B2 (en) 2005-06-27 2005-06-27 Development processing apparatus and development processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007005695A true JP2007005695A (en) 2007-01-11
JP4523498B2 JP4523498B2 (en) 2010-08-11

Family

ID=37597410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005186521A Active JP4523498B2 (en) 2005-06-27 2005-06-27 Development processing apparatus and development processing method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4523498B2 (en)
KR (1) KR101194975B1 (en)
CN (1) CN1892423B (en)
TW (1) TWI307932B (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100799107B1 (en) * 2007-03-15 2008-03-17 (주)포인텍 Device for surface treatment
JP2009302461A (en) * 2008-06-17 2009-12-24 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device, and substrate processing method
KR20100096023A (en) 2009-02-23 2010-09-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2013080808A (en) * 2011-10-04 2013-05-02 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN103207539A (en) * 2012-01-13 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 Non-contact conveying device
JP2013176966A (en) * 2012-02-09 2013-09-09 Nitto Denko Corp Method for forming waterproof organic thin film
JP2014022389A (en) * 2012-07-12 2014-02-03 Toho Kasei Kk Lift-off apparatus and lift-off method
US20140047735A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Cleaning Apparatus for Glass Substrate
JP2015142070A (en) * 2014-01-30 2015-08-03 芝浦メカトロニクス株式会社 substrate processing apparatus and substrate processing method
CN106206387A (en) * 2015-01-09 2016-12-07 韩国威海机械系统显示有限公司 For transmitting the device of substrate
JP2019216170A (en) * 2018-06-12 2019-12-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2022068194A (en) * 2018-06-12 2022-05-09 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100717373B1 (en) 2006-06-12 2007-05-11 세메스 주식회사 Apparatus for cleaning a flat panel display and roll brush used therein
CN104347352B (en) * 2013-07-31 2018-05-29 细美事有限公司 A kind of substrate board treatment and substrate processing method using same
CN106125518A (en) * 2016-08-31 2016-11-16 武汉华星光电技术有限公司 Developing apparatus

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01250958A (en) * 1988-03-31 1989-10-05 Shibaura Eng Works Co Ltd Developing device
JPH0844075A (en) * 1994-08-01 1996-02-16 Canon Inc Developing method
JPH08321536A (en) * 1995-05-25 1996-12-03 Sharp Corp Substrate conveying equipment of liquid treatment equipment
JPH1187210A (en) * 1997-09-02 1999-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment equipment and substrate treatment method
JP2002252200A (en) * 2001-02-22 2002-09-06 Hitachi Electronics Eng Co Ltd System and method for processing substrate
JP2003007582A (en) * 2001-06-19 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd Substrate processing unit
JP2003107733A (en) * 2001-09-27 2003-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material processor
JP2003306226A (en) * 2002-04-12 2003-10-28 Shibaura Mechatronics Corp Substrate processing device and processing method
JP2005244022A (en) * 2004-02-27 2005-09-08 Sharp Corp Device and method for processing liquid
JP2006193267A (en) * 2005-01-12 2006-07-27 Sharp Corp Substrate conveying method and substrate conveying device
JP2006196834A (en) * 2005-01-17 2006-07-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Board treatment apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3631668A1 (en) * 1986-09-18 1988-03-24 Hoechst Ag DEVICE FOR PROCESSING PHOTO SENSITIVE MATERIALS
TWI226077B (en) * 2001-07-05 2005-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP3788789B2 (en) * 2003-01-22 2006-06-21 東京応化工業株式会社 Substrate development method and development apparatus

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01250958A (en) * 1988-03-31 1989-10-05 Shibaura Eng Works Co Ltd Developing device
JPH0844075A (en) * 1994-08-01 1996-02-16 Canon Inc Developing method
JPH08321536A (en) * 1995-05-25 1996-12-03 Sharp Corp Substrate conveying equipment of liquid treatment equipment
JPH1187210A (en) * 1997-09-02 1999-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment equipment and substrate treatment method
JP2002252200A (en) * 2001-02-22 2002-09-06 Hitachi Electronics Eng Co Ltd System and method for processing substrate
JP2003007582A (en) * 2001-06-19 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd Substrate processing unit
JP2003107733A (en) * 2001-09-27 2003-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material processor
JP2003306226A (en) * 2002-04-12 2003-10-28 Shibaura Mechatronics Corp Substrate processing device and processing method
JP2005244022A (en) * 2004-02-27 2005-09-08 Sharp Corp Device and method for processing liquid
JP2006193267A (en) * 2005-01-12 2006-07-27 Sharp Corp Substrate conveying method and substrate conveying device
JP2006196834A (en) * 2005-01-17 2006-07-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Board treatment apparatus

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100799107B1 (en) * 2007-03-15 2008-03-17 (주)포인텍 Device for surface treatment
JP2009302461A (en) * 2008-06-17 2009-12-24 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device, and substrate processing method
KR20100096023A (en) 2009-02-23 2010-09-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2013080808A (en) * 2011-10-04 2013-05-02 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN103207539A (en) * 2012-01-13 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 Non-contact conveying device
JP2013176966A (en) * 2012-02-09 2013-09-09 Nitto Denko Corp Method for forming waterproof organic thin film
JP2014022389A (en) * 2012-07-12 2014-02-03 Toho Kasei Kk Lift-off apparatus and lift-off method
US20140047735A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Cleaning Apparatus for Glass Substrate
JP2015142070A (en) * 2014-01-30 2015-08-03 芝浦メカトロニクス株式会社 substrate processing apparatus and substrate processing method
CN106206387A (en) * 2015-01-09 2016-12-07 韩国威海机械系统显示有限公司 For transmitting the device of substrate
JP2019216170A (en) * 2018-06-12 2019-12-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7018826B2 (en) 2018-06-12 2022-02-14 東京エレクトロン株式会社 Board processing equipment and board processing method
JP2022068194A (en) * 2018-06-12 2022-05-09 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7258196B2 (en) 2018-06-12 2023-04-14 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Also Published As

Publication number Publication date
TW200715445A (en) 2007-04-16
KR20070000366A (en) 2007-01-02
CN1892423A (en) 2007-01-10
TWI307932B (en) 2009-03-21
CN1892423B (en) 2010-05-12
JP4523498B2 (en) 2010-08-11
KR101194975B1 (en) 2012-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4523498B2 (en) Development processing apparatus and development processing method
KR20060136336A (en) Substrate processing apparatus
JP4824723B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2003229404A (en) Substrate processing device
TWI360836B (en) Substrate processing apparatus
JP4579268B2 (en) Substrate processing equipment
JP2013045877A (en) Substrate processing apparatus
JP2003145064A (en) Two-fluid jet nozzle and substrate cleaning device
JP4318709B2 (en) Development processing method and development processing apparatus
JP4812847B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201310568A (en) Substrate processing apparatus
KR100904278B1 (en) Substrate processing apparatus
JP3916891B2 (en) Substrate processing apparatus and development processing apparatus
JP2000223458A (en) Substrate-processing apparatus
JP4450724B2 (en) Substrate processing apparatus, loader apparatus, and unloader apparatus
JP2013080808A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101620547B1 (en) Apparatus and method for treating substrate, and substrate treating system including the apparatus
JP3898471B2 (en) Cleaning processing apparatus and development processing apparatus
JP4523402B2 (en) Processing apparatus and processing method
KR100937153B1 (en) Developing apparatus
JP4113562B2 (en) Development processing method and development processing apparatus
JP3766968B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4220527B2 (en) Development processing equipment
JP2004179223A (en) Substrate processing device and method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070626

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100525

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100527

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4523498

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250