JP2013045877A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被処理基板に気体を吹き付けて液切り乾燥の処理を行う基板処理装置に係り、特に平流し方式の基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a liquid draining drying process by blowing a gas onto a substrate to be processed, and more particularly to a flat-flow type substrate processing apparatus.
近年、フラットパネルディスプレイ(FPD)製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、被処理基板(たとえばガラス基板)の大型化に有利に対応できる洗浄処理方法あるいは現像処理方法として、搬送ローラ(コロ)や搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上で基板を搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が多く用いられている。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、基板の取扱いや搬送系および駆動系の構成が簡単である等の利点がある。 In recent years, in resist coating and developing systems in flat panel display (FPD) manufacturing, as a cleaning processing method or development processing method that can advantageously cope with an increase in the size of a substrate to be processed (for example, a glass substrate), a transport roller (roller) or a transport belt A so-called flat-flow method is often used in which a cleaning process or a development process is performed while a substrate is transported on a transport path formed by horizontally laying the substrate. Such a flat flow method has advantages such as a simple substrate handling and a configuration of a transport system and a drive system, as compared with a spinner method in which the substrate is rotated.
平流し方式の洗浄処理装置は、典型的には、平流し搬送路に沿って、ロールブラシ、高圧ジェットノズル、リンスノズル、エアナイフ等の洗浄ツールを配置し、ロールブラシによるスクラビング洗浄および高圧ジェットノズルによるブロー洗浄を順次施して基板表面の異物や汚れを取った後、リンスノズルよりリンス液を基板表面に浴びせ、最後にエアナイフより高圧の気体流(通常はエア流)を吹き付けて基板表面からリンス液を除去(液切り乾燥)するようにしている。 A flat-flow cleaning apparatus typically includes a cleaning tool such as a roll brush, a high-pressure jet nozzle, a rinse nozzle, and an air knife along the flat-flow conveyance path, and scrubbing cleaning with a roll brush and high-pressure jet nozzle. After removing the foreign matter and dirt on the surface of the substrate by sequentially performing blow cleaning with, rinse the substrate surface with a rinse liquid from the rinse nozzle, and finally rinsing from the substrate surface by blowing a high-pressure gas flow (usually an air flow) from the air knife. The liquid is removed (drying and drying).
また、平流し方式の現像処理装置は、平流し搬送路に沿って長尺型の現像液ノズル、リンスノズルおよびエアナイフを配置し、搬送路上を移動する基板に対して、現像液ノズルより現像液を供給して基板上に現像液を盛り(たとえばパドル現像)、所定時間の経過後にリンスノズルよりリンス液(一般に純水)を供給して基板上の現像液をリンス液に置換し(現像停止)、最後にエアナイフより高圧のエア流を吹き付けて基板表面からリンス液を除去する(液切り乾燥)。 In addition, a flat-flow type development processing apparatus has long developer nozzles, rinse nozzles, and air knives arranged along a flat-feed conveyance path, and a developer solution from a developer nozzle to a substrate moving on the conveyance path. To supply the developer on the substrate (for example, paddle development), and after a predetermined time has passed, a rinse liquid (generally pure water) is supplied from the rinse nozzle to replace the developer on the substrate with the rinse liquid (development stopped) ) Finally, a high-pressure air stream is blown from the air knife to remove the rinse liquid from the substrate surface (liquid draining drying).
従来より、上記のような平流し方式の洗浄処理装置あるいは現像処理装置においては、チャンバ内で発生したミストが不所望に拡散して基板に付着することが課題になっている。特に、エアナイフにより液切り乾燥処理を受けた直後の乾いた基板の表面にミストが付着すると、そのミストの付着した箇所にシミや残渣が生じて、後工程(レジスト塗布工程あるいはエッチング工程等)で不良を招く原因になりやすい。 Conventionally, in the above-described flat-flow type cleaning processing apparatus or development processing apparatus, it has been a problem that mist generated in the chamber diffuses undesirably and adheres to the substrate. In particular, when mist adheres to the surface of a dry substrate immediately after being subjected to a liquid draining and drying treatment by an air knife, spots and residues are generated at the location where the mist is adhered, and in a post-process (resist coating process or etching process). It tends to cause defects.
エアナイフが配置される最終段の液切り乾燥部においては、エアナイフによるナイフ状の鋭利な高圧エア流の吹き付けにより、基板上の液が基板後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落とされる。この際、多量のミストが発生する。通常、平流し搬送路を挟んで上下一対のエアナイフが設けられ、上部エアナイフが基板のおもて面(上面)に高圧エア流を吹き付けることによって基板の上でミストが発生し、下部エアナイフが基板の裏面(下面)に高圧エア流を吹き付けることによって基板の下でもミストが発生する。 In the last-stage liquid-drying section where the air knife is placed, the knife-shaped sharp high-pressure air flow is blown by the air knife so that the liquid on the substrate is swept away from the substrate to the rear end side. Be dropped. At this time, a large amount of mist is generated. Usually, a pair of upper and lower air knives are provided across the flat flow path, and the upper air knife blows a high-pressure air flow onto the front surface (upper surface) of the substrate to generate mist on the substrate, and the lower air knife is the substrate. Mist is also generated under the substrate by blowing a high-pressure air flow on the back surface (lower surface) of the substrate.
このように基板の上および下で立ち篭めるミストが両エアナイフの後方または下流側に回り込まないように、基板の通路(搬送路)を除いて両エアナイフの上流側の空間と下流側の空間とを隔壁で完全に塞ぐことも行われている。この場合、上流側の空間では、処理室の天井に換気用の送風機が取り付けられ、基板の上で発生したミストを除去するための上部排気口が平流し搬送路よりも高い場所に設けられ、基板の下で発生したミストを除去するための下部排気口が平流し搬送路よりも低い場所に設けられる。しかし、このような排気機構においては、送風機からのダウンフローの空気流がエアナイフの吐出する高圧エア流と干渉することによって、基板の下に回り難く、下部排気の効率は良くない。一方で、送風機からのダウンフローの空気流は上部排気口へ吸い込まれるミスト含有の排気流とも干渉するため、上部排気の効率もそれほど良くはない。このように上流側空間で排気効率が低いと、ミストが溜まって、両エアナイフの間の基板通路を抜けて後方(下流側)へ進入ないし拡散しやすくなる。 The upstream and downstream spaces of both air knives except for the passage (conveyance path) of the substrate, so that the mist standing above and below the substrate does not enter the rear or downstream side of both air knives. It is also done to completely block the wall with a partition wall. In this case, in the upstream space, a ventilation fan is attached to the ceiling of the processing chamber, and the upper exhaust port for removing the mist generated on the substrate is provided at a location higher than the conveying path. A lower exhaust port for removing the mist generated under the substrate is provided at a location that is flat and lower than the transport path. However, in such an exhaust mechanism, the downflow airflow from the blower interferes with the high-pressure airflow discharged by the air knife, so that it is difficult to turn under the substrate and the efficiency of the lower exhaust is not good. On the other hand, since the downflow airflow from the blower also interferes with the mist-containing exhaustflow sucked into the upper exhaust port, the efficiency of the upper exhaust is not so good. When the exhaust efficiency is low in the upstream space in this way, mist accumulates, and it is easy to enter or diffuse to the rear (downstream side) through the substrate passage between the two air knives.
また、従来は、下部排気口を処理室の底に設け、処理室の下で集合排気管を這い回していた。このため、処理室の下に設置される電力系、ガス系等の用力装備や制御系の設備が排気系によってスペース上の制約を受けるという問題があった。さらに、従来は、処理室の正面側の壁に上部排気口を設ける場合に、その上部排気口を処理室背面側に設置される排気装置に繋ぐための室外排気管が処理室の下を潜るため、上記と同様に用力装備や制御装備のスペースを圧迫するのに加えて、室外排気管の処理室の下を潜る部分にミストが液化して溜まりやすく、この排液を抜くのは容易でないという問題もあった。 Conventionally, a lower exhaust port is provided at the bottom of the processing chamber, and the collective exhaust pipe is wound around the processing chamber. For this reason, there is a problem that utility equipment such as a power system and a gas system installed under the processing chamber and a control system facility are limited in space by the exhaust system. Further, conventionally, when an upper exhaust port is provided in the front wall of the processing chamber, an outdoor exhaust pipe for connecting the upper exhaust port to an exhaust device installed on the rear side of the processing chamber is under the processing chamber. Therefore, in addition to squeezing the space for utility equipment and control equipment in the same manner as described above, mist tends to liquefy and accumulate in the portion under the processing chamber of the outdoor exhaust pipe, and it is not easy to drain this drainage liquid. There was also a problem.
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止するようにした基板処理装置を提供する。 The present invention solves the problems of the prior art as described above, improves exhaust efficiency and space efficiency, and fully prevents mist from adhering to a dry substrate immediately after liquid draining and drying. A substrate processing apparatus is provided.
本発明の基板処理装置は、被処理基板を水平な第1の方向に平流しで搬送するための平流し搬送路と、前記平流し搬送路の第1の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第1の処理室と、前記処理室内で、前記平流し搬送路の上および下から前記基板に対して搬送方向に斜めに逆らう方向に液切り乾燥用の気体を吹き付ける上部および下部エアナイフと、前記上部および下部エアナイフよりも搬送方向の下流側で前記第1の処理室内に空気を供給する送風部と、前記下部エアナイフの吐出口よりも低い位置で前記第1の処理室内に設けられる天板付きの排気室と、前記排気室の前記入口と対向する側面に設けられる下部排気口と、前記排気室に接続される排気部とを有する。 The substrate processing apparatus of the present invention accommodates a flat flow transport path for transporting a substrate to be processed in a horizontal first direction and a first section of the flat flow transport path, and the flat flow transport. A first processing chamber having an inlet and an outlet through which the substrate transported on the path can pass; and a liquid in the processing chamber in a direction opposite to the transport direction obliquely with respect to the substrate from above and below the flat flow transport path. Upper and lower air knives for blowing gas for cutting and drying, an air blower for supplying air into the first processing chamber on the downstream side in the transport direction from the upper and lower air knives, and lower than the discharge port of the lower air knife An exhaust chamber with a top plate provided in the first processing chamber at a position; a lower exhaust port provided on a side surface facing the inlet of the exhaust chamber; and an exhaust unit connected to the exhaust chamber.
上記の装置構成においては、上部および下部エアナイフがそれらの間を通過する基板に対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、基板上の液が基板後端側へ掃き寄せられ、終には基板の外へ払い落とされる。この際、両エアナイフの上流側の空間にミストが発生する。これらのミストは、送風部から送られてくる空気や入口から入って空気と一緒に下部排気口に吸い込まれ、排気室の中を通って排気部へ送られる。排気室の天板は、排気室の上面を閉塞するだけでなく、送風部からの空気流を下部排気口の方へ案内する作用を奏する。下部エアナイフと排気室の天板との距離間隔(隙間)を適度の大きさに選ぶことにより、排気速度または排気効率とミスト拡散(付着)防止効果の両立を図ることができる。 In the above apparatus configuration, the upper and lower air knives blow a knife-like sharp high-pressure air flow against the substrate passing between them, so that the liquid on the substrate is swept toward the rear end side of the substrate. Will be swept out of the board. At this time, mist is generated in the space upstream of both air knives. These mists enter the air sent from the blower or the inlet, are sucked into the lower exhaust port together with the air, and are sent to the exhaust part through the exhaust chamber. The top plate of the exhaust chamber not only closes the upper surface of the exhaust chamber, but also acts to guide the air flow from the blower toward the lower exhaust port. By selecting an appropriate distance interval (gap) between the lower air knife and the top plate of the exhaust chamber, it is possible to achieve both the exhaust speed or the exhaust efficiency and the mist diffusion (adhesion) prevention effect.
また、上記の装置構成においては、処理室の下部空間の排気を行う下部排気系が排気室として処理室の中に設けられているので、処理室の下に設置される用力装備や制御装備のスペースを圧迫しないで済み、装置のスペース効率を向上させることができる。 In the above apparatus configuration, since the lower exhaust system for exhausting the lower space of the processing chamber is provided as an exhaust chamber in the processing chamber, utility equipment and control equipment installed under the processing chamber are provided. Space can be saved and the space efficiency of the apparatus can be improved.
本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止することができる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, the exhaust gas efficiency and the space efficiency can be improved and the mist can be sufficiently prevented from adhering to the dry substrate immediately after the liquid draining and drying by the configuration and operation as described above. it can.
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばガラス基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。 FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the substrate processing apparatus of the present invention can be applied. This coating and developing processing system 10 is installed in a clean room, for example, using a glass substrate as a substrate to be processed, and performing a series of processing such as cleaning, resist coating, pre-baking, developing and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. Is what you do. The exposure process is performed by an external exposure apparatus 12 installed adjacent to this system.
この塗布現像処理システム10は、中心部に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション(C/S)14とインタフェースステーション(I/F)18とを配置している。 In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is disposed at the center, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station (I / F) are disposed at both ends in the longitudinal direction (X direction). ) 18.
カセットステーション(C/S)14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平な一方向(Y方向)に4個まで並べて載置できるカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを1枚単位で保持できる搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。 The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the system 10, and arranges up to four cassettes C that can accommodate a plurality of substrates C in a horizontal direction (Y direction) by stacking substrates G in multiple stages. A cassette stage 20 that can be placed, and a transport mechanism 22 that takes in and out the substrate G to and from the cassette C on the stage 20 are provided. The transport mechanism 22 has a transport arm 22a that can hold the substrate G in units of one sheet, can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ, and is adjacent to the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate. G can be delivered.
プロセスステーション(P/S)16は、水平なシステム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向きの一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。 In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or the process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the horizontal system longitudinal direction (X direction).
より詳細には、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインAには、搬入ユニット(IN PASS)24、洗浄プロセス部26、第1の熱的処理部28、塗布プロセス部30および第2の熱的処理部32が第1の基板搬送ライン34に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。 More specifically, the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side includes a carry-in unit (IN PASS) 24, a cleaning process unit 26, a first The thermal processing section 28, the coating process section 30, and the second thermal processing section 32 are arranged in a line in this order from the upstream side along the first substrate transfer line 34.
より詳細には、搬入ユニット(IN PASS)24はカセットステーション(C/S)14の搬送機構22から未処理の基板Gを受け取り、所定のタクトで第1の基板搬送ライン34に投入するように構成されている。洗浄プロセス部26は、第1の基板搬送ライン34に沿って上流側から順にエキシマUV照射ユニット(E−UV)36および洗浄ユニット(SCR)38を設けている。第1の熱的処理部28は、上流側から順にアドヒージョンユニット(AD)40および冷却ユニット(COL)42を設けている。塗布プロセス部30は、上流側から順にレジスト塗布ユニット(COT)44および減圧乾燥ユニット(VD)46を設けている。第2の熱的処理部32は、上流側から順にプリベークユニット(PRE−BAKE)48および冷却ユニット(COL)50を設けている。第2の熱的処理部32の下流側隣に位置する第1の基板搬送ライン34の終点にはパスユニット(PASS)52が設けられている。第1の基板搬送ライン34上を平流しで搬送されてきた基板Gは、この終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18へ渡されるようになっている。 More specifically, the carry-in unit (IN PASS) 24 receives an unprocessed substrate G from the transfer mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14 and inputs it into the first substrate transfer line 34 with a predetermined tact. It is configured. The cleaning process unit 26 includes an excimer UV irradiation unit (E-UV) 36 and a cleaning unit (SCR) 38 in order from the upstream side along the first substrate transfer line 34. The first thermal processing unit 28 includes an adhesion unit (AD) 40 and a cooling unit (COL) 42 in order from the upstream side. The coating process unit 30 is provided with a resist coating unit (COT) 44 and a vacuum drying unit (VD) 46 in order from the upstream side. The second thermal processing unit 32 includes a pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 and a cooling unit (COL) 50 in order from the upstream side. A pass unit (PASS) 52 is provided at the end point of the first substrate transfer line 34 located on the downstream side of the second thermal processing unit 32. The substrate G which has been transported in a flat flow on the first substrate transport line 34 is delivered from the pass unit (PASS) 52 at the end point to the interface station (I / F) 18.
一方、インタフェースステーション(I/F)18側からカセットステーション(C/S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、現像ユニット(DEV)54、ポストベークユニット(POST−BAKE)56、冷却ユニット(COL)58、検査ユニット(AP)60および搬出ユニット(OUT−PASS)62が第2の基板搬送ライン64に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット(POST−BAKE)56および冷却ユニット(COL)58は第3の熱的処理部66を構成する。搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の基板搬送ライン64から処理済の基板Gを1枚ずつ受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22に渡すように構成されている。 On the other hand, in the downstream process line B from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side, a development unit (DEV) 54, a post-bake unit (POST-BAKE) 56, a cooling unit are provided. The unit (COL) 58, the inspection unit (AP) 60, and the carry-out unit (OUT-PASS) 62 are arranged in a line in this order from the upstream side along the second substrate transfer line 64. Here, the post-bake unit (POST-BAKE) 56 and the cooling unit (COL) 58 constitute a third thermal processing unit 66. The carry-out unit (OUT PASS) 62 is configured to receive the processed substrates G one by one from the second substrate transfer line 64 and pass them to the transfer mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.
両プロセスラインA,Bの間には補助搬送空間68が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に載置可能なシャトル70が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっている。 An auxiliary transfer space 68 is provided between the process lines A and B, and a shuttle 70 capable of placing the substrate G horizontally in units of one sheet is both in the process line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). You can move in the direction.
インタフェースステーション(I/F)18は、上記第1および第2の基板搬送ライン34,64や隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行うための搬送装置72を有し、この搬送装置72の周囲にロータリステージ(R/S)74および周辺装置76を配置している。ロータリステージ(R/S)74は、基板Gを水平面内で回転させるステージであり、露光装置12との受け渡しに際して長方形の基板Gの向きを変換するために用いられる。周辺装置76は、たとえばタイトラー(TITLER)や周辺露光装置(EE)等を第2の平流し搬送路64に接続している。 The interface station (I / F) 18 includes a transfer device 72 for exchanging the substrate G with the first and second substrate transfer lines 34 and 64 and the adjacent exposure device 12. A rotary stage (R / S) 74 and a peripheral device 76 are arranged around the periphery. The rotary stage (R / S) 74 is a stage that rotates the substrate G in a horizontal plane, and is used to change the orientation of the rectangular substrate G when it is transferred to the exposure apparatus 12. The peripheral device 76 connects, for example, a titler (TITLER), a peripheral exposure device (EE), and the like to the second flat flow path 64.
ここで、この塗布現像処理システムにおける1枚の基板Gに対する全工程の処理手順を説明する。先ず、カセットステーション(C/S)14において、搬送機構22が、ステージ20上のいずれか1つのカセットCから基板Gを1枚取り出し、その取り出した基板Gをプロセスステーション(P/S)16のプロセスラインA側の搬入ユニット(IN PASS)24に搬入する。搬入ユニット(IN PASS)24から基板Gは第1の基板搬送ライン34上に移載または投入される。 Here, the processing procedure of all the steps for one substrate G in the coating and developing processing system will be described. First, in the cassette station (C / S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from any one of the cassettes C on the stage 20, and removes the taken substrate G in the process station (P / S) 16. Carry into the carry-in unit (IN PASS) 24 on the process line A side. The substrate G is transferred or loaded onto the first substrate transport line 34 from the carry-in unit (IN PASS) 24.
第1の基板搬送ライン34に投入された基板Gは、最初に洗浄プロセス部26においてエキシマUV照射ユニット(E−UV)36および洗浄ユニット(SCR)38により乾式洗浄およびウエット洗浄処理を順次施される。エキシマUV照射ユニット(E−UV)36は、基板Gに紫外線を照射して、主に基板表面の有機物を除去する。洗浄ユニット(SCR)38は、第1の基板搬送ライン34上を水平に移動する基板Gに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。洗浄ユニット(SCR)38における一連の洗浄処理を終えると、基板Gはそのまま第1の基板搬送ライン34を下って第1の熱的処理部28を通過する。 The substrate G put into the first substrate transfer line 34 is first subjected to a dry cleaning process and a wet cleaning process sequentially by the excimer UV irradiation unit (E-UV) 36 and the cleaning unit (SCR) 38 in the cleaning process unit 26. The The excimer UV irradiation unit (E-UV) 36 irradiates the substrate G with ultraviolet rays to mainly remove organic substances on the surface of the substrate. The cleaning unit (SCR) 38 removes particulate contamination from the substrate surface by performing brushing cleaning and blow cleaning on the substrate G moving horizontally on the first substrate transport line 34, and then rinsing. Processing is performed, and finally the substrate G is dried using an air knife or the like. When a series of cleaning processes in the cleaning unit (SCR) 38 is completed, the substrate G passes through the first thermal processing unit 28 down the first substrate transfer line 34 as it is.
第1の熱的処理部28において、基板Gは、最初にアドヒージョンユニット(AD)40で蒸気状のHMDSを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Gは冷却ユニット(COL)42で所定の基板温度まで冷却される。この後も、基板Gは第1の平流し搬送路34を下って塗布プロセス部30へ搬入される。 In the first thermal processing unit 28, the substrate G is first subjected to an adhesion process using vapor HMDS in the adhesion unit (AD) 40, and the surface to be processed is hydrophobized. After the completion of the adhesion process, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by a cooling unit (COL) 42. Thereafter, the substrate G is carried into the coating process unit 30 along the first flat flow path 34.
塗布プロセス部30において、基板Gは最初にレジスト塗布ユニット(COT)44で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)46で減圧乾燥処理を受ける。 In the coating process section 30, the substrate G is first coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a spinless method using a slit nozzle while being flown flat in a resist coating unit (COT) 44, and immediately after that, adjacent to the downstream side. A vacuum drying unit (VD) 46 receives a vacuum drying process.
塗布プロセス部30を出た基板Gは、第1の基板搬送ライン34を下って第2の熱的処理部32を通過する。第2の熱的処理部32において、基板Gは、最初にプリベークユニット(PRE−BAKE)48でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける。このプリベーキングによって、基板G上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)50で所定の基板温度まで冷却される。しかる後、基板Gは、第1の基板搬送ライン34の終点のパスユニット(PASS)52からインタフェースステーション(I/F)18の搬送装置72に引き取られる。 The substrate G exiting the coating process unit 30 passes through the second thermal processing unit 32 along the first substrate transfer line 34. In the second thermal processing unit 32, the substrate G is first subjected to pre-baking by a pre-bake unit (PRE-BAKE) 48 as a heat treatment after resist coating or a heat treatment before exposure. By this pre-baking, the solvent remaining in the resist film on the substrate G is evaporated and removed, and the adhesion of the resist film to the substrate is enhanced. Next, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by a cooling unit (COL) 50. Thereafter, the substrate G is taken from the pass unit (PASS) 52 at the end point of the first substrate transfer line 34 to the transfer device 72 of the interface station (I / F) 18.
インタフェースステーション(I/F)18において、基板Gは、ロータリステージ74でたとえば90度の方向変換を受けてから周辺装置76の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる。 In the interface station (I / F) 18, the substrate G is subjected to, for example, a 90-degree direction change by the rotary stage 74 and then carried into the peripheral exposure device (EE) of the peripheral device 76, where it adheres to the peripheral portion of the substrate G. After receiving the exposure for removing the resist to be developed, the resist is sent to the adjacent exposure apparatus 12.
露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると、先ず周辺装置76のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される。しかる後、基板Gは、搬送装置72よりプロセスステーション(P/S)16のプロセスラインB側に敷設されている第2の基板搬送ライン64の現像ユニット(DEV)54の始点に搬入される。 In the exposure device 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Then, when the substrate G that has undergone pattern exposure is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station (I / F) 18, first, it is carried into a titler (TITLER) of the peripheral device 76, where it is transferred to a predetermined portion on the substrate. Is recorded. Thereafter, the substrate G is transferred from the transfer device 72 to the starting point of the developing unit (DEV) 54 of the second substrate transfer line 64 laid on the process line B side of the process station (P / S) 16.
こうして、基板Gは、今度は第2の基板搬送ライン64上をプロセスラインBの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット(DEV)54において、基板Gは平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される。 In this way, the substrate G is now transported on the second substrate transport line 64 toward the downstream side of the process line B. In the first development unit (DEV) 54, the substrate G is subjected to a series of development processes of development, rinsing and drying while being transported in a flat flow.
現像ユニット(DEV)54で一連の現像処理を終えた基板Gは、そのまま第2の基板搬送ライン64に乗せられたまま第3の熱的処理部66および検査ユニット(AP)60を順次通過する。第3の熱的処理部66において、基板Gは、最初にポストベークユニット(POST−BAKE)56で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける。このポストベーキングによって、基板G上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)58で所定の基板温度に冷却される。検査ユニット(AP)60では、基板G上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる。 The substrate G that has undergone a series of development processing in the development unit (DEV) 54 is sequentially passed through the third thermal processing unit 66 and the inspection unit (AP) 60 while being placed on the second substrate transport line 64 as it is. . In the third thermal processing section 66, the substrate G is first subjected to post-baking as a heat treatment after development processing by a post-bake unit (POST-BAKE) 56. By this post-baking, the developing solution and the cleaning solution remaining in the resist film on the substrate G are removed by evaporation, and the adhesion of the resist pattern to the substrate is enhanced. Next, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by a cooling unit (COL) 58. In the inspection unit (AP) 60, the resist pattern on the substrate G is subjected to non-contact line width inspection, film quality / film thickness inspection, and the like.
搬出ユニット(OUT PASS)62は、第2の基板搬送ライン64から全工程の処理を終えてきた基板Gを受け取って、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22へ渡す。カセットステーション(C/S)14側では、搬送機構22が、搬出ユニット(OUT PASS)62から受け取った処理済の基板Gをいずれか1つ(通常は元)のカセットCに収容する。 The carry-out unit (OUT PASS) 62 receives the substrate G that has been processed in all steps from the second substrate transfer line 64 and transfers it to the transfer mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14. On the cassette station (C / S) 14 side, the transport mechanism 22 stores the processed substrate G received from the carry-out unit (OUT PASS) 62 in any one (usually the original) cassette C.
この塗布現像処理システム10においては、平流し方式の洗浄ユニット(SCR)38に本発明を適用することができる。以下、本発明の一実施形態における洗浄ユニット(SCR)38の構成および作用を説明する。 In the coating and developing processing system 10, the present invention can be applied to a flat-flow cleaning unit (SCR) 38. Hereinafter, the configuration and operation of the cleaning unit (SCR) 38 in one embodiment of the present invention will be described.
図2に、洗浄ユニット(SCR)38の全体の構成を示す。この洗浄ユニット(SCR)38は、プロセスラインA(図1)上に2つのチャンバ80,82を並べて配置している。両チャンバ80,82の中を縦断するコロ搬送路84は、第1の基板搬送ライン34(図1)の一区間を構成する。 FIG. 2 shows the overall configuration of the cleaning unit (SCR) 38. The cleaning unit (SCR) 38 has two chambers 80 and 82 arranged side by side on the process line A (FIG. 1). A roller transport path 84 that cuts through both chambers 80 and 82 constitutes a section of the first substrate transport line 34 (FIG. 1).
上流側の洗浄チャンバ80は、内部に設けた2つの隔壁86,88によって3つの処理室、すなわちブラッシング洗浄室R1、ブロー洗浄室R2およびリンス室R3に分割されている。搬送方向(X方向)と向き合うチャンバ80の外壁80a,80bおよび両隔壁86,88には、コロ搬送路84上を移動する基板Gが通れるスリット状の開口(基板出入り口)90,92,94,96がそれぞれ形成されている。ここで、開口90は、ブラッシング洗浄室R1の入口である。開口92は、ブラッシング洗浄室R1の出口であり、かつブロー洗浄室R2の入口でもある。開口94は、ブロー洗浄室R2の出口であり、かつリンス室R3の入口でもある。開口96は、リンス室R3の出口である。 The upstream cleaning chamber 80 is divided into three processing chambers, that is, a brushing cleaning chamber R1, a blow cleaning chamber R2, and a rinse chamber R3, by two partition walls 86 and 88 provided therein. In the outer walls 80a and 80b of the chamber 80 and both partition walls 86 and 88 facing the transport direction (X direction), slit-shaped openings (substrate entrances) 90, 92, 94, through which the substrate G moving on the roller transport path 84 passes. 96 are formed. Here, the opening 90 is an entrance of the brushing cleaning chamber R1. The opening 92 is an outlet of the brushing cleaning chamber R1 and also an inlet of the blow cleaning chamber R2. The opening 94 is an outlet of the blow cleaning chamber R2, and is also an inlet of the rinse chamber R3. The opening 96 is an outlet of the rinse chamber R3.
ブラッシング洗浄室R1には、コロ搬送路84に沿ってその上下両側にプリウエット用のスプレーノズル98U/98L、ロールブラシ100U/100Lおよびリンス用のスプレーノズル102U/102Lが配置されている。プリウエット用のスプレーノズル98U/98Lは、基板Gを幅方向(Y方向)で端から端までカバーする長尺型であり、薬液供給部(図示せず)より送られてくる薬液をスプレー状に噴射するようになっている。ロールブラシ100U,100Lは、基板Gを幅方向で端から端までカバーする長さを有しており、モータ等のブラシ駆動部(図示せず)により回転駆動されるようになっている。リンス用のスプレーノズル102U/102Lは、基板Gを幅方向で端から端までカバーする長尺型であり、リンス液供給部(図示せず)より送られてくるリンス液をスプレー状に噴射するようになっている。 In the brushing cleaning chamber R1, prewetting spray nozzles 98U / 98L, roll brushes 100U / 100L, and rinsing spray nozzles 102U / 102L are arranged on the upper and lower sides along the roller conveyance path 84. The prewetting spray nozzle 98U / 98L is a long type that covers the substrate G from end to end in the width direction (Y direction), and sprays the chemical solution sent from the chemical solution supply unit (not shown). It is supposed to be injected into. The roll brushes 100U and 100L have a length that covers the substrate G from end to end in the width direction, and are rotationally driven by a brush drive unit (not shown) such as a motor. The spray nozzles 102U / 102L for rinsing are long types that cover the substrate G from end to end in the width direction, and spray the rinse liquid sent from the rinse liquid supply unit (not shown) in a spray form. It is like that.
ブラッシング洗浄室R1には、チャンバ背面側の壁(図1の補助搬送空間68側の壁)の上部に1つまたは複数の排気ポート104が設けられており、底にドレイン口103が設けられている。排気ポート104は後述する排気部140(図3)に接続されている。ドレイン口103はドレインタンク(図示せず)に通じている。 In the brushing cleaning chamber R1, one or a plurality of exhaust ports 104 are provided on the upper part of the wall on the back side of the chamber (the wall on the auxiliary transfer space 68 in FIG. 1), and the drain port 103 is provided on the bottom. Yes. The exhaust port 104 is connected to an exhaust unit 140 (FIG. 3) described later. The drain port 103 communicates with a drain tank (not shown).
ブロー洗浄室R2内には、コロ搬送路84の上下両側に高圧の2流体ノズル105U/105Lが配置されている。これらの2流体ノズル105U/105Lは、基板Gの幅サイズをカバーする長尺型であり、洗浄液供給部(図示せず)より送られてくる洗浄液と高圧ガス供給部(図示せず)より送られてくる高圧気体とを混合して、粒状の液滴をジェット流で、またはスプレー状に噴射するようになっている。 In the blow cleaning chamber R2, high-pressure two-fluid nozzles 105U / 105L are arranged on both upper and lower sides of the roller conveyance path 84. These two-fluid nozzles 105U / 105L are long types that cover the width size of the substrate G, and are supplied from a cleaning liquid supplied from a cleaning liquid supply unit (not shown) and a high-pressure gas supply unit (not shown). The resulting high-pressure gas is mixed, and granular droplets are jetted or sprayed.
ブロー洗浄室R2にも、チャンバ背面側の壁の上部に1つまたは複数の排気ポート106が設けられ、底にドレイン口110が設けられている。排気ポート106は、排気部140(図3)に接続されている。ドレイン口110はドレインタンク(図示せず)に通じている。 The blow cleaning chamber R2 is also provided with one or more exhaust ports 106 at the top of the wall on the back side of the chamber and a drain port 110 at the bottom. The exhaust port 106 is connected to the exhaust part 140 (FIG. 3). The drain port 110 communicates with a drain tank (not shown).
リンス室R3内には、コロ搬送路84の上下両側に適当な間隔を空けて複数のリンスノズル112U/112Lが配置されている。これらのリンスノズル112U/112Lは、基板Gの幅サイズをカバーする長尺型であり、リンス液供給部(図示せず)より送られてくるリンス液をスプレー状に噴射するようになっている。 In the rinse chamber R3, a plurality of rinse nozzles 112U / 112L are arranged at appropriate intervals on the upper and lower sides of the roller conveyance path 84. These rinse nozzles 112U / 112L are long types that cover the width size of the substrate G, and spray the rinse liquid sent from the rinse liquid supply unit (not shown) in a spray form. .
リンス室R3においても、チャンバ背面側の壁の上部に1つ(または複数)の排気ポート114が設けられており、底にはドレイン口116が設けられている。排気ポート114は排気部140(図3)に接続されている。ドレイン口116はドレインタンク(図示せず)に通じている。 Also in the rinsing chamber R3, one (or a plurality) of exhaust ports 114 are provided at the top of the wall on the back side of the chamber, and a drain port 116 is provided at the bottom. The exhaust port 114 is connected to the exhaust part 140 (FIG. 3). The drain port 116 communicates with a drain tank (not shown).
下流側のチャンバ82は、専用の液切り乾燥室R4になっている。搬送方向(X方向)と向き合うチャンバ82の外壁82a,82bには、コロ搬送路84上を移動する基板Gが通れるスリット状の開口118,120がそれぞれ形成されている。ここで、開口118は入口であり,開口120は出口である。 The downstream chamber 82 is a dedicated liquid draining and drying chamber R4. Slit-like openings 118 and 120 through which the substrate G moving on the roller conveyance path 84 passes are formed in the outer walls 82a and 82b of the chamber 82 facing the conveyance direction (X direction), respectively. Here, the opening 118 is an inlet and the opening 120 is an outlet.
液切り乾燥室R4内には、コロ搬送路84を挟んで搬送方向(X方向)に対して斜めに上部および下部エアナイフ122U,122Lが配置されている。両エアナイフ122U,122Lは、基板Gの幅サイズをカバーする長さを有しており、それぞれの吐出口を液切り乾燥室R4の入口118側および正面側の中間の方位に向けて、乾燥ガス供給部(図示せず)より送られてくる液切り乾燥用の高圧の気体(通常はエア、場合によっては窒素ガス)を鋭利なナイフ状の気流で噴射するようになっている。 Upper and lower air knives 122U and 122L are arranged in the liquid draining drying chamber R4 obliquely with respect to the transport direction (X direction) with the roller transport path 84 interposed therebetween. Both air knives 122U and 122L have a length that covers the width size of the substrate G, and the respective discharge ports are directed toward the intermediate direction between the inlet 118 side and the front side of the liquid draining drying chamber R4, and the drying gas A high-pressure gas (usually air, in some cases nitrogen gas) for draining and drying sent from a supply unit (not shown) is jetted with a sharp knife-like airflow.
液切り乾燥室R4には、チャンバ正面側の壁82fの上部に1つ(または複数)の上部排気口124が設けられるとともに、室内の底部に複数の下部排気口126,128が設けられている。下部排気口126,128は、後述する排気室160(図6、図7)を介して、チャンバ背面側の壁82rの下部に設けられる排気ポート130,132にそれぞれ接続されている。また、上部排気口124は、後述する局所排気ダクト(排気管)162(図5)および排気室160(図6、図7)を介して、チャンバ背面側の壁82rの下部に設けられる排気ポート134に接続されている。排気ポート130,132,134は、チャンバ背面側の壁82rの出口120寄りの下部に集まって横一列に配置されている。 In the liquid draining / drying chamber R4, one (or a plurality of) upper exhaust ports 124 are provided in the upper part of the wall 82f on the front side of the chamber, and a plurality of lower exhaust ports 126 and 128 are provided in the bottom of the room. . The lower exhaust ports 126 and 128 are respectively connected to exhaust ports 130 and 132 provided at the lower portion of the wall 82r on the rear side of the chamber via an exhaust chamber 160 (FIGS. 6 and 7) described later. The upper exhaust port 124 is an exhaust port provided at the lower part of the wall 82r on the rear side of the chamber via a local exhaust duct (exhaust pipe) 162 (FIG. 5) and an exhaust chamber 160 (FIGS. 6 and 7) described later. 134. The exhaust ports 130, 132, and 134 are arranged in a horizontal row in a lower portion near the outlet 120 of the wall 82 r on the back side of the chamber.
液切り乾燥室R4には、両エアナイフ122U,122Lの後方または下流側の天井に、FFU(ファン・フィルタ・ユニット)136が設置されている。このFFU136は、室外の空気を引き込むファンと、空気中の塵を除去するフィルタとを有し、清浄な空気をダウンフローで室内に供給する。 In the liquid draining / drying chamber R4, an FFU (fan filter unit) 136 is installed on the ceiling behind or downstream of the air knives 122U and 122L. The FFU 136 includes a fan that draws outdoor air and a filter that removes dust in the air, and supplies clean air into the room by downflow.
液切り乾燥室R4の底には、複数のドレイン口138A,138Bが設けられている。これらのドレイン口138A,138Bもドレインタンク(図示せず)に通じている。 A plurality of drain ports 138A and 138B are provided at the bottom of the liquid draining drying chamber R4. These drain ports 138A and 138B also communicate with a drain tank (not shown).
コロ搬送路84には、基板Gの幅サイズをカバーする長さの搬送ローラまたはコロ85が搬送方向(X方向)に一定間隔で敷設されている。この実施形態では、コロ85が、チャンバ80,82の中に収容され、チャンバ80,82の外に配置されている搬送駆動源により伝動機構を介して回転駆動されるようになっている。 In the roller conveyance path 84, conveyance rollers or rollers 85 having a length that covers the width size of the substrate G are laid at regular intervals in the conveyance direction (X direction). In this embodiment, the roller 85 is accommodated in the chambers 80 and 82 and is rotationally driven via a transmission mechanism by a conveyance drive source disposed outside the chambers 80 and 82.
チャンバ80,82の上面は、たとえば搬送方向(X方向)に処理室毎に、あるいは一定サイズで並べられる複数の開閉カバー(天板)によって気密に覆われる。作業員が修理または部品交換のために中の洗浄ツールにアクセスするときは、各メンテナンス位置の開閉カバーが開けられるようになっている。 The upper surfaces of the chambers 80 and 82 are hermetically covered, for example, by a plurality of opening / closing covers (top plates) arranged for each processing chamber or in a fixed size in the transport direction (X direction). When an operator accesses the cleaning tool inside for repair or replacement of parts, the opening / closing cover at each maintenance position can be opened.
図3に、この洗浄ユニット(SCR)38に備えられる排気部140の構成を示す。この排気部140は、負圧発生源としてたとえば排気ブロア142を有しており、この排気ブロア142の入側を主排気管144および分岐排気管146を介して洗浄ユニット(SCR)38内の各排気ポート104,106,114,130,132,134に接続している。各分岐排気管146の途中には、排気ガスからミストを分離する気液分離器148,150と、排気流量を調節するための排気ダンパ152とが設けられる。排気ブロア142の出側は工場排気ダクト154に接続される。 FIG. 3 shows a configuration of the exhaust unit 140 provided in the cleaning unit (SCR) 38. The exhaust unit 140 has, for example, an exhaust blower 142 as a negative pressure generation source, and the inlet side of the exhaust blower 142 is connected to each of the cleaning units (SCR) 38 via the main exhaust pipe 144 and the branch exhaust pipe 146. The exhaust ports 104, 106, 114, 130, 132, 134 are connected. In the middle of each branch exhaust pipe 146, gas-liquid separators 148 and 150 for separating mist from exhaust gas and an exhaust damper 152 for adjusting the exhaust flow rate are provided. The outlet side of the exhaust blower 142 is connected to the factory exhaust duct 154.
なお、チャンバ80の下部または底部に設けられる気液分離器148は、各対応する排気ポート104,106,114の外に配置され、ミスト混じりの排気ガスから分離した排液を排液管(図示せず)に流してドレインタンクへ送る。一方、チャンバ82の下部または底部に設けられる気液分離器150は、各対応する排気ポート130,132,134と一体化され、ミスト混じりの排気ガスから分離した排液をチャンバ82(液切り乾燥室R4)内の底(パン)に落とし、ドレイン口138Bを介してドレインタンクへ送るようになっている。 A gas-liquid separator 148 provided at the lower part or the bottom part of the chamber 80 is disposed outside the corresponding exhaust ports 104, 106, 114, and drains the exhaust liquid separated from the mist mixed exhaust gas (see FIG. Flow to the drain tank. On the other hand, the gas-liquid separator 150 provided at the bottom or bottom of the chamber 82 is integrated with each corresponding exhaust port 130, 132, 134, and the waste liquid separated from the exhaust gas mixed with mist is removed from the chamber 82 (liquid draining and drying). It is dropped to the bottom (pan) in the chamber R4) and sent to the drain tank via the drain port 138B.
排気部140は、洗浄ユニット(SCR)38の背面側(後背)に設けられる。洗浄ユニット(SCR)38の正面側(正面パネル)には、図示省略するが、操作盤やモニタ機器類(図示せず)が設けられる。 The exhaust unit 140 is provided on the back side (rear side) of the cleaning unit (SCR) 38. Although not shown, an operation panel and monitor devices (not shown) are provided on the front side (front panel) of the cleaning unit (SCR) 38.
ここで、この洗浄ユニット(SCR)38における全体の動作および作用を説明する。上述したように、カセットステーション(C/S)14より洗浄プロセス部26(図1)に投入された基板Gは、最初にエキシマUV照射ユニット(E−UV)36(図1)で紫外線照射処理を受けて基板表面の有機汚染物を除去され、次いでコロ搬送路84上を平流しで移動して洗浄ユニット(SCR)38のブラッシング洗浄室R1に入口90から搬入される。 Here, the overall operation and action of the cleaning unit (SCR) 38 will be described. As described above, the substrate G introduced into the cleaning process section 26 (FIG. 1) from the cassette station (C / S) 14 is first subjected to ultraviolet irradiation processing by the excimer UV irradiation unit (E-UV) 36 (FIG. 1). In response, organic contaminants on the substrate surface are removed, and then moved in a flat flow on the roller transport path 84 and carried into the brushing cleaning chamber R1 of the cleaning unit (SCR) 38 from the inlet 90.
ブラッシング洗浄室R1において、基板Gは、最初にプリウエット用の上部および下部スプレーノズル98U,98Lにより基板全体にたとえば酸またはアルカリ系の薬液を噴き掛けられる。次いで、基板Gは、上部および下部ロールブラシ100U,100Lの下を順次擦りながら通り抜ける。両ロールブラシ100U,100Lは、ブラシ駆動部の回転駆動力で搬送方向と対抗する向きに回転し、基板表面の異物(塵埃、破片、汚染物等)を擦り取る。その直後に、リンス用の上部および下部スプレーノズル102U,102Lが基板Gにリンス液たとえば純水を噴き掛け、基板上に浮遊している異物を洗い流す。ブラッシング洗浄室R1内で基板Gから底に落ちた液(薬液、リンス液等)は、ドレイン口103より排出される。 In the brushing cleaning chamber R1, the substrate G is first sprayed with, for example, an acid or alkaline chemical solution over the entire substrate by the upper and lower spray nozzles 98U and 98L for prewetting. Next, the substrate G passes through the upper and lower roll brushes 100U, 100L while rubbing sequentially. Both roll brushes 100U and 100L rotate in a direction opposite to the conveying direction by the rotational driving force of the brush drive unit, and scrape off foreign matters (dust, debris, contaminants, etc.) on the substrate surface. Immediately after that, the upper and lower spray nozzles 102U and 102L for rinsing spray a rinse liquid such as pure water on the substrate G to wash away foreign substances floating on the substrate. The liquid (chemical liquid, rinse liquid, etc.) that has dropped from the substrate G to the bottom in the brushing cleaning chamber R 1 is discharged from the drain port 103.
基板Gは、リンス用のスプレーノズル102U,102Lを通り抜けた直後に、隔壁86の基板出入り口92を通ってブロー洗浄室R2に入る。ブロー洗浄室R2では、上部および下部2流体ノズル105U,105Lが、ノズル内で洗浄液を高圧の気体(たとえばエア)と混合して粒状の液滴を生成し、生成した液滴を基板Gのおもて面(上面)および裏面(下面)に向けて高圧のジェット流で、またはスプレー状に噴き掛ける。こうして、流状の液滴が基板Gの表面に衝突することで、基板表面に残存していた異物が十全に除去される。ブロー洗浄室R2内で基板Gから底に落ちた液(洗浄液等)は、ドレイン口110より排出される。 Immediately after passing through the spray nozzles 102U and 102L for rinsing, the substrate G enters the blow cleaning chamber R2 through the substrate entrance 92 of the partition wall 86. In the blow cleaning chamber R2, the upper and lower two fluid nozzles 105U and 105L mix the cleaning liquid with a high-pressure gas (for example, air) in the nozzles to generate granular droplets. A high-pressure jet stream or spray is sprayed toward the front surface (upper surface) and back surface (lower surface). Thus, when the liquid droplets collide with the surface of the substrate G, the foreign matters remaining on the substrate surface are completely removed. The liquid (cleaning liquid or the like) that has dropped from the substrate G to the bottom in the blow cleaning chamber R 2 is discharged from the drain port 110.
ブロー洗浄室R2の次に基板Gはリンス室R3を通過する。リンス室R3では、上部および下部リンスノズル112U,112Lがコロ搬送路84上の基板Gにリンス液たとえば純水を噴き掛ける。これによって、ブロー洗浄室R2から持ち込まれた基板G上の液(異物が浮遊している液)がリンス液に置換される。リンス室R3内で基板Gから底に落ちた液(洗浄液、リンス液等)は、ドレイン口116より排出される。 Subsequent to the blow cleaning chamber R2, the substrate G passes through the rinsing chamber R3. In the rinse chamber R 3, the upper and lower rinse nozzles 112 U and 112 L spray a rinse liquid, for example, pure water, onto the substrate G on the roller conveyance path 84. As a result, the liquid on the substrate G brought in from the blow cleaning chamber R2 (liquid in which foreign matter is floating) is replaced with the rinse liquid. The liquid (cleaning liquid, rinsing liquid, etc.) dropped from the substrate G to the bottom in the rinsing chamber R3 is discharged from the drain port 116.
基板Gは、リンス室R3を出ると同時に隣の液切り乾燥室R4に入る。液切り乾燥室R4では、コロ搬送路84上の基板Gに対して、上部および下部エアナイフ122U,122Lがナイフ状の鋭利な高圧の気体流たとえばエア流を搬送方向に斜め逆らう方向に当てる(図4)。これにより、基板Gに付いていた液(大部分がリンス液)Sは高圧エア流の風力で払い落とされ、液切り乾燥室R4の底に落ちた液はドレイン口138Aより排出される。こうして、上部および下部エアナイフ122U,122Lの間を通り過ぎた基板Gの表面は乾いた状態になる。 The substrate G exits the rinsing chamber R3 and simultaneously enters the adjacent liquid draining and drying chamber R4. In the liquid draining / drying chamber R4, the upper and lower air knives 122U and 122L impinge a knife-like sharp high-pressure gas flow, for example, an air flow, in a direction diagonally opposite to the transport direction against the substrate G on the roller transport path 84 (see FIG. 4). As a result, the liquid (mostly rinse liquid) S attached to the substrate G is wiped off by the high-pressure airflow of wind, and the liquid that has fallen to the bottom of the liquid draining drying chamber R4 is discharged from the drain port 138A. Thus, the surface of the substrate G passing between the upper and lower air knives 122U and 122L becomes dry.
液切り乾燥室R4の出口120を出た基板Gは、そのままコロ搬送路84を平流しで移動して第1の熱的処理部28(図1)へ入る。 The substrate G that has exited the outlet 120 of the liquid drying / drying chamber R4 moves as it flows through the roller transport path 84 and enters the first thermal processing section 28 (FIG. 1).
この実施形態の洗浄ユニット(SCR)38においては、上記のような一連の洗浄処理が行われる際に、各処理室R1〜R4内でミストが発生し、その殆どがチャンバ背面側の各排気ポート104,106,114,130〜134を通って排気部140へ回収されるようになっている。しかし、排気が十分でない場所があれば、そこでミストが付着する可能性はある。このうち、処理室R1〜R3内では、基板Gは濡れているので、基板表面にミストが付着しても、僅かであればシミや残渣は生じ難い。しかし、最終段の処理室つまり液切り乾燥室R4では、基板Gが両エアナイフ122U,122Lを通り過ぎるとその表面は乾いた状態になるので、そこにミストが僅かでも付着したならば、シミや残渣が生じる可能性は非常に高い。 In the cleaning unit (SCR) 38 of this embodiment, when a series of cleaning processes as described above are performed, mist is generated in each of the processing chambers R1 to R4, and most of them are exhaust ports on the back side of the chamber. 104, 106, 114, and 130 to 134 are collected into the exhaust section 140. However, if there is a place where exhaust is not sufficient, mist may adhere there. Among these, since the substrate G is wet in the processing chambers R1 to R3, even if mist adheres to the surface of the substrate, if it is small, spots and residues are hardly generated. However, in the final processing chamber, that is, the liquid draining / drying chamber R4, the surface of the substrate G becomes dry when it passes through both the air knives 122U and 122L. Is very likely to occur.
この実施形態では、チャンバ82(液切り乾燥室R4)に以下に詳細に述べるような排気機構を設けることにより、液切り乾燥室R4の排気効率およびスペース効率を改善するとともに、両エアナイフ122U,122Lを通過した直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止し、洗浄プロセス全体としての歩留まりを向上させている。 In this embodiment, an exhaust mechanism as will be described in detail below is provided in the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4) to improve the exhaust efficiency and space efficiency of the liquid draining / drying chamber R4, and both air knives 122U and 122L. The mist is sufficiently prevented from adhering to the dry substrate immediately after passing through the substrate, and the yield of the entire cleaning process is improved.
以下、図5〜図14につき、この実施形態においてチャンバ82の液切り乾燥室R4に設けられる排気機構の構成および作用を詳細に説明する。 Hereinafter, the configuration and operation of the exhaust mechanism provided in the liquid draining / drying chamber R4 of the chamber 82 in this embodiment will be described in detail with reference to FIGS.
図5にチャンバ82(液切り乾燥室R4)の外観構造を示し、図6にチャンバ82の内部の構成を示す。なお、図6では、排気室160の図解を容易にするために、両エアナイフ122U,122L(図2、図4)、コロ搬送路84(図2)および上部隔壁180(図10)を図示省略している。 FIG. 5 shows an external structure of the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4), and FIG. 6 shows an internal configuration of the chamber 82. As shown in FIG. In FIG. 6, the air knives 122U and 122L (FIGS. 2 and 4), the roller conveyance path 84 (FIG. 2), and the upper partition wall 180 (FIG. 10) are not shown in order to facilitate the illustration of the exhaust chamber 160. doing.
図5および図6において、チャンバ82の正面側の壁82fには、入口118に寄って上部エアナイフ122Uよりも高い位置に上部排気口124が設けられるとともに、出口120に寄って下部エアナイフ122Lよりも低い位置に下部接続口164が設けられている。上部排気口124は、壁82fの外で壁82fの縁に沿ってL状に延びる局所排気ダクト162を介して下部接続口164に接続される。 5 and 6, the wall 82f on the front side of the chamber 82 is provided with an upper exhaust port 124 at a position higher than the upper air knife 122U near the inlet 118, and closer to the outlet 120 than the lower air knife 122L. A lower connection port 164 is provided at a low position. The upper exhaust port 124 is connected to the lower connection port 164 via a local exhaust duct 162 extending in an L shape along the edge of the wall 82f outside the wall 82f.
上部排気口124の略真下に位置するチャンバ82(液切り乾燥室R4)内の底の角隅部には、この角隅部を空間的に覆い隠すように三角形状のコーナ板166が斜めに立て掛けられている。このコーナ板166は、この角隅部にミストが滞留するのを防止する機能を有している。コーナ板166の代わりに、この角隅部を空間的に埋めるように三角錐状の滞留防止部材を配設してもよい。下部接続口164は、排気室160の一端に位置し、チャンバ背面側の排気ポート134と対向している。 A triangular corner plate 166 is slanted at the corner of the bottom of the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4) located almost directly below the upper exhaust port 124 so as to cover the corner of the corner spatially. It is leaned against. The corner plate 166 has a function of preventing mist from staying at the corners. Instead of the corner plate 166, a triangular pyramid-shaped retention preventing member may be disposed so as to spatially fill the corners. The lower connection port 164 is located at one end of the exhaust chamber 160 and faces the exhaust port 134 on the rear side of the chamber.
図7および図8に示すように、排気室160は、排気ポート130,132,134が集約配置されているチャンバ背面側の壁82rの一部と、それと対向するチャンバ82の正面側の壁82fの一部と、それら背面側および正面側の壁82r,82fに挟まれたチャンバ出口側の壁82bの一部と、側壁板168と、2枚の仕切り板170,172とで構成されている。この排気室160には、天板174(図10)が付いている。 As shown in FIGS. 7 and 8, the exhaust chamber 160 includes a part of a wall 82r on the rear side of the chamber where the exhaust ports 130, 132, and 134 are collectively arranged, and a wall 82f on the front side of the chamber 82 that faces the chamber 82r. , A part of the wall 82b on the chamber outlet side sandwiched between the rear and front walls 82r and 82f, a side wall plate 168, and two partition plates 170 and 172. . The exhaust chamber 160 has a top plate 174 (FIG. 10).
側壁板168は、チャンバ正面側の壁82fとチャンバ背面側の壁82rとの間で、両エアナイフ122U,122Lに沿ってそれと平行に延びるように、搬送方向(X方向)に対して斜めに配置されている。この側壁板168と、チャンバ正面側の壁82fと、チャンバ背面側の壁82rと、チャンバ出口側の壁82bとによって、排気室160が平面視で台形状に形成されている。側壁板168の下端または下辺はチャンバ82(液切り乾燥室R4)の底に接し、その上端または上辺は天板174のエッジ174e(図10)に接続されている。 The side wall plate 168 is disposed obliquely with respect to the transport direction (X direction) so as to extend along the air knives 122U and 122L between the wall 82f on the front side of the chamber and the wall 82r on the back side of the chamber. Has been. The side wall plate 168, the chamber front wall 82f, the chamber back wall 82r, and the chamber outlet wall 82b form a trapezoidal shape in plan view. The lower end or lower side of the side wall plate 168 is in contact with the bottom of the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4), and the upper end or upper side thereof is connected to the edge 174e (FIG. 10) of the top plate 174.
側壁板168には、適当な間隔を空けて複数たとえば4つの開口が形成されている。これら4つの開口のうち、チャンバ背面寄りの2つが第1の排気口126であり、チャンバ正面寄りの2つが第2の排気口128である。 A plurality of, for example, four openings are formed in the side wall plate 168 at an appropriate interval. Of these four openings, two near the back of the chamber are the first exhaust ports 126, and two near the front of the chamber are the second exhaust ports 128.
2つの仕切り板170,172は、排気室160の室内を3つの排気空間M1,M2,M3に分割または区画する。より詳しくは、第1の仕切り板170は、排気ポート130,132の間(チャンバ背面側の壁82r)からそれと対向するチャンバ正面側の壁82fに向かって途中までまっすぐ延びて、中間の位置で搬送方向(X方向)と逆方向に曲折してその折曲部170aの先端が側壁板168に当接する。この第1の仕切り板170を隔壁として、第1の排気空間M1と第2の排気空間M2とが画成される。ここで、第1の排気空間M1は、側壁板168に形成されている第1の下部排気口126と、チャンバ背面側の壁82rに設けられている排気ポート130との間に延在している。また、第2の排気空間M2は、側壁板168に形成されている第2の下部排気口128と、チャンバ背面側の壁82rに設けられている排気ポート132との間に延在している。 The two partition plates 170, 172 divide or partition the interior of the exhaust chamber 160 into three exhaust spaces M1, M2, M3. More specifically, the first partition plate 170 extends straight from the middle between the exhaust ports 130 and 132 (the wall 82r on the rear surface side of the chamber) to the wall 82f on the front surface side of the chamber facing the first partition plate 170 at an intermediate position. The bent portion 170a is bent in the direction opposite to the conveying direction (X direction) and the tip of the bent portion 170a contacts the side wall plate 168. A first exhaust space M1 and a second exhaust space M2 are defined by using the first partition plate 170 as a partition wall. Here, the first exhaust space M1 extends between the first lower exhaust port 126 formed in the side wall plate 168 and the exhaust port 130 provided in the wall 82r on the back side of the chamber. Yes. The second exhaust space M2 extends between the second lower exhaust port 128 formed in the side wall plate 168 and the exhaust port 132 provided in the wall 82r on the back side of the chamber. .
また、第2の仕切り板172は、排気ポート132,134の間(チャンバ背面側の壁82r)からそれと対向するチャンバ正面側の壁82fに向かってまっすぐ延びて、その先端がチャンバ正面側の壁82fに当接する。この第2の仕切り板172によって、上記第2の排気空間M2から隔てられた第3の排気空間M3が画成される。この第3の排気空間M3は、チャンバ正面側の壁82fに設けられている下部接続口164と、チャンバ背面側の壁82rに設けられている排気ポート134とを繋いでいる。 Further, the second partition plate 172 extends straight from the space between the exhaust ports 132 and 134 (the wall 82r on the chamber rear surface side) toward the wall 82f on the front side of the chamber facing the second partition plate 172, and the tip thereof is a wall on the front side of the chamber. It abuts on 82f. The second partition plate 172 defines a third exhaust space M3 that is separated from the second exhaust space M2. The third exhaust space M3 connects the lower connection port 164 provided in the wall 82f on the front side of the chamber and the exhaust port 134 provided on the wall 82r on the back side of the chamber.
図8に示すように、チャンバ82(液切り乾燥室R4)内で、より正確には下部エアナイフ122Lより上流側で、第1の下部排気口126から第1の排気空間M1に入ったミスト混じりの排気ガスは、チャンバ背面側の排気ポート130に向かって第1の排気空間M1を流れ、排気ポート130から外の排気部140へ排出される。また、第2の下部排気口128から第2の排気空間M2に入ったミスト混じりの排気ガスは、チャンバ背面側の排気ポート132に向かって第2の排気空間M2を流れ、排気ポート132から外の排気部140へ排出される。両排気ポート130,132の排気流量はそれぞれの排気ダンパ152を通じて個別に制御可能であり、第1および第2の下部排気口126,128の排気能力(負圧吸引力)のバランスを任意に調節することができる。 As shown in FIG. 8, in the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4), more precisely, the mist mixed into the first exhaust space M1 from the first lower exhaust port 126 on the upstream side of the lower air knife 122L. The exhaust gas flows through the first exhaust space M1 toward the exhaust port 130 on the rear side of the chamber, and is exhausted from the exhaust port 130 to the exhaust unit 140 outside. The exhaust gas mixed with mist that has entered the second exhaust space M2 from the second lower exhaust port 128 flows through the second exhaust space M2 toward the exhaust port 132 on the rear side of the chamber, and is discharged from the exhaust port 132. Are discharged to the exhaust part 140. The exhaust flow rates of both the exhaust ports 130 and 132 can be individually controlled through the respective exhaust dampers 152, and the balance of the exhaust capacity (negative pressure suction force) of the first and second lower exhaust ports 126 and 128 is arbitrarily adjusted. can do.
一方、上部排気口124より局所排気ダクト162(図5)を通って下部接続口164から第3の排気空間M3に入ったミスト混じりの排気ガスは、チャンバ背面側の排気ポート134に向かって第3の排気空間M3を流れ、排気ポート134から排気部140へ排出される。排気ポート134の排気流量ひいては上部排気口124の排気流量も、個別の排気ダンパ152を通じて任意に調節することができる。 On the other hand, the mist mixed exhaust gas that has entered the third exhaust space M3 from the lower connection port 164 through the local exhaust duct 162 (FIG. 5) from the upper exhaust port 124 flows toward the exhaust port 134 on the rear side of the chamber. 3 is exhausted from the exhaust port 134 to the exhaust part 140. The exhaust flow rate of the exhaust port 134 and the exhaust flow rate of the upper exhaust port 124 can also be arbitrarily adjusted through the individual exhaust dampers 152.
なお、排気ポート130,132,134は、チャンバ背面側の壁82rを貫通して取り付けられる筒状のソケット175に設けられる。各ソケット175の中には気液分離器150(図3)が入っており、気液分離器150からの排液はソケット175の口から排気室160の底に流れ落ち、近くのドレイン口138Bに回収されるようになっている。 The exhaust ports 130, 132, and 134 are provided in a cylindrical socket 175 that is attached through the wall 82r on the rear side of the chamber. Each socket 175 contains a gas-liquid separator 150 (FIG. 3), and the drainage from the gas-liquid separator 150 flows down from the port of the socket 175 to the bottom of the exhaust chamber 160 and enters a nearby drain port 138B. It has come to be collected.
図10に、チャンバ82(液切り乾燥室R4)内の要部の構成および作用を示す。なお、図10は、図9(平面図)のA−A線についての断面図である。 FIG. 10 shows the configuration and operation of the main part in the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4). FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 9 (plan view).
図示のように、チャンバ82(液切り乾燥室R4)の天井から上部エアナイフ122Uまで垂れ下がる上部隔壁180が設けられている。この上部隔壁180により、基板G(コロ搬送路84)の上では、上部エアナイフ122Uより上流側の空間と下流側の空間とが略完全に遮断されている。 As shown in the figure, an upper partition wall 180 is provided that hangs down from the ceiling of the chamber 82 (liquid draining drying chamber R4) to the upper air knife 122U. The upper partition 180 substantially completely blocks the space upstream from the upper air knife 122U and the space downstream from the upper air knife 122U on the substrate G (roller transport path 84).
一方、下部エアナイフ122Lの直下から下流側に(チャンバ出口側の壁82bまで)排気室160が延在しており、下部エアナイフ122Lの下端と排気室160の天板174との間に隙間Kが形成される。この隙間Kを介して、エアナイフ122U,122Lの上流側の空間と下流側の空間とが連通している。 On the other hand, the exhaust chamber 160 extends from directly below the lower air knife 122L (to the wall 82b on the chamber outlet side), and there is a gap K between the lower end of the lower air knife 122L and the top plate 174 of the exhaust chamber 160. It is formed. The space on the upstream side and the space on the downstream side of the air knives 122U and 122L communicate with each other through the gap K.
エアナイフ122L,122Uの下流側空間において、天井のFFU136よりダウンフローで供給される空気は、直下を基板Gが通過していないときは、そのまままっすぐ降りて排気室160の天板174に当たり、天板174に沿って上流側に流れて、隙間Kを通り抜け、下部排気口126,128に吸い込まれる。また、FFU136からのダウンフローの空気は、基板Gがその下を通過しているときは、基板Gの左右両端とチャンバ正面側および背面側の壁82f,82rとの間の隙間を通り抜けてから、排気室160の天板174に沿って上流側に流れて、隙間Kを通り抜け、下部排気口126,128に吸い込まれる。 In the downstream space of the air knives 122L and 122U, the air supplied by the down flow from the FFU 136 on the ceiling, when the substrate G does not pass directly below, directly goes down and hits the top plate 174 of the exhaust chamber 160, It flows upstream along 174, passes through the gap K, and is sucked into the lower exhaust ports 126 and 128. Further, the downflow air from the FFU 136 passes through the gap between the left and right ends of the substrate G and the walls 82f and 82r on the front and rear sides of the chamber G when the substrate G passes under the air. Then, it flows upstream along the top plate 174 of the exhaust chamber 160, passes through the gap K, and is sucked into the lower exhaust ports 126 and 128.
一方で、FFU136よりダウンフローで供給される空気の一部は、出口120からチャンバ82(液切り乾燥室R4)の外に出る。特に、FFU136の直下を基板Gが平流しで移動しているときは、上方から基板Gの上面に当たった空気の多くが基板Gと一緒に出口120の外に出る。もっとも、それによって、基板Gの上面(おもて面)に悪い影響(特にミストの付着)をもたらすことはない。 On the other hand, a part of the air supplied from the FFU 136 in the down flow goes out of the chamber 82 (liquid draining drying chamber R4) from the outlet 120. In particular, when the substrate G is moving in a flat flow directly under the FFU 136, most of the air that hits the upper surface of the substrate G from above goes out of the outlet 120 together with the substrate G. However, it does not adversely affect the upper surface (front surface) of the substrate G (especially mist adhesion).
チャンバ82(液切り乾燥室R4)内で液切り乾燥処理が行われるときは、図4に示すように、上部および下部エアナイフ122U,122Lがそれらの間を通過する基板Gに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、基板G上の液が基板後端側へ掃き寄せられ、終には基板Gの外へ払い落とされる。この際、両エアナイフ122U,122Lの上流側の空間に多量のミストが発生する。すなわち、上部エアナイフ122Uが基板Gのおもて面(上面)に高圧エア流を吹き付けることによって基板Gの上でミストが発生し、下部エアナイフ122Lが基板Gの裏面(下面)に高圧エア流を吹き付けることによって基板Gの下でもミストが発生する。 When the liquid draining / drying process is performed in the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4), as shown in FIG. 4, the upper and lower air knives 122U and 122L are knife-shaped with respect to the substrate G passing between them. By spraying a sharp high-pressure air flow, the liquid on the substrate G is swept toward the rear end side of the substrate, and is finally wiped out of the substrate G. At this time, a large amount of mist is generated in the space upstream of the air knives 122U and 122L. That is, when the upper air knife 122U blows a high-pressure air flow on the front surface (upper surface) of the substrate G, mist is generated on the substrate G, and the lower air knife 122L generates a high-pressure air flow on the back surface (lower surface) of the substrate G. By spraying, mist is also generated under the substrate G.
基板Gの上で発生したミストの大部分は、上部排気口124に吸い込まれる。上部排気口124に吸い込まれたミスト混じりの空気は、チャンバ10の外の局所排気ダクト162を通って下部接続口164から排気室160の第3の排気空間M3に入り、第3の排気空間M3を通り抜けて排気ポート134から排気部140へ排出される。また、基板Gの上で発生したミストの一部は、基板Gの左右両端とチャンバ正面側および背面側の壁82f,82rとの間の隙間を通り抜けてから、基板Gの下で発生したミスト等と一緒に下部排気口126,128に吸い込まれる。 Most of the mist generated on the substrate G is sucked into the upper exhaust port 124. The mist mixed air sucked into the upper exhaust port 124 passes through the local exhaust duct 162 outside the chamber 10 and enters the third exhaust space M3 of the exhaust chamber 160 from the lower connection port 164, and enters the third exhaust space M3. Through the exhaust port 134 and discharged to the exhaust part 140. A part of the mist generated on the substrate G passes through the gap between the left and right ends of the substrate G and the walls 82f and 82r on the front and back sides of the chamber, and then the mist generated under the substrate G. And the like are sucked into the lower exhaust ports 126 and 128 together.
基板Gの下で発生したミストは、その全部がFFU136から廻ってくる空気および入口118から入ってくる空気と一緒に下部排気口126,128に吸い込まれる。下部排気口126,128に吸い込まれたミスト混じりの空気は、排気室160内の第1および第2の排気空間M1,M2を通り抜けて、排気ポート130,132から排気部140へ排出される。 The mist generated under the substrate G is all sucked into the lower exhaust ports 126 and 128 together with the air coming from the FFU 136 and the air entering from the inlet 118. The mist mixed air sucked into the lower exhaust ports 126 and 128 passes through the first and second exhaust spaces M 1 and M 2 in the exhaust chamber 160 and is discharged from the exhaust ports 130 and 132 to the exhaust unit 140.
また、基板Gの後端がエアナイフ122U,122Lの間を通り抜けて、後続の基板Gが入口118から入ってくるまでの間、エアナイフ122U,122Lの上流側空間で漂っているミストの一部は下部排気口126,128に吸い込まれ、残りは上部排気口124に吸い込まれる。 Further, part of the mist drifting in the upstream space of the air knives 122U and 122L until the trailing edge of the substrate G passes between the air knives 122U and 122L and the subsequent substrate G enters from the inlet 118 is The air is sucked into the lower exhaust ports 126 and 128, and the rest is sucked into the upper exhaust port 124.
このように、チャンバ82(液切り乾燥室R4)においては、エアナイフ122U,122Lよりも上流側の空間で液切り乾燥処理により発生したミストは、その全部または殆どが上部排気口124または下部排気口126,128に吸い込まれる。下部エアナイフ122Lの下端と排気室160の天板174との間の隙間Kには、下流側上部のFFU136から上流側底部の下部排気口126,128に向かって高い圧力の空気流が流れている。上流側空間のミストがこの空気流に逆らって隙間Kを通り抜ける、つまり下流側空間に流入または進入することはない。また、上流側空間にミストが溜まることがないので、エアナイフ122U,122Lが高圧エアを噴出し続けている限り、その間のギャップを通り抜けてミストが上流側空間へ拡散することもない。 Thus, in the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4), all or most of the mist generated by the liquid draining / drying process in the space upstream of the air knives 122U and 122L is the upper exhaust port 124 or the lower exhaust port. 126 and 128 are sucked. In the gap K between the lower end of the lower air knife 122L and the top plate 174 of the exhaust chamber 160, an air flow of high pressure flows from the FFU 136 on the downstream upper side toward the lower exhaust ports 126 and 128 on the upstream bottom. . The mist in the upstream space does not pass through the gap K against the air flow, that is, does not enter or enter the downstream space. Moreover, since mist does not accumulate in the upstream space, as long as the air knives 122U and 122L continue to eject high pressure air, the mist does not pass through the gap therebetween and diffuse into the upstream space.
したがって、エアナイフ122U,122Lの下流側空間でミストが浮遊することはなく、エアナイフ122U,122Lを通り過ぎた直後の乾いている基板Gの表面(特におもて面)にミストが付着することはない。このことにより、基板Gをシミのない状態で後工程(特にレジスト塗布工程)に送ることが可能であり、洗浄プロセスの歩留まりを向上させることができる。 Therefore, the mist does not float in the downstream space of the air knives 122U and 122L, and the mist does not adhere to the surface (particularly the front surface) of the dry substrate G immediately after passing through the air knives 122U and 122L. . As a result, the substrate G can be sent to a subsequent process (particularly a resist coating process) without a stain, and the yield of the cleaning process can be improved.
また、この実施形態では、チャンバ82(液切り乾燥室R4)の下部空間の排気を行う下部排気系が排気室160としてチャンバ82の中に設けられているので、チャンバ82の下に設置される用力装備や制御装備(図示せず)のスペースを圧迫することがない。さらに、チャンバ82(液切り乾燥室R4)の上部空間の排気を行う上部排気系も、チャンバ82の中の排気室160を通じてチャンバ背面側の排気ポート134に繋がっているので、これも用力装備や制御装備のスペースを圧迫することがない。これにより、装置のスペース効率を向上させることができる。 In this embodiment, a lower exhaust system that exhausts the lower space of the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R 4) is provided as the exhaust chamber 160 in the chamber 82. There is no pressure on the space for utility equipment and control equipment (not shown). Further, an upper exhaust system for exhausting the upper space of the chamber 82 (liquid draining drying chamber R4) is also connected to the exhaust port 134 on the rear side of the chamber through the exhaust chamber 160 in the chamber 82. There is no pressure on the control equipment space. Thereby, the space efficiency of the apparatus can be improved.
本発明においては、液切り乾燥処理を受けた直後の乾いた基板Gにミストが再付着するのを防止するうえで、下部エアナイフ122Lの下端と排気室160の天板174との間に形成される隙間Kの作用が、下流側の天井に設置されるFFU136の作用と相俟って、重要である。下部エアナイフ122Lと排気室160の天板174との距離間隔(隙間K)を適度の大きさに選ぶことにより、排気速度または排気効率とミスト拡散(付着)防止効果の両立を図ることができる。 In the present invention, it is formed between the lower end of the lower air knife 122L and the top plate 174 of the exhaust chamber 160 in order to prevent the mist from re-adhering to the dry substrate G immediately after the liquid draining treatment. The action of the gap K is important in combination with the action of the FFU 136 installed on the ceiling on the downstream side. By selecting a suitable distance (gap K) between the lower air knife 122L and the top plate 174 of the exhaust chamber 160, it is possible to achieve both the exhaust speed or the exhaust efficiency and the mist diffusion (adhesion) prevention effect.
この実施形態では、図9および図10に示すように、排気室160の天板174のエッジ174eまたは側壁板168が、両エアナイフ122U,122Lに沿ってそれと平行に延びるように、搬送方向(X方向)に対して斜めに配置されており、しかも両エアナイフ122U,122Lの吐出口の直下ないしはそれよりも少し上流側に位置している。これにより、隙間K付近のインピーダンスを高くして、下流側と上流側との圧力差を十二分に大きくし、ミスト逆流防止効果を最大限に高めることができる。
[他の実施形態または変形例]
In this embodiment, as shown in FIGS. 9 and 10, the edge 174e of the top plate 174 or the side wall plate 168 of the exhaust chamber 160 extends along the air knives 122U and 122L in parallel with the conveyance direction (X And is located immediately below or slightly upstream of the discharge ports of the air knives 122U and 122L. As a result, the impedance in the vicinity of the gap K can be increased, the pressure difference between the downstream side and the upstream side can be sufficiently increased, and the mist backflow prevention effect can be maximized.
[Other Embodiments or Modifications]
以上、本発明の好適な一実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形が可能である。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the technical idea.
たとえば、下部エアナイフ122Lの下端と排気室160の天板174との間に形成される隙間K回りの構成またはレイアウトを変形することができる。図11に示すように、排気室160の天板174のエッジ174eまたは下部排気口126,128の位置を下部エアナイフ122Lの下端の直下まで下流側にシフトさせても、隙間Kの大きさは変わらない。ただし、天板174のエッジ174eが上流側空間から後退するぶん、隙間K付近のコンダクタンスが大きくなる。それでも、隙間K付近で下流側空間と上流側空間との間に十分大きな圧力差をつくり、十全なミスト逆流防止効果を得ることができる。 For example, the configuration or layout around the gap K formed between the lower end of the lower air knife 122L and the top plate 174 of the exhaust chamber 160 can be modified. As shown in FIG. 11, even if the position of the edge 174e of the top plate 174 of the exhaust chamber 160 or the lower exhaust ports 126, 128 is shifted to the downstream side just below the lower end of the lower air knife 122L, the size of the gap K changes. Absent. However, as the edge 174e of the top plate 174 recedes from the upstream space, the conductance near the gap K increases. Nevertheless, a sufficiently large pressure difference can be created between the downstream space and the upstream space in the vicinity of the gap K, and a sufficient mist backflow prevention effect can be obtained.
さらに、図12に示すように、排気室160の天板174のエッジ174eまたは下部排気口126,128の位置を下部エアナイフ122Lの下端よりも下流側にシフトさせると、隙間K付近のコンダクタンスは相当大きくなる。この場合、隙間Kがそれほど大きくならなければ、FFU136のエア供給流量を増やすことにより、下流側空間と上流側空間との間に実用上十分な圧力差ひいてはミスト逆流防止効果を得ることができる。 Furthermore, as shown in FIG. 12, when the position of the edge 174e of the top plate 174 of the exhaust chamber 160 or the lower exhaust ports 126, 128 is shifted downstream from the lower end of the lower air knife 122L, the conductance in the vicinity of the gap K is considerable. growing. In this case, if the gap K does not become so large, by increasing the air supply flow rate of the FFU 136, it is possible to obtain a practically sufficient pressure difference between the downstream space and the upstream space, and thus a mist backflow prevention effect.
しかし、図13に示すように、排気室160の天板174のエッジ174eまたは下部排気口126,128を下部エアナイフ122Lから大きく離して下流側に位置させると、隙間Kが大きくなりすぎて、FFU136のエア供給流量を増やしても、実効的なミスト逆流防止効果を得るに必要な圧力差が生じなくなる。本発明者の行った実験によれば、下部エアナイフ122Lと排気室160の天板174との距離間隔(隙間Kのサイズ)が、天板エッジ174aがその高さ位置で下部エアナイフ122Lの直下またはそれよりも上流側に位置している場合の距離間隔Km(図11)の約10倍を超えると、実効的なミスト逆流防止効果は得られなくなる。 However, as shown in FIG. 13, if the edge 174e of the top plate 174 of the exhaust chamber 160 or the lower exhaust ports 126 and 128 are positioned far away from the lower air knife 122L, the gap K becomes too large and the FFU 136 is increased. Even if the air supply flow rate is increased, a pressure difference necessary to obtain an effective mist backflow prevention effect does not occur. According to experiments conducted by the present inventors, the distance between the lower air knife 122L and the top plate 174 of the exhaust chamber 160 (the size of the gap K) is such that the top plate edge 174a is directly below the lower air knife 122L at the height position. If it exceeds about 10 times the distance interval K m (FIG. 11) when it is located on the upstream side, an effective mist backflow prevention effect cannot be obtained.
上記実施形態では、排気室160において天板174のエッジ174eが側壁板168の上端に連続しているが、図14に示すように、天板174のエッジ174eが側壁板168の上端よりも上流側に(つまり庇状に)突出する構成も可能である。この場合、下部排気口124を下部エアナイフ122Lよりも下流側に配置しながら、天板174のエッジ174eを下部エアナイフ122Lの直下に延ばすことにより、隙間K付近のコンダクタンスを小さくし、隙間K付近で下流側空間と上流側空間との間に十分大きな圧力差をつくることが可能であり、ひいては十全なミスト逆流防止効果を得ることができる。 In the above embodiment, the edge 174e of the top plate 174 is continuous with the upper end of the side wall plate 168 in the exhaust chamber 160, but the edge 174e of the top plate 174 is upstream of the upper end of the side wall plate 168 as shown in FIG. A configuration that protrudes to the side (that is, in a bowl shape) is also possible. In this case, the conductance near the gap K is reduced by extending the edge 174e of the top plate 174 directly below the lower air knife 122L while disposing the lower exhaust port 124 on the downstream side of the lower air knife 122L. A sufficiently large pressure difference can be created between the downstream space and the upstream space, and as a result, a sufficient mist backflow prevention effect can be obtained.
また、排気室160の天板174は、天井のFFU132から降りてきた空気流を受け止めて隙間Kの方へ案内する機能を有する。この気流案内機能を奏するうえで、天板174は水平であってもよいが、図15に示すように、エッジ174eに向かって次第に低くなる傾斜面を好適に有することができる。 In addition, the top plate 174 of the exhaust chamber 160 has a function of receiving an air flow coming from the FFU 132 on the ceiling and guiding it toward the gap K. In order to perform this airflow guiding function, the top plate 174 may be horizontal, but as shown in FIG. 15, it can have an inclined surface that gradually decreases toward the edge 174e.
また、上記実施形態では、チャンバ正面側の壁82fとチャンバ背面側の壁82rとの間で、排気室160の側壁板168または天板174のエッジ174eが両エアナイフ122U,122Lに沿ってそれと平行に延びる構成であった。しかし、一変形例として、図16に示すように、排気室160の側壁板168または天板174のエッジ174eの一部(図示の例では中心部からチャンバ背面側の半区間)がエアナイフ122U,122Lに沿ってそれらと平行に延び、他の部分(図示の例では中心部からチャンバ正面側の半区間)がエアナイフ122U,122Lの吐出口よりも搬送方向の上流側に位置する構成も可能である。 In the above embodiment, the side wall plate 168 of the exhaust chamber 160 or the edge 174e of the top plate 174 of the exhaust chamber 160 is parallel to both the air knives 122U and 122L between the wall 82f on the front side of the chamber and the wall 82r on the back side of the chamber. It was the structure extended to. However, as a modification, as shown in FIG. 16, a part of the side wall plate 168 of the exhaust chamber 160 or the edge 174e of the top plate 174 (in the illustrated example, the half section from the center to the back side of the chamber) is an air knife 122U, A configuration is also possible in which the other portion (a half section on the front side of the chamber from the center in the illustrated example) is positioned upstream of the discharge ports of the air knives 122U and 122L in the transport direction, extending in parallel with them along 122L. is there.
なお、上部および下部エアナイフ122U,122Lは、典型的には上下に重なって配置されるが、搬送方向(X方向)で互いに位置をずらして配置される構成も可能である。 The upper and lower air knives 122U and 122L are typically arranged one above the other, but a configuration in which the positions are shifted from each other in the transport direction (X direction) is also possible.
また、必要に応じて、上部排気口124を省いて、下部排気口126,128のみでチャンバ82(液切り乾燥室R4)内の排気を行うことも可能である。また、排気室160の側壁の一部または全部をチャンバ82の側壁(82b,82f,82r)から独立した板材で構成することも可能である。 If necessary, the upper exhaust port 124 may be omitted, and the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4) may be exhausted using only the lower exhaust ports 126 and 128. Further, a part or all of the side wall of the exhaust chamber 160 may be formed of a plate material independent of the side wall (82b, 82f, 82r) of the chamber 82.
本発明においては、チャンバ82(液切り乾燥室R4)内の構成以外にも種種の変型が可能である。たとえば、コロ搬送路84に代えて、ベルトコンベア等の他の平流し搬送路を用いてもよい。本発明の平流し搬送において、基板は任意の姿勢をとることが可能であり、水平姿勢の平流し搬送であってもよいが、傾斜姿勢の平流し搬送も可能である。上記実施形態の洗浄ユニット(SCR)38における洗浄ツールの形式および配置構成は一例であり、洗浄プロセスの仕様に応じて任意の洗浄ツールを任意の場所に配置することができる。 In the present invention, various modifications are possible in addition to the configuration in the chamber 82 (liquid draining / drying chamber R4). For example, instead of the roller conveyance path 84, another flat flow conveyance path such as a belt conveyor may be used. In the flat flow transfer according to the present invention, the substrate can take an arbitrary posture and may be a horizontal flow transfer in a horizontal posture, but a flat flow transfer in an inclined posture is also possible. The type and arrangement of the cleaning tool in the cleaning unit (SCR) 38 of the above embodiment are merely examples, and any cleaning tool can be placed in any place according to the specifications of the cleaning process.
また、上記実施形態は、塗布現像処理システム10内の洗浄ユニット(SCR)38に係るものであった。しかし、塗布現像処理システム10内の現像ユニット(DEV)54に本発明を適用することも可能である。 Further, the embodiment described above relates to the cleaning unit (SCR) 38 in the coating and developing treatment system 10. However, the present invention can also be applied to the development unit (DEV) 54 in the coating and developing treatment system 10.
現像ユニット(DEV)54は、図示省略するが、第2の基板搬送ライン64の一区間を構成する平流し搬送路に沿って現像処理部、リンス部および乾燥部をこの順序に並べて配置している。ここで、現像処理部は、平流し搬送路上を移動する基板上に現像液ノズルより現像液を供給して、基板上に現像液を盛る(パドル現像)。リンス部は、所定のタイミングでリンスノズルよりリンス液(一般に純水)を供給して、基板上の現像液をリンス液に置換する(現像停止)。乾燥部は、平流し搬送路上を移動する基板にエアナイフより高圧のエア流を吹き付けて、基板の表面からリンス液を除去する(液切り乾燥)。 Although not shown, the development unit (DEV) 54 has a development processing unit, a rinsing unit, and a drying unit arranged in this order along a flat flow conveyance path constituting one section of the second substrate conveyance line 64. Yes. Here, the developing processing unit supplies the developing solution from the developing solution nozzle onto the substrate moving on the flat flow and the conveying path, and deposits the developing solution on the substrate (paddle development). The rinsing unit supplies a rinsing liquid (generally pure water) from the rinsing nozzle at a predetermined timing to replace the developing solution on the substrate with the rinsing solution (development stop). The drying section sprays a high-pressure air flow from the air knife onto the substrate that is flattened and moves on the conveyance path to remove the rinse liquid from the surface of the substrate (liquid draining drying).
この現像ユニット(DEV)54の乾燥部に、上記実施形態または変形例と同様の排気機構を組み込むことができる。これにより、乾燥部の排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止することができる。このことにより、基板をシミや残渣のない状態で後工程(特にエッチング工程)に送ることが可能であり、現像プロセスの歩留まりを向上させることができる。 An exhaust mechanism similar to that of the above-described embodiment or modification can be incorporated in the drying unit of the developing unit (DEV) 54. Thereby, the exhaust efficiency and space efficiency of a drying part can be improved, and it can fully prevent that mist adheres to the dry board | substrate immediately after liquid-drying drying. As a result, the substrate can be sent to a subsequent process (particularly an etching process) in a state free from stains and residues, and the yield of the development process can be improved.
上記した実施形態はLCD製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を噴き掛けてから液切り乾燥処理を行う任意の基板処理装置やアプリケーションに適用可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。 Although the above-described embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating and developing processing system for LCD manufacturing, the present invention is an arbitrary substrate processing apparatus for performing a liquid draining drying process after spraying a processing liquid on a substrate to be processed. And applicable to applications. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.
38 洗浄ユニット(SCR)
R4 液切り乾燥室
54 現像ユニット(DEV)
80 (洗浄)チャンバ
82 (液切り乾燥)チャンバ
84 コロ搬送路
118,120 基板出入り口(入口/出口)
82a チャンバ入口側の壁
82b チャンバ出口側の壁
82r チャンバ背面側の壁
82f チャンバ正面側の壁
122U,122L エアナイフ
124 上部排気口
126,128 下部排気口
130,132,134 排気ポート
136 ファン・フィルタ・ユニット(FFU)
140 排気部
160 排気室
162 局所排気ダクト
168 側壁板
170,172 仕切り板
174 排気室の天板
174e 天板エッジ
180 上部隔壁
38 Cleaning unit (SCR)
R4 liquid draining drying chamber 54 Development unit (DEV)
80 (cleaning) chamber 82 (liquid draining and drying) chamber 84 roller transport path 118, 120 substrate entrance / exit (inlet / outlet)
82a Wall on the inlet side of the chamber 82b Wall on the outlet side of the chamber 82r Wall on the rear side of the chamber 82f Wall on the front side of the chamber 122U, 122L Air knife 124 Upper exhaust port 126, 128 Lower exhaust port 130, 132, 134 Exhaust port 136 Fan filter Unit (FFU)
140 Exhaust part 160 Exhaust chamber 162 Local exhaust duct 168 Side wall plates 170, 172 Partition plate 174 Exhaust chamber top plate 174e Top plate edge 180 Upper partition
Claims (22)
前記平流し搬送路の第1の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第1の処理室と、
前記処理室内で、前記平流し搬送路の上および下から前記基板に対して搬送方向に斜めに逆らう方向に液切り乾燥用の気体を吹き付ける上部および下部エアナイフと、
前記上部および下部エアナイフよりも搬送方向の下流側で前記第1の処理室内に空気を供給する送風部と、
前記下部エアナイフの吐出口よりも低い位置で前記第1の処理室内に設けられる天板付きの排気室と、
前記排気室の前記入口と対向する側壁に設けられる下部排気口と、
前記排気室に接続される排気部と
を有する基板処理装置。 A flat flow path for transporting the substrate to be processed in a horizontal first direction;
A first processing chamber that contains a first section of the flat flow transfer path and has an inlet and an outlet through which the substrate transferred on the flat flow transfer path can pass;
In the processing chamber, upper and lower air knives that blow liquid-drying gas in a direction opposite to the transport direction obliquely with respect to the substrate from above and below the flat flow transport path,
A blower for supplying air into the first processing chamber on the downstream side in the transport direction from the upper and lower air knives;
An exhaust chamber with a top plate provided in the first processing chamber at a position lower than the discharge port of the lower air knife;
A lower exhaust port provided in a side wall facing the inlet of the exhaust chamber;
A substrate processing apparatus comprising: an exhaust unit connected to the exhaust chamber.
前記排気室の前記側壁には、前記第1の排気空間に通じる1つまたは複数の第1の下部排気口と、前記第2の排気空間に通じる1つまたは複数の第2の下部排気口とが設けられ、
前記排気部は、前記第1の排気空間に通じる第1の排気ポートと、前記第2の排気空間に通じる第2の排気ポートとを有する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 First and second exhaust spaces separated by a first partition wall are formed in the exhaust chamber,
The side wall of the exhaust chamber has one or more first lower exhaust ports that communicate with the first exhaust space, and one or more second lower exhaust ports that communicate with the second exhaust space. Is provided,
The exhaust section includes a first exhaust port that communicates with the first exhaust space, and a second exhaust port that communicates with the second exhaust space.
The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-3.
前記天板エッジと前記下部エアナイフとの距離間隔が、前記天板エッジがその高さ位置で前記下部エアナイフの直下に位置する場合の距離間隔の10倍以下である、
請求項7に記載の基板処理装置。 The top plate edge of the exhaust chamber is located downstream of the lower air knife in the transport direction,
The distance interval between the top plate edge and the lower air knife is not more than 10 times the distance interval when the top plate edge is located immediately below the lower air knife at its height position.
The substrate processing apparatus according to claim 7.
前記上部排気口を前記排気室に接続するために、前記第1の処理室の外に設けられる排気管と
を有する請求項1〜15のいずれか一項に記載の基板処理装置。 An upper exhaust port provided at a position higher than the upper air knife on a wall of the first processing chamber facing in parallel with the flat flow conveyance path and obliquely facing the discharge port of the upper and lower air knives;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: an exhaust pipe provided outside the first processing chamber in order to connect the upper exhaust port to the exhaust chamber.
前記第3の排気ポートは、前記第1の処理室の前記上部排気口が設けられている壁と対向する壁に設けられる、
請求項17に記載の基板処理装置。 The exhaust part has a third exhaust port communicating with the third exhaust space,
The third exhaust port is provided on a wall of the first processing chamber facing the wall on which the upper exhaust port is provided;
The substrate processing apparatus according to claim 17.
前記第2の処理室内で、前記基板に対してリンス液を噴き掛けるために、前記平流し搬送路に沿って配置される1つまたは複数のリンスノズルと
を有する、請求項1〜19のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A second process which is arranged next to the upstream side of the first processing chamber, accommodates a second section of the flat flow transfer path, and has an inlet and an outlet through which the substrate transferred on the flat flow transfer path can pass. Room,
One or a plurality of rinse nozzles arranged along the flat flow path for spraying a rinse liquid onto the substrate in the second processing chamber. The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記第3の処理室内で、前記基板に対して洗浄液を噴き掛けるために、前記平流し搬送路に沿って配置される1つまたは複数の洗浄ノズルと
を有する、請求項1〜20のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A third process which is arranged next to the upstream side of the second processing chamber, accommodates a third section of the flat flow transfer path, and has an inlet and an outlet through which the substrate transferred on the flat flow transfer path can pass. Room,
21. One or a plurality of cleaning nozzles disposed along the flat flow path for spraying a cleaning liquid onto the substrate in the third processing chamber. The substrate processing apparatus according to one item.
前記第3の処理室内で、前記基板のおもて面に現像液を供給するために、前記平流し搬送路に沿って配置される1つまたは複数の現像液ノズルと
を有する、請求項1〜20のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A third process which is arranged next to the upstream side of the second processing chamber, accommodates a third section of the flat flow transfer path, and has an inlet and an outlet through which the substrate transferred on the flat flow transfer path can pass. Room,
2. One or a plurality of developer nozzles arranged along the flat flow path for supplying the developer to the front surface of the substrate in the third processing chamber. The substrate processing apparatus as described in any one of -20.
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